Фотосенсибилизированное опустошение электронных ловушек в системе диэлектрик - полупроводник тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.17 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

§ I.I. Поверхностные электронные состояния в к и Si

1.1.1. Классификация поверхностных состояний.

1.1.2. Основные сведения о медленных ловушках системы диэлектрик-полупроводник и их взаимодействии с адсорбированными молекулами.

§ 1.2. Основные закономерности спектральной сенсибилизации поверхностной фазы твердого тела абсорбированными органическими молекулами

§. 1.3. Проявление спектральной сенсибилизации фотоэффектов твердого тела в адсорбированной фазе молекул красителя.

1.3.1. Особенности фотолюминесценции органических молекул, адсорбированных на поверхности твердого тела

1.3.2. Основные сведения о механизмах межмолекулярного переноса энергии электронного возбуждения в конденсированных фазах

§ 1.4. Выводы из обзора литературы и постановка задачи исследования.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§ 2.1. Приготовление структур полупроводник-диэлектрик-адсорбированные молекулы красителей.

2.I.I. Предварительная обработка, травление и окисление монокристаллических образцов

2.1.2. Приготовление образцов германия для измерения спектров ЭПР.

2.1.3. Органические красители и методика их нанесения на образцы германия и кремния

2.1.4. Кварцевые весы для оценки концентрации адсорбированных молекул красителей на поверхности монокристалла

§ 2.2. Конструкция ячейки и держателей образцов для электрофизических измерений

§ 2.3. Схема измерений и расчет электрофизических характеристик и оптического заряжения поверхности монокристаллов £е и $С

§ 2.4. Методика исследования спектров флуоресценции и поляризованной люминесценции адсорбированных на монокристаллах £е и $6 молекул красителей.

§ 2.5. Измерения методом электронного парамагнитного резонанса

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ Ф0Т0В03ШЩЕННЫХ АДСОРБИРОВАННЫХ МОЛЕКУЛ КРАСИТЕЛЕЙ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В СИСТЕМАХ ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК НА ОСНОВЕ бе и &

§ 3.1. Влияние темновой адсорбции молекул красителя на электрофизические параметры монокристаллов бе и Si

§ 3.2. Стимулирование разрядки отрицательно заряженных медленных состояний диэлектрика на поверхностна:. £z и Si путем электронного фотовозбуждения адсорбированных молекул красителей.

§ 3.3. Основные закономерности фотосенсибилизирован-ного опустошения глубоких электронных ловушек окисного слоя в системе - адсорбированные молекулы красителей

3.3.1. Зависимость эффективности фотосенсибилизи-рованного опустошения МСД от концентрации адсорбированных молекул красителя.

3.3.2. Зависимость эффективности фотосенсибилизиро-ванного опустошения МСД от толщины окисного слоя.

3.3.3. Влияние структуры окисного слоя StOz на эффективность фотосенсибилизированного опустошения МСД.

3.3.4. Связь фотосенсибилизации медленных ловушек диэлектрика с их природой и энергетическим спектром.

§ 3.4. Фотосенсибилизированная ионизация вакансион-ных центров окисной фазы в системе полупроводник-диэлектрик-краситель

3.4.1. Влияние фотовозбужденных адсорбированных молекул кумарина на перезарядку парамагнитных ловушек в системе

3.4.2. Зависимость фотосенсибилизированного опустошения вакансионных центров диэлектрика в системе

- trtB, от энергии квантов флуоресценции адсорбированных молекул красителей

§ 3.5. Влияние электронно-возбужденных молекул эрит-розина на кинетику медленной релаксации заряда на реальной поверхности St

Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. ЛШЙНЕСЦЕНЦШ АДСОРБИРОВАНШХ МОЛЕКУЛ КРАСИТЕЛЕЙ НА ПОВЕРХНОСТЯХ ГЕРМАНИЯ И

КРЕМНИЯ.

§ 4.1. Спектры флуоресценции органических молекул на поверхностях монокристаллов бе и &

§ 4.2. Два канала миграции энергии электронного возбуждения адсорбированных молекул красителей

§ 4.3. О механизме фотосенсибилизированного опустошения электронных ловушек в системе диэлектрик-полупроводник.

Выводы к главе 4.

ОСНОВНЫЕ ШВОДЫ.

Явление спектральной сенсибилизации заключается в электронном возбуждении молекул, адсорбированных на поверхности твердого тела, с последующим их воздействием на поверхностную фазу кристаллов. Обычно в качестве сенсибилизатора выбирают молекулы красителей, обладающих высоким сечением захвата фотонов и широким диапазоном изменения их спектров поглощения и флуоресценции. Спектральная сенсибилизация широко используется в самых различных областях науки и техники. В первую очередь это классическая галоидосеребряная фотография, бессеребряная и электрофотография, а также спектральное очувствление разнообразных элементов опто-электроники. Известно также применение спектральной сенсибилизации в поверхностной фотохимии, фотокатализе и в преобразователях электрической и химической энергии (водородное топливо). В своей работе мы ограничимся вопросами спектральной сенсибилизации ряда электронных переходов в структурах диэлектрик-полупроводник.

