Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ
|
Александрович, Елена Викторовна
АВТОР
|
||||
|
кандидата физико-математических наук
УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
|
||||
|
Ижевск
МЕСТО ЗАЩИТЫ
|
||||
|
2000
ГОД ЗАЩИТЫ
|
|
01.04.10
КОД ВАК РФ
|
||
|
|
||||
На правах рукописи
г Го од
3 С МАЙ 2300
АЛЕКСАНДРОВИЧ Елена Викторовна
СТЕКЛООБРАЗОВАНИЕ И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СИСТЕМАХ
Специальность 01.04.10 - Физика полупроводников и диэлектриков
АВТОРЕФЕРАТ
диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Москва 2000
Работа выполнена в лаборатории «Полупроводникового материаловедения» института Прикладной механики УрО РАН
Научные руководители: кандидат технических наук
[ХанВ.П.
доцент, кандидат физико -математических наук Федотова И.В.
Официальные оппоненты: заслуженный деятель науки
Российской федерации, профессор, доктор физико-математических наук Вихров С.П.
доцент, кандидат технических наук Шеметова В.К.
Ведущая организация: ЗАО НИИ материаловедения,
г.Москва
_ защита состоится « 2000 г. в ауд. Г-40^
в ]УчЗ(ЛАт\ на заседании Диссертационного Совета Д 053. 16. 06 в Московском энергетическом институте (Техническом университете) по адресу: Москва, 111250, ул. Красноказарменная, д. 17.
Отзывы на автореферат (в двух экземплярах, заверенные печатью) просим направлять по адресу: 111250, Е-250, Москва, ул.Красноказарменная, д. 14. Ученый Совет МЭИ (ТУ).
С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МЭИ. Автореферат разослан «¿¿» мая 2000 года.
Ученый секретарь Диссертационного Совета Д 053. 16. 06, канд. физ. - матем. наук, доцент
Огнев А Н.
ОЪ
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность темы. На протяжении двадцати лет со времени открытия в 1955 году ленинградскими учеными Н.А. Горюновой и Б.Т. Коломийцем нового класса неупорядоченных материалов - халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) считали, что они имеют р-тип проводимости, а примеси, вводимые в них, электрически пассивны. Однако, в результате интенсивных исследований при легировании ХСП некоторыми металлами в их электронной проводимости обнаружили п-тип и излом на температурной зависимости проводимости. Несмотря на большое число теоретических и экспериментальных исследований, вопросы, связанные с поведением примесей в ХСП, остаются неразрешенными. Это вызвано отсутствием прямых методов исследования примесных атомов, позволяющих определить их зарядовое состояние и положение в стекломатрице, и с трудоемкостью выявления областей стеклообразования. Поэтому задачи изучения физико-химических свойств ХСП с входящим в них металлом, склонным к диспропорционирова-нию (самоокислению-самовосстановлению), а также выявления новых критериев стеклообразования и установления причин аномального поведения электропроводности в некоторых ХСП, являются весьма актуальными.
Комплексные исследования физико-химических и электрических свойств новых ХСП, связанные с поиском материалов с низкими значениями температур стеклования или повышенной проводимостью, вызывают практический интерес.
Цель работы - получение и исследование ХСП с аномальным поведением электропроводности, как перспективных материалов опто- и микроэлектроники. Задачи работы:
- установление закономерностей стеклообразования в новой теллурид-ной системе Оа-Т1-Те, а также в тонкопленочной гетероструктуре Си/Аз-Бе, полученной низкотемпературным легированием;
- исследование физико-химических и электрических свойств объемных стекол системы Оа-Т1-Те при изменении в них содержания Т1;
- выявление причин аномального поведения электропроводности в ХСП;
- разработка основных положений модели стеклообразования в многокомпонентных халькогенидных системах с изменяющимся механизмом электропроводности;
- разработка методики определения границ областей стеклообразования в тройных халькогенидных системах;
- апробация модели и методики.
Научная новизна. Впервые выявлены две области стеклообразования в новой теллуридной системе Оа-Т1-Те, в том числе, обширная область низко-омных стекол (р«10°-н10' Ом-см) и изучены их структурные особенности. Проведено комплексное исследование физико-химических и электрических свойств полученных стекол (плотности, микротвердости, температур размягчения, кристаллизации, плавления, удельного электросопротивления, энергии активации электропроводности, коэффициента термо-э.д.с.). Выявлены причины увеличения стеклообразующей способности и изменения механизма электропроводности в объемных стеклах Оа»Т1хТе9б-х- Разработана новая модель стеклообразования для халькогенидных систем с аномальным поведением электропроводности. Разработана методика определения границ областей стеклообразования в тройных халькогенидных системах.
Практическая ценность. Полученные стекла с содержанием в них до 40 ат.% Т1 имеют низкие температуры размягчения и сопротивление р«10°+10' Ом-см, близкое к сопротивлению металлов. Данные материалы могут быть использованы в качестве промежуточных слоев между высокоомным полупроводниковым стеклом и металлическим контактом для снижения барьерного эффекта полупроводник-металл. Стекла с содержанием в них до 12 ат.% Т1 обладают свойством переключения.
С помощью предложенной методики, базирующейся на модели стек-лообразования, можно рассчитывать вероятные границы областей стеклооб-разования новых халькогенидных систем, а также граничные концентрации входящего или вводимого в них металла, при которых возможно появление аномальной электропроводности. Это ускорит создание материалов с уникальными электрическими свойствами.
Основные положения, выносимые на защиту.
1. Ведение Т1 в систему Ga-Te и Ga в систему П-Те методом химического синтеза позволяет получить две обширные области стеклообразования в тройной системе Gá-Tl-Te. Полученные объемные стекла имеют узкую щель подвижности (-0.80 эВ) и являются полупроводниками р-типа проводимости с энергией активации проводимости 0.01-г0.40 эВ.
2. Корреляция в изменении физико-химических свойств стекол с повышенным содержанием Т1 обусловлена замещением в них связей Те-Те более слабыми связями Т13+-Те, а стекол с пониженным содержанием Т1 - более сильными связями ТГ-Те.
3. Аномальная электропроводность в стеклах Ga^TlxTe^x при х > 35 обусловлена диспропорционированием таллия в структурной единице (СЕ), отвечающей соединению Т1Те. За электропроводность в области низких температур ответственны электроны, имеющие энергии вблизи дна зоны проводимости.
4. Увеличение стеклообразующей способности расплавов Ga4TIxTe96-x с избытком Т1 вызвано диспропорционированием Т1 и его квазиизоморфным замещением Ga в СЕ, отвечающей соединению ТЬТез.
5. Модель стеклообразования в многокомпонентных халькогенидных системах, объясняющая увеличение стеклообразующей способности халькогенидных систем, содержащих металл, склонный к диспропорционированию, и возможное аномальное поведение электропроводности в этих областях.
6. Методика определения границ областей стеклообразования в тройных халькогенидных системах, использующая известные экспериментальные данные по стеклообразованию в двойных системах. С помощью данной методики можно рассчитывать граничные концентрации входящего или вводимого в ХСП металла, при которых возможно появление аномальной электропроводности.
Апробация результатов. Результаты работы докладывались на XIV Уральской школе металловедов-термистов «Фундаментальные проблемы физического металловедения перспективных материалов» (г. Ижевск, февраль 1998), II Международной конференции «Химия высокоорганизованных веществ и научные основы нанотехнологии» (г. Санкт-Петербург, июнь 1998), XVIII Международном конгрессе по стеклу (США, г. Сан-Франциско, июль 1998), Всероссийском Симпозиуме с участием ученых из стран СНГ «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (г. Санкт-Петербург, июль 1998), Международной конференции «Стекла и твердые электролиты» (г. Санкт-Петербург, май 1999), Международной конференции «Термодинамика и химическое строение расплавов и стекол» (г. Санкт-Петербург, сентябрь 1999), IX Международной конференции по физике некристаллических твердых тел (США, Туксон, Аризона, октябрь 1999).
Публикации. По теме диссертации опубликовано шесть статей.
Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, общих выводов с заключением и списка литературы. Содержит 150 стр. машинописного текста, включая 39 рисунков, 9 таблиц и 196 наименований библиографии.
СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.
Во введении обосновывается актуальность темы диссертационной работы, формулируются цель, задачи исследования, а также основные положения, выносимые на защиту.
Первая глава посвящена обзору литературных данных по критериям стеклообразования в халькогенидных системах, структуре ХСП, а также по известным экспериментальным результатам аномального поведения электропроводности в ХСП и модельным представлениям. Отмечается, что к началу настоящих исследований отечественными и зарубежными учеными получены халькогенидные стеклообразные полупроводники, в которых наблюдали изменение ДЕ и излом на температурной зависимости проводимости. Примесная электронная проводимость п-типа имела место в основном в тонких пленках легированных ХСП, полученных «химической модификацией» или термическим испарением. Для объяснения экспериментальных результатов по измерению электропроводности и термо-э.д.с. привлекались как прыжковый, так и зонный механизмы.
Рассматривается модель, представленная К.Д. Цэндиным и Т.Ф. Мазец, условно названная микронеоднороднои. Отмечается, что данная модель хорошо описывает электронные состоя!шя в пленках ХСП, полученных термическим испарением или модифицированием. Кроме того, обсуждаются двухканальная модель и модель поляронов малого радиуса.
Подчеркивается, что несмотря на то, что химический состав получаемых аморфных фаз часто совпадает с составами объемных халькогенидных стёкол, в ряде работ содержатся обширные сведения о различии их молеку-лярно-микроскопического строения. Тонкоплёночные образцы, по сравнению с монолитными стёклами, имеют высокую концентрацию заряженных диамагнитных центров и «неправильных» гомополярных химических связей, создающих сильно напряжённую структуру и способствующих существенному проявлению в них размерного эффекта. В связи с этим, причины, вызывающие
инверсию типа проводимости или изменение механизма электропроводности в объемных стеклах ХСП, не ясны. Заканчивается глава постановкой задачи.
