Гальваномагнитные и НВЧ свойства нелегированного антимонида кадмия при низких температурах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Сирота, Алексей Владимирович АВТОР
кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Харьков МЕСТО ЗАЩИТЫ
1993 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.07 КОД ВАК РФ
Автореферат по физике на тему «Гальваномагнитные и НВЧ свойства нелегированного антимонида кадмия при низких температурах»
 
Автореферат диссертации на тему "Гальваномагнитные и НВЧ свойства нелегированного антимонида кадмия при низких температурах"

Р Г 8 ОД ХАРКІВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ

На правах рукопису

Сирота Олексій Володимирович

ГАЛЬВАНОМАГНІТНІ ТА НВЧ ВЛАСТИВОСТІ НКЛЕГОВАНОГО АНТИМОНІДУ КАДМІЮ ПРИ НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

01.04.07. - фізика твердого тіла

Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичннх наук

Харків - 1993

Дисертація е рукопис

Робота виконана в Інституті радіофізики та електроніки АН України

Науковий керівник - кандидат фізико-математичних наук, с.н.с. їаламейда Дмитро Дмитрович

Офіційні опоненти - Заслужений діяч науки України,

Провідна організація - Інститут фізики напівпровідників АНУ

на засіданні спеціалізованої вченої ради К 068. 39. 02 у Харківському політехнічному інституті /310002, Харків-й, МСН, вул.Фрунзе, 21/.

З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Харківського політехнічного інституте.

Автореферат розісланий •пС^~ " І993п.

Лауреат Державної премії Уіфаїни, доктор фізико-математичних наук, член-кореспондент АН України Королик Олексій Полікарпович

доктор фізико-математичних наук, професор Пугачов Анатолій Тарасович

Захист відбудеться "

Вчений секретар спеціалізованої вченої ради

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Актуальність геми. Сполука С4$6 - представник групи напівпровідників А2!}5, які володіють вираженою анізотропією фізичних властивостей. З наукової точки зору інтерес до вивчення анізотропних напівпровідників викликаний можливістю спостереження нових фізичних явищ, відсутніх в ізотропних матеріалах. Рекордне значення анізотропії термо-е.р.с. та висока прозорість в ІЧ діапазоні визначають основні галузі практичного застосування антимоніду кадмія - в ІЧ оптиці і термоелектриці. При низьких температурах С(156 має високу фоточутливість до випромінювання в області довжин хвиль, де існуз власне та дошщкове поглинання. Виявляюча здатність приймача випромінювання на довжину хвилі 2,0 ши не поступає відомим приймачам на основі Рб$ та ІпА^". Оцінка граничної чутливості приймача субміліметрового діапазону довзин хвиль /200 та 360 мюд/ для кращих зразків показує, що вона знаходиться на рівні максимальної чутливості приймачів цього діапазону хвиль на основі п-1п$6 та п-6аА$*. В теперішній час на Україні освоєно виробництво

матеріалу в промисловому масштабі та постійно проводяться ро-

2

боти по удосконалюванню методів його одержання . Розроблена технологія вирощування нелегованого антимоніду кадмію з низь-

ТС о

кою концентрацією точкових дефектів /~І*І0 см / та малою

о о

густиною дислокацій /менше ніж 5*10 сіл /. Відомо, що структурні дефекти у Осівб утворюють акцепторні стани, які визначають дірочний тип провідності при температурах нижче 250 К.

■'‘Лазарев В.Б., Шевченко В.Я., Гринберг Я.Х., Соболев В.В».Полупроводниковые соединения группы А В . -Ы.: Наука,1У7Ь. -2з5 с.

^Грицюк Б.Н.// Автореферат диссертации на соиск. уч. ст. кандидата фіз.-маг. наук. - Черновцы, і9Ьо. - 1ь с.

