Фотостимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах и халькогенидных стеклообразных полупроводниках при записи объемных голограмм тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

Министерство образования Украины ЕРИОВИЦКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ни. В.ФЕДЬКОВИЧА „ ^ Специализированный Совет К 07.01.05

1 1 CF.II 1305

На тфаьах рукописи

ПОПОВ АНДГЕИ ЮРЬЕВИЧ

СЮТОСТШШШРОВАШШЕ ПРОЦЕССЫ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ И ХАЛЬКОГЕИИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ ОРИ ЗАПИСИ ОБЪЕМНЫХ ГОЛОГРАММ

01.04.05 - опилю

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата фоико-математическнх наук

ЧЕРНОВЦЫ - 1935

Работа выполнена ь Научно-исследовательском институте физики Одесского государственного .-университета им. И.И.Мечникова

Научный руководитель: кандидат физико-математических наук.

Тюрин Александр Валентинович

Официальные опоненты.- член-кореспондент HAH Украины.

доктор физико-математический наук, Соскин Ыарат СажЛяоьич

кандидат физико-математических наук Полянский Петр Вячеславович

Ведущая организация.- Киевский государственный университет

Защита диссертации состоится " 13 " сентября 1996 р. в "_" часов

на заседании специализированного ученого Совета К.07.01.Об при Черновицком госуниверситете им Ю.Федьковмча по адресу:

274012. г.Черновцы, ул. Университетская. 1

С диссертацией можно ознакомиться б научной библиотеке Черновицкого госуниверситета км Ю.Федьковича

' Автореферат разослан *—*-1—1995 р.

Ученый секретарь

специализированного Совета К.07.01.0Б ^JA1

кандидат физико-математических наук, J/У Мохунь И.И.

г

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В наше время голография используется во многих сферах, что требует наличия разнообразных гологрэфических регистрирующих сред, которые в основном созданы. Но существует область, которая еще недостаточно обеспечена регистрирующими средами - это запись объемных, или толстых голограмм, они обладают высоксЯ угловой. спектральной селективностью и динамических* диатззсйоа, что позволяет записывать несколько голограмм а одном и том ззе объгме, а дифрзхциоюш эффективность ДО) их достигает 1003. Это позволяет создазать гологрзфическив огттическйе элементы с уникальными свойствами, а тая зе элементы памяти большой 1:нформгщюниоа. емкости и помехозащищенности. Все перечисленное стамуд'-рует интерес к объемным голограммам и к средам для их записи.

Состояакэ соггоссл. Среды для затеки объемных голограмм долины обладато целым рядом специфических свойств; высоким разрешением. приецлгмоЛ саэточувствитольиостьп. низким уровнем шуме», зелательна ьозмсзз:остъ реверсивной зашей. Полученные голограммы долаш шеть высокую ДЭ и быть устс^сгаыкя при хранении и считываем. Сгг» материал долзен быть достаточно дешев и прост в изготовления и использовании. На одна из существующих сред ве обладает в полной *?ере атими качествами, поэтому идет поиск новых сред я спосооов усоьераенстаоьакил уде существующих.

Щелочно-галондные кристаллы (ЩГК) и халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) по многим параметрам превосходят другие известные материалы, но. на смотря на большое количество посвященных им работ, многие вопросы все еще остаются кевыленешавга. а реально достигнутые гояогрэфячеекке параметры пра зглмся в этих средах далеки от теоретически возмозных.

Цаль работы. Целью работы было изучить механизмы фотостимулироваяных преобразования, происходящих в ЩГК и ХСП при голографическоЯ записи, что позволило бы оптимизировать состав регистрирующих сред и резимы запио голограмм и достичь максимально возмозных для этих сред гологрэфических параметров, а так ее применить полученные голограммы в качестве оптических элементов опткко-влектроккых устройств различного назначения.

Иатоя а продмаг исследований. Для достижения поставленной цели были сформулированы я решены следующие основные задачи;

-41. Разработаны методы записи высокоэффективных голограмм в ЩГК и ХСП при повышенных температурах.

