Исследование численности элементарного акта автоэлектронной эмиссии металлов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

Введение . Ч

Глава I. Современное состояние исследований численности элементарного акта автоэлектронной эмиссии ( АЭ ).

§ I. Явление АЭ. Теория Фаулера-Нордгейма.

§ 2. Численность элементарного акта эмиссии. Статистика эмиссии электронов.

§ 3. О возможности многоэлектронных актов АЭ./V

§ 4. Измерение статистики вылета электронов как современный метод исследования различных видов эмиссии. . .- . .

§ 5. Обзор работ по экспериментальному изучению статистики АЭ.

Глава П.Разработка методики исследования статистики АЭ для различных граней монокристаллов

§ I. Принцип измерений и блок-схема установки.

§ 2. Общие вопросы конструирования и эксплуатации экспериментального прибора. Sб

§ 3. Спектрометрическая часть.

§ 4. Чувствительность метода.

§ 5. Контрольные эксперименты по выявлению вторичных эффектов при измерении статистики АЭ.

§ 6. Конструкции усовершенствованных экспериментальных приборов.

Глава Ш. Статистика АЭ металлов.-.

§ I. Выбор зонда.8$

§ 2. Статистика АЭ для различных граней монокристалла вольфрама.

§ 3. Статистика полного тока АЭ.

§ 4. Плотность тока при исследовании статистики АЭ.

§ 5. Температурные исследования статистики АЭ для WПЪ

§ 6. Исследование влияния адсорбции остаточных газов на статистику АЭ вольфрама. . Н

§ 7. Статистика АЭ для перестроенного вольфрамового острия№

§ 8. Статистика АЭ молибдена, тантала и ниобия.- ~ . /3/

Глава 1У. О возможности изучения экзоэлектронной эмиссии ( ЭЭ ) с помощью прибора по статистике. . i^b

§ I. Постановка задачи^ 1ЧЪ

§ 2. Явление ЭЭ и способы её изучения. . . J

§ 3. Работы по экспериментальному изучению статистики ЭЭ. . . IV?

§ 4. Многоэлектронные акты ЭЭ.

Актуальность проблемы. Одним из современных методов исследования различных видов электронной эмиссии является измерение численности элементарного акта ( ЧЭА ) эмиссии и изучение статистики вылета электронов.

Традиционные методы исследования явления эмиссии сводятся к измерению эмиссионного тока при различных состояниях эмиттера и различных параметрах внешнего воздействия. В диапазоне сверхслабых токов ( 1(Г*9 * 10~^)А измерения осуществляются путём регистрации отдельных электронов. Совершенствование измерительной техники в этом направлении позволило осветить новую сторону явления эмиссии. Так, два десятилетия назад стали появляться работы, посвященные раздельной регистрации групп, содержащих различное число скоррелированных электронов.

Данные об относительном содержании в эмиссионном потоке групп по два, три и более электронов несут уникальную информацию о механизме того или иного вида эмиссии. Специфика явления автоэмиссии ( АЭ ) состоит в том, что в вакуум выходят электроны, не претерпевшие предварительного возбуждения. Исследование статистики невозбуждённого электронного газа затрагивает фундаментальный вопрос электроники твёрдого тела: с какой точностью справедливо одноэлектронное приближение, используемое в классическом описании явления АЭ.

В недавних экспериментах по измерению с рекордно высоким разрешением энергетического распределения электронов, протунне-лировавших в процессе АЭ, получены данные, отражающие электронно-электронное взаимодействие в кристалле - эмиттере. Согласно интерпретации авторов соответствующие события должны пришреде-ленных условиях сопровождаться туннелированием в вакуум пар скоррелированных электронов. Накопленный за всю историю автоэмиссионных исследований опыт приводит ряд исследователей к мысли о возможности различных механизмов образования групп скоррелированных электронов в процессе АЭ. Прямой проверки высказанных гипотез до сих пор не было.

