Исследование элекрофизических свойств вторичного литого поликристаллического кремния и солнечных элементов на его основе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Анализ основных достижений в области исследования полупроводниковых солнечных элементов.

Глава 2. Методика эксперимента.

2.1. Экспериментальное оборудование для получения литого поликристаллического кремния и изготовления солнечных элементов на его основе.

2.2. Методы и установки для исследования электрофизических параметров литого поликристаллического кремния и солнечных элементов на его основе.

Глава 3. Разработка технологии получения и исследование электрофизических параметров вторичного Отитого поликристаллического кремния и солнечных элементов на его основе.

3.1. Разработка технологии получения вторичного литого поликристаллического кремния.

3.2. Разработка технологии изготовления поликристаллических солнечных элементов.

3.3. Основные электрофизические характеристики исходных материалов, полуфабрикатов и солнечных элементов в процессе их изготовления.

3.4. Сравнительный анализ водородной пассивации солнечных элементов, изготовленных на основе поликристаллического кремния различных видов.

Актуальность темы. Рост энергопотребления имеет глобальный характер и сопровождается быстрым истощением традиционных сырьевых энергетических ресурсов. В связи с этим актуально увеличение объемов использования нетрадиционных источников энергии, одним из которых является метод преобразования солнечной энергии, запасы которой практически неистощим. Наиболее разработанным и основным методом преобразования солнечной энергии в электрическую является фотоэлектрический метод, основанный на фотовольтаическом эффекте возникшем при облучении светом так называемых неоднородных полупроводниковых структур, т.е. структур с р-п-или гетеропереходом, а также структур с градиентом ширины запрещенной зоны.

Естественными факторами препятствующие широкому использованию солнечных фотоэлектрических станций (СФЭС) являются сезонная и среднесуточная неравномерность поступления солнечной энергии на Землю, существенное влияние на интенсивность излучения погодных условий, а также низкая плотность излучения на поверхности Земли. Именно этот, последний недостаток, обусловливает высокую стоимость электроэнергии вырабатываемой с СФЭС, поскольку для получения практически значимых мощностей необходимо осуществлять сбор и преобразование солнечного излучения с больших площадей, что сопряжено как с затратами большого количества дорогостоящих полупроводниковых материалов, так и .необходимостью разработки и поддержания высокопроизводительных промышленных технологий изготовления указанных материалов и солнечных элементов (СЭ) на их основе.

В связи с этим, на первый план выходит привлечение и расширение применения для производства СЭ не традиционной сырьевой базы Не останавливаясь на сравнительно слабо развитом в СНГ производстве аморфного гидрогенезированного кремния, можно предположить,что наиболее приемлемыми вариантами являются поликристаллический кремний(ПК) и отходы производства ИЭТ,а также их сочетание.

Сложившиеся размещения производительных сил в регионе таковы,что Киргизия, Таджикистан и Узбекистан являются обладателями всей цепи производства ПК разного назначения ,а также действующими производствами ИЭТ способные в кратчайшие сроки освоить изготовление СЭ

Совершенно уникальная ситуация с точки зрения производства ПК сложилась в Таджикистане. На Ленинабадском комбинате редких металлов (п.г.т. Чайрух-Дайрон) освоено производство вторичного литого поликристаллического кремния (ВЛПК). Его выпуск осуществляется на привозном сырье-отходы производства сырцевого и монокристаллического кремния, а также некоторых ИЭТ. Имеющиеся на АО «Алмос» г. Худжанд оборудования позволяют после некоторой реконструкции освоить выпуск СЭ на основе ВЛПК.

Целью настоящей работы является комплексное исследование электрофизических свойств вторичного литого ПК и СЭ на его базе и на этой основе выдать научно обоснованные режимы изготовления ПК и СЭ, сформулированных в виде технологических рекомендаций для внедрения на существующих в регионе производствах, а также основ для закладки в Республике Таджикистан собственного производства СЭ с высокой эффективностью и с использованием малоэнергоемких экологически чистых технологий.

