Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6 , A3 B5 ) и многокомпонентных (A4 B6 , A2A3 B6 ) широкозонных полупроводиках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В БИНАРНЫХ И МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СОЕДИНЕНИЯХ (обзор).

1.1. Классификация центров с глубокими уровнями в полупроводниках

1.2. Методы исследования центров с глубокими уровнями в полупроводниках

1.3. Природа и характеристические параметры центров с глубокими уровнями в полупроводниках

1.3.1. Собственные структурные дефекты и их ассоциаты в соединениях Л2В

1.3.2 Глубокие центры, обусловленные примесями Agi, Сщи Ащ в соединениях А2В

1.3.3 Центры с глубокими уровнями в SiC и структурах на его основе

1.3.4. Центры с глубокими уровнями в тиагалатах CaGaSiEu

1.4. Механизмы фотохимических реакций дефектов и параметры фотохимически активных центров в полупроводниках А2В6 :

1.4.1. ФХР, связанные с ассоциацией доноров между собой;

1.4.2 ФХР, связанные с ассоциацией и распадом ДАП; 43 1.4.3. ФХР, связанные с увеличением концентрации доноров из-за их отхода от дислокационных стоков.

Выводы I главы

Глава II. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Характеристики исследованных образцов

2.2. Установки и методики измерений:

2.2.1. индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ) поляризованной ИПФ и оптического гашения фотопроводимости (ОГФ);

2.2.2 термостимулированной проводимости (ТСП) и термостимулированной люминесценции(TCJI) ;

2.2.3. фотолюминесценции;

2.2.4. поляризованной люминесценции.

2.3. Методика проведения фотохимических реакций (ФХР)

Глава III. СТАБИЛЬНЫЕ И ФОТОХИМИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ ЦЕНТРЫ ПРИЛИПАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ БЫСТРОГО ТИПА В НЕКОТОРЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ А2В6.

3.1. Стабильные центры прилипания электронов (ЦПЭ) в монокристаллах CdS, обусловленные примесями элементов I группы:

3.1.1. ЦПЭ в CdS <Си>

3.1.2. ЦПЭ в CdS <Ag>

3.1.3. ЦПЭ в CdS <Аи>

3.2. Фотостимулированные преобразования ЦПЭ в монокристаллах

CdS, легированных медью.

3.2.1. «Фиолетовый» сдвиг полос ИПФ, обусловленный ассоциацией Сщ в распределенные донорные пары.

3.2.2. «Красный» сдвиг полос ИПФ, обусловленной фотохимическими реакциями дефектов

3.2.3. Температурный сдвиг полос ИПФ, связанных с ФХР

3.3. Фотостимулированная генерация донорных пар (Ag)2 в монокристаллах ZnSe<Ag>

Выводы III главы

Глава IV. СТАБИЛЬНЫЕ И ФОТОХИМИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ

ЦЕНТРЫ ПРИЛИПАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ МЕДЛЕННОГО

4.1. Стабильные ЦПЭ медленного типа

4.1.1. Стабильные ЦПЭ медленного типа в монокристаллах CdS<Cu>

4.1.2. Стабильные ЦПЭ медленного типа в моно- и поликристаллах CaGaS:Ей

4.2. Фотохимически активные ЦПЭ медленного типа

4.2.1. фотоуправляемый сдвиг полос ТСТ в монокристаллах CdS<Cu>

4.2.2. фотохимически активные ЦПЭ в монокристаллах CdS<Cu>

4.3. Механизм старения полупроводников, обусловленный изменением температуры их хранения.

Выводы IV главы

Глава V. ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ АНИЗОТРОПИИ ФОТОХИМИЧЕСКИ АКТИВНЫХ И СТАБИЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ СВЕЧЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ CdS и СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaAs.

5.1. Симметрия фотохимически активных центров ИК свечения в CdS <Cu>

5.2. Анизотропия стабильных центров оранжевого свечения в монокристаллах CdS, CdS<Cu> и CdS<Ag>.

5.3. Анизотропия центров свечения, локализованных в области пространственных искажений структуры на основе GaAs. 165 Выводы V главы

Глава VI. СТИМУЛИРОВАННЫЕ ЛАЗЕРНЫМ ОТЖИГОМ

ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ СВЕЧЕНИЯ СТРУКТУР

НА ОСНОВЕ эй:.

6.1.Фотолюминесценция гетерограницы структур

81С)Ьх(АШ)х / 8ЁС

6.2.Спектральный сдвиг полос фотолюминесценции структур фСЫАИЧ) х / 81С, обусловленный лазерным отжигом.

Выводы VI главы

Глава VII. Приложения. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ, ПРЕДСТАВЛЯЮЩИЕ ИНТЕРЕС ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ

7.1. Неохлаждаемый примесный фотоприемник ИК диапазона на основе С(18е<Си>

7.2. Фотостимулированное переключение структур СаАв в проводящее состояние

Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых соединений, обусловленные собственными и примесными дефектами кристаллической структуры, определяют их разносторонние применения в качестве фотодетекторов, светоизлучающих диодов и других базовых элементов полупроводниковой оптоэлектроники, лазерной техники и т.д. Изучению вышеуказанных свойств посвящены многочисленные исследования, позволившие создать научную основу для понимания их микроструктуры и динамики неравновесных процессов при облучении светом различных длин волн или других воздействиях. Тем самым были достигнуты значительные успехи в целенаправленной разработке полупроводниковых устройств с заданными параметрами, необходимыми для их практического применения. Вместе с тем разнообразие и сложность процессов дефектообразования приводит к ряду проблем, ждущих своего разрешения и представляющих интерес как в научном, так и в практическом аспектах. Одной из таких проблем, которым посвящена настоящая диссертационная работа, является обратимые изменения дефектной структуры некоторых полупроводников под воздействием оптического излучения, получившие название фотохимических реакций (ФХР), а сами центры, участвующие в ФХР, называют фотохимически активными центрами. Хотя в этих процессах не происходит изменение химического состава вещества, термин ФХР прочно вошел в терминологию физики полупроводников наряду с позднее предложенным и более корректным: фотостимулированные преобразования (ФСП) дефектной структуры. В настоящей работе, как и в современной литературе, будут использованы оба этих термина-синонима.

Множество полезных для практического применения свойств полупроводников обусловлено так называемыми центрами с глубокими уровнями или глубокими центрами (ГЦ) - локальными дефектами, энергия ионизации которых существенно больше кТ.

Деление ГЦ на глубокие и мелкие носит условный характер, поскольку определяется не только глубиной соответствующих уровней в запрещенной зоне полупроводника, но и температурой. Тем не менее, эти термины укрепились в физике полупроводников и будут использованы в настоящей работе.

Изучение ГЦ имеет и познавательную сторону, поскольку для ГЦ, в отличие от так называемых мелких центров, отсутствует адекватная теория, позволяющая произвести расчет энергетического спектра, волновых функций ГЦ, зарядового состояния, сечений захвата носителей, коэффициентов поглощения и т.д.

Одна из проблем изучения ГЦ связана с тем, что большинство этих центров присутствуют в полупроводниках не только в одиночном состоянии, но и в виде ассоциатов с другими дефектами. Возможность образования глубокими центрами ассоциатов предполагает их миграцию к другим дефектам и образование комплексных центров, состоящих из достаточно близкорасположенных компонент. В этой связи представляет определенный интерес изучение механизмов как тепловой, так и фотостимулированной диффузии, реализуемой при фотохимических реакциях (ФХР). Поэтому изучение ФХР с участием ГЦ (фотохимически активных ГЦ), которым в настоящей работе уделено одно из основных мест, является неотъемлимой частью исследований ГЦ и представляется весьма актуальной научной и технической задачей.

Основная цель диссертационной работы - установление природы, структуры, параметров и механизмов стимулированной диффузии глубоких центров в бинарных (Сс18, Ссйе, 2п8е, СсГТе, ваАз, и многокомпонентных (8Ю-АШ, СаОа8:Еи) полупроводниковых соединениях.

Изучение возможности использования свойств и особенностей глубоких центров для разработки на основе этих соединений оптоэлектронных устройств и методов их диагностики.

Экспериментальные исследования проведены с использованием комплекса спектроскопических, термоактивационных и поляризационных методов исследований: ПФ, ИПФ, ОГФ, ТСТ, ТСЛ, ФЛ, ПЛ

Научная новизна. Представленные в работе экспериментальные и теоретические исследования позволили установить следующие данные:

Обнаружены:

• Обратимая фотостимулированная ассоциацией междоузельных доноров Cui с акцепторами в распределенные ДАП, приводящая к спектральным сдвигам полос ИПФ в монокристаллах CdS <Cu>;

• фотостимулированная генерация квазилинейчатых спектров ИПФ в монокристаллах CdS <Cu> и ZnSe <Ag>, обусловленных обратимой фотостимулированной ассоциацией междоузельных атомов Сщ и Agi в распределенные по межатомным расстояниям ДДП (Си, )2 и

Agl)2 ;

• фотоуправляемый распад распределенных ДАП, приводящий к спектральным сдвигам полос ТСТ в монокристаллах CdS <Cu>;

• изотермическое изменение темновой проводимости монокристаллов p-CdTe, обусловленное перераспределением вакансионно-примесных пар (Dk+ - Ak")° по межатомным расстояниям;

• спектральный сдвиг полос фотолюминесценции эпитаксиальных структур (SiC)ix(AlN)x, обусловленной распределенными ДАП (AlSi - Ne) и связанный с перераспределением этих ДАП в пользу образования близких ассоциатов за счет удаленных в процессе лазерного отжига;

• оптическая анизотропия центров:

- оранженого и ИК свечения в монокристаллах CdS,

- ИК чувствительности в монокристаллах CdS <Ag>?

- ИК люминесценции в структурах GaAs

• фотостимулированные преобрацования симметрии центров ИК люминесценции в монокристаллах CdS <Cu>.

