Формирование поверхности Si(111) при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и адсорбции бора тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Формирование атомарно-чистой поверхности для молекулярно-лучевой эпитаксии и модифицированной бором поверхности Si(l 1 l)V3xV3R30°-B (литературный обзор).

1.1 Введение

1.2 Низкотемпературные методы получения атомарно-чистой поверхности

Si( 111)

1.2.1 Химическое окисление

1.2.2 HF-обработка

1.2.3 Обработка буферным раствором

1.3 Начальные стадии роста Si на атомарно-чистой поверхности Si(l 11)

1.4 Формирование и свойства поверхности Si(l 1 l)V3x V3R30°-B

1.4.1 Методы адсорбции бора на поверхности Si( 111)

1.4.2 Структура модифицированной бором поверхности Si(l 1 l)V3xV3R30°-B 53 1.4.3. Свойства модифицированной бором поверхности Si(l ll)V3xV3R30°-B

1.5 Выводы

Глава 2 Экспериментальное оборудование и методики исследования

2.1 Введение

2.2 Методы исследований

2.2.1 Дифракция быстрых электронов на отражение

2.2.1.1 Основы метода

2.2.1.2 Применение метода ДБЭ для исследования структуры поверхности

2.2.1.3 Применение ДБЭ для исследования процессов на поверхности

2.2.2 Электронная Оже-спектроскопия

2.3 Экспериментальная установка

2.4 Получение атомарно-чистой поверхности

2.5 Контроль температуры поверхности

2.6 Осаждение кремния и контроль толщины эпитаксиального слоя

2.7 Осаждение оксида бора

2.8 Методика измерения интенсивности зеркального рефлекса ДБЭ

2.9 Методика расчета интенсивности зеркального рефлекса ДБЭ

2.10 Выводы

Глава 3 Влияние химической обработки на свойства пассивирующей пленки SiC>2 и атомарно-чистой поверхности Si(l 11).

3.1 Введение

3.2 Зависимость смачиваемости поверхности Si(l 11) от способа химической обработки.

3.3 Зависимость кинетики термического разложения S1O2 на Si(l 11) от способа его формирования

3.4 Влияние способа формирования S1O2 на начальную стадию эпитаксии кремния

3.5 Выводы

Глава 4 Эволюция поверхности Si(l 11) при низкотемпературной эпитаксии кремния

4.1 Введение

4.2 Начальная стадия эпитаксиального роста Si на Si(l 11)7x

4.3 Релаксация поверхности Si(l 11) после прерывания роста кремния

4.4 Выводы

Глава 5 Эволюция поверхности Si(l 11) при осаждении В2О3.

5.1 Введение

5.2 Формирование структуры л/Зхл/З при взаимодействии В20з с поверхностью Si(l 11)7x

5.3 Расчет кривых качания для различных структурных моделей ПФ Si(l 11 )л/3хV3 и сопоставление их с экспериментальными кривыми качания

5.4 Выводы

Глава 6 Свойства модифицированной бором поверхности Si(l 11) 6.1 Введение

6.2 Начальная стадия роста Si на модифицированной бором поверхности

Si(lll)

6.3 Эволюция модифицированной бором поверхности Si(l 11) при экспозиции на воздухе

6.3.1 Экспозиция поверхности модифицированной бором на воздухе

6.3.2 Отжиг поверхности модифицированной бором после экспозиции на воздухе

6.4 Выводы

Основные результаты работы и выводы

Примечание

Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) кремния в сверхвысоком вакууме является очень привлекательной для современной электроники благодаря ее способности с высокой точностью контролировать толщину эпитаксиальных слоев и профили легирования. В настоящее время огромен интерес к твердотельным структурам в которых, в той или иной степени проявляется эффект размерного квантования. Это -пленочные слои с толщиной пленки порядка длины волны де-Бройля для электрона. Интерес к данным структурам продиктован возможностью новых физических экспериментов по исследованию энергетического спектра и кинетических явлений, а также с приборными поисками, связанными с получением сред с высокой подвижностью носителей заряда, отрицательной дифференциальной проводимостью, и освоением субмиллиметрового диапазона частот. Кроме того, возможность получать их как в виде единичных размерно-квантованных слоев, так и в виде сверхрешеток и структур с заранее заданным энергетическим спектром, делает такие структуры ценным материалом с точки зрения их использования в оптоэлектронике.

Для получения пленок высокого качества, чистота поверхности подложек является одним из наиболее существенных факторов. Общеизвестно, также, что для МЛЭ кремния часто требуется гладкая и чистая поверхность при, насколько это возможно, низких температурах подложки кремния. Это связано со стремлением, в процессе технологического процесса или исследования, сохранить размерно-квантованные слои, распределенные по глубине подложки. Также обеспечение атомно-гладкой поверхности роста необходимо для избежания разрыва и перекрытия слоев, образующих сверхрешетку.

К настоящему времени предложено немалое количество различных методов приготовления атомно-гладких и чистых поверхностей. Наиболее распространенными из них являются методы, использующие влажную химическую обработку, которые включают следующие этапы: очистка поверхности, пассивация ее защитным слоем и удаление пассивирующего слоя непосредственно перед использованием поверхности для МЛЭ. В качестве защитных пленок, как правило, выступает оксид кремния (SiC^) или водород. Пассивация поверхности водородом, перед загрузкой подложки в вакуумную камеру, не дает надежной защиты поверхности от загрязнения из окружающей среды, однако позволяет удалять пассивирующий слой при довольно низкой температуре подложки кремния 400-500°С [8]. Напротив, исследования пассивирующих окислов показывают, что температура их термодесорбции больше, и находится в диапазоне 750-950°С [3]. Однако, защиту от загрязнения пленка окисла обеспечивает большую. Основные усилия исследователей направлены не только на снижение температуры термодесорбции, формируемых пленок, но и определение метода дающего наименьшую шероховатость поверхности после удаления пассивирующего слоя [35]. Именно микрошероховатость поверхности будет определять генерацию дефектов в пленке Si на начальной стадии роста.

Развитие метода МЛЭ для получения многослойных полупроводниковых структур с максимально резкими профилями легирования и границ раздела между слоями требует методов "in-situ" контроля процессов роста. Наибольшее распространение для целей изучения и контроля процессов формирования поверхности при МЛЭ получил метод дифракции быстрых электронов (ДБЭ), который обладает высокой чувствительностью к структуре и микроморфологии поверхности монокристаллической подложки и, благодаря малой величине угла падения пучка электронов на поверхность, легко совмещается с эпитаксиальным ростом из молекулярных пучков. Наблюдаемые при осаждении материала осцилляции интенсивности зеркально-отраженного пучка свидетельствуют о послойном механизме роста. Осцилляции всегда имеют тенденцию к уменьшению амплитуды в течение роста. Действия, направленные на минимизацию затухания амплитуды, способствуют формированию более гладкой поверхности. Вместе с тем, гладкая поверхность и промежуточные межслоевые границы могут быть получены путем прерывания роста [126,162], причем характер изменения интенсивности рефлекса от зеркально-отраженного пучка электронов после такого прерывания может дать описание динамики поведения адсорбата на поверхности. Использование метода сглаживания поверхности после прерывания роста получило широкое распространение в МЛЭ арсенида галлия, однако, существенно меньше сведений об использовании этого метода в МЛЭ кремния.

Особое место среди последних достижений технологии занимают структуры с так называемыми дельта-легированными слоями, в которых распределение примеси по глубине описывается дельта-функцией Дирака. В идеале толщина дельта-слоя совпадает с толщиной атомного слоя. Качественно новый шаг в развитии дельта-легирования связывается с формированием двумерных упорядоченных структур атомов легирующей примеси внутри дельта-слоя, т.е., с упорядоченным дельта-легированием. Два возможных преимущества для приборных применений связывают с упорядоченным дельта-легированием: (1) значительное понижение статистического предела размеров элементов сверхбольших интегральных схем и, (2) увеличением подвижности носителей заряда в слоях с периодической структурой атомов примеси.

