Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Б в е д е н и е

Глава I. Зонная структура и свойства твердых растворов на основе арсенида галлия (обзор литературы).

§ I.I. Арсенид галлия

1.1.1. Зонная структура и некоторые фундаментальные свойства. i

1.1.2. Излучательная рекомбинация в арсениде галлия. Теоретические представления

1.1.3. Излучательная рекомбинация в арсениде галлия. Экспериментальные результаты

§ 1.2. Твердые растворы на основе арсенида галлия.

1.2.1. Зонная структура твердых растворов.

1.2.2. Особенности разбавленных твердых растворов. Изовалентное легирование

1.2.3. Закономерности дефектообразования в гете-роэпитаксиальных структурах на основе твердых растворов соединений

1.2.4. Особенности излучательной рекомбинации в твердых растворах полупроводников

Глава 2. Методика исследований и обработки спектров фотолюминесценции

§ 2.1. Требования к экспериментальной установке . М

§ 2.2. Блок-схема установки.'

§ 2.3. Монохроматор и фотоприемники

§ 2.4. Коррекция спектров фотолюминесценции .?В

Глава 3. Фотолюминесценция арсенида галлия, легированного изовалентными цримесями сурьмой, индием и висмутом.

§ 3.1. Методика получения и характеристики эпитак-сиальных пленок арсенида галлия, легированного изовалентными цримесями

§ 3.2. Структура и некоторые параметры спектров фотолюминесценции Gafls , легированного и Bi

3.2.1. Основные механизмы излучательной рекомби

4 нации

3.2.2. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава разбавленных твердых растворов

Sals„ S&„ и \ КЛ.

3.2.3. Зависимость эффективности излучательной рекомбинации от концентрации изовалентных примесей в арсениде галлия

§ 3.3. Влияние изовалентного легирования на состояние мелких примесей . J

3.3.1. Концентрация и распределение амфотерных цри-месей по подрешеткам

3.3.2. Энергия ионизации мелких примесей

§ 3.4. Влияние изовалентного легирования на глубокие примесные центры.

§ 3.5. Обсуждение экспериментальных результатов. Механизмы взаимодействия изовалентных примесей с ансамблем точечных дефектов кристалла . lk&

§ 3.6. В ы в о д ы

- к

Глава 4. Теория люминесценции неоднородных твердых растворов полупроводников . (

§ 4.1. Распределение неравновесных носителей заряда i

§ 4.2. Спектры люминесценции при плавном потенциале неоднородностей . 16Ъ

§ 4.3. Излучательная рекомбинация свободных носителей. Резкий потенциал неоднородностей.

§ 4.4. Излучательная рекомбинация локализованных носителей. Резкий потенциал неоднородностей . 47J

§ 4.5. Влияние переизлучения на спектры люминесценции неоднородных полупроводниковых твердых растворов

§ 4.6. Обсуждение результатов

§ 4.7. Выв о д ы.

Глава 5. Фотолюминесценция неоднородных твердых растворов

GclA^JK

§ 5.1. Методика получения и характеристики образцов

§ 5.2. Структура спектров фотолюминесценции

Изменение состояния мелких примесей

§ 5.3. Влияние дислокаций несоответствия на эффективность излучательной рекомбинации в

§ 5.4. Неоднородности распределения компонент твердого раствора

§ 5.5. В ы в о ды а к л ю ч е н и е

Литера т у р а

СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ а - период решетки боровские радиусы электрона, дырки, экситона С - скорость света

С - коэффициент "провисания" в зависимости ширниы запрещенной зоны от состава твердых растворов е - заряд электрона Е - модуль упругости ЕауЕд- энергии ионизации акцепторов и доноров ЕсуЕу- энергии краев зоны проводимости и валентной

- ширина запрещенной зоны

Eso- величина спин-орбитального расщепления

- характерная энергия спада квантового выхода излуча-тельной рекомбинации при высоких температурах

- вероятности заполнения состояний электронами и дырками

F, Fm- плотности вероятности энергетического распределения ширины запрещенной зоны и минимумов Е^ в неоднородных твердых растворах £ - скорость генерации неравновесных носителей ft - постоянная Планка

10 - интенсивность света, возбуждающего фотолюминесценцию Хд71"да?Х01 - интенсивности примесной, краевой и длинноволновой линий фотолюминесценции К - постоянная Больцмана; квазиимпуль; коэффициент компенсации

L - характерный размер флуктуаций состава в неоднородных твердых растворах б диффузионная и дрейфовая длины 1П0 - масса электрона

Т7е , mh- эффективные массы плотности состояний в зонах проводимости и валентной П - коэффициент преломления /?, Лех - концентрация электронов и экситонов концентрации акцепторов, доноров, изовалентных примесей эффективные плотности состояний в зонах проводимости и валентной ^ - плотность дислокаций Р - концентрация дырок Ъ - радиус-вектор cv ? ^ех скорости рекомбинации: межзонной, экситонной, зона-акцептор, донор-зона, донор-акцептор, излучательной, безызлучательной Т - температура

W - матричный элемент излучательного перехода

- коэффициент поглощения о^г- коэффициент термического расширения коэффициенты формулы Варшни Yn>lfp- коэффициенты захвата электронов и дырок на локальные уровни автокорреляционная функция Г,1* ,Х - характерные точки зоны Бриллюэна S - полуширина спектральных линий люминесценции А - характерная амплитуда флуктуаций ширины запрещенной зоны в неоднородных твердых растворах полупроводников

- кинетические энергии свободных носителей или энергии связи локализованных состояний ^ - квантовый выход излучательной рекомбинации SQ - диэлектрическая проницаемость Л - длина волны света X - де-бройлевская длина волны носителей ^ - подвижность носителей

- коэффициент Пуассона - коэффициент термической ионизации локального уровня

- плотности состояний электронов и дырок 6" - упругие напряжения

- время жизни

Я^о}- спектральная интенсивность люминесценции X. - электронное сродство Y ~ относительная деформация со - частота света

Твердые растворы соединений А В являются перспективными материалами для создания ряда оптоэлектронных приборов - лазеров, фото- и светодиодов, фотокатодов и т.д. - удовлетворяющих современным техническим требованиям /8/.

Особое место среди этого класса соединений занимают твердые растворы на основе арсенида галлия - одного из базовых материалов электронной техники, Так, гетеропереходы на основе твердых растворов МхGa,^ и используются для создания эффективных излучателей света и фотоприемников /9,28,83/. В настоящее время, в первую очередь вследствие интенсивного развития техники волоконно-оптических линий связи, разрабатываются оптоэлектронные приборы на основе твердых растворов и , работающие в диапазоне длин волн 1-2 мкм /57, 89 /. Однако, серьезным препятствием при разработке и совершенствовании таких приборов является существенное различие ряда важнейших физических параметров компонент указанных квазибинарных твердых растворов, приводящее, в частности, к ухудшению качества приборных структур. Например, рассогласование постоянных решетки ACl/cl в парах во.fls-GoSb к GaJb-InAs составляет 7,53 и 6,92 %9 соответственно, что неизбежно должно приводить к высокой плотности дислокаций несоответствия и высокому уровню остаточных упругих напряжений . :в создаваемых приборных структурах. Аналогичные проблемы существуют и в других квазибинарных твердых растворах

А3В5 с изовалентным замещением

Перспективным путем преодоления указанного недостатка является использование многокомпонентных твердых растворов

А В , хотя их получение и сопряжено с рядом технологических трудностей /70,103/. Однако, общим свойством, присущим всем твердым растворам полупроводников, являются неоднородности рас цределения их компонент, приводящие к пространственным флуктуаци ям важнейшего параметра полупроводника - ширины запрещенной зоны. Такого рода неоднородности неизбежно появляются при получении полупроводниковых твердых растворов любым из широко распространенных методов х\ и, поэтому, связанные с ними эффекты интересны как с физической, так и с прикладной точек зрения.

