Формирование и электрофизические характеристики многослойных структур на основе системы кремний-диоксид кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

САН^Г^ТЕ^^РГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

• 1 в пит

На правах рукописи

УРИЦКИЙ Валерий Яковлевич

ФОРМИРОВАНИЕ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СИСТЕМЫ КРЕМНИЙ-ДИОКСИД КРЕМНИЙ

Специальность 01.04.10 - Физика полупроводников

и диэлектриков

АВТС?ЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Санкт-Петербург 1995

Работа выполнена в АО "Светлана" (АОЗТ "Светлана-Полупроводники").

Официальные оппонента:

доктор физико-математических наук А.П. Барабан, доктор физико-математических наук, профессор В.И.Соколов, доктор физико-математических наук, профессор С.Д.Ханин.

Ведущая организация: Петрозаводский государственный университет.

Зашита диссертации состоится " ¿(-сИсаУ 1995 года в I час. ^ мин. на заседании Диссертационного совета Д.063.57.32 по защите диссертаций на соискание ученой степенй доктора физико-математических наук пря Санкт-Петербургском государственном университете по адресу: ¿99034, Санкт-Петербург, Университетская наб., д.7/9

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке СПбГУ.

Автореферат разослан "¿^ С<2Си\ 1995 г.

Ученый секретарь совета,

доктор физико-математических наук,

профессор

Соловьев В.А.

^1>ШЛЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Акоалмщсхг.. Система кремний - диоксид кремния (ЗьБЮ^) лнлмссч основной составной частью различных дискретных приборов интегральных с см (ИС) и используется в качестве экспериментальных структур для изучения приповерхностной области кремния, его межфазной границы (МФГ) со слоем БЮг- В первую очередь эта систе.ма применяется в структурах, использующих эффект поля или для анализа поверхности полупроводников, или как принцип работы полупроводниковых, устройств (МОП и МДП транзисторов, приборов с зарядовой связью, устройств памяти и ИС на их основе). В последних случаях система БьБЮг входит в состав многослойных структур типа проводящий полевой электрод (затвор)-диэлектрнк (окисел)-кремний. В качестве затвора в таких МДП или МОП структурах обычно используются слои сильнолегированною поликристаллнческою кремния (Б!,*) и металлов. Успехи в физике и технологии систем обеспечили современный уровень

кремниевой интегральной микро- и оптоэлектроники. Развитие интегральной электроники и физики поверхности полупроводников требует дальнейшего изучения электронных, ионных и атомно-молекулярных процессов, происходящих в МДП структурах на основе системы БьЯЮч, установления их природы и связи с условиями формирования с целью совершенствования технологии и улучшения электрических параметров этих структур.

К моменту постановки работы (70-е годы) в значительной частй проведенных исследовании основное внимание уделялось границе раздела з системе Б^ЗЮг. На этой МФГ Б^БЮг происходит формирование значительной части' собственных и примесных дефектов. Эта дефекты являются электрически активными центрами 'ЭАЦ), так как влияют на поверхностный изгиб зон кремния- и электрофизические процессы в приповерхностной области пространственного заряда кремния, на его МФГ со слоем окисла и в самом слое окисла.

Однако многие важные аспекты Газики и, хак следствие, и технологии этой системы оставались малоизученными. К ним ножи о отнести роль исходного состояния пов рхяоетн кремния в

генезисе ЭАЦ в формируемых на зтой поверхности МФГ ^1-510;. а слое 8102. Слабо изучена также роль остальных МФГ (здешних относительно исходной системы в^БЮ?) МДП структуры в формировании ее электрофизических характеристик. Роль ьнешней МФГ окисла (БЮг-затвор), или внешних МФГ многослойного диэлектрика часто игнорируется из-за ошибочных представлений о незначительном влиянии ЭАЦ в области этих МФГ на поверхностный изгиб зон кремниевой подложки за счет их относительной удаленности от ее приповерхностной области, в которой происходят основные "рабочие" электронные процессы. Это обстоятельство, а также определение методологические трудности в изучении ЭАЦ и электрофизических процессов в области внешних МФГ окисла (диэлектрика) привели к тому, что исследование их состояния и роли в формировании электрофизических характеристик МДП структур находилось на начальной стадии.Хотя ЭАЦ, локализованные в области внешних МФГ, при значительной их концентрации или (и) при уменьшении толщины окисла (диэлектрика), что является характерной тенденцией в связи с миниа: .оризацией МДП структур в ИС, могут определяющим образом влиять на поверхностный изгиб энергетических зон кремниевой подложки.

В МОП структурах, яртяющихся элементами ИС - МОП транзисторах (МОПТ), приборах с зарядовой связью и др. необходимо, также учитывать наличие вертикальных, планарных и изслласарных внешних МФГ раздела и, соответственно, ЭАЦ в области этих МФГ, расположенных на периферии структур. Перенос ЭАЦ между и вдоль МФГ, а также взаимосвязь процессов трансформации ЭАЦ на различных МФГ при разнообразных обработках МДП структур являются дополнительным аргументом в пользу необходимости изучения роли внешних МФГ в генезисе ЭАЦ.

Требует также уточнения роль границ раздела анизотипных (п+-р или р+-п) и изотопных (р+-р или п+-п) переходов в электронных процессах в подложке МДП структур. С этой целью процессы полевой генерации и переноса носителей заряда целесообразно изучить в условиях сильных и слабых электрических пол^ч в подложке, соответственно, и сверхнизких температур, при которых, с одной стороны, подвижность и коэффициент ударной ионизации

носителей заряда высоки, а с другой стороны - величина барьеров переходов будет существенно больше, чем кТ (3,6 10"4 эВ при 4,2К).

В связи с вышеизложенным представляется целесообразной и актуальной как с научной, так и с практической точки зрения постановка исследования роли границ в процессах генерации, аннигиляции и переноса ЭАЦ в различных областях диэлектрика (окисла) и в электронных процессах в подложке МДП структур при сверхнизких температурах. В данной работе границы раздела рассматривались, во-первых, как объект исследования,

характеристики которых достаточно полно отражают состояние -МДП структур и особенности процессов, протекающих в МДП структурах при различных внешних воздействиях; во-вторых, как неотьемл мые составляющие этой многослойной структуры, формирование и модификация которых приводят к наиболее эффективной трансформации ее характеристик.

