Гетерогенные равновесия в системе GaAs-Bi ; получение и свойства эпитаксиальных слоев GaAs<Bi> тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

Введена е

Глава I. Физико-химические особенности поведения ИБП в GcJs

1.1. Основные черты поведения примесей в арсениде галлия.

1.2. Изовалентные примеси

1.3. Физико-химические взаимодействия в системах G a A S -ИБП

1.4. Влияние ИБП на свойства Ga^s

1.5. Постановка задачи диссертационной работы

Глава 2. Исследование гетерогенных равновесий в системе GqJU-BL.

2.1. Изучение фрагментов диаграммы состояния системы Gcq - As - ВС методом ДТА.

2.2. Измерение давления пара в системе

Ga-Jls-Bil методом Кнудсена.

2.2.1. Аппаратура и методика эксперимента

2.2.2. Экспериментальные результаты

2.3. Обсуждение результатов

Глава 3. Изучение влияния условий 1ФЭ на основные характеристики эпитаксиальных слоёв

3.1. Аппаратура для ЖФЭ GaJls<Вс>.

3.2. Методика эксперимента

3.2.1. Подготовка аппаратуры и исходных материалов

3.2.2. Режимы выращивания эпитаксиальных слоёв

3.3. Характеристики эпитакспальных слоёв. Gcufts <Bw>.

3.3.1, Морфология поверхности.943.3.2, Толщина слоёв

3.3.3. Структурные характеристики слоёв

3.3.4. Состав и химическая однородность

3.3.5. Построение кривых фазовых равновесий в системе Grcix/ls-fcL

3.4. Обсуждение результатов

Глава 4, Исследование электрофизических и оптических сеойств эпитаксиальных слоёв Gra^s<fti>

4.1, Электрофизические параметры эпитаксиальных слоёв.

4.1.1. Методика исследования.

4.1.2, Экспериментальные результаты

4.2, Спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоёв.

4.2.1. Методика исследования

4.2.2. Экспериментальные результаты

4.3, Обсуждение результатов

О б щ и е в ы в о ды

Л и т е ра ту р а.

В последнее время (1979-1983 гг ) возрос интерес к процессам легирования эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа изовалентными примесями (ИБП) элементов Ш и У групп Периодической системы Д.И.Менделеева. Рядом советских ученых была показана перспектива использования ИБП для улучшения качества полупроводников снижения концентрации фоновых при -месей, уменьшения температуры п-р инверсии при выращивании слоёв, улучшения их кристаллической структуры и др. Поведение таких ИВП, как индий, сурьма, в некоторой степени и фосфор,в арсениде гал -лия изучалось многими авторами. Однако, механизм действия ИВП до сих пор является дискуссионным. Кроме того, среди использованных ИВП практически отсутствовал висмут, применение которого представляется перспективным в силу малого коэффициента распределения между жидкой и твердой фазами, т.е. ожидаемым влиянием висмута на свойства выращиваемых слоев GaJls<ei> преимущественно через жидкую фазу.

Весьма актуальной задачей является выяснение физико-химических особенностей поведения ИВП в полупроводниках с целью использования их для улучшения качества получаемых материалов.

Данная работа посвящена изучению поведения примеси Bi. в GaJU при получении эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпи-таксии (ЖЭ).

В связи с этим целью данной работы являлось изучение гетерогенных равновесий в области трехкомпонентной системы Ga-JU- Bi , представляющей интерес для разработки режимов ЖЭ арсенида галлия, легированного висмутом, исследование условий получения и основных характеристик эпитаксиалышх слоёв Grails < Ъ1У „

В результате выполнения работы выявлен характер физико-химического взаимодействия компонентов в системе Ga - JU - Bv , для области составов и температур (частный треугольник Ga-GaAs-bC, Т» 700-900°С), представляющих интерес для ЖЭ GaJls ,легиро -ванного BL .Показано, что разрез GaJU-Bl является квазибинарным и триангулирующим, система характеризуется положительным отклонением от закона Рауля, а общее давление пара над растворами-расплавами определяется преимущественно давлением пара висмута.

