Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

• ВВЕДЕНИЕ.

Список основных используемых в работе обозначений и сокращений.

Гл. 1. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

§1.1. Эффект Франца-Келдыша в кристаллах.

§ 1.2. Учёт экситонных эффектов.

§1.3. Квантоворазмерный эффект Штарка.

1.3.1. Уровни размерного квантования в квантовых ямах.

1.3.2. Влияние электрического поля на уровни размерного квантования.

1.3.3. Экспериментальные работы по наблюдению влияния • внешнего электрического поля на одиночные квантовые ямы.

§ 1.4 Фото- и электроотражение как методы исследования полупроводниковых материалов и структур.

1.4.1. Исследование GaAs методами фото- и электроотражения.

1.4.2. Фото- и электроотражение квантовых ям.

Выводы по 1 главе.

Гл. 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА И ИССЛЕДОВАННЫЕ ОБРАЗЦЫ

§2.1. Модернизация установки для измерения спектров фото- и электроотражения.

2.1.1. Функциональная схема и аппаратурная реализация. ф 2.1.2. Технические данные модернизированной установки.

2.1.3. Методика измерений спектров фото- и электроотражения.

§2.2. Характеристики исследованных образцов

2.2.1. Образцы эпитаксиальных слоев GaAs.

2.2.2. Образцы одиночных квантовых ям (In,Ga)As/GaAs.

Выводы по 2 главе.

Гл. 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЁВ GaAs

§3.1. Определение напряжённости внутреннего электрического поля по спектрам фото- и электроотражения

3.1.1. Традиционный метод.

3.1.2. Определение напряжённости с учётом вклада тяжёлых и лёгких дырок (метод быстрого преобразования Фурье).

§3.2. Бесконтактная характеризация эпитаксиальных слоёв сверхчистого GaAs.

3.2.1. Результаты исследования GaAs методом фотоотражения при комнатной температуре

3.2.1 .а. Область энергий hco>Eg.

3.2.1.6. Область энергий hco<Eg.

3.2.2. Исследование GaAs методом фотоотражения при низкой температуре.

Выводы по 3 главе.

Гл. 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ InGaAs/GaAs

§4.1. Влияние внешнего электрического поля на одиночную квантовую яму.

§4.2. Экспериментальные результаты и их обработка

4.2.1. Идентификация оптических переходов в квантовой яме.

4.2.2. Влияние электрического поля на энергетический спектр одиночной КЯ (In,Ga)As/GaAs.

4.2.3. Выявление механизмов модуляции, ответственных за формирование спектров фото- и электроотражения одиночных квантовых ям.

§4.3. Изменение вероятности оптических переходов в КЯ под действием электрического поля.

Выводы по 4 главе.

По мнению большинства специалистов развитие опто- и наноэлектроники в ближайшие десятилетия будет определяться применением сверхчистых полупроводниковых материалов и квантоворазмерных гетероструктур. Принципиально важную роль в этих структурах играют эффекты размерного квантования, управлять которыми можно путем изменения физико-химических и геометрических параметров соответствующих эпитаксиальных слоев. Среди уже существующих приборов с такими структурами можно назвать транзисторы с высокой подвижностью электронов, различные модификации полупроводниковых инжекционных лазеров, светодиодов, фотоприёмников и многие другие.

В технологии получения сверхчистых полупроводниковых материалов и квантоворазмерных структур принципиально важное значение приобретает разработка методов диагностики. Применяемые в настоящее время для этой цели методы электронной микроскопии, Оже-спектроскопии и электронно-зондового микроанализа весьма трудоёмки и требуют дорогостоящего оборудования. Измерения фото- и электролюминесценции, позволяющие получить информацию об энергетическом спектре носителей заряда в полупроводниковых структурах, не вполне его отражают вследствие передачи возбуждения на более низкоэнергетические состояния. Фотоотражение (ФО) и электроотражение (ЭО), как методы модуляционной оптической спектроскопии, являются неразрушающими, обладают высокой чувствительностью, не требуют помещения образца в высокий вакуум и сравнительно просты в практической реализации.

Исследуемые в настоящей работе сверхчистые эпитаксиальные слои и квантовые ямы (КЯ) на основе арсенида галлия являются базовыми материалами и структурами для современной опто- и наноэлектроники.

Поэтому полученные результаты могут представлять общий интерес для физики и техники полупроводников.

