Диэлектрические свойства стекол в системах M-As(Sb)-S-I тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. СТРУКТУРА БЛИЖНЕГО ПОРЯДКА И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ

СВОЙСТВА ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ.

§1.1. Модельные цредставления состояний в запрещенной зоне

§1.2. Взаимосвязь структуры и диэлектрических свойств

§1.3. Стеклообразование и некоторые свойства стекол системы М - АУ- ВУ^ С^.

Глава П. ОСОБЕННОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ И СТРУКТУРНОГО СТРОЕНИЯ СТЕКОЛ В СИСТЕМАХ Л S (Sb) - S

§2.1. Синтез стеклообразных материалов и приготовление образцов для исследований .,.

§2.2. Методики измерения комплексной диэлектрической проницаемости в области низких и радиочастот.

§2.3. Температурные и частотные зависимости диэлектрических свойств стекол

§2.4. "Квазиэвтектическое11 строение стекол системы Sb - S -I

2.4.1. КР-спектры стекол.

2.4.2. Концентрационные зависимости поляризуемости.

§2.5. Аномалии диэлектрических свойств стеклообразного S Ь S I

Глава Ш. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА в стеклах систем Ge(Cu)-As(5tt- S -1 . то

§3.1. Механизмы поляризации и структурно-химическое строение стекол в систеах Ge -MSW- S

§3.2. Поляризуемость, магнитная восприимчивость и локальная структура стекол системы Cll-Sb- 5 - I

§3.3. Механизм переноса заряда в стеклах систем М -As(Sb)- S -I

§3.4. Дефектные состояния и проводимость на переменном токе

Глава 1У.ЭЛЕКТР0ПР0В0ДН0СТЬ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА стекол В системах A<j -As(Sb)- S -I . ioi

§4.1. Методики измерений электропроводности и диэлектрических параметров стекол с ионной проводимостью

§4.2. Электронно-ионный характер проводимости стекол систем A J-AslSb)- 5

§4.3. Колебательные спектры и локальная структура стекол. III

§4.4. Диэлектрические свойства серебросодержащих стекол

ВЫВОДИ

Актуальность теш. Развитие современной электронной техники характеризуется все более широким внедрением новых материалов полупроводников и диэлектриков. Особое место среди них занимают халькогенидные стеклообразные вещества, которые обладает совокупностью уникальных свойств и представляют интерес как для практического применения, так и для решения ряда принципиальных проблем физики неупорядоченного состояния.

Наиболее изученными в настоящее время являются бинарное стеклообразные сплавы на основе халькогенидов мышьяка и германия, которые ухе нашли широкое практическое применение в новых областях приборостроения. К малоизученным аспектам физики халькогенидных стеклообразных полупроводников следует отнести вопрос об их диэлектрических свойствах.

В литературе имеются лишь отдельные сведения о диэлектрических свойствах халькогенидных стекол и возможности применения диэлектрических измерений для интерпретации их локальной структуры и изучения дефектов в них. Однако существующие исследования в этом направлении относятся, в основном, к стеклам бинарных и некоторых тройных систем на основе халькогенидов шшьяка. В связи с этим представлялось полезным провести изучение диэлектрических и электрофизических параметров и выяснения их взаимосвязи со структурой стекла, исследование методами диэлектрической спектроскопии процессов кристаллизации сложных халькогенидных стеклообразных материалов.

В качестве объектов исследований выбраны стекла систем

• Кроме чисто научного интереса, связанного с изучением механизма вхоядения различных элементов в структурную сетцу и влияния этих эдемэнтов на свойства стекол, указанные материалы представляют интерес и с точки зрения возможности их практического применения в качестве переключателей, активных и пассивных элементов микроэлектроники и в других областях. Кроме того, в системе Sb - S - 1 образуются соединения Sb2 и SbSl , в кристаллическом состоянии обладающие ярко выраженными сегнетоэлектрическими свойствами, диэлектрические свойства которых наиболее полно изучены И.П.Григасом [1-4] • Это обстоятельство позволило предположить возможность реализации в этих стеклах полярного состояния и создания новой композиции полупроводниковой сегнетокерамики.

Цель работы. Целью настоящей работы явилось исследование взаимосвязи механизма переноса заряда, поляризации и локальной структуры, а также установление закономерностей изменения физических свойств от состава стекол систем М -As^Sb) - S -1 ; обнаружение полярного состояния в стеклообразном SbSl и изучение его диэлектрических свойств.

Научная новизна. Впервые исследованы диэлектрические свойства и спектры комбинационного рассеяния света стекол систем Sb - S - ] и Ag - As - 5 - I ,на основании которых дана интерпретация их локальной структуры. Показано, что стекла системы Sb - S - I имеют "квазиэвтектическое" строение. Оцределен вклад различных видов поляризации в диэлектрическую проницаемость стекол систем М-As (Sb)-S-I . Установлены закономерности изменения диэлектрических и электрофизических свойств от состава стекол.

Впервые исследованы температурно-частотные зависимости диэлектрических параметров стеклообразного сульфоиодида сурьмы. Установлено, что аномалии диэлектрических свойств стекла SbSl связаны с переходом его в полярное состояние и последующей кристаллизацией. Изучено влияние тепловой обработки на диэлектрические свойства полученного SbSl

Экспериментально проведено разделение электронной и ионной составляющих электропроводности стекол систем Ajj-As(Sbb5 -1 и установлен преимущественно ионный характер проводимости.

Практическая ценность. Результаты исследования концентрационных, температурных и частотных зависимостей диэлектрических и электрофизических свойств стекол систем М - As ( Sb )- S -I являются источником информации относительно возможностей целенаправленного изменения диэлектрических параметров этих материалов. Актуальным для практического применения является обнаружение перехода в сегнетоактивное состояние стеклообразного SbSI , что дает возможность создания на его основе сегнетоситаллов. Полученные нами данные о диэлектрических и электрофизических параметрах стекол системы Ge-As - S - I показали перспективность их использования в качестве защитных покрытий для полупроводниковых приборов и интегральных схем. Результаты, полученные в ходе выполнения диссертационной работы, используются также в учебном процессе.

