Исследование гетеропереходов и квантово-размерных структур методом фотоотражения тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

<

1

й Щс

На правах рукописи

Коняев Михаил Викторович

ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ И КВАНТ0В0-РАЗМЕРНИХ СТРУКТУР МЕТОДОМ ФОТООТРАЙЕНИЯ

Специальность: 01.04.10 - Физика полупроводников

и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург - 1995

л <

I

Работа выполнена в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете имени В.И.Ульянова (Ленина).

Научный руководитель -

доктор физико-математических наук профессор Пихтин А.Н. Официальные оппоненты:

.доктор физико-математичеоких наук, лауреат Ленинской премии .

профессор Царенков Б.В.

кавдидат технических наук Марахонов В.М.

Ведущая организация - Санкт-Петербургский технический университет "

Защита диссертации состоится " 6" 1995 г.

в _г7 час. на заседании диссертационного совета К 083,36.10 Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета имени В.И.Ульянова (Ленина) по адресу: 197378, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, 5.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке университета. Автореферат разослан "3 " 1995 г.

Ученый секретарь диссертационного совета ^

Окунев Ю.Т

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Техника полупроводников вступила в очередной этап своегр развития: использование субмикронных слоев и структур. Новое поколение сверхбыстродействующих полупроводниковых приборов в основе своей работы использует эффекты размерного квантования в сверхтонких эпитаксиальных слоях толщиной от единиц до сотен межатомных расстояний. В этой связи принципиально важное значение приобретает диагностика и неразрушзющий контроль таких слоев и структур, в частности, таких их параметров, как геометрические размеры, концентрация свободных носителей заряда, напряженность электрического поля на гетерогранице и других. Существующие методы электронной микроскопии, Оже-спектроскошш и электронно-зондового анализа весьма трудоемки, дорогостоящи -и в ряде случаев не дают адекватных результатов.

Для решения задач диагностики и контроля целесообразно привлечение методов оптической модуляционной спектроскопии, поскольку они являются неразрушающими, бесконтактными, отличаются вы-' сокой информативностью, и, что немаловажно, обеспечивают возможность получения как сравнительно высокого пространственного разрешения, так и проведения интегральных измерений параметров по площади структур.

Развиваемый в работе метод фотоотражения сравнительно прост, не требует охлаждения образца и помещения его в глубокий вакуум.

В качестве объектов исследования были выбраны структуры на базе полупроводниковых соединений А3ВВ, являющихся основными материалами современной наноэлектроники. В частности, на их основе создан целый ряд квантово-размерных структур для фотоприемников, инжекционных лазеров, транзисторов с высокой подвижностью электронов. Исследовались образцы, выращенные по различным технологиям в разных лабораториях, что позволило сравнивать структуры различного качества с заданными параметрами: составом, уровнем легирования, толщиной и др. Всего было исследовано более 100 образцов. По характеру исследованных объектов работу можно разбить на две части:

-исследование гетеропереходов;

-исследование квантово-размерных слоев и структур.

} . »

Целью настоящей работы являлось определение возможностей метода фотоотражения для диагностики гетеропереходов и квантово-размерных структур и разработка методик определения состава твердых растворов, напряженности электрического поля на поверхности и гетерограницах, концентрации свободных носителей заряда, их энергетического спектра и геометрических размеров (толщин) квантово-размерных слоев.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

.1. Модернизация экспериментальной установки и методики измерения спектров фотоотражения.

2. Выбор соответствующих моделей, пригодных для эффективного анализа спектров фотоотражения различных материалов и структур.

3. Разработка на основе выбранных расчетных моделей методики и программного обеспечения для определения параметров исследуемого объекта из экспериментальных данных.

4. Проведение цикла экспериментальных исследований на образцах гетероструктур с различными толщинами слоев и уровнями легирования.