2. Разработан метод измерения изменений коэффициента поглощения td и показателя преломления. An (амплитудной и фазовой компонент голограммы), а также фазовых сдвигов áta м А»п пространственного распределения hä. и An отвссителыю записывавшей интерференционной картины непосредствемю в процессе загаси объемных голограмм.

3. Разработаны методы измерёшй и анализа электрических и фотоэлектрических параметров исследуемых материалов^ которые позволяет раздельно определять изменения концентраций фотоактивных центров и электронных ловушек.

7 4. Созданы установки, позволявшие проводить комплексные оптические, голографические и фотоэлектрические измерения.

Предметом изучения были аддитивно окрашенные кристаллы KCl, Nací, квг и монолитные образцы аморфного сульфида мышьяка с различным содержанием серы.

Научная новизна. Разработаны новые методики, позволившие впервые провести комплексные экспериментальные измерения изменений оптических. голографическях. электрических и фотоэлектрических параметров ЩГК и ХСП в' процессе записи объемных голограмм и установить взаимосвязь между ккми. впервые проведены исследования изменений Ы и in а такхе и Авп в реальном времени записи. Получены следующие новые результаты:

1.Дяя ЩГК; получены экспериментальные подтверждения теории "жестких-мягких" r-центров, пред ложена новая модель-фотостимулированного г*и преобразования - при помощи дююлонов (пары анионная - катионная вакансии}. Обнаружено, что в процессе зашей голограмм в кристаллах ш и КаС1 на основ* фотостимулированного F*К преобразования Х-центры в конце записи -концентрируется в узлах интерференционной картины. Предложена дрейфовая модель, согласно которой эта смещенная на * запись обусловлена возникновением зарядовой неустойчивости х-центров в пучностях вследствие захвата электронов на ловушки.

2. Для ХСП: Обнаружено, что при высокотемпературной голографической записи в монолитных образцах Аэ-з действует несколько конкурирующих фотостимулироваиных процессов, приводящих к записи смещенных и несмещенных голограмм.

- s -

Предложена модель, согласно которой устойчивая запись в ла-з как стехиометрического состава, так и с избытком серы вызвана диффузией D*- центров.

Практическое значения работы.-

1. Разработан новый упрощенный метод измерения параметров объемных голограмм в процессе их записи.

2. Детально изучены механизмы записи голограмм в ЩГК и ХСП. что позволило оптимизировать их состав и регимы зашей и стабильно получать высокооффективные голограммы.

3. Предлогген и ютьгггя ряд новых оптозлектронных устройств и приборов. основанных на применении объемных голограмм.

Поуздшз полоаепяа. выпесеинмз na защиту :

1. В процессе фотостимулированного r-ы преобразования в ЩГК пря комнатных температурах принимает участие только часть r-центров ("мягкие"), и процесс идет с образованием ранее ненгблюдавшихп нестационарных промеяуточных центров окраски, которые ответственны за оптически индуцированное поглощение в блианей ИК облает.! спектра и является ловушками для электронов. Предложена модель, согласно которой мягкими г и промежуточными центрами являются соответственно Г я и" центры, возмущенные близко распологенной катионной вакансией, а транспорт Р-центров в процесса Г<ы преобразования идет при помощи диполонов (игра анионная - катнокнгя вакансии).

2. Процесс записи голограмм в кристаллах KCl и Haci на основе фотостимулировгииого F-л преобразования идет в три этапа. На Переса осуществляется процесс F«X преобразования в пучностях интерференционной картины, на втором - затирание полученной голограммы в результате г«х преобразования в узлах, вызванного рассеяны» светом, на третьем - перераспределение х-центров, в результате чего ска концентрируется в узлах интерференционной картины (а не в Пучностях, как считалось ранее). Предложена дрейфовая модель, согласно которой запись на третьем этапе обусловлена возникновением зарядовой неустойчивости х-центров в пучностях вследствие захвата электронов на ловушки.