Изучено влияние условий Шд GawAs<BC>- на состав,химическую однородность, морфологию и структурное совершенство эпитак-сиальных слоёв при одновременном использовании висмута в качестве растворителя и легирующей примеси. Определены коэффициенты распределения (Кв.) и растворимость ( С^? ) висмута; при этом установлено, что величина Kg. возрастает с повышением температуры то кристаллизации, а максимальная растворимость висмута (~8.10 см ^ рассчитанная на основе экспериментальных данных с использованием модельных представление термодинамики растворов, достигается при температурах I050-II50°C.

На основе диффузионной модели массопереноса в жидкой фазе с учётом полученных в эксперименте толщин эпитаксиалышх слоёв рассчитаны коэффициенты диффузии растворенных компонентов в раство -рах-расплавах на основе висмута.

Исследовано и проанализировано влияние bi. на основные электрофизические и оптические характеристики эпитакспальных слоёв арсенида галлия.

Положения,выносимые на защиту:

I. Разрез Ga As - BL трехкомпонентной системы Ga - Д s - ВС является квазибинарным и триангулирующим.

2. Общее давление пара над растворами-расплавами Groi-JU-BC в интервале 700-900°С определяется давлением пара висмута,

3. Взаимодействие компонентов в жидких растворах описывается моделью строгорегулярных растворов с параметром взаимодействия 2390 Дж/моль.

4. Взаимодействие компонентов в твердых растворах GaJU-БС на основе арсенида галлия описывается моделью квазирегулярных л растворов с параметром взаимодействия ОС = 182320 - 112Т>Дж/шль ( Т -температура К )•

5. Использование fti в качестве растворителя при жидко разной эпитаксии открывает перспективу получения слоёв GraJis с пониженной концентрацией фоновых примесей.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Установлено, что разрез GaAs-ВС трехкомпонентной системы Ga - .As- Ъ1 является квазибинарным и триангулирующим, благодаря чему висмут может быть использован в качестве растворителя при получении эпитаксиальных слоёв Grails <1 ВО методом жидко$азной эпитаксии.

2. Показано, что взаимодействие компонентов в квазибинарной системе Ga .As - BL при температурах, превышающих температуру ликвидуса характеризуется положительным отклонением от закона Рауля» Общее давление пара над растворами-расплавами GraJls- Bl в области температур 700-900°С определяется главным образом давлением пара висмута,что позволяете принципе,использовать для получения эпитаксиальных слоёв Grails< BL> изотермический вари -ант ШЭ с испаряющимся растворителем.

39 Определены коэффициенты распределения висмута в условиях получения эпитаксиальных слоёв Ga-fls<Bu> из висмутовых раствос роверасплавов: установлено,что величина Кв- возрастает от 5.10 до 2,8.10"^ с повышением температуры кристаллизации от 700 до 800°С,

4. На основе экспериментальных данных по составу эпитаксиальных слоёв GraJ\s < BL> с привлечением термодинамических моделей растворов оценены параметры взаимодействия для жидкой (& ) и твердой (0ств ) фаз в системе GaAs - Bi. и рассчитаны кривые предельной растворимости висмута в арсениде галлия для температур 400-1200°С. Показано, что максимальная растворимость на уровне ~ 8.10*®см""® достигается при температурах Ю50-1150°С.

5.Установлено,что кинетика роста эпитаксиальных слоёв из висмутовых растворов-расплавов лимитируется преимущественно диффузионными примесями в жидкой фазе, а значения коэффициентов диффузии атомов растворенных компонентов изменяются в пределах ~(0,7+1,3),Ю"5 см2/с в температурном интервале 700-800°С.

6. В результате измерения электрофизических параметров и исследования спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоёв Grails установлено, что легирование висмутом приводит к уменьшению концентрации мелких доноров и увеличению степени компенсации мелких примесей в арсениде галлия. Показано,что наличие фоновых цримесей, в частности меди, мэжет в значительной мере нивелировать влияние веодимой изовалентной примеси.

