Изовалентное легирование и получение квантовых гетероструктур на основе соединений А3 В5 в методе жидкофазной эпитаксии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

[•га од

РОССИЙСКАЯ АКАД5ЖЯ НАУК " ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ КЮТКГУТ им.А.Ф.ИОСФЕ

На правах рукопиои

Л Е Т У А Н (Вьетнам)

Уда 621.315.592

И30ВАЛЕНГН0Е ЛЕГИР03А1{ИЕ И ПОЛУЧЕНИЕ КВАНТОВЫХ ■ГЕТЕРССТРУКТУР НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ А3В5 В МЕТОДЕ ЩЦКОШНОЙ ЭПИГАКСИИ

4 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации ка соискание ученей степени кандидата физико-математических наук

Сянкт-Летербур:1 1993

Работа выполнена в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН.

Научные руководители:

лауреат Государственной премии СССР, доктор фкз.-мат. н., профессор

доктор физ.-мат. н., профессор

С, И. Шмарцев ~| А. И. Шик .

Официальные оппоненты:

лауреат Государственной премии СССР, доктор физ.-мат. н.,

кандидат физ.-мат. н.

А. Т, Гореленок, С. $. Мускхин.

Ведущая организация: Всероссийский научно-исследовательский институт "Электрон".

Защита состоится .февраля....... 1994 г.

в (О час (Уо мин. на заседании специализированного совета К - 003.23.02. при Физико-техническом институте РАН но адресу: 194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26. С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН.

Автореферат разослан

Ученый секретарь слециелизированногс совета кандидот физ.-мат. н.

С. И. Бахолдин.

ОБЩАЯ ХАРМТОРИСГШ РАБОТЫ

Актуальяосг_ь_те^ы. Развитие волоконно-оптических систем связи и техникл СВЧ потребовало создания сложных полупроводниковых приборов, оптимизированных для работы в различных спектральных диапазонах. Это привело к интенсивному исследованию технологии получения эпитаксиальных слоев и многослойных структур на основе различных бинарных соединений и твердых растворов А^В"5. Особый интерес в последние годы вызывает изучение технологии изготовления квантовых гетеро-структур, которые необходимы для создания сверхбыстродействующих гюлеч'их транзисторов, лазеров я фотсдетекторов. Несмотря на о'ольшое количество работ по технологии получения слоев соединении! методами молекулярно-лучевой эпитак-

сии (МЮ) и газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (Г'ММО), якдгсофазная эштяксия (140) остается на настоящий момс;.т базовым промышленным способом получения приборных структур и при всей своей простоте позволяет обеспечивать высокое совершенство выращиваемых слоев.

Базовшк подложками для создания приборов на основе мао ц

териалов А Б являются СаАз и 1пР. При этом приборные гете-роструктуры формируются обычно на основе слоев, изопериодьч-ных с подлоякой. В связи с этим актуальны исследования, направленные яэ разработку технологии КФЭ слоев СаАз и IпС'аАз с низкой концентрацией остаточных примесей и управляемым легированием, создание сояераенных гетерогракиц и использование новых материалов для образующих гетероструктуры слоев.

Одним из путей снижения концентрации остаточных примесей в слоях является изовалентное легирование. Ото обусловлизает актуальное!1', исследований особенностей легировании изоьаяент-иой примесью (ИБП), в частности, висмутом при №10 слоев ар-сенида галлия - базового материала современной оитоэлекгро-ники. Сочетание изовалентного легирор.аная и легирования электрически активными примесями с варьированием технологических параметров 1КФ0, таких как поток йодорода в про:;еого роста, открывает возможность получение ¡■мг.тксигльныч ол^-ч

с заданным уровнем концентрации основных носителей заряда и фонозых примесей.

