Электропроводность и природа проводимости металлсодержащих халькогенидных стекол тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.01 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Электрические свойства и строение стеклообразных сплавов

1.2. Электропроводность и строение стеклообразных сплавов, содержащих два щелочных катиона

1.3. Электропроводность бескислородных: (халькогенидных) стекол

II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Синтез стеклообразных сплавов

2.2. Определение плотности и микротвердости

2.3. Методы физико-химического анализа

2.4. Измерение электропроводности

2.5. Определение чисел переноса

2.6. Измерение электронной.составляющей проводимости

2.7. Определение коэффициентов диффузии

III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ 3.1. Стеклообразование и некоторые физико-химические свойства стекол псевдотройных систем AsSe^ g- - Ay - Си и AsSeI>5 - Agr - Tt

3.1.1. Стеклообразование в системе мышьяк - селен -серебро

3.1.2. Стеклообразование в системе мышьяк - селен

3.1.3. Стеклообразование в системе мышьяк - селен таллий

3.1.4. Стеклообразование в псевдотройных системах

AsSe1 5 - Ад- - Си и AeSej >5 - Ад- - Т

3.2. Электрические свойства стекол псевдотройных систем AsSe^ 5 - Ay - Си и AsSe^ g - Ag- - Tt.

3.2.1. Электрические свойства стекол системы мышьяк - селен - медь

3.2.2. Электропроводность и природа проводимости стекол системы мышьяк - селен - серебро

3.2.3. Электропроводность стекол системы мышьяк селен - таллий

3.2.4. Природа проводимости стекол разреза AsSe^ g- Ay

3.2.5. Электрические свойства и природа проводимости стекол систем AsSej g - Agp - Си и AsSe^ g - Ay - Tl.

3.3.1. Физико-химические свойства и природа проводимости тройных соединений AyAsXg (X - S, Se, Те).

3.3.2. Физико-химические свойства соединений TlAsX^ . . . ИЗ

3.3.3. Изменение физико-химических свойств и природы проводимости при эквивалентном замещении серебра на таллий в стеклообразном сульфиде мышьяка

3.3.4. Влияние примесей некоторых неметаллов на электрические свойства металлсодержащих халькогендцных стекол . 121 3.4.1. Влияние высокого гидростатического давления на ^электропроводность металлсодержащих халькогенидных стекол. Активационные объемы и объемы микропустот

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

В решениях ХХУ1 съезда КПСС предусмотрено дальнейшее расширение научных и прикладных исследований, направленных на получение новых неорганических материалов, обладающих заданным комплексом физико-химических и механических свойств. Широкое применение в науке и технике веществ, находящихся в стеклообразном состоянии, ставит перед исследователями задачи разработки новых методик синтеза стекол на не традиционной основе. Особое внимание в последнее время приобрели материалы, обладающие электролитической проводимостью. Знание природы носителей тока и их чисел переноса определяет не только области применения подобных материалов, но и имеет огромное значение для разработки технологии их получения.

До недавнего времени были известны стекла, обладающие либо ионнсй (катионной или анионной), либо электронной проводимостью. Возможность совместного ионноэлектронного переноса даже не обсуждалась.

Исследования физико-химических свойств халькогенидных стекал впервые были начата еще в конце прошлого века, однако, только сравнительно недавно было экспериментально показано, что они обладают полупроводниковыми свойствами и что их проводимость носит преимущественно дырочный характер, причем носители заряда обладают низкой подвижностью. Полупроводниковые свойства халькогенидных стекол достаточно подробно изучены и широко используются в телевизионной технике, электрофотографии и ксерографии, при изготовлении ячеек памяти, пороговых переключателей и т.п. Однако в последнее десятилетие в литературе появились сведения о возможности синтеза халькогенидных стекол системы серебро-мышьяк-сера (селен), обладающих электролитической проводимостью.

Изучению природы носителей заряда и их чисел переноса в халькогенидных стеклах посвящено весьма ограниченное число работ. Сообщения о преимущественно ионной проводимости сереб-росодержащих халькогенидных стекол делают необходимым детальное изучение природы носителей тока и их чисел переноса в этих стеклах, а также поиск новых халькогенидных стекол, обладающих высокой ионной проводимостью. Учитывая ограниченные запасы серебра во всем мире, особый интерес представляет создание бессеребряных стеклообразных материалов с высокой ионной проводимостью. Важность и актуальность создания и изучения стеклообразных твердых электролитов, процессы переноса электричества в которых обусловлены миграцией других ионов, несомненна.

Большой теоретический и практический интерес представляет собой изучение веществ,в которых перенос электричества осуществляется носителями разного знака. Создание подобного рода веществ позволило бы. увеличить скорость ионного обмена за счет наложения внешнего электрического поля. При этом возможно не только упрочение изделий из стекла, но и создание градиентных сред, что для халькогенидных стекол, обладающих широкой полосой пропускания в ИК-области спектра вместе с высокой химической и радиационной стойкостью, открыло бы новые области применения наряду с уже известными.

Уже в настоящее время стеклообразные твердые электролиты находят широкое применение при создании химических источников тока, конденсаторов с большой удельной емкостью (ионисто-ров), электрохимических датчиков, используемых в различных технологических и научных установках и т.п.

Поэтов/у разработка новых стеклообразных материалов, обладающих необычным сочетанием физико-химических свойств, безусловно расширит область их применения. Это тем более рационально, что электрические параметры стекол обладают большей, по сравнению с кристаллами, воспроизводимостью, стекла более технологичны и обладают высокой химической устойчивостью.

К сожалению работ, посвященных изучению природы носителей электричества, доли их участия в процессах переноса электрического тока (чисел переноса), механизма миграции заряженных частиц, а также возможному практическому применению стеклообразных твердых электролитов мало.

Поэтому целью настоящей работы было систематическое исследование физико-химических свойств стекол систем AsSe^y- Ay-Си f AsSe^g- - Ay - Tl (И нескольких разрезов системы AsSe15 - Си - Tl ), в том числе определение природы носителей тока, их чисел переноса и механизма миграции. Большое внимание уделено изучению нелинейного изменения параметров электропроводности при эквивалентном замещении серебра на медь или таллий в стеклообразном AsSe^ ^ . Изучено влияние природы халькогена (серы, селена, теллура) на некоторые физико-химические свойства металлсодержащих халькогенидов мышьяка, а также влияние некоторых неметаллических примесей на электропроводность ионно- и электрсннопроводящих халькоге-нидных стекол.

I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

I.I, Электрические свойства и строение стеклообразных сплавов

В настоящее время известно большое число различных органических и неорганических материалов, которые находятся в стеклообразном состоянии. Эти материалы находят широкое применение в науке и технике, Ириной теории, позволяющей учесть все особенности стеклообразного состояния, до сих пор нет. Исторически сложилось так, что наиболее изучены оксидные стекла на основе B20g и St Од. Именно для этих стекол Р.Д.Мюллер разработал одну из наиболее наглядных моделей концентрационных зависимостей электропроводности и химической устойчивости щелочных боратных и силикатных стекол, которая с успехом применима как для кислородных, так и для халькогенидных систем /1,2/. Изучение электрических и миграционных свойств (электропроводность, природа носителей тока, числа переноса, коэффициенты диффузии и т.д.) представляет значительный интерес , т.к. позволяет судить не только о структуре стекла, но и о характере межионных взаимодействий.