Одним из перспективных кандидатов для формирования дельта-легированного слоя является поверхность кремния, модифицированная атомами бора Si(100)2xl-B и Si(l 1 l)V3xV3R30°-B. Это связано с тем, что данные поверхностные фазы (ПФ) являются стабильными к эпитаксиальному росту на них пленок кремния, и следовательно могут выступать в качестве дельта-слоев [6,7,8]. Большинство исследований было выполнено на образцах, в которых ПФ V3xV3 была получена сегрегацией бора на поверхность путем прогрева сильнолегированных бором подложек. В этих исследованиях обнаружено, что атом бора находится не в положении адатома, как многие элементы III-й группы формирующие ПФ V3xV3, а в замещающем атом кремния положении - в 3-м атомном слое от поверхности (ячейке S5), прямо под «адатомом» кремния [89,92]. Предполагается, что данное обстоятельство определяет стабильность поверхностной фазы к последующему росту кремния. В то же время недостаточно хорошо установлена связь между методом осаждения атомов бора на поверхность кремния и структурой реконструированной бором поверхности. Так, в последние годы появляются работы, в которых показано, что атомы бора могут также находится и в положении адатомов (ячейка Т4) [75,84]. Формирование поверхностных фаз бора в этих работах проводилось путем использования газообразных источников бора.

Исследования эпитаксиального роста кремния на модифицированной бором поверхности показывают, что сохранение структуры «захороненной» поверхностной фазы возможно только при низких температурах подложки. Напротив, при высоких температурах подложки происходит сегрегация бора, при которой часть атомов бора поверхностной фазы остается на поверхности фронта роста. В результате этого происходит размытие профиля легирования по направлению к поверхности. В свою очередь, исследования морфологии фронта роста Si на поверхности реконструированной бором показывают, что она также зависит от температуры и связана с концентрацией сегрегирующего бора, присутствующего на поверхности роста. Несмотря на то, что ПФ Si(lll) V3x V3-B давно известна и хорошо изучена, исследования эпитаксиального роста Si производились в основном на поверхности V3xV3, полученной отжигом сильнолегированных бором подложек Si(lll) и только на начальной стадии роста [66,95,97]. Концентрация бора в приготовленной таким образом структуре не превышает 1/3 монослоя (1МС=7.8х1014ат/см2), а зачастую значительно меньше. Кроме того, исследовались только начальные стадии роста в пределах Зч-4МС кремния и в основном методами, позволяющими исследовать поверхность после остановки роста и охлаждения до комнатных температур. Данных, касающихся исследования начальной стадии эпитаксиального роста толстых пленок Si на поверхности VЗхл/З, а также приготовленной осаждением оксида бора (В2О3), обнаружено не было, за исключением работ [81,96] в которых эпитаксиальный рост Si проводился на ПФ V3xV3-B, полученной осаждением НВО2 с покрытием бора >1/ЗМС.

В настоящее время, стабильность структуры модифицированной бором поверхности кремния обнаружена не только для адсорбции атомов кремния при низких температурах подложки, но и для адсорбции различных газов и соединений [106]. Хотя в ряде работ и показана стабильность поверхностных фаз бора, однако исследования механизма адсорбции тех или иных химических элементов, а также химической активности атомов бора, расположенных в приповерхностном слое, представляют огромный научно-технологический интерес и требуют своего продолжения.

Целью настоящей диссертационной работы являлось исследование процесса формирования поверхности Si(lll) при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и осаждении оксида бора.

При этом решались следующие основные задачи:

1. Исследование формирования чистой поверхности Si(lll), используя различные способы влажной химической обработки для получения пассивирующей пленки Si02.

2. Исследование эволюции поверхности Si(lll) на начальной стадии эпитаксиального роста Si и определение кинетических параметров процесса сглаживания поверхности после прерывания роста.

3. Исследование структуры поверхности Si(l 11) при осаждении на нее В2О3.

4. Исследование эволюции поверхности -В на начальной стадии эпитаксиального роста Si.

5. Исследование влияния отжига подложки Si(lll) на свойства поверхности Si(lll)V3xV3R30°

-В, экспонированной в атмосфере воздуха.

Научная новизна:

1. Определены кинетические параметры процесса термического разложения пассивирующих пленок оксида кремния (Si02), сформированных различными влажными химическими обработками поверхности Si(lll). Обнаружена связь между температурой десорбции пленки S1O2 и дефектностью на границе раздела пленки с подложкой Si(lll). Показано влияние способа формирования пассивирующего окисла на характер начальной стадии эпитаксиального роста Si, проводимого на поверхности Si(l 11) после термодесорбции Si02

2. Впервые экспериментально определены кинетические параметры процессов, описывающих сглаживание поверхности Si(lll) после прерывания эпитаксии кремния.

3. Показано, что на начальной стадии осаждения В20з на поверхность Si(lll) атомы бора находятся преимущественно в положениях Т4 поверхностной фазы Si(l 1 1)V3xa/3R30°-B, а при увеличении количества адсорбированного бора растет доля атомов бора в положении S5.

4. Впервые обнаружено формирование гексагонального нитрида бора на поверхности Si(lll) в результате отжига поверхности Si(l 1 1)a/3xa/3R30°-B, экспонированной в атмосфере воздуха.

Практическая ценность работы: Определенные кинетические параметры процессов, характеризующие сглаживание поверхности фронта роста после прерывания эпитаксии кремния, позволяют выбрать оптимальные режимы при решение задач МЛЭ. Показана возможность контролирования структуры поверхности Si(l 1 l)V3xV3R30°-B в процессе адсорбции бора на поверхность Si(lll). Показана возможность выращивания слоев гексагонального нитрида бора (BN) на поверхности Si(lll) путем экспозиции структуры Si(l 1 l)V3xV3R30° -В в атмосфере воздуха.

Основные защищаемые положения

1. Метод химической обработки, используемый для формирования защитной пленки Si02, влияет на дефектность границы раздела БЮг/подложка Si(lll), а также на начальную стадию эпитаксиального роста Si на поверхности Si(lll) после термодесорбции окисла.

2. При прерывании эпитаксиального роста Si на поверхности Si(lll) имеет место процесс сглаживания рельефа поверхности, который может быть описан быстрой и медленной составляющими. Механизм сглаживания рельефа поверхности зависит от температуры подложки.

3. На начальной стадии осаждения В2О3 на поверхность Si(l 11) атомы бора занимают, преимущественно, положение Т4 поверхностной фазы Si(lll)V3xV3R30°-B. С увеличением времени осаждения оксида бора происходит замещение атомами бора атомов кремния в положение S5.

4. Адсорбция газовых компонент из атмосферы «возбужденного» воздуха на модифицированной бором поверхности Si(lll) происходит селективно: азот адсорбируется, преимущественно, на участках поверхности с упорядоченной структурой V3xV3-B, а поверхностные структуры, отличные от V3xV3-B, а также дефекты этих фаз являются местами адсорбции кислорода.

5. Отжиг модифицированной бором поверхности Si(lll), после экспозиции в атмосфере «возбужденного» воздуха, приводит к взаимодействию адсорбированных атомов азота с атомами бора и образованию островков нитрида бора гексагональной модификации.

Апробация работы:

Основные результаты исследований, приведенные в диссертации, докладывались: На Втором Российско-Японском Семинаре по поверхности полупроводников. Осака, Япония, 1995 г.

На 17-й Европейской конференции по физике поверхности, Эншед, Нидерланды, 1997.

На региональных конференциях студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов. ИАПУ. Владивосток. 1997,1998,2000гг.

На третьем Российско-Японском семинаре по полупроводниковым поверхностям. Владивосток, 1998 г.

