Фотоиндуцированные изменения в светочувствительных халькогенидных стеклообразных полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.'.I

Глава I. ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ДЕФЕКТЫ.

1.1. Энергетическая структура ХСП

1.2. Природа "собственных" дефектов в стеклообразных As (S,SeL

1.3. Влияние примесей на физико-химические свойства.

Глава 2. ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ.

2.1. Изменения физико-химических свойств ХСП под действием лазерной засветки.

2.2. Реверсивные и нереверсивные изменения в ХСП.

2.3. Необратимые изменения в тонких пленках ХСП.

2.3.1. Структура стекла As^^S^Se)^.

2.3.2. Особенности спектров комбинационного рассеяния света в свеженапыленных регистрирующих слоях на основе AS2S

2.3.3. Влияние состава на формирование случайной сетки стекла

2.3.4. Влияние отжига и засветки на КРС Свеженапыленных пленок.

2.3.4.1. Негативные ("квазиравновесные") слои.

2.3.4.2. Взаимосвязь структурных особенностей и условий приготовления слоев из системы As-S

2.4. Исследование фотоиндуцированной кристаллизации селенидов мышьяка

2.5. Реверсивные фотоиндуцированные изменения.

2.5.1. Реверсивные фотоиндуцированные изменения и КРС в пленках As-S(Se)

2.5.2. Релаксация фотоиндуцированных изменений. . 2.5.2.1. Фотоиндуцированное поглощение

2.5.2.2. Релаксация фототока и поглощение при импульсном возбуждении

2.5.3. Перезарядка локальных центров и реверсивные фотоиндуцированные изменения некоторых физико-химических параметров

Глава 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛОКАЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ В СЛОЯХ ХСП.

3.1. Неизотермическая релаксация проводимости

3.1.1. Термостимулированная деполяризация в халькогенидном стекле: возможности и пределы применимости метода

3.1.2. Термостимулированная деполяризация и равновесная проводимость

3.1.3. Влияние интенсивной засветки на характер неизотермических релаксационных процессов в халькогенидных стеклах

3.2. Исследование дрейфа носителей заряда в светочувствительных слоях халькогенидных стекол

3.2.1. Методика исследования дрейфовой подвижности . и определения времени пролета носителей

3.2.2. Транспорт носителей в стеклообразных . халькогенидах мышьяка.

3.2.3. Дефекты и дрейфовая подвижность в свеженапыленных слоях AsSe

3.2.4. Расчет дрейфовой"подвижности носителей. заряда в светочувствительных слоях ХСП

3.2.5. Оптическая запись и дрейф фотовозбувденных носителей.

Глава 4. УПРАВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОННЫМИ СВОЙСТВАМИ И СВЕТОЧУВСТШТЕЛЬНОСТЬЮ ХСП.

4.1. Электрические и оптические свойства ХСП при введении и изменении.третьего компонента

4.I.I. Локализованные состояния б стеклах Cu-As-Se

4.1.2. Влияние замещения на электронно-дырочные процессы в стеклах системы Cu-As-Se.

4.2. Механизм фотоиндуцированных изменений.

4.2.1. Структурные (необратимые) изменения

4.2.2. Электронные процессы при фотоиндуцированных изменениях.

4.3. Возможные пути улучшения глубины модуляции некоторых параметров слоев ХСП

Актуальность темы. В последнее десятилетие изучение разнообразных свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) - одних из наиболее типичных представителей неупорядоченных полупроводниковых веществ - стало одной из разветвленных и интенсивно развивающихся областей физики, полупроводников. Причиной возросшего интереса является, с одной стороны, возможность технического применения таких материалов при относительной простоте и экономичности, их изготовления, и, с другой стороны, наличие ряда уникальных, отсутствующих у их кристаллических аналогов, свойств. Из числа таковых особого внимания заслуживают эффекты фото- (рентгено, электроно, акусто) -индуцированных изменений оптических, электрофизических, термодинамических и. ряда других физических свойств. Явления фотоиндуцированных изменений (ФИИ) свойств ХСП охватывают сравнительно широкую область физики аморфных полупроводников. Так, в частности, с кругом фотоиндуцированных явлений тесно связаны вопросы физико-технологического изготовления стекол заданного состава и получения на их основе тонких пленок, электрофизика и фотоэлектрика, оптика и термодинамика аморфных полупроводниковых веществ. На сегодня накоплен достаточно обширный экспериментальный материал по изменению под действием излучения физических и физико-химических свойств монолитных и пленочных образцов халькогенидных стекол. Тем не менее, теоретическое описание рассматриваемых процессов оптической записи еще далеко от совершенства и чаще всего носит качественный характер, что обусловливается спецификой исследуемых объектов, недостатком экспериментальной информации о деталях распределения платности состояний. Поэтому необходима систематизация имеющихся данных, экспериментальные изыскания для получения новых результатов и разработкам, единого подхода к исследуемому явлению фотоиндуцированных изменений свойств. ХСП. Это безусловно важно для дальнейшего поиска: материалов ХСП с заданными параметрами и возможностью их управлением в определенг-ном диапазоне, с чем непосредственно связано решение конкретных задач технического характера: изготовление элементов памяти, интегральной оптики и др. В связи с этим,, для выяснения фундаментальных физических процессов,, протекающих при фотозаписи, их эффективного практического применения необходимы комплексные исследования фотоиндуцированных изменений свойств ХСП.

Цель работы. Изучение фотоиндуцированных превращений в регистрирующих средах на основе ХСП.

В работе приведены результаты исследований необратимых и обратимых (реверсивных) фотоиндуцированных превращений ХСП из системы As-S(Se) в интервале температур 100-400 К, рассматривается влияние дополнительных компонентов на характер изменений физических свойств этих материалов. Поставленная задача решалась путем:

- исследования структурных особенностей пленочных конденсатов ХСП;

- комплексного исследования локализованных состояний в; процессах реверсивной фотозаписи;

- исследования возможности управления электронными свойствами, и светочувствительностью ХСП путем: усложнения состава., замещения определенных компонент и выбора условий экспозиции и считывания.

Научная новизна. Детально изучена локальная атомная структура пленочных конденсатов бинарных халькогенидов мышьяка и монолитных образцов. Впервые рассматривается специфика, структуры негативных слоев:, полученных в обычных условиях термического испарения, и слоев, проявляющих эффект позитивной чувствительности (изготовленных в "форсированном" режиме). Исследовано влияние засветки, отжига и состава на формирование структуры свежеприготовленных негативных и позитивных слоев. XCIL.

Четко разграничены необратимые фото- термоиндуцированные превращения, происходящие в свежеприготовленных слоях и обусловленные полимеризационными процессами, и реверсивные фотоинду-цированные изменения в отожженных пленках, которые связаны с захватом носителей заряда локализованными центрами дефектов.

Идентифицированы локализованные состояния, обусловливающие существование составляющих обратимой оптической памяти с температурами стирания Тст~220 и ^400 К соответственно.

Установлено влияние введения меди в состав; стекла As2^e3 на электронно-дырочные процессы и фотоиндуцированные изменения в этих материалах.

Показана возможность усиления фазового, контраста записи на примере слоев: As Se

Практическая ценность. Представленные, комплексные исследования физических процессов, протекающих при фотоиндуцированных. изменениях в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, позволяют выработать практические рекомендации по использованию их для оптической записи: информации в специальных областях фотографии. Разработаны основы целенаправленного выбора материала и способа изготовления регистрирующих слоев для работы в одно- и многократных циклах записи информации. Значительные изменения оптических параметров свежеприготовленных слоев ХСП при. соотве.тствующей экспозиции могут использоваться для создания высокоэффективных регистрирующих сред и больших массивов архивной памяти систем оптической обработки информации. Остановлена возможность управления эффективностью реверсивной фотозаписи и её стабильностью при заданной температуре.

На защиту выносятся следующие наиболее важные положения:

1. Результаты исследований фотоиндуцированных изменений электрофизических свойств халькогенидных стекол.

2. Природа фото- и термоиндуцированных превращений, происходящих в первом цикле записи или отжига свежеприготовленных слоев, и их зависимость от условий получения конденсата и его состава.

3. Физические процессы при фотоиндуцированных. изменениях в отожженных слоях ХСП. Модель, механизма записи оптического сигнала в халькогенидных стеклах.

Структура и основное содержание работы.

Диссертация состоит: из введения, четырех глав:, заключения, примечания. Она содержит 149 страниц основного; текста, 64 рисунка, 5 таблиц и список литературы из 199 наименований.

Во введении обоснована актуальность темы, сформулирована! задача диссертационной работы и пути её решения. В аннотированном виде излагаются наиболее важные результаты.

В первой главе рассматривается энергетическая структура ХСП, приводится анализ существующих моделей строения энергетического, спектра. Основное внимание уделяется дефектным центрам. Кратко рассмотрено влияние примесей на электрофизические свойства, стеклообразных халькогенидов.

Во второй главе приводятся известные к настоящему времени, фотоиндуцированные изменения свойств. Дается краткий анализ моделей фотоиндуцированного изменения оптических параметров. В дальнейшем посредством изучения комбинационного рассеивания света рассматривается структура пленочных конденсатов ХСП, влияние на неё отжига, засветки и состава. Эти результаты свидетельствуют о существенных изменениях структуры при засветке или отжиге свежеприготовленных слоев. Значительное внимание уделяется реверсивным фотоиндуцированным изменениям.

