Фотоиндуцированные явления в иттриевых ферритах-гранатах и ферромагнитных шпинелях CdCr2 Se4 : Ga тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

Л •

^ ^ УДК 538.245:535.21

ДОРОШЕНКО РЮРИК АЛЕКСАНДРОВИЧ

ФОТОИНДУЦИ РОВАННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ИТТРИЕВЫХ ФЕРРИТАХ-ГРАНАТАХ И ФЕРРОМАГНИТНЫХ ШПИНЕЛЯХ Сс1Сг28е4: С а

Специальность 01.04.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Уфа-1999

Работа выполнена в Институте физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, проф.

А.ГГ.Танкеев

доктор физико-математических наук, K.M. Голаит

доктор физико-математических наук, проф. М.А. Шамсутдинов

Ведущая организация: Институт радиотехники и электроники РАН

Защита состоится 8 февраля 2000 г. в 15 часов на заседании специализированного совета Д 200 71.01 в Институте физики молекул и кристаллов УПЦ РАИ по адресу: 450075, г. Уфа, пр. Октября, д. 151.

Отзывы направлять по адресу: 450075, г. Уфа, пр. Октября, д. 151, Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАИ, диссертационный совет Д 200 71.01.

С диссертацией .можно ознакомиться в библиотеке ИФМК.

Автореферат разослан 5 января 2000 г.

Ученый секретарь диссертационного совета Д 200.71.01 кандидат физико-математических наук

взм.ярз. ч) оз>

Ломакин Г.С.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Впервые на возможность изменения при воздействии света магнитных свойств было обращено внимание в теоретических работах Бердышева и др [1, 2]. В этих работах была показана возможность перевода антиферромагнетика в ферромагнетик за счет усиления при освещении ферромагнитных обменных взаимодействий и предложено название для этого явления "фотоферромагнитный эффект" (ФФЭ). Название ФФЭ используется в отечественной литературе по фотоиндуцированным магнитным явлениям в ферромагнитном полупроводнике СсЮ^е.) [3], хотя определяющим механизмом, вызывающем эти явления, не является косвенный обмен через электроны проводимости.

Экспериментальное открытие явления изменения магнитных свойств в иттрий-железистых гранатах (ИЖГ) |4] и халькогенидных хромовых шпинелях [3,5] при освещении вызвало интерес к более широкому изучению влияния света на физические свойства магнитоупорядоченных кристаллов. Были открыты новые материалы с фоточувствительными свойствами (Еи5, ЕиСг02, МпР:, УРеОД обнаружено, что наряду с изменением магнитных свойств УзРе50|2, С<1Сг28е4, РеВ03 и др. происходит изменение магнитооптических параметров, оптического поглощения [6-9]. Экспериментальные и теоретические исследования воздействия света на магнитные среды положили начало новому направлению физики магнитных явлений - фотомагнетизму магнитоупорядоченных кристаллов, интенсивно развивающемуся в настоящее время. При изучении прямого воздействия света на магнитоупорядоченные кристаллы, диэлектрики и магнитные полупроводники, исследователей привлекают уникальные возможности света - его направленность, монохроматичность, когерентность, локальность воздействия, импульсный характер и др.; воздействие света позволяет изучать неравновесные и возбужденные состояния.

Фотоиндуцированные магнитные явления наблюдаются в магнитоупорядоченных диэлектриках и полупроводниках, кристаллическая структура которых допускает различные замещения и легирования. Яркое проявление фотомагнитных эффектов наблюдается в магнитомягких диэлектриках и полупроводниках при небольшом количестве сильноанизотропных центров, стабилизирующих намагниченность и доменные границы. Наличие несколько осей легкого намагничивания сглаживает магнитную анизотропию и предоставляет более широкие возможности для фотонаведения анизотропии. Поэтому кубические магнетики с небольшой анизотропией - халькогенидные хромовые шпинели Сс!Сг25е4 и иттрий-железистые гранаты УзРе^О^ - с момента открытия фотомагнетизма и по настоящее время являются наиболее исследуемыми образцами.

Необходимо отмстить, что полученные различными авторами результаты по фотоиндуцированным эффектам в С<ЗС'г28е4 и УзРе50|2 трудно сравнивать из-за различия условий роста кристаллов, неконтролируемых примесей в

з

образцах, сильно меняющих картину, фотомагнитных явлений. Несмотря на большое внимание исследователей к проблеме фотомагнетизма, проведенных исследований было явно недостаточно для понимания механизмов фогоиндуцированных эффектов. Действительно, конкретный процесс возникновения фотоиндуцированных анизотропных центров и механизм влияния этих центров на магнитные свойства в CdCr2Se4, остаются невыясненными. В связи с этим нельзя также не отметить, что исследования фогоферромагнитного эффекта в CdCr2Se4, легированном галлием, как экспериментальные, так и теоретические, упомянутые выше, не являются достаточно всесторонними. Фотоиндуцированные магнитные явления в магнитном полупроводнике CdCr2Se4, легированном галлием, заметно проявляются только при наличии в образцах доменной структуры (ДС) и практически не наблюдаются в магнитонасыщенном состоянии. Таким образом, исследованные фотоиндуцированные магнитные эффекты при освещении в CdCr2Se4:Ga обусловлены изменением именно свойств доменной структуры. Однако, до начала выполнения данной работы не были проведены прямые опыты по обнаружению влияния освещения на доменную структуру, динамику и статику доменных границ (ДГ). Более того, доменная структура в CdCriSej вообще не наблюдалась ни одним из существующих методов. Недостаточно исследовались и фотоиндуцированные свойства доменной структуры, проявляемые на динамической магнитной восприимчивости при различных интенсивностях света, частотах и амплитудах переменного магнитного поля. Достаточно сказать, что в основном проводились исследования , только начальной динамической проницаемости и только ее вещественной составляющей. Оставалась не ясной зависимость фотоферромагнитного эффекта от частоты переменного магнитного поля, особенно на низких частотах. Не исследовалась низкочастотная фотоиндуцированная комплексная проницаемость.

В иттрий-железистых гранатах не исследовано воздействие света на магнитоупругое взаимодействие, магнитострикцию, ЯМР, недостаточно исследовано фотоиндуцированное изменение оптического поглощения ( только одно сообщение первого наблюдения эффекта), магнитной анизотропии, магнитной проницаемости и доменной структуры и др. Так в монокристаллах ИЖГ, легированных кремнием, на доменной структуре исследовались эффекты, связанные с поляризованным светом, в то же время о возможности перестроения доменной структуры фотомагнитным отжигом не сообщалось. Исследования воздействия света на доменную структуру монокристаллических образцов осуществлены только в пластинах (110) HJKT:Si, а в пластинах с другими плоскостями исследований ДС при фотомагнитном отжиге и воздействии поляризованного света не проводилось. Экспериментально не исследовано локальное воздействие света на состояние доменной структуры и доменных границ ИЖГ. Не было исследовано воздействие ^вета на динамические свойства доменной структуры.¿Не исследовано воздействие как поляризованного, так и неполярпзовашюгй света на доменные структуры, статику и динамику ДГ эпитаксиальиых плейок ИЖГ.

---\ Л ' 4

Из сказанного выше следует актуальность проведения комплексных исследований фотоиндуцированных явлений, используя легированные монокристаллы ферритов-гранатов иттрия и халькогенидных хромовых шпинелей СсЮггБе.,, выращенные в определенных условиях. Актуальность работы обусловлена большой научной значимостью исследования воздействия света на магнитоупорядоченные среды, необходимостью выяснения общих закономерностей возникновения и конкретных проявлений светочувствительных центров в различных магнитных материалах.

Целью данной работы являлось обнаружение и изучение новых фотоиндуцированных явлений, выяснение механизмов фотомагнитных явлений в кубических магнетиках и развитие метода изучения магнитных сред при воздействии света на основе проведения комплексных исследований фотоиндуцированных явлений в ферромагнитных полупроводниках со структурой шпинели - селено-хромитах кадмия (СсЮ^е^ и в ферримагнитных диэлектриках - иттрий-железистых гранатах (УзРе50п), при различном легировании.

В связи с этим были поставлены и решены следующие основные задачи:

- исследовать воздействие света на колебания отдельных ДГ и на динамическую проницаемость в селено-хромитах кадмия Сс1Сг2Зе4, изучить особенности структуры ДГ и стабилизации ДГ на неоднородностях магнитной анизотропии;

- исследовать фотоиндуцированные изменения ДС в монокристаллах и эпитаксиальных пленках ИЖГ, изучить спин-переориентационные магнитные фазовые переходы (СГТМФП) в кубических кристаллах с комбинированной наведенной анизотропией;

- в монокристаллах ИЖГ в широком интервале температур и полей исследовать процессы перемагничивания и изменения динамической проницаемости при воздействии света;

-исследовать фотоиндуцированные изменения магнитной анизотропии в монокристаллах и пленках ИЖГ, первоначальное изменение кубической анизотропии и возможности наведения анизотропии поляризованным и неполяризованпым светом;

- исследовать фотоиндуцированные изменения магнитострикционных деформаций в монокристаллах ИЖГ, изменение кубических параметров и возможности наведения одноосной магнитострикции поляризованным и неполяризованпым светом;

- исследовать влияние освещения на эффективность возбуждения и резонансные частоты мод магнитоупругих колебаний, возбуждаемых переменным магнитным полем в круглых пластинах иттриевого феррита-граната;

- исследовать фотоиндуцированные изменения ЯМР поглощения 57Ре в . монокристаллах ИЖГ, изучить спектры ЯМР ДГ в кубическом кристалле со структурой граната, влияние стабилизации намагниченности;

- исследовать фотоиндуцированные изменения оптического поглощения от интенсивности, последовательности и времени воздействия света различного спектрального состава в монокристаллах ИЖГ с различным легированием.

Научная новизна диссертационной работы определяется тем, что в ней впервые выполнено комплексное исследование воздействия света на магнитные, магнитоупругие, резонансные и оптические свойства ферритов-' гранатов иттрия, изучены фотоиндуцированные свойства доменной структуры в ферромагнитных халькогенидных шпинелях С(ЗСг25е.1. Использование новых экспериментальных методов, широких диапазонов частот и температур, осуществление воздействия света различного спектрального состава, интенсивности и последовательности освещения позволило обнаружить новые фотоиндуцированные эффекты и новые особенности в уже исследованных фочомагнитных. и оптических явлениях, достичь комнатных температур наблюдения фотоиндуцированного изменения магнитной проницаемости.

Научная и практическая ценность. Полученные результаты существенно расширяют представления о закономерностях и механизмах фогоиндуцированных явлений в магнитоупорядоченных средах и могут быть использованы при поиске новых фотомагнитных эффектов и материалов, обладающих фотоиндуцированными эффектами. Достигнутое понимание фотомагнитных явлений, и механизмов воздействия света предоставляет исследователям новые возможности при изучении магнитных материалов, используя воздействие света для изменения локальных параметров. Некоторые из результатов работы могут быть включены в монографии и учебные пособия по физике магнитных явлений, физике доменных границ, ЯМР магнитоупорядоченных материалов и др.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Стабилизация ДГ за счет наведенной анизотропии и зависящие от освещения эффекты магнитного последействия в селенохромите кадмия СсЮьБе.!.

2. Возможность управления состоянием доменной структуры в монокристаллах и пленках ИЖГ как в статике, так и в динамике неполяризованным и поляризованным светом.

3. Обнаружение фотоиндуцированного изменения проницаемости при температурах выше 300 К. Фотоиндуцированные реверсивные изменения проницаемости и петель гистерезиса ИЖГ при 77 К.

4. Особенности фотоиндуцированной магнитной анизотропии в монокристаллах и пленках, доминирование при наведении поляризации света или намагниченности, возникновение наведенной анизотропии параллельно и перпендикулярно поляризации воздействующего света.

5. Фотоиндуцированные изменения магнитострикции, обусловленные как изменением констант магнитострикции, так и первоначальных состояний с ДС, влияние упругих напряжений.

6. Воздействие освещения на эффективность возбуждения и резонансную частоту контурных упругих колебаний.

7. Изменения ЯМР поглощения ядер "Fe в доменных границах и доменах при воздействии света.

8. Фотоиндуцированные изменения оптического поглощения, зависящие от спектрального состава, интенсивности, и последовательности воздействия света определенного спектрального состава.

Апробация работы. Основные материалы диссертации докладывались на Всесоюзных конференциях по физике магнитных явлений (Харьков, 1979 г.; Пермь, 198] г.; Тула, 1983 г.; Калинин, 1988 г.; Ташкент, 1991 г.), на Всесоюзных конференциях "Тройные полупроводники и их применение (Кишинев, 1979, 1983, 1987 гг.), на Всесоюзных школах- семинарах "Новые магнитные материалы микроэлектроники (Ашхабат, 1980 г.; Донецк, 1982 г.; Саранск, 1984 г.; Рига, 1986 г.; Ташкент, 1988 г.; Новгород. 1990 г.; Астрахань, 1992 г., Москва, 1994, 1996, 1998 гг.), на семинарах по функциональной магнитоэлектронике (Красноярск, 1988, 1990 гг.), на Всесоюзной школе-семинаре "Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками (Саратов, 1988 г.), на Всесоюзных научно-технических объединенных семинарах "ЦМД/ВБЛ в системах обработки и храпения информации. Доменные и магнитооптические устройства" (Москва, 1989, 1991 гг.), на международной конференции "Ternary and Multinary Compounds" (Кишинев, 1990 г.), на международном симпозиуме по магнитооптике (Харьков, 1991 г.), на семинарах по магнитоэлектронике (Симферополь, 1989, 1991 гг.), на 1-й Объединенной конференции по магнитоэлектронике (Москва, 1995 г.), на Всероссийской научной конференции "Физика конденсированного состояния" (Стерлитамак, 1997 г.).

Публикации. Результаты опубликованы в 115 печатных работах. Структура диссертационной работы. Диссертационная работа состоит из введения, семи глав, заключения с выводами и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 296 страниц, включая 66 рисунков. Список-литературы содержит 155 наименований.

ОС1ЮВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении дан краткий обзор современного состояния физики фотомагнетизма, определены цели и задачи диссертационной работы, _ сформулированы основные положения, выносимые на защиту. Кратко изложена научная новизна полученных результатов. Рассмотрена структура и содержание каждой главы.

Первая глава посвящена исследованию воздействия света на доменные структуры монокристаллов CdCr2Se4:Ga и Y3Fe5Ö!2:Pb(Si).

В параграфе 1.1 изложены результаты экспериментальных магнитооптических исследований фотоиндуцированных свойств доменной структуры CdCr2Se4:Ga. Обнаружено, что доменная структура (лабиринтная.

полосовая) характерна для материалов с перепендикулярной анизотропией (рис. 1). Описано прямое наблюдение воздействия света на колебания ДГ. Отмечено, что фотоиндуцированная стабилизация в CdCr2Se4:Ga мала и для большинства ДГ визуально изучать фотоиндуцированное уменьшение амплитуды колебаний ДГ не представляется возможным. Тем не менее для отдельных ДГ этот эффект имеет аномально большую величину, что позволяет визуально исследовать уменьшение амплитуды этих границ в низкочастотном магнитном поле под действием света. Необходимо отметить, что уменьшение амплитуды колебаний ДГ при воздействии активного света (выведении светофильтра СЗС-7 из потока света в микроскопе) и соответствующее возрастание при введении светофильтра происходит достаточно медленно, что позволяет наблюдать данные процессы в динамике. Фотоэлектрическая регистрация колебаний ДГ с визуально наблюдаемом эффектом света показало наличие больших скачков в величине амплитуды колебаний ДГ до воздействия света и их отсутствие после освещения (рис. 1). Таким образом наблюдается переход от бесгистерезисного движения ДГ при освещении к петле гистерезиса характерной для больших скачков в отсутствии освещения.

Рис. 1. Локальные петли гистерезиса движения доменной границы со скачком Барктаузена в полях II\< Н < Hj (я) и в полях И, незначительно превышающих Нг (б), в отсутствие освещения (1) и при освещении'(2). В отсутствии освещения скачок наблюдается, если амплитуда поля Н превышает некоторое поле Н|=3() Ое, а при освещении - при значительно большем поле Яз«42 Ое.

С помощью фотоэлектрической регистрации границы мсньшение амплитуды наблюдается на всех ДГ во всех исследованных монокристаллах CdCnSe^Ga с фотоиндуцированным эффектом. Исследование эффекта воздействия на колебания ДГ в зависимости от частоты перемагничивающего поля показало, что эффект сохраняет постоянное значение на частотах 1-10 kHz и уменьшается ниже -0,5 kHz. При малых значениях напряженности переменного магнитного поля при освещении зависимость амплитуды колебаний ДГ от напряженности имеет линейный характер, в отличие от нелинейной зависимости в этих же полях в отсутствии освещения. С увеличением напряженности поля эффект достигает некоторого максимального значения и в дальнейшем убывает. Величина и характер изменений параметров петли гистерезиса движения ДГ при воздействии света очень сильно зависит от напряженности перемагничивающего поля. В малых полях при воздействии активного света наблюдается сужение петли гистерезиса вплоть до безгистерезисного движения ДГ. В больших полях при освещении наблюдается

петля гистерезиса с возросшими коэрцитивной силой и остаточной намагниченностью по сравнению с петлей гистерезиса в отсу тствии освещения.

Обнаруженные экспериментальные результаты в освещенньк образцах CdCr2Se4:Ga обусловлены стабилизацией ДС, возникающей за счет фоюнаведенной анизотропии.

В параграфе 1.2 изложены результаты исследований влияния света на доменные структуры монокристаллических пластин (111), (110), (100) и энитаксиальных пленок (111) ИЖГ.

Для объяснения фотоиндуцированных изменений ДС исследованы на минимум выражения для плотности энергии комбинированной анизотропии для различных пластин

е - Ari(ai2a22-a22a32+a,Vi2)+^2aiWa3:!+/v.[l-(ani)2+A'u[l-(an2)2], (1)

где К| и К2 - две первые константы кубической магнитной анизотропии, Kj. и

К„ - эффективные константы одноосных составляющих анизотропии, а; -направляющие косинусы вектора М, пь п2 - единичные вектора, определяющие ориентацию осей симметрии одноосных составляющих анизотропии. Определены множества ориентационно неэквивалентных фаз, отмечено доминирование угловых фаз. Установлено, что переходы могут быть как первого, так и второго рода.

Изучено влияние поляризованного и неполяризованного света на доменные структуры монокристаллических пластин УзРе5012(РЬ) в плоскостях (Iii), (ПО), (100). После освещения лабиринтная доменная структура перестраивается в полосовую доменную структуру, в которой намагниченность в полосовых доменах направлена вдоль одной из наиболее выгодных осей (111) пластинки. Показана возможность переориентации вектора намагниченности по тригональным направлениям под действием как поляризованного света, так и неполяризованного света (с одновременным намагничиванием вдоль одного из направлений (11 1) - фотомагнитный отжиг).