Представлены экспериментальные доказательства:

• существования быстрых (а-) и медленных ((3-) ЦП в полупроводниковых соединениях CdS, CdTe, ZnSe и CaGa2Szi:Eu;

• существования оптически активных (а-) глубоких ЦП, обусловленных одиночными междоузельными атомами:

- Си;, Agi 5 Ащ и их ассоциатами в монокристаллах CdS;

- Agi и их ассоциатами в монокристаллах ZnSe, Определены оптические и термические энергии ионизации этих осцентров;

• существования термически активных (Р-) глубоких ЦП, в монокристаллах CdS, обусловленных как анионными вакансиями, так и их ассоциатами, расположенными в областях с пространственными искажениями кристаллической решетки;

• существования термически активных ((3-) глубоких ЦП в поликристаллических тиагалатах CaGaiS^Eu, расположенными в областях с пространственными искажениями кристаллической решетки;

• оптической анизотропии центров свечения в монокристаллах CdS, и эпитаксиальных пленках GaAs;

Предложены модели: оптически активных (а-) глубоких ЦП: одиночных междоузельных атомов Сщ, Agi, Au¿ в CdS; многоуровневых оптически активных (а-) глубоких ЦП: распределенных по межатомным расстояниям ДАП (Cui+ - А")0 , (Agi+ - А")0 и (Auí+ - А")0 в CdS; многоуровневых оптически активных (а-) глубоких ЦП: распределенных по межатомным расстояниям ДДП (Cuí )2 в CdS и (Agi )2 в ZnSe многоуровневых термически активных ((3-) ЦП:

- распределенных ДАП (Dk+ - V")0 в p-CdTe;

- одиночных Уд, локализованных в области искажений структуры в CdS и CaGa2S4:Eu; анизотропных тримерных центров оранжевой люминесценции в CdS<Cu> и CdS<Ag>, представляющие собой ассоциаты ДАП с междоузельными атомами Cd: (Сщ - Cued) + Cd, и (Agi - Aged) + Cdi, расположенные вдоль линии. Ориентация таких линейных ассоциатов относительно гексагональной оси С составляет 0° и 60°; центров ИК люминесценции в монокристаллах CdS<Cu>, представляющих собой одиночные изотропные акцепторы: VCd и Cued , которые в результате ФХР ассоциируются с междоузельными атомами Cd¿ и образуют анизотропные центры ИК свечения (VCd -Cdi) и (Cued - Cdi); центров свечения hv Макс = 2.4 - 2.7 эВ в эпитаксиальных пленках (SiC)ix -(AlN)x , представляющие собой распределенные ДАП (AlSi -Ne).

Развиты методы исследований различных этапов ФСП дефектов в полупроводниках, позволяющие с одной стороны стимулировать протекание этих процессов при различных температурах, а с другой стороны - определять термоактивационные параметры процессов ФСП.

Практическую ценность представляют: разработанный неохлаждаемый примесный детектор ИК излучения среднего диапазона (^=0.8-1.5 мкм) на основе монокристаллов CdSe<Cu>; механизм старения полупроводников, позволяющий на примере р-CdTe, объяснять самопроизвольное изотермическое изменение проводимости полупроводников при изменениях температуры их хранения; разработанная методика поляризационной спектроскопии возбуждения ФЛ эпитаксиальных пленок, позволяющая определять наличие механических напряжений на границе эпитаксиальной пленки с подложкой; разработанная методика создания трехцветных люминесцентных источников на основе одной и той же эпитаксиальной пленки (SiC)ix (A1N)X (х >0.5); обнаружение фотостимулированного переключения структур на основе GaAs в проводящее состояние.

На защиту выносятся следующие основные положения.

1. Идентифицикация глубоких донорных центров, обусловленных межузельными атомами меди и золота в полупроводниковом соединении CdS.

2. Обнаружена обратимая генерация донорных пар (Cui)2 и (Agi)2 в монокристаллах CdS и ZnSe в результате фотохимических реакций.

3. Установлен механизм нетепловой ионизационно-стимулированной диффузии междоузельных атомов Сщ и Agi в монокристаллах CdS и ZnSe.

4. Показано влияние поля дислокаций на энергетической положение уровней анионных вакансий и их сечений захвата электронов в халькогенидах кадмия и тиогалатах CaGaS:Eu.

5. Экспериментально доказано преобразование симметрии центров свечения CdS в результате ФХР.

Апробация работы: материалы диссертационной работы обсуждались на Республиканской конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках» (г. Ужгород, 1979), III Всесоюзной конференции по люминесценции (г. Ленинград, 1982 г.), II Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (г.Одесса- 1982 г.); V Всесоюзном совещании по физике и техническому применению полупроводников А В (г.Вильнюс-1983 г.); III Всесоюзном совещании «Физика и технология полупроводников» (г.Махачкала-1986 г.); Международной конференции «Некристаллические полупроводники» (Венгрия, 1986 г.), Международного конгресса по стеклу (г. Ленинград, 1988 г.), Республиканской школы-конференции «Актуальным вопросам физики полупроводников» (г. Киев - 1989 г.); V Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников (г. Саратов - 1990 г.); Всесоюзной конференции по физике полупроводников ( г. Киев, 1990 г.), III Всесоюзной конференции по материаловедению халькогенидных полупроводников (г. Черновцы, 1991 г.), Всесоюзных конференциях по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ташкент-1988 и Ашхабад - 1991 г.); I Международной конференции по материаловедению халькогенидных и алмазоподобных полупроводников (г. Черновцы,

Украина, 1994 г.), Международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск-1998 и 2000г), Международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных структурах» (Ульяновск-1999 г), II Международной конференции «Физические проблемы материаловедения полупроводников (г. Черновцы, Украина, 1999 г.), Конференциях молодых ученых (г. Махачкала - 1977,1978 и 1985 гг.);

Публикации. По теме диссертации опубликовано 55 работ, получено одно авторское свидетельство на изобретение.

В этих работах представлены результаты исследований, выполненных автором самостоятельно и совместно с коллегами. Постановка задачи, методики эксперимента и интерпретация полученных данных принадлежат автору. Большинство работ автора выполнено в соавторстве с докторами физ.-мат. наук, профессорами М.А. Ризахановым, М.К.Шейнкманом, и Г.К.Сафаралиевым, а также с А.А.Бабаевым. Е.М.Зобовым, Ф.С.Габибовым, М.М.Хамидовым, М.К.Курбанвым, С.С.Остапенко, М.А.Танатаром, Н.Е.Корсунской, Т.В.Торчинской Автор выражает им благодарность за плодотворное научное сотрудничество.

Выражаю особую признательность доктору физ.-мат. наук, профессору М.А.Ризаханову, доктору физ.-мат. наук, профессору Сафаралиеву Г.К., главному научному сотруднику ФИАН им. П.Н.Лебедева РАН, доктору физ.-мат. наук, профессору, академику РАЕН, А.Н.Георгобиани и заведующему сектором оптоэлектроники, академику HAH Украины, доктору ф.-м.н., профессору М.К.Шейнкману за внимание и содействие выполнению данной работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

L Идентифицированы глубокие донорные центры CdS, обусловленные междоузельными атомами меди, серебра и золота. Значения их оптических энергий ионизации (Еопт) и сечений захвата электронов (Sn) составляют:

Сщ :Еопг=0.27эВ, Sn = 10"17 м2 Aui :ЕО1ТГ=0.30эВ, Sn = 10"17M2 2. Установлено, что междоузельные атомы Cuj и Agi в монокристаллах CdS и ZnSe являются фотохимически активными. Фотохимические реакции приводят к обратимому образованию распределенных по междоузельным расстояниям донорных пар, состоящих из двух одинаковых атомов Cui в CdS и Agi в ZnSe.

3. Показано, что в условиях протекания ФХР в монокристаллах CdS и ZnSe междоузельные атомы соответственно Cui и Agi диффундируют по междоузлиям кристаллических решеток по механизму нетепловой ионизационно-ускоренной диффузии без преодолений диффузионных барьеров.

4. Установлено, что междоузельные атомы Си, , Agi , Aui и их ассоциаты в виде донорно-акцепторных и донорных пар в соединениях CdS и ZnSe представляют собой оптически активными ЦПЭ - а-центры, т.е. проявляются в фотоактивационных процессах (ПФ, ИПФ, ОГФ). В то время как ЦПЭ, связанные с анионными вакансиями, являются термически активными - Р-центры, проявляющиеся только в термоактивационных процессах

5. Показано, что термически активные центры в монокристаллах CdS и поликристаллах CaGa2S4 <Eu> обладают аномально малыми

О1") сечениями захвата электронов (Sn = 10" -г 10" м ). Это вызвано их преимущественной локализацией возле дислокаций, создающих барьер для захвата электронов.

6. В монокристаллах CdS<Cu> выявлен механизм фотоуправляемого увеличения расстояний между компонентами ДАП, приводящий к управляемому температурой проведения ФХР росту энергетических глубин уровней доноров, участвующих в ионизационно-стимулированной диффузии.

7. Установлена анизотропия преимущественного направления низкотемпературного электродрейфа и фотостимулированной диффузии междоузельных атомов меди в кристаллической решетке CdS. Диффузия и дрейф Cui наиболее эффективны вдоль гексагональной оси С и не наблюдаются в поперечных направлениях

8. Показано, что фотохиически активными центрами ИК люминесценции (А,мшсс = 1.02 мкм) в монокристаллах CdS<Cu> являются одиночные Ved и Cued- ФХР приводят к их комплексованию с междоузельными атомами кадмия с образованием анизотропных центров (Ved - Cdi) и (Cued - Cdi), ориентированных соответственно вдоль 0° и перпендикулярно оси С.

9. Установлено, что центрами оранжевой люминесценции в монокристаллах CdS<Cu> и CdS<Ag> являются трехатомные ассоциаты Cui.- Acd - Cdi, и Agi - Acd - Cdi, соответственно, при этом ориентация ближайших ассоциатов составляет 60° с осью С. Эти центры являются фотохимически неактивными.

10. Предложен экспериментальный метод выявления межфазных напряжений в полупроводниковых структурах, основанный на измерении степени спонтанной поляризации люминесценции и ее зависимости от длины волны возбуждающего света.

195

11. Установлено, что воздействие лазерного отжига (X = 337.1 нм) допороговой мощности на фотолюминесенцию эпитаксиальных структур (8Ю)1-х (АШ)Х / БЮ с содержанием АШ менее 20 % приводит к уменьшению полосы фотолюминесценции Ьумакс = 1.9 эВ, связанной с Ус, и появлению новой полосы с Ьумакс = 2.3 эВ, обусловленной образованием распределенных ДАП А^ - Ис. Увеличение времени отжига пленки приводит к монотонному сдвигу полосы ФЛ до значения Ьумакс = 2.7 эВ, связанному с термодиффузионным образованием близких ДАП той же природы за счет удаленных.

1. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.// М.: изд-во "Физматгиз",- 1962. - 494 с.

2. Роуз А. Основы теории фотопроводимости.// М.: изд-во Мир",-1966. 138 с.

3. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел.// М.: изд во "ИЛ",-1962.-558 С.

4. Aven M., Prener J.S. Physics and Chemestry of II-VI Compounds // Amsterdam.- 1967. (Перевод под ред. C.A. Медведева Физика и химия соединений А2В6. М.: «Мир».- 1970.)

5. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов.// (Под редакцией Полторака О.М.) М.: «Мир»,- 1969. 654 С.

6. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфо-ров.//М.: «Высшая школа»,- 1971. 336 С.

7. Reiss H., Fuller C.S., Morin F.J. Bell. Syst Tech.J.- 1956,- v.35.-P.535-611. (Цитируется no 5.).

8. Меркам Л., Вильяме Ф. Конфигурационное взаимодействие и корреляционные эффекты в спектрах донорно-акцепторных пар.// Изв.АН СССР, сер.физич,- 1973,-т.37,-№ 4,-С. 803-809.