Особенности концентрационных зависимостей физико-химических свойств стекол позволили Р.Л.Мюллеру рассматривать их как растворы электролитов в растворителях с низкой диэлектрической проницаемостью /I/, электропроводность которых обусловлена миграцией свободных (не сольватированных) частиц. Базируясь на основных представлениях электрохимии растворов электролитов, ионных расплавов и кристаллов, РД.Мюллер развил представления об электрохимической природе стекол. На основании экспериментальных данных, полученных при изучении физико-химических свойств простых боратных стекол он показал, что механизм миграции заряженных частиц в стеклообразной среде по своей природе близок к механизму их миграции в кристаллах, что позволило применить к стеклам теорию электропроводности, разработанную Я.И.Френкелем для кристаллических тел /3/. Статистическую теорию электропроводности в ионных кристаллах независимо от Я.И.Френкеля предложили несколько позже Иост, Шоттки и Вагнер /4-6/.

Несмотря на существенное структурное отличие стеклооб-разногб и кристаллического состояния вещества, Р.Л.Мюллер для описания электропроводности стекол использовал подход, аналогичный предложенному Я.И.Френкелем для кристаллов. Так, например, было необходимо условно выделить высоко- и низкоэнергетические положения носителей тока, что соответствует их положению в междоузлиях и вакансиях кристаллической решетки /7/. Некоторые авторы (см. в /7/), основываясь на неоднородности и "рыхлости" структуры стекла, считают, что число вакансий значительно превосходит число самих ионов. Поэтому для их миграции не требуется предварительного перехода (диссоциации) в междоузлия. В рамках теории Я.И.Френкеля это означает, что энергия активации образования носителей заряда принимается равной нулю. Температурная зависимость электропроводности связывается с существованием потенциальных барьеров между равновесным состоянием носителей тока. Согласно Р.Л.Мюллеру, величина энергии активации образования носителей заряда Е принимается больше нуля /8/, т.е. для миграции требуется предварительная диссоциация иона. Это заключение базируется на химических представлениях о структуре стекол и значительных величинах энергий связей ионов в полярных группировках (около 50 ккал/моль)

9/, что позволяет рассматривать строение и свойства стекол о единых позиций.

В боратных и силикатных стеклах энергии взаимодействия бора и кремния с кислородом близки (энергия связей В-0 и Si/Ч) составляют 112 и 102 ккал/моль соответственно /2, с.24/). Структура стеклообразного BgOg, в первом приближении представляет собой неупорядоченную преимущественно ковалентноувязан-ную пространственную сетку из треугольников В0дд>» в которой каждый атом кислорода связан'с двумя атомами бора. Эта треугольная структура стеклообразного борного ангидрида менее прочна, чем тетраэдрическая структура стеклообразного кремнезема. Введение окислов щелочных металлов в BgOg и S'tOg. оказывает различное влияние на структуру образующихся стекол: Так, введение Ме90 в кремнезем приводит к разрыву мостико Л I вых связей -SL-O- SL-. При этом координация кремния по

I I кислороду не меняется /9/ (I.I),

1 Me 0- SiI г а образование металлосодержащих квадруполей приводит к уменьшению прочности стекла (понижению температуры размягчения Тд , вязкости и т.д. /9/). Прямые структурно-чувствительные методы исследования хотя и не позволяют однозначно трактовать строение щелочносиликатных стекол, однако свидетельствуют о неизменности координации кремния при введении Мв£0 /10-17/ и распределении щелочных ионов в соответствии со схемой (I.I) /18,19/. г

- 10

Введение щелочного окисла в борный ангидрид сопровождается переходом бора из тройной в тетраэдрическую координацию, что приводит к упрочению структуры образовывающегося стекла о' X о о Ме" (1.2)

-О-В' 411*0+ bhi-^-O J-O-B-Q-чп 0/ Л€0 о / II

I I из-за возрастания количества связей — В*" 0 — В""

I I согласно схеме (1.2) /1,20-23/.

Изучение концентрационной зависимости электропроводности щелочных боратных стекол позволило Р.Л.Мюллеру /I с.67-96/ обосновать микронеоднородную структуру стекла и дать убедительную интерпретацию полученных экспериментальных данных (рис.1).

Выражение для удельной электропроводности электролита (Jr ft'B'il'M можно представить в виде

3f=«t2[Me]'F'?-M (i;3), где {UeJ - концентрация полярных фрагментов структуры (г-иоц/см^.), £ - валентность катиона; F - число Фарадея, Л, - степень электролитической диссоциации,

U - подвижность катиона, которую можно представить в виде U= Un вХР {" ) • Здесь Ел - энергия активам - Я ции смещения катиона, Ul0— * — где О - величина

OKI единичного смещения катиона, 6 - элементарный электрический заряд, К - постоянная Больцмана, ^ - частота термического колебания .

Как видно из рис.1, на зависимости электропроводности и энергии активации электропроводности для стекол системы

6 , f , 2

- иш1 ^——^

Рис.1. Зависимость энергии активации электропроводности {^jf ) (а) и логарифма молярной электропроводности (А ) борных стекол от логарифма концентрации ионов натрия (.6) по /I/. у1 - степень блокирования,

1)- - расстояние между двумя полярными структурными единицами. можно выделить два участка:

- область низких концентраций N^0 (0+8 мол.%), где электропроводность и энергия активации электропроводности меняется мало;

- область, в которой наблюдается резкое возрастание электропроводности и падение энергии активации (8+30 мол»% Na20 )•

Впервые этот факт.объяснил Р.Л.Мюллер, основываясь на представлений о различии энергетических параметров активации процесса диссоциации щелочных ионов в полярную и неполярную среду /I, с.35-41/.

2 Оу2 + MeT0y2 Me* (1.4)

2(03/2SlO"Me+)j? 0"$ -h Mc+0~S10%

Me

При низкой концентрации щелочного окисла полярные структурные единицы (с.е.) Mel'0"SL03/2) Ме^О^StD^/g ^ Ме+В~02//г изолированы друг от друга неполярной средой, состоящей из неполярных с.е, SLO^ и ВО3Д • При этом степень электролитической диссоциации #С-6Хр XT') » где fy - энергия электролитической диссоциации полярных с.е. в собственной среде.

При некоторой критической концентрации полярных с.е. происходит их слияние и появляется возможность сквозной проводимости в полярной среде. Для характеристики критической концентрации полярных с.е. , при которой происходит их слияние и переход миграции диссоциированных катионов из неполярной среды в полярную, сопровождаемое резким возрастанием электропроводности, Р.Л.Мюллер ввел понятие "степень блокирования"

У= С неполярные .с. е.J Это понятйе было ввеДено РД.Мюлле-0 1полярные с.е. J

- 13 ром на основании теории Тамм&на о защитном действии инертных составных частей в сложных стеклах. Если концентрация щелочного металла, а тем самым и полярных с.е. меньше 8-ICT3 г-ион/см3 (при этом у> 8 ), миграция щелочных катионов происходит в среде неполярных с.е., т.к. полярные с.е. блокированы неполярными. При 8'ICT3 г-ион/см3, у 4 6 ) блокада нарушается и диссоциированные катионы двигаются в среде полярных с.е. (рис.2).

