Исследование неравновесных эффектов при легировании арсенида галлия в процессе жидкофазной эпитаксии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ГЛАВА I. МЕТОДЫ РАСЧЕТА РАВНОВЕСНЫХ КОЭ^ЩШТОВ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ.Б ПОЛУПРОВОДНИКАХ И МОДЕЛИ НЕРАВНОВЕСНОГО ЗАХВАТА ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ РАСТУЩИМ"

КРИСТАЛЛОМ

§1.1. Основные понятия и проблемы теории и практики ростового легирования

§1.2. Методы расчета равновесных ко зфрици ент о в распределения примесей в полупроводниках

§1.3. Модельные представления о неравновесном захвате примесей при,росте кристаллов

ГЛАВА 2. ШСОКОТЕШЕРАОТШЙ ПЕРЕХОД МОТТА И ТЕШОДИНАМИ КА ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

§2.1. Эффекты экранирования и термодинамика ионизационных равновесий в полупроводниках

§2.2. Неадекватность классической схемы расчета равновесных коэффициентов распределения примесей в полупроводниках

ГЛАВА 3. НЕРАВНОВЕСНАЯ НЕСТЕХИШЕ1РИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО АР

СЕНВДА ГАЛЛИЯ

§3.1. Неравновесный захват собственных точечных дефектов решетки при эпитаксии полупроводниковые соединений .'.

§3.2. Кинетика роста слоя при неизотермической жидкофаз-ной эпитаксии: точные результаты для случая диффузионного лимитирования.

§3.3. Расчет вакансионных профилей в растущем эпитаксиальном слое арсенида галлия

§3.4. Анизотропный захват двух собственных глубоких центров при жидкофазной эпитаксии арсенида галлия

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ОРИЕНТАЦИИ ПОДЛОЖКИ НА ЗАХВАТ ПРШЕСЕЙ

ПРИ ЩКОЗАЗНОЯ ЗПИТАКСИИ АРСЕНВДА ГАЛЛИЯ. '

§4.1. Ориентационные эффекты, наблюдающиеся при легировании арсенида галлия мелкими примесями

§4.2. Особенности легирования арсенида галлия оловом при ;кидкофазной эпитаксии

ГЛАВА 5. НЕРАВНОЕЕСНЫй ЗАХВАТ ГЛУБОКИХ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ

ПРИ ВДКОЗАЗНОй ЗПИТАКСИИ АРСЕНЩА ГАЛЛИЯ.

§5.1. Современное состояние проблемы

§5.2. Удельное сопротивление арсенида галлия с глубокими центрами железа и хрома

§5.3. базовые равновесия в системах и

§5.4. Двойное легирование при жидкофазной эпитаксии по-луизолирущего арсенида галлия и кинетика захвата глубоких центров железа и хрома .'

Любой полупроводник - в виде объемного монокристалла или тонкой эпитаксиальной пленки - становится потребительной стоимостью лишь при условии, что в нем обеспечен комплекс необходимых электрофизических параметров. Набор характеристик может сильно меняться в зависимости от того, в каком приборе намечается использовать данный полупроводник, однако в большинстве случаев определяющую роль играют тип и концентрация свободных носителей заряда и их подвижность. При этом, как правило, требуется обеспечить строго определенное пространственное распределение этих параметров. Задача легирования и заключается в придании полупроводнику нужных электрофизических свойств. Обычно (но не всегда) это достигается путем введения в кристаллическую решетку полупроводника электрически активных примесных атомов. Среди разнообразных способов легирования (диффузионное легирование, ионная имплантация, электрохимическое легирование, трансмутационное легирование и т.д.) особое значение имеет легирование в процессе выращивания полупроводникового кристалла. Действительно, совмещение процессов роста и легирования открывает дополнительные возможности для управления примесным составом и распределением в полупроводнике, а в ряде случаев (как, например, при создании многослойных ге

- У тероэпитаксиальных структур) ростовое легирование является фактически единственно возможным способом решения основной задачи легирования. Ввиду очевидной практической важности исследования закономерностей ростового легирования занимают одно из центральных мест в технологии полупроводников. В полной мере это относится и к методам эпитаксиального выращиваем с; ния полупроводниковых соединений А В и, в частности, арсе-нида галлия.

Целью настоящей диссертационной работы является исследование неравновесных: эффектов, наблюдающихся при легировании арсенида галлия в процессе зкидкофазной эпитаксии (ЖФЭ).

Выбор объекта исследования и метода эпитаксии обусловлен тем, что арсенид галлия является важнейшим материалом современной опто- и СВЧ-электроники, а жидкофазная эпитаксия

V О .и \ наряду с газофазной и молекулярно-лучевои) широко используется при получении эпитаксиальных слоев и многослойных структур для разнообразных приборных применений.

Под неравновесными эффектами мы понимаем влияние скорости роста и ориентации подложки на концентрацию электрически активных центров в эпитаксиальном слое. Именно эти зависимости отражают специфику ростового легирования, связанную с наличием в системе движущейся межфазной границы. Вопрос о том, как и почему количество примеси, поступившей в кристалл, зависит от кристаллографической ориентации границы раздела фаз и скорости ее движения является фундаментальным в физике кристаллизационных явлений. Применительно к эпитаксии полупроводников этот вопрос в ряде случаев оказывается весьма актуальным и в практическом отношении. Приведем лишь несколь ко примеров, иллюстрирующих сказанное.

Электрофизические, структурные и электролюминесцентные характеристики эпитаксиальных р-и переходов существенно зависят от ориентации подложки и скорости выращивания [1-51 • Лишь тщательное изучение этих зависимостей позволяет в каждом конкретном случае оптимизировать технологический процесс для получения светоизлучающих диодов с требуемыми рабочими параметрами (длина волны излучения, к.п.д., мощность и т.д.) [б} . Более того, при жидкофазной эпитаксии , удается путем простого изменения скорости ох-лшкдения выращивать из одного раствора структуры типа р-п-р-п и создавать на их основе многоэлементные приборы со световой связью [7-93 • ^ данном случае использование неравновесных эффектов позволяет резко упростить и удешевить технологию соответствующих приборов.

Важнейшим параметром оптоэлектронных устройств, изготавливаемых на базе гетероэпитаксиапьньсс структур, является их долговечность. В работе [ю] было показано, что увеличение скорости выращивания активного слоя гетеросветодиодов заметно повьппает их деградационную стойкость. В работе [II] долговечность гетеролазеров удалось увеличить только за счет того, что гетероструктуры выращивались на подложках с высокими индексами Миллера (а не на традиционной грани £[00} ). Отсюда ясно, что неравновесные эффекты играют далеко не последнюю роль в определении срока безотказной работы основных приборов оптоэлектроники.

Согласно данным работы [12] ориентация активного слоя р* - Са^Б заметно влияет на фотоэмиссионные характеристики эффективных фотокатодов с отрицательным электронным сродством. Не исключено, что это влияние обусловлено весьма фундаментальным фактором - анизотропией зонной структуры (^дАб [13-15] . С другой стороны, авторам [16, 17] удалось получить высокие значения интегральной чувствительности фотокатодов путем варьирования скорости роста активного слоя (большие скорости в [163 , небольшие, но постоянные - в [I?] ). Таким образом, и в данном случае мы имеем дело с проявлением неравновесных эффектов.

Заметим, наконец, что в арсениде галлия наблюдается явно выраженная зависимость коэффициентов ударной ионизации электронами (<* ) и дырками (£ ) от ориентации вектора электрического поля относительно кристаллографических осей [18, 19] , что опять-таки связано с особенностями зонной структуры еаДэ [20] . Поэтому работа таких приборов как лавинно-пролетные диоды и лавинные фотодиоды принципиально зависит от ориентации эпитаксиального слоя. Уже одно это обстоятельство приводит к необходимости исследования ориентационных эффектов при легировании, так как ориентация, оптимальная по параметру )> может оказаться неоптимальной в технологическом плане.

Мы видим, таким образом, что изучение неравновесных эффектов легирования помимо чисто научного интереса имеет и большое практическое значение. Все это и определило выбор темы настоящей работы.

Несколько слов о структуре диссертации.