9. Георгобиани А.Р., Грузинцев А.Р., Тигиняну И.М. Люминесценция, связанная с комплексами дефектов в широкозонных полупроводниках.//Изв. АН СССР, сер.физич.-1985.-т.49.-№ 10,- С. 1899-1904.

10. Булярский C.B., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках//М.: «Наука-физмат лит».-1997,- 351 С.

11. Morgan T.N., Weiber В., Bhargana R.H. Optical properties of Cd-0 and Zn-0 Complexes in GaP.// Phys.Rev.-1968.-v.166.-N 3.-P. 751-753.

12. Henry С., Dean P., Thomas D., Hopfield J. A localized exciton bound to cadmium and oxygen in gallium phosphide.// In: Proc. conf. localized excitation.- Ed.Wallis R.F. New York: Plenum press.- 1968,- P. 257.

13. Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия //В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М.: изд-во "Наука",- 1972,- С. 224-304.

14. Williams F. Radiative recombination on donor-acceptor pairs and higher associates// J.Luminescence.- 1973.- v.7.- N1.- P.35-50

15. Берг А., Дин П. Светодиоды.// М.:изд-во "Мир",- 1973.

16. Lorenz M.R., Morgan T.N., Pettit G.D., et.al. Sharp-Line Donor-Acceptor Pair Spectra in AlSb.// Phys.Rev.- 1968,- v. 168,- N3.- P. 902-904.

17. Hopfield J.J, Thomas D.G., Gershenzon M. Pair spectra in GaP.// Phys.Rev.Lett.- 1963,- V.10.-N5.-P. 162-164.

18. Thomas D.G., Gershenzon M., Trumbore F.A. Pair spectra and "edge" emission in gallium phosphide.// Phys. Rev. A.- 1964,- V.133.-N1.-P.269.

19. Williams F. Donor-acceptor pair in semiconductors.// Phys.status solidi.- 1968,- v.25.- N2,- P.493-512.

20. Thomas D., Hopfield J., Augustyniak W. Kinetics of radiative recombination at randomly distributeg donors and acceptors.// Phys.Rev.-1965.-v.140.-N3A,- p. 742-749.

21. Сакалас А.П. Электрические и фотоэлектрические свойства электронного и дырочного селенида кадмия.// Докторская диссертация,-Вильнюс: 1975

22. Srinivasan G. Microscopic dielectric function of a model semiconductors.// Phys. Rev, 1969,v,178, N.3, p. 1244 1251.

23. Ризаханов M.A. Объяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимостив CdS-CdSe на основе представлений о донорных молекулах. // Физ. и техн. полупроводников. 1982.-т.16,- № 4,- с. 699-702

24. Bates D.R., Leadsham К., Steward A.L. Wave funchin of the hydrogen molecular ion.// Philos. Trans., Roy. Soc. Lond. Ser. A.-1953. -v. 246,-№910,- P. 215-240.

25. Kolas W., Wolniewicz L. Potential energy curves for the Х'1СЬ Zu and !Пи states of hydrogen molecule .// J. Chem. Phys.-1965.-v.43. -№ 7.-P. 2429-2441

26. Ризаханов M.A., Габибов Ф.С., Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Основные особенности электронных центров захвата Ес-(0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия и их объяснение.// Депонировано ЦНИИ "Электроника",- Р-3270/81.

27. Ризаханов М.А. Вакансионно-примесная модель электронных центров захвата Ес- (0.14-0.55) эВ в халькогенидах кадмия наблюдаемых термоактивационными методами.// Депонировано ЦНИИ "Электроника".- Р-3271/81.

28. Bube R., Barton L. Some acpects of photoconductivity in cadmium selenide crystals.// J.Chem.Phys.- 1958,- v.29.- N1,- P. 128-137.

29. Sacalas A., Baubinas R. Scattering centers and their ralation to the recom-bination centers in singl crystals of CdSe.// Phys.Stat.Sol.(a).- 1975,-V.31.-N1.-P. 301-307.

30. Baubinas R., Januskevicius Z.,Sacalas A., Viscakas J. P-type conductivity in undoped CdSe single crystals.// Solid Stat.Commun.- 1974,-V.15.-N11-12.-P. 1731-1733.

31. Сакалас А. Собственные дефекты в селенистом кадмии.// Лит. физ.сборник,- 1979,- т.19,- № 2,- С. 233-240.

32. Schulz H.J., Kulp В.А. Electron radiation damage in cadmium selenide crystals at liqued-Helium temperaturs.// Phys.Rev.- 1967.-v. 159,- N3,-P.603-609.

33. Burmeister R.A., Stevenson D.A. Electrical properties of n-type CdSe.// Phys.Stat.Solid.- 1967,-v.24.-N2,- P.683-690

34. Баубинас P., Вищакас Ю., Сакалас A., Янушкевичус 3. О природе центров чувствительности в кристаллах CdSe.// Лит. физ. сборник.- 1974,- т.14,- № 4,- С. 609-611.

35. Шейнкман М.К.,Ермолович И.Б., Беленький Г.Л. Природа инфракрасной люминесценции (À, m = 1.2 мкм) в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью.// Физ.тв.тела. -1968,- т. 10,- № 6,- С. 1769-1772.

36. Беленький ГЛ., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Исследование люминесценции А™ = 0.93 мкм в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью.// Физ. и техн. полупроводников. 1968,- т.2,- № 4,-с. 540-547.

37. Беленький Г.Л., Шейнкман М.К. Механизм люминесценции Хт =0.82 мкм в CdSe-монокристаллах и параметры центров свечения.// Физ. и техн. полупроводников. 1968. т.2,-№10,- с. 1534-1536.

38. Kokubin J., Watanabe H., Wada M. Photoluminescence of CdSe single crystals.//Jap. J. Appl. Phys.- 1977,-v.13.- N9,- P. 1393-1396.

39. Корицкий А.Г., Киреев П.С., Кондауров H.M., Супалов В.А. Примесная люминесценция в CdSe.// Изв.АН СССР, сер. неорган, материалы.- 1975,- т.П.-№ 11, С. 1990-1994.

40. Данияров О., Захаров В.Е., Любченко А.В., Олейник Г.С., Шейнкман МЛ. Спектры локальных состояний в твердых растворах CdSei.x Тех.// Физ. и техн. полупроводников.- 1974,- т.8,- № 3, С. 452458.

41. Ermolovich I.B., Milenin V.V. Natyre of deep luminescence centres in CdSe and CdSebx Tex .// Phys. Stat. Sol. 1986,- v.133.- N 2, P. 611-620.

42. Ризаханов M.A. Оъяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимости в CdS-CdSe на основе представлений о донорных молекулах.// Физ. и техн.полупроводников.-1982,- т. 16, №4. с. 699-702.

43. Сенулис Ф.Д. Исследование спектра и природы глубоких локальных уровней в монокристаллах и поликристаллических пленках CdSe.// Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук, Вильнюс: 1980.

44. Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М., Кронгауз В.Т. Спектры индуцированной примесной фотопроводимости в активированных пленках CdSe (Си, С1).// Физ. и техн. полупроводников,- 1978,- т. 12,- № 5,- С. 993-995.

45. Баубинас Р.В., Вайткус Ю.Ю., Сенулис Ф.Д. Определение спектральных зависимостей сечения захвата фотона по ИК-гашению и примесной фотопроводимости в монокристаллах CdSe.// Лит. физ. сборник,- 1978,- т.18,- № 1,- С. 109-111.

46. Manfredotti С., Murri R., Рера Е., Semisa D. Photoelectronic properties of photoconducting CdSe.// Phys.Stat.Sol.(a).-1973.- v.20.- № 2,-P.477-486.

47. Корницкий А.Г., Киреев П.С., Кондауров H.M. Фотоэлектрические явления и фотолюминесценция в тонких эпитиксиальных слоях селенида кадмия.// Известия Вузов, сер. физ.- 1975,- № 3,- С. 61-66.

48. Любченко А.В., Булах Б.М., Турина И.А. Особенности рекомбинации в низкоомных кристаллах CdSe.// Физ. и техн. полупроводников.-1976,- т.10,- №. 5,-С. 923-929.

49. Kindleysides L., Woods J. Electron traps in cadmium selenide.// J.Phys.- 1970,- D3.- № 4,- P. 451-461.

50. Opanowicz A. Determination of electron trapping parameters from thermally stimulated current in cadmium selenide.// Bull.Acad.Polon. Sci.Ser. Sci. math.astron.et phys.- 1969,- v,17.-№ 12,- C. 845-850.

51. Hino Taro, Yamashita Ken. Space charge limited currents and thermally stimulated currents in ZnTe and CdSe films.// Jap. J. Appl.Phys.-1974,- v.13.- № 6,- P. 1015-1016.

52. Аркадьева E.H. Отношение оптической и термической энергии активации примесей в CdS, CdSe и CdTe.// ФТТ. 1964,- т.6,- № 4,- С. 1034.

53. Shimizu К. Electrical properties of cadmium selenide evaporated films.// Jap J. Appl. Phys.- 1965,- v.4.- № 9,- P. 627- 631.

54. Okimura H., Sakai Y. Photoelectronic properties of CdSe evaporated films.// Jap.J. Appl. Phys.- 1968,- v.7.- № 10,- P. 731-738.

55. Lipskis K., Sakalas A., Viscakas I. Termally stimulated Hall mobility in CdSe single crystals.// Phys. Stat. Sol.(a).- 1970,- v.2.- № 2,- P. 225-233.

56. Manfredotti C., Rizzo A., Vasanelli L., et.al. Electron trapping levels in cadmium selenide crystals.// J.Appl.Phys.-1973.-v.44.- № 12,- P. 54635469.

57. Ждан А.Г., Meccepep M.A. К анализу сильно компенсированных уровней ловушек методами термостимулированной проводимости.// Физ. и техн. полупроводников,- 1971,- т.5,- № 2,- С. 178-180.

58. Ермолович И.Б., Булах Б.М., Красикова С.М., Шейнкман М.К. Влияние условий роста монокристаллов CdSe на образование в них центров излучательной рекомбинации.// Укр. физ. журнал,- 1974,- т. 19,-№10,- С.1725.

59. Мовсесян Г.М., Мащенко В.Б., Киреев П.С., Волкова JI.B. О роли меди в формировании края собственного поглощения в CdSe.// Физ. и техн. полупроводников,- 1974,- т.8,- № 4,- С. 800-803.

60. Киреев П.С., Колесникова Э.Н., Воронкова Е.И., Давыдов А. Роль железа в формировании длинноволнового края фундаментальной полосы поглощения селенида кадмия.// Физ. и техн. полупроводников.-1976,-т.Ю. №6,-С. 1089-1091.