К началу наших исследований вопрос о механизме сенсибилизации фотоэффектов на поверхности диэлектриков и полупроводников оставался дискуссионным. Высказывались две альтернативные точки зрения относительно механизма роста величины фотоэффектов в полосе поглощения молекул красителя:

- перенос электрона с возбужденной светом молекулы красителя в твердое тело с последующим обратным преобразованием ион-радикала молекулы в нейтральное состояние, за счет электронов твердого тела;

- передача энергии от возбуг/денных молекул красителя в твердое тело, сопровождающаяся гашением люминесценции молекул и выбросом локализованных носителей заряда с приповерхностных локальных уровней в разрешенные зоны полупроводника или диэлектрика, В связи с запросами техники, в основном, электрофотографии и галоидосеребрянззй. фотографии, подавляющее большинство исследований механизма спектральной сенсибилизации проводилось на дисперсных порошках таких широкозонных полупроводников, как $гО > CdS, JI^Bz и др. Однозначная интерпретация электрофизических проявлений сенсибилизации в таких системах осложнена высокой плотностью поверхностных состояний и барьерными эффектами. В немногочисленных исследованиях сенсибилизации монокристаллов &D и CdS отсутствуют полные данные о характере энергетического спектра электронных состояний, участвующих в процессе сенсибилизации.

Как показали предварительные эксперименты, проведенные в нашей лаборатории, для выяснения элементарного механизма воздействия электронно-возбужденных молекул красителя на поверхностную фазу полупроводников перспективно использовать структуры диэлектрик-полупроводник на основе монокристаллов Ge и . Вабор в качестве объекта исследования моноатомных полупроводников имеет несомненные преимущества по сравнению с соответствующими исследованиями бинарных полупроводников группы Прежде всего, это обусловлено хорошо исследованными объемными и поверхностными свойствами этих полупроводников, широкими возможностями управления пространственным положением и энергетическим спектром поверхностных состояний окисной фазы, их концентрацией и зарядом. Именно в этих системах есть надежда раздельного исследования влияния электронно-возбужденных адсорбированных молекул на различные группы поверхностных электронных состояний, ответственных за различные электрофизические свойства структур диэлектрик-полупроводник.

Цель работы

X) Изучить влияние электронно-возбужденных адсорбированных молекул красителей на зарядовое состояние медленных электронных ловушек в поверхностной диэлектрической пленке и на границе раздела полупроводник-диэлектрик в структурах на основе £е и

2) Провести сравнительный анализ двух конкурирующих каналов миграции возбуждения органических молекул красителя, адсорбированных на поверхности монокристаллов £е ш Si - в твердое тело и по слою красителя.

3) Ейяснить основные закономерности и механизм спектральной сенсибилизации в системах.диэлектрик-полупроводник на основе монокристаллов & и & .

Научная новизна

- Впервые установлено, что освещение системы монокристаллический полупроводник-диэлектрическая пленка-адеорбированные молекулы красителя светом, в полосе поглощения красителя, сопровождается гашением флуоресценции молекул красителя и одновременным выбросом носителей заряда из заряженных медленных ловушек диэлектрика и медленных ловушек на границе раздела полупроводник-диэлектрик в разрешенные зоны полупроводника.

- Впервые обнаружено обратное влияние заряженных медленных ловушек диэлектрической пленки, на поверхности монокристаллов £е и & » на спектральное положение максимума флуоресценции адсорбированных молекул красителя.

- Показано, что максимум фотосенсибилизированного опустошения электронных ловушек диэлектрической пленки, на монокристаллах ,Ht и Sc , наблюдается при домонослойном покрытии поверхности молекулами красителя. Последнее обусловлено конкуренцией двух каналов миграции энергии электронного возбуждения молекул: по слою красителя и в твердое тело.

- Впервые показана возможность генерации дополнительного числа парамагнитных центров в диэлектрической пленке на поверхности бе за счет подвода энергии электронного возбуждения от адсорбированных на поверхности молекул красителя к вакансионным дефектам диэлектрической пленки.

- Обнаружено, что электронное возбуждение адсорбированных молекул эритрозина увеличивает темп релаксации потенциала поверхности и заряда медленных электронных ловушек на границе раздела

- Однозначно доказано, что фотосенсибилизированное опустошение медленных состояний в системе диэлектрик-полупроводник обусловлено миграцией к ним энергии электронного возбуждения, выделяющейся при тушении флуоресценции адсорбированных молекул красителей.