Третья глава посвящена изучению локальных центров в запрещенной зоне халькогенидных стекол с помощью исследования термо-стимулированной проводимости и дрейфа носителей заряда. Затронуты отдельные вопросы методического характера. Детально изучено фотоиндуцированное изменение локализованных состояний и экспериментальное проявление таких эффектов.

В четвертой главе рассматриваются электрофизические свойства селенида мышьяка при. введении, меди. Проведено сравнение фотоиндуцированных эффектов и""примесного" влияния меди. Изучены электрофизические свойства при замещении мышьяка, фосфором в системе Cu-As-Se . Особое внимание уделяется механизму фотоин-дуцированных изменений, исходя из которого сделаны практические рекомендации по возможности усиления глубины модуляции некоторых параметров светочувствительных слоев ХСП.

В заключении формулируются основные выводы по диссертации.

В примечании содержатся сведения о личном вкладе автора в совместных публикациях, приводятся акты внедрения методики, получения регистрирующих слоев и контроля их параметров.

Работа выполнена на кафедре физики полупроводников и в Проблемной лаборатории синтеза и комплексных исследованийсвойств новых полупроводниковых веществ сложного состава Ужгородского госуниверситета на протяжении I977-1983.

Основные результаты докладывались и обсуждались на следующих научных конференциях и семинарах: Республиканской конференции "Структура и физические свойства тонких пленок" (г.Ужгород, сентябрь 1977 г.); У Всесоюзной конференции: по химии., физике и техническому применению халькогенидов (г.Баку, сентябрь 1979 г.); Международной конференции "Аморфные полупроводники-80" (г.Кишинев, октябрь 1980 г.); I Всесоюзной конференций по физике и технологии. тонких пленок (явления переносаХг.Ивано-Франковск, май 1981 г.); IУ Республиканской конференции; "Физика и технология тонких пленок сложных полупроводников" (г.Ужгород, сентябрь 1981 г.); Международной конференции; "Аморфные полупроводники-82" (г.Бухарест, сентябрь 1982 г.); семинаре секции М Научного совета АН СССР (г.Ужгород, октябрь 1982 г.); 1У Всесоюзной конферен* ции "Бессеребряные и необычные фотографические процессы" (г.Суздаль, март 1984 г.); ежегодных научных конференциях ужгородского госуниверситета.

По материалам диссертации опубликована 21 работа, список которых приведен в примечании.

- 7

I. ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ДЕФЕКТЫ I.I. Энергетическая структура ХСП.

Квантовая теория кристаллических твердых тел, базирующаяся полностью на присутствии дальнего порядка, дает возможность рассчитать энергетический спектр электронов, количественно определить основные параметры полупроводникового вещества. Несомненно, что одна из наиболее актуальных задач физики разупорядоченных (некристаллических) веществ состоит в определении структуры энергетического спектра локальных состояний, определяющих [29,40,57j характер электронных процессов и ряд необычных свойств стеклообразных полупроводников. Ввиду отсутствия трансляционной симметрии в разупорядоченных веществах долгое время считалось, что аморфные вещества не могут обладать полупроводниковыми свойствами. Однако, в 1954 г. Б.Т.Коломийцем и Н.А.Горюновой был открыт новый класс полупроводниковых веществ,- стеклообразных. В последующем в физико-техническом институте им.А.Ф.Иоффе по инициативе Б.Т.Коломийца было проведено комплексное исследование физических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников. Эти эксперименты подтвердили выводы А.И.Губанова, теоретически, показавшем [26,27] применимость зонных представлений, описывающих электрические свойства кристаллических полупроводников, к аморфным, и позволили предсказать наличие некоторых новых для них эффектов. Как выяснилась[27,40] , концепции зоны проводимости и валентной зоны могут быть успешно применены к стеклообразным полупроводникам., причем наблюдается весьма слабая зависимость от состава.

А.Ф.Иоффе и А.Р.Регель впервые попытались объяснить необычные свойства неупорядоченных полупроводников и предположили, что характер химической связи между ближайшими, соседями определяет фундаментальные: электронные свойства. А.И.Губанов, [2б] и Н.Ф.Мотт [57] предприняли попытку полу количественно го обобщения зонной теории; кристаллических полупроводников на аморфные. Они отмети:-ли,что резкие края зон в кристаллических полупроводниках-результат периодичности; дальнего порядка, и, таким образом.,исчезают при переходе к. аморфным веществам. Вблизи; краев зон имеют место два дополнительные эффекты: размытие краев; и локализация электронных состояний. В связи с тем,что флуктуации в отклонении атомных конфигураций от среднего с необходимостью сопровождаются флуктуацией потенциального воздействия на электроны,энергетические состояния последних возмущаются и в результате происходит ушире-ние зоны.Эффект сильного разупорядочения более сказывается на электронных состояниях вблизи краев зон,нежели в глубине псевдощели. Локализацию электронных волновых функций можно считать установленной: большое различие в проводимости аморфного^ и, соответствующего кристаллического полупроводника не может быть объяснено рассеянием квазисвободных носителей на разупорядоченной решетке. С необходимостью следует предположить,что разупорядочение меняет характер волновых функций,состоянии становятся локализованными и изменяется механизм проводимости.С другой стороны,глубокие уровни в запрещенной зоне определяются не флутстуациями локального порядка,а структурными дефектами ]29,57,135,185] в случай-, ной сетке стекла,такими как разорванные или болтающиеся связи,вакансии, немостиковые атомы, концы цепочек, и т.п.

К настоящему времени можно считать установленным тот факт,что особенности электрофизических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников в основном определяются наличием и энергетическим состоянием структурных дефектов |137-139]. Предполагается, что именно присутствие в неупорядоченной матрице стекла локальных структурных дефектных образований определяет энергетический спектр носителей заряда и вытекающие из особенностей такового необычные свойства.

Существует ряд моделей строения энергетического спектра в халькогенидных стеклах. В большей или меньшей мере эти модели применимы для объяснения определенного комплекса экспериментально обнаруженных (и частично сохраняющих силу и сегодня) свойств ХСП. Ниже приводится краткий анализ как ранних, преимущественно феноменологических, так и более поздних моделей строения энергетического спектра локализованных состояний. Отметим, что большинство из них сходны в том, что оперируют концепциями локализованных зонных состояний, однако, в то. же время, отличаются характером распространения их в запрещенной зоне.

Модель Коана, Фрицчше, Овшинского (КФО) [94| предполагает существование хвостов плотности состояний, перекрывающих псевдощель, причем распределение ин носит бесструктурный характер. Постепенное уменьшение плотности локализованных состояний при удалении от краев зон вглубь щели приводит к размытию резких краев валентной и зоны проводимости. Названная модель была предложена для объяснения электрофизических свойств многокомпонентных стекол, используемых в переключателях [3,I33,I69j . Несколько позже авторы предположили столь значительное разупорядочение, что хвосты зоны проводимости и валентной зоны перекрываются, обусловь ливая появление достаточно большой плотности локализованных вблизи середины псевдощели состояний. Следствием перекрытия зон является возникновение в валентной зоне состояний, находящихся выше состояний в зоне проводимости. В результате перераспределения электронов образуются заполненные состояния в зоне проводимости и незаполненные (свободные) состояния в валентной зоне. Зарядовое состояние их (соответственно отрицательное и положительное) предполагает самокомпенсацию и закрепление уровня Ферми в середине зоны, что необходимо для объяснения разнообразия электрических свойств ХСП. Рассмотренная модель однако не учитывает [56] высокой прозрачности халькогенидных стекол ниже края поглощения, свидетельствующей об ограниченной протяженности хвостов плотности.

К числу наиболее необычных свойств халькогенидных стекол можно отнести факт отсутствия экспериментально обнаружимой плотности неспаренных спинов и постоянство уровня Ферми. Ведь даже при условии удовлетворения каждым атомом своих валентных потребностей следовало бы ожидать, что при комнатных температурах термическая энергия достаточна для разрыва некоторых высокоэнергетических пар, как это имеет место в других, нестеклообразных материалах. В 1975 году Андерсоном было предложено оригинальное объяснение [83] диамагнетизма локализованных зонных состояний в халькогенидных стеклах на основании спаренных электронных состояний, незанятых либо заполненных двумя электронами с антипараллельными спинами. Соответствующие состояния заряжены отрицательно и положительно и не будут обладать неспаренным спином. Как указывалось [83] , в аморфных полупроводниках эффективное взаимодействие между парой электронов на одном узле может быть притяжением в результате превышения энергии, связанной с электрон-фононным взаимодействием, над энергией компенсации их кулоновского отталкивания.

Стрит и Мотт [I35,I85j развили идею Андерсона дальше: спаренные электроны существуют не просто в связи с неупорядоченностью халькогенидных стекол, а являются в действительности специфическими структурными дефектами.

