Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1 Обзор литературы и постановка задачи.

§ 1.1 Эффект Франца-Келдыша и методы электромодуляционной спектроскопии.

§ 1.2 Встроенные электрические поля на поверхности и границах раздела полупроводниковых структур.

§ 1.3 Приготовление чистой поверхности СаА8(100) с помощью обработки в атмосфере водорода.

§ 1.4 Влияние адсорбции Се на электронные свойства поверхности СаА8(100).

§ 1.5 Постановка задачи.

ГЛАВА 2 Методика эксперимента.

§ 2.1 Образцы.

§ 2.2 Спектроскопия фотоотражения.

§ 2.3 Фурье-анализ спектров фотоотражения.

§ 2.4 Фурье-анализ электрооптических спектров: влияние амплитуды модуляции.

§ 2.5 Методика приготовления и исследования поверхности СаАв в сверхвысоком вакууме.

ГЛАВА 3 Встроенные электрические поля в модельных ОаАв структурах.

§ 3.1 Определение встроенных электрических полей и построение энергетической зонной диаграммы 1Ш+ структуры.

§ 3.2 Влияние фотоэдс на определение встроенных электрических полей методом спектроскопии фотоотражения.

§ 3.3 Изучение кинетики фотоэдс методом спектроскопии фотоотражения. $

ГЛАВА 4 Влияние адсорбции водорода и цезия на электронные свойства поверхности СаАз(ЮО).

§4.1 Эволюция изгиба зон и фотоэдс на поверхности СаАв(100) при прогревах в вакууме.

§4.2 Влияние прогрева в атмосфере водорода на электронные свойства поверхности СаА8(100).

§4.3 Влияние адсорбции цезия на электронные свойства поверхности СаА8(100).

Тонкослойные эпитаксиальные структуры на основе полупроводниковых соединений А3В5 являются интересным объектом научных исследований и базой для создания ряда приборов: высокочастотных полевых транзисторов, фотоприемников, лазеров и фотоэмиттеров. Одним из главных факторов, определяющих физические свойства таких структур, являются электронные состояния, локализованные на поверхности и границах раздела между слоями. Локализованные состояния определяют величины встроенных электрических полей, вид энергетических зонных диаграмм, а также изменения свойств структур в неравновесных условиях, в том числе при фотовозбуждении. Эффективным методом определения встроенных электрических полей является спектроскопия фотоотражения (ФО). Метод ФО представляет собой бесконтактную форму электроотражения и основан на эффекте Франца-Келдыша, а также на модуляции величины встроенного электрического поля под действием модулированного светового пучка лазерной накачки. Величину встроенного электрического поля можно определить по периоду осцилляций Франца-Келдыша, которые наблюдаются в спектрах ФО при энергиях фотонов, превышающих ширину запрещенной зоны полупроводника. Проблемой метода ФО является то, что в измеряемые спектры могут одновременно давать вклад встроенные поля, соответствующие различным областям тонкослойной структуры. В результате получаются сложные, смешанные спектры ФО, из которых трудно извлечь количественную информацию. В связи с этим, актуальна разработка методов, позволяющих разделять вклады в спектры ФО от различных областей структуры и определять величины встроенных электрических полей.

Приготовление атомарно-чистой, упорядоченной поверхности GaAs с заданными электронными свойствами является необходимым условием для решения целого ряда научных и прикладных задач, в том числе для исследования процессов адсорбции и изготовления полупроводниковых фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством. При разработке методов приготовления совершенных поверхностей полупроводников необходимо контролировать in situ не только состав и структуру, но также и электронные свойства поверхности, чему не всегда уделялось должное внимание. Эффективным бесконтактным методом для решения этой задачи в условиях сверхвысокого вакуума является спектроскопия фотоотражения.

