Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им. А.Ф.ИОФФЕ

На правах рукописи

003469130

ХВОСТИКОВА ОЛЬГА АНАТОЛЬЕВНА

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (ваБЬ, Се, ГлАв). Специальность 01.04.10 - физика полупроводников

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

* «зЛ

Санкт-Петербург 2009

003469130

Работа выполнена в учреждении Российской академии наук Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН.

Научный руководитель:

доктор тех. наук, В.М. Андреев

профессор Физико-технический институт

им. А.Ф.Иоффе

Официальные оппоненты:

С. А. Немов

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет

В.И. Иванов-Омский Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"

Защита состоится " 21 " мая 2009 г. в М часов на заседании диссертационного совета Д 002.205.02 в учреждении Российской академии наук Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН по адресу: 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, д.2б.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ФТИ им. А.Ф.Иоффе.

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, заверенные печатью, просьба высылать по вышеуказанному адресу на имя ученого секретаря диссертационного совета.

Автореферат разослан " 17 " апреля 2009 г.

доктор физ.-мат. наук, профессор

доктор физ.-мат. наук, профессор

Ведущая организация:

Ученый секретарь диссертационного совета, доктор физ.-мат. наук:

Л.М. Сорокин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы.

В последнее время в связи с энергетическим кризисом большое внимание уделяется проблеме поиска альтернативных возобновляемых экологически чистых источников энергии. Основным направлением гелиоэнергетики с точки зрения достижения максимально возможных значений КПД является использование каскадных солнечных элементов. В этом случае прирост эффективности осуществляется за счет преобразования длинноволнового излучения солнечного спектра при добавлении в конструкцию фотопреобразователя узкозонного фотоэлемента. В качестве материала для нижнего элемента механически стыкованного каскада могут успешно использоваться такие узкозонные полупроводники, как германий или антимонид галлия.

Помимо солнечных элементов, принцип фотоэлектрического преобразования излучения также реализуется в термофотоэлектрических (ТФЭ) преобразователях. Метод позволяет осуществлять преобразование энергии излучения нагретых тел (эмиттеров) в электроэнергию с помощью полупроводниковых фотоэлементов, чувствительных в инфракрасной области спектра. Этот менее известный способ преобразования излучения несомненно перспективен, потому что ТФЭ генераторы могут работать в условиях, независимых от природных факторов (днем, ночью и в пасмурные дни). Полупроводниковые ТФЭ преобразователи должны иметь ширину запрещенной зоны 0.4-0.8 эВ для эффективного преобразования относительно длинноволнового инфракрасного излучения нагретого эмиттера. ТФЭ генераторы, также как и солнечные энергоустановки, являются перспективными для их использования в качестве автономных, бесшумных и экологически чистых источников электрической энергии.

Таким образом, актуальность настоящей работы определяется необходимостью получения высокоэффективных узкозонных фотопреобразователей, предназначенных для использования в качестве концентраторных солнечных элементов каскадного типа, а также в качестве термофотоэлектрических преобразователей.

Цель настоящей работы заключалась в разработке технологии получения высокоэффективных узкозонных фотоэлементов на основе ве и ваБЬ с использованием методов диффузии из газовой фазы и

3

эпитаксиального выращивания для создания термофотоэлектрических преобразователей и механически стыкованных солнечных элементов.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи: определение оптимальных технологических режимов газовой диффузии цинка для формирования р-и-перехода в германии, исследование технологических условий получения

высокоэффективных фотопреобразователей на основе ве с широкозонным «окном» ОэАб с помощью методов эпитаксиального выращивания и диффузии из газовой фазы.

исследование влияния электрофизических параметров слиткового материала ваБЬ на рабочие характеристики фотоэлементов, исследование влияния постдиффузионного прецизионного удаления высоколегированной части эмиттера на параметры ваБЬ фотоэлементов.

разработка «тыльного» зеркала для ТФЭ преобразователей на основе ве и ваБЬ и исследование его отражательных свойств, создание высокоэффективных фотопреобразователей на основе ве и ваБЬ, предназначенных для преобразования падающего излучения высокой плотности.

разработка режимов эпитаксиального роста и диффузионного легирования с целью создания фотоэлементов на основе арсенида индия.

Научная новизна и практическая значимость работы заключаются в следующем:

Исследована зависимость глубины залегания р-п-перехода в германии от длительности диффузионного отжига в условиях квазизамкнутого объема. Определены технологические режимы диффузии, обеспечивающие получение высокоэффективных ве фотоэлементов. Разработана технология получения бе фотоэлементов с ОаАБ широкозонным «окном» с использованием эпитаксиальных и диффузионных методов. Показано, что выращивание широкозонного ваАБ «окна» приводит к возрастанию напряжения холостого хода и эффективности фотоэлементов на основе ве.

Впервые в отечественной практике созданы фотоэлементы на основе Ge с широкозонным «окном» GaAs, которые по эффективности фотоэлектрического преобразования не уступают лучшим зарубежным аналогам.

Разработана методика увеличения эффективности фотоэлементов на основе GaSb путем прецизионного удаления высоколегированной части /»-эмиттера после диффузии из газовой фазы.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Эпитаксиальное выращивание GaAs на Ge в комбинации с диффузией цинка обеспечивает получение фото преобразователей с близкой к 100% внутренней квантовой эффективностью фотоответа и высокими значениями генерируемого напряжения.

2. Разработанные фотопреобразователи на основе GaAs/Ge гетероструктуры обеспечивают достижение КПД 10-11% при преобразовании концентрированного (50-300 солнц) солнечного излучения. КПД термофотоэлектрического преобразования составляет 16.5% для поглощенного в Ge (А. < 1940 нм) излучения вольфрамового эмиттера при Т = 2000 К.

3. Низкотемпературная диффузия цинка в GaSb в сочетании с постдиффузионным прецизионным удалением высоколегированной части эмиттера обеспечивают получение фотопреобразователей с КПД 18-19% при преобразовании излучения вольфрамового эмиттера (Т= 1800-2000 К) и 49% при преобразовании мощного (100 Вт/см2) узкополосного излучения с длиной волны 1680 нм.

Апробация результатов работы.

Результаты диссертационной работы докладывались на 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Munich, Germany, 2001); 5th ISTC Scientific Advisory Committee Seminar (St. Petersburg, 2002); 29th Photovoltaic Specialists Conference (New Orleans, Louisiana, 2002); 5th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Rome, Italy, 2002); 3nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, (Japan, Osaka, 2003), 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Paris, France, 2004); 6th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Freirburg, Germany, 2004); 31th Photovoltaic Specialists Conference (Florida,

USA, 2005); 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Barcelona, Spain, 2005); 4th World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion (Hawaii, USA, 2006); 21th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Dresden, Germany, 2006); 7th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Madrid, Spain, 2006); 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference (Milan, Italy, 2007).

Публикации. По результатам диссертационной работы опубликовано 33 печатных труда, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 103 наименований. Общий объем работы составляет 132 страницы, включая 62 рисунка и 5 таблиц.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность проведенных в данной работе исследований, сформулирована цель работы, показаны научная новизна и практическая значимость полученных результатов, приведены основные научные положения, выносимые на защиту и краткое содержание диссертации по главам.

Первая глава содержит краткий обзор литературы по теме диссертации. В параграфе 1.1 показана актуальность использования узкозонных полупроводников (в частности, Ge и GaSb) в фотоэнергетике как в качестве солнечных элементов каскадного типа, так и в качестве ТФЭ преобразователей.

В параграфе 1.2 описываются основные принципы работы как отдельных компонентов ТФЭ генераторов и ТФЭ системы в целом. Показаны преимущества ТФЭ генераторов при их использовании в качестве автономных источников энергии.

В параграфе 1.3 рассматриваются полупроводниковые материалы и гетероструктуры для создания ТФЭ преобразователей. Приводятся работы, посвященные проблемам пассивации поверхности германия и совершенствования конструкции фотоэлементов на основе GaSb. Показана перспективность использования InAs в качестве ТФЭ преобразователя, работающего при низких температурах эмиттера (Т < 1300 °С).

В последнем параграфе главы на основе анализа литературы сформулированы основные задачи диссертационной работы.

Вторая глава посвящена технологии получения фотоэлектрических преобразователей на основе германия методом диффузионного легирования из газовой фазы в объемный материал подложки.