Основная цель работы заключалась в исследовашш влияния процессов формирования и модификации границ раздела МДП структур на их электрофизические характеристики в температурном диапазоне«- включающем сверхнизкие температуры, в выявлении роли этих процессов в генезисе ЭАЦ и в определении возможностей " эффективного уг давления этими характеристиками.

В соответствии с поставленной целью работы были сформу-

1. Разработать : ¡сдельные (тестовые) структуры, сочетающие ' возможность прецизпонно:". модификации границ раздела с возможностью контроля электрофизических характеристик как отдельных границ раздела, так и структуры в целом.

2. Исследовать влияние структурно-примесной модификации поверхности кремния и условий последующего формирования окисного слоя на ЭАЦ в системе БьБЮг.

3. Изучить воздействие процессов формирования и модификации

внешней МФГ окисла с диэлектрическими, поликремниевыми и металлическими слоями на ЭАЦ и электрофизические процессы в разных областях окисла МДП структур.

4. Определить влпоцце ЭЛЦ с обисы М--РГ S! МО: ; - ■ :«••-шш границы инверсионного капала отнс-in едино aicii МФГ на подвижность носителей заряда в инверсионном канале.

5. Изучить особенности влияния границ разлела ¡потайных и анизотипных переходов в подложке на транспорт и нолевую генерацию носителей заряда в ней при охлаждении МДП структур до 4,2К и определить их физические механизмы.

, 6. Выявить эффективные методы управления электрическими характеристиками МДП структур путем модификации их границ раздела, включая и исходную поверхность кремниевой подложки.

Научная новизна полученных результатов состоит в

следующем:

1. Сравнены характеристики ЭАЦ в системах Si-Si02, отличающихся механизмами формирования слоя SiOi Уточнена и объяснена роль состояния приповерхностной области Si на кинетику начальной стадии его анодного окисления в гальваностатическом режиме и на полярность заряда ЭАЦ в формируемом слое окисла.

2. Изучено влияние модификации поверхности кремния, достигаемой различными способами, на процесс генерации ЭАЦ в SiC>2 при высокотемпературном окислении. Установлена активирующая роль серы в процессе генерации положительно заряженных ЭАЦ в слое S1O2. Определено ослабление процесса генерации вышеотмеченных ЭАЦ слоем пористого кремния и предложен механизм этого эффекта. Выявлена роль структурного фактора в доминирующей полярности заряда ЭАЦ в слое термоокисла.

3. Изучены особенности влияния процесса формирования внешней МФГ окисла со слоями SijN.*, Sipe, различных металлов и их сплавов на ЭАЦ в МДП структурах. Выявлено влияние МФГ окисла на перераспределение в окисле подвижных ЭАЦ, генерированных при цлрмнровании его внешней МФГ. Изучена боковая (латеральная) диффузия этих положительных подвижных зарядов в окисле. На основании выявленного сходства в кинетике распространения в окисле подвижные ЭАЦ идентифицированы с водородом. Игтчена трансформация ЭАЦ при высокотемпературных отжигах систем Si-SK>2 в неводородосодержащей среде в выявлена ее связь с

морфологией внешней МФГ окисла. Показано, что в отличие от систем Si-SiC>2 с открытой поверхностью в случае внешней МФГ окисла со слоями Sipe, Mo ми S13N4 наблюдаются значительные изменения ЭАЦ. Их характер определяется существенной деструкцией внешней и внутренней МФГ окисла, приводящей к генерации ЭАЦ - быстрых состояний (БС) - на МФГ Si-SKh и образованию нового типа ЭАЦ - фиксированных отрицательных зарядов в области спешней МФГ.

4. С использованием разработанной модельной (тестовой) структуры и модифицированной методики измерения и анализа ее вольтемкостных характеристик изучены ЭАЦ в областях внешней и -внутренней МФГ окисла, а также в слое Sipc-затвора. Выявлены и проанализированы изменения ЭАЦ в этих областях в результате термических, полевых и радиационных воздействий.

5. Определен и объяснен характер изменений энергетического спектра БС вблизи краев запрещенной зоны кремния при увеличении их интегральной концентрации в результате модификации МФГ S1-SiCh.

6. С применением разработанной тестовой структуры изучена боковая (латеральная) диффузия водорода в слое окисла, приводящая к аннигиляции БС на МФГ Si-Si02- Обнаружены и объяснены ряд электродных и латеральных эффектов, связанных с трансформацией ЭАЦ при генерации водорода на внешней МФГ окисла и его боковой диффузией из слоя окисла. * ■ .

7. Установлено существенное влияние ЭАЦ в области МФГ S*- ' SiOj на подвижность носителей заряда в инверсионном канапе. Обнаружено и объяснено возрастание подвижности носителей -и времени образования инверсионного слоя при заглублении границы инверсионного канала относительно поверхности кремнш..

8 Изучены перенос и полевая генерация носителей заряда в подложке МДП структур при сверхнизких температурах и определена pojb границ изотипных и анизотипных переходов в этих электронных процессах Выявлены и апробированы возможности управления , .указанными электронными процессами в подложке при сверхнизких V температурах.

Практическая значимость работы заключается в следующем: 1. Совокупность полученных результатов, устанавливающих, по-существу, связь электрических характеристик МДП структур с условиями их формирования и обработок на основных этапах технологического цикла изготовления кремниевых ИС, позволяет путем управления ЭАЦ за счет модификации МФГ получать ИС с заданными электрическими параметрами, что использовалось при разработке технологии изготовления различных кремниевых ИС в АО "Светлана".

2. Изучен перенос подвижных ЭАЦ в окисных слоях, определяющий стабильность электрических характеристик МДП структур. Установлена связь этих явлений с процессами формирования и модификации МФГ. Выявлены и апробированы способы оптимизации как процессов формирования составляющих МДП структуру слоев, так и конструкции периферийных областей затворного диэлектрика в "контактных окнах", обеспечивающие высокую стабильность электрических характеристик МДП структур,. что использовалось в конструкции МОП ИС серий 590 и 591.

3. Установлена зависимость интенсивности процесса лавинного умножения носителей заряда в сильных полях стоковой области канала МДП структур различной конструкции (длины и ширины канала, толщины окисла, концентрации легирующей примеси в подложке и периферийных областях стока и истока) от напряжения на электродах затвора и стока, что позволяет оценить значения максимально допустимых рабочих напряжений и оптимальный режим работы МДП структуры в диапазоне температур 4,2-ЗООК.