3. При высокотемпературной голографической .записи в ьктпгпшз стаи$ообразных образцах состава лз-s действует несколько конкурирующих фотоиндуцировгнных процессов, которые приводят к записи несмещенных и смещенных на * относительно

записывающей интерференционной картины амплитудных и фазовых компонент голограмм, причем для устойчивой высокоэффективной записи в Лл(5, амплитудная и фазовая компоненты голограммы смещены на t. а в образцах As-S с избытком серы - несмещены. Предложена модель, согласно которой устойчивая запись в аз-5 вызвана диффузией о*- центров, результатом которой в AatSg является нарушение термодинамически равновесного распределения дефектов (D-центров). а в случае Ла-S с избытком серы -возникновение неоднородности распределения включений фазы серы.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на.- Q республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках /Одесса, 0902/;

- конференции молодых ученых /Одесса. ОГУ. 1964/;

- межвузовской научно-практической конференции молодых ученых /Одесса. 1907/;

- v всесоюзной конференции "Бессеребряшые и необычные фотографические процессы" /Суздаль, 19ÔÔ/;

- Всесоюзной конференции "Голографический корреляционный анализ и регистрирующие среды" /Черновцы. 19ÔÔ/;

- хх /Черновцы. 1909/. XXI /Тольятти. 1990/, ххп /Пересяааль-Залесский, 1992/ Всесоюзных школах по голографии и когерентной оптике;

- Международном семинаре "LAmiLAdia-9i" /Черновцы. 1991/

- xvi /Москва, 1991/ и XVII /Москва, 1993/ Всесоюзных научно-технических конференциях "Высокоскоростная фотография, фотоника и метрология быстропротекающкх процессов"

- Международной конференции "Н&СО-96" /Черновцы. 1995/

Публикации. Результаты диссертации изложено в 21 работе. Структура а объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы, который содержит 128 наименований.Она содержит 117 страниц машинописного текста и 36 рисунков, общий объем составляет 160 страниц.

СОДЕРХАВИЕ РАБОТЫ Во введении сформулированы актуальность темы, цель работы, научная новизна результатов и {фактическое их знамение.

Первая глава посвящена обзору литературы по проблеме существующих сред для записи объемных голограмм, их

сравнительных характеристик и перспектив использования.

Вторая глава посвящена описанию методик, оригинальной аппаратуры и устройств, использованных в работе. Это.-

1. Методики выращивания, легирования и окрашивания ЩГК. синтеза ХСГ? и подготовки образцов для записи голограмм.

2. Установка для измерения оптических и фотоэлектрических характеристик ЩГК и ХСП, позволяющая одновременно измерять спектры поглощения и фотопроводимости, а также люкс-амперные характеристики ГЛАХ) при температурах от -30 до +350оС. в спектральном диапазоне от 450 до 2000 нм.

3. Методика измерения спектров фотопроводимости в сильно поглощающих материалах с учетом неоднородности засветки.

4. Ыетодиха пространственной стабилизации интерференционной картины во время записи голограмм при повышенных температурах, позволяющая компенсировать случайные колебания фазы записывающих пучков смещением отягчающего зеркала. 4. закрепленного на пьезокерамихе. которгя управляется разностным сигналом с фотодиодов 6 (рис 1). При анализе кинетики голографической записи зхтивиое вмешательство в процесс неяелательно. поэтому устойчивость интерференционной картины достигалась вахуумированием голографической установки, а аппаратура системы стабилизации использовалась для анализа амплитудной и фазовой модуляций в светочувствительном материале.