В параграфе 2.1 рассмотрены особенности легирования германия, приведены основные модели распределения примесных атомов. Показаны преимущества использования квазизамкнутого контейнера для осуществления процесса диффузии по сравнению с методами легирования в замкнутом объеме (ампуле) и в потоке газа носителя.

В параграфе 2.2 на основании коэффициентов диффузии и основных параметров различных примесей в германии обоснован выбор донорной (сурьмы) и акцепторной (цинка) примеси при диффузионном легировании Се в условиях квазизамкнутого объема. Легирование осуществлялось в графитовой кассете пенального типа с плотно задвигающейся крышкой и многоярусной горизонтальной укладкой подложек.

В параграфе 2.3 приведен основной технологический маршрут изготовления фотопреобразователей на основе ве, показаны условия проведения эксперимента, а также представлены характеристики фотоэлементов, сформированные диффузией сурьмы и цинка. С помощью газовой диффузии цинка в квазизамкнутом контейнере были получены фотоэлементы (ФЭ) площадью от 2.5x2.5 мм2 до 10x10 мм2 с внутренним (близким к 100%) и внешним (80-90 %) квантовым выходом в широком спектральном диапазоне 1=800-1600 нм. Этот результат соответствует параметрам лучших зарубежных аналогов (рис. 1).

В параграфе 2.4 рассматривается возможность повышения эффективности ТФЭ преобразования за счет создания отражающего зеркала на тыльной стороне фотоэлементов, при формировании которого возможно изготавливать ТФЭ преобразователи на основе Се с коэффициентом отражения "подзонных" фотонов 90-95% (X > 1.9 мкм).

Третья глава посвящена технологии создания фотопреобразователей на основе Ое с широкозонным «окном» ОэАб методами жидкофазной и газофазной эпитаксии и диффузионного легирования. Для достижения высоких значений фототока в Ое фотоэлементах необходимо формировать неглубокий р-и-переход (до 0.5 мкм), что вызывает чрезвычайную чувствительность фотопреобразователей на основе германия к поверхностной рекомбинации. Пассивация поверхности Ое, например, слоем ОаАз позволяет снизить скорость поверхностной рекомбинации, тем

I 0,2 -

- p-n-Ge фотоэлемент

(диффузия гп)

И

n-p-Ge ФЭ с окном GalnP [1] (получен методом МОСГФЭ) n-p-Ge ФЭ со слоем a-Si [2] (пасивация методом PECVD)

0,0

........ ' _i_i_

600 800 1000 1200 1400 1600 180С

J_ ' _L

Длина волны, нм

Рис. 1. Спектральные характеристики фотоответа фотопреобразователей на основе ве, полученных с помощью различных технологических методов.

самым повысить эффективность фотоэлементов за счет достижения больших значений напряжение холостого хода.

В параграфе 3.1 рассмотрены особенности процесса пассивации подложек германия слоем ваАэ методом жидкофазной эпитаксии. Известные способы эпитаксии из жидкой фазы не позволяют получать гетероэпитаксиальные слои соединений А3В5, и в частности СаАэ, на подложках Се. Трудности при получении эпитаксиальных слоев соединений А3В5 на подложках Се методом ЖФЭ обусловлены особенностями диаграмм состояния перечисленных систем, а также ретроградной растворимостью ве в большинстве расплавов, используемых при эпитаксии соединений А3В5.

В данной работе с целью получения слоев СаАБ на подложках Се разработан метод ЖФЭ при быстром охлаждении раствора-расплава. Скорость охлаждения составляла приблизительно 2 - 2.5 °С/сек. При данных технологических условиях появляется возможность проводить процесс при большем начальном пересыщении раствора-расплава в значительно неравновесных условиях, т.е. снижалась вероятность

растворения подложки. Несмотря на высокую скорость охлаждения, скорость роста была относительно невысока (0,05мкм/с). Это давало возможность получать тонкие (0,1+0,5 мкм) эпитаксиальные слои GaAs на подложках Ge, что является необходимым условием для реализации свойств широкозонного «окна».

Достаточно высокий внешний квантовый выход (80-85 %) Ge фотоэлементов в спектральном диапазоне 900-1550 нм говорит о достаточно низкой плотности рекомбинационных центров на гетерогранице p-GaAs/p-Gs.

В параграфе 3.2 представлены результаты исследования по поиску оптимального технологического маршрута получения фотоэлементов на основе Ge с широкозонным «окном» GaAs, выращенным методом МОСГФЭ на установке с горизонтальным типом реактора при атмосферном давлении.

Для получения Ge фотопреобразователей было исследовано несколько технологических способов получения фоточувствительных структур, различающихся последовательностью технологических операций при изготовлении фотоэлементов. Показана, что оптимальная температура выращивания широкозонного «окна» GaAs составила ~ 550 °С для всех маршрутов получения фотопреобразователей. Максимальные значения напряжения холостого хода были получены на фотоэлементах, изготовленных по маршруту, в котором сначала осуществлялся планарный рост GaAs (что обеспечивало однородность растущего слоя), а затем проводилась локальная диффузии цинка в окна защитной маски диэлектрика (при которой /»-«-переход не выходит на поверхность фотоэлемента). Внешний квантовый выход полученных фотопреобразователей составил (80-85 %), что свидетельствует о высоком качестве гетерограницы GaAs/Ge.

В параграфе 3.3 приведен сравнительный анализ основных параметров Ge фотоэлементов, полученных различными способами. При пассивации поверхности германия эпитаксиальным слоем широкозонного «окна» GaAs достигается значительный прирост значения напряжения холостого хода фотопреобразователей на основе Ge (рис. 2). В фотопреобразователях на основе гетероструктуры GaAs/Ge была достигнута эффективность преобразования 8-11% концентрированного солнечного излучения (Кс = 50-1000 солнц, AM1.5D) и более 4% за верхним GaAs элементом в

механически-стыкованном каскаде, что соответствует параметрам лучших зарубежных аналогов. Разработанные ОаАБЛИе фотопреобразователи обеспечивают достижение эффективности термофотоэлектрического преобразования 16.5% для поглощенного в Ое (А. < 1940 нм) излучения.

0,5 0,4 и 0,3

I

0,2 0,1 0,0

Рис.2. Зависимость напряжения холостого хода (и*,) от плотности фототока фотоэлементов на основе ве, полученных различными способами.

Четвертая глава посвящена оптимизации параметров фотопреобразователей на основе ваБЬ и разработке технологии создания фотоэлементов на основе ЫАб.

В ОаБЬ за счет низкой скорости поверхностной рекомбинации имеется возможность изготавливать фотопреобразователи диффузией Ъл в объемный материал подложки. Качество полупроводниковых приборов, создаваемых таким образом, в значительной степени зависит от совершенства монокристаллов. В связи с этим на первый план выходит необходимость получения ваБЬ, характеризующегося не только высокими абсолютными значениями подвижности и времени жизни носителей заряда, но и минимальными отклонениями электрофизических параметров монокристалла по всему слитку. В параграфе 4.1.1 представлены результаты исследования влияния электрофизических параметров слиткового материала ваБЬ на рабочие характеристики фотоэлементов,

10

—О—р-п-йе без пассивации, л=(1-3)-10" ст° —•—р-п-йе с баАя окном (ЖФЭ) -■—р-п-ве с СаАв окном (МОСГФЭ) -★— п-р-Ое с окном Са1пР (МОСГФЭ) [1] —■Л— п-р-ве с окном ваМР (МОСГФЭ) [3]

■ ■ ■ ■ '_I_I-1_■ I I I I I_

1 10

Плотность фототока, А/см2

полученных на его основе. Показано, что для создания высокоэффективных фотопреобразователей оптимальный диапазон концентраций электронов подложек Са5Ь(Те) составляет п = (2-6)-1017 см"3.

В параграфе 4.1.2 представлены результаты исследований по снижению сопротивления омических контактов к р- и и-ОаБЬ для различных вариантов контактных систем, поскольку для фотоэлементов, работающих при концентрированном падающем излучении, особенно актуальна проблема минимизации омических потерь. Минимальные значения удельного сопротивления контактов рс = (1-3)10"6 Ом-см2 к р-ваБЬ с уровнем легирования Ю20 см'3 были получены при использовании контактной системы "П/Р^Аи. Для низколегированного и-ваБЬ с концентрацией носителей тока 41017 см'3 (оптимальный уровень легирования) минимальное контактное сопротивление 210"5 Ом •см было достигнуто при использовании системы Аи/№/Аи.