Целью диссертационной работы является развитие метода спектроскопии фотоотражения для определения встроенных электрических полей на поверхности и внутренних границах раздела тонкослойных арсенид-галлиевых эпитаксиальных структур, построения зонных диаграмм таких структур, а также для совершенствования методов приготовления поверхности GaAs с заданными электронными свойствами.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Основные результаты и выводы диссертационной работы состоят в следующем:

1. Разработан метод Фурье-анализа осцилляций Франца-Келдыша в электрооптических спектрах. Этот метод позволяет определять встроенные электрические поля на поверхности и внутренних границах раздела полупроводниковых эпитаксиальных структур.

2. Показано, что анализ действительной и мнимой частей Фурье-образов электрооптических спектров позволяет измерить амплитуду модуляции электрического поля. Предложена методика определения величины фотоэдс методом спектроскопии фотоотражения.

3. Методом фотоотражения исследованы эпитаксиальные арсенидгаллиевые 1Ш+ и ИР"1" структуры с нелегированным верхним слоем. По измеренным величинам встроенных электрических полей на поверхности и внутренних границах раздела построены энергетические зонные диаграммы таких структур.

Определены коэффициенты в линейной связи между фотоэдс и

2 1 амплитудой сигнала фотоотражения Ким=( 1.5±0.2)х 10" эВ" и КиР=(6±2)х10"3 эВ"1.

4. По зависимостям амплитуды и фазы сигнала ФО от частоты модуляции определены характерные времена релаксации фотоэдс на поверхности и внутренних границах раздела эпитаксиальных структур. Для 1Ш+ структуры времена релаксации равны т^т=7х10"5 с на поверхности и т^ = 1.7х10"3 с на границе раздела буферный слой - подложка.

5. Установлено, что прогрев в атмосфере водорода уменьшает изгиб зон (более чем вдвое) и фотоэдс (более чем на порядок) на поверхности р-ОаАз(ЮО). Уменьшение изгиба зон и поверхностной фотоэдс связано с пассивацией водородом донорных поверхностных состояний. Последующий прогрев в вакууме приводит к десорбции водорода и восстановлению величин изгиба зон и фотоэдс.

6. Обнаружено, что предварительное нанесение цезия на As-обогащенную поверхность p-GaAs(lOO) существенно расширяет диапазон изменений изгиба зон и поверхностной фотоэдс при последующих прогревах в вакууме. Увеличение диапазона изменений изгиба зон и поверхностной фотоэдс обусловлено цезий-индуцированной десорбцией мышьяка.

Данная диссертационная работа была выполнена в лаборатории неравновесных процессов в полупроводниках Института физики полупроводников СО РАН. Разработка методики Фурье-анализа электрооптических спектров, написание программ для Фурье-анализа, определения встроенных электрических полей и расчета энергетических зонных диаграмм эпитаксиальных структур, проведение измерений и обработка экспериментальных данных выполнялись автором лично. Спектры электроотражения p-i-n --диодной структуры, которые проанализированы в §2.4, были измерены P.JI. Тобером. Интерпретация полученных результатов и написание статей проводились вместе с соавторами опубликованных работ.

Автор считает приятным долгом поблагодарить своего научного руководителя B.JI. Альперовича и заведующего лабораторией A.C. Терехова за постоянное руководство и поддержку

-118данной работы на всех ее этапах. Автор благодарен А.И. Торопову, Н.Т. Мошегову, В.В. Преображенскому, Б.Р. Семягину за предоставление эпитаксиальных структур; P.J1. Тоберу за предоставление спектров электроотражения p-i-n диодной структуры; A.C. Ярошевичу за помощь в освоении методики фотоотражения и проведении экспериментов, описанных в 3 главе; А.Г. Паулишу, O.E. Терещенко, В.И. Тынному за помощь в проведении экспериментов, описанных в .4 главе; Т.П. Кириенко за помощь в проведении химической обработки поверхности образцов; а также всем сотрудникам лаборатории за повседневную помощь и поддержку, которая способствовала выполнению данной работы. Автор благодарен РФФИ за поддержку этой работы (гранты 93-0215177, 96-02-19060), а также фонду Сороса за предоставление гранта по программе «Соросовские аспиранты».