Согласно [135,137-139,185] хвосты локализованных состояний у краев зон обладают ограниченной протяженностью (порядка 0,1-0,3 эВ) вглубь запрещенЕОй зоны. Наряду с этим, вблизи середины зоны существуют скомпенсированные уровни, обязанные по своей природе не самому разугсоря&оченшо, как постулировал Авдерсон, а структурным дефектам разупорядоченной сетки стекла. Это точечные дефекты, которые не могут удовлетворить нормальную координацию (2 для Se , 3 для As) из-за ограничений локальной топографии: нейтральная болтающаяся связь, таким образом содержит неспаренный электрон!. Любое реальное стекло, как предполагают Дэвис, Стрит, Мотт [135,185] , содержит большую плотность (IO^-IO19 см ) болтающихся или разорванных связей, которые могут быть заняты одним или двумя электронами, либо оказаться незаполненными. В данной модели такие дефекты обозначаются символами D°, D+ , D" , где индексы "о", 'V и " -" указывают зарядовое состояние центров. Атомное перемещение достаточно понижает полную энергию (Хаббардовское (J ), эффективная корреляционная энергия становится отрицательной и в результате создаются заряженные центры. Подразумевается, что при уходе электрона из одной болтающейся связи к другой энергия получается отрицательной. На рис.1.2 представлена в основных чертах модель Мотта, Дэвиса, Стрита. Здесь через Еп и Е. обозначены энергии., отдес v ляющие интервал пространственно локализованных и делокализованных состояний. В настоящее время уже не вызывает сомнений, что в любой некристаллической системе низшие состояния в зоне проводимости локализуются, т.е. фактически оказываются ловушками; по шкале энергий имеется интервал, занятый локализованными от дна зоны проводимости до некоторой критической энергии Е состояниями, называемой порогом^ или краем подвижности ( Е- , Еи ). Ясно, что край

С Y подвижности должен быть резким, поскольку сосуществование локализованных и нелокализованных состояний с одной и той же энергией исключается. При переходе через Е или Ew подвижность резко пас » дает на несколько порядков. Энергетический интервал между F и с

Еу интерпретируется как псевдощель и определяется как щель по подвижности.

На рис.1.3 схематически представлена нормальная конфигурация связей элементарного халькогена, а также их соответствующая перестройка и релаксация, необходимые для формирования специфических структурных дефектов. Отрицательный дефект рассматривается как свободная связь на атоме, который имеет более низкое (по сравнению с другими односортными атомами) координационное число. В качестве отрицательно заряженного дефекта [91,114] выбран Se или другой халькоген, связанный лишь, с одним соседним атомом., но с двумя полностью заполненными оставшимися I р-орбиталями. Поскольку положительный аналог - D+ центр - связан с тремя другими атомами, электрон, размещенный на нем, должен занять антисвязыва-ющее состояние зоны проводимости. Предполагается [185] , что два атома, образующие эту связь, сближаются и полученная вследствие искажения энергия достаточно большая. В обычных условиях ( при. отсутствии возбуждения) в ХСП существуют эти два типа заряженных диамагнитных, дефектов D+ и D" в примерно равных количествах. Пары таких дефектов, однако, при наличии возбуждения преобразуются в две парамагнитные, болтающиеся связи D° , причем межцентровая реакция

2 D+ + D" (I.I) идет с выделением энергии (экзотермически). Энергия локального искажения решетки превосходит энергию, необходимую для ухода двух электронов из D , тем самым обусловливая их энергетическую выгодность по сравнению с нейтральным дефектом. Электронные энергетические уровни находятся под сильным влиянием индуцированного искажения решетки.

Рис.1.1

Рис.1.2

Распределение плотности состояний в модели КФО [94] (рис.1.1) и Дэвиса-Мотта [135,185] (рис.1.2).

0 0 п

Se — Se — -Se и и и

0 0 Se-Se — — Se / и и с-Ъ

0 ь О I

Se

Рис Л .3

Диаграмма нормальных связей и постулируемая конфигурация связей для положительно ( D* ) и отрицательно ( D" ) заряженных дефектов атома элементарного селена [9l].

- Ik о: з; х m

КОНФИГУРАЦИЯ а) b)

Рис.

Конфигурационно-координационная диаграмма (а) и комбинированная диаграмма уровней (б) в модели Стрита-Могга [135] .

РГЬ, г

6ЧА, бе

-J.

Sp

P!6l

G'2. t

Рис.I.5

Энергетическая схема нормальных связей в аморфных

Ge и $е [112] .

D+Дефектные центры приводят к существованию уровней донорного типа в верхней половине зоны, тогда как D образуют акцепторного типа уровни в нижней половине зоны. Энергетический уровень D0 лежит посредине между D+ и D" центрами, осуществляющими фиксирование уровня Ферми в широком температурном интервале.

Возможные электронные переходы мевду валентной зоной и центрами представлены на рис.1.4. Еа и Ее представляют собой энергии оптического возбуждения и рекомбинации, Ев - разность общей энергии основного и возбужденного состояний и является энергией термического возбуждения. Уровни А,В,С обозначают соответственно переходы Еа, Ев, Ес, А', В', С'- энергии центра с двумя электронами. Uc- истинная корреляционная энергия, иными словами энергетическая разность между одно- и двухэлектронными состояниями при идентичном конфигурационном искажении,U- эффективная энергия корреляции с учетом искажения. Положение энергетических уровней относительно краев зон определяются Е+ и Е.

Взаимодействие с валентными электронами соседних атомов ответственно за локальное искажение решетки. В халькогенидах, как показано в [112], несвязывагощие 1р орбитали формируют верхнюю часть валентной зоны; связывающие состояния располагаются намного ниже, а антисвязывающие образуют зону проводимости. Болтающаяся связь вначале взаимодействует с соседними 1р орбиталями.

D0сильно притягивается к такой 1р орбитали, реализует с ней связь, искажая её окружение. При этом высвобождается значительная энергия из-за того, что 1р -электроны трансформируются в глубокие связывающие состояния; это само по себе предполагает сильное локальное искажение. Электрон, введенный в такой D+ комплекс, занимает следующий высший уровень, который является ан-тисвязывающим состоянием зоны проводимости. В связи с зарядом получаем мелкий, донорного типа уровень А (рис. 1.4). Е+ , таким образом, есть типичная энергия ионизации'донора, которая по величине составляет 0,1 эВ. В противоположность D+, два электрона на D" не могут образовать ковалентной связи с соседним атомом, а занимают 1р состояние. Образуется акцепторный уровень с энергией ионизации Е ~ Е+ . Конфигурация D° находится между D+ и D" и поэтому ожидается, что W+*W~. Ясно, что рассмотренные дефекты являются амфотерными, ибо D0 есть как нейтральным донором, так и нейтральным акцептором и вещество ведет себя как типичный скомпенсированный полупроводник.

Представленная выше в основных чертах модель Мотта, Дэвиса, Стрита может быть успешно применена для объяснения экспериментальных результатов по измерению проводимости, фотопроводимости, дрейфовой подвижности, фотолюминесценции, индуцированного поглощения и электронного парамагнитного резонанса. Естественно, что эта модель, как и всякая другая, имеет свои слабые места ( см. например [П4|), что однако нисколько не приуменьшает её ценности и полезности при интерпретации результатов.

Последующее развитие идей Мотта, Дэвиса, Стрита было осуществлено Кастнером, использовавшем химический подход. Он отметил, что нормальные химические связи в халькогенидных материалах совершенно отличны [112,114] от таковых в тетраэдрических,будь то кристаллические или аморфные. В противоположность тетраэдричес-ким полупроводникам Si, Ge , валентная и зона проводимости которых формируется связывающими и антисвязывающими состояниями соответственно, в халькогенидных полупроводниках ситуация обстоит иначе. В атоме германия валентная оболочка, содержит восемь s и р-типа состояний и четыре электрона. Волновые функции, данной оболочки! при образовании кристалла гибридизуются и превращаются о в sp -орбитали. Валентная зона и зона проводимости, возникают из связывающих и антисвязывагащих ("разрыхляющих") состояний соответственно. Четырехкратная координация Ge объясняется тем, что в валентной оболочке недостает до насыщения четырех электронов. Переход к аморфному веществу не меняет схему расщепления атомных валентных состояний: зоны валентная и проводимости в этом случае формируются связывающими и антисвязывающими орбиталями. Между кристаллическим и аморфным состоянием имеется, однако, существенная разница, проявляющаяся в том., что для аморфных веществ жесткие условия сохранения дальнего порядка не ограничивают углы мевду валентными связями: и длины последних, s -состояния в Se лежат значив тельно глубже р-состояний, заметной гибридизации волновых Функций здесь уже не происходит и расположенные ниже s-состояния не играют заметной роли в образовании химических связей и поэтому не рассматриваются. Поскольку лишь два из трех р-состояний могут принимать участие в связях, Se обычно дважды координирован:. Взаимодействие ближайших соседей расщепляет атомные орбитали в связывающие С , 1р-орбитали и антисвязывакнцие С*. Последние по энергии находятся наиболее высоко. При формировании зон как С , так и 1р состояния оказываются заполненными и, таким образом, С состояния уже не являются валентной зоной. Последняя формируется ^ состояниями. Проиллюстрированный на рис.1.5 метод химической связи дает корректную качественную схему зоннлй структуры для большого количества халькогенидов и поясняет двухкратную координацию элементов У1 группы.

Отличие в структуре химических связей халькогенидных и тетра-эдрических полупроводников в сочетании с отсутствием пространственных ограничений в аморфной фазе приводят к образованию необычной координационной конфигурации. иПО/ЫЬНИ: ЭНЕРГИЯ КОНФИГУРАЦИЯ Р-УРОВНИ КОНФИГУРАЦИИ ff.' t л

Сз U-W-H с; с^ш^ш

•ге о

-2Еь»л

-3th

Рис Л .6

Простейшие конфигурации связей аморфных халькогенидов [lI3j .

С d

Рис .1,7

Схематическое представление j[97j случайной сетки связей: а - бездефектная; Ь- с гомополярными "неправильными" связями; при наличии атомов с нарушенной координацией без (с) и с неправильными связями (d).

Несомненно, что в природе не существует как идеальных кристаллов, так и идеального стекла. Для создания точечных дефектов необходима [ИЗ] конечная свободная энергия Gf , так что если в твердом теле имеется N0 состояний, то в результате, получается~М0х xexp[-Gf/kT]дефектов. Однако, в действительности число дефектов больше в связи с медленной их релаксацией (залечиванием) при температурах, меньших температуры размягчения стекла Тд . Следовательно, плотность дефектов в конечном счете определяется Тд и свободной энергией Gf дефектообразования.