В параграфе 4.1.3 показаны результаты по увеличению эффективности фотоэлементов на основе ваБЬ. Формирование р-л-перехода в ваБЬ фотоэлементах традиционно осуществляется легированием цинка. Единственный недостаток при легировании цинком заключается в том, что диффузионные ваБЬ фотоэлементы характеризуются высокими значениями поверхностной концентрации легирующей примеси (~ 1О20-1021 см"3), что приводит к снижению времени жизни неосновных носителей заряда в высоколегированном слое, и, следовательно, к некоторому снижению эффективности ваБЬ фотопреобразователей. Для устранения данного недостатка в настоящей работе исследовалась возможность улучшения рабочих характеристик фотоэлементов с помощью прецизионного удаления фотоактивной поверхности образцов после диффузии анодным окислением с последующим травлением оксида. Исследования показали, что прецизионное удаление высоколегированной части эмиттера приводит к дополнительному увеличению эффективности фотоэлементов на основе ваБЬ на 3-4 абс. процента за счет изменения как глубины р-я-перехода, так и формы диффузионного профиля.

В параграфе 4.1.4 представлены результаты по формированию «тыльного» зеркала для ТФЭ преобразователей на основе ваБЬ и исследованы его отражательные свойства. Для ваБЬ фотоэлементов максимальный коэффициент отражения от «тыльного» зеркала, состоящего из диэлектрика М§Р2 (обеспечивающего отражение от тыльной

поверхности полупроводника) и точечных металлических контактов Аи, составил 70-80%.

В параграфе 4.1.5 на основании полученных фотоэлектрических характеристик оптимизированных ваБЬ фотоэлементов была оценена их эффективность для случая преобразования мощного монохроматического излучения и инфракрасного излучения эмиттеров. КПД фотопреобразователей на основе ваБЬ составил 18-19% (значения, близкие к теоретическому максимуму 22%) при преобразовании излучения вольфрамового эмиттера (Т= 1800-2000 К). Оптимизация технологии создания ваБЬ фотоэлементов, преобразующих излучение высокой плотности, позволила получить фотопреобразователи на основе ОаБЬ, предназначенные для преобразования мощного (до 100 Вт/см2) узкополосного излучения с длиной волны 1600-1700 нм. Были получены высокоэффективные ОаБЬ фотоэлементы, максимальный КПД преобразования которых составил 49% на длине волны падающего излучения 1680 нм.

В параграфе 4.2 представлены результаты по поиску оптимальных условий для выращивания гетероструктур на основе 1пАз. Получены и исследованы приборные гетероструктуры ШАзБЬРЛпАв, в которых слой ЬгАэБЬР выступал как в качестве широкозонного «окна», так и в качестве фотоактивной области эмиттера с красной границей фоточуствительности 2,7 мкм. Внутренний квантовый выход полученных фотопреобразователей составил 60% (Х = 550-3500 нм) и 50-90% (А, = 550-2500 нм), соответственно.

В заключении сформулированы основные результаты работы:

1. Исследована зависимость глубины р-и-перехода в германии от длительности диффузионного отжига цинка в квазизамкнутом объеме. Экспериментальные данные указывают на соответствие распределения примеси дополнительной функции ошибок.

2. Разработана технология изготовления диффузионных фотоэлементов на основе ве, позволяющая получать фотопреобразователи с близкой к 100% внутренней квантовой эффективностью фотоответа.

3. Разработана методика получения Се фотоэлементов с широкозонным «окном» ваАБ с помощью методов эпитаксиального выращивания и диффузии из газовой фазы. Эффективность фотопреобразователей на

основе гетероструктуры GaAs/Ge при преобразовании концентрированного (50-300 солнц) солнечного излучения составляет 10-11%. КПД термофотоэлектрического преобразования составляет 16.5% для поглощенного в Ge (X < 1940 нм) излучения.

4. Проведено исследование влияния электрофизических параметров слиткового материала GaSb на рабочие характеристики фотоэлементов. Показано, что для создания высокоэффективных фотопреобразователей оптимальный диапазон концентраций электронов подложек GaSb (Те) составляет п = (2-6)-1017 см"3.

5. Исследованы омические характеристики различных вариантов контактов к «- и /?-GaSb, а также определены оптимальные температуры их отжига. Минимальные значения удельного сопротивления контактов (1-3)-10"6 Омсм2 к p-GaSb с уровнем легирования Ю20см"3 были получены при использовании контактной системы Ti/Pt/Au и 2 ■ 10"5 Ом см2 для низколегированного «-GaSb (я = 4-1017 см"3) при использовании системы Au/Ni/Au.

6. Разработана методика увеличения эффективности фотоэлементов на основе GaSb путем прецизионного удаления высоколегированной части поверхности р-эмитгера после диффузии, позволяющая получать фотопреобразователи с КПД 18-19% при преобразовании излучения вольфрамового эмиттера (Т = 1800-2000 К) и 49% при преобразовании мощного узкополосного излучения с длиной волны 1680 нм.

7. Исследована отражательная способность ТФЭ преобразователей на основе Ge и GaSb для длин волн более 1.9 мкм при различном легировании, толщине подложки и комбинаций материалов «тыльного» зеркала. Для Ge фотоэлементов максимальный коэффициент отражения от «тыльного» зеркала составил 90-95%, для GaSb - 70-80%.

8. Получены и исследованы приборные гетероструктуры InAsSbP/InAs, в которых слой InAsSbP выступал как в качестве широкозонного «окна», так и в качестве фотоактивной области эмиттера с красной границей фоточуствительности 2,7 мкм. Внутренний квантовый выход полученных фотопреобразователей составлял 60 % (А. = 550-3500 нм) и 50-90 % (к = 550-2500 нм), соответственно.

Основные результаты диссертационной работы изложены в следующих публикациях:

1. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova О.A., Oliva E.V., Rumyantsev V.D., Shvarts M.Z., Thermophotovoltaic- cells with sub-bandgap photon recirculation II Proceed, of 17,h European Photovoltaic Solar Energy Conf., Munich, 2001, pp.219-222.

2. Rumyantsev V.D., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Oliva E.V., Shvarts M.Z., Improvement of GaSb based TPV cells by nano-etching of diffused emitter // Proc. 5th ISTC SAC Seminar: Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology, St.Petersburg, 2002, p.392-395.

3. Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Oliva E.V., Shvarts, V.M.Andreev M.Z., Thermophotovoltaic cells based on />-GaAs/p-Ge//j-Ge nanoheterostructures II Proc. 5th ISTC SAC Seminar, St.Petersburg, 2002, p.387-391.

4. Khvostikov V.P.,.Khvostikova O.A, Oliva E.V.,.Rumyantsev V.D, Shvarts M.Z., Tabarov T.S., Andreev V.M., Zink-diffused InAsSbP/InAs and Ge TPV cells II 29>h Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, Louisiana, 2002, pp. 943-946.

5. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova O.V., Oliva E.V., Rumyantsev V.D., Shvarts M.Z., Low-Bandgap Ge and InAsSbP/InAs-Based TPV Cells // 5lh Conf. on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, 2002, Rome, AIP Conf. Proc., v.653, p.383.

6. Хвостиков В.П., Олива Э.В., Хвостикова O.A., Андреев В.М., Румянцев В.Д., Шварц М.З., Высокоэффективные ТФЭ элементы на основе Ge и GaSb // Известия вузов, Северо-Кавказский регион, технические науки, спецвыпуск, 2002, стр.31-35.

7. Хвостиков В.П., Лунин Л.С., Ратушный В.И., Олива Э.В., Шварц М.З., Хвостикова О.А., Фотопреобразователи на основе GaAs/Ge гетероструктур, полученных методом низкотемпературной ЖФЭ // Письма в ЖТФ, 2003, т.29, в. 14, стр.46-49.

8. Хвостиков В.П., Лунин Л.С., Кузнецов В.В., Ратушный В.И., Олива Э.В., Хвостикова О.А., Шварц М.З., Многокомпонентные твердые растворы на основе InAs для термофотоэлектрических преобразователей // Письма в ЖТФ, 2003, т.29, вып.20, стр.33-37.

9. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova О.А., Kaluzhniy N.A., Oliva E.V., Rumyantsev V.D., Titkov S.S., Shvarts M.Z., Low-bandgap PV

and thermophotovoltaic cells // Proceedings of 3rd World Conf. on Photovoltaic Solar Energy Conversion, 2003, Osaka, Japan.