-115-Заключение

В данной работе методом спектроскопии фотоотражения исследованы электрические поля на поверхности и границах раздела арсенид-галлиевых эпитаксиальных структур. Предложена и развита методика Фурье-анализа электрооптических спектров, позволяющая определять величины всех встроенных электрических полей при анализе сложных спектров. Исследовано поведение изгиба зон и фотоэдс на поверхности ваАз при прогревах образца в вакууме после прогрева в атмосфере водорода и адсорбции цезия.

Эффективность разработанной методики Фурье-анализа электрооптических спектров подтверждается её последующим использованием несколькими исследовательскими группами [106,107,108,109,110].

1. Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Scheibler Н.Е., TerekhovA.S. Determination of built-in electric fields in delta-doped GaAs structures by phase-sensitive photoreflectance. Solid State Electronics, 1994, v. 37, p. 657-660.

2. Scheibler H.E., Alperovich V.L., Jaroshevich A. S., TerekhovA.S. Fourier resolution of surface and interface contributions to photoreneciance spectra of multilayered structures. Phys. Stat. Sol. (a), 1995, v. 152, № 1, p. 113-122

3. TerekhovA.S., Tereschenko O.E., PaulishA.G., Scheibler H.E., Alperovich V.L. Evolution of electronic properties of GaAs(lOO) surface under annealing in hydrogen atmosphere. Physics of Low-dimensional structures, 1995, v. 12, p. 3342.

4. Alperovich V.L., PaulishA.G., Scheibler H.E., Tynnyi V.I. and TerekhovA.S. Unpinned behavior of the Fermi level on p-(100) GaAs surface facilitated by deposition of cesium. Appl. Surf. Sci., 1996, v. 104/105, p. 228-231.

5. Альперович B.JI., Терехов A.C., Шайблер Г.Э., Ярошевич А.С. Фурье -анализ спектров фотоотражения полупроводниковых эпитаксиальных структур. Тезисы 2ой Российской конференции по физике полуроводников, Зеленогорск, Россия, 1996, т. 1, с. 174-174.

6. Терехов А.С., Терещенко О.Е., Паулиш А.Г., Шайблер Г.Э., Альперович B.JI. Влияние отжига в водороде на электронные свойства поверхности GaAs(lOO). Тезисы 2ой Российской конференции по физике полуроводников, Зеленогорск, Россия, 1996, т. 2, с. 68-68.

7. Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., Scheibler Н.Е., Terekhov A.S., and Tober R.L. Fourier transform analysis of electromodulation spectra: effects of the modulation amplitude. Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, № 19, p. 2788-2790.

8. Franz W. Einflusseines electrischen Felden auf eine optische Absorption-skante. Z.Naturforschung, 1958, v. 13, № 6, s 484-489.

9. Келдыш JI.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов. — ЖЭТФ, 1958, т.34, № 5, с. 1138-1141.

10. Aspnes D.E. Modulation spectroscopy: Electric field effects on the dielectric function of semiconductors. In: Handbook on Semiconductors. - Ed. by Moss T.S.- Amsterdam: North-Holland.- 1980.- v.2, p.l09-154.

11. Тягай B.A., Снитко O.B. Электроотражение света в полупроводниках. -Киев: Наук, думка, 1980. -304 с.

12. Shen Н., Dutta М. Franz-Keldysh oscillations in modulation spectroscopy. -J. Appl. Phys., 1995, v.78, №4, p.2151-2176.

13. Aspnes D.E. Electric-field effects on optical absorption near thresholds in solids. Phys. Rev., 1966, v. 147, №2, p.554-566.

14. Aspnes D.E. Electric field effects on the dielectric constant of solids. Phys. Rev., 1967, v.153, №3, p.972-982.

15. Seraphin B.O., BottkaN. Band structure analysis from electroreflectance studies. Phys. Rev. A, 1965, v. 145, № 2, p. 628-656.

