Фотостимулированные процессы газовой эпитаксии узкозонных полупроводников тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РГ6 од

АКАДЕМИЯ НАУК АЗЕРБАЙДЖАНА 1 1 \t\ft «опо

ОРДЕ НА..ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТА ФИЗИКИ

На правах рукописи

МАМЕДОВ ТОФИК САФАРАЛИ ОГЛЫ

УДК С21.315.592'

ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ ГАЗОВОЙ ЭПИТАКСИИ УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

(01.04.10—Физика полупроводников и диэлектриков)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

БАКУ—1993

Работа выполнена в Ордена Трудового Красного Знамени Институте физики АН Азербайджана.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, академик АН Азербайджана Алиев М. И.

доктор физико-математических наук, профессор Лашкарев Г. В.

доктор физико-математических паук, профессор Гусейнов Э. К.

Ведущая организация—Институт полупроводников АИ Украины

Защита состоится » ¿¿/ъ/)^/^ 1993 г. Ц^О час,

на заседании Специализированного Совета Д 004.04.01 по защите диссертаций на соискание ученой степени доктора физико-математических наук при Институте физики Академии наук Азербайджана по адресу: 370143, Баку, пр. Азизбекова 33.

С диссертацией можно ознакомится в библиотеке Института физики АН Азербайджана.

Автореферат разослан « » ^¡^¿^^¿з... 1993 г.

Ученый секретарь Специализированного Совета доктор физико-математических наук,

профессор ШАФИЗАДЕ Р. Б.

- 3 -

Общая характеристика работы Актуальность твмы:

В последнее время есе больший интерес проявляется к неиспользованию нетермичвеких способов воздействия на технологические параметры с целью снижение температуры проведения процессов роста и избирательного стимулирования отдельна* стадия реакций. Достаточно указать на работы школы академика Н.Г.Басова,которые являются приоритетными в этой области по применению резонансного воздействия ИК - лазерного излучения на колебательные степени свобода молелекул с целью избирательного стимулирования химических реакций, происходящих в газовой фазе. Это направление получило название лазврохими-ческого синтеза. Однако, в выполненных ранее работах не ставилась задача экспериментального исследования механизмов влияния электромагнитного излучения на процесс газовой зпи-таксии полупроводников сложного состава. Возникающие при этом явления носят сложный, многофакторный характер и в значительном мере дальнейшее развитие исследований сдерживалось существующими неясностями о механизма влияния электромагнитного излучения на различный кинетические аспекты процессов рост« полупроводников. В целом можно сказать, что в последние годи начало свое становление новое важное направление в-технологии микроэлектроники - применение стимулирующего воздействия электромагнитного излучения на процесс роста и свойства полупроводников.

Для установления механизмов воздействия электромагнитного излучения на параметры процесса газовой эпитэксии палу

проводников необходимо было выяснить спектральный состав дапствуюаого излучения, ответственного за положительные эффекты, установить объекты воздействия, т.е. выяснить характер влияния электромагнитного излучения па состав газовой фазы и на поверхность растущего слоя, выяснить возможности электромагнитного излучения для управления свойствами эпитаксиаль-ных слоев полупроводников.

Успешное разрешение указанных проблем открыли <5н широкие возможности для решения ряда практических задвч в области оптимизации процесса эпитаксии узкозонных полупроводников, среди которых особенно большой практический интерес представляют твердые растворы теллурцца свиниа - олова как материалы обладающие высокой чувствительностью к инфракрасному излучению и пригодные для изготовления фотоприемников, и перестраиваемых инспекционных лазеров. Известно, что выра-аиванио узкозонных полупроводников с заданными электрофизическими свойствами представляет задачу значительной техноло-чоской трудности, поскольку, согласно диаграммы состояния, эпитаксальныэ слои полученные сушствущими методами являются сильнодефектными с высокой кониентраииеп нсс,ителоя

4 о о

тока 10 см ), которые нэ обладают фотопроводимостью и но люминесшруют.

Одним из способов выращивания этих материалов с заданными свойствами является легирование соответствующими примесями. В связи с этим предстаалет несомненный научный и практичзския интерес применение электромагнитного излучении для легирования узкозонных полупроводников, что является одним из основных путоа повышения надежности работы оптозлек-

тройных приборов и в тем врэмя это одна из наименее разро-ботанных проблем в данной области. ' :

Установлена механизмов воздействия электромагнитного излучения на процесс газоаой эпитаксии позволит решить проблему отклонения состово от стехиометрии в соединениях переменного состава и создать новые методы управления отклонениями от стехиометрии.•• •«

Нерешенность указанных проблем о^ясняется отсутствием комплексных исследовании этих явлений- Поэтому продстааля-лось весьма актуальным исследовать механизмы влияние элок-тромагиитного излучения на процессы газовой эпитвнхии и свойства узкозонных полупроводников. :

Гошинио перечисленных проблем составили основу нового научного направление развиваемого в настоящей работе, связанного с применением стимулирующего воздействия электромагнитного излучения на рост и свойства полупроводников. Ц&ЛЬ £Я0оти._

Целью диссертационной работы явилось устокозлениа особенностей протекания физических процессии при газовой эли-таксии в условиях электромагнитного облучения и разработка на их основе оптимально режимов роста слоев и структур узкозонных полупроводников с заданными свойствами.

Л1:я достижения этой цели необходимо было решить следующие задачи.

1. Исследование влияния электромагнитного излучения и его спектрального состава на следующие технологические параметры процесса газовой эпитаксии и свойства выращенных эпитак-сальных слоев узкозонных полупроводников:

- с> .

- скорость роста узкозонных теллурйдон,

- пороговая температура зпитиксии,

- отклонение) составе от стехиометрии,

- состав гезевоп фазы теллурилн скиний и ртути,

- степень совершенства кристаллической структуры,

- степень легирования узкозонных полупроводников

2. Исследование структурных электрических, фотоэлектрических, люминесцентных свойств эпитаксиэльннх слоев и структур внра-

. raeHHUx.ii условиях электромагнитного облучения

3, Оптимизирование условия роста воздействием олвктромягнит-ного излучения гетероструктуры на <х;ноне твллуридя свинця-алова с повышенным квантовым выходом лнминесиениии и высокой фоточувствительностью дщя изготовления инядакиионннх лазеров и фотодиодов в ИК области спектре.

Объекты и методы исследования.