10. Андреев B.M., Хвостиков В.П., Калюжный H.A., Титков С.С., Хвостикова О. А., Шварц М.З., Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка // ФТП, 2004 т.38, в.З, стр. 369-373.

11. Андреев В.М., Хвостиков В.П., Калюжный Н.А., Хвостикова О.А., Газарян П.Ю., Увеличение эффективности термофотоэлектрических преобразователей на основе германия и антимонида галлия // Известия вузов, Северо-Кавказ. регион, тех. науки, спецвыпуск, 2004, стр.44-52.

12. Хвостиков В.П., Хвостикова О.А., Газарян П.Ю., Шварц М.З., Румянцев В.Д., Андреев В.М., Термофотоэлектрические преобразователи теплового и концентрированного солнечного излучения // ФТП, 2004, т.38, вып.8, стр.988-993.

13. Rumyantsev V.D., Khvostikov V.P., Khvostikova О.A., Gazaryan P.Y., Sadchikov N.A., Vlasov A.S., Ionova E.A., Andreev V.M., Structural features of solar TPV systems // Proceedings of the 6th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, Freiburg, 2004, pp. 79-87.

14. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Rumyantsev V.D., Gazarjan P.Y., Vlasov A.S., Solar thermophotovoltaic converters: efficiency potentialities II Proceedings of the 6,h Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, Freiburg, 2004, pp. 96-104.

15. Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Shvarts M.Z., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Kaluzhniy N.A., Andreev V.M., Thermophotovoltaic cells based on low-bandgap compounds // Proceedings of the 6th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, Freiburg, 2004, pp. 436-444.

16. Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Kaluzhniy N.A., Andreev V.M., TPV cells based on Ge, GaSb and InAs related compounds for solar powered TPV systems // Proceedings of the 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Paris, 2004, pp. 105-108.

17. Andreev V.M., Grilikhes V.A., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Rumyantsev V.D., Sadchikov N.A., Shvarts M.Z., Concentrator PV modules and solar cells for TPV systems // J. Solar Energy Materials & Solar Cells, 2004, v.84, pp.3-17.

18. Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Shvarts M.Z., Vlasov A.S., Andreev V.M., Photovoltaic cells for solar powered TPV systems II Proceedings of the 31s' Photovoltaic Specialists Conference, Florida, 2005, pp. 655-658.

19. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Vlasov A.S., Gazaryan P.Y., Sadchikov N.A., Rumyantsev V.D., Solar thermophotovoltaic system with high temperature tungsten emitter // Proceedings of the 31s' Photovoltaic Specialists Conference, Florida, 2005, pp. 671-674.

20. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Vlasov A.S., Sadchikov N.A., Sorokina S.V., Zadiranov Y.M., Shvarts M.Z., Thermophotovoltaic converters with solar powered high temperature emitters // Proceedings of the 2(fh European Photovoltaic Solar Energy Conference, Barcelona, 2005, pp. 8-13.

21. Kalinovsky V.S., Andreev V.M., Evstropov V.V., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., The mechanism of a current flow in the space charge region of illuminated and nonilluminated GaSb p-n junctions // Proc. 20th European Photovoltaic Solar Energy Conf, Barcelona, 2005, pp.503-506.

22. Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Shvarts M.Z., Andreev V.M., Narrow bandgap GaSb and InGaAsSb/GaSb based cells for mechanically stacked tandems and TPV converters II Proceedings of the 20lh European Photovoltaic Solar Energy Conference, Barcelona, 2005, pp. 191-194.

23. Хвостиков В.П., Растегаева М.Г., Хвостикова O.A., Сорокина C.B., Малевская A.B., Шварц М.З., Андреев А.Н., Давыдов Д.В., Андреев В.М., Высокоэффективные (49%) мощные фотоэлементы на основе антимонида галлия // ФТП, 2006, т.40, в.10, стр.1275-1279.

24. Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Malevskaya A.V., Shvarts M.Z., Kaluzhniy N.A., Andreev V.M., Rumyantsev V.D., Photoconverters for solar TPV systems // Proceedings of the 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 2006, Hawaii, pp. 667-670.

25. Andreev V.M., Vlasov A.S., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sadchikov N.A., Rumyantsev V.D., Solar thermophotovoltaic converter with Fresnel lens and GaSb cells II Proceedings of the 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 2006, Hawaii, pp. 644-647.

26. Andreev V.M., Vlasov A.S., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sadchikov N.A., Sun powered TPV converters based on GaSb cells // Proc. of 21" European Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, 2006, pp. 35-38.

27. Khvostikov V.P., Gazaryan P.Y., Khvostikova O.A., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Malevskaya A.V., Levin R.V., Shvarts M.Z., Andreev V.M., Narrow band gap TPV converters of radiation from the emitters heated by concentrated sunlight // Proc. of 21s' European Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, 2006, pp. 485-488.

28. Vlasov A.S., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaiyan P.Y., Sorokina S.V., Sadchikov N.A., Andreev V.M., TPV systems with solar powered tungsten emitters // Proc. of 7th World Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, 2006, Madrid, pp. 327-334.

29. Khvostikov V.P., Gazaryan P.Y., Khvostikova O.A., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Malevskaya A.V., Levin R.V., Shvarts M.Z., Andreev V.M., GaSb applications for solar thermophotovoltaic conversion // Proc. of 7th World Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, 2006, Madrid, pp. 139-148.

30. V.M. Andreev, A.S. Vlasov, V.P. Khvostikov, O.A. Khvostikova & P.Y.Gazaryan, Full Scale Solar TPV Generator H Proc. 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conf, Milan, 2007, pp. 173-176.

31. Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Malevskaya A.V., Kaluzhniy N.A., Shvarts M.Z., Andreev V.M., Photovoltaic cells based on GaSb and Ge for solar and thermophotovoltaic applications // AS ME Journal of Solar Energy Engineering, 2007, v.129, №3, pp 291-298.

32. Andreev V.M., Vlasov A.S., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaiyan P.Y., Sorokina S.V., Sadchikov N.A., Solar thermophotovoltaic converters based on tungsten emitters II ASME Journal of Solar Energy Engineering, 2007, v.129, №3, pp 298-304

33. Хвостиков В.П., Сорокина C.B., Потапович H.C., Хвостикова O.A., Власов A.C., Ракова Е.П., Андреев В.М., Исследование свойств эпитаксиального и слиткового антимонида галлия // ФТП, 2008, т.42, вып.4, стр. 1198-1205.

Цитированная литература:

1. J.Femändez, F.Dimroth, E.Oliva, M.Hermle, A.W.Bett. Back-surface Optimization of Germanium TPV Cells II AIP Conf. Proceed. (7th Conf. on Thermophotovoltaic Generation of Electricity) 2007, v.890, pp.190-197.

2. J. van der Heide, N.Posthuma, G.Flamand, J.Poortmans. Development of Low-cost Thermophotovoltaic Cells Using Germanium Substrates // AIP Conf. Proceed. 2007, v.890, pp.129-138.

3. D.J.Friedman, J.M.Olson, S.Ward et.al. Ge Concentrator Cells for III-V Multijunction Devices И 28th Photovoltaic Specialists Conf. Proc., 2000, Anhorage, pp. 965-967.

Лицензия ЛР № 020593 от 07.08.97

Налоговая льгота - Общероссийский классификатор продукции ОК 005-93, т. 2; 95 3004 - научная и производственная литература

Подписано в печать 14.04.2009. Формат 60x84/16. Уел, печ. л. 1,25. Уч.-изд. л. 1,25. Тираж 85. Заказ 4285Ь.

Отпечатано с готового оригинал-макета, предоставленного автором, в типографии Издательства Политехнического университета. 195251, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 29.

ВВЕДЕНИЕ.

1. ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ДЛЯ СОЗДАНИЯ АЛЬТЕРНАТИВНЫХ ИСТОЧНИКОВ ЭНЕРГИИ.

1.1. Узкозонные фотоэлементы: особенности применения в фотоэнергетике.

1.2. Термофотоэлектрические преобразователи: принцип действия и возможности эффективного использования.

1.3. Обоснование выбора полупроводниковых материалов для изготовления термофотоэлектрических преобразователей.

1.4. Формулирование задач диссертационной работы.

2. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ.

2.1. Особенности легирования германия в квазизамкнутом объеме.

2.2. Выбор легирующей примеси для формирования р-я-перехода в германии. 42'

2.3. Диффузионное легирование германия и характеристики получаемых фотоэлементов.