Рис. I. а). Принципиальная схема установки.- 1- лазер. 2-светоделитель. 5-зеркало. 4- подвианое зеркало, 5- голограмма. 6- фотодиоды. 7- осциллограф,-

б). Траектории, описываемые лучем осциллографа при изменении Аф от 0 до 2х.- а- для решетки, записанной в ХСП (преимущественно фазовая запись), в- в ЩГК (преимущественно амплитудная запись)

5. Методика экспрессного измерения м и ¿п. а также их фазовых сдвигов (Д»о и Д»п) относительно записывающей интерференционной картины непосредственно в процессе записи объемных голограмм, которая является упрощенным вариантом метода фазомодулированной голографии и не требует примененния сложной и дорогой аппаратуры. Она основана на анализе зависимости интенсиЕностей прошедших через голограмму записывающих пучков света и от принудительного фазового рассогласования ¿ф формирующих голограмму пучков света, которое периодически вносится кратковременным (по сравнению с продолжительностью записи голограммы) изменением оптической длины пути одного из пучков при помощи подвижного зеркала 4 (рис.1).

Величина Дф изменяется от 0 до 2т за один цикл измерения. Сигналы с фотодиодов, регистрирующих интенсивности и I, подаются соответственно на входы х и У осциллографа, тогда в процессе измерения конец вектора I, отражающего положение луча на экране осциллографа, описывает эллипс (рис.1), причем величина полуоси а пропорциональна величине амплитудной модуляции М, а полуоси б - фазовой модуляции Ал. Определяя эти величины, а также величину смещения центра эллипса от начала координат Хв, можно установить раздельно как Ы и Ап, тех и среднее поглощение «П.

где « - ОД,., в - угол Брэгга. X - длина волны записывающего света, 10- исходная интенсивность пучке», I- толщина решетки.

Фазовый сдвиг Два можно определить по положению вектора I когда фазовое рассогласование лр-о. Если луч осциллографа в этот момент находится в точке 1 (интенсивности I, и 1а минимальны), то А®а -о. - запись синфазна (в пучностях потемнение), если в точке 2- Авв«*, запись противофезна. Фазовый сдвиг А®п определяется по направлению смещения вектора I по эллипсу при малом изменении Аф. Указанные параметры голограмм можно определить количественно, иди качестве»» - но виду эллипса.

М ж_с°зЩ_ агс1в[у-]; "ЗП - -£-соз(0)1п £п . а+ (~1)ту—агсзШ£ '

*

]}

Ап

В згой главе рассмотрено также влияние рассеяния света в • светочувствительной среде и связанных с этим к росс- и интермодуляционных шумов на процесс записи и восстановления объемных голограмм. Обнаружены новые элементы в картине рассеяния, предложены их объяснения.

Третья глава посвящена исследованию фотостамулированных процессов в ЩГК. Вначале рассмотрен процесс фототермическоЯ коагуляции Г в U центры в кристаллах KCl при температурах, близких к комнатным. Установлено, что:

1. В процессе оптической засветки разрушается и дзет вклад в фотопроводимость только часть F-центров. Такими центрами (мягкими), вероятно, являются F-центры, возмущенные близко расположенной катиокноЯ вакансией.

2. В процессе фотостимулированяого F-»М преобразования образуются промежуточные продукты, являющиеся ловушками для электронов, уменьшающими время их жизни в зоне проводимости, они же ответственны за нестационарное оптически индуцированное поглощение с максимумом на 720 нм., не наблюдавшееся ранее. Промежуточными центрами. вероятно. являются »"-центры, возмущенные близко расположенной катионноЯ вакансией. Энергия гзстквзции образования этих промежуточных центров совпадает с гнергкей активации разрушения F и образования м полос пет лощения и равна 0.65 ± 0,05 sB. Это значительно меньше энергии активации ¿«грации анионной вакансии, считавшейся ранее ответственной за перенос F-центров в процессе г<м преобразования.

3. Для объяснения этих результатов была предложена новая модель транспорта F-центров посредством диполонов (пары анионная -катаонная вакансии), энергия активации миграции которых составляет 0.6S эВ. Эта модель хорошо согласуется со всеми наблюдаемыми экспериментально фактами и открывает новые возможности управления процессом F-м преобразования в ЩГК.

Далее рассмотрен процесс гологрэфическоЯ записи на основе F-X преобразования в ЩГК при темпер турах ~2вО° С. Установлено, что в нем можно выделить 3 этапа (рнс.2):

I. F-центры в узлах интерференционной картины остаются неизменными, а в пучностях коагулируют в квазиколлоидные X центры. Ю голограммы при этом невелика (~2Х).