На сегодняшний день достаточно подробно исследована статистика термоэлектронной эмиссии ( ТЭ ), фотоэлектронной эмиссии ( ФЭ ) и вторичной электронной эмиссии С ВЭ ). Высокие требования к условиям автоэмиссионного эксперимента объясняют тот факт, что до сих пор опубликовано крайне мало работ по статистике АЭ. Данные этих работ носят в основном предварительный характер и противоречивы.

Цель и задачи работы. Целью настоящей работы является исследование статистики вылета электронов в процессе АЭ при различных условиях, характерных для автоэмиссионных экспериментов.

Основные задачи работы можно сформулировать следующим образом:

1) выявление и анализ условий возникновения многоэлектронных актов эмиссии, играющих роль побочного эффекта при исследовании статистики АЭ;

2) создание корректной методики раздельной регистрации эмиссионных актов различной численности при АЭ с различных граней монокристаллов тугоплавких металлов, позволяющей проводить систематическое исследование статистики АЭ;

3) всестороннее исследование статистики АЭ вольфрама: а) для различных граней кристалла; б) для полного тока острия; в) при температурах от 77 К до 1000 к ; г) при адсорбция молекул остаточных газов; д) при обычной и критической перестройке кристалла;

4) исследование статистики АЭ молибдена,тантала и ниобия.

Научная новизна. Систематизированы данные прежних работ по статистике АЭ. С их учётом и в результате проведения контрольных опытов устранены паразитные эффекты при измерении численности элементарного акта АЭ.

Создана оригинальная конструкция экспериментального прибора, приспособленного для систематического комплексного исследования эмиттирующего кристалла.

Параметры регистрирующей системы и режим счёта электронов обеспечивают на порядок более высокую чувствительность обнаружения скоррелированных пар электронов по сравнению с измерениями численности элементарного акта АЭ, описанными в прежних работах.

В широком диапазоне условий исследована статистика АЭ вольфрама.

Статистика АЭ молибдена, тантала и ниобия исследовалась впервые в настоящей работе.

Обнаружен эффект появления экзоэлектронной эмиссии (ЭЭ) с катодного узла автоэлектронного проектора. Показан многоэлектронный характер ЭЭ и измерена её статистика.

Практическая значимость работы. Полученные данные по статистике АЭ важны для понимания природы шумов автокатода, кроме того, они должны учитываться при диагностике потока заряженных частиц в приборах с автокатодом.

Металлические автоэмиттеры могут быть использованы как удобные эталонные источники для определения одноэлектронных характеристик: I) электронных спектрометров, в том числе - предназначенных для исследования статистики различных видов эмиссии; 2) традиционных ВЭУ; 3) современных ВЭУ и ФЭУ на основе полупроводниковых детекторов.

Разработанные в ходе экспериментов оригинальные устройства для травления автоэмиттеров защищены двумя авторскими свидетельствами и были использованы на ряде предприятий отечественной промышленности.

Методика возбуждения и наблюдения многоэлектронной после-эмиссии с катодного узла может быть рекомендована для исследования ЭЭ.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы были доложены и обсуждались:

1) на ХУЛ Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике,

1979 г., Ленинград;

2) на Всесоюзном симпозиуме по не накаливаемым катодам,

1980 г., Томск;

3) на Всесоюзной школе "Полупроводниковые детекторы в ядерной физике", 1980 г., Юрмала;

4) на научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава и научных работников ЛЭИС им.проф. М.А, Бонч-Бруевича, 1978 - 1983 гг.

Вклад автора в разработку проблемы. Автором создана и настроена экспериментальная установка. Автор принимал непосредственное участие в проведении экспериментального исследования.Самостоятельно подготовлены, выполнены и обработаны измерения, предложена физическая интерпретация основных экспериментальных результатов я выдвинуты защищаемые положения.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, че

Основные результаты, полученные в настоящей работе, можно сформулировать следующим образом.

1. Разработана методика исследования .статистики АЭ для атомарно-чистой поверхностйтугоплавких металлов. Конструкция экспериментального прибора допускает зондовые измерения для любой грани исследуемого кристалла.