Більшість досліджень нелегованого антимоніду кадмію проведено на зразках з високою концентрацією структурних дефектів в області температур вище азотної. Проте, уявляє значний інтерес всебічне вивчення структурно досконалою матеріалу. ¿%аслі-док низької концентрації акцепторів, їх енергетичні рівні є локальними дискретними рівнями і домішкова зона не утворюється. Гальваномагнітні вимірювання при низьких температурах в таких зразках дозволяють визначити кількість акцепторних рівнів в забороненій гоні СсЮб /в літературі обмірковується питання про існування двох, близько розташованих по енергії, акцепторних рівнів/. Відсутність провідності по домішковій зоні дає можливість коректно визначити енергію іонізації акцепторів та механізми розсіювання вільних дірок. Мала концеграція електрично активних структурних дефектів також спричиняє велику рухливість дірок, що значно полегшує вивчення ефектів, зв’язаних з квантуванням спектра дірок у сильному магнітному полі, з розігрівом дірок у сильному електричному полі, яке у Ссі56 проведено недо-сить повно /наприклад, поведінка гарячих дірок у магнітному полі практично не вивчалась/. Яскраво виявлена анізотропія ефективної маси дірок, енергії оптичних фононів робить антимонід кадмію зручним модельним матеріалом для цих досліджень.

Недостатньо вивчено властивості нелегованого антимоніду кадмію у міліметровому діапазоні довжин хвиль, повністю відсутні відомості про поведінку НВЧ фотопровідності у магнітному полі. Відомо, що такі вимірювання дозволяють вивчати циклотронний резонанс /ЦР/ носіїв струму, який є методом дослідження зонної структури напівпровідників. У Сс&6 зонна структура має .більш складний характер порівнюючи з такими напівпровідниками, як та 5і і її параметри до наступного часу надійно не встановлено /наприклад, немає повної ясності в питанні про

- З -

значення ефективних мас дірок/. Раніше ЦР дірок в Сс&б вивчався іншими авторами у субміліметровому діапазоні довжин хвиль у зразках з більш низькою рухливістю дірок. В цьому діапазоні енергії кванта випромінювання достатньо для іонізації акцепторів. Внаслідок цього, поряд з лінією, зумовленою циклотронним поглинанням, може виявлятися домішкова лінія, що утруднює інтерпретацію результатів дослідження ЦР. На міліметрових хвилях енергія кванта випромінювання на порядок менше енергії іонізації акцепторів і домішкове поглинання не існує. Проте, для виконання умов спостереження ЦР треба мати високоякісні зразки з великою рухливістю носіїв та гелієві температури.

Ціль дисертаційної роботи:

1. Вивчення акцепторних станів та механізмів розсіювання дірок у спеціально нелегованих зразках СсіЗв високої структурної досконалості.

2. Визначення впливу квангуючого магнітного"поля на кінетичні ефекти в слабких електричних полях.

3. Визначення впливу сильного магнітного поля на систему гарячих дірок. -

4. Вивчення циклотронного резонансу у міліметровому діапазоні довжин хвиль.

Наукова новина.

1. Вперше в р-Со|$6 експериментально виявлено і проаналізовано ефект матнітноро "виморожування".

2. Вперше в нелегованому антимоніді кадмію експериментально зареєсіровано і вивчено оригінальні довгочасові релаксації кінетичних коефіцієнтів.

3. Вперше в р-Сс(£!б експериментально виявлено стрімінг - сольно ані зотропний/голкоподі б ний/ розподіл гарячих дірок в імпульсному просторі.

4. Вперше встановлено, що в Сс(£8 у кінетичних ефектах ери гелієвих температурах приймають участь декілька типів дірок у валентній зоні.

5. Вперше вивчена поведінка НВЧ фотопровідності в нелегованому антимоніді кадмію у магнітному полі. Встановлено, що фотопровідність в міліметровому діапазоні довхин хвиль при гелієвих температурах зумовлена розігрівом дірок валентної зони. Методом фотопровідності вивчено циклотронний резонанс дірок. Виявлена та вивчена трансформація лінії ДР при збільшенні постійного електричного струму, що протікав через зразок.

Наукова та практична цінність роботи.