Создание квантовых гетероструктур, в том числе селективно легированных гетероструктур (СШ'С) с двумерным электронным газом (йМЗГ) на основе твердых растворов 1п0 ^Аз, изоперисднчьых с подложкой 1пР, в ряде применений более перспективно но сравнению с яироко распространкенной гетеро-парой СаАз/Са ^-ХА1хАз,поокрл ьку позволяет обеспечить большую подьишость электронов и большую скорость насыщения при комнатной температуре из-за большого разрыса зон между Г и Ь долинами и малой эффективной массы электронов. В связи с большим разрызом зон проводимости еще более перспективными представляются квантовые гегероструктуры на основе сочетания слоев твердых растворов 1Пф цдСад ^Аз и ¿щАз на подложках 1пР. Поэтому исследование возможностей создания квантовых гетероструктур в этих системах с хорошими электрофизическими параметрами методом ЖФ5 представляет большой практический интерес.

Цель работы

. Целью диссертационной работы являлось дальнейшее исследование возможностей управления параметрами эпитаксиальных слоев ПаАэ путем изовалентного легирования и варьирования технологических режимов процесса КФЭ, а также исследование процессов кристаллизации слоев 1пйаАз и 1пА1Аб, изопериодич-ных с 1пР, и получение квантовых гетероструктур на их основе в методе ЖФЭ, а именно: изучение влияния потока водорода на процессы изовалентного легирования (ЗаАз висмутом; исследование процессов двойного легирования ваАз ИБП висмутом у. электрически активной примесью - цинком при ИФЭ; разработка технологии получения и исследование процессов кристаллизации слоев 1п^_хА1хАз , изопериодичннх с 1пР; разработка технологии получения и исследование параметров квантовых гетероструктур на основе твердых растворов 1п^хСахАз и ¡п^^^я на подложках 1пР.

Научная ноаизна работы заключается ч следующем.

'1. Показано, что характер зависимости электрофизических •параметров слоек арсенида галлия от потока водорода при выкрашивании НФЭ из растворов-расплавов в галлия и висмуте различен. При увеличении потока водорода концентрация свободны:: электронов уменьшается мри выращивании из галлия и возрастает при выращивании из висмута. Подвижность носителей возрастает при выращивании из галлия и убывает при выращивании из висмута.

2. Установлено, что процессами, определяющими изменение электрофизических параметров слоев СаАэ при увеличении потока водорода в процессе ЖФЭ, являются:

- очистка жидкой фазы от фоновых примесей (серы и углерода) в случае роста из галлиевых растворов-расплавов.

- увеличение количества вакансий в подреиетке мышьяка в случае роста из висмутовых растворов-расплавов.

. 3. Показано, что N-образная зависимость толщины эпитак-сиального слоя ваАз от состава раствора-расплава Са-В1-Аз при ЙЖ) объясняется М-образным видом кривых изотерм ликвидуса в этой системе и изменением процессов массомереноса в микронеоднородной жидкой фазе йа-В!.

4. .Установлено, что концентрация носителей заряда в слое ваАз при КФЭ нелинейным образом зависит от состава раствора-расплава Са-В1. Причинами этого являются увеличение концентрации вакансий в галлиевсй лодрешетке при возрастании содержания В1 в растворе-расплаве и изменение в зависимости от состава растворителя характера процессов диффузионного переноса Хп в м и к рс н е од н о родн о й системе За-31.

Ь. Установлено, что основным механизмом легирования слоя ваАз: '/,п при ЖФЭ является захват примеси /г. из жидкой фазы в процессе роста.

в. Для НМ>Э гетероструктур с 2МЭГ в системе )гР/ 1п0 ^уСад ^Аз определены характерная но личина хрупчомесгстяб-ных ( ~ 100 мхм) флуктуаций концентрации ЙМУ!' - 9 ;С составляющая менее Ь % от пда , а такие- *?арэчгернкч размеры ¡иерсхоьатостей - медксмасютапких пространств -нных флуктуаций ¡ч-терограницы I ямго'-а 5 - (7 -• 10) А. размер ?,

плоскости гетерограницы Ь* ы ЬО А] и концентр'.ц/л ионизованных дефектов на гетерогранице )>% - (9±3). лГ^.