Исследованы фотоиндуцированные магнитные неоднородности доменной структуры в монокристаллических пластинах Y3Fe50i2 (Pb), в плоскостях (111), (ПО), возникающие при локальном воздействии поляризованного и неполяризованного света. Продемонстрирована возможность их фотонаведения как в домене, так и на доменной границе. Проведена расшифровка их магнитных структур.

Экспериментально исследовано трансляционное движение 180" доменных границ в монокристаллических пластинках (111) Y}Fe50|2:Pb, в градиентном магнитном поле при воздействии света. Обнаружено уменьшение скорости дрейфа доменных границ при воздействии как поляризованного, так и неполяризованного света. Максимальное уменьшение скорости движения ДГ до полной остановки наблюдается при отклонениях плоскости поляризации 30" от направления полосовой ДС. Показано, что при отклонении плоскости поляризации от направления полосовой доменной структуры происходит образование сложной доменной границы. Образование такой сложной

доменной границы вызывает увеличение как поля стабилизации, так и коэрцитивное™ и согласуется с полученными экспериментальными зависимостями. Получены выражения для зависимости скорости трансляционного движения доменной структуры в градиентном магнитном поле в пластине (111) ИЖГ от величины константы одноосной фотоиндуцированной анизотропии и поля стабилизации, объясняющие экспериментальные немонотонные зависимости скорости трансляционного движения от интенсивности неполяризованного света при заданных значениях интенсивности поляризованного света.

Обнаружено, что в номинально чистых эпитаксиальных пленках Y3Fe5Oi2 (АН=0,58 Ое) воздействие линейно-поляризованного света с плоскостью поляризации перпендикулярной направлению типа <110>, принадлежащему плоскости (111), приводит к образованию макродоменной структуры, границы которой располагаются соответственно вдоль направлений типа <110>. В эпитаксиальных пленках YiFejOn (ДН=1,86 Ое) воздействие линейно-поляризованного света с плоскостью поляризации параллельной исходной полосовой ДС не вызывает изменений ДС, а при перпендикулярной ориентации - вызывает образование зигзагообразной доменной структуры (рис. 2). Наблюдается плавный поворот полосовой ДС в противоположное от вращения вектора поляризации направление. Причем при увеличении амплитуды неременного поля поворот ДС происходит в сторону вращения направления поляризации. Изучение таких доменных структур показывает, что результирующая намагниченность в домене направлена перпендикулярно плоскости поляризации воздействующего света, а наблюдаемые изменения доменных структур связаны с наведенной ромбической анизотропией.

100рт

Рис.2. Фотоинлуцированные изменения ДС в пленке У3Ге50|2 (2ДН = 1.86). а,б, в - исходные ДС; г, д, е - ДС при воздействии поляризованного света с Е перпендикулярной направлению ДГ соответственно ДС а, б, в.

В параграфе 1.3 описаны результаты численных расчетов изменений структуры 180° блоховской доменной границы и магнитных неоднородностей в зависимости от симметрии, размеров и положения планарной неоднородности магнитной анизотропии (ПНМА), Стабилизация доменных границ при воздействии происходит на неоднородном распределении анизотропии.

Исследовано закрепление доменных границ на ПНМА с энергией неоднородности по координате х, соответственно, одноосной, кубической и наведенной анизотропии:

eWnIA=Kf/ch(x/B)sinJ(e-e0), ю

еппш=Ко /сИ/х/ВНа,2а22 + а22а/+а32а,2), (2)

где В-1/6, 3=(А/К])''2, I - параметр ширины ПНМА, В - определяет направление намагниченности в плоскости ДГ, б0-определяет ось симметрии ПНМЛ, К,, и Ко - параметры анизотропии, соответственно, одноосной и кубической неоднородности, Р(х), (7(л:)-параметры наведенной анизотропии, а„ /?, - направляющие косинусы намагниченности и направления наведения соответственно.

Показано, что распределение анизотропных центров, приводящее к возникновению области с наведенной анизотропией, стабилизирует положение ДГ. При этом наблюдается и характерное изменение структуры и малое смещение ее центра. Стабилизация ДГ при наличии локального минимума энергии наблюдается и при возрастании энергии границы н области нланарной неоднородности магнитной анизотропии, если размер области меньше или порядка ширины ДГ (рис. 3). Показано, что структура магнитных неоднородностей, образованных при смещении ДГ из стабилизированного

Рис.З.. Зависимость энергии закрепленной ДГ о г положения ПНМА. Ки!К^\, амплитуда закрепляющей ПНМЛ Ко | К\ \ -¥- 1:

ширина ПНМА #=0,5; одноосного типа с осыо симметрии: 1 -[001], Кц/К^0.5\ 2-[001], АУЛ",=-0,5; 3 - [ОН]. АГо/Л:,=0.5. ПНМА кубического типа: 4 - Кцк!К|-1; 5 -1. ПНМА наведенного типа: 7-Л/А'|=0,5, ОУ/и-О; 8 - О0/К1=\, /У/ч = 0. Эисргия ДГ в отсутствии ПНМЛ - б. - константа кубической анизотропии положения, существенным образом зависит как от параметров наведенной анизотропии, так и от структуры стабилизируемой ДГ.

Во второй главе представлены результаты исследований фотоиндуцированных изменений динамической проницаемости и процессов перемагничивания в Сс1Сг28е4 и У3Ре50|2

В параграфе 2.1. проведено исследование фотоиндуцированных изменений комплексной магнитной восприимчивости СсКТ^е.), которое показало, что при освещении в зависимости от частоты и напряженности магнитного поля мнимая составляющая комплексной восприимчивости может как возрастать (на низких частотах или при больших амплитудах переменного магнитного поля), так и уменьшаться (при малых амплитудах и не слишком низких частотах переменного магнитного поля), в то время как консервативная составляющая при освещении всегда только уменьшается.

Исследование поведения динамической магнитной проницаемости освещенных образцов после малого скачкообразного изменения магнитного поля или давления показало, что при этом происходят возрастание и последующий спад проницаемости, дезаккомодация проницаемости Время.

необходимое для достижения равновесного значения, резко уменьшается с возрастанием интенсивности света. Изучение воздействия импульсов постоянного поля различной амплитуды и длительности на скорость достижения равновесного значения проницаемости при выключении освещения показало, что скорость рекомбинации стабилизирующих центров (ионов Сг2т) не зависит от направления намагниченности. Однако при этом до достижения равновесного значения проницаемости наблюдается явление дезаккомодации проницаемости, обусловленное термически активируемым перераспределением стабилизирующих центров в пределах ловушек.

Обнаружено, что в СсЮггБе.) в синусоидальном импульсном режиме измерений фотоиндуцированный эффект на проницаемости значительно больше, чем в стационарном. Показано, что после включения синусоидального поля наблюдается рост динамической проницаемости, а перемагничивание в начальных циклах осуществляется по перетянутой петле гистерезиса.

Обнаружен эффект дестабилизации доменной структуры в освещенных образцах СсКГь5е4, легированных галлием, в электрическом ноле. Процесс возрастания проницаемости при наложении электрического поля и уменьшения при его снятии довольно медленный при малых интенсивносгях света и ускоряется при увеличении интенсивности света. Роль электрического поля заключается в облегчении отрыва фотоэлектронов от кулоновских центров. При малых интенсивпостях света уменьшение эффективного количества анизотропных ионов Сг2' при воздействии электрического поля более заметно, чем при больших потоках света. Таким образом, в электрическом поле в образцах Сс1Сг28е4, легированных галлием, наблюдается изменение магнитной проницаемости из-за того, что электроны, находящиеся в локализованных состояниях, ответственные за стабилизацию ДГ, принимают участие в электропроводности за счет перескоков между ионами.

Исследования высших гармоник, проницаемости дают более полные сведения о характере взаимодействия в переменных полях фотоиндуцированных анизотропных центров с доменными границами. Первая гармоника в СйСггБед под воздействием света всегда только убывает. Вторая гармоника возникает при освещении и наблюдается в момент изменения постоянного поля и со временем убывает. Появление второй гармоники в освещенных образцах свидетельствует о возникновении асимметрии действия возвращающих сил на доменные границы после изменения их равновесного состояния. Третья гармоника в самых малых полях убывает под воздействием све1а, что свидетельствует об уменьшении колебаний ДГ. С возрастанием переменного ноля наблюдаются колебания ДГ около фотоиндуцированных анизотропных центров с необратимыми потерями энергии, в результате возникает возрастание и достижение максимума третьей гармоники. В больших полях взаимодействия ДГ с фотоиндуцированными центрами практически о гсутствуют.

В пара1рафе 2.2. представлены исследования воздействия света на процессы перемагничивания ИЖГ в широком диапазоне температур и амплитуд перемегничивающего поля. На монокристаллах ИЖГ(Ва) показано,

12

что наличие и определенное распределение анизотропных центров, зависящее о г процессов перемагничивания ИЖГ в широком диапазоне амплитуд

Рис. 4. Осциллограммы петель гистерезиса образца УзРе5012, выращенного из растворителя ВаО-ВгОз- полученные на тороиде (100) в темноте

1- до воздействия освещения

2- после освещения размагниченного образца

3- после одновременною освещения и перемагничивания образца в поле 10 Ое, В полях о - 0.08, Ь - 0.2. с - 0.8 Ос.

13 S 1Ь ic "Г'

2а 2Ь

За ЗЬ ^ "JT-

магнитного состояния во время освещения, сильно сказывается на характере петель гистерезиса даже в отсутствии фотоиндуцированной перестройки доменной структуры (рис. 4). Для получения бесгистерезисного перемагничивания в малых полях необходимо воздействие света производить в отсутствие перемагничивания, а для получения большой прямоугольное™ петель гистерезиса осуществлять освещение при перемагннчивании в больших полях. В образцах ИЖГ(РЬ) и H)Kr(Si) фотоиндуцированные реверсивные изменения проницаемости и петли гистерезиса наблюдаются как за счет фотоиндуцированной стабилизации и дестабилизации ДС, так и обратимой фотоиндуцированной перестройки доменной структуры.

Исследование анизотропии фотоиндуцированных изменений проницаемости показало, что эффект фотоиндуцированной стабилизации проявляется сильнее при наличии доменных границ. Это имеет место при намагничивании не до насыщения в направлениях <100> и <110>. Исследование перемагничивания образцов ИЖГ во вращающемся поле показало, что магнитные шумы (вследствие потерь на гистерезис, скачков Баркгаузена) наблюдаются при наличии анизотропных центров, как существующих за счет легирования в отсутствии освещения (ИЖГ(РЬ), ИЖЦБО), так и возникших под воздействием света (ИЖГ(Ва)). Магнитные шумы отсутствуют в малых и больших полях и максимально проявляются в промежуточных полях вблизи направлений (111) в ИЖГ(Ва), а в ИЖГ№) наблюдаются и вблизи направлений (100).

В образцах ИЖГ(Ва) обнаружено обратимое уменьшение динамической магнитной проницаемости, наблюдаемое при комнатных температурах (до 60"С) (рис." 5). Максимум обратимого эффекта при использованной интенсивности света наблюдается при 10°С. В спектральной зависимости фотоиндуцированного изменения магнитной проницаемости обнаружены два максимума на 0,78 цпт и 1,0 (im. С понижением температуры уменьшается доля обратимого эффекта и возрастает необратимая часть.

В третьей главе рассмотрены экспериментальные результаты по

Рис.5. Температурные зависимости суммарного (/(1,2) и обратимого (щ-ц\)!цл (3,4) фотоиндуиировашюго изменения проницаемости при интенсивности света 1,5 W/cm2 (1,3) и 5 W/cm2 (2,4). Для кривых обратимого изменения

проницаемости //j- значение магнитной проницаемости через 150 секунд после выключения света

фотоиндуцированным изменениям магнитной анизотропии в монокристаллах и мштаксиальных пленках ИЖГ. Изучение анизотропии проводилось на анизометре с вращающимся образцом, сопряженном с ЭВМ.

В параграфе 3.1. описаны исследования эпитаксиальных пленок Y3Fe50i2 (2ДН=0,58 Ое) и Y3Fe5Oi2:Si (2ДН=30 Ое), выращенных на подложках (111) Ga3Gd}0|2. Образцы изготавливались в виде дисков диаметром 4 мм. Обнаружено, что в номинально чистых образцах ИЖГ кубическая анизотропия К2 и имеющая в плоскости пленок одноосная анизотропия практически не изменялись. В легированных кремнием образцах наблюдалось увеличение К2 на 10% и уменьшение одноосной анизотропии на 30% от первоначальной величины.

Обнаружено, что в образцах Y3Fe50|2 ось легкого намагничивания (OJIH) при наведеннии анизотропии определяется вектором поляризации Е и возникает перпендикулярно Е (рис. 6). В образцах Y3Fe50i2:Si OJIH наведенной анизотропии определяется направлением вектора намагниченности и возникает параллельно М, причем величина наведенной анизотропии больше при Ml I Е, чем при MJ_E. Во всех исследованных образцах величина наведенной анизотропии максимальна при наведении вдоль направлений (110), лежащих в плоскости пленок.

Энергию наведенной анизотропии запишем в виде'£„=2Г n,Cj, где ¿] = ¿'„cos'cp,, £„ >0 для нелегйрованных образцов и е0< 0 для легированных Si образцов, cpj - угол между вектором М и j-той тригональной осью. Зависимость энергии наведенной анизотропии от ориентации вектора намагниченности в плоскости пленки можно представить в виде Еи = K„sin(2 <р-<р0),

(3)

где

9

п: («,+«,)■ /i , 3

• - (/Ь + TT + 7ТТ

4)jt; 16«; 4 и0 16«,,

<р„ = einig

п, -O.S^ij +п,)

V3 («,-«0/2

Угол <р отсчитывается от направления [1-21], щ, п2 , п3 - количество анизотропных центров с осями симметрии [-111], [1-11], [П-1] соответственно, щ - общее число светочувствительных центров. Для описания

(4)

экспериментальных результатов предложена следующая система кинетических уравнений возникновения анизотропных центров:

с/1

где }У} =/l(l+Z?co5íбJ)(l+Cco/фj) [6]- вероятность активации анизотропного состояния ]-го центра под воздействием света, г, = ги ехр(£0+£|СО52(^)/Д:Г- время релаксации /-го центра, /^=1/4(1-^ !пй]) - вероятность захвата с учетом эффекта насыщения, и0] - максимальное количество анизотропных центров с /-той ориентацией тригональной оси; А, В, С, г0, Ей, Е\ - постоянные, щ - угол между М и ]-той тригональной осью, угол между Е и ]-той тригональной осью. Наблюдаемые явления объясняются для УзРе5012 - вдали от насыщения (и,«^,), для УзРе50|2'-51 - вблизи насыщенииЦ~и0))- Рассчитанные для стационарного случая зависимости энергии анизотропии ЕуКи находятся в качественном соответствии с экспериментальными кривыми (рис. 6, кривые 58).

\izi\[0ii] {jüi\ [¿If] i.o -

[<~zi][oil] [zu] f.O

so no cp, degrees

60 120 (p, degrees

о m

Рис.б. Зависимости энергии наведенной при воздействии поляризованного света анизотропии от ориентации вектора намагниченности в плоскости (И I) пленки YjFe<0|2 (а) н пленки Y.iFe5Oij:Si (б). Длины волн света 900-950 шп, интенсивность Ю mW/cm2. 'Зкснериментальныс кривые: 1-Е II [1-21], М II [1-21]; 2- Е II [0-11], М i [0-111: 3-Е II [-101]. М I: |1-21]; 4- Е II [1-21], М I [-101]; Теоретические кривые: 5-El 11-2IJ, М II [1-211; 6-F.II [0-11], М II [0-11]: 7-Ell [-101],М II [1-21]; 8- ЕII [1-21 ], М II [-101 ]. Кривые 5-8 при значениях параметров: В = - 0,99 (а,б); С = 1.5 (а), - 0.9 (б)\ Е, /к'Г= 3; 1/Ат0ехр(Ео/кТ)=1.5.

В параграфе 3.2. описаны результаты изменений после первоначального воздействия света констант магнитной кубической анизотропии К\ и Кг и

Образцы УзРе50|2 из растворителей К?, 103 Kl, 103 О О3 К,',103 лг2',ю3 СЮ3

1 Ва0-В205 -25,7 -0,94 -1,2 -21,А -2,3 -1,3

II PbO-PbF2 -21,7 -1,09 0,12 -21,7 -1,1 0,05

Ш (Pb0-PbP2):Si02 -23,7 -4,20 -1,0 -23 2 -4,9 -1,1

Таким образом, константа кубической анизотропии К\ может как возрастать по абсолютной величине после первоначального освещения (в образцах I), так и уменьшаться (образцы 111). Кроме того, кубическая анизотропия может не изменяться после первоначального воздействия света, как это наблюдается в образцах II. Тем не менее, в образцах II наблюдаются фогоиндуцированные эффекты после первоначального освещения на доменной структуре, на проницаемости и др.

Во всех образцах при наведении поляризованным и неполяризованным (фотомагнитный отжиг) светом одноосной анизотропии максимальный эффект наблюдается в направлениях (111) в плоскости образца (рис. 1а, кривая 7; рис. 15, кривая 5). В образцах III наведенная анизотропия возникает в любом направлении, в том числе в [001] и [1-Ю]. В образцах I эффект поляризованного света не наблюдается.

Уменьшение константы кубической анизотропии К, в легированных Si образцах объясняется возникновением (и перераспределением из менее анизотропных в более анизотропные положения) ионов Felh в октаэдрических узлах на основе дублетной модели [10, 11]. Возрастание константы кубической анизотропии К\ в образцах легированных Ва объясняется возникновением ионов Не** в октаэдрических узлах. Значения магнитокристаллической анизотропии иона Fe4* с синглетным основным состоянием в октаэдрических окружениях получены в работе [11].

ittn um тj шп

I

о

x hi

о . 60 no /so

<fj, degrees

Рис.7. Зависимое;in оперши наведенной магнитной анизотропии Еи =- £„' -Е,! н плоскости (110):

а) после воздействия поляризованного света и намагничивающего поля Е I Н в образце III (1-6: Е отклонен в плоскости образца от направления [001] на угол 0° (1), 10° (2), 20° (3). 35° (4), 55° (5), 90° (6), в образце II-7 (угол 55°);

б) после машитного (кривые 1-3 -сплошные) и фотомагнитного (кривые 1 -3 -штриховые) отжигов вдоль направлений [001] (1). [1-11] (2), [МО) (3) в образе Ш; 4,5 - фотомагнитный отжиг вдоль направления [111] в образцах I (4) и II (5). Длины волн воздействующего света 900950 nm, интенсивность 10 mW/cm2.