Одержані в дисертаційній роботі результати поглиблюють знання про СсІ$6, тому що визначено такі параметри, як енергія іонізації акцепторів, циклотронні ефективні маси дірок, концентрація легких дірок при 4,2 К, зроблена оцінка енергії оптичних фононів. Проведені дослідження уявляють також й загаль-нофізичний інтерес. Виявлений ефект магнітного "виморожування" зумовлений зміною спектра дірок у сильному квактуючому магніт-

3

йому полі. Теорія не тільки підтверджена експериментально, але & розвинута для випадку частково компенсованих напівпровідників. Збільшення енергетичного зазору між валентною зоною та акцеп-торним рівнем за допомогою Магнітного поля може бути застосовано для створення на основі нелегованого антимоніду кадмію приймача випромінювання, субміліметрового діапазону довжин хвиль, перебу-

3Клингер М.И.,Вороніж П.И.// 13ТФ.-І957. -33, » І/7/.-£.77-^7.

довуємого по частоті. У міліметровому діапазоні С<і$6 мозе використовуватися як циклотронний приймач випромінювання.

У Сс$6 в сильних електричних полях виявлено сильно анізотропний розподіл гарячих дірок в імпульсному просторі /стрімінг/. Інтерес до такого розподілу зумовлений великим спектром фізичних явищ, виникаючих в умовах стрімінгу /інверсія населеності у системі гарячих носіїв, динамічна від'ємна дифзрекційна провідність, різного роду нестійкості струму/, які застосовуються для створення генераторів міліметрового та субміліметрового діапазону хвиль.

Долотення. шо виносяться на захист. .

1. Різкий спад дисипативного струму у критичному магнітному

полі Н у деякому інтервалі електричних полей ЕІ.Н в нелегованому антимоніді кадмію при гелієвих температурах зумовлений перебудовуванням прн Н = Нйфункції розподілу гарячих дірок в імпульсному просторі. •

2. У Сс|96 в кінетичних ефектах при гелієвих температурах приймають участь декілька типів дірок валентної зони.

3. Збільшення коефіцієнту Іолла. та експоненційне зменшення

електропровідності у шгніному полі тсТ/е£< Н < ще бд/еЙ.* в спеціально нелегованлх зразках Сс^б зумовлено зменшенням концентрації дірок у валентній зоні, викликане збільшенням енергетичного зазору міг акцепторним рівнем та валентною зоною внаслідок зміни спектра дірок в квантуючих магнітних полях /ефект магнітного "виморожування"/. -

4. Трансформація лінії циклотронного резонансу дірок, що

я т -циклотронна ефективна маса, Т - температура в енергетичних одиницях, 6д - енергія іонізації акцепторів, е - заряд електрону, с - пввдкість світла,А- постійна Планка.

реєструється у СсіЗД в міліметровому діапазоні довжин хвиль до зміні статичної електропровідності при 4,2 К, з мінімума у максимум викликана зміною відношення рухливостей або концентрацій двох типів дірок, а з максимуме в мінімум - зміною механізме розсіювання /з іонізованих домішок на акустичні фонони/ при збільшенні постійного електричного струму, що протікає через зразок.

Структура та об’єм дисертації.

Дисертаційна робота складається з вступу, чотирьох розділів, закінчення і списка літератури. Дисертація містить ЬО сторінок основного тексту, 33 сторінки малюнків і таблиць, список літератури з ІОЬ найменувань на II сторінках, повний об’єм дисертації складає 124 сторінки.

Апробація результатів.

Основні результати доповідались й обмірковувались на наукових семінарах ІРЕ АН України /1967-1932/, УД та УШ Всесоюзних координаційних нарадах "Матеріаловедення напівпровідникових сполучень групи А2!!5" /Вороніж, І9В7 і Чернівці, 1990/, обласній науковій коарервщі ї молодих вчених та спеціалістів /Харків, 19Ь9/, УД Всесоюзному симпозіумі "Плазма і нестійкості в напівпровідниках" /Палаяга, І9Ь9/, Українському симпозіумі "Фізика і техніка міліметрових та субміліметрових радіохвиль" /Харків, 1991/.

Публікації.

Матеріали дисертації опубліковано у друкованих роботах /1-12/.