Основные положения, выносите на защиту.

1. Стекла системы Sb - 5 - I имэют "квазиэвтектическое11 строение. Структура стекол определяется в основном строением бинарных соединений Sb2S5 и Sbl3 и построена на основе пирамид SbS3/2 и Sbl, .

2. Аномалии диэлектрических свойств стеклообразного SbSI связаны с переходом стекла в полярное состояние и последующей его кристаллизацией. Изменения диэлектрических параметров вызваны релаксацией структуры стекла к кристаллической.

3. Температурные и частотные зависимости диэлектрических параметров, концентрационные зависимости электронной и атошой мольных поляризуемостей свидетельствуют о том, что диэлектрические свойства стекол в системах £e(Cu.)-As(5b) -S -I обусловлены в основной электронной и атомной поляризациями* В стеклах систем Дg — >4s (SЬ) - S - I значительный вклад в диэлектрическую проницаемость вносит ионная тепловая поляризация.

4. Стекла систем /4g-As(Sb)-S -I обладают электронно-ионным характером проводимости* Ионная составляющая проводимости обусловлена переносом заряда катионами серебра и значительно превосходит электронную составляющую.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и совещаниях: I Всесоюзном совещании по сегнетоэлектричеству (г.Ростов-на-Дону, 1979 г.) ; I Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких пленок (явления переноса) (г.Ивано-Франковск, 1981) ; I Всесоюзной конференции "Актуальные проблемы получения и применения сегнето- и пьезоэлектрических материалов" (г.Москва, 1981) ; 1У республиканском семинаре по физике и технологии тонких пленок (вопросы цримэнения) (г«Ивано-Франковск, 1982) ; II научном семинаре "Аморфные металлы и сплавы" (г.Донецк, 1982) ; i научном семинаре "Ионика твердого тела" (г.Вильнюс, 1983) ; h Ik InieтакoriaE Conference on Solid Siale Iorucs (trio tie , France, i 9 8 5) ; п Всесоюзной конференции по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов (г.Москва, 1983) ; на итоговых научных конференциях асшфантов и профессорско-преподавательского состава, проводимых в УжГУ за период с 1978 по 1983 гг.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 13 работ, перечень которых содержится в общем списке цитируемой литературы.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, одной обзорной, трех оригинальных глав, основных результатов и выводов работы* Диссертация изложена на 92 стр. машинописного текста, содержит 47 рисунков и 10 таблиц. В списке цитируемой литературы 185 названий.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ

1. Впервые исследованы диэлектрические свойства и спектры комбинационного рассеяния света стекол системы Sb — S - I . Вид концентрационной зависимости поляризуемости и двухмодовый характер КР-спектров стекол указанной системы позволили установить их "квазиэвтектическое" строение. Матрица стекла построена в основном структурными группировками Sb 5з/а и Sblj .

2. Впервые исследованы диэлектрические свойства стеклообразного сульфоиодида сурьмы. Установлено, что аномалии диэлектрических свойств стекла SbSI связаны с переходом его в шшфное состояние вследствие релаксационного изменения структуры. Кристаллизация стекла сопровождается резким увеличением диэлектрической цроницае-мости , аномалией тангенса угла диэлектрических потерь. Изучено влияние тепловой обработки на диэлектрические свойства полученного

SbSI , которое объясняется в рамках размерного эффекта.

3. Исследованы температурные и частотные зависимости и стекол систем М-AsCSb)-S-1 . Показано, что диэлектрическая проницаемость стекол разрезов Sb^- Sb 1з , AS2S3 - As I3 , As2 S3 —

- Ge Sa , As SI - Ge.S2 , SbSI - Ge$2 , SbSI - CuSbSaопределяется, в основном, электронной и атомной поляризациями. Анализ концентрационных зависимостей электронной и атомной мольных поляризуемостей позволил сделать вывод о том, что строение сложных стекол в основном определяется структурными группировками, характерными для бинарных соединений.

4. Установлено, что введение дисульфида германия в стекла систем As(Sb)- S - I приводит в основном к деформации пирамид Sb(As)S3 и Sb(As)I3 и тетраэдров Ge S<//2 . Характер изменения диэлектрических и электрофизических параметров одинаковый для стекол разрезов AS2S3

- Ge S2 , As SI - бе Sa , SbSI - Ge Sz » поскольку увеличение содержания Ge вг в их составе приводит к подобному, для всех указанных систем, изменению структуры от тригональной и тетраэдрической. При введении в состав стекол меди их диэлектрические свойства изменяются более существенно вследствие наличия в матрице стекла структурных группировок Си S" Sb S2/2 со значительной степенью ионности связей.

5. Исследования электропроводности на постоянном токе стекол систем GeCCu]- As (Sb)- 5 - 1 показали, что в интервале температур 150-400 К в данных материалах преобладает проводимость по делокализованным состояниям. При этом значительное изменение проводимости от состава наблюдается в медьсодержащих стеклах: введение в SbSl до 16,7 ат.% меди увеличивает проводимость от ~ 10"*^ до

5 —I —I

Ю Ом -м . Проводимость на переменном токе изученных стекол в диапазоне 10^- Ю^Гц изменяется с частотой согласно соотношению г где s в зависимости от состава при Т=300 К принимает значения 0,7-0,9. Температурные и частотные зависимости (Tfto) исследованных стекол объясняются объединенным прыжковым механизмом переноса заряда биполяронами и простыми поляронами, основаными на модели заряженных дефектных центров.

6. Исследованы диэлектрические и электрофизические свойства, колебательные спектры стекол систем Ag- As(Sb) - S - I . Установлено, что стекла указанных систем обладают электронно-ионным характером проводимости. Ионная составляющая электропроводности обусловлена переносом заряда катионами серебра и значительно превышает электронную составляющую.

