Характеристики интерфейсов квантовых гетероструктур и их влияние на свойства носителей заряда тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Общие закономерности формирования переходных областей при эпитаксиальном росте гетероструктур и методы исследования интерфейсов литературный обзор).

§ 1.1. Введение.

§ 1.2. Общие проблемы формирования многослойных напряженных гетерокомпозиций с предельно резкими планарными границами слоев.

1.2.1. Причины нарушения планарной структуры границ.

1.2.2. Причины градиентного расплывания состава пленок в окрестности гетерограниц.

§ 1.3. Прямые и косвенные методы экспериментального исследования границ в структурах со слоями нанометровой толщины, оценка их предельных возможностей.

1.3.1. Прямые методы измерения ширины интерфейсов.

1.3.2. Особенности проявления эффекта размытия границ в оптических и транспортных характеристиках системы.

§ 1.4. Кинетика формирования границ в процессе эпитаксиального роста и особенности ее математического описания.

1.4.1. Выбор физико-химической модели для описания процессов роста.

1.4.2. Математическая постановка кинетической задачи.

1.4.3. Наблюдаемые общие закономерности в формировании внутренних границ многослойных структур со слоями нанометровой толщины.

§ 1.5. Основные результаты главы 1.

Глава 2. Механизмы формирования границ в гетерокомпозициях 81(0е)-810е, выращиваемых вакуумным методом с использованием атомарных и молекулярных потоков.

§ 2.1. Введение.

§ 2.2. Структурные параметры границ системы 81(0е)-810е, выращиваемой методом молекулярно-пучковой эпитаксии.

§ 2.3. Особенности кинетики роста слоев 81Се из атомарных потоков.

2.3.1. Решение кинетической задачи для системы МЛЭ с атомарными потоками.

2.3.2. Анализ ширины интерфейсов без учета поверхностной сегрегации.

2.3.3. Влияние эффекта поверхностной сегрегации на резкость гетерограниц в структурах.

§ 2.4. Особенности формирования границ в системе Si-SiGe при участии молекулярных потоков (Si-GeH4 МВЕ).

2.4.1. Анализ профиля состава пленки в отсутствие поверхностной сегрегации.

2.4.2. Влияние эффекта поверхностной сегрегации на формирование резких границ слоев в гетерокомпозициях Si/Si i-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками.

§ 2.5. Проявление в оптических и транспортных экспериментах нерезкости границ слоев многослойных структур Si(Ge)-SiGe, выращиваемых комбинированным методом.

2.5.1. Транзисторные структуры на базе гетерокомпозиций Si-SiGe.

2.5.2. Многослойные сверхрешеточные гетерокомпозиции Ge-Sii-xGex.

§ 2.6. Выводы к главе 2.

Глава 3. Особенности формирования границ в гетерокомпозициях Ge-GeSi, выращиваемых гидридным методом в реакторах проточного типа и их проявление при оптических и электрофизических измерениях параметров структур.

§3.1. Введение.

§ 3.2. Особенности массопереноса в методе гидридной эпитаксии структур

Sii-xGex/Ge методом ГФМЛЭ в условиях нестационарного процесса.

§ 3.3. APCVD структуры со слоями нанометровой толщины.

§ 3.4. Особенности распределения примесного состава в слоях по данным электрофизических измерений многослойных структур.

3.4.1. Характеристики исследуемых структур и результаты электрофизических измерений.

3.4.2. Результаты теоретического анализа транспортных измерений.

§ 3.5. Выводы к главе 3.

Глава 4. Влияние интерфейсов на оптические и электрофизические свойства многослойных гетерокомпозиций InGaAs-GaAs, выращиваемых МОСгидридным методом.

§ 4.1. Введение.

§ 4.2. Электронные характеристики структур InGaAs/GaAs с одиночными квантовыми ямами.

§ 4.3. Физические эффекты, наблюдаемые в структурах InGaAs-GaAs с двойными квантовыми ямами.

4.3.1. Туннельные характеристики барьера в двойной симметричной квантовой яме

Ino.25Gao.75As/GaAs/ Ino.25Gao.75As по данным оптических измерений.

4.3.2. Влияние рассеяния в барьере на транспортные характеристики электронов в двойной симметричной квантовой яме.

§ 4.4. Формирование сеток квантовых нитей и исследование влияния дополнительного пространственого ограничения на физические свойства структур.

4.4.1. Технология формирования массивов квантовых нитей.

4.4.2. Оптика и электрофизика пористых сверхрешеток.

4.4.3. Деформационные эффекты в пористых сверхрешетках.

§ 4.5. Выводы к главе 4.

Актуальность. В последнее десятилетие наблюдался заметный прогресс в использовании квантовых гетероэпитаксиальных структур в реальных устройствах полупроводниковой электроники. Особенно впечатляют достижения в области транзисторной электроники, благодаря созданию SiGe/Si СВЧ гетеробиполярного транзистора [1,2], и в области квантовой электроники, в связи с реализацией каскадного лазера [3-5]. Очевидно, что дальнейшие работы будут вестись по пути расширения функциональных возможностей этих приборов, что невозможно без совершенствования технологии выращивания гетероструктур. С другой стороны, очевиден, в связи с коммерциализацией этих приборов, и переход к более простым технологическим методам создания гетероструктур, что невозможно без ясного понимания причин, оказывающих влияние на характеристики рабочих структур. До последнего времени, однако, остается нерешенным еще целый ряд проблем, одна из которых связана с созданием быстродействующего полевого транзистора на базе Si-Ge гетероструктур с селективным легированием [6], не уступающего по быстродействию GaAs/AlGaAs НЕМТ транзистору. Решение этих проблем, равно как и достижение наилучших характеристик гетероэпитаксиальных структур, выращенных относительно простыми способами, невозможно без ясного понимания причин, ограничивающих получение приемлемых значений параметров приборов.