Ей - энергия наведенной при воздействии света вдоль определенного направления анизотропии,

£„' - энергия анизотропии после воздействия света на вращающийся образец.

Фотоиндуцированная одноосная анизотропия объясняется обычно на

основе аксиальных октаэдрических. центров, перераспределение которых возможно- за счет поляризации света или/и фотомагнитного отжига [9]. Наличие эффекта фотомагнитного отжига и отсутствие проявления поляризованного света в YIG(Ba) объясняется тем, что перераспределение ионов Fe4' (анизотропные центры типа "легкая плоскость") осуществляется через фотовозбуждение ионов волновые функции которых сферически

симметричны.

Для объяснения наведения одноосной анизотропии в образцах III предположено одновременное существование двух групп центров с локальными осями симметрии (100) (тетраэдрические центры) и {111) (окгаэдрические центры). Кинетические уравнения перераспределения фотоактивных анизотропных центров запишем в виде:

dJbL = _ fV» + L] •»■ + « + _L +Lj\w;+1

dt { ' тГ] • 4 тт! т" ; 3,1' г'

У-Jiv: + '4,; к»,; + ±)п: + L±(W; +1

dt \ т, ) 4^ г 3,1 г

(5)

где вероятность возбуждения JF,ocW =А"М)( 1 +BocWcos26,)(l +C°cWcosV,) электрона в центре i - той ориентацией оси типа (111) ((100)) и время релаксации г, = r„ocll)exp(l+£-oci,)cosV,"c'y); Л0Ц,), £ocl", С°с(1), г0ос(1), соф) - некоторые постоянные, D и Г-параметры захвата электронов соответственно октаэдрическими и тетраэдрическими центрами, 9, - угол между вектором поляризации света Е и / - той осью типа (111) ((100), - угол между вектором намагниченности и /'той осью типа (111) ((100). Решения кинетических уравнений в стационарном случае подставим в выражения для энергии наведенной анизотропии в виде:

(6)

где ¿','м,) - энергия /-го центра октаэдрического (тетраэдрического) типа соответственно, ¿V'L<" =-£<)W'<,)cos:Vl"tW, с,"^ - постоянная энергии анизотропии фотоактивного центра октаэдрического (тетраэдрического) типа. Рассчитанные на основе данной модели угловые зависимости Еа качественно соответствуют экспериментальным, что подтверждает пригодность предложенной феноменологической модели наведенной анизотропии. В случае октаэдрической модели при углах наведения <р < 55й , ось симметрии возникающей анизотропии лежит вблизи направления [-111] в плоскости (110), а при (р >55 плавно поворачивается вслед за направлением наведения. В случае тетраэдрической модели угол щ, принимает только два значения: = 0 при ц> < 55", и <рц = 90 0 при ср >55°. При <р ~ 55° происходит скачкообразная переориентация оси наведенной анизотропии. Для комбинированной модели угол (р практически совпадает с углом наведения при использованных параметрах, что хорошо согласуется с наблюдаемыми экспериментальными зависимостями в образцах III.

В четвертой главе описаны фотоиндуцированные изменения магнитострикции в монокристаллах ИЖГ. Измерения проводились мостовым методом пленочными хромовыми тензодатчиками, сформированными на поверхностях монокристаллических дисков (1-10) методом фотолитографии вдоль направлений [111] и [001]. Магнитострикционные деформации

(AL/L) 100 и (AL/L) '"^ изучались от направления и величины постоянного поля Н.

Для исследованных образцов на полевых зависимостях после освещения наблюдается уменьшение величины магнитострикционных деформаций

(Д1.Л.Г '""' и (AL/L)'"1' независимо от знака магнитострикции, напряженности и направления намагничивающего поля Н (рис. 8). Величина фогоиндуцированных изменений магнитострикционных деформаций больше для <111>, чем для <100> направлений. Отметим, что поляризация света не проявляется на образцах ИЖГ(Ва). Наблюдается частичная реверсивность фогоиндуцированных изменений магнитострикционных деформаций при повторных воздействиях света с выделением осей [111] и [11-1] намагничиванием или линейной поляризацией. Исходное состояние магнитострикционной деформации достигается только после нагревания.

Рис. 8. Зависимости продольной магнитострикционной деформации dL/L в образце ИЖГ(Ва) в направлении [001] (1-6) и [111] (7-9) от напряженности магнитного поля. Кривые 1,3,9 измерены до воздействия света; 2,4,8- после освещения; 1,2,5- при Н || [001]; 3,4,6- при Н || [ 110]; 7,8,9- при Н || [111]. Температура измерений 1-4 при 78 К, 8-9 при 90 К, 5,6,7-при 300 К.

Изучение зависимостей от направления

намагничивающего поля в плоскости (1-10) (угол у указывает направление намагничивания и измеряется от оси [001]) показало наличие экстремальных значений не при продольном намагничивании для всех исследованных образцов. Угловые зависимости для направления [111] описываются выражением

(dL/L)°'' '-(dL/L);" "=ЗХ*,,, [ 1 -(1 /2)sin V( 1 / )sin2V]+^,a(2/3-sin V) (7)

H . kOr

благодаря введению второго члена с дополнительным параметром X Зависимости для направления 1001] могут быть описаны выражением с

дополнительным параметром X л :

(dL/L)<ul4>-(dL/L)4,<,00> =(372)Х',оо sin> + X*Asin2v . (8)

После освещения угловые зависимости в образцах YIG(Ba) и YIG(Si) заметно

изменяются, а в образце YIG(Pb) остаются без изменений (>.т~0,39х10~5 , Ха=-1,33x10'5). Выражение (7) хорошо описывает и фотоиндуцированные угловые зависимости после первоначального освещения без выделения какой-либо оси. Для образцов YlG(Ba) угловая зависимость, измеренная по направлению [111], после освещения существенно уменьшается по амплитуде (темновые

параметры A.Jm=-0,73xl0o , Хл„= -1,42х 10'5, а после воздействия света А.'|ц=-0.63x10° , Я.'„= -1,17х10"5) , а по [001] незначительно возрастает (темновые параметры >Ло<|=0,23х10"5 , A.dA= -0,035x10"5, после воздействия света /.',„„-0.24x10"5 , Х\= -0,036x10"5). Кривая угловой зависимости (dL/L)<loo> -(dL/L)4/il0H) сдвигалась в сторону выделяемой фотомагнитным отжигом соответствующей оси [111] или [11-1]. Для описания этих сдвигов необходимо

введение параметра одноосной магнитострикции ХА вдоль соответствующей осн. Для образцов YIG(Si) угловая зависимость магнитострикции в

направлении [111] (параметры АЛп—0,107x10"5 -0,097х10"5) существенно смешается после освещения при одновременном намагничивании по [100]

направлению (>i'm=-0.028xl0 5 , V„=-0,44x 10'5) и лишь слегка изменяет форму кривой (при небольшом увеличении амплитуды) при освещении с

намагничиванием по [111] (X'm=-0,11х10"5, ^'„=-0,075x10"5). После повторного освещения при намагничивании вдоль [111] наблюдается некоторое смещение

зависимости в обратном направлении (А.'|ц=-0,043х10"5, А.'с=-0,38х10"5). Фотомагнитный отжиг по осям [111] и [11-1] сдвигает кривую угловой

зависимости 8 (X1 юи= -0,197x10"5 Д' -0,022х 10"5) в сторону выделяемой оси.

В образце YIG(Pb) изменений констант при воздействии света не наблюдалось, поэтому все фотоиндуцированные изменения магнитострикционной деформации (dIJL)'*"' от II объясняются изменениями исходного состояния доменной структуры. Фотоиндуцированные изменения полевых зависимостей магнитострикционных деформаций в образце YIG(Ba) в направлении [111] обусловлены изменениями констант магнитострикции. Отметим, что фотоиндуцированное изменение полевой зависимости магнитосгрикционной деформации в [001] направлении объясняется фотоиндуцированным изменением дополнительных некубических констант, определяющих исходное состояние образца с доменной структурой. В образцах YIG(Si) наблюдается как изменение констант магнитострикции, так и перестройка доменной структуры. Таким образом полевые зависимости в

образцах УЮ(81) объясняются как изменениями исходного состояния доменной структуры, так и изменениями констант магнитострикции.

Фотоиндуцированные явления в легированных ИЖГ объясняются изменением количества или распределения ионов Ре2" или Ре4+, наличие которых вызывает аномалии магнитострикции [12, 13]. Возникновение и перераспределение этих ионов происходит для зарядовой компенсации и уменьшения внутренних упругих напряжений в примесных кристаллах. Находясь в кристаллах в небольшом количестве и обладая отличными от

г-

основных ионов ге магнитоупругими параметрами, эти иновалентные ионы изменяют локальные упругие напряжения решетки с ионами Ре3'. Для далеко расположенных друг от друга нетрехвалентных ионов вокруг них возникают только локальные деформации и соответствующие упругие напряжения. Макроскопические магнитострикционные деформации таких кристаллов определяются ионами Ре3* в основном объеме, магнитоупругие константы которого модифицируются упругими напряжениями иновапентных ионов. Величина локальных упругих напряжений является зависящей от направления намагниченности.

Пятая глава посвящена исследованию влияния освещения на динамическое магнитоупругое взаимодействие в ИЖГ.

В параграфе 5.1. приводятся результаты экспериментального исследования эффективности возбуждения и резонансных частот контурных мод магнитоупругих колебаний, возбуждаемых переменным магнитным полем в круглых пластинах иттриевого феррита-граната. Установлена зависимость спектра от пространственной структуры переменного магнитного поля, величины постоянного поляризующего поля и его ориентации относительно возбуждающего поля, положения образца относительно магнитных полей. Условия возбуждения и вид угловой зависимости эффективности возбуждения позволяют определить структуру магнитоупругой моды колебаний.

В параграфе 5.2 приведены результаты исследований фотоиндуцированных изменений эффективности возбуждения и резонансной частоты основной моды контурных упругих колебаний круглой пластины феррита-граната. Наблюдаемое уменьшение безразмерного параметра динамической магнитоупругой связи является следствием изменения как полей анизотропии и магнитострикции, так и величины щели в спектре спиновых волн. При ориентациях постоянного поляризующего поля Н вдоль осей трудного и промежуточного намагничивания зависимости резонансной частоты контурной моды /от Я имеют аномальный участок - увеличение /с уменьшением Я (рис. 9). Резкий излом на графике зависимости 1(Н) позволяет определить величину поля насыщения Н$. Зависимости амплитуды сигнала от Я имеют квазирезонансный характер с максимумом при Я=Я5. Освещение образца приводит к уменьшению амплитуды поглощения и увеличению резонансной частоты. Величина изменения максимальна в полях, меньших поля насыщения. Наблюдается также увеличение поля насыщения. Определенная из разности полей насыщения при намагничивании по трудному

и промежуточному направлениям величина поля анизотропии составляет 138 Ое для охлажденного в темноте и 144 Ое для освещенного образца. Полученное фотоиндуцированное изменение поля анизотропии находится в согласии с результатами прямых измерений, проведенных методом вращательного магнитометра. Определялись значения поля магнитострикции

Рис.9. Зависимость частоты контурной моды от величины магнитного поля до (1) и после освещения (2). Сплошные кривые -апроксимапия выражением [14] /2(#)=/"о2(]-с), где /(И) и /о -частота упругих колебаний в поле Н и при магнитном поле, стремящемся к бесконечности, £ безразмерный параметр магнитоупругой связи, равный отношению величины магнитоупругой щели к частоте спиновых колебаний в поле Я или отношению соответствующих эффективных полей //{ц=со/у (ш-частота и у-

магнетомеханическое отношение).

Я,,,,.. поля Л/7, частоты используя данные апроксимации и определенные выше значения полей насыщения, анизотропии Яа. При Н || <110> («)/у):-(Я,о+Я:1)(Яю-2//а) [15] (внутреннее поле Н,0=Н-Ш„ +ЛЯ, ИМ0 -размагничивающее поле), получены следующие значения параметров, для темнового состояния Ят5=0,76 Ое и ДЯ=79 Ое, после освещения Яга5=0,92 Ое и ЛЯ=164 Ое. При Я || <100> ш/у=Яю+2#а параметры имеют значения для темнового состояния Ят,г=0,57 Ое и ДЯ=150 Ое, после освещения Ят5=0,65 Ое и ЛЯСЗООе.

Шестая глава посвящена исследованию воздействия света на ЯМР 57Г'е в ферритах гранатах иттрия, изучению формирования сигналов ЯМР ДГ при различной их ориентации и наличии стабилизации, обусловленной наведенной анизотропией.

С использованием непрерывной методики ЯМР экспериментально исследован эффект воздействия света на ЯМР поглощение Ре57 в монокристаллах У^РсзО^, выращенных из растворителя ВаО-В2Оз (рис. 10). Особенностью спектров в исходном и частично засвеченном состояниях является большое различие формы линии отдельных сигналов ЯМР. Отсутствие одного из сигналов 180-градусных границ от октаэдрических узлов позволяет сделать предположение о малой подвижности 180-градусных границ на частотах ЯМР. Обнаружено, что наряду с обычными для ЯМР в магнетиках сигналами, вид которых определяется наложением кривых поглощения и дисперсии, наблюдаются сигналы (наиболее высокочастотные для тетраэдрических и октаэдрических положений), имеющие вид инвертированных сигнапов поглощения. Воздействие света вызывает

4.«1112

уменьшение и полное подавление сигналов ЯМР ДГ. Сигналы ЯМР, остающихся после засветки, обусловлены поглощением в объеме доменов.

Рассмотрены условия формирования сигналов ЯМР в блоховской доменной границе многоосного магнетика при произвольной ориентации оси одноосной анизотропии. Получены выражения, определяющие направления намагниченности в ДГ, для которых выполняются условия максимума спектральной плотности ядерных спинов, а также частоты соответствующих возможных сигналов ЯМР ДГ в зависимости от ориентации границы. В спектре поглощения возможны два сигнала ЯМР, причем частота одного зависит, а другого не зависит от ориентации оси анизотропии локального магнитного поля. Рассмотрены вклады отдельных подрешеток в максимумы поглощения ЯМР 180°, 109° и 71° ДГ, приведены выражения,

определяющие частоты сигналов ЯМР ДГ и координаты соответствующих спинов в границе в зависимости от ориентации плоскости ДГ в неограниченном кристалле феррита-граната с К|<0. Форма линии поглощения ЯМР ДГ рассчитывалась численно, используя

-лЬ—

64,0

75,2

выражение [16] :

75 4 f.MHz

Рис.10. Первая производная основных сигналов ЯМР поглощения при различных временах воздействия света t (в минутах): 1 и 6 - 0; 2-1,0; 3-3,0; 4-6,0; 5 -16,0: 7-1,5; 8-4,5: 9-17,0.

P=n£ jldcp / dz'f(v - у,(ф)^ф

где V - переменная частота, N - нормировочный множитель (|/'(¡V = 1), -

локальная функция формы линии, (р - угол разворота вектора намагниченности М в плоскости ДГ, ±ф„ - значения ф в доменах, ось ъ направлена вдоль нормали к плоскости ДГ и у,(ф) =(1-3-соз2у:) - зависимость частоты ЯМР ядра ¡-той подрешетки (1=1, 2, 3 для с1- подрешеток и ¡=1, 2, 3, 4 для а- подрешеток в соответствии с возможными направлениями локальных осей анизотропии) от его положения в доменной границе, у; - угол между локальной осью анизотропии ядра и М, по неэквивалентным подрешеткам производится равновесное суммирование. Предполагалось распределение намагниченности в ДГ неизменным при ее квазистатическом движении. При расчетах формы линии поглощения ЯМР ДГ локальная форма линии апроксимировалаеь распределением Лоренца. Ширина распределения д принималась равной 10"' для с!- и \0'ш для я- позиций.

В параграфе 6.3 рассмотрено влияние процессов стабилизации на форму линии поглощения ЯМР 180° бдоховской ДГ в кубических кристаллах с комбинированной магнитной анизотропией. Изучены зависимости формы линии поглощения ЯМР ДГ от величины констант наведенной анизотропии и амплитуды продольного РЧ поля для плоскости ДГ - (1-10). В плотности энергии (ДГ) учитываются следующие члены: энергии кубической анизотропии (Лт<0) и одноосной анизотропии (Ки), снимающей вырождение кубических осей, с осью симметрии вдоль [111], обменная энергия (А), энергия смещающего ДГ внешнего магнитного поля (Л ) и энергии наведенной анизотропии (F, G):

sin4 ф cos4 ф

i',,, ! К =-q(--+ —:—~ — sin ф cos<p) + sm" ф - л cos ф + а(ф )" -

4 3 3 (10)

- / la;!?;

где q-\K¡\/Ku, h-h'/Ku, а=А/Ки, f=F/Ku, g=G/Ku, a¡ - направляющие косинусы вектора намагниченности, Д - направляющие косинусы вектора намагниченности в исходной (до стабилизации) ДГ, направления намагниченности в доменах совпадают с направлениями [111] и [-1.-1-1], соответственно, краевые условия задачи имеют вид: ф(-оо)=0, ф(+оо)=л, ' ф'(±=с)=0, где <р - угол, откладываемый от направления [111], и описывающий вращение вектора намагниченности в ДГ.

Поглощение на участке ДГ [у, y+dy] (ось у направлена вдоль нормали к плоскости границы) пропорционально квадрату амплитуды переменной составляющей локального магнитного поля на ядре. Форма линии поглощения ЯМР ДГ в этом случае будет иметь вид:

P(v) = N]T |<Дф; >dy/(AJ+(v,(v)-v)!), (11)

где 1=1, 2, 3, 4 (1, 2, 3) для а- мест (d- мест), N - нормировочный коэффициент (JíVv=l), Д=10"', V - частота радиочастотного поля h', <Дф2> - средний за период колебаний квадрат изменения угла ориентации вектора намагниченности при квазистатическом смещении ДГ в результате действия поля h .

Исследование влияния процессов стабилизации ДГ на форму линии поглощения ЯМР показало необходимость учета изменения структуры 180° ДГ при ее смещении с места стабилизации. В спектре поглощения ЯМР формируются три максимума на приведенных частотах -2, 0, 1 для а-подрешеток и -2, -0.5, 1 для d- подрешеток, что совпадает с данными для спектров 180° ДГ с аналитически определяемой структурой. Увеличение констант наведенной анизотропии приводит к абсолютному уменьшению интенсивности поглощения на всей полосе поглощения и относительному изменению амплитуд максимумов поглощения ЯМР ДГ.

В седьмой . главе представлены результаты исследований фотоиндуцированных изменений оптического поглощения в монокристаллах ИЖГ. в которых были изучены описанные выше фотомагнитные явления.