П. В : результате засветки рассеяным светом F-центры

превращаются в х также и в узлах интерференционной картины. Поглощение в х-полосе достигает максимума, а ДЭ падает до нуля.

III. Между узлами и пучностями интерференционной картины происходит процесс перераспределения х-центров. в результате которого практически все х-центры концентрируются в узлах, в пучностях же образуются слои обесцвеченного кристалла - запись противофазна. Среднее поглощение в X и Г полосах при этом не меняется, дифракционная эффективность медленно нарастает (до 40%). причем кинетика нарастания носит э-образный характер.

Рис 2. Запись голограмм в кристалле KCl светом с Х-632 нм. 1-изменение среднего поглощения в х-полосе. 2- изменение показателя поглощения м D узлах интерференционной картины, изменение дифракционной эффективности ц.

I и и этапы наблюдались do всех исследованых кристаллах KCL. квг и Maci, ш этап - только в тех кристаллах KCl и NaCl, в которых в процессе засветки образовывались достаточно глубокие ловушки (-0.5 эв.). В кристаллах квг, в котором ловушки не столь глубоки, ш этап вообще не наблюдался.'

Для объяснения полученных результатов была предложена модель, согласно которой перераспределение Х-центров происходит в результате дрейфа анионных вакансий в электрическом поле, вызванным захватом электронов иа ловушках, возбуждаясь под действием спета F-центры в пучностях образуют электроны и анионные вакансии. Электроны, как более подвижные, легко мигрируют по кристаллу и захватываются на ловушки. В результате узлы интерференционной картины заряжаются отрицательно, а пучности - положительно. Это вызывает дрейф анионных вакансий из пучностей в узлы, где они коагулируют, образуя новые ловушки. Вследствие этого напряженность поля между узлами и пучностями еще более возрастает и скорость дрейфа анионных вакансий увеличивается, то есть наблюдается положительная обратная связь,

- И -

обуславливающая 3-образный характер процесса. При температурах записи х-центры являются устойчивыми, если несут избыточный отрицательный заряд, и неустойчивыми - если положительный. Поэтому в пучностях они распадаются, образуя анионные вакансии, и процесс продолжается до практически полного обесцвечивания кристалла в пучностях интерференционной картины.

Четвертая глава посвящена изучению высокотемпературных фотостимулированных процессов в материалах состава Аз-3 с различным содераанием серы, протекающих при голографическоЯ записи. Анализ их проводился в рамках модели о-центров.

Было показано наличие в монолитных образцах Ал13> нескольких конкурирующих фотоиндуцированных процессов, приводящих к записи амплитудных и фазовых компонент голограмм, которые несмещены по фазе или смещены на * относительно записывающей интерференционной картины. Эти процессы сменяют друг друга в зависимости от температуры записи.

При температурах * 100° С возникает голографичесхгя решетка, амплитудная и фазовая компоненты которой не смещены относительно записывающей интерференционной картины. При этом 2ЕГ г: и они возрастают в процессе записи (фотопотекжение). При температуре записи решетка неустойчива, при комнатной -термически стабильна, ко стирается при освещегям ее светом 13 области собственного поглощения материала (оптическая неустойчивость). Перечисленные свойства свидетельствуют о том. что в данном случае образуется несмещенные по отношению к распределения интенсивности ■ запкст/вгдщего света полярогдал со®) и ттощхжая Ш*. в") решетки в результате персзгрядки равновесных 1>-центрса. Энергия гхтнвгвди зггкси рганэ О.ЗоЮ.Сб гВ. что составляет, в полном соответствш с этой ад .елью, половину глубины заяегаяия 0*-це!проа Е,/2 в 0,3-0,4 гЗ .