При тестировании планарных гетероэпитаксиальных структур, одними из основных параметров, отражающими достижения используемой ростовой технологии, являются транспортные характеристики электронно-дырочного газа в каналах системы. Стремление достичь максимально возможные для данного типа гетерокомпозиций значения подвижности как электронов, так и дырок, заставили обратить пристальное внимание на причины, ограничивающие эту величину, и особенно на выяснение роли интерфейсов среди других факторов [7-9]. Влияние гетерограниц на электрофизические характеристики системы особенно велико в гетерокомпозициях со слоями нанометровой толщины, в которых размеры переходных областей могут сравниться с толщинами пленок. Поэтому анализ причин, порождающих расплывание гетерограниц в процессе эпитаксиального роста, особенно при использовании промышленных технологических методов с участием активных газовых смесей, и исследование проявления нерезкости интерфейсов в оптических и электрических экспериментах на реальных гетероструктурах достаточно актуальны.

С другой стороны, если технологические основы выращивания планарных гетерокомпозиций со слоями различного состава и различной толщины (вплоть до единиц монослоев [10]) уже отработаны, то создание технологии формирования упорядоченных массивов наноэлементов более низкой размерности все еще остается перспективой ближайшего будущего. Нульмерные и одномерные нанокомпозиции в силу высокой плотности состояний электронно-дырочного газа в них вызывают в последнее время повышенный интерес. Поэтому отработка простейших технологий, в том числе использующих идею самоформирования, наряду с созданием простых методов диагностики таких структур, также представляют весьма перспективную на сегодняшний день задачу.

Цель работы. В связи со сказанным диссертационная работа велась нами по следующим направлениям:

- формирование систем пониженной размерности;

- анализ процессов, оказывающих влияние на формирование границ транспортных каналов в двумерных напряженных планарных гетероструктурах, выращиваемых различными методами;

- комплексный анализ характеристик гетероэпитаксиальных структур на базе гетеропар с несогласованными постоянными решеток, выращенных с использованием газофазных технологий;

- исследование транспортных характеристик вышеупомянутых структур и изучение влияния на них неидеальностей интерфейсов.

Настоящая работа, в основной ее части, направлена на выяснение слабых мест технологий, использующих газофазные источники атомарных и молекулярных потоков в реакторе ростовых установок.

Часть работы была направлена на отработку простого технологического метода формирования квантовых гетерокомпозиций с более сложной, чем простые прямоугольные квантовые ямы, структурой слоев, в том числе с дополнительным эффективным понижением размерности системы до Ш или ОБ.

Отмеченные выше обстоятельства и намеченные общие цели определили круг конкретных задач, рассмотренных в настоящей диссертации:

- для ростовых систем с газовыми источниками гидридов (силан, герман) в рамках кинетического приближения провести анализ влияния конечного времени распада молекул гидридов на ширину интерфейсов многослойных структур 8КОе)/811-хОех;

- сопоставить роль механизма расплывания состава твердого раствора в окрестности границ, связанного с пиролизом молекул на поверхности, с влиянием других механизмов на ширину переходных областей;

- для различного типа ростовых систем и широких интервалов значений технологических параметров проанализировать роль атомарных и молекулярных потоков в формировании профиля состава сплава на границах слоев;

- провести комплексный анализ характеристик многослойных 81(Ое)-811.хОех структур, выращенных методом комбинированной МВЕ с использованием сублимирующего источника кремния и газового источника молекул германа;

- на основе холловских измерений выявить предельные возможности газофазного метода эпитаксии, используемого для роста структур Се-Се].^*, для достижения высоких значений подвижностей дырок;

- оптическими методами провести исследование туннельной прозрачности барьера в структуре ¡пОаАз/ОаАэ с двойной квантовой ямой и выявить нижние предельно допустимые значения толщины барьерных слоев, сравнимые с шириной размытия границ, в МОС - гидридной технологии роста;

- исследовать возможность формирования объектов пониженной размерности (Ш и ОБ) с использованием процесса самоформирования при электрохимическом травлении слоистых квантовых систем;

- рассмотреть влияние на транспортные характеристики электронов дополнительных границ, вводимых в двумерный канал либо путем встраивания в него туннельно-прозрачного барьера, либо путем электролитического травления.

Научная новизна.

1. Впервые проведен учет влияния конечного времени распада молекул на ширину интерфейсов многослойных структур 8^0е)/811.х0ех в методе МЛЭ с газовыми источниками.

2. В рамках кинетического приближения для ростовых систем с газовыми источниками гидридов впервые проведено сопоставление роли данного механизма расплывания состава твердого раствора в окрестности границ с другими механизмами, влияющими на ширину переходных областей.

3. Сопоставительный анализ позволил для МЛЭ с атомарными и молекулярными потоками впервые установить область технологических параметров, где пиролиз молекул играет определяющую роль в формировании переходных областей.

4. Впервые установлено влияние островков Ое, формируемых в окрестности интерфейсов структур, выращиваемых методом БьОеЩ МЛЭ, на транспортные характеристики электронов в кремниевых каналах.