Во второй главе диссертации описаны экспериментальные методики синтеза объемных стекол систем ва-П-Те, АБ-Бе и получения тонких стеклообразных пленок Си/АБ-Бе низкотемпературным легированием; приведено краткое описание методов исследования микротвердости, электропроводности, коэффициента термо-э.д.с., активности таллия. Температуры размягчения, кристаллизации и плавления определяли с помощью дифференциально-термического метода анализа, плотность стекол измеряли методом гидростатического взвешивания в толуоле. Исследование активности таллия осуществляли методом ЭДС по методике А.В. Пазина. Измерение электропроводности стекол проводили методом Ван-дер-Пау, коэффициента термо-э.д.с. в диапазоне температур от 77К до температуры размягчения стекла Т8 - по методике, предложенной С.П. Вихровым. Все измерения, как при низких, так и при высоких температурах, для исключения влияния паров воды и других газов, входящих в состав атмосферы, на результаты электрофизических измерений проводили в вакуумных ячейках. Исследование структурных особенностей ХСП осуществляли с помощью рентгенофазового, рентгено-элекгронного и диференциально-термического методов анализа по традиционным методикам.
Третья глава диссертации содержит экспериментальные результаты исследования тройной халькогенидной системы Оа-Т1-Те и их обсуждение.
Впервые были изучены закономерности стеклообразования в системе ва-П-Те. Установлены две области стеклообразования, разделенные областью сплавов в кристаллическом состоянии (рис. 1). С помощью дифференциально-термического и рентгенофазового методов анализа изучены процессы кристаллизации, протекающие в стеклах при их термической обработке, определены температуры размягчения (Тг), кристаллизации и плавления стеклообразных сплавов.
Установлено, что при нагревании процессы кристаллизации стекол I и II областей стеклообразования происходят в соответствии с фазовыми равновес-
30 20 ат. %
Рис. 1. Области стеклообразования в системе (За-Т1-Те
I, II - области стеклообразования,
ЛРДЭ - линии разбавления двойных
эвтектик (е) третьим компонентом.
Разрезы: А - Са,Т1,Те^„ В - (За^ИДе^
С - Оа,0Т1хТею.„ Э - Оа,,Т1,Теч,
--10-30 Кс'--- у_=100-180 Кс'
30 29 28 27 26 25 20° Рис. 2. Фрагменты рентгенограмм стекла состава Оа, ,Т1„Те,,
1 - стекло без отжига,
2 - стекло после отжига
при Тогж=129°С в течение 7 мин.,
3 - стекло после отжига
при Т„=160°С в течение 2 ч.
Рис. 3. Температурные зависимости электрической проводимости стекол системы ва - П - Те в интервале 77К - Т, Составы: а - Оа„Т1,Те,„ Ь - Са^Т^Те,,, с - Оа^ПДе^, ё - баяЛ,„Тея, е - ¿а^Т^Те^, Г- СЗа,Т1мТебг, g - Оа/П„Те5„ Ь - Оа.Л^Те«,, ¡- Оа,Т1Э7Те!7, ] - Оа,Т1иТе„ (крист.), После отжига : а'- ОацПДе,,, g'- Оа,Т1„Те6,
Ю'/ТД'
Рис.4. Температурные зависимости коэффициента термо-электродвижущей силы стекол Оа4Т1,Теж< при различных концентрациях таллия: 34а1.% (0,35аГ % 36а1% (Ь), 35а1. % - после отжига (в'), 44а1. % (¡) (кристалл)
ными диаграммами состояний Ga-Te и Т1-Те. В зависимости от местонахождения фигуративной точки, на термограммах появляется второй низкотемпературный эффект кристаллизации дополнительной СЕ, слабо связанной со стеклообразной матрицей. После отжига в течение нескольких минут при температурах, близких к температурам первого эффекта кристаллизации, на рентгенограммах стекол с «избыточным» халькогеном появляются пики, относящиеся к Те, а при увеличении температуры отжига и его длительности, в зависимости от состава, появляются пики, относящиеся к соединениям ТЬТез и GaiTes (для стекол I области стеклообразования) и относящиеся к соединениям GaíTes и ТЬТез или Т1Те (для стекол П области стеклообразования). Рентгенограммы, характерные для стекол I и II областей, показаны на рис. 2. Из анализа рентгеновских спектров сделан вывод о том, что при нагревании стеклообразных сплавов происходит упорядочение в локальных областях, т. к наряду с пиками кристаллических соединений остается максимум рассеяния рентгеновских лучей, связанный с остаточной фазой стекломатрицы.
Исследованы физико-химические свойства стеклообразных сплавов (плотность (d), микротвердость (Н), электросопротивление (р)) в зависимости от их состава. Плотность стекол изменяется пропорционально молекулярной массе сплавов в пределах 5.74+7.65 гсм"3, линейно повышаясь, по мере замены теллура таллием. Температура размягчения составляет 31+165°С, удельное электросопротивление - 1.3+3.8-Ю4 Ом-см. Микротвердость повышается при увеличении содержания Ga в пределах 0.75+1.65 ГПа. Уменьшение значений свойств Tg, Н, р в разрезе А связывается с замещением в стекле связей Те-Те более слабыми связями где степень окисления Т1 равна +3 (168
Кдж/моль и 124.2 Кдж/моль, соответственно), а в стеклах I области стеклообразования (разрезы В, С, D) их увеличение вызвано появлением более сильных связей ТГ-Те (192.12 Кдж/моль), где Т1 проявляет степень окисления +1.
Изучены электрические свойства стекол. Обнаружено, что все стекла системы Ga-Tl-Te являются полупроводниками с р-типом проводимости. Установлено, что проводимость в стеклах с содержанием в них до 35 ат.% Т1 в ин-
тервапе температур 77-ьЗООК изменяется по активационному закону с термической энергией активации проводимости 0.15-^0.40 эВ (рис. 3). Величина предэкспоненциального множителя в высокотемпературном пределе у данных стекол составляет ао= ЮМО4 См •см . Стекла II области стеклообразования отличаются от стекол I области стеклообразования. Они являются низкоом-ными. Их удельное электросопротивление составляет р«10о-И0' Омсм, а для стекол I области стеклообразования - 1104 Ом-см.
В стёклах II области стеклообразования наблюдали аномальное поведение электропроводности. При увеличении концентрации таллия с 35 до 36 ат.% обнаружили скачок проводимости ст(Т) на два порядка величины. На температурной зависимости проводимости образца, содержащего 35 ат % Т1, наблюдали резкий излом и, в результате, - два линейных участка с энергиями активации АЕо=0.15 эВ и ДЕ„=0.03 эВ, относящимися к собственной проводимости стеклообразной фазы и примесной проводимости. Для выяснения вопроса о возможном механизме электропроводности стекла данной области исследовали более детально. Исследовали коэффициент термо-э.д.с. стекол при изменении в них содержания Т1 (рис. 4). Из угла наклона прямой 1п ст от 1/Т вычислили значение ДЕ,. Для стекол с содержанием в них более 35 ат.% Т1 наблюдали резкое уменьшение термической энергии активации проводимости ДЕа (рис. 5). Результаты экспериментов обсуждались в рамках зонной теории Дэвиса-Мотга. Сделан вывод о том, что в стеклах I области стеклообразования токоперенос осуществляется дырками, одновременно по локализованным состояниям в области хвостов и распространенным состояниям. В стеклах с повышенным содержанием Т1 имеет место биполярный двухканальный механизм, т.к. токоперенос осуществляется электронами и дырками по распространенным и локализованным состояниям вблизи уровня Ферми и края подвижности. В области низких температур преобладает токоперенос электронов и дырок по локализованным состояниям, а с ростом температуры начинает доминировать механизм движения носителей заряда по распространенным
А, '
отн.ед.
12
10
8 6 4
Т1,ат.%
Рис. 5. Зависимость термической энергии активации проводимости ДЕ„ при Т=20°С от содержания Т1 в стеклах (За/ПЛе^.,
24 28 32 36 40 Т1,«г.%
Рис. б. Зависимость активности Т1 (А) от его содержания в стеклах II области стеклообразования
А.С. [А, С,,, А,С?1]
хл« у1
Ж
АхС,,-А_р,,-> Сц
„ _ п
И
ТИ.
| к^к^к,
X, у, + 7, -100
А.С..В.С..
Ж
|в„Сц -в^ -> в,,
Условие стеклообразования
Рис.7. Алгоритм определения интервала концентраций "избыточного" халькогена, в пределах которого существуют стеклообразные сплавы в двойной системе
Рис. 8. Алгоритм проверки сплавов тройной системы на стеклообразование
состояниям. Во всех случаях в стеклах доминирующими носителями являются дырки, на что указывает положительный знак термо-э.д.с. Увеличение содержания Т1 в стеклах более 35 ат. % способствует росту плотности состояний в области хвостов вблизи дна зоны проводимости, о чем свидетельствует вид температурных зависимостей проводимости и термо-э.д.с. данных стекол. Это приводит к отмеченным выше аномалиям. Данный механизм проводимости аналогичен механизму примесной проводимости, наблюдаемой при низких температурах в сильно легированных и компенсированных полупроводниках.
С целью выяснения причины появления примесных уровней вблизи края подвижности, с помощью метода ЭДС исследовали активность Т1 в стеклах разреза А (рис. 6). Установлено, что в данных стеклах Т1 проявляет различную активность в зависимости от его содержания. На основании изученных физико-химических свойств стекол сделан вывод о том, что в расплавах исследуемых стекол, имеет место реакция диспропорционирования Т1 в молекулярной СЕ, отвечающей соединению Т1Те:
ЗТ1Те ТЬТез + Т1 (1)
в результате чего появляются дополнительные молекулярные СЕ, отвечающие соединению Т12Тез, и квазиатомы Т1 со слабо связанными валентными электронами. В области концентраций таллия 35+40 ат.%, вблизи стехиометрического соединения ТЬТез, из-за присутствия в расплаве устойчивых ионов Оа3+, реакция диспропорционирования смещается преимущественно вправо со стабилизацией неустойчивых молекулярных СЕ ТЪТез, вследствие квазиизоморфного изовалентного замещения таллия галлием в данных молекулярных СЕ. Различие ионных радиусов Т1 и Оа составляет 15% (гш+=0.148 нм, гоаз+=0.126 нм), а различие энергий связи данных металлов с Те - 30% (Ет1-те=124.2 Кдж/моль, Ег,а-те=177.3 Кдж/моль), что удовлетворяет условиям взаимозамещения атомов в стекле.