Б случае блокирования полярных с.е неполярными ( У> 9 ; /Met/ ^ 8-Ю-3 г-ион/см3, диссоциация полярных с.е. в неполярную затруднена, при этом «С - ^j-J и Е^ т.е. наблюдается повышенная энергия электролитической диссоциации полярных с.е. с выходом диссоциированных щелочных ионов в неполярную электронейтральную среду BOg/g /24,25/.

После подстановки в уравнение (1.3) выражений для подвижности носителей тока ( U ) и степени электролитической диссоциации, имеем:

Подставив в уравнение (1.5) численные значения констант,после логарифмирования получаем следующее выражение:

Сопоставление выражения (1.5а) с известным эмпирическим выражением для электропроводности /7/ if A'- FVt (1.6) где Е4 - энергия активации электропроводности, дает возможность найти значение экспериментально определяемой величины Е$ .

Ее = ^ + (1л)

До настоящего времени не удалось разделить вклад в энергию активации электропроводности величин я Есг. По-видимому, соотношение между ними колеблется в зависимости от класса стекол. В соответствии с /24/, El ^ fiy. Модуль ионной электропроводности в этом случае имеет вид

В отсутствии блокирования ( у^б ) слагаемое 0,5 iyjf можно опустить, а т.к. 2~1 . то из (1.8) следует, что

1 «.8а). где +1 - неопределенность в определении частоты термического колебания V •

В случае электронной проводимости, которая имеет место в большинстве халькогенидных стекол, модуль электропроводности для них принимает значение

Ф- (1.9) где If - концентрация валентных связей, моль/см^ /I с.158--170/,

В последние годы появилась целая серия работ /26-30/, в которых делаются попытки создания теории электропроводности, щелочных кислородных стекол. Большинство авторов придерживаются мнения, высказанного Р.Л.Мюллером, об активационном характере образования носителей заряда на основании рассмотре

- 15 ния щелочных стекол как раствора слабого электролита MegO в неполярном растворителе ( SiO^ } В2 , беО^ и т.д.)

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

1. Изучено стеклообразование в псевдотройных системах As^Se^ -Ag" - Си и AsjjSe^ - Ay - Tt . Показано, что стеклообразование в изученных системах ограничивается вццелением из расплава при синтезе элементарного кристаллического мышьяка. При взаимодействии компонентов в раоплаве в основном образуются структурные единицы, соответствующие тройным соединениям MeAsSe2 С Me - медь, серебро, таллий ).

2. Повышение содержания металлов в стеклообразных сплавах приводит к последовательному закономерному изменению величин плотности, микротвердости и температур размягчения. Аналогичные явления наблюдаются при эквивалентном замещении одного металла другим в составе стеклообразного триселенида мышьяка.

Электропроводность стеклообразного AsgSeg при введении металлов повышается ( при соответственном снижении величин Е^ ). Характер изменения физико-хшических свойств стекол при введении в их состав металлов определяется нарастающим содержанием и взаимодействием трехкомпонантных структурных единиц, соответствующих тройным соединениям MeAs $

Стекла разрезов - Си и As 2Seg - Tt обладают электронной проводимостью р-типа; в стеклах разреза As^Se^ - Ay при увеличении содержания серебра наблюдается изменение типа основного носителя тока - электронная проводимость сменяется преимущественно ионной. Этот переход происходит вблизи состава содержащего 5 ат.% серебра.

3. При эквивалентном замещении серебра на медь или таллий в стеклообразном триселениде мышьяка происходит нелинейное изменение проводимости и энергии активации электропроводности. В стеклахпсевдотройной системы Asg^- Си - Ag зависимость tytify =/($, где удовлетворительно описывается аддитивной схемой, предложенной Р.Л.Мюллером. Аналогичные зависимости для стекол системы - Ay - Т1 объясняются в свете образования и взаимодействия смешанных биметаллических квадруполей типа . Tl+Se"AsSee/«. sЧ/г г/г

4. На основании исследования природы проводимости и чисел переноса в стеклах разрезов AsSe^gCuQ 44- AsSe^ gAgrp 44 и А8^*! ,5^0,625 -AsSe^ gTtq показано, что ионы меди и таллия участия в электропереносе не принимают; электричество переносят ионы серебра и электроны. Экстремумы на зависимостях ~f(fi) обусловлены сменой основного типа носителя тока.

5. Исследованы электрические свойства и природа проводимости тройных соединении AyAsX2 (Х - S, Se, Те ).

Показано, что тройное соединение AgAsS^ в моно-, поликристаллическом и стеклообразном состояниях является твердым электролитом (^0,98*0,02). Вклад электронной проводимости ( р-типа ) не превышает Ю""2^.

Изучение природы проводимости и электропроводности соединения AgAsSeg, полученного только в поликристаллическом состоянии, показало, что это соединение обладает смешанной электронно-ионной проводимостью. Соотношение между электронной и ионной составляющими проводимости зависит от термической предисторш образцов.

Соединение AgAsT^ во всех агрегатных состояниях является полупроводником.

6. При замещении,в стеклообразном AgAsS^ серебра на таллий наблюдается линейное изменение электропроводности и энергии активации. Взаимодействие слоистой сетки AgAsSg и ленточных структурных единиц типа TtA$$2 приводит к образованию смешанных квадруполей типа незначительное содержание которых приводит к быстрой, почти скачкообразной, смене ионной проводимости на электронную. Заниженное значение пред экспоненциального множителя ( iff&o) свидетельствует о нарушении сквозной проводимости у стекол, в структуре которых образуются подобные смешанные квадруполи.

7. Изучено влияние примесей неметаллов ( фосфора, хлора, иода ) на электрические свойства металлсодержащих халькогенидных стекол. Показано, что на электрические свойства электроннопроводящих стекол эти примеси влияния практически не оказывают, в то время как введение 5 з.т.% иода в стеклообразный твердый•электролит AifAsSg увеличивает его проводимость на два порядка при снижении энергии активации электропроводности на 0,3 эБ.

8. Исследовано влияние высокого гидростатического давления на электропроводность металлсодержащих халькогенидных стекол. Показано, что в стеклах обладающих(Смешанной ионно-электронной проводимостью, с уменьшением ионной составляющей происходит последовательное увеличение величины ©ji/ф , где Oj,- электропроводность под действием высокого давления. Максимальное увеличение проводимости под давлением наблюдается у чисто электроннопроводящих стекол.

9. Б исследованных халькогенидных стеклах миграция катиона серебра происходит преимущественно по вакансионному механизму, 'о"чем г, свидетельствуют данные измерения электропроводности под давлением и определения коэффициентов диффузии ( фактора корреляции ) в этих стеклах.

1. -Мюллер Р.Л. Электропроводность стеклообразных веществ. Л., 1968, 251 с.

2. Мюллер Р.Л. Хжия твердого тела и стеклообразное состояние, в сб. Химия твердого тела, Л., 1965, с. 9-63.

3. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. М., Изд. АН СССР, 1945, 424 с.

4. Jost W. Diffusion and electrolytic conduction in crystals (Jonic semiconductors). J. Chem. Phys. 1933» v. 1, N 7, p. 466-475.

5. Schott^y W. tJber den Mechanismus der Conenbewegung in festen Elektrolyten. Z. phys. chem., 1935, Bd.29, H.3, S.335-355.