Другим аспектом процесса изовалентного замещения атомов полупроводника является появление нового фактора, воздействующего на ансамбль дефектов исходного кристалла, состояние которого в значительной степени определяет многие физические свойства материала /128/. Известно, например, что изовалентное легирование фосфида галлия азотом и висмутом (до концентрации ~ 20^ см ) приводит к значительному увеличению эффективности излучательной рекомбинации носителей заряда в этом непрямозон-ном полупроводнике, что привело к созданию промышленных свето-диодов зеленого цвета /28/.

Между тем, влияние изовалентных примесей на свойства пря-мозонных соединений Адо недавнего времени практически не исследовалось /128/. Можно, однако, предположить, что взаимодействие изовалентных примесей с ансамблем дефектов кристалла будет проявляться наиболее заметно тогда, когда их концентрация оках) Единственным исключением на настоящий момент является, пожалуй, лишь метод молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющий контролировать рост моноатомных слоев кристалла. жется сравнимой с концентрацией типичных фоновых цримесейи собственных дефектов решетки.

Поскольку арсенид галлия является в настоящее время наибо

3 5 лее изученным соединением А В , твердые растворы на его основе представляют собой удобную модель для выявления и изучения закономерностей, связанных с изовалентным замещением компонент в этом классе соединений.

Целью■диссертационной работы является исследование изменений в ансамбле дефектов кристалла и особенностей рекомбинацион-ных процессов в арсениде галлия, легированном изолектронными цримесями In, St, Bi и в твердых растворах на его основе с существенно неидеальным замещением компонент.

Основным методом исследования являлось изучение фотолюминесценции твердых растворов в широком интервале температур (2-300 К). Этот метод позволяет получать информацию о цроцессах излучательной рекомбинации, в значительной степени отражающих состояние ансамбля дефектов в кристалле.

Диссертационная работа выполнена в лаборатории физики легированных полупроводников Физико-технического института им.А.Ф. Иоффе АН СССР.

Она состоит из введения, пяти глав и заключения.

Основные результаты работы опубликованы в 7 статья и доклады вались на 5 конференциях.

1. Ю.Ф.Бирюлин, Р.Р.Ичкитидзе, В.Г.Кригел^, В.В.Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора (х ^0,05). - ФТП, 1979, т.13, в.II, с.2276-2279.

2. Ю.Ф.Бирюлин, Н.В.Ганина, М.Г.Мильвидский, В.В.Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. Фотолюминесценция твердых растворов и Ihx (yai-xMs (х < 0,01). - Тез.докл.Всес.конф. по физи

3 5 ке соединений А°В . Новосибирск, июль 1981г., с.171-172.

- 2293. Ю.Ф.Бирюлин, Н.В.Ганина, В.В.Чалдышев. Фотолюминесценция твердого раствора ( - х <0,01 ). - ФТП,1981, т. 15, в.9, с.1849-1852.

4. Ю.Ф.Бирюлин, В.Н.Каряев, И.Ю.Новикова, Т.А.Полянская, В.В. Чалдышев, Ю.В.Шмарцев. Особенность в зависимости подвижности и квантового выхода фотолюминесценции от состава твердого раствора GaAs^Sb* (0,01 ^ х < 0,13). - ФТП, 1981, т.15,в.II, с.2288-2291.

5. Ю.Ф.Бирюлин, Н.В.Ганина, В.В.Чалдышев, Ю.В.Шмарцев. Влияние легирования GaAs изоэлектронными примесями Ь и S& на глубокий уровень Еу + 0,1 эВ. - Тез.докл. У Всес . совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, сентябрь 1982 г., с.62-63.

6. Ю.Ф.Бирюлин, Н.В.Ганина, М.Г.Мильвидский, В.В.Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. Фотолюминесценция твердых растворов 6clAs^S^ и J/ix9a,Jb (х < 0,01). - ФТП,1983, т,17,в.1, с.108-114.

7. Ю.Ф. Бирюлин, Н.В.Ганина, В.В.Чалдышев, Ю.В.Шмарцев. 0. корреляции в расположении мелких примесей в арсениде галлия, легированном индием и сурьмой. - Письма в ЖГФ, 1983, т.9, в.4, с.242-245.

8. Ю.Ф.Бирюлин, В.В.Чалдышев, Ю.В.Шмарцев. Квантовый выход фотолюминесценции в 9а As,xSH>x. - Тез.докл. 1У Всес.конф. "Тройные полупроводники и их применение", Кишинев, июнь 1983, с.168.

9. С.Г.Петросян, В.В.Чалдышев, А.Я.Шик. Люминесценция неоднородных твердых растворов полупроводников. - Тез.докл.Всес.симпозиума "Неоднородные электронные состояния", Новосибирск, март

1984 г., с.240-241.

10. Ю.Ф.Бирюлин, P.P. Ичкитидзе, В.В.Чалдышев, Ю.В.Шмарцев.

0 зависимости квантового выхода фотолюминесценции в твердом растворе от состава и температуры. - ФТП, 1984, т.18, в.7, с.1251-1255.

11. С.Г.Петросян, В.В.Чалдышев, А.Я.Шик. Люминесценция неоднородных полупроводниковых твердых растворов. - ФТП,1984, т.18, в.З, с.1565-1572.

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность своему научному руководителю Ю.В.Шмарцеву за постоянное внимание к работе и Ю.Ф.Бирюлину, под непосредствен ным руководством которого были выполнены все экспериментальные исследования, а также всему коллективу лаборатории физики легированных полупроводников за доброжелательное отношение и постоянную дружескую поддержку. Автор также благодарен В.И.Перелю, И.Н. Яссиевич, В.И.Фистулю, А.Л.Эфросу, Т.А.Полянской, Б.Л.Гельмонту,

A.Ю. Маслову и А.Я.Шику за чрезвычайно полезное обсуждение резуль татов работы, С.П.Вуль, Н.В.Ганиной, В.Н.Каряеву, Р.Р.Ичкитидзе,

B.И.Фистулю за предоставление образцов для исследований.

- 2 31

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

В соответствии с поставленными научными задачами в настоящей работе были проведены целенаправленные теоретические и экспериментальные исследования твердых растворов на основе арсенида галлия с существенно неидеальными изовалентными замещением компонент. Внимание было в основном сконцентрировано на трех физических явлениях: взаимодействии неосновных компонент твердых растворов (изовалентных цримесей) с ансамблем точечных дефектов кристалла, влиянии неоднородностей состава и связанных с ними флуктуаций ширины запрещенной зоны на процессы излучательной рекомбинации носителей заряда и влиянии дислокаций несоответствия в эпитаксиальных структурах на эффективность люминесценции. В результате пррведенных исследований можно сформулировать следующие основные выводы:

1. Изменение концентраций мелких амфотерных примесей и степени их самокомпенсации, а также концентраций глубоких цримесных комплексов Ev + 0,1 эВ и Еу + 0,15 эВ цри изовалентном легировании арсенида галлия обусловлено взаимодействием примесей и точечных дефектов решетки с ИВП индием, сурьмой и висмутом.