На региональных конференциях студентов, аспирантов и молодых ученых по физике. ДВГУ. Владивосток. 1998,1999гг.

4-я Международная конференция по физике тонких пленок. Шанхай, Китай. 8-11 мая 2000 г.

На международной школе по исследованию полупроводников на основе нитридов. Нагоя. 24-27 сентября 2000 г.

На международном симпозиуме по исследованию поверхности и границы раздела. Нагоя. 17-20 октября 2000 г.

На четвертом Японско-Российском семинаре по полупроводниковым поверхностям. Нагоя. 12-19 ноября 2000 г.

На третьей всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург. 5-8 декабря 2001г. На семинарах научно-технологического центра полупроводниковой микроэлектроники ИАПУ ДВО РАН.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 13 работ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов и заключения. Общий объем работы составляет 196 страниц, включая 71 рисунок и список цитируемой литературы из 212 наименований.

Основные результаты работы п выводы.

1. Изучено влияние состава химической обработки на смачиваемость поверхности кремния. На основе полученных результатов и данных литературы определена связь между смачиваемостью поверхности кремния и дефектностью границы раздела Si02/Si.

2. Изучено влияние подготовки атомарно-чистой поверхности кремния на эпитаксиальный рост. Показано, что химическое окисление с последующим термическим разложением Si02 позволяет получать атомарно-чистую поверхность кремния при температурах подложки меньше 950°С. Плотность дефектов в эпитаксиальных слоях, выращиваемых на этих поверхностях, определяется дефектностью границы раздела Si02/Si, формируемой в ходе химического окисления.

3. Исследована начальная стадия низкотемпературного эпитаксиального роста кремния на чистой поверхности Si(l 11)7x7. Из осцилляционных кривых интенсивности зеркального рефлекса картины ДБЭ, измеренных на начальной стадии роста, были определены энергии активации процесса зародышеобразования двумерных островков. Показано уменьшение энергии активации с увеличением потока Si.

4. Определены кинетические параметры процесса релаксации поверхности после прекращения роста Si на поверхности Si(l 11).

5. Исследована эволюция структуры поверхности Si(l 11)7x7 в зависимости от количества адсорбированного бора. Проведен расчет кривых качания для различных моделей поверхностной фазы V3xV3 , а также 7x7 используя однолучевой динамический подход к расчету интенсивности зеркального рефлекса. Показано, что на начальной стадии формирования структуры Si(l 1 l)V3xV3-B атомы бора находятся преимущественно в положении Т4, а при увеличении количества адсорбированного бора растет доля атомов бора в положении S5.

6. Проведено исследование взаимодействия воздуха с модифицированной бором поверхностью, а также влияния последующего отжига подложки. Обнаружен эффект селективной адсорбции из атмосферы возбужденного воздуха. Атомы азота адсорбируются, преимущественно, на участках поверхности со структурой л/Зхл/З, в то время как дефекты структуры л/Зхл/З, а также поверхностные структуры отличные от структуры V3xV3, являются местами адсорбции атомов кислорода.

7. Показано, что отжиг экспонированной в атмосфере возбужденного воздуха поверхности л/Зхл/З приводит к образованию на поверхности островков нитрида бора с гексагональной модификацией. Обнаружено, что решетка базисной плоскости гексагонального нитрида бора является параллельной поверхности Si(lll) и повернута на 30° относительно нереконструированной поверхности Si(l 11)1x1.

1. Henderson R.C. Silicon cleaning with hydrogen peroxide solutions: a high energy electrondiffraction and Auger electron spectroscopy study // J. Electrochem. Soc. 1972, VI19, №6, p.772-775.

2. Ishizaka A., Shiraki Y., Low temperature surface cleaning of silicon and its application tosilicon MBE//J. Electrochem. Soc. 1986, VI33, №4, p.666-671.

3. Kobayashi Y., Shinoda Y., Sugii K. Thermal desorption of native oxides formed on

4. Si(l 11) during chemical treatments // Extended Abstracts of the 21st Conference on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1989, pp.401-404.

5. Wright и Kroemer//Appl. Phys. Lett. 1980, V36, p.210.

6. Yang H.T., Mooney P.M., The characterization of indium desorbed Si surfaces for lowtemperature surface cleaning in Si molecular beam epitaxy // J. Appl. Phys. 1985, V58, №5, p.1854-1859.

7. Французов А.А., Макрушин Н.И., Масс-спектрометрическое исследование начальной стадии окисления кремния // Журнал технической физики, 1975, T.XLV, N3, 600-603.

8. Iyer S.S., Arienzo М., de Fresart Е., Low-temperature silicon cleaning via hydrogenpassivation and conditions for epitaxy // Appl. Phys. Lett., 1990, V57, №9, p.893-895.

9. Eaglesham D.J., Higashi G.S., Cerullo M. 370°C clean for Si molecular beam epitaxyusing a HF dip//Appl. Phys. Lett., 1991, V59, №6, p.685-687.

10. Higashi G.S., Becker R.S., Chabal Y.J., Becker A.J. Comparison of Si(l 11) surfacesprepared using aqueous solutions of NH4F versus HF // Appl. Phys. Lett., 1991, V58, №15, p.1656-1658.

11. Pietsch G.J., Kohler U., Henzler M. Anizotropic etching versus interaction of atomic steps: Scanning tunneling microscopy observations on HF/NH4F-treated Si(l 11) // J. Appl. Phys. 1993, V73, №10, p.4797-4807.

12. Adachi S., Utani K. Chemical treatment effect on Si surfaces in NH40H:H202:H20 solutions studied by spectroscopy ellipsometry // Jpn. J. Appl. Phys., 1993, V32, №9A, p.LI 189-L1191.

13. Hattori Т., Takase К., Yamagishi H., Sugino R., Nara Y., Ito Т., Chemical structures of native oxides formed during wet chemical treatments // Jpn. J. Appl. Phys., 1989, V28, №2, p.L296-L298.

14. Sugiyama K., Igarashi Т., Moriki K., Nagasawa Y., Aoyama Т., Sugino R., Ito Т., Hattori Т., Silicon-hydrogen bonds in silicon native oxides formed during wet chemical treatments // Jpn. J. Appl. Phys., 1990, V29, №12, p.L2401-L2404.

15. Miyata N., Shigeno M., Arimoto Y., Ito Т., Thermal decomposition of native oxide on Si(100) // J. Appl. Phys. 1993, V74, №8, p.5275-5276.

16. Sasse H.-E., Konig U. SiO diffusion during thermal decomposition of Si02 // J. Appl. Phys. 1990, V67, №10, p.6194-6196.

17. Kobayashi Y., Sugii K., Thermal desorption mechanism of native oxides on Si substrates: TDS and STM observation // Extended Abstracts of the 22nd Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, 1990, pp.1115-1118.

18. Kobayashi Y., Shinoda Y., Sugii K. Thermal desorption from Si(l 11) surfaces with native oxides formed during chemical treatments // Jpn. J. Appl. Phys., 1990, V29, №6, p. 1004-1008.

19. Sun Y.-K., Bonser D.J., Engel Т., Spatial inhomogeneity and void-growth kinetics in the decomposition of ultrathin oxide overlayers on Si(100) // Phys. Rev. B, 1991, V43, №17, p.14309-14312.

20. Sun Y.-K., Bonser D.J., Engel Т., Thermal decomposition of ultrathin oxide layers on Si(100) // J. Vac. Sci. Technol. A, 1992, V10, №4, p.2314-2320.

21. Liehr M., Lewis J.E., Rubloff G.W. Kinetics of high-temperature thermal decomposition of Si02 on Si(100) // J. Vac. Sci. Technol. A 1987, V5, №4, p.1559-1562.