2. Установлено, что для всех кристаллографических направлений вольфрама АЭ является одноэлектронной на 99,9 %,

3. Установлено, что АЭ вольфрама сохраняет одноэлектронный характер яри температуре эмиттера в диапазоне от 77 К до 1000 К, при адсорбции молекул остаточных газов, при наличии остаточной с среды до давлений р ^ 10 Тор, при обычной и критической перестройке кристалла.

4. Установлено, что АЭ молибдена, тантала и ниобия имеет также одноэлектронный характер с точностью до 0,1 %.

5. Обнаружено, что детали катодного узла автоэлектронного проектора могут быть источником ЭЭ.

6. Установлено, что наблюдаемая ЭЭ носит многоэлектронный характер, и показана возможность исследования статистики и других закономерностей этого вида эмиссии с помощью предложенной методики.

В заключение выражаю глубокую благодарность профессору Г.Н. Фурсею за предложенную интересную тему исследования и руководство работой. Хочу также поблагодарить доцента Н.В.Егорова за помощь в организации эксперимента.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Модель газа свободных электронов в твёрдом теле с успехом использовалась в классическом описании явления АЭ £"2,3^. Строгое теоретическое описание многочастичных процессов, сопровождающих акт туннелирования электрона в вакуум, в литературе отсутствует. Гадзук и Пламмер [27^ развили теорию парного туннелирования в рамках модели взаимодействия электрона проводимости с "горячей дыркой*1, оставляемой в металле первичным протуннелиро-вавшим электроном. Толчком к этому послужили данные экспериментов по энергетическому распределению электронов при АЭ [28,29^, которые интерпретируются авторами с позиций корреляционных эффектов .

Идеи о возможности парного туннелирования высказывались также другими авторами для объяснения аномально высокой работы выхода грани (ПО) вольфрама и при рассмотрении флуктуаций прозрачности потенциального барьера, связанных с тепловыми колебаниями решётки [31] или с адсорбцией молекул остаточного газа на поверхности эмиттера [65^ .

Прямые экспериментальные подтверждения выдвинутых идей практически отсутствуют. Известные до сих пор работы по статистике АЭ представляют собой лишь попытки предварительного знакомства с предметом. В работе Газье [ 65^} констатировалось наличие пар электронов при АЭ в количестве нескольких процентов,в работе же Германа констатировалось отсутствие групп электронов с точностью до I %. Состояние объекта в этих работах не контролировалось, измерения проводились в ограниченных условиях работы экспериментального прибора, вовсе не приспособленного для автоэмиссионных исследований.

При таком положении дел оставался открытым вопрос о том, не связана ли наблюдавшаяся многоэлектронная эмиссия с паразитными эффектами я, с другой стороны, - не связана ли наблюдавшаяся одноэлектронность АЭ с низкой чувствительностью измерений.

В работах Г.Н.Фурсея с сотрудниками [67,68^был взят курс на создание корректной методики исследования статистики вылета электронов с учётом специфики автоэмиссяонного эксперимента.

В настоящей работе показано, что в приборах по статистике с дополнительным ускорением регистрируется многоэлектронная эмиссия, обусловленная ВЭ на промежуточном электроде. Устранение паразитного эффекта и усовершенствование конструкции зондо-вого прибора позволили провести первое систематическое исследование статистики АЭ. При этом во всех измерениях выдергивался режим регистрации, обеспечивающий на порядок более высокую чувствительность обнаружения скоррелированннх пар электронов по сравнению с измерениями, описанными в прежних работах.

1. Wood R.W. A new form of cathode discharge and the productionof X-rays, together with some notes of diffraction, Phys.Rev., 1897, H 1, p.1-10.