ЗМІСТ РОБОТИ

У вступі обгрунтована актуальність теми, вказано ціль та

структуру роботи, коротко викладено зміст дисертації. Сформулювало основні результати.та положення, що виносяться на захист. >

Папіпий гюяяі.я мав оглвдний характер. Надано відомості про зонну структуру й гальваномагнітні властивості налегованого антимоніду кадмію. Розглянуто ефект магнітного "виморожування" носіїв, теорія гальваномагнітних явищ у сильних електричних полях в умовах недружного розсіювання та особливості спостереження циклотронного резонансу по зміні статичної провідності. Описано виготовлення зразків і методики дослідження коефіцієнту Холла, провідності, опіру в інтервалі температур 4,2-160 К, магнітних полей 0-50 кЕ, електричних полей 0-1000 Б/см. Вимірювання в сильних електричних полях проводились за імпульсною методикою. Фотопровідність вивчалась за методикою синхронного детекгирування .у міліметровому діапазоні довжин хвиль 2,2-2,5 мм при 1,8-4,2 Н у магнітних полях 0-50 кЕ. Показано блок-схе-ми експериментальних установок.

Другий розділ присвячений дослідженню гальваномагнітних явищ у нелегованому антимоніді кадмію високої структурної досконалості в слабких електричних полях. Встановлено, що провідність по домішковій акцепторній зоні в досліджених зразках Ссі^б при орієнтації електричного струму вздовж кристалографічного напрямку [100] не спостерігається аж до гелієвої температури. З аналізу температурної залежності коефіцієнту Холла та електропровідності визначена енергія іонізації мілкого акцепторного рівня, зумовленого електрично активними точковими дефектами <5^ = 4,0 - 4,5 меВ. іікспериментально підтверджено існування в забороненій зоні спеціально нелегованого антимоніду кадмію другого акцепторного рівня з енергією іонізації ¿А2>-4,5 меВ. Встановлено, що сумарна концентрація акцепто-

рів, компенсованих донорами N¿1 + Л/д2 ~ 'Хц приблизно в 2 рази перебільшує концентрацій акцепторів, які утворюють мілкий рівень /Уд£ - що підтверджує модель акцепгорного центра, як двухзонно'ї вакансії кадмія.

На температурній залежності коефіцієнту Холла в діапазоні 20-100 К має місце перегин, зв’язаний з послідовною іонізацією двох акцепторних рівнів.

Встановлено, що в інтервалі 4,2-7,7 К імпульс дірок розсіюється на нейтральних та іонізованих домішках. Рухливість^ в цьому інтервалі Т зрозгає з підвищенням температури, досяга-

А О

вчи рекордного значення 5,9 • 10 см /В с. Надалі, з підвищенням температури від 7,7 К до 100 К, відбувається зміна механізму розсіювання й переважним стає розсіювання на акустичних фононах. В області 20-100 К

Виявлено оригінальні довгочасові релаксації провідності

і коефіцієнту Холла, які спостерігаються при 4,2 К в умовах "підсвічування" зразка фоновим 14 випромінюванням. Показано, що на параш гри релаксацій впливає термоциклювання зразка від гелієвої до кімнатної температури.

Виявлено ефект магнітного "виморожування" - зменшення концентрації вільних дірок при збільшенні магнітного поля. З'ясовано, що причиною зменшення концетрації дірок є зміна енергетичного спектру в сильних магнітних полях, коли виконуються умови квантування руха носіїв струму /¿Н > І і ti.il > кТ. Проведено аналіз ефекта в моделі енергетичного спектру в квантуючих магнітних полях^, в якій вершина валентної зони, котра є нижчим рівнем Лавдау, піднята вгору по енергетичній шкалі для дірок

А

Аскеров Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках. ■ М.: Наука, 19Ь5. -317 с.