4. Разработаны технгческие решения, защищенные пятью авторскими свидетельствами и направленные на управление электрическими характеристиками МДП структур. Они включают как способы формирования металлических, диэлектрических и полупроводниковых слоев, так и способ формирования МОП структур с радикально улучшенными электрическими характеристиками при ' сверхнизких температурах, использованный в новой конструкции МОПТ, которая применена в качестве основной элементной Глзы первой в стране криогенной КМОПТ ИС (Б590КН18-2).

5. Разработаны конструкции ряда тестовых , структур, позволяющие:

- изучить процесс боковой диффузии водорода в окисле и ее влияние на ЭАЦ на МФГ Si-SiCh;

- определить характеристики ЭАЦ не только на МФГ Si-SiOfc во также на МФГ SiC^-Sipc и в слое Sipc-затвора (эта конструкция защищена авторским свидетельством);

- выявить влияние потенциальных барьеров в областях ipamnt изотопных переходов истока и стока с инверсионным каналом на поверхностный перенос носителей заряда при сверхнизких температурах;

исследовать процесс боковой диффузии ПЗ в окисле и его влияние на характеристики МДП структур.

6. Разработан ряд электрофизических методов контроля, диагностики технологических процессов и прогнозировании электрических характеристик МДП структур:

- метод диагностики качества процессов химических обработок поверхности окисла систем Si-Si02,*

- метод диагностики качества процессов металлизации этих систем;

- метод определения коэффициента боковой диффузии водорода в окисле по градиенту концентрации ЭАЦ вдоль МФГ Si-SiO^;

- метод определения концентрации ЭАЦ на МФГ SiOj-Sipc, • слое Sipe, величины и центроида полною заряда ЭАЦ в окисле систем Si-SK)2 -Sipe (защищен авторским свидетельством);

- метод прогнозирования работоспособности кремниевых МДП структур и ИС на их осноье при сверхнизких температурах (защищен авторским свидетельством).

Защищаемые положения формулируются следующим образом: 1. Экспериментальный подход, основанный на сочетании методов образования модельных МДП структур разработанных коьструкций и методик их исследования, позволивший выявить и уточнить роль фаниц раздела в формировании и трансформации электрических характеристик МДП структур.

гальваностатическом режиме и предложен механизм ее активам

ъшрршижтадтшттшш, т

Mow^^j^jpftpogp^fgiift^^процесс генерации ЭАЦ при ее окислении, з Изучены закономерности трансформации "биофафически;

9АЦ re8^H,fei»x amWi ЭА$асЯЩют

¿оков

слое ¡ЩуЫ^ШРШт

кюртъшштт^^ш-ъдавжмго условиями

их формирования

йодифйщда1 одащн1о рщданвй эа

носитад^ряад. т^^да/^^БЬеЖ^Щ^одп

ею- пассивации ЭАЦ и их генерации при сопутствующей радиац.ш н.

• kpШЩт ОЖР°РР в&еВ^^сЖЬада^'Жсд» . -- темнещрц^ опдрищщкpggQC ^^щр ШЩШт

зарядай(ЯРдлад ДШЙШ ГШРКЛци

изота1\Шл£еееЩ%з.йГШт

мдп ^Щ^^сйШШ^ЩЙЪк^даН^^йШЩ'^р^йМ^с^Шо сл алеме¥а в MWefiP'^l^'W?11 Жцесс

приводит к усилсш

^УЧЗШвЖ? к ЧенфщиУ-ВБ на 4i№f>W№2 РЧдЩШЬтЧша

раздел^ф|яупроводник - диэлектрик, (Новосибирск, 1967, 1969; 1974 г.г., Киев, cWiyp^'^-^Si^^^iiP'Äpani

v н о¥Ысесо$Ш1 Ш^Ш^ИМЫ.0-W«ffifcami полУпШйШВДи Шне^ВДкЩ 8Ш®Шй?а й с$е S

я№№й.°ШШ|ю, flÄepai

нтщтмж^0б$жш т^^орЩШ2^^6 оёЬгти

(Ильменау, Германия, 1990г.); I, Ш Всесоюзных конференциях

"Физические основы надежности и деградация полупроводниковых приборов", (Кишинев 1982, 1991 г.г.); V, VI Всесоюзных научно-технических конференциях "Аналитические методы исследования материалов и изделий микроэлектроники", (Черновцы, 1989г., Кишинев, 1991г.); Всесоюзном научно-техническом семинаре "Низкотемпературные технологические процессы в электронике", (Ижевск, 1990г.); Всесоюзном совещании по диэлектрической электронике", (Ташкент, 1973г.); Всесоюзном семинаре "Аморфные гидрированные полупроводники и их применение", (Ленинград, 1991г.); X Всесоюзной конференции "Состояние и перспективы развития микроанектронной техники", (Тбилиси, 1987г.); Всесозном ' совещании-семинаре "Электрическая релаксация и кинетические явления в твердых телах", (Сочи, 1991г.); Научно-технической конференции с международным участием "Приборы с зарядовой связью . и системы на их основе", (Геленджик, 1992г.); VII Международном симпозиуме по пассивацни:пассивация металлов и полупроводников, (Клаустодл, Германия, 1994г.); Международной конференции "Электрическая релаксация в высокоомных материалах", (Санкт-, Петербург, 1994г.); Совещании-семинаре "Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике", (Одесса, 1989г.); I, 12, 13, 15 Научно-технических семинарах Северо-Западного региона "Физические н химические явления на поверхности полупроводников и границах раздела фаз, управляющих качеством слоистых систем в интегральной электронике", ( Ленинград, 1983г., Новгород, 1988г., Таллинн, 1989г., Новгород, 1990г.); Семинаре отделения исследований и разработок АО "Сименс" ^Мюнхен-Нейперлах, 1990г.).

Материалы докладывались и обсуждались также: на других совещаниях, семинарах и конференциях.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 105 работах, список основных публикаций приводится в конце автореферата.

введения,' б глав, заключения, основных выводов, списка литературы и приложения. Общий объем 341 страница, он включает 253 страницы основного текста, 104 рисунка, 24 таблицы и библиографию из 224 работ.

Диссертация состоит из

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во г ведении дана классификация ЭАЦ в многослойных структурах на основе системы БьБЮг обоснована актуальность выбранной темы исследования, сформулированы его цель и задачи, представлены основные результаты, их научная новизна и практическая значимость, приведены положения, выносимые на защиту.