5. Впервые предложена и реализована оригинальная методика создания объектов пониженной размерности ((Ю и Ш) с использованием процесса самоформирования при электрохимическом травлении слоистых квантовых систем.

Практическая значимость. Данная работа повышает уровень нашего понимания о процессах на поверхности растущего слоя и характере формирования гетерограниц, что способствует развитию технологических методов и приемов создания квантовых низкоразмерных гетерокомпозиций. Исследование оптических и электрофизических характеристик низкоразмерного электронно - дырочного газа в структурах с развитыми границами позволяет лучше понять характер влияния на электронные характеристики ограничений, связанных с шероховатостями границ и расплыванием их профиля.

На защиту выносятся следующие основные положения.

1. При формировании переходных областей в процессе выращивания слоистых гетерокомпозиций методами, использующими газовые молекулярные источники, пиролиз молекул на поверхности играет определяющую роль, а в области о пониженных давлений (менее 10" Тор) данный механизм доминирует даже при наличии в реакторе дополнительных атомарных потоков.

2. Асимметрия профиля состава слоя 81]-хОех обусловлена различной скоростью изменения поверхностных концентраций молекул германа на ростовой поверхности, а также зависимостью коэффициентов встраивания атомов в растущий кристалл от их концентраций на ростовой поверхности.

3. Снижение проводимости дырок по 2Б - транспортным каналам в структуре Ое/811-хОех связано с локализацией дырок в областях формирования островков германия при сохранении их высокой подвижности в модулированных по глубине каналах.

4. Формирование на границах 81/811хОех структур островков Ое может приводить к накоплению в их окрестности примеси из барьерных 5 -слоев вследствие эффекта геттерирования и, в результате, к подлегированию границ кремниевых транспортных каналов.

5. Для многослойной селективно-легированной системы йе-Ое1.х81х с двумерными дырками в слоях германия, выращиваемой гидридным методом, ограничение транспортных характеристик системы связано исключительно с расплыванием интерфейсов в слоях Се и размытием легирующего 5-слоя в слоях Се1.х81х.

6. В структурах ОаАз/1пхОа1.хАз с симметричными двойными квантовыми ямами, выращиваемых методом МОС - гидридной эпитаксии, встроенный в яму туннельно-прозрачный барьер приводит к эффективному расщеплению квантовых уровней при толщинах барьерного слоя от 5 до 3 нм.

7. Электрохимическим травлением слоистых СаАз/1пхОа1-хА5 квантовых систем можно формировать двумерные сетки, составленные из квази - одномерных квантовых нитей.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Объем диссертации составляет 151 страницу машинописного текста, 76 рисунков и 7 таблиц. Список литературы содержит 143 наименований источников.

Основные результаты работы:

1. Развита нестационарная кинетическая модель роста для ростовых систем, использующих источники гидридов, позволяющая провести при анализе переходных процессов учет конечного времени распада молекул на эпитаксиальной поверхности.

2. Сопоставление механизма расплывания интерфейсов, связанного с пиролизом молекул на ростовой поверхности, с другими механизмами, влияющими на ширину переходных областей (конечное время доставки материала к ростовой поверхности и кристаллизации, межслоевая диффузия и сегрегация), показало его определяющую роль в области значений технологических параметров, где доминирующее влияние на рост пленок оказывают молекулярные потоки.

3. В комбинированном методе эпитаксии, использующем как атомарные, так и молекулярные потоки, влияние пиролиза на формирование переходных областей ослаблено в области давлений >

10" Тор, где доминирующую роль в ростовом процессе играют атомарные пучки.

4. Впервые получила объяснение асимметрия профиля состава слоя З^вех вблизи его границ, наблюдаемая в различных экспериментах. Показано, что данный эффект связан с различной скоростью заполнения (обеднения) радикалами молекул поверхностных состояний и с зависимостью коэффициентов встраивания от концентрации соответствующих атомов на поверхности.

5. Исследование выращенных методом БЬОеЩ МЛЭ многослойных структур ве - БЬ-хОех продемонстрировало сильную локализацию дырок в областях формирования островков германия при сохранении их высокой подвижности в модулированных по глубине каналах.

6. Измерения характеристик транспортного канала в слоистой 81/811-хОех структуре, полученной методом ЗЮеЩ МЛЭ, показало, что кинетика распада молекул на ростовой поверхности определяет структуру нижней границы слоя кремния. Формирование здесь островков Ое может приводить к накоплению в их окрестности примеси из барьерных 5 -слоев вследствие эффекта геттерирования и, в результате, к подлегированию границ кремниевых транспортных каналов.

7. Анализ холловских характеристик селективно-легированных дырками сверхрешеток Ое-Ое1.х81х, выращиваемых гидридным методом, выявил, что процессы диффузии и пиролиза приводят к размытию гетерограниц и примесных 8 - слоев, локализованных в Gej.xSix барьерах, обусловливая подлегирование транспортного Ge канала до уровня ~ 0.1 xNa, где Na -максимальное значение концентрации примеси в 5 - слое.

8. Исследование оптическими методами структур InGaAs/GaAs с симметричными двойными квантовыми ямами, выращиваемых методом МОС-гидридной эпитаксии, позволило определить, что встроенный в яму туннельно-прозрачный барьер приводит к эффективному расщеплению квантовых уровней при толщинах барьерного слоя от 5 до 3 нм.

9. Впервые предложена и реализована оригинальная методика создания двумерных сеток из одномерных квантовых нитей с использованием процесса самоформирования при электрохимическом травлении слоистых InGaAs/GaAs квантовых систем.