- а -

відносно полохання при Н = 0 на величину і розщеплена на два підрівня ±^Н. Акцедторний рівень також розщеплений на два підрівня 8^ ± ^0Н - магнетон Бора/. Теоретично роз-

глянута залежність концентрації дірок від магнітного поля у невиродженому акцопторному напівпровіднику, частково компенсованому донорами. У випадку квантової межі, коли усі дірки знаходяться на нижчому рівні Ландау ця залежність мав вигляд:

р=_ 2(4.-*а)

ЫгЫ '

кт

М о (2Ят*кТУ*/2 еН

(—Н2 І ^~-^с

£ > І - фактор спінового виродження акцепторів, тх- ефективна маса густини станів, т. - циклотронна ефективна маса дірок,

УУА, Л'д - концентрації акцепторів і донорів, £ А - енергія іонізації акцепторів. Яри достатньо низьких температурах, коли виконуються умови:

>у1Щте І е

температурний та магнітопольовий хід концентрації описується приблизною залежністю:

К-иА)ки) 'V риАкТ

На відміну від результата роботи3 р~('^/кг)'1^2- ехр (-^/^г)

одержаного у припущенні повної відсутності компенсації домішок /для акцесорного напівпровідника Л/д = 0/, вираз /З/ дає залежність р ~ (A-iJ/кт) • ехр (-А«/2кт).

Проведено експериментальне вивчення матнітопольових залежностей провідності 6 і коефіцієнту Холла R в полях до 50 кЕ при 4,2 К в зразках нелегованого антимоніду кадмію з концентрацією компенсованих акцепторів Л/д -/Уд = 1,36 • ІО*5 см-3 і густиною дислокацій < 500 см-2. Виявлено збільшення К , починаючи

з Ь кЕ,і експоненційний характер £УН) . По нахилу прямолінійних ділянок залежності ¿лбЄН) зроблено оцінки циклотронних ефективних мас дірок . Одержанні значення т узгоджуються з величинами, які визначено методом циклотронного резонансу.

Вивчено природне старіння CdS6 протягом трьох років на повітрі при кімнатній температурі. З’ясовано, що з пливом часу в нелегованому антимоніді кадмію з низькою концентрацією структурних дефектів відбувається збільшення кількості акцепторних центрів переважно поблизу поверхні зразка. Цей процес спричиняє появу домішкової акцедгорної зони та провідності по ній при низьких температурах. Внаслідок старіння зразків змінюється характер матнітопольових та температурних залежностей електропровідності й коефіцієнту Холла, на яких з'являються характерні ознаки провідності по доміппсовій зоні, відсутні у вихідних зразках.

Третій поздтл присвячений гальваномагнітним властивостям нелегованого антимоніду кадмію у сильних схрещених електричному /W та магнітному /Ц/ полях. Вперше в анізотропному напівпровіднику виявлено стрімінг гарячих носіїв. Експериментально вивчено гаусс-амперні характеристики ГАХ дисипативного струму і ("струм вздовж прикладеного електричного полю, що виміре-ється при закорочених холловських контактах,) у полях до

І кВ/см при гелієвій температурі * Виявлено інтервал електричних полей БГ^Е^Е*, у якому дірки роблять періодичний рух в імпульсному просторі вздовж напрямку Е внаслідок непружного-розсіювання на оптичних фононах і мають сильно анізотропний /голкоподібний/ розподіл по імпульсам /стрімінг/. У критичному магнітному псяі І? відбувається перебудовування розподілу, в результаті чого на ГАЇ спостерігається зміна характеру залежності І (Н) : замість монотонно зменшуючої залежності при Е<Е-, зумовленої магнітоопіром зразка, в полях Е-^ЇГ і Н = Н* реєструється різкий спад дисипативного струму. В полях Е > Я4- зникає стрімінг і, відповідно, різкий спад І (Н) . Визначено поля Е" та Е* для трьох орієнтацій Е // [іОО], [ою] ,

[ооі].

Е-, В/см Е*, В/см

Е // [100] 25 «-200 >1000

Е // [ОЮ] 25 +75 250 + 500

Е // [001] 50 +150 >410

Згідно з теорією ефекта,критичне магнітне поле Н* лінійно залежить від електричного поля Е, а коефіцієнт пропорціональ-ності визначається ефективною масою носіїв та енергією оптичного фонона. Показано, що анізотропія ефективної маси дірок в СоІ?6 зумовлює різний нахил лінійних залежностей Н*(Е) , які вимірено в орієнтаціях електричного поля Е // [ІОО], [ОІО] ,

[ООІ] . По нахилу Н^СЕ) проведена оцінка енергії оптичного фонона <6^ = І + 3 меВ. Коли Е // рОО] нахил 1^(Е)з ростом

* Експерименти в сильному електричному полі проведено на зразках нелегованого антимоніду кадмія, в яких холловська рухливість дірок при 4,2 К в слабкому електричному полі, орієнтованому вздовж [100], має значення 1,4 -І04 см2/В • с.