Автор защищает:

- предложенную в работе комплексную методику изучения механизма спектральной сенсибилизации электронных переходов з окисной диэлектрической пленке на поверхности монокристаллических полупроводников, а также полученную с ее помощью информацию о путях миграции энергии электронного возбуждения адсорбированных молекул красителей;

- предложенный метод управления эффективностью спектральной сенсибилизации зарядового состояния системы диэлектрик-полупроводник, путем варьирования толщины и степени неупорядоченности окисного слоя, концентрации адсорбированных молекул кра

- ю сителей и энергии их электронного возбуждения;

- новые данные о механизме спектральной сенсибилизации выброса заряда из медленных ловушек в системе диэлектрик-полупроводник и объяснение причины максимума спектральной сенсибилизации монокристаллических полупроводников при домонослойном покрытии их поверхности молекулами красителя;

- обнаруженное влияние кулоновских полей заряженных ловушек диэлектрика в системах диэлектрик-полупроводник на максимум полосы флуоресценции и анизотропию излучения адсорбированных молекул красителей;

- обнаруженный эффект возникновения светоиндуцированных сигналов ЭПР в системе полупроводник-диэлектрик-адсорбированные молекулы красителя.

Практическая ценность

Полученные в работе экспериментальные результаты позволяют предложить способы целенаправленного управления эффективностью сенсибилизации зарядового состояния медленных ловушек в системах диэлектрик-полупроводник на основе варьирования толщины окисной фазы, режимов окисления этих структур, концентрации адсорбированных молекул красителя и величины их энергии электронного возбуждения. Обнаруженная в работе высокая эффективность фотосенсибилизированного опустошения медленных ловушек диэлектрика может быть использована для стирания зарядовой информации в ВДП-системах, используемых в микро- и опто-электронике.

Информация, полученная при исследовании структур полупро-водник-диэлектрик-адсорбированные молекулы различных красителей, свидетельствует о возможности использования флуоресценции тестовых молекул в качестве неразрушающего метода анализа энергетического спектра медленных поверхностных состояний.

Обнаруженные в работе сдвиги максимума флуоресценции и изменения анизотропии излучения адсорбированных молекул красителей могут быть использованы для идентификации дефектов в при> поверхностной области диэлектриков и полупроводников, а также в системах ЩП, применяемых в оптоэлектронных устройствах.

Выводы к главе 4

1. Обнаружено влияние зарядового состояния ловушек окис-ного слоя монокристаллов £е и Si на спектральное положение максимума флуоресценции адсорбированных молекул красителей. Направление и величина сдвигов зависят от природы связи молекул с поверхностью и заряда в МСД.

2. Впервые экспериментально доказано, что на поверхности монокристаллов и Si конкурируют два канала дезактивации возбуждения адсорбированных молекул - по слою красителя и в твердое тело.

3. Показано, что ограничивающим фактором роста эффективности У фотосенсибилизированного опустошения МСД на поверхности монокристаллов & и So , при увеличении концентрации сенсибилизирующих молекул, является миграция возбуждения по слою красителя.

4. Однозначно доказано, что фот©сенсибилизированное опустошение ШД в структурах диэлектрик-полупроводник на основе монокристаллов Ge vl $i обусловлено миграцией к ним энергии, выделяющейся при тушении флуоресценции адсорбированных молекул красителей.

5. Установлено, что существенную роль в переносе энергии от молекул красителей к МСД играет индуктивно-резонансный диполь-дипольный механизм. основные швода

1. Впервые для исследования спектральной сенсибилизации электронных переходов на поверхности монокристаллических полупроводников применены совместные измерения люминесценции адсорбированных молекул красителей и основных электрофизических параметров поверхностной фазы.

2. Впервые обнаружено, что освещение структур краситель-диэлектрик-полупроводник на основе монокристаллов бе и Si в полосе поглощения адсорбированных молекул красителя сопровождается тушением флуоресценции этих молекул и одновременным выбросом носителей заряда,из заряженных медленных ловушек диэлектрика.

3. Однозначно доказано, что фотосенсибилизированное опустошение отрицательно заряженных ловушек диэлектрика, в структурах краситель-диэлектрик-полупроводник, обусловлено миграцией к ним энергии, выделяющейся при тушении флуоресценции адсорбированных молекул красителей. Установлено, что основную роль в переносе энергии от молекул красителей к заряженным ловушкам играет индуктивно-резонансный диполь-дипольный механизм.

4. Впервые исследована зависимость эффективности фотосенсибилизированного опустошения заряженных ловушек диэлектрической пленки от концентрации адсорбированных молекул красителя на поверхности монокристалла. Показано, что оптимальная концентрация адсорбированных молекул красителя, при которой фотосенсибилизация максимальна, соответствует домонослойному покрытию поверхности молекулами красителя со степенью заполнения ff ~ 0,2-0,4. Установлено, что ограничивающим фактором роста эффективности опустошения заряженных ловушек диэлектрической пленки на монокристаллах германия и кремния, при увеличении концентрации молекул красителя, является деградация энергии возбуждения в слое красителя.

5. Впервые раздельно изучены каналы миграции возбуждения молекул красителей, адсорбированных на поверхности монокристаллических полупроводников германия и кремния. Показано, что при малых концентрациях сенсибилизатора доминирует перенос энергии в твердое тело, при покрытии большем, чем 0,2-0,4 мо- ■ нослоя - по слою красителя.