2. Fowler R.H., Nordheim L. Electron emission in intense electric fields. Proc.Roy.Soc., 1928, v.119, N A781, p.173-181.

3. Nordheim L. Die Theorie der Elektronenemission der Metalle -Physikalische Zeitschrift, 1929, Bd.30, N 7, S.117-196

4. Бете Г., Зоммерфельд А. Электронная теория металлов. Пер. с нем. JI.-M., ОНТИ НКТП СССР, 1938 , 316 с.

5. Бом Д. Квантовая теория. Пер. с англ., М., Физматгиз, 1961, .312 с.

6. Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. Автоэлектронная эмиссия. М., Физ-матгиз, 1958, 272 с.

7. Фишер Р., Нойман X., Львов О.И., %рсей Г.Н. Автоэлектронная эмиссия полупроводников. Под ред. И.Л. Сокольской. М., Наука, 1971, 215 с.

8. Dyke W.P., Trolan J.К. Field emission: large current densites, space charge and vacuum Arc. Phys.Rev., 1953, v.89, N 4,p.799-808.

9. Гофман И.И. Исследование электростатической эмиссии электронов из вольфрама в широком интервале плотностей тока. ФТТ, 1962, т. 4, № 8, с.2005-2014.

10. Murphy E.L., Good R.H. Termionic emission, field emission and transition region. Phys.Rev., 1956, v.102, N 6, p.1464-1473.

11. Guth E., Mullin G.J. Electron emission of metals in electric fields. Phys.Rev., 1942, v.61, N 5-6, p.339-348.

12. Андреев И.О. Исследование электронной эмиссии из металла в области ее перехода от холодной к термоэлектронной. Ж)ТФ, 1952, т.22, J& 9, с.1428-1441.

13. DoIan W.W., Dyke W.P. Temperature and - field emision of electrons from metals. - Phys.Rev.,1954,v.95, N 2, p.327-332.

14. Елинсон М.И., Добрякова Ф.Ф. и др. О теории автоэлектронной и термоавтоэлектронной эмиссий металлов и полупроводников. -Радиотехника и электроника, 1961, т.6, №8, с.1342-1353.

15. Зандберг Э.Я., Ионов Н.И. Поверхностная ионизация. М., Наука, 1969, 432 с.

16. Мюллер Э.В. Автоионизация и автоионная микроскопия. УФН, 1962, т.77, & 3, с.481-552.

17. Елинсон. М.И. и др. Ненакаливаемые катоды. М., Сов. радио, 1974, 336 с.

18. Елинсон М.И. Эмиссия электронов под действием сильных электрических полей. Док.дис. Л., ЛПИ им. М.И.Калинина, 1961.

19. Лифшиц И.М., Азбель М.Я., Каганов М.И. Электронная теория металлов. М., Наука, 1971, 416 с.20. йцкович Ф.И. К теории автоэлектронной эмиссии металлов. 4.1 -ЖЭТФ, 1966, т.50, № 5, с.1425-1437.

20. Ицкович Ф.И. К теории автоэлектронной эмиссии металлов. Ч.П -ЖЭТФ, 1967, т.52, № 6, с.1720-1735.

21. Swanson L.VY., Crouser L.C. Total energy distribution of field-emitted electrons and single-plane work function for tungsten. -Phys.Rev., 1967, v.163, N 3, p.622-641.

22. Бродский A.M., Гуревич Ю.Я. Теория электронной эмиссии из металлов. М., Наука, 1973, 255 с.

23. Бродский A.M., Гуревич Ю.Я. Пороговая теория электронно-эмиссионных явлений. Изв. АН СССР, сер. физ., 1969, т.33, J6 3, с.388-396.

24. Gadzuk J.W. Many-body tunneling-theory approach to field emission of electrons from solids. Surf.Science, 1969, v.15, p.466-482.

25. Кулик И.О., Янсон И.К. Эффект Джосефсона в сверхпроводящих туннельных структурах. М., Наука, 1970, 272 с.

26. Gadzuk J.W., Plummer E.Y/. Pield emission Energy Distribution (PEED). Reviews of Modern Physics, 1973, v.45, N 3, p.487-548.