6. Wagner C., Schott-ky W. Theoric der geordueten Mischphasen. Z. phys. chem., 1930, Bd. 11, H. 2, S. 163-210; 1933,1. Bd. 22, H. 2, S. 181-194.

7. Стевелс Д. Электрические свойства стекла. М., ИД., 1961, 89 с.

8. Мюллер Р.Л. Электропроводность стекол. Уч. зап. ЛГУ, 1940, т. 5, & 54, с. 159-171.

9. Guaker R., Urnes S. X-ray diffraction study of glasses in the system JSTagO-SiC^, i^O-SiOg, Cs20-Si02. Silicat. Ind., 1972, v. 37, H 9, p. 215-218.

10. Doremus R.M. Structure of inorganic glasses. Amm. Rev. Mater. Sci. Palo Alto, Calif., 1972, v. 2, p. 93-120.

11. Konijnendijk W.L., Stevels J.M. Raman scattering measurements of silicate glasses and compounds. J. Non-Cryst. Solids, 1976, v. 21, M 3, p. 447-453.

12. Gurman S.J. EXAFS studies in material science. J. Mater. Sci., 1982, v. 17, В 6, p. 1541-1570.

13. Kamiya £., Sakka S., Mizuno T. Distribution of thallium ions in T120-B20j and NagO-TlgO-BgOj glasses and its relation to electrical conduction. Phys. and Chem. Glasses, 1981, v. 22, 11, p. 1-5.

14. Бреховский C.M., Сидоров T.A. и др. Исследование расположения щелочных ионов в силикатных и алюмосиликатных стеклахметодом ЯМР. Изв. АН COOP, Неорган, материалы, 1971, т. 7, № 9, с. 1596-1601.

15. Svanson S.E., Forslind Е., Krogh-Moe J. Nuclear magnetic resonance study of boron coordination in potassium borate glasses. J. Phys. Chem., 1962, v. 66, N1, p. 174-175.

16. Milberg M.E. Boron coordination in sodium borosilicate glasses. Phys. and Chem. Glasses, 1972, v.13, N 3, p.79-84.

17. Голубков В.В., Титов А.П., Василевская Т.Н., Порай-Ко-пшц Е.А. О структуре щелочиоборатных стекол по данным рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами. Физ. и хим. стекла, 1978, т. 4, № 4, с. 633-643.

18. Лесина Т.И., Романенко Л.В., Пух В.П. и др. Прочность и структура стекол системы NagO-B^. Физ. и хим. стекла, 1981, т. 7, Jfc I, с. 68-72.

19. Мюллер Р.Л. Экспериментально-теоретическое выражение для молярной электропроводности боросиликатов. ЖТФ, 1955,т. 25, № 2, с. 246-254.

20. Мюллер Р.Л. Электропроводность боросиликатов в стабильном состоянии. ЖТФ, 1955, т. 25, № II, с. I868-I88I.

21. Tomozawa М., Cordaro J.F. Applicatility of weak electrolytetheory to glasses. J. Mon-Cryst. Solids, 1980, v. 40, N1-3» p. 189-196.

22. Ravaine D., Souquet J.b. A thermodynamic approach to ionic conductivity in oxide glasses. Part 1. Correlation of the ionic conductivity with chemical potential of alkali oxide in oxide glasses. Phys. and Chem. Glasses, 1977, v. 18, N 2, p. 27-31.

23. Ingram M.D. Ionic conductivity and the weak electrolyte theory of glass. J. Non-Cryst. Solids, 1980, v. 38-39, Я 1-3, p. 371-376.

24. Kelly J.E., Tomozawa M. Sodium Ion transport In high purity borosilicate glass. J. tton-Cryst. Solids, 1982, v. 51, p. 345-355.

25. Мюллер P.Л. Электропроводность сложных стекол. В кн.: Физика диэлектриков, М., Изд. АН СССР, I960, с. 439-448.

26. Мазурин О.В., Стрелыщна М.В. и др. Спр. "Свойства стекол и стеклообразующих расплавов", т. 1-3, Л., I973rI979.

27. Харьюзов В.А., Яхкинд А.К. Едектричеекие свойства теллу-ритных стекол. В сб. Стеклообразное состояние, Ереван, 1970, с. 41-46.

28. Игнатьева В.В., Димитриев Я.Б. Электропроводность и область стеклообразования в системе Na20-K2Q-Te02. -Докл. Болгарской АН, 1975, т. 28, № 3, с. 371-374.

29. Hunter С.С., Ingram M.D., West A.R. Mixed alkali effect in tfa/Ag B-aluminia. Solid St. Ionics, 1983, v. 8, К 1, p. 55-59.

30. Ingram M.D., Mounihan C.T. Mobile-ion concentration and mixed alkali effect in fl-aluminia solid electrolytes. -Solid St. Joftics, 1982, v. 6, N 4, p. 303-310.

31. Foster L.M., Anderson M.P. The mixed alkali effect in (K, Na)-B-gallate fast ion conductor. J. Chem. Phys., 1981, v. 75, N 5, p.2412-2422.

32. Chandrashekhar G.V., Poster L.M. The mixed alkali effect in zink compensated (K, Na)-13-gallate. - Solid St. Commun., 1982, v. 41, N 10, p. 701-705.

33. Ingram M.D., King K., Kranduchl D. Mixed alkali Effect in Aqueous Silicate Solution. J. Phys. Chem., 1981, v. 85, N 3, p. 289-294.

34. Mounihan С.Т. Mixed alkali effect in hydrate melts. -J. Electrochem. Soc., 1979, v. 126, N 12, p. 2144-2149.

35. Костаяян К.А., Ерзкян E.A., Лорян Ю.Г. Эффект двух щелочей в расплавленных силикатных стеклах. В сб. Стеклообразное состояние, Ереван, 1970, с. 206-209.

36. Эй те ль В. "Физическая химия силикатов", М., 1962, 1055. с.

37. Boksay Z., Gurmai М. Conductivity of mixed alkali glasses containing alyminium oxide. Acta chimica (Hungaricae), 1969, t. 61, N 5, p. 223-231.

38. Jsard J.O. The mixed alkali effect in glass. J. Hon-Cryst. Solids, 1969» v. 1, If 3, p. 235-261.

39. Day D.E. Mixed alkali glasses their properties and uses. - J. Non-Crystl. Solids, 1976, v. 21, КЗ, p. 343372.

40. Порай-Кшиц E.A. "Новые результат исследования неоднородного строения стекла". Физ. и хим. стекла, 1975, т. I,1. Jfc 5, с. 385-394.

41. Порай-Кошиц Е.А. 0 структуре однокомпонентных стекал. -Физ. и хим. стекла, 1977, т. 3, № 4, с. 292-305.

42. Евстропьев К.К., Павловский В.К. 0 механизме движения щелочных ионов в силикатных стеклах. Оптико-механ. промышленность, 1961, № 8, с. 46-50.

43. Ипатьева В.В., Борисова З.У., Молчанов B.C. "0 соблюдении принципа аддитивности электропроводности двущелочных стекол". ЖПХ, 1969, т. 42, Ш I, с. 49-55.

44. Пронкин А.А. "Об аддитивности электропроводности полищелочных силикатных стекол". Вестник ЛГУ, сер. Физ. и хим., 1968, № 10, с. 148-150.

45. Мазурин О.В. Электрические свойства стекла. Л., 1962, 162 с.