7. Выявлено, что даже при незначительном отклонении о/ оптимальных температур эпитаксии в процессе роста <'Л] "С 1г>Р/ 11:1_хСа>.Аз происходит резкое снижение подвижности РМ;->;', обусловленное возрастанием концентрации зарч&енных д^ектоь на гетерогранице.

ЦШ51йВ£ская_значтаость

1. Разработана технология ЖФЭ для получения слоев ваАз с низкой концентрацией остаточных примесей.

2. Показано, что ЖФЭ позволяет выращивать и у Па-В1 растворов-расплавов СаАз слон толщиной до 18 мкм с постоянным уровнем легирования.

3. Разработана технология получения кзопери'одичннх с подложкор 1пР слоев 1пд О 40^ мет°Д°м "Р:1 низких ( ~ 6Ь0 С) температурах.

4. Оптимизирован технологический режим получения ¡КО гетероструктур с 2МЭГ в системе 1пР/1г>с ^дО;;^ 4уАз.

• Положения. выносимые на заг.щту

1. При ЖФЭ слоев ваАз из растворов-расплавов в висмуте концентрация свободных электронов возрастает, а подвижность носителей убывает при увеличении потока водорода в процессе роста, что обусловлено увеличением количества вакансий в подрешетке мышьяка.

2. И-образная зависимость толщины эпитаксиального слоя СеАэ от состава раствора-расплаЕа Са-В1-Аз при ШфЭ объясняется Ы-образным зидсм кривых изотерм ликвидуса в этой системе и изменением процессов массопереноса в микронеоднородной жидкой фазе Са-В1.

3. Концентрация носителей заряда в слое СаАг: :'Ап при КФО нелинейным образом зависит от состава раствора-расплава Са-Ьг. Причинами этого являются увеличение концентрации яккансий в галлионой подрешетке при возрастании содержания У1 в растворе-расплаве и изменение в зависимости от состава

растворителя характера процессов диффузионного переноса '¿а в микронеоднородной системе Ga-Bi,

4. Для жидкофазных эпитаксиальных гетероструктур с 2МЭГ в системе InP/InQ 53G0O 47^ "0Рактерные размеры мелкомасштабных флуктуации гетерограницы составляют высота S (7 - 10) А, период в плоскости гетерограницы L* <* ЬО А, концентрация ионизованных дефектов на гетерогранице Nr -(943). 109 см-2 ; а характерная величина крупномасштабных ( ~ 100 мкм) флуктуации концентрации 2М0Г 5п3 - 9. 10° см"'? что составляет менее t> % от ng.

работу

Основные результаты диссертационной работы докладывались на 0-ой Всесоюзной конференции по росту кристаллов (2-8 февраля, 1992 г, Харьков), Fourth Intern. Conf, on Indium Phosphide and Related Materials ( April 21 - 24, 1992, Newport, USA), Intern. Conf. "Microelectronics' 92" (September 21 - 23, 1992, Poland), 16-th Intern. Spring Seminar on Electron. Technol. '"['hick and Thin Film Sensors" ( April 2b - 28, 1993, Poland), а также обсуждались на семинарах лабораторий физики локальных состояний электронов в полупроводниках и квантовых элементов наноэлектроники ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН.

ЦуФлМКЗИИИ. результатам исследований, пронеденных в

ранках настоящей диссертации, опубликовано 11 научных работ. Список опубликованных работ приведен в конце автореферата.

Объем диссертации. Объем диссертации составляет

124 страниц машинописного текста, 29 рисунков, 3 таблицы и список литературы из 211 наименований.

СОДЕРЖАНИЙ РАКЛИ

Диссертационная работа состоит из введения, четырех

- О -

глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель исследования, научная новизна и практическая значимость работы. Кратко изложены основные положения диссертации, выносимые на защиту, и приведены ее структура и данные апробации .

И первой_главе диссертации представлен литературный обзор. Два параграфа главы соответствуют двум основным направлениям диссертации.