В параграфе 7.1 описаны два типа фотоиндуцированных эффектов па оптическом поглощении, обнаруженные в исследованных образцах. Первоначальный эффект необратимого при температуре жидкого азота изменения оптического поглощения наблюдается при воздействии света через КС -17 и обратимое уменьшение поглощения после последующих ИК воздействиях. Имеются некоторые особенности проявления этих эффектов в образцах ИЖГ(Ва) и ИЖЦБО, обусловленные различием количества и типа нетрехвалентных ионов железа. Так, первоначальный эффект в ИЖГ(81) имеет немонотонный характер. Для образцов ИЖГ(Ва) первоначальное освещение увеличивает оптическую плотность, а в ИЖЦБО поглощение уменьшается. Максимальная величина эффекта для всех образцов лежит вблизи длинноволнового края поглощения (1 цт) и монотонно убывает к 1,5 цт. Причем для ИЖГ(50 максимальный эффект (Да~-2 сш"') наблюдается при освещении через ИКС-7, а для ИЖГ(Ва) (Аа~1 ст"') - при освещении через КС-17. Обратимый эффект после выключения ИК воздействия в ИЖГ(Б1) распадается самопроизвольно, а в ИЖГ(Ва) обратимость достигается дополнительным воздействием света через светофильтр КС-17.

В параграфе 7.2. представлены результаты исследования оптического поглощения на 1,1 цт при воздействии монохроматического излучения из диапазона 0.6-1,9 цт. Обнаружено, что воздействие света в интервале 0,9-1,9 цт вызывает уменьшение оптического поглощения (Х| 1 на 1,1 цт (максимум эффекта "просветления" наблюдается при 1,25 цт), а при освещении в интервале 0,6-0,9 цт наблюдается возрастание и, | (максимум эффекта "затемнения" наблюдается при 0,75 цт). Смена знака эффекта происходит на граничной длине волны Х^е воздействующего света при 0,9 цт. Величины эффекта фотоиндуцированного "просветления" и "затемнения" одного порядка. В ИЖГ(Ва) "просветление" вызывается светом 1,15-1,6 |дт, "затемнение" наблюдается при 0,6-1,15 цт, смена знака эффекта'происходит при «1,15 цт. В области "затемнения" имеются две особенности при 0,75 цш и при 1,0 |лт. Величина "просветления" на порядок меньше эффекта "затемнения".

В кристалле с акцепторным легированием ИЖГ(Ва) возрастание а связано с образованием Ре4", при фотовозбуждении октаэдрического иона Ре3*, электронные переходы которого имеют энергии [17,18]: 10800ст"'-

[''А|6(68)—>4Т|8(4С)] и 14200ст"'-[6А16(65)->4Т28(40)]. Исследованные временные зависимости показывают, что возрастание оптического поглощения в ИЖГ(Ва) носит необратимый характер. Для возвращения оптического поглощения в исходное состояние необходимо нагревание образца. Обратимое небольшое уменьшение оптического поглощения в ИЖГ(Ва) может быть связано с соответствующим обратимым уменьшением количества нетрехвалентных ионов железа. Совместный анализ спектральной зависимости и временных изменений оптического поглощения в ИЖГ(Б1) позволяет сделать следующие выводы. В кристалле с донорным легированием ИЖГ(81) возрастание а связано с образованием ионов Ре2' преимущественно в "дальнем", относительно 814*,

24

положении, вследствие фотоионизации кремния и локализации фотоэлектрона на вакантный (до освещения) уровень 5Ее иона Fe2+. В пользу "дальних" положений свидетельствует малая величина обратимого эффекта последующего "просветления" при воздействии света на длине волны 1,3 рт (обратного перераспределения ионов Fe2T из дальних в ближние не происходит). Первоначальное уменьшение а в H>Kr(Si) объясняется перераспределением ионов te в выгодные дальние узлы, в которых оптическое поглощение меньше из-за более слабых структурных искажений.

В параграфе 7.3. 'рассмотрен обнаруженный эффект дополнительного оптического поглощения. Увеличение интенсивности света до 3\V/cm" вызывает дополнительное возрастание коэффициента поглощения а до значения а;с|, которое значительно превышает величину acq|. При выключении освещения в момент достижения максимального значения аГЕ|, достигнутый уровень поглощения медленно релаксирует до величины acqi- Обнаружено, что процесс релаксации резко ускоряется при кратковременном освещении образца светом малой интенсивности (10 mW/cm2), с длиной волны ?чг>0,9 p.m. Возможен полный, частичный или поэтапный сброс аГС|. После ИК сброса а до уровня аеч| последующее ИК освещение не влияет на уровень оптического поглощения. Повторное воздействие света с Р=3 W/cm2 в очередной раз увеличивает коэффициент поглощения до значения агс|. Отметим, что при интенсивности 3 W/cm2 воздействующего света наблюдается и нагрев образца, находящегося на холодном пальце оптического криостата. Обнаруженные особенности возникновения дополнительного оптического поглощения и его гашения могут быть обусловлены изменением орбитального состояния у части уже имеющихся фотоиндуцированных ионов Fe4".

В параграфе 7.4. представлены результаты исследований фотоиндуцированных изменений коэффициента оптического поглощения Да(Х) в ИЖГ(81) и ИЖГ(Ва) в спектральном диапазоне 0,7-1,9 цт при 80 К при воздействии света определенных спектральных диапазонов, вызывающих различные изменения в оптическом спектре (рис. 1!).

Первоначальное, после охлаждения, воздействие света спектральной областью 1,5-2,5 цт (все длины волн воздействующего света X., больше граничной длины волны 1^=1,15 цт) вызывает в ИЖГ(Ва) незначительное уменьшение поглощения во всем исследуемом диапазоне длин волн. При первоначальном освещении спектральной областью 0,8-1,0 рт (длины волн воздействующего света < A,edgc) в исследованном спектральном диапазоне фотоиндуцированное изменение поглощения значительно больше. Наблюдается фотоиндуцированное уменьшение коэффициента поглощения в диапазоне 0,7-0,83 цт (с максимумом около 0,7 цт) и возрастание в диапазоне 0,83-1,8 цт (с максимумом около 1,0 цт). Смена знака фотоиндуцированного поглощения происходит при 0,835 цт.

В образце PDKr(Si) при первоначальном освещении спектральной область 1,0-2,0 |дт во всем исследованном интервале происходит уменьшение

коэффициента поглощения. Для ИЖГ(51) значение граничной длины волны в спектре воздействующего света -0,9 цт. Вторичное воздействие света =0,65-0,9 ргп) приводит к дальнейшему уменьшению коэффициента поглощения около 0,7цт, но вызывает возрастание коэффициента поглощения на полосе с максимумом около 1.0рт (выше значения а наблюдаемого до первоначального освещения). Смена знака фотоиндуцированного эффекта изменения оптического поглощения происходит на 0,885 цт.

Рис. 11. Фотоиндунировацные спектры оптического поглощения Да(л) при воздействии свега различных спектральных диапазонов ИЖГ(Ва):

кривая 1- воздействие света спектрального диапазона 1.5-2 цш, кривая 2- воздействие света спектрального диапазона 0.65-0.9 цт. ИЖГ:8к кривая 3- воздействие света спектрального диапазона 1.0-2 цт, кривая 4- воздействие света спектрального диапазона 0.65-0.9 цп\. Температура измерения 80 К.

Оптическое поглощение ИЖГ в видимой и ближней ИК-области определяется электронными переходами в кристаллическом поле ионов Ре3'. Уровень поглощения возрастает при увеличении концентрации иновалентных ионов Ре"т/Ре4+ [17,18] и понижении симметрии кислородного окружения иона Ре'". Уменьшение оптического поглощения в образце с донорным легированием ИЖГ(51) происходит вследствие перераспределения октаэдрических ионов Ре2т в "дальние" относительно примесного иона 514+ октаэдрические положения с более высокой степенью симметрии кислородного окружения и из-за уменьшения кулоновского воздействия иона 514' [18]. При этом за счет уменьшения искажения симметрии происходит уменьшение оптического поглощения не только примесных ионов железа Ре2+, но и электронных переходов октаэдрических ионов Ре3+. Увеличение коэффициента поглощения в образце с акцепторным легированием ИЖГ(Ва) с максимумом около 1цш обусловлено образованием при освещении ионов Ре4*, чю приводит к появлению разрешенного по спину переходу в кристаллическом поле 5Т?—>5Е, который имеет максимум около ЮОООст"1. Уменьшение оптического поглощения обусловлено уменьшением вероятности переходов (уменьшением силы осциллятора электронных переходов)

октаэдрических ионов Ре3+ [%8(65)^4Т,8(4С),4Т2,,(4С)] при перераспределении электронов между ионами железа и бария. Наблюдаемое возрастание

оптического поглощения в области перехода 'А^Б)—» 4Т2е(40) объясняется преобладанием механизма увеличения поглощения за счет ионов Ре4+.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Воздействие света, существенно изменяя основные параметры халькогенидных шпинелей и ферритов-гранатов иттрия, предоставляет уникальные возможности для исследования физических свойств магнетиков с неоднородными параметрами. В легированных кристаллах возможна неоднородность магнитоупругих и упругих параметров, магнитной анизотропии и др. Причем высокоанизотропные центры могут проявляться сразу при легировании (CdCr2Se4:Ag, УзРе50|2:81) или возникать в результате воздействия света (^СггЗе^Са, УлБезО^Ва).

Как следует из всего рассмотренного выше основными параметрами, которые изменяются при воздействии света и проявляются во всех исследованных свойствах, являются константы кубической и наведенной магнитной анизотропии. В фотоиндуцированной магнитной анизотропии определенный вклад может быть магнитоупругой природы. При температуре жидкого азота фотоиндуцированная магнитная анизотропия может иметь "замороженный" характер (монокристаллы ИЖГ(Ва) или после выключения света релаксировать (монокристаллы селенохромита кадмия). По фотоиндуцированным изменениям проницаемости монокристаллы ИЖГ(Ва) при комнатной температуре ведут себя подобно монокристаллам селенохромита кадмия при температуре жидкого азота.

Макроскопические проявления фотоиндуцированной анизотропии определяются локальными изменениями анизотропии в различных центрах, в октаэдрических или тетраэдрических положениях, в которых . при определенных условиях возможно долговременное существование анизотропных ионов. Фотоиндуцированные изменения анизотропии обусловлены соответствующим изменением количества анизотропных центров. Анизотропные центры считаются одноосными типа "легкая ось" или "легкая плоскость", учитываются параметры анизотропии второго, четвертого, шестого порядка (иногда необходимо учитывать и более высокие порядки). Параметры одноосной анизотропии второго порядка ярко проявляются при различных наведениях анизотропии и в эффектах стабилизации доменных границ и намагниченности. Параметры четвертого и шестого порядка определяют изменения кубических констант анизотропии К\ и Кг соответственно.

Измерение на анизометре констант кубической и наведенной магнитной анизотропии недостаточно для понимания особенностей анизотропных центров, их релаксационных свойств, характера взаимодействия с колебаниями намагниченности и доменных границ. Из измерений анизотропии делать выводы о наличии анизотропных центров в образцах в небольшом количестве очень трудоемко, поскольку требуют очень точных измерений на ряде образцов, и практически невозможно, если центры релаксирующие. Наиболее легко обнаруживать анизотропные центры при исследованиях процессов перемагничивания, динамической проницаемости, гармоник проницаемости, нелинейных искажений, петель гистерезиса. Воздействие света позволяет выявлять в фотомагнитных монокристаллах примеси и другие дефекты

27

кристаллической решетки, которые в отсутствие освещения на магнитных свойствах не проявляются. О вязкостном или упругом характере взаимодействия анизотропных центров свидетельствуют частотные зависимости динамической проницаемости, импульсные методики информативны при релаксационном характере анизотропных центров. Вклад констант анизотропии второго порядка от равновероятно распределенных анизотропных центров по неэквивалентным узлам определенного типа на кубической анизотропии не выявляется, однако он проявляется, например, в изотропном сдвиге частоты контурных мод магнитоупругого резонанса 1 частоты ферромагнитного резонанса).

Возникновение и перераспределение анизотропных центров при воздействии света проявляется во всех исследованных свойствах. Фотоиндуцированные изменения колебаний отдельных доменных границ, проницаемости (восприимчивости), гистерезиса, ЯМР в основном объясняются стабилизацией ДГ и, в, меньшей мере, намагниченности. Фотоиндуцированные изменения частоты контурных мод определяются и стабилизацией намагниченности и ДГ, и изменением кубической анизотропии, а также магнигоупругих параметров. Изменения доменной структуры при воздействии света определяются фотоиндуцированными изменениями как кубических параметров, так и параметрами наведенной анизотропии. В фотоиндуцированных оптических свойствах проявляется как количество возникших центров (нетрехвалентных ионов железа), так и их распределение (перераспределение), поскольку оптическое поглощение изменяется и за счет примеси и из-за структурных факторов (упругих напряжений и др.). Фотоиндуцированная анизотропия проявляется и на магнитострикции (полевых зависимостях), изменяя начальное состояние с доменной структурой.

Проведённые комплексные исследования позволили определить ответственные за фотоиндуцированные явления анизотропные ионы, исходя из знака изменений констант анизотропии, направлений наведения, наличия или отсутствия поляризованного эффекта, спектра оптического поглощения и др. Действительно, наличие эффекта поляризованного света при наведении анизотропии предполагает участие ионов Ре2\ которые могут иметь различное орбитальное состояние, т.е. быть центрами типа "легкая ось" (монокристаллы УзРе^О^^) или "легкая плоскость" (нелегированные эпитаксиальные пленки У;Ре50,2). Отсутствие эффекта поляризованного света при наведении анизотропии предполагает наведение анизотропии при фотомагнитном отжиге за счет перераспределения ионов Ре4', а на основании возрастания кубической анизотропии при воздействии света делается вывод, что ионы Ье являются центрами типа "легкая плоскость". Предложены кинетические уравнения образования и перераспределения анизотропных центров с учетом доминирования при наведении анизотропии плоскости поляризации света или. направления намагничивания при неполяризованном свете, наведении анизотропии перпендикулярно или параллельно плоскости поляризации, возможности наведения анизотропии только в определенных направлениях или практически в любом направлении. Отметим, что при воздействии света, по-

28

видимому, можно изменять орбитальное состояние анизотропных ионов, так как состояние октаэдров в неоднородных образцах допускает локальные деформации как сжатия, так и растяжения вдоль тригональных осей относительно правильного октаэдра, а освещение можно сочетать с соответствующими упругими напряжениями. В связи с этим отметим обнаруженный в монокристаллических пластинах ИЖГ(Ва) эффект дополнительного изменения оптического поглощения при больших ингенсивностях света.

Для объяснения фотоиндуцированных явлений были изучены структура ДГ и их стабилизация на неоднородностях анизотропии, СПМФП в кубических магнетиках с комбинированной наведенной анизотропией, формирование ЯМР спектров ДГ в ферритах-гранатах, эффективность возбуждения и резонансные частоты контурных мод круглых пластин ИЖГ и др. При изучении были обнаружены новые интересные особенности исследованных явлений, не связанные с фоточувствительными свойствами: наличие некубических параметров магнитострикции, инвертированные сигналы ЯМР, анизотропия возбуждения контурных мод и др.

В завершение сформулируем основные результаты диссертационной работы в виде кратких выводов:

1. Впервые исследована доменная структура в ферромагнитном полупроводнике Сс!Сг;5е4 и воздействие света на ДС. Установлено возникновение при воздействии освещения в СёС^Бе^ легированном галлием, наведенной анизотропии релаксационного характера, стабилизирующей ДГ". Теоретически изучена структура границ и взаимодействие доменных границ с различными неоднородностями магнитной анизотропии.

2. Обнаружены фотоиндуцированные эффекты магнитного последействия, обусловленные наведенной анизотропией, и предложен механизм возникновения при освещении наведенной анизотропии в магнитном полупроводнике СсЮггБе^Са на основании модели пространственно разделенных неэквивалентных октаэдрических узлов и определяющей роли релаксации фотоэлектронов с ионов хрома, приводящей к перераспределению ионов Сг* в пользу выгодных относительно направления намагниченности узлов.

3. Продемонстрирована возможность управления состоянием доменной структуры в монокристаллах и пленках ИЖГ, как в статике, так и в динамике поляризованным и неполяризованным светом, локально и в целом по кристаллу. Определено многообразие реализуемых ориентации намагниченности и плоскости ДГ в кубических кристаллах при различных соотношениях констант кубической и комбинированной наведенной анизотропии, и показано, что переориентация намагниченности и плоскости ДГ может происходить вследствие фазовых переходов и первого, и второго рода.

4. Систематически исследовано воздействие света на процессы перемагничивания ИЖГ. Впервые обнаружено и изучено обратимое

фотоиндуцированнос изменение динамической проницаемости при комнатной температуре (до 60° С). При 77 К достигнуто вызванное освещением реверсивное изменение проницаемости и петли гистерезиса.

5. Обнаружено, что магнитная анизотропия в ИЖГ под воздействием света может как возрастать, так и уменьшаться. Определено большое разнообразие возможностей наведенной анизотропии в монокристаллах и пленках ИЖГ, и на основе предложенных кинетических уравнений дано объяснение доминирования при наведении плоскости поляризации или направления намагничивания, наведения анизотропии параллельно или перпендикулярно плоскости поляризации.

6. В монокристаллах ИЖГ впервые обнаружены и исследованы фотоиндуцированные изменения в магнитострикционных деформациях, обусловленные изменениями как констант машитострикции, так и фотоиндуцированными изменениями доменных структур. Показана зависимость фотоиндуцированных изменений магнитострикции от поляризации света и направления намагничивания во время освещения. Фотоиндуцированные изменения параметров магнитострикции объясняются соответствующими изменениями магнитоупругих напряжений, обусловленных не трехвалентными ионами железа.

7. Впервые обнаружено, что воздействие света вызывает уменьшение и полное подавление сигналов ЯМР "Fe ДГ в монокристаллах ИЖГ. Сигналы ЯМР. остающихся после засветки, обусловлены поглощением в объеме доменов. Рассмотрены условия формирования сигналов ЯМР в блоховской доменной границе многоосного магнетика при произвольной ориентации оси одноосной анизотропии. Установлены закономерности формирования сигналов ЯМР ДГ, исходя из положения ядер Fe57 в границе и в кристаллографической структуре фаната, исследована роль стабилизации ДГ.

8. Впервые исследованы фотоиндуцированные изменения эффективности возбуждения и резонансной частоты основной моды контурных упругих колебаний круглой пластины феррита-граната. Обнаружено уменьшение безразмерного параметра динамической магнитоупругой связи. Показано, что под влиянием освещения происходит изменение эффективного поля магнитострикции и магнитной анизотропии.