6. Исследована зависимость эффективности фотосенсибилизированного опустошения медленных ловушек окисла от толщины диэлектрической пленки. Обнаружено влияние на эффективность фотосенсибилизации природы ловушек и структуры диэлектрического слоя на поверхности монокристаллов германия.

7. Впервые методом ЭПР обнаружена спектральная сенсибилизация адсорбированными молекулами красителя электронных переходов мезду вакансионными дефектами в диэлектрической пленке на поверхности германия и зонами полупроводника, сопровож t дающихся генерацией дополнительного числа парамагнитных центров. Показано, что за этот процесс ответственна миграция энергии от возбужденных сгетом молекул красителя к вакансионным дефектам окисла.

8. Показано, что в структурах полупроводник-окисел с тонкими диэлектрическими слоями возможен отвод энергии, выделившейся в актах захвата дырок на вакансионные дефекты окисла к адсорбированным молекулам красителя.

9. Обнаружено влияние заряженных медленных ловушек диэлектрический пленки ,на поверхности монокристаллов германия и кремния,на спектральное положение максимума флуоресценции адсорбированных молекул красителей, связанное с дополнительной поляризацией молекул в локальных полях заряженных дефектов твердого тела.

10. Обнаружена спектральная фотосенсибилизация адсорбированными молекулами красителя электронных переходов между медленными ловушками на границе германий-окисел , заряжаемых в эффекте поля, и зонами полупроводника. . ххх

В заключение мне хочется выразить глубокую благодарность моим научным руководителям профессору В.Ф.Киселеву и к.ф.-м.н. Г.С.Плотникову за предоставление интересной темы, постоянное . внимание и помощь в работе. Я искренне признателен асс.С.Н.Ка-рягину за содействие в экспериментах на отдельных этапах исследований. Я благодарен Г.А.Баландиной и Ю.А.Обушеву за помощь в подготовке экспериментов, а также всему коллективу кафедры общей физики для химического факультета за дружескую поддержу и помощь в работе.

1. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников,- М., Наука, 1971, с.480.

2. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках.- М., Наука, 1979, с.233.

3. Гринев В.И., Карягин С.Н., Киселев В.Ф., Оглоблин И.О. О характере энергетического спектра и природе центров поверхностной рекомбинации в кремнии.- Изв.ВУЗов, физика, 1982, № 9, с.94-97.

4. Edelman P.L., Alexandrov L.N., Fedina L.I., Latuta V.S. The structure of GeC^ films grown on Ge. Thin Solid Films, 1976, v.34, No 1, p.107-110.

5. Багратишвили Г.Д., Гогешвили М.Д., Джанелидзе Р.В., Чагешвили В.А., Харати Р.П.'Структура и свойства окис-ных пленок германия.- ДАН СССР, 1971, т.196, Я 2, с.342--344.

6. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р., Миронов А.Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников.- М., Наука, 1981, с.384.

7. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зарифьянц Ю.А. О медленных электронных и протонных процессах в системе диэлектрик-полупроводник.- В кн.: Проблемы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск, Наука, 1978, с.200-- 246 .

8. Kozlov S.N., Kiselev V.F., Novototsky-Ylasov Yu.F.1.vestigation of long-term process on a real germanium surface. Surf.Sci., 1971, v.28 Wo 2, p.395-408.

9. Киселев В.Ф., Козлов C.H. Влияние адсорбционно-десорб-ционных процессов на электронные состояния германия и кремния.- Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, $ 2, с.13-24.

10. Ю. Aspnes D.E., Theeten J.В. Optical properties of the interface between Si and its oxide. Phys.Rev.Lett., 1979, v.43, No 14, p.1046-1050.

11. Козлов C.H., Кузнецов C.H. О центрах оптической памяти на поверхности кремния адсорбционной природы.- Изв. ВУЗов, Физика, 1981, Ш I, с.92-96.

12. Карягин С.Н., Козлов С.Н., Плотников Г.С. О генезисе структурных дефектов, ответственных за долговременную "фотопамять" в системе Ge Ge02 .- Изв.ВУЗов, физика, 1981, № 2, с.88-93.

13. Kashkarov Р.К., Kozlov S.N., Kiselev V.F. Investigation of slow surface states on real germanium surface Ъу the optical exitation technique. Surf.Sci., 1978, v.75, Ho 1,p.231-238.

14. Козлов C.H., Кузнецов C.H. Исследование заряжения поверхности кремния при освещении.- ФТП, 1978, т.12, № 9, с.1680-1685.

15. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах.- М., 1982, с.662.

16. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках.- М., Наука, 1970, с.399.

17. Mott N.F. Silicon dioxide and the chalcogenide semicon- . ductors; similarities and differences. Advances in Physics, 1977, v.26, No 4, p.363-391.

18. Batra I.P. Electronic structure investigations of two allotropic forms of SiOgJ об-quartz and p -cristoballite. In: The physics of SiOg and its interfaces. N.Y., Pergamon, 1978, p.65-69.