Объектами исследования являлись узкозонные полупроводники типа НдТё.РЬТе и твердые растворы РЬ^^Те (Скх\0,22). Были получена эпитаксиальные слои, и структуры на основе тол-лурид свинца - олова легированных.индием в условиях электромагнитного облучении, обладахицими следующими периметрами:

. «о „л

концентрация свободных носителей заряда р -• 10- см - п-1,3-Ю^см-3, подвижность м „ 102-8 104смг'/в с, концентрация примеси индия М1п=0-2,7ат&.Эпитаксиальные слои РЬ1_.х?пхТе: (Гп) с повышенным квантовым выходе« люминесценции и высокой фо-> о-чувствителькостьга были использованы в качестве активных слоев инжекиионных лазеров и фотоприемников ИК излучения. Методом фотостимулировзнноя гаэовон эпитакеии (ФСЭ) исследовано влияние спектрального состава электромагнитного излечения на

процесс эпитаксни; установлены механизмы влияния электромагнитного излучения на кинетику рста слоев и структур на основе узкозонных полупроводников. Для исследования физических свойств вираканных слоев и структур применялись мотода: ронтгоноспектральный анапчз на установке "СошеЬок", и МАР-2, ронтх'оноструктурш(й анализ'ии установке ДРОН - 2, Электрон-шл^фичоскии,металлографические и злоктронно-микроскопичос-кио; избирательное травление для определение плотности дис-локаыип, эффект Холла; ВАХ и ВФХ гетьроструктур; оптическое поглощении и отражение, фотопроводимость, фотоэлектрадагнит-шт зффокт и котодатаинесцениия. Метод измерения оптической плотности паров для исследования влияния электромагнитного излучения на состав газовой фазы о процессе <ТСЭ. Научная понизив. - '

Мптодом измерения оптической плотности паров в процессе фотостимулировянной эпитаксии впервые установлено влияние электромагнитного- излучения на состав газовой фазы уакоаоннцх полупроводников.

Установлено, что рост узкозонных полупроводников в условиях электромагнитного облучения происходит с участием свободных атомов и носит безОарьерный характер

Впвркыо показано, что за фотодиссоциаиига молекул РЬТэ, ■• 5пТо, НуТо и То2, приводящую к образованию свободных атомов в газовой фазе вблизи и на симой поверхности роста в процессе зпитнксии-ответственна УФ часть спектра излучения.

Установлено, что базберьерный характер процесса роста в условиях электромагнитного облучения при наличии свободных атомов приводит к увеличению скорости роста ь снижению тем-

\

поратуры зпитвксии

Показано, что под воздействием электромагнитного излучения на поверхности роста, при газовой эпитяксни узкопонных полупроводников, образуется гюторхностный заряд, приводящий к эффективному увеличению скорости роста слоев за счет поля" ризяиионных сил.

Установлено, что качество кристаллической структуры выращенных слоев узкозонных полупроводников зависит от интенсивности излучения. Существует оптимальный интервал интенсивности, обеспечивающий высокую монокристалличность выращенных слоев, вне которого создаются благоприятныв условия для образования кластеров приводящих к росту поликристаллических слоев.

Показано, что импульсное облучение, при газовой зпитвксии, приводит к увеличению скорости роста и улучшению совершенства кристаллической структуры эпитсксиальных слоев узкозойных полупроводниов в следствии термооптичоского эффекта - роста плотности конденсированной среды под воздействием импульсного акустического паля.

Установлено.что возбуждением кристаллизирующихся атомов в газовой фаза, при эпитаксии соединений переменного состппа (Нд в НдТе), можно управлять степенью отклонения состава от стехиометрии .

Возбуждением атомов примеси индия в процессе фотостиму-лированного легирования • впервые получены зпитаксиальше слои РЬ1_х5пхТе (х =0,18 - 0,3) с концентрацией индия до 2,7 ат.%.

Показано, что введением индия, в теллурид свиниа' -

слово можно изменять концентрацию свободных носителей заряда в широких пределях (от р - 1019 до Ь - 1014см~3) с инверсией типа приводимости в процессе фотостимулированного легирования.

Установлено, что суцоствувт оптимальный интервал концентраций свободных носителей (1016- 101®см~3) соответствующих концентрации индия 0,3 - 0,65 ат.* с максимальным квантовым выходом люминесценции и' фотонувствителы ¡остью ■

Й эпчтпксиальных слоях РЬ1.хЗпхТе (х=0,2 - 0,3 ) легированных индием с низкой концентрацией свободных носителей зарчда обнаружены новые особенности электрических свойств: резкое изменение удельного сопротивления, концентрации свободных носителей згфяда и их подвпростой с темпераратурой ( вблизи ЮсР К пир меняется на восемь порядков, м- характеризуется максимумом)- '

- Но <х:1юии контакта моталл-эпитякснальнып слой РЬ^_х5пхТе (х-Г),12 - 0,22) легированных индием в условиях ФСЭ созданы фотоцииды с обннружитальноп способностью, ао.пьтнаттной чувствительностью и квантовой ЭЭДЮКТИВНОСТЬЮ. Пригодных ДЛ я практического применения.

Практическая ценность работы.

На основании результатов исследования механизмов влияния электромагнитного излучения на процесс роста узкозонных полупроводников, предложен новый мотод управления отклоненном о" стехиометрии в кристаллах переменного состава путем селективного иозбуждонич излучением кристаллизующихся атомов, обеспечивающим их перевод ь мвтастьбильные, химически активные состояния. Способ применен для изготовления слооп

'■'"■■■■-■ 10 -

Ноте с заданным отклонением состава от стехиометрии. На способ получено авторское свидетельство.

Разработан способ выращивания совершенных монокристаллических слоев и структур на основе РЬ^^г^Те, легированных индием с управляемыми электрофизическими свойствами, обладающими повышенным квантовым выходом люминесценции и высокой фоточувствитольностью, пригодных для изготовления лазеров и фотоприемников, работающих в области 4,5 - 17 мкм (77 К>.

. На предложенный способ получено авторское свнднтельство.

Созданные фотодиодные структуры металл - Р^.^Зп^ТеОп) и инжакционнив лазеры с активным слоем РЬ^^Те : 1п с повышенным кзантшим выходим широко применялись в спектроскопии высокого разрешения в спектрометрах для контроля за чистотоя атмосферы, а также в научно-исследовательских работах в качество источников и приемников в ИК области спектра ГОИ им.С.И.Вавилова, !ШШ>, ИОФАН, М № и в институте Фотоэлектроники АН Азербайджана в течении 1979 - 1988 гг.

Разработанные методы выращивания эпитаксиальных слоев и структур на осуэве РЬ1_х5пхТе (1п) внедрены в ГОИ им.С.И.Вавилова и институте Фотоэлактроники АН Азербаядаанэ.

Основные положения, выносимые на защиту.

Основную роль в воздействии-электромагнитного излучения на процесс газовой зпитаксии узкозонных теллуридов играет ультрафиолетовая часть спектра излучения 5 0,45 мкм) вызывая фотодиссоциациш молекул (РЬТе, ЭпТе, НдТе, Те2) приводя к образованию свободных атомов в газовой фазе вблизи и на самой поверхности роста и к появлению безбарьврнк'о, без-активаиионного роста кристаллов.

- II -

Мгшшизмн фотостинулированной газовой эпитаксии узкозонных полупроводников сводятся к следующим эффектам: и) увеличению скорости роста узкозонных толлуридьа в средней на порядок.

а) улучшению совершенства кристалличаской структур» эпитак-сиил.^шх .СЛ1ЮН, характеризующихся пониженной п сродном на порядок, но срагяюпию с подложками плотностью дислокации н) сниданию порох'онои температуры эпитаксии до 0,3 чимпо-рптурл гитшшння оснвдиеного соединения. Дли ^.Зп^То (О 5 к 5 0,3) томпаригура эпитиксии снюкана на С!50°С, дли НдТо - на 2Ь0° С.

г) возможности управления отклонением от стехиометрии в кристалл«* порамииного состава, путем создания напученном хими-шгки октишад состояний соответствую!»« атомов в га-зоооя фаза.