Показано, что в стеклах систем A<j - As(Sb) - S - I значительный вклад в s дает ионная тепловая поляризация. С увеличением температуры, а также содержания серебра в стеклах £ и возрастают и коррелируют с изменением концентрации носителей заряда.

1. Григас И.П., Карпус А.С. Диэлектрические свойства 1фисталлов

2. Sb S-, • Физ.тв.тела, 1967, т.9, №10, с.2882-2886.2 3

3. Григас И.П. Сегнетоэлектрические явления и фазовые переходы в кристаллах семейства антимонита. Автореферат докторской диссертации. - Рига, 1980, 32 с.

4. Григас И.П., Карпус А.С. Исследование аномальной дисперсии диэлектрической проницаемости кристаллов Sb2S^ и SbSI на СВЧ. Физ.тв.тела, 1967, т.9, №10, с.2887-2998.

5. Microwave dielectric spectroscopy oi'chain crystals. J.Grigas, R.Beliackas, Y.Kalesinskas, K.Zickus. -Perroelectrics, 1981, v.38, p.889-892.

6. Коломиец Б.Т. Полупроводниковые стекла. В кн.: Стеклообразное состояние. Тр. Ш-го Всесоюзного совещания, Ленинград, 1959, М.^Л., с.449-454.

7. Коломиец Б.Т., Горюнова И.А., Шло В.П. Стеклообразное состояние в халькогенидах. В кн.: Стеклообразное состояние. Тр.Ш-го Всесоюзного совещания, 1959, М.-Л., с.456-460.

8. Коломиец Б.Т. Халькогенидные стекла. Энергетический спектр и структура. В кн.: Стеклообразное состояние, Л., Наука, 1971, с.82-86.

9. Губанов А.И. К теории аморфных проводников. Физ.тв.тела, I960, №4, с.651-655.

10. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных проводников. М.-Л., Изд.АН СССР, 1963, 203 с.

11. Аморфные полупроводники. Под ред.М.Бродски. М., Мир, 1982, 419 с.• Kastner М. Bonding—bonds, lone—pair bonds, and impurity states in chalcogenide semoconductors. Phys.Rev.Lett., 1972, v.28, No 6, p.355-357

12. Adler D., Yoffa E.J. Localized electronic states in amorphous semiconductors.- Can.J.Chem., 1977, v.55» No 11, p.1920-1928.

13. Kastner M. Defect chemistry and states in the gap of lone-pair semiconductors.- J.Non-Cryst.Solids, 1978, v.31,1. No 1-2, p.223-240.

14. Cohen M.H., Fritzsche H., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semiconducting alloys. Phys.Rev.Lett., 1969, v.22, No 20, p. 1065-Ю68.

15. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., Мир, 1982, т.1, 368 с.

16. Cimpl Z., Kosek P., Matyas M. Magnetic properties of glasses-* Phys.Sol., 1970, v. 41, No2, p.535-538.

17. Agarwal S.C. ESR-study of chalcogenide glasses.- Phys.Rev.,1973, v.B7, No 3, p.685-694.

18. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optical induced localizedparamagnetic states in amorphous As. Solid State Communs.,1976, v.18, No 5, p.573-576.

19. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optical induced metastable paramagnetic states in amorphous semiconductors. Phys.Rev.,1977, v.B15, No 4, p.2278-2294.

20. Mott N.F., Davis E.A., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors.- Phil.Mag.,1975, v. 32, No 5, p.961-996.

21. Mott N.F., Street R.A. States in gap in chalcogenide glasses.

22. Phil.Mag., 1977, v.36, No 1, p.33-52.

23. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., Мир, 1982, т.2, 658 с.

24. Owen A.E. The electrical propertiesof glasses.- J.Non-Cryst. Solids, 1977, v.25, No 1-3, p.372-423

25. Eliott S.R. A theory of а.и.conduction in chalcogenide glasses.-Phil.Mag., 1977, v.36, No 6, p.1291-1304.

26. Agarwal S.C., Fritzche H. Attempts to measure thermally stimulated currents in chalcogenide glasses.- Phys.Rev.,1974, v.BIO, No 10, p.4351-4357.

27. Аверьянов В.JI., Коломиец Б.Т., Лгобин В.М. Исследование локальных состояний в аморфных полупроводниках методом термостимулированной деполяризации. Физ. и техн.полупровод., 1970, т.4, в.2, с.394-395.

28. Излучательная рекомбинация в стеклообразных полупроводниках Ge2s^ , Ge2Se^ и Ge -Pb s . В.А.Васильев, Б.Т.Коломиец, Т.Н.Мамонтова, Г.Х.Иванов. - Письма в ж.эксперим. и теор.физ.,1975, т.21, ЖЗ, с.183-186.

29. Ivashchenko Yu.N., Kolomiets В.Т., Iviamontova T.N. Investigation on the mechanism of photoluminescence in vitreous and crystalline ASgSe^ and As^S^.- Phys.Stat.Sol./a/, 1974, v.24, No 2, p.401-407.

30. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors.- Phys.Rev.Lett., 1975, v.34, no 15, p.953-955.

31. Street R.A., Mott N.F. States in gap in glassy semoconductors-r Phys.Rev.Lett., 1975, v.35, No 22, p.1293-1297

32. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors.-rhys.Rev.Lett.1976, v.37, до 22, p.1504-1507.

33. Mott N.F. The increase in the conductivity of chalcogenide glasses by the addition of certain impurities.-Phil.Mag.1976, v.36, No 6, P.1101-11U8.

34. Стыс Л.Е., Фойгель М.Г. Глубокие уровни в халькогенидах мышьяка. Физ. и техн.полупровод., 1979, т.13, №11, с.2087-2095.