Первый параграф посвящен подробному анализу современного состояния исследований изовалентного легирования в полупроводниках. В перном пункте даны некоторые основные понятия о ИВП, в тем числе их определ?ние и классификация. Обобщение экспериментальных результатов исследований воздействия ИБП на свойства полупроводников дано в трех последующих пунктах. Во втором пункте обсуждаются роль ИВ11, причины и аспекты их воздействия на повышение структурного совершенства выращенных полупроводниковых кристаллов и эпитаксиальных слоев. Третий пункт посвящен эффекту "очистки", проявляющемуся в снижении концентрации остаточных примесей и в уменьшении числа областей с различными уровнями легирования в полупроводниках. В четьертом пункте рассмотрены различные аспекты применения ИБП для тонкого управления свойствами выращиваемых полупроводников. Особое место отведено результатам исследования свойств эпитаксиальных слоев вйкв :В1, полученных методом МОЭ, и явлений в растворах-расплавах Са-Вг. Указан' наиболее перспективный путь легирования ИВП в сочетании с электрически активными примесями. В пятом пункте приведен обзор роли водорода и полупроводниках и показана необходимость изучить его влияние на процесс роста эпитаксиальных слоев с. легированием ИВП.

Второй параграф состоит из двух пунктов. В первом из них изложены основные понятия и свойства 2МЭГ в квантовых структурах, обоснован выбор СЛГС как объекта исследования-в данной диссертации, й следущем пункте дан краткий сравнительный обзор современных технологических методов (МЛО, ГФЭМО,

ШФЭ) получения СЛГС с 2МЭГ.

В последнем параграфе главы на основе анализа литературных данных сформулированы задачи настоящей работы.

Во второй главе подробно описана схема экспериментальной установки жидкофазной эпитаксии и приведены детальные данные процессов роста слоев и структур на основе ваАз :2п, ваАз : <В1,Ип>, Гпд ь^О 40Аз> *пО ЬЗСа0 47Аз' ик 06*Ра<5отки и изготовления образцов для измерений. Также приведены блок-схема и методика гальваномагнитных измерений, параметры фотолюминесцентных, оже-спектральных, рентгеноспектральных и других измерительных методик.

Третья__глава посвящается изучению воздействия ИВП В1

на электрофизические свойства эпитаксиальных слоен ваАз при различных условиях их выращивания методом ЖОО. В первом параграфе приводятся результаты гальваномагнитных исследований жидкофазных эпитаксиальных слоев баАБ, полученных при различных потоках водорода из растзоров-расплавов в чистом галлии и в чистом висмуте. Величины холловской концентрации и подвижности электронов при 300 и 77 К для образцов обоих типов имеют качественно разные характеры изменения в зависимости от увеличения потока водорода, пропускаемого через реактор во время роста. На основе анализа холловских подпиж-ностей электронов предложена методика определения параметров полученных слоев, учитывающая вклад от рассеяния электронов на так называемых "убийцах подвижности" с концентрацией N и сечением рассеяния <}, физическая природа которых может быть различна. Представлены и сравнены с экспериментальными данными зависимости концентраций доноров и акцепторов, а также величины с ьт5аксиальных слоях ваАз, рассчитанные с

помощь» разработанной методики, от потока водорода. Для объяснения изменения электрофизических свойств слое» С;аАз предложена модель, связанная с изменениями концентраций наиболее распространенных примесей Вдд и Сдд, числа вакансий УАз по мере увеличения потока водорода при выращивании из галлиевых и ич висмутовых растворов-расплавов. Во'втором параграфе проведено детальное исследование процессов, происхо-