2.4. Разработка термофотоэлектрических элементов на основе Ge с тыльным зеркалом.

3. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ НА ОСНОВЕ p-GaAs/p-Ge/n-Ge ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ.

3.1. Фотоэлектрические преобразователи на основе Ge с широкозонным окном GaAs, выращенным методом жидкофазной эпитаксии.

3.1.1. Получение гетероструктур GaAs/Ge комбинацией методов быстрого охлаждения раствора-расплава и газовой диффузии.

3.1.2. Параметры Ge фотоэлементов с GaAs окном, выращенным методом жидкофазной эпитаксии.

3.2. Фотоэлектрические преобразователи на основе Ge с широкозонным окном GaAs, выращенным методом газофазной эпитаксии.

3.2.1. Поиск оптимального технологического способа изготовления гетероструктур GaAs/Ge с помощью методов диффузии и газофазной эпитаксии. у ^

3.2.2. Характеристики Ge фотоэлементов с GaAs окном, выращенным методом газофазной эпитаксии.

3.3. Сравнительный анализ основных параметров Ge фотоэлементов, полученных различными способами.

4. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ НА ОСНОВЕ УЗКОЗОННЫХ А3В5 ПОЛУПРОВОДНИКОВ (GaSb, InAs).

4.1. Фотоэлектрические преобразователи на основе GaSb

4.1.1. Исследование свойств слиткового материала GaSb.

4.1.2. Формирование и исследование омических контактов к GaSb.

4.1.3. Исследование влияния глубины /?-и-перехода и формы диффузионного профиля на выходные характеристики GaSb фотоэлементов.

4.1.4. Разработка термофотоэлектрических GaSb элементов с тыльным зеркалом. Ю

4.1.5. Характеристики разработанных фотопреобразователей на основе GaSb.

4.2. Термофотоэлектрические преобразователи на основе InAs.

4.2.1. Термофотоэлектрические элементы на основе InAs.

4.2.2. Термофотоэлектрические элементы на основе InAsSbP.

Актуальность темы. В последнее время в связи с энергетическим кризисом большое внимание привлечено к проблеме поиска альтернативных возобновляемых экологически чистых источников энергии. Наиболее перспективным в этой связи представляются возможности фотоэлектрического способа преобразования солнечной энергии.

Основным направлением гелиоэнергетики с точки зрения достижения максимально возможных значений КПД является использование каскадных солнечных элементов. В'этом случае прирост эффективности осуществляется за счет преобразования длинноволнового излучения солнечного спектра при добавлении в конструкцию фотопреобразователя узкозонного фотоэлемента. В качестве материала- для нижнего элемента механически стыкованного каскада могут успешно < использоваться такие узкозонные полупроводники, как германий или антимонид галлия.

Помимо солнечных элементов принцип фотоэлектрического, преобразования излучения реализуется также в термофотоэлектрических (ТФЭ) преобразователях. Метод позволяет осуществлять преобразование энергии излучения нагретых тел (эмиттеров) в электроэнергию с помощью полупроводниковых фотоэлементов, чувствительных в инфракрасной области спектра. Этот менее известный способ преобразования излучения несомненно перспективен потому, что ТФЭ генераторы могут работать в условиях, независимых от природных факторов (днем, ночью и в пасмурные дни). ТФЭ преобразователи должны иметь ширину запрещенной зоны 0.4-0.8 эВ для эффективного преобразования относительно длинноволнового инфракрасного излучения нагретого эмиттера. ТФЭ генераторы, также как и солнечные энергоустановки, являются перспективными для их использования в качестве автономных, бесшумных и экологически чистых источников электрической энергии.

Таким, образом; актуальность, настоящей работы определяется необходимостью получения высокоэффективных узкозонных фотопреобразователей, предназначенных для использования в качестве концентраторных солнечных элементов каскадного типа, а также в качестве термофотоэлектрических преобразователей.

Цель настоящей работы заключалась в разработке технологии получения высокоэффективных узкозонных фотоэлементов на основе Ge и GaSb с использованием методов диффузии из газовой фазы и эпитаксиального выращивания для создания термофотоэлектрических преобразователей и механически стыкованных солнечных элементов.

Научная новизна и практическая значимость работы заключаются в следующем:

- Исследована зависимость глубины залегания р-и-перехода в германии от длительности диффузионного отжига в условиях квазизамкнутого объема. Определены технологические режимы диффузии, обеспечивающие получение высокоэффективных Ge фотоэлементов.

- Разработана технология получения Ge фотоэлементов с GaAs л. широкозонным «окном» с использованием эпитаксиальных и диффузионных методов. Показано, что выращивание широкозонного GaAs «окна» приводит к возрастанию напряжения холостого хода и эффективности фотоэлементов на основе Ge.

- Впервые в отечественной практике созданы фотоэлементы на, основе Ge с широкозонным «окном» GaAs, которые по эффективности фотоэлектрического преобразования не уступают лучшим зарубежным аналогам.

- Разработана методика увеличения эффективности фотоэлементов на основе GaSb путем прецизионного удаления высоколегированной части р-эмиттера после диффузии из газовой фазы.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Эпитаксиальное выращивание GaAs на Ge в комбинации с диффузией цинка обеспечивает получение фотопреобразователей с близкой* к 100% внутренней квантовой эффективностью фотоответа и высокими значениями генерируемого напряжения.

2. Разработанные фотопреобразователи на основе GaAs/Ge гетероструктуры обеспечивают достижение КПД 10-11% при преобразовании концентрированного (50-300 солнц) солнечного излучения. КПД термофотоэлектрического преобразования составляет 16.5% для поглощенного-в Ge (X < 1940 нм) излучения вольфрамового эмиттера при Т = 2000 К.

3. Низкотемпературная диффузия цинка в GaSb в сочетании с постдиффузионным прецизионным удалением высоколегированной части р-эмиттера обеспечивают получение фотопреобразователей с КПД 18-19% при преобразовании излучения вольфрамового эмиттера (Т = 1800-2000 К) и 49% при* преобразовании мощного (до 100 Вт/см2) узкополосного излучения с длиной волны 1680 нм.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались на 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Munich, Germany,

2001); 5th ISTC Scientific Advisory Committee Seminar (St. Petersburg, 2002); 29th Photovoltaic Specialists Conference (New Orleans, Louisiana, 2002); 5th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Rome, Italy,

2002); 3nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy th

Conversion, (Japan, Osaka, 2003), 19 European Photovoltaic Solar Energy Conference (Paris, France, 2004); 6th Conference- on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Freirburg, Germany, 2004); 31th Photovoltaic Specialists Conference (Florida, USA, 2005); 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference (Barcelona, Spain, 2005); 4th World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion (Hawaii, USA, 2006); 21th European Photovoltaic Solar

Energy Conference (Dresden, Germany, 2006); 7th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Madrid, Spain, 2006); 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference (Milan, Italy, 2007).

Публикации. По результатам диссертационной работы опубликовано 33 печатных труда, список которых приведен в конце диссертации.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 102 наименований. Общий объем работы составляет 131 страницу, включая 62 рисунка и 5 таблиц.

Основные результаты диссертационной работы изложены в следующих публикациях:

1. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova О.A., Oliva E.V., Rumyantsev V.D., Shvarts M.Z., Thermophotovoltaic cells with sub-bandgap photon recirculation // Proceed, of 17th European Photovoltaic Solar Energy Conf., Munich, 2001, pp.219-222.

2. Rumyantsev V.D., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Oliva E.V., Shvarts M.Z., Improvement of GaSb based TPV cells by nano-etching of diffused emitter // Proc. 5th ISTC SAC Seminar: Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology, St.Petersburg, 2002, p.392-395.

3. Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Oliva E.Y., Shvarts, V.M.Andreev M.Z., Thermophotovoltaic cells based on /?-GaAs/p-Ge/«-Ge nanoheterostmctures // Proc. 5th ISTC SAC Seminar, St.Petersburg, 2002, p.387-391.

4. Khvostikov V.P.,.Khvostikova O.A, Oliva E.V.,.Rumyantsev V.D, Shvarts M.Z., Tabarov T.S., Andreev V.M., Zink-diffiised InAsSbP/InAs and Ge TPV cells // 29th Photovoltaic Specialists Conference, New Orleans, Louisiana, 2002, pp. 943-946.

5. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova O.V., Oliva E.V., Rumyantsev V.D., Shvarts M.Z., Low-Bandgap Ge and InAsSbP/InAs-Based TPV Cells // 5th Conf. on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, 2002, Rome, AIP Conf. Proc., v.653, p.383.