2. Обнаружено, что зависимости эффективных (вычисляемых из спектров ФЛ) энергий ионизации мелких акцепторов от состава твердых растворов и InxBaH(As существенно различны, а в области примесной растворимости ( Nhb/j ^ Ю^см"^) сурьмы и индия носят аномальный характер. Показано, что эти эффекты вероятно обусловлены неоднородным распределением цримесей в кристалле вследствие их взаимодействия с атомом неосновных компонент указанных твердых растворов.

1. Распределение компонент в твердом растворе является неоднородным. Получены значения характерных амплитуды и размеров флуктуаций ширины запрещенной зоны. Обнаружено, что вследствие термоактивационного характера диффузионного движения неравновесных носителей - дырок в потенциальном рельефе, их длина диффузии уменьшается при понижении температуры, и квазиравновесие между отдельными минимумами ширины запрещенной зоны отсутствует.

2. Аномальная температурная зависимость спектральных линий фотолюминесценции связана с неоднородным распределением компонент твердого раствора и обусловлена отсутствием квазиравновесия между отдельными минимумами ширины запрещенной зоны при низких температурах.

3. Исследованы зависимости эффективных (вычисляемых из спектров ФЛ) энергий ионизации мелких акцепторов от состава твердых растворов 9aJ]shySSx и InxGahy,As . Показано, что характер изменения этих энергий в твердых растворах на основе определяется взаимодействием и коррелированным пространственным распределением примесей и компонент твердых растворов.

4. Обнаружены немонотонные зависимости квантового выход* ФЛ £ и подвижности свободных электронов yfc от состава твердых растворов (jaAshx$&x • Показано, что уменьшениеи ^ При х > 0,08 обусловлено рассеянием и рекомбинацией носителей заряда на дислокациях, а их некоторое возрастание цри относительно небольшом введении в GcuAs сурьмы связано с изменениями ансамбля точечных дефектов кристалла, и процессов диффузии неравновесных носителей.

3. Выявлены и проанализированы важнейшие механизмы взаимодействия ИВП с ансамблем точечных дефектов кристалла. Показано, что всю совокупность полученных в работе экспериментальных результатов и данных других авторов можно объяснить с единых позиций при учете трех эффектов: взаимодействия ИВП с атомами 9а и

Ms в жидкой фазе, приводящего к изменению стехиометрии выра-. щиваемого кристалла; взаимодействия ИВП с фоновыми примесями, приводящего к изменению коэффициентов распределения последних; взаимодействия ИВП с вакансиями в кристалле, приводящего к уменьшению концентрации комплексов типа вакансия-фоновая примесь.

4. Зависимости ширины запрещенной зоны от состава разбавленных твердых растворов ВаДз^З&х и Thx^t-^3 не имеют закономерных отклонений, связанных с возможным упорядочением в расположении компонент, от общепринятого квадратичного закона. ИВП 2л} S&, &L не являются в арсениде галлия центрами излучательной и безызлучательной рекомбинации.

5. В твердых растворах полупроводников с крупномасштабными флуктуациями состава в зависимости от соотношения между характерным размером флуктуаций и диффузионной и дрейфовой длинами неравновесных носителей заряда возможны три различных типа их пространственного распределения: неравновесный, равновесный и частично равновесный. В последнем случае носители сконцентрированы вблизи минимумов ширины запрещенной зоны, где их распределение квазиравновесно, а между различными минимумами квазиравновесие отсутствует.

6. Получены формулы, описывающие спектры излучательной рекомбинации свободных и локализованных носителей в неоднородных полупроводниковых твердых растворах. Ширина спектральных линий определяется амплитудой флуктуаций ширины запрещенной зоны, а конкретная форма зависит от типа пространственного распределения неравновесных носителей заряда. Проанализировано влияние на спектры люминесценции эффекта переизлучения, а также условий эксперимента - температуры и интенсивности возбуждения рекомбинацион-ного излучения.

7. В результате исследования спектров фотолюминесценции показано, что распределение компонент в твердом растворе НаЛ/-*^ является неоднородным. Получены значения характерных амплитуд и размеров флуктуаций ширины запрещенной зоны. Обнаружено, что вследствие термоактивационного характера диффузионного движения неравновесных носителей - дырок в потенциальном рельефе, их длина диффузии уменьшается при понижении температуры, и квазиравновесие между отдельными минимумами ширины запрещенной зоны отсутствует. Последнее обстоятельство приводит к аномальной зависимости интен-сивностей спектральных линий ФЛ от температуры.

8. Обнаружены немонотонные зависимости квантового выхода ФЛ и подвижности свободных электронов у**- от состава твердых растворов BclAsm^&x . Показано, что уменьшение £ иyto цри х > 0,08 обусловлено рекомбинацией и рассеянием носителей заряда на дислокациях, а их некоторое возрастание цри относительно небольшом введении в Bads сурьмы связано с изменениями ансамбля точечных дефектов кристалла и процессов диффузии неравновесных носителей.

На основании полученных в работе результатов можно указать возможные направления дальнейших исследований:

I. Для более детального выяснения механизмов взаимодействия ИВП с ансамблем точечных дефектов в арсениде галлия представляется целесообразным провести исследования глубоких примесных комплексов, рекомбинация носителей заряда на которых происходит, как правило, безызлучательно. Исследования таких центров должны, по-видимоьфг, основываться на методиках емкостной спектроскопии, оптического поглощения и т.д. Для надежного обобщения полученных результатов представляет также несомненное значение проведение исследований эффектов, связанных с изовалентным легированием и

3 5 в других соединениях А В .

2. Применение теории люминесценции неоднородных твердых растворов полупроводников ни в коей мере, конечно, не ограничивается твердыми растворами на основе арсенида галлия. Более того, благодаря тоьяу, что вычисления спектров люминесценции проведены в довольно общем виде и не накладывают каких-либо жестких априорных ограничений на вид случайного потенциала флуктуаций ширины запрещенной зоны, построенную теорию можно рекомендовать для интерпретации спектров излучательной рекомбинации и определения энергетического распределения и пространственных размеров флуктуаций Е^ именно в новых полупроводниковых материалах, таких, например, как метастабильные твердые растворы 9e.-GxiAs 9 полученные недавно во всем диапазоне составов /II/.

Остановимся на некоторых возможностях практического использования результатов работы.

Обнаруженные нами эффекты взаимодействия в арсениде галлия изовалентных примесей индия, сурьмы и висмута с неконтролируемыми примесными центрами могут быть использованы для получения материала с заданными свойствами, например, кристаллов с низкой концентрацией и высокой подвижностью свободных носителей заряда. Такие материалы, как известно, являются необходимым элементом для создания ряда полупроводниковых приборов: фотоприемников, диодов Ганна, полевых транзисторов и т.д. В связи с этим особую практическую значимость преобретает обнаруженный в /60/ и подтвержденный люминесцентными исследованиями (глава Ш) эффект "очистки" арсенида галлия при жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава в висмуте, позволяющий без какого-либо усложнения технологии выращивания эпитаксиальных слоев воспроизводимо получать

15 арсенид галлия с концентрацией свободных носителей не выше 10 см"3.