Анализ неравновесных эффектов должен базироваться на четких представлениях о поведении системы полупроводник примесь в предельном случае исчезаще малых'скоростей роста, т.е. при равновесии. Это особенно необходимо в случае жидко-фазной эпитаксии, при которой выращивание протекает в условиях весьма близких к равновесию (нередко изменения температуры на доли градуса оказывается достаточным, чтобы изменить направление движения межфазной границы на противоположное). Поэтому в первой главе, носящей обзорный характер, мы рассмотрим вкратце существующие методы расчета равновесных коэффициентов распределения примесей в полупроводниках, после чего обсудим модели неравновесного захвата. При интерпретации достаточно широкой совокупности экспериментальных данных почти всегда возникает проблема выбора адекватной модели. По нашему мнению, при выборе модели определяющую роль должны играть два признака: степень общности исходных посылок и чисто подгоночных параметров. Исходя из этих критериев мы остановим свой выбор на модели неравновесного захвата, в основе которой лежит рассмотрение границы раздела кристалл - раствор в виде барьера Шоттки с присущей ему анизотропией высоты. Указанная: модель неравновесного захвата описана в первой главе наиболее подробно.

В главе второй мы покажем, что высокотемпературный переход Мотта, заключающийся в исчезновении связанных состояний у врдородоподобных примесей при достаточно высоких температурах, ограничивает температурный интервал применимости класси

• ческой схемы расчета равновесных коэффициентов распределения примесей в полупроводниках. В частности, при температуре плавления классическая схема неприменима не только для мелких доноров в ба-Ав , но и для многих примесей в кремнии и германии.

В третьей главе выбранная нами модель неравновесного захвата примесей при ростовом легировании полупроводников переработана применительно к случаю неравновесного захвата собственных точечных дефектов решетки. В качестве иллюстрации рассмотрен неравновесный захват вакансий галлия и мышьяка при жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. Здесь же изложен численный алгоритм решения задачи Стефана, необходимый для точных кинетических расчетов по неизотермической жидкофазной эпитаксии в диффузионном приближении. И наконец, в этой главе приведены экспериментальные данные по анизотропному захвату двух глубоких центров дефектного происхождения при жидкофазной эпитаксии нелегированного арсенида галлия. Эти данные однозначно указывают, что при ЖЗ>Э имеет место неравновесный захват собственных точечных дефектов решетки.

Четвертая глава посвящена экспериментальному исследованию ориентационных эффектов при легировании СаАв различными мелкими примесями в процессе ЖФЭ. На примере амфотерной примеси олова описан способ оценки высоты барьера на границе раздела раствор - кристалл по величине коэффициента компенсации в выросшем слое. Высота потенциального барьера при температуре роста является главным (и часто единственным подгоночным) параметром используемой нами модели неравновесного заз-свата, но, к сожалению, возможности прямого экспериментального определения этой величины крайне ограничены. Выполненная наш оценка дала вполне разумные величины для высоты барьера на гранте баЛБ и {ш}В, что косвенно свидетельствует в пользу применяемой модели.

В последней, пятой главе, представлены результаты экспериментального исследования неравновесных эффектов, наблюдающихся при легировании арсенида галлия примесями с глубокими уровнями в запрещенной зоне (железо, хром). Методом двойного легирования изучено распределение концентрации глубоких центров Ре и С г по толщине высокоомных эпитаксиальных слоев и показано, что эти концентрации падают в каждом сечении пленки при увеличении скорости роста. Изучение легирующего поведения железа и хрома при ЖФЭ арсенида галлия позволило разработать лабораторную технологию выращивания структур для быстродействующих 5-диодов с достаточно высоким процентом выхода годных структур и передать ее на предприятие п/я Г-4468.

В заключении приводятся основные результаты и выводы настоящей работы и в тех случаях, где это необходимо, оговорен личный вклад автора.

На защиту выносятся:

1. Экспериментальные результаты по влиянию ориентации подложки на концентрацию мелких донорных и акцепторных: центров в эпитаксиальных слоях арсенида галлия, легированных теллуром, кислородом, оловом, германием и цинком.

2. Обнаружение анизотропного захвата двух собственных глубоких центров при жидкофазной эпитаксии нелегированных слоев арсенида галлия.

3. Экспериментальные результаты по влиянию скорости роста на концентрацию глубоких акцепторных центров железа и хрома в эпитаксиальных слоях арсенида галлия, выращенных методом принудительного охлаждения.

4. Положение о том, что при жидкофазной эпитаксии арсени-да галлия имеет место неравновесный захват собственных точечных дефектов решетки, в частности, вакансий галлия и мышьяка.

5. Результаты численных расчетов по кинетике роста слоя при неизотермической жидкофазной эпитаксии, а также расчеты по неравновесной нестехиометрии эпитаксиального арсенида галлия.

6. Положение о том, что при высоких температурах экранирование примесного потенциала собственными носителями заряда приводит к исчезновению связанных состояний у мелких примесей и тем самым к их полной ионизации, что в свою очередь ограничивает область применимости классической схемы расчета равновесных коэффициентов распределения примесей в полупроводниках, которая не учитывает возможности полной ионизации.

Научная новизна работы. Все основные результаты и выводы диссертации получены впервые. Анизотропный захват глубоких центров и влияние скорости роста на их концентрацию обнаружено впервые для жидкофазной эпитаксии полупроводников. Ориентацион-ные эффекты, наблюдающиеся при легирования арсенида галлия мелкими донорными и акцепторными примесями ранее были подробно изучены лишь для случаев ЖШЭ : и : £с . До настоящей работы не были известны погрешности различных приближений, которые широко используются в кинетических расчетах по диффузионно-лимитируемому росту эпитаксиальных слоев из жидкой фазы. Автором впервые поставлен и вопрос о неравновесной нестехиометрии полупроводникового соединения в процессе эпитаксии и на примере арсенида галлия в рамках модели с изгибом зон выполнены количественные расчеты вакансионных профилей в растущем слое. Ранее, при анализе закономерностей легирования ^лАь в процессе }КШЭ и формирования дефектной структуры этого материала вышеупомянутая проблема не затрагивалась. Считалось также, что классический подход к расчету равновесных коэффициентов распределения водородоподобных.примесей в полупроводниках справедлив во всей температурной области существования полупроводника как твердой фазы (т.е. вплоть до точки плавления), что не соответствует действительному положению дел.

Научная и практическая ценность работы заключается в следующем :

1. Установлены пределы применимости классической схемы расчета равновесных коэффициентов распределения водородоподобных примесей в полупроводниках.

2. Теоретически и экспериментально обосновано положение о том, что при- жидкофазной эпитаксии арсенида галлия имеет место неравновесный захват собственных точечных дефектов решетки.

3. Определены погрешности, возникающие в расчетах по кинетике роста слоя из-за использования следующих широко распространенных аппроксимаций: а) отбрасывание стефановского члена в исходном уравнении; б) линеаризации линии ликвидус; в) пренебрежение температурной зависимостью коэффициента взаимной диффузии в жидкой фазе.

4. Для широкого набора мелких донорных и акцепторных примесей экспериментально исследованы ориентационные эффекты, проявляющиеся в зависимости концентрации ионизированных центров от направления роста.

5. Методом двойного легирования определено влияние скорости роста на концентрацию глубоких акцепторных центров железа и хрома в высокоомных эпитаксиальных слоях арсенида галлия. Полученные данные использованы при разработке лабораторной технологии выращивания структур, предназначенных для изготовления ¿-диодов с субнаносекундным быстродействием .

Апробация работы. Результаты, полученные в данной работе, докладывались на третьей (Москва, 1975г.), четвертой (Москва, 1979г.) и пятой (Москва, 1982г.) Всесоюзных конференциях по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, четвертом (Томск, 1978г.) и пятом (Томск, 1982г.) Всесоюзных совещаниях по исследованию арсенида галлия, четвертом симпозиуме (Новосибирск, 1975г.) и шестой конференции (Новосибирск, 1982г.) по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, Всесоюзной коно Р; ференции по физике соединений А В (Новосибирск, 1981г.), Европейском совещании по росту кристаллов - материалов для оптоэлектроники (Прага, 1982г.), а также обсуадались на семинарах в Институте физики полупроводников СО АН СССР

Основные результаты и выводы диссертационной работы состоят в следующем:

I. Показано, что высокотемпературный переход Мотта ограничивает сверху температурный интервал применимости классической схемы расета равновесных коэффициентов распределения водородо-подобных примесей в полупроводниках. В частности, для мелких до норный примесей в арсениде галлия (ТПЛ= 1511 К) этот расчет неприменим при Т > 1300 К.