Научная новизна работы заключатся в следующем:

1. На основании систематического исследования гетероперехо-. дов и квантово-размерных структур показана эффективность метода фотоотражения для диагностики таких структур и определения следующих параметров (на примере А1хСа1_хАз/СаАз):

-состава твердого раствора: от х=0 до х=0.5 в слоях толщиной 50 X и более;

-концентрации свободных носителей заряда: от 1.8-101® см~® до 5*101в см~® в слоях толщиной более 100 X;

-напряженности электрического поля на гетерограницах в диапазоне 20... 750 кВ/см.

2. На примере гетероструктур А1хСв1.-хА&!аАа показано, что - метод фотоотражения совместно с методом послойного травления

позволяет определять толщины эпитаксиальных слоев, .а также профили распределения состава с разрешением по толщине до 50 X.

3. Обнаружен расщепление линии спектра $0 лазерных гетероструктур 1п1_хСахА81_уРу/1пР диапазона 1.3 мкм, что подтверждает возможность спинодального распада этого твердого раствора.

4. В спектрах фотоотрайения квантовых нитей 1пхСа)1_хАз/ баАв размером 100x400 1 обнаружен сдвиг энергий уровней размерного квантойания на 13 мэВ по сравнению с исходной квантовой ямой вследствие понижения размерности структуры. .

Практическая значимость работы:

1. Модернизирована экспериментальная установка и усовершенствована методика измерения спектров ФО полупроводниковых пластин и структур;

2. Разработана методика и программное обеспечение для определения энергетического спектра носителей заряда в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и сверхрешетками;

81 Разработаны методы диагностики важных для практического Применения полупроводниковых материалов и структур, в том числе Предназначенных для инжекционных лазеров диапазона 1.3 мкм и ИК-фотоприемников диапазона 8...10 мкм.

Научные положения, выносимые на защиту: ,

Фотоотражение является сравнительно простым и эффектна-' ным методом диагностики тонких эпитаксиальных слоев и гетерр-структур.

Для системы А^аА-хАз/СаАз, кроме определения состава х, возможно измерение концентрации свободных носителей заряда в диапазоне 1.8-101е...5-101в см~3 и напряженности электрического поля на гетерогранице в диапазоне 20...750 кВ/см.

2. Метод фотоотражения совместно с методом послойного анодного окисления позволяет определять толщины эпитаксиальных слоев, а также профили распределения состава с разрешением по толщине до 60 X.

3. Сдвиг линий 11Н и 1И в спектре ФО квантовых нитей 1пхСа1_хАз/СаАз по сравнению с исходной квантовой ямой обусловлен энергетическим сдвигом уровней размерного квантования вследствие понижения размерности структуры.

Апробация результатов работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на следующих конференциях и симпозиумах: на I Российской конференции по физике полупроводников (г.Нижний Новгород, 1993), на ХЬУ, ХШ, ХШ1 и ХШП научно-технических конференциях про-

фессорско-преподавательского состава СПГЭТУ (1992-1995 гг.), на мевдународиом симпозиуме по физике и технологии наноструктур (С.-Петербург, 1994) и Российской конференции о участием зарубежных ученых "Микроэлектроника-94" (Москва, 1994).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 9 печатных работ, из них 3 статьи и б тезисов докладов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы,•включающего 117 наименований. Основная часть работы изложена на 109 страницах машинописного текста. Работа содержит 11 таблиц, 44 рисунка.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТ«

Во введении обоснована актуальность теш, Сформулированы цель работы, научная новизна, практическая значимость и научные положения, выносимые на защиту. .

В первой главе проведен обзор литературы. Кратко излагаются физические основы фотоотражения (ФО). Основное внимание уделено теоретическим и метрологическим аспектам спектроскопии $0. Рассмотрены основные положения одноэлектронной теории и теории, учитывающей экситонные эффекты, а также различные экспериментальные методики.

Вторая глава посвящена описанию экспериментальной установки, методике измерения спектров ФО и общим характеристикам исследованных образцов. Приведена функциональная схема и основные технические параметры установки, созданной на базе инфракрасного спектрометра ИКС-31 и модернизированной #ля проведения измерений в видимом и ближнем ИК-диапазонах.