Особую актуальность приобрела в последнее время проблема создания эффективных фотоприемников ближнего инфракрасного диапазона. Методика фотолюминесценции и,в частности, результаты,изложенные в главе У, были использованы при разработке и создании селективных фотодиодов и структур для фотокатодов с отрицательным электронным сродством на основе твердых растворов ОаАя^ВЬ,с . Связанные с прикладными задачами исследования проводились в рамках ряда хоздоговорных работ, выполнявшихся в лаборатории физики легированных полупроводников ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН CGGP и в материалы диссертации не вошли.

1. Абакумов В.Н., Перель В.И., Ясеиевич И.Н. Захват носителей заряда на притягивающие центры в полупроводниках, ФГП,1978, т.12, в.1, с.3-32.

2. Аблязов Н.Н., Райх М.Э., Эфрос А.Л. Ширина линии экситонно-го поглощения в твердых растворах,-ФТТ, 1983, т.25,с.353-358

3. Аверкиев H.G., Аширов Т.К., Еуткин А.А. Пьезострабоскопическое исследование полосы рекомбинационного излучения с максимумом около 1,35 эВ в GaAs t легированном иедьго. ФГП, 1981, т.15, в.10, с.1970-1977.

4. Аверкиев Н.С., Аширов Т.К., Гуткин А.А. Анизотропное подавле ние эффекта Яна-Теллера в глубоких примесных центрах в полупроводниках при одноосном давлении.-ФТТ, 1982, т.24, в.7,с.2046-2052.

5. Аверикев Н.С., Аширов Т.К., 1^уткин А.А. Примесная фотолюминесценция в GclAs<Cu> около 1,36 эВ в условиях одноосного сжатия по направлению ill. $ТП, 1983, т. 17, в.1,с. 97-102.

6. Актуальные проблемы исследования арсенида галлия, (тематический выпуск) Изв.ВУЗов, Физика, 1980, в.1, с.3-104.

7. Акчурин Р.Х., Зиновьев В.Г., Уфимцев В.Б., Бублик В.Г., Морозов А.Н. О донорной природе висмута в антимониде индия. Ш, 1982, т.16, в.2, с.202-206.

8. Алферов Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниках и приборы на их основе. В кн.: Наука и человечество. М., 1976, с.276-- 289.

9. Алферов Ж.И. Полупроводниковые гетероетруктуры. ФТП,1977, т.II, в.II, с.2072-2083.

10. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З., Трукан М.К.

11. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном компенсирован ном ареениде галлия<-ФТП, 1972, т.б, в,10, с.2015-2026.

12. Алферов Ж.И., Вартанян Р.С., Корольков В.И., Мокан И.И. Улин В.П., Явич Б.С., Яковенко А.А. Электрофизические и люминесцентные свойства метастабильных твердых растворов (&2)х (&aJs)^ — ФТП, 1982, т.16, в.5, с.887-890.

13. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З. Люминесценция твердых растворов арсенид алюминия арсенид галлия. Изв.АН СССР, сер. физ., 1973, т.37, с.651-658, в.З.

14. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Колышкин В.И., Нинуа О.А., Трофим В.Г. Рекомбинационное излучение твердых растворов арсенид алюминия арсенид галлия, легированных цинком.

15. ФТП, 1971, т.б, в.7, с.1405-1408.

16. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Нинуа О,А,, Трофим В.Г. Фотолюминесценция твердых растворов арсенид алюминия арсенид галлия, легированных германием .-ФТП, 1971, т.5, в.6, с.1122 - 1125.

17. Алферов Ж.И., Нинуа О.А. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев твердых растворов MkGq>i-xAs i ФТП, 1970, т.4, в.З, с.618-619.

18. Алферов Ж.И., Портной Е.Л., Рогачев А.А. О ширине края поглощения полупроводниковых твердых растворов.-ФТП, 1968, т.2в.8, с.1194-1197.

19. Арепьев Ю.Д., Сальков Е.А., Толпыго К.Б. Люминесценция возбужденного АД-комплекса, находящегося во внешнем электрическом поле .-ФТП,1976, т.10,в.12, с.2321-2327.

20. Арнаудов Б.Г., Быковский В.А., Доманевский Д.С., Люминесценция эпитаксиального арсенида галлия, легированного кремнием-ФТП, 1977, т.II, в. 2., с.230-232.

21. Арнаудов Б.Г.,Доманевский Д-G., Евтимова G.K., Жоховец С.В. Прокопеня М.В. Влияние компенсации на краевую люминесценцию сильно легированного арсенида галлия.-ФТП,1983, т.17, в.4, с.607-610.

22. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Под ред. Кесаманлы Ф.П. и Наследова Д.Н. М., 1973 , 476 с.

23. Баженов В.К., Петухов А.Г., Соловьева Е.В., Резонансный уровень сурьмы в арсениде галлия.—ФТП, 1981, т.15, в.4, с.768-771.

24. Балагурова Е.А., Морозов В.Н., Хабаров Э.Н. Зависимость микротвердости кристаллов твердых растворов от характера взаимодействия компонентов. Изв.АН СССР. Неорг.матер.,1976, т.12,в.1, с.105-107.

25. Балагурова Е.А., Петров. А.Л., Хабаров Э.Н. Примесные состояния кремния в германииНШ1,1981,т.15,в.5,с.985-987.

26. Балагурова Е.А., Хабаров Э.Н. Упорядочение твердых растворов в системах Ge-Si, InAs-CdTe , Н$Ъ CdTe .

27. В сб.: Свойства полупроводниковых твердых растворов, обусловленные структурными компонентами. Томск, 1978,с.3--21.

28. Барановский С.Д., Эфрос А.Л. Размытие краев зон в твердых растворах.-ФГП, 1978, т.12, в.II, с.22333-2237.

29. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник,-Киев, 1975, 704 с.

30. Белова И.М., Колковский D.B.,Осипов В.В. Спектр межзоннойлюминесценции невырожденного прямозонного полупроводника.— ШТП,1983, т.17, вЛО, с.1752-1756.

31. Берг А., Дин П. Светодиоды. М.,1979 , 688 с.

32. Берман Л.В. Диффузия цримесей, составляющих донорную молекулу в эпитаксиальном п- GaAs .-Ш1,1983, т.17, в.8,с.1519-1521.

33. Бернер А.И., Гимельфарб Ф.А., Ухорская Т.А. Прогнозирование предела обнаружения элементов в микрорентгеноспектральном анализе. Журнал аналитической химии, 1979, т.34,в.1,с.10-19.

34. Вир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М. ,1972, 584 с.

35. Бирюлин Ю.Ф., Буль А.Я., Голубев Л.В., Каряев В.Н., Полянская Т.А., Сайдашев И.И., Шаронова Л.В., Шмарцев Ю.В. Быстродействие и чувствительность фотодиодов на основе твердого раствора GvlAs^ Six. Письма в ЖТФ, 1979, т.5,в.20, с.1233 1235.

36. Бирюлин Ю.Ф., Ганина Н.В., Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В. Фотолюминесценция твердых растворов Ga/Js^S.ёк и Тп^Ёа^Дз ( х < 0,01). - Тез.доклада Всесоюзн.конф. по физике соединений А^В^. Новосибриск, 1981, с.171-172.

37. Бирюлин Ю.Ф., Ганина Н.В., Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В. Фотолюминесценция твердых растворов Ga.AshS&x и InxGahxAs (х < 0,01). - ФТП, 1983, т.17,в.1, с.108-114.