Четвертая глава посвящена рассмотрению модели стеклообразования для халькогенидных систем с аномальным поведением электропроводности. Ее основные положения:
- в стеклообразующих расплавах при температурах, близких к Т^,., существуют устойчивые молекулярные СЕ с прочными ковалентными связями, являющиеся полимерными ассоциатами стеклообразующих СЕ, и «элементы» метастабильных низкотемпературных модификаций;
- молекулярные СЕ в расплаве появляются в соответствии с двойными и тройными равновесными диаграммами состояний;
- молекулярные СЕ связываются в матрице стекла «мостиковыми» атомами халькогена определенной концентрации, которые играют роль сополи-меризаторов и обеспечивают гибкость структурного каркаса;
- сополимеризаторами, кроме атомов халькогена, могут быть атомы вводимого металла в низковалентном состоянии (например, Т1+, Си+, ВГ\ Бп2+ и
др);
- квазиизоморфное замещение элементов системы увеличивает ее стеклообразующую способность;
- диспропорционирование входящего или вводимого в ХСП элемента увеличивает стеклообразующую способность расплавов и является одной из причин изменения механизма проводимости, в том числе, и появления в ХСП п-типа проводимости.
Предлагается методика расчета, по которой можно определить граничные составы областей стеклообразования в тройных халькогенидных системах по известным экспериментальным данным о стеклообразовании в двойных системах. Критерием стеклообразования является концентрация «избыточного» халькогена или «избыточного» металла, склонного к диспропорциони-рованию.
Согласно предложенной методики, в любой двойной системе можно определить интервал концентраций «избыточного» халькогена, в пределах которого существуют стеклообразные сплавы. Процедура определения интервала концентраций «избыточного» халькогена, т.е. нахождения условия стеклообразования в двойной системе, схематично представлена на рис. 7. Из состава А„С^ , отвечающего стеклообразующему расплаву при его температуре
близкой к Tai., выделяются устойчивые молекулярные СЕ вида А^Сш, отвечающие устойчивому соединению на двойной равновесной диаграмме состояний А-С. В результате несложных вычислений определяется интервал концентраций «избыточного» халькогена для стеклообразующих составов.
На основе известных экспериментальных данных по стеклообразованию в двойных системах можно прогнозировать области стеклообразования в новых тройных системах, для чего необходимо:
1) определить устойчивые молекулярные СЕ (наиболее устойчивые химические соединения из имеющихся компонентов) в соответствующих двойных системах и исследуемой тройной;
2) исходя из концентраций имеющихся компонентов и энергий их связей, определить какие молекулярные СЕ в соответствующих двойных и исследуемой тройной системах появляются в первую очередь, а какие - во вторую;
3) сравнить концентрацию «избыточного» халькогена И в исследуемом составе с ti и kl, определяемыми из экспериментальных данных по стекло-образованию в соответствующих двойных системах.
В стеклообразующих расплавах AxiByiCzi (xi + yi + zi = 100) при температурах, близких к Тпл., устойчивыми молекулярными СЕ в зависимости от состава могут быть: А^Сш, отвечающие устойчивому соединению АщСп системы А-С; либо ВтС„, отвечающие устойчивому соединению ВтСп системы ВС; либо АпцВртСш, отвечающие устойчивому соединению AmBpCn; либо А^Сш и Bmi Cni ; а также либо АШСШ и Ст.. В случае образования в стекле тройных структурных единиц концентрация «избыточного» халькогена zi' > 0. Один из вариантов расчета схематично представлен на рис. 8. Из состава А^В^Са выделяются устойчивые молекулярные СЕ по процедурам, аналогичным выделению молекулярных СЕ из составов двойных систем. Если концентрация «избыточного» халькогена zi" попадает в интервал концентраций «избыточного» халькогена, в пределах которого существуют стеклообразные сплавы в выбранной двойной системе, то после закалки расплава состава А^В^С^ получим стеклообразный сплав. В противном случае получим кристалл.
Рассматривается случай, когда металл, склонный к диспропорци-онированию, находится в «избытке» и не весь химически связывается с халь-когеном. При этом возможно протекание реакции диспропорционирования:
2Redox -»Red + Ox (2),
где Redox - средняя, Red - низкая, Ox - высокая степени окисления металла В. Реакция диспропорционирования вызывает расширение областей стекло-образования. Установлено, что в этом случае разупорядочение в стекле связано не только со структурными переходами, но и с флуктуациями валентности ионов металлов. Кроме того, в «расширенных» областях элеюропроводность имеет аномальный характер.
Предложенная методика апробировалась на 6 системах: Ga-Tl-Te, Ge - Bi - S (Se, Те), Ge - Sn - Se, Ga - Ge - Те (рис. 9) и на тонкопленочной гетероструктуре Cu/As-Se. В таблице 1 представлены рассчитанные и экспериментально найденные концентрации Bi, при которых в стеклах GeioXeo-xBix (X - S, Те) и (GeSe3,5)ioo.xBix имеет место инверсия проводимости из р-типа в п-тип. Уменьшение граничной концентрации Bi, при которой происходит инверсия типа проводимости при переходе от сульфидной системы к теллурид-ной, связывается с понижением окислительной способности халькогена: чем ниже окислительная способность расплава, тем сдвиг реакции диспропорционирования Bi влево наиболее вероятен.
Развитие методики низкотемпературного легирования пленок, которое имело место в лаборатории «Полупроводникового материаловедения», позволило распространить данные модельные представления о стеклообразовании на тонкие пленки. Методику расчета стеклообразных составов применяли к тонким пленкам гетерострукгуры Cu/As-Se, полученным в условиях низких температур. Определены максимальные концентрации вводимой в ХСП Си, в зависимости от его состава (табл. 2). В закристаллизованных пленках, полученных низкотемпературным легированием, обнаружено структурно-химическое упорядочение.
Рис.9. Стеклообразование в халькогенидных системах. 1 - экспериментальные границы областей стеклообразования, 2 - рассчитанные границы, 3 - границы, рассчитанные с учетом реакции диспропорционирования, 4,' 5 - области стеклообразования в двойных системах
Таблица 1. Экспериментально найденные и рассчитанные концентрации Вц при которых в стеклах появляется п-тип проводимости
№ п/п Состав (ат. %) Концентрация «избыточного» халькогена (в атомах) Концентрация Bi, при которой появляется п-тип проводимости в ХСП (ат. %) Литература
Рассчит. экспер.
1 Ge2oSeo-xBi4 0-70 16.0 более 11.0 *
2 Ge2oSe8o-xBix 22-100 более 7.0 8.0 **
3 Ge2oTe8o-vBix 50-80 более 4.0 более 3.5 *
С помощью исследования рентгено-элекгронных спектров тонкопленочных слоев с повышенным содержанием Си установлено, что увеличение стеклообразующей способности системы Си^АззБег^оо-х вызвано диспропор-ционированием «избыточной» меди и сосуществованием ее в разновалентных состояниях: Си2+, Си+. Положение и форма линий меди (Есв. Си2р=933.0 эВ; Евш. Си(ЬММ)=917.4 эВ) свидетельствовали о наличии Си+, а сателлит, отстоящий от основного пика на 8.5 эВ, - о Си2+.
Таблица 2. Предельные концентрации Си в легированных ХСП
Концентрация
К» ХСП введенной Си
п/п (ат. %)
Рассчит. Экспер.
1 As6oSe4o<Cu> 50 40
2 As4oSe6o<Cu> 50 50
3 As2oSe8o<Cu> 30 30
*Bhatia К.1., Mähender Singh, Toshio Katagawa, Kishor N. and Suzuki M. Optical and electronic properties of Bi-modified amorphous thin films of Ge2oTe80.xBix // Semicond. Sei. Technol. - 1995. - V. 10. - P. 65-70.
"Вихров С.П., Ампилогов B.H. Исследование условий инверсии типа проводимости в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Неорган, материалы.- 1983.-Т. 19,N. И.-С. 1827-1831.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
На основании проведенных исследований были сделаны следующие выводы:
1. В системе Оа-Т1-Те впервые выявлены две области объемных стекол с уникальными электрофизическими свойствами: стекла, содержащие до 12 ат.% Т1, с р«103+104 Ом-см и энергиями активации проводимости 0.31+0.40 эВ имеют вольтамперные характеристики, характерные для пороговых переключателей с памятью, а стекла, содержащие до 40 ат.% Т1, с низкими температурами размягчения Т8=31+45°С являются низкоомными с р«10°+10' Ом-см и энергиями активации проводимости 0.01+0.23 эВ.
2. Дифференциально-термическим и рентгенофазовым методами, а также методом ЭДС, в стеклах ОаДЦТе^ установлена корреляция между изменением валентного состояния Т1 и его активностью.
3. Показано, что увеличение стеклообразующей способности расплавов СаД^Те^ обусловлено диспропорционированием Т1 и его квазиизоморфным замещением ва в молекулярных СЕ, отвечающих соединению Т12Тез.
4. Установлено, что во всех стеклообразных сплавах, составы которых не принадлежат «расширенным» областям стеклообразования, при нагревании в первую очередь выделяется СЕ, связанная с «избыточным» халькогеном.
5. Все стекла системы Оа-Т1-Те являются полупроводниками р-типа проводимости. Установлен активационный механизм изменения проводимости в стеклах Са-Т1-Те в интервале температур 77+300К. Энергии активации проводимости имеют значения 0.15+0.40 эВ. Величина предэкспоненциального множителя в высокотемпературном пределе составляет СТо=102-г104См-см"1.