В третьей главе систематизированы результаты изучения фотоотражения эпитаксиальных гетероструктур на основе твердых растворов А®В®. Приведены результаты исследования слоев А1хСа1_хАз/ СаАз, СаАз^хРх/баАз и ЬхОа^хАэ/ХпР.

В параграфе 3.1 описана методика определения состава указанных соединений.

Исследовались нелегированные эпитаксиальные слои п- и р-А1хСа1_хАз различного состава (х=0.12...0.5) толщиной от сотен ангстрем до 4 мкм, выращенные низкотемпературной жидкофазной

эпитаксией на подложках СаАй. Определение состава проводилось по величине прямого энергетического зазора. Для режима слабого поля, когда спектр представляет собой одиночную осцилляцию, использовался трехточечный метод, а для средних полей, при которых в спектре ФО проявляются осцилляции Франца-Келдыша (ОФК)-энергия первого низкоэнергегяческого максимума в спектре $0.

Для нелегированных гетеропереходов А1хСа1_хАз/СаАз в спектрах $0 наблюдались характерные особенности, связанные с ваЛв и А^а^хАэ, типичные для малой концентрации свободных носителей заряда. При малых толщинах эпитаксиальной пленки (сотни ангстрем) приповерхностное электрическое поле простирается до гетерограницы, и модуляция на интерфейсе весьма эффективна. Для некоторых образцов наблюдалось по две серии осцилляций Франца-Келдыша (суперпозиция сигналов от различных гетерограниц). Осцилляции с большим периодом были связаны с приповерхностным электрическим полем; Осцилляции с меньшим периодом были обусловлены полем на гетерогранице.

Даже для непрямозонных полупроводников наблюдались прямые оптические переходы в центре зоны Бриллюэна, а также переходы из валентной зоны, отщепленной вследствие спин-орбитального взаимодействия. Измеренная величина Д0 составила 330 мэВ для х=0.12, что хорошо согласуется с литературными данным. Подтверждено предположение об однородности электрического поля в приповерхностной области во всех исследованных слоях.

Проанализированы различные калибровочные зависимости энергетического зазора в точке Г от состава твердого раствора-А1хСа1_хАз/СаАз. Из сопоставления результатов по определению состава различными методами (фотолюминесценция, рентгеноспектра-льный микроанализ (РСМА) сделан вывод о том, что $0 при комнатной температуре дает наиболее точные величины состава при использовании калибровочной зависимости

Ев(х)=1.425+1.35х,

где Ев дана в эВ.

Правильность определения состава подтверждалась сравнением с контрольными измерениями РСМА, выполненными на ряде образцов с точностью 0.5 мол.$. Полученная точность определения состава

была не хуже 1 мол.Х.

Аналогичные измерения были, .проведены на гетероструктурах 1пхСа1_хАз/1пР с составами, при"которых слои почти изопериодичны подложке, т.е. вблизи х=0.53, а также на гетероструктурах СаАБл-хРк с х=0...0.40.

Параграф 3.2 посвящен бесконтактному определению концентрации свободных носителей заряда в диапазоне 1.8-10"5.. .5-'101в см-8 В слоях АЗ.хСа^хАэ/СаАз толщиной 100 X и более. При увеличении концентрации период наблюдавшихся ОФК монотонно увеличивался, что было связано с сужением области объемного заряда в легированном материале и увеличением барьерного поля. В предположении полного обеднения рассчитаны параметры области объемного заряда для полупроводника с различными концентрациями легирующих примесей. Концентрация определялась по экстремумам ОФК по соотношению:

Здесь: Иа, ^-концентрации доноров и акцепторов, соответственно; -Йо^-энергетическое положение ,]-того экстремума ОФК; Ев-ширина запрещенной зоны; 60-электрическая постоянная; е-статическая диэлектрическая проницаемость; ц-приведенная межзонная эффективная масса электрона и дырки; ф-фазовый фактор; У„-изгиб зон вблизи поверхности полупроводника; Ур-фото-ЭДС.