38. Б1фюлин Ю.Ф., Ганина Н.В., Чалдышев В.В. Фотолюминесценция твердого раствора GaAshXSbx (0 < х <0,01). ФТП,1981, т.15, в,9, с.1849-1852.

39. Бирюлин Ю.Ф., Ганина Н.В., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В. Влияние легирования GclAs изоэлектронными примесями In и S6 на глубокий уровень +0,1 эВ. Тез .докл. У Всесоюзн.совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск,1982, с.62-63.

40. Бирюлин Ю.Ф., Ганина Н.В.,Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В. О корреляции в расположении мелких примесей в арсениде галлия, легированном индием и сурьмой. Письма в ШТФ, 1983, т.9,в.4, с.242-245.

41. Бирюлин Ю.Ф., Ичкитидзе P.P., Кригель В.Г., Чалдышев В.В., Щмарцев Ю.В. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора GaAs^S,Ъх (х<0,05) ФТП, 1979, т.13, в.,II, с.2276-2279.

42. Б1фюлин Ю.Ф., Ичкитидзе P.P., Кригель В.Г.,Шмарцев Ю.В. Излучательная рекомбинация в нелегирванном твердом растворе6aAsfx Sgx (0 < x < 0,3). ФТП,1979,т.13,в,6,с.1235- 1238.

43. Бирголин Ю.Ф., Ичкитидзе P.P., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В.0 зависимости квантового выхода фотолюминесценции в твердом растворе BolAs^S&k от состава и температуры. ФТП, 1984, т.18,в.7, с.1251-1255.

44. Бирюлин Ю.Ф., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В. Квантовый выход фотолюминесценции в Ga//syxS&x . Тез.докл. 1У Всесоюзн. конф. " Тройные полупроводники и их применение", Кишшев,1983, с.168

45. Бирюлин Ю.Ф., Шмарцев Ю.В. О возрастании интенсивности фотл-люминесценции твердого раствора при изменении состава. ФТП, 1978, т.12, в.4, с.822-824.

46. Богатов Н.М., Петров А.Л., Хабаров Э.Н. Изменение спин-орбитального расщепления в сплавах германий-кремний. ФТП,1982,т.16, в.4, с.653-655.

47. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л, 1972, 384 с.

48. Брук А.С., Говорков А.В., Колесник Л.И., Лошинский A.M., Боль-шева Ю.Н. Роль взаимодействия дислокация-точечный дефект -легирующая примесь в процессах рекомбинации в арсениде галлия. ФТП, 1982, т.16, в.8, C.I5I0-I5I2.

49. Бублик В.Т., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Природа и осо-.-2kkбенности поведения точечных дефектов в легированных монокристаллах соденинений А3В5. Изв.ВУЗов, Физика, 1980, в.1, с.7-22.

50. Бузевич Г.И., Скоробогатова Л.А., Хабаров Э.Н. Зонная струкос РАтура твердых растворов типа А В -А В . Экстремальные условия межзонного взаимодействия. ФТП, 1973, т.7, в.II, с. 2079-2085.

51. Бурдиян И.И., Георгице Е.И., Миронов И.Ф. Особенности изменения ширины запрещенной зоны в области примесной растворимости некоторых твердых растворов. ФТП, 1975,т.9,с.1402-- 1403.

52. Бурдуков D.M., Зотова Н.В., Маханбеталиев Т., Мельцер Б.Я., Наследов Д.Н. Влияние флуктуаций локального состава твердыхрастворов на оптические и люминесцентные свойства монокристаллов GaxIn,„xAs. ФТП, 1975,т.9,в.3, с.488-493.

53. Варшни И.П. Собственная излучательная рекомбинация в полупроводниках. В сб.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. Под ред. Покровского Я.Е.- М., 1972, с.9-124.

54. Волков A.G., Липко А.Л. Фотонный перенос носителей заряда в варизонном полупроводнике. ФТП, 1982, т.16,в.З, с.412-418.

55. Вуль А.Я. Оптоэлектронные полупроводниковые цриборы на осно3 5ве твердых растворов соединений А В для спектрального диапазона 1,0-1,5 мкм (Обзор). Зарубежная радиоэлектроника,1979, № 9, с.87-97.

56. Ганина Н.В., Коваленко В.Ф., Марончук И.Е., Марончук Ю.Е. Влияние изовалентной примеси индия на излучательную рекомбинацию р-п структур GaAs'.Si. ФТП, 1982, т. 16, в.9,с .1588-1593.

57. Ганина Н.В., Мильвидский М.Г., Ухорская Т.А. Особенности поведения сурьмы цри жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. -Изв. АН СССР, Неорг.матер., 1981, т.17, в.9, с.1537-1540.

58. Ганина Н.В., Уфимцев В.Б., Фистуль В.И. "Очистка" арсенида галлия изовалентным легированием. Письма в ЗЙТФ, 1981, т.8, в.10, с.620-623.

59. Гарбузов Д.З. Эффективность и времена излучательных переходов в прямозонном полупроводнике типа Get As . Изв. АН СССР, сер.физ., 1981, т.45, в.2, с.325-331.

60. Гельмонт Б.Л. Энергетические уровни электрона на донорно-акцепторной паре. Письма в ЖЭТФ, 1982, т.36, в.10,с.365- 367.

61. Глубокие центры в арсениде галлия (тематический выпуск). -Изв. ВУЗов, Физика, 1983, т.26, в.10, с.2-108.

62. Говорков А.В., Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Мильвидский

63. М.Г., Фишман Ю.Н., Югова Т.Г. Дефекты структуры и люминесценция в эпитаксиальных слоях Ga As* . Кристаллография, 1977, т.22, в.5, с.1060-1068.

64. Головкина Э.Д., Левченя Н.Н., Шик А.Я. Аномалия температурной зависимости холловской подвижности в компенсированном п- Be- ФТП, 1976, т.10, в.2, с. 383-386.

65. Дженкинс Г. , Ватте Д. Спектральный анализ и его приложения.- М., 1971, т.1, 316 е.; 1972, т.2, 287 с.

66. Джонсон Е. Поглощение вблизи края фундаментальной полосы. В кн.: Оптические свойства полупроводников. Под ред. Уил-лардсона Р и Бира А. М., 1970, с.166-277.

67. Добрего В.П;, Шлимак И.С. Температурное гашение межцримес-ной излучательной рекомбинации в германии. ФТП,1968, т.2, в.4, с.552-556.

68. Долгинов JI.M., Дружинина Л.В., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Югова Т.Г. Особенности морфологии и дефекты структуры эпитаксиальных слоев твердых растворов SaAs-QaSb . Кристаллография, 1976, т.21, в.1, с.184-188.

69. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Исмаилов И. Инжекционные излу-чательные приборы на основе многокомпонентных твердых растворов. В сб.: Итоги науки и техники, сер.Радиотехника, т.21 г М., 1980, с.3-115.

70. Долгинов Л.М., Ибрахимов Н., Мильвидский М.Г., Рогулин В.Ю., Шевченко Е.Г., Шевченко Е.Г. Высокоэффективная электролюминесценция в Яа^-хЩ-уРу • 1975, т.9, в.7, с.13191323.

71. Дымников В.Д., Перель В.И., Полупанов А.Ф. Вероятность оптических переходов зона проводимости акцептор в арсениде галлия. - ФТП, 1982, т.16, в.2, с.235-239.