2. Путем численного решения' задачи Стефана получены точные результаты по диффузионно-лимитируемой кинетике роста' эпи-таксиальных слоев арсенида галлия в условиях неизотермической жидкофазной эпитаксии из тонкого слоя раствор-расплава. Установлено, что в приближенных решениях наибольшая погрешность (40-120$) связана с линеаризацией линии ликвидус; предположение о постоянстве коэффициента диффузии вносит гораздо меньшую

1С погрешность (1-2,•••>); отбрасывание члена N/¿+3 ^ в исходном уравнении дает пренебрежимо малую погрешность 4- 10"^).

3. Теоретически показано, что при жидкофазной эпитаксии арсенида галлия имеет место неравновесный захват собственных точечных, дефектов решетки, в частности, вакансий галлия и мышьяка. В рамках модели с изгибом зон на фронте кристаллизации у произведен расет вакансионных профилей в эпитаксиальных слоях арсенида галлия.

4. Впервые экспериментально обнаружено, что в нелегированных слоях арсенида галлия концентрации двух глубоких центров дефектного происхождения (с энергиями ионизации Еу+0.4 и

Еу +0.7 эВ) зависят от направления выращивания1/ при росте в направлении <Ш> А концентрации этих центров выше, чем при росте в направлении <Ш> В. Зтот факт может служить экспери-метальным доказательством.неравновесного захвата точечных дефектов решетки при жидкофазной эпитаксии.

5. Экспериментально установлено, что все исследованные примеси при вхождении в арсенид галлия обнаруживают донорную и акцепторную составляющие, которые по-разному зависят от ориен

ЛГ/ тации и вследствие этого возникает ориентационная зависимость не только ьехнологического коэффициента распределения, но и коэффициента компенсации. При легировании арсенида галлия мелкими донорными примесями (теллур, кислород, олово) концентрации ионизированных донорных центров и коэффициент компенсации зависят от ориентации подложки следующим образом: $/(111) В > A¿/(III)A; K(III)A > K(III)3 Для мелких акцепторов наблюдаются следующие соотношения: Цинк: /1/а~(III)А > A¿~( III)В; K(III)A«K(III)B Германий: A¿~(III)A * <"(111)В; KÜIDA < K(III)B

6. В.случае арсенида галлия, легированного оловом, с использованием модели с изгибом зон и имеющихся термодинамических данных выполнен количественный анализ наблюдающихся ориентаци-онных эффектов и произведена оценка высоты барьера Шоттки на границе раздела жидкий раствор-расплав ( Ga * As + Sn ) кристалл Gq fls . При температуре 1000 К высота барьера составляет 0.40 эВ для грани {ш]А и 0.43 эВ для грани {ill} В.

7.На основе обнаруженного нами эффекта образования перехода в едином цикле охлаждения при двойном легировании арсенида галлия получено распределение глубоких центров железа и хрома по толщине высокоомных эпитаксиальных слоев арсенида галлия и показано, что концентрации этих центров уменьшаются в каждом сечении эпитаксиального слоя с увеличением скорости роста.

Данная диссертационная работа была выполнена в Отделе кинетических явлений Института физики полупроводников СО АН СССР. Разработка вопросов, связанных с высокотемпературным переходом Мотта и неравновесной нестехиометрией выполнена автором лично.

222-224] вклад автора заключался в постановке задачи, планиро-шш и проведении эксперимента [224] , обсуждении результатов и шисании работ. В [236, 263-2653 автор принимал участие в экспе-шенте, обсуждении результатов, их обработке, интерпретации и в шисании работ.

В бытность свою аспирантом и позже автору посчастливилось 1тъ учеником доктора технических наук Семена Александровича Отроге лева, скончавшегося в июне 1982 г. Автор навсегда сохранит в зоем сердце благодарную память об этом замечательном человеке и 1еном.

Автор считает своим приятным долгом поблагодарить Ю.Б.Болхо-ятянова за многолетнее творческое'общение и руководство данной аботой, а также выразить свою глубокую признательность сотрудни-ам группы жидкофазной эпитаксии - Р.И.Болховитяновой, Е.Х.Хайри, .И.Юдаеву, Т.П.Киреенко - за разностороннюю помощь и дружеское частие. Автор благодарен бывшему заведующему Отделом кинетичес-IX явлений профессору А.Ф.Кравченко за постоянную поддержку, вни-эние и интерес к работе. Большую помощь в экспериментах по глубо-ш центрам оказал автору В.А.Калухов, а в программировании и про-эдении расчетов на ЭВМ - В.М.Иоффе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе были исследованы неравновесные эффекты, наблюдающиеся при легировании арсенида галлия в процессе жидко-фазной эпитаксии и состоящие в том, что на концентрацию электрически активных центров в эпитаксиальном слое существенное влияние оказывает ориентация подложки и скорость роста. Указанные эффекты исследованы как для примесей, создающих мелкие до-норные и акцепторные уровни в запрещенной зоне арсенида галлия, так и для примесей с глубокими уровнями (железа, хром), а также для двух глубоких центров дефектного происхождения. В целом, представленные результаты, а также анализ литературных данные, . позволяют заключить, что отсутствие равновесия в процессе легирования арсенида галлия, и других полупроводниковых соединений о р;

А В при жидкофазной эпитаксии носит совершенно общий характер, т.е. наблюдается практически всегда. На всем протяжении данной работы мы стремились также продемонстрировать, что среди существующих феноменологических моделей, привлекаемых для описания неравновесных эффектов, наиболее плодотворной является модель, учитывающая, межфазный скачок потенциала на фронте кристаллизации.

1. 1.oguchi T.,Sakurai Т. Liquid phase epitaxy of gallium arsenide.-Oyo Buturi,1968,v.37,no11,p.1058-1063.

2. Inoguchi T.,Sakurai T.,Tani Z. Complete solution regrowth of GaAs p-n junction doped with Si.

3. Sharp Technical Journal,1969,v.8,no2,p.6-1?.

4. Kressel H.,NelsonH. Electrical and optical properties of n-type Si-compensated GaAs prepared by liquid phase epitaxy.-J.Appl.Phys.,1969,v.40,No9,p.3720-3725.

5. Ladany I., Electroluminescence characteristics and efficiency of GaAsrSi diodes.

6. J.Appl.Phys.,1971,v.42,Ho2,p.654-656.

7. Maruyama S.,Amano. T. Liquid phase epitaxy of Si-doped GaAs for efficient light emitting diodes.

8. Jap. J.Appl.Phys. ,1975,v. 14,ITo4,p.445-450.

9. Коваленко В.®., Лисовенко В.Д.,' Марончук И.Е., Ыарончук Ю.Е. Влияние условий кристаллизации на квантовую эффективность эпитаксиальных р-n структур GaAs:Si.

10. Tani Z., Murata K., Sakurai Т., Hijikata Т., Inoguchi Т., Mito S. Light spot scanner on a gallium arsenide strip Solid-State Electron., 1977,v.20,No5,p.469-4-72.

11. Ettenberg M., Kressel H. Hetero junction diodes of (AlGa)As-GaAs with improved degradation resistance.

12. Appl.Phys.Letters,1975, v. 26,No8 ^p.478-480.

13. Van Vechten J.A., Blum J.M., Feigel F.R., Shih K.K., Woodall J.M. A method for the prevention of the formation of dark-line and dark-spot defects in GaAlAs double-heterostructure lasers.

14. EE Trans. Electron Dev.,1976,v.ED-23,No11,p.1261-1262.

15. James L.I., Antypas G.A., Edgecumbe J., Moon R.L.,Bell K.L. Dependence on crystalline face of the band bending in Cs20-activated GaAs.iT.Appl.Phys., 1971, v.42,No12,p.4976-4980.