61. Мовсесян Г.М., Мащенко В.Е., Киреев П.С. Осцилляции электроотражения в селениде кадмия в широком диапазоне спектра.// Физ. и техн. полупроводников,- 1974,- т. 8,- № 9,- С. 1766-1770.

62. Сера Т.Я., Черемесюк Г Г. О фотоэлектрических свойствах монокристаллов селенида кадмия, обработанных газовым разрядом.// Физ. тв. тела,- 1964. -т.6. №1,- С.128-133.

63. Hoschl P., Kubalkova S. Electrical properties of n-type CdSe single crystals prepared unber a nitrogen pressure.// Czech. J.Phys.-1968.-v.B18. -№7,- P. 897-899.

64. Ермолович И.Б., Павелец A.M., Ханат JI.H. Механизм температурного тушения люминесценции, обусловленной глубокими центрами в твердых растворах CdSexTeix.// Укр. физ. журнал.- 1986,- т.31,- № 3.-С. 446-451.

65. Ture I.E., Claybourn М., Brinkman A.W., Woods J. Copper centers in CdSe.// J. Appl. Phys.- 1986,- v.60.- № 5,- P. 1670-1675.

66. Мартынов B.H. Люминесценция и фотопроводимость высокочистого селенида кадмия.// Неорган, материалы.-1995,- т.31,- № 10,- С. 1302.

67. Черкасов Ю.А. и др. Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe.// Физ. и техн. полупроводников.-1989.-т. 23,- № 9,- С. 1572-1575.

68. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Ag // Физ.и техн.полупроводников.-1979,- т. 13,- № 7,- С. 1324-1328.

69. Шейнкман М.К. Люминесценция и фотопроводимость в полупроводниках А2В6.// Изв. АН СССР, сер. физ,- 1973,- т.37,- № 2,- С. 400404.

70. Городецкий И.Я., Пекарь Г.С., Федоров А.И., Шейнкман М.К. Особенности процессов рекомбинации в монокристаллах CdS сильно легированных индием.// ФТП .- 1975,- т.9,- № 4,- С. 986.

71. Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Зависимость сечения захвата электронов центрами прилипания в кристаллах CdS : Ag от их энергетического положения.// ФТП.-1975,- т.9,- № 4,- С. 779782.

72. Ризаханов М.А. Оптическое гашение фотопроводимости в CdS:Cu, обусловленное донорно-акцепторными парами.// Физ. и техн. полупроводников,- 1975,- т.9,- № 10,- С. 2002-2004.

73. Kulp В.A., Kelley R.H. Displacement of the sulfur atom in CdS by electron bombardment.// J.Appl. Phys.- I960,- v.31.- № 6,- P.1057-1061.

74. Ждан А.Г., Сандомирский В.Б., Ожередов А.Д. и др. К определению параметров ловушек по кривым термостимулированного разряда конденсатора.//ФТП- 1969.-т.З.-№ 12,- С. 1755.

75. Каганович Э.Б.,Свечников С.В.,Чалая В.Г. Термостимулирован-ные токи в слоях сульфида кадмия.//Ук.ФЖ.-1969.-т.14.-№4,- С.670

76. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. О механизме образования локальных центров при фотохимических реакциях в монокристаллах сульфида кадмия.// В кн.: Физические процессы в кристаллах с дефектами. Киев: «Наукова думка».- 1972.- С. 25-46.

77. Бондаренко И.Н., Городецкий И.Я., Любченко A.B. и др. Параметры быстрых центров рекомбинации в CdS и их влияние на фоточувствительность.// Укр. физ. журнал,- 1973,- т. 17.- № 3,- С. 599-605.

78. Шейнкман М.К., Ермолович И.Б., Беленький Г.Л. Механизм оранжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции монокристаллов CdS и параметры соответствующих центров свечения.// Физ. тв. тела,- 1968,- т.Ю,- № 9,- С. 2628-2638.

79. Корсунская Н.Е., Кролевец Н.М., Маркевич И.В. и др. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных медью.// Физ. и техн. полупроводников,- 1975 т.7,- № 2,- С. 275-278.

80. Горбунов В.В., Остапенко С.С., Танатар М.А., Шейнкман М.К. Оптическая анизотропия центров красной люминесценции в CdS, облученном тепловыми нейтронами.// Физ. тв. тела,- 1981,- т.23,- № 11,- С. 3320-3325.

81. Istratov A. A. Studies of the dislocation induced deep levels in CdS using deep level transiend spectroscopy with optical excitation.// Rhys. Status Solidi. A.- 1995,- v.150.- № 2,- P. K15-K17.

82. Мартынов B.H., Волкова E.C., Тоцина Г.С. Излучательные ре-комбинационные процессы в высокочистом сульфиде кадмия с малым отклонением от стехиометрии.// Неорг. матер.-1997.-т.ЗЗ.-№2,- С. 174

83. Boyn R. Optical absorption due to intrinsic defects in CdS single crystals.// Phys. Stat. Sol.- 1968,- v.29. №1,- P. 307- 328.

84. Аркадьева E.H., Касымова P.C., Рыбкин C.M. Кинетика индуцированной примесной фотопроводимости в теллуриде кадмия.// Физ. тв. тела,- 1961,- т.З,- № 8,- С. 2417-2426.

85. Заячкивский В.П., Савицкий A.B., Никонюк Е.С. и др. Энергетический спектр уровней захвата в теллуриде кадмия, легированного германием.// ФТП,- 1974,-т.8.-№ 5,- С. 1035-1037.

86. Афинская Н.В., Аркадьева E.H., Матвеев O.A., Рудь Ю.В. Электрические и фотоэлектрические свойства высокоомных кристаллов теллурида кадмия.// ФТП,- 1968,- т.2,- № 7,- С. 932-938.

87. Любченко A.B., Потыкевич И.В., Борейко Л.А. Параметры центров фоточувствительности в высокоомных кристаллах CdTe р-типа.// Физ. и техн. полупроводников,- 1971,- т.5,- № 9,- С.1704-1707.

88. Агринская Н.В., Аркадьева E.H., Матвеев O.A. Люминесценция комплексов вакансия кадмия донор в кристаллах CdTe.// Физ. и техн. полупроводников,- 1971,- т.5.-№ 5,- С. 869-875.

89. Chamonal J.R., Molva Е., Pautrat J.L. Identification of Cu and Ag acceptors in CdTe.// Ibid.- 1982,- v.43.- № 11,- P. 801-805.

90. Дугаев B.K. и др. Статистика заряженных дефектов и примесей в CdTe при комплексообразовании.// Изв. АН СССР, Неорг. материа-лы.-1989.- т.25,- № 9,- С.1560-1562.

91. Брагин Е.В., Гарягдыев Г., Любченко A.B., Сальков Е.А. Механизмы рекомбинации через многозарядные акцепторы в рекристалли-зованных слоях теллурида кадмия.// УФЖ-1989.-т.34.-№ 2,- С. 228.

92. Илащук Б.И., Матлак В.В., Парфенюк О.А.,Савицкий A.B. Особенности комплексообразования в p-CdTe при значительных концентрациях собственных дефектов.// ФТП -1986.-т.20.-№5.-С.849-852

93. Гнатенко Ю.П., Фарина И.А., Гамарник Р.В. и др. Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdTe:Fe и CdixFexTe.// Физ. и техн. полупроводников,- 1993,- т.27,- № 10,- С. 1639-1650.

94. Soltani М., Certier М., Evrard R., Kartheuser Е. Photoluminescence of CdTe doped with arsenic and antimony acceptors.// J. Appl. Phys.- 1995,-v.78.- № 9,- P. 5626-5632.

95. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat-treated in controlied Partial Pressures of constituent elements.// Japan J.Appl. Phys.- 1979,- v.18.- N10,- P. 1965-1972.

96. Shirakawa J., Kukimoto H. The electron traps associated with an anion vacancy in ZnSe and ZnSxSeix.// Solid State Commun.-1980.- v.34.-N5,-P. 359.

97. Кукк П.JI., Палмре И.В. Центры свечения в легированном ZnSe и энергия активации их образования.// Изв. АН СССР, Неорган, материалы,- 1980,- т.16,-N 11,-С. 1916-1920.

98. Satoh Shiro, Igaki Konso. Termally-stimulated Current of Zinc selenide Heat-treated in Controlied Partial Pressures of Constituent Elements.// Japan J. Appl. Phys.- 1980,- v.19.- N 3,- P. 485-490.

99. Leigh W.B., Wessels B.W. Nitrogen related centres in Zinc selenide.//J.Appl.Rhys.- 1984,- v.55.- N15,- P. 1614-1616.

100. Verity D., Bryant F.I., Davies I.I. Nicholls I.E . et.al. Deep levels and associated carrier recombination processes in Zn-annedled ZnSe "Singl Crystals".// J.Phys.C. Solid Stat.Phys.- 1982,-v.15.- N26,- P.5497-5505.

101. Stringfellow G.B., Bube R. Photoelectronic properties of ZnSe crystals.//Phys. Rev.- 1968,- v.171.-N3,-P. 903-915.

102. Блашков B.C., Манжаров B.C., Ткачук П.Н., Цосопь B.M. Термовысвечивание селенида цинка легированного акцепторными примесями.// Физ. и техн. полупроводников,- 1980,- т.14,- N8,- С. 16211624.

103. Ризаханов M.А., Хамидов М.М Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников,- 1993,- т.23,- № 5,- С. 721-727.

104. Smith F.T.I. Evidence for a nature donor in ZnSe from high temperature electrical measurements.// Solid Stat.Commun.-l969.-v.24.- N7,- P. 1757-1761.

105. Ваксман Ю.Ф., Малушин H.B., Сердюк B.B. Исследование спектров фотолюминесценции монокристаллов ZnSe легированных алюминием.// Журн. прикл.спектроск,- 1976,- т.25,- №5,- С. 832-835.

106. Недеогло Д.Д., Симашкевич A.B. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка.// Кишинев: изд-во "ШТИИНЦА",-1984,- 150 С.

107. Шейнкман М.К., Беленький Г.Л. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников,- 1968,- Т.2.- № 11,- С. 635-1638

108. Городецкий И.Я., Касьян В.А., Федоров А.И. и другие. Рекомбинация носителей заряда в монокристаллах ZnSe, легированных Al, Ga и Cu.// В кн.: Физические процессы в гетероструктурах и некоторых соединениях А2В6 .- Кишинев: изд-во "Штиинца".-1974.-С. 77.

109. Serdyuk V.V., Korneva N.N., Vaksman Yu.F. Studies of long-wave luminescence of ZnSe monocrystals.// Phys.Stat.Sol.(a).-1975.-v.32.-№l.- P. 173-183.

110. Etienne D., Allegre J., Chevrier S., Bougnot G. Surla photoluminescence du seleniure de zinc.// Phys.Stat.Sol.(a).-1975.-v.32.- N 1,- P. 279.