д) управлений сты:оныо'.чагнроаан«я узкозошил полулрозоднккоа путем аозбулдожия атшоп логируюг»й придаем я газовой фаза.

М/юдш >!*т*?тшумрошшой эпитаксии удается получить глин и структур» на деист теллуркдэ спницо-шова с кониин-•граиикн нндни иИчть до 2,7 ат.%, с коаионгрынюй свободных ш*:иге «Ы от Р- Ш1Э см"3 до рекордно низкой п- Ш^см"*3, о оптимальной областью концентрации свободных носителей, обла-днюихн 1 повнаоннш квантовым игходом лгсмчнесцонции и фоточув-апип'.и-и'-апп.

На оснт'1'- мтшеиальтя слоев и структур теллурида свт1Шг-оло«и содержащих оптимальные конивнтрниии примеси индия можно сводить: высокочувствительные фОГЦДИОД! 0)нн-мвкс-'онинй ' дакдар» с. лопш«жш<м квштотж шходгм ж«и!лн!-

110НЦИИ

По совокупности, изложенные в диссертации научные положения является рязвитиом нового научного направления в тпхонологии создания элементной базы в интегральноп опто- и микроэлектроники - применении стимулирующего воздогютвия электрона;» нитного излучения на процесс роста и.свойства полупроводников.

Апробация работы.

Результаты работы докладывались на Всесоюзной ко»}о-рениии по активированным процессам технологии микроэлектроники ( г.Зеленоград, 1975), не VII и К научно техническсм совещании по тепловым приемникам, и флтоприемнихем tr .Москва,' 1S76, 1982), на Всесоюзном семинаре "Тонкие плонки и эпи-таксиальные слои узкозоиннх полупроводников"Сг.Львов,1977), на Всесоюзном семинаре по проблеме "Примеси в полупроводниках с узкол запрошенной зоной" (г.Дрогобнч, 1978),на lit Миж-дународной конференции "Физика узкозонных полупроводников" (г!Варшава, 1977), VI Всесоюзном симпозиуме по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам (г.Львов,1983) Всесоюзной ко.-(фврениии по физике полупроводников (г.Баку, 1982), Международной ко1£ерен;ши "Оптоэлектроника-ЭП" (г.Баку, 1Ш9), на I и 111 Всесоюзном симпозимума по лазерной химии (г.Звенигрод, 19S0, 198S),'Всесоюзном • наяном семи««?* " Многослойные структур на основе узкозонных полупроводников (г.Нукус. 1990), V Всесоюзной конференции по физические процессам в полупроводниковых гетероструктурвх (г.Калуга,1930). И Всесоюзной конференции по "Фотоэлектрическим яалониям и почунроводниках" (г.Ашхабад, 1931)', семинарах лнборатории

Физики полупроводников 4ИАН (г.Москва) и института Физики АН лзорбаидмлш.

Основной содержании диссертации излсивно в 35 печатных работах, опубликованных В центральных, зарубежных И республиканских журналах и материалах конференция, включены в научно-технические отчеты по IMP ИФЛН Азербайджана за.1300- -198Т. Получено пять авторских свидетельств.

Структура и обы.'М диссартннии. Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов, списка нити(.уомои литературы. Она изложено Н8^_Г"странииах мншино-

нописного текста, ¡¡клмчоату^? рисунков,таблиц и библиографию на2£Фшинено!1пний.

Лиссиртаиионная работа ьыполнена в 1975 -1991 г. в 441ЛН им.11.Н.Лебезив и в И-iAH Азербайджана согласно плану научно--И( »¡польских работ, утвержденного АН СССР по теме

"риарботка методов виракивания авто и готороэпитак

силл пленок полупроводников и их физические исследования"

1 и и .¡ну координационного совета АН Азербайджана по теме "По

лучени» зпитпксинльных структур-на основа сложных полупроводники) iaivBv1 ) и исследование их оптических-свойств" Гос.per. ШКЕШЬО и "Исследование элоктронронных и ионных процессов в структурах на основе кремния, лазерных гетроструктурах на оснопо узкизонных tKU!ynp0b0t*hhk0ii(PbSnTe,PbG0Tc) и халько-гвнидон меди" Гос.рог.$01 .8Г>. 00-12391'.

- 14 -

Основное содержании работы.

Во введении обоснована актуальность научного ннпрчмо-ния использования злпктромагнитного излучения п 'процессах газовой эпитаксии узкозонннх полупроводников, приведено обоснование шбраиноо теми и объектов исследования, отпячена но-с визна, научная и практическая значимость работы, (формулированы пол сияния, выносимые на защиту.и кратко иплгмино содержание диссортаиии.

В первой глапе приводен обзор основных литературных данных по теме диссертации, посвявюнных использованию электромагнитного излучения, его влияния на рост из газпроп фазы эпитаксиольных слоов , (Зе,'6аАз, РьТе. Однако, вгони-кашщио при воздействии излучения явлонии сломай и мнсччфпк-торны, а работы, посвященные этому кругу вопросов, носят нозавэриенныа. незаконченный характер. К моменту постоншки настоящей работы в литературе отсустоовели исследования механизмов влияния на рост элитаксиальных слшп полупроводников типа А1 и А1 , в том числе.и узкозомных. В связи с этим представлялось научно-обоснованным изучение механизмов влияния электромагнитного излучения ня проиесс роста и сеопства узкозонннх палупроводников. В качестве объектов исследования были выбраны узкозонные теллурилу НдТе, РЬТе, РЬ^^Те, которые представляют бач.ыоя практический. интерес как материалы, пригодные для сохдвния перестроевнмнх. 'мнжакнионнкх лазеров и фотодиопс« ИК - излучения. . .

Во' иторой глава - • приводится описание установки для исследования 'влияния излучения нз процесс роста эпитаксиа-1ьннх.

слоев узкозонных полупроводников.

Для выращивания эпитаксиальных слоов использовался ripouocc сублимационного персжоса вещества чореэ газовую фазу от источники (шихты) к подложке, между которыми создавали шределенный грндиент температуры в квазизамкнутом объема кварцевого реактора в атмосфере водорода. Установка содержит слидувде основные узлы: источник излучения, систему нподв излучения в реакционную камеру, технологическим |И1<жтор дли выращивания эпитаксиальных слоев в условиях электромагнитного излучения. ■ .

Е качестве источника излучения испс .ьзовали дуговые ксе-hohowjo лампы высокого дввления типа ДКСР-3000 и ДКСР-10000, днюйте иалучиние в интервале длин волн 0,2-1,5 мкм, причем 10« мощности нахо^тся в .УФ ' - диапазоне,. 353 - в видимом, &5S - в ЙК - диапазоне. Для исследования влияние споктряль-ного c.cxjTana источника излучения на процесс эпитаксии нами были использованы енотовые фильтры для выделения отдельных частей спектра. Фокусировании свитового потока достигается с помогли эллиптического отражателя.

Для исследования механизмов влияния электромагнитного излучении на процесс газовой эпитаксии узкозонных полупроводников было применено совместное воздействие импульсного . УФ-лазерного излучения (азотный * -0,337 мкм и неодимовын л ~о,ЗЬ мкм, мощностью Ю4 - 105 Вт/мм2, длительностью им-пулы-а 10~®с) и непрерывного гелий кадмиевого лазера (х = 0,44 мкм, мощностью 10 мВт ).