19. Pantelides S.T. The optical absorption spectrum of SiOrj. In: The physics of SiOg and its interfaces. N.Y., Pergamon,1978, p.80-84.

20. Ching W.Y. Theory of amorphous SiO^ and SiOx. II. Electron states in an intrinsic glass. Phys.Rev.B., v.26, Wo 12, 1982, p.6622-6632.

21. Laughlin R.B., Joannopoulos J.D., Chadi D.J. Bulk electronic structure of SiOg. Phys.Rev.B.,1979, v.20, No 12, p.5228-5237.op

22. Ciraci S., Ellialtioglu S., Surface electronic structure of silicon dioxide. Phys.Rev.B., 1982, v.25, No 6, p.4019-4030.

23. Laughlin R.B., Joannopoulos J.D., Chadi D.J.

24. Theory of the electronic structure of the Si-SiOg interface. Phys.Rev.B., 1980, v.21, No 12, p.5733-5744.

25. Martinex E., Yndurain P. Possibility of intrinsic Si gap states localized at the Si-SiOg interface. -Phys.Rev.B., 1982, v.25, No 10, p.6511-6513.

26. Кашкаров П.К., Козлов G.H., Петров А.В., Определение энергетической диаграммы структуры диэлектрик-полупроводник из спектров фотозаряжения диэлектрика.- Изв.ВУЗов, физика, 1982, № 5, с.36-40.

27. Karyagin S.N., Kashkarov P.К., Kiselev V.F., Kozlov S.N. On the nature of electron and hole traps in germanium dioxide thermally grown on germanium. Phys.Stat.Sol.(a) 1976, v.37, No 1, p.17-19.

28. Карягин C.H., Курганский А.В. ЭПР центров фотопамяти в структуре si Si02 . Вест. МГУ, физика, 1981, т.22, № 6, с.89-70.

29. Nelson С.М., Weeks R.A. Trapped electrons in irradiated quartz and silica. J.Amer.Phys.Soc., 1960, v.43,1. No 8, p.396-404.

30. Weeks R.A. Paramagnetic spectra of E2 centres in crystalline quartz. Phys.Rev.Ser.2, 1963, v.130, p.570-576.

31. Garlick G.P., Nickolas I.E., Ozer A.N. Electron spin resonance of electron irradiated germanium dioxide. -J.Phys.Soc.: Sol.Stat.Phys., 1971, v.4, No 14,p. 2230-2239.

32. Мотт H.,Герни P., Электронные процессы в ионных кристаллах.- М., И.Л., 1950, с.304.

33. Di Maria D.J. The properties of electron and hole traps in thermal SiOg layers grown on silicon. In: The physics of Si02 and its interfaces, N.Y., Pergamon, 1978,p.160-178.

34. Hubner К. Chemical bond and related properties of Si02> Y11. Structure and electronic properties of the SiOx region of Si-Si02 interface. Phys.Stat.Sol.(a), 1980, v.61, p.665-673.

35. Koster H., Iassievich I.N., Huhner K. Thermally-stimulated exitation of electrons from deep traps of insulators in electric fields. Phys.Stat.Sol.(Ъ), 1983, v.115,1. No 2, p.409-414.

36. Кашкаров П.К., Козлов С.Н. О "сверхмедленных" процессах в системе Ge Ge02 .- Изв.ВУЗов, физика, 1976, т.2, № I, с.79-86.

37. Заботин В.М., Козлов С.Н., Плотников Г.С. Влияние подслоя

38. Ge02 на захват носителей заряда в системе германий-пи-ролитическая Si02 .- Микроэлектроника, 1977, т.6, вып.4, с.359-364.

39. Козлов С.Н., Кузнецов С.Н. О "стимулирующей" роли адсорбированных молекул в явлении захвата электронов на глубокие ловушки. Письма в ЖТФ, 1980, т.5, № 7, с.410-413.

40. Кос S. Slow non-exponential changes of surface conductivity of germanium. Chech.J.Phys., 1961, v.BII, No 3,p.193-198.

41. Стриха В.И., Кульчицкая С.С. О "медленных" состояниях на поверхности германия.- Изв.ВУЗов, Физика, 1968, № II, с.122-123.

42. KozlovS.N., Novototskii-Vlasov Y.P. On the electron mechanism of slow charge relaxation on semiconductor surfaces. Phys.Stat.Sol.(a), 1971, v.6, p.345-355.

43. Киселев В.Ф., Козлов С.Н. О роли колебательных возбуждений молекулярной системы в кинетике медленной релаксации заряда на поверхности полупроводника. Вест.МГУ, Физика, 1979, т.20, № 6, с.56-62.

44. Kiselev V.F., Kozlov S.N., Levshin U.L. On the mechanism of dissipation of energy released in the capture of charge carriers to adsorptive slow states of semiconductor. -Phys.Stat.Sol.(a), 1981, v.66, Жо 1, p.93-101.

45. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Петров А.С., Силаев Е.А. О взаимосвязи фотокаталитических и электронных процессов на реальной поверхности полупроводника.- ДАН СССР, I960,т.253, № 4, с.906-909.