електричного поля змінюється, що пов'язується з складним характером енергетичного спектру дірок або фононів.

Ба ІАІ, що вимірена в орієнтації К // [001] , зареєстровано виявлення легких дірок: спостерігається додатковий спад дисипативного струму у слабких магнітних полях. Положення у магнітному полі та величина спаду, відповідного легким діркам, визначаються їх ефективною масою та концентрацією. Зроблена оцінка відносної концентрації легких дірок, яка складає менше Ь% від концентрації важких дірок.

У четвертому розділі наводяться результати дослідження циклотронного резонансу дірок у СсІ5& у міліметровому діапазоні .довжин хвиль, що реєструється по зміні статичної провідності /методом фотопровідності/. Встановлено, що НВЧ. фотопровідність ' /Ш/ зумовлена зміною рухливості дірок у валентній зоні при поглинанні випромінювання /уь - фотопровідність/. У магнітному полі має місце циклотронно-резонансне поглинання, яке зумовлює піки на залежності сигнала фотопровідності від магнітного поля /Н/. Проведено експериментальне дослідження $П в полях до 50 кЕ для трьох орієнтацій Н // [100] , [010] , [001] . -Виявлено резонансні піки, які раніше іншими авторами не спостерігалися. З'ясовано, що в СсіЗв при гелієвій температурі існує чотири типа дірок у валентній зоні. Визначено циклотронні ефективні маси дірок. • , '

Виявлено, що в результаті зміни співвідношення рухливостей або концентрацій двох тшів дірок при збільшенні постійного струму, що протікає через зразок, відбувається трасформація . одного з піків ЦР: мінімум при малому струмі перетворюється у максимум. При збільшенні струму надалі, в області його великих значень, утворюється зміна механізму розсіювання /з іонізованих домішок на акустичні фонони/, що спричиняє другу грасформацію

піка ЦР. Максимум трансформується у мінімум.

В закінченні сформульовано основні результати роботи.

1. Вивчено акцепторні стани в нелегованому антимоніді кадмію, зумовлені структуршжи дефектами. Визначені їх концентрація та енергія іонізації. Експериментально підтверджено існування в забороненій зоні двох акцепторних рівнів.

2. Виявлено оригінальні дсзгочасові релаксації електропровідності і коефіцієнту Холла у зразках Сс[$&, розміщених в умовах "підсвічування" фоновим ІЧ випромінюванням при гелієвій температурі.

3. Виявлено ефект магнітного "виморожування" дірок на акцептори. Проведено теоретичний шал і з і показано, що ефект зумовлений зміною спектра дірок у квангуючих магнітних полях.

4. Вивчена зміна гальваномагнітних властивостей нелегова-ного антимоніду кадмію внаслідок природного старіння протягом трьох років при кімнатній температурі. З’ясовано, що часова нестабільність пов’язана з збільшенням концентрації акцепторних центрів переважно поблизу поверхні зразка.

5. За допомогою дослідження иаусс-амперних залежностей дисипативного струму у сильних електричних полях у СсІ$в виявлено та експериментально вивчено з враховуванням анізотропії матеріалу стрімінг гарячих дірок.

6. Проведено дослідження ШЧ фотопровідності у магнітному полі при гелієвих температурах. Встановлено, що природа фотопровідності у спеціально нелегованому антимоніді кадмію з низькою концентрацією акцепторних центрів зумовлена розігрівом дірок у валентній зоні НВЧ випромінюванням /_/<-- фотопровідність/.

7. Методом фотопровідності вивчено циклотронний резонанс дірок у міліметровому діапазоні довжин хвиль. Встановлена наяв-

ність декількох типів дірок у валентній зоні при гелієвих температурах.