Особенностью технологического кварцевого апнарнта является наличие одного'или нескольких . окон из оптически

, > 16 -

прозрачного кварца, позволяющих вводить излучтша в реакционный объем и. исследовать состав газовой фазы и наличие отростков с независимо контролируемыми температурами для введения примесей и компонентов во прамя процесса роста.

Также излагаются технологические схемы процессе фсгго- <? стимулированной зпитексиии РЬТе, РЬ^_х5пхТе легированного индием и Ну То. ..

Проведенные исследования показали, что спос<х5 локирования из независимого источника является более технологичным и воспроизводимым и дает возможность плавно менять концентрации легирующая примеси в эпитаксиальных слоях с помощью изменения температуры источника с индием. Зтим способом были получены различнее гетероструктуры на основе легированных индием, КдТе -МТс, рьте- рь^со-де пригедн1<х для изготоаления инжекиионт« лазеров и фютоприемников Ж -излучсжия.

в третьей главе приводятся основные результаты по изучению влияния стационарного и импульсного излучения на процесс газовой эпитаксчи уэкозонных толлуридоэ. Скорость роста и- кристаллическая структура слоев выращенных в условиях электромагнитного облучения различного- спектрального диапазона приведена в Таблице.

Из приведенных данных видно, что электромагнитное облучение приводит к существенному увеличению скорости роста и улучшению кристаллической структуры эпитаксиальных слоев изучаемых соединений. Исследование состава ,ляровой фзы; методом измерения ;оптической плотности парон в процессе сублимации в условиях свотозого облучения показало, что

Диапазон излучения попадающего на подложку, мкн Зпит.слой - Под-лотка ВаГ2(Ш) Скорость роста мкм/мин Структура слоя

0,25 -1.4 РЬТо.РЬХ.хБпхТе 2,2 монокристалл

Ну То 2,5 монокристалл

0,25 - 0,4 РЬТн.РЬ1.х5пхТе Нота •6 15 не контролируемый рост не контролируемый .рост

0,39 -1,4 Р0Та.РР1,х5п)<Те 0,53 монокристалл

НоТо 0,03 монокристалл

0,7 - 1.4 . РЭТо.РЬ. ■■,,5п„То 1 " л ' л 0,7?, . монокристалл

НуТе 0,5 ' монокристалл

0,25 -1,4 РЬТо 3,5 монокристалл

и непрерывный днзир 0,44 РЬ^^То з ■ монокристалл

0,2!) - 1,4 и импульсным пн:шм 0,337. РЬТс рь1-х5пхТе 4,8 4.5 монокристалл монокристалл

0,?.Г) - 1,4 1йлучение только газовой фазы РЬТе .0,35 поликристалл

эпитаксия без облучения РЫо рь1-х5пхТе 0,2 ОД мозаичный монокристалл . мозаичный монокристалл

оптическая плотность паров РЬТе в условиях • облучения по всем исследованном интервале температур ме.ныге, чем беэ облучения, что является экспериментальным доказательством фотодиссяиии молекул Р№>, в-ячниктотей п<«д ■нкимнивм снвтьс 0,45 МКМ.

На основании экспериментального исследования механизмов влияния светового излучения на пропнсс эпитакони пре плодам« модель роста узкозонных полупроводников с участием споболннх атомов.

В отличив от реакций меэдцу молекулами, реакции в газорой фаса сг участием свободных атомов и радикалов имект базбарьерный характер. В этой связи присоединение свободных атомов к поверхности С' увеличением .числи атомов должно заметно улучшаться условия роста кристалла.

Как было показано экспериментально, основную роль в ускорении роста кристаллов играет УФ часть излучения. Уменно УФ ч«сть спектра и является ответственным в порвун очередь за образование свободных атомов в газе двухатомных молекул РЬТе и Те2 (для РЬТе Еднос>» 2,7 эв, для Те2 Едисс>=2,8 эа.}. Количество свободных атомов определяется соотноавниом: 1уф.' -<>кЛ> . . .

где « - коэффициент поглощения для УФ - излучения с Е >

. и интенсивностью I..,. , о - сечение рекомбинации, .цисс«• Уч • рьк«*

Ыд и Ыд'- концентрации свободных атомов, ? - эффективность !!{К»ОбрЯЗОВЯНИЧ у.пьтп^ио.прт^ных квянтон в •свобпднчх «томах, и - средняя скорость маипкул газа <"-!х -. коэффициент доЗД-уэни. • Показано, что если образующиеся 'сиобс-дньч» атомы . СбК'.гаааян.г' величину от числи молекул, рост кристалл-® -за

- 19 -

их счет становится определяющим.

Электромагнитное излучении оказывает влияние и на поверхность полупроволникп.

Образование не поверхности полупроводнике понерхностно-го заряда мод влиянием электромагнитного излучения приводит к элективному увеличение полиризлкиотгдс сил, действующих на молекулы,подлетающие к поверхности. Это дает дополнительное ускорении тангенциальной скорости рост я эпитлкгия.льннх слогл). При различных поверхностных дефоктех ( и;ш.мах, сту пеньках, углублениях) возникает сильное электрическое поле и следовательно, больная скорость роста, что приводит к улуч-пении совершенства кристялличпскоп структуры слоен.

На основании исследования механизмов влияния излучения на проиосс роста кристаллов нами предложен новый способ выращивания кристаллов и слоев соединений переменного состава с заданными отклонением от стехиометрии.

Сущность способе заключается в том, что в любуы технологическую схему выращивания кристаллов или 'слоев из газовой фазы включчргг операции облучения зоны роста электромагнитным излучением с интенсивностью и спектральным составом, обеспечивающих селективное -возбуждение кристаллизующихся атомов выбранного сорта и тем самым целенаправленно изменяют число возбужденных атомов, входящих в кристаллическую решетку осаждаемого соединения. .

Предложенный способ был применен для получения эпитаксиальных слоев п-НдТе и п-РЬ-.^п^е легированных индием.- Излучением с > .=0,25 мкм (Е=4,67 эВ) а темы ртути возбуждаются в мвтзетабильное состояние, а '.атомы индия - с

0,41 МКМ (|"= 3:1В). Пили получены эпитиксинльпыв сжж Н^Ти п-

ТИГП ПрОВОДИМОСТИ И П-РЬ^ ЙП^ТО ЛеГИроНаННЫХ ИНДИСМ, ОбЛ(1 ДМНЩИХ ЭЛЕКТИВНЫМИ ЛЮМШШрЦОНТНиМИ И фотопронодищими ОВОЙ-СТВамИ.

Шшриыи ■ проводано исследование влиянии лазерного, излучения на процесс газовой эннтиксии узкозонних полупроводников. Условия эксперимента" позволяли вести эпитаксииш как в отсутствии облучения ксеноновои 'лампой, так и при облучении лазером и лампой.

Были получини монокристнл^ические энитаксияльныо слои повторяющие ориентацию подложки.(см. Таблицу ). ■

В области лазерного питна скорость роста РЬТа и РЬ, ^п^г: (1.п),0шш во всех случаях существенно ьшх> чем при облучении только лампои. Скорость роста РЬТи при ^.лучении только лампой 2,Ь мкм/мнн; при испшьэовмнии лампы и импульсного лазера скорость роста уншшчинжнся до 4,8мкм/мин.