46. Киселев В.Ф., Голованова Г.Ф. Изотопный сдвиг квантового выхода продуктов фотодиссоциации молекул воды, адсорбированных на поверхности полупроводника.- Хим.Физика, 1982, lb II, с. 1573-1574.

47. Meier Н. Sensitization of electrical effects in solids. -J.Phys.Chem., 1965, v.69, Ho 3, p.719-729.

48. Коротков В.И., Холмогоров B.E. кн.: Фотосорбционные и фотокаталитические явления в гетерогенных системах, -Ротапринт - Новосибирск, Институт катализа СО АН СССР, 1974, вып.4, с.96.

49. Bourdon J. Spectral sensitization of chemical effects in solids. J.Phys.Chem., 1965, v.69, No 3, p.705-713.

50. Акимов И.А., Черкасов Ю.А., Черкашин М.И. Сенсибилизированный фотоэффект.- М., Наука, 1980, с.211-290.

51. Миз К., Джеймс Т. Теория фотографического процесса.- Л., Химия, 1973, с.572.

52. Ионов Л.И., Акимов И.А. Исследование зависимости сенсибилизированной фотопроводимости окиси цинка от концентраций красителя сверхвысокочастотным методом.- Ж.научн. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1974, т.19, с.146-148.

53. Goodwin Т.A., Mark P. The influence of chemisorption on the electrical conductivity of thin semiconductors.1.: Progress in surface science U.Y.,Pergamon, 1972,v.1,Part 1,p.7.

54. Гольдман Е.И., Гуляев И.Б., Ждан А.Г., Сандомирский В.Б., Хренов В.П. Эффект поля в полупроводнике с межгранульными барьерами.- ФТП, 1975, т.9, с.1376-1384.

55. Lagowski J., Gatos Н.С., Balestra C.L. Charge transfer in ZnO surface in the presence of photosensitizing dyes t, -J.Appl.Phys., 1978, v.49, Ho 5, p.2821-2826.

56. Gatos H.C., Lagowski J., Banish R. Surface photovoltagespectroscopy Applications to the study of photosensitive surfaces and interfaces. - Photogr.Sci.Engineer., 1982, v.26, Ho 1, p.42-49.

57. Акимов И.А., Бенца В.М., Спесивых А.А. Исследование связи между эффективностью спектральной сенсибилизации и взаимным расположением электронных энергетических уровней красителя и полупроводника,- ДАН СССР, 1978, т.242, № 5, с.ИОО-ПОЗ.

58. Iwasaki Т. Study of spectral sensitization process by means of photoacoustic spectroscopy. Photogr.Sci.Engineer.,1981, v.25, No 1, p.6-10.

59. Needier W.C., Griffith R.L., West W. Electron spin resonanse absorptions induced by light in the adsorbed layers of Cyanine dyers on silver bromid microcrystals. Nature, 1961, v. 191 j p.902-903.

60. Tani T. Light-induced ESR spectra of dyes adsorbed by AgBr emul» sion grains. Photogr.Sci.Engineer., 1975, v.19, No 6,p.356-363.

61. Ионов Л.Н., Акимов И.А. Исследование СВЧ методом фотопроводимости окиси цинка, сенсибилизированной красителем через пленку диэлектрика. - Ж.научн.и прикл.фотогр. и кинематогр., 1975, т.20, вып.4, с.289-290.

62. Холмогоров В.Е., Акимов И.А. О природе светоиндуцирован-ного сигнала ЭПР в бромистом серебре, сенсибилизированном цианиновыми красителями.- ДАН СССР, 1962, т. 144,1$ 2,с.402-405.

63. Kocherov N.P. On the nature of light induced ESR signal in dyed silver halide powders and emulsion containing dyes. -Photogr.Sci.Engineer., 1978, v.22. No 3. p.132-133.

64. Flynn B.W., Owen A.E., Mavor J. Dye-sensitization of the Si02 films in M-dye-SiOg-M structures.

65. J.Phys.0.: Sol.Stat.Phys., 1977, v.10, p.4051-4059.

66. Bauer W., Heiland G. Spectral sensitization of photoconductivity on the surface of zinc oxide crystals under clean conditions. J.Phys.Chem.Sol., 1971, v.32. p.2605-2611.

67. Bauer W. Experimental studies on the spectral sensitization of photoconductivity on zinc-oxide crystals. -J.Phys.Chem.Sol., 1977, v.38, p.463-467.

68. Vodenicharova M., Jensen G.H. Photosensitization of ZnO single crystals by means of dyes.

69. J.Phys.Chem.Sol., 1975, v.36, p.1241-1247.

70. Watson R.W., Perlman M.L., Davenport J.W. Effects of Madelung potentials at surface of ZnO on photoemission spectra and work functions. Surf.Sci., 1982,v.115, p.117-140.

71. Many A., Gersten J.L., Wagner I., Rosental A., Goldstein Y. Two dimensional plasma oscillation on ZnO surfaces. Surf.Sci., 1982, v.113, p.355-361.