111. Иванова Г.Н., Недеогло Д.Д., Симашкевич А.В., Сушкевич К.Д. Фотолюминесценция термически обработанных кристаллов селе-нида цинка.// Журн. приклад, спектроск,- 1979,- т.ЗО.- № 3,- С. 459.

112. Гашин П.А., Иванова Г.Н., Матвеева T.JI. и др. Фотолюминесценция монокристаллов ZnSe:Al.// Физ. и техн. полупроводников.-1981,- т.15,- №9,- С. 1841-1844.

113. Bruant F.J., Manning P.S. Radiation damage and decay characteristics of zinc selenide emission band.// j. Phys.Chem.Solids.- 1974,- v.35.-Nl.-P. 97.

114. Bouley J.C., Blanconnier P., Herman A. et.al. Luminescence in Highly conductive n- type ZnSe.// J.Appl.Phys.- 1975,- v.46.- N 8,- P. 3549.

115. Короткое В.А.,Маликова JI.B.,Морозова В.И., Симашкевич А.В Исследование глубоких центров, связанных с собственными дефектами в ZnSe.// Изв. ВУЗов, сер. физика,- 1989,- № 3,- С. 42-46.

116. Андреев А.А., Борисенко Н.Д., Коваленко А.В. Глубокие примесные уровни в кристаллах ZnSxSeix .// Изв. АН СССР. сер. Неорган, материалы,- 1983,- т. 19- № 3,- С. 376-379.

117. Бережная А., Загадворов П., Максимов Ю., Степанов Ю. Спектр зеленой люминесценции ZnSe.// ФТТ-1988.-т.ЗО.-№ 7.-С. 2206.

118. Сушкевич К.Д. и др. Изменение ансамбля центров излучатель-ной рекомбинации в селениде цинка под влиянием термообработки.// Физ. и техн. полупроводников,- 1989,- т.23,- № 4,- С. 737-739.

119. Yodo Т., Yamashita К. Li-doped ZnSe epitaxial layers by ion im-plantatin.// Appl. Phys. Lett.- 1989,- v.53.- № 24,- P. 2403-2405.

120. Ембергенов Б., Корсунская H.E., Рыжиков В.Д. и др. Структура центров свечения в кристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников.-1993,- т.27,- № 8,- С. 1240-1246.

121. Lee Choon-Ho, Jeon Gyoung-Nam, Yu Seung-Cheoh, Ho Seok-Yong. Stimultaneus measurement of thermally stimulated luminescence andthermally stimulated current of ZnSe singl crystal// J. Phys.D.-1995.-v.28.-№9. P. 1951-1957.

122. Махний E.B., Мельник B.B. Свойства кристаллов ZnSe, легированных фосфором.// Неорган, материалы,- 1995,- т.31,- № 10,- С. 1294-1295.

123. Брук Л.И., Горя О.С., Коротков В.А., Ковалев Л.Е., Маликова Л., Симашкевич A.B. Кинетика фотопроводимости кристаллов ZnSe при оптической перезарядке глубоких центров.// Неорган, материалы,-1995,- т.31,- №10,- С. 1296-1298.

124. Березовский М.М., Махний В.Л. Свойства монокристаллических слоев ZnSe, легированных Cd.// Неорган, материалы,- 1995. т.31,-№10,-С. 1299-1301.

125. Березовский М.М., Махний В.П., Мельник В.В. Влияние примесей Li, Cd, In, As на оптоэлектронные свойства ZnSe.// Неорган, материалы,- 1997,- т.ЗЗ,- № 2,- С.181-183.

126. Физика соединений А2 В6 // (Под редакцией Георгобиани А.Н., Шейнкмана M.K.).- М.: «Наука»,- 1986. 320 С.

127. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.// М.: изд-во "Мир",- 1977. 562 С.

128. Феофилов П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул, и кристаллов.// М.: Физматгиз,- 1959.

129. Булярский C.B., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах.// М.: изд-во МГУ,-1995.-399 С.

130. Вертхейм Г., Хаусман А., Зандер В. Электронная структура точечных дефектов.// М.: изд-во «Атомиздат»,- 1977. 204 С.

131. Hoogenstraaten W. Electron traps in zinc sylphide phosphors.// Philips. Res. Rep.- 1958,- v.13.- P. 515-659.

132. Кюри Д. Люминесценция кристаллов// М.: изд-во "ИЛ".-1961,-194 С.

133. Tscholl Е. The photochemical interpretation of slow phenomena in cadmium sulphide.// Philips Res. Repts. (Suppl).- 1968,- № 6.- P.l-93.

134. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.// М.: изд-во "Мир",- 1973.-456 С.

135. Киреев П.С., Корницкий А.Г., Мартынов В.Н. и др. Влияние отжига в парах цинка на спектр фоточувствительности монокристаллов теллурида цинка.// ФТП 1970,- т.4,- № 5,- С. 900-903.

136. Шейнкман М.К., Тягай В.А., Беленький ГЛ., Бондаренко В.Н. Исследование природы очувствления CdSe монокристаллов в результате их травления.// Укр. ФЖ- 1968,- т. 13,- № 9,- С. 1453-1457.

137. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ.// Справочник под ред.А.В.Новоселова.- М.: «Наука»,- 1978.

138. Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках.// Киев: изд-во "Наукова Думка".-1981.-264 С.

139. Берман., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров.// М.: изд-во «Наука»,- 1980,- 126 С.

140. Букке Е.Е., Григорьев Н.Н., Фок М.В. Применение метода поляризационных жиаграмм для исследования одноосных кристаллов // Труды ФИАН, 1974, т.72, с.108-144.

141. Феофилов П.П., Каплянский А.А. Скрытая оптическая анизотропия кубических кристаллов, содержащих локальные центры и методы их исследования. // Успехи физических наук, 1962, т.76, № 2, с. 201238.

142. Феофилов П.П.,Анизотропия свечения центров окрашивания в кристаллах кубической сингонии. // ЖЭТФ, 1954, т.26, № 5, с. 609-624.

143. Остапенко С.С., Танатар М.А., Шейнкиан М.К. Поляризованная люминесценция анизотропных центров в гексагональных кристаллах . // Оптика и спетроскопия, 1980, т.46, № 4, с. 778-784.

144. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Рогозин И.В. Глубокие акцепторные центры в А2В6.// Труды международной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах",- Ульяновск: изд-во УГУ,- 1997,- С. 26.

145. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat-treated in controlied Partial Pressures of constituent elements.// Japan J.Appl. Phys.- 1979,-v.18.-N10,-P. 1965-1972.

146. Aven M., Segall В. Carrier mobility and shallov impurity states in ZnSe and ZnTe.// Phys. Rev.- 1963,- v. 130,- № 1,- P. 81-91.

147. Ризаханов M.А., Хамидов M.M. Экспериментальные доказательства существования двухэлектронных центров захвата в ZnS.// Физ. и техн. полупроводников,- 1979,- т.13,- №8,- С. 1578-1583.

148. Зобов Е.М., Магомедов Н.М., Ризаханов М.А. Труды межд. конф. «Физич. процессы в неупоряд. полупров.структурах», Ульяновск 1999, с71.

149. Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувст-вленного CdSe<Ag>.// ФТП,- 1980,- т. 14,- в. 12,- С.2407-2410.

150. Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe<Ag>.// Письма в ЖТФ,- 1985,- т. 11,- № 9,- С. 561- 567.

151. Зобов Е.М., Гарягдыев Г.Г., Ризаханов М.А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe:Ag, обусловленные распределенными донор-донорными парами.// Физ. и техн. полупров,- 1987,- т.21,- в. 9,- С. 1637- 1641.

152. Weber J. Optical properties of Cu in Si; exiton bound to isoelectric Cu-pairs. // Phys.Rev. B, 1982, v. 25, No. 12, p.7688-7699.

153. Dash W.C. Cu precipitation on dislocations in Si.// J.Appl.Phys., 1956, v.27, p. 1193-1195.

154. Малышева Г.К. Диффузия Au в CdS.// ФТП, 1971, т.5 № 3, с. 481-484.

155. Warschauer D.M., Reynolds D.C. Edge and impurity emission in cadmium sulphide.//Phys.Rev.Letters, 1959, v.3, No. 8, p. 370-372.

156. Бусов С.H., Лебедев В.Л., Чакальский Б.К. Кинетика оранжевой полосы люминесценцтии (2.0 эВ) в легированных CdS кристаллах.// ФТП, 1972, т.6, № 4, с. 737-739.

157. Kristok J. Orange Luminescence of Donor-Acceptor Pairs in CdS-AgCl.// J.Phys and Chem.Solids., 1992, v.53, No.8, p. 1027-1030.

158. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Шейнкман M.K. О природе центров оранжевой люминесценции в сульфиде кадмия.// ФТП, 1975, т.9,№.8, с. 1620-1623.

159. Holts P.O., Gislason Н.Р., Magnea N, Uihlein Ch., Liu P.L., Optical propertis of complex defects created by Ag diffusion in ZnTe.// Phys.Rev.B., Condenser.Mater.m, 1985, v.32, No.6, p.3844-3856.

160. Hoffman D.M., Stadler W., ChrissmanP. Defects in CdTe and CdZnTe.// Nuclear instruments and methods in physic research. Section A -Accelerators spectrometers detectors and associated equipment. 1996, v.380, No. 1-2, p. 117-120.

161. Больбошенко B.3., Иванова Г.Н., Калмыкова И., Касьян В.А. Недеогло Д.Д., Новиков Б.В. Влияние меди на спектры люминесценции ZnSe кристаллов.// ФТП, 1990, т.24, №.11, с.1200-1203.

162. Holts P.O., Monemar В., Gislason Н.Р., Magnea N Complex defects in ZnTe created by Cu diffusion.// J.Luminescence, 1986, v.34, No.5, p.245-262

163. Broser Y., Broser-Warminsky Infrared effect and antistokse luminescence A2B6.// Solid State Physic, in Electronics and Telecommunication, 1960, v.4, p. 680-687.

164. Kulp B.A. Displacement of Cadmium Atom in Single Crysyal CdS by Electron Bombardment.// Phys. Rev. 1962, v.125, No.6, p.1865 1869.

165. Kulp B.A., Kelley R.H. Displacement of Sulphur Atom in CdS by Electron Bombardment.// J. Appl. Phys. 1960, v.31, No.6, p. 1057 1061.

166. Ермолович И.Б., Матвиевская Г.И., Пекарь Г. С.,Шейнкман М.К. Люминесценция монокристаллов CdS, легированных различными донорами и акцепторами. УФЖ, 1973, т. 18, № 5, с. 732 741.

167. Vuilsteke A.A., Sivonen J.T. Vulphur Vacancy Mechanism in Pure CdS.//Phys.Rev. 1959, v. 113, No.l, p. 40-42.

168. Власенко H.A., Витриховский Н.И., Денисова З.Л., Павленко В.Ф. О природе центров свечения в чистом сернистом кадмии. // Оптика и спектроскопия, 1966, т.21, № 4, с. 466 475.