Механизм влияния импульсного, УФ лнзьри "а процесс эпитаксии узкозонних полупроводников, наряда (! образованием свободных атомов, обусловлен возбуждением в конденсированной среде акустического поля за счет импульсного лазерного излучения. . Источником акустической полны является область поглощения света, В результате изменения ее плотности возникает импульс давления. Этот процесс может происходить 'при.неизменном агрегатном состоянии'вещества (термооптический эффект) или сдарпвсиздатся фазовыми превращениями, оказывающими -существеиное влияние,на величину давления. ВоличИна давления, возникающая за счет термооптического эффекта дается ■ соотношением :

- -

Р<1-> = (/> * -Ср> Та) - (/»•--Срг1р) I (I) где /!-ког»]фииигжт теплового расширения, ^ - КОЛ<||[|И[.1ИПНТ ТОИЛОПрОВОДИОСТИ,

"р - К'>Г»{фН[|ИПНТ ПОНЛОЦ^НИЯ ,ср - УДПЛЬНЯИ теПЛООМКОСЛЬ Т- температура , I - интенсивность излучении. Опенка но порядку поличины для типична значении иг.сло дуомнх вршг.стп ( Г'-Ш'^гряд"1; а- 0;г! кял/.м с гряд; ср -0,1

г 1

кил/г-гряд, «р - 10' см ) и по параметрам лазерного

7 о

излучения, приведенных выше дает величину р _ 10 дин/ом''.

Таким образом, наблюдаемыми на эксперимент отличительными особенностями действия импульсных УФ лпзорои (совместно с лампой) явпяется высокое качество понархшх-.ти, уменьшении числя десктоп кристаллической структуры и увеличение параметров кристаллической регсятки, различное легированно при действии лазера и в ого отсуствии и получение иеп--ланяринх образований - бугорков. :

Ътвч зячагилротся модв.пипопаничч кинетики роста трехк'мпонрнтнмх криск зллов в условиях электромагнитного облучения газовой (разы с образованием свободных нтомов когда рост эпитаксиальных слоев носит бозбарьпрный характер. Приводятся кинетические размеры и условия существования прниопитэтов которые являются эффективными центрами бчзнзлучателыюй рекомбинации в узкозонных полупроводниках.

В четвертой главе . приводятся свойства эпитаксиальных слоев и структур на основе РЬ^Зп^е, легированных индием, выращенных методом ТОО.

Исследование плотности дислокаций в зависимости от концентрации' введённого индия и от материя чя. • пол»<ч*км

показало, что оо всех исследованных случаях плотность диг юкипни* н эпитаксиальном слое существенно меньше, чей и подложке, вследствие особенности роста н условиях электромагнитного облучения. Например, при средней плотжхгги дисло-

г.

кании в подложке 1■10см , плотность дислокации в эпитак-

л - ?

опальном слое составляла 1-иг см" '.

Холлоиские измерения концентрации ~ носителем заряда эпитаксиальных слоев при 77 К показали, что индии, шюдешнш в слои и, интервала кониетраиии от 0 до 0,Ь ат.% является Доноржж примесью. При дальнейшем увеличении концентрации <>т 0,<У лт.Х индии висту;мет как акцептор , понижая-коншнтрмцил электронов до 1,310 см~1\ Таким образом,индии а указан ном интервале концентрации проявляет нмфотерные сниистиа.

Сопостшшжио здиисимости ходлшских кошшнтрииип и подвижное гкп носителей заряда позволяет ирилполч^ц-), , что индии, будучи донором , занимает вакансии подрешетки металла. Проявление акцепторных .свойств индич связано, по-видимому, с бамш 'сложным - механизмом ого ихоадтин » кристаллическую решетку.

В слоях РЬ^а-^То (I п ) , выращенных на изолирующих подложках ВаГ.,, были исследованы температурное з>|ниг;им<>стн концентрации, подвижности и удельного сопротивления. В слоях №[-) 7(^0 ' содержащих индии 0,в «т.2 при Г* 100 К били

обнаружены аномальны» изменения удельного сопротивления,концентрации носитилип заряда и их подвижностей и высокая фоточувствительность при Т-- 20 К, которая сопровождается остаточной фот оп роводимг к'- т ью.

- -

F? результате измерении полуширины ронтпжодифрпкиис-нннх кривых (к-'лс) и криви* (л-..) качания нподэио, что структурное СОВПрШВНСТВО легировании индиец слоев находится ия уровне

ЛКМИНППШруюПЦО! *НДКПф.ЯЗНЧХ ППИТЯКОИЯПЬННХ Г.ЛПОВ, ПНрПНПННВД! !» раШЮЖЧ'НЫХ условиях. .

П пя; огм^л.тпе приведены результат исследования л*мм-нпсипнтних характеристик стоп Рц xSnxTn ( х-.Г).1В П,Р.Р. ) легированных индием il npo'inocn ÎC3.

Пикяпшю, что Фотосткмулирдалнноо легирование индием прод< л нрч'ияпт и твердых растворах Pbj_xSnxTr> не талько внвядонио преципитатов , но и сусяст панно у/хмичипоят квянтовып выход люминесценции вследствие уменьшения концентрации термодинамически равновесии вакансий.

Тпк, исследование зависимости мнтвг^шьнод интенсивности „игмш^г.помиии от концентрации носителем легированных ин ■ .пипм с.?«'в ГЦ î»i47f? ( х-0,?0; П.P.P.) показал-что «полемw индияинтг'[1"!!.пе кпи'тчтряиии от (¡,3 до 0,55 ят.Х уволичи вяет п сродном на п'-рчдок хвянтояый выход •ля'мимесиенпми по Сравнении <; Н9'Л9ГИр>ПЧШ»М слоями, внрлсюиннми в ЯПОЛЛГИЧ-нчх условиях.Кроме того материал Те '<х -0,2; 0,?,?. ),

легированный индием в Интерполе 0.3 -0,55 эт.л, обладает высокой фоточувстйитадьм->отьп.3ги слои били использованы в качестве активного ело« идапкиионннх лазеров и для изготовления фотодиодов. Для сознания июкекиионных лазеров методом ФСЭ были изготовлены гптроструктурн г активным слоем узко-зомчо»'''- Sn Те' легированного индипч с рогодаиннм кв8»то-в;;м •«.-••М'*" ж^мкесвяниии. .Pbj ГУ? Те (0 < > « .0,1 ) т-ucre был использован /у.я создания инжркционннх лязе-ров излучин*«*

н области 4,!j - G,5 мкм. Эти jm'it'pu придстничяют иптерис дли ряда задач' лазерной спектроскопии, и часпичли. дли коытрсиш содпр'кнния я )jim.x,|o;xj основных загрязня^-оух ее газов (СО,НО, S0?) полосы поглошнинкоторых лежат " н указанном спектральном диапазоне.