16. Burt M.G., Inkson J.C. Emission from the (110) face of negative electron affinity gallium arsenide.

17. J.Phys.D:Appl.Phys.,1976,v.9,No1,p.L5-L7.

18. Burt M.G., Inkson J.C. Effect of GaAs electronic structure on the performance of the GaAs-(Cs,0) photoemitter.

19. Appl.Phys.Letters,1976, v. 28, No1, p.5-6.

20. Burt M.G., Inkson J.C. The face dependence of the emission of electrons from GaAs activated to negative electron affinity.- J.Phys.D:Appl.Phys.,1977,v.10,No5,p.721-727.

21. Бондарь С.Л., Брагин Н.З., Вигдорович В.Н., Малышкин Т.А., Фетисова В.И. Жидкофазная эпитаксия полупроводниковых: соединений при больших скоростях охлаждения растворов-расплавов. Электронная техника, Сер.б. Материалы, 1982, вып.5 (166), с.3-5.

22. Бондарь С.А., Варламова А.И., Крутоголов 10.К., Фетисова В.И. Эпитаксиальное наращивание структур арсенида галлия из раствора-расплава. Электронная техника, Сер.б. Материалы, 1932, вып.6(167), с.47-49.

23. Solid-State Electron.,1979,v.22,Ho4,p.977-979«21% Мелихов И.В., Меркулова M.С., Сокристаллизация. -М.: Химия, 1975, 279 с.

24. Tiller IV.А., Ahn K.-S. Interface field effects on solute redistribution during crystallization.

25. J.Crystal Growth, 1980,v.4-9,No2,p.485-501.

26. Мильвидский М.Г., Пелевин O.B., Сахаров Б.А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М.: Металлургия, 1974, 391 с.

27. Яценко С.П., Галлий. Взаимодействие с металлагли. -М.: Наука, 1974, 220 с.

28. Регель А.Р., Глазов В.М. Физические свойства электронных расплавов. М.: Наука, 1980, 294 с.

29. Thurmond C.D., Struthers J.D. Equilibrium thermochemistry of solid and liquid alloys of germanium and of silicon.1.. The retrograde solid solubilities of Sb in Ge, Cu in Ge and Cu in Si.

30. J. Phys.Chem.,1953,v.57,No7,p.831-835.27. weiser K. Theoretical calculation of distribution coefficients of impurities in germanium and silicon. Heats of solid solutions.

31. J.Phys.Chem.Solids,1958,v.7,No2/3,p.118-126.

32. Lehovec K. Thermodynamics of binary semiconductor-metal alloys.

33. J.Phys.Chem.Solids,1962,v.23,IT06,p.695-709. i Сидоров Ю.Г., Сидорова А.В., Дворецкий С.A. Равновесие растворов примесей в арсениде галлия с газовой фазой и растворами в галлии. Изв.АН СССР. Сер.Неорганические материалы, 1972, тт8, МО, с. 1738-1743.

34. Jap.J.Appl.Phys.,1974,v.13,No11,p.1817-1822.

35. Stringfellow G.B. Calculation of distribution coefficients of donors in III-V semiconductors.

36. J.Phys.Chem.Solids,1975,v.35 > N03,p.775-783.

37. Stringfellow G.B. Ill V compounds and alloys.-In : Solid State Chemistry,1975,p.111-145.

38. Уфимцев В.Б., Лобанов А.А. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1981, 216 с.

39. Panish Ы.В., Casey H.C.Jr. The solid solubility limits of zinc in GaAs at 1000®C.

40. J.Phys.Chem.Solids,1967,v.28,Ho9,P•1673-1684.

41. Gou S.F., Thurmond C.D., Pearson G.L. Concentration of zinc in gallium arsenide crystals grown by slowly cooling gallium-rich solutions.

42. J.Electrochem.Soc.,1971,v.118,No3,p.486-489.

43. Keller K., Muench W.V. Orientation dependence of the zinc distribution coefficient in the liquid phase epitaxy of gallium arsenide.

44. Solid-State Electron.,1971,v.14,N06,p.526-528.

45. Panish M.B. The system Ga As - Sn : incorporation of Sn into GaAs.- J.Appl.Phys., 1973,v.44,iTo6,p.2659-2666.

46. Bolkhovityanov Yu.B., Bolkhovityanova H.I., Incorporation of Sn and Te in GaAs and InxGa^xAs films grown from solution.- Phys.Stat.Sol.(a),1975,v.27,Ho2,p.673-678.

47. Neumann-H., Jacobs K., Eeppin E., Butter E., Sobotta H., Staudte M. Properties of liquid phase epitaxial GaAs grown from tin solution.

48. Phys.Stat.Sol.(a),1975,v.32,No2,p.497-502.

49. Langmann U., König U. Photoluminescence spectra of Sn doped GaAs epitaxial layers : influence of epitaxial process parameters.- J.Phys.Chem.Solids,1975,v.36,No10,p.1067-1072.

50. König U., Langmann U., Heime K., Balk L.J., Kubalek E. Orientation dependent growth and luminescence of selective GaAs Sn LPE.- J.Crystal Growth, 1976,vo6,lTo1 ,p.165-170.

51. König U., The effect of growth rate and temperature on the incorporation of Sn in GaAs during LPE.-J.Electrochem.Soc.,1977,v.124,N09,p.1414-1420.

52. Kuphal E., Schlachetzki A., Po'cker A. Incorporation of Sn into epitaxial GaAs grown from the liquid phase.-Appl.Phys.,1978,v.17,Uo1,p.63-72.

53. J.Appl.Phys.,1971,v.42,No1,p.426-429. 53« Ketchow D.E. Germanium doped GaAs for p-type ohmiccontact s.- J.Ele ctro chem.So с.,1974,v.121,No 9,p.1237-1239• 54. Rupprecht H., Wo о dal 1 J.M., Konnerth Ii., Pettit G.

54. Efficient electroluminescence from GaAs diodes at 300°K.-Appl.Phys,Letters,1966,v.9,N06,p.221-223. 55» Rosztoczy P.E. Silicon as an amphoteric dopant in GaAs.-J.Electro chem.So с.,1968,v.115,N08,p.244C.

55. Ahn В.H., Shurtz R.R., Trussel C.W. Dependence of growth properties of silicon doped GaAs epitaxial layers upon orientation.- J.Appl.Phys., 1971,v.42,No 11,p.4-512-4513.

56. Casey H.C.Jr., Panisg M.B., Wolfstirn K.B. Influence of surface hand hending on the incorporation of inypurities in semiconductors : Te in GaAs.

57. J.Phys.Chem.Solids,197О,v.32,N03,p.571-580.

58. Еолховитянов Ю.Б., Волховитякова Р.И., Дорохов A.H. Изучение легирования пленок арсенида галлия теллуром и оловом. Б кн.: Арсенид галлия, вып.5, Томск, Изд-во ТТУ, 1974, с. 72-75.

59. Miki H., Otsubo M. GaAs crystals grown Ъу liquid phase epitaxy.- Mitsubishi Denki Giho,1973,v.47,No11,p.1159-1164.

60. Beneking H., Vits W. Doping profiles of solution grown GaAs injection lasers.

61. Proc 2nd Int.Symp. on GaAs,1969,p.96-100.

62. Sudlow P.D., Mottram A., Peaker A.R. Doping gradients in layers of gallium phosphide grown by liquid epitaxy.-J.Mater.Sci.,1972,v.7,No2,p.168-175«

63. Jordan A.S., Trumbore F.A., Wolfstirn K.B., Kowalchik M., Roccasecca D.D. The incorporation of tellurium in liquid phase epitaxial (LPE) GaPî implications for oxygen incorporation.

64. J.Electrochem.Soc.,1973}v.120,No12,p.1730-1737k 65* Brown K.E. Effective distribution coefficients of some group VI elements in indium phosphide grown by liquid phase epitaxy.

65. Solid-State Electron.,1974,v.17,Do5,p.505-507.

66. Ин-т физики полупроводников.