6. Хвостиков В.П., Олива Э.В., Хвостикова O.A., Андреев В.М., Румянцев В.Д., Шварц М.З., Высокоэффективные ТФЭ элементы на основе Ge и GaSb // Известия вузов, Северо-Кавказский регион, технические науки, спецвыпуск, 2002, стр.31-35.

7. Хвостиков В.П., Лунин JI.C., Ратушный В.И., Олива Э.В., Шварц М.З., Хвостикова О.А., Фотопреобразователи на основе GaAs/Ge гетероструктур, полученных методом низкотемпературной ЖФЭ // Письма в ЖТФ, 2003, т.29, в. 14, стр.46-49.

8. Хвостиков В.П., Лунин Л.С., Кузнецов В.В., Ратушный В.И., Олива Э.В., Хвостикова О.А., Шварц М.З., Многокомпонентные твердые растворы на основе InAs для термофотоэлектрических преобразователей // Письма в ЖТФ, 2003, т.29, вып.20, стр.33-37.

9. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova О.А., Kaluzhniy N.A., Oliva E.V., Rumyantsev V.D., Titkov S.S., Shvarts M.Z., Low-bandgap PV and thermophotovoltaic cells // Proceedings of 3rd World Conf on Photovoltaic Solar Energy Conversion, 2003, Osaka, Japan.

Ю.Андреев B.M., Хвостиков В.П., Калюжный H.A., Титков С.С., Хвостикова О.А., Шварц М.З., Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка // ФТП, 2004 т.38, в.З, стр. 369-373.

П.Андреев В.М., Хвостиков В.П., Калюжный Н.А., Хвостикова О.А., Газарян П.Ю., Увеличение эффективности термофотоэлектрических преобразователей на основе германия и антимонида галлия // Известия вузов, Северо-Кавказ. регион, тех. науки, спецвыпуск, 2004, стр.44-52.

12.Хвостиков В.П., Хвостикова О.А., Газарян П.Ю., Шварц М.З., Румянцев В.Д., Андреев В.М., Термофотоэлектрические преобразователи теплового и концентрированного солнечного излучения // ФТП, 2004, т.38, вып.8, стр.988-993.

13.Rumyantsev V.D., Khvostikov V.P., Khvostikova О.A., Gazaryan P.Y., Sadchikov N.A., Vlasov A.S., Ionova E.A., Andreev V.M., Structural features of solar TPV systems // Proceedings of the 6th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, Freiburg, 2004, pp. 79-87.

14.Andreev Y.M., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Rumyantsev V.D., Gazarjan P.Y., Vlasov A.S., Solar thermophotovoltaic converters: efficiency potentialities // Proceedings of the 6th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, Freiburg, 2004, pp. 96-104.

15.Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Shvarts M.Z., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Kaluzhniy N.A., Andreev V.M., Thermophotovoltaic cells based on low-bandgap compounds // Proceedings of the 6th Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, Freiburg, 2004, pp. 436-444.

16.Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Kaluzhniy N.A., Andreev V.M., TPV cells based on Ge, GaSb and InAs related compounds for solar powered TPV systems // Proceedings of the 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Paris, 2004, pp. 105-108.

17.Andreev V.M., Grilikhes V.A., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Rumyantsev V.D., Sadchikov N.A., Shvarts M.Z., Concentrator PV modules and solar cells for TPV systems // J. Solar Energy Materials & Solar Cells, 2004, v.84, pp.3-17.

18.Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Shvarts M.Z., Vlasov A.S., Andreev V.M., Photovoltaic cells for solar powered TPV systems // Proceedings of the 31s' Photovoltaic Specialists Conference, Florida, 2005, pp. 655-658.

19.Andreev V.M., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Vlasov A.S., Gazaryan P.Y., Sadchikov N.A., Rumyantsev V.D., Solar thermophotovoltaic system with high temperature tungsten emitter // Proceedings of the 31st Photovoltaic Specialists Conference, Florida, 2005, pp. 671-674.

20.Andreev V.M., Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Vlasov A.S., Sadchikov N.A., Sorokina S.V., Zadiranov Y.M., Shvarts M.Z., Thermophotovoltaic converters with solar powered high temperature emitters // Proceedings of the 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Barcelona, 2005, pp. 8-13.

21.Kalinovsky V.S., Andreev V.M., Evstropov V.V., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., The mechanism of a current flow in the space charge region of illuminated and nonilluminated GaSb p-n junctions // Proc. 20th European Photovoltaic Solar Energy Conf, Barcelona, 2005, pp.503-506.

22.Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Shvarts M.Z., Andreev V.M., Narrow bandgap GaSb and InGaAsSb/GaSb based cells for mechanically stacked tandems and TPV converters // Proceedings of the 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Barcelona, 2005, pp. 191-194.

23.Хвостиков В.П., Растегаева М.Г., Хвостикова O.A., Сорокина C.B., Малевская А.В., Шварц М.З., Андреев А.Н., Давыдов Д.В., Андреев В.М., Высокоэффективные (49%) мощные фотоэлементы на основе антимонида галлия // ФТП, 2006, т.40, в. 10, стр.1275-1279.

24.Khvostikov V.P., Khvostikova О.А., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Malevskaya A.V., Shvarts M.Z., Kaluzhniy N.A., Andreev V.M., Rumyantsev V.D., Photoconverters for solar TPV systems // Proceedings of the 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 2006, Hawaii, pp. 667-670.

25.Andreev V.M., Vlasov A.S., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sadchikov N.A., Rumyantsev V.D., Solar thermophotovoltaic converter with Fresnel lens and GaSb cells // Proceedings of the 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 2006, Hawaii, pp. 644-647.

26.Andreev V.M., Vlasov A.S., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sadchikov N.A., Sun powered TPV converters based on GaSb cells // Proc. of 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, 2006, pp. 35-38.

27.Khvostikov V.P., Gazaryan P.Y., Khvostikova O.A., Sorokina S.V., Potapovich. N.S., Malevskaya A.V., Levin R.V., Shvarts M.Z., Andreev V.M., Narrow band gap TPV converters of radiation from the emitters heated by concentrated sunlight // Proc. of 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, 2006, pp. 485-488.

28.Vlasov A.S., Khvostikov V.P.,. Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Sadchikov N.A., Andreev V.M., TPV systems with solar powered tungsten emitters // Proc. of ~7th World Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, 2006, Madrid, pp. 327-334.

29.Khvostikov V.P., Gazaryan P.Y., Khvostikova O.A., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Malevskaya A.V., Levin- R.V., Shvarts M.Z., Andreev V.M., GaSb applications for solar thermophotovoltaic conversion // Proc. of 7th World Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, 2006, Madrid, pp. 139-148.

30.V.M. Andreev, A.S. Vlasov, V.P. Khvostikov, O.A. Khvostikova & P.Y.Gazaryan, Full Scale Solar TPV Generator // Proc. 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conf, Milan, 2007, pp. 173-176.

31 .Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Potapovich N.S., Malevskaya A.V., Kaluzhniy N.A., Shvarts M.Z., Andreev V.M., Photovoltaic cells based on GaSb and- Ge for solar and thermophotovoltaic applications // ASME Journal of Solar Energy Engineering, 2007, v. 129, №3, pp 291-298.

32. Andreev V.M., Vlasov A.S., Khvostikov V.P., Khvostikova O.A., Gazaryan P.Y., Sorokina S.V., Sadchikov N.A., Solar thermophotovoltaic converters based on tungsten emitters // ASME Journal of Solar Energy Engineering, 2007, v. 129, №3, pp 298-304

33.Хвостиков В.П., Сорокина C.B., Потапович H.C., Хвостикова О.А., Власов А.С., Ракова Е.П., Андреев В.М., Исследование свойств эпитаксиального и слиткового антимонида галлия // ФТП, 2008, т.42, вып.4, стр.1198-1205.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Найденко В.В., Губанов Л.Н, Петрова Е.Н. Глобальные эколого-экономические проблемы: Учебное пособие. Нижний Новгород, 2002.

2. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. Тенденции развития солнечной фотоэлектроэнергетики // ФТП, 2004, т.38, вып.8, стр.937-943.

3. Андреев В.М Грилихес В.А., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения.-Л.: Наука, 1989.-310 с.

4. Колтун М.М. Солнечные элементы. М.: Наука, 1987, 192 с.