U лазерах на теллуриде-сншша - олова легированных ин-• дном часто до некоторого превышения над поры'им Оw!-3 .'„f^,) Нйбладился одномодовый 'pfrtKHM. Наиболее низкие поро.'и генерации были получены на диодах и активном слоем Р1>0 цу^'о -r.>'u с; KifiiiiuHipiiLinoM нация N]n-0,!"> итЛ, дчсгипишмо при имиымх ■ruMiu.paryf.hX- 120 - 2Ш АЛ;мЯ И При 77 К ШЮ - 2000 А/смГ'. Моедисть лучших лазерон достигает 10 мИт. Инйшццнлись кор ¡¡шыния мозду порогами генерации и лазерных диодах r nomi-шонным кнштямм »иодом, даимииисииннии иод пижтроиш.м луч<* исходного узкщонииго зиитнксмалымго слоя.

Таким образом, показана пирс!uikiнин1кгг«> ыримишшие <IC'j для ишчтмлииия лазерных гетросфуктур на ochww узкь-аонкнх 1|11луп[нлк>дннк1и> и:«.1|учн<'||1|<!1 м 1Л1|»|С1И -1,Б - 17мкм.

Й I1.UCTOH J'J;lilriJ ПрШШДени Dill И НН'Кйе И ф> ■ i <».>JiiiK i рИщсг ии

снонства эпитмклшимш слоен и структур на muiciiu .ьигиро ванных индием Püj . (0 ■ 0,•>.;-;) ¡1 процессе 1СЭ.

Исслидошши спектральная заииенм.кль фугочунсшигиль-ности в интервал« температур 77-Г100 К. По максимуму спектральной зависимости фоточувстиитйльности определена ширина зппрошенноп зоны Ед, по температурному смащению максимумов спектральных характеристик - температурный коэффициент ширины запушенной зоны йЕ^сЯ. Полученные при этом значения и tlEj- (1Т хорошо согласуются с литературными данными.

Рез/льтптч игсчпдчвяпии г]ютопры1(\лим(х,ти ( при 77 К ) ПОКПЗЯЛИ, ЧТО Г.ПОИ С СОДПр*ЛНИОМ ИНДИЯ 0,3 - 0,Г>Г) (11.7. с

подвижностью св'<б'шммх носито.адп • ю' см^/П г.пк. Лили Фо-

ТОЧУПСТВНТОЛЬНЧ , .4 СЛ"И Г. СОД^рРСЯНИОМ ИНДИН > 0,Г>Г> ЯТ. X С II ..и/' ем'ув сек. - фоточувствигельностыл но оЛлядяли.

Время жизни носитнлеп тока исслэдупмнх образцов РЬ1 _ч.^пуТо :(1п) опредолялгюь из частотной характеристики фоточунствителнного элемента изме[етнноа с помочь« синусон-дяльноп модуляции излучения С0? лнзира. Для ппитяксияльного плоя РИЛ д^Пр р.Тр : п,4 я*.* Гп о. чувствительно1 П.яощялК"П

2,25-Щ чсм", толтино!.- птрчки ^10 мкч кониг<нтряаион носн-

1К 17 Ч 1

Твлг»й п - 5-ю' -10 см '' ,пг>д$1иу11пг:тш носителей н-Л 10

Р 7

ом /в е., для вромяин т найден" пнвче"ип 10 'спк.

Впервые дамы условия нзготоцления фотопроводяших и лю-

минесаируюших легировяпннх индием эпитяксиальных слоев тел-

1 г

луриди гнинип - оленя : концентрация носителей 10 * в г

1Я * i п

10 см , ппннижжлть носителей и ■ 10 см''/вс, прямя жиз-

-7 П

ни неолновшгх нооитежФ. 10 ' - 10 . г»-*; до.пчш "¡суетио-впть глубокие доноры; конивнтржшя примеси индия -0,30 - 0,55 вт.5 .

Показано, что в слоям ( х = 0,10 - 0, ?.?. )

легированных индием край собственного поглпшяния и максимумы в спектрах фугочувствитальности сметены в сторону балов коротких длин волн относительно имеючюго место в нелогиро-ванных слоях .Этот результат объяснятся увеличением ширины запрешенной зоны твердых растворов РЪ, х$пхТн при их легировании -индием.

Ннч^новэ эиитяксиальнчх. структур РЬ|_х?"-пхТв - ч

Pt;le - Ptij xsnxT^ из:'<яовлинн фищдииди ни бариерах Ш'/Г.ки и на р- п переходах. Исслидишии гнах, mx и cwiükiральпыи зависимости фигочувотвитальности фотодиодон. Устнжлмино, чю максимум фот<)чуистштш.н«х:ги Ы) • тн злемытнл! магриш фотодиодов на iXiHOiie Plij.^SnГо получении* ч |.ю;;ультаП1 фмю-стимулиронаниого легиронании индием лежит и дшшшони длин волн 9,В - 10 нкм (77 К). Такая однородность по «истицу от алиминтн к uJiLiMüirry и нридьлех одной мигршш ншмдич (яличаот мнтриил Pti^Sn^u (In > от lluj х&'х'и- '1о обниру--. жителшюи cncKïiôiuxiTH 2,3 10пен I'll V''V4 ГМьт-:Наг -гнои чувствительности (Г-.ЧПО И/Вт) и киантонни ">{«1<>кгиннс.к:ти ' ( ЗГ> --40 .) CUJJlttlUIUÜ фШ'ОДИоМ ИИ OCHtMM» Ptl^.jjSti Tu (I ti) выращенных <100, пригодны для практического применения. 0<а1'.>шши, выжну«.

1. Обнаружено инлоник .фотодиесошшшм теллурное сииннн к Пршесое ф</| осТНМулИроШНШоН HIH'NiKC.IH il ViniulHifl I¡n:w. II« i/i

шш^ниим ульТ|шфиУиштот)го и видимого излучения (*.• 0,.¡-,mkm). •Кпидиссониаиич приводит к oOjienuuimKM сжЮкдши. аг<<м«м вблизи и на «.шмон |нчш|«н>к:ти pcxna и к иоыышы»! оезбарьерного, бизиктишшго р>х:та , что играет осномпу^. р<ль и унеличинии cKojbKvi H puvr«. •лпигакоип.ы«« «¿»««и узкозонныи полупроводники».

2. 'Исследована зжм«'ИМ<>сгь «■ юпеии coi «фашиста крио-ТЫШИЧИСКсЛ структур. OJIOÜkl уЗлиЗСчшЫХ |ШЛуПр««1)<ШНИКОИ, HU-рнщенных и процессе «ЮЗ от. интбноиижх'ти излучения .Показано., что существует оптимальная область. интинсивности, обеспечи-шшншЫ ;имс.окуш монокристилличность выращенных слша. При ин-тенсшшостях выше. н ними .оптимальней величины, ввиду чороз-

норного или, соответственно, недостаточного количества свободных атомов создаются благоприятные ус.тяшя для образования кластеров, приводящих к росту поликристяллических слоев.

3. Установлено, что ври воздействии., импульсного из.пучо-ния на процесс эпитяксии уякозонннх полупроводников, наряду с образованном свободных атомов возникает импульс давления вследствие изменении плотности..'конденсированной среды под воздействием импульсного излучения которая матот происходить при.неизменном агрегатном состоянии вещества (термооптичес-кии эффект) . Наличие импульса давления приводит к увеличению скорости роста слоев и улучшению совершенства кристаллической структуры.