46. Пронкин А. А. Исследование в области физической химии галлоидсодержащих стекал. Дисс. докт. хим. наук, Л., 1979, 379 с.

47. Hakim R.M., Uhlmann D.R. On the mixed alkali effect in glasses. Phys. and Chem. Glasses, 1967, v. 8, N 5, p. 174-177.

48. Lengyel В., Boksay Z. Uber die electrische Leitfahigkeit des Glases V. Der Einflub von Zweiwertigen Jonen auf Leitfahigkeit von Hatriumglasern. Z. phys. Chem., 1963, v. 222, p. 183-192.

49. Lengyel В., Boksay Z. Uber die electrische Leitfahigkeit des (liases. II. Die Leitfahigkeit von Li-Na, Na-K, K-Li Mischglasern. Z. phys. Chem., 1955, v. 204, p. 157-164.

50. Мазурин О.В., Браиловская P.В. Электропроводность стекол системы Ua20-R2Q-Si02* $ТТ, I960, т. 2, № 7,с. 1477-I481.

51. Charles R.J. The mixed alkali effect in glasses. J. Amer. Ceram. Soc., 1965, v. 48, H 8, p. 432-434.

52. Гаганов Д.А., Порай-Кошиц E.A. Химически неоднородное строение некоторых силикатных стекол по результатам метода рассеяния рентгеновских лучей под малыми углами. В сб. Стеклообразное состояние, М.-Л., 1965, с. 100-103.

53. Hendrickson J.R., Bray P.J. A theory for the mixed alkali effect in glass. Part I. Phys. and Chem. Blasses, 1972, v. 13, Я 2, p. 43-49.

54. Hendrickson J.R., Bray P.J. A theory for the mixed alkali effect in glass. Part II. Phys. and Chem. Glasses, 1972, v. 13, N 4, p. 107-115.

55. Downing H.L., Peterson N.L., Jain H. Mixed isotope electrical conductivity in lithium borate glasses. J. Non-Cryst. Solids, 1982, N 2, p. 203-213.

56. Ingram M.D. Jonic conductivity and weak electrolyte theory of glass. J. Non-Cryst. Solids, 1980, v. 38-39» N 1-3, p. 371-376.

57. Ingram M.D. Conduction and Dielectric loss mechanisms in fi-aluminia and glass: a discussion based on the paired interstitialey model. J. Amer. Ceram. Soc., 1980, v. 63, N 5-6, p. 248-253.

58. Mounihan C.T., Lesikar A.V. Weak-electrolyte models for the mixed-alkali effect in glass. J. Amer. Ceram. Soc., 1981, v. 64, N 1, p. 40-46.

59. Cordaro J.?., Tomozawa M. Mixed alkali effect in low-alkali germanate glasses. J. Amer. Ceram. Soo., 1982, v. 65, N 4, p. 50-51.

60. Agarwal A., Day D. Polarization and conduction mechanism in mixed-alkali glasses. J. Amer. Ceram. Soc., 1982, v. 65, N 5, p. 231-237.

61. Филип ович B.H. Теория электропроводности двущелочных силикатных стекол и полищелочной эффект. Физ. и хим. стекла, 1980, т. 6, № 4, с. 369-382.

62. Филипович В.Н. Проблемы теории ионной электропроводности щелочносиликатных стекол. Wiss. Ztschr. Friedrich-Schiller - Univ. Jena, Math.-Naturwiss. R., 32, Jg. 1983,1. H. 2/3, s. 317-329.

63. Берштейн В.А., Горбачев В.В., Емельянов Ю.А. и др. Особенности строения полищелочных стекал. Физ. и хим. стекла, 1981, т. 7, J& 2, с. 146-153.

64. Берштейн В.А., Емельянов Ю.А., Келина Р.П. и др. Релаксационные переходы и деформация щелочносиликатных стекол ниже температуры стеклования. Физ. и хим. стекла, 1980, т. 6, № 3, .с. 289-299.

65. Берштейн В.А., Егоров В.М., Емельянов Ю.А. и др. Ионные взаимодействия между участками каркаса и релаксационные переходы в щелочносиликатных стеклах. Физ. и хим. стекла, 1980, т. 6, № 2, с. 179-189.

66. Frischat G.H. Evidence for different diffusion sites in mixed alkali silicate glasses. J. Amer. Ceram. Sdic., 1970, v. 53, N 5, p. 285-286.

67. Fleming J.W., Day D.E., Relation of alkali mobility and mechanical relaxation in mixed-alkali silicate glasses. -J. Amer. Ceram. Soc., 1972, v. 55, Я 4, p. 188-192.

68. Uamikawa H. Multichannel conduction in alkali silicate glasses. J.Non-Cryst.Solids, 1974, v. 14, И 1, p.88-100.

69. Болутенко А.И. Сущность полищелочного эффекта электропроводности стекал. Тез. докл. 1У Всесоюзного симп. по электрическим свойствам и строению стекла, Ереван, 1977, с. 20-23.

70. Фишер И.З. О примесной проводимости в жидких и аморфных полупроводниках. ФТТ, 1959, т. I, № 2, с. 192-194.

71. Губанов А.И. К теории примесных уровней в аморфных полупроводниках. ФТТ, 1961, т. 3, & 8, с. 2336-2341.

72. Борисова З.У. Стеклообразование в халькогенидных системах и Периодическая система элементов. В сб. Структура исвойства некристаллических полупроводников, 1976, Л., "Наука", с. 6-12.

73. Борисова З.У., Вадов Г.И., Михайлов М.Д., Новоселов С.К. Влияние электродиффузии серебра на вольтамперные характеристики халькогенвдных стекол. Физ. и хим. стекла, 1977, т. 3, № I, с. 33-36.

74. Joffe А.P., Regel A.R. Non-crystalline, amorphous and liquid electronic semiconductors. In.: Progress in Semiconductors, ed. Alan F. Gibson, London, 1960, v. 4,p. 237-292.

75. Байдаков Л.А., Борисова З.У., Мюллер Р.Л. Электропроводность системы селен-мышьяк в стеклообразном состоянии. -ЖПХ, 1961, т. 34, с. 2446-2449.

76. Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников, Л., 1972, 247 с.

77. Progress in Semiconductors, 1960, Heywood, 137 p.

78. Р.Смит. Полупроводники, M., "Мир", 1982, 558 с.

79. Amorphous and liquid Semiconductors, ed. J. Tauc, Plenym Ptess, 1974.

80. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., Мир, 1974, 472 с.

81. Cohen М.Н., Fritzche Н., Ovshinsky S.R. Simple Band Model for Amorphous Semiconducting Alloys. Phys. Rev. Lett.» 1969, v. 22, N 20, p. 1065-1068.

82. Mott N.F. Jhe increase in the conductivity of Chalcogeni-de Glasses by the Addition of Certain Impurities. -Phil. Mag., 1976, v. 34, II 6, p. 1101-1108.89. 1убансв А. И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. М.-Л., Изд. АН СССР, 1963.

83. Street R.A., Mott JJ.F. States in the Gap in Glassy Semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1975, v. 35, H 19, p. 12931296.

84. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence Alternation Model for Localized Gap States in Lone-Pair Semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1976, v. 37, N 22, p. 1504-1507.

85. Kastner M. Prediction of the Influence of Additives on the Density of Valence-Alternation Centers in Lone-Pair Semiconductors. Phil. Mag. В., 1978, v. 37, N 1, p. 127133.