16. BottkaN., SeraphinB.O. Franz-Keldysh effect of the refractive index in semiconductors. Phys. Rev. A, 1965, v. 139, № 2, p. A560-A565

17. Aspnes D.E Note on collision broadening of Franz-Keldysh effect. Phys. Stat. Sol., 1967, v.23, №1, p.K79-K81.

18. Endrlein R., The influence of collisions on the Franz-Keldysh effect. Phys. Stat. Sol., 1967, v.23, №1, p.295-299.

19. Келдыш Jl.В., Константинов O.B., ПерельВ.И. Эффекты поляризации при межзонном поглощении света в полупроводниках в сильном электрическом поле. ФТП, 1969, т.З, №7, с. 1042-1053.

20. Handler P., Jasperson S., Koeppen S. Interference of light- and heavy-hole contributions to the electroreflectance spectrum of germanium. Phys. Rev. Lett., 1969, v.23, №24, p. 1387-1391.

21. Неизвестный И.Г., Овсюк H.H., Синюков М.П. Многоосцилляционные спектры электроотражения германия. Письма ЖЭТФ, 1976, т.24, №7, с.393-397.

22. Овсюк Н.Н., Синюков М.П. Многоосцилляционные спектры электроотражения германия. Эффекты непараболичности зон. ЖЭТФ, 1978, т.75,№3, с 1075-1082.

23. Dow J.D., Redfield D. Electroabsorption in semiconductors: The exitonic absorption edge. Phys. Rev. B, 1970, v. 1, № 8, p. 3358-3371.

24. Blossey D.F. Wannier exiton in an electric field. II. Electroabsorption in direct-band-gap solids. Phys. Rev. B, 1971, v. 3, № 4, p. 1382-1391.

25. Аронов А.Г., Иоселевич A.C. Электрооптические эффекты в полупроводниках с вырожденными зонами с учётом экситона. ЖЭТФ, 1981, т. 81, № 1, с.336-352.

26. Heesel Н., Hunsche. S., Mikkelsen Н., Dekorsy Т., Leo К., Kurz Н. Dynamics of electric-field screening in a bulk GaAs modulator. - Phys. Rev. B, 1993, v. 47, №23, p. 16000-16003.

27. Aspnes D.E., StudnaA.A., Schottky-barrier electroreflectance: Application to GaAs Phys. Rev. B, 1973, v. 7, № 10, p. 4605-4625.

28. Shen H., Pollak F.H., Generalized Franz-Keldysh theory of electromodulation. -Phys. Rev. B, 1990, v. 42, № 11, p. 7097-7102.

29. Kanata T., Matsunaga M., Takakura H., Hamakawa Y, Nishino T. Photoreflectance characterization of surface Fermi level in as-grown GaAs(lOO). J. Appl. Phys., 1990, v.68, №10, p.5309-5313.

30. Shen H., DuttaM., FotiadisL., Newman P.G., Moerkirk R.P., Chang W.H., Sacks R.N. Photoreflectance study of surface Fermi level in GaAs and GaAlAs. Appl. Phys. Lett., 1990, v.57, №20, p.2118-2120.

31. Yin X., Chen H.-M., Pollak F.H., Chan Y., MontanoP.A., Kirchner P.D., Pettit G.P., Woodal J.M. Photoreflectance study of surface photovoltage effects at (100)GaAs surfaces/interfaces. Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, №3, p.260-262.

32. Airaksinen V.M and Lipsanen H.K. Photoreflectance study of photovoltage effects in GaAs diode structures. Appl. Phys. Lett., 1992, v.60, №17, p.2110-2112.

33. BottkaN., Gaskill D.K., Wright P.D., KaliskiR.W., Williams D.A. Qualification of OMVPE AlGaAs/GaAs HTB structures using nondestructive photoreflectance spectroscopy. J. Cryst. Growth, 1991, v. 107, p.893-897.

34. Alperovich V.L., Yaroshevich A.S., Scheibler H.E., TerekhovA.S. Elucidation of photoreflectance mechanisms by phase resolution spectroscopy: application to delta-doped GaAs. Phys. Stat. Sol. (b), 1993, v.175, p.K35-K38.