дящих при легировании слоев СаАз акцепторной примесью йп при ИФЭ из растворов-расплавов Са-В1 различных составов. Описаны технологические приемы, вызванные особенностями процессов роста и необходимостью выяснения путец легирования примесью с большими давлениями паров. Толщина выращенных слоеь СаАз по мере возрастания содержания висмута в жидкой фазе, х^ , изменяется И-образно и имеет минимальное значение при ~ 0.9 , что подтверждается результатами измерений на большом числе образцов. Вид кривой зависимости толщины исследуемых слоев СаАз во всем диапазоне изменения х^ объясняется как Н-образным видом изотерм ликвидуса системы Са-В1-СаАз, так и характером изменения эффективного коэффициента диффузии мышьяка. Путем исследования спектров фотолюминесценции при послойном стравливании выявлены профили распределения атомов 2п как в эпитаксиальных слоях, так и на непокрытых слоем участках подложек и на подложках-спутниках СаАз. Из результатов измерений вытекает следующее. Во-первых, профили распределения '¿п в подложках отличаются известным характерным изломом, обусловленным зависимостью эффективного коэффициента диффузии 2п в СаАэ от его концентрации и соответствующим наличию двух наблюдаемых при микроскопическом исследовании диффузионных границ. Во-вторых, диффундирующий 7.п попадает на открытую поверхность подложек главным образом через газовую среда - его миграции по поверхности очень незаметны. Постоянный уровень легирования полученных слоев ваАз ^п дает основания считать, что основным механизмом легирования слоев цинком является захват примеси фронтом кристаллизации из жидкой фазы в процессе роста. Максимальная толщина выращенных слоев с постоянным уровнем легирования при наших условиях проведения эксперимента достигает величины — 10 мкм. Обсуждается р°ль растворителя во всем диапазоне изменения его состава в процессах массо-переноса 2п. В третьем параграфе на основе результатов проведенных исследований сформулированы выводы главы.

В четвертой главе приведены результаты получения методом КФО и исследования слоев 1Пф ¡зз^О 43Аз и 1пд ¡¿з^ад ^Аз,

изопериодичных с подложкой 1пР, и СЛГС с 2МЭГ на их основе. В первом параграфе описана технология, разработанная с целью получения зеркально гладких эиитаксиальных слоев 1Пф 52^0 413Аэ на !!0$л°жках ЬР г 1 годом ШЭ при низких температурах ( ~ 650 С), наиболее оптимальных для данного материала подложек. Приведены результаты исследований состава слоев с помощью измерений фотолюминесценции и рентгено-спектрального микроанализа для тонких слоев, показавшие, что полученные слои изопериодичны с подложкой ГпР. Получены глубинные оже-профили распределения компонентов твердого раствора, свидетельствующие о наличии слоя 1пд 48*3 0

постоянным составом. Выращенные нелегированные слои твердого раствора 0 40^3 имеют толщину порядка (1200 -

1300 А) и п- тип проводимости с концентрацией носителей •»

1Л 1 ^ _о

(10 ш - 101Э) см Из гальваномагнитных измерений выявлено существование квазидвумерного электронного газа в полученных с помощью жидгсофазной эпитаксии селективно легированных ге-тероструктурах 1Пф 53^ 47Аз/1п0 52^!О 4дАз/1пР.при низких температурах ( - 6Ь0 С*). Дальнейшее усовершенствование технологии ШФЭ для получения СЛГС 1п?/1пф ¡^ад 47Аз с высокими параметрами 2МЭГ описано во втором параграфе. Изучены изменения состояния гетерограницы между слоями твердого раствора 1п£_хСахАз, выращенными при различных температурах эпитаксии Тер, и слоем 1пР - источником носителей заряда для 2М0Г. Показано, что даже незначительное отклоне*-ние от оптимальной температуры эпитаксии Т^р приводит к снижению подвижности носителей, связанному с ухудшением качества гетерограницы за счет увеличения концентрации заряженных дефектов и шероховатостей. Третий параграф посвящен вопросам определения параметров гетерограницы в СЛГ'С 1пР/ 1Пф §дСаф 47Аз, полученных методом ИФЭ. Неоднородность 2МЭГ в некоторых исследуемых СЛГС приводит, согласно теории, к дополнительному затуханию осцилляций Шубникова - де Гааза (ОШГ), нелинейно зависящему от магнитного поля. Проведена экспериментальная проверка теории, выявлены экспериментальные условия, в которых указанный эффект оказывается сущест-

венным. Введен численный критерий, зависящий от параметров образца и условий опыта, позволяющий определить, какая величина флуктуации концентрации 2МЭГ может проявиться в данных экспериментальных условиях. Сопоставление теории и эксперимента позволило найти значения одночастичного времени релаксации в этих образцах. и определить характерную величину флуктуации концентрации 2МЭГ, составившую менее 5 % от средней величины. Па основании анализа механизмов рассеяния двумерных носителей в СЛГС и учета неоднородности 2МЭГ найдены параметры мелкомасштабных пространственных флуктуа-ций гетерограниц - высота 5 и характерный период Ь* , а также концентрация заряженных дефектов на гетерогранице.