Автор выражает глубокую благодарность научному руководителю, лауреату Государственной премии,профессору,доктору физико-математических наук В.И.Фистулю за предложение темы исследований,постановку работы, неоценимую помощь на всех этапах ее выполнения, а также за повседневное внимание и теплое человеческое отношение на протяжении Есего срока обучения в аспирантуре МИТХТ им.М.В.Ломо -носова.

Автор искренне признателен научному консультанту,доценту, кандидату технических наук Р.Х.Акуурину за систематическую помощь, обучение тонкостям технологии, дружеское отношение.

Автор также благодарен проф.,д.х.н.В.Б.Уфимцеву за обсуждение результатов термодинамических исследований, с.н.с.,к.х.н.С.Б.Ев-геньеву,м.н.с.,к.х.н. В.Г.Зиновьеву,инж.Б.Г.Вишневскому и другим сотрудникам кафедры технологии полупроводниковых материалов за помощь в проведении экспериментальных исследований.

1. Мильвидский М.Г.,Пелевин О.Н.,Сахаров Б.А. Физико-химические основы получения разлагающихся голупроЕодниковых соединений. -М.:Металлургия,1974.-392 с.

2. Patusft М-.В-, liec^ems М. Pfiase E^uMria, lit Ternary1(1-V systems Progress in So&d Sfcrte Cflewistrij, v.*, РЯ-33-83.

3. Андреев B.M. ,Долгинов Л Л. .Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроюдниковых приборов.Под ред.Алфёрова Ж.И.-М.:Сов.радио,1975.-328 с.

4. Арсенид галлия.Получение,свойства и применение.Под ред. Кесаманлы Ф.П. и Наследова Д.Н.-М.:Наука,1973.-472 с.

5. Пелевин О.В. ,Гимельфарб Ф.А.,Мильвидский М.Г. и др. Политермический разрез GaJU -Ни. .-Изв.АН СССР, Не органические материалы, 1972, т. 8 вып.6, с.1049-1052.

6. ТесЯиоеодо.- X Cry st. Growl* , 49H>v. 27, (И , pp. 5.

7. Rosztoczi^ F. E. , Long S.I. , Kuicsfiita. 1. LPE GqJls formicrowave аррбСсчКоц 0". Cryst. Growlfl j 49T4 , 205-214., II. Turner W. У , Petitt G.J., Жи$(ле Ы- G- luvnLr\*sсексе of GaAs in Oxi^eu . J. %£. PflyS. , 496b; v. 3; pp. 32H - 32?6 .

8. Аширов Т.К.,Боборыкина E.H. и др. Электронфононное взаимодействие при оптических переходах глубокий примесный уровень -разрешённые зоны в арсениде галлия, легированном медью.-"Физ. соедин.А%5.Материалн Всес.Конф.",Л.,1979,с.114-П7.

9. Сидоров Ю.Г.,Дворецкий С.А.,Залетин В.М. Природа и источники неконтролируемого легирования эпитаксиального арсенида галлия.-Электронная техника,сер.12,1974, вып.3(21),с.59-60.

10. Соловьёва Е.В.,Мильвидский М.Г.,Сабанова Л.Д., и др. Роль примесей и дефектов в формирование свойств нелегированных слоев арсенида галлия.-Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск,4.2,1977, с.248-252.

11. Мильвидский М.Г.,Соловьёва Е.В. Электрические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия,легированных кремнием.-ФТП, 1979,т.13,вып.3, с.553-557.

12. Look 1 .С. , Pomrenke Gemot S. Л study о\ Лг О,А еЛ/ conversion. acceptor in GaJU — J- Лррв. P^S- ,4985, v. Ы ,№6 , pp. 32Ц-9-3254 .

13. Гросс Е.Ф.,Недзевецний Д.С. Тонкая структура времен затухания полос краевого излучения в кристаллах GiqP .-ДАН СССР, 1963,т.152,с.309-312.

14. С raja W. Isoedectroviic i три г i ties in semiconductors Fes1-когрегргоб^ете , ^974 , V- 5 , NiAi , pp. 65 .