72. Heiland G., Kohl D. Interpretation of surface phenomena on ZnO Ъу the compensation model. Phys.Stat.Sol.(a)., 1978, v 49, p.27-37.

73. Hirabayashi I., Tokura Y., Koda T. Surface exiton polariton in ZnO. J.Phys.Soс.Japan., 1982, v.51, Жо 9, p.2934-2946.

74. Ионов Л.Н., Акимов И.А. Спектральная сенсибилизация красителями фотоэффекта в узкозонных полупроводниках.- Письма в ЖТФ, 1975, т.1, В 19, с.881-884.

75. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Плотников Г.С. 0 стимулировании разрядки глубоких ловушек диэлектрика путем электронного возбуждения адсорбированных молекул.- Письма в ЖТФ, 1981, т.7, В 16, с.992-994.

76. Теренин А.Н. Фотоника молекул красителей и родственных органических соединений.- Л., Наука, 1967, с.615.

77. Левшин В.Л. Фотолюминесценция жидких и твердых веществ.-М.-Л., Гостехтеоретиздат, 1951, с.456.

78. Голозшна А.П., Левшин Л.В. Химический люминесцентный анализ неорганических веществ.- М., Химия, 1978, с.244.

79. Бахпшев Н.Г. Межмолекулярные релаксапионно-флуктуацион-ные процессы и спектры люминесценции растворов.- Изв.АН СССР, сер.физическая, 1973, т.37, с.284-289.

80. Левшин Л.В., С§лецкий A.M., Ккаков В.И. Особенности миграции энергии возбувдения в многокомпонентных спектрально-неоднородных растворах красителей.- Опт.и спектр, 1983, т.54, вып.5, с.807-813.

81. Еременко A.M., Шека Е.Ф. Особенности электронных состояний молекул нафталина, адсорбированных на цеолите.- ТЭХ, 1967, т.З, вып.З, с.390-397.

82. Еременко A.M., Шека Е.Ф., Пионтковская М.А., Неймарк И.Е. Спектры люминесценции и особенности адсорбции нафталина на различных металлозамещенных формах цеолита типа X.-ТЭХ, 1969, т.5, вып.2, с.242-246.

83. Бучнева А.И., Игнатьева Л.А., Левшин Л.В. Люминесцентный метод изучения активных кислотных центров окисных катализаторов.» Ш1С, .1971, т.15, вып.З, с.436-442.

84. Бучнева А.И., Игнатьева Л.А., Левшин Л.В. Изучение активных центров цеолитов NaX , NaY и LaNaY методом люминесцентного спектрального зонда.- Вест.МГУ, Физика, 1972, № 3, с.308-315.

85. Oelkrug D., Plauschinat M., Kessler R.W. Radiative and non-radiative transition in aromatic molecules chemisorbed on ^-alumina. J.Luminesc., 1979, v.18/19,p.434-438.

86. Благовещенский B.B., Короткой В.И., Холмогоров B.E. Люминесцентно-кинетические исследования фотохимических процессов в адсорбированных полиаценах.- В сб.: Тезисы докладов 17 Всесоюзного совещания по фотохимии.- Л., 1981, с.29.

87. Горяев М.А. Определение квантового выхода люминесценции светорассеивающих объектов.- ШС, 1982, т.36, вып.2,с.245-249.

88. Горяев М.А. Квантовый выход и спектры люминесценции красителей в адсорбированном состоянии.- Опт. и спектр., 1981, т.51, вып.6, с.1016-1020.

89. Spitler М., Calvin М. Adsorbtion and oxidation of rhodamin В at ZnO electrodes. J.Phys.Chem., 1977, v.67, No 11, p.5193-5200.

90. Spitler M.T., Calvin M. Electron transfer at sensitizable Ti02 electrodes. J.Chem.Phys., 1977, v.66, No 10,p.4294-4305.

91. Nakasima N. , Yoshihara K., Willing P.

92. Time resolved measurements of electron and energy transfer of rhodamin В monolayer on the surface of organic crystals.-J.Chem.Phys., 1980, v.73, No 8, p.3553-3559.

93. Давыдов А.С. Квантовая механика.- М. ,Гос.Изд.Физ.-мат.1. Лит.,1955, с.748.

94. Бодунов Е.Н., Ермолаев В.Л., Свешникова Е.Б., Шахвер-дов Т.А. Безызлучательный перенос энергии электронного возбуждения.- Л.,Наука, 1977, с.311.

95. Агранович В.М.,Галанин М.Д. Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных средах.- М.,Наука,1978,с.383.

96. Forster Th. Zwischenmolekulare Energiewanderung und Fluoreszence. Ann.der.Phys., 1948, v.2, p.55-75.

97. Dexter D.L. A theory of sensitized luminescence in solids. J.Chem.Phys., 1953, v.21, p.836-850.

98. Allinger K., Blummen A. On the direct energy transfer to moving acceptors. J.Chem.Phys., 1980, v.72, No 8, p.4608-4619.