35. Pfister G., Morgan М., Liang K.S. Electrical transport in a-As^Se^ containing metallic impurities.-Solid State Communs, 1979, v.30, No 4, p.227-230.

36. Shimakav/a K., Nitta S., Mori M. Localized gap states in amorphous semiconductors estimated by dielectric relaxation.-Phys.Rev., 1977, v.B16, No 10, p.4519-4-523.

37. Dielectric properties of glassy AsinTeOI-Gen c. /K.K.Srivasu ±5tava, D.R.Goyal, A.Kumar, K.N.Lakshminarayan, O.S.Panwar, I.Krishan.- Phys.Stat.Sol./a/, 1977, v.41, No 1, p.323329.

38. Electrical and dielectric properties of As^Ge^^Te^ Agx glasses. /O.S.Panwar, M.Radhakrishna, K.K.Srivastava, K.N.Lakshminarayan.- Phil.Mag., 1980, v.41, No 3, p.253-271.

39. Бацанов С.С. Структурная рефрактометрия. М., Высшая школа, 1976, 304 с.

40. Ефимов A.M., Харьюзов В.А. Диэлектрические свойства и структура стекол систем мышьяк-селен и германий-селен. В сб.: Стеклообразное состояние, Л., Наука, 197I, с.370-373.

41. Викторовский И.В., Гутенев М.С., Байдаков Л.А. Магнитные иэлектрические свойства стекол системы ASoSe AsSe • 2 3и химия стекла, 1976, т.2, №3, с.284-285.

42. Особенности структурно-химического строения стекол систеш

43. Sb Ge - Se по данным исследования диэлектрических и магнитных свойств. М.С.Гутенев, И.В.Викторовский, Л.А.Байдаков, А.В.Пазин. - Физ. и химия стекла, 1975, т.1, №4, с.350-353.

44. Сканави Г.И. Шизика диэлектриков. Область слабых полей. М.-Л., Гос.изд-во технико-теоретической лит-ры,1949, 500 с.

45. Дорфман Я.Г. Диамагнетизм и химическая связь. М., Физмат-гиз, 1961, 231 с.

46. Викторовский И.В., Гутенев М.С., Байдаков Л.А. Диэлектрические свойства стекол системы мышьяк-сера. Вестник Ленингр.ун-та,1974, №22, с.I18-120.

47. Ефимов A.M., Харьюзов В.А. Диэлектрические свойства и строение халькогенидных стекол. В сб.: Структура и свойства негфистал-лических полупроводников. Тр. 6-й Междунар.конф. по жидким и аморфным полупроводникам, Ленинград, 18-24 ноября 1975 г.,

48. Л., Наука, 1976, сЛ13-117.

49. Блинов Л.Н., Байдаков Л.А., Страхов Л.П. Исследование магнитной восприимчивости стеклообразной системы As-Se . Изв.АН СССР, Сер. Неорган.материалы, 1968, т.4, №1, с.22-24.

50. Новоселова Н.А., Байдаков Л.А., Страхов Л.П. Исследование магнитной восприимчивости стеклообразных сульфидов мышьяка. Вестник Ленингр. ун-та, 197I, №10, с.118-121.

51. Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников. Л., Изд.ЛГУ, 1972, 247 с.

52. Коломиец Б.Т., Стеклообразные полупроводники. Вестник АН СССР, 1969, №6, с.54-61.

53. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. Н.Х.Абрикосов, В.Ф.Банкина, Л.В.Порецкая, Е.В.Скудитва, Л.Е.Шелимова. -М., Наука, 1967, 176 с.

54. Дембовский С.А., Кириленко В.В., Буслаев Ю.А. Стеклообразование в системе Ge S - J. - Изв.АН СССР. Сер.Неорган, материалы,197I, т.7, №2, с.328-329.

55. Flashen S.S., Pearson A.D., Northower W.R. Low melting sulfide halogen inorganic glasses.- J.Appl.Phys., I960, v.31» No 1,p.219-222.

56. Кириленко В.В., Дембовский С.А. Стеклообразование и химическиесоединения в системах А1У- ВУ1- С^СА^- si , Ge ; ВУ1- s , УП

57. Se ;С -Br , J ). Физ. и химия стекла, 1975, т.1, №3, с.225-230.

58. Дойников Л.И., Борисова З.У. Исследование стеклообразования и химической стойкости системы As Se - J . - В сб.: Химия твердого тела. Изд. ЛГУ, 1965, с.104-113.

59. Чернов А.П., Дембовский С.А., Махова В.И. Вязкость и структурастекол систем as S, AsJ, . - Изв.АН СССР. Сер.Неорган.2 3 3материалы, 1970, т.6, №4, с.823-825.

60. Комбинационное рассеяния и длинноволновые ИК спектры стекол /AsSJ/x/GeS2/13j П.П.Пуга, В.Ю.Сливка, В.С.Герасименко, Г.Д.Пуга, В.В.Химинец. Физ. и химия стекла, 1977, т.З, №4, с.334-337.

61. ИК-спектры пропускания стекол системы д5 s - J • В.С.Герасименко, В.В.Химинец, О.В.Химинец, И.Д.Туряница. - Физ. и химия стекла, 1977, т.З, №4, с.343-346.

62. Проспект ВДНХ СССР "Полупроводниковые стекла сложного состава", Ужгород, 1974, 4 с.

63. Акустооптические параметры халькогенидных стекол системы

64. Ge As - S - J . Б.М.Коперлес, И.Д.Т^уряница, В.В.Химинец, Д.В.Чепур. - Акустический ж., 1976, т.22, М, с.536-539.

65. Flashen S.S., Pearson A.D., Kalmins L.L. Improvement for surfaces by low melting glasses, possibly functioning as you getters.- J.Appl.Phys., I960, v.31, No 2, p.'4-31-4-32.