Установлен механизм влияния электромагнитного излучения на степень отклонения от стехиометрии, заключающийся в воздействии излучения определенного спектрального состава и интенсивности ня газовую фазу в процессе : эпитяксии. В результате такого' воздействия селективно возбуадяя атомы выбранного сорта в заданные валентные состояния целенаправленно изменяется количество возбужденных атомов,входящих в кристаллическую решетку осаждаемого соединения (мотод затишен авторским свидетельством). •

5. Показано, что под воздействием электромагнитного излучения ня поверхности роста в процессе зпитаксии узкозонннх полупроводников возникает поверностный заряд, приводящий к эффективному увеличению скорости подлетающих молекул к поверхности за счет поляризационных сил, что двет дополнительнее ускорение роста эпитаксиальных. слоев.

в. Показано, что возбуждая электромагнитным излучением

il ГОМИ ИНДИЯ U ПрОЦеОСО ÍC3 МОЖНО ЗфрИКТИНЖ» управлять стенанью легирования Pbj.^hjjTu. Впервые таким ci mortui удилищ.. ввести и Pü1.xsnxTt; ( X » o,ia - о,;:;: ) до я.7'вт.* ш.

7. Вперши определены оптимальные услоння нолучьния слоев теллурида свинца - олова легированных индием в процессе асэ обладающих рекордно низкой концентрацией свободных носите пин заряда вплоть до 1 ,;!• Ю^см-3 ( 77 К) (способ затишен авто[к;1<им свидетельством).

ñ. H |«i:iyjibTHTu 'проваленных исследовании кьантвого ьы-хода лм-'инионшшии и Фоточувстыителыкхм'и и тнерди растцо pax Pbj „х5й,хта ( к -0,18 - 0,22 ) легированных и проиоссо JO с широкой областью концентрацией свободный Носителей ( р 101Я - л Ю^см"^) показано, что существует оптимальный

• 1 í' 1А ' ^

интервал концентрация носителин заряда ( 10' '-10' см" ) с максимальным квантовым выход'« люминесценции и фоточунстни

тнльжхггьш.

9. Показано, что фотостимулированноо легиронание индием твердых растворов Pbj\xSnxTu ( х 0,2 - 0,3 ) и получении знитаксиалыш cjuxih с низкое концентрацией свободных -носителей пиамолыт най/»|ДИГЬ н них ноные особенное! и. ф<>'.о»лек--•Iрических. свойоти ранее .но зирогисф^мшнннх : j«3Kixi изменение удельного сопротивлении, коныингртии свободных иоси-те.чен и их подвижности-с температурой (вблизи НТО К п и меняется на восемь порядков, : ,¡ - характеризуется максимума).

. 10. Созданы инжекпионные льз'ер! i на ос ноне Pb.j„xSnxTe(In) Фотостимулировннной лштаксии обладающие максимальным квантовым выходом люминесценции и с следующими параметрами: ми-

- гэ -

нимлльнып пороги в импульсном режиме 1500 Л/см''(77 К), максимальная мощность излучения 10 чПт ( при 1004 ), мпксммр.пь-■ мпя рабочий твмнгф/п ура 140 - 1ГЛ К, спектральный ДИ.чпопон R - 17 МКМ ( 77 К ).

11. Стланы фотодиода ня гнтроструктурах □ ■• PtiTe-

n " P,VxSnxTfr и n"F?, "p,n" P:'l-хГ'пхТй (х ~ 5

пырагапнных фотостимулированноп эпитяксии с легированным индием активным слоем, облядянипих высокой фоточувстпитель--ностып, Показано, что кя основе контакта металл - эпитяк-пияямшй слоя Pbj.jjShjjTo (In) можно созда".:, диоды с обнаруя'итольной способностью ( о" * 2,3 10 11см Га1/гВт"5), вольтпаттноя чувствительностью ( зго В'Вт"*) , и квантовой :л|ф0КТМВНОСТЬЮ ( F-34 - 40 %) пригодных для практичвского исспользования.

Список публикация по темь дморррч «ним, п кот орт.« излоичпи основные результаты. :

1. КЛпн-княч г. д., Александров 0.П, Мамедов Т.О. Внрящнванип эгмтаксиальных слоев Те методом фотостимулирп-

. аяннной газовой эпитаксии // Труды VII -го чяучно--технического совещания по тепловым и фотоприемчикам, НШПФ, Москва, 1376, 0.47-Б5,-

2. Herrmann К Н. . Cen?ow D.. Kaljuzhnaja G. A- Mamertov Т. S. anfl et. al Transport in Pb^_xSnxTe Ih low carrier concRntration // Proceedings or. the III International Conf'?rence Physics or Marfow-GaP conductors.Warszawa. 1R77. P.' :»7 -333

3. Калчвкняя Г.А., Горинз П.Н., Мамздоа Т.С. Внедрение технологии - выращивания гетероструктур ня основе

- 30 -

полупроводника Pb^Sn^Te мот од ом фотостимулированнои эпитиксии // Отчет по договору о внедрении. & 17/16 от 30 / IV -76 Г. ГОИ им- С.й.Вавилова.

4. Гуро Г.М., Кнлюжния Г.А., Мнмвдон Т.С. , Шелепин Л.А. Актинировшше процессов роста уикшонних полупроводников светонш облучениом/УКраткие сообщения по физики, ФШШ 1978, £ 11., С.27-32.

5. Горина П.И., Каламнан Г.А., Мнмедов Т.О., Киселева К Л. и др. CiHicuÖ получения кристаллов pb j_xsn t«//ahti>{k:i<ou свидетельство ü 2427127/2-3 - 26 от ß.12.78 .

f.. Гуро Г.М,, кнлисйсщ г.А,, мнмьдо» Т.С., Шелепин Л.а. О михйнизмнх влиянии излучения на процесс газгнюи ипи-гакоии // Препринт ШН. Москва, 1078, £272. 3?,С.

7. Мнмедов Т.С., Калдакная Г.А., Киселева K.D. ' Инодриние технологии рнрнщинннии зпйтаксиальных iv трмтруктур На основе полупроводника Pb|.xSnxTo легированного индием, методом фотит<мулииронимни1 эпитексии//Отчит ФЙАН по догоиору о внедрении JÉ 7/78 от 17.1-78 с предприятием г'я А- ШГй, Москва.

8. Мнмедов Т.С., Сентшринн H.H. Исследование проциоон гетроэпитакснального pí/ста ojumii Pti|.xSnxTu лигированних индием и кадмием // Материалы IV республиканской конкуренции -молодо« уч»ных-'физиков- Баку ( 2'">-27 октября), 1970, С.4П-4Г). '

Гуро P.M., Калкшши Г.А., Мнмодон Т.О. , Шелипин Л.А. Исследование, влияние излучения на процесс роста узкозонных полупроводников // ЛАП Азерб.ССР 35, Jí 1, С.25-30. 10. Пул Б.М., Воронова И.Д., Мнмедон Т.С., Калщжная P.A.,

- 31 -

Рагимова Т.Ш. Особенности явления переноса в Pbj_xSnxTe с большим содержанием индия/ЛТисьма в ЮТФ.1979, 29, М, .0.21-25.

11. Калюжная Г.А., Мамедов Т.С., Кисолова К.В., Бритов А.Д. Свонства зпитоксиальннх слоев твердых растворов Pb1_xSnxTg легированных индием // Изв.АН СССР сер. Н.М., 1979, С.231-235.