6. Поведение проводимости и термо-э.д.с., в рамках зонной теории Дэвиса-Мотта, соответствует движению дырок по распространенным и локализованным состояниям в области хвостов плотности состояний.
7. Аномальная электропроводность в стеклах СаД^Те^.* обусловлена увеличением плотности состояний в области хвостов вблизи края
подвижности, из-за появления примесных уровней в результате диспропорционирования Т1 и нахождения его в различных валентных состояниях. В стеклах с повышенным содержанием Т1 имеет место биполярный двухканальный механизм электропроводности, т.к. токоперенос осуществляется электронами и дырками по распространенным и локализованным состояниям вблизи уровня Ферми и края подвижности.
8. С помощью рентгено-элекгронной спектроскопии выявлено увеличение стеклообразующей способности системы Cu^A^Se^ioo-* за счет диспропорционирования «избыточной» Си и сосуществования ее в различных валентных состояниях.
9. Предложена модель стеклообразования, объясняющая увеличение стеклообразующей способности халькогенидных систем, содержащих металл, склонный к диспропорционированию, и возможное аномальное поведение электропроводности. Согласно данной модели, расплав после закалки будет стекловаться, ели в него входят устойчивые молекулярные СЕ, способные к полимеризации, а также «избыточный» халькоген или «избыточный» металл, склонный к диспропорционированию, определенных концентраций.
10. Разработана методика определения границ областей стеклообразования в тройных халькогенидных системах, использующая известные экспериментальные данные по стеклообразованию в двойных системах.
По теме диссертации опубликованы следующие работы:
1. Минаев B.C., Хан В.П., Младенцева Е.В., Чужанов Ф.В., Щелоков А.Н., Сотникова М.Н. Стеклообразование и структура стекол в системе галлий-таллий-теллур // Деп. в ЦНИИ «Электроника». - М., 1987- N. Р - 4554.
2. Минаев B.C. Хан В.П., Младенцева Е.В., Сотникова М.Н., Чужанов Ф.В. Стеклообразование в системе галлий-таллий-теллур // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1988. Т. 24, N. 4. - С. 697-699.
3. Хан В.П., Перевозчиков Б.Н., Александрович Е.В. Структурные превращения и электрические свойства стёкол системы Ga-Tl-Te // Неорган, материалы. - 1993. - Т. 29, N. 11. - С. 1473-1476.
4. Хан В.П., Когай В.Я., Александрович Е.В. Критические условия спонтанной релаксации в самоорганизующихся диссипативных пленочных структурах // Журнал технической физики. - 1999. - Т. 69, вып. 8. - С. 128-129.
5. Хан В.П, Александрович Е.В. Об n-типе проводимости в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Труды 18 Международного конгресса по стеклу, Сан-Франциско, Калифорния, 5-10 июля 1998. - Американское керамическое общество. - ICG130-P01-175 of CD-ROM Proc. (на англ. яз.).
6. Когай В.Я., Александрович Е.В., Хан В.П. Эффект сверхбыстрого низкотемпературного легирования в самоорганизующейся гетероструктуре металл-халькогенидный стеклообразный полупроводник // Труды 9 Международной конференции по физике некристаллических твердых тел, Туксон, Аризона, 17-21 октября 1999.(на англ. яз.).
"см. ,. _____Тира* /С С _.'In к in Jjc J(j
Типография МЭИ. Кряснокгппрмсннли. I.J.
ВВЕДЕНИЕ.
Глава 1. ХАЛЬКОГЕНИДНЫЕ СТЕКЛООБРАЗНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ И ИХ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА И ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ.
1.1. Стеклообразование в халькогенидных системах и структура ХСП.
1.1.1. Модели структуры ХСП, известные в литературе.
1.1.2. Критерии стеклообразования.
1.2. Зонная структура и дефекты в ХСП.
1.2.1. Отличие пленок от объемных стекол.
1.3. Механизмы электропроводности в ХСП.
1.4. Влияние примесей на электрические свойства ХСП.
1.5. Модельные представления о появлении примесной проводимости в ХСП.
1.6. Выводы по состоянию проблемы и постановка задачи исследования.
Глава 2. МЕТОДИКИ И ОСОБЕННОСТИ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ СТРУКТУРЫ И СВОЙСТВ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
2.1. Выбор экспериментальных образцов и методики их приготовления
2.1.1. Получение стекол систем Са-Т1-Те, Ав-Зе.
2.1.2. Получение стеклообразных пленок в условиях низких температур
2.1.3. Определение удельного поверхностного сопротивления пленок
2.2. Дифференциально-термический анализ ХСП.
Глава
Глава
4.2.1,
Рентгенофазовый анализ ХСП.
Исследование микротвердости ХСП.
Исследование электропроводности стекол. ледование термо-э.деколстемы Оа-Т1-Те
Исследование активности таллия методом ЭДС
Рентгено-электронный анализ пленок ХСП, полученных методом холодного легирования.
РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ.
Стекла в системе Оа-Т1-Те.
Влияние температуры на структурные превращения в стеклах ва-ТЬТе.
Исследование основных физико-химических свойств стекол системы Оа-Т1-Те.
Скачкообразное изменение электрических свойств стекол системы Оа-Т1-Те.
Активность таллия в стеклах Са4Т1хТе9б-х.
Стеклообразование и квазиизоморфное замещение в системе
Оа-Т1-Те.
На протяжении двадцати лет со времени открытия в 1955 году ленинградскими учеными H.A. Горюновой и Б.Т. Коломийцем нового класса неупорядоченных материалов - халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) считали, что они имеют р-тип проводимости [1, 2], а примеси, вводимые в них, электрически пассивны. Однако, в результате интенсивных исследований при легировании ХСП некоторыми металлами в их электронной проводимости обнаружили п-тип [3-15]. Несмотря на большое число теоретических и экспериментальных исследований, вопросы, связанные с поведением примесей в ХСП, остаются неразрешенными. Это вызвано отсутствием прямых методов исследования примесных атомов, позволяющих определить их зарядовое состояние и положение в стеклообразной матрице, и с трудоемкостью выявления областей стеклообразования. Поэтому задачи изучения физико-химических свойств ХСП с входящим в них металлом, склонным к диспропорционирова-нию (самоокислению-самовосстановлению), а также выявление новых критериев стеклообразования и установление причин аномального поведения электропроводности в некоторых ХСП, являются весьма актуальными.
Комплексные исследования физико-химических и электрических свойств новых ХСП, связанные с поиском материалов с низкими значениями температур стеклования или с повышенной проводимостью, вызывают практический интерес.
Цель работы. Целью диссертационной работы явилось получение и исследование ХСП с аномальным поведением электропроводности, как перспективных материалов опто- и микроэлектроники.
Научная новизна. Впервые выявлены две области стеклообразования в новой теллуридной системе Ga-Tl-Te, в том числе, обширная область низко-омных стекол (рдаЮ^Ю1 Ом-см) и изучены их структурные особенности. Проведено комплексное исследование физико-химических и электрических свойств полученных стекол (плотности, микротвердости, температур размягчения, кристаллизации, плавления, удельного электросопротивления, энергии активации электропроводности, коэффициента термо-э.д.с.). Выявлены причины увеличения стеклообразующей способности и изменения механизма электропроводности в объемных стеклах ваД^Тедб-х- Разработана новая модель стеклооб-разования для халькогенидных систем с аномальным поведением электропроводности. Разработана методика определения границ областей стеклообразова-ния в тройных халькогенидных системах.
Практическая ценность. Полученные стекла с содержанием в них до 40 ат.% Т1 имеют низкие температуры размягчения и сопротивление р«100ч-10' Ом-см, близкое к сопротивлению металлов. Данные материалы могут быть использованы в качестве промежуточных слоев между высокоомным полупроводниковым стеклом и металлическим контактом для снижения барьерного эффекта полупроводник-металл. Стекла с содержанием в них до 12 ат.% Т1 обладают свойством переключения.
С помощью предложенной методики, базирующейся на модели стекло-образования, можно рассчитывать вероятные границы областей стеклообра-зования новых халькогенидных систем, а также граничные концентрации входящего или вводимого в них металла, при которых возможно появление аномальной электропроводности. Это ускорит создание материалов с уникальными электрическими свойствами.
Основные положения, выносимые на защиту.
1. Ведение Т1 в систему ва-Те и ва в систему Т1-Те методом химического синтеза позволило получить две обширные области стеклообразования в тройной системе Оа-Т1-Те. Полученные объемные стекла имеют узкую щель подвижности (-0.80 эВ) и являются полупроводниками р-типа проводимости с энергией активации проводимости 0.01-Ю.40 эВ.
2. Корреляция в изменении физико-химических свойств стекол с повышенным содержанием TI обусловлена замещением в стекле связи Те-Те более слабой связью Т1 -Те, а стекол с пониженным содержанием Т1 - более сильной связью Т1+-Те.
3. Аномальная электропроводность в стеклах Ga4TlxTe96-x при х>35 обусловлена диспропорционированием таллия в структурной единице (СЕ), отвечающей соединению Т1Те. За электропроводность в области низких температур ответственны электроны, имеющие энергии вблизи дна зоны проводимости.
4. Увеличение стеклообразующей способности расплавов Ga4TlxTe96-x с избытком Т1 вызвано диспропорционированием Т1 и его квазиизоморфным замещением Ga в СЕ, отвечающей соединению Т12Те3.
5. Модель стеклообразования в многокомпонентных халькогенидных системах, объясняющая увеличение стеклообразующей способности халькогенидных систем, содержащих металл, склонный к диспропорционированию, и возможное аномальное поведение электропроводности в этих областях.
6. Методика определения границ областей стеклообразования в тройных халькогенидных системах, использующая известные экспериментальные данные по стеклообразованию в двойных системах. С помощью данной методики можно рассчитывать граничные концентрации входящего или вводимого в ХСП металла, при которых возможно появление аномальной электропроводности.
Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, общих выводов с заключением и списка литературы. Содержит 150 стр. машинописного текста, включая 39 рисунков, 9 таблиц и 196 наименований библиографии.
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ
В результате проведенных исследований сделаны следующие выводы:
1. В системе ва-П-Те впервые выявлены две области объемных стекол с уникальными электрофизическими свойствами: стекла, содержащие до 12 ат.%: 1, с р«103-г104 Ом-см и энергиями активации проводимости 0.31^-0.40 эВ имеют ольтамперные характеристики, характерные для пороговых переключателей с амятью, а стекла, содержащие до 40 ат.% Т1, с низкими температурами азмягчения Тё=31ч-45°С являются низкоомными с р^Ю^Ю1 Ом-см и энергиями; Есгивации проводимости 0.014-0.23 эВ.
2. Дифференциально-термическим и рентгенофазовым методами, а также методом ЭДС, в стеклах Са4Т1хТе9б-х установлена корреляция между изменением валентного состояния Т1 и его активностью.
3. Показано, что увеличение стеклообразующей способности расплавов }а4Т1хТе9б-х обусловлено диспропорционированием Т1 и его квазиизоморфным амещением ва в молекулярных СЕ, отвечающих соединению Т12Те3.
4. Установлено, что во всех стеклообразных сплавах, составы которых не ¡ринадлежат «расширенным» областям стеклообразования, при нагревании в ервую очередь выделяется СЕ, связанная с «избыточным» халькогеном.
5. Все стекла системы Оа-Т1-Те являются полупроводниками р-типа про-одимости. Установлен активационный механизм изменения проводимости в теклах Оа-Т1-Те в интервале температур 77-ьЗООК. Энергии активации прово-имости имеют значения 0.15-^0.40 эВ. Величина предэкспоненциального мно-:ителя в высокотемпературном пределе составляет ао-Ю2ч-104 См-см"1.
6. Поведение проводимости и термо-э.д.с., в рамках зонной теории Дэви-а-Мотта, соответствует движению дырок по распространенным и локализован-ым состояниям в области хвостов плотности состояний.
7. Аномальная электропроводность в стеклах Са4Т1хТе9б-х обусловлена увеличением плотности состояний в области хвостов вблизи края подвижности, «з-за появления примесных уровней в результате диспропорционирования Т1 и захождения его в различных валентных состояниях. В стеклах с повышенным содержанием Т1 имеет место биполярный двухканальный механизм, т.к. токопе-эенос осуществляется электронами и дырками по распространенным и локализованным состояниям вблизи уровня Ферми и края подвижности.
8. С помощью рентгено-электронной спектроскопии выявлено увели-гение стеклообразующей способности системы Сих(А8з8е2)юо-х за счет диспро-юрционирования «избыточной» Си и сосуществования ее в различных шлентных состояниях.
9. Предложена модель стеклообразования, объясняющая увеличение :теклообразующей способности халькогенидных систем, содержащих металл, :клонный к диспропорционированию, и возможное аномальное поведение элек-ропроводности. Согласно данной модели, расплав после закалки будет стекло-¡аться, если в него входят устойчивые молекулярные СЕ с прочными ковалент-1ыми связями, способные к полимеризации, а также «избыточный» халькоген [ли «избыточный» металл, склонный к диспропорционированию, определенных :онцентраций.
10. Разработана методика определения границ областей стеклообразо-¡ания в тройных халькогенидных системах, использующая известные экспери-1ентальные данные по стеклообразованию в двойных системах.
130
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В диссертации представлены оригинальные экспериментальные данные о ювой тройной системе ва-И-Те, в которой выявлены две области стеклооб->азования. Проведено комплексное исследование основных физико-химических I электрических свойств стекол, показывающее, что полученные стекла с высо-сим содержанием Т1 имеют удельное электросопротивление р»10°-й0' Ом-см и температуры размягчения Т8«31-=-45°С, а стекла с низким содержанием "П обла-щют свойством переключения, что может найти применение в микроэлектро-шке.
Предложена новая модель стеклообразования, объясняющая увеличение :теклообразующей способности халькогенидных систем, содержащих металл, ¡клонный к диспропорционированию, и возможное аномальное поведение элек-ропроводности. Разработана методика определения границ областей стеклооб->азования в тройных халькогенидных системах, использующая известные экспе-»иментальные данные по стеклообразованию в двойных системах.
Проведенные в диссертационной работе исследования и сделанные на их юнове выводы могут оказаться полезными при получении новых материалов с аданным комплексом физических свойств.
1. Tohge N., Kanda К., Minami T. Characterization of n-type amorphous :halcogenide films in the system Ge-Bi-Se // Thin Solid Films. 1989. - V. 182. - P. >09 - 214.
2. Минаев B.C. Стеклообразные полупроводниковые сплавы M.: Me-шшургия, 1991. - 406 с.
3. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупро-юдниках / Отв. ред. Цэндин К. Д. Санкт-Петербург. «Наука», 1996. - 486 с.
4. Bhatia К.1., Mähender Singh, Toshio Katagawa, Kishor N. and îuzuki M. Optical and electronic properties of Bi modified amorphous thin films >f Ge2oTe80-xBix // Semicond. Sei. Technol. - 1995. - V. 10. - P. 65 - 70.
5. Tohge N., Minami T. and Tanaka M. Electrical transport in n-type emiconducting Ge2oBixSe7o-xTeio glass // J. Non-Cryst. Solids. 1980. - V. 37, N. 1. P. 23 - 26.
6. Вихров С.П., Ампилогов B.H., Кенгерлинский Л.Ю., Химинец B.B. 1роводимость n-типа в стёклах системы Ge-S-Bi // Неорганические материалы. 1984. Т. 20, N. 9. - С. 1459 - 1461.
7. Tohge N., Yamamoto Y., Minami T. and Tanaka M. Preparation of n-type emiconducting Ge20BiioSe7o glass // Appl. Phys. Lett. 1979. - V. 34, N. 10. - P. 40.
8. Tohge N., Minami T. and Tanaka M. Preparation and conduction lechanism of n-type crystalline solids // J. Non-Cryst. Solids. 1980. - V, 38 - 39, N. .-P.283 -286.
9. Tohge N., Minami T., Yamamoto Y. and Tanaka M. Electrical and optical roperties of n-type semiconducting chalcogenide glasses in the system Ge-Bi-Se // J. ippl. Phys. 1980. - V. 51, N. 2. - P. 1048 - 1053.
10. Vichrov S., Nagels P., Bhat P.K. N type conduction in chalcogenide glasses of the Ge-Se-Bi system. // Recent Development in condensed matter physics. • V. 2, N. Y. - L.: Plenum Press, 1981. - P. 333.
11. Вихров С.П., Ампилогов B.H. Исследование условий инверсии типа 1роводимости в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Неорга-щческие материалы. 1983. - Т. 19, N. 11. - С. 1827 - 1831.
12. Nagels P., Rotti М., Vichrov S.P. Doping of chalcogenide glasses in the ;ystem Ge-Se and Ge-Te // J. Phys. (Collogue C4). 1981. - V. 42, N. 10. - P. 907 ->07.
13. Вихров С.П., Юшка Г., Ампилогов В.Н. К природе инверсии п-типа фоводимости в ХСП систем Ge-Se-Bi и Ge-S-Bi // ФТП. 1984. - Т. 18, N. 2.- С. »48 - 350.
14. Ампилогов В.Н., Вихров С.П. Влияние кристаллических включений ta транспортные свойства стеклообразных полупроводников // ФТП. 1983. -Г. 17, В. 5.-С. 944-945.
15. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела Пер. с нем.- М.: Мир, 1986. 558 с.
16. Frerichs R. // Phys. Rev. 1950. - V. 78. - P. 643.
17. Коломиец Б.Т., Горюнова H.A. Свойства и структура тройных полу-роводниковых систем. I. Электрические свойства и структура некоторых мате-иалов в системе Tl-Sb-Se // Журнал технической физики. 1955. - Т. 25, В. 6.984 994.
18. Любин В.М. В кн. Структура и свойства некристаллических полу-роводников - Л.: Наука, 1976. - 415 с.
19. Петров В.В., Караиков И.И., Лысенко С.С., Кравченко А.Д. Исполь-ювание неорганических светочувствительных материалов для изготовления фотошаблонов В кн. Гибридная вычислительная техника и электроника. Киев, 1972.-С. 491 -503.
20. Алимбарашвили Н.А. Новые материалы для оптической записи информации Тбилиси.: Маиниреба, 1983. - 150 с.
21. Дембовский С.А., Чечеткина Е.А. Стеклообразование М.: Наука, -990. - 279 с.
22. Стевелс Дж. Электрические свойства стекол М.: ИЛ, 1961. -112 с.
23. Stevels J. М. Progress in the theory of the physical properties of glass N. Г., 1948. - 76 p.
24. Тарасов B.B. Проблемы физики стекла Изд - во 2-ое. М.: Строй-вдат, 1979. - 255 с.
25. Бартенев Г.М. Строение и механические свойства неорганических текол -. М.: Стройиздат, 1966. 216 с.
26. Phillips I.G. Topology of covalent non-crystalline solids. 1. Short-range rder in chalcogenide alloys // J. Non Cryst. Solids. - 1979. - V. 34, N. 2. - P. 153 -81.
27. Elliott S.R. // Phys. Rev. Lett. -1991. V. 67. - P. 711.
28. Elliott S.R. //J. Phys. Cond. Mat. 1992. - V. 38. - P. 7661.
29. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стёкла JI. : Лзд- во ЛГУ, 1983. - 344 с.
30. Мюллер Р.Л. Химия твердого тела и стеклообразное состояние / Сб.: <имия твердого теда. Л.: Изд - во ЛГУ, 1965. - С. 9 - 63.
31. Кокорина В.Ф. Влияние химической связи на стеклообразование и :войства стекол / Сб.: Стеклообразное состояние. Л., 1971. - С. 87 - 90.
32. Минаев B.C. Полиморфно кристаллоидное строение стекла // ФХС. 1996. - Т. 22, N. 3. - С. 314 - 325.