67. Shih К.К., Pettit G.D. Properties of Ge-doped GaAs and AX^Ga^^As, Sn-doped Al^Ga^^As and Si-Te-doped GaAs.-J.Electron.Mater.,1974,v.3,No2,p.391-408.

68. Bolkhovityanov Yu.B., Bolkhovityanova H.I., Harchenko П.E., Morozov B.Y. Study of doping of In^Ga^^As films with germanium.- Phys.Stat.Sol.(a),1975, v. 31, No1, p.293-500.

69. Bolkhovityanov Yu.B., Bolkhovityanova R.I. The influence of indium on the p-n junction formation in Si-doped LPE layers of gallium arsenide.

70. Phys.Stat.Sol.(a),1976,v.37,No2,p.K193-K195.

71. Antypas G.A.,Shen L.Y.L. Orientation dependence of the incorporation of Ga, As and Zn during LEE growth of InGaAsP alloys.

72. Proc 6th Int. Symp. on GaAs and Eel.Сотр.,1977,p.96-104.

73. Williams J.O.-, Wright P.J., Mabbit A.W. Growth and characterization of epitaxial Ga^In^^ASyP^y.-Mat.Res.Bull. ,1977^.12,11012,p. 1227-1238.

74. Van der Eerden J.P., Bennema P., Cherepanova T.A. Survey of Monte Carlo simulation of crystal surfaces and crystal growth.

75. Prog. Cryst. Growth and Charact.,1978,v.1,No2,p.219-254.

76. Burton J.A., Prim R.C., Slichter W.P. The distribution of solute in crystals grown from the melt. I. Theoretical.-J.Chem.Phys.,1953,v.21,No11,p.1987-1991.

77. V/ilson L.O. Analysis of microsegregation in crystals.-J.Crystal Growth,1980,v.48,НоЗ,p•363-366.

78. Hall R.I>T. Segregation of impurities during the growth of germanium and silicon crystals.

79. J.Phys.Chem.,1953,v.57,No8,p.836-839.

80. Mullin J.В., Hulme K.F. Orientation dependent distribution coefficient in melt-grown InSb crystals.

81. J.Phys.Chem.,1960,v.17,No1/2,p.1-6.

82. Еигдорович В.II., Вольпян A.E., Курдюмов Г.M. Направленная кристаллизация и физико-химический анализ. -М. : Химия. 1976, 200 с.

83. Longini R.L., Greene R.F. Ionization interaction between impurities in semiconductors and insulators.-Phys.Rev.,1956,v.102,Ho4,p.992-999•

84. Lierten U., Hatcher A.P. The distribution of zinc between solid InSb and In Sb melts.

85. J.Phys.Chem.Solids,1962,v.23,No3,p•533-539.

86. Lehovec E. A mechanism causing supersaturation of impurities during semiconductor crystal growth.

87. Surface Sci.,1964,v.1,Ho2,p.165-170.

88. Zschauer K.-H., Yogel A. Dependence of impurity incorporation on growth rate and crystal orientation during GaAs liquid-phase epitaxy.

89. Proc. 3rd Int. Symp. on GaAs,1971,p.100-107.

90. Casey H.C.Jr., Panish IvI.B. The influence of the electrical properties of the solid phase on impurity incorporation during crystal growth.

91. J.Crystal Grovrth, 1972,v.13/14,p.818-822.

92. Wolfe C.M., Stillman G.E., Effect of surface states on the amphoteric behavior of Sn in vapor epitaxial GaAs.-Solid State Comm.,1973,v.12,N03,p.283-283.

93. Bioem J. Band bending at a growing silicon surface.-Semiconductor Silicon 1973,p.213-226.

94. Bloem J. The position of the surface Fermi level of silicon at 1350 1500°K.

95. Solid State Comm.,1973,v.13,Ho3,p.269-271.

96. Zschauer К.-Н. Liquid phase epitaxy of GaAs and the incorporation of impurities.1. ; Festkorperprobleme,1975>v.15>P*1-20.

97. Сидоров Ю.Г., Васильева Л.Ф., Аграфенин Ю.В., Миотковский И. Особенности поведения олова и серы при легировании слоев , арсенида галлия в газотранспортном методе. В кн.: Легированные полупроводники, М.: Наука, 1975, с.70-74.

98. Wolfe C.M., Nichols К.Н. Impurity gradients caused by surface states and substrate doping in epitaxial GaAs.-Appl.Phys.Letters,1977,v.31,N05,p.356-339•fSO

99. Харченко В.В., Грейсух М.Р. Легирование зпитаксиальных слоев полупроводпиков. Ташкент, ФАН, 1979, 124 с.

100. Nichols К.Н., Goldwasser R.E., Wolfe C.M. Surface impurity gradients in epitaxial GaAs.

101. Appl.Phys.Letters,1930,v.36,No 7,p.601-603.

102. Mazuruk K., Bryskiewicz T. Dopant incorporation during liquid phase epitaxy.

103. J.Appl.Phys. ,1981,v.52,1ТоЗ,p.13^7-1330.

104. Rohdin H., Muller Mw., Wolfe C.M. Impurity redistribution during epitaxial growth.

105. J.Electron.Mater.,1982,v.11,N03,p.317-340. 100. Yee C.M.L., Fedders P.A., Wolfe C.M. Effect of electric fields on Cr redistribution at GaAs surfaces.-Appl.Phys.Letters,1983,v.42,No4,p.377-379.

106. Вяткин А.П., Максимова H.K., Поплавной А.С., Степанов В.Е., Чалдышев В.А. Поверхностно-барьерные переходы в арсениде галлия и роль таммовских состояний в юс образовании. -ФТП, 1970, т.4, №5, с.915-922.

107. Kressel Н., Nelson Н. Properties and applications of III V compound films deposited by liquid phase epitaxy.-In : Thin Solid Films,1973»v.7,p.115-236.

108. Болховитянов Ю.Б. Жидкофазная эпитаксия пленок арсенида галлия для генераторов Ганна. В кн.: Арсенид галлия, вып.б, Томск, 1975, с.38-52.

109. Кейси X., Паниш II, Лазеры на гетероструетурах, т.2. -- М., Мир, 1981, Збб с.t

110. Hurle D.T.J. Revised calculation of point defect equilibria and non-stoichiometry in gallium arsenide.-J.Phys.Chem.Solids, 1979, v.40, IT07.p. 613-626.

111. Hurle D.T.J. Solubility and point defect-dopant interactions in GaAs.-I. Tellurium doping.

112. J.Pliys.Chem. Solids, 1979, v.40, N07,p. 627-637.

113. Hurle D.T.J. Solubility and point defect-dopant interactions in GaAs.-II. Tin doping.

114. J.Phys.Chem.Solids,1979,v.40,p.639-646.

115. Hurle D.T.J. Solubility and point defect-dopant interactions in gallium arsenide.-III. Germanium doping.-J.Phys.Chem.Solids,1979,v.40,N07,p.647-632.

116. Дкафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в зпитаксиальных структура):. -Л.: Наука, 1978, 203 с.

117. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых слоев.-М.: Металлургия, 1978, 192 с.

118. Глазов В.Ы., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. IL : Наука, 1967, 372 с.

119. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников.-М.: Наука, 1977, 672 с.

120. Krieger J.B. Electron shielding in heavily doped semiconductors.- Phys.Rev.,1969,v.178,N03,p.1337-1339.

121. Greene R.L., Aldrich C., Bajaj K.K. Iuott transition in many valley semiconductors.

122. Phys.Rev.В.,1977,v.15,No4,p.2217-2223.

123. Lowney J.R., Kahn A.H., Blue J.L., Wilson C.L. Disappearance of impurity levels in silicon and germanium due to screening.

124. J. Appl. Phys., 1981, v. 52, IT06, p .4-073-^080.

125. Pantelides S.T., Sail C.T. Throry of localized states in semiconductors. I. New results using old method.-Phys.Rev.B.,1974,v.10,Ho2,p.621-637*

126. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979, 416 с.

127. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Кайпер Р., Миронов А.Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. Электронная' теория неупорядоченные полупроводников. М.: Наука, 1981,- 334 с.

128. Крёгер дЗ. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969,-656 с.