В первой главе приведены экспериментальные результаты изучения электрофизических характеристик систем .41-8102 и анализа их связи с условиями и процессами формирования окисного слоя с целью выявления роли этих процессов в генезисе ЭАЦ систем Бь БЮг, что необходимо для изучения лзменений ЭАЦ при последующих формировании и модификации внешних границ раздела окисла. Представлены особенности методики исследования, основанные на измерении и анализе зависимостей поверхностных емкости и проводимости кремния от напряжения затвора МДП структур, в диапазоне температур от комнатной до 77К, позволяющие определить интегральную концентрацию и энергетическое распределение БС почти во всем диапазоне запрещенной зоны кремния. Полученк ае результаты свидетельствуют об амфотерности дефектов на МФГ 51-5102, определяющих БС вблизи краев запрещенной зоны. Определена крупномасштабная неоднородность концентрации БС ло площади кремниевой пластины и выявлены условия ее возникновения на завершающей стадии высокотемпературного окисления.

Установлено и проанализировано влияние состояния приповерхностной области 81 на кинетику начальной стадии его аводного окисления и полярность заряда ЭАЦ в формируемом слое окисла. В случае р-8г высокая концентрация днрок в аккумуляционном слое на его поверхности обеспечивает значительный ток туннельной ивжекции дырок в окисел и формирование положительного заряда в' нем за счет доминирующего захвата дырок на ловушки в окисле. В противоположность этому ток поляризации при анодном окислен'ш п-8г в" темноте вызывает формирование широкого (10-12 мкм) неравновесно обедиепнош слоя с низкой концентрацией дырок на

поверхности кремния. Наблюдаемый в этом случае быстрый рост островков окисла до толщины 40 нм с последующим их слиянием определяется неоднородным образованием горячих дырок, вызывающих разрыв связей поверхностных атомов кремния и, соответственно, активирующих процесс окислообразования.

Сравнены электрические характеристики систем Б^Ог, существенно отличающихся условиями и механизмами формирования окисного слоя. Различие в концентрации БС, ловушек и фиксированных зарядов в этих системах объясняется состоянием МФГ 81-5102, задаваемым механизмом формирования слоя БЮг и участием в нем атомов матрицы кремния и сопутствующими" водородной модификацией и (или) радиационной деструкцией этого слоя и МФГ 51-5102.

Вторая глава посвящена изучению роли структурно-примесной модификации поверхности кремния в процессах формирования ЭАЦ в слое окисла. Модификация поверхностей достигалась использованием различных химических обработок, формированием слоев кремневодородной пленки, пористого кремния и поликристаллического кремния. На основании изучения С-У характеристик выявлена ключевая роль модификации поверхности кремния в плавиковой кислоте или в ее растворах на генерацию фиксированных зарядов положительной полярности в формируемом слое БЮг при последующих обработке в горячей серной кислоте и высокотемпературном окислении. Выявленная Модификация поверхности кремния определяется доминирующим образованием йа ' ней БьН связей или, при определенных условиях, кремневодородной пленки. Проведеное исследование электрических характеристик сверхтонкого окисла показало, что вышеотмеченная модификация поверхности приводит к формированию повышенной .сонцентрации положительно заряженных центров уже на начальной стадии высокотемпературного окисления. Эти ЭАЦ локализованы в слое окисла в области его внутренней МФГ. Установлена корреляция между содержанием серы на поверхности кремния с 5ЬН связями после ее окисления в горячей серн й кислоте к концентрацией положительно заряженных ЭАЦ в слое окисла и донорных уровней в приповерхностной области Б! после зысокотемпературного

окисления. Последнее определяется диффузией атомов серы в эгу область при высокой температуре. Возможный механизм возденет ¡у ¿я серы на ЭАЦ в слое окисла связан с образованием при высокой температуре моносульфида кремния, процесс окисления которого является дополнительным источником избыточного кремнии вблизи МФГ Si-Si02.

Выявлены особенности электрических характеристик систем Sipc-SiCh, полученных термоокислением слоя Sipe, нанесенного на поверхность монокристатлического кремния. По сравнению с системами Si-Si02, полученными термоокислением поверхности монокристаллического кремния, эти системы характеризуются большей концентрацией ЭАЦ, расположенных в области МФГ Si^-Si02, и их суммарным отрицательным зарядом. Эти отличия можно связать с влиянием межзеренных границ с исходной высокой концентрацией ЭАЦ в поликристаллическом кремнии на процесс формирования МФГ окисла.

Установлена связь толщины слоя окисленного пористого кремния и концентрации положительных фиксированных зарядов в нем с исходной толщиной пористого кремния. Концентрация этих ЭАЦ в окисле зависит от того, где расположена МФГ Si-SiC^: в слое пористого кремния вблизи его границы с подложкой или существенно углублена в подложку. В первом случае заряд ЭАЦ в окисле меньше, чем во втором. Это можно связать с уменьшением концентрации избыточного кремния в формируемом слое окисла за счет подключения дополнительного процесса - латерального термоокисления поверхности пор в слое пористого кремния при почти полном соответствии объемов этих слоев. В случае углубления окисла в подложку это условие будет нарушено, что и приводит к формированию более высокой концентрации положительно заряженных центров в окисле.

В третьей главе представлены результаты изучения изменений "биографических" ЭАЦ и генерации ЭАЦ новых типов в системе Si-SiÜ2 при формировании и модификации внешних М<"Г многослойных структур. Внешняя МФГ формировалась при осажпении слоя Si3 N4 и Sipe или нанесением в вакууме слоев Mo, AI и его сплавов, а также других металлов с использованием резистивного

нагрева, электронно-лучевого испарения или магнетр'онного распыления. Модификация внешних. МФГ осуществлялась путем термических, химических, плазменных и лучевых обработок.