В разработанной модели [113] Кастнер решает проблему дефектов следующим образом;. Во-первых, на основе теории химической связи идентифицированы конфигурации связей с наименьшей энергией. Во-вторых, различные, возможно необычные, конфигурации связей специфицированы и упорядочены согласно возрастанию свободной энергии их образования Gf ; те, для которых Gf весьма большая» в дальнейшем исключаются из рассмотрения. Затем наиболее низкоэнергетические дефекты изучаются с целью выяснения их роли в образовании локализованных состояний. В отличие от предыдущих моделей [29,83, 135] , авторы которых постулируют' существование локализованных состояний в запрещенной зоне, Кастнер на основе результатов структурных исследований и химического подхода анализирует истинные дефекты. Заряженные состояния дефекта D+, D~ он обозначил через С^ и Cj соответственно, где С - символ атома халькогена, а индекс указывает координационное число. Нейтральный центр имеет координационное число равное 3, т.е. С^ [113,114] , поскольку считается, что дополнительный электрон, помещенный на С^, равномерно распределен между тремя связями в отличие от предложенного в |185] способа локализации преимущественно на одной из трех связей. Пример дефектных конфигураций атома халькогена представлен

-гона рис.I.б. Энергия несвязыващих 1р орбиталей взята, равной нулю. Наиболее низкоэнергетическая конфигурация С^ является обычным: двухкратно координированным атомом халькогена. Прямыми линиями обозначены связывающие ((>) орбитали,сэ-электроны, неподеленных пар, о-антисвязывающие. (С) состояния. Предполагается, что образование пар переменной (альтернирующей) валентности VAP, т.е. дефектов С^, Cj происходит в; две стадии. Нейтральная свободная связь Cj вначале взаимодействует с неподеленной 1р-парой соседнего атома С^. При этом по реакции:

Сj + Ср —^ + С^ (1.2) образуемся двух- и трехвалентный халькоген. В последующем:, путем перехода двух электронов антисвязывакнцих орбиталей и двух электронов связывающих орбиталей на орбитали jp-состояний, два С^ де~ фекта трансформируются в С^ и Cj. Таким образом., в обозначениях Кастнера реакция 2D°-^D++ D" запишется в виде

2С§-~СЗ + С£ (1.3)

В случае, если пары переменной валентности образуются близко друг к другу, что согласно [113,1 l4J справедливо для материалов: с низкой средней конфигурацией,относительно малыми значениями £ и низкими температурами, размягчения Тд , то энергия их образования может быть уменьшена, за счет энергии кулоновского; притяжения. Такие дефекты Кастнер назвал интимными парами с переменной валентностью, (I VАР). В отличие от VAP дефекты IVАР не ответственны, за закрепление уровня Ферми, концентрация их в меньшей мере чувствительна к добавлению легирующих примесей, образующих заряженные. центры.

Образование координационных дефектов) пар переменной валентности не происходит в атомах элементов, 1У группы. Для таковых характерна ковалентная увязанность всех четырех sP валентных электронов с соседями и пятикратная координация атомов невозможна.

Следовательно, в аморфных халькогенидах имеются дефекты,связанные с нарушенной координацией атомов. Изменение зарядового состояния таких дефектов обусловливает сильное локальное искажение вокруг него. В пользу дефектной природы внутризонных локализованных состояний свидетельствуют экспериментальные результаты исследований фотолюминесценции . [91] , оптически наведенных центров ЭПР и индуцированного поглощения [90] , а также дрейфа носителей [128, 130-131] .

Наиболее веское доказательство наличия специфических дефектов в стеклах дает исследование фотолюминесценции (ФЛ), в частности спектра возбуждения ФЛ. Так, согласно аргументации Стрита, [184] , спад спектра ФЛ как функции обратной величины коэффициента поглощения указывает на то, что имеются центры, которые могут быть непосредственно возбуждены падающими фотонами и обусловливают ФЛ, иными словами межзонные оптические переходы не приводят к фотолюминесценции.

В экспериментах по изучению влияния примесей на электрофизические свойства были получены результаты, также свидетельствующие о наличии заряженных пар дефектов, выступающих [135] в качестве ловушек электронных и дырочных носителей.

Вандербилт и Йоанопоулос [197,198] обратили внимание на две важные особенности, которые не учитывались в моделях [II3/H4] . Во-первых, необходима коррекция общей энергии за счет члена, отображающего ионное отталкивание двух ближайших соседей и представляемого как zR , где z-координационное число. При учете члена отталкивания энергия образования VAP не меняется (среднее координащионное число VAP такое же, как и у атома халькогена в нормальном состоянии), однако имеется влияние на величину эффективной корреляционной энергии, и, что более важно, увеличивается энергия С^ центра относительно Во-вторых, для однократно координированного атома халькогена возможность if-связывания может обусловливать дополнительное уменьшение энергии, зависящее от конфигурации ближайшего соседа. Это является результатом того, что однократно координированный атом может вращать распределение своего заряда вокруг оси единственной имеющейся у него связи. Рассматриваемые дефекты могут иметь различное зарядовое состояние и локализоваться на атомах халькогена (С^, Ср или пниктида (Pj, Pjp. Наличие того или иного типа дефектов, их концентрация естественно определяются составом и условиями получения образцов, а изменение зарядового состояния будет существенно зависеть от условий исследования конкретного физического свойства.

В заключение, сформулируем наиболее важные результаты и выводы на их основе. К таковым необходимо отнести:

I. Рассмотрены фотоиндуцированные изменения электрофизических и фотоэлектрических свойств слоев халькогенидных стекол. Процессы фотоиндуцированного изменения оптических констант сопровождаются изменением таких параметров, как энергия активации фотопроводимости, дисперсия времен пролета фотоинжектированных носителей, и связываются со спецификой электронно-дырочных процессов при: соответствующих измерениях.

2. Четко разграничены фотоструктурные, происходящие в первом цикле записи на свежеприготовленных слоях, и фотоиндуциро-ванные изменения в отожженных пленках ХСП. а) Установлена зависимость структуры осажденной светочувствительной пленки халькогенидного стекла от условий её получения и состава. Увеличение скорости напыления и/или содержания мышьяка в составе конденсата проявляется в усилении квазимоле-кулярности его структуры. б) В результате засветки свежеприготовленных слоев, изготовленных в обычных условиях термического напыления, молекулярные комплексы частично полимеризуготся в структура пленки приближается к структуре химически упорядоченной сетки обьемного стекла. Отжиг свежеприготовленных слоев в большей мере сопровождается полимеризационными процессами молекулярных комплексов: структура пленки становится практически идентичной структуре, объемного стекла. в) Слои с позитивной светочувствительностью, изготовленные в неравновесных условиях, при засветке или отжиге приобретают свойства негативов. Для пленок стекол из системы As-S возможность осуществления обратимых циклов запись-стирание (оптическое или термическое) ограничена по сравнению с пленками As-Se , поскольку для слоев As-S вследствие микрокристалличности при соответствующей обработке наблюдается существенное увеличение доли необратимой составляющей фотозаписи:. г) обратимые фотоиндуцированные изменения в отожженных слоях не сопровождаются существенными структурными превращениями: происходит лишь некоторое изменение локальной конфигурации о чем свидетельствуют данные исследований спектров КРС в низкочастотной области.

3. Инициирующим в реверсивном: увеличении: оптической плотности халькогенидных стеклообразных полупроводников при засветке является электронный механизм!. а) ФИИ, физических свойств связаны с процессами захвата генерируемых излучением неравновесных носителей на локализованные состояния координационных дефектов. б) идентифицированы локальные уровни, ответственные за составляющие записи с Тст^220 и ^400 К; энергетическая глубина их залегания для стекол As-Se составляет 0,4 и 0,7-0,8 эВ соответственно. в) Предложена модель механизма фотоиндуцированных изменений, в рамках которой объясняются экспериментально наблюдаемые изменения свойств ХСП в результате засветки. ч 4. Рассмотрены особенности исследования локальных центров в ХСП методом термостимулированной деполяризации. Проведен анализ и установлены пределы применимости данного метода для материалов с соатве.тствующим отношением ширины запрещенной зоны и глубины локальных центров.

5.Рассмотрено влияние меди, вводимой в стеклообразный AS2 Se^ на основные физические свойства. Значительное увеличение проводимости и уменьшение её энергии активации при соответствующем слабом изменении запрещенной зоны для оптических переходов объясняется смещением уровня Ферми в сторону валентной зоны. Изменяется также интервал локализованных в "хвосте" валентной зоны состояний.

6. Наследован характер влияния замещения мышьяка на фосфор в стеклах системы Си-As-Se . Ухудшение светомодуляционных характеристик слоев Си Р Se по сравнению с Cu-As-Se связывается с возрастанием: числа связей металл-халькоген, что в конечном счете обусловливает структурное отличие данных матери-: алош.

7. Рассмотрена возможность управления эффективностью фотозаписи и её стабильностью при заданной температуре.

1. Аверьянов В.Л., Листошин Б.В., Приходько О.Ю. Исследование электрических и оптических свойств пленок модифицированного

2. As2Seg-~ В кн.: Структура, физико-химические свойства и применение некристаллических полупроводников: Материалы междун. конф. "Аморфные полупроводники-80". Кишинев, 1980, с. 187.