27. Gadzuk J.W., Plummer E.W. Hot-Hole-Electron Cascades in Pield Emission from Metals. Phys.Rev.Lett., 1971» v.26, N 2, p.92-95.

28. Lea C., Gomer R. Evidence of electron-electron scattering from field emission. Phys.Rev.Lett1970, v.25, N 12, p.804-806.

29. Engel Т., Gomer R. Search for field-emission of electron pairs. Proceeding of 14th Pield Emission Symp., NBS, Maryland and Georgetown University, 1967, p.6.

30. Young R. Search for field emission of "paired" or correlated electrons. Proceedings of 14th Pield Emission Symp., NBS, Maryland and Georgetown University, 1967, p.7-10.

31. Nikliborc J., Dworecki Z. Work function of xenon on individual crystal faces of tungsten. Acta physica polonica, 1967, v.32, f.6(12), p.1023-1024.

32. Young R.D., Clark H.E. Effect of surface patch fields on field-emission work-function determinations. Phys.Rev.Lett., 1966, v.17, N 7, p.351-353.

33. Young R.D., Clark H.E. Anomalous work function of the tungsten (110) plane. Appl.Phys.Lett1966, v.9, N 7, p.265-268.35.,Фоменко B.C., Подчерняева И.А. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. Справочник. М., Атомиздат, 1975, 320 с.

34. Duke С.В., Alferieff М.Е» Field, emission through atoms absorbed on a metal surface. J.Chem.Phys., 1967, v.46, N 3» p.923-937.

35. Добрецов JI.II. Автоэлектронная эмиссия металла, покрытого слоем адатомов. ФТТ, 1965, т.7, В II, с.3200-3203.

36. Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М., Наука, 1966, 564 с.

37. Gazier С. Multiple-electron events from field emission. -Phys.Lett., 1971, v.35A, N4, p.243-244.

38. Ziegler M. Shot effect of secondary emission. Physica, 1935, v.2, N 4, p.415-416.

39. Schottky W. Zur Berechnung und Beurteilung des Schroteffektes. Annalen der Physik, 1922, Bd.68, H.10, S.157-176.

40. Kurrelmeyer B*, Hayner L.J. Shot Effect of Secondary Electrons from Nickel and Beryllium. Phys.Rev., 1937, v.52, N 9,p.952-958.

41. Кватер Г.С., Мищенко Е.Д. Многоэлектронность акта фотоэмиссии сурьмяно-цезиевого фотокатода в ультрафиолетовой области спектра. Оптика и спектроскопия, 1972, т.33, № I, с.107-109.

42. Щемелев В.Н., Румш М.А. Исследование элементарного акта рентгеновского фотоэффекта при помощи анализа амплитудного распределения импульсов на выходе ВЭЦ. ФТТ, 1962, т.4, № 10, с.2795-2801.

43. Barrington R.E., Anderson J.M. The probability of multiple emissions of secondary electrons» Proc.Phys.Soc., 1958, v.72, pt.5, N467, p.717-726.

44. Бакал M., Добрецов Л.Н. Вакуумный конденсатор Милликена. 4.1. Радиотехника и электроника, 1961, т.6, А1? 4, с.637-641.

45. Афиногенов Л.П., Бакал М., Филиппов Ю.А. Вакуумный конденсатор Милликена. Ч.П. Радиотехника и электроника, 1961, т.6, вып.4, с.642-648.

46. Филиппов Ю.А. Вакуумный конденсатор Милликена. Ч.Ш. Радиотехника и электроника, 1963, т.8, вып.8, с.1466-1470.

47. Kolath R., Simon К, Bemerkung zur Mehrfash-Emission von Se-kundarelektronen. Z.Phys., 1964, Bd.179, И 3, S.274-275.

48. Haussler P., Untersuchungen zur Mehrfach-Emission von Sekun-darelektronen. Z.Phys., 1964, Bd.179, N 3, S.276-284.

49. Poo V.Y., Dougal R.C. Multiple emission distribution of secondary electrons from metals. J.Phys.C., 1968, v.1, N 5, p.1324-1331.