99. Blummen A., Manz J. On the concentration and time dependence of the energy transfer to randomly distributed acceptors. J.Chem.Phys., 1979, v.71, No 1, p. 46944702.

100. Lu P.Y., Yu Z.X., Alfano R.R., Gersten J.I. Picosecond studies of energy transfer of donor and acceptor dye molecules in solution. Phys.Rev.A., 1982, v.26, No 6, p.3610-3621.

101. Speiser S. Novel aspects of intermolecular and intramolecular electronic energy transfer in solution. -J.Photochem., 1983, v.22, p.195-211.

102. Ермолаев В.Л., Антипенко Б.М., Свешникова Е.Б., Тачин B.C., Шахвердов Т.А. Механизм безызлучательного переноса энергии при обменно-резонансных взаимодействиях в конденсированной фазе.- В кн.: Молекулярная фо-тоника.-Л., Наука, 1970, с.44-70.

103. Беляков В.А., Васильев Р.Ф. Межмолекулярный перенос энергии в хешлюминесценгной системе окисления органических веществ в растворе.- В кн.: Молекулярная фотоника.- Л., Наука, с.70-86.

104. Powell R.C., Blass G. Energy transfer in concentrated system. Structure and bondings, 1980, v.42,p.43-96.

105. Dexter D.L. Two ideas on energy transfer phenomena: ion-pair effects involving the OH stretching mode, and sensitization of photovoltaic cells. J.Lraiinesc., 1979, v.18/19, p.779-784.

106. Попов M.M. Термометрия и калориметрия.- M., Изд. МГУ, 1954, с. 942.

107. Green R.F., Frankl D.K., Zemel Z. Surface transport in semiconductors. Phys.Rev., 1960, v.118, No 4, p.967-975.

108. Dale r.e., Bauer r.k., Concentration depolarization of the fluorescence of dyetuffs in viscosic solution.

109. Acta.Phys.Polon., 1971, v.40, p.853-883.

110. Сенаторова H.P. Влияние поляризационных свойств спектральной аппаратуры на результаты спектральных измерений.- ПТЭ, 1978, с.134-136.

111. ПО. Ляхович В.В., Москаленко И.И., Ожогин М.А., Степанен-ко И.П. Микросхема KI40 УД 13 прецезионный усилитель постоянного тока.- Электронная промышленность, 1979, вып.5/77/, с.26-30.

112. Kiselev V.P., Matveev V.A., Prudnikov.R.V. The proton mechanism of neutralization of surface recombinationand fast capture centres on germanium. Phys.Stat.Sol.(a), 1978, v.50, p.739-744.

113. Liang Y., Ponte Gonsalves A.M., Negus D.K. Picosecond fluorescence lifetime measurements on dyes adsorbedat semiconductor and insulator surfaces. J.Phys.Chem., 1983, v.87, No 1, p.1-4

114. Киселев В.Ф., Крылов O.B. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков.- М.,Наука, 1978, с.256.

115. Демидович В.М., Кашкаров П.К., Козлов С.Н., Плотников Г.С. Электрофизические параметры границы раздела германий-анодная двуокись германия.- Изв.ВУЗов, Физика, 1977, вып.8. с.144-146.

116. Киселев В.Ф. О путях диссипации энергия, выделяющейся в актах адсорбции, захвата и рекомбинации носителей заряда на поверхности.- В сб.: Материалы 17 Всесоюзной школы-семинара по физике поверхности полупроводников." Л., Изд.ЛГУ, 1979, с.7-22.

117. Повхан Т.И. Релаксация заряда медленных состояний на поверхности окиси цинка.- S. научн.и прикл.фотогр. и кинематогр.,1974, т.19, В 3, с.221-223.

118. Garoff S., Stephens R.B., Hanson C.D., Sorensen G.K. Energy transfer and electronic interactions between dye molecules at in interface. J.Luminesc., 1981, v.24/25, p.773-776.

119. Garoff S., Stephens R.B., Hanson C.D., Sorensen G.K. Surface interactions of adsorbed molecules as probed by their optical properties. Opt.Commun., 1982, v.41, No 4, p.257-262.

120. Hayashi Т., Castner T.G., Boyd R.W. Quenching of molecular fluorescence near the surface of a semiconductor. Chem.Phys.Lett., 1983, v.94, No 5,p. 461-466.

121. Список использованных сокращений

122. А акцептор энергии БС - быстрые состояния Д - донор энергии ДП - диэлектрик-полупроводник К - краситель

123. МДП металл-диэлектрик-полупроводник

124. МСД медленные состояния диэлектрика

125. МСГ медленные состояния границы раздела03 оптическое заряжение

126. ОПЗ область пространственного заряда

127. ПЗС поверхностные электронные состояния

128. PC рекомбинационные состояния

129. СС спектральная сенсибилизация

130. ТСП термостимулированная проводимость

131. УФ ультрафиолетовое облучение1. ЕП эффект поля

132. ЭПР электронный парамагнитный резонанс