Для достижения указанной цели в диссертации были поставлены и решены следующие основные задачи:

- выборка сырья и отработка режимов литья для получения ВЛПК, пригодный на нужды фотоэнергетики;

- проведение исследований электрофизических параметров СЭ на ВЛПК на прямом и концентрированном солнечном излучении (КСИ);

- оценка влияния водородной пассивации, выбора просветляющего покрытия, методов получения р-n- перехода и других факторов на выходные параметры СЭ;

- разработка технологической цепочки по выпуску полуфабрикатов и СЭ на ВЛГЖ и выдача рекомендаций по оптимизации цикла изготовления;

- изучение путей повышения рентабельности производства СЭ через комплексное использование отходов на основных операциях;

Научная новизна диссертационной работы.

1. Из отходов производства заводов электронной техники и металлургии кремния впервые получен В ЛПК, пригодный для получения наземных СЭ.

2. Обнаружен нетривиальный ход зависимости подвижности основных носителей тока в ВЛПК от концентрации легирующей примеси с образованием так называемой «ямы» подвижности, возникновение которой зависит от размеров зерен ВЛПК.

3. Показана возможность достижения на СЭ из ВЛПК КПД < 12 % в лабораторных и ~ 8 % в промышленных условиях по упрощенной технологии.

4. Повышение КПД СЭ на ВЛПК обеспечивается водородной пассивацией зарядовых состояний на границах зерен.

5. Выявлен диапазон КСИ ( 5-НО крат, Р0 = 850 Вт/м2 ) в пределах которого на СЭ из ВЛПК обнаруживается эффект сверхлинейного роста тока короткого замыкания с ростом уровня облучения, обусловленный реструкцией рекомбинационных центров на зарядовых состояниях под воздействием интенсивной засветки. Предложен физический механизм объяснения данного явления , основанный на квадратичном увеличении времени жизни носителей тока, обусловленной нейтрализацией рекомбинационных центров границ зерен неравновесными носителями возникшими при интенсивном облучении. Показано, что интенсивность проявления эффекта сверхлинейности зависит от размера зерен ВЛПК и степени их пассивации, в том числе и водородной. На полностью пассивированном материале характер изменения тока короткого замыкания (1кз) от уровня засветки не отличается от наблюдаемых у монокристаллических СЭ.

6. Максимум спектральной чувстительности СЭ из ВЛПК сдвинут в коротковолновую область 0,7 мкм.), что обусловлено спектром энергетических уровней граничных зарядовых состояний. Это обстоятельство делает ПК привлекательным материалом для использования в наземной фотоэнергетике.

7. На р-п-структурах из ВЛПК с заведомо высокой концентрацией локальных включений обнаружена более сильная зависимость коэффициента выпрямления от температуры и на этой основе разработан новый полупроводниковый прибор —защитное устройство нити ламп накаливания ( ЗУЛН ).

Практическая ценность работы.

1. Выданы научно обоснованные режимы изготовления ВЛПК и СЭ на его основе, сформулированные в виде технологических рекомендаций для внедрения на существующих в регионе производствах.

2. Показано, что при определенной, вполне реализуемом выборе сырья, возможно получение слитков кремния удовлетворящие требованиям производства высокоэффективных СЭ.

3. Показана возможность использования имеющегося на АО «Алмос» оборудования для изготовления полуфабрикатов и СЭ из указанных слитков.

4. Показана возможность изготовления (любыми из известных технологий: диффузия,ионная имплантация, создание М.Д.П.-структуры) солнечных поликристаллических элементов с КПД до 12% при освещении 850 Вт./м2, что соответствует международному стандарту AMI,5.

5. По упрощенной технологии показана возможность изготовления СЭ с КПД 8%, вполне приемлемых не только для создания солнечных батарей (СБ) на мощности 0,5-ЗВт.,но и солнечных станций на мощности ~ 250Вт.

6. Показаны пути максимальной утилизации собственных отходов через схемы изготовления товаров народного потребления (ТНП).

7. Полученные результаты представляются полезными при организации производства СЭ из технического кремния высших марок, поскольку этот материал аналогичен по ряду параметров исследованному ВЛПК.

Основные защищаемые положения.

1. Температура диффузионных процессов на операциях создания р-п-переходов на ВЛПК выбирается ниже чем на аналогичных операциях проводимых на монокристаллическом кремнии, вследствие более высоких скоростей диффузии мелких примесей в поликристаллических материалах.