В заключении автор выражает благодарность всем соавторам за приятное и плодотворное сотрудничество в процессе выполнения работы. Предоставленные для исследований гетероструктуры были выращены в НИФТИ ИНГУ. Отдельные исследования выполнены совместно с сотрудниками института химических проблем микроэлектроники (ИХПМ), Москва и Иститута Физики Металлов УроРАН (Екатеринбург).

Автор признателен проф. Е.С. Демидову (ННГУ) за научное руководство работой, проф. Ю.А. Романову (ИФМ РАН) за внимательное отношение к работе и плодотворные дискуссии, д.ф.-м.н. JI.K. Орлову (ИФМ РАН) за постановку задач и обсуждение полученных результатов. Автор также благодарит P.A. Рубцову (НИФТИ), H.A. Алябину (НИФТИ), к.ф.-м.н. Б.Н. Звонкова (НИФТИ) и к.ф.-м.н. Ю.Н. Ноздрина (ИФМ РАН) за помощь в проведении экспериментов, A.B. Потапова (ИФМ РАН) за консультации по численному моделированию технологических процессов.

Работа была поддержана грантами РФФИ (№№ 96-02-19278; 01-02-16778; 01-02-06232; 02-02-06577), Минобразования РФ (№ 015.03.01.32), ИНТАС (№ 960580) и Программой физика и технология твердотельных наноструктур (97-2023 "Сигер").

Заключение

1. Xu Dan Xia, Shen Guang Di, Willander M., Ni Wei Xin, Hansson G.V. Heterobipolar transistors with the double n-Si/p-SiGe/n-Si heterostructure. // Appl. Phys. Lett. 1986. - V.52. No.26.- p.2239-2241.

2. Tatsumi Т., Hirayama H., and Aizaki N. Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor made with Si MBE. // Appl. Phys. Lett.- 1988.- V.52.- No.ll.- P.895-897.

3. Sirtori C., Kruck P., Barbieri S., Collot P., Nagle J., Beck M., Faist J., Oesterle U. GaAs/AlxGai.xAs quantum cascade lasers// Appl.Phys.Lett. 1998 - V. 73. - N 24 -P. 3486-3488.

4. Capasso F., Sen S., Cho Y. Resonant tunnelling: physics, new transistors and superlattice devices. // Proc. Soc. Photo. Opt. Instrum. Eng. 1987,- V.792.- P. 1017.

5. Razeghi M.//High power quantum cascade lasers (QCL) grown by GasMBE.// Int. Conf. on solid state crystals: Material Science and Applications. 14-18 October 2002.- Zakopane, Poland.- Proceed.- 2002,- P.34.

6. Martin S.C., Hitt L.M., and Rosenberg J.J. P-channel germanium MOSFET's with high channel mobility. // IEEE Electron Device Lett. 1989.- V.10.- No.7.- P.325-326.

7. Baribeau J.M., Lockwood D.J., and Headrick R.L. Nature and Evolution of Interfaces in Si/SiGe superlattices.// J.Electron Mater.- 1995.- V.24.-No.4.- P.341-349.

8. Орлов Л.К., Потапов A.B., Рубцова P.A., Орлова Н.Л. Проблема резкости гетерограниц в гидридной технологии квантовых Ge-GeSi гетероструктур. // Изв. РАН.- Сер. Физическая. 1999,- Т. 53.- С.267-273.

9. Arbet-Engels V., Kallel М.А., and Wang K.L. Photoluminescence of hydrogenated SinGem superlattices.// Appl.Phys.Lett. 1991.- V.59.- No.14. -P.1705-1707.

10. П.Асеев A.JT. Латышев А.В. Поверхностные процессы при формировании наноструктур на поверхности кремния. // Изв. РАН. Серия физическая.- 2000.-Т.64.- № 2.- С. 198-204.

11. De Sales F.V., Soler M.A.G., Ugarte D., Quivy А.Ф., Da Silva S.W., Martini S., Morais P.C. Step-buchning evidence in strained InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) substrates. // Phys. Status Solidi. A.- 2001.- V.187.- № 1.-P.253-256.

12. Vdovin V.I., Shcherbachev K.D., Mironov O.A., Parry C.P., and Parker E.H.C. A study of structural perfection of interfaces in Si/SiGe superlattices.// Crystallography Reports. 2000,- V. 45.- No.4.- P.661-669.

13. Кузнецов O.A., Пискарев В. периодические структуры Ge-GeSi : газовый гидридный метод выращивания и электрофизические исследования. Многослойные периодические структуры и сверхрешетки.// Сб. статей. -ИПФ РАН, Горький.-1984.- С.20-37.

14. Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Хрыкин О.И., Шашкин В.И. Субнанометровое разрешение по глубине при послойном анализе с использованием скользящих оже электронов.// Письма в ЖТФ.-2001.- Т.27,-Вып.З.- С.59-65.

15. Orlov L.K., Potapov A.V. and Ivin S.V. The peculiarities of a non-stationary growth kinetics in GSMBE and their influence on Si/Si).xGex interfaces abruptness.//Solid State Phenomena.- 1999,- V.69-70- P.221-226.

16. Потапов А.В. Исследование процессов роста гетерокомпозиций SiGe/Si(100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH}.// Канд. диссертация. Нижний Новгород. Университет им.Н.И.Лобачевского.- 1999.

17. Ивина Н.Л., Орлов Л.К. Влияние эффекта поверхностной сегрегации на резкость гетерограниц в многослойных структурах Si(Ge)/SiixGex,выращиваемых из атомарных пучков в вакууме.// ФТТ.- 2001,- Т.43.- № 6.-С.1139-1144.