8. Виявлена подвійна трансформація лінії циклотронного резонансу при збільшенні постійного електричного струму, що протікає через зразок. Мінімум при малому струмі трансформується у максимум, а потім, при великому струмі, назад у мінімум. Встановлено, що трансформація в області малого струму пов'язана зі зміною відношення рухливостей або концентрацій двох типів дірок. Трансформація в області великого струму відбувається внаслідок зміни механізму розсіювання дірок. При збільшенні струму розсіювання на іонізованих домішках змінюється розсіюванням на акустичних фононах.

ііублікшії. Основні результати дисертації опубліковано в роботах:

1. Грицюк В.Н., Золотухина В.В., Сирота A.B., Халамейда Д.Д. Электрофизические свойства монокристаллов -p-CdS6 высокого структурного совершенства// Материаловедение полупроводниковых сое-

2 о

динений AB; Хез.докл. УН Всесоюзн. координац. совещания, Воронеж, 19Ь7, - С.85.

2. Герасименко В.А., Грицюк Б.Н., Сирота A.B., ХаламеДда ДЛ Оптические и СВЧ эффекты в монокристаллах p-CdSb// ¡»материаловедение полупроводниковых соединений aV: Тез. докл. УП Всесоюзн. координац. совещания, Воронеж, 1987, - С.42.

3. Грицюк Б.Н,, Сирота A.B., Халамейда Д.Д. Оптические и СВЧ свойства монокристаллов CdSfe высокого структурного совершенства// Твердотельная электроника миллиметровых и субмиллимет-ровых волн. Харьков: Ин-т радиофизики и электроники. - 1Э8Ь.

-С. 136-142,

• 4. Сирота A.B., Халамейда Д.Д. Гаусс-амперные зависимости

диссипативного_ тока в ангимонвде кадмия р-типа.// Областная

науч. конференция молод, ученых и специалистов. Харьков, 198Ь.

- С. 44.

5. Грицюк Б.Н., Раренко И.М., Сирота A.B., Халамейда ДЛ.

Гауе с -шш ерные зависимости диссипативного тока в p-Cd$6 // Плазма и неустойчивости в полупроводниках: Тез. докл. УП Всесоюзн. симпозиума, Паланга, 1969. Часть 2. - С.265.

6. Герасименко В.А., Грицюк Б.Н., Сирота A.B., Халамейда ДЛ. Долговременные релаксации сопротивления образцов p-GdSß под воздействием ИК излучения // Материаловедение полупроводниковых

2 5

соединений группы А В : Тез. докл. -УШ Всесоюзн. координац. совещания, Черновцы, 19а0. - С. 49

7. Сирота A.B. Халамейда ДЛ. Фотопроводимость в CdSß в миллиметровом диапазоне при низких температурах// Физика и техника миллиметровых и субмиллиметровых радиоволн: Тез. докл. Украинского симпозиума, Харьков, 1990, Часть I. - С.82.

8. Раренко И.М..Сирота A.B., Халамейда Д.Д. Влияние естественного старения на гальваномагнитные свойства нелегированных образцов CdSß// Материаловедение полупроводниковых соединений А^В^: Тез. докл. УШ Всесоюзн. координац. совещания, Черновцы,

1990, - С.50.

9. Грицюк Б.Н., Сирота A.B., Халамейда ДЛ. Долговременные релаксации проводимости в нелегированном антимониде кадмия//

ФШ. - 1991. /-25, Я 12, - С.2135-2140.

Ю. Раренко А.И., Сирота A.B., Халамейда ДЛ. Исследование циклотронного резонанса дырок в CdS6 по изменению статической проводимости// Применение радиоволн миллиметрового и субмилли-мегрового диапазонов. - Харьков: Ин-т радиофизики и электроники.

- 1992. - С.74-80.

II. Раренко А.И., Сирота A.B., Халамейда ДЛ. Инверсия линии циклотронного резонанса дырок в CdS6, наблвдаемого по изме-

- iS - .

нению статической проводимости// ФШ, - Iüd3. -27. № 5. - С.Ь51-Ь63.

12. Гришок Б.Н., Рарекко А.И., Сирота А.В., Халамайда Д.Д. Изменение гальваномагнитных свойств нелегированного антимонида кадмия при естественном старении// ФШ. - 1993. -27. )6 9.-

- C. 1541-1544.