129. Хешей Н. Химия твердого тела. М.: Мир, 1971, - 224 с.

130. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковые материалов. М.: Высшая школа, 1970, - 504 с.

131. Чеботин В.Н. Физическая химия твердого эела. М.: Химия, 1932, -' 320 с.

132. Harvey W.W. Description of impurity ionization in semiconductors by chemical thermodynamics.

133. Phys.Rev.,1961,v.123,N05,p.1666-1673• 27« Lehman G.W., James H.M. Interaction of impunities and' mobile carriers in semiconductors.-Phys.Rev.,1955,v.100,N06,p.1698-1712.

134. Lee T.F., McGill Т.О. Variation of impurity-to-band activation energies with impurity density.

135. J.App1.Phys.,1975,v.46,No1,p.373-380.

136. Blakemore J.S. Approximations for Fermi Dirac integrals,especially the function F^^Oj) used to describe electron density in a semiconductor.-Solid State Electron. ,1982,v.25,No11,p.1067-Ю76.

137. Тамм И.Е. Основы теории электричества. -M.: Наука,1966,624с.

138. Blakemore J.S. Semiconducting ana other major pro -perties of gallium arsenide.-J.Appl.Fhys.,1982,v.53,No10,p.R123-Rl81.

139. Appl. Phys.Letters,1978,v.33,Ho7,p.653-654.

140. Banuelos A. Analytical expansions for Fermi-Dirac functions.- J.Math.Phys.,1981,v.22,НоЗ,p.452-455.

141. Чикичев С.И. Высокотемпературный переход Мотта и термодинамика легирования полупроводников. Пятая Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, Москва,МЕТ, Тезисы докладов, 1982,с.37.

142. Чикичев С.И. Неадекватность классической схемы расчета равновесных коэффициентов распределения примесей-в полупроводниках. ЖФХ,1983,т.42, ЖГ,с.2II-2I3.

143. Чикичев С.И. Эффект экранирования и термодинамика ионизационных равновесий в полупроводниках. ЖФХ,1983,т.42,№7, с.1628-1631.

144. Jordan A.S., Von Neida A.R., Caruso R., Kim C.K. Determination of the solidus and gallium and phosphorus vacancy concentrations in GaP.

145. J.Electrochem.Soc.,1974,v.121,No1,p.153-158.

146. Van Vechten J.A. Microscopic mechanisms of growth of dark line defects in double heterostructures lasers.-J.Electro chem.So с.,1975,v.122,No11,p.1556-1558. 146« Бублик В.Т., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б.

147. Worner R., Kaufman U., Schneider J. Electron spin resonance of As^a antisite defects in fast neutron irradiated GaAs.

148. Appl.Phys.Letters,1982,v.40,No2,p.141-143.

149. Van Vechten J.A. Simple theoretical estimates of the Schottky constants and virtual-enthalpies of single vacancy formation in zinc-blende and wurtzite type semiconductors.

150. J.Electrochem.Soc.,1975,v.122,No3,p.419-422.

151. Van Vechten J.A. Simple theoretical estimates of the enthalpy of antistructure pair formation and virtual -enthalpies of isolated antisite defects in zinc-blende and wurtzite type semiconductors.-J.Electrochem.Soc.,1975,v.122,No3,p.423-429.

152. Van Vechten J.A. Divacancy binding enthalpy in semi- ■ conductors.- Phys.Rev.B., 1975,v. 11 ,гго10,р.3910-3917.

153. Van Vechten J.A. Nonstoichiometry and nonradiative recombination in GaP.

154. J. Electron.Hater., 1975, v. 4, IT05, p. 1159-1169.

155. Van Vechten J.A. Simple estimates of the thermochemical properties of impurities and other defects in semiconductors.- In : Physics of Semiconductors, Proc. 13th Int. Conf., Rome, 1976,p.577-586.

156. Van Vechten J.A. Point defects and deep traps in III-V compounds.- Czech.J.Phys.B.,1980,v.30,No4,p.388-394.

157. Blom G.M. ITative defects and stoichiometry in AlGaAs.-J.Crystal Growth,1976,v.36,Ho1,p.125-137.

158. Logan R.M., Hurle D.T.J. Calculation of point defect concentrations and nonstoichiometry in GaAs.

159. J.Phys.Chem.Solids,1971,v.32,No11,p.1739-1753. 157» Hurle D.T.J. Impurity point defect complexes in GaAs.-Proc. 6th Int. Symp. on GaAs and Rel; Comp.,1977,p.113-122.

160. Bublik V.T. The mean square atomic displacements and enthalpies of vacancy formation in some semiconductors.-Phys.Stat.Sol.(a).,1978,v.45,No2,p.543-548.

161. Jordan A.S., Caruso R., Von Neida A.R., Weiner M.E. Solid composition -and gallium arid phosphorus vacancy concentration isobars for GaP.

162. J.Appl.Phys.,1974,v.45,H08,p.3472-3476.

163. Guislain E.J., De Wolf L., Clauws P. Stoichiometry of melt grown n -type GaAs as revealed by photoluminescence measurements.

164. J.Electron.Mater.,1977,v.6,No5,p.541-568.

165. Kasano H. Role of diffused Ga vacancy in the degradation of vapor grown GaAs.

166. J.Appl.Phys.,1978,v.49,N09,p.4746-4751.

167. Edelin G., Mathiot D. A model for determination of the defect concentrations in III-V compounds. The case of GaSb.- Phil.Mag.B. ,1980,v.42,ITol,p.95-110.

168. Frank W., Gosele U. The influence of intrinsic defects on the degradation and luminescence of GaAs and other III—V compounds.- Appl.Phys.,1980,v.23,Ho2,p.303-309.

169. Бублик В.Т., Морозов А.Н., Освенский В.Б., Гайдай Л.И., Гришина С. 11. Расчет области гомогенности арсенида галлия.-' В кн.: Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок , Новосибирск, Наука, I9SI, с.241-245.

170. Бублик В.Т., Каратаев В.В., Мильвидский М.Г., Морозов А.Н. Расчет области гомогенности арсенида индия. Кристаллография, I9SI, т.26, №3, с.554-560.

171. Морозов А.Н., Бублик В.Т., Григорьева Т.П. Область гомогенности фосфида индия. Шестая конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковые кристаллов и пленок, Тезисы докладов, Новосибирск, 1982, т.2, с.199-200.

172. Москвин П.П., Овчинников СЛО., Сорокин B.C. Расчет концентрации собственных дефектов и отклонения от стехиоветрии в твердые растворах GaxIni;jrPyAs1y . Кристаллография, 1983, №2, с.

173. Blakemore J.S. Intrinsic density n^(T) in GaAs : deduced from band gap and effective mass parameters and derived independently from Cr acceptor capture and emission coefficients•

174. J.Appl.Phys.,1982,v.53»No1,p.520-531.

175. Золькенштекн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводни-* ков. М.: Наука, 1973, 400 с.173* Tiller W.A., Kang С. On the growth, rate of crystalsfrom solution.- J.Crystal Growth,1968,v.2,No6,p.345-355«

176. Brice J.C. Diffusive and kinetic processes in growthfrom solution.-J.Crystal Growth, 1967,v. 1,1102,p. 161-163.175* Brice J.C. The kinetics of growth from solution. -J.Crystal Growth,1967,v.1,No4,p.218-224.

177. Hitsuhata T. Phenomenological theory of liquid phase epitaxy.- Jap.J.Appl.Phys.,1970,v.9,No1,p.90-94.

178. Small Ы.В., Barnes J.P. The distribution of solvent in an unstirred melt under the condition of crystal growth by liquid phase epitaxy and its effect on the rate of growth.

179. J Crystal Growth,1969 > v.5,No1,p.9-12.

180. Minden H.T. Constitutional supercooling in GaAs liquid phase epitaxy.

181. J.Crystal Grovrth, 1970,v.6,ПоЗ,p.228-236. 179* Lluszynski 2. Optimum growth kinetics and conditions of gallium arsenide obtained by liquid phase epitaxy method.- Electron Technology,1972,v.5,No1,p.23-28.