33. Goodman C.H.L. The structure and properties of glass and the strained nixed cluster model // Phys. Chem. Glasses. 1985. - V. 26, N. 7. - P. 1 -10.
34. Мюллер P.Л. Химические особенности полимерных стеклообразу-эщих веществ и природа стеклообразования / В кн. Стеклообразное состояние. А. Л.: Изд. АН СССР, 1960. - С. 61 - 71.
35. Тарасов В.В. Стекло как полимер / Стеклообразное состояние. 3-е $сес. совещ. (Л., 1959) М. - Л.: Изд. АН СССР, 1960. - С. 78 - 90.
36. Тарасов В.В. Проблемы физики стекла М. : Стройиздат, 1976.56 с.
37. Кокорина В.Ф. / Стеклообразное состояние. Труды пятого Всес. Совещания. Л.: Наука, 1977. - С. 87 - 92.
38. Дембовский С.А. Эмперическая теория стеклообразования в халько-енидных системах // ЖНХ. 1977. - Т. 22, N. 12. - С. 3187 - 3199.
39. Байдаков П.А., Блинов Л.П. Твердое тело: аморфное состояние ещества. Л. : Изд. ЛПИ, 1984. - 64 с.
40. Минаев B.C. / Тезисы докл. Всесоюзного семинара «Строение и при-юда металлических и неметаллических стекол». Ижевск: Изд - во АН СССР, .987.-С. 10.
41. Srreram A.N., Varsheneya А.К., Swiler R.D. Molar volume and elastic >roperties of multicomponent chalcogenide glasses // J. Non Cryst. Solids. -1991. -/. 128, N. 3. - P. 294-309.
42. Lucovsky G., Galeener F.L., Geils R.H. et. al. The structure of Non -Crystalline Materials / Ed. P. H. Gashell, London, Taylor & Francis. 1977. - 34 p.
43. Pao К. Дж. Исследование халькогенидных стекол // Известия СО АН СССР. Серия Химия. 1987. - В. 19, N. 6. - С. 46 - 54.
44. Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников JI. : Из - во 1ГУ, 1972. - 247 с.
45. Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1982.416 с.
46. Минаев B.C. Физико химические основы прогнозирования, синтез, войства и технология новых некристаллических материалов электронной ехники. Автореферат докторской диссертации. М., 1993. - 52 с.
47. Дембовский С.А., Чечеткина Е.А. Об оценке способности к стекло-бразованию в халькогенидных системах // Неорганические материалы. 1981. Т. 17,N. 7.-С. 1176- 1179.
48. Байдаков Л.А. Количественный критерий стеклообразующей способ-ости вещества на основе учета природы химической связи // Физика и химия текла.- 1994. Т. 20, N. 3. - С. 341 - 348.
49. Ioffe A.F., Regel A.R. Non crystalline amorphous and liquid electronic emiconductors // Progress in semiconductors. - 1960. - V. 76. - P. 237 - 291.
50. Лихачев B.A. О строении стекла // Физика и химия стекла. 1996.- Т. 2,N. 2.-С. 107-121.
51. Звягин И.П. Кинетические явления в неупорядоченных полупровод-иках М.: Изд - во МГУ, 1984. - 189 с.
52. Губанов A.M. Квантово-электронная теория аморфных полупровод-1иков М. - Л.: Изд - во АН СССР, 1963. - 52 с.
53. Мотт Н. Электроны в неупорядоченных структурах / Пер. с англ. М. Лир, 1969, 172 с.
54. Anderson P.W. Absence of diffusion in certain random lattices // Phys. lev. 1958. - V. 109, N. 5. - P. 1492 -1505.
55. Kastner M. Defect chemistry and states in the gap of lone-pair emiconductors J. Non - Cryst. Sol. - 1978. - V. 31, N. 1 - 2. - P. 223 - 240.
56. Kastner M., Adler D., Fritzsehe H. Valence generation model for ocalized gap states in lone-pair semiconductors // Phys. Rev. Lett. - 1976. - V. 37, N. I2.-P. 1504- 1507.
57. Cohen M.N. Fritzche H., Ovshinsky S.R. Simple band model for morphous semiconducting alloys // Phys. Rev. Letter. 1969. - V. 22, N. 5. - P. 065 - 1068.
58. Davis E.A., Mott N.F. Conduction in non crystalline systems. V. onductivity, optical absorbtion and photoconductivity in amorphous semiconductors ' Phil. Mag. - 1970. - V. 22, N. 17. - P. 903 - 922.
59. Marshall J.M., Owen A.E. Drift mobility studies in vitreous arsenic •iselenide // Phil. Mag. -1971. V. 24, N. 122. - P. 1281 - 1305.
60. Owen A.E., Spear W.E. Eloctrolic properties and lokalized states in morphous semiconductors // Physics and chemistry of glasses. 1976. - V. 17, N. 5. P. 174-192.
61. Бонч-Бруевич В.JI. Электронная теория неупорядоченных полупро-одников. М.: Наука. 1981. - 384 с.
62. Anderson" P.W. Model for electronic structure of amorphous smiconductors // Phys. Rev. Lett. 1975. - V. 34, N. 15. - P. 953 - 955.
63. Шпотюк О.И. Индуцированные процессы и структурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Дис. д. ф - м. н. -Еьвов. - 1991.-346 с.
64. Street R.A., Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors // Phys. lev. Lett. 1975. - V. 35, N. 22. - P. 1293 - 1297.
65. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. - Т. 1, 2. - 658 с.
66. Лямичев И .Я., Литвак И.И., Ощепков H.A. Приборы на аморфных юлупроводниках и их применение. М.: Сов. радио, 1976. - 128 с.
67. Savage J.A. Optical properties of chalcogenide glasses // J. Non Cryst. iolids. - 1982. - V. 47, N. 1. - P. 101 - 116.
68. Зорина Е.Л., Дембовский С.А., Величкова В.Б., Виноградова Г.З. Инфракрасное поглощение стеклообразных As2Se3, As2Se5 и AsSe4 // Изв. АН ХСР. Неорганические материалы. 1965. - Т. 1, N. 11. - С. 1889 - 1891.
69. Минаев B.C. Стеклообразные полупроводниковые материалы, "интез, свойства, применение. / Обзоры по электронной технике. Сер. "Мате-налы". М., 1974. - В. 15 (262). - 65 с.
70. Шварц К.К. Физика оптической записи в диэлектриках и полупро-одниках. Рига: Зинатне, 1986. - 232 с.
71. Перспективы и возможности несеребряной фотографии / Под ред. 1.Л. Картужанского. Л.: Химия, 1988. - С. 145 - 172.
72. Утида Н., Ниидзеки Н. Материалы и методы акустооптического тклонения. // Тр. ин та инженеров по электротехнике и электронике. - 1973.61, N. 8.-С. 21-43.
73. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических еществах. М.: Мир, 1974. - 472 с.
74. Talis J., Menth A., Wood D.L. Optical and magnetic investigation of the ocalized states in semiconducting glasses // Phys. Rev. Lett. 1970. - V. 25, N. 11.-\ 749 - 752.
75. Dow J.D., Redfield D. Electroabsorption in semiconductors: the excitonic ibsorption edge // Phys. Rev. B. 1970. - V. 1, N. 8. - P. 3358 - 3371.
76. Ормонт В.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию юлупроводников. М.: Высшая школа. - 1968. - 488 с.
77. Elliott S.R., Davis Е.А. Defect states in group -Y amorphous emiconductors // J. Phys. C.: Solide State Phys. 1979.- V. 12, N. 13. - P. 2547 -587.
78. Адлер Д. Приборы на аморфных полупроводниках // Успехи шзических наук. 1978. - Т. 125, N. 4. - С. 707 - 730.
79. Закис Ю.Р. Дефекты в стеклообразном состоянии вещества Рига: инатне, 1984. - 136 с.
80. Попов Н.А. Квазимолекулярные дефекты в халькогенидных стекло-бразных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1981. - Т. 5.-В. 2.-С. 369-374.
81. Попов Н.А. Структура, физико-химические свойства и применение екристаллических полупроводников / Материалы конф. «Аморфные полупро-одники 80». - Кишинёв: АН СССР, АН МССР, 1980. - С.154 - 157.
82. Кобеко П.П. Аморфные вещества М. - JI. : Изд. АН СССР, 1952.32 с.
83. Маттис Б.Л. Тонкие поликристаллические и аморфные плёнки. >изика и применение / Под ред. Л. Казмерски. М.: Мир, 1983. - С. 9 - 23.
84. Roy R. // J. Non Cryst. Sol. - 1970. - V. 3, N. 1. - P. 33 - 40.
85. Mott N.F., Davis Е.А., Street R. A. States in the gap and recombination in imorphous semiconductors // Phil. Mag. 1975. - V. 32, N. 5. - P. 961 - 996.
86. Kastner M. Defect chemistry and states in the gap of lone-pair ¡emiconductors // J. Non cryst. Sol. - 1978. - V. 31, N. 1 - 2. - P. 223 - 240.
87. Pollard W.B., Joannopoulos J.D. Electronic structure of defects in imorphous arsenic // Phys. Rev. B. 1979. - V. 19, N. 8. - P. 4217 - 4223.
88. Street R.A. Recombination in amorphous semiconductors // Phys. Rev. B. 1978.-V. 17,N. 10.-P. 3984-3995.
89. Street R.A. Non-radiative recombination in chalcogenide glasses // Solide Jtate Commun, 1977. - V. 24, N. 5. - P. 363 - 365.
90. Vardeny Z., Taus J. Method for direct determination of the effective :orrelation energy of defects in semiconductors: Optical modulation spectroscopy of langling bonds // Phys. Rev. Lett. 1985. - V. 54, N. 16. - P. 1844 - 1847.
91. Панасюк Л.М., Манушевич Г.Н., Гоглидзе Г.И., Провоторов В.Л. влияние температуры на вольт амперные характеристики тонких слоев As2Se3 I Физ. и техн. полупроводников. - 1980. - Т. 44, N. 1. - С. 62 - 68.