50. Collins L.E., Stroud P.T, The multiple emission of electrons in a secondary-electron particle counter. Brit.J.Appl.Phys., 1967, v.18, N 8, p.1121-1125.

51. Трофимчук H.H., Лорикян М.И., Кавалов Р.Л. Устройство для исследования статистики вторичных электронов в эмиссионных процессах. ПГЭ,1974, № 5,0.149-151.

52. Simon К.Н., Herrmann М., Schackert P. Nachweis der Mehrfach-emission von Sekundarelektronen mittels Proportionalzahlrohr. -Z.Phys., 1965, Bd.184, S.347-351.

53. Schackert P. Zur Sekundarelektronenemission durch Argonionen und Argonatome im Energiebereich von 1 bis 20 keV. Z.Phys., 1966, ва.197, H.1, S.32-40.

54. Савинов Е.П,, Щемелев В.Н. Пропорциональный счетчик электронов с энергией /3-10/ кэВ. ПТЭ, 196-9, № 6, с.213.

55. Савинов Е.П., Щемелев В.Н. Статистика внешнего рентгеновского фотоэффекта массивных катодов. ЖЭТФ, 1971, т.60, вып.4, с.1371-1378.

56. Deloney C.F.G., Walton P.W. Measurement of the statistics of secondary electron emission. IEEE Trans.Nucl.Sci., 1966, NS-13, p.742-746.

57. Wilcock W.L. Statistics of Transmitted Secondary Electron Multiplication. Advances in Electronics and Electron Physics, 1966, V.22A, p.629-633.

58. Hughes J.S., Wilcock W.L., Smith D.G. Absolute Photoelectric Emission Statistics of Aluminium, Silver and Potassium Chloride in the Ultra-soft X-Ray Region. Adv. in Elect, and Elect.Phys., 1972, V.33A, p.433-445.

59. McDonalt I.R., Lamki A.M., Delaney C.F.G. Electron emission from alkali halides under X-ray bombardment. J.Phys.D.Appl. Phys., 1973, v»65 p.37-96.

60. Кватер Г.С., Мищенко Е.Д., Прилипко В.К., Щемелев В.Н. Установка для исследования статистики актов внешней' фотоэмиссиив области спектра излучения 20-300нм.-1ТГЭ,1975, J£ I, с. 183-186.

61. Haag Н. Dissertation. Mainz, 1962.

62. Herrmann М. Untersuchung verschiedener Elektronenemission-sprozesse auf Mehrfachemission. 2.Phys., 1965» Bd.184, S.352-354.

63. Gazier C. Multiple-electron events from field emission. -Phys.Lett., 1971, V.35A, N4 , p.243-244.

64. Kaminsky M. Atomic and ionic impact phenomena on metal surfaces. 1965, Berlin, Springer, p.237.

65. Мохасне М.М., Пономарев B.C., Егоров Н.В., Фурсей Г.Н., Ще-мелев В.Н. Методика исследования статистики автоэлектронной эмиссии. ПТЭ, 1976, № 2, с.150-152.

66. Фурсей Г.Н.,Мохасне М.М., Егоров Н.В., Пономарев B.C., Щеме-лев В.Н. Статистика автоэлектронной эмиссии. ФТТ, 1976,т.18, с.631-632.

67. Козлов И.Г. Современные проблемы электронной спектроскопии. М., Атомиздат, 1978, 248 с.

68. Перцев А.Н., Писаревский А.Н. Одноэлектронные характеристики ФЭУ и их применение. М.Атомиздат, 1971, 77 с.

69. Тютиков A.M., Шуба Ю.А. Измерение малых фототоков при исследовании фотоэлектронной эмиссии. Оптика и спектроскопия, I960, т.9, вып.5, с.631-634.

70. Тютиков A.M. Электронные умножители открытого типа. УФН, 1970, т.100, вып.З, с.467-503.