9. Обнаружено, что величина и знак фотоиндуцированного изменения оптического поглощения в ближней ИК области спектра в основном определяется спектральным составом воздействующего света, а не легирующей примесью. Легирующая примесь определяет характерные диапазоны в спектре воздействующего света, вызывающие фотоиндуцированные изменения а различного знака. Впервые обнаружен эффект дополнительного возрастания коэффициента оптического поглощения а при воздействии света интенсивностью более 1 W/cm2, особенностью которого является быстрый возврат в исходное состояние при кратковременном освещении образца ИК светом малой интенсивности (10 mW/cm2).

СПИСОК ОСНОВНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Дорошенко P.A., Фарзтдинов М.М., Антонов Л.И., Аминов Т.Г., Калинников

B.Т. Наблюдение доменной структуры в магнитном полупроводнике CdCr2Se.4 // ФТТ. - 1979. -Т.21, вып.1. - С. 227-228.

2. Дорошенко P.A., Веселаго В.Г., Фарзтдинов М.М., Калинников В.Т. Прямое наблюдение воздействия света на доменную структуру магнитного полупроводника CdCr2Sc4:Ga // ФТТ. - 1979. - Т.21, вып.1. - С.292-294.

3. Дорошенко P.A., Веселаго В.Г., Фарзтдинов М.М., Калинников В.Т. Фотоиндуцированная магнитная анизотропия в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 // ФТТ. - 1979. - Т.21, вып. 7. - С.2193-2195.

4. Дорошенко P.A., Веселаго В.Г., Фарзтдинов М.М., Калинников В.Т. О визуально наблюдаемом воздействии света на доменную структуру в магнитном полупроводнике CdCr2Se4:Ga // ФТТ. - 1980. - Т.22, вып.7. -

C.2216-2218.

5. Дорошенко P.A. Дестабилизация доменной структуры в электрическом поле в магнитном полупроводнике CdCr2Se'4:Ga // ФТТ. - 1981. - Т.23, вып.8. -

С.889-891.

6. Дорошенко P.A., Веселаго В.Г. Дезаккомодация восприимчивости и фотоиндуцированная анизотропия в магнитном полупроводнике CdCr2Se4, легированном галлием.// ФТТ. - 1981. - Т.23, вып. 4. - С. 1170-1172.

7. Дорошенко P.A., Веселаго В.Г., Фарзтдинов М.М., Евдокимов С.И., Калинников В.Т. Фотоиндуцированное изменение комплексной магнитной восприимчивости в магнитном полупроводнике CdCr2Se4, легированном галлием // ФТТ. - 1981. - Т.23, вып. 5. - С. 1417-1421.

8. Дорошенко P.A., Веселаго В.Г. О механизме фотоиндуцированных магнитных явлений в магнитном полупроводнике CdCrjSe4, легированном галлием И Труды ФИ АН. - 1982. - Т. 139. - С.67-83.

9. Веселаго В.Г., Дорошенко P.A., Сетченков М.С. Фотоиндуцированные магнитные неоднородности в ИЖГ // Письма в ЖТФ. -1986. - Т. 12, вып. 17. -С.1075-1080.

10. Веселаго В.Г., Владимиров И.В., Дорошенко P.A., Сетченков М.С. Фотоиндуцированные магнитные явления в магнитоупорядоченных кристаллах. Статика и динамика доменной структуры в фотомагнитных ИЖГ // Препринт ИОФАН СССР. - 1987. - № 56. - 61 с.

11. Дорошенко P.A., Веселаго В.Г., Владимиров И.В., Сетченков М.С. Трансляционное движение доменных границ в иттрий-железистом гранате при воздействии света // ФТТ. - 1988. - Т.29, вып.9: - С.2758-2762.

12. Веселаго В.Г., Воробьева Н.В., Дорошенко P.A. Фотоиндуцированное изменение магнитострикции в ИЖГ // Письма в ЖЭТФ. - 1987. - Т. 45, вып.8. - С.402-404.

13. Веселаго В.Г., Дорошенко P.A., Владимиров И.В., Сетченков М.С., Надеждин М.Д. Фотоиндуцированные изменения доменной структуры в эпитаксиальных пленках иттрий-железистого граната // Письма в ЖТФ. -1988.-Т. 14, вып. 12. - С. 1079-1082.

14. Дорошенко P.A., Владимиров И.В., Сетченков М.С. Фотоиндуцированные доменные структуры в монокристаллических пленках иттрий-железистого граната // ФТТ. - 1988. - Т.ЗО, вып.9. - С.2834-2836.

15. Дорошенко P.A., Сетченков М.С. Анизотропия фотоиндуцированного изменения магнитной проницаемости в иттрий-железистых гранатах // ФТТ. - 1988. - Т.ЗО, вып.8. - С.2508-2509.

16. Веселаго В.Г., Дорошенко P.A., Сетченков М.С., Надеждин М.Д. Светоиндуцированная дестабилизация доменной структуры в монокристаллических пленках и пластинах ИЖГ // ФТТ. - 1988. - Т.ЗО, вып.9. -С.2863-2865. ,

1 7. Дорошенко P.A., Халилов Р.З. Нелинейная динамическая магнитная

проницаемость и петли гистерезиса CdCr2Se4 при воздействии света // В сб. "Динамика и статика доменной структуры в магнитоупорядоченных кристаллах". Уфа: БНЦ Уро АН СССР. - 1988. - С.49-66. 1 S. Дорошенко P.A., Халилов Р.З. Реверсивность фотоиндуцированных изменений магнитной проницаемости и петли гистерезиса в фотомагнитных иттрий-железистых гранатах // В сб "Динамика и статика доменной структуры в магнитоупорядоченных кристаллах". Уфа: БНЦ УрОАН СССР. - 1988. - С.74-84.

19. Серегин C.B., Дорошенко P.A., Тимофеева В.А., Фахретдинова P.C. Фотоиндуцированное изменение ЯМР 57Fe в Y;,Fe50)2 // Письма в ЖЭТФ. -1989.-Т.50, вып.3,-С.130-132.

20. Веселаго В.Г., Владимиров И.В., Дорошенко P.A., Плавский В.В. Изменение структуры доменных границ и однородности намагниченности на неоднородностях магнитной анизотропии // Препринт ИОФАН СССР. -

1989.-№53.-34 с.

21. Веселаго В.Г., Владимиров И.В., Дорошенко P.A., Сетченков М.С. Фотоиндуцированная магнитная анизотропия в монокристаллических пленках иттрий-железистого граната // ФТТ. - 1989. - Т.31, вып.2. - С.272-274

22. Veselago V.G., Vladimirov I.V., Doroshenko R.A. Bloch 180° Domain Wall in Cubic Ferromagnetics with Magnetic Anisotropy Inhomogeneities // Phys.Lett.A. - 1990. - V.143, N8. - P.429-431.

23. Веселаго В.Г., Дорошенко P.A., Халилов Р.З., Тимофеева В.А. Фотоиндуцированное изменение магнитной проницаемости в монокристаллах УзРе50|2 при комнатной температуре // Письма в ЖТФ. -

1990. - Т. 16, №7. - С.34-37.

24. Владимиров И.В., Дорошенко P.A. Магнитные фазовые диаграммы кубических магнетиков (Ks<0) с комбинированной наведенной анизотропией // ФТТ. - 1991. - Т.ЗЗ, вып.11. - С.3402-3405.

25. Дорошенко P.A., Серегин C.B., Фахретдинова P.C. Особенности ЯМР поглощения в доменных границах итгриевого феррита-фаната // В сб. "Статические и динамические свойства магнитоупорядоченных кристаллов". - Уфа, 1990. - С.42-49.

26.

27.

28.

29.

30.

31

32.

33

34.

35

36

37.

38.

39.

Дорошенко P.A., Сетченков M.С., Владимиров И.В., Тимофеева В.А. Фотоиндуцированная магнитная анизотропия в монокристаллах иттрий-железистых гранатов // ФТТ. - 1992. - Т.34, вып.2. - С.377-382. Дорошенко P.A. Фотомагнитные явления в иттрий-железистых 1ранатах И Труды ИОФАН. 1992. - Т.44. - С. 105-147.

Веселаго В.Г., Дорошенко P.A. Фотоиндуцированная стабилизация доменной структуры и процессы перемагничивания в ферромагнитном полупроводнике CdCr2Se4 // Труды ИО ФАИ. - 1992. - Т.44. - С. 13-3 I. Веселаго В.Г., Владимиров И.В., Дорошенко P.A. Доменные границы в кубических кристаллах с неоднородностями магнитной анизотропии // Труды ИОФАН. - 1992. - Т.44. - С.92-109.

Владимиров И.В., Дорошенко P.A. Спин-переориентационные фазовые переходы и ус тойчивые состояния 180° блоховской доменной границы в пластине (001) кубического магнетика (К|<0) с комбинированной наведенной анизотропией // ФММ. - 1993. - Т.75, вып.З. - С.19-24. Дорошенко P.A., Серегин C.B., Фахретдинова P.C. ЯМР спектры доменных границ в иттрий-железистом гранате // Межвузовский сборник "Статика и динамика упорядоченных сред". Уфа. 1993. С.54-59. Дорошенко P.A., Серегин C.B., Фахретдинова P.C. Спектры ЯМР Fe57 доменных 1раниц кубических ферритов-гранатов при Kt>0 // Сб. Статика и динамика упорядоченных сред,- Уфа, 1993. - С. 124-126. Владимиров И.В., Дорошенко Р.А.Спин-переориентационные фазовые переходы и 180° блоховские доменные границы в кубических кристаллах с комбинированной наведенной анизотропией // ФТТ. - 1993. - Т.35, вып.11. -С.2908-2916.

Владимиров И.В., Дорошенко P.A. Влияние неоднородности магнитной анизотропии на структуру и закрепление доменных границ в кубических кристаллах с К,>0 // ФММ. : 1994. - Т.78, вып.6. - С. 16-21. Владимиров И.В., Дорошенко P.A. Влияние константы Кг на спин-переориентационные фазовые переходы в кубических кристаллах с комбинированной магнитной анизотропией // ФММ. - 1994. - Т.78, вып.4. -С.84-91.

Веселаго В.Г., Дорошенко P.A., Рудов С.Г. Поляризационные зависимости фотоиндуцированных изменений магнитокристаллической анизотропии в Y-iFe<Oi2 при импульсном возбуждении // ЖЭТФ. - 1994. - Т.45, вып.З. -С.638-647.

Владимиров И.В., Дорошенко P.A. Влияние константы Кг на однородное состояние вектора намагниченности в кубическом магнетике (К)<0) с комбинированной наведенной анизотропией // ФТТ. - 1995. - Т.37, вып.8. -С.2225-2228.

Владимиров И.В., Дорошенко P.A. Спин-переориентационные фазовые переходы в кубическом магнетике с наведенной вдоль направления [211] магнитной анизотропией // ФММ. - 1996. -Т.8, вып.4. - С.182-185. Дорошенко P.A. Воздействие света на магнитоупорядоченные кристаллы // В кн. "Физика в Башкортостане". - Уфа, 1996. - С. 147-162.

зз

40. Дорошенко Р.А., Надеждин М.Д. Фотоиндуцированные изменения оптического поглощения // ФТТ. - 1996. - Т.38, вып.Ю. - С.3075-3078.

41. Дорошенко Р.А., Серегин С.В., Фахретдинова Р.С. ЯМР спектры доменных 1раниц в кубических феррогранатах // ФТТ. - 1996. - Т.38, вып.12. - С.3642-3646.

42. Дорошенко Р.А., Серегин С.В. Фотоиндуцированное изменение динамического магнитоупругого взаимодействия в иттриевом феррите-гранате // ФТТ.-1997. - Т.39, вып.6. - С. 1081 -1083.

43. Серегин С.В., Дорошенко Р.А. Особенности возбуждения нормальных мод магнитоупругих колебаний в пластинах иттриевого феррита-граната // В сб. "Структурные, магнитоупругие и динамические эффекты в упорядоченных средах". - Уфа, 1997. - С. 28-35.

44. Дорошенко Р.А., Воробьева Н.В. Фотоиндуцированное изменение магнитострикции в иттрий-железистых гранатах // В сб. "Структурные, магнитоупругие и динамические эффекты в упорядоченных средах". - Уфа, 1997.-С. 36-48.

45. Фахретдинова Р.С., Дорошенко Р.А., Серегин С.В. ЯМР доменных границ в пластине (110) феррита-граната // В сб. "Структурные, магнитоупругие и динамические эффекты в упорядоченных средах". - Уфа, 1997. - С. 132-139.

46. Надеждин М.Д., Дорошенко Р.А. Спектральная чувствительность фотоиндуцированного оптического эффекта в ИЖГ // В сб. "Структурные, магнитоупругие и динамические эффекты в упорядоченных средах". - Уфа, 1997.-С. 149-160.

47. Дорошенко Р.А., Надеждин М.Д. Светоиндуцированные изменения оптического поглощения в пластинах монокристаллов ИЖГ // В сб. "Научных трудов Всероссийской научной конференции Физика конденсированного состояния". - Стерлитамак, 1997. - С.35-37.

48. Владимиров И.В., Дорошенко Р. А., Серегин С.В., Фахретдинова Р.С. Влияние процессов стабилизации на сигналы ЯМР 180° доменных границ в кубических кристаллах ферритов- гранатов // ФТТ. - 1998. - Т.40, вып. 4. -С.694-698.

49. Владимиров И.В., Дорошенко Р.А., Серегин С.В., Фахретдинова Р.С. Сигналы ЯМР магнитных неоднородностей типа 0° доменная граница в кубических кристаллах ферритов-гранатов // ФТТ. - 1999. - Т.41, вып.2. -С.269-273.

50. Воробьева Н.В., Дорошенко Р.А. Фотоиндуцированное изменение магнитострикции в монокристаллах Y3Fe50|2 при воздействии света различного спектрального состава// ФНТ.-1999. - Т.25, №5. - С.478-480.

51. Vorobjeva N.V., Doroshenko R.A.Spectral-Dependent Photoinduced Magnetostrictive Changes in YjFejOu Single Crystals // Phys. stat. sol. (a).-1999. - V. 175, N2. - P.677-681.

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. Карпенко Б.В., Бердышев A.A. Косвенное взаимодействие через носители тока в полупроводниках. ФТТ.-1963.-Т.5. - С.3397-3405.

2. Бердышев A.A. Ферромагнитные полупроводники, в которых обменная связь осуществляется через электроны проводимости. ФТТ.-1966.-Т.8. С. 1382-

3. Веселаго В.Г., Виноградова Г.И., Вигелева Е.С. и др.Фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4. Письма в ЖЭТФ.-972.-Т.5. - С.316-318.

4. Teale P.W.. Teample D.W. Photomagnetic anneal a new magnetooptic effect in Si-doped yttrium-iron garnet. Phys.Rev.Lett.-1967.-V.19. - P.904-907.

. 5. Lems W., Rijnierse P.J., Bongers P.F, Enz U. Photomagnetic effect in chalcogenide spinels. Phys. Rev. Lett.-1968.-V.21,- P. 1643-1645.

6. A.Tucciarone. Physiks of magnetic garnets. LXX Corso. Soc. Italiana di Fisica. Bologna, Italy. 1978. - p.320.

7. Фотомагнетизм. Сб. ст. M.: Наука, 1993. - 177 с. (Труды ИОФАН, Т.44).

8. Магнитные полупроводники. М.: Наука, 1982. - 172 с. (Труды ФИАН, Т. 139).

9. Коваленко В.Ф., Нагаев Э.Ф. Фотоиндуцированный магнетизм. УФН. - 1986.

- Т. 148. - С.561-602.

10. Hansen P., Tolksdorf W., Schuldt.J. Anisotropy and magnetostriction of germanium-substiiuted yttrium iron gamet // J.Appl. Phys.-1972.-V.43, N.11,- P.4740-4746.

11. Rudowicz J.C., Kowalewski L. Magnetocrestalline anisotropy due to 3d" ions ■ with spin S=2 in magnetic oxides // Physica B.-1975.-V.80. - P.517-540.

Magnetocrystalline anisotropy of 3d6 and 3d4 ions attriclinic symmetry sites. Application to Fe2+ ions in YIG: Me1* (Me = Si,Ge) // Z.Naturforsch.-1983.-V.38a, N.5. - P.540-544.

12. Hansen P. Magnetostriction of Fe" ions in yttrium iron garnet // J. Appl. Phys.-1977.-V.48, N2.-P.801-803.

13. Dionne G. Origin of the magnetostriction effects from Mn3+, Со2т, and Fe2f ions in ferrimagnetic spinels and garnets // J. Appl. Phys.-1979.-V.50, N6. - P.4263-4272.

14.Туров E.A., Шавров В.Г. Нарушенная симметрия и магнитоакустические эффекты в ферро- и антиферромагнетиках // УФН.-1983.-Т.140, вып.З. -С.429-462.

15. Гуревич А.Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках. Москва: Наука, 1973. - 592 с.

16. Murray G.A., Marshall W. A new interpretation of nuclear magnetic resonance in dilute ferromagnetic alloy//Proc. phys. soc.-1965. - V.86. -P.315-330.

17. Wood D.L., Remeika J.P.. Effect of impurities on optical properties of Yttrium Iron Garnet // J.Appi.Phys.-1967. - V.38, N3. - P.1038-1045.

I S. Gyorg E.M., Dillon J.F., Remeika J.P. Irreversible photoinduced changes in optical absorption of"YIG(Si4+) and YIG(Ca2f) // J. Appl. Phys. - 1971. - V.42, N4.

- P.1454-1455.

1389.

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ВОЗДЕЙСТВИЕ СВЕТА НА ДОМЕННУЮ СТРУКТУРУ И

КОЛЕБАНИЯ ДОМЕННЫХ ГРАНИЦ В ФЕРРОМАГНИТНЫХ

ШПИНЕЛЯХ CdCr2Se4:Ga И ФЕРРИТАХ-ГРАНАТАХ ИТТРИЯ.

1.1. Фотоиндуцированная стабилизация доменных границ (ДГ) в ферромагнитном полупроводнике CdCr2Se4.

1.1.1. Влияние освещения на колебания доменных границ и локальных петель гистерезиса.

1.1.2. Исследование ДГ с визуально наблюдаемым эффектом стабилизации границ при воздействии света.

1.2. Фотоиндуцированные доменные структуры (ДС) в иттрий-железистых гранатах (ИЖГ).

1.2.1. Фотоиндуцированные ДС в монокристаллических пластинах.

1.2.2. Трансляционное движение доменны границ.

1.2.3. Фотоиндуцированные ДС в эпитаксиальных пленках.

1.2.4. Светоиндуцированная дестабилизация ДС в монокристаллических пленках и пластинах.

1.3. Влияние неоднородности магнитной анизотропии на структуру и стабилизацию доменных границ.

1.3.1. Структура 180° доменной границы в области неоднородной магнитной анизотропии.

1.3.2. Закрепление доменных границ на неоднородностях магнитной анизотропии.

1.3.3. Влияние наведенной магнитной анизотропии на структуру и стабилизацию 180° блоховских доменных границ в кубическом ферромагнетике.