86. Thorpe M.F., Weaire P. Electronic Properties of an Amorphous Solid. II. Further Aspects of the Theory. -Phys. Rev., 1971, В. 4, p. 3518-3527.

87. Воробьев B.C., Бальмаков М.Д. Применение теории протекания в моделях ионного переноса. Вестн. Ленингр. ун-та, 1983, № 10, с. 49-54.

88. Day D.E., Stevels J.M. Internal friction of NaPOj glasses containing water. J. Жоп-Cryst. Solids, 1973, v. 11,1. JJ 5, p. 530-471.

89. Day D.E. Internal friction of glasses with low water content. J. Amer. Ceram. Soc., 1974, v. 57, N 12, p. 530533.

90. Ass H.M.J.M. van., Stevels J.M. Jhe influence of dissolved heavy water on the internal friction of lithium metaphos-phate glasses containing potassium metaphosphate. -J. Non-Cryst. Solids, 1974, v. 16, N 2, p. 161-170.

91. Букин Л.А., Роговец M.B. 0 структуре кварцевых стекол, содержащих воду. Физ. и хим. стекла, 1975, т. I, № 4,с. 363-365.

92. Пронкин А.А., Беган О.Ю. 0 влиянии фторида бария на содержание воды в стеклах системы вфо3)2 BaF2 . - Физ. и хим. стекла, 1978, т. 4, Jfc 5, с. 606-608.

93. Namikawa Н., Asahara У. Electrical conduction and dielectric relaxation in BaO-PgO^ glasses and their dependence on water content* J. Ceram. Assoc. Japan, 1966, v. 74, N 6, p. 205-212.

94. Moynihan C.T., Macedo P.B., Maklad M.S., Mohr R.K., Howard R.E. Infrinsic and impurity infrared absorption in As2Se5 Glass. - J. Non. Cryst. Solids, 1975, v. 17, N 5, p. 569-385.

95. Коломиец Б.Т., Кочемировский А.С., Мамонтова Т.И., Пиво-варова Л.В. Исследование поверхностных явлений в стеклообразном селениде мышьяка. ФТП, 1978, т. 12, J6 7,с. I322-1326.

96. Коломиец Б.Т., Мамонтова Т.И., Кочемировский А.С., Пиво-варова Л.В. Влияние адсорбции газов и паров на электрофизические параметры стеклообразных полупроводников.

97. В кн.: Электронные явления в некристаллических полупроводника, Л., 1976, с. 294-296.

98. Головей М.И., 1уряница И.Д., Богданова А.В., Михапко И.П., Семак В.Г., ЗУрок И.И. Технология получения и свойства тройных сплавов системы Ag As - s . Изв. ВУЗов, сер. Хим. и хим. технол., 1974, т. 17, J& 2, с. 306-307.

99. Kawamoto J., Jtfagura N., Tsuchlhashi Sh. Properties of Ag-Containing Sulfide Glasses. J. Amer. Ceram. Soc., 1973, v. 56, К 5, p. 289-290.

100. НО. Казакова E.A. Исследование серебросодержащих халыеогешщ-ных стекол. Канд. дисс., Л., 1980, 206 с.

101. Маркова Т.П. Исследование электропроводности стеклообразной системы мышьяк сера - таллий. - Вестн. ЛГУ, 1962,22, с. 96-104.

102. Щукина Н.Е., Борисова З.У. Некоторые физико-химические свойства стекол системы мышьяк-сера-таллий. Вестн. ЛГУ, 1976, № 10, с. 97-102.

103. Flasohen S.S., Pearson A.D. Formation and Properties of Low-Melting Glasses in the Ternary Systems As-Tl-S, As-Tl-Se and As-Se-S. J. Amer. Cer. Soc., 1960, v. 43, H5, p. 274-278.

104. Рыкова Т.О. Физико-химическое исследование стекол системы Ag -As Se ( Те ) и Р - Se . - Канд. дисс. Л., 1977, 228 с.

105. Рыкова T.G., Ванинов В.Л., Борисова З.У., Панус В.Р. Стекла в системе lAg As - Те . - Изв. АН СССР, сер. Неорган, материалы, 1977, т. 13, Л II, с. 1959-1960.

106. Орлова Г.М., Панус В.Р., Кожина И.И. Взаимодействие компонентов В системахAs2T&3 TITe и Аэ2Те3 - и2Те . -ЖНХ, 1975, т. 20, № II, с. 3052-3055.

107. Державин С.Н., Иванов А.В., Касымова С.С., Милюков Е.М. Микротвфдость хрупких оптических материалов, Ташкент, 1983, 157 с.

108. Евстропьев К.К., Пронкин А.А. Транспортные процессы в диэлектриках, Л., 1977, 52 с.

109. Щукарев С.А., Мкшлер Р.Л. Исследование электропроводности стекол. ЖФХ, 1930, т. I, № 6, с. 625-661.

110. Пронкин А.А. Некоторые вопросы электропроводимости сложных кислородных стекол. Автореф. канд. дисс. Л., 1965, 18 с.

111. Браун В. Диэлектрики, М., ИЛ., 1961, 326 с.

112. Эме Ф. Диэлектрические измерения, М., 1967, 223 с.

113. Уксие Е.А., Букун Н.Г. Твердые х электролита, М., Наука, 1977, 176 с.

114. Shahi К. Transport Studies on Superionic Conductors. -Phys. Stat. Solidi (a), 1977, v. 41, Ж 1, p. 11-44.

115. Klein R.M., PI oof D.A. Technique to Measure Jonic Conductivity of Glass. Amer. Ceram. Soc. Bull., 1978, v. 57, N 6, p. 582-586.

116. Kim Ch., Tomozawa M. Electrode Polarization of Glasses. -J. Amer. Ceram. Soc., 1976, v. 59, N 3-4, p. 127-130.

117. Ершов O.C. К методике измерения проводимости щелочных стекол. Физ. и хим. стекла, 1977, т. 3, № 6, с. 607-611.128. %рин А.Н. Химия несовершенных кристаллов. Л., 1975, 270 с.

118. ЭДурин А.Н., Лурье Б.Г., ОДурш И.В. Действие высосого гидростатического давления на ионную проводимость и самодиффузию в монокристаллах Agci и AgCi + CdCi2. -Вестн. ЛГУ, 1968, Л 4, с. I3I-I38.

119. Циклис Д. С. Техника физико-химических исследований при высоких и сверхвысоких давлениях. М., Химия, 1965, 216 с.

120. Talcizawa К. Jonic conduction of Li20.2Si02 glass under D.C. potential. J. Amer. Ceram. Soc., 1978, v. 61,1. N 11-12, p. 475-478.

121. Эрдей-Груз Т. Явления переноса в водных растворах. М.,1976, 592 с.

122. Мелвин-Хьюз Э.А. Физическая химия, М., 1962, т. I и П.

123. Spiro М. Jhe definition of transference numbers in solution. J. Chem. Education, 1956, v. 33, К 9, p. 464-467.

124. Глесстон С. Введение в электрохимию. М., 1951, 767 с.

125. Трсшин В.П. Перенос растворителя ионами. Электрохимия,1977, вып. I, т. 13, с. 95-98.