5. King R.R., Sherif R.A., Kinsey G.S. et.al. Bandgap engineering in high-efficiency multijunction concentrator cells // Proc. of Int. Conf. on Solar Concentrators for the Generation of Electricity or Hydrogen, 2005, Arisona.

6. Araki K., Yamaguchi M., Kondo M., Uozumi H. Which is the best number of junctions for solar cells under ever-changing terrestrial spectrum? // Proc. of 3 rd World Conf. on PVSEC, 2003, Osaka, Japan, pp. 1LN-C-07.

7. King R.R., Law D.C., Edmondson K.M. et. al. Metamorphic Concentrator Solar Cells with Over 40% Conversion Efficiency // Proceed. 4th Int. Conf. on Solar Concentrators, 2007, El Escorial, Spain.

8. Bett A.W., Baur C., Beckert R. et.al. Development of high-efficiency mechanically stacked GalnP/GalnAs-GaSb triple-junction concentrator solar cells // 17th EPVSE Conf. Proceed., Munich, Germany, 2001, pp.84-87.

9. Bett A.W., Dimroth F., Stollwerck G., Sulima O.V. III-V compounds for solar cell applications // Appl. Phys., 1999, A 69, pp.119-129.

10. Posthuma N.E., Flamand G., Poortmans J. Dual junctuin germanium bottom cells application in mecanically stacked solar cells // 20th EPVSE Conf. Proceed., 2005, Barcelona, Spain, pp.78-81.

11. Green M.A., Emery K., Hishikawa Y., Warta W. Solar Cell Efficiency Tables (Version 32) // Prog. Photovolt: Res. Appl. 2008, v. 16, pp.435-440.

12. Green M., Emery K., King D. et. al. Solar Cell Efficiency Tables (Version 25) // Prog. Photovolt: Res. Appl. 2005, v. 13, pp.49-54.

13. Coutts T.J., Fitzgerald M.C. Thermophotovoltaics // Scientific American, 1998, pp.90-95.

14. Coutts T.J. A review of progress in thermophotovoltaic generation of electricity // J.Renewable and Sustainable energy reviews, 1999, v.3, pp.77-184.

15. Baldasaro P.F., Raynolds J.E., Charache G. W. et.al. Thermodynamic analysis of thermophotovoltaic efficiency and power density tradeoff // J.of Appl. Phys., 2001, v89, №6, pp.3319-3327.

16. Nelson R.E. A brief history of thermophotovoltaic development // Semicond.Sci.Technol., 2003, v.18, pp.S141-S143.

17. Guazzoni G., Matthews S. A retrospective of four dacades of military interest in thermophotovoltaics // AIP Conf. Proc. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, p.3-12.

18. Wang C. Antimony-based III-V thermophotovoltaic materials and devices // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.255-266.

19. Fraas L. and Minkin L. TPV Histoiy from 1990 to Present& Future Trends // AIP Conf. Proceed. 2007 (6th Conf. TPVGE), v.890, pp.17-23.

20. Murray C., Crowley C., Murray S. et.al. Thermophotovoltaic converter design for radioisotope power systems // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.123-132.

21. Wilt D., Chubb D., Wolford D. et. al. Thermophotovoltaics for Space Power -Applications // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, p.335-345.

22. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Vlasov A.S. "Solar thermophotovoltaics" in: "Concentrator Photovoltaics", Eds.: A.Luque, V.Andreev, Springer Series in Optical Sciences, v. 130, 2007, pp. 175-197.

23. Bitnar В., Durich W., Waser A. TPV systems from reasearch towards commercialisation//AIP Conf. Proc. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.33-41.

24. Luque A. Solar Thermophotovoltaics: Combining Solar Thermal and Photovoltaics // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.3-16.

25. Bett A.W., Keser S., Stollwerck G., Sulima O.V. Recent progress in developing of GaSb photovoltaic cells // 14th EPVSE Conf. Proc., 1997, Barcelona, Spain.

26. Bauer Т., Forbes I., Perlington R., Pearsall N. Heat transfer modelling of glass media within TPV systems // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.153-168.

27. Tobler W., Durisch W. Slurry- and Plasma-spray Coating of Selective Emitting Rare-earth Oxides on High Temperature Substrates // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.37-46.

28. Coutts T.J. An overview of thermophotovoltaic generation of electricity // J. Solar Energy Materials & Solar Cells, 2001, v.66, pp. 443-452.r

29. Jovanovic N., Celanovic I., Kassakian J. Two-dimensional Tungsten Photonic Crystals as Thermophotovoltaic Selective Emitters // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.47-55.

30. J. van der Heide, Posthuma N., Flamand G., Poortmans J. Improving the back surface of germanium thermophotovoltaic cells using laser fired contacts //21st EPVSE Conf. Proceed., 2006, Dresden, Germany, pp.43-46.

31. Abbott P., Bet W. Cell-mounted spectral filters for thermophotovoltaic applications // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.244-251.

32. Rahmlow Т., DePoy D., Fourspring P. et. al. Development of Front Surface, Spectral Control Filters with Greater Temperature Stability for Thermophotovoltaic Energy Conversion // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.59-67.

33. Durisch W., Bitnar В., Roth F., Palfinger G. Small thermophotovoltaic prototype systems // J. Solar Energy, 2003, v.75, pp. 11-15.

34. Durisch W., Bitnar В., Mayor J.C. et.al. Progress in the development of small thermophotovoltaic prototype systems // 17th EPVSE Conf. Proceed, 2001, Munich, Germany, pp.2296-2299.

35. Yugami H., Yamaguchi M. An overiew of TPV research activities in Japan // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp. 15-23.

36. Luther J. Thermophotovoltaic generation of electricity // Proc. of 3rd World Conf. on PVSEC, 2003, Osaka, Japan, pp. 1PL-B2-03.

37. Lambrecht A., Bottner H., Nurnus J. Thermoelectric energy conversion -overiew of a TPV alternative // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.24-32.

38. Mattarolo G., Bard J., Schmid J. TPV application as small back-up generator for standalone photovoltaic systems // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.133-141.

39. Carlson R., Fraas L. Adapting TPV for Use in a Standard Home Heating Furnace // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.273-279.

40. Horne W., Morgan M., Sundaram V. et.al. 500 Watt diesel fueled TPV portable power supply // AIP Conf. Proceed. 2003 (5th Conf. TPVGE), v.653, pp.91-101.

41. Lindberg E., Broman L. An animation tool for demonstrating the importance of edge filters in thermophotovoltaic applications // J. Renewable Energy, 2003, v.28 pp.1305-1315.

42. Sulima O.V., Bett A.W., Dutta P.S. et.al. GaSb-, InGaAsSb-, InGaSb-, InAsSbP-, and Ge-TPV cells with diffused emitters // 29th Photovoltaic Spesialist Conf. Proceed., 2002, New Orleans, USA.

43. Sala G., Anton I., Dominguez C. Qualification Testing of TPV Systems and Components: First Steps // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.251-261.

44. Mahorter R.G., Wersman В., Thomas R.M., Siergiey R.R. Thermophotovoltaics system testing // Semicond. Sci. Technol., 2003, v. 18, pp.S232-S238.

45. Friedman D.J., Olson J.M., Ward S. et.al. Ge Concentrator Cells;for III-V Multijunction Devices // 28th Photovoltaic Specialists Conf. Proc., 2000, Anhorage, pp. 965-967.

46. Friedman D.J., Olson J.M. Analysis of Ge Junctions for GalnP/GaAs/Ge Three Junction Solar Cells // Prog. Photovolt., 2001, v.9, pp. 179-189.

47. Timo G., Flores C., Campesato R. Bottom cell growth aspects for triple junction InGaP/(In)GaAs/Ge solar cells // J.Cryst.Res.Technol., 2005, v.40, №10-11, pp.1043-1047.

48. Nagashima Т., Okumura K., Murata K., Yamaguchi M. A Germanium Back-Contact Type Cell for Thermophotovoltaic Applications, Proc. of 3rd World Conf. on PVSEC, 2003, Osaka, Japan, pp.200-203.

49. Bailey S.G., Flood D.J., Brinker D.R. et.al. Front Surface Engineering of High Efficiency Si Solar Cells and Ge TPV Cells, 26th Photovoltaic Specialist Conf., Proc., 1997, Anaheim, USA, pp. 847-851.