2. В отличие от монокристаллического кремния, концентрация легирующей примеси в базе и фронтальном слое выбираются более высокими вследствие сегрегации части лигатуры на границах зерен. При этом абсолютные величины уровней легирования выбираются вне «ямы» подвижности, проявляющейся на ВЛПК и зависящей от размеров зерен.

3. Диапазон концентраций солнечного излучения в пределах которого проявляется эффект сверхлинейности роста тока короткого замыкания составляет у СЭ на основе ВЛПК 5 -н 10 крат, и зависит от размера зерен и степени их пассивации.

4. Водородная пассивация граничных зарядовых состояний у СЭ на основе ВЛПК позволяет приблизить их энергетические параметры к таковым у СЭ из моно-Si, а именно обеспечить получение КПД у лабораторных образцов на уровне 12 % и ~ 8 % у серийно изготовляемых по упрощенной технологии.

5. Наблюдаемый у СЭ на основе ВЛПК эффект сверхлинейности может быть объяснен реструкцией рекомбинационных центров, обусловленных зарядовыми состояниями на границах зерен под действием интенсивной засветки приводящей к увеличению числа неравновесных носителей превышающих концентрацию ловушек, что в конечном счете ведет к квадратичному росту времени жизни носителей тока с уровнем засветки.

6. Возможность использования технического кремния высших марок для нужд фотоэнергетики посредством получения методом литья ПК и СЭ на его основе.

7. Рентабельность производства СЭ на основе ВЛПК может быть повышена организацией выпуска ряда ТНП на основе отбракованных полупроводников основного производства. Примером такого ТНП является ЗУЛН -полупроводниковый прибор разработанный на р-п-структурах из ВЛПК с повышенной чувствительностью вольтамперной характеристики к температуре.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в печатных работах. Результаты исследования докладывались и обсуждались на научно-технической конференции «Проблемы использования солнечной энергии в странах СНГ», ( г. Сочи, октябрь 1993 г. ), на международной конференции, посвященной 60-летию Таджикско-Памирской экспедиции «История и перспективы развития горнорудной промышленности Средней Азии» (г.Худжанд, июль 1994г.), на международной научно-технической конференции «Проблемы производства моно- и поликремния для солнечной энергетики и микроэлектроники» ( г. Наманган, июнь 1998 г.), на заседании «Круглого стола» с участием Председателя Согдийской области, посвященной проблемам развития нетрадиционных источников энергии (г.Худжанд, сентябрь 1997г.), на научно-методических семинарах кафедры общей физики и физики твердого тела ХГУ им. академика Б.Гафурова и т.д.

Публикации и вклад автора. Основные результаты исследований опубликованы в 8 печатных работах, написанных в основном в соавторстве. Личный вклад заключается в постановке задач исследований, в обсуждение анализа результатов, проведение экспериментов и формулировании основных выводов.

Структура и объем диссертации. Работа состоит из введения, четырех глав основного текста и заключения. Общий объем работы составляет 147

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. Показано, что при обеспечении предварительной выборки из кремниевых отходов р-типного сырья возможно устойчивое получение исходного литого поликристаллического кремния, пригодного для использования в производстве СЭ.

2. Сформулированные в виде технологических рекомендаций научно обоснованные в результате исследований режимы получения ВЛПК и изготовления СЭ на его основе внедрены на существующих в регионе производствах.

3. Определен диапазон концентрации легирующей примеси в пределах которого подвижность носителей заряда в ВЛПК изменяется с образованием «ямы» подвижности, в пределах которого изготовленные СЭ из ВЛПК обладают крайне малой эффективностью. Положение «ямы» подвижности зависит от размеров зерен ВЛПК.

4. Показано, что в результате водородной пассивации рекомбинационной активности зарядовых состояний обеспечивается приближение электрофизических параметров к таковым у монокремния, однако это сопровождается уменьшением вероятного проявления эффекта сверхлинейности.

5. Обнаружен максимум спектральной чувствительности СЭ на ВЛПК находящейся ближе других образцов к максимуму солнечного излучения и в этом плане ВЛПК является наиболее привлекательным материалом для нужд наземной фотоэнергетики.