12. KalJuzhnaJa G.A. . Mamedov Т. S. . Herrmann К. Н.. Wendt М. Physical properties or Pb^Sn^Te :In epitaxial layers // Kristall und Technik. 1ST79, 14, Я7 Р.849-856.

13. Гуро Г.М., Калюжная Г.А., Мамедов Т.С., Швлепина Л.А. Об управлении ростом кристаллов с помощью электромагнитного излучения // ЖЭТФ, 1979, 77, в.6(12),.С.2366-2375.

14. Мамвдов Т.е., Джалилова Х.Д. Фотоэлектрические свойства диодов мптялл-РЬ^а^Те (0,15 sxs 0,3)// Материал V

• республиканской, конференции молодых ученых- физиков , Баку, 1980, С.73-75. • '

15. Мамедов Т.С., Джалилова Х.Д. Исследование "спектров отражения и пропускания пленок Pb1_xSnxTe(0,15s х £ 0,3) // Материалы V республиканской конференции молодых ученых-физиков , Каку, 1380; С.30-32.

1.6. Калюжная Г.А., Мамедов Т.С., Свнтюрина H.H. Легированный твллурид свиниа-олово материал дяя оптэлектроники в средней ИК-области // Материалы республиканской конференции, г.Ужгород, 1980, 0.24-26. 17. Гуро Г.М., Калжжная Г.А., Мамедов Т.е., Шелепин Л.А. Влияние мялучвния на кинетику процесса роста кристаллов // Труди ФЙАН, 'ЗЯ80. 124, С.127-140.

18.'Калийная Г.А., Мамедов Т.е., Рагимова Т.Ш..Сантюрмна H.H. Влияние индия на электрические и структурные свойства Pbj_xSnxTe .//■ Краткие сообщения по физике, 1981, Л 6, С.21-26.

19. Гуро Г.М.,. Калюжная Г.А., Мамедов Т.О., Сьнтюрина H.H., Щолепин Л.А. Способ получения соединений переменного состава // Авторское свидетельство & 890773 , 1981.

20. Калийная Г.А.', Мамедов Т.О.. Кожухов В.Г., Сентшрина H.H. Исследование влияния светового излучения на газовую фазу впроиоссе эпитаксии таллуридн свинна // Краткие сообщения по физике, 1982, й 2, С.40-45.

21. Салаев Э.Ю., Калюжная Г.А., Мамедов Т.О., Джалилова Х.Д.

Kyf)6aHOBa Э.Ц. Оптические свойства эпитаксиальных пленок РЬ._"SnxTe:In//TpyiUJ. Всосошзной конференции по физике полупроводников, 1982, 1, С.276-278.

22. Мамедов Т.О. Разработка методики получения эпитакси-альных слоев Pbj_xSnxTe методом фотоотимулиронанноя эпитаксии//Гос.Регистр.J6-81039250,инв.Я 02.83.0072679. Отчет по НИИР ИФАН Азерб.ССР 1982, 37 С.

23. Салаев Э.Ю., Геокчаев Ф.Г., Мамедов Т.С., Мамедов В.К., Курбанов Э.И.,Абдинов А.Ш. Тормо-э.д.с. горячих носителей

. тока, созданных сильным электрическим полем СВЧ в эпитаксиальных пленках Pbß ^gSnn ¡-^Sfl// ВИНИТИ, 1983 4 С.

24. Салаев Э.Ю., Геокчаов Ф.Г., Мамедон Т.С., Мамедов В.К., Курбанов Э.И., Абдинов A.III. Разогрев носителей тока в эпитаксиальных пленках Pb0 gg Sno 07s® ■ сильным электрическим полем СВЧ. //ВИНИТИ, 1983, АС.

25. Стафеев В.И., Салаев Э.Ю., Мамедов Т.О. , Джалидова Х.'Д.,

- 33 -

Курбанов Э.И. Оптические свойства эпитаксиальннх пленок Pbl-xSnxTe :1п П ФТП' 1989, 17 • Ä lö> С.1864-1866.

26. Мямедов Т.е. а).Исследование условий выращивания слоев и структуры на (.-'.■•■ пч) rh^ySn^Je получения методом фотостимулировянной ппитяксии

б).Исследование"условий.легирования зпитяксиальных слоев толлуридя свинца-олова- методом фотостимулированной эпитяксии в про тссо роста индием и висмутом// Отчет НИР КФАН АзербХСР Гос. регистр. № 81033250, инв. Д 02.86. 0092484 , Паку, 1903-1984 , 20 С.

27. Калшжнэя Г.Л., Мамедов Т.е., Шелепин Л.А. Об зпитаксии при лазерном воздействии и ее возможности //Журнал тех.физики, 1985, 55, Х5, C.S55-956. '

28. Мамедов Т.О. а).У!сследование электрических и люминесцентных свойств зпитяксиальных слоев и структуры на основе

I легированных индием РЦ.^^Те внращиванннх методом ФЭС.

в). Создание. зпмтаксиальпых гетроструктур на основе РЬ-^Зг^То^п с повышенным квантовым выходом,- люминес-

. иенции пригодных для изготовления инжокиионных лазе-, ров ИК диапазон // Отчет по НИР ЙФАН Азерб.ССР, Гос.. регистр.№ 01039250,инв.Ю2.87.0040730, Баку, 1985, 140.

29. Абдуллнев А.Г., Бахншев P.A., Мамедов Т.С., Касимов Т.Г., Максимов В.Л. Сгк'юоб получения зпитаксиальных пленок

из газовой фазы.// Авторское свидетельство Я 3824782/24 -25(152049), 1985.

30. Мамедов Т.. С.-.Разработка технологии получения гетроструктур ни основе. хелкогенидных полупроводников Pbj.^Sn^To,

■ Pfc^G.? Те и .исследование, их электрофизических свойств-

//Отчет по НИР ИФАН Азерб.ССР.Гос.Per».JiOl .60.0042.391, hhb.ä 02.87.0040730 Ваку, 1986, 31 С.

31. Рзавв С.Г., Мамедов Т.С.,Алихановп Ш.А. Глубокие центры в Pbj^SnjjTeiln обусловленные индием // Электронная техника , -1908, серия 6, вып.2(231), 0.70-73.

32. Рзаев р.Г., Мамедов Т.О., Алиханова Ш.А. Свойства переходных слоев гетрепераходов на основе Pb1_xSnxTe: In //Электронная техника,1988,серия 6,вып.4(233), 0.62-65.

33. Рзавв С.Г., Мамедов Т.О. Электрофизический и люминесцентный свойства многослойных структур на основе Pbl-xSnxTe МатвРиапыВсесоюзного научного, семинара "Многослойные структуры на основе узкозонных полупроводников" .Нукус, 1990. .

34. Рзаев С.Г., Мамедов Т.О., Аадаров F.X. Влияние Индии на свойства геуроперьходов р-РЬТе-п-РЬ^^н^Го// Материалы III Всесоюзной . конференции "Материаловедения

. халькогенидных подупронодников " , Черновцы, 1991.

35. Рзаев О.Г., Мамедов Т.О., Алиханова Ш.А. Особенности переходных слоях в эпитаксиалпных пленках Pb^Sn^Te: In // Сборник "Физика и техника ih.uiynpuoo^.^.A.-u'', 1991, 1, С.220-226.