3. Адирович Э.И. Законы электронной поляризации и деполяризации кристаллов. ФТТ, 1961, т. 3, К 7, с. 2048-2050.

4. Адлер Д. Приборы на аморфных полупроводниках. УФН, 1978, т. 125, № 4, с. 707-730.

5. Архипов В.И., Йову М.С., Руденко А.И. Отрицательные нестационарные токи в аморфных полупроводниках. В кн.: Физические явления в некристаллических полупроводниках: Материалы междун. конф."Аморфные полупроводники-80". Кишинев, 1980, с. 68-71.

6. Архипов В.И., Руденко А.И. Аномальный перенос заряда в аморфных полупроводниках. ФТП, 1979, т. 13, }Ь 7, с. 1352-1358.

7. Берча Д.М., Кикинеши А.А. Анизотропные элементы структуры и устойчивые состояния халькогенидного стекла. Ужгород,- 18 с. Рукопись представ. Ужгород, университ. Деп. в ВИНИТИ 13 апр. 1980 г. № 1842-80.

8. Бордовский Г.А. Особенности термостимулированных токов при бимолекулярной рекомбинации. В кн.: Физика зысокоомных полупроводников (ч. 3). Л., 1974, с. 62-67.

9. Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников. Л.; ЛГУ, 1972, 247 с.

10. Бродский М. Комбинационное рассеяние света в аморфных полупроводниках. В кн.: Рассеяние света в твердых телах (под ред. М.Кардоны).М., Мир, 1979, с. 239-289.

11. Вайполин А.А., Порай-Кошиц А.К. О структуре стеклообразныхIхалькогенидов мышьяка. ФТТ, 1963, т. 5, № I, с. 256-262.

12. Вайполин А.А., Порай-Кошиц Е.К. Рентгенографическое исследование стеклообразных халькогенидов мышьяка. В кн.: Стеклообразное состояние: Труды У1 Всесоюзн. совещ. Ленинград, I960, с. 470-473.

13. Вайполин А.А. Строение халькогенидов мышьяка и проблема стек-лообразования. Журнал структурной химии, 1970, т. II, № 3, с. 484-488.

14. Вайполин А.А., Порай-Кошиц Е.К. Структурные модели стекол и структура кристаллических халькогенидов. ФТТ, 1963, т. 5, с. 683-687.- 187

15. Власов В.И., Семак Д.Г., Чепур Д.В. О механизме фотоиндуцированных изменений оптических констант в халькогенидных стеклах на основе As-Se. Известия вузов, Физика, 1978, № 12,с. 48-52.

16. Власов В.И., Семак Д.Г. Релаксация фотоиндуцированных изменений оптических констант. УФЗК, 1977, т. 22, К 12, с. 2053- 2054.

17. Влияние состава и способа изготовления на фото-термоиндуциро-ванные изменения в регистрирующих средах на основе As-S

18. В.И.Микла, Ю.М.Высочанский, А.А.Кикинеши, Д.Г.Семак, В.А. Стефанович. Известия вузов, Физика, 1983, К II, с. 73-77.

19. Ганин В.М., Любин В.М. Фотостимулированные изменения контактных свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников.- ФТП, 1977, т. II, }Ь 4, с. 1206-1209.

20. Герасименко B.C., Поваренных А.С. Атомная структура соединений As^(S,Se)^ . В кн.: Структура, физико-химические свойства и применение некристаллических полупроводников; Матер, междун. конф."Аморные полупроводники-80". Кишинев, I960,с. 28-31.

21. Голографические регистрирующие среды на основе пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As-Se .

22. С.Б.Гуревич, Н.И.Ильяшенко, Б.Т.Коломиец, В.М.Любин, В.А.Федоров. В кн.: Голография и обработка информации. Л.; Наука, 1976, с. I46-151.

23. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа.- Mi; Наука, 1981, 173 с.

24. Губанов А.И. Квантово-электронная теория в аморфных полупроводниках. ФТТ, 1962, т. 4, № 10, с. 2873-2875.

25. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. -M.-JL. ; АН СССР, 1963, 250 с.

26. Добош М.В., Микла В.И., Туряница И.Д. Кристаллизация и фото-индуцированные изменения в AsSe . В кн.: Физика и технология тонких пленок сложных полупроводников: Тезисы докладов 1У Респ. конф. Ужгород, 1981, с. 175-176.

27. Дэвис Э. Состояния в запрещенной зоне и дефекты в аморфных полупроводниках. В кн.: Аморфные полупроводники: (под ред.

28. М.Бродски). М., Мир, 1982, с. 55-96.

29. Ждан А.Г., Сандомирский В.Б., Ожередов А.Д. Определение параметров ловушек методом термостимулированного разряда конденсатора. ФТП, 1968, т. 2, № I, с. II—18.

30. Жданов В.Г., Малиновский В.К. Модель фотоструктурных изменений в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников.- Новосибирск, 1979. 27 с. (Препринт / ^н-т автоматики и. электрометрии СО АН СССР: № 106).

31. Захаров В.П., Герасименко B.C. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии. К»; Наукова думка, 1976,280 с.

32. Захаров В.П. Химическая связь и ИК-спектры поглощения сложных неупорядоченных систем. УФI, 1978, т. 22, К 9,с. I502-I5I0.

33. Исследование светочувствительных стекол системы Cu-P-Se /М.В.Поторий, В.И.Микла, Д.Г.Семак, А.А.Кикинеши. Томск,1980. 8 с. - Рукопись представ, ред,. "Известия вузов".

34. Деп в ВИНИТИ 29.02.1980 № 536-80.

35. Кикинеши А.А., Семак Д.Г. 0 реверсивности*фотозаписи на стеклах из системы As-Se . Журнал научн. и прикл. фотографии и кинематографии, 1975, т. 20, №4, с. 299-302.

36. Коломиец Б.Т., Мамонтова Т.Н., Назарова Т.Ф. Электрические свойства халькогенидных стекол. В кн.: Стеклообразное состояние: Труды У1 Всесогозн. совещания. М.-Л., 1959, с. 456-470.

37. Коломиец Б.Т. Примеси и свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников. В кн.: Электронные явления в некристаллических полупроводниках: Труды 6-ой мевдун. конф. по аморф. и жидким полупроводникам. Л., Наука, 1976, с. 23-34.

38. Коломиец Б.Т., Любин В.М., Шило В.П. Фотостимулированные изменения растворимости халькогенидных стекол. Физика и химия стекла, 1978, т. II, № 3, с. 351-357.

39. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Казакова Л.П. Особенности переноса носителей заряда в стеклообразном- As2Se^ . ФТП,т. 12, № 9, с. 177I-1776.

40. Коломиец Б.Т. Халькогенидные стеклообразные полупроводники. Ленинград, 1981. - 23 с.-( ФТИ им .Иоффе АН СССР : JS 705).

41. КР-спектроскопические исследования фотоиндуцированных изменений в светочувствительной пленке халькогенидного стекла

42. В.Ю.Сливка, Ю.М.Высочанский, В.И.Микла, Д.Г.Семак, А.А.Кикинеши. В кн.: Физика и технология тонких пленок сложных полупроводников: Тез. докл. Республ. конф. Ужгород, 2281, с. 179-180.

43. Локализованные состояния в стеклах Си-As-Se/ А.А.Кикинеши, В.И.Микла, Д.Г.Семак, В.П.Пинзеник. УФЖ, 1978, т. 23, J.& I, с. 63-69.

44. Локализованные состояния и фотоиндуцированные изменения в ХСП / Д.М.Берча, В.И.Микла, М.И.Марьян, Д.Г.Семак, А.А.Кикинеши. ФТП, 1983, т. 17, №9, с. 1627-1630.

45. Луковскк Д., Хэйс Т. Ближний порядок в аморфных полупроводниках. В кн.: Аморфные полупроводники (под ред. М.Бродски). М., Мир, 1982, с. 268-310.

46. Любин В.М. Стеклообразные полупроводники в устройствах регистрации оптических изображений. В кн.: Структура и свойства некристаллических полупроводников: Труды 6-ой междун. конф. Ле/ щшград, Наука, 1976, с. 415-425.

47. Любин В.М. Фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их применение. Успехи научной фотографии, 1980, т. 20, с. 66-71.

48. Микла В.И., Семак Д.Г., Кикинеши А.А. Дрейфовая подвижность и фотоиндуцированные изменения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. УФ1, 1980, т. 25, № 12, с. 2021-2026.

49. Микла В.И., Семак Д.Г. Особенности переноса заряда в условиях оптической записи. Томск, 1981. - II с. - Рукопись представ, ред. "Известия вузов, Физика". Деп. в ВИНИТИ 12.01.1981,277.81.

50. Микла В.И., Семак Д.Г. Фотоиндуцированные изменения и дрейфовая подвижность в ХСП. В кн.: Фундаментальные основы оптической памяти и среды. К., 1982, К 13, с. 88-96.

51. Микла В.И., Семак Д.Г., Кикинеши А.А. Релаксационные процессы в слоях ХСП в условиях импульсного возбуждения и оптической- 191 записи. УФЖ, 1982, т. 27, № 7, с. II00-II02.

52. Микла В.И., Семак Д.Г., Кикинеши А.А. Электронные процессы в светочувствительных халькогенидных материалах Cu-As(P)-Se . Тез. докл. Всесоюзн. конф. по физике, химии и техническому применению халькогенидов.Баку, 1979, с. 115.

53. Микла В.И., Семак Д.Г. Явления переноса и релаксация неравновесных носителей заряда при оптической записи в слоях ХСП. В сб. Физическая электроника. Львов, 1981, вып. 23, с. II9-I25.