169. Ермолович И.Б , Шейнкман М.К. Взаимная связь полос люминесценции Я,Макс = 103 и 1.5 мкм в MOHOKpronmnaiKCdS.// ФТП, 1971, т.5, № 6, с. 1185- 1188.

170. Корсунская Н.Е., Кролевец Н.М., Маркевич И.В., Пекарь Г.С., Шейнкман М.К. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных медью.// ФТП, 1973, т.7, № 2, с. 253 256.

171. Городецкий И.Я., Лашкарев В.Е., Шейнкман М.К. Параметры рекомбинационных центров монокристаллах CdS, легированных золотом.// УФЖ, 1967, т.12, № 11, с. 1916 1918.

172. Suzuki A., Shionoya S. Mechanism of green-copper luminescence in ZnS crystals. 2. Polarization characteristics.// J.Phys.Soc., 1971, v.31, No. 5, p. 1462-1468.

173. Карбид кремния как материал современной оптоэектроники и полупроводниковой техники.// Информационно-аналитический обзор. М, 1984.

174. Карбид кремния. // Под ред. Хениша Г. и Роя Р., М., «Мир», 1972, с.22

175. Карбид кремния, свойства и области применения.// Под ред. Францевича И.Н., Киев, «Наукова думка», 1975.

176. Нгуен Нчок Лонг, Недзвецкий Д.С. Межпримесная рекомбинация и перехода зона-примесь в кристаллах ß-SiC, легированных аллю-минием.// ФТП, 1971, т.ЗО, № 2, с. 306-309.

177. Yamada S. Kuwabara Н. Photoluminescence of В- and N doped ß-SiC. // "Silicon Carbide- 1973" Columbia,S.C. 1974, p. 305.

178. Kuwabara H., Yamada S., Uchida J. Optical quenching of luminescence in ß-SiC.// Physica Status Solidi, 1980, A-57, No. 1, p. k45-k48.

179. Краснов Ю.С., Кмита Т.Г. Свечение азотно-аллюминиевых комплексов в ß-SiC (6н).// ФТП, 1968, т. 10, № 4, с. 1140-1144.

180. Алтайский Ю.М., Калабухов Н.П. О температурной зависимости спектров люминесценции ß-SiC, легированных аллюминием.// Сб. «Диэлектрики и полупроводники», 1973, вып.З, с.16.

181. Соколов A.A. Особенности фотолюминесценции карбида кремния с примесью аллюминия, галлия, бора и азота.// Автореферат диссертации, Л., 1982.

182. Гейци И.И., Нестеров A.A. Край фундаментального поглощения и катодолюминесценция ß-SiC.// III Всесоюзная конференцияпо полупроводникам SiC, АН СССР и Гиредмет., М., 1970, с. 199.

183. Tables data on silicon carbide.// "Silicon Carbide- 1973" Columbia, S.C. 1974, p. 668-674

184. Холуянов Г.Ф. Электрические и оптические свойства электронно-дырочных переходов и кристаллов карбида кремния и их применение в полупроводниковых приборах.//. Автореферат докторской диссертации, JI., 1967.

185. Курбанов М.К. Эпитаксия твердых растворов (SiC)ix(AlN)x из газовой фазы и фмзические свойства гетероструктур на их основе // Автореферат кадн. диссертации. Махачкала, 1998.

186. Donohue P.C., Yanlon J.E. The Sinthesis and Photoluminescence of MnMm2(S,Se)4 // J.Electrochem.Soc.: Solid State Sei. and Techn. 1974, v. 121, No. l,p. 137-142.

187. Георгобиани A.H., Тагиев Б.Г., Тагиев О.Б., Иззатов Б.И. Фотолюминесценция редкоземельных элементов в соединении CaGa2S4 // Неорганические материалы, 1995, т.31, №1, с. 19-22.

188. Peters Т.Е. Luminescence Properies of Tiagalate Phosphors. Pt II Ce Activated Phosphors for Flying Spot Scanner Application.// J.Electrochem.Soc.: Solid State Sei. and Techn. 1972, v. 119, No.12, p. 1720-1723

189. Асланов Г.К., Тагиев О.Б., Иззатов Б.И. Изотермические и тер-моактивационные токи в монокристаллах CaGa2S4:Eu // ФТП, 1992, т.26, № 4, с. 703-709.

190. Boer K.W., Borchardt W. Photochemischen Reaktion in CdS Einkristallen.// Fortschr. Phys. 1953, V.I, No.l, p. 184-189.

191. Boer K.W., Borchardt W., Oberlander S. Zur Kinetik Photochemischen Reaktion in CdS Einkristallen.// Z. Phys. Chem. 1959, V.2I0, No.5, p. 218-231.

192. Boer K.W., Photochemischen Effekten in CdS Einkristallen.// Z. Phys. Chem. 1954, V.203, No.3, p. 145-148

193. Borchardt W Photochemischen Reaktion und Tilgung in Einkristallen.//Phys. Stat.Sol. 1961, V.I, No.3, p. k52-k58.

194. Borchardt W Uber Photochemischen Reaktion in Kadmium Sulfid //Phys. Stat.Sol. 1962, V2,No.ll,p. 15752-1592.

195. R.H.Bube. Reversive variation of sensitivity in certain cadmium sulphide photoconductirs.//J.Chem Phys., 1959?v.30, No. l,p. 266-270.

196. Kanev S., Stoyanov V., Lakova M. Photochemical reactions in CdS highly doped with Cu.// Comptes remdus de 1 Academie Bulgare des Sciences, 1969, v.22, No.8, p. 863-865.

197. Kanev S., Fahrenbruch A.L., Bube R.H. Thermally Restorable Optical Degradation Effect in Heat Treatment Cu2S CdS Crystals Heterojunc-tions.// Appl.Phys.Lett., 1971, v.19, No.ll, p. 459-461

198. Koparanova N.S., Tsvetkova K.V., Kanev S.K. On the photochemical raections in CdS:Cd:Cu single crystals.// J.Phys., 1974, v.l, No. 1, p. 1319.

199. Kanev S., Tsvetkova K.V., Todorov T., Georgiev M. Optical absorption changes, induced by illuminations in CdS:Cd:Cu.// Comptes Rendus de 1 Academie des Sciences, 1975, v.28, No.12, p. 1597-1599.

200. Торчинская T.B. Исследование механизмов фотохимических реакций и деградаций фототока в полупроводниках А В .//Автореферат канд. дисс. Киев 1978.

201. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. «Мир», М. 1969.

202. Bryant F.J., Сох A.F.J Energy level structure for the infrared luminescence of cadmium sulphide and zinc sulphide. // Brit.J.Appl.Phys. 1965, v.16, No.4, p.463-469.

203. Albers C., Gensew D. Photochemische reaktionen und Tempera-turabangigkeit der Luminessens in CdS Einkristallen. // Phys. Stat. Sol.,1963, v.3, No. 5, p. 866-873.

204. Patil, S.C., Woods J. Luminescence in Cu-doped CdS Crystals. // J.Lumin., 1971, v. 4, No. 3, p. 231-243.

205. Корсунская H.E., Маркевич И.В., Торчинская T.B., Шейнкман М.К. Механизм Оже-возбуждения полосы люминесценции 1.6-2.0 мкм в кристаллах сульфида кадмия.// ФТП, 1977, т. 11, № 12, с. 2346-2351.

206. Ризаханов М.А., Гасанбеков Г.М., Шейнкман М.К. Фотожими-ческие реакции и модели некоторых центров прилипания электронов в CdS и его аналогах .// ФТП 1974, т.8, № 8, с. 1521-1524.

207. Korsunskaya N.E., Markevich I.V., Sheinkman М.К. Photochemical reactions in CdS single crystals.// Phys.Stat.Sol., 1066, v.13, No.l, p. 2536.

208. Корсунская H.E., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. Образование новых центров прилипания и рекомбинации в CdS и CdSe монокристаллах под действием различных факторов. // Труды IX Междунар. Конф. По физике полупроводников, 1965.

209. Шейнкман М.К., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В.,. Рекомбинационно-стимулированное преобразование сложных центров свечения в кристаллах CdS.// ФТП, 1980, т.14, № 3, с. 438-443.

210. Дякин В.В., Кролевец Н.М., Маркевич И.В., Шейнкман М.К. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных литием.// ФТП, 1975, т.9, № 1, с. 103-106.

211. Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции.// Изв. АН СССР. сер. физ,- 1946,- т. 10,- № 5-6,- С. 477-487.

212. Garlic G.F.T., Gibson A.F.The electron traps mechanism of lumi-nes-cence in sylphide and selenide phosphors.// Proc. Phys. Soc.- 1948.-v.A60.- N342,- P. 574-590.

213. Bube R.H. Photoelectronic properties of imperfections in cadmi-um sulfo-selenide solid solutions.// J.Appl. Phys.- 1964,- v.35.- № 3,- P.576.

214. Ризаханов M.A. Об одной возможности определения сечения захвата электрона ловушками.// Изв. ВУЗов, физика.-1971.-№1 .-С. 153.

215. П.П.Феофилов Анизотропия свечения центров окрашивания в кристаллах кубической сингонии. // ЖЭТФ, 1954, т.26, № 5, с. 609-623.

216. Букке Е.Е., Григорьев H.H., Фок М.В. Применение метода поляризационных диаграмм для исследования одноосных кристаллов. // Труды ФИАН, 1974, т.79, с.108-144.

217. Остапенко С.С. Поляризационные исследования анизотропных центров в сульфиде кадмия.// Автореферат канд. дисс., Киев, 1979.

218. Georgobiani A.N., Maev R.G., Ozerov Yu.V., Strumban E.E. Investigation of deep centers in Chlorine doped ZnS crystals.// Phys.Stat.Sol.(a), 1076, v.38, No.l, p. 77-83.

219. Ризаханов M.A., Зобов E.M., Эмиров Ю.Н. Способ изготовления инфракрасных примесных фотодетекторов на основе CdSe.// Авторское свидетельство № 719416,- 1979 г.

220. Шейнкман М.К., Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В. Механизмы излучательных и безызлучательых переходов.// Изв АН СССР, сер.физич., 1976, т.40, № И, с. 2290 2297.

221. Ризаханов М.А., Абилова H.A., Эмиров Ю.Н. Индуцированная примесная фотопроводимость в кристаллах CdS:Cu, обусловленная фо-тохиическими реакциями.// Физ. и техн. полупроводников,- 1976,- т.10,-№3.-С. 600-601.

222. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н., Абилова H.A. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Cu, обусловленные фотохимическими реакциями.// Физ. и техн. полупроводников,- 1980,- т.14,- № 9,- С. 1665-1671.

223. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н., Габибов Ф.С., Хамидов М.М., Шейнкман М.К. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS:Ag.// Физ.и техн. полупроводников,- 1978,- т.12,- № 7,- с. 13421346.