Расчетные величины имели удовлетворительное согласие с данными, полученными на основании измерений эффекта Холла.

Параграф 3.3 посвящен исследованию распределения состава и электрофизических параметров по толщине эпитаксиального слоя. Описана методика анодного окисления, которая использовалась для прецизионного уменьшения толщины с точностью десятки ангстрем. Представлены результаты измерения профилей состава для А1хСа1_хАз/СаАз (х=0.2) и зависимости напряженности электрического поля в диапазоне толщин 0.07...1.82 мкм. Измеренное изменение х составило около 0.02, что совпадало с данными РСМА. Наблюдаемая зависимость состава от толщины (рис.1) имеет максимум, что явилось весы.л неожиданным. Это может быть связано с влиянием легированной подложки на рост пленки на начальном этапе эпи-такеки«

X 0.22

■15 6, ИОЛ

Рис.1. Зависимость состава твердого раствора А1х^а1_хАз от толщины эпитаксиального слоя

Оценена толщина приповерхностного слоя, участвующего в модуляции поля, величиной порядка 0.07...0.32 мкм, что примерно соответствует глубине проникновения излучения гелий-неонового лазера в образец. Напряженность приповерхностного поля увеличивалась при уменьшении толщины слоя. Максимальное значение составляло Е=1.2-107' В/м для слоя толщиной й=0.07 мкм. Это дало оценку величины поверхностного изгиба зон У„=Р-6=0.84 В, что соответствует половине ширины запрещенной зоны для исследуемого состава.

Четвертая глава посвящена структурам с квантовыми ямами, свойства которых существенно отличаются от свойств объемного материала. Так как для правильной интерпретации получаемых данных необходим корректный расчет энергий уровней размерного квантования, в §4.1 представлены результаты таких расчетов. Вычисления проводились в приближении эффективной массы по методу огибающей функции только для ненапряженных структур, т.е. изопериодяых слоев. Для состояний внутри квантовой ямы полученное дисперсион-

)

< <

нов соотношение имеет вид:

соэ (к(3)=соз (кдйл) соа (Мв)-1/2 (пв*кА/тА,,кв+ША,'кв/йв*кА) • •51П(Ма)З1П(Мв).

Здесь

кА=[2шА*Е]1/еЛь кв=[2тв'>(Е-У)]1/е/Й для Е>У,

к-волновой вектор; <3А, сЗв-шкрина ямы и барьера, соответственно; д-период сверхрешетки: й=йА+с1в; шА*, шв*-эффективные массы данного типа носителей заряда в материалах ямы и барьера, соответственно; У-высота потенциального барьера-на гетерогранице.

С использованием результатов расчетов получены энергии электронных и дырочных уровней в пренебрежении штарковским сдвигом. Расчет энергий экситонных переходов в квантово-размерных структурах сводился к учету энергий связи соответствующих экситонов.

§4.2. посвящен исследованию методом фотоотражения одиночных квантовых ям А1хСа1_хАз/СаАз.

Исследованная структура А1хСа1_хАз/СаАз (х=0.3) была выращена методом МОШ и состояла из трех отдельных квантовых ям с шириной 40, 80 и 160 X. Толщина барьеров составляла 300 I, что позволяет считать волновые функции носителей заряда в соседних ямах не перекрывающимися и поэтому рассматривать ямы как одиночные. Все слои были нелегированными.

Спектры фотоотражения были получены после последовательного стравливания слоев с шагом 300 X. Наблюдались разрешенных перехода; между уровнями размерного квантования в различных ямах. Структура вблизи 1.424 эВ соответствовала прямому энергетическому зазору СаАа и происходила от подложки. Структура вблизи 1.762 эВ возникала от барьеров А1хСа1_хАз. В этом случае положение главного положительного пика. позволило уточнить состав , твердого раствора: х=0.25.