72. Евгеньев С.Б., Ганина Н.В., Фазовые равновесия в системе

73. Ga-Bi -GaJ?S . Изв. АН СССР, Неорг.матер., 1984, т.22, в. 4, с.561-562.

74. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полу-цроводниках. М., 1981, 248с.

75. Ермолович И.Б., Витовский Н.И., Герргиева И.И., Матвиевская Г.И., Павелец A.M., Шейнкман М.К. Фотолюминесценция твердых растворов на основе сульфидов и селенидов кадмия. ФГП, 1981, т.15, в.5, с.907-914.

76. Ермолович И.Б., Шейнкман М.К., Санитаров В.А., Калинкин И.П. Александрова Л.А. Особенности примесной люминесценции твердых растворов на основе селенидов и теллуридов кадмия.

77. ФТП, 1983, т.17, в.8. с.1454-1458.

78. Есина Н.П., Зотова Н.В. Механизмы рекомбинации избыточных носителей тока в арсениде индия и твердых растворах на его основе. ФТП, 1980, т.14, в.2, с.316-322.

79. Захаров А.Ю., Щербак Я.Я. Локальные уровни в твердых растворах. ФТП, 1976, т.Ю, в.4, с.775-777.

80. Ипатова И.П., Маслов А.Ю., Субашиев А.В. Об уширении линий экситонного поглощения в твердых растворах полупроводников. ФТТ, 1983, т.25, в.7, с.2057-2065.

81. Каратаев В.В., Мильвидский М.Г., Негрескул В.В., Царенков Б.В. К вопросу о форме полосы спектра краевого излучения в п- GaAs . ФТП, 1969, т.З, в.4, с.617-619.

82. Кардона М. Оптическиое поглощение в области фундаментальной полосы. В кн.: Оптические свойства полупроводников. Под ред. Уиллардсона Р. и Вира А. М., 1970, с. 136-165.

83. Каряев В.Н., Голубев Л.В., Шмарцев Ю.В., Шульпина И.Л., Кригель В.Г., Веремеенко М.Д. Плотность дислокаций в эпитакси-альных пленках твердых растворов Ga/JstxSBx . Электронная техника. Сер.Материалы, 1982, в.8 (169), с.32-37.

84. Кейси X.,Панин М. Лазеры на гетероструктурах. т.1 -М., 1981, 299 с.

85. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. т.2. М., 1981, 364 с.

86. Кесаманлы Ф.П., Мальцев Ю.В., Нашельский А.Я., Пичахчи Г.И. Скрипкин В.А., Уханов Ю.И. Зависимость эффективной массы электронов от состава в твердых растворах In fls* ft . -ФТП, 1972, т.б, в.9, с.1816-1818.

87. Клячко Д.В., Кригель В.Г. Распределение примеси теллура вблизи дислокаций в монокристаллах GaJls . ФТТ, 1983, т.25, в.4. с.1180-1183.

88. Козлов Ю.М., Пичахчи Г.И., Сидоров В.Г., Уханов Ю.И. Эпитак-сиальные слои твердых растворов (kiSb Q&As и некоторыеих электрические свойства. ФТП,1970, т.4, в.9, с.1824-- 1826.

89. Корн Г., Корн Т. Сцравочншс по математике для научных работников и инженеров. М., 1968, 720 с.

90. Корольков В.И., Михайлова М.П., Лавинные фотодиоды на основео ствердых растворов полупроводниковых соединений А В . ФТП, 1983, т.17, в.4, с.569-582.

91. Котрелл А. Теория дислокаций. М., 1969, 96 с.

92. Кравченко А.Ф., Принц В.Я. Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. Изв.ВУЗов. Физика, 1980, в.1, с.52-63.

93. Кривоглаз М.А., Смирнов А.А., Теория упорядочивающихся сплавов. М., 1958, 388 с.

94. Кузьков В.П., Недашковский В.Н. Охлаждаемый предварительный усилитель. ПТЭ, 1982, в.2, с.196.

95. Леванюк А.П., Осипов В.В. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников. -УФН, 1981, т.133, в.3,с.427-477.

96. Лифшиц И.М., Гредескул С.А., Пастур Л.А. Флуктуационные уровни в неупорядоченных системах. ФНТ, 1976, т.2, в.9, с.1093 - 1129.

97. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений Ш и У групп.- М., 1967. 477 с.

98. Марков А.В., Мильвидский М.Г., Шифрин С.С. Особенности образования микродефектов вблизи дислокаций в кристаллах арсенида галлия, легированных различными примесями. Кристаллография, 1984, т.29,в.2,с.343-349.

99. Марончук Ю.Е., Полянская Т.А., Якушева Н.А. Получение эпитаксиальных слоев арсенида галлия из висмутового растворарасплава. Иав'дн СССР< Неорг.матер., 1984, т.20, в.1, с.13-16.

100. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М., 1974, 463 с.

101. Мах Р., Суслина Л.Г., Арешкин А.Г. Влияние неупорядоченности твердого раствора на экситонные состояния кристаллов HnSxSe,x фТП, 1982, т.16, в.4, с.649-652.

102. Милне А. Примеси; с глубокими уровнями в полупроводниках.1977 , 562 с.

103. Мильвидский М.Г. Физико-химические основы получения гетеро-структур на основе многокомпонентных твердых растворов со1. Q С /единений типа А В . В сб.: Физика сложных полупроводниковых материалов. Л, 1979, с.127-160.

104. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Закономерности дефектообра-зования в гетероэпитаксиальных стууктурах соединений А^В^ для оптоэлектроники. Кристаллография, 1977,т.22, в.2,с.431-447.

105. Мильвидский М.Г.,Соловьева Е.В. Особенности энергетического спектра локальных центров в арсениде галлия с изовален тными примесями. Тез.докл. П Всесоюзн. совещ. по глубоким уровням в полупроводниках, Ташкент, 1980, ч.2, с.73 - 74.

106. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектро-ника. М., 1976, 431 с.

107. Новикова С.И. Тепловое расширение твердых тел. М., 1974, 292 с.

108. Осинский В.И., Привалов В.И., Тихоненко О.Я. Оптоэлектрон-ные структуры на многокомпонентных полупроводниках. Шнек1981, 208 с.

109. НО. Панин В.Е., Псахье С.Г., Ланда А.И., Проблемы термодинамического описания реального кристалла. Изв.ВУЗов, Физика, 1982, т.24, в.12, с.95-102.

110. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М., 1973, 456 с.

111. Перель В.И., Яссиевич И.Н. Модель глубокого примесного центра в полуцроводниках в двухзонном приближении. ЖЭТФ,1982, т.82, в.1, с.237-245.

112. Петросян С.Г., Чалдышев В.В., Шик А.Я. Люминесценция неоднородных твердых растворов полупроводников. Тез.докл. Всес. симпозиума "Неоднородные электронные состояния". Новосибирск, 1984, с. 240-241.

113. Петросян С.Г., Чалдышев В.В., Шик А.Я. Люминесценция неоднородных полупроводниковых твердых растворов. ФТП, 1984, т.18, в.9. с.1565-1572.

114. Петросян С.Г., Шик А.Я. Фотопроводимость неоднородных полупроводниковых твердых растворов. Письма в ЖЭТФ, 1982, т. 35, в.9, с.357-359.

115. Пихтин А.Н. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах. ФТП, 1977, т.II, в.З, с.425-455.

116. Рогулин В.Ю., Дружинина Л.В., Ибрахимов Н. Источники спонтанного излучения в ближней инфракрасной области на основетвердых растворов 6aAs,xSBx . ФТП, 1974, т.8, в.10, с. 2046-2048.