Выводы.

ГЛАВА 2. МАГНИТНАЯ ДИНАМИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ

И ПРОЦЕССЫ ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЯ В CdCr2Se4 И Y3Fe5Oi

ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СВЕТА.

2.1. Динамическая проницаемость и петли гистерезиса халькогенидных хромовых шпинелей при воздействии света.

2.1.1. Дезаккомодация восприимчивости.

2.1.2. Дестабилизация доменной структуры в электрическом поле.

2.1.3. Фотоиндуцированное изменение комплексной магнитной восприимчивости.

2.1.4. Фотоиндуцированный эффект при импульсном синусоидальном перемагничивании.

2.1.5. Высшие гармоники проницаемости.

2.2. Динамическая магнитная проницаемость и петли гистерезиса в ИЖГ.

2.2.1. Реверсивность фотоиндуцированных изменений проницаемости и магнитного гистерезиса.

2.2.2.Анизотропия фотоиндуцированного изменения проницаемости.

2.2.3. Перемагничивание во вращающемся магнитном поле.

2.2.4. Высокотемпературный фотоиндуцированный эффект.

Выводы.

ГЛАВА 3. ФОТОИНДУЦИРОВАННАЯ МАГНИТНАЯ АНИЗОТРОПИЯ

ИТТРИЙ-ЖЕЛЕЗИСТЫХ ГРАНАТОВ.

3.1. Фотоиндуцированная магнитная анизотропия в монокристаллических пленках ИЖГ.

3.2.Фотоиндуцированная магнитная анизотропия в монокристаллах ИЖГ. 154 Выводы.

ГЛАВА 4. ФОТОИНДУЦИРОВАННОЕ ИЗМЕНЕНИЕ

МАГНИТОСТРИКЦИИ В ИТТРИЙ ЖЕЛЕЗИСТЫХ ГРАНАТАХ.

4Л. Фотоиндуцированные магнитострикционные деформации.

4.2. Магнитострикция и упругие напряжения.

Выводы.

ГЛАВА 5. ВОЗДЕЙСТВИЕ СВЕТА НА МАГНИТОУПРУГИЕ РЕЗОНАНСЫ В КРУГЛЫХ ПЛАСТИНАХ ИЖГ.

5.1. Магнитоупругие колебания в круглых пластинах ИЖГ.

5.2. Фотоиндуцированное изменение динамического магнитоупругого взаимодействия в иттриевом феррите-гранате.

Выводы.

ГЛАВА 6. ЯДЕРНЫЙ МАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС 57Fe В ИТТРИЙ ЖЕЛЕЗИСТЫХ ГРАНАТАХ.

6.1. Фотоиндуцированные ЯМР спектры Fe в ИЖГ(Ва).

6.2. ЯМР доменных границ кубического феррита-граната с осями легкого намагничивания <111>.

6.3. Влияние процессов стабилизации на сигналы ЯМР доменных границ в кубических кристаллах ферритов - гранатов.

Выводы.

ГЛАВА 7. ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ЭФФЕКТЫ НА ОПТИЧЕСКОМ ПОГЛОЩЕНИИ ИТТРИЙ-ЖЕЛЕЗИСТЫХ ГРАНАТОВ.

7.1. Фотоиндуцированные изменения оптического поглощения в диапазоне 1-1,5 jam в монокристаллах иттрий-железистого граната.

7.2. Изменения оптического поглощения на 1,1 jUm при воздействии монохроматического света видимого и ближнего ИК диапазонов в монокристаллах ИЖГ(Ва) и ИЖГ(8Г).

7.3. Светоиндуцированное дополнительное оптическое поглощение на длине волны 1,1 |Иш в пластинах монокристаллов ИЖГ(Ва).

7.4. Фотоиндуцированные изменения коэффициента оптического поглощения в ИЖГ(8Г) и ИЖГ(Ва) в диапазоне 0,7-1,9 |1ш при воздействии света различного спектрального состава.

Выводы.

Впервые на возможность изменения при воздействии света магнитных свойств было обращено внимание в теоретических работах Бердышева и др [1-3], в которых было изучено изменение эффективных обменных взаимодействий магнитного полупроводника при увеличении концентрации носителей. В их работах была показана возможность повышения температуры Кюри и перевода антиферромагнетика в ферромагнетик за счет усиления при освещении ферромагнитных обменных взаимодействий и предложено название для этого явления " фотоферромагнитный эффект". В более поздних теоретических работах Нагаева было выдвинуто предположение о возможности проявления фотоферромагнитного эффекта в отдельных микрообластях кристалла названных "ферронами" [4,5]. Из-за неоднородного распределения фотоэлектронов в кристалле ферронная гипотеза позволяет ожидать фотоферромагнитный эффект при зничительно более низких концентрациях фотоэлектронов, явно недостаточных для проявления заметного эффекта во всем кристалле. Название фотоферромагнитный эффект (ФФЭ) используется в отечественной литературе по фотоиндуцированным магнитным явлениям в ферромагнитном полупроводнике СсЮг28е4 [6], хотя определяющим механизмом, вызывающем эти явления, не является косвенный обмен через электроны проводимости.

Экспериментальное открытие явления изменения магнитных свойств в иттрий-железистых гранатах (ИЖГ) [7] и халькогенидных хромовых шпинелях [8,6] при освещении вызвало интерес к более детальному изучению влияния света на физические свойства магнитоупорядоченных кристаллов. Были изучены новые материалы с фоточувствительными свойствами (Еи8, ЕиСЮг, МпБ2), обнаружено, что наряду с изменением магнитных свойств У3Бе5012, СёСг28е4, БеВОз и др. происходит изменение магнитооптических параметров, оптического поглощения [9-12]. Экспериментальные и теоретические исследования воздействия света на магнитные среды положили начало новому направлению физики магнитных явлений - фотомагнетизму магниоупорядоченных кристаллов, интенсивно развивающемуся в настоящее время. При исследовании прямого воздействия света на магнитоупорядоченные кристаллы, диэлектрики и магнитные полупроводники, исследователей привлекают уникальные возможности света: его направленность, монохроматичность, когерентность, локальность воздействия, импульсный характер и др. Воздействие света позволяет изучать неравновесные и возбужденные состояния.

Фотоиндуцированные магнитные явления наблюдаются в магнитоупорядоченных диэлектриках и полупроводниках, кристаллическая структура которых допускает различные замещения и легирования. Яркое проявление фотомагнитных эффектов наблюдается в магнитомягких диэлектриках и полупроводниках, при небольшом количестве сильноанизотропных центров, стабилизирующих доменные границы. Наличие несколько осей легкого намагничивания сглаживает магнитную анизотропию и предоставляет более широкие возможности для фотонаведения анизотропии. Поэтому кубические магнетики с небольшой анизотропией - халькогенидные хромовые шпинели Сс1Сг28е4 и иттрий-железистые гранаты У3Ре5С>12 с момента открытия фотомагнетизма и по настоящее время являются наиболее исследуемыми образцами.

Начиная с семидесятых годов исследование магнитных полупроводников [13,14,5], веществ сочетающих полупроводниковые свойства с магнитоупорядоченным состоянием, привлекает по настоящее время большое внимание [10,11]. Это обусловлено проявлением в этих материалах сильного взаимодействия электрической и магнитной подсистем, приводящего к уникальности магнитных, электрических и оптических свойств. Наличие сильной взаимообусловленности физических свойств в магнитных полупроводниках открывает принципиально новые перспективы для создания технических устройств. Среди магнитных полупроводников выделяются хромовые халькогенидные шпинели АСГ2Х4 (А - ионы Сё, Хп, Н§; Х- 8, 8е. Те) весьма разнообразные по типу магнитного упорядочения, по электрическим свойствам (от металла до диэлектрика) и оптическим свойствам (для Сс1Сг28е4 полоса прозрачности 3-20 рт, коэффициент поглощения 3 ст"1) , обладающие огромными магнитооптическими эффектами (эффект Фарадея 104 с^/ст) [5,13,14]. Интерес к ферромагнитным халькогенидным шпинелям типа Сс1Сг28е4 с достаточно высокой температурой Кюри (130 К), обладающих аномально большими кинетическими эффектами, эффектом переключения из низкоомного в высокоомное состояния при приложении магнитного поля, таким оригинальным явлением, как "красное смещение" ширины запрещенной зоны с понижением температуры и с приложением магнитного поля, еще более возрос в связи с обнаружением влияния света на динамическую магнитную проницаемость [6,8]. Из магнитных полупроводников фотоиндуцированные магнитные явления наиболее исследованы в ферромагнетике СёСг28е4, легированном галлием. Наблюдалось фотоиндуцированное уменьшение динамической магнитной проницаемости как на низких [8,15], так и на высоких частотах [6]. Обнаружено что распад эффекта после выключения освещения может быть как медленным [8], так и быстрым [6]. При освещении происходит изменение обеих составляющих комплексной высокочастотной проницаемости [16]. Исследованы спектральные характеристики фотоферромагнитного эффекта и обнаружено, что ФФЭ наблюдается во всех халькогенидных хромовых шпинелях, обладающих "красным сдвигом" края поглощения при понижении температуры [17]. Показано, что за фотоферромагнитный эффект и фотопроводимость ответственен один и тот же энергетический переход с энергией -1,2 еУ. Отмечено, что на основе ФФЭ может осуществляться запись оптической информации. Обнаружено, что под воздействием света с энергией 0,5-1,0 еУ возможно гашение фотоферромагнитного эффекта [18]. За фотоиндуцированный магнитный эффект в Сс1Сг28е4, легированном галлием, считаются ответственными ионы Сг2+, которые при освещении перераспределяются от менее анизотропных положений (вблизи ионов Оа3+) - центров I - типа к более анизотропным положениям (вдали от ионов Оа3+) -центрам II - типа [8]. За счет возрастания при этом анизотропии объясняется уменьшение динамической проницаемости. В несколько отличной модели полагается, что легирующая примесь в СсЮг28е4 является скомпенсированной, и поэтому при освещении ионы Сг2+ образуются за счет захвата ионами Сг фотоэлектронов [6]. При этом происходит уменьшение подвижности доменных границ, что и объясняет фотоферромагнитный эффект СёСг28е4 : ва [17].

В современной магнитной микроэлектронике широкое применение находят кристаллы и пленки ферритов-гранатов [19-22]. Это обусловлено сочетанием ряда уникальных свойств, присущих ферритам-гранатам: высокой оптической прозрачностью (для ИЖГ в полосе прозрачности 1,15,5 |ш1 коэффициент поглощения 0,03-0,1 сш"1}, большими магнитооптическими эффектами (для ИЖГ эффект Фарадея 62 ёе^ст), рекордно-узкой шириной линии ферромагнитного резонанса, разнообразием доменных структур, параметрами которых можно управлять в широких диапазонах температур и внешних магнитных полей. Названные свойства позволяют эффективно использовать ферриты-гранаты в устройствах микроэлектроники, таких как управляемые транспаранты, магнитооптические модуляторы, запоминающие устройства на цилиндрических магнитных доменах и т.д.

Одним из наиболее изученных ферритов-гранатов является иттрий-железистый гранат (ИЖГ). Наряду с выше указанными свойствами он обладает способностью при низких температурах изменять свои магнитные, электрические, магнитооптические и оптические характеристики в результате освещения [9-12]. Причем только в ИЖГ при определенном легировании фотоиндуцированные явления вызываются воздействием поляризованного и неполяризованного света. Кроме того, фотоиндуцированные эффекты в ИЖГ проявляются до более высоких температур, чем в других известных фотомагнитных материалах. В легированных кремнием Y3Fe50i2 наряду с фотоиндуцированным уменьшением магнитной проницаемости визуально наблюдалось блокирование колебаний доменных границ под воздействием освещения. Фотоиндуцированный эффект уменьшения проницаемости и изменения параметров петли магнитного гистерезиса наблюдался не только на монокристаллах, но и на поликристаллических образцах. При освещении наблюдались характерные признаки перминвар-эффекта: независимость магнитной проницаемости от амплитуды переменного поля Н и безгистерезисное движение доменных границ при малых напряженностях магнитного поля. Фотоиндуцированные магнитные явления в железоиттриевом гранате наблюдаются и в отсутствии доменной структуры, то есть в магнитонасыщенном состоянии. Это эффект изменения поля анизотропии ФМР в направлениях типа <111) при освещении (названный фотомагнитным отжигом), который был первым из обнаруженных фотомагнитных явлений. При освещении наблюдалось изменение магнитной кристаллографической анизотропии, возникновение линейного дихроизма. При этом восстановление первоначального состояния образца возможно повторным его освещением с соответствующим направлением поляризации света, то есть эти эффекты являются обратимыми. Для объяснения необратимых фотоиндуцированных эффектов изменения проницаемости, коэрцитивной силы и др. в железоиттриевом гранате, легированном небольшим количеством кремния, была предложена двухцентровая модель, использованная и для объяснения ФФЭ в СсЮ^е^ Обратимые фотоиндуцированные магнитные эффекты объясняются валентным обменом при поглощении фотона между ионами железа, находящимися в неэквивалентных (относительно направления намагниченности) октаэдрических узлах. Таким образом, в легированном кремнием железоиттриевом гранате предполагается возникновение при освещении наведенной анизотропии, которая обуславливает стабилизацию намагниченности (доменной структуры), имеющейся в образце.

Фотоиндуцированные магнитные эффекты исследовались в ферритах-гранатах при различных замещениях [23-27], в ортоферритах [28,29], в слабых ферромагнетиках [30,31], в антиферромагнетиках [32-34]. Интерес к фотоиндуцированным магнитным [35], оптическим [36,37] и магнитооптическим явлениям [38] в ферритах гранатах и шпинелях, к влиянию оптического излучения на магнитные свойства легкоплоскостных слабых ферромагнетиков [39] сохраняется по настоящее время. Некоторые фотоиндуцированные эффекты отражены в современных монографиях [40,41].

Несмотря на большое внимание исследователей к проблеме фотомагнетизма, проведенных исследований всё же явно недостаточно для понимания механизмов фотоиндуцированных эффектов. Необходимо отметить, что полученные различными авторами результаты по фотоиндуцированным эффектам в СсЮг28е4 и ¥3Ре5012 трудно сравнивать из-за различия условий роста кристаллов, неконтролируемых примесей в образцах, сильно меняющих картину фотомагнитных явлений. Действительно конкретный процесс возникновения фотоиндуцированных анизотропных центров и механизм влияния этих центров на магнитные свойства в СсЮг28е4, остаются невыясненными. В связи с этим нельзя также не отметить, что исследования фотоферромагнитного эффекта в СсЮг28е4, легированном галлием, как экспериментальные, так и теоретические, упомянутые выше, не являются достаточно всесторонними. Фотоиндуцированные магнитные явления в магнитном полупроводнике Сс1Сг28е4, легированном галлием, заметно проявляются только при наличии в образцах доменной структуры и практически не наблюдаются в магнитонасыщенном состоянии. Таким образом, исследованные фотоиндуцированные магнитные эффекты в СсЮг28е4:Оа обусловлены изменением при освещении именно свойств доменной структуры. Однако, до начала выполнения данной работы не были проведены прямые опыты по обнаружению влияния освещения на доменную структуру, динамику и статику доменных границ. Более того, доменная структура в Сс1Сг28е4 вообще не наблюдалась ни одним из существующих методов. Недостаточно исследовались и фотоиндуцированные свойства доменной структуры, проявляемые на динамической магнитной восприимчивости при различных интенсивностях света, частотах и амплитудах переменного магнитного поля. Достаточно сказать, что исследования проводились в основном только начальной динамической проницаемости и только ее вещественной составляющей. Оставалась не ясной зависимость фотоферромагнитного эффекта от частоты переменного магнитного поля, особенно на низких частотах. Не исследовалась низкочастотная фотоиндуцированная комплексная проницаемость.

В иттрий-железистых гранатах не исследовано воздействие света на магнитоупругое взаимодействие, магнитострикцию, ЯМР, недостаточно исследовано фотоиндуцированное изменение оптического поглощения (только одно сообщение первого наблюдения эффекта), магнитной анизотропии, магнитной проницаемости и доменной структуры и др. Так в монокристаллах ИЖГ, легированных кремнием, на доменной структуре исследовались эффекты, связанные с поляризованным светом, в то же время о возможности перестроения доменной структуры фотомагнитным отжигом не сообщалось. Исследования воздействия света на доменную структуру монокристаллических образцов осуществлены только в пластинах (110) ИЖГ:81, а в пластинах с другими плоскостями исследований ДС при фотомагнитном отжиге и воздействии поляризованного света не проводилось. Экспериментально не исследовано локальное воздействие света на состояние доменной структуры и доменных границ ИЖГ. Не было исследовано воздействие света на динамические свойства доменной структуры. Не исследовано воздействие как поляризованного, так и неполяризованного света на доменные структуры, статику и динамику ДГ, эпитаксиальных пленок ИЖГ.

Из сказанного выше следует актуальность проведения комплексных исследований фотоиндуцированных явлений, используя легированные монокристаллы ферритов-гранатов иттрия и халькогенидных хромовых шпинелей СсЮг28е4, выращенные в определенных условиях. Актуальность работы обусловлена большой научной значимостью исследования воздействия света на магнитоупорядоченные среды, необходимостью выяснения общих закономерностей возникновения и конкретных проявлений светочувствительных центров в различных магнитных материалах.

Целью данной работы являлось обнаружение и изучение новых фотоиндуцированных явлений, выяснение механизмов фотомагнитных явлений в кубических магнетиках и развитие метода изучения магнитных сред при воздействии света на основе проведения комплексных исследований фотоиндуцированных явлений в ферромагнитных полупроводниках со структурой шпинели - селено-хромитах кадмия (Сс1Сг28е4) и в ферримагнитных диэлектриках - иттрий-железистых гранатах (У3Ре5012), при различном легировании.

В связи с этим были поставлены следующие задачи:

- исследовать воздействие света на колебания отдельных ДГ и на динамическую проницаемости в селено-хромитах кадмия СёСг28е4, изучить особенности структуры ДГ и стабилизации ДГ на неоднородностях магнитной анизотропии;

- исследовать фотоиндуцированные изменения ДС в монокристаллах и эпитаксиальных пленках ИЖГ, изучить спин-переориентационные фазовые переходы в кубических кристаллах с комбинированной наведенной анизотропией;

- в монокристаллах ИЖГ в широком интервале температур и полей исследовать процессы перемагничивания и изменения динамической проницаемости при воздействии света;

-исследовать фотоиндуцированные изменения магнитной анизотропии в монокристаллах и пленках ИЖГ, первоначальное изменение кубической анизотропии и возможности наведения анизотропии поляризованным и неполяризованным светом;

- исследовать фотоиндуцированные изменения магнитострикционных деформаций в монокристаллах ИЖГ, изменение кубических параметров и возможности наведения одноосной магнитострикции поляризованным и неполяризованным светом;

- исследовать влияние освещения на эффективность возбуждения и резонансные частоты мод магнитоупругих колебаний, возбуждаемых переменным магнитным полем в круглых пластинах иттриевого феррита-граната;

- исследовать фотоиндуцированные изменения ЯМР поглощения 57Ре в монокристаллах ИЖГ, изучить спектры ЯМР ДГ в кубическом кристалле со структурой граната, влияние стабилизации намагниченности;

- исследовать фотоиндуцированные изменения оптического поглощения от интенсивности, последовательности и времени воздействия света различного спектрального состава в монокристаллах ИЖГ, с различным легированием.