При формировании внешней МФГ окисла со слоями Si3N4, Mo, и Sipe происходит изменение концентрации ЭАЦ в окисле и на ею МФГ. Уменьшение концентрации БС, наблюдаемое при осаждении слоев Sipe и Sij^ в водороде, можно связать с водородной пассивацией этих ЭАЦ. Показано, что в случае осаждения слоя Si3N4 в несодородосодсржащей среде доминирующим процессом является термодеструкция обеих МФГ окисла, приводящая к генерации БС на внутренней МФГ и образованию ЭАЦ нового типа - отрицательно * заряженных ЭАЦ в окисле вблизи его внешней МФГ. Обнаружено, что на концентрацию положительно заряженных ЭАЦ в окисле вблизи МФГ Si SiOi влияет тип проводимости сильнолегарованного Sipe, нанесенного на поверхность слоя SiC>2. Выявлено, что это определяется влиянием внешней контактной разности потенциалов (КРП) Si-Sipc, полярность которой зависит от типа проводимости Sipe, на локализацию в окисле подвижных (при температуре выше 400 °С) ЭАЦ.

Установлено, что высокотемпературный отжиг систем Si-Si02 в вакууме, а при наличии на поверхности окисла слоев Sipe, Mo или S13N4 - и в негадородоеодержагцей среде приводит к существенной модификации обеих МФГ окисла, выражаемой в генерации ЭАЦ. В этом случае общим является рост концентрации БС на МФГ Si-SiOz и генерация ЭАЦ косого типа - отрицательных зарядов, локализованных в области внешней МФГ. Образование этих ЭАЦ обусловлена дегидрогенизацией и деструкцией МФГ окисла при высоких температурах и отсутствии поступления водорода и кислорода в слой окисла из внешней ср аы. Процессы деструкции определяются для внутренней МФГ доминирующей диффузией атомов кремния из подложки в окисел, а для внешней МФГ - атомов кислорода из окисла и .стречной диффузией атомов матрицы верхнего слоя, а также -легируюшчх примесей этого слоя (в особенности бора из p+-Sipc). Последние активируют процесс дефекте образования.

Представлены результаты анализа роли сопутствующих радиационных воздействий в окисле систем Si-SiOz в процессах

генерации и трансформации ЭЛЦ при формировании ььешней МФГ.

Установлено, что при формировании МФГ SiG^-sanop образуются п.даижкые ЭАЦ положительной полярности. Их концентрация зависит от материала затвора, условий ею нанесения и типа предварительной обработки поверхности окисла. ЭАЦ этого типа, генетически связанные с процессами формирования и модификации МФГ БЮг-затвор, первоначально локализованы в окисле вблизи этой МФГ. Однако при температурах выше 400 °С наблюдается достаточно быстрое (~102 с) установление их распределения между МФГ в окисле под действием КРП Si-затвор и сравнимых с ней по величине напряжений затвора, что позволило исследовать при таких температурах влияние МФГ окисла на этот процесс. Выявленная роль МФГ окисла феномеполошчески описана путем введения потенциальных ям, характеризующих влияние МФГ на установление диффузионно-дрейфовош равновесия этих ЭАЦ в слое окисла. Величины потенциальных ям, определенные из температурных зависимостей накопления и рассасывания подвижных ЭАЦ в области МФГ Si-SiOi, характеризуют состояние МФГ окисла и дополняют его структурно-морфологические параметры.

Представлены результаты изучения боковой диффузии подвижных ЭАЦ в окисле сис гм Si-Si02 с верхними слоями S13N4, AI'или Sipe. ЭАЦ этого типа специально создавались на периферии или в самом окисле и при отжиге диффундировали в этот окисел или из него, соответственно. Коэффициент их боковой диффузии при 450 °С был 10'7-10"6 cmV1 и зависел от материала слоя, находящегося на поверхности окисла. Это указывает на локализацию основного канала диффузии этих ЭАЦ в окисле вблизи его внешней границы. Подвижные ЭАЦ, введенные в затворный окисел, мигрируют в сильных электрических пол5& при комнатной и более низких температурах, а при длительном отжиге трансформируются в ЭАЦ с фиксированной локализацией в области МФГ Si-Si02. Эти явления приводя? к зависимости электрических характеристик МДП структур " от размеров затвора. Обнаружен дополнительный канал боковой диффузии подвижных ЭАЦ - через торцы окисла в области контактных окон МДП элементов в ИС. Высокий коэффициент боковой диффузии и назкие температуры полевой миграции позволили

свагль з. а ЭЛП. ь скнсле с водородом. Представлены . варианты конструкции и технолилш структур, обеспечивающие стабильность их параметров.

В_ четвертой гтаге рассматриваются электрофизические характеристики окисла и его МФГ с монокристгллической подложкой и поликремиисБым затвором. На основе теории поверхностной емкости полупроводников дан анализ емкости структур Si-SiOj со . слаболегированным или иелегаровакным Sipe-затвором, И оценено влияние на их C-V характеристики ЭАЦ в слое окисла, на его МФГ с подложкой и затвором и в Sipc-затворе. Показано, что использование тестовой структуры такой конструкции и модифицированного анализа' ее C-V характеристики дает возможность оценить величину и центроид локализации полного заряда ЭАЦ в окисле без применения послойна/о травления окисла с многократными промежуточными измерениями C-V характеристик и позволяет корректно определить " концентрацию ловушек в слое Sipe и на МФГ Sipc-SiOj в широком интервале поверхностных изгибов зон Sipe от обогащения электронами до обогащения дырками. Максимальная концентрация ЭАЦ в окисле наблюдается вблизи МФГ Sipe-SiO^ Определено, что водородная пассивация ловушек происходит независимо от их локализации: на МФГ окисла и в слое Sipe, что указывает на общую природу этих д.фектоз, локализованных в разных областях этой многослойной структуры и связанных, вероятно, с ненасыщенными связями Si. f

Установлено, ч^о медленный захват носителей заряда А ловушки, локализованные вблизи внутренней и внешней МФГ окисла, является одним из основных механизмов, определяющих изменение * заряда ЭАЦ в окисле при электрической поляризации структур. При умеренных напряжение стях электрического поля в окисле доминирует медленный захват дырок на МФГ Si-Si02. Термообработка- в водороде усиливает медленный захват дырок на МФГ Sipc-Si02. Медленный захват электронов на МФГ Si-Si02 наблюдается только при достаточно сильных полях. При напряженности поля в окисле (> 7 10б В см") наблюдается резкий рос» тока через окленый слой, что вызывает в случае поляризации с отрицательным напряжением Sipe-затвора генерацию БС на МФГ Si-SiOi, сопровождаемую захватом

дырок. При положительном напряжении затора сильная деградация МФГ Si-SiC>2 наблюдается у систем с окислом, содержаниям введенный з него в процессе термоохислеиня и последующей термообработки водород и его комплексы. Это явление, сопровождаемое интенсивным медленным захватал» дырок вблизи МФГ Sipc-SiOi, выражается в увеличении положительного заряда ЭАЦ в окисле и генерации быстрых и медленных состояний в области МФГ Si-SiC>2 и объясняется электрохимическими процессами с участием водорода.