92. Shimakawa К. On the temperature dependence of a. c. conduction in halcogenide glasses // Phil. Mag. B. 1982. - V. 46, N. 2. - P. 123 - 125.
93. Naito H., Nakaishi M., Matsushita Т., Okuda M. Gap state spectroscopy fi amorphous As2Se3 films // J. Non-Cryst. Solids. 1985. - V. 77 - 78, N. 6. - P. 183- 1186.
94. Adriaenssens G.J., Hamman M., Michiel H., Marshall J.M. Spectral iistribution of steady photoconductivity in amorphous As2Se3 // Solid State "ommun. 1983. - V. 45, N. 6. - P. 465 - 469.
95. Hamman M., Adrienssens G.J., Grewendonk W . Steady-state ihotoconductivity in amorphous arsenic selenide compounds // J. Phys. C.: Solid itatePhys. 1985. - V. 18,N. 10.-P. 2151 -2160.
96. Barclay R.P., Sarr M., BrebnerJ.L. Reversible metastable defect centres n amorphous arsenic triselenide // J. Non Cryst. Solids. 1987. - V. 97 - 98, Pt. 2. -». 687 - 690.
97. Попов А.Ю., Стыс JI.Б., Цыбесков Л.В. Фотоэлектрическая яектроскопия глубоких уровней в плёнках а As2Se3. // Физ. и тех. полупро-юдников. - 1987. - Т. 21, N. 12. - С. 2225 - 2227.
98. Попов А.Ю., Цыбесков Л.В., Шевелева A.C. Метод слабого ютоответа в спектроскопии глубоких уровней а As2Se3 / Фотоэлектроника. >есп. межвед. науч. сб. Вып. 2. - Киев - Одесса: Вища школа, 1988. - С. 21 - 26.
99. Вакаров B.C., Стыс Л.Е., Фойгель М.Г., Цыбесков Л.В. Исследование локализованных состояний в запрещённой зоне триселенида мышьяка ютодом инжекционных токов // Физика и техника полупроводников. 1985.19, N. 5. С. 931 -933.
100. Хан В.П., Перевозчиков Б.Н., Александрович Е.В. Структурные ревращения и электрические свойства стёкол системы Ga TI - Те // Неорганические материалы. - 1993. - Т. 29, N. 11. - Р. 1473 - 1476.
101. Nagels P., Callaerts R., Denayer M. / Proc. 5th Int. Conf. Amorphous nd Liquid Semiconductors, London. -1973. P. 867.
102. Emin D., Seager C.H., Quinn R.K. // Phys. Rev. Let. 1972. - V. 28. - P.13.
103. Van der Pias A., Bube R.H. // J. Non Cryst. Solids. - 1977. - V. 24. - P.77.
104. Бацанов C.C. Экспериментальные основы структурной химии M.: 1зд - во Стандартов, 1986.- 239 с.
105. Катлер М. Жидкие полупроводники / Под ред. Андреева A.A. и Алексеева В.А. М. : Мир, 1980. - 256 с.
106. Губанов А.И. Об изменении свойств полупроводников при плавле-:ии//ЖТФ.- 1957.-Т. 27, В. 11.-С. 2510-2516.
107. Schottmiller J.C., Bowman D.L., Wood C. // J. Appl. Phys. 1961. - V. »9, N. 3. - P. 1163- 1169.
108. Flasck R., Izu M., Sapru K., Anderson Т., Ovshinsky S.R., Fritzsche H. )ptical and electrical properties of modified amorphous materials / Proc. 7 th Intern. Conf. «Amorph. and liquid semiconductors». Edinburgh, 1977. P. 524.
109. Gomi Т., Hirosu Т., Shiraishi Т., Iida M., Gekka Y., Kunicka A. Electrical and optical properties of chalcogenide amorphous semiconductors nodified with Ni // J. Non-Cryst. Sol. 1980. - V. 41, N. 1. - P. 37 - 46.
110. Аверьянов В.Л., Коломиец Б.Т., Любин B.M., Приходько О.Ю. Модифицирование стеклообразного селенида мышьяка // Письма ЖТФ. 1980. Т. 6,В.25.-С. 577-579.
111. Averyanov B.L, Gelmont B.L., Kolomiets В.Т., Lyubin V.M., 'rikhodko O.Yu. and Tsendin K.D. Mechanism of extrinsic conductivity in modified itreous semiconductors // J Non-Cryst. Solids. 1984. - V. 64. - P. 279 - 282.
112. Гельмонт Б.Л. Цэндин К.Д. О примесной проводимости в теклообразных модифицированных полупроводниках // Физика и техника юлупроводников. 1983. - ТЛ 7, В. 6. - С. 1040 - 1044.
113. Kolomiets В.Т., Averyanov V.L., Lyubin V.M., Prikhodko O.Yu. Modification of vitreous As2Se3 // Solar Energy Mater. 1982. - V. 8. - P. 1 - 8.
114. Барановский С.Д., Гельмонт Б.Л., Цэндин К.Д. О степени омпенсации стеклообразных модифицированных полупроводников // ФТП. -\ 20,В. 10.-С. 1917-1918.
115. Stotzel Н., Leimer F., Kuske J. and Teubner W. Electrical properties of lodified a- GeSe films / Proc. 2 Internat. Conf. «Amorphous Semiconductors 78», •ardubice, 1978. - P. 332 - 335.
116. Kottwitz A., Stotzel H., Stoica T. and Vescan L. Determination of realized states in modified a- GeSe by photoconduction investigation / Proc. 2 nternat. Conf. «Amorphous Semiconductors 78», Pardubice, - 1978. - P. 472 - 475.
117. Пинзенник В.П., Туряница И.Д. Влияние примесей 3d элементов га свойства стекол системы Sb-S-J / Сб. докл. конф. «Аморфные полупро-юдники - 82». Бухарест, 1982. - С. 172 - 174.
118. Конников С.Г., Павлов С.К., Цэндин К.Д., Шифрин Е.И., Шпунт S.X. Эффект скачкообразного увеличения проводимости стимуллированного шектронным пучком в легированных стеклообразных полупроводниках // Тисьма в ЖТФ. 1989. - Т. 15, В. 13.-С. 48-51.
119. Калмыкова Н.П., Мазец Т.Ф., Сморгонская Э.А., Цэндин К.Д. Ликронеоднородность и примесная проводимость в пленках стеклообразного Vs2Se3 легированного Bi // ФТП. 1989. - Т. 23, N. 2. - С. 297 - 303.
120. Власов Ю.Г., Бычков Е.А. Эффект Мессбауэра в халькогенидных :теклах с добавками железа / Сб. докл. Конф. «Аморфные полупроводники -'8».- Пардубице, 1978. С. 174 177.
121. Белякова H.B., Борисова З.У. Влияние железа на свойства стекол истемы Sb-Ge-Se и Sb-Ga-Ge-Se // Физика и химия стекла. 1984. - Т. 10, В. 2238 242.
122. Попова Т.К., Тверьянович Ю.С., Борисова З.У. Влияние марганца са свойства стекол системы Sb-Ge-Se // Физика и химия стекла. 1984. - Т. 10, $. 3. - С. 374 - 377.
123. Аверьянов B.JL, Любин В.М., Насрединов Ф.С., Нистирюк П.В., 1риходько О.Ю., Серёгин П.П. Механизм примесной проводимости стеклообразного селенида мышьяка модифицированного железом // ФТП. 1983. - Т. 7, В. 2.-С. 353 - 356.
124. Аверьянов В.Л., Казакова Л.П., Лантратова С.С., Лебедев Е.А., Триходько О.Ю. Перенос носителей заряда в пленках стеклообразного As2Se3юдифицированного никелем и железом // ФТТ. 1983. - Т. 17, В. 5. - С. 928 ->30.
125. Данилов А.В., Мюллер P.JI. Электропроводность системы AsSei>5Cu i стеклообразном состоянии // ЖПХ. 1962. - Т. 35, В. 9. - С. 2012 - 2016.
126. Коломиец Б.Т., Лебедев Э.А., Рогачёв Н.А. Влияние примесей на лектрические и оптические свойства стеклообразного селенида мышьяка // Е>ТТ. 1974. - Т. 8, В. 3. - С. 545 - 549.
127. Gelmont B.L., Kolomiets В.Т., Tsendin K.D. Impurity conduction of halcogenide vitreous semiconductors // Phys. Stat. Sol. (a). 1985. - V. 91. - P. 319 337.
128. Mott N.F., Davis E.A. Electronic Processes in Non-crystalline materials (2 th edition) Oxford: Clarendon press, 1979. 157 p.
129. Shimizu Т., Jinno Y., Kumeda M. and Suzuki M, Influence of Mn mpurity in Te48As3oGe,0Sii2 and As2Se3 glasses / Proc. 6th Intern. Conf. On Amorph. ,iq. Semicond. Structure and properties of non crystalline semicond. - Leningrad, 975.-P. 103 - 107.
130. Kumeda M., Jinno Y., Suzuki M. and Shimizu T. Influence of Mn mpurity in Te-As-Ge-Si Glasses // J. Appl. Phys. 1976.- V. 15, N. 2 P. 201 - 205.
131. Пазин A.B. Кандидатская диссертация. Л., 1970.
132. Бордовский Г.А., Савинова Н.А., Серегина Л.Н. Возможность ффективного легирования стеклообразных полупроводников из расплава // >изика и техника полупроводников. 1987. - Т. 21, В. 8. - С. 1440 - 1443.
133. Аверьянов В.Л., Насрединов Ф.С., Нистирюк П.В., Приходько Э.Ю., Серёгин П.П. Модифицирование стеклообразного селенида мышьяка шовом // Физика и химия стекла. 1982. - Т. 8, В. 5.- С. 541 - 545.
134. Борисова З.У. Влияние металлических примесей на физико-шмические свойства халькогенидных стекол / В кн.: Материалы Международ-гой конференции «Аморфные полупроводники 82». Бухарест, 1982, Ч. Р. - С. 5 - 13.