18. Орлов J1.K., Ивина H.JL, Потапов А.В. Оценка перемешивания состава в окрестности границ гетероэпитаксиальных структур Si(Ge)/Sii.xGex, выращиваемых методом МВЕ с комбинированными источниками Si и GeH4. // ФТП.- 2000,- Т.34.- №10,- С. 1153-1158.

19. Орлов Л.К., Ивина H.JI. Роль эффекта поверхностной сегрегации в формировании резких границ слоев в гетерокомпозициях Si/Si i-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками.// ФТП,- 2002,- Т.36.- №2,- С. 199-204.

20. Orlov L. K., Ivina N.L., Potapov A.V., Demidov E.S., Alyabina N.A., Horvatz Z.J., Pashaev E.M., Yakunin S.N., Vdovin V.I., Steinman E.A. Multilayer strained Ge

21. Орлов JI.K., Леотен Ж., Лиг Ф.Х., Орлова Н.Л. Квантовый циклотронный резонанс двумерных дырок в слоях германия Ge-GeSi гетероструктур. // ФТТ.- 1997,- Т.39.- № 11,-С. 2096-2100.

22. Орлов Л.К., Кузнецов О.А., Рубцова Р.А., Чернов А.Л., Арапов Ю.Г., Городилов Н.А., Штрапенин Г.Л. Квантовый эффект Холла на дырках в напряженных сверхрешетках Ge-GeSi.// Письма в ЖЭТФ.- 1991.- Т.54.- №.6.-С.351-353.

23. Orlov L.K., Kuznetsov О.А., Rubtsova R.A.,Chernov A.L., Vdovin V.I., Gorodilov N.A., Kalugin N.G., Gavrilenko V.I. Investigations of 2D hole gas in strained Ge-GeSi superlattices.//Solid State Phenomena.-1993.- V.32,33,- P.469-480.

24. Andronov A.A., Pozhela Yu.K. Hot electrons in semiconductors. // A collection of Scientific Works. Inst. Appl. Phys. USSR Academii of Sciences. Gorki. 1983.

25. Xie Y.H., Monroe D., Fitzgerald E.A., Silvermann P.J., Thiel F.A., and Watson G.P. Very high mobility two-dimensional hole gas in Si/SiGe/Ge structures grown by molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1993.- V.63.- No.16.- P.2263-2265.

26. Орлов JI.K., Потапов A.B., Ивин С.В. Особенности кинетики роста слоев твердого раствора кремний-германий из силана и германа при наличии в вакуумной камере дополнительного нагретого элемента.// ЖТФ.- 2000,- Т.70.-№6,- С.102-107.

27. Орлов JI.K., Ивин С.В., Потапов А.В., Ивина H.JI. Особенности массопереноса в методе гидридной эпитаксии структур Sii-xGex/Si в условиях нестационарного процесса. // ЖТФ.- 2001.- Т.71.- № 4.- С.53-57.

28. Kanel Н., Kummer М., Isella G., Muller Е., Hackbarth Т. Very high hole mobilities in modulation doped Ge quantum wells grown by low-energy plasma enhanced CVD. // Appl.Phys.Lett,- 2002,- V.80.- No.16.- P.2922-2924.

29. Caymax M.R., Poortmans J., Van Ammel A. UHV-VLPCVD heteroepitaxial growth of thin SiGe-layers on Si-substrates: influence of pressure on kinetics and on surface morphology.// Solid State Phenomena.-1993.-V. 32-33.-P. 361-372.

30. Thiesen J., Iwaniczko Е., Jones К.М., Mahan A., and Crandall R. Growth of epitaxial silicon at low temperatures using hot wire chemical vapor deposition. // Appl.Phys.Lett. 1999. -V. 75. - № 7. - P. 992 - 994.

31. Орлов JI.K., Рубцова Р.А., Орлова Н.Л. Проблема селективного легирования в методе гидридной эпитаксии и электрофизические свойства квантово -размерных Ge-GeSi:B гетероструктур.// ФТП,- 1999,- Т.ЗЗ. №3. - С.311-315.

32. Кукушкин C.A., Осипов A.B. Термодинамика и кинетика фазовых переходов первого рода на поверхности твердых тел.// Химическая физика,-1996.-Т. 15.-№ 9.-С.5-104.

33. Орлов Л.К., Ивина Н.Л., Рубцова Р.А., Романов Ю.А. Исследование туннельных характеристик барьера в двойной симметричной квантовой яме InGaAs/GaAs/InGaAs.// ФТТ.- 2000,- Т.42,- №3,- С.537-541.

34. Орлов Л. К., Ивина Н. Л. Самоформирование сеток квантовых нитей в пористьк сверхрешетках InGaAs/GaAs. // Письма в ЖЭТФ.- 2002.- Т.75.- № 9-10,- С.584-587.

35. Орлов Л. К., Ивина Н. Л., Дроздов Ю.Н.,Алябина Н.А. Релаксация упругих напряжений в буферных слоях на основе пористых напряженных сверхрешеток InGaAs/GaAs. // Письма в ЖТФ,- 2002.- Т.28.- № 24.- С. 1-7.

36. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл полупроводник. Москва. Мир. -1975.- 432с. илл.

37. Голоньяк Н.Н. Полупроводниковые лазеры с квантовыми размерными слоями (обзор).// ФТП.-1985.-Т.19. №9.- с.1529-1527.