35. Lu C.R., Anderson J.R., Stone D.R., Beard W.T., Wilson R.A. Photoreflectance study of the electric fields at the n-type GaAs surface and across the n-type

36. GaAs/substrate interface. Superlattices and Microstructures, 1990, v.8, №2, p.155-157.

37. Sydor M., Angelo J., Wilson J.J., Mitchel W.C., Yen M.Y. Photoreflectance from GaAs and GaAs/GaAs interfaces. Phys. Rev. B., 1989, v.40, №12, p.8473-8484.

38. Shen H., PollakF.H., Woodall J.M., Sacks R.N. Photoreflectance study of electric field distributions in semiconductor heterostructures grown on semi-insulating substrates. Journal of Electronic Materials, 1990, v. 19, №3, p.283-286.

39. Sydor M., Badakhshan A., EngholmJ.R. Differential photoreflectance from delta-doped structures and GaAs/n-GaAs interfaces. J. Appl. Phys., 1991, v.59, №6, p.677-679.

40. Sydor M., Badakhshan A., EngholmJ.R., Dale D. A Differential photoreflectance from modulation doped heterojunctions. Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, №9, p.948-950.

41. Biegelsen D.K., Bringans R.D., Northrup J.E., SwartzL.-E. Surface reconstructions of GaAs(lOO) observed by scanning tunneling microscopy -Phys. Rev. B, 1990, v.41, №9, p.5701-5706.

42. Chen W., Dumas M., Mao D., Kahn A. Work function, electron affinity, and band bending at decapped GaAs(lOO) surfaces J. Vac. Sci. Technol. B, 1992, v. 10, № 4, p.1886-1890.

43. Berkovitz V.L., Paget D. Optical spectroscopy of ordered GaAs(OOl) surfaces obtained by sulfide passivation. Appl.Surf.Sci. 1993, v.65/66, p.607-611.

44. Ke Y., MilanoS., WangX.W., TaoN., Darici Y. Structural studies of sulfur-passivated GaAs(lOO) surfaces with LEED and AFM. Surf.Sci. 1998, v.415, p.29-36.

45. Vasquez R.P., Lewis B.F., Grunthaner F.J. Cleaning chemistry of GaAs(lOO) and InSb(lOO) substrates for molecular beam epitaxy. J. Vac. Sci. Technol. B, 1983, v.l, №3, p.791-794.

46. Галицын Ю.Г., Пошевнев В.И., Мансуров В.Г., Терехов А.С., Окорокова Л.Г. Остаточные углеродные загрязнения на поверхности GaAs, обработанной в спиртовых растворах НС1. Поверхность, 1989, №4, с.147-150.

47. Tereshchenko О.Е., Chikichev S.I., TerekhovA.S. Atomic structure and electronic properties of HCl-isopropanol treated and vacuum annealed GaAs(lOO). Appl. Surf. Sci., 1999, v.142, p.75-80.

48. Takamori A., Sugata S., Asakawa K., Miyauchi E., and Hashimoto H. Cleaning of MBE GaAs substrates by hydrogen radical beam irradiation. Jpn. J. Appl. Phys, 1987, v.26, №2, p.L142-L144.

49. Suemune I., Kishimoto A., Hamaoka K., Honda Y., Kan Y., Yamanishi M. Dependence of GaAs etch rate on the angle of incidence of a hydrogen plasma beam exited by electron cyclotron resonance. Appl. Phys. Lett., 1990, v.56, №24, p.2393-2395.

50. WatanabeN., Nittono Т., Ito H., KondoN., Nanishi Y. Surface cleaning of C-doped p+-GaAs with hydrogen electron cyclotron resonance plasma. J. Appl. Phys., 1993, v.73, №12, p.8146-8150.

51. Kikawa Т., Ochiai I., Takatani S. Atomic hydrogen cleaning of GaAs and InP surfaces by photoemission spectroscopy. Surf.Sci. 1994, v.316, p.238-246.

52. Ballutaud D., Debiemme-Chouvy C., Etcheberry A., de MierryP., SvobL. Reactivity of III-V and II-VI semiconductors toward hydrogen: surface modification and evolution in air. Appl. Surf. Sci., 1995, v.84, p. 187-192.