Научная новизна диссертационной работы определяется тем, что в ней впервые выполнено комплексное исследование воздействия света на магнитные, магнитоупругие, резонансные и оптические свойства ферритов-гранатов иттрия, изучены фотоиндуцированные свойства доменной структуры в ферромагнитных халькогенидных шпинелях СсЮг28е4. Использование новых экспериментальных методов, широких диапазонов частот и температур, осуществление воздействия света различного спектрального состава, интенсивности и последовательности освещения позволило обнаружить новые фотоиндуцированные эффекты и новые особенности в уже исследованных фотомагнитных и оптических явлениях, достичь комнатных температур наблюдения фотоиндуцированного изменения магнитной проницаемости.

Научная и практическая ценность. Полученные результаты существенно расширяют представления о закономерностях и механизмах фотоиндуцированных явлений в магнитоупорядоченных средах и могут быть использованы при поиске новых фотомагнитных эффектов и материалов, обладающих фотоиндуцированными эффектами. Достигнутое понимание фотомагнитных явлений и механизмов воздействия света предоставляет исследователям новые возможности при изучении магнитных материалов, используя воздействие света для изменения локальных параметров. Некоторые из результатов работы могут быть включены в монографии и учебные пособия по физике магнитных явлений, физике доменных границ, ЯМР магнитоупорядоченных материалов и др.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Стабилизация ДГ за счет наведенной анизотропии и зависящие от освещения эффекты магнитного последействия в селенохромите кадмия СаСг28е4.

2. Возможность управления состоянием доменной структуры в монокристаллах и пленках ИЖГ, как в статике так и в динамике неполяризованным и поляризованным светом.

3. Обнаружение фотоиндуцированного изменения проницаемости при температурах выше 300 К. Фотоиндуцированные реверсивные изменения проницаемости и петель гистерезиса ИЖГ при 77 К.

4. Особенности фотоиндуцированной магнитной анизотропии в монокристаллах и пленках, доминирование при наведении поляризации света или намагниченности, возникновение наведенной анизотропии параллельно и перпендикулярно поляризации воздействующего света.

5. Фотоиндуцированные изменения магнитострикции, обусловленные как изменением констант магнитострикции, так и первоначальных состояний с ДС, влияние упругих напряжений.

6. Влияние освещения на эффективность возбуждения и резонансную частоту контурных упругих колебаний.

7. Влияние освещения на ЯМР поглощение ядер 57Ре в доменных границах и доменах.

8. Фотоиндуцированные изменения оптического поглощения, зависящие от спектрального состава, интенсивности, и последовательности воздействия света определенного спектрального состава.

Для выполнения поставленных задач были разработаны экспериментальные установки, приспособленные для изучения магнитных свойств при воздействии света. Магнитометр с вращающимся образцом, исключающий релаксацию наведенной анизотропии, позволяющий измерять как константы кубической анизотропии, так и одноосных компонент анизотропии. Магнитооптическая установка позволяла производить дополнительную подсветку неполяризованным светом при изучении фотомагнитного отжига на доменной структуре и при изучении воздействия света на скорость трансляционного движения доменных границ. При изучении воздействия поляризованного света на доменные структуры было предусмотрено вращение поляризатора и анализатора. Установка по изучению процессов перемагничивания, позволяющая изучать как однократные так и непрерывные процессы перемагничивания при температуре выше 77К. Установка непрерывного ЯМР, позволяющие исследовать спектры ЯМР и магнитоупругих резонансов в диапазоне частот до 100 MHz.

Структура диссертационной работы. Диссертационная работа состоит из введения, семи глав, заключения и списков публикаций по теме диссертации и цитированной литературы.

255 ВЫВОДЫ

В монокристаллах ИЖГ с различным легированием исследованы изменения оптического поглощения при воздействии света. Обнаружены особенности фотоиндуцированных изменений оптического поглощения от интенсивности, последовательности и времени воздействия света различного спектрального состава.

1. Обнаружены два типа фотоиндуцированных эффектов на оптическом поглощении. Первоначальный эффект необратимого при азотной температуре изменения оптического поглощения наблюдается при воздействии света через КС -17 и обратимое уменьшение поглощения после последующих ИК воздействиях. Имеются некоторые особенности проявления этих эффектов в образцах ИЖГ(Ва) и ИЖГ(81), обусловленные различием количества и типа иновалентных ионов железа. Так первоначальный эффект в ИЖГ(81) имеет немонотонный характер. Обратимый же эффект после выключения ИК воздействия в ИЖГ(81) распадается, а ИЖГ(Ва) обратимость достигается дополнительным воздействием света через светофильтр КС-17. Показано, что для ИЖГ(81) максимальный эффект (Да «-2 сш"1) наблюдается при освещении через светофильтр ИКС-7, а для ИЖГ(Ва) (Да » 7 сш"1) - при освещении через КС-17.В ИЖГ(Ва) первоначальный эффект на оптическом поглощении вызван образованием ионов Ре4+. В ИЖГ(81) убывание оптического поглощения возможно при уменьшении на первой стадии количества ионов Бе24" при двухстадийном перераспределении их от "ближних" относительно ионов 814+ к "дальним" положениям. Последующее возрастание а может быть связано с

0 4возникновением ионов Бе в "дальних" положениях. Обнаруженные обратимые оптические эффекты также объясняются изменениями количеств соответствующих иновалентных ионов железа в близи донорных или акцепторных центров.

2. Обнаружена спектральная зависимость фотоиндуцированного оптического поглощения а на 1,1 (im от длины волны воздействующего света в интервале 0,6-1,9 (im. Показано, что в кристалле Y3Fe50i2 с акцепторной примесью Ва фотоиндуцированное возрастание а связано с образованием ионов Fe4+ в октаэдрических узлах. Перенос заряда происходит через фотовозбуждение переходов 6Aig(6S) —> 4Tig(4G), 4T2g(4G) октаэдрических ионов Fe3+. В кристалле с донорной примесью Si

А , возрастание а обусловлено образованием ионов Fe при фотоионизации кремния.

3. Обнаружено дополнительное возрастание коэффициента оптического поглощения ос, при воздействии света интенсивностью более 1 W/cm . Показано, что при кратковременном освещении образца ИК светом л малой интенсивности

10 mW/cm ) процесс релаксации метастабильного состояния наблюдаемый после выключения света переходит в резкий спад. Дополнительное светоиндуцированное оптическое поглощение может объясняться возрастанием оптического поглощения у части ЯН-Теллеровских ионов Fe4+ за счет изменения их орбитального состояния при воздействии света и фототермоиндуцированных упругих напряжениях образца. ИК освещение возвращает ионы Fe4+ в исходные состояния.

4. Исследованы фотоиндуцированные изменения коэффициента оптического поглощения Да(А) в иттрий-железистых гранатах (PDKT:Si и ИЖГ:Ва) в спектральном диапазоне 0,7-1,9 цт при 80 К. Показано, что в спектре воздействующего света существует граничная длина волны A,edge (для KDKTiSi A-edge ~0,9 ¡um и ИЖГ:Ва Aedge~l,15). Освещение JDKTrSi и ИЖГ:Ва с длиной волны больше A,edge вызывает уменьшение поглощения во всем исследованном диапазоне. При длине волны воздействующего света

1. Карпенко Б.В., Бердышев A.A. Косвенное взаимодействие через носители тока в полупроводниках // ФТТ. - 1963. - Т.5. - С.3397-3405.

2. Бердышев A.A. Ферромагнитные полупроводники, в которых обменная связь осуществляется через электроны проводимости // ФТТ. 1966. - Т.8. -С.1382-1389.

3. Vonsovskiy S.V., Samochvalov A.A., Berdichev A.A. Ferromagnetische Halbleiter mit Austauchwechelwilkung über die Leitungselektronen // Helv. Phys. Acta. 1970. - V. 43. - P.9-13.

4. Нагаев Э.Л. Ферромагнитные и антиферромагнитные полупроводники // УФН. 1975. - Т.117. - С. 437-492.

5. Нагаев Э.Л. Физика магнитных полупроводников. М., Наука. 1979. 431с.

6. Веселаго В.Г., Виноградова Г.И., Вигелева Е.С., Калинников В.Т., Махоткин В.Е. Фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4 // Письма в ЖЭТФ. 1972. - Т. 15. - С.316-318.

7. Teale P.W., Teample D.W. Photomagnetic anneal a new magnetooptic effect in Si-doped yttrium-iron garnet // Phys.Rev.Lett. 1967. - V.19. - P.904-907.

8. Lems W., Rijnierse P.J., Bongers P.F, Enz U. Photomagnetic effect in chalcogenide spinels // Phys. Rev. Lett. 1968. - V.21. - P.1643-1645.

9. A.Tucciarone. Physiks of magnetic garnets. LXX Corso. Soc. Italiana di Fisica. Bologna, Italy (1978). P.320-343.

10. Фотомагнетизм. Сб. ст. M.: Наука. 1993.- 177 с. (Туды ИОФАН Т.44).

11. Магнитные полупроводники. Сб. ст. М.: Наука, 1982. 172 с. (Труды ФИАН, Т. 139).

12. Коваленко В.Ф., Нагаев Э.Ф. Фотоиндуцированный магнетизм // УФН. -1986. Т.148. - С.561-602.

13. И.МетфессельЗ., Маттис Д. Магнитные полупроводники. М.: Мир. 1972. -405с.

14. Редкоземельные магнитные полупроводники. Под ред. В.П. Жузе. JL: Наука. 1977. 205с.

15. Анзина JI.B., Веселаго В.Г., Рудов С.Г., Эффект воздействия света на петлю гистерезиса магнитного полупроводника CdCr2Se4 // Письма в ЖЭТФ. 1976. - Т.23. - С.520-521.

16. Рудов. С.Г., Веселаго В.Г., Виноградова Г.И., Махоткин В.Е. Частотные, временные и спектральные характеристики фотоферромагнитного эффекта в Cdi.xGaxCr2Se4 // КСФ. 1975. - Т.4. - С.3-7.

17. Виноградова Г.И. Фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4 и родственных ему соединениях. Кандидатская диссертация. ФИАН. 1979.

18. Анзина Л.В., Веселаго В.Г., Рудов С.Г. и др. Гашение фотоферромагнитного эффекта в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 // ФТТ. 1977. - Т. 19. - С.3001-3005.

19. Элементы и устройства на цилиндрических магнитных доменах: Справочник A.M. Балбашов, Ф.В. Лисовский , В.К. Раев и др.; Под ред. Н.Н. Евтихиева, Б. Н. Наумова. М.: Радио и связь. 1987. 240 с.

20. Звездин А.К., Котов В.А. Магнитооптика тонких магнитных пленок. М.: Наука. 1988.- 192 с.

21. Балбашов A.M., Червоненкис А .Я. Магнитные материалы для микроэлектроники. М.: Энергия. 1979.

22. Рандошкин В.В., Червоненкис А.Я. Прикладная магнитооптика. М.: Энергоатомиздат. 1990. 320 с.

23. Lotgering F.K. Photomagnetic effects and disaccommodation in Co-doped YIG // J.Phys.Chem.Sol. 1975. - V.36, N.l 1. - P.l 183-1191.

24. Hisatake K. Photoinduced effect on the permeability of some mixed garnets // J. Appl.Phys. 1977. - V.48, N. 7. - P.2971-2975.

25. Кузнецова С.И., Кисиленко Г.Г., Стельмашенко М.А. Фотоиндуцированный эффект в железоиттриевом гранате с добавками ионов Со2+ и Si4+ // Изв. вузов. Физика. 1978. - №4, - С. 141-143.

26. Петраковский Г.А., Патрин Г.С. Влияние оптического возбуждения примесных ионов гольмия на магнитный резонанс в иттриевом феррите-гранате // ФТТ. 1986. - Т.90, №5. - С.1769-1780.

27. Ким П.Д., Дрокина Т.В., Балбашов A.M., Черкасов А.П. Влияние света на резонанс доменных границ в эпитаксиальных гранатовых пленках // ЖТФ. 1980.-Т.50.-С.653-654.

28. Nadolski S. Photomagnetic and time effects in 57Fe NMR in YFe03 // IEEE Trans. Magn. 1978. - V.14, N.5. - P.912-914.

29. Балбашов A.M., Зон Б.А., Купершмидт В.Я., Пахомов Г.В., Уразбаев Т.Т. Светоиндуцированное изменение намагниченности иттриевого ортоферрита // ФТТ. 1987 - Т.29, №5. - С. 1297-1304.

30. Федоров Ю.М., Лексиков A.A.,, А.Е.Аксенов А.Е. Светоиндуцированная динамическая неустойчивость доменной структуры в FeB03 :Ni // Письма в ЖЭТФ. 1983. - Т.37. №3. - С.134-136.

31. Федоров Ю.М., Лексиков A.A., Аксенов А.Е. Фотоиндуцированная оптическая анизотропия в борате железа // ЖЭТФ. 1985. - Т.89, № 12. -С.2099-2112.

32. Holzricter J., Macfarlane R., Schawlow A. Magnetization Induced by optical Pumping in Antiferromagnetic MnF2 // Phys.Rev. Lett. -1971. V.26. - P.652-655.

33. Афанасьев M. M., Компан M.E., Меркулов И.А. Оптическая ориентация в ферромагнитном сульфиде европия // ЖЭТФ. 1976. - Т.71. - С.2068-2077.

34. Головенчиц Е.А., Лайхтман Б.Д., Санина В.А. Долгоживущее магнитоупорядоченное состояние в ЕиСЮ3, возбужденное оптической накачкой // Письма ЖЭТФ. 1980. - Т.31. - С.243-248.

35. Сохацкий В.П., Коваленко В.Ф. Фотоиндуцированная поляризационно-зависимая перестройка доменной структуры феррит-гранатовой пленки // Письма ЖЭТФ. 1995. - Т.61, №12. - С.988-991.

36. Hisatake К. Matsubara I., Maeda К. Photoinduced change of optical absorption in a bulk and a thin film of yttrium iron garnet // J. of Magn. Soc. Japan. 1995. - V.19. supplement^ SI. - P.263-266

37. Bedarev V. A., Gnatchenko S. L.,. Rupp R. A, Sugg B. Light-induced optical absorption in the garnet СазМп20ез012 // Fiz. Nizk. Temp. 1998. - V.24, N.3.- P.281-283.

38. Голик JI.JI., Кунькова З.Э. Нелинейный эффект Фарадея вблизи края собственного поглощения в ферромагнитном полупроводнике CdCr2Se4 // Письма ЖЭТФ. 1997. - Т.66, №6. - С.409-413.

39. Патрин Г.С., Волков Н.В., Петраковский Г.А. Нелинейный эффект Фарадея вблизи края собственного поглощения в ферромагнитном полупроводнике CdCr2Se4 //Письма ЖЭТФ. 1995. - Т.61. - С.54-56.

40. Белов К.П. Редкоземельные магнетики и их применение. М.: Наука. 1980.- 240с.

41. Тикадзуми С. Физика ферромагнетизма. Магнитные характеристики и практические применения. М.: Мир. 1987. 419с.

42. Генделев С.Ш., Дедух Л.М., Никитенко В.И., Половинкина В.И., Суворов Э.В. Связь доменной структуры монокристаллов ИЖГ с несовершенствами их строения // Изв. АН СССР, сер. физ. 1973. - Т.35. -С.1210-1215.

43. Веселаго В.Г., Черников М.А. Доменная структура тонких монокристаллических пластин селенохромита кадмия // Тез.докл. IV Всесоюзнойной конференции "Тройные полупроводники и их применение". Кишинев: Штиинца. 1983. С.89.

44. Крупичка С. Физика ферритов и родственных им магнитных окислов. -М.: Мир, 1976. Т.1-2.

45. Krupicka S., Roskovec V. On the Question oe the Influence of Magnetic After-Effect on the Frequency Dependence of Complex Permeability // Chech. J.Phys. 1966. - V.16. - P.99-105.

46. Knowles E., Broese van Groenon A. A New Manifestation of Magnetic AfterEffect // Phys.St.Sol. 1966. - V.14. - P.94-96.

47. Neel L. Anisotropic Magnetic Superficielle et Surstructures d Orientation // J.Phys.Rad. 1954. - V.15. - P.225-237.

48. Stacy W.T., Roomans C.G.M. A Crystal Field Mechanism for the Noncubic Magnetic Anisotropy in Garnet: Oxygen Vacancy Ordering // Sol.Stat.Comm., -1971. V.9. - P.2005-2008.

49. Khodenkov H.Ye. Linear Eguation of Motion of Bloch Wall in Ferromagnet // Phys.Lett.A. 1976. - V.58A. - P.135-136.

50. Малоземов А., Слонзуски Дж. Доменные стенки в материалах с цилиндрическими магнитными доменами. М.: Мир. 1982. 382 с.

51. Enz U., van der Heide Н. The new manifestations of the photomagnetic effect // Solid State Commune. 1968. - V.6, N.4. - P.347-349.

52. Белов К.П, Звездин A.K, Кадомцева A.M, Левитин Р.З. Ориентационные переходы в редкоземельных магнетиках. Москва: Наука, 1979.

53. Власко-Власов В.К, Дедух Л.М., Никитенко В.И. Доменная структура монокристаллов иттриевого феррограната // ЖЭТФ. 1976. - Т.71, №6. -С.2292-2304.

54. Танкеев А.П., Филипов Б.Н. Домены в материалах неоднородных по объему. В кн. Динамические и кинетические свойства магнетиков. М.: Наука, 1986. С.127-162.

55. Kersten М. Grunlagen einer Theorie der Ferromagnetichen Hysterese und der Koerzitivkraft Leipzig. 1943.

56. Pfeffer K.H. Micromagnetic treatment of the interaction between dislocations and plane Bloch-walls // Phys. status solidi. 1967. - V.20. - P.395-411.

57. Friedbery R. Paul D.I. New theory of coercive force of ferromagnetic materials // Phys. Rev. Lett. 1975. - V.34, N.19. - P.1234-1237.

58. Paul D.I. Application of solution theory to ferromagnetic domain wall pinning // Phys. Lett. A. 1978. - V.64, N.5. - P.485-488.