22. Rubloff G.W. Defect microchemistry in Si02/Si structures //~J. Vac. Sci. Technol. A. 1990, V8, N3, P. 1857-1863.

23. Lander J.J., Morrison J. Low voltage electron diffraction study of the oxidation and reduction of silicon // J. Appl. Phys. 1962, V33, №6, pp.2089-2093

24. Oertel G., Weber E.-H. Growth of thin Si02 films on clean Si(l 11) surfaces by low-pressure oxidation and their evaporation// Phys. Stat. Sol. (a) 1977, V43, p.141-150.

25. Houghton R.F., Patel G., Leong W.Y., Whall Т.Е., Parker E.H.C., Kubiak R.A.A., Nayler R. A preliminary study of impurities and defects in Si-MBE layers // J. Crys. Growth 1987, V81, p.326-331.

26. Burrows V.A., Chabal Y.J., Higashi G.S., Raghavachari K., Christman S.B. Infrared spectroscopy of Si(l 11) surfaces after HF treatment: hydrogen termination and surface morphology // Appl. Phys. Lett., 1988, V53, №11, p.998-1000.

27. Watanabe S., Shigeno M. Fluorine Adsorption and etching on Si(l 11):H surface during immersion in HF solution// Jpn. J. Appl. Phys., 1992, V31, №6A, p. 1702-1708.

28. Morita Y., Miki K., Tokumoto H. Direct observation of SiH3 on a 1 %-HF-treated Si(l 11) surface by scanning tunneling microscopy // Appl. Phys. Lett. 1991, V59, №11, p. 13471349.

29. Morita Y., Miki K., Tokumoto H. Atomic scale analyses of HF-treated Si(l 11) surfaces by STM //Appl. Surf. Sci. 1992, V60/61, p.466-473.

30. Suemitsu M., Kaneko Т., Miyamoto N. Low temperature silicon surface cleaning by HF etching/ultraviolet ozone cleaning (HF/UVOC) method (I). Optimization of the HF treatment. // Jpn. J. Appl. Phys., 1989, V28, №12, p.2421-2424.

31. Raider S.I., Flitsch R., Palmer M.J. Oxide growth on etched silicon in air at room temperature // J. Electrochem. Soc.: Solid-state science and technology 1975, V122, №3, p.413-418.

32. Neuwald U., Hessel H.E., Feltz A., Memmert U., Behm R.J. Initial stages of native oxide growth on hydrogen passivated Si(l 11) surfaces studied by scanning tunneling microscopy//Appl. Phys. Lett. 1992, V60, №11, p.1307-1309.

33. Gould G., Irene E., An in situ study of aqueous HF treatment of silicon by contact angle measurement and ellipsometry // J. Electrochem. Soc. 1988, V135, №6, p.1535-1539.

34. Dumas P., Chabal Y.J., Jakob P. Morphology of hydrogen-terminated Si(l 11) and Si(100) surfaces upon etching in HF and buffered-HF solutions // Surf. Sci. 1992, V.269/270, p.867-878.

35. Itaya K., Sugawara R., Morita Y., Tokumoto H. Atomic resolution images of H-terminated Si(l 11) surfaces in aqueous solutions // Appl. Phys. Lett., 1992, V60, №20, p.2534-2536.

36. Tokumoto H., Morita Y., Miki K., Scanning tunneling microscopy of HF-controlled Si(l 11) surfaces // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1992, V259, p.409-414.

37. Morita Y., Tokumoto H. Atomic scale control of silicon surfaces by hydrofluoric acid solutions // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1993, V315, p.491-496.

38. Voigtlander В., Weber Т., Nucleation and growth of Si/Si(l 11) observed by scanning tunneling microscopy during epitaxy // Phys. Rev. B, 1996, V54(l 1), p.7709-7712.

39. Kohler U., Demuth J.E., Hamers R.J., Scanning tunneling microscopy study of low-temperature epitaxial growth of silicon on Si(l 11)7x7 // J. Vac. Sci. Technol. A, 1989, V7(4), p.2860-2867.

40. Lanczycki C.J., Kotlyar R., Fu E., Yang Y.-N., Williams E.D., Das Sarma S., Growth of Si on the Si(lll) surface//Phys. Rev. B, 1998, V57(20), p.13132-13148.

41. Shigeta Y., Endo J., Maki K., A characteristic feature of crystalline thin-film growth of Si on a 7x7 superlattice surface of Si( 111) // J. Crys. Growth, 1996, V166, p.617-621.

42. Voigtlander В., Weber Т., Growth processes in Si/Si(l 11) epitaxy observed by scanning tunneling microscopy during epitaxy // Phys. Rev. B, 1996, V77(18), p.3861-3864.

43. Hamers R.J., Kohler U.K., Demuth J.E., Nucleation and growth of epitaxial silicon on Si(001) and Si(l 11) surfaces by scanning tunneling microscopy // Ultramicroscopy, 1989, V31, p.10-19.

44. Tochihara H., Shimada W., The initial process of molecular beam epitaxial growth of Si on Si(l 1 l)-7x7: a model for the destruction of the 7x7 reconstruction // Surf. Sci. 1993, V296, p.186-198.

45. Yang Y.-N., Williams E.D., Domain-boundary-induced metastable reconstructions during epitaxial growth of Si/Si(l 11)// Phys. Rev. B, 1995, V51(19), p. 13238-13243.

46. Veuillen J.Y., Mallet P., Gomez-Rodriguez J.-M., Growth of Si on disordered Si(l 11)(1 x 1) surfaces // Surf. Sci. 1998, V402-404, p.295-298.

47. Henzler M„ Growth of epitaxial monolayers // Surf. Sci. 1996, V357-358, p.809-819.

48. Ichikawa M., Doi Т., Observation of Si(l 11) surface topography changes during Si molecular-beam epitaxy growth using microprobe reflection high-energy electron diffraction // Appl. Phys. Lett., 1987, V50(17), p.l 141-1143.

49. Nakahara H„ Ichimiya A., RHEED intensity rocking curves from Si(l 11) surface during MBE growth // J. Cryst. Growth, 1989, V95, p.472-475.

50. Horn-von Hoegen M., Pietsch H., Homoepitaxy of Si(l 11) is surface defect mediated// Surf. Sci. Lett. 1994, V321, p.L129-L136.

51. Shigeta Y., Endo J., Fujino H., Maki K., Roughening of the surface of an Si layer grown on an Si(l 1 l)-7x7 superlattice // Surf. Sci. 1996, V357-358, p.414-417.

52. Shigeta Y., Influence of surface structure on epitaxial growth of Si on Si(l 1 l)-7x7 substrate // Surf. Rev. and Lett., 1998, V5(3&4), p.865-872.

53. Ichimiya A., Tanaka Y., Hayashi K., Thermal relaxation of silicon islands and craters on silicon surfaces// Surf. Sci. 1997, V386, p.182-194.

54. Shigeta Y., Endo J., Maki K., Scanning tunneling microscopy study of surface morphology at the initial growth stage of Si on a 7x7 superlattice surface of Si(l 11)// Phys. Rev. B, 1995, V51(3), p.2021-2024.

55. Wedding J.В., Wang J.C., Lu T.-M., Scanning tunneling microscopy study of rough Si films deposited on Si(l 11)// Surf. Sci. 2001, V478, p.83-98.

56. Gallas В., Berbezier I., Derrien J., Gandolfo D., Ruiz J., Zagrebnov V.A., Kinetic roughening of Si surfaces and surfactant effect in low-temperature molecular-beam epitaxy // J. Vac. Sci. Technol. B, 1998, V16(3), p.1564-1567.

57. Yang H.-N., Wang G.-C., Lu T.-M., Instability in low-temperature molecular-beam epitaxy growth of Si/Si(l 11)// Phys. Rev. Lett., 1994, V73(l 7), p.2348-2351.