54. Модифицирование стеклообразного селенида мышьяка/ В.Л.Аверьянов, Б.Т.Коломиец, В.М.Любин, О.Ю.Приходько. Письма в ЖТФ, I960,т. 6, № 10, с. 577-580.

55. Москальонов Л.В. Парамагнитные центры окраски в стеклах As2S2 , индуцированные рентгеновским излучением. ФТТ, 1977, т. 19,5, с. 1440-1442.

56. Мотт Н. Электроны в стеклообразных материалах. Успехи физических наук, 1979, т. 127, № I, с. 41-50.

57. Мотт Н., Дэвис Э.Электронные процессы в некристаллических веществах. 2-е изд., перераб. М.; Мир, 1982, 662 с.

58. Неизотермическая релаксация при фотозаписи в слоях AsSe

59. А.А.Кикинеши, В.И.Микла, Д.Г.Семак, М.М.Шипляк. УФК, 1983, т. 28, № 5, с. 286-288.

60. Немрилов С.В., Таганцев Д.К. Влияние света на вязкость стеклообразного, трисульфида.мышьяка. Физика и химия стекла, 1981, т. 7, № 2, с. 195-202.

61. Особенности исследования.термостимулированной деполяризации в халькосенидном стекле/ А.А.Кикинеши, В.И.Микла, И.П.Михалько, Д.Г.Семак. Ужгород, 1976. - 12 с. -Рукопись представ, ред. ФТП. ДЗ-4543/76 (Электроника) 8.04.76.

62. О связи между температурой размягчения и температурой стирания оптической записи в ХСП/ Б.Т.Коломиец, С.С.Лантратова, В.М.Любин, В .П .Шило. ФТТ, 1979, т. 21, № 4, с. 1020-1024.

63. О характере структурно-химического взаимодействия вкомпонен-тов в стеклообразной системе Си-As-Se/Г.М.Орлова, Н.А.Алим-барашвили, И.И.Кожина, А.А.Дорогокунцева. Журк. прикяадн. химии, 1972, т. 45, В II, с. 2385-2389.

64. Особенности динамической составляющей оптической записи в слоях ХСП /Д.Г.Семак, Г.Г.Суран, В.И.Микла, А.А.Кикинеши, М.М.Ши-пляк. В кн.:Нпвые регистрирующие среды для голографии. - Л.; Наука, 1983, с. 83-89.

65. Позднякова В.М., Полтавцев Ю.Г., Рубцов В.Г. Рентгенографические исследования структуры стеклообразных AS2S3 иА52 2е^'- УФЖ, 1975, т. 18, № 10, с. 912-914.

66. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводников в некристаллических состояниях. Успехи физических наук, 1976, т. 120, №4,с. 581-612.

67. Различие кинетики фотостимулированных изменений поглощения и преломления света в ХСП / С.Б.Гуревич, В.Б.Константинов, В.М. Любин, М.А.Маурер. Письма в ЖТ1, 1975, т. I, № 23, с. 1076-1079.

68. Росола И.И., Пуга П.П., Чепур Д.В. Приведенная плотность колебательных состояний и структурные' особенности стекол системы As-S . В кн.: Сложные полупроводники (получение, свойства, применение). Ужгород, УжГУ, 1981, с. 83-92.

69. Стыс Л.Е., Фойгел'ьМ.Г. Глубокие уровни в халькогенидах мышьяка. ФТП, 1979, т. 13, № II, с. 2087-2095.

70. СемакД.Г., Кикинеши А.А., Михалько И.П. Электронный механизм фотоиндуцированных изменений. Физика и химия стекла, 1976, т. 2, № 5, с. 457-460.

71. Стеклообразование и кинетика неизотермической кристаллизациистекол в системе As-Те-J/ М.В.Добош, В.В.Хминец, Л.И.Козич, И.Д.Туряница. Физическая электроника, Львов, 1980, вып. 21, с. 84-91.

72. Температурная зависимость оптической записи и стирания на халькогенидном стекле / В.И.Власов, А.А.Кикинеши, Д.Г.Семак, Д.В.Чепур. Ш, 1977, т. 22, №7, с. II99-I203.

73. Туряница И.И., Кикинеши А.А., Семак Д.Г. Эффект позитивной фотозаписи на слоях халькогенидных стеклообразных полупроводников. УФЖ, 1979, т. 24, № 4, с. 534-537.

74. Усвицкий М.Б. Зависимость температуры кристаллизации от скорости нагревания и её связь с энергией активации. Известия АН СССР, Неорганические материалы, 1969, т. 5, 15 9,с. I585-1593.

75. Фотостимулированное изменение микротвердости в пленках халькогенидных стеклообразных.полупроводников / Б.Т.Коломиец, С.С.Лантратова, В.М .Любин, В.П.Пух. ФТТ, 1976, т. 18, К 4, с. II89-II9I.

76. Фотоиндуцированные изменения фотоэлектрических и оптических свойств стеклообразного AS2S3 / Н.Г.Дьяченко, В.Г.Ремесник, М.Ю.Трофименко, А.В.Тюрин,.В.Г.Цукерман, А.С.Шевелева.- УФЖ. 1982, т. 27, № 8, с. II47-II52.

77. Электронная теория неупорядоченных полупроводников / В.Л.

78. Бонч-Бруевич, И.П.Звягин, Р.Кайпер, А.Г.Миронов, Р.Эндерлайн, Б.Эссер. М.; Наука, 1981. - 383 с.- 195

79. Abkowitz M., Scher H. Transition from transient to steadystate dark currents in amorphous As2Se2'~ Phil. Mag., 1977, vol. 35, p. 1585-1603.

80. Abko witz LI., Scharfe Ivl. Origin on the dark currents in gold- a- As Se sandwich cells. Sol. State Communs, 1977» vol.23 2 31. У5, P- 305-309.

81. Abkowitz LI. Time-resolved dark injection from various metalsinto an amorphous semiconductors. J. Appl. Phys., 1979» vol. 50,У6, p. 4009-4014.

82. Agarwal S .C. Analysis of the termally stimulated capacitor discharge method for characterizing localized states in amorphous semiconductors. Phys. Rev. Б, 1974, vol. 10, Jf 10,p. 4340-4350.

83. Anderson P. .;. Model for electronic structure of amorphous semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1975» vol. 34» ^15, p. 953-955.

84. An analysis of the dispersive charge transport in vitreous 055TAs2S^!£b2Si/V.I.Arkhipov, LI.S.Iovu, A.I.Rudenko, B.D.Shutоv. Phys. Stat. Sol.1979, vol. 54, У1, p. 67-70.

85. A model of photo structural changes in chalcogenide vitreous semiconductors. I. Theoretical consideration /А.V.Kolobov,

86. B.T.Kolomiets, 0.V.Konstantinov, V.И.Ljubin. J. Ivon-Cryst. Solids, 1981, vol. 45, j/3, p. 335-341.

87. Asahara Y. , Izumitani T. Reversible optical memory effectin As-Se glasses. Phys. and chemistry of glasses, 1975,vol. 16, JT2, p. 29-35.

88. Berkes J.3., Ing S.Y/. , Hillegas V/.J. Photodecompozitionof amorphous AS2S2 and^S2^e3* " J* *97I»vol. 42, jT 12, p. 49 08 49 16.

89. Bishop S.G., Strom U. , Taylor Г-.С. Optically induced meta-stable paramagnetic states in amorphous semiconductors.-Phys. Rev. В , 1977, vol. 15, W4, p. 2278-2294.

90. Bishop S.G. , Strom U., Friebelle P.J. The effect of impurities upo^n photoluminescence and optically induced paramagnetic states in chalcogenide glasses. J. llon-Cryst. Sol., 1979, vol. 32, к 1-2, p. 359-372.

91. Charge transport and photoconductivity in amorphous arsenic trisulfide films / S.W. Ing, Ir, G.II.lJeyhart, Б1. V/. Schmidlin. J. Лрр1. Phys., 1971, vol. 42, У2, p. 696-703.

92. Claytor Т.Н., Sladek R.J. Thermell expansion of amorphous

93. AS2S3 Asa Se3 and ultrasonic studies of amorphous AsgSe^.B кн: Структура и свойства некристаллических полупроводников: Труды б-ой междунар.конф. по аморфным и жидк. полупроводникам. Ленинград, 1976, с. 54-57.

94. Cohen М.Н., Pritzsche Н., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semiconducting alloys. Phys. Rev. Lett., 1969, vol. 22, jr 20, p. ltS65-I068.

95. Dolezalek F.K. Experimental techniques. In: Photoconductivity and related phenomena. Amsterdam, 197°, Ed. by J.lvlort and D.IJ.Pai, p. 27-69.

96. Dussel G.A., Bube R.H. Theory of thermally stimulated conductivity in a previously photoexcited crystall. Phys. Rev., 1976, vol. 153, Л3, Р- 764-779.

97. Enck R.C., Pfister G.A. Amorphous chalcogenides. In: Photoconductivity and related phenomena. Amsterdam, 1976. Ed. by J.LIort and D.LI.Pai, p. 215-302.

98. Ev/en P.J.S., Sik M.J., Owen A.E. A note on the raman spectra and structure of As S (X^AO^ glasses.x 100-x4- Sol. State Oommuns., 1980, vol. 33, p. 1067-1070.

99. Feinleb I. Reversible electrycal and. optical memory effects in amorphous semiconductors. In: Dynamical aspect of Critical Phenomena. Gordon and Brech. Ed. by Budnick and Kawatra, 1972, p.