Показано, что генерация подвижных ЭАЦ в области МФГ Sipc-S1O2 и пх дрейф к МФГ Si-SiC>2 является еще одним основным механизмом, определяющим медленную поляризацию окисла при положительных напряжениях затвора, в особенности, у структур с окислом, сформированным и термообработанным в

водородосодержащей среде. На основании анализа одновременных изменений ЭАЦ на внешней и внутренней МФГ установлено, что накопление подвижных ЭАЦ у МФГ Si-Si02 сопровождается, обратимой трансформацией части из них в БС, а при последующем воздействии отрицательного напряжения происходит их обратный дрейф с частичной нейтрализацией его в области МФГ Sipe- Si02. Вышеизложенные процессы отчетливо проявляются после отжига (гидрогенизации) систем, в результате которого интенсивность быстрого и медленного захвата носителей заряда у обеих МФГ окисла резко падает. Генерация подвижных ЭАЦ три положительном напряжении на затворе с последующим их дрейфом характерна для образцов, не подвергнутых водородной термос Зпабо'гкс, тогда как такая обработка непосредственно вызывает их генерацию в области МФГ Sipc-SiC^. Процессы полевой генерации и дрейфа подвижных ЭАЦ наблюдаются при комнатной и более низких температурах.

В случае проведения отжига после .литографии затвора возникает зависимость концентрации БС и подвижных ЭАЦ от конфигурации затвора. При больших размерах (>100 мкм) затвора' наблюдается сильная латеральная зависимость этих ЭАЦ в окисле и на его МФГ. В периферийных областях концентрация БС выше, а концентрация подвижных ЭАЦ ниже, чем в центральной облаетг окисла. В случае малых размеров (< 15 мкм) затвора наблюдается,

по-сущесну, их полное исчезновение. Эти эффекты объясняются продольным распространением водорода и связанных с йим подвижных ЭЛЦ из слоя окисла при отжиге.

Выявлено, что при рентгеновском облучении накопление П0.'!0ЖИГеЛЫ10Г0 ЗарЯДи идет более интенсивно у МФГ Sipc-Si02, чем у МФГ SÍ-SÍO2. Это можно связать с более высокой концентрацией ловушек у МФГ Sipc-SiCh. Но, по сравнению с МФГ Si-SxC>2 концентрация накопленного заряда у внешней МФГ более слабо зависит от величины и полярности напряжения при облучении. Наблюдается генерация БС в областях обеих МФГ, определяемая, вероятно, образозагнем ненасыщенных кремниевых связей, ранее пассивиропаниых водородом.

Определено, что в отличие от МФГ SÍ-S1O2 с МФГ Sipc-Si02 генетиче хи связан отрицательный фиксированный заряд в окисле. В то же время накопление в окисле у этой МФГ положительного заряда подвижных ЭАЦ или захваченного заряда дырок маскирует наличие отрицательного заряда. Однако дрейф этих ЭАЦ от МФГ Sipc-Si02'K МФГ SÍ-S1O2 при поляризации или их продольный перенос из затворного окисла при отжиге систем с затвором малых размеров восстанавливает или усиливает доминирующее влияние отрицательного зардца в суммарном заряде ЭАЦ в этой области окисла. Разная толяриость заряда ЭаЦ у МФГ окисла отражает отличи;, в их структурно-стехнометрическом состоянии, определяемые доминирующим влиянием избыточных атомов Si на внутренней МФГ и формирование/л рс! :ч;сгруирог.анггого слоя окисла (за счет деформации и разрыва S1-0 связей, образования новых связей с атомами и примесями верхнею слоя) у внешней МФГ.

Пятая__глава посвящена изучению энергетического и

латерального распределения ЭАЦ в области МФГ SÍ-SÍO2, их водородной пассивации и влияния на подвижность носителей заряда в инверсионном канале. Представлены результаты, свидетельствующие об общей тенденции изменения энергетического спектра БС при росте их концентрации на МФГ SÍ-S1O2 в результате ее модификации за счет термических, полевых и par тационных Е^здействий. Эта тенденция выражается в появлении на спектре БС, характеризуемом монотонным ростом к краям запрещенной зоны, одного, а при

дальнейшем росте концентрации БС - и нескольких, пиков. Несмотря на зависимость вида спектра БС от конкретного способа их генерации, что позволяет использовать спектр БС для характепизацин процессов модификации МФГ, положение - пиков по шкале энергии в запрещенной зоне Si учляются близкими у образцов, подзгргаутнх различным воздействиям. Это указывает на формзроьдаш схожих дефектов на МФГ при различных воздействиях, пишодящих к генерации БС.

Предложена конструкция тестовой структуры для изучения продольной диффузии водорода при отжиге (й 600 С) в окисле вдоль МФГ Si-SKh. Слой SijN4 при таких отжигах препятствует проникновению водорода в нижележащий слой SiCh, поэтому диффузия водорода в этот слой возможна только через окна", полученные локальным травлением слоя S13N4. Индикатором перемещения водорода вдоль МФГ Si-SiC>2 под двуслойным диэлектриком SiC>2-Si3N4 является концентрация БС на этой МФГ. Использование предложенной тестовой структуры позволило определить распределение концентрации БС вдоль МФГ Si-Si02 при различных температурах и временах отжига и оценить коэффициент дисЬфузии водорода в окисле в (IO^ cmV1 при 450°С).

Обнаружено, что процесс аннигиляции БС при отжиге в неводоросодержащей среде зависит от напряжения затвора, в состав ^которого входит слой А1. Этот эффект определяется водородом, который образуется in situ за счет реакции А1 с водоросодержащими (ОН', НгО) компонентами в области внешней МФГ н за • счет освобождения водорода из слоя Мо или Si при их взаимодействии со слоем А1. Положительное напряжение затвора ослабляет процесс аннигиляции БС. Отрицательное напряжение, вызывая интенсивное катодное выделение водорода, приводит к более значительной аннигиляцию БС за счет водородной пассивации. Выявлен латеральный эффект в трансформации ЭАЦ, связанный с боковой диффузией водорода, образующегося на внешней МФГ.