224. Эмиров Ю.Н Индуцированная примесная фотопроводимость в CdS:Au. // Тезисы конференции молодых ученых Дагестана, г.Махачкала, 1978, с.20.

225. Эмиров Ю.Н Исследования природы и симметрии глубоких центров сульфида кадмия.// Автореферат кандидатской диссертации, Одесса (ОГУ) 1981

226. Morigaki К. Elactron Paramagnetic Resonance Studies of Photo-Induced Copper and Silver Centers in CdS.// Techt. Reports ISSP, 1967, v. A, 269, p. 1-15.

227. Киреев П.С. Физика полупроводников.// M.: изд-во «Высшая школа»,- 1969,- С. 199 и С. 558.

228. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н. Зависимость индуцированнойп-римесной фотопроводимостив кристаллах CdS:Си от уровня стационарного фотовозбуждения. // Тезисы республиканской конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», Ужгород, 1979, с. 192.

229. Габибов Ф.С., Остапенко С.С., Эмиров Ю.Н. Поляризация спектров индуцированной примесной фотопроводимостив монокристаллах CdS:Ag. // Оптика и спектроскопия, т.67, и.4, 1989, с.980-982.

230. Габибов Ф.С., Эмиров Ю.Н. Исследование анизотропии центров ИК-чувствительности монокристаллов CdS:Ag . // Тезисы докладов научной сессии Дагю ФАН СССР, 1988, с. 37.

231. Габибов Ф.С., Остапенко С.С., Эмиров Ю.Н. Поляризационные исследования индуцированной примесной фотопроводимости в монокристаллах CdS:Ag. // Тезисы докладов всесоюзной конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», Ташкент, 1988, с.

232. Фок М.В. Разложение сложных спектров на индвидуальные составляющие с помощью обобщенного метода Аленцева.// Труды ФИАН, 1972, т.59, с.З 24.

233. Эмиров Ю.Н., Габибов Ф.С., Фотостимулированная генерация доноров в кристаллах CdS:Cu.// Тезисы докладов III Всесоюзной конференции по материаловедению халькогенидных полупроводников, Черновцы, 1991, с. 107.

234. Weiser К. Theory of Diffusion and Equilibrium Position of Interstitial Impurities in Diamond Lattice. // Phys. Rew.1962, v.126, No. 4, p. 1426-1436.

235. Bourgoin J.C., Corbett J.W. A new mechanism for interstitial migration. // Pys. Lett/. 1972, v. 38A, No.2, p. 135-137.

236. Ланно M., Бургуен Ж. Точечные дефекты в полупроводника-хюМ.Мир.: 1984,263 с.

237. Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe<Ag>. //Письма в ЖТФ, 1985, т. 11, в.9, с. 561-567.

238. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. «Наука», М., 1967, 857 с.

239. П. В. М е и к л я р. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. «Наука», М. (1972).

240. Ризаханов М.А., Хамидов М.М, Эмиров Ю.Н Фотостимулированная генерация донорных пар в монокристаллах ZnSe<Ag>.// Неорганические материалы, 2000 в, т.36, № 12, с. 1428-1431.

241. Эмиров Ю.Н , Ризаханов М.А., Хамидов М.М Фотостимули-рованная ассоциация междоузельных доноров в полупроводниках А2В6. // Международная конференция "Оптика полупроводников" Ульяновск, июнь 2000, с. 170.

242. Ризаханов М.А. Электронно-кислородные квазичастицы в белках. //Махачкала, 1998, с. 215.

243. Зобов Е.М., Эмиров Ю.Н , Хамидов М.М., Ризаханов М.А., Га-рягдыев Г. Глубокие электронные и дырочные центры в кристаллах ZnxCdixSe. // Тезисы докладов " Всесоюзного совещания по физике и применению соединений А2В6, Вильнюс, 1983, т.1, с.46-47.

244. Габибов Ф.С., Зобов Е.М., Гарягдыев Г.Г., Эмиров Ю.Н., Ризаханов М.А. Быстрые и медленные центры прилипания электронов в фотопроводниках CdS, CdSe.// Фотоэлектроника: Респ. межвед. научный сб.: Киев, 1987, вып.1, с. 54-59.

245. Emirov Yu.N. Fast and slow electron traps in CdS:Cu single crystals and films.// Second Intern. School-Conf. «Physical Problems in Material Science of Semiconductors, Chernivtsi, Ukraine, September 8-12, 1999, p. 127.

246. Эмиров Ю.Н , Ризаханов М.А. Особенности сечений захвата электронов ловушками в монокристаллах CdS<Cu>.// Международная конференция "Оптика полупроводников" ,Ульяновск, 2000, с.45.

247. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.// Изд., «Наука» Новосибирск, 1979, с.333.

248. Hoogenstraaten W. Electron traps in ZnS Phosphorus.// Phillips Res. Rep., 1958. V.13, No. 6, p. 515 693.

249. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.// «Мир», М., 1977, с.562.

250. Ризаханов М.А. Электронно-кислородные квазичастицы в белках. // Российский химический журнал. Журнал русского химического общества им. Д.И.Менделеева. (Серия новые идеи и гипотезы), 1997, т. 47, №3, с. 37-48.

251. Кульсрешта А.П., Горюнов В.А. О расчете термостимулиро-ванных токов.// Физ. тверд, тела. 1966. т.8. №6. с. 1944-1946.

252. Мирцхулава И.А., Чиковани Р.И., Школьник A.JL, Джахута-швили Т.В. Определение параметров локальных уровней в монокристаллах ZnS.// Физ. тверд, тела. 1964. т.6 № 10, с. 2944-2952.

253. Атакова М.М., Рамазанов П.Е., Сальман Е.Г. Локальные уровни в ZnS.// Изв. ВУЗов,физика.-1973, №10, с.95- 98.

254. Бабаев А.А., Зобов Е.М., Ризаханов М.А. Труды межд. конф. «Физич. процессы в неупоряд. полупров.структурах», Ульяновск 1999, с71.

255. Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках.// Киев: изд-во "Наукова Думка".-1981.-264 с.

256. Бродин М.С., Гоер Д.Б., Мацко М.Г. Ассоциация дефектов в ZvHq.II Физ. и техн. полупроводников,- 1973.-т.7.-№ 5,- с. 705-708.

257. Title R.S., Mandel G., Morehead F.F. Self-Compensation-Limited Conductivity in Binary Semiconductors II n-ZnTe.// Phys.Rev.- 1964,-.V.136.- №1А,- p. A300-303.

258. Зобов E.M Фотоэлектрические и оптические свойства халько-генидных полупроводников, обусловленные глубокими центрами сложной структуры. Докторская дисс., Махачкала, 1999.

259. Гурвич A.M., Катомина Р.В. Термодинамический анализ образования дефектов в люминесцирующих кристаллах ZnS-Cl и CdS-С1.//Ч.1.-Журн.физ.химии.-1968,- т.42,- С. 2199-2204; 4.IL- Журн. физ. химии.-1969,- т.43,- С. 72-79.

260. Гурвич A.M., Катомина P.B. О влиянии уровней собственных дефектов на отклонение от стехиометрии и электропроводность сульфидов цинка и кадмия.// ФТП,-1971,- т.5,- № 7,- С. 1351-1359.

261. Ризаханов М.А., Хамидов М.М Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников,- 1993,- т.23,- № 5. с. 721-727.

262. Eichenauer, В. Jarofke, Н.-С. Mertins, J. Dreysig, W. Busse, H.-E. Gumlich, Benalloul P., Barthou C., Benoit J., Fouassier C. and Garcia A. // Phys. Stat. Sol. (a) 153 (1996) 515.

263. Эмиров Ю.Н, Хамидов М.М., Хамидов М.М , Гаджиев А.З. Фотолюминесценция монокристаллов ZnSe, легированных празеодимом .// Тезисы докладов Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных элементов, Саратов, 1990, с. 90 91.

264. Георгобиани А.Н., Эмиров Ю.Н., Зобов Е.М., Тагиев Б.Г., Та-гиев О.Б.,Иззатов Б.М., Беналулу П., Бартоу К., Ванг Й., Сю Сююн. Термолюминесценция тиагалатов CaGaSc примесью Eu. // «Краткие собщения по физике», Сборник ФИАНа, 2001, №2, с.26-35/

265. Лущик Ч.Б. Исследование центров захвата в щелечногаллоид-ных кристаллофосфорах. . // Труды Института физики и астрономии АНЭССР,1955,с. 7-250.

266. Eichenauer, В. Jarofke, Н.-С. Mertins, J. Dreysig, W. Busse, H.-E. Gumlich, Benalloul P., Barthou C., Benoit J., Fouassier C. and Garcia A. . //: Phys. Stat. Sol. (a) 1996 v.153 No 2, p. 515 518.

267. Корсунская H.E., Маркевич И.В., Торчинская T.B., Шейнкман

268. М.К., Эмиров Ю.Н. Обратимое увеличение фоточувствительности монокристаллов CdS:Cu под действием видимого света. // Тезисы республиканской конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», Ужгород, 1979, с. 81.

269. Корсунская Н.Е., Маркевич И.В., Торчинская Т.В., Шейнкман М.К., Эмиров Ю.Н. Электродиффузия глубоких доноров в кристалла CdS:Cu. // ФТП, 1980, т.14, № 10, с.2131 2133.

270. Эмиров Ю.Н. Фотостимулированные процессы генерации электронных центров Ес- 0.68 эВ и Ес-0.6 эВ в кристаллах CdS:Cu. // Межвузовский научно-тематический сборник «Широкозонные полупроводники» Махачкала, 1988, с. 145.

271. Эмиров Ю.Н., Габибов Ф.С., Фотостимулированная генерация доноров в кристаллах CdS:Cu. // Неорганические материалы, 1992,т.28,№ 12, с. 2361 -2364.

272. Эмиров Ю.Н Фотостимулированная генерация донорных центров Ес- 0.68 эВ и Ес-0.6 эВ в кристаллах CdS:Cu. // Неорганические материалы, 1993, т.29, № 4, с. 480 482.

273. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н Фотоуправляемое преобразование структуры электронных ловушек в монокристаллах CdS<Cu>. // Труды международной конференции "Оптика полупроводников" Ульяновск, 2000, с. 169.

274. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н , Габибов Ф.С. Фотоуправляемое преобразование структуры электронных ловушек в монокристаллах CdS<Cu>. // «Известия ВУЗов, Материалы электронной техники» 2000, № 4, с.

275. Габибов С.Ф., Габибов Ф.С., Ризаханов М.А. Ионизационно-управляемое преобразование структуры дипольных электронных ловушек в кристаллах CdS<Ag>. Труды международной конф. «Физические процессы в неупорядочных структурах» Ульяновск, 1999, с.28.

276. Никонюк Е.С. Особенности проявления равновесной проводимости в монокристаллах p-CdTe.// Физическая электроника-Львов, 1970. вып.З.с. 8-11.