182. Piskorski M. GaAs layers grown by liquid phase epitaxy.-Electron Technology,1972,v.5,No1,p.103-131.

183. Ghez R. An exact calculation of crystal growth rates under conditions of constant cooling rate.

184. J.Crystal Growth,1973>v.19,N03,p«153-159«

185. Ghez R., Lew J.S. Interface kinetics and crystal growth under conditions of constant cooling rate. I. Constant diffusion coefficient.

186. J.Crystal Growth,1973»v.20,No4,p.273-282.

187. Bode D.L. Isothermal diffusion of LEE i GaAs, GaP, bubble garnets.- J.Crystal Growth,1972,v.20,No1,p.13-23»

188. Moon B.L., Kinoshita J. Comparison of theory and experiment for LPE layer thickness of GaAs and GaAs alloys.-J.Crystal Growth,1974,v.21,No1,p.149-154.

189. Hsieh J.J. Thickness and surface morphology of GaAs LPE layers grown by supercooling, step-cooling, equilibrium -cooling, and two-phase solution techniques.

190. J.Crystal Growth,1974,v.27,p.49-61.

191. Bryskiewicz T., Herman M.A. A method of determining the liquid phase epitaxial GaAs growth mechanism based on growth rate measurements.

192. Kristall und Technik,1974,v.9,No7,p.771-778.

193. Bryskiewicz T. Determination of the diffusion coefficient of arsenic in Ga solution from growth rate measurementsof LPE GaAs.

194. Kristall und Technik,1976,v.11,No4,p.339-345. 190» Bryskiewicz T. Investigation of the mechanism and kinetics of growth of LEE GaAs.-J.Crystal Growth, 1978,v.43,ITo1,p. 101-114.

195. Moon R.L., Long S.I. Dependence of GaAs LPE layer thickness on growth temperature.

196. J.Crystal Growth,1976,v.32,Ho1,p.68-72.

197. Small М.Б., Ghez R. Conditions for constant growth rate by LPE from a cooling, static solution.

198. J.Crystal Growth,1978,v.43,Ho4,p.512-514.

199. Болховитянов Ю.Б. Кинетика роста полупроводниковых пленок из раствора-расплава. Б кн.: Полупроводниковые пленки для микроэлектроники, Новосибирск, Наука, 1977, с.170-196.

200. Мильвидсккй Ы.Г., Орлов В.П., Цепилевич В.Г. Особенности процессов массопереноса при жидкостной эпитаксии. Изв. АН СССР, Неорг.материалы, 1980, т.16, F7, с.1159-1163.

201. Жовнир Г.И., Марончук И.Е. Процессы массопереноса при поОлучении эпитаксиальньк структур соединении А°В° из жидкой фазы. -'Автометрия, 1980, №6, с.22-32.

202. Гермогенов В.П. 0 скорости роста слоев при жидкостной эпитаксии арсенида галлия. В кн.: Доклады юбилейной научно-технической конференции радиофизического факультета Томский университет, Т973, ч.1, с.68-72.

203. Т98.Еолховитянов Ю.Б. Кинетика изменения толщины полупроводниковые пленок при резкой смене величины скорости охлаждения раствора-расплава. В кн.: Процессы роста полупроводниковых соединений и пленок, Новосибирск, Наука, 1931, с.79-82.

204. Малиыик А.Ю., Невский О.Б., Ыинаждинов Ы.С., Хряпов В.Т. Новая модель стационарной кристаллизации при зпитаксиальн ном наращивании из жидкой фазы. В кн.: Процессы роста полупроводниковые: кристаллов и пленок, Новосибирск, На-■ ука, 1981, с.73-78.

205. Лукаш B.C., Романенко В.Н. Исследование термической остановки при жидкостной эпитаксии арсенида галлия. В кн.: Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок, Новосибирск, Наука, 1981, с.89-93. .

206. Bolkhovityanov Yu.B., Zembatov Н.В. Investigation of growth kinetics and mechanism of GaAs and (InGa)As thin films grown by step-cooling technique of the liquid phase epitaxy.

207. J.Crystal Growth,1977»v.37»No2,p.101-106.

208. Crank J. The mathematics of diffusion.- Oxford :1. Clarendon Press, 1936.

209. Рихтмайер P.Д. Разностные методы решения краевых задач.

210. Москва: Изд-во иностр.лит-ры, I960, 262 с.

211. Самарский А.А. Введение в численные методы. М.: Наука, 1932, 272 е.

212. Беляев Н.М., Рядно А.А. Методы теории теплопроводности. Часть 2. М.: Высшая школа, 1932, 304 с.

213. Kuijpers F.P.J., Beenker G.F.M. The exact solution of the Stefan problem describing the growth rate of binary III-V compounds for LPE with linear cooling.-J.Crystal Growth,1980,v.46,No3,p.411-415.

214. Chiang S.Y., Pearson G.L. Properties of vacancy defects in GaAs single crystals.

215. J.Appl.Phys.,1975,v.46,No7,P.2986-2991.

216. На Ц. Вычислительные методы решения прикладные граничных задач. М.: Мир, 1982. 294 с.

217. Lang D.V., Logan R.A. A study of deep levels in GaAs by capacitance spectroscopy.

218. J.Ele ctron.Mat er.,1975,v.4,N05,p.1053-1066.

219. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy : a new method to characterize traps in semiconductors.

220. J.Appl.Phys.,1974,v.45,No7,p.3023-3052. 213* Mitonneau A., Martin G.M., Mircea A. Hole traps in bulk and epitaxial GaAs crystals.-Electronics Letters,1977,v.13,No22,p.666-667.

221. Lang D.V., Logan R.A. Deep level distributions near p - n junctions in LPE GaAs.-J.Appl.Phys.,1976,v.47,No4,p.1533-1537.

222. Кравченко А.Ф., Принц З.Я. Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии.- Изв. БУЗов, Физика, 1980, И, с.52-63.

223. Бобылев Б.А., Марченко Н.Е., Принц Б.Я., Чикичев С.И. Глубокие центры в эпптавсиальном р GaAs.

224. Второе Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках, Тезисы докладов, ч.1, Ташкент, 1930, с.71.

225. Бобылев Б.А., Марченко U.E., Чикичев С.И., Кравченко А., Юдаев В.И., Хайри S.X. Особенности фотоионизации глубоких уровней в пленках арсенида галлия и GaAs^^Sb^.-Ш, IS83, т. 17, вып.2, с.319-324.

226. Prinz V.Ia., Rechkunov o.w. Influence of a strong electric field on carrier capture by nonradiative deep level centers in GaAs.

227. Phys.Stat.Sol. (b)., 1983,v.118,Uo1,p.159-166.

228. Morante J.E., Carceller J.E., Barbolla J., Cartujo P. Interpretation of the electron capture by multiphonon emission at native levels in LPE gallium arsenide.-J.Phys.C : Solid State Phys.,1982,v.15,No8,p.L175-L179.

229. Хайри S.X., Болховитянов Ю.Б., Чикичев С.И., Калуг-сов З.А. Особенности жидкофазной эпитаксии нелегированного арсенида галлия в графитовой лодочке. Пятое Всесоюзное совещание по'исследованию арсенида галлия, Томск, I9S2, Тезисы докладов, с.114-116.

230. Чикичев С.И. Неравновесная нестехиометрия эпитаксиального арсенида галлия. Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, Томск, 1978, Тезисы докладов, с.43.

231. Строителев С.А. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников. Новосибирск, Наука, 203с.

232. Bolkhovitianov Yu.B., Bolkhovitianova E.I., Melnikov P.L. The growth, of gallium arsenide films from a thin solution layer between substrates.

233. Kristall und Technik,1973,v.8,No10,p.1103-1112.

234. Субашиев B.K., Полтинников С.А. Определение подвижности и концентрации носителей тока в поверхностном слое полупроводника. фТТ, I960, т.2, Г"6, с.1169-1177.

235. Кравченко А.Ш., Морозов Б.В., Скок Э.М. Анализ подвижности в эпитаксиальных слоях арсенида галлия. Ш1, 1972, т.6, Ш, с.2163-2168.