Установлена существенная связь между концентрацией ЭАЦ, локализованных в области МФГ Si-Si02, и подвижностью носителей в инверсионном канале МОПТ. Используя выявленные способы управления концентрацией ЭАЦ на МФГ Si-Si02, удалось изменять ее

значение в пределах двух порядков (10,0-Ю12 см"2), что привело к изменению подвижности свободных дырок в пределах одного порядка (400-4000 см^'с*1) при 77К. Это указывает на значительное влияние, состояния МФГ БьЗЮг, характеризуемого концентрацией ЭАЦ, на перенос носителей заряда в поверхностных инверсионных слоях. Имплантация примесей в режимах, приводящих к образованию заглубленного инверсионного канала, вызывает, несмотря на формирование МФГ Б^-БЮг с более высокой концентрацией БС, рост подвижности носителей и времени образования инверсионного слоя. Это явление можно связать с экранировкой инверсионного канала от МФГ БьБЮг, где локализованы БС, потенциальным барьером, вызванным имплантацией.

В шестой главе приводятся результаты изучения роли границ изотипных и анизотипных переходов на электроннные процессы в подложке МДП структур при сверхнизких (до 4,2К) температурах. С использованием разработанной тестовой структуры изучен поверхностный перенос носителей и выявлены его особенности при температурах ниже 40К, связанные с образованием потенциальных барьеров на границах изотшшых переходов областей стока и истока с инверсионным каналом. Применение тестовой структуры, включающей МОПТ, у которых ширина инверсионного канала изменялась в диапазоне (0,8-1,8) мкм с шагом 0,25 мкм, позволило корректно выявить роль в лавинном процессе умножение носителей заряда краевых областей границы перехода стока с инверсионным каналом. При уменьшении длины инверсионного канала от 20 до ОД мкм обнаружено снижение интенсивности процесса лавинного умножения носителей заряда прп напряжениях затвора, соответствующих началу инверсии на поверхности 51, что можно связать с заглублением короткого канала в область с иолее низкой напряженностью электрического поля. На основании изучения электрических характеристик МОПТ при возникновении и развитии лавинного умножения носителей заряда в инверсионном канале определены особенности электронах процессов при сверхнизких температурах, приводящие к возникновению значительного (~1В) плавающего потенциала подложки уже на начальной стадии лавинного умножения. Установлено, что это явление определяется низкой

проводимостью квазинейтральной области подложки и перехода истока при его потенциале меньшем потенциала открывания (1,1В при 4,2К ). Эти же причигы определяют медленную релаксацию токов (эффект памяти) и гистерезис электрических характеристик МОПТ при резком изменении напряжений на его электродах.

Дано описание ачектронных процессов в МОПТ при сверхнизких температурах с учетом их связи с состоянием и локализацией границ изотипных и анизотипных переходов в подложке. Определены методы управления электрическими характеристиками МОПТ, которые реализованы в новой конструкции МОПТ с сильналегированными периферийными областями стока и истока, приводящими к уменьшению или исчезновению потенциальных барьеров и слабо проводящих участков областей стока и ис.ока и, как следствие, обеспечивающими эффективный поверхностный перенос носителей заряда в слабых продольных электрических полях. Показано, что введение в МОП структуру новой конструкции составного канала, состоящего из нескольких участков с разной, концентрацией легирующей примеси, обеспечило ослабление интенсивности процесса умножения носителей, снижение плавающего потенциала подложки и связанного с ним скачкообразного роста токов. Имечно такая конструкция МОП структуры была использована для создания первой в стране МОП ИС (Б590 КН18-2), работоспособной в широком температурном , диапазоне, включая и сверхнизкие температуры. Предложена дальнейшая модификация этой конструкции, обеспечивающая за счет введения скрытого сильнолегированного слоя исчезновение плавающего потенциала подложки, скачка токов и гистерезисных и релаксационных эффектов при; возникновении лавинного процесса умножения носителей заряда.

В заключении обсуждаются генезис ЭАЦ и новые возможности управления электрофизическими характеристиками МДП, структур, определяемые модификацией границ раздела. Одна из новых возможностей определяется разног полярностью заряда ЭАЦ на' внутренней и внешней МФГ окисла, что позволяет прецизионно управлять величиной начального изгиба зон на поверхности креп тия. Другая основывается на управлении плавающим потенциалом подложки при низких и сверхнизких температурах путем изменения

5. Ра ¡работай ы конструкции ряда тестовых структур, состо^^^^щдзации анизогипных и изотипных переходов в ней

ка-к и$Шви ^«""ШШР Жйрф^ТОр&а Ли» и ее перен^^^д^у^^^^я^фр^.^^оляет создавать динамические

свеРх1Тй11ШР'РЯЬ2-81ре " в слое Б^-залюра (эта конструкция защищена авгорсу^^^щ^шл

- выявить влияние потенциальных барьеров в областях фашщ

тт тт?во№тыыстл е тша1ш\шшш м

образоШттЩ^т^ЪгппПтА ШньВР» (тест«ГЗКИХ, МДГТ ¿^ЭДНйЭДШ'ЭД'ъгетодик их исследования и позволивший выявить-или СШ

харак*» Ш1 С'ФУК ГУР-

2. Изука^ЯйШф.ЩшЖЩ}» образЖМЭД п^ШЩМга ^иойсида пЩЯ.0ваийЯ

приповерхностной .

области окисл

образованию на поверхности

жгпшт ~

м ^того

1СТСМт(|§1-8102

сверхстнхном-етрнческого '^решпгяг п—^кпеле.

.'мши слоя пористого

кремния

щр^тт'тшо тшщьомдп

^1ень1Й8Ь?й^!С||^о?!?Щ^Н1^1!ОМ(?Ьерхстехиометрического кремния -в ■ формируемом слог окисла за счет подключения дополнительного процесса ла^Ш^ШвЛШрта«»^^^ почти пол^^Шв^Ш^ю!0» Щ!*,Йкр1мнияС%еТаН"й сформРШйого сШ<тЩШшШ^ИЯЫХ

заряжОТЯ'^А!« Ш'^Я^ФШШ»/ М№ации

межзе

кремния на

процессы генерации ЭАЦ при термоокислении. Изучена начальная стадия роста окисного слоя при анодном окислении Б! в

гальваностатическом режиме и предложен механизм ее активации горячими дырками, генерированными в неравновесно обедненном слое на поверхности кремния п-типа.