66. Влияние некоторых покрытий и термообработки на скорость поверхностной реком5инации в германии и кремнии. В.М.Бондаренко, Э.М.Литвинова, О.В.Снитко, Ю.А.Тхорик. Радиотехника и электроника, 1964, т.9, №5, с.876-881.

67. Борисова З.У., Некоторые особенности стеклообразования в халькогенидных системах. Изв.АН СССР. Сер.Неорган.материалы, 1971, т.7, №10, с.1720-1724.

68. Стеклообразование и некоторые физико-химические свойства стекол в системе Ag As - S - J . /М.И.Головей, И.Д.Т^уряница, А.В.Богданова, И.П.Михалько, В.А.Худолий, Ю.В.Ворошилов,

69. Д.Г.Семак. Укр.хим.ж., 1975, т.41, №5, с.493-494.

70. Стеклообразование и некоторые физико-химические свойства стекол в системах Ag As/Sb/ - s - J • /А.В.Богданова, М.И.Головей, И.П.Михалько, Д.Г.Семак, И.Д.Т^уряница. - Электронная техника. Сер. Материалы, 1975, №5, с.104-106.

71. Технология получения и свойства тройных сплавов системы Ag As - S • М.И.Головей, И.Д.Т^уряница, А.В.Богданова, И.П.Михалько, Д.Г.Семак, И.И.Турок. - Химия и хим.технология, 1974, т.17, №2, с.306-307.

72. Стеклообразный сульфид сурьмы и некоторые его свойства. Б.Т.Ме-лех, З.В.Маслова, М.С.Аблова, Т.Б.Жукова, А.А.Андреев. - Физ. и химия стекла, 1976, т.2, №2, с.189-190.

73. Туряница И.Д., Коперлес Б.М. Исследование области стеклообразования в системе sb s - J • - Изв.АН СССР, Сер.Неорагн. материалы, 1974, т.9, №5, с.851-852.

74. Добош М.В., Пинзеник В.П., Туряница И.Д. Определение параметров неизотермической кристаллизации стекол в системе sb S -J Физ. и химия стекла, 1979, т.5, с.117-119.

75. Влияние изменения структурных факторов на стеклообразование в системе sb s - J . /В.С.Герасименко, В.П.Захаров, И.М.Миго-линец, М.Ю.Сичка, И.Ф.Копинец. - Унр.физ.ж., 1975, т.20, №11, с.1859-1862.

76. Investigation of glass-forming region of Ge Sb - S - J system. /I.D.Turjanitsa, I.M.Miholinets, B.M.Koperljos, I.F.Kopinets.- J.Non-Cryst.Solids, 1972, v.11, No 2,p.173-176.

77. Стеклообразование в системе Си Sb - S - J . И.М.Миголинец, В.С.Герасименко, И.Д.Туряница, И.Ф.Копинец. - Физ.- и химия стекла, 1979, т.5, №1, с.52-55.

78. Образование стекол в системе Ag -Sb-S-J и их физико-химические свойства. И.Д.Туряница, М.И.Головей, А.В.Богданова, В.А.Худолий, Ю.В.Ворошилов, В.М.Головей. - Химия и хим.техно-логия, 1974, т.17, №4, с.613-614.

79. Роусон Г. Неорганические стекло образующие системы. М., Мир, 1970, 312 с.

80. Миголинец И.М. Особенности образования и физические свойства стекол сложных сульфоиодидных систем. Автореф.дис. . канд. физ.мат.наук, Львов, 1974, 20 с.

81. Стекла системы sbsj GeS2 ./И.Ф.Копинец, И.М.Миголинец, И.Л.Попович, М.Е.Романович. - Изв.АН СССР. Сер.Неорган.материалы, 1975, т.II, №5, с.952-953.

82. Ликвационные явления в системе sbJ* sb^s, - GeS„t> с. 5 2

83. Н.Н.Богдашевская, Т.Н.Мельниченко, И.М.Миголинец, И.Д.Туряница. Укр.хим.ж., 198 , т.47, №7, с.702-705.

84. Пинзеник В.П., Добош В.М., Туряница И.Д. Магнитохимические исследования стеклообразных сплавов системы sbSJ GeS2 • -Укр.хим.ж., 1979, т.45, №12, с.1181-1184.

85. Халькогенидное стекло. / Д.В.Шелопут, В.Ф.Глушков, И.Д.Туряница, Б.М.Коперлес. Авт.свид. №565892.

86. Казакова Е.А., Борисова З.У. Стеклообразование в системе мышьяк-сера-серебро. Физ. и химия стекла, 1980, т.6, №4, с.389-394.

87. Kowomoto Y., Nagura N., Tasuchihaski S. D.с.conductivity of Ge-S-Ag and As-S-Ag glasses.- J.Amer.Ceram.Soc.,1974,v. 57, No 11, p.489-493.

88. Patel P., Kreidl N. Ag-As-Se glasses.- J.Amer.Ceram.Soc., 1975, v.58, No 5-6, p.263-268.

89. Коломиец Б.Т., Жураковский Л.А., Зейналлы А.Х. Переключениев диодных структурах металл-халькогенидное стекло-металл. -Физ. и техн.полупровод., 1971, т.5,№2, с.270-272.

90. Частотные характеристики диодных структур металл-халькогенидное стекло-металл. /Л.А.Жураковский, А.Х.Зейналлы, Б.Т.Коломиец, В.А.Красильникова. Физ. и техн. полупровод., 1971, т.5, №10, с. 1917-1919.

91. Переключение в диодных структурах металл-халькогенидное стекло-металл. И.Ф.Копинец, И.М.Миголинец, И.Д.Туряница, И.И.Туряница. В сб.: Полупроводниковая техника и копфоэлектроника, Киев, 1973, Ш, с.91-93.

92. Казакова Е.А., Борисова З.У. Электропроводность стекол системы мышьяк-сера-серебро. Физ. и химия стекла, 1980, т.6, №4,с.424-427.