15. Яест. P.J. Recow6i.nq1fow processes assosiaUcl wilfl slates in gaUumi phosphide У Luminescence > 49>0, v. A } pp. 398-•

16. Гарбузов Д.З. Излучательная рекомбинация через изоэлект-ронные ловушки.-В сб.:Материалы Пятой Зимней школы по физике полу проводников. -Л., 1973, с.219-256.21• Сирота Н.Н. Физико-химическая природа фаз переменного состава.-Минск,"Наука и техника",1970,

17. Van Veckten > Thurmond С. 3). Entropy, о| ionization avid•temperature variation of ionizalicn CeveCs of defect in Semiconductors Phys. Rev. В , 4976 , v. 44 , №8, pp. 3539- 355*0 .

18. Баженов В.К.,Дойчо И.К.,Петухов А.Г. Локальная плотность электронных состояний в полупроводнике с дефектами.-ФТП,1980,т.14,вып.I,с.7-12.

19. HopjieCd J.J. , Thomas 3). G., Lynch R.T. Isoefiecfromc donors and ac&eptors phys. Re* Letters , <1966, v. 0,/V»6 , pp. 312-Ы5 •

20. Che6ikoy»sky J. R. , Phi-Ctips J. C. Quantum defect Hhtory of beats of formation and structural "transition energies of iiquicj and Sotid simp6e metaP абЕоуь and compounds P/iyft. R«v. 6 , -1978 > v./l?,Ns6, pp.2453-24??.

21. Ганина Н.В.,Уфимцев В.Б.,Фистуль В.И. "Очистка" арсенида галлия изовалентными примесями.-Письма в ЖКБ, 1982,т.8,вып.10,с.620-623.

22. Бирюлин Ю.Ф.,Ганина Н.В.Мильвидский М.Г.,Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В. Фотолюминесценция твердых растворов Got S6X и Ga^jfn^s (* 0,01).ЖП,1983,т.17,вып.1^ O.I08-II4.

23. Браташевский Ю.А.,Васильков В.М.,Дорошенко Н.А. Зависимость энергии ионизации флувтуационных уровней в твердых растворах 7n Btx от температуры и давления.-4ТП,1977,т.II,вып.11,c.22I5-22I6.

24. Акчурин P.X.,Зиновьев В.Г.,Уфимцев В.Б.,Бублик В.Т.Морозов А.Н. О донорной природе виседута в антимониде индия.-ФТП, 1982,т.16,вып.2, с.202-206.

25. BaCdereschL Л. Theory of isoeCec+ronic iraps.- J. Luminescence > 49 75 , v. 7 j MM , pp. 7<3- 9A .31* fWeftds S.T. The efectrcmit structure oj impurifias cmd other poirjl defects »и Semiconductor* Rev. Mod. phys., 4976 ,v.50, 4 j pp.79?-858 .

26. Берг А.,Дин P. Светодиоды.-Пер.с англ.под ред. Юно ей ча А.Э.,М.: Мир,1979,-686 с.

27. Захаров А.Ю. ,Щербак Я,Я. Локальные уровни в твердых растворах.-ФТП,1976,т.10,выл.4, с.775-777.

28. PhiWps J. С. HieCLclric Theorg Iwpur'i^ BlhcIiV^ Energies. IT.

29. Dene»- and Isoefectfomc Impurities «и GaP--phys. Rev. v.^Ns/^pp.isvS'-iHe.

30. Шел LVl. Isoeieclvowc impurities w sermconduttors: a survey oj Ending mecRamsms J. Phi^s. С Sofrd St. PhflsUi ,1974 , pp. 4936 4944 •

31. Соловьева Е.Б.,Петухов А.Г.,Баженов B.K. Резонансный уровень сурьмы в арсениде галлия.-ФТП,1981,т.15,вып.4,с.768-771.

32. Балагурова Е.А.,Петров А.Л.,Хабаров Э.Н. Примесные состояния кремния в германии«-ФТП,1981,т.15,вып.5,с.985-987.