В заключении приводятся общие выводы по работе и слова благодарности от автора.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

1. Характер зависимости электрофизических параметров слоев арсенида галлия от потока водорода при выращивании Н!ФО из растворов-расплавов в галлии и висмуте различен. При увеличении потока водорода концентрация свободных электронов уменьшается при выращивании из галлия и возрастает при выращивании из висмута. О ростом потока водорода подвижность носителей возрастает ири выращивании из галлля и убывает при выращивании из висмута.

2. Процессами, определяющими изменение электрофизических параметров слоев СаАз при увеличении потока водорода в процессе МФО, являются:

- очистка жидкой фазы от фоновых примесей ( серы и углерода) в случае росте из галлиевьсх растворов-расплавов.

- увеличение количества вакансий в подрешетке мышьяка в случае роста из висмутовых растворов-расплавов.

3. Я-обрпзнэя зависимость толщины эпитаксиально:о слоя СаАз 01 состава раствора-расплава йа-В1-Аз при ЖФО объясняется Н-ос>разным видом кривых изотерм ликвидуса в этой системе и инмечрнирм процессов м^ссопероноса к микронеоднород-

- 1а -

ной жидкой фазе Са-Ш.

4. Концентрация носителей заряда в слое СаАз :2п при Ш>Э нелинейным образом зависит от состава раствора-расплава Са-Ш. Причинами этого являются - увеличение концентрации вакансий в галлиевой подрешетке при возрастании содержания 1И в растворе-расплаве и изменение ь зависимости от состава растворителя характера процессов диффузионного переноса в микронеоднородной системе Са-В1.

Ь. Выращены методом )ХФЭ слои СаАз толщиной до

1В мкм с постоянными по толщине уровнями легирования, при этом основным механизмом легирования является захват примеси Zn из жидкой фазы в процессе роста.

В. Разработана технология получения методом Н№Э при низких ( ~ 650 С) температурах слоев 1пд 52^0 48Аз> и30~ периодичных с подложкой 1пР.

7. Для МФО гегероструктур с 2М0Г в системе 1пР/ 1п0 Л7Аз 0,ФеДелеиы характерная величина крупномасштаб-

ных ( ~ 100 мкм) флуктуации концентрации 2МЭГ 5Пд ~ 9.109см"Л составляющая менее 5 % от пд , а также характерные размеры шероховатостей мелкомасштабных пространственных флуктуаций гетерограницы [высота 5 - (7 - 10) А, размер в плоскости гетеро границы Ь* <* 50 А ] и концентрация ионизованных дефектов на гетерогранице Нг = (9*3). 109 см~^.

8. Оптимизирован технологический режим получения в ЖФО гетеросгруктур с 2МЭГ в системе 1пР/1Пф 530^0 47Аз. Выявлено , что даже при незначительном отклонении от оптимальных температур эпитаксии в процессе роста СЛГС 1пР/1п1_хСахАз происходит резкое снижение подвижности 2МЭГ, обусловленное возрастанием концентрации заряженных деффектов на гетерогранице .

СПИСОК РАБОТ, ОПУБЛИКОВАННЫХ НО ТХМЕ ДИССЕРГАНИИ

1. Воробьева В. В., Зушинская 0. В., Лебедев В. В., Ле

1учн, Новиком С. В., Полянская 'Г. А., Савельев И. Г.,

Шмарцев Ю. В. Влияние потока водорода на ансамбль точечных дефектов при МО слоев GaAs из растворов-расплавов в галлии и- висмуте. // Тезисы докладов на 8-ой Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Харьков.1982-■ С. 24В -247.