3. Изучены закономерности трансформации "биографических" ЭАЦ и генерации новых типов ЭАЦ в системе Si-SiC>2 при формировании внешней МФГ окисла и при последующих Модификациях обеих МФГокисла. Выявлено, что перераспределение генерированных подвижных ЭА11 между МФГ окисла и их боковая диффузия в слое окисла при последующих термообработках зависит от состояния обеих МФГ, задаваемого условиями их-формирования и модификации. Определено, что трансформация других типов ЭАЦ зависит от действия двух конкурирующих процессов: водородной пассивации ЭАЦ и их генерации при сопутствующей радиации или термодеструкции окисла при высоких температурах. Последний процесс, происходящий при отсутствии внешнего поступления в слой SiOz кислорода и водорода, связывается с дегидрогенизацией окисла, с диффузией атомов кремния из подложки в область МФГ Si-Si02. и атомов матрицы окисла и легирующих примесей верхнего слоя в область внешней МФГ. Этот процесс приводит к усилению отклонений состава окисла иа его МФГ от стехиометрического и, как следствие, к генерации БС на МФГ Si-Si02 и ЭАЦ нового типа -отрицательно заряженных центров в окисле вблизи его внёшней МФГ.

4. Изучены ЭАЦ в структурах Si-SiOrSipc и их генерация, перенос и аннигиляция при пирогенизации, полевых и радиационных воздействиях. Определено, что концентрация ЭАЦ на внешней границе окисла выше, чем на внутренней. Выявлен общий механизм аннигиляции ЭАЦ на внешней и внутренней МФГ окисла и слое Sipe» определяемый их водородной пассивацией. Показано, что генерация подвижных ЭАЦ, связанная с водородной модификацией структур и(илн) инициированная медленным захватом дырок при полевых воздействиях, происходит в окчеле у внешней МФГ. Перенос подвижных ЭАЦ в окисле к МФГ Si-Si02 сопровождается их частичной и обратимой трансформацией в БС, а при их обратном дрейфе - частичной, их нейтрализацией на МФГ Sipc-Si02. Выявлено, что боковая диффузия подвижных ЭАЦ при отжигах отвечает за

~ снижение их концентрации в окисле до низкого уровня (~101а см"2) у структур с узким (<10-15 мкм) затвором, так что у таких.структур в окисле вблизи внешней МФГ доминирующими становятся отрицательно заряженные ЭАЦ. Радиационное воздействие приводит к преимущественной генерации ЭАЦ вблизи внешней МФГ, что можно связать с восстановлением электрической активности дефектов, ранее пассивированных водородом.

5. Выявлена общая тенденция изменений энергетического спектра БС при росте их концентрации, выражаемая в появлении на спектре, характеризуемом монотонным ростом к краям запрещенной зоны кремния, одного, а при дальнейшем росте ■ концентрации БС - и нескольких пиков. Показано, что несмотря на зависимость вида спектра от способа модификации МФГ, энергети' зское положение пиков является близким при различных воздействиях. Это объясняется формированием дефектов, связанны^ с атомами кремния с ненасыщенной связью, но отличающихся локализацией в области МФГ в^Юг и, соответственно, атомным окружением и, как следствие, энергетическим положением уровней в запрещенной зоне кремния.

6. Изучены диффузия водорода в окисле и вызванная ею трансформация ЭАЦ. Определена возможность управления процессом аннигиляции БС вариацией полярности напряжения А1-электрода структур и, соответственно, доказана электрохимическая природа этого явления, определяемая генерацией водорода на внешней МФГ окисла. .

7. Изучен перекос носителей заряда в инверсионном канале, * ' выявлены существенные возможности управления их подвижностью. Показано, что одна из них заключается в модификации МФГ БЬБЮг, приводящей к значительному изменению концентрации ЭАЦ в области этой МФГ, другая - в перемещении границы инверсионного канала относительно МФГ БьБЮг, что позволяет регулировать влияние ЭАЦ на рассеяние носителей заряда.

8. Выявлены особенности электрических характеристик • МДП структур, возникающие при понижении температуры от комнатной до 4,2К, и роль в них границ изотнпных и анизотипных переходов в подложке. Показано, что при сверхнизких температурах на поверхностный перенос носителей заряда в кремниевой подложке

оказывают существенное влияние потенциальные барьеры на границах изотопных переходов. Определено, что при сверхнизких температурах из-за низкой проводимости аннзотипного перехода истока при его потенциале, меньшем потенциала открывания этого перехода в прямом направлении, и квазинейтральной невырожденной области подложки уже начальная стадия процесса лавинного умножения носителей заряда приводит к возникновению значительного плавающего потенциала подложки, близкого по величине к потенциалу прямого открывания аннзотипного перехода истока и достаточного для резкого роста тока между истоком и стоком. После прекращения лавинного процесса умножения носителей заряда вышеотмеченные причины вызывают медленное уменьшение плавающего потенциала подложки, что приводит к медленной релаксации (гистерезису, эффекту памяти) тока инверсионного канала. Определены условия модификации границ раздела в подложке, обеспечивающие его работоспособность в широком диапазоне напряжений и температур, включая сверхнизкие, и реализованные в новой конструкции МОПТ МОПТ с составным каналом, использованного в качестве базового элемента первой в стране криогенной КМОП ИС.

Основные результаты диссертации опубликованы в

работах:

1. Бёллавин Б.К., Урицкий В Л. О плотности поверхностных состоянии на границе раздела бЬБЮг в МДП структурах //Радиотехника и электроника, 1972, т.17, вып.4, с.889-890.

2. Аристархов А.И., Беллавин Б.К., Урицкий ВЛ. Анодная поляризация кремния в МОП системах /в кн.Тонкие диэлектрические пленки, т.З, Ленинград, 1973, ЛПИ, с.224-225.

3. Урицкий ВЛ., Коноров П.П. Процессы формирования окисла и эмиссия зарядов в слой БЮг в системе БьБЮг -электролит, //в кн. Всесоюзное совещание по диэлектрической электронике, Ташкент, • 1973, "ФАН", с.93-94.

4. Урицкий ВЛ. Коноров П.П. О поверхностных состояниях и встроенном заряде в системе кремний-двуокись кремния / ФТП, 1974, т.8, вып.8, с.1622-1623.