58. Tanaka H., Yokoyama Т., Sumita I., Scanning tunneling microscopy observation of Si(l 11)87x57 formed by Si deposition // Jpn. J. Appl. Phys., 1994, V33, p.3696-3701.

59. Sato Т., Kitamura S., Iwatsuki M., Surface diffusion of adsorbed Si atoms on the Si(l 11)7x7 surface studied by atom-tracking scanning tunneling microscopy // J. Vac. Sci. Technol. A, 2000, VI8(3), p.960-964.

60. Nakahara H., Ichimiya A., Structural study of Si growth on a Si(l 11)7x7 surface// Surf. Sci. 1991, V241, p.124-134.

61. Weir B.E., Freer B.S., Headrick R.L., Eaglesham D.J., Gilmer G.H., Bevk J., Feldman L.C., Low-temperature homoepitaxy on Si(l 11) // Appl. Phys. Lett., 1991, V59(2),p.204-206.

62. Voigtlander В., Zinner A., Weber Т., Bonsel H.P., Modification of growth kinetics in surfactant-mediated epitaxy // Phys. Rev. В., 1995, V51(12), p.7583-7591.

63. Iwanari S., Takayanagi K., Surfactant epitaxy of Si on Si(l 11) surface mediated by a Sn layer: I. Reflection electron microscope of the growth with and without mediate the step flow // J. Cryst. Growth, 1992, VI19, p.229-240.

64. Muller В., Henzler M., Comparison of reflection high-energy electron diffraction and low-energy electron diffraction using high-resolution instrumentation // Surf. Sci. 1997, V389, p.338-348.

65. Venables J. A., Spiller G.D.T., Hanbucken M., Nucleation and growth of thin films // Rep. Prog. Phys., 1984, V47, p.399-459.

66. Kasper E., Growth kinetics of Si- molecular beam epitaxy // Appl. Phys. A, 1982, V28, p.129-135.

67. Akimoto K., Hirosawa I.,Tatsumi T.,Hirayama H., Structure of V3xV3R30°-B at the Si interface studied by granzing incidence X-ray diffraction. // Applied Physics Letters, 1990, 56, N13, P.1225-1227.

68. Headrick R.L., Feldman L.C., Robinson I.K. Stability of boron and gallium-induced surface structures on Si(l 11) during deposition and epitaxial growth of silicon. // Applied Physics Letters, 1989, 55, N6, P.442-444.

69. Zotov A. V., Lifshits V.G., Rupp Т., Eisele I., Electrical properties of buried B/Si surface phases // Journal of Applied physics, 1998, 83, N11, 5865-5869.

70. Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Zotov A.V. Formation of Si(l 1 l)V3xV3-B and Si epitaxy on Si(lll}V3xV3-B: LEED-AES study. // Surface Science, 1988, 195, P.466-474.

71. Yamamoto Т., Ohara S., Ezoe K., Kuriyama H., Ishii K., Matsumoto S., Initial stage of Si(l 11)-B surface reconstruction studied by scanning tunneling microscopy. // Applied Surface Science, 1998, 130-132, P.l-5.

72. Hirayama H., Tatsumi Т., Aizaki N. Reflection high energy electron diffraction and Auger electron spectroscopic study on B/Si(l 11) surfaces. // Surface Science, 1988, 193, P.47-52.

73. Bramblett T.R., Ku Q., Karasawa Т., Hasan M-A., Jo S.K., Greene J.E. B-doped Si(001)2xl gas-source molecular-beam epitaxy from Si2H6and B2H6. // Vacuum, 1995, 46, N.8-10, P.913-916.

74. Avouris Ph., Lyo I.W., Bozso F., Kaxiras E. Adsorption of boron on Si(l 11): Physics, chemistry and atomic scale electronic devices. // Journal of Vacuum Science and Technology A, 1990, 8, N4, P.3405-3411.

75. Headrick R.L., Weir B.E., Bevk J., Freer B.S., Eaglesham D.J., Feldman L.C. Influence of surface reconstruction on the orientation of homoepitaxial silicon films. // Physical Review Letters, 1990, 65, N9, P. 1128-1131.

76. Miyake K., Hata K., Shigekawa H., Yoshisaki R., Abe Т., Ozawa Т., Nagamura T. STM study of Si(l 1 l)V3xV3-R30°-B surface structure formed by HB02 irradiation. // Applied Surface Science, 1996, 107, P.63.

77. Miyake K., Ishida M., Hata K., Shigekawa H. Role of corner holes in Si(l 1 l)-7x7 structural formation studied by HB02 molecular irradiation and quenching. // Physical Review B, 1997, 55,N8, P.5360-5363.

78. Nogami J., Yoshikawa S., Glueckstein J.C., Pianetta P. Boron reconstructed Si(l 11) surfaces produced by В20з decomposition. // Scanning Microscopy, 1994, 8, N4, P.835-840.

79. Nogami J. ^3x^3 reconstruction of Si(l 11) studied by scanning tunneling microscopy. // Surface Review and Letters, 1994, 1, N283, P.395-410.

80. Headrick R.L., Weir B.E., Levi A.F.J., Eaglesham D.J., Feldman L.C. Si(100)-(2xl) boron reconstruction: self-limiting monolayer doping. // Applied Physics Letters, 1990, 57, N26, P.2779-2781.

81. Kumagai Y., Ishimoto K., Mori R., Hasegawa F. Temperature dependence of boron adsorption during HBO2 irradiation on Si(l 11) surface evaluated by reflection high-energy electron diffraction. // Japan Journal of Applied Physics, 1994, 33, P. 1-14.

82. Weir В.E., Headrick R.L., Shen Q., Feldman .C., Hybersten M.S., Needels M., Schenter M., Hart T.R. Growth and structural analysis of an ordered boron monolayer in Si(100). // Physical Review B, 1992, 46, N19, P.12861-12864.

83. Weir B.E., Feldman L.C., Monroe D„ Grossmann H.J., Headrick R.L., Hart T.R. Electrical characterization of an ultrahigh concentration boron delta-doping layer. // Applied Physical Letters, 1994, 65, N6, P.737-739.

84. Cao R., Yang X., Pianetta P. Characterization of the B/Si surface electronic structures. // Journal of Vacuum Science and Technology, 1993 A 11, 4, P.1817-1822.

85. Cao R., Yang X., Pianetta P. Atomic and electronic structure of B/Si(100). // Journal of Vacuum Science and Technology, 1993, A 11, 4, P.1455-1458.

86. Thibaudau F., Dumas Ph., Mathiez P., Humbert A., Satti D., Salvan F. V3xV3 structure of boron enriched Si(l 11) surface investigated by Auger, LEED and scanning tunneling microscopy. // Surface Science, 1989, V.211-212, N, P.148-155

87. Bedrossian P., Mortensen K., Chen D.M., Golovchenko J.A. Adatom registry on Si(l 11) V3xV3 R30-B. // Physical Review B, 1990, V.41, N11, P.7545-7548

88. McLean A.B., Terminello L.J., Himpsel F.J. Electronic structure of Si(lll) on Si(lll)-BV3xV3 R30 studied by Si 2p and В 1 s core-level photoelectron spectroscopy // Physical Review B, 1990, V.41, N11, P.7694-7700.

89. Lyo I.W., Kaxiras E., Avouris Ph. Adsorption of boron on Si(l 11): Its effect on surface electronic states and reconstruction. // Physical Review Letters, 1989, 63, N12, P.1261-1264.

90. Lyo I.-W., Avouris Ph. Negative differential resistance on the atomic scale: Implication for atomic scale devices. // Science, 1989, V.245, N, P. 1369-1371

91. Bedrossian R.D., Meade R.D., Mortensen K., Chen D.M., Golovchenko J.A., Vanderbilt D. Surface doping and stabilization of Si(l 11) with boron. // Physical Review Letters, 1989, 63, P.1257-1260.