53. Weegels L.M., Saitoh T., and Kanbe H. Dynamics of GaAs surfaces exposed to argon and hydrogen electron-cyclotron-resonance plasmas observed by realtime optical reflection spectroscopy. J. Appl. Phys., 1995 v.71 №11 p.5987-5994.

54. Sugaya T. and Kawabe M. Low-temperature cleaning of GaAs substrate by atomic hydrogen irradiation. Jpn. J. Appl. Phys, 1991, v.30, №3A, p.L402-L404.

55. Petit E. J., HouzayF., and Moison J.M. Interaction of atomic hydrogen with native oxides on GaAs(lOO). J. Vac. Sci. Technol. A, 1992, v. 10, №4, p.2172-2177.

56. Ide Y. and Yamada M. Role of Ga20 in removal of GaAs surface oxides induced by atomic hydrogen. J. Vac. Sci. Technol. A, 1994, v. 12, №4, p. 18581863.

57. Yamada M. and Ide Y. Direct observation of species liberated from GaAs native oxides during atomic hydrogen cleaning. Jpn. J. Appl. Phys, 1994, v.33, №5 A,p.L671-L674.

58. PeartonS.J., Dautermont-Smith W.C., Chevallier J., Tu C.W., and Cummings K.D. Hydrogénation of shallow-donor levels in GaAs. J. Appl. Phys., 1986, v.59, №8, p.2821-2827.

59. Omeljanovsky E.M., Pakhomov A.V., Polyakov A.Y. Hydrogen passivation of donors and acceptors in InP. Semicond. Sci. Technol., 1989, v.4, p.947-950.

60. WangY.G. and AshokS. A study of metal/GaAs interface modification by hydrogen plasma. J. Appl. Phys., 1994, v.75, №5, p.2447-2454.

61. Swaminathan V., LopataJ., Slusky S.E.G., Dauteremont-Smith W.G., Pearton S.J. Increase in photoluminescence of Zn-doped p-type InP after hydrogénation. Electronic Letters, 1989, v.25, №23, p.1584-1586.

62. Capizzi M., ColuzzaC., FranklP., FrovaA., YinX., Pollack F.H., Sacks R.N. Photoreflectance and photoluminescence study of defect passivation byhydrogen in GaAlAs/GaAs/GaAs heterostructures. SPIE, 1990, v. 1286, p.50-55.

63. Kampen T.U., Koenders L., Smith K., Ruckschloss M., Monch W. Hydrogen-induced surface acceptors on GaAs(llO) surfaces at low temperatures. Surf. Sei., 1991, v. 242, p.314-318.

64. Dittrich Th. and John S. Influence of low plasma power hydrogenation on the barrier height and passivation of n-GaAs. Phys. Stat. Sol. (a), 1991, v. 126, p. K49-K52.

65. Нестеренко Б.А., Снитко O.B. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников. Киев: Наук, думка, 1983. -264 с.

66. Бехштедт Ф., ЭндерлайнР. Поверхности и границы раздела.- М.: Мир, 1990.- 488с.

67. Bechstedt F., SchefflerM. Alkali adsorption on GaAs(llO): atomic structure, electronic states and surface dipoles. Surf. Sei. Rep., 1993, v. 18, p. 145-198.

68. Mönch W. Semiconductor surfaces and interfaces. Springer-Verlag, Berlin, 1993.-366 p.

69. Spicer W.E., Chye P.W., Skeath P.R., Su C.Y., Lindau I. New and unified model Schottky barrier and III-V insulator interface states formation. J. Vac. Sei. Technol., 1979, v.16, N 5, p.1422-1432.

70. Spicer W.E., Lindau I., Skeath P., Su C.Y., Chye P. Unified mechanism for Schottky barrier formation and III-V oxide interface states. Phys. Rev. Lett., 1980, v.44, №6, p.420-423.

71. Viturro R.E., MailhiotC., ShawJ.L., Brillson L.J., LaGraffeD., Margaritondo G., Pettit G.D., Woodall J.M. Interface states and Schottky barrier formation at metal/GaAs junctions: J. Vac. Sei. Technol. A, 1989, v.7, №3, p.855-860.