50. J. van der Heide, Posthuma N., Flamand G., Poortmans J. Development of Low-cost Thermophotovoltaic Cells Using Germanium Substrates // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp.129-138.

51. Posthuma N.E., J. van der Heide, Flamand G., Poormans J. Recent progress in the development of stand-alone germanium solar cell // 21st EPVSE Conf. Proceed., 2006, Dresden, Germany, pp. 137-140.

52. Posthuma N.E., J.van der Heide, Flamand G., Poormans J. Emitter formation and contact realization by diffusion for germanium photovoltaic devices // IEEE Trans.Electron Devices, 2007, v.54, №5, pp. 1210-1215.

53. Fernandez J., Dimroth F., Oliva E., Hermle M., Bett A.W. Back-surface Optimization of Germanium TPV Cells // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp. 190-197.

54. Fernandez J., Dimroth F., Oliva E., Bett A.W. Development of germanium TPV cell technology // 22nd EPVSE Conf. Proceed., Milan, Italy , 2007, pp.516-519.

55. Wojtczuk S.J., Tobin S.P., Sanfacon M.M. et.al. Monolithic Two-Terminal GaAs/Ge Tandem Space Concentrator Cells, 22nd Photovoltaic Specialists Conf. Proc., 1991, Las Vegas, pp. 73-79.

56. Bett A.W., Sulima O.V. GaSb photovoltaic cells for applications in TPV generators // Semicond.Sci.Technol., 2003, v. 18, pp.S184-S190.

57. Shegle Т., Dimroth F., Ohm A., Bett A. TPV modules based on GaSb structures // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.285-293.

58. Martin D., Algora C. Theoretical comparison between diffused and epitaxial GaSb TPV cells // AIP Conf. Proc. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.311-319.

59. Sulima O.V., Bett A.W. Fabrication and simulation of GaSb thermophotovoltaic cells // J. Solar Energy Materials & Solar Cells, 2001, v.66, pp.533-540.

60. Bett A.W., Keser S., Sulima O.V. Study of Zn diffusion into GaSb from the vapour and liquid phase // J.Crystal Growth, 1997, v. 181, pp.9-16.

61. Andreev V.M., Khvostikov V.P., Rumyantsev V.D. et.al. Portable TPV generator based on metallic emitter and 1.5 Amp GaSb cells // Proc. 4th NREL Conference on Thermophotovoltaic Generation of Electricity, 1998, Denver, p.3 84-393.

62. Giesen С., Heuken M., Dimroth F. et al. MOVPE growth of Sb-based semiconductors in a 9x2-inch planetary reactor // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.267-275.

63. Shegle Т., Abbot P., S. van Riesen, Bett A. Degradation study of MOVPE-growth and zinc-diffused GaSb cells for thermophotovoltaic applications // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.387-395.

64. Agert C., Beckert R., Hinkov V., Sulima O.V., Bett A.W. Novel devicestructures for infrared solar cells based on GaSb: p-n-homojunctions, p-nthheterojunctions, and tandem cells //17 EPVSE Conf., Munich, Germany, 2001, pp.372-375.

65. Welser E., Dimroth F., Ohm A. et.al. Lattice-matched GalnAsSb on GaSb for TPV Cells // AIP Conf. Proceed. 2007 (7th Conf. TPVGE), v.890, pp. 107-114.

66. Conibeer G.J., Bumby C.W., Nicholas R.J., Mason NJ. Towards a GaSb-InAs tandem junction TPV cell // 17th EPVSE Conf. Proc., Munich, Germany, 2001, pp.269-272.

67. Mauk M.G., Sulima O.V., Cox J.A. Low-bandgap (0.3 to 0.5 eV) InAsSbP thermophotovoltaics: assesment for open-circuit voltage improvements // Proc. of 3rd World Conf. on PVSEC, 2003, Osaka, Japan, pp. 1P-D3-17

68. Атомная диффузия в полупроводниках под ред Д.Шоу, Изд.Мир, М., 1975.

69. Коутный Й., Кудлак Я., Микушек Я., Технология серийного производства транзисторов и полупроводниковых диодов, пер. с чеш. В.Н.Пшениснова, М., «Энергия», 1968, 280 стр.

70. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках, «Наука», Л., 1972, 384 стр.

71. Nagashima Т., Hokoi К., Okumura К., Yamaguchi М. Efficiency improvement of back-contact type photovoltaic cells by a floating emitter // 20th EPVSE Conf. Proceed., 2005, Barcelona, Spain.

72. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники, Учеб. пособие, М., Металлургия, 1979, 408 стр.

73. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов, Учеб. пособие, М., «Высшая школа», 1984, 288 стр.

74. Саморуков Б.Е. Свойства полупроводников, Учеб. пособие, СПбГТУ, СПб, 1992, 88 стр.

75. Курносов А.И. Материалы для полупрововдниковых приборов и интегральных микросхем, Уч.пособ., М., «Высшая школа», 1975, 342 стр.

76. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: пер. с ан.- М: Мир, 1984, т.2.

77. Горелик С.С., Дашевский М.Я., Учебник для вызов, М., «Металлургия», 1988, 574 стр.

78. Posthuma N.E., Flamand G., Poonnans J. Development of stand-alone germanium solar cells for application in space using spin-on diffusants // Proc. of 3rd World Conf. on PVSEC, 2003, Osaka, Japan, pp.777-780.

79. Posthuma N., J. van der Hiede, Flamand G., Poortmans J. Development of low cost germanium photovoltaic cells for application in TPV using spin on diffusants // AIP Conf. Proceed. 2004 (6th Conf. TPVGE), v.738, pp.337-344.

80. Андреев B.M., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975, с. 186.

81. Immorlica A., Ludington Jr., Burt W. Diffusion coefficient and solubility of Ge and GaAs in Pb and application to LPE growth of Ge on GaAs // J. of Crystal Growth, 1981, v.51, pp. 131-139.

82. Мокрицкий B.A., Шобик B.C. Возможности гетероэпитаксии в системе Sn-Ge-GaAs // Электронная техника, сер. Материалы. 1978. в. 8, стр.70-72.

83. Laugier A., Gavand М., Mesnard G.// Solid-State Electr, 1970, v. 13, №6, p.741.

84. Rosztoczy F.E., Stein W.W. // J. Electrochem. Soc., 1981, v. 119, № 8, pp.1119.

85. Razegi M. The MOCVD Challenge. 1989, v.2, Ed. by Adam Hilger, Bristol and Philadelphia, pp.179

86. Воронина Т.И. Исследование однородности и распределения примесей в монокристаллах, эпитаксиальных пленках и р-п структурах арсенида галлия. // Дисс. канд. физ.-мат. наук, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, Л., 1977, 192 с.

87. Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров Б.А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М.: Металлургия, 1974.

88. Dutta P.S., Ostrogovsky A.G. Nearly diffusion controlled segregation of tellurium in GaSb // J. Cryst. Growth, 1998, v. 191, pp.904.

89. Берт H.A., Куницын A.E., Мильвидская А.Г., Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. // ФТП, 1995, т.29, стр. 1116.

90. Куницын А.Е., Мильвидская А.Г., Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Свойства легированных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных из нестехиометрического расплава // ФТП, 1997, т.31, стр.947.

91. Dutta P.S., Bhat H.L., Kumar V. The physics and technology of GaSb: an emerging optoelectronic material // J.Appl.Phys., 1997, v.81, №9, p.5821-5869.

92. Baxter R.D., Reid F.J., Beer A.C. Phys.Rev., 1967, v. 162, pp.718.

93. Андреев A.H., Растегаева М.Г., Растегаев В.П., Решанов С.А. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов // ФТП, 1998, т.32, стр.832-838.

94. Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных слоях.- Л.: Наука, 1978, 208 стр.

95. Khald Н., Mani Н., Joullie A. Shallow diffusion of zinc into InAs and InAsSb // J. Appl. Phys., 1988, v.64, №9, pp.4768-4770.

96. Барышев H.C. Свойства и применение узкозонных полупроводников, Казань, УНИПРЕСС, 2000, 434 стр.

97. Kobayashi N., Horikoshi Y. Liquid phase epitaxial growth of InAsix.vPxSb on InAs substrate // Jpn. J. Appl. Phys. 20 (1981), p. 2301.

98. Wilson M.R., Krier A., Mao Y. Phase Equilibria in InAsSbP Quaternary Alloys Grown by Liquid Phase Epitaxy // J. of Electronic Materials, 1996, v. 25, №9, pp. 1439-1445.