92. Kaxiras E., Pandey K.C., Himpsel F.J., Tromp R.M. Electronic states due to surface doping: Si(l 1 l)V3xV3-B. // Physical Review B, 1990, 41, P.1262-1265.

93. Headrick R.L., Weir B.E., Levi A.F.J., Freer В., Bevk J., Feldman L.C., Ordered monolayer structures of boron in Si( 111) and Si(100) // Journal of Vacuum Science and Technology A, 1991, 9, 4, P.2269-2272.

94. Akimoto K., Mizuki J., Hirosawa I.,Tatsumi T.,Hirayama H., Aizaki N., Mitsui J., Interfacial superstructure between epitaxial Si(l 11) layers and

95. B(V3 x\3)/Si(l 1 l)substrates studied by synchrotron X-ray diffraction. //Extended abstracts of the 19tfl conference on solid state devices and materials, Tokyo, 1987, P.463-466.

96. Headrick R.L., Weir B.E., Levi A.F.J., Eaglesham D.J., Feldman L.C., Buried, ordered structures: boron in Si(l 11) and Si(100) //Journal of Crystal Growth, 1991, 111, P.838-842.

97. Hibino H., Ogino Т., Formation of twinned two-bilayer-high islands during initial stages of Si growth on Si(l 1 l)V3xV3-B// Surface science, 1998, 412/413, p.132-140.

98. Hibino H., Sumitomo K., Ogino Т., Twinned epitaxial layers formed on Si(l 11)л/3хл/3-B// Journal of Vacuum Science and Technology A, 1998, 16, 3, P. 1934-1937.

99. Zotov A.V., Kulakov M.A., Bullemer В., Eisele I., Scanning tunneling microscopy study of Si growth on a Si(l 1 l)V3xV3-B surface. // Physical Review B, 1996, V.53, N19, P.12902-12906.

100. Headrick R.L., Levi A.F.J., Luftman H.S., Kovalchick J., Feldman L.C., Electrical conduction in the Si(l 1 l):B-(V3xV3)R30°/a-Si interface reconstruction // Physical Review B, 1991, 43, N18, P.14711-14714.

101. Tatsumi Т., Hirosawa I., Niino Т., Hirayama H., Mizuki J., Activation efficiency of a BV3xV3/Si(l 11) structure covered with molecular beam deposited amorphous Si or SiOx // Applied Physical Letters, 1990, 57, N1, P.73-75.

102. Wong T.M.H., McKinnon A.W., Welland M.E., An in situ high temperature scanning tunneling microscopy study of the boron-induced л/Зхл/З reconstruction on the Si(lll) surface // Surface science, 1995, 328, p.227-236.

103. Hibino H., Ogino Т., Exchanges between group-Ill (В, Al, Ga, In) and Si atoms on Si(l 1 l)-V3xV3 surfaces // // Physical Review B, 1996, 54, N8, P.5763-5768.

104. Thibaudau F., Masson L., Chemam A., Roche J.R., Salvan F., Scanning tunneling microscopy study of Fe(CO)5 and Fe(C5H5)2 adsorption on the Si(l 11)7x7 and B/Si(l 11)л/3хл/3 // Journal of Vacuum Science and Technology A, 1998, 16, 5, P.2967-2973.

105. Chen P.J., Colaianni M.L., Jates J.Т., Jr, Inhibition of atomic hydrogen etching of Si(l 11) by boron doping // Journal of Applied Physics 1991, 70, N6, P.2954-2957.

106. Mori R., Kumagai Y., Tanaka M., Yamamoto M., Hasegawa F., Stability of

107. Si(l 11)3хл/3 -В surface in air // Japan Journal of Applied Physics, 1996, 35, P.L465-L467.

108. Пинскер З.Г.(ред.) Дифракция электронов. // Москва, Изд-во Академии Наук СССР, 1949, 406с.

109. Городецкий А.Е., Исследование атомных поверхностных структур методом дифракции быстрых электронов на отражение. // Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. Москва, Наука, С. 222-280.

110. Mitura Z. Mazurek P. Paprocki К. Mikolaiczak In situ characterization of epitaxially grown thin layers. // Physical Review B, 1996, 53, N.15, P. 10200-10208.

111. Menadue F. Si(l 11) surface structure by glancing incidence high-energy electron diffraction. // Acta Crystallografica. A, 1972, 28, P.l-11.

112. Ino S. Some new techniques in reflection high energy electron diffraction (RHEED) application to surface structure studies. // Japan Journal of Applied Physics, 1977, 16, P.891-908.

113. Horio Y., Ichimiya A. RHEED intensity analysis of Si(l 1 l)7x7V3xV3R30°-Ag surfaces. I. Kinematic diffraction approach. // Surface Science, 1983, 133, N.2-3, P.393-400.

114. Horio Y., Ichimiya A. Kinematical analysis of RHEED intensities from the Si(l 11)7x7 structure. // Surface Science, 1989, 219, N.l-2, P.128-142.

115. Meyer-Ehmsen G. Direct calculation of the dynamical reflectivity matrix for RHEED. // Surface Science, 1989, 219, P.177-188.

116. Maksym P. A., Beeby J.L. A theory of RHEED. // Surface Science, 1981, 11, P.423-438.

117. Zhao T.C., Tong S.Y. R-matrix method for calculating wave fumetions in reflection high-energy diffraction. // Physical Review В., 1993, 47, N.7, P.3923-3928.

118. Ichimiya A. Many-beam calculation of reflection high energy electron diffraction (RHEED) intensities by the multi-slice method. // Japan Journal of Applied Physics, 1983, 22, N.l, P.176-180.

119. Colella R. N-beam dynamical diffraction of high-energy electrons at glancing incidence. General theory and computational methods. // Acta Crystallografica. A, 1972, 28, P.l 1-15.

120. Colella R., Menadue J.F. Comparison of experimental and n-beam calculated intensities for glancing incidence high-energy electron diffraction. // Acta Crystallografica., 1972, 28, P. 16-22.

121. Colella R., Batterman B.W., Menadue J.F. Temperature dependence of intensities from silicon with glancing incidence HEED. // Acta Crystallografica., 1973, 28, P.151-153.

122. Britze K., Meyer-Ehmsen G. High-energy electron diffraction at Si(100) surfaces. // Surface Science, 1978, 77, N.l, P.131-141.

123. Ichimiya A. One-beam RHEED for surface structure analysis. // The Structure of Surface III, edited by Tong S.Y., Van Hove M.A., Takayanagi K., Xie X.D. Springer-Verlag, Berlin, 1991, P. 162-167.

124. Khramtsova E.A. Ichimiya A. Comparative study of room and high-temperature Si(l 1 l)-(V3xV3)R30°-Au structures using one beam RHEED intensity rocking-curve analysis. // Physical Review B, 1998, 57, N.l6, P. 10049-10053.

125. Neave J.H., Joyce B.A., Dobson P.J., Norton N. Dynamics of film growth of GaAs by MBE from RHEED observations. // Applied Physics A, 1983, 31, P.l-8.

126. Joyce B.A., Dobson P.J., Neave J.H., Zhang J. The determination of MBE growth mechanism using dynamic RHEED techniques. // Surface Science, 1986, 174, P.l.

127. Larsson M.I., Hansson G.V. Initial stages of Si-molecular beam epitaxy on Si(l 11) studied with reflection high-energy electron diffraction intensity measurements and Monte-Carlo simulations. // Surface Science, 1994, 321, N.3, P.L255-L260.

128. Korobtsov V.V., Lifshits V.G., Shaporenko A.P., Fidjanin O.N., Balashev V.V. // Recovery of Si(l 11) surface after Si growth interruption. // Phys. Low-Dim. Struct., 1998, 3/4, P.175-182.