2. Нирвлин Ю. Ф., Каряе» В. П., Китаева Т. И., Ле Туан, Новиков С. В., Иисаревская В. А., Шелковников Д. Н. Выращивание и электрофизические свойства эиитаксиальних слоев арсенида галлия с двойным легированием (ИБП и акцептор) на примере GaAs<Sb>:Ge и GaA3<Bi>:Zn.// Тезисы докладов на 8-ой Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Харьков. 1992 г. С. 242 -243.

3. Vorob'eya V. V., iiushinskaya 0. V., Lebedev V, В., Le Tuan, Novikov S. V., Ро1уапзкауа Т. A., Savel'ev I. G., Shmartsev Yu. V. Influence of hydrogen flow on the assemble of point defects in 1PK GaAs layers grown from Ga and Bi melt. // Proc. of Intern. Conf. "Microelectronics192". Warsaw. 1992.

л. Врг В. Ya ., X.t'shinsky D. A., Kornyakova 0. V., I,e Tuan, NovVkoy S. V., SavRl'ev 1. G., Tretyakoy V. V., Faleev N. N.. Chaldyshev V. V., Shraartsev Yu. V. I,PK InAlAs -layers for 21Ж0 heterostructures. // Proc. of Intern. Conf. "Microe1ectroniсз'92". Warsaw. 19У2.

b. j,e '1'uan, Noyikov 3. V., ЗауеГеу I. G. Shmartsev Yu. V. Ll'K InAlAs - layers for 2DhX3 heterostructures. // Proc. of Kourth Inter. Conf. on indium Phosphide and Related Materials. Newport. USA. 1982. Till

6. Воробьева В. В., Зушинская 0. В., Лебедев В. о. , Ле Туан, Новиков С. В., Полянская Т. А., Савельев И. Р., Шмарцев Ю. В. Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ИФО из растворов-расплавов в галии и висмуте при различных потоках водорода. // ФТП. 1991. Т. 2S.

В. 10. C.JVi£~I7&4.

7. Ле Туан, Попиков С, В., Савельев И. 1'., Шелконкикон Д. 11. (Имар.цеи Ю. В. Легирование эпитс.хсиал^ных слоев GaAs акцепторной примесь» '/.» при жидкофознэи эи:гг?ксии из

растворов-распшзнов Ga -Bi. // Ф1И. J993. T. 27. В. 6. С. 1007 - 1013.

0. Hep Б. Я., Быстра С. >;., Зуаинский Д. А. .Корнякова О.В., Ле Туан, Новиков С. , Савв^ев И. Г., Третьяков В.В., Чалдышев В. В. , Шм'чрц»-н Ю. В. О возможности получения изопериодическнх с li>P слоев Iiiq i^AIq 4yAs методам гсидкофазной эпитакеии при низких температурах ( ~ G50 0).

/'/ ФТП. .1993. Т. 27. ». 9. 0. 1480 - 1403.

У. Biriu.lin Yu. F., Le Tuan, Hov.ikov S. V., Tshaldysev V.V., Panek M, Pasv.kiewicz R., Tlaczala M. Bi Isovalent i>opjng of the iJfiAn f/ivers. // Proc. of ib'-th Int. Spring Seminar on Kteotr. Techno). "Thick and Thin Fiîm Sensors''. S'/.! fir ska Poreba. Poland. 1993. C. 148 - 149.

0. Пыстров С. В., Ле Туан, Новиков С. В., Савельев И. Г., Полянская Т. Д., Шик А. Я. Осцилляции Шубникова - де Гааза в неоднородном двумерном электронном газе. // ФТП. 1694. Т. 28. В. 1. С. 91 - 99.

1. Бистров С. В., Ле Туан, Новиков С. В., Савельев И. Г. Исследование взаимосвязи между условиями роста и качеством гетеро границы в СЛГС In^Ga^As, выращенных жидкофазной эпитокслей. //ФТП. 1994. Т. 28. В. 2.С.Ш-ЗС1.

РТП ПИЯФ,зяк.7Э0,тир.100,уч.-изд.л.О,7; 20/ХП-1993". Бесплатно