71. Бахтизин Р.З., Ккагузин Ю.М. Автофотоэлектронный умножительв одноэлектронном режиме. Электронная техника, 1980, сер.4, вып.З, с.17-20.

72. Chevalier P. Phot^multiplicateur a haute resolution utili-zant un multiplicateur semiconducteur. Nucl.Instr. and Meth., 1967, v.50, p.346-348.

73. Тутов Е.П., Тюрина Н.Б., Сапрыкин P.П., Федосеева О.П. Кремниевые детекторы для спектрометрии электронов и мягкого рентгеновского излучения. ПТЭ, 1978, № 4, с.68-71.76'. Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия.

74. М., Наука, 1969, 407 с. 77. Вольдсет Р. Прикладная спектрометрия рентгеновского излучения. М., Атомиздат, 1977, 192 с.

75. Фрейберг Г.П. Изготовление тонких автоэлектронных эмиттеров. -ПТЭ, 1967, № 6, с.176-178.

76. Крю А., Эггенбергер Д., Уолл Дж.» Уэлтер Л. Электронная пушка на основе источника с холодной эмиссией. Приборы для научных исследований, 1968, т.39, 4, с.134-141.

77. Мюллер Э., Цонь Т. Автоионная микроскопия. Принципы и применение. М., Металлургия, 1972, 360 с.

78. Панкратьев Е.М., Рюмин В.П., Щелкина В.П. Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова. М., Энергия, 1969, 56 с.

79. Абрамов А.И., Казанский Ю.А., Матусевич Е.С. Основы экспериментальных методов ядерной физики. М., Атомиздат, 1977,525 с.

80. Zulliger H.R., Aitken D.W. Pano factor fact and fallacy. -IEEE Trans.Nucl.Sci., 1970, v. NS-17, К 3, p.187-195.

81. Акимов 10.К., Калинин А.И., Кушнирук В.Ф., Юнгклауссен X. Полупроводниковые детекторы ядерных частиц и их применение. М., Атомиздат, 1967, 255 с.

82. Пазман А. Расчет искажения амплитудного спектра вследствие наложения импульсов. ПТЭ, 1969, № 3, с.112-115.

83. Волков Н.Г., Синьков В.В., Федотов С.Н. Метод анализа искажений амплитудных спектров вследствие наложений импульсов в тракте спектрометра. ПТЭ, 1980, № I, с.105-107.

84. Кочерыженков А.В., Егоров К.В. Исследование численности элементарного акта при автоэлектронной эмиссии. В кн.: Тезисы докл. ХУП Всесоюзной конф. по эмиссионной электронике. Л., 1978, с.434.

85. Афанасьева Н.П., Егоров Н.В., Кочерыженков А.В., Фурсей Г.Е. Методика исследования численности элементарного акта при автоэлектронной эмиссии. ПТЭ, 1982, № 5, с.141-142.

86. Паутов Д.М., Кочерыженков А.В. Устройство для травления автоэмиттеров. Авт. свид. J6 568981, БИ, 1977, № 30.

87. Кочерыженков А.В., Фурсей Г.Н., Егоров Н.В. Статистика электронной эмиссии металлических автокатодов. В кн.: Тезисы докл. Всесоюзного .симпозиума по ненакаливаемым катодам. Томск, 1980, с.26-27.

88. Фурсей Г.Н., Егоров Н.В., Кочерыженков А.В. Статистика автоэлектронной эмиссии для различных граней монов^исталла вольфрама. Письма в ЖТФ, 1981, т.7, № 13, с.798-801.

89. Muller E.W. Elektronenmikroscopische Beobachtungen von Feld-kathoden. Z.Phys., 1937, Bd.106, H.9-10, S.541-550.

90. S4. Oostrom A.G.J. Validity of the Fowler-Nordheim model for field electron emission. Philips Reseach Reports, Supplement N 1, 1966, p.1-102.