117. Рытова Н.С., Соловьева Е.В., Мильвидский М.Г. 0 механизме воздействия изовалентных примесей In и S6 на ансамбль точечных дефектов в BclAs . ФТП, 1982, т.16, в.8, с. I49I-I494. .

118. Рытова Н.С., Фистуль В.И. Термодинамический анализ поведео сния амфотерных примесей в полупроводниках А В . ФТП, 1970, т.4, в.6. c.II09-III6.

119. Сатинов Л.Д., Федирко В.А., Стафеев В.И., Пономаренко В.П.,

120. Егоров В.Л. Влияние флуктуаций состава на оптические свойства (кхЩ^Те . ФТП, 1982, т.16, в.7, с.1256-1261.

121. Семиколенова Н.А., Хабаров Э.Н. Зонная структура твердыхрастворов типа А^-А^6. Изв. ВУЗов. Физика, 1973, в.6, с.76-88.

122. Смирнова Г.Ф., Зонная структура твердых растворов GaP-InAs ФТП, 1977, т.II, в.8, с.1550-1554.

123. Соболев В.В. Перенос лучистой энергии в атмосферах звезд и планет. М., 1956, 390 с.

124. Соловьева Е.В., Каратаев В.В., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Столяров О.Г. Влияние типа и концентрации точечных структурных дефектов на электрофизические свойства нелегированного арсенида галлия. ФТТ, 1972, т.14, в.2, с. 528-532.

125. Соловьева Е.В., Мильвидский М.Г. Особенности дефектообра-зования в полупроводниках при изовалентном легировании. -ФТП, 1983, т.17, в.II, с.2022-2024.

126. Соловьева Е.В., Мильвидский М.Г., Ганина Н.В. Электрические свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия с изовалентны-ми примесями Si> и In . ШТП, 1982, т.16, в.10, с.1810--1815.

127. Соловьева Е.В., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Болынева Ю.Н., Григорьев Ю.А., Цыганов В.П. Влияние индия на электрофизические свойства монокристаллов арсенида галлия. ФТП, 1982, т.16, в.З, с.566-568.

128. Соловьева Е.В., Рытова Н.С., Мильвидский М.Г., Ганина Н.В., 0 природе глубоких уровней в нелегированном GaMs и в Gallsс изовалентныш примесями. Тез.докл.Всесоюзн.конф. по фи3 5зике соединений А В . Новосибирск, 1981, с.286.

129. Соловьева Е.В., Рытова Н.С., Мильвидский М.Г., Ганина Н.В. Электрические свойства арсенида галлия, легированного изо-валентными цримесями ( GaAs\Sby BaAs:Ir\), ФТП,1981,т.15, в.II, с.2141-2146.

130. Дихоненко О.Я., Манего С.А., Осинский В.И., Влияние флукту аций гетерогенного потенциала на спектры краевой люминесценции соединений Ёа{х1пхА£{.уРу . ЖПС, 1981, т.34, в.5, с.229-231.

131. Толпыго Е.И., Толпыго К.Б., Шейнкман М.К. Оже-рекомбинацияс участием носителей, связанных на различных центрах. ФТТ, 1965, т.7, в.6, с.1790-1794.

132. Толпыго Е.И., Толпыго К.Б., Штаерман Э.Я. Основные состояния заряженного АД комплекса при различных расстояниях между центрами. ФТП, 1975, т.9, в.12. с.2256-2260.

133. Толпыго Е.И., Толпыго К.Б., Штаерман Э.Я. Рекомбинационная люминесценция на заряженных АД-комплексах. ФТП, 1981,т.15, в.З, с,467-472.

134. Тхорик Ю.А., Хазан Л.С., Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах.- Киев, 1983, 304с.

135. Фистуль В.И., Введение в физику полупроводников. М.,1975, 296с.

136. Фистуль В.И. Распределение амфотерной примеси по подрешет3 5кам многокомпонентных твердых растворов А В . ФТП,1983, т.17, в.6, c.II07-III0.

137. Хабаров Э.Н. Области примесных твердых растворов на основе матрицы собственного полупроводника. В сб.: Свойства полупроводниковых твердых растворов, обусловленные структурными компонентами. Томск, 1978, с.22-34.

138. Харченко В.А. Роль промежуточного экситонного состояния в оптических переходах с участием цримесей. ФТТ,1981,т.23,в.З, с.678-684.

139. Царенков Б.В. Фотонный перенос неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике цри излучательной рекомбинации зона-примесный уровень. ФТП, 1982, т.16, в.З,с.447-457.

140. Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. М., 1978, 328 с.

141. Чалдышев В.А., Гриняев С.Н. Расчет электронного спектрао ссоединений А В и твердых растворов на их основе методом модельного псевдопотенциала. Изв.ВУЗов. Физика, 1983, т.26, в.З., с.38-61.

142. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. M.I979, 232 с.

143. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. ФТП, 1976, т.10, в.2, с.209-233.

144. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М., 1979, 416 с.

145. Юнович А.Э., Елисеев П.Г. Излучательная рекомбинация, когерентное излучение и оптические свойства арсенида галлия. В сб.: Арсенид галлия.- Томск, 1968, с.129-152.

146. Antypas G.A., James L.W. Liquid epitaxial growth of GaAsSb and its use as a high-efficiency long-wave length thereshold photoemitter. J.Appl. Phys., 1970, v.41,5, p.2165-2171.

147. Aspnes D.E. GaAs lower conduction-band minima: Ordering and properties. Phys.Rev. B, 1976, v.14, №12, p.5331-5343.

148. Aubin M.J., Woolley J.C. Electron scattering in InAs^Sb.^ alloys. Can. J. Phys., 1968, v.46, № 10, pt.1, p.1191-1198.

149. Bassani P., Iadouisi G., Preziosi B. Electronic impurity levels in semiconductors. Reports on Prog. Phys., 1974, v.37, № 9, p.1099-1210.

150. Berolo 01, Wooley J.C., van Vechten J.A. Effect of disorder on the conduction-band effective mass, valence-band spin-orbit splitting, and the direct band gap in III-V alloys. Phys, Rev.B, 1973, v.8, U°8,.p.3794-3798.

151. Brooks H. Advance in electronics a. electron.physics. -U.Y., 1955, p.156.

152. Casey H.C., Pearson G.L. Point defects in solids. V.2, U.Y., 1975, p.163,

153. Clegg J.B., Scott G.B., Hallais J., Mircea-Roussel A. Distribution of impurities in semi-insulating GaAs after heat treatment in hydrogen. J. Appl. Phys., 1981, v.52, 1T° 2, p.1110-1112.

154. Craford M.G., Shaw R.W., Herzog A.H., Groves W.O. Radiative recombination mechanisms in GaAsP diodes with and without nitrogen doping. J. Appl. Phys., 1972, v»43, № 10, p.4075-4083.

155. Electroluminescence. Ed. Pankove J.I. Berlin,1977,212 p.

156. Glisson Т.Н., Hauser J.R., Idttljon M.A., Williams C.K. Energy bandgap and lattice constant contours of III-V quaternary alloys. J.Electron. Matei, 1978, v.7, № 1, p.1-15.

157. Goryunova IT.A., Kesamanly P.P., Nasledov D.N. Phenomena in solid solutions. Semiconductors and semimetals. Ed. Willardson R.K., Beer A.C., v.4, № 4, 1968, p.413-458.