Отчетливо наблюдалось изменение спектров $0 по мере стравливания слоев. Последовательно исчезали линии, связанные с квантовыми переходами в различных ямах. По энергетическому положению особенностей 11Н, 11Ь, 22Н и 22Ь были определены размеры ям, которые составили 48 X и 85 X, соответственно. Для ямы шириной

160 X размер не определяйся, так как в этом случае наблюдалось наложение сигналов $0 от ваАэ и переходов 11Н, 11Ь.

После удаления всех ям остался слой А1хСа1_хАз толщиной 5000 X на подложке СаАй. Сигнал ФО ослабевал по мере уменьшения толщины, однако энергетическое положение пика оставалось неизменным, что указывало на неизменность состава барьера по его толщине. Вблизи энергии фундаментального края ваЛв проявлялись осцилляции, связанные с интерференцией зондирующего излучения в слое. Спектральное положение пиков и их амплитуды зависели от толщины эпитаксиальной пленки и сильно менялись при ее утончении. Полное удаление слоя приводило к появлению сильного сигнала фотоотражения от подложки СаАз,

В §4.3. исследованы сверхрешетки А1хЙа1_хАз/СаАз, которым свойственно резонансное межподзонное поглощение в области 8...10 мкм, что используется для изготовления быстродействующих детекторов инфракрасного излучения. Измерялись спектры фотоотражения и фотолюминесценции образцов, полученных методами МВЕ и МОСУБ. Каждая структура состояла из активной области- сверхрешетки, имеющей 50 периодов чередующихся слоев СаАэ (ЫтМ.) и 1-А1хСа1„хАз, расположенных между двумя контактными слоями толщиной по 0.5...0.6 мкм, легированных до (1...2)-101В см-3. Области ям были легированы до концентрации 101а см-3 для обеспечения 'ИК-поглощения. Типичные спектры фотоотражения представлены на рис.2. Группа линий вблизи 1.43 эВ связана с СаАэ, который мог частично остаться после стравливания верхнего контактного слоя. Осцилляция вблизи энергии 1.748 эВ связана с переходом Е0 в материале барьера А^а^хАэ. В спектре фотоотражения вблизи 1.599 эВ проявлялась тонкая структура, характерная для экситонных переходов 11Н и 11Ь в сверхрешетке. Наблюдаемая асимметрия линии связана с близостью величин энергий переходов 11Н и 1И. Доминирование перехода с участием тяжелой дырки связано с различием в матричных элементах переходов.

Было обнаружено, что вариации высоты барьера и изменение ширины квантовых ям сильно влияют на положение уровней в ямах, что особенно существенно для так называемых резонансных электронных уровней, положение которых лишь на несколько мидлиэлек-тршвадьт отличается от энергии барьера. Этим объясняется силь-

г >

Рис.2. Спектры фотоотражения при 293 К и фотолюминесценции при 77 К сверхрешеток А^а^хАз/баАэ со стравленными контактными слоями

ный сдвиг характеристики спектральной чувствительности или даже полная неработоспособность прибора в ряде случаев.

В §4.4. исследовались структуры с квантовыми ямами InxGaa_xAs/InP и Ini-xGaxAs^yPy/InP различного назначения, выращенные методом жидкофазной эпитаксии. Для системы InxGai._xAs/ InP использовались составы твердого раствора, при которых ширина запрещенной зоны имеет величину 1.24, 0.95 и 0.8 эВ, что соответствует длинам волн 1.0, 1.3 и'1.55 мкм. Образцы представляли собой как одиночные квантовые ямы, так и структуры с многоступенчатым профилем изменения состава. Из анализа и сравнения спектров фотоотражения при комнатной температуре и фотолюминесценции (ФЛ> при 77 К с учетом температурного изменения ширины запрещенной зоны твердого раствора были уточнены величины энергетических зазоров.