277. Ризаханов M.A., Эмиров Ю.Н. Механизм старения полупроводников p-CdTe. // Неорганические материалы, 2000, т.36, №11, с. 1313-1315.

278. Ризаханов М.А, Абрамов И.Я. Электрические и фотоэлектрические свойства CdTe, обусловленные двойной инжекцией.// ФТП ,1979, т. 13, №.11.с.2240-2243.

279. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука. 1966. С. 133.

280. Вул Б.М , Вавилов B.C., Иванов B.C. Стопачинский В.Б., Чап-нин В.А. Исследование двухзарядного акцептора в теллуриде кадмия.// . ФТП 1972, т. 6, № 8, с. 1442-1446.

281. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н., Абилова H.A., Хамидов М.М. Влияние нейтронного и фотонного облучений на спектр фотолюминесценции в CdS:Cu. // Сборник научных статей «Физика твердого тела» г. Махачкала 1976, с. 50-51.

282. Бабаев A.A., Эмиров Ю.Н. Фотолюминесценция в халько-генидных стеклах As-S-J. // Сборник статей «Фото-электрические и элект-рические явления в полупроводниках», Институт физики Даг.ФАН СССР, 1985, с. 41.

283. Babaev A.A., Emirov Yu.N., HiminetsV.V., Himinets O.V. Iodine influence on the photoluminescence of the glassy As2S3. // Proceed. Internal Conference "Noncrystalline. Semiconductors", Hungary, 1986, p.

284. Бабаев A.A., Эмиров Ю.Н., Теруков Е.И., Химинец O.B. Фотолюминесценция в стеклах системы (GeS3)ioo-xBix и (As2S3)ioo-x Bi х // Тезисы докладов XV Международного конгресса по стеклу. Ленинград, 1988.

285. Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н., Абрамов И.Я., Хамидов М.М. Объяснение некоторых особенностей поведения зеленой и синей люминесценции в ZnS. // Сборник научных сообщения «Прикладная физика твердого тела», г. Махачкала 1976, с. 16.

286. Остапенко С.С., Шейнкман М.К., Эмиров Ю.Н. Симметрия фотохимически активных центров ИК-люминесценции в CdS<Cu>.// Физ. и техн. полупроводников,- 1981,- т.15,- № 9,- С. 1747-1754.

287. П.П.Феофилов Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. // М., Физматгиз, 1959.

288. Остапенко С.С., Танатар М.А., Шейнкман М.К.Поляризованная люминесценция анизотропных центров в гексагональных кристаллах. // Оптика спектроскопия, 1980, т.46, № 4, с. 778 784.

289. Tuttle J.R., Ward J.S., Duda A., Derens А.Т.А,Contreras М.А., RemanathanK. At ail The performance of . Cu(InGa)Se2 based solar sell in conventional applications. - Proc. Mat. Res. Soc.Symp. 1996, v. 426,p.143.

290. Дякин B.B., Сальков E.A., Хвостов В.A., Шейнкман М.К. Оже механизм взаимодействия центров люминесценции с ДА парами в сульфиде кадмия.// ФТП, 1976, № 12, с. 2288 2292.

291. Лашкарев В.Е., Птащенко А.А. Исследование спектральной зависимости фотоионизации очувствляющих центров в сульфиде кадмия.// Доклады АН СССР, 1967, т. 172, с. 77 79.

292. Власенко Н.А., Коновец Н.К. Исследование инфракрасного и температерного гашения люминесценции и фотопроводимости ZnCsS, CuCl.// Украинский физический журнал, 1972, т. 17, № 10, с. 1590-1599.

293. Ralph J.E. Infrared Luminescence in CdS:Cu Crystals at 10 K.// Sol. State Comm., 1978, v.28, No. 5, p. 377 379.

294. Остапенко С.С., Танатар М.А., Шейнкман М.К., Эмиров Ю.Н.

295. Симметрия центров люминесценции в гексагональных кристаллах2 6

296. А В .// Тезисы докладов III Всесоюзной конференции по люминесценции, Ленинград, 1981, с. 81.

297. Эмиров Ю.Н., Остапенко С.С., Ризаханов М.А., Шейнкман М.К. Структура центров оранжевого свечения в сульфиде кадмия.// Физ.и техн. полупроводников, 1982, т.16, № 8, с. 1371-1376.

298. Эмиров Ю.Н., Ризаханов М.А. Модель центров оранжевой люминесценции в кристаллах CdS.// Тезисы докладов «Конференции молодых ученых» Махачкала, 1982.с. 27.

299. Эмиров Ю.Н. Природа центров оранжевого свечения в CdS. // Тезисы докладов «V Конференции молодых ученых» Махачкала, 1985.

300. Остапенко С.С., Танатар М.А., Шейнкман М.К. Анизотропные центры свечения в монокристаллах CdS:Li. // ФТТ, 1979, т.21, № 11, с. 3244 3249.

301. Edgar A., Porsch J. Optically detected magnetic resonance from a complex donors in CdS.// Sol. State Commun., 1982, v.44, No. 5, p. 741 -743.

302. Амиров Т.К., Гуткин A.A. К вопросу о роли глубокого центра, дающего полосу люминесценции 1.36 эВ в образовании связанных эк-ситонов в GaAs:Cu.// ФТП, 1982, т.24, № 7, с. 97 102.

303. Яблонский Т.П. Лазерный отжиг дефектов решетки в монокристаллах ZnSe // ФТП, 1984, т. 18, №.5, с.918-920.

304. Яблонский Г.П. Образование дефектов решетки в широкозонных полупроводниках АгВ6 под воздействием азотного лазера //ФТТ, 1984, т.26, №.4, с.995-1001.

305. Сафаралиев Г.К., Эмиров Ю.Н., Ашурбеков С.А., Курбанов М.К. Фотолюминесценция гетерограницы (SiC)ix(AlN)x SiC. // ФТП, 1994, т. 28, №.11, с. 1991 - 1994.

306. Эмиров Ю.Н , Сафаралиев Т.К. Влияние лазерного отжига на фотолюминесценцию гетерограницы (SiC)i.x(AlN)x- SiC. // The First Intern. Conference on Material Science of Chalcogenide and Diamond Structure Semiconductors, Chernivtsi, Ukraine, 1994, c. 125.

307. Справочник по электротехническим материалам. // Л., Энергоатомиздат, 1988.

308. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, E.H. Мохов. В сб.: Широкозон-нме полупроводники М., 1988 с. 23.

309. Сафаралиев Т.К. Закономерности формирования и физическиесвойства полупроводниковых твердых растворов на основн карбида кремния. Докт. диссертация, Баку, 1988.

310. Сафаралиев Т.К., Курбанов М.К., Эмиров Ю.Н , Исабекова Т.П. Преобразование центров свечения эпитаксиальных слоев (SiC)ix(AlN)x в процессе лазерного отжига.// Труды международной конференции «Оптика полупроводников», Ульяновск 1998, с. 70.

311. Сафаралиев Г.К., Эмиров Ю.Н, Курбанов М.К., Билалов Б. Спектральные сдвиги полос фотолюминесценции эпитаксиальных структур (SiC)ix(AlN)x , обусловленные лазерным отжигом. // ФТП, 2000, т.34, №8,0.929-931.

312. Сафаралиев Г.К., Эмиров Ю.Н , Курбанов М.К., Исабекова Т.И. Преобразование центров свечения эпитаксиальных слоев (SiC)ix(AlN)x в процессе лазерного отжига.// Неорганические материалы, 2000, т.36, № 10, с.

313. Левин В.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Люминесценция карбида кремния с отклонениями от стехиометрии //Физика и техника полупроводников, 1984, Т. 18, В. 7, С. 1194-1198.

314. Водаков Ю.А.,Ломакина Г.А., Мохов E.H., Рамм М.Г., Соколов В.И. Влияние условий роста на термическую стабильность дефектной люминесценции со спектором Di-SiC //ТП, 1986 ,т.20, №.12, с. 2153 -2158.

315. Бережной A.C. Кремний и его бинарные системы. 1958, Киев. Изд-во АН УССР

316. Венгер А.И., Водаков Ю.А., Примесное состояние бора в карбиде карбиде кремния //Письма в журнал технической физики, 1981, т.6, №. 21,с.1319-1323.

317. Сафаралиев Т.К., Курбанов М.К., Эмиров Ю.Н Способ контролируемого изменения состава излучения полупроводниковых слоев (SiC)bx A1N)X .// Свидетельство ВНТИЦ № 70990000132 от 4 октября 1999 г.

318. Марков М.Н. Приемники инфракрасного излучения.// М.: изд-во «Наука», 1968, 167 с.

319. Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов.// М.: изд.«Сов. радио», 1970, 392 с.

320. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления.// М.: изд-во «Мир», 1980, 208 с.

321. Выставкин А.Н., Годик Э.Э., Губанков В.Н. и др. Высокочувствительные приемники электромагнитного излучения.// В сб. «Проблемы современной радиотехники и электроники», М.: изд-во «Наука», 1980, с. 359-412.

322. Габибов Ф.С., Остапенко С.С., Эмиров Ю.Н Фотоиндуциро-ванное переключение проводимости в структурах на основе GaAs // Тезисы докладов Всесоюзной конференции по физике полупроводников, Киев 1990, с. 288.

323. Габибов Ф.С., Эмиров Ю.Н Особенности проявления дефектных уровней при исследовании фотоэлектрических свойств структур на основе GaAs. // Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», Ашхабад 1991, с. 160.

324. Arnold G.W., Bruce D.K. Near-Band-Edge luminescence in GaAs:Zn. // Appl.Phys.Lett., 1968, v.13, No.2, p. 51-53.

325. Arnold G.W. Luminescence in Intrinsic and Annealed Electro-Irradiated GaAs:Cd. // Phys. Rev. 1969, v.183, No. 3, p. 777 783.

326. Аширов Т.К., Гуткин A.A. К вопросу о роли глубокого центра, дающего полосу люминесценции около 1.36 эВ в образовании связанных экситонов в GaAs, легированном Си. // ФТП, 1982, т. 16, № 1, с. 163 165.

327. Зюганов А.Н., Свечников С.В., Сыпко Н.И. // Сб.научных трудов "Элементы и устройства некогерентной оптоэлектроники", Киев.: Наукова думка. 1979. С.195-209.

328. Акимов Ю.С., Бабенко В.А., Кмита Т.Г. //Электрон.техника. Сер. Полупроводниковые приборы.// 1974. N.2. С.24-27.

329. Зюганов А.Н., Свечников С.В., Сыпко Н.И. // Сб.научных тру232дов "Элементы и устройства некогерентной оптоэлектроники",Киев.: Наукова думка. 1979. С.195-209.

330. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.:Наука. 1974.280 с.

331. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. // В кн. Электролюминесценция твердых тел. Киев.: Наукрова думка. 1971.С799-101.