91. Тумарева Т.А., Кирсанова Т.С., Иванов В.А., Ли Г.Д. Разработка методики экспериментального исследования распределения автоэлектронов по энергиям. В кн.: Тр. Лен. Политехи, ин-та, 1980, В 371, с.29-32.

92. Gomer R. Velocity Distribution of Electrons in Field Emission. Resolution in the Projection Microscope. J.Chem.Phys., 1952, v.20, N 11, p.1772-1776.

93. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов. M., Энергия, 1973, 655 с.

94. Muller E.W. Weitere Beobachtungen mit dem Feldelektronen-mikroskop. Zs.Phys., 1938, Bd.I08, S.66&-680.

95. Benjamin M., Jenkins R. The distribution of autelectronic emission. Pr0c.R07.S0c., 1940, v.176, H 965, p.262-279.

96. Сокольская И.Л. Применение автоэмиссионного микроскопа для изучения поверхностной диффузии и самодиффузии. В сб. Поверхностная диффузия и растекание. -М., Наука, 1969, с.108-148.

97. Горбатый Н.А., Решетникова Л.В., Сытая Е.П., Шуппе Г.Н.j

98. Электростатическая эмиссия с монокристалла тантала. ЖТФ, 1957, т.27, вып.2, с.296-298.

99. Паутов Д.М., Сокольская И.Л. Изучение поверхностной самодиффузии тантала методом автоэлектронной микроскопии. ФТТ, 1968, т.10, вып.8, с.2473-2479.

100. Паутов Д.М. Поверхностная самодиффузия ниобия в электрическом поле. ФТТ, 1971, т.13, вып.4, с.1204-1205.

101. Kraramer J. Spitzenzahler und Zahlrohr bei metallographischen Oberflachenuntersuchungen. Z.Phys., 1949, Bd.125, H.11/12, S.739-756.

102. Экзоэлектронная эмиссия. Пер. И.В.Крыловой под ред. Н.И.Кобозева. М., ИЛ, 1962, 306 с.

103. НО. Экзоэлектронная эмиссия и ее применение. Тезисы дом. I Все-союзн. научн. совещания, Свердловск, 29-30 мая 1979 г. -Свердловск : УПИ, 1979, 203 с.

104. Экзоэлектронная эмиссия и ее применение. Тезисы докл. П Все-союзн. конф., Рига, 27-29 дек. 1981 г. Рига: РПИ, 1981,85 с.

105. Sujak В., Gorecki Т. Egzoemisja elektronow podczas przemian fazowych oraz podczas reakcji w cialach stalych. Wiadomosci chemiczne, 1973, R.ZZVII, Z.6(312), S.361-384.

106. Рабинович Э. Экзоэлектроны. УФН, 1979, т.127, В I, с.163-174.

107. Jakubowicz S. Statistika egzoemisji elektronow. Acta Univer-sitatis Wratislaviensis, 1976, v.20, N 272, p.41-46.

108. Комар А.П., Савченко В.П. Размеры и форма поперечного сечения образований, обусловливающих аномальную автоэлектронную эмиссию органических полупроводников. -ДАН, 1964, т. 158, № 6, с. I3I0-I3I3.

109. Вентова И.Д., Фурсей Г.Н. Особенности процесса поверхностной самодиффузии в условиях критической перестройки. ЖТФ, 1973, т.43, £ II, с. 2432-2440.

110. Шредник В.Н., Павлов В.Г., Рабинович А.А., Шайхин Б.М. Воздействие сильного электрического поля и нагрева на металлические острия. Изв. АН СССР, сер.физ., 1974, т. 38, £ 2, с. 296-301.

111. Сокольская ИД. Поверхностная миграция атомов вольфрама в электрическом поле. ЖТФ, 1956, т.26, $ 6,с. II77-II84.

112. Павлов В.Г., Рабинович А.А., Шредник В.Н. Температурная зависимость минимальной напряжённости электрического поля, необходимой для образования термополевых микровыступов. ЖТФ, 1977, т.47, & 2, с.405 - 409.