В этом же параграфе представлены топографические измерения фотоотражения структур мезаполоск'овых эарощенных З^-хСахАа^Ру/ InP РО ДГС лазеров диапазона 1.3 мкм, полученных модифицированным методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии. Продемонстрированы возможности метода $0 для контроля однородности ■ свойств при сканировании по поверхности образцов. При комнатной температуре в спектрах §0 наблюдались резкие экситонные особенности от всех слоев (активного- длина волны 1.3 мкм, технологического, стоп-слоя - 1.11 мкм и волновода- 1.03 мкм), как показано на рис.3. При переходе от точки к точке амплитуда, форма и энергетическое положение особенностей менялись, что было связано с вариациями состава и ширины квантовой ямы. Амплитуды спектров фотоотражения определялись условиями на гетерограницах.

Спектральный пик от активной области расщеплен на две компоненты, отстоящие друг от друга на 27...37 мэВ. Наличие такого расщепления подтверждает возможность спинодального распада твердого раствора Iiu.xGaxAsi-YPY в процессе роста структуры.

Одномерным структурам -квантовым нитям ln0.eGa0.sAs/GaÁs -посвящен §4.5. Образцы были получены методом M0CVD, с последующим реактивно-ионным травлением и заращиванием. Средние поперечные размеры нитей составляли, по технологическим данным, примерно 100 х 400 X.

Рис.3. Спектры фотоотражения структуры 1п>(<За1_хАВ1_уРх/1пР РО ДГС-лазера в различных точках поверхности образца

« ' >

Рис.4. Спектры фотоотражения: а) исходной структуры с квантовой ямой и б) структуры с квантовыми нитями

Спектры фотоотражения при 293 К сравнивались со спектрами фотолюминесценции при 77 К как исходных квантовых ям, так и образцов с квантовыми нитями. Результаты измерений $0 приведены на рис.4. В обоих спектрах четко видны особенности вблизи 1.43 эВ, связанные с СаАв, а также экситонные переходы типа 11Н, 11Ь и 22Н.

Б квантовых нитях по сравнению с исходной квантовой ямой наблюдаются сдвиги спектральных пиков для переходов 11Н и 11Ь на 13 ±2.4 моВ в сторону больших энергий, что связано с более сильной локализацией волновых функций в квантовых нитях по сравнению с квантовыми ямами. Аналогичные сдвиги наблюдались в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции. Пересчет энергии перехода, полученной из спектра ФЛ №й>=1.354 аВ), при изменении температуры от 77 К до 293 К дал величину -Йсо=1.2б7 эВ, что близко к данным по фотоотражению №<»=1.271 эВ). Это подтверждает, корректность измерений. Величина сдвига в спектрах фотоотражения хоро-* шо согласуется с теоретическими расчетами спектров оптического поглощения квазиодномерных квантовых нитей ваАз, приведенными в литературе.

В §4.6. разработанный метод был опробован на напряженных сверхрешетках. В качестве тестовых образцов были использованы две выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии сверхрешетки 1пхСа1_хА8/1пР с номинальными размерами ям 61 X и 33 X. В спектрах фотоотражения отчетливо наблюдались как разрешенные, так и 'запрещенные по правилам отбора переходы. При энергиях вблизи ширины запрещенной зоны 1пР (£<1.35 эВ) проявлялись интенсивные переходы в надбарьерные состояния. Анализ полученных результатов показал возможность наличия внутренних упругих напряжений. Это приводило к систематическому сдвигу всех спектральных особенностей в сторону меньших энергий. Контрольные измерения, проведенные методом двухкристальной рентгеновской дифрак-тометрии, непосредственно указали на наличие таких напряжений и подтвердили выдвинутые предположения.