6. В результате исследования поведения СЭ из ВЛПК на КСИ установлен диапазон интенсивности засветок в пределах которого у таких СЭ обнаруживается эффект сверхлинейного роста тока короткого замыкания от плотности падающего солнечного излучения. Показан факт зависимости проявления эффекта сверхлинейности от размеров зерен ВЛПК и степени их пассивации ионами водорода.

7. Указаны пути повышения рентабельности производства СЭ на основе ВЛПК через комплексной утилизации их отходов на всех этапах технологической цепи. Создан новый полупроводниковый прибор для защиты нити ламп накаливания от бросков пускового тока, изготовленный из некондиционных частей ВЛПК с включениями углерода и карбида кремния.

8. Предложена экономически выгодная схема производства СЭ из литого технического кремния минуя сравнительно громоздкую, энергоемкую и экологически небезопасную хлорсилановую технологию.

1. Principal Conclusions of the American Physical Society Study on Solar Photovoltaic Energy conversion, American Physical Society, NY, 1979.

2. Henry C.H., Limetong S. Efficiency of Ideal Single and Multiple Energy Gap Terristral Solar cells, J.AppI. Phys. 1980, 51, p. 4498,.

3. Андреев B.M., Румянцев В.Д. Солнечные гетерофотоэлементы и энергоустановки на их основе. Электротехника, 1986, №2, с.3-11

4. Jocida S., Nutsuki, Oda Т., et. al. Солнечный элемент на основе AlGaAs-GaAs большой площади, полученный методом жидкофазной эпитаксии для использования в космосе. 17-th IEEE Photovolte Spec. Conf., Kissem-mea, Fla., 1-4 May, 1984, N.Y., 1984, p. 42-45.

5. Арбузов Ю.Ф., Евдокимов B.M. Принципы и перспективы фотоэлектрического преобразования солнечного излучения.// Гелиотехника, 1993, №1, с. 3-12.

6. Vayet, Gavaud, Mentegu et. al., 19-th IEEE Photovolt. Spec. Conf. New Orleans, Fla., May 4-8, 1987, Conf. Rec., N.Y., 1987, p. 98-104.

7. Киреев П.С. Физика полупроводников.- M.: Высшая школа, 1975, с. 150.

8. Gran М.А., Wenham S.P. High efficiency Silicon Solar cells, presend status. Optoelectronic Devices and Technology, 1990, 5, №2, p. 135-142.

9. Фаренбрук А., Вьюб P. Солнечные элементы. Теория и эксперимент. // М.: Энергоатомиздат, 1987, с. 187.

10. Lawrence L., Kazmerski L. Renewable and Sustainable Energy Reviews, 1997, v. 1 №1/2, p. 71-170.

11. Green M.A.Silicon solar cells: evolution, high efficiency desigh and efficiency enhanctvtnts, Semicond. Sci. and Technic., 1993, 8, №1, p 1-2.

12. Green M.A., Blakers A.W., et. Al., 17-th IEEE Photovolt. Spec. Conf., Kis-semmee, Flo. 1-4 May, 1984, N.Y. 1984, p. 386-389.

13. Hirabevashi M., Yokoysma H., Horigome Т., et. al. Photovoltaic power generation system for factory 11 19-th Inters. Energy Convers. Eng. Cjnf., San-Francisco, 1984, vol. 4. p. 2103-2107.

14. Trabis F. G. The CEC photovoltaic pilct projects // 6-th E.C. Photovoltaic Sclar. Energy Conf. London, 1985, Dordrecht e.a. 1985, p. 474-480.

15. Meereis I. Photovoltaics in the Swedish power system // Int. I. Ambient Energy. 1985, v. 6, № 4, p. 205-208.

16. Beckus C.E. The status of photovoltaic convertion // 1-st Arab. Int. Sci. and Eng. Conf. Kiwait, 1983, Oxford e. S. 1983. p. 163-177.

17. Hurst C. Photovoltaics in developing cjuntries // Appl. Photovolt. Conf. UK-ISES(C41),Newcastle up on Tyne, 1985, London, 1985, p.5/22-5/27.