100. Fisher F.D., Harshall J.M., Owen A.E, Transport properties and electronic structure of glasses in arsenic-selenium system. Phil. Hag., 1976, vol. 33, У2, p. 26Ir275.

101. Fritzsche H. Localized states and doping in amorphous semiconductors. In: Amorphous and Liquid semiconductors. Proc. 7-th Intern. Conf. on amorphous and liquid semicon. Edinburg, 1977, p. 515-321.- 198

102. Fritzsche И. Optical end electrical enrgy &ops in amorphous semiconductors. J. LTon-Cryst. Sol., 1971» vol. j6,p. 4971.

103. Fuhs V/. , Meyer D. Recombination in amorphous As£Se^ • ~ Phys. Stat. Sol.1974, vol. 24, JTI, p. 275-283.

104. Hnuser I.I., Di Salvo F.J., Hutton R.S. Localized gap states in amorphous semiconducting compounds. Phil. Hag., 1977, vol. 35, JV6, p. 1557-1575.

105. Hjimo И., Kite Y. Transient photoinduced absorption in amorphous chalcogenide films. Jpn. J. Appl. Phys., 1977» vol. 15, MA, p. 641-642.

106. H,jima LI., Kurita S. Transient photoinduced phenomena in amorphous chalcogenide thin films. J. iippl. Phys. , If)80, vol. 51, Я 4, p. 2103-2105.

107. Influence of" copper addition on electrical and optical properties of amorphous AS2Se2 /M.Kitao, H.-Akao, H.Ishikawa, S.Yamada. Phys. Stat. Sol.1981, vol. 64, H2, p. 493? 49 S.

108. Kastner LI. , Adler D.,, Pritzsche H. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors.- Phys. Rev. Lett., 1976, vol. 37, J/22, p. I504-I507t

109. Kastner Li. Delict chemistry and states in the gap of lone-pair semiconductors. J. й'оп-Cryst. Sol., 1973, vol. 3^,1. У1-2, p. 22^-240.

110. Kastner LI. Defects in lone-pair semiconductors: the valence alternation model and new directions. J. l'Ton-Cryst. Sol., 1930, vol. 35-36, #2, p. 807-817.

111. Kawarnura H., Fulcumasu K., Hamad я Y.Low-frequency inelastic light scattering from As-S glasses. Sol. State Communs, 1982, vol. 43, /f2, p. 229-231.

112. Kazakova L.P., Lebedev Е.Л., Kolomiets B.T. The hole drift mobility of vitreous As2Se2 * " In: Amorphous semiconduc-tors"76. Proc. of Intern. Conf, Balatonfiired. Budapest e.a. 1976, p. 517-522.

113. Kolomieto В.Т., Ljubin V.LI., Averjanov V.L. The investigation of local states in vitreous semiconductors by photoconductivity and thermally stimulated depolarization methods. -Mater. Res. Eull., 1974, vol. 5, p. 655-664.

114. Leadbetter A.J;, Appling A.J., Daniel M.F. Structure of vapour deposited amo^rphous films of arsenic chalcogenides- J. Won-С ryst. Sol., 1975, vol. 21, VI, p. 47-53.

115. Le Comber P.G. , Spear Y/.E. Doped amorphous semiconductors.- In: Amorphous semiconductors. Berlin e.a 1979, Ed. by Brodsky И., p. 251-285.

116. Liang K.S., Bienenstock A., Bates C.W. Structural studies of glassy Cu AsSe^ andCu-AS2Se2 alloys. Phys. Rev. B, 1974, vol. 10, J/4, p. 1528-1538.

117. Lucovgky G., Liartin й.Ы. A molecular model for vibrational modes in chalcogehide glasses. J. Non-Cryst. Sol., 1972, vol. a-io, p. 135-190.

118. Llarshall J.M. Electron transport in arsenic triselenide single crystals. J. Phys. C.:Sol. State Phys., 1977, vol. 10, У8, p. 1283-1288.

119. Marshall J.Li., Sharp A.C. Carrier mobility and transit time dispersion for the mechanism of activated and unactiva-ted hopping in disordered semiconductors. J. Ьюп-Cryst. Sol., 1980, vol. 35-36, Jtl, p. 99-104.

120. Mori Т., Onari S., Arai T.RSman scattering in amorphous As-Se system. Jpn. J. Appl. Phys., 1980, vol. 19, J/6,p. I027-I03I.

121. L'ort J. Application of amorphous materials. Phys. Techn. 1980, vol. II, Я4, p. I34-I4I.

122. Koss S.V., De Lleufville J.P., Ovshinsky S.R. Photostructur ral effect in amorphous As2Se^ and AS2S2 .- Bull. Amer. Phys. Soo., 1973, vol. 18, tf3, p. 385-395.

123. Llott I'T.F., Davis A.E. , Street R.A. States in the gap andrecombination in amorphous semiconductors. Phil, i.iag. ,1975, vol. 32, M5 , p. 961-996.

124. Liott N.P. The increase in the conductivity of chalcogeni-de glasses by the addition of certain.impurities. Phil. 1:1a g. , 1976, vol. 34, Л 6, p. II0I-II08.

125. Liott II.P., Street R.A. States in the gap in chalcogenide glasses. Phil. Licg. , 1977, vol. 36, A I, p. 33-52.

126. I/Iott Li'.P. Electrons in glass. Contemp. Phys., 1977,vol. 3, p. 225-2 45.

127. Llott K.P. Electrons in glass, Science, 1978, vol. 201,1. Jf 4359, p. 871.875.- 202

128. Huller P. Direct proof of the conduction type in semiinsu-lat ing thin films. Phys. Stat. Sol. A, 1976, vol. 37, p. 543-533.

129. I.Ieller P. Investigation of amorphous semiconductors by dielectric relaxation current measurements. In: Amorphous semiconductors '"26'. Proc. 7-th Intern. Conf. Ealotonfured.

130. Budapest e.a. 1976, p. 199-214.

131. Кооlandу J. Theory of charge transport in amorphous materials. In: Amorphous and Liquid semiconductors. Proc. Inter. Conf. on amorphous and liquid semicond. Edinburg, 1977,p. 224-228.

132. Kemanich J. Low-frequency inelastic light scattering from chalcogenide glasses and alloys. Phys. Rev. B, 1974, vol. 16, J/4, p. 1655-1574.

133. Noоlandу J. Multiple-trapping model for anomalous transittime dispersion in a- Se . Phys. Rev. B, 1977, vol. 16, J/IO, p. 4465- 4473145. Нооlandу J. Theory of anomalous dispersion in a- Se - Sol. State Communs, 1977, vol. 24, JV7, P. 477-480.

134. Hoolanay J. Equivalence of maltiple-trcpping model and time-dependent random walk. Phys. Rev. B, 1977, vol. 16,10, p. 4474-4479.

135. Orenstein J., Kastner Ы. Time-resolved optical absorption and mobility of localized charge carriers in a-AS2Se3 •- Phys. Rev. Lett., 1979, vol. 43, 2, p. 161-165.

136. Orenstein J., Kastner Ы. , Don-LIonroe. Time-resolved measurements of photoinduced optical absorption and photocurrentin о — As^ Sg^• J« ILon-Cryst. Sol., 1980, vol. 35-36, p. 951-955.

137. Orenstein J., Kastner Ы. Photocurrent transient spectroscopy: I.Ieasurements of the density of localized states ina-As2Sev Phys. Rev. Lett., 1931, vol. 46, ЛУ21, p. 1421-1424.

138. Ovshinsky S.R. Localized states in the gap of amorphous semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1976, vol. 35, Я24,p. 1459-1472.

139. Ovshinsky S.R., Adler D. Local structure, bonding and elec-tr onic properties of covalent amorphous semiconductors.- Contemp. Phys., 1978, vol. 19, JV"2, p. 109-126.

140. Ovshinsky S.R. The shape of disorder. J. iJon-Cryst. Sol., 1979, vol. 32, JVl-3, p. 17-28.

141. Owen A.E. The electrical properties of glasses. J. Non-Cryst. Sol., 1977, vol. 25, У1-5, p. 372-423.

142. Owen A.E. , r.iarshall J.Li. Electronic states and transport mechanisms in cheloogenide glasses.-In: Amorphous and Liquid semiconductors. Proc. of 7"th Intern. Conf. on amorph. and liquid semicond. Edinburg, 1977, p. 529-540.- 204

143. Pearson A.D., Bagley E.G. The mechhnism of hologram formation in arsenic-sulfur glass. -I/Hater. Res. Bull., 1971,vol. 6, Jf 10, p. I04I-I046.

144. Pfi3ter G. Dispersive lov/-temperature transport in a- Se .- Phys. Rev. Lett., 1976, vol. 35, Я 5, P« 271-273.

145. Pfister G-. , Sher H. Time-dependent electrical transport in amorphous solids: AS2 Se^ • Phys. Rev. B, 1977, vol. 15, JfA, p. 2052-2083.

146. Pfister G., Sher H. Electrical transport in disordered solids, In: Amorphous end Liquid semiconductors. Proc. of Intern. Coni. on cmorph. and liquid semicond. Edinburg,1977, p. 197-208.

147. Pfister G., Sher H. Dispersive non-Gaussian transit transport in disordered solids. Advances in Phys., 1973, vol. 27, 5, P. 7-'17-798.