93. Борисова З.У., Рыкова Т.С. Исследование природы проводимости стекол системы Ag As - Se , содержащих малые количества серебра. - Физ. и химия стекла, 1979, т.5, №5, с.563-566.

94. Исследование природы проводимости стекол системы Ag-As-Se с большим содержанием серебра. Т.С.Рыкова, З.У.Борисова, А.В.Пазин, Л.А.Калинина. Физ. и химия стекла, 1980, т.6, М, с.419-423.

95. Жабрев В.А., Казакова Е.А. Исследование электропроводности и диффузии в халькогенидных стеклах, содержащих серебро. Физ. и химия стекла, 1982, т.8, №1, с.51-55.

96. Зубань В.А. Показатели преломления некоторых стекол систем Cu/Ge/-Sb-S J . - Ужгород, 1975, - 7 с. - Рукопись представлена Ужгород, ун-том, Деп. в ВИНИТИ 15.02.1975, №499-74 (Деп),

97. Иоффе Б.В. Рефрактометрические методы химии. Л.: Химия, 1974, 400 с.

98. Петров В.М. Диэлектрические измерения сегнетоэлектриков. М.: Изд-во Московского инст. стали и сплавов, 1972, 237 с.

99. Segawa ti.Dc and ас conductivity in amorphous AsJSe,-As-Te,2 3 2 3system.- J.Phys.Soc.Japan, 1974, v.36, No 4,p.1087-1095.

100. Wallace A., Robertson J. Contacts to chalcogenide glasses.-In: Metall-semiconductor contacts: Proc.conf., Manchester, April, 1974, London-Bristol,1974, p.237-245.

101. Коска J., Hlousek P. Dielectric constant of glassy

102. As0Te,+Y and its measurement.- Czech.J.Phys., 1975» d $ xv.B25, No 11, p.1315-1318.

103. Андриевский А.И., Каширин Г.Ф. Низкочастотная электропроводность полупроводниковых стеклообразных сплавов системы As Se . Укр.физ.ж., 1970, т.15, №7, с.1082-1085.

104. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М., Радио и связь, 1982, 209 с.

105. Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы (физические свойства и применение). /А.М.Андриеш, М.С.Иову, Д.И.Циуляну, С.Д.Шутов. Кишинев, Штиинца, 1981, 211 с.

106. Гаврилюк М.А., Соголовский Е.П. Электронные измерители С , L ,

107. R . Львов, Вища школа, 1978, 134 с.

108. Наконечный Ю.С., Горват А.А., Марфидин В.И. Измерение емкости и активной проводимости в диапазоне радиочастот. В сб.: Сложные полупроводники (получение, свойства, применение), Ужгород, 198I, с.26-34.

109. Фрелих Г. Теория диэлектриков. М., Изд-во иностр.лит-ры, I960, 252 с.

110. Викторовский И.В., Гутенев М.С. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости соединений As2Se^ , As2S^ j

111. TlAsSe0 » T1AsS2 в стеклообразном состоянии. Вестник Ленингр.ун-та, 1975, №16, с.97-99.

112. Mariani Е., Trnovcova, Lezal D. Dielectric properties ofvitreous AsJSe, doped with 111A group elements.- Phys.Stat. 2 3

113. Sol., 1973, v. 16, P.K5I-K54.

114. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев, Вища школа, 1980, 400 с.

115. Тепловое расширение стекол системы Ge As - S - J ./И.И.Ро-сола, М.П.Заячковский, В.В.Химинец, Д.В.Чепур. - У1ф. физ.ж., 1983, т.28, №7, с.1060-1063.

116. НО. Захаров В.П., Герасименко В.П. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии. Киев, Наукова думка, 1976, 280 с.

117. Lucovsky G., Martin R.M. A molecular model for the vibrational modes in chalcogenide glasses.- J.Non-Cryst.Solids., 1972, v.8-10, p.185-190.

118. Papatheodorou G.N., Solin S.A. Vibrational excitation of As20^. l.Disortered phases.- 1976, V.BI3, No 4,p.1741-1751.

119. Kobliska R.J., Solin S.A. Temperature dependence of the Raman spectrum and the depolarization spectrum of amorphous As2Sy- Phys.Rev., 1973, v.B8, No 2, p.756-768.

120. Lucovsky G. Optic modes in amorphous As2S^ and As2Se^. -Phys.Rev., 1972, v.B6, No 4, p.1480-1489.

121. Оптические фононы и структура аморфных пленок халькогенидов сурьмы./В.П.Захаров, В.С.Герасименко, Ю. Г. Полтавце в, JI.n.Kjy-черенко. Изв.АН СССР. Сер.Неорган.материалы, 1974, т.10, №2, с.361-362.

122. Giehler М. Vibrational spectra and local structure of chalco-genide glasses.- In: Structure, physico-chemical properties and application of non-crystalline semiconductors. Amorphous semiconductors-80, Kishinev, 1980, p.5-10.

123. Герцберг Г. Колебательные и врыщательные спектры многоатомных молекул. М., Изд-во иностр.лит-ры, 1949, 647 с.

124. Применение метода комбинационного рассеяния света в ближней ИК-области для исследования полупроводников./Л.К.Водопьянов, Л.В.Голубев, Л.Ю.Кенгерлинский, В.Г.Плотниченко. В сб.: Краткие сообщения по физике (ФИАН), 1981, №12, с.37-41.

125. Cervinka L., Hruby A. Structure of amorphous and glassy

126. Sb0S, and its connection with the structure of As„X, arsenic 2 3 2 3chalcogenide glasses.- J.Non-Cryst.Solids, 1982, v.48, No 2, p.231-264.

127. Колебательные спектры кристаллов BiJ^ , sbJ^ . /В.В.Артамонов, Л.И.Бережной, М.Я.Валах, Б.К.Круликовский, М.П.Лиси-ца. Физ.тв.тела, 1975, т.17, №12, с.3621-3624.