158. Guislain H.J., De Wolf L., Clauws P. A coherent model for deep-level photoluminescence of Cu-contami.nated n-type GaAs single crystals. J.Electron. Mater., 1978, v.7,1, p.83-108.

159. Hakki B.W. Theory of luminescent efficiency of ternary semiconductors. J. Appl. Phys., 1971, v.42, JT° 2, p.4981-4995.

160. Heinke W., Que^sser H.J. Photoluminescence at dislocations in GaAs. Phys.Rev. Lett., 1974, v»33, 18, p.1082-1084.

161. Hill R. Energy-gap variations in semiconductor alloys. -J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1974, v.7, 3, p.521-526.

162. Itoh 0?., Takeuchi M. Arsenic vacancy formation in GaAs annealed in hydrogen gas foow. Jap. J. Appl. Phys., 1976, v.16, № 2, p.227-232.

163. Jacob A. Growth of dislocation-free GaAs crystals by nitrogen doping. J. Crist.Growth, 1982, v.59, 3, p.669-671.

164. Jacob A., Duseaux M., Farges J.P., Van den Boom M.M.B., Roksnoer P.J. Dislocation free GaAs and InP crystals by isoelectronic doping. J. Cryst.Growth, 1983, v.61,2, p.417-424.

165. Kane E.O. Band structure of indium antimonide. J.Phys. Chem. Solids, 1957, v.1, № 1, p.249-261.

166. KLein P.B., Uordquist P.E.R., Siebenmaxm P.G. Thermal conversion of GaAs. J. Appl. Phys., 1980, v.51, № 9, p.4861-4869.

167. Lum W.Y1, Clowson A.R., Elder D.I., Wieder H.H. Ifcilay-er-substrate interfaces of Ge-doped GaAs grown by liquid-phase epitxy. J. Appl. Phys., 1978, v.49, № 6,p.3333-3336.

168. Lum W.Y., Wieder H.H. Photoluminescence of thermally treated n-type Si-doped GaAs. J.Appl. Phys., 1978, v.49, № 12, p.6187-6188.

169. Lum W.Y., Wieder H.H. Thermally converted surface layersin in semi-insulating GaAs. Appl. Phys. Lett., 1977,v.31,3, p.213-215.

170. Lum W.Y., Wieder H.H., Koschel W.H., Bishop S.G., MeCombe B.D. Thermal degradation of homoepitaxial GaAs interfaces. Appl. Phys. Lett., 1977, v.30, № 1, p.1-3

171. Moon R.L. The effect of mismatch on the performance of GaAsSb photodiodes. J. Appl. Phys., 1980, v.51, № 10, p.5561-5564.

172. Uahory R.E., Plllack M.A., De Winter J.C., Williams B.P. Growth and properties of liquid-phase epitaxial GaAs1-xSbx. J.Appl. Phys., 1977, v.48, 4, p.1607-1614.

173. Uelson R.J. Measurement of 10(^um minority carrier diffusion lengths in p-GaAs by a new photoluminescencemethod. Inst. Phys. Conf.ser., 1979, № 45, pt.3, p.256-262.

174. Otsubo M., Miki H., Mitsui S. Photoluminescence study of defects in GaAs formed by annealing in an Hg gas flow. -Jap. J. Appl. Phys., 1977, v.16, № 11, p.1957-1966.

175. Panish M.B., Casey H.C. Temperature dependence of the energy gap in GaAs and GaP. J.Appl. Phys., 1969, v.40, № 1, p.163-167.

176. Petroff P., Hartman R.L. Defect structure introduced during operation of heterojunction GaAs lasers Appl. Phys.Lett., 1973, v.23, 8, p.469-471.

177. Rao E.V.K., Duhamel U. Photoluminescence investigation of the band around 1,41 eV in heated n-GaAs samples. J.Appl. Phys., 1978, v.49, № 6, p.3458-3463.

178. Rezek E.A., Vojak B.A., Chin R., Holonyak N. Composition inhomogeneity of LPE InGaPAs layers observed directly in photoluminescence. Phys. Rev. Lett., 1980, v.45, № 21, p.1703-1706.

179. Sell D.D., Stokowski S.E., Dingle R. Di Lorenzo J.V. Polariton reflectance and photolmiinescence in high-purity GaAs. Phys. Rev. В., 1973, v.7, 10, p.4568-4586.

180. Stoneham A.M. Поп-radiative transitions in semiconductors.-Rep. Prog. Phys., 1981, v.44, 6, p.1252-1295.

181. Stringfellow G.B. Electron mobility in Al^Ga^^As. J. Appl. Phys., 1979, v.50, 6, p.4178-4183.

182. Swaminathan V., Sturge M.D., Zilko J.Z. Free to bound transitions in Si-doped epitaxial Al^Ga^^s. J.Appl. Phys., 1981, v.52, 10, p.6306-6311.

183. Thomas M.B., Wooley J.C. Plasma Edge Reflectance Measurements in Ga^In^^As and IbAb^. alloys. Can.J.Phys., 1971, v.49, 15, p.2052-2060.

184. Thompson A.G., Wooley J.C. Energy-gap variation in mixed

185. I-V alloys. Can. J. Phys., 1967, v.45, № 2, pt.I, PV255-261.

186. Thurmond C.D. The standard thermodynamic functions for the formation of electrons and holes in Ge, Si, GaAs and GaP.-J. Electrochem. Soc., 1975, v.122, 1° 8, p.1133-1141.

187. Van Tongerloo E.H., Wooley J.C. Free carrier Faraday rata-tion in InAsxSb1-x alloys. Can. J. Phys., 1968, v.46,10, pt.1, p.1199-1206.

188. Van Vechten J.A., Bergstresser Т.К. Electronic structures of semiconductor alloys. Phys. Rev. В., 1970, v.1, № 8, p.3351-3358.

189. Varshui Y. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors. Physica, 1967, v.34, № 1, p.149-154.

190. Vrehen Q.H.F. Interband magneto-optical absorbtion in gallium arsenide. J. Phys., Chem. Solids, 1968, v.29, № 1, p.129-141.

191. Weisberg L.R. Anomalous mobility effects in some semiconductors and insulators. J. Appl. Phys., 1962, v.33,5, p.1817-1821.

192. White A.M., Dean P.J., Ashen D.J., Mullin J.B., Webb M., Day В., Greene P.D. Acceptor levels in gallium arsenide. -J. Phys. C., 1973, v.6, 11, р.Ъ243-Ь24б.

193. Williams E.W., Bebb H.B. Photoluminescence I: Theory. -Semiconductors and semimetals. Ed. R.K.Willardson,A.C.Beer. v.8, 4, 1972, p.320-393.

194. Williams E.W., Bebb H.B. Photoluminescence II: gallium arsenide. Semiconductors and semimetals. Ed. R.K.Willardson, А.С.Beer. v.8, U.Y., 1972, p.321-392.209* Yonezu H., Sakuma I., Kamejima Т., Ueno M., Nishida K.,

195. Hannichi Y., Hayashi I. Degradation mechanism of (Al-Ga)As double heterostructure laser diodes. Appl. Phys. Lett., 1974, v.24, № 1, p.18-19.

196. Yu Ph.W., Park Y.S. Photoluminescence in Mn-implanted GaAs. An explanation on the 1,40 eV emission. J.Appl. Phys., 1979, v.50, № 2, р.Ю97-1ЮЗ.