33. Соловьева Е.В.,Рытова Н.С.,Мильеидский М.Г. ,Ганина Н.Б. Электрические свойства арсенида галлия,легированного изовалент-ными примесями ( GaAs: S6 , GaJls 'Лп ).-ФТП,1981,т.15,вып. II, с.2141-2146.

34. Рытова Н.С.,Соловьёва Е.В.,Мильвидский М.Г. О механизме воздействия изовалентных примесей и 56 на ансамбль точечных дефектов в GqJU .-ФТП,1982,т.16,вып.8,с.1491-1494.

35. Пихтин А.Н. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах.-ФТП,1977,т.П,вып.З,с.425-455,41» Fe£dman Herqenro"to К.М. RatialiVe RecovnfetMalion af Isoefoctroyuc pornt Iefe.ct- м Ge.-J. App€. pHys. v. 13 , pp. 5563-5568.

36. Morgan T.N. , Wetter Б.; Bhar^avq R.A/. Optical properties o{ Cd-0 and Hw-О Compeers m GaP p^s. R*v., 4G66, v. 466 j pp. 751-753.

37. Неиг^ С.Н. jleqnP. J.,Cu+hfeert J.D. IVew Red Pair Luminescence -fi-cm Gq P . — Phys. R*v.) >1968, v. 466 } Ni Ъ } pp. 75*4 756 .44. lean P. J. Isoetectronic"Trap Li-Li-0 in GaP . ptu.js. RtV.Bj A97<, pp. 2596- 2642 .

38. Strmgfei€ow G.6., Ho№ Т.Н., Burmei ster G-P. Etectricaf properties of ti'ibrogevi doped GaP-- J. Appt PH^s ., 4975, v. №7, pp. 3006-"3044.

39. K^imon G.G.,Dicker M.F. Nitrogen sides \vj Ga(AsP) and ihe £см§- гаи^г , short- rang? modeC: a sgsfemalic Sludg — Rev.В,separataS-003-fg,

40. Новоселова A.B.,Лазарев В.Б. и др.Физико-химические свойства полупроводниковых веществ.Справочник.-М.:Наука,1979,-340 с.

41. Баланд Л. Фазовое равновесие в системах .-В кн.: Технология полупроводниковых соединений.Под ред.Нашельского.М.: Me таллургия,1967,с.23-33.

42. Уфимцзв В.Б.,Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жид-кофазной эшатаксии.-М. :Металлургия,1983,-224 с.

43. Лу1%а5 б, ft. Liquid phase epilog oj %x 6As . - J- Etectron-cherruSoc. , 4970 , v. 447, A/2 M, pp. 4393- 4597 •

44. Wagner J. W. Preparalibn and properli'ei of feu6kalto^ s — J* EtecirocVtem. Soc. j 4970^ v. >147 ,^9, pp. 4495-ИЗ* .

45. WuT.V., Pearson G.L. Phase diagram , cr^sM ^row/th q«d ftand structure О4 Уих Gq ^xj|s J. Phyi. Chew.

46. PoCEack M.A., Л/ahor^ R.E.,leas L.V. Liquidus sofidui isolhermsin 4he 3»»- Ga -As system — J- Efcctrochem. Soc. ,4975", v. 44, pp. 4550-4552.

47. ЛиЦраь Q.i. GQ-GqP-GaJ)s ternary phase digram--J. Eeectrochem . Soc. v.*!7, Nt 5 , pp. ?0t> *03.

48. Panish M.B. Galium- <ga££ium qrsenible ^a66ium phosphicfe sijstem : phase chemistry and soeulioo growlh Gafls^J. Phys- Sofrds Ws5jPpIO?3-IOJ

49. MUeeer E.K.,Ricbcirds J.J. NUscigifrfy of HI V semiconductors studied 8^-jfiash evaporation . - J. Appt Phgs., 4961*, v. Ъ5, p. .