72. Laubschat С., Prietsch ML, DomkeM., Weschke E., Remmers E., Mandel Т., Ortega E., Kaindl G. Switching of band bending at the nonreactive (Cs,0)/GaAs(l 10) interface. Phys. Rev. Lett., 1989, v.62, №11, p.1306-1309.

73. CaoR., MiyanoK., Kendelewicz Т., Lindau I., Spicer W.E. Fermi level movement at the Cs/GaAs(l 10) interfaces. Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, №13, p. 1250-1252; On the aspects of GaAs initial stage band bending. - Physica Scripta, 1990, v.41, p.887-891.

74. Alperovich V.L., PaulishA.G., TerekhovA.S. Domination of adatom-induced over defect-induced surface states on p-type GaAs(Cs,0) at room temperature. -Phys. Rev. B, 1994, v.50, №8, p.5480-5483.

75. Alperovich V.L., Paulish A.G., Terekhov A.S. Unpinned behavior of electronic properties of p-GaAs(Cs,0) surface at room temperature. Surf. Sei., 1995, v.331-333, p.1250-1255.

76. Белл P.Jl. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством. М.: "Энергия", 1978, 192 с.

77. Klepeis J.E., Harrison W.A. Coverage dependence of Schottky barrier formation. J. Vac. Sei. Technol. В., 1989, v.7, №4, p.964-970.

78. Alperovich V.L., Jaroshevich A.S., KuzaevV.N., Shevelov S.V., PaulishA.G., Terekhov A.S. Unpinned behavior of Fermi level, photovoltage, and recombination velocity on p-GaAs surface under Cs and 02 deposition. Phys. Low-Dim. Struct., 1994, v.l,p.45-51.

79. Aspnes D.E. Band nonparabolicities, broadening, and internal field distributions: The spectroscopy of Franz-Keldysh oscillations. — Phys. Rev. B, 1974, v.10, №10, p.4228-4238.

80. Jackson P.L., Seebauer E.G., Accurate methods for simulating electroreflectance and photoreflectance spectra of GaAs. J. Appl. Phys., 1991, v. 69, № 2, p.943-948.

81. Enderlein R., Beliaev D., Soares J.A.N.T., Scolfaro L.M.R., LeiteJ.R. Method for calculating photo- and electroreflectance spectra from semiconductor heterostructures. Phys. Rev. B, 1995, v. 52, № 4, p. 2814-2822.

82. Batchelor R.A., Brown A.C., Hamnett A. Theoretical and experimental results for p-type GaAs electrolyte electroreflectance. Phys. Rew. B, 1990, v. 41, № 3, p.1401-1412.

83. Estera J.P., Duncan W.M., GlosserR. Complex Airy analysis of photoreflectance spectra for III-V semiconductors. Phys. Rew. B, 1994, v. 49, № 11, p.7281-7293.

84. Hildebrandt S., Murtagh M., Kuzmenko R., Kircher W., Schreiber J.- Analysis of synchronous phase, pump power and pump wavelength dependent complex PR spectra from GaAs MBE structures. Phys. Stat. Sol. (a), 1995, v. 157, № 1, p. 147-160.

85. Van Hoof C., DeneffeK., DeBoekJ., ArentD.J., Borghs G. Franz-Keldysh oscillations originating from well-controlled electric field in GaAs depletion region. Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, №7, p.608-610.

86. Garrett C.G.B. and Brattain W.H. Physical theory of semiconductor surfaces. -Phys. Rev., 1955, v.99, №2, p.376-387.

87. Марпл-мл. С.JI. Цифровой спектральный анализ и его применения. М.: Мир, 1990.-584 с.

88. Pfeffer P., Zawadzki W. Five-level k-p model for the conduction and valence bands of GaAs and InP. Phys. Rev. B, 1996, v.53, №19, p.12813-12828.

89. Галицын Ю.Г., Пошевнев В.И., Мансуров В.Г., Терехов А.С. Металлический транспортный контейнер для переноса образцов в инертной атмосфере. Приборы и техника эксперимента, 1988, №4, с. 191192.