126. Борисова З.У., Богданова А.В., Казакова Е.А., Рыкова Т.О., Соколов И.А. Серебросодержащие халькогенидные стекла. Стеклообразные твердые электролиты. В кн.: Стеклообразное состояние, Л., Наука, 1983, с. 202.

127. Рыкова Т.С., Борисова З.У., Пазин А.В., Калинина Л.А. Исследование природы проводимости стекол системыс большим содержанием серебра. Физ. и хим. стекла, 1980, т. 6, № 4, с. 419-423.

128. Bart R.C. Sodium by electrolysis through glass. J. Optical Soc. of America, 1925, v. 11, И 1, p. 87-91.

129. Tubandt С. Handbuch der Exper. Physik. Bd. XII, Teil I, Leipzig, 1932, 383 S.

130. Лидьярд А. Ионная проводимость кристаллов, M., 1962, 222 с.

131. Krauss С., Darby Е.Н. A study of the conduction process in ordinary soda lime glass. J. Amer. Chem. Soc., 1922, v. 44, N 12, p. 2783-2797.

132. Wagner C. Galvanic cells with Solid Electrolytes involthving ionic and electronic conduction. Proc. of the 7 meeting of C.J.T.C.E., Linday, 1955, London, Butterworth Scientific Publ., 1957, p. 361-37.

133. Helb M.H. Electrical Conduktivity of Silver Sulfide. -J. Chem. Phys., 1952, v. 20, N 1, p. 185-190.

134. Кукоз Ф.И., Коломоец A.M., Швецов B.C. Проводимость поликристаллического твердого электролита RbAg^. П. Измерение электронной проводимости. Электрохимия, 1977, вып. I, т. 13, с. 92-95.

135. Воробьев B.C., Бальмаков М.Д. Вакансионный механизм ионной проводимости и эффект двух щелочей. В сб. Химия и физика твердого тела, ч. I, с. 12-19, Деп. 21.9.80, № 831, х.п. Д-80.

136. Филипович В.Н. Кинетика атомно-ионного переноса и структурных превращений в силикатных стеклах. Автореф. докт. дисс., Л., 1984, 44 с.

137. Patel P., Kreidl il.J. As-Ag-Se Glasses. J. Amer. Ceram. Soc., 1975, v. 58, N 5-6, p. 263.

138. Борисова З.У., Рыкова Т.О. Особенности стеклообразования в системе серебро-мышьяк-селен. Физ. и хим. стекла, 1977, т. 3, № 6, с. 533-538.

139. Тарасевич С.А., Медведева З.С., Ковалева Н.С., Антонова А.И. О взаимодействии в тройной системе Ag As - Se по разрезу Ag2se - As2Se3 . - ШХ, 1972, т. 17, $ 5, с. I475-1478.

140. Ковалева Н.С., Медведева З.С., Тарасевич С.А., Антонова Л.И. Исследование взаимодействия в системе Ag-As-Se. -ШХ, 1972, т. 17, № II, с. 3086-3093.

141. Borisova Z.U. Glassy Semiconductors. Plenum Press, N.Y.-London, 1981, p. 334-342.

142. Хворостенко A.C., Кириленко B.B., Попов Б.И., Дембовс-кий С.А. Диаграмма состояния системы As2Se^ CugSe e Изв. АН СССР, Неорган, матер., 1972, т. 8, № I, с. 73-79.

143. Саван Я., Кожина И.И., Орлова Г.М., Биндер X. Исследование кристаллизации стекол системы Си As - Se . -Изв. АН СССР, Неорган, матер., 1969, т. 5, )& 3, с. 492497.

144. Орлова Г.М., Алимбарашвили Н.А., Кожина И.И. О характере структурно-химического взаимодействия компонентов в стеклообразной системе As Se - Си. - ЖПХ, 1972, т. 45,1. II, с. 2385-2389.

145. Liang K.S., Bunenstock A. Structural studies of glassy CuAsSe2 and Cu-ASgSe^ alloys. Phys. Rev. В., 1974, v. 10, N 4, p. 1528-1538.

146. Орлова Г.М., Никандрова Г.A., Кожарина Т.П. Кристаллизация стекол в системе As Se - Т1 . ЖПХ, 1970, т. 43, № 6, с. I2I0-I2I4.

147. Никандрова Г.А., Орлова Г.М. Микронеоднородные стекла в системе As Se - Ti • ~ ЖПХ» 1971» т« 44, № 8, с. 18771879.

148. Кириленко В.В., Самохов В.А., Беликова Н.Г., Щелоков Р.Н. Система Ti^AsSe2 AsSe . - Изв. АН СССР, Неорган, матер., 1982, т. 18, № 9, с. 1494-1499.

149. Кириленко В.В., Самохов В.А., Беликова Н.Г., Щелоков Р.Н. Система TiAsSe2 Ti. Изв. АН СССР, Неорган, матер., 1982, т. 18, № 9, с. 1489-1493.

150. Кириленко В.В., Самохов В.А., Беликова Н.Г. Система TlgSe As . - Изв. АН СССР, Неорган, матер., 1982, т. 18, № 9, 0. 1487-1488.

151. Кириленко В.В., Самохов В.А., Беликова Н.Г., Щелоков Р.Н., Медведев А.В. Система TiAsSe2 Se . изв. АН СССР, Неорган, матер., 1982, т. 18, $ 6, с. 923-924.

152. Flashen S.S., Pearson A.D. Low-melting inorganic glasses with meitfluicidee below 400°C. J. Amer. Ceram. Soc., 1959, v. 42, N9, p. 450-454.

153. Majid A. Influence of an electric field on the spectral distribution of photoconductivity in thin films of chal-cogenide glasses of the System (As2Se5)1-x : (TlgSe)^. -J. Non-Cryst. Solids, 1982, v. 5, N 3» p. 379-388.

154. Соколов И.А., Борисова З.У. О взаимодействии стеклообразного триселенида мышьяка с медью и серебном. Физ. и хим. стекла, 1984, т. 10, № I, с. 80-83.

155. Данилов А.В., Мюллер Р.Л. Электропроводность оистемы AsSe^ g-Cu в стеклообразном состоянии. ЖПХ, 1962, т. 13, вып. 9, с. 2012-2016.

156. Байдаков Л.А., Кудрявцев А.Н. Ядерный магнитный резонансti в полупроводниковых стеклах системы Ti-As-Se. -Вест. ЛГУ, 1973, № 16, с. II4-II7.

157. Борисова З.У., Рыкова Т.С. Исследование природы проводимости стекол системы As-Se-Ag f содержащих малые количества серебра. Физ. и хим. стекла, 1979, т. 5, J& 5, с. 563-566.

158. Жабрев В.А., Казакова Е.А. Исследование электропроводности и диффузии в халькогенвдных стеклах, содержащих серебро. Физ. и хим. стекла, 1982, т. 8, № I, с. 51-55.

159. Евстропьев К.К. Диффузионные процессы в стекле. Л., 1970, 168 с.

160. Jain Н., Peterson Jtf.L. Impurity alkali diffusion in sodium cesium silicate glasses. - J. Amer. Ceram. Soc., 1983, v. 66, N 3, p. 174-176.

161. Жабрев В.А., Моисеев В.В., Милованов А.П., Некрасов А.А. Температурная зависимость коэффициентов диффузии щелочных ионов в стекле. Физ. и хим. стекла, 1978, т. 4,6, с. 696-700.