236. Rosztoczy F.E., Ermanis F., Hayashi I., Schwartz В. Germanium doped gallium arsenide.

237. J.Appl.Phys.,1970,v.41,No1,p.264-270.

238. Harris J.S., Snyder W.L. Homogeneous solution grown epitaxial GaAs.

239. Solid State Electron.,1969,v.12,N05,p.337-340.

240. Vilms J., Garrett J.P. The growth and properties of LPE GaAs.

241. Solid State Electron.,1972,v.15,No3,p.44p-455.

242. Christensson S., Woodward D.W., Eastman L.F. High peak: power LSA operation from epitaxial GaAs.-IEEE Trans.Electron Dev.,1970,v.ED-17,No9,p.732-738.

243. Khokhlov V.I., Sidorov Yu.G., Dvoretski S.A. Electrophisical properties of non doped epitaxial GaAs in range from 10 to 1100°K.-Phys.Stat.Sol.(a).,1975,v.23,No2,p.311-321.

244. Khokholov V.I., Dvoretski S.A., Sidirov Yu.G. High-temperature Hall effect in epitaxial doped GaAs.-Phys.Stat.Sol.(a).,1975»v.30,No1,p.53-58

245. Болховитянов Ю.Б., Болховитянова Р.й.4 Марченко H.S., Молин В.Ы., Мельников П. JI., Морозов Б. В., Принц В.Я.

246. О распределении примесей в пленках арсенида галлия, -выращенных из тонкого слоя раствора, находящегося между подложками. В кн.: Генерация СВЧ колебаний с использованием эффекта Гаина, ИШП,СО АН СССР, Новосибирск, 1974, с.285-290.

247. Чикичев С.И. Особенности легирования оловом GaAsпри дидкофазной зпитаксии. Изв.АН СССР, Сер. Неорганические материалы, IS77, т. 13, Ш0, с. 1739-1743.

248. Houng I.M., Pearson G.L., Mattes B.L. Growth of semi insulating LPE GaAs for FET buffer layers.-J.Electro chem.So c.,1978, v. 125, No12, p.2058-2061.

249. Houston P.A. The growth of buffered GaAs MESFET structures by LPE.

250. J.Ele ctron.Mater.,1980,v.9,No1,p.79-95.

251. Abrokwah J.K., Hitchell M.L., Borrel J.E., Schulze D.R. High purity and chrome doped GaAs buffer layers grown by liquid phase epitaxy for MESFET applications.

252. J. Ele ctr on. Mater., 1981, v. 10, No4, p. 723-74-6.

253. Hobgood H.M., Eldridge G.W., Barrett D.L., Thomas R.N. High purity semi - insulating GaAs material for monolithic microwave integrated circuits.

254. EE Trans.Electron Dev.,1981,v.ED-28,No2,p.140-149.

255. Thomas R.N., Hobgood H.M., Barrett D.L., Eldridge G.W. Large diameter, undoped semi insulating GaAs for high mobility direct ion implanted FET technology.-In : Semi - Insulating III - V Materials,1980,p.76-82.

256. Growth of high-purity semi-insulating bulk GaAs for integrated-circuit applications.

257. EE Trans.Electron Dev.,1981,v.ED-28,No2,p.135-140. 247* Okumura T., Ikoma T. Deep levels and growth conditions of LPE GaAs crystals.-J.Crystal Growth,1978,v.45,No5,p.459-466.

258. Вилисова М.Д., Иконникова Г.М., Толбанов О.П., Хлудков С.С. Быстродействующий S -диод на основе GaAs:Fe ■ структур, полученные газофазной зпитаксией. Изв. ВУЗов, Физика, Т981, №11, с.З-б.

259. Приходько Г.Л., Павлов Ю.Д., Коренман М.Е., ВерезоЕс-кий А.И., Киримбаев Д.Д., Кубарева Г.М., Орлов В.П. Высоковольтные S -диоды на основе эпитаксиального полуизолирующего GaAs: Сг.

260. Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, Тезисы докл., Томск, 1982, с.136-138.

261. Andre Е., LeDuc J.M. Arseniure de gallium dope au chrome obtenu par epitaxie en phase liquide.-Ivlater.Res.Bull. ,1969,v.4No1,p. 149-152.

262. Schlachetzki A., Salow H. High resistivity layers of GaAs grown "by liquid phase epitaxy.

263. Appl.Phys.,1975,v.7,No1,p.195-201.

264. Otsubo M., Miki H. Chromium doped semi - insulating gallium arsenide crystals grown "by liquid phase epitaxy.-Jap.J.Appl.Phys.,1974,v.13,No10,p.1655-1656.

265. Otsubo M., Miki H. Liquid phase epitaxial growth of semi insulating GaAs crystals.-J.Electrochem.Soc.,1977,v.124,N03,p.441-447.

266. Kobayashi Т., Kuru Т., H030 A., Sugita T. Fe-doped high purity GaAs as a room temperature gamma-ray spec-trometric detector.

267. EE Trans. Nucl.Sci.,1976,v.23,Ho1,p. 97-101.

268. Hasegawa H., Kojima K., Sakai T. Iron doped liquid phase epitaxial GaAs layers with negative resistance properties.

269. Jap.J.Appl.Phys.,1977,v.16,No7,p.1251-1252.

270. Kojima K., Hasegawa H. High resistivity LPE layers of GaAs Ъу iron doping.

271. Phys. Stat.Sol(a)., 1980, v.62,1To2,p.675-679«

272. Пелевин О.Б., Гирич Б.Г., Николаев М.И. Жидкофазная зпитаксия GaAs легированного железом.

273. Изв.АН СССР, Неорганич.материалы, 1975, т.II, Ш, с.542-543.

274. Пелевин О.В. Химическое состояние легирующей примеси в полупроводниках. Изв.Сиб.отд.АН СССР, Сер.Хим.наук., 1975, №2, вып.1, с.95-111.

275. Ikoma Т., Takikawa M. Origin of the E^ + О.51 eV level in GaAs.

276. Jap.J.Appl.Phys.,1981,v.20,No8,p.L591-L594.

277. Болховитянов Ю.Б., Хайри E.X., Еолховитянова P.И., Чикичев С.И. Жидкофазная зпитаксия высокоомных слоев

278. GaAs : Fe Электронная техника, Сер.Материалы, 1981, вып.6, с.28-30.1. Г9Р

279. Болховитянов 10.Б., Хайри Е.Х., Болховитянова Р.И., Чикичев С.И. Однорастворная эпитаксия арсенид-галлиевых р-п структур. Электронная техника, Сер.материалы, 1982, вып.8, с.28-32.

280. Болховитянов Ю.Б., Хайри Е.Х., Болховитянова Р.И., Чикичев' С.И. Жидкофазная эпитаксия высокоомных слоев GaAs : Gr Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, Тезисы докладов, Томск, 1982, c.II2-II4.

281. Шишияну <5. С. Диффузия и явления деградации, обусловленные примесями с глубокими уровнями в полупроводниках-\ г-г К

282. AB: Автореф.дисс. на соиск.уч.степени докт.физ.-мат. наука- Ленинград, 1978.-32 с.

283. Чикичев С.И., Болховитянов 10.Б., Хайри Е.Х.

284. Hall R.N. Solubility of III-V compound semiconductors in column III liquids.

285. J.Electrochem.Soc.,1963,v.110,No5,p.385-388.

286. Rosztoczy F.E., Kinoshita J. Growth and evaluation of epitaxial GaAs for microwave devices.-J.Electrochem.Soc.,1974,v.121,No3,p.439-444.

287. Migitaka M., Doi A., Miyazaki M. Continuous growth, of multilayer GaAs crystal Ъу liquid phase epitaxy.1. : Proc. 4th Int. Symp. on GaAs and Eel.Сотр., Boulder, 1972, (Insir.Phys.Conf.Ser. No17), 1973,p.249-256.

288. Jordan A.S. The liquidus surfaces of ternary systems involving compound semiconductors : II. Calculation of the liquidus isotherms and component partial pressures in the Ga As - Zn and Ga- P - Zn systems.

289. Met.Trans.,1971,v.2,No7,P•1965-1970.

290. Morkoc H., Eastman L.F. Purity of GaAs grown by LPE in a graphite boat.