18. Muller L., Barhdafi A., Courcellc Е., et.al. // Pasivation of polycrystalline silicon solar cells by low energy hydrogen ion implatation // Solar Cells, 1986., v,17,№2-3,p. 201-231.

19. Абдурахманов Б.М., Билялов P.P., Чирва В.П., Саидов М.С. Способ изготовления кремниевых поликристаллических фотоэлементов. А.С. № 1545853.

20. Головнер Т.М., Зайцева А.К., Марасанова Э.А. и др. //Гелиотехника. 1980, №3, с.15-17.

21. Кочубей А.А., Разгоняев Ю.В. Несмеев Э.Н. Определение выходной мощности наземной солнечной батареи. //Гелиотехника. 1987, №3. с Л 215.

22. Разгоняев Ю.В., Нагайкин А.С.//Гелиотехника. 1991, №2, с.33-37.

23. Искандеров А., Кравчик В.Д., Муминов Р.А. и др. Акустостимулнрованное изменение фотоотклика солнечных элементов на ленточном кремнии. // Гелиотехника, 1988, №6, с. 19-22

24. Ласло Т. Оптические высокотемпературные печи. М.: Мир, 1968, 138 с.

25. Саидов М.С. Тенденции исследований немонокристаллических кремниевых солнечных элементов. //Гелиотехника. 1989, №5, с. 13.

26. Венгин С.И., Чистяков А.С. Технический кремний. М. 1972, 212с.

27. Коломеец И.В., Маркман М.А., Шматок Ю.И. // Гелиотехника. 1980, №5, с.24-28.

28. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю., //ДАН РУз, 1986, №6, с.23-26.

29. Васильев A.M., Евдокимов В.М., Макаров Н.Н., Милаванов А.Ф. Оптимизация фотоэлемента при больших уровнях освещения. //Гелиотехника., 1974, №1, с.3-9.

30. Hamaker Н.С., Ford C.W., Werthen I.С. et.al. 26% efficient vagnesi undoped AlGaAs/GaAs solar concentrator cells//Appl. Phys. Lett., 1985, v. 47, №1, p.762-764.

31. Захидов Р.А. Зеркальные системы концентрации лучистой энергии. Ташкент, Фан, 1986. 178с.

32. Тепляков А.И. Перенос и распределение излучения в гелиоустановках с зеркальными концентраторами. // Преобразователи солнечной энергии на полупроводниках. М.: Наука, 1968, с. 135-160.

33. Алферов Ж.И. Фотоэлектрическая солнечная энергетика. / Будущее науки. М.: Знание, 1978, с.92-101.

34. Андреев В.М., Грилихес В.А., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. Л.: Наука, 1984, --310 с.

35. Ландсман А.П., Стребков Д.С. Об эффективности преобразования солнечной энергии в высоковольтном фотоэлектрическом генераторе // Гелиотехника, 1974, № 1,с. 3-9.

36. Burgess E.I., Edenburn M.W. Conf. Rec. IEEE. Photovoltaic Spec. Conf. 1976, v.12, p. 774.

37. Далецкий Г.С., Зайцева A.K., Конева Л.Г. Исследование кремниевых фотопреобразователей при высоких концентрациях светового потока //Гелиотехника, 1967, №2, с.3-9.

38. Ландсман А.П., Стребков Д.С. Исследование высоковольтных фотоэлектрических генераторов при сверхвысоких концентрациях светового потока. //Гелиотехника, 1970, №2, с. 15-20.

39. Афян В.В., Вартанян А.В. и др. Исследование высоковольтных фотоэлектрических генераторов с концентраторами солнечного излучения. //Гелиотехника, 1980, №4, с. 12-15.

40. Галкин Г.Н., Епифанов М.С. и др. Матричный фотопреобразователь повышенной эффективности. //Гелиотехника, 1989, №1, с.6-8.

41. Nasby R.D., Garner С.М. Sexton F.W. et.al. High efficiency p-n-n silicon concentrator solar cells // Solar Cells. 1982? V.6, №1, p. 49-58.