135. Цэндин К.Д. Особенности примесной проводимости в неупорядо-генных полупроводниках, имеющих собственные дефекты с отрицательной сорреляционной энергией и электрически активные примесные атомы // ФТП. -990. Т. 24, В. 6. - С. 1019 - 1023.
136. Дэвис Э. Состояния в запрещенной зоне и дефекты в аморфных юлупроводниках / В кн.: Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. Л.: Мир, 1982. 419 с.
137. Калмыкова Н.П., Мазец Т.Ф., Сморгонская Э.А., Цэндин К.Д. Ликронеоднородности и примесная проводимость в плёнках стеклообразного8е3, легированного В! // ФТП. 1989. - Т. 23, В. 2. - С. 297 - 301.
138. Мазец Т.Ф., Цэндин К.Д. О механизме легирования халькогенид-гых стеклообразных полупроводников // ФТП. 1990. Т. 24, В. 11. С. 1953 -958.
139. Цэндин К.Д. Примесные и дефектные электронные состояния в шёнках легированных халькогенидных стеклообразных полупроводников / 1,ис. д.ф-м.н. Санкт Петербург. - 1992. - 210 с.
140. Ким Т.И., Михайлов М.Д., Борисова З.У. Влияние добавок меди и винца на свойства стёкол системы Аэ-Се-Х (Х=8, 8е, Те) // Физика и химия текла. 1985. - Т. 11, В. 1. - С. 56 - 60.
141. Борисова З.У., Бычков Е.А., Бондаревский С.И., Штыков Н.В. О заимодействии Аз28з с железом при стеклообразовании // Физика и химия текла. 1988. - Т. 14, В. 8. - С. 892 - 896.
142. Байдакова О.Л., Тверьянович Ю.С., Гутенев М.С., Бахвалов С.Г. Характер взаимодействия компонентов в стеклообразующих системах GeS2-jra2S2 -MnS (MnCl2) // Физика и химия стекла. 1988. - Т. 14, В. 5. - С. 789 - 792.
143. Тверьянович A.C., Тверьянович Ю.С., Борисова З.У. Об особеннос-:ях кристаллизации халькогенидных стекол, содержащих переходной металл // Физика и химия стекла. 1988. - Т. 14, В. 2. - С. 289 - 290.
144. Попова Т.К., Тверьянович Ю.С., Борисова З.У. Влияние марганца а свойства стёкол системы Sb-Ge-Se // Физика и химия стекла. 1984. -Т. 10, $.3.-С. 374-377.
145. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводников в некристаллических остояниях // УФЖ. 1976. - Т. 20, - В. 4. - С. 581 - 612.
146. Горюнова H.A., Коломиец Б.Т. Новые стеклообразные полупро-одники // Изв. АН СССР. Серия физическая. 1956. - Т. 20, В. 12 - С. 1496 -500.
147. Бычков Е.А., Власов Ю.Г., Борисова З.У. Влияние добавок железа :а физико-химические свойства халькогенидных стёкол // ФХС.- 1978. Т. 4, В. .-С. 335-340.
148. Аверьянов В.Л., Коломиец Б.Т., Любин В.М., Приходько О.Ю. Модифицирование стеклообразного селенида мышьяка // Письма ЖТФ. 1980. Т. 6,В. 10.-С. 577-580.
149. Kolómiets В.Т., Averyanov B.L., Lyubin V.M., Prikhodko O. Yu. fodifícation of vitreous As2Se3// Sei. En. Mater. 1982. -V. 8. - P. 1 - 8.
150. Тверьянович Ю.С., Борисова З.У. Микронеоднородность и примес-ая проводимость в халькогенидных стёклах / Тезисы Всесоюзной конферен-ии «Стеклообразные полупрводники» Л., 1985. С. 238 - 239.
151. Liang K.S., Bienenstock A., Bates C.W. Structural studies of glassy :uAsSe2 and Cu-As2Se3 alloys // Phys. Rev. B. 1974. - V.l 0, N. 4. - P. 1528.
152. Laderman S., Bienenstock A., Liang K.S. EXAFT investigation of dilute impurities in amorphous As2Se3// Sei. En. Mater. 1982. - V. 8. - P. 15 - 22.
153. Расола И.И., Зацаринная П.А., Химинец O.B., Стефанович В.А., Симинец В.В. Влияние условий синтеза на физико химические свойства и пектры КРС стеклообразного As2S3 // Украинский физический журнал.- 1989.34, В. 2-С. 236-239.
154. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В, Скуднова Е.В., ижевская С.Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: 1аука, 1975. с.
155. Хан В.П., Когай В.Я., Александрович Е.В. Критические условия понтанной релаксации в самоорганизующихся диссипативных пленочных труктурах // Журнал технической физики. 1999. - Т. 69, В. 8. - С. 128 - 129.
156. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизмы образования и убструктура конденсированных пленок. М.: Наука, 1972. 320 с.
157. Глазов В.М., Вигдорович В.Н. Микротвердость металлов. М.: Металлургия, 1969. 248 с.
158. Van der Pauw L.J. A Method of Measuring Specific Resistivity and Hall effect of discs of arbirary shape // Philips Research Report, 1958. V. 13, N. 1. - P. 19.
159. Батавин B.B., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур М.: Радио и связь, 1985. -264 с
160. Мелвин Хьюз Э.А. Физическая химия - Книга 2., М. ; Йзд - во иностранной литературы, 1962. - 948 с.
161. Cornet J. The eutectic law for binary Те based systems: A correlation beetween glass formation and the eutectic composition / В кн. Структура и свойства некристаллических полупроводников / Под ред. Коломийца Б.Т. - JI. : Наука, 1976.-С. 72-77.
162. Виноградова Г.З. Стеклообразование и фазовые равновесия в калькогенидных системах. Двойные и тройные системы. М.: Наука, 1984. -176 с.
163. Минаев B.C. Хан В.П., Младенцева Е.В., Сотникова М.Н., Чужанов 1>.В. Стеклообразование в системе галлий-таллий-теллур // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1988. Т. 24, N. 4. С. 697 - 699.
164. Куманин К. П., Мухин Е.Я. Об управлении кристаллизационной способностью промышленных стекол // Оптико-механическая промышленность. 1947.-N. 1.- С. 21 -25.
165. Мухин Е.Я., Гуткина Н.Г. Кристаллизация стекол и методы ее гредупреждения М.: Гособорониздат, 1968. - 128 с.
166. Минаев B.C. О качественном и количественном критериях стекло-эбразования в халькогенидных стеклах Рукопись деп. М. : ЦНИИ «Электроника», 1977.-N ДЗ - 2113.
167. Минаев B.C. Критерий стеклообразования в халысогенидных системах / Труды конф. «Аморфные полупроводники 78». Прага, 1978. - С. 71 - 74.
168. Минаев B.C. Новые стекла и некоторые особенности стеклообразования в тройных теллуридных системах // Физика и химия стекла. 1983. - Т. 9, N. 4.-С. 432-435.
169. Роусон Г. Неорганические стеклообразующие системы М. : Мир, 1978.-312 с.
170. Минаев B.C. Особенности стеклообразования в системах All!А BIA и их связь со строением диаграмм состояния // Электронная техника, Серия «Материалы». - 1980. - В. 8. - С. 30 - 33.
171. Минаев B.C. Классификация диаграмм стеклообразования в тройных халькогенидных полупроводниковых системах // Электронная техника. Серия «Материалы». 1982 - В. 7.- С. 47 - 53.
172. Угай Я.А. Общая химия М.: Высшая школа, 1984. - 440 с.
173. Дембовский С.А. Квазиизоморфное замещение и типы координационных эффектов в халькогенидных стеклообразных соединениях и системах на их основе//ЖНХ. 1980. - Т. 25, В. 11. - С. 2889 - 2893.
174. Дембовский С.А. Проблема взаимозаместимости атомов в халькогенидных стеклообразующих системах// ЖНХ. 1979. - Т. 24, В. 8. -С. 2019-2027.
175. Мейер К. Физико-химическая кристаллография М. : Металлургия, 1972.480 с.
176. Александрович E.B., Когай В.Я. Формирование структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников с п типом проводимости / Тезисы докладов международной конференции «Стекла и твердые электролиты». С.Петербург, 17 - 19 мая 1999. - С. 84.
177. Минаев B.C., Хан В.П., Младенцева Е.В., Чужанов Ф.В., Щелоков А.Н., Сотникова М.Н. Стеклообразование и структура стекол в системе галлий-таллий-теллур // Деп. в ЦНИИ «Электроника». М., 1987.- N. Р - 4554.
178. Hewat А.А., Hewat Е.А, Capponi J.J., Chaillout C., Chenaias J., Hodeau J.L. Oxygen «disorder» and the structures of high T1 superconductors // Physica B. -1989.-V. 156 - 157.-P. 874-876.
179. Sleight A.W. Chemistry of high temperature superconductors // Science.- 1988. - V. 242, N. 4. - P. 1519 - 1527.
180. Руководитель лаборатории «Полупроводникового материаловедения» кандидат технических наук Хан В.П. принимал активное участие в постановке задачи и обсуждении результатов.
181. Профессор, доктор химических наук Минаев B.C. принимал участие в постановке экспериментов и обсуждении полученных результатов.
182. Научный сотрудник Чужанов Ф.В. помогал при проведении синтеза стекол и подготовке образцов к исследованиям.
183. Научный сотрудник Перевозчиков Б.Н. участвовал в разработке установок для измерения электрических свойств стеклообразных сплавов.
184. Старший научный сотрудник Когай В.Я. участвовал в разработке метода низкотемпературного легирования пленок ХСП и их исследовании.
185. Научный сотрудник НИИ «Материаловедения» Сотникова М.Н. проводила рентгенофазовый анализ образцов.
186. Старший научный сотрудник ФТИ УрО РАН Канунникова О.М. проводила рентгено-электронный анализ тонких пленок.