38. Bormann I., Brunner К., Hackenbuchner S., Zandler G., Abstreiter G., Schmult S., Wegscheider W. Midinfrared intersubband electroluminescence of Si/SiGe quantum cascade structures.// Appl.Phys.Lett.- 2002,- V.80.- No.13.- P.2260-2262.

39. Phee S.S. Si/GeSi/Si resonant tunneling diode doped by thermal boron source. // J.Vac.Sci.Technol.B. 1989,- V.7. No.2.- p.327-331.

40. Hirose K., Mizutani Т., Nishi K., Electron and hole mobility in modulation doped GalnAs/AlInAs strained layer superlattice.// J.Cryst.Growth. 1987. - V.81. No.l. -p. 130-135.

41. Пожела Ю., Юцене В. Физика сверхбыстродействующих транзисторов. Вильнюс. Мокслас. 1985.-1 Юс.илл.

42. Greve D.W. Growth of epitaxial Ge-Si heterostructures by chemical vapour deposition. // Materials Science and Engineering, B. 1993.- V.18.- No.l. - P.22-51.

43. Zhang Z., Kulakov M.A., Bullemer B. Surface morphology and reconstructions of ultra thin Si films grown by solid-phase epitaxy.// Thin solid films.- 1997.- V.294.-P.88-92.

44. Hiyamizu S., Shimomura S., Kitada T. Super-flat (411)A interfaces and uniformly corrugated (775)B interfaces in GaAs/AlGaAs and InGaAs/InAlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy. // Microelectron. J.-1999.-30. No.4-5.- p.379-385.

45. Arai J., Ohga A., Hattori T., Usami N., and Shiraki Y. Optical investigation of growth mode of Ge thin films on Si(110) substrates. // Appl.Phys.Lett. 1997.-V.71.-N0.6.-P.785-787.

46. Quo S.P., Ohno H., Matsukura F., and Ohno Y. InAs self organized quantum dashes grown on GaAs (211)B. // Appl.Phys.Lett.- 1997.- V.70.- No.20.- P.2738-2740.

47. Walther T., Humphreys C.J., and Cullis A.G. Observation of vertical and lateral Ge segregation in thin undulating SiGe layers on Si by electron energy-loss spectroscopy. // Appl.Phys.Lett.- 1997.- V.71.- No. 6.- P.809-811.

48. Орлов Jl.K., Кузнецов O.A., Калугин Н.Г., Дроздов Ю.Н., ДроздовМ.Н., Вдовин В.И., Мильвидский М.Г. Структура и спектры комбинационного рассения света сверхрешеток Ge-Si, выращенных гидридным методом. // ФТТ.- 1994,- Т.36,-№.3,-Р.726-735.

49. Orlov L.K., Ivina N.L., Vostokov N.V., Alyabina N.A., Zvonkov B.N., Demidov E.S. Quantum network formation in porous InGaAs/GaAs multiplayer structures. // Proceed ICSSC.- 2002,- Zakopane, Poland.- P.38.

50. Orlov L. K., Ivina N.L., Alyabina N.A.,Zvonkov B.N., Demidov E.S. Porous superlattice InGaAs/GaAs as a new material for quantum electronics.// Proceed. EXMATEC 02 . Budapest. May.- 2002.- Physica Status Solidy (a).-2003.- No.3.-P.981-985.

51. Raisanen J., Hirvonen J., and Antilla A. The diffusion of silicon in gemanium.// Solid State Electronics.- 1981,- V.24.- No.4. P.333-336.

52. Zheng Y.J., Lam A.M., and Engstrom J.R. Modeling of Ge surface segregation in vapor-phase deposited SiGe thin films.// Appl. Phys. Lett. 1999. -V.75. - No.6.-P. 817-819.

53. Lam A.M., Zheng Y.J., and Engstrom J.R. Direct in situ characterization of Ge surface segregation in strained SiGe epitaxial thin films.// Appl. Phys. Lett. 1998. -V.73.-No.14.- P. 2027-2029.

54. Gerard J.M., and Roux G.L. Growth of InGaAs/GaAs quantum wells with perfectly abrupt interfaces by MBE.//Appl. Phys. Lett.- 1993,- V.62.- No.26.- P.3452-3454.

55. Sanz-Hervas A., Cho Soohaeng, Majerfeld A., Kim B. W. Interfacial properties of (lll)A GaAs/AlGaAs multiquantum-well structures grown by metalorganic vapor phase epitaxy.// Appl. Phys. Lett. 2000. -V.76. -No.21.- P.3073-3075.

56. Альперович B.Jl., Мошегов H.T., Попов B.B., Терехов А.С., Ткаченко В.А., Торопов А.И., Ярошевич А.С. Определение шероховатостей гетерограниц по спектрам фототока короткопериодных сверхрешеток (AlAs)m/(GaAs)n. // ФТТ,- 1997.- Т.39. № 11.- С.2085-2089.

57. Ченг JI, Плуг К. Молекулярно- лучевая эпитаксия и гетероструктуры. М.:Мирю- 1989.- 584 с. илл.

58. Waltereit P., Fernandez J.M., Kaya S., Thornton T.J. Si/SiGe quantum wells grown on vicinal Si(001) substrates: morphology, dislocation dynamics, and transport properties.// Appl.Phys.Lett. 1998,- V.72.- No. 18.- P.2262-2264.