50. Avityp<*« G. Лм James L.W- Ucjuid epitoxiaC «jrovrttf oj GqJ)sS& and Us use as a Kigb-efficiency , Cong-vMveeen^thlhrtshoCd photoemittes .-J

51. Phys. ,4970 , v.M, , PP- 2165- 2475 .

52. Nahonj R.E.^Poeeack Wmt«r J.C., Wtfiams K.M- Growth and yro-yertes o| ttquid-phase epitaxtae Gafts,^ —1 App(. vAMJ/«, pp.1607-

53. Соловьева E.B.,Каратаев В.В. ,Мильвидский М.Г. ,0свен-ский В.Б.,Столяров О.Г. Влияние типа и концентрации точечных структурных дефектов на электрофизические свойства не легированного арсенида галлия.-ФТТ,1972, т.14,вып.2, с.528-532.

54. Уо„о И-, Suzuki У., yshi/ Т. ,Matoishirn<» Kimato W. Mofecufar fameptwy GaS6 qnd GaS6xAs1.jf Japanese J. phgs.,4970, у.ЩММ , PP- 2094-2096.

55. Take«aka Jnoue M.;S\uVqJaji J. Growth of GeAs^S^ cryslafs By, steady state E^uid- phase epitoxy J. phys.T ph^s.^976 jV-^ j L94 - Lg£T.

56. Foster L.M.,Woods J.F. Thermodynamic qnq^sis cj U\-V aCCo^s semiconductor phase diagrams 1 Eiectrothervi 5oc- ,4972 } v. /V* kjpp. SOI» 507 .- 157

57. Koichi Sugii^amq and Kunishige Ое- Phase TKci grain oj-1he GaAs^ system — Japan- J. Appi Fh^S- ; 4977, v.46,AM , pp. 497- >196 .

58. Ганина H.B.,Мильвидский М.Г.,Ухорокая Т.А. Особенности поведения сурьмы при жидкофазной эпитаксии арсенида галлия.-Изв. АН СССР.Неорган.материалы,1981,т.7, № 9, с.1537-1540.

59. Хансен М.,Андерко К. Структуры двойных сплавов.-М.Государственное издательство литературы по черной и цветной металлургии. 1962,с.173,183,334.

60. Захаров A.M. Диаграммы состояния двойных и тройных систем. -М. :Металлургия,1978.-с.214.

61. Leonhordt Л. ; Kwhn G. Phasendiq^ramme von Geitem.IV. Losfiichkei ten von Verfrndungen in MetaCten -- J. Uss- Common MeMs, 4971» ,V-37, pp. $40-342 .

62. R*6ehstem M. SoeufeiCities oj GaAs in МеМ£Гс SoCverifs.- J. Eleclrc-chem.Soc., 49€6, v. Ate 7, pp. 752-75 5 .

63. Бурдуков Ю.М. ,Гашимзаде Ф.М. и др.Арсенид галлия.Полу-чение и свойства. Под ред.Кесаманлы Ф.П. и Наследова Д.Н.-М.: Наука,1973. -472 с.

64. Алферов Ж.И.,Корольков В.И.,Маслов В.Н. и др.Исследова-ние вольтамперных характеристик диффузионных р-п переходов в

65. Ga Jls0j6g P0j55 .-^ТП,1967,т.I,вып.2,с.260

66. Анастасьева Н.А.,Бублик 3.Т.,Григорьев Ю.А. и др.Иссле-дование точечных дефектов в арсениде галлия,легированном изова-лентными примесями.-Кристаллография,1982,т.27,вып.6,с.1140-1142.

67. Соловьева Е.В. ,Мильвидский М.Г.,Ганина Н.В. Электрические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия с изовалентны-ми примесями $£ и Dn .-ФТП,1982,т.16,вып.Ю,с.1810-1815.

68. Кесаманлы Ф.П.,Коваленко В.Ф.,Марончук И.Е. Влияние алюминия на фотолюминесценцию арсенида галлия.-В сб.:Арсенид галлия.-Томск,1974, вып.4, с.60-63.1. VerBinduriQSfiqE

69. Апшинадзе Б.М.,Рыбкин С.М. ,Ярошецкий И.Д.,Термическая и ударная ионизация экситонов в GqP при двухфотонном возбуждении. -ФТП, 1969, т. 3, вып. 4, с.535-540.