59. Paul D.I. Solution theory and the dynamics of a ferromagnetic domain wall // J. Phys. C. 1979. - V.12. - P.585-593.

60. Плавский B.B., Екомасов Е.Г., Шамсутдинов M.A., Давлетбаев А.Г. Характеристики доменной границы, локализованной в области пластинчатого включения , в магнитном поле // ФММ. 1993. - Т.75, №6. - С.26-33.

61. Горобец Ю.И., Зюбанов А.Е., Кучко А.Н., Шеджури К.Д. Спектр спиновых волн в магнетиках с переодически модулированной анизотропией // ФТТ. 1992. - Т.34, №5. - С. 1486-1490.

62. Taniguchi S. The Effect of the Induced Uniaxial Anisotropy on the Domain Wall Displacements and Magnetic Behavior of Ferromagnetic Cubic Solid Solutions // Sei. Rep. Ritu. 1956. - V.A8. - P.173-192.

63. Hanus K. The Effect of Induced Anisotropy on Stabilized 180° Wall Displacements in Perminvar Ferrite // Czech. J.Phys. 1980. - V.B37. - P.47-54.

64. Enz U., Lems W., Metselar R. Photomagnetic effect // IEEE Trans.Magn. -1969. V.5, N.3. - P.467-475.

65. Анзина Л. В., Веселаго В. Г., Рудов С. Г. Эффект воздействия света на петлю гистерезиса магнитного полупроводника CdCr2Se4 // Письма в ЖЭТФ. 1975. - Т.23. - С. 520-521.

66. Махоткин В. Е., Виноградова Г. И., Веселаго В. Г. Фотоиндуцированное закрепление доменных стенок в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 // Письма в ЖЭТФ. 1978. - Т.28. - С. 84-86.

67. Hartwick Т. S., Smit J. Ferromagnetic resonance in Si-doped YIG // J. Appl. Phys. 1969. - V.40. P. - 3995-3997.

68. Анзина. Л. В., Веселаго В. Г., Вигелева Е. С. и др. Фотоферромагнитный эффект и фотопроводимость в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 . В кн.: Труды Международной конференции по магнетизму. М.: Наука. -1974. Т.6. - С. 480-483.

69. Рудов С. Г., Веселаго В. Г. Фотоиндуцированное изменение намагниченности магнитного полупроводника CdCr2Se4 // ФТТ. 1979. -Т.21. - С.3250-3254.

70. KnellerE. Ferromagnetismus. В.: Springer-Verl. 1962. 178 S.

71. Чечерников В. И. Магнитные измерения. М.: Изд-во МГУ. 1969. 387с.

72. Анзина Л. В., Веселаго В. Г., Рахвальский М. П., Рудов С. Г. Фотоиндуцированные центры в магнитном полупроводнике GdCr2Se4 // ФТТ. 1979. - Т.21. - С.2947-2951.

73. Самохвалов А. А., Осипов В. В., Калинников В. Т., Аминов Т. Г. Влияние сильного электрического поля на электропроводность ферромагнитного полупроводника CdCr2Se4 // ФТТ. 1978. - Т.20. - С.595-597.

74. Френкель Я. И. К теории электрического пробоя в диэлектриках и электронных полупроводниках // ЖЭТФ. 1938. - Т.8. - С.1290-1301.

75. Губанов А. И. К теории эффекта сильного поля в полупроводниках // ЖТФ. 1954. - Т.24. - С.308-319.

76. Дедух JI. М., Устинов В. В. Природа фотомагнитного эффекта в монокристаллах ИЖГ // ФТТ. 1975. - Т.17. - С. 2594—2599.

77. Knowles J.E., Braese van Groenon. A new manifestation of magnetic aftereffect // Phys.status solidi. 1966. - V. 14. - P. 91-96.

78. Pearson R.F., Annis A.D., Kompfner P. Photomagnetic anneal properties of silicondoped yttrium iron garnet // Phys.Rev.Lett. 1968. - V.21, N.27. -P.1805-1807.

79. Куц П.С., Коваленко В.Ф. Обратимость фотоиндуцированного эффекта в Y3Fe4.98Sio.o20i2 // ФТТ. 1975. - Т.17, №5. - С.1481-1483.

80. Piedler Н.С., Pry R.H. Effect of magnetic Annealing on the Properties of (110) 001. Oriented 3 % Silicon-iron Strip // J.Appl.Phys. 1959. - V.30, N.4. - P.109S-110S.

81. Зайкова B.A., Веденеев M.A., Дрожжина В.И. Анизотропия магнитных свойств и доменная структура кристаллов кремнистого железа // Физика металлов и металловедение. 1973. - Т.35, №.3. - С.484-492.

82. Дедух JI.M., Устинов В.Б. Природа фотомагнитного эффекта в монокристаллах ИЖГ // ФТТ. 1975. - Т.17, №9. - С.2594-2598.

83. Hisatake К., Matsubara I., Maelda K.,Fugihara I., Ichinose N.,Sasari I., Narano T. Photoinduced Effects on the Permeability in YIG Single Crystals Groun by the Floating Zone Method // Phys. Stat.Sol. (a). 1987. - V.104. - P.815-824.

84. Коваленко В.Ф., Чеховой А.Ю. О температурной зависимости фотоиндуцированного изменения магнитной проницаемости в монокристаллах Y3Fe50i2:Si // Изв.вузов. Физика. 1989. - N1, - С.119-120.

85. Lotgering F.K. Photomagnetic effects and disaccommodation in Co-doped YIG // J.Phys.Chem.Sol. 1975. - V.36,N.ll. -P.l 183-1191.

86. Alben R., Gyorgy E,M., Dillon J.F., Remeika J.P. Polarization Dependent Photoinduced Effects in Silicon-Doped Yttrium Iron Garnets // Phys.Rev.B. -1972. V.5, N.7. - P.2560-2577.

87. Dillon J.F., Gyorgy E.M., Remeika J.P. Photoinduced magnetic anisotropy and optical dicroism in silicon-doped yttrium iron garnet // Phys.Rev.Lett. -1969. -V.22, N.13. P.643-645.

88. Flanders P., Graham C., Dillon J.F., Gyorgy E.M.,Remeika J.P. Photoinduced changes in the Crystal anisotropy of Si-doped YIG // J.Appl.Phys. 1971. -V.42, N.4. - P. 1443-1445.

89. Куц П.С., Коваленко В.Ф., Рубан B.A. Влияние термомагнитной обработки и светового облучения на магнитные свойства кристаллов Y3Fe5.xSixOi2 // Изв.вузов. Физика. 1976. - №9. - С. 138-140.

90. Жуковский А.В., Коваленко В.Ф., Куц П.С., Нам Б.П., Хе А.С. Влияние света на магнитную анизотропию эпитаксиальных пленок // Y3Fe50i2: Si. ФТТ. 1985. - Т.27, №9. - С.2841-2843.

91. Flanders P.J. Determining Magnetic Anisotropy Constans With an RSM // IEEE Trans.Magn. 1968. - V.4, N.3. - P.467-470.

92. Минаков А.А., Веселаго В.Г. Низкотемпературный магнитометр с вращающимся образцом и его применение для измерения магнитокристаллической анизотропии ферромагнетиков. Препринт ФИАН СССР № 31. М. 1980. 23 с.

93. Slonczewski J.C. // Anisotropy and magnitostriction in magnetic oxides // J.Appl.Phys. 1961. - V.32, N.3. Suppl. - P.253-263.

94. Rudowicz J.C., Kowalewski L. Magnetocrestalline anisotropy due to 3d11 ions with spin S=2 in magnetic oxides // Physica B. 1975. - V.80. - P.517-540.

95. Rudowicz J.C. Magnetocrystalline anisotropy of 3d6 and 3d4 ions at triclinic symmetry sites. Application to Fe ions in YIG: Me4+ (Me = Si,Ge) // Z.Naturforsch. 1983. - V.38a, N.5. - P.540-544.

96. C.Rudowicz. Magnitocrystalline anisotropy of Fe2+ ion in silicon- or germanium substitued yttrium iron garnet at zero temperature // J.Appl.Phys. -1982. Y.53, N.l. - P.593-595.

97. Tchernev D.T. Frequency-dependent anisotropy in Si- and Ca-doped YIG and LuIG // J.Appl.Phys. 1966. - V.37. - P.1318-1323.

98. Sturge M.D., Gyorgy E.M., Le Graw R.C., Remeika J.P. Magnetic behavior of cobalt in garnets. II. Magnetocrystalline anisotropy and ferrimagnetic resonance of cobalt-doped yttrium iron garnet // Phys. Rev. 1969. - V.l 80, N2. - P.413-423.

99. Dillon J.F., Gyorgy E.M., Remeika J.P. Photoinduced strain in silicon doped yttrium iron garnet // Appl.Phys.Lett. 1969. - V.l5, N.7. - P.221-222.

100. Тимофеева В.А. Рост кристаллов из растворов-расплавов. Наука. М. 1978. 268с.

101. Вонсовский С.В., Шур Я.С. Ферромагнетизм. ОГИЗ. М.-Л. 1948. -816 с.

102. Callen E.R., Clark А.Е., de Savage В., Coleman W., Callen H. Magnetostriction in cubic Neel ferrimagnets, with application to YIG. Phys. Rev. 1963. - V.130, N5. - P.1735-1740.

103. Юб.Кузьмин E.B., Петраковский Г.А., Завадский Э.А. Физика магнитоупорядоченных веществ. Новосибирск "Наука". 1976. 278 с.

104. Slonczewski J.C.Theory of magnetistriction in cobalt-manganese ferrite // Phys. Rev. 1961. - V.122, N.5. - P.1367-1375.

105. Dionne G.F. Origin of the magnetostriction effects from Mn3+, Co2+, and Fe2+ ions in ferrimagnetic spinels and garnets // J.Appl.Phis. 6. 1979. - V.50. -P.4263-4272.

106. Mack D.R., Smit J. Magnetostriction of Si-doped YIG at low temperatures // J. Smith. Appl. Phys. 1973. - V.2. - P.23- 25.

107. Лифшиц И.М. К теории упругих свойств поликристаллов. В книге Физика реальных кристаллов и неупорядоченных систем. Москва "Наука". 1987. -С.317-319.

108. Опое М. Contour vibrations of isotropic circular plates // J. Acoust. Soc. Am. 1956. - V.28, N.6. - P. 1158-1162.

109. Lubowe A.G., Mindlin R.D. Extensional vibrations of thin quartz disks // J. Acoust. Soc. Am. 1962. - V.34, N12. - P.1911-1918.

110. Seavey M.H. Observation of light-induced anisotropy in ferric borate by acoustic resonance // Sol.St.Comm. 1973. - V. 12. - P.49-52.

111. Дудкин В.И., Пильщиков А.И. В сб. Магнитные и кристаллографические исследования ферритов. Под ред. К.П.Белова и Ю.Д.Третьякова. Москва: МГУ. 1971.

112. Пильщиков А.И., Киров С.А. В сб. Физика и химия магнитных полупроводников и диэлектриков. Под ред.К.П.Белова и Ю.Д.Третьякова. Москва: МГУ. 1978.

113. Туров Е.А., Шавров В.Г. Нарушенная симметрия и магнитоакустические эффекты в ферро- и антиферромагнетиках // УФН. 1983. - Т. 140, Вып.З. -С.429-462.

114. Гуревич А.Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках. Москва "Наука". 1973. 592 с.

115. Hiroyuki О., Kenichi U. Photoinduced decrease of ferrimagnetic resonance field in YIG single crystals // Jap. J. Appl. Phys. 1980. - V.19. - P.2513-2514.

116. Иванов С.В., Куркин М.И. Особенности ЯМР в доменных границах. В сб. "Динамические и кинетические свойства магнетиков." Москва "Наука". 1986.-С. 197-223.

117. Robert С., Hartmann-Boutron F. Anisotropic de la fregvece de resonance nucleaire dans le grenat d' yttrium et de fer // J.de Phys. et le rad. 1962. - V.23.- P.574-576.

118. Streever R.L., Caplan P.J. Nuclear-magnetic-resonance studieg of 57Fe in rare-earth iron garnet // Phys. Rev. B. 1971. - V.4, N 9. - P.2881-2887.

119. Spacek L. Energie der Blochwande in Eisen und Nickel // Ann. der Physic. -1960. V.5, N7. - P.217-228.

120. Шамсутдинов M.A., Нургалиев T.X., Фарзтдинов M.M. Электронноядерный резонанс в доменной границе ферромагнетика // ФТТ.- 1987. Т.29, №5. - С.1589-1591.

121. И.В.Старостенко, В.Н.Лукашин, М.Н.Успенский, Влияние дефектов структуры на ядерную релаксацию 57Fe в доменных границах Y3Fe50i2 Н Письма в ЖТФ. 1986. - Т.28. - С.1048-1052.

122. И.В.Старостенко, Б.М. Лебедь, В.Н.Лукашин, В.Е.Семенов, М.Н.Успенский, Эффекты усиления и ядерная релаксация в доменных границах у-облученного Y3Fe5Oi2 // . ФТТ. 1986. - Т.28. - С.637-641.

123. Е.А.Туров, А.П.Танкеев, М.И.Куркин, К теории ядерной магнитной резонансной восприимчивости многодоменных ферромагнетиков // ФММ.- 1969. Т.28. С.385-400. ФММ. - 1970. - Т.29. - С.747-756.

124. Звездин А.К. Доменные границы и ЯМР в ортоферритах // ЖЭТФ. -1975. Т.68. - С.1434-1448.

125. Zalessku A.V., Zheludev I.S. Application of the NMR technique to studies of the domain structure of ferromagnets // Atom. Energy Rev. 1976. - V.14, N1. -P.133-172.

126. Копцев O.E., Лукашин B.H., Старостенко И.В., Успенский М.Н. ЯМР железа -57 в доменных границах иттриевого феррита-граната // Ядерное излучение в науке и технике. М., 1984. С. 33-39.

127. Murray G.A., Marshall W. A new interpretation of nuclear magnetic resonance in dilute ferromagnetic alloy // Proc. phys. soc. 1965. - V. 86. -P.315-330.

128. Хуберт А. Теория доменных стенок в упорядоченных средах. М.: Мир. 1977. 306с.

129. Riedi Р.С., Zammit-Mangion I. Difference between domain wall motion in single crystal and polycrystalline YIG observed by pulsed NMR // Phys. stat. sol. (a). 1985. - V.87. - P.K163-K166.

130. Туров E.A., Петров М.П. Ядерный магнитный резонанс в ферро- и антиферромагнетиках. М.: Наука, 1969. - 260 с.

131. Hansen P. Physics of Magnetic Garnets // Proc. Of the Internat. School of Physics "Enrico Fermi". Course LXX. Amsterdam-New York-Oxford. North-Holland Publishing Company, 1978. 542 p.

132. Белов К.П., Звездин A.K, Левитин Р.З. и др. Спин-переориентационные переходы в кубических магнетиках. Магнитная фазовая диаграмма тербий-иттриевых ферритов-гранатов И ЖЭТФ. 1975. - Т.68. - С. 11891202.

133. Бородин В.А., Дорошев В.Д., Клочан В.А., Ковтун Н.М., Левитин Р.З., Маркосян А.С. Исследование спин-переориентационных фазовых переходов в иттрий-тербиевых ферритах-гранатах методом ЯМР // ЖЭТФ. 1976. - Т. 70, Вып. 4. - С. 1363-1378.

134. Эшенфельдер А. Физика и техника цилиндрических магнитных доменов. М.: Мир, 1983. - 496 с.

135. Вахитов P.M., Сабитов P.M., Фарзтдинов М.М. Доменные границы в ферритах-гранатах с наведенной одноосной анизотропией // ФТТ 1985. -Т. 27, № 6. - С. 1852-1856.

136. Вахитов P.M., Сабитов P.M., Шанина Е.Г. Статические и динамические свойства магнитных неоднородностей в ЦМД-материалах с ромбической анизотропией // Микроэлектроника. 1989. - Т. 18, № 3. - С. 266-273.

137. Куркин М.И., Иванов С.В. Особенности ЯМР в доменных границах // Динамические и кинетические свойства магнетиков. М., 1986. С. 197-223.

138. Деринг В. Инерция границ между ферромагнитными областями // Ферромагнитный резонанс. / Под ред. Вонсовского С.В. М.: ИЛ, 1952. 343с.

139. Scott G.B. The Optical Absorption and Magneto-Optic Spectra of Y3Fe50i2.Physics of magnetic garnets. LXX Corso Soc. Italiana di Fisica -Bologna Italy. 1978.

140. Балбашов A.M., Бахтеузов B.E., Цветкова A.A., Червоненкис А.Я., Черкасов А.П. Влияние примесей на спектры поглощения пленок Bi -содержащих гранатов //ЖПС. -1981. Т.34, Вып.З. - С.537-539.

141. Larsen P., Robertson J. Electrical and optical properties of thin films of Pb -and Si4+ doped YIG produced by liquid phase epitaxy // J. Appl. Phys. - 1974. - V.45, N.7. - P.2867-2873.

142. Scott G.B., Lacklison D.E., Page J.L. Absorption spectra of Y3Fe5Oi2 (YIG) and Y3 Ga5012:Fe3+ // Phys. Rev. 1967. - V.10, N.3. - P971-985.

143. Larsen P., Robertson J. Changes in optical absorption in iron garnet films due to impurity incorporation // Appl. Phys. 1976. - V.l 1. - P.259-263.

144. Antonini В., Blank S., Lagomarsino S. Stability and site occupancy of Fe4+ in Ca-doped YIG films // IEEE Trans. Magn. 1981. - V. MAG-17, N.6. -P.3220-3222.

145. Scott G.B., Page J.L. Pb-valence in iron garnets // J.Appl. Phys. 1977. -V.48, N.3. - P. 1342-1349. .

146. Wood D.L., Remeika J.P. Effect of impurities on optical properties of Yttrium Iron Garnet // J.Appl.Phys. 1967. - V.38, N3. - P.1038-1045.

147. Gyorg E.M., Dillon J.F., Remeika J.P. Irreversible photoinduced changes in optical absorption of YIG(Si4+) and YIG(Ca2+) // J. Appl. Phys. -1971. V.42, N4. - P. 1454-1455.

148. Находкин Н.Г., Вознюк B.B. Фотоиндуцированное ИК поглощение в легированном кремнием железоиттриевом гранате // ФТТ. 1989. - Т.31, Вып.4. - С. И 4-117.

149. Hisatake К., Matsubara I., Maeda К., Yasuoka Н., Mazaki Н., Uematsu К. Photo-induced effect on optical absorption coefficient in yttrium iron garnet // J. Magn. Magn. Mater. 1995. - V.140-144. - P2127-2130.

150. Wood D. L., Remeika I. P. Optical transparency of rare-earth iron garnets // J. Appl. Phys. 1966. - V.l7. - P.1232-1934.