С . повышением температуры записи (Т>120° С) вначале образуется такая ге решетка, ко затем она стирсэтсл и появляется решетка, гмлшудкая п фазовая компонента котсроЯ смещены па 1 относительно згдасывгааей кнтерференцшмсД кгртикы. пря атса 23" > й^,. что свидетельствует о диффузионной механизме образования смещенной решетки. Этот вывод тгкае подтверздается тем. что процесс записи значительно ускоряется при уменьшении периода записываемой решетки. Предполггззтся, что диффундирующим

дефектом являются й'-цеитры, который образуются в пучностях и мигрируют в узлы. Как следует из измерений проводимости и фотопроводимости, диффузия дефектов начинается при т~1Ю° С „ поэтому для смещенной решетки ниже Т<110° с наблюдается высокая термическая и оптическая устойчивость, а ДЭ ее достигает 60%.

Для отожженных при 1*120° с образцов лз-з с избытком серы при т к 60° с наблюдается запись, отличная от описанных выв»: амплитудная и фазовая компоненты решетки не смещены относительно записывающей интерференционной картины, решетка характеризуется высокой оптической стойкостью при считывании светом из области собственного поглощения материала и* только при температуре записи, но и при более высоких температурах (термическое стирание реаетки начинается при Тг110в С.). Существует граничная температура записи (1^*115° С), превышение которой на небольшую величину (»4°) приводит к скачкообразному прекращению записи, при увеличении содержания мышьяка в образцах значение Т^ возрастает, а динамический диапазон голограмм падает. Это позволяет заключить. что у рассматриваемых образцов голографичеспая запись также связана с диффузией р'-центроа из пучностей в узлы, но результатом диффузии является образование микроскопических включений фазы серы. Увеличение содержания серы приводит к сдвигу края собственного поглощения Аз-3 в коротковолновую область и уменьшению показателя преломления, поэтому, если для считывания решетки использовать свет из области края собственного поглощения Аз-3, фазовая и амплитудная компоненты окажутся несмещенными, что и наблюдается на опыте.

В пятой главе рассмотрены предложенные и испытанные устройства, основанные ы применении объемных голограмм в качестве оптических элементов. Это датчики малых линейных и угловых перемещений, управляемый светоделитель, оптические модуляторы и анализатор фазовых модуляций, лазерный допплеров-ский анемометр и скоростной многоканальный слектрорадиометр.

В заключении приведены основные результаты диссертационной работы. . *

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Разработаны новые методики измерения и анализа фотоэлектрических и оптических параметров ; светочувствительных материалов.

2. Разработан ноекЯ экспрессная метод измерения изменения коэффициента поглощения Ad и показателя преломления An (амплитудной и фазовоЯ компонент голограммы), а также фазовых сдвигов А9а и АЗп пространственного распределения Ad и An относительно записывающеЯ интерференционной картины.

3. С помощью разработанных методов впервые проведены комплексные исследования процессов записи объемных голограмм в ЩГК и ХСП в реальном времени записи.

4. Получены экспериментальные подтверждения теории "жестких-мягких" F-центров. Предложена модель, атласно которой "мягкими" являются F-центры. возбужденные близко„ расположенной катионной вакансией, а транспорт F-uempoD в процессе F*M преобразования идет при помощи диполонов (пары анионная -катионная вакансии).

5. Впервые обнаружено, что в голограммах, полученных в кристаллах KCl и HaCl на основе фотостимулированного Г-»Х преобразования х-центры концентрируются в узлах интерференционной картины в конце записи. Предложена дреЯфовая модель, согласно которой это вызвано возникновением зарядовой неустойчивости х-центроз в пучностях вследствие захвата электронов на ловушки.

6. Впервые обшфуггеко. что при выссаотеьтературной голографнческоЯ записи в монолитных стеклообразных образцах Аз-з действуют несколько конкур',фуащих фотостимулфованных процессов, приводящих к записи несмещенных и смещенных на % относительно запксквокаел шгтерфзреадтошзЗ кгртины амплитудных и фазовых ксьэтонент голограмм. Предложена модель, согласно которой устойчивая запись в Аз-3 вызвана диффузией D*- центров.