70. Евстропов В.В.,Царенков Б.В. Статистическая теория эк-ситонной рекомбинации электронов и дырок в полупроводниках.-ФТП, 1970,т.4,вып.5,с.923-932.

71. Bachrath R.Z. , Lorimor 0.6. Meqsuremerit c?{ 1Ке extrinsicroom-temperature minori'/g carrier £i-fetime m GaP.- J. Яррt- Pbys., ^972., v. 43, Nt- 2 , pp. BOO 507 .

72. Косевич A.M. Основы механики кристаллической решетки.-М.: Наука,1972,-280 с.

73. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов.-М. .'Металлургия, 1977.-240 с.

74. Фистуль В.й. Распределение амфотерной примеси по подре1. Ш Ушеткам многокомпонентных твердых растворов AhBj .-ФТН,1983,т.17, вып.6,с.II07-III0.

75. Аносов В.Я.,Погодин С.А. Основные начала физико-химического анализа.-ГЛ.: АН СССР,1947.-876 с.

76. Берг Л.Г. Введение в термографию.-М. :Наука,1969.-295 с.

77. Евгеньев С.Б.,Ганина Н.В. Фазовые равновесия в системе Ga-Bi -6аЛ$ .-Изв. АН СССР, Не органические материалы, 1984, т. 20, № 4, с.561-562.85» Несмеянов Ан.Н. Давление пара химических элементов.-М.: Изд.АН СССР,I96I.-396 с.

78. Суворов А.В. Термодинамическая химия парообразного состояния. -Л енинградскоё отделение: Химия,1970.-208 с.

79. Полупроводниковые соединения .Под ред.Роберта Виллар-дсона и Харвея Геринга.Перв.с англ.Вигдоровича В.Н. и Нашельского А.Я.- М.:Металлургия,1967.-728 с.

80. Несмеянов А.Н.,Сазонов Л.А. Измерение давления насыщенного пара хлористого калия и парциальных давлений пара компонентов системы КС6 R&ce методом радиоактивных индикаторов.-ЖНХ,1957,т.2,гё 5,с.П83-П89.

81. Реннер Т. Термодинамические данные и упругость диссоциаттт уции важнейших соединений А В .-В кн.: Новые полупроводниковые материалы, М.,1964,с.51-60.

82. Arthur J.R. Vapor pressures and phase ecjuitt6rioi in ihe Go-Ms System J. Phi^s. С hem. , -1967 , v. 2B , №44, pp. 22F7- 2267 .

83. Titricb N.H-, Netson N. Liquid pbase e.pitaxia£ growtt of GermaniumR. C. A. Enters } 1970, v. pp. 49-24.

84. Uehon H. EpUamat growth -from -the liquid state and ik appfrcqlCen of funnel and €aser dieses RCA Rev-, 4965, v. 24, h , ??-603- €45 .

85. Грачев В.М.,Сабанова Л.С.Методы и аппаратура жидкостной эпитаксии.-М.: Д974,

86. Уфимцев В.Б.,Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жид-кофазной эпитаксии.-М.:Металлургия,1983.-224 с.

87. Луфт Б.Д.,Перевощиков В.А.,Возмилова Л.Н. и др.Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. Под ред. Луфт Б.Д, -М.:Радио и онязь,1982.-136 с.

88. Болховитянов Ю.Б.,Болховитянова Р.И. ,Гуторов Е.И. .Мельников П.Л. Некоторые особенности нелегированных тонких слоев арсенида галлия методом жидкостной эпитаксии.-Электронная техника, серия 6 "Материалы",1972,вып.2,с.54-57.

89. Иида X. и др.Эпитакспальное выращивание арсенида галлия из жидкой фазы.-Пер.с японского языка.Всесоюзный центр переводов научно-технической литературы и документации,^ А-34903,18 с.