42. Kwemthong S., lies P.A. High efficiency silicon concentrator solar cells // Solar Cells. 1982, v.6, №1, p.59-77.

43. Лидеренко H.C., Евдокимов B.M. , Милованов А.Ф. и др. Фотоэлектрические преобразователи концентраторного солнечного излучения. //Сол. Фотоэл. Энергетика. Ашхабад, Ыльм.,1983, с,3-12.

44. Бордина Н.М., Зайцева А.К. и др. Кремниевые фотопреобразователи с текстурированной поверхностью и их свойства //Гелиотехника. 1982, №3, с.6-11.

45. Хайруллин И.И. Повышение радиационной стойкости СЭ методами ионной имплантации и применением КСИ., Дисс. на соискание ученой степени к.т.н. ИЭ АН Руз, Ташкент, 1997.

46. Береза В. П., Закс М. Б. и др.)//Матер. IX совет, по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова и их применение в народном хозяйстве. Л., 1982. С. 151.

47. Sinton R.A., Kwark Y., et.al. 27.5-percent efficient low-resistivity silicon concentrator solar cells // IEEE Electron. Dev. Lett. 1986, vol. Edi-7, №10, p.567-569.

48. Kribe H. Photovoltaic-chancan fur die Solartechnik //Tech. Heute,1987,Bd.40. №4 p.12-16.50. 50.Колтун. M M., Арсении В. В., Абдурахманов Б. М//Гелиотехника. 1981. №5. С. 87.

49. М ум ин ов Р. А., Турсунов М. Н.//Гелиотехпика. 1991. №4. С. 73.

50. Харченко В.В. Вопросы эпитаксиального осаждения кремния. Ташкент.: Фан, 1976,- 150 с.

51. Silard А.Р., Nani F. // J.Appl.Phys., 1989, 65, №9, p. 3680-3686.

52. Yang J. J., Simpson W J. Ruth R. P.//J. Electron. MateT. 1981. V. 10. N. 6. p. 1011 — 1056.

53. Ramadan M; R. J., Elsherbiny M. M//Solar & Wind Technology. 1990. V. 7 N2/3. P. 107—110.

54. Кондратьева Л. А., Лозовский В. H. и др.//Гелиотехиика. 1992. № 7. с. 24.

55. Богатов Н.М., Закс М.Б., Касаткин В.В. Расчет электрофизических свойств межкристаллических границ в кремнии // Гелиотехника, 1989, №4, с. 12.

56. Билялов Р. Р., Саидов M. С. Чирва В. П. Водородная пассивация полукристаллических солнечных элементов//Гелиотехника. 1990. № 4. с. 36.

57. Касаткин В. В., Михеева J1. В., Сатников А. М.,Паксеев Ю. Б. Фотопреобразователи на основе ленточного поликристаллического кремния. //Гелиотехника. 1985. № 5. с. 14.

58. Воробьев В.И., Добровольский Ю.В., Стриха В. Н. Методы исследования полупроводников, Киев.: 1988. 232 с.

59. Yagi Н., Matsukuma К., Kokynai S. et. al. Hydrogen passivation of large-ages polycrystallins silicon solar cells by hight-current implantation// Ibid., p.1600-1603.

60. Саидов M.C., Билялов P.P., Мухамадиев Р.Э., Чирва В.П. Водородная пассивация зарядовых состояний границ зерен в пленочных поликристаллических фотопреобразователях //Гелиотехника. 1987, №6, с.18-19.

61. Bunvan S.W., Iclsin D.E., Kukulka I.R., Daniel R.E./Recent silicon space product advances// 20-th IEEE Photovoltaic Sptc.Conf., Las Vegas, Nev, Sept. 26-30, 1988, Conf. Rec. v.2, N.Y. 1988. p.954-959.

62. Грилихес B.A., Григорьева Г.М., Монов В.Г. и др. Экранирующее действие концентраторов солнечного излучения //Гелиотехника. 1987, №8, с.28-32.

63. Абдурахманов Б.М., Абросимова Н.И., Билялов P.P., Саидов М.С. //Гелиотехника. 1993, №1, с. 22-24.

64. Leung D., lies Р.А., Hyland S., Kachare A. // Proc. 17-th IEEE Photovolt. Spec. Conf. Kissimmee, 1984, N.Y., 1984, p.523.