129. Никифоров А.И., Марков В.А., Пчеляков О.П. Влияние температуры роста эпитаксиальной пленки на период осцилляций зеркального рефлекса при дифракции быстрых электронов. // Письма в ЖТФ, 1996, 22, вып.24, С.55-59.

130. Korobtsov V.V., Shaporenko А.P., Balashev V.V. Boron adsorption during В20з irradiation on Si(l 11) surface. // 17th European Conference on Surface Science, Enschede, The Netherlands Sept. 16-19, 1997 Abstracts WeP72.

131. Millo 0., Many A., Goldstein J. //Journal of Vacuum Science and Technology A, 1989, 7, N4, P.3405.

132. Коробцов В.В., Шапоренко А. П., Балашев В.В Влияние способа химической очистки поверхности кремния на эпитаксиальный рост кремния. // Микроэлектроника, т.27, №5, 1998, с.367-369.

133. Коробцов В.В., Фидянин О.Н., Шапоренко А.П., Балашев В.В. Влияние способа химической обработки на смачиваемость поверхности Si(l 11).// ЖТФ., Т. 66, В. 12, 1996,С. 134-138.

134. Пак В., Кринский Ю.П., Измерение температуры поверхности твердых тел. // Приборы и системы управления, 1978, № 7, С. 23-24.

135. Florio J.V., Robertson W.D., Phase transformation of the Si(l 11) surface. // Surface Science, 1970, V.22, P.459-464.

136. Osakabe N., Tanishiro Y., Yagi K., Honjo G., Direct observation of the phase transition between the 7x7 and lxl structures of clean (111) silicon surfaces., // Surface Science, 1981, V.109, N, P.353-366.

137. Ishizaka A., Doi Т., Ichikawa M., Possibility of a new phase transition in 7x7 structure on clean Si(l 11) surfaces. // Appl. Phys.Lett., 1991, V.58, N9, P.902-904.

138. Korobtsov V. V., Shaporenko A.P., Balashev V. V.,Lifshits V. G. RHEED study of Si(l 1 l)V3xV3 R30-B formation process during В20з irradiation on Si(l 11)7x7 surface. // Physics of Low-Dimentional Structures, 1999, №7/8, pp. 1-200.

139. P.A.Doyle and P.S.Turner, Relativistic Hartree-Fock X-ray and Electron Scattering Factors // Acta Cryst. A, 1968, 24, PP.390-397.

140. E.C. Kasper, J.C. Bean, Silicon-Molecular Beam Epitaxy. // edds. 1988. CRC Press, Florida.

141. A. Casel, E. Kasper, H. Kibbel, E. Sasse, Boron contamination of in situ heated silicon surfaces // J. Vac. Sci. Technol. B5 1987, N6, P. 1650.

142. M. Liehr, M. Renier, R. A. Wachnik, G. S. Scilla, Dopant redistribution at Si surfaces during vacuum anneal // J. Appl. Phys. 1987, 61, N9 P.4619-4625.

143. S. S. Iyer, S. L. Delage, G. J. Scilla, Origin and reduction of interfacial boron spikes in silicon molecular beam epitaxy //Appl. Phys. Lett. 1988, 52, N6, P.486-488.

144. D. J. Robbins, A. J. Pidduck, J. L. Glasper, The measurement of surface boron on silicon wafers annealed in vacuum and gas ambients //Thin Solid Films, 1989, 183, P.299.

145. Utani K., Suzuki Т., Adachi S„ HF- and NH40H-treated (11 l)Si surfaces studied by spectroscopic ellipsometry// J. Appl. Phys.1993. 73, N7, P.3467-3471.

146. Grunder M., Graf D., Hahn P.O., Schnegg A. //Solid State Technol. 1991, 34, P.69.

147. Watanabe S., Nakayama N., Ito Т., Homogeneous hydrogen-terminated Si(l 11) surface formed using aqueous HF solution and water//Appl. Phys. Lett. 1991. 59, N12, P.1458-1460.

148. Chabal Y.J., Higashi G.S., Raghavachari R., Burrows V.A., Infrared spectroscopy of Si(l 11) and Si(100) surfaces after HF treatment: hydrogen termination and surface morphology//J. Vac. Sci. Technol. A, 1989, 7, N3, P.2104-2109.

149. Ogawa H., TeradaN., Sugiyama K. //Appl. Surf. Sci., 1992, V56-58, P.836-840.

150. Engel Т., The interaction of molecular and atomic oxygen with Si(100) and Si(l 11) //Surf. Sci. Rep., 1993, 18, N4, P.91-144.

151. F.G. Allen//J. Appl. Phys., 1957, 28, P.1510.

152. G. Lukovsky, S.Y. Lin, P.D. Richard, S.S. Chao, Y. Takagi, P. Pai, J.E. Keem, J.E. Tyler, Local atomic structure of silicon suboxides (SiOx, x<2) // Journal of noncrystalline solids, 75, 1985, P.429-434.

153. Y. Kobayashi, K. Sugii, Thermal decomposition of very thin oxide layers on Si(l 11) // J. Vac. Sci. Technol. A, 1992, 10, P.2308.

154. D.C. Streit, F.G. Allen//J. Appl. Phys. 1987, 61, P.2894.

155. J. Aarts, P.K. Larsen, Monolayer and bilayer growth on Ge(l 11) and Si(l 11) //Surf. Sci., 1987, 188, P.391.

156. A.V. Latishev, A.B. Krasilnilcov, A.L. Ascev // Second Japan-Russian Seminar on Semiconductor Surfaces, September 5-12, 1993.-Vladivostok(Russia).

157. Э.Г. Пинскер (ред.)} //Монокристаллические пленки, М., Изд."Мир", 1986.

158. Clarke S., Vvedensky D.D., Epitaxial growth quality optimization by supercomputer // Applied Physical Letters, 1987, 51, N5, P.340-342.

159. Ghaisas S.V., Madhukar A., Surface kinetics and growth interruption in molecular-beam epitaxy of compound semiconductors: A computer simulation study // Journal of Applied Physics 1989, 65, N10, P.3872-3876.

160. Sakamoto Т., Kawai N.J., Nakagawa Т., Ohta K., Kojima Т., Hashiguchi G., Rheed intensity oscillations during silicon MBE growth // Surface Science, 1986, V.174, P.651-657.

161. Dobson P.J., Joyce B.A., Neave J.H., Zhang J., Current understanding and applications of the RHEED intensity oscillation technique //Journal of Crystal Growth, 1987, 81, P. 18.

162. Clarke S., Vvedensky D.D., Influence of surface step density on reflection high-energy electron diffraction specular intensity during epitaxial growth // Physical Review B, 1987, 36, N17, P.9312-9314.

163. Cohen P.I., Petrich G.S., Pukite P.R., Whaley G.J., Arrott A.S. // Birth-death models of epitaxy // Surface Science, 1989, V.216, P.222-248.

164. Latyshev A.V., Krasilnikov А.В., Aseev A.L., Self-diffusion on Si(lll) surfaces // Physical Review B, 1996, V54(4), p.2586-2589.

165. Lagally M.G., Kariotis R., Swartzentruber B.S., Mo Y.W., Ordering kinetics at surfaces // Ultramicroscopy, 1989, V.31, p.87-98.

166. Clarke S., Vvedensky D.D.//Phys. Rev. B, 1987, 36, N17, P.3872-3874.

167. Ichimiya A., Hashizume Т., Ishiyama K., Motai K., Sakurai Т., Homo-epitaxial growth on the Si(l 11)7x7 surface // Ultramicroscopy, 1992, V42-44, P.910-914.

168. Larsson M.I., Ni W., Hansson G.V., Manipulation of nucleation by growth rate modulation // Journal of Applied Physics 1995, 78, N6, P.3792-3796.