90. HiieA J.J. Thickness and surface morphoPog^ oj GaJib LPE Eaters ^rown supercoofthg , st€p- cooing } equi8i*6riMrrj- cooting , and -iwo-phase, so^ulion lechniques J. CrtjstaC Grow/lb , A974jV.Ztf, ДМ2, pp. •

91. I'm Longing , Fang Zhqocjiang , et . Growth artd properties of high purity LPE-GaAs — J. СгуЫ Growfb , 49Q2, v.56 pp. 533-540.

92. Hicks H.&. and NWetj D.F. purify GaAs S^ ^'quid phqse epitiwi^ SoEid Slate Commun. f 4969 j v. 7> pp. И463- 4465 .

93. Hi kej(ro Miki and Mutsuijuki Otsw^o . High purity GaAs Crystals

94. Grown Gij Liquid Phase Epitaxy.- J. J)pp£- Pbgs. l№2,pp.509. BM 102» Bauser E. 5u8stra1e orientation and surface morpho£ogy of Ga-As liquid phase epitaxiqC £ayers . J. Cr^s1a€ Growth 3 4974 j v. 27, i, pp. И48- 153 .

95. Бублик В.Т.,Дубровина А.Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов.-М.:Металлургия,I978.-272 с.

96. Бочкэдев В. ,И.Кеирим-Маркус, Львова M.tПрислан Я. Измерение активности источников бета- и гамма-излучений.-М.: Академия наук СССР,1953.-242 с.

97. Заборенко К.Б.,Иофл Б.З.,Лукьянов В.Б. и Богатырев. Метод радиоактивных индикаторов в химии.-М.:Высшая школа,1964.-372 с.

98. Радиоактивные изотопы и меченые соединения.Каталог.-М.: Атомиздат,1964.-341 с.

99. Уфимцев В.Б.,Лобанов А.А. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов.-М.:Металлургия,1981.-216 с.

100. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник.-М.:Наука,1979.-339 с. с илл.

101. Термодинамические свойства неорганических веществ.Справочник. -М.:Атомиздат.-460 с. с илл.

102. Маделунг 0, Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и У групп.Перевод с английского.Под ред.Болтанса Б.И.- М.: Мир,1967.-480 с.

103. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников.-2-е изд.,перераб.и доп.-М.:Высш.шк.,1984.-352 е.,ил.

104. WaEukteu/icz ИЛ, LagpWski J., and Qqos И-С. Electronmo§i£ity in y\ -1^pe Ga^S at 77 K; determincMon of ihe compensation ratio J. Mp?e. Pbys., /982^53, AM, pp. 763-770 .

105. Мильвидский М.Г.,Соловьева Е.В. Матер.2 Всес.совещ. по глубоким уровням в полупроводниках,ч.2.Ташкент,1980,с.73.

106. Бирюлин Ю.Ф.,Ганина Н.В. ,Чалдышев Ь.В. .Фотолюминесценция твердого раствора GqJ\s, ( х < 0,01).-ФТП,1981,л — )чт.15,вып.9,с.1849-1852.

107. П7. QuisBain Н. J., De Wafcf L. > Clau.ws P. A coherent wiodeCfo de*p бгмеС photo Cumins сел се of Cu-corflarmnatec/ I\Mype GaJ\ssin$& crystal — J. Electron. Mater. , 1978 , v. 7 , tffi 4 , pp . S5 406 .

108. Аверкиев Н.С.,Аширов Т.К.,Гуткин А.А. Пьезостробоско-пическое исследование полосы рекомбинационного излучения с максимумом около 1,35 эВ в GaJls ,легированном медью.-ФТПД981,т.15,вып.10, с.1970-1977.

109. Аверкиев Н.С.,Аширов Т.К.,Гуткин А.А. Анизотропное подавление эффекта Яна-Теллера в глубоких примесных центрах в полупроводниках при одноосном давлении.-ФТП,1982,т.24,вып.7,с.2046-2052.

110. Аверкиев Н.С.,Аширов Т.К.,Гуткин А.А. Примесная фотолюминесценция в Ga Js Си около 1,36 эВ в условиях одноосного сжатия по направлению III. .-ФТП,1983,т.17,вып.I,с.97-102.