128. Формирование аморфной фазы в вакуумных конденсатах системы Sb2S^ SbJ^ ./О.В.Лукша,Ю.Ю.Фирцак, Н.И.Довгошей, И.Д.Ту-ряница, В.С.Герасименко. - Изв.АН СССР. Сер. Не орган, материалы, 1978, т.14, №7, с.1236-124I.

129. Koudelka L., Pisarcik M. Raman spectra and structure of ^О-х^бО1*: giasses.- Solid State Communs., 1982, v.41, No 1, p.115-117.

130. Спектры комбинационного рассеяния стекол системы As S - J . /О.В.Химинец, П.П.Дуга, В.В.Химинец, И.Й.Росола, Г.Д.Пуга.

131. Ж.прикладной спектроскопии, 1978, т.28, М, с.700-703.

132. Kikuchi A., Oka Y., Sawaguchi Е. Crystal structure determination of SbSJ. J.Phys.Soc.Japan, 1967, v.23, No 2,1. P.337-354.

133. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводниковых расплавов. М., Металлургия, 1984, 176 с.

134. Рубиш В.М., Туряница И.Д., Химинец В.В. Диэлектрические свойства стекол системы Ge As- s . Угф.физ.ж., 1981, т.26, №11, с.1856-1859.

135. Пинзеник В.П., Добош М.В., Туряница И.Д. Магнитная восприимчивость стекол в системах Sb s - Вг/j/. - Физическая электроника, вып.15. Респ.межвед.науч.-техн.сборник. Львов: Вища школа. Изд-во при Львов.ун-те, 1977, с.52-55.

136. Аудзионис А.И., Карпус А.С. Определение частоты плазменных колебаний валентных электронов и оптической диэлектрической проницаемости трехсернистой сурьмы. Лит.физ.сб.,1973, т.13, №1, с.89-99.

137. Гутенев М.С., Байдаков Л.А. Химическая связь и локальная структура в таллийсодержащих халькогенидных стеклах по данным диэлькометрии. Физ. и химия стекла, 1983, т.9, №4,с.449-460.

138. Lines М.Е. Microscopic model for a ferroelectric glass.-Phys.Rev.В, 1977, v.15, No 1, p.388-395.

139. Lines M.E. Theoretical derivation of possible dielectric anomalies in high-permittivity glasses.- Phys.Rev.B, 1978, v.17, No 4, p.1984-1990.

140. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применение. М., Мир, 198I, 526 с.

141. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М., Мир, 198I, 736 с.

142. Dielectric constant of amorphous FbTiO ./M.Takashida, T.Nakamura, N.Tsuya, K.Arai, H.Ozowa, R.Uno. Jap.J.Appl. Phys., 1980, v.19, No 9, P.L555-L558.

143. Mitsuya Т., Wasa K. High dielectric constant films of amorphous LiNbO^ prepared by sputtering deposition. Appl. Phys.Lett., 1981, v.20, No 8, p.L48-L50.139.

144. Tsuya N., Arai K.-I. Amorphous high dielectric materials.-"Oe , Oyo buturi", 1978, v.47, No 12, p.1159-1161.

145. Anomalies dielectric behaviour and reversible pyroelectri-eity in roller-quenched LiNbO,, and LiTaO^ glass ./A.M.Glass, M.E.Lines, K.Nassau, J.W.Shiever.-Appl.Phys.Lett., 1977, v.31, No 4, p.249-251.

146. Сегнетоактивные ситаллы на основе Sb S - J . /М.В.Добош,

147. А.А.Горват, В.М.Рубиш, В.В.Химинец, И.Д.Туряница. Тез.докл.

148. П Всесоюзной конф. по физико-химическим основам технологиисегнетоэлектрических и родственных материалов, М., 1983, с.89.у ут уп

149. Герзанич Е.И., Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики типа А В С . -М., Наука, 1982, 228 с.

150. Диэлектрическая дисперсия в кристаллах SbSJ . /Р.П.Беляцкас, И.П.Григас, А.С.Орлюкас, В.К.Шугуров. Лит.физ.сб., 197I,т.II, №6, с.1029-1038.

151. Рубиш В.М., Туряница И.Д. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости стекол системы Ge-As S . - Физическая электроника, вып.23, Респ.межвед.науч.-техн.сборник, - Львов: Вища школа, Изд-во при Львов.ун-те, 1981, с.51-53.

152. Bobl L.C., Kramer К., Byer Н.Н. Electrical properties of As2S^ glass.- J.Non-Cryst.Solids, 1976, v.21, No3,p.441-445.

153. Lakatos A.I., Abkowitz M. Electricial properties of amorphous Se, As^Se^ and As2S^-. Phys.Rev.B, 1971, v.3, No 6, p.1791-1800.

154. Рубиш B.M., Пинзеник В.П., Туряница И.Д. Структурно-химическое строение и диэлектрические свойства стекол системы GeS2- SbSJ • Ужгород, 198I. - 10 с. - Рукопись представлена в Ужгород.госун-ом. ДЕП.в ВИНИТИ 22.10.82 г., № 5454-81 Деп.

155. Phillips J.С. Toplogy and structure of non-crystalline solids.-"Struct.Non-Gryst.Mater., 1982.Proc.2 Int.Conf., Cambridge, 12-15 July, 1982". London; New-York, 1982,p.123-136.

156. Влияние покрытия из легкоплавких стекол на характеристики германиевых диодов. /Б.Т.Коломиец, Э.М.Литвинова, Е.Г.Мисе-лгок, Ю.А.Тхорик, В.П.Шило. Радиотехника и электроника, 1962, т.7, Л*6, с. 1054-1055.

157. Гаман В.И., Сироткин А.А., Стенина В.М. Влияние низкоплавких стекол системы As S - J на вольтамперные характеристики кремниевых р - п -переходов. - В кн.: Поверхностные свойства полупроводников, М., 1962, с.207-211.