148. Pfister G., Morgan K., Liang IC.S. Elec trical transport in a- As0Se^containing metallic impurities. Sol. State2 3

149. Communs., 1979, vol. 30, p. 227-230.

150. Pfister G., Llorgan LI. Defects in chalcogenide glasses.- Phil, i.iag. , 1980, vol. В 41, N2, p. 191-207.

151. Pfister G., Taylor P.O. Experimental investigation of defect states in amorphous chalcogenide glasses. J. Kon-Oryst. Sol., 1980, vol. 35-35, Jf2, p. 793-305.

152. Photostructural effects in glcssy/^Se^ ?ncl

153. D.I.Treacy, U.Stroa, P.B.Klein, P.O.Taylor, T.P.Hartin. J. IJon-Cryst. Sol., I98o, vol. 35-35, У2, p. IO35-IO39.

154. Reman a*-nd infrared spectra of AS2$X chalcogenide glasses with x^-3 /А.Bertoluzza ,C.Pagnano, P.LIonti, G. Seme-rr.no. J. Non-Cryst. Sol., 1978, vol. 29, JTl, p. 49-60.

155. Razzetti C. , Lottici P.P. Polarization analysis of the reman spectrum of AS2 crystals. Sol. State Communs., 1979, vol. 29, Jf4, p. 361-364.

156. Robinson A.I. Chalcogenide glasses: A decade of dissension and progress. Science, 1977, vol. 197, Л/Ч308, p. 10^8-IO7O.

157. Rudenko A.I. Theory of trap-controlled transient injection- J. llon-Cryst. Sol., 1976, vol. 22, p. 215-213.

158. Rudenko A. I., Arkhipov V.I, A model of anoraalous charge transport behavoir in amorphous materials. Phil. Hag., B, vol. 39, JV6, P. 465-478.172.

159. Scharfe LI.E. Transient photoconductivity in vitreous As^Se^- Phys. Rev. B, 1970, vol. 2, JVI2, p. 5025-5034.

160. Suzuki Li. , Okano S . , Lfagaoka H. Structural changes in

161. As-S glasses, induced by acoustic flux injection.- J. Non-Cryst. Sol., 1980, vol. 35-36, j/2, p. 1057-1072.

162. Schmidlin P.W. Theory of trap-controlled transient photo-conduction. Phys. Rev. B, 1977, vol. 16, U6, p. 2352-23З5.

163. Schmidlin IVw, Electrophotography. In: Photoconductivity and Related Phenomena. Amsterdam e.a., 1975. Ed. bv- 206

164. J.LIort and lu.Pai, p. 421-478.

165. Scher H., I.Iontroll F.W. Anomalous transit-time dispersion in amorphous solids. Phys. Rev. B, 1975» vol. 12, Ж6, p. 2455-2474.

166. Scher H. Theoryy of time-dependent photoconductivity in disordered systems. In: Photoconductivity and Related Phenomena, 13d. by J.Pai and i.l.LIort. Amsterdam, 1975, p.-115.

167. Semak D.G. , Kikineshi A.A. Determination of parameters of traping levels from curves of thermally stimulated current under photoelectret condition. Phys. Stat. Sol. A, 1972, vol. 9, p. К I4IrK 144.

168. Shimizu I., Fritzsche H. Ihikness and refractive index changes associated with photoda-rlcening in evaporated AS2S2 films. J. Appl. Phys., 1975, vol. 47, Я 7, p. 415-417.

169. N.L., Zallen R. Raman spectra of As^ S^ polymorphs:structural implications for amorphous AS2S3 films. - Sol. State Communs., 1979, vol. 30, J/30, p. 357-550.

170. Solin A.G., Pppctheodorou G.H. Irreversible thermostructural transformation in amorphous AS2^2 : A light scattering study. Phys. Rev. B, 1977, vol. 15, ЛГ2, p. 2084r -2090.

171. Spear W.E. Drift mobility techniques for the study of electrical transport properties in insulating solids, т- J. Non-CrySi. Sol., 1969, vol. I, p. 197-214.

172. Street R.A., Yoffe A.D. Thermally stimulated conductivity in amorphous chclcogenides. Thin Solid Films, 197.2, vol. I, p. I6I-I74.- 207

173. Street R. Л. Recombination in amorphous semiconductors.- Phys. Rev. Б, 1978, vol. 17,^10, p. 3984-3995.

174. Street R.A., Llott K.P.,States in the gap of glassy semiconductors. Phys.Rev, Lett. , 1975»' vol. 35, -^10,p. 1293-1298.

175. Strom U., Martin T.P. Photoinduced changes in the infrared vibrational spectrum of evaporated AS2^2 • Sol. State. Communs., 1979, vol. 29, JV7, p. 527-530.

176. Takahashi Т., Harada Y. Thermally and photoinduced changes in the valence states of vapour deposited AS2S3 fil-^s.- Sol. State Communs., I98G5, vol. 35, Л 2, p. I9I-I94.

177. Tanaka K., Ohtsuka Y. Compozition dependence of photoinduced refractive index changes in amorphous As-S films.- Thin Solid Films, 1979, vol. 57, JYI, p. 59-64.

178. Tanaha K. Reversible photostructural changes: mechanisms, properties and applications. J. Eon-Cryst. Sol., 1980, vol. 35-36, H2y p. 1023-1034.

179. Tanaka K. Relation between dynamical and reversible photoinduced changes. J. Uon-Cryst. Sol., 1980, vol. 35r -36, Jt2, p. Ю73-Ю78.

180. Tanaka K. Optical properties and photoinduced changes in amorphous As~S films. Thin Solid Films, I98o? vol.66,jri, p. 271-279.

181. Taylor P.O., Bishop S.G., Llitchel D.L. Temperature dependence of local order in the layer-type liquid semiconductors As Se andTlSe AsTe„. Phys. Rev. Lett.,2 2 31971, vol. 27, j/7, p. 414-417.

182. Thermally-induced defects in evaporated chalcogenide films. I. Structure. /R.J.Nemanich, G.A.Connel, T.M.Hayes, R.A.Street. Phys. Rev. B, 1978, vol. 18, Ж12,p. 6900-6914.

183. The structure of vapoir-deposited amorphous films of arsenic chalcogenides /и.P.Daniel, A.J.Leadbetter, A.C.Wright, R.li. Sinclair. J. Kon-Cryst. Sol., 1979, vol. 32,i-з, p. 271-293.

184. Vanderbilt D. , Joannopoulos J.D. Theory of defect states in glassy selenium. Phys. Rev. B, I98o, vol. 22, JV6, p. 2927-2939.

185. Zolotarjov V.P., Semak D.G., Chepur D.V. Thermally stimulated currents under the condition of persistent internal polarization. Phys. Stat. Sol. A, vol. 21, p. 437-442.- 209 -ПРИМЕЧАНИЕ

186. Список научных работ, опубликованных по результатам диссертации. Личный вклад автора в работы, выполненныев соавторстве.

187. Власов В.И^Микла В.И., Михалько И.П., Кикинеши А.А., Семак Д.Г. Чепур Д.В. Светочувствительность и. электронные процессы в

188. Микла В.И., Кикинеши А.А., Семак Д.Г. Электронные процессы в светочувствительных халькогенидных материалах Си-As(P)-Se- Тезисы У Всесоюзной конференции по физике, химии и техническому применению халькогенидов. Баку, 1979, с. 115

189. Микла В.И. изучил влияние меди на электрофизические свойства стекол As(P)-Se /.

190. Микла В.И., Семак Д.Г. Явления переноса и релаксация неравновесных носителей заряда в слоях ХСП при оптической записи. Физическая электроника. Львов, 1981, вып. 23, с. II9-I25.

191. Микла В.И. экспериментально изучил влияние засветки на процессы переноса неравновесных носителей в As2Se^ /•

192. Микла В.И., Семак Д.Г. Фотоиндуцированные изменения и дрейфовая подвижность в ХСП. «В сб.: Фундаментальные основы оптической памяти и среды. Киев, 1982, № 13, с. 88-96.

193. Микла В.И. провел анализ уравнений переноса при фотоиндуцированных изменениях/.

194. СОГЛАСОВАНО: Научный руководитель ШИЛ зав.кафедрой физики полупроводников (подпись)проф.ЧЕПУР Д.В.1. От "Получателя":

195. Директор СКТБ "Квант" (подпись) с.н.с.ФИРЦАК Ю.Ю.1. Копия верна:

196. Начальник канцелярии Ужгородскогогосуниверситета " х-- М.И.ГРИДКИХ1. КОПИЯ

197. МИНИСТЕРСТВО ВЫСШЕГО И СРЕДНЕГО СПЕЦИАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ УССР

198. Ужгородский государственный университет

199. П.НИЛ синтеза и комплексных исследований свойств новых полупроводников сложного состава, кафедра физикиполупроводников

200. УТВЕРЖДАЮ" Проректор по научной работе (подпись) С .М .КИШКО 13. 04. IS82 г.

201. ЛАБОРАТОРНАЯ МЕТОДИКА ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СЛОЕВ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ И ГОЛОГРАФИЧЕСКОЙ ЗАПИСИ НА НИХ ОПТИЧЕСКИХ1. ЭЛЕМЕНТОВ

202. Зав.кафедрой физики полупроводников,научный руководитель ПНИЛ,д.ф.м.н.,проф. (подпись)/Д.В.ЧЕПУР/

203. Основные разработчики: (подпись) Д.Г.СЕМАКподпись) А.А.КИКИНЕШИподпись) И.И.ТУРЯНИЦАподпись) Л.Р.ХАБИБУЛИНАподпись) В.И.МИКЛА1. Ужгород IS821. Копия верна: 1" '

204. Начальник канцелярии"'/ УжГУ. • * ^ М.И.Грицких7 7 / 4