В заключении сформулированы основные результаты работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. На основании систематического исследования гетеропереходов и квантово-размерных структур показана эффективность метода фотоотражения для диагностики таких структур и определения следующих параметров (на примере А1хСа1_хАз/СаАз):

-состава твердого раствора: от х=0 до х=0.5 в слоях толщиной 50 X и более;

-концентрации свободных носителей заряда: от 1.8-1010 см~8 до 5-101в см-3 в слоях толщиной более 100 X;

-напряженности электрического поля на гетерограницах в диапазоне 20...750 кВ/см.

2. На примере гетероструктур А1хба1_хАз/СаАз показано, что метод фотоотражения совместно с методом послойного травления позволяет определять толщины эпитаксиальных слоев, а также профили распределения состава с разреиением по толщине до 50 X.

3. Обнаружено расцепление линии спектра 50 лазерных гетероструктур 1п1-хСахАз1_хР*/1пР диапазона 1.3 мкм, что 'подтверждает возможность спинодального распада этого твердого раствора.

4. В спектрах фотоотражения квантовых нитей 1пхСа1_хАв/ ваАз размером 100x400 I обнаружен сдвиг энергий уровней размерного квантования на 13 мэВ по сравнению с исходной квантовой ямой вследствие понижения размерности структуры.

5. Разработаны метода диагностики важных для практического применения полупроводниковых материалов и структур, в том числе предназначенных для инжекционных лазеров диапазона ЦЗ мкм и ИК-фотоприемников диапазона 8...10 мкм.

6. Определены величины энергий спин-орбитального расщепления в А1х(}а1_хАз, ваАзц-хРх и ¡ПхСа^хАэ для различных составов твердых растворов.

ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Тодоров М.Т., Коняев М.В. Установка для исследования фотоотражения полупроводников // Изв. С.-Пб.ЗТИ: Сб.науч.тр. / Санкт-Петербургский электротехн. ин-т им. В.И.Ульянова ,(Ленина). - 1992. -Вьет. 433. -С. 57-60

2.. Коняев К.В., Пихтин А.Н. Фотоотражение твердых растворов AlxGai-xAs // Изв. С.-Пб.ГЭТУ: Сб.науч.тр. / Санкт-Петербургский гос. электротехн. ун-т им. В.И.Ульянова (Венина).-1993.-Вып. 457.-С.10-18,

3. Коняев М.В., Пихтин А.Н, Исследование грвниц раздела и квантово-размерных структур методом фотоотражения // Тез.докл. 1-ой Российской конф. по физ. полупроводников, Т.1.-Нижний Новгород, 10-14 сент. 1993.-С.65.

4. Konyayev U.V., Pikhtin. A'N. Characterization of semicon-tor nanostructures by photoreflectance method // Proc. of Int. Symposium "Nanostructures: physics and technology", Vol.i.-St.-Petersburg, June 20-24, 1994.~C,74-77.

5. Определение концентрации свободных носителей зрряда £ полупроводниковых слоях субмикронной толщины / М.В.Коняев, А.Н. Пихтин, К.Е.Смекалин, В.П.Хвостиков // Изв. С.-Пб.ПЛУ: Сб.науч. тр. / Санкт-Петербургский гос. электротехн. ун-т им. В.И.Ульяно--ва (Ленина).-1994.-Вып.471.-С.7-14.

6. Konyayev И.V., Pikhtin A.N. Characterization of semiconductor nanostructures by photoreflectance method // The Electrochemical Society Interface.-1994.-Vol.3, H3.rP.155.

7. Konyayev M.V., Pikhtin A.N. Characterization of InGaAsP/ InP heterolaser structures by photoreflectance // The Electrochemical Society Interface.-1994.-Vol.3, N4.-P.58.

8. Konyayev M.V., Pikhtin A.N. Photoreflectance of GalnAs/ GaAs quantum wires // The Electrochemical Society Interface.-1994.-Vol.3, N4.-P.58. .

9. Коняев M.В., Пихтин А.Н. Диагностика наноэлектронных структур методом фотоотражения // Тез.докл. Российской конференции "Микроэлектроника-94", Т.2.-Москва, 28 ноября-3 декабря 1994.-С.557-558.