65. Иоффе А.Ф. Физика полупроводников // M.JI. Изд. АН СССР. 1957, с.491

66. Абдурахманов Б.М., Алиев Р., Саидов М.С., Чирва В.П. //Гелиотехника. 1985. №2. с. 3-8.

67. Алиев Р., Карагеоргий- Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю., Чирва В.П. //Гелиотехника. 1986, №8, с.26-28.

68. Aliev R.,Abdurakhmanov В.М., Bilyalov R.R. Polycrystalline Silicon S-diode fabricated using phosphorus termal diffusion along Grain Boundaries // Interface Science., 1996.

69. Crook D.L., Yeargan J.R. Optimisation of silicon solar cells design for use under concentrated sunlight // JEEE Trains. Elect. Dev . 1977, vol. ED 24, №4, p.330-336.

70. Лидоренко H.C., Евдокимов B.M., Стребков А.С. Физические принципы преобразования энергии концентрированного солнечного излучения с помощью полупроводниковых фотопреобразователей. //Известия АН СССР. Энергетика и транспорт. 1977, №3, с. 110-115.

71. Васильев В.М., Евдокимов В.М., Ландсман А.П., Милованов А.Ф. Исследование работы фотопреобразователей в условиях сильного освещения //Гелиотехника. 1975, №2, с. 18-24.

72. Ни G., Drowley С. Open circuit voltage of high intensity silicon solfr cells. In. Conf. Rec. 13-th IEEE Photovolt. Spec. Conf. N.Y., IEEE, 1978, v.l, p.786-790.

73. Cutvas A., Baibuens M.A., Gelloni R. Comparison and optimization of different N+ dopent profiles for silicon cekks // 19-th IEEE Photovolttaic Spec. Conf. Neww Orleans, La, May 4-8, 1987, Conf. Rec. New York, №4, 1987.

74. Мирзабаев M., Расулов К., Камилов А., Каримов Ф. Исследование кремниевых фотопреобразователей со структурой р+-р-п+ при высоких уровнях светового возбуждения //Гелиотехника. 1996 №4, с.43-46.

75. Колтун М.М., Полисан А.А., Шуров К.А., Оршанский И.С., Невекин О.А. Солнечные элементы и батареи //Итоги науки и техн. ВИНИТИ. Сер. Генераторы прямого преобразования тепловой и химической энергии в электрическую. М. 1989, т.9, с. 1-144.

76. Kurokawa K. Japanese national R&D program for developing photovoltaic power systems // Progr. Batteries and Sol. Cells. 1984, v.5, p.389-393.

77. Абдурахманов Б.М., Алиев P., Валиев Б.Х., Каллибекова Г.Б., Карагеор-гий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю., Саидов М.С., Чирва В.П. // Изв. АН Руз, сер. физ-мат. наук, 1987, №4, с.55-60.

78. Hovel H.S. Semiconductors and semimetals // Vol.11. Solar cells / ED. R.K., A.C. Beer New York; London: Acad. Press. 1975, p.254.

79. Wolf M.A. A new look and silicon solar cell performance // Conf. 8 th IEEE Photovolt. spec.conf. New York:IEEE, 1970, p.360-371.

80. Wolf M. Limitations and possibilities for improvement of photovoltaic solar energy converters // Proc. / IRE. 1960, V.48, №7, p. 1246.

81. Shocley W., Queisser H.I. Detailed balance limit of efficiency of p-n junction solar cells // J.Appl. Phys. 1961, V.32, №3, p.510.

82. Sanderson R.W., Backus C.E. Proc. 15 th IEEE Photovaltaic Spec. Conf. 1981, p.156.

83. Абдурахманов Б.М., Байдаков С.Г., Соловейчик В.И., Чирва В.П. Модули и элементы солнечных фотоэлектрических станций с концентрацией излучения // Изд. «Фан». Ташкент. 1993. с. 160.

84. Алиев Р. Применение кремниевых фотоэлектрических приемников для измерения мощности ИК-излучения // ПТЭ. 1996.

85. Абдурахманов Б.М., Алиев Р., Валиев Б.Х., и др. Особенности фотоваль-таического эффекта в поликристаллических полупроводниках / Известия АН УзССР. Серия Физ-мат.наук. 1984. №4. с.55.