90. Wang Z., KwanSiuL., Pearsall Т.Р., Booth J.L., Beard В.Т., Johnson S.R. Real-time, noninvasive temperature control of wafer processing based ondiffusive reflectance spectroscopy. J. Vac. Sci. Technol. B, 1997, v. 15, № 1, 116-121.

91. Thurmond C.D. The standard thermodynamic functions for the formation of electrons and holes in Ge, Si, GaAs, and GaP. J. Electrochem. Soc., 1975, v.122, №8, p.1133-1141.

92. OrmeC., Johnson M.D., Sudijono J.L., Leung K.T., OrrB.G. Large scale surface structure formed during GaAs(OOl) homoepitaxy. Appl. Phys. Lett., 1994, v.64, №7, p.860-862.

93. Hecht M.H. Role of photocurrent in low-temperature photoemission of Schottky-barrier formation. Phys. Rev. В., 1990, v.41, №11, p.7918-7921.

94. Bauer A., PrietschM., Molodtsov S., LaubschatC., and Kaindl G. Systematic study of the photovoltaic effect in photoemission. Phys. Rev. В., 1991, v.44, №8, p.4002-4005.

95. Herrera-Gomez A., Yergara G., Spicer W.E. Physics of high-intensity nanosecond electron source Charge limit phenomenon in GaAs photocathodes. - J. Appl. Phys., 1996, v. 79, №9, p.7318-7323.

96. Jaroshevich A.S., Kirillov M.A., OrlovD.A., Paulish A.G., Scheibler H.E., TerekhovA.S. Photocurrent saturation at GaAs(Cs,0). AIP Conference Proceedings 421, 1998, p. 485-486.

97. Shen H., Dutta M., Lux R., Buchwald W., Fotiadis L. Sacks R.N. Dynamics of photoreflectance from undoped GaAs. Appl. Phys. Lett., 1991, v.59, №3, p.321-323.

98. Shen H., HangZ., Pan S.H., PollakF.H., Woodall J.M. Dependence of the photoreflectance of semi-insulating GaAs on temperature and pump chopping frequency. Appl. Phys. Lett., 1988, v.52, №24, p.2058-2060.

99. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев: Вищашк., 1984.-214с

100. Drathen P., Ranke W., Jakobi К. Composition and structure of differently prepared GaAs(lOO) surfaces studied by LEED and ATS. Surf. Sei., 1978, v. 77, p.L162-L166.

101. Rodway D. AES, photoemission and work function study of the deposition of Cs on (100) and (lll)B GaAs epitaxial layers. Surf. Sei., 1984, v.147, №1, p.103-114.

102. Терещенко O.E. Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs,0). Дис. канд.физ.-мат.наук.-Новосибирск, 1999,168 стр.

103. Wang D.P. and Chen С.Т. Fast Fourier transform of photoreflectance spectroscopy of 5-doped GaAs. Appl. Phys. Lett., 1995, v.67, №14, p.2069-2071. Addendum: Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, №11, p.1585.

104. Nukeaw J., MatsubaraN., FujiwaraY., TakedaY. Characterization of InP 5-doped with Er by FFT photoreflectance. Appl. Surf. Sei., 1997, v.117/118, p.776-780.

105. Chang W.-H., Hsu T.M., Lee W.C. and ChuangR.S. A study of the Franz-Keldysh oscillations in electromodulation reflectance of Si-delt-doped GaAs by a fast Fourier transformation. J. Appl. Phys., 1998, v.83, №12, p.7873-7878.

106. Tomaszewicz Т., BabinskiA., Suska D., Baranowski J.M., Tomaszewicz A. Electroreflectance bias-wavelength mapping of the modulation Si delta-doped pseudomorphic GaAs/InGaAs/AlGaAs structure. Appl. Phys. Lett., 1999, v.75, №14, p.2088-2090.

107. Jin P., PanS.H., Liang J.B. Theoretical analysis and experimental study of Fourier transformation of Franz-Keldysh oscillations in GaAs. J. Appl. Phys., 2000, v.88, №11, p.6429-6435.