7. Разработаны методики, позволяющие стабильно получать объемшз голограммы с пгрсглзтргги, близкими к теоретически возмозным для ЩГК и ХСП.

в. Предложен и кспьтггн ряд оптоэлектрошых устройства и приборов, основанных на применении объемных голограмм. Осповплэ результаты дкссартааия опублзковшш а работал 1. П.Г.Дьяченко, А.Ю. Попов, М.Ю.Трофименко, В.Г.Цукермая, А.С.Шевелева "Температурные исследования кинетик фотопроводимости на переменном токе в стеклообразном сульфиде umгьяяаГ. // Тезисы докладов л республиканской конференции по

фотоэлектрическим явлениям в полупроооднищах. Одесса, 1962.

2. Н.Г.Дьяченко, А.Ю.Попов, Ы.Ю.Трофименхо, А.В.Тюрин. А.С.Шевелева "О ьслышечном характере кинетики нарастания фототока в стеклообразном сульфиде мышьяка". // ФТП. 1эаг. is, № 10, С. 1672-1074.

3. Н.Г.Дьяченко. А.С.Попов, A.B.Тюрин. А.С.Шевелева "особенности фотоэлектрических явлений в стеклообразном // УФЖ, 1963, 28. » 5, С. 742-748.

4. Н.Г.Дьяченко. A.D. Попов, А.В.Тюрин. A.C.L-евелева "Фстоиндуцированные изменения оптических и фотоэлектрических свойств стеклообразного Аз,з/. // сборник "Фотохимические процессы записи голограмм". Лияф. Ленинград, 1983, С. 205-210.

Б. А.С.Попов "Температурные исследования фотопроводимости в аморфном сульфиде мышьяка". // Материалы конференции молодых ученых. ОГУ. 1984.

6. Б.С.Вакаров, А.С.Попов. Л.Е.Стыс. Ы.Д.Фойгель, Л.В.Цыбесков Прыжковая фотопроводимость в пленках Аз,3е,". // УФЖ, 1985, 30. » 3. С. 394-397.

7. А.Ю.Попов, Л.Е.Стыс, Л.В.Цыбесков "Фотоэлектрическая спектроскопия глубоких уровней в пленках а-Аз^е,". // ФТП,

1987. 21, К 12, С. 2225-2229.

6. А.Ю.Попов, А.В.Тюрин "Фотопроводимость аддитивно окрашенных кристаллов KCl". // Тезисы докладов межвузовской научно-практической конференции молодых ученых. Одесса, 1987, часть IV. - С. 37-38.

9. Т.Л.Нечаева. А.С.Попов, А.В.Тюрин "Фотопроводимость аддитивно окрашенных кристаллов KCl". //УФЖ, 1987, 32. № 9. С. 1434-1438.

10. А.С.Попов. Л.В.Цыбесков. а.С.Шевелева "Метод слабого фотоответа в фотоэлектрической спектроскопии глубоких уровней в пленках а-Аа^е,". // Республиканский межведомственный научный сбора« "Фотоэлектроника". "Вища школа". Киев-Одесса.

1988.

11. Б.М.Белоус. В.Е.Маидель. А.С.Попов. А.&.Тюрин "Использование фотопреобразо&ания центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах для архивной и динамической записи глубоких трехмерных голограмм". // Тезисы докладов конференции "Голографический корреляционный анализ и регистрирующие среды". Черновцы. 1988.

12. а.Ю.Попов. а.В.Тюрин "Особенности фотостимулированного преобразования центров окраски в ЩГК". // Тезисы v всесоюзной конференции "Бессеребрянные и необычные фотографические процессы". Суздаль. 1966, Т.П.

13. В.Е.Мандель, В. а.Неклюдов, л.ю.Попов. а.В.Тюриа "Эффекты рассеяния в объемных голограммах". //Оптика и спектроскопия. Т.70. В.б. 1991. С. 1236-1290.

14. Н.И.Андриенко. а.ю.Попов. а.Б.Тюрин "Динамика алектронно-иоиных процесс» при разрушении f-центреа KCl". // Республиканский межведомственный научный сборник "Фотоэлектроникз". "Вища скола". Киев-Одесса. 1991. В.4.