86. Абдурахманов Б.М., Кириченко В.А., Рамоновский А.Е. и др. Кремниевые эпитаксиально-диффузионные фотоэлектрические преобразователи типа р-п-п // Гелиотехника. 1982. №2. с.3-12.

87. Но С.Т., Beell R.O., Wald F.V. // Appl. Phys. 1977. V.47.

88. Лейдерман А.Ю. Новый механизм сверхлинейного роста времени жизни свободных носителей в солнечных фотоэлементах. //Гелиотехника. 2000, №4, с.14-19.

89. Robinson Р.Н., D Aiello R.V.Hydrogen passivation of policrystaline silicon solar cells//Appl. Phys. Lett., 1981, v.59, №1, p.63-64.

90. Березенко Л.Е., Каган М.Б., Перова В.И., Ткаченко Н.Н., Фалькевич Э.С., Холев Б.А. Исследование характеристик фотопреобразователей на основе поликристаллического кремния //Гелиотехника. 1986, №6, с.54-57.

91. Патент РУз №965. Осветительное устройство /С.Х. Махмудов, Б.М. Абдурахманов.- Приоритет от 12.03.93.

92. Саидов М.С., Ашуров М.Х., Абдурахманов Б.М. Долгосрочные вопросы кремниевого фотоэлектричества. //Гелиотехника. №4, 2000, с.3-14.

93. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М.: Высшая школа, 1990, с. 170-173.

94. Wettling W. Solar Energy Materials and Solar Cells. 1995. p.487-500.

95. Matsukuta K., Kokunai S., Uchida Y. Et. al. //Jap. J. Appl. Phys. 1999, v.28, №6, p. 167-173.

96. Дадамухамедов С., Муминов P.А., Турсунов M. др. Повышение эффективности СЭ технологическими методами // Гелиотехника. 1997, №2, с.3-7.

97. Абдурахманов Б.М., Билялов P.P., Саидов М.С., Чирва В.П. Исследование деградации солнечных элементов, пассивированных атомарным водородом//Гелиотехника. 1991, №3, с.55-56.

98. Юб.Билялов P.P., Чирва В.П. Влияние термической пассивации на эффективность кремниевых поликристаллических фотопреобразователей. //Гелиотехника. 1989, №1, с.3-6.

99. Саидов М.С., Абдурахманов Б.М., Билялов P.P., Чирва В.П. ЭПР-исследование поликристаллических пленок кремния, пассивированных в водородной плазме.//ДАН УзССР, 1989, №7, с.25-27.

100. Кондратьева Л.А., Лозовский В.Н., Ластушкина О.В., Масенко Б.П., По-литова Н.Ф., Онищук С.А., Шебзухов Д.А. Использование отходов полупроводникового кремния в производстве наземных ФЭП // Гелиотехника. 1990, №2, с.40-43.

101. СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ

102. Кадыров А.Л. Некоторые вопросы производства солнечных элементов на базе поликристаллического кремния. // Тезисы докладов научно-технической конференции «Проблемы использования солнечной энергии в странах СНГ» г.Сочи, 19-23 октября 1993г. СЛ02-104.

103. Кадыров А.Л., Умаров М.Ф. Электрофизические свойства солнечных элементов на основе литого поликристаллического кремния. // Реферативный сборник неопубликованных работ НПИ Центра РТ, выпуск № 2 2002г., № 97 (1531) от 24.10.2002 г., 17 с.

104. Кадыров А.Л. Теория и практика изготовления солнечных элементов на основе литого поликристаллического кремния. Издательство ХГУ им. ак. Б.Гафурова, г.Худжанд, 2002г., 34с.

105. Абдурахманов Б.М., Кадыров А.Л., Умаров М. Пути повышения рентабельности производства солнечных элементов на основе литого поликристаллического кремния. // Ученые записки ХГУ им. ак. Б.Гафурова, 2002г., № 5. С.12-19.

106. В заключении хочу выразить искреннюю благодарность своему научному руководителю Махсуджону Умарову за общее руководство работой и полезные советы, сотрудникам кафедры общей физики и физики твердого тела за внимательное обсуждение полученных результатов.