169. Huang H„ Tong S.Y.Quinn J., Jona F., Atomic structure of Si(l 1 l)V3xV3R30-B by dynamical low-energi electron diffraction. //Physical. Review, 1990, 41, 5, P.3276-3278.

170. Wang S., Radny M.V., Smith P.V., Boron, hydrogen and silicon adatom on Si(l 11) surface an (it ab initio ) Hartree-Fock/density functional cluster study. // Journal. Physics Condens. Matter, 1997, V.9, P.4535-4557.

171. Ichimiya, A. RHEED intensity analysis of Si(l 11)7x7 at one-beam condition. // Surface Science Letters, 1987, 192, P.893-898.

172. Qian G.-X., Chadi D.I. Si(l 11)7x7 surface. Energy minimization calculation for the dimer-adatom-stacking fault model. // Physical Review, 1987, 35, N3, P.1288-1293

173. HanadaT., Ino S., Daimon H. Study of the Si(l 11)7x7 surface by RHEED rocking curve analysis. // Surface Science, 1994, 313, N1-2, P.143-154

174. Tong S.Y., Huang H., Wei C.M. Packard W.E., Men F.K:, Glander G„ Webb M.B. Low-energy electron diffraction analysis of the Si(l 11)7x7 structure // Journal of Vacuum Science and. Technology, 1988, A6, 3, P.615-624.

175. Kumagai Y., Mori R., Ishimoto K., Hasegawa F., Influence of boron adsorption over Si(l 11) surface on Si molecular beam epitaxial growth studied by high-energy electron diffraction. // Japan Journal of Applied Physics, 1994, 33, L.817-819.

176. Kumagai Y., Ishimoto K., Mori R., Hasegawa F., Temperature dependence of boron surface segregation in Si molecular beam epitaxial growth on Si(lll)V3 хл/3-В surface // Journal of Crystal Growth, 1995, 150, P.989-993.

177. H. Hibino, K. Sumitomo, T. Ogino, Growth process of twinned epitaxial layers on Si(lll))V3xV3 and their thermal stability//Applied Surface Science, 1998, 130-132, pp.41-46.

178. Wang Y., Hamers R. Boron induced morfology changes in silicon chemical vapor deposition: a scanning tunneling microscopy study. // Applied Physics Letters, 1995, 66, N16, P.2057-2059.

179. Kaxiras E., Kandel D., Theory of surfactant mediated growth on semiconductor surface. // Applied Surface Science 1996, 102, P.3-5.

180. Archer R.J. , Gobeli G.W., Measurement of oxygen adsorption on silicon by ellipsometry // J. Phys. Chem., 1965, 26, P.343-349.

181. Ibach H., Horn K., Dorn R., Luth H., The adsorption of oxygen on silicon (111) surfaces. I. // Surf. Sci., 1973, 38, P.433-454.

182. D'lvitaya F.A., DeLage S., Rosencher E., Silicon MBE: recent developments // Surf. Sci., 1986, 168, P.483-497.

183. Pianetta P., Lindau I., Garner C.M., Spicer W.E. Chemisorption and oxidation studies of the (110) surfaces of GaAs, GaSb and InP // Phys. Rev. B, 1978, 18, N6, P.2792-2806.

184. Pianetta P., Lindau I., Garner C.M., Spicer W.E. Oxidation properties of GaAs(llO) surfaces // Phys. Rev. Lett., 1976, 37, N17, P. 1166-1168.

185. Shen T.-C., Wang C., Lyding J.W., Tuker J.R., // STM study of surface reconstructions of Si(l 11):B // Phys. Rev. B, 1994, 50, N11, P.7453-7460.

186. Ibach H., Rowe J.E., Electron orbital energies of oxygen adsorbed on silicon surfaces and silicon dioxide // Phys. Rev. B, 1974, 10, N2, P.710-718.

187. Ibach H., Rowe J.E., Electronic transition of oxygen adsorbed on clean silicon (111) and (100) surfaces // Phys. Rev. B, 1974, 9, N4, P. 1951-1957.

188. Mathiez Ph., Roge T.P., Dumas Ph., Salvan F., Early stages of Cu growth on B-Si(lll)V3xV3R30°//Appl. Surf. Sci., 1992, 56-58, P.551-557.

189. Drosd R., Washburn J., Some observation on the amorphous to crystalline transformation in silicon // J. Appl. Phys., 1982, 53, N 1, P.397-403.

190. Edamoto K., Tanaka S., Onchi M., Nishijima M., Electron energy loss spectra of Si(111) surface reacted with nitrogen atoms // Surf. Sci., 1986, 167, P.285-296.

191. Nishijima M., Fujiwara K., Electron energy-loss spectroscopy of NO, 02 and NH3 on Si(l 11) surfaces // Solid State Column, 1977, 24, P. 101-103.

192. Yokota K., Kimura M., Kojima K., XPS and AES studies of annealing behavior of carbon adsorbed on silicon surfaces // Jap. J. Appl. Phys., 1986, 25, N10, P.1608-1609.

193. Xie Y.H., Wang K.L., Kao Y.C., An investigation on surface conditions for Si molecular beam epitaxial (MBE) growth // J. Vac. Sci. Technol. A., 1985, 3, N3, P. 10351039.

194. Bauer E., Wei Y., Muller Т., Pavlovska A., Tsong I.S.T., Reactive crystal growth in two dimensions: Silicon nitride on Si(l 11)// Phys. Rev. В , 1995, 51, N.24, P.17891-17901.

195. Wang H.-C., Lin R.-F., Wang X., High temperature nitridation structures of the Si(l 11)7x7 surface // Surf. Sci., 1987, 188, P. 199-205.

196. Morita Y., Tokumoto H., Origin of the 8/3x8/3 superstructure in STM images of the Si(l 1 l)-8x8:N surface // Surf. Sci., 1999, 443, P.L1037-L1042.

197. Delord J.F., Schrott A.G., Fain S.C., Nitridation of silicon (111): Auger and LEED results//J. Vac. Sci. Technol., 1980, 17, P.517-520.

198. Hanke G., Muller K., Low energy Auger transitions of boron in several boron compounds // J. Vac. Sci. Technol. A, 1984, 2, N2, P.964-968.

199. Joiner D.J., Hercules D.M., Chemical bonding and electronic structure of В20з, H3BO3 and BN: An ESCA, Auger, SIMS, and SXS study // J. Chem. Phys., 1980, 72, N2, P.1095-1108.

200. Schrott A.G., Fain S.C., Jr. Nitridation of Si(lll) by nitrogen atoms. II. // Surf. Sci., 1982, 123, P.204-222.

201. Simko S.J., Militello M., Hexagonal phase of boron nitride by AES // Surf. Sci. Spectra, 1993, 1, N3, P.288-291.

202. Trehan R., Lifshitz Y., Rabalais J.W., Auger and x-ray electron spectroscopy studies of hBN, cBN and N2+ ion irradiation of boron and boron nitride // J. Vac. Sci. Technol. A, 1990, 8, N6, P.4026-4032.

203. Simko S.J., Militello M„ Cubic phase of boron nitride by AES // Surf. Sci. Spectra, 1993, 1, N3, P.284-287.

204. Widmayer P., Ziemann P., Boyen H.-G., Electron energy loss spectroscopy an additional tool to characterize thin films of cubic boron nitride // Diamond and related materials, 1998, 7, P.385-390.

205. Widmayer P., Boyen H.-G., Ziemann P., Electron spectroscopy on boron nitride thin films: Comparison of near-surface to bulk electronic properties // Phys. Rev. B, 1999, 59, N7, P.5233-5241.

206. Xu Y.-N., Ching W.Y., Calculation of ground state and optical properties of boron nitrides in the hexagonal, cubic, and wurtzite structures // Phys. Rev. B, 1991, 44, N15, P.7787-7798.

207. РООСИ^ТАЯ ГОСУД,. , "liHAft БИБЛИОТЕКА