59. Nakamura Y., Noda Т., Motohisa J., Sakaki H. Anizotropic mobilities of low-dimensional electrons at stepped n-GaAlAs/GaAs interfaces with 15 nm periodicity on vicinal (lll)B substrates. // Physika. E.- 2000. -V.8.- No.3.- P.219-222.

60. Potapov A.V., Orlov L.K., and Ivin S.V. The growth kinetics of SiGe layers from SiH4 and GeH4.//Thin Solid Films.- 1999,-V.336.-No.1-2.- P. 191-195.

61. Cunningham В., Chu J.O., and Akbar S. Heteroepitaxial growth of Ge on (100)Si by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. // Appl.Phys.Lett., 1991. V. 59.-No. 27 .- P.3574-3576.

62. Gates S.M., Greenlief C.M., and Beach D.B.Decomposition mechanisms of SiHx species on Si(100) (2x1) for x=2,3, and 4.// J.Chem.Phys.-1990.-V.93. - No.10.-P.7493-7503.

63. Potapov A.V., and Orlov L.K. The growth kinetics of SiGe layers from germane and silane. // Proceed, on Int. Symposium Nanostructures: physics and technology. St. Petersburg, Russia.- 1998.- P.487-490.

64. Толомасов B.A., Орлов Л.К., Потапов A.B., Светлов С.П., Дроздов Ю.Н., Гудкова А.Д., Рубцова Р.А., Корнаухов А.В. Гетероэпитаксия слоев SiGe на Si (100) из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4.// Кристаллография,- 1998.-Т.43.- №3. С.535-540.

65. Robbins D.J., Glasper J.L., Cullis A.G., Leong W.Y. A model for heterogeneouse growth of SiGe films from hydrides.// J.Appl.Phys.- 1991,- V.69.- No.6.- P.3729-3732.

66. O'Reilly E.P. Valence band engineering in strained-layer structures.// Semicond. Sci. Technol.- 1989.- V. 4.- P.121-137.

67. Mii Y.J., Xie Y.H., Fitzgerald E.A., Monroe D., Thiel F.A., Weir B.E., and Feldman L.C. Extremaly high electron mobility in Si/GeSi structures grown by molecular beam epitaxy.// Appl.Phys.Lett. 1991-V.59. No.13.-P. 1611-1614.

68. Ismail K., Chu J.O., and Meyerson B.S. High hole mobility in SiGe alloys for device applications.// Appl. Phys.Lett.- 1991.- V.58.- No.19.- P.2117-2119.

69. K.Ismail, B.S.Meyerson, and P.J.Wang. High electron mobility in modulation doped Si/SiGe.// Appl. Phys.Lett.- 1994,- V.64.- No.23.- P.3124-3127.

70. Myronov M., Phyllips P.J., Whall Т.Е., Parker E.H.C. Hall mobility enhancement caused by annealing of Sio^Geo.s/Sio^Geoj/Si (001) p-type modulation doped heterostructures.// Appl.Phys.Lett.- 2002.-V.80,- No.19.- P.3557-3559.

71. Misakami E., Eto H., Nanagawa K., and Miyao M. High hole mobility in modulation doped and strain controlled p-SiGe/Ge/SiGe heterostructures fabricated using molecular beam epitaxy. // Jap. J. Appl. Phys. - 1990.- V.29.-No.7.-P.L1059-L1061.

72. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1973. - 816с., ил.

73. Orlov L.K., Tolomasov V.A., Potapov A.V., Drozdov Yu.N., and Vdovin V.I. Heteroepitaxy of Ge-SiGe superlattices on Si (100) substrates by GeH4 Si method. // IEEE, - 1996.- V. SIMC- 9. - P. 215-218.

74. Karpenko O.P., YalisoveS.M., and Eaglesham D.J. Surface roughening during low temperature Si(100) epitaxy. // J.Appl.Phys. 1997. - V.82. - № 3. - P.l 157-1165.

75. Tsai W.C., Chang C.Y., Jung T.G., Liou T.S., Huang G.W., Chang T.C., Chen L.P., and Lin H.C. Abruptness of Ge composition at the Si/SiGe interface grown byultrahigh vacuum chemical vapor deposition// Appl.Phys.Lett. 1995. - V. 67. - № 8.-P. 1092-1094.

76. Yugova T.G., Vdovin V.l., Milvidskii M.G., L.K.Orlov, Tolomasov V.A., Potapov A.V., and Abrosimov N.V. Dislocation pattern formation in epitaxial structures based on SiGe alloys.// Thin Solid Films.- 1999,- V.336.- No. 1-2.- P. 112-115.

77. Орлов Л.К., Кузнецов O.A., Дроздов Ю.Н., Воротынцев В.М. Мильвидский М.Г., Вдовин В.И., Карлес Р., Ланда Г. Сверхрешетки Ge-GeSi , полученные гидридным методом. // ФТП.- 1993,- Т.27.- №10.- С.1591-1598.

78. Алешкин А.Я., Воробьев Л.Е., Донецкий Д.В., Кузнецов O.A., Орлов Л.К. Спонтанная эмиссия излучения дальнего ИК-диапазона горячими дырками в Ge и в квантовых ямах Ge/GeSi.//ФТП.- 1996.- Т.ЗО.- № 11,- С.1981-1992 .

79. Orlov L.K., Potapov A.V., Ivina N.L., Steinman E.A., Vdovin V.l. Comparative analysis of light emitting properties of Si:Er and Ge/SiixGex epitaxial structures obtained by MBE method. // Solid State Phenomena.- 1999.- V.69-70.-P.377-382.