162. Жабрев В.А., Некрасов А.А., Свиридов С.И. Миграционные процессы в расплавленных силикатных стеклах. В сб. Стеклообразное состояние, Л., Наука, 1983, с. 90-93.

163. Moiseev V.V. Jon exhange and constitution of glass. -J. Uon-Cryst. Solids, 1980, v. 42, N 1-3» p. 589-600.

164. Eichhorn U., Frischat G.H. Self-diffusion in the Chal-cogenide Glass System Se-Ge-As. J. Non-Cryst. Sol., 1978, v. 30, В 2, p. 211-220.

165. Kawamoto J., Hishida M. Silver Diffusion in As2Sj-Ag2S,

166. GeS2-GeS-Ag2s 2111(1 ?2°5~As2S Glasses* " Pbys* Chem.

167. Glasses, 1977, v. 18, H 1, p. 19-23.

168. Мюллер P.Л., Маркова Т.Т. Электропроводность стеклообразной системы мышьяк-селен-таллий. Вестн. ЛГУ, 1962,4, с. 75-81.

169. Sakka S., Kami, у а К., Ozawa В. Electrical Conductivity of Mixed Cation Ag20-Ti20-B20j Glasses. J. Amer. Ceram. Soc., 1977, v. 60, N 5-6, p. 285-287.

170. Борисова З.У., Богданова А.В., Казакова E.A., Соколов Й.А. Электропроводность и природа носителей заряда в тройных стеклообразных и кристаллических соединениях Ag AsX23L s, Se , Те фИЗ# и ХШф стекла, 1984, т. 10,2, с. 162-166.

171. Kawamoto Y., Nagura N. Jhe conductivity of Ge-S-Ag and

172. As-S-Ag glasses. J. Amer. Ceram. Soc., 1974, v. 57, N 11, p. 489-491.

173. Новоселов O.K., Ванинов В.Л. Электрические свойства стекол системы Ag As - Те по разрезу Ag - As2Te3. -Физ. и хим. стекла, 1977, т. 3, № 2, с. 181-182.

174. Ковалева И.О., Попова Л.Д. и др. Взаимодействие в системе Ag As - s в области кристаллизации соединений AgAsS2

175. И Ag3AsS3 # Изв. АН СССР. Неорган, матер., 1971, т. 7, № 9, с. 1512-1516.

176. Айдамиров М.А., Исаев З.А., Магомедов Я.Б. Электропроводность и термоэдс соединений tiasS2 , TiAsSe2 и TiASTe2 в твердом и жидком состояниях. ФТТ, 1977,т. 19, № I, с. 316-317.

177. Головей М.И., Богданова А.В., Семрад Е.Е. Получение и некоторые свойства монокристаллов синтетического смитита

178. AgAss2 )• ~ Изв. ВУЗов, сер. Химия и хим. технология, 1973, т. 16, № 6, с. 832-835.

179. Равен Д. Стекла для электрохимических приборов. Стеклообразные материалы, "Наука", Л., 1983, с. 180-185.

180. Х89. Barrau В., Ribes М. Glass formation, structure and ionicconductivity in Na2S-GeS2 system. J. Non. Cryst. Sol., 1980, v. 37, N 1, p. 1-14.

181. Robert G., Malugani J., Saida A. Past ionic silver and lithium borate glasses. Chem. Lett. (Japan), 1979, H 2, p. 135-136.

182. Malugani J., Wasniewski A., Doreau M. Ionic conductivity in the glasses AgPOj-AgX (X-J, Br, Ce). Mater. Res. Bull., 1978, v. 13, N 5, p. 427-433.

183. Minami Ш,, Mambu H., kanaka M. Formation of-Glasses with High Jonic Conductivity in the System AgJ-Ag20-Mo0j. -J. Amer. Ceram. Soc., 1977, v. 60, N 5-6, p. 283-284.193. 1Уревич Ю.Я. Суперионные проводники. Вестн. АН СССР, 1980, № 3, с. 92-99.

184. Owens Б.В., Argue G.R. High-conductivity solid electrolytes: M Ag4J5. Science, 1967, v. 157, H 3786, p. 308310.

185. Takahashi т., Yamamoto 0., Jreda S. Solid State Jonics: Hight Conductivity Solid Copper Jon Conductors: N-alkyl (or Hydro) hexamethylenetetramine Halide - Copper (I) Halide Double Salts. - J. Electrochemical Soc., 1973,v. 120, U 10, p. 1431-1434.

186. Пронкин A.A., Евстропьев К.К., ЭДурин И.В., Векслер Г.И. О механизме проводимости в щелочных алюмофторфосфатных стеклах. Физ. и хим. стекла, 1978, т. 4, № 2, с. 235237.

187. Yoon D., Lazarus D. Jhe pressure dependence of ionic conductivity of the alkali halides. Phys. Rev., 1972,v. B5, N 3, p. 4935-4941.

188. Нараев B.H. Электропроводность и природа проводимости галоген содержащих фосфатных стекол на основе метафосфатов натрия и бария. Канд. дисс. Л., 1981, 139 с.

189. Кротов Ю.М., Джавадов Л.Н. и др. Зависимость электросопротивления аморфной системы Agx Sei-X от давления. -Тр. межд. конф. "Аморфные полупроводники-80", Кишинев, 1980, с. 88-90.

190. Коломиец Б.Т., Распопова Е.М. Влияние давления на электрические и фотоэлектрические свойства аморфного и монокристаллического As2Se3 . ФТП, 1970, т. 4, J6 I,с. I57-161.

191. Weinstein В.А., Zallen R. Jhe effect of pressure on optical properties of As2S^ glass. J. Non-Cryst. Solids, 1980, v. 35-36, p. 1255-1259.

192. Ильин А. А. Физико-химические свойства стекал на основе оксидно-фосфатных соединений алюминия и бария и галоге-нидов щелочных и щелочноземельных металлов. Канд. дисс., Л., 1980, 151 с,

193. Глесстон С., Лейдлер К., Эйринг Г. Теория абсолютных скоростей реакций. М., 1948, 583 с.

194. Nachtrieb U.H., Lowson A.W. Effect of pressure on self-diffusion in white phosphorus. J. Chem. Phys., 1955» v. 23, N 7, p. 1193-1195.

195. Сандитов Д.С., Бартенев Г.М., Разумовская И.В. О механизме уплотнения неорганических стекол под высоким давлением. В кн.: Стекла и стекловидные покрытия, Рига, 1970, с. 70-79.

196. Сандитов Д. С. Оценка объема флуктуационных микропустот в силикатных стеклах. Физ. и хим. стекла, 1977, т. 3, № 6, с. 580-584.

197. Сандитов Д.С., Дамдинов Д.Г. Объем флуктуационных микропустот, активационный объем вязкого течения и молярный объем щелочносиликатных стекал. Физ. и хим. стекла, 1980, т. 6, № 3, с. 300-306.

198. Физика электролитов, под ред. Дж.Хладика, М., "Мир", 1978, 555 с.

199. Сандитов Д.С. Поверхностное натяжение и модуль упругости щелочносиликатных стекал. Физ. и хим. стекла, 1979,т. 5, № 5, с. 556-562.

200. Зайдель А.Ы. Ошибки измерении физических величин. Л., "Наука", 1974, 108 с.1UU