15. В.М.Белоус. В.Е.Ыандель. а.ю.Попов. А.В.Тюрин "Использование объемных дифракционных решеток в некоторых огттихо-кзмернтельных устройствах". // Тезисы докладов XV всесоюзной научно-технической конференции "Высокоскоростная фотография, фотоника. и метрология быстропротекающих процессов". Москва. 1991. С. 56.

16. Ю.Г.Гании. И.И.Жеру. В.Е.Мгнделъ. В.А.Неклюдов. А.Ю.Попов.

B.К.Ротару. А.В.Тюрия Топографическая интерферометрия поверхности композиционных диэлектриков при нггреве". // Известия Российской АН. сэр. физическая. 1232. Т. 58. ¡5 4.

C. 2CS-209.

17. В.Е.Мандель. А.ю.Попса, 3 А.В.Тюрия "БыстродействуюадП спектрорадкометр с голограммным оптическим элементом". // Д Тезисы докладов xvx всесоюзной научно-технической конференции "Высокоскоростная фотография. фотониха. и метрология быстропротекаэдих процессов". Москва. 1S93. с. 23-25.

13. В.Ы.Белоус. В.Е.Шндель. А.Ю.Попоа, A.B.TDptta "Определгксз амплитудной и фезовсЯ г*одуляцкй в процесса трехмерной голтргфичгслсп зггсхгГ. // опт. и спэктр. 1S31. а 1. с. 105-1С9.

19. В.Ы.Белоус, В.ЕЛ.4ЭДД8Д>. А.Ю.Попов. А-В-Тюрга, Ю.Б.Шуггйло "Метод изкерекия малых линейных перемещения в кгюмэтровен диапазоне". // Доклады АН Укргпш. 1994. ö 9. с. 91-94.

20. В.Е.йаядель.Г.А. Нечаева. А.Ю.Попов, А.В.Рызхоэ, А.В.Тюркн. Ю.Б.Шуггйло "Применение объемной стационарной решетки для гшиитудной модуляции света". // Оптич. аурн. 1995. ß 1

21. В.Е.Мандегь. а.ю.Пспоа, Е.В.Попоьэ, a.B.Тюрин "Механизм F-M

преобразования центров окраски ъ крияахяах хлорк&з калия".

// Штика И спектроскопия, Т.76, Ь.З, 1995, С. 457-462.

АННОТАЦИЯ

Поп» A.D. Фотостимулироваяйые процессы в щелочно-гзяоидных кристаллах и хаяькогенидных стеклообразных полупроводниках при записи объемных Голограмм. Рукопись диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.05 - оптика. Черновицкий госуниверситет, Черновцы, 1995.

Б защищаемой работе, базирующейся на 21 публикации, на основании разработанных методик проведены комплексные оптические, фотоэлектрические и голографические исследования фотостамулированных процессов, происходящих при записи объемных голограмм в щелочно-Галоидиых кристаллах и халькогенидных стеклообразных поЛулрободюЖах состава аз-з. предложены новые модели механизмов Голографической записи в Данных материалах.

ШХОлЗКЛ

Popov А. Уч. PhotolrxJuoed processes to alkaU-halide crystals and amorphous chalcogenide semiconductors during volumf hologram recording. Dissertation for a Doctor Philosophy degree in speciality 01.06.06 - optics, Chemlvtsy state University, Chemivisy. 1995.

In this work baaed on 21 publications, with the help of developed optics, photoelectric and holographic methods complex ¿Investigations of photoinduced prooeooes. which happen in alkali-halide crystals and amorphous chaloogenide semiconductors of As-3 system during volume hologram reoording are performed, new models of recording mechanisms in this materials are offered.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА

Объемная голограмма, топографический оптический влеменгг, регистрирующие среды. щелочно-галсмдные кристаллу, хальхогенидиые стеклообразные полупроводники, центры окраску D-центры. фотостимулированные процессы, фотопроводимость.