80. Зевеке Т.А., Толомасов В.А., Корнев JI.B., Кузнецов O.A., Рубцова P.A., Симонова Г.М., Бузынин Ю.Н. // Электронная техника. Сер. Материалы.- 1973.- Вып.6.- С.116-120.

81. Orlov L.K., Aleshkin V.Ya., Kalugin N.G., Bekin N.A., Kuznetsov O.A., Dietrich В., Bacquet G., Leotin J., Brousseau M., and Hassen F. Exciton luminescence in Ge-GeSi multiple- quantum- well structures. // J.Appl.Phys.-1996.- V.80.- No.l.- P.415-422.

82. Голикова О.Ф., Мойжес Б.Я., Стильбанс M.C. Подвижность дырок в германии в зависимости от концентрации и температуры. // ФТТ.- 1969.- Т.З.-№10.- С.3105-3114.

83. Орлов J1.K., Кузнецов O.A., Дроздов Ю.Н., Рубцова P.A., Романов Ю.А., Чернов A.JI. Энергетические диаграммы и электрические характеристики сверхрешеток Ge-GeSi с напряженными слоями. // ФТТ,-1990,- Т.32,- №7.- С.1933-1940.

84. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М. Наука 1967. С.116, 97.

85. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М. Наука.- 1990,-С.491,671.

86. Агаев H.A., Аждаров Г.Х. Совещание «Исследование и применение твердых растворов германий кремний». 1990. - Баку. — Труды.- Баку: Элм.-С.56.

87. Ledenston N.N., Shchukin V.A., Grundmann M., Kirstaedter N., Bohrer J., Schmidt O.G., Bimberg D. Direct formation of vertically coupled quantum dots in Stranski-Krastanov growth. // Phys. Rev. B. 1996.- V.54.- No. 12. - P.8743-8750.

88. Gauthier-Lafaye О., Sauvage S., Boucaud P., Julien F.H. Quantum fountain intersubband stimulated emission in GaAs/AlGaAs quantum wells.// Proceed. Int. Symp. Nanostructures physics and technology.- 23-27 June. 1997,- St. Peterburg.-P.569-571.

89. Herman M. Semiconductor Superlattices. Berlin: Akademie-Verlag.- 1986.-240c. илл.

90. Басс Ф.Г., Булгаков А.А., Тетервов А.П. Высокочастотные свойства полупроводниковых сверхрешеток. М. Наука.-1989.- 287с. илл.

91. О.Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V группы. Мир. М. 1967.- 318 с. илл.

92. Флюгге 3. Задачи по квантовой механике. Т.1. -1974,- М. Мир,- 341с. илл.

93. Романов Ю.А., Орлов Л.К. Поглощение света в периодических полупроводниковых структурах.// ФТП.- 1973.- Т.7. № 2.- С.253-260.

94. Бузынин Ю.Н., Гусев С.А., Дроздов Ю.Н. , Красильник З.Ф., Мурель A.M., Ревин Д.Г., Шашкин В.Н., Шулешова И.В. Пористый арсенид галлия.// Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -1996.- № 5.- С.40-44.

95. Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Лебедев Э.А., Рудь Ю.В., Смирнов А.Н., Смирнова Н.Н. Оптические и электрические свойства пористого арсенида галлия. // ФТП.- 2000,- Т.34,- № 6.- С. 757-761.

96. Грозав А.Д., Лепорда Н.И. Температурное поведение размерных особенностей продольного магнетосопротивления микропроволок висмута. // ФТТ.- 1996,- Т.38.- №6,- С.1924-1930.

97. Демидов Е.С., Шенгуров В.Н., Демидова Н.Е., Шабанов В.Н. Электронный парамагнитный резонанс в пористом кремнии. // ФТП.- 1994,-Т.28.- № 4 .- С.701-705.

98. Демидов Е.С., Демидова Н.Е., Карзанов В.В., Шабанов В.Н. Пики избыточных шумов диодных структур на пористом кремнии.// Письма в ЖЭТФ.- 2002,- Т.75.- № .- С.673-675.

99. Богомолов В.Н., Задорожный А.И., Павлова Т.М. Периодичность всплесков тока на вольт-амперной характеристике кластерного кристалла на основе теллура. // ФТП,-1981.- Т.15.- №10,- С.2029-2031.

100. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев. Наукова Думка. 1975.- 704с. илл.

101. E.A.Fitzgerald, S.B.Samavedam. Line, point and surface defect morphology of graded , relaxed GeSi alloys on Si substrates. // Thin Solid Films.- 1997.-V.294.- №.1-2.- P.3-10.

102. George C. John, Vijay A. Singh. Porous silicon: theoretical studies.// Physics Reports.-1995.-№ 263.-P. 93-151.

103. Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Оптические фононы в цилиндрических нитях пористого GaP.// ФТТ.- 2001.-Т. 43.-Вып. 9.-С. 16931697.

104. Orlov L.K., Potapov A.V., Ivin S.V., Shengurov D.V., Orlova N.L.^Yugova T.G., Steinman E.V. Epitaxial growth of light emitting Si:Er layers by MBE with sublimation sources.// Book of abstracts E-MRS'98.- Strasburg. France.- 1998. June.-B-21.-B-I/P9.

105. Orlov L.K., Potapov A.V., Ivina N.L., Vdovin V.I., Steinman E.A. Peculiarities of the light emitting properties of the Ge-SiGe multilayer epitaxial structures.// Abstr. Int. Conf. Physics of Low Dimmsional Structures.- Antalya. Turkey.- 1999.Sept.