158. Чечерников В.И. Магнитные измерения. М., Изд-во МГУ, 1963, 286 с.

159. Рубиш В.М., Пинзеник В.П., Туряница И.Д. Магнитные и диэлектрические свойства стекол системы sbSJ -CuSbS2 . Физическая электроника, вып.27, Респ.межвед.науч.-техн.сборник. - Львов: Вища школа, изд-во при Львов.ун-те, 1983, с.75-79.

160. Агафонов В.П., Байдаков Л.А. Магнитная восприимчивость стекол системы As^Se^ P2Se^ • - Вестник Ленингр. ун-та, 1976, №4, с.118-122.

161. Волков С.В., Грищенко В.Ф., Делимарский Ю.К. Координационная химия солевых расплавов. Киев, Наукова думка, 1977, 331 с.

162. Юрко О.И., Борец А.Н., Миголинец И.М. Фотопоглощение на стеклах системы Си Sb - S - J . - Укр.физ.ж., 1974, т.19, №8, с.1393-1394.

163. Рубиш В.М. Электрические свойства пленочных и массивных стеклообразных полупроводников системы Си Sb - s - j . -В сб.: Физика и технология тонких пленок сложных полупроводников (тезисы докладов 1У Республиканской конф., Ужгород, 1981), 198I, с.70-71.

164. Рубиш В.М. Механизм проводимости в стеклах системы Ou -Sb--S J . - Ужгород, 1982, - 12 с. - Рукопись представлена Ужгорд. госун-ом. Деп. в ВИНИТИ 5.05.82 г., №2662-82 Деп.

165. Ванинов В.Л., Новоселов С.К. Механизм проводимости в стеклах AsTeCu . Физ. и химия стекла, 1976, т.2, №6, с.546-551.X

166. Данилов А.В., Эль Мосли М. Влияние меди и серебра на фотоэлектрические свойства стеклообразного AS Se, . Физ.2 3тверд.тела, 1963, т.5, №7, с.2015-2016.

167. Koloiaiets В.Т., Rykhlyadev Yu.V., Shilo V.P. The effect of copper and silver on the conductivity and photoelectric properties of glassy arsenic selenide.- J.Non-Cryst.Solids,1971, v.5, No 3, p.389-409.

168. Liang E.S., Bienenstock A., Bates C.W. Structural studiesof glassy CuAsSe^ and Cu-As^e^ alloys.- Phys.Rev., 1974, v.BlO, No 4, p.1528-1538.

169. Pollak M., Pike G.E. Ac conductivity of glasses. Phys. Rev.Lett., 1972, v.28, No 22, p.1449-1451.

170. Shimakawa K. On the temperature dependebce of a.c.conduction in chalcogenide glasses.- Phil.Mag., 1982, v.46, No 2,p.123-135.

171. Kocka J. The density of states at the Fermi level of the non-crystalline semiconductors. Czech.J.Phys., 1976, v.B26, No 7, p.807-811.

172. Elliott S.R. А.с .conductivity due to intimate pairs of charged defect centres. Solid State Communs.,1978, v.27, No 8, p.749-751.

173. Eliott S.H. Defect pairing and the effect on a.c. conductivity in chalcogenide glasses.- J.Non-Cryst.Solids, 1980,v.35-36, No 2, p.855-858.

174. Shimakawa K., Efitta S., Mori M. Influence of silver additive on electronic and ionic natures in amorphous As2Se^. Phys. Rev., 1978, v.B18, No 8, p.4348-4354.

175. Wagner C. Galvanishe Zellen mit festen Elektrolyten mit genischten Stromleitung.- Z.Elektrochemie, 1956, Bd.60, No 1, s.4-7.

176. Wagner C. Ionen und Electronen leitung in Silberbromid und Abweickungen von der idealen Stochiometrishen Zusammensetzung.-Z.Elektrochemie, 1959, Bd.63, No 9/10, p.1027-1030.

177. Валюкенас В.Ю. Особенности электрофизических свойств и фазовые переходы в кристаллах AgSbS2 . Автореферат дис. . канд.физ.-мат.наук, Вильнюс, 1981, 18 с.

178. Карпов С.В., Алесковский В.Б., Данилов А.В. Электропроводность твердого электролита RbAg^^Cu^J^ . Электрохимия, 1976, т.ХП, вып.2, с.277-279.

179. Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. М., Государственное изд-во физ.-мат. лит-ры, 1963, 403 с.

180. Электрофизические свойства стекол системы д3- g - j . /В.М.Рубиш, В.Ф.Микученис, А.П.Кеженис, И.Д.Туряница, А.С.Ор-люкас. - Электронная техника. Сер.Материалы, 1983,вып.3,с.76-78.

181. Лидьярд А. Ионная проводимость 1фисталлов. M., Изд-во иностранной лит-ры, 1962, 222 с.

182. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев, Наукова думка, 1969, 187 с.

183. Coordination dependent vibrational properties of amorphous semiconductor alloys./G.Lucovsky, R.J.Nemanich, S.A.Solin, R.C.Keezer.- Solid State Communs, 1975, v.17, No 12,p.1567-1572.

184. Росола И.Й., ПугаП.П., Чепур Д.В. Приведенная плотность колебательных состояний и структурные особенности стекол системы As s . - В сб.: Сйожные полупроводники (получение,свойства, применение), Ужгород, 198I, с.83-92.

185. Наран-Сабо И. Неорганическая кристаллохимия. Будапешт, Изд. АН Венгрия, 1969, 504 с.

186. Лидоренко Н.С., Зильберварг В.Е., Нагаев Э.Л. Диэлектрическая проницаемость твердых электролитов и переход в сверхионное состояние.-Ж.эксперим, и теор.физ.,1980,т.78,№1, с.180-188.

187. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М., Высшая школа, 1977, 448 с.