Целью работы являлось: изучение влияния внешних и внутренних электрических полей на электронные состояния и вероятность оптических переходов в квантоворазмерных гетероструктурах, а также разработка методов неразрушающего контроля сверхчистых эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям InGaAs/GaAs.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи:

- модернизация экспериментальной установки фото- и электроотражения;

- оценка влияния концентрации свободных носителей заряда на спектры фотоотражения GaAs;

- определение внутренних электрических полей в исследуемых одиночных КЯ по измеренным спектрам ФО и ЭО;

- выявление основных механизмов, ответственных за формирование спектров фотоотражения и электроотражения одиночных квантовых ям;

- расшифровка сложного дифференциального спектра и выделение вклада отдельных экситонных переходов в его формирование;

- исследование влияния электрического поля на энергетический спектр и вероятность оптических переходов в одиночных КЯ.

В качестве объектов исследования были выбраны:

• толстые (20-200 мкм) эпитаксиальные слои n-GaAs с различной концентрацией п от 1012 до 1015 см"3, выращенные как на полуизолирующей (ПИ), так и на п+-подложке GaAs;

• одиночные квантовые ямы InxGaixAs/GaAs разной ширины и глубины.

Научная новизна представляемых в работе результатов заключается в следующем:

1) Экспериментально получена зависимость ширины основного экситонного пика в спектрах фотоотражения n-GaAs от концентрации свободных носителей заряда.

2) Обнаружено увеличение отношения интенсивности длинноволнового пика к амплитуде основной осцилляции в спектрах фотоотражения арсенида галлия при уменьшении концентрации свободных носителей заряда от 1015 до 1012 см"3.

3) Показано, что при малых электрических полях (единицы кВ/см) основным механизмом формирования сигнала электроотражения в одиночных КЯ InGaAs/GaAs является модуляция вероятности оптических переходов.

4) Для возбуждённых уровней размерного квантования экспериментально продемонстрирована немонотонная зависимость вероятности межзонных оптических переходов от напряжённости электрического поля.

5) Показано, что существует область значений электрического поля, где вероятность запрещённых в нулевом поле переходов превышает вероятность разрешённых.

Практическая значимость работы:

1. На основе измерений спектров фотоотражения разработана методика бесконтактной характеризации эпитаксиальных слоёв сверхчистого арсенида галлия (до п~ 10 см").

2. Наблюдавшиеся в работе на примере квантовой ямы InxGaixAs/GaAs сильные и нетривиальные изменения вероятности оптических переходов под действием электрического поля открывают возможности, как создания новых приборов оптоэлектроники, так и подстройки внешним полем характеристик уже существующих (каскадных лазеров; фотоприёмников на межподзонных переходах; приборов, использующих резонансное туннелирование и т.п.).

Научные положения, выносимые на защиту:

Ширина основного экситонного пика в спектрах фотоотражения n°-GaAs и соотношение интенсивностей длинноволнового и основного пиков зависят от концентрации свободных носителей заряда, что может быть использовано для диагностики сверхчистых эпитаксиальных слоев с п от 1012 до 1015 см"3.

При малых электрических полях F (единицы кВ/см) основным механизмом формирования сигнала электроотражения в InGaAs/GaAs КЯ является модуляция вероятности оптических переходов.

Для возбуждённых уровней размерного квантования наблюдается немонотонная зависимость вероятности межзонных оптических переходов от напряжённости электрического поля и существует область значений F, где вероятность запрещённых в нулевом поле переходов превышает вероятность разрешённых.

Апробация результатов работы:

Основные результаты диссертационной работы докладывались на следующих конференциях:

12-м Международном симпозиуме "NANOSTRUCTURES: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 21-25,2004);

- Международной конференции "International Workshop on Modulation Spectroscopy of Semiconductor Structures" (Wroclaw, Poland, July 1-3, 2004); 3-й, 5-й, 6-й и 7-й Всероссийских молодёжных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, Россия, 2001, 2003, 2004 и 2005);

Международной конференции "International Conference of St. Petersburg IEEE Chapters" (St. Petersburg, Russia, June 8-10, 2004);

- 4-Й-7-Й научных молодёжных школах по твердотельной электронике (20012004); научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (2003-2006).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 6 научных работ, из них - 4 статьи и 2 работы в материалах международных конференций.

Работа выполнена на кафедре Микроэлектроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» в Отраслевой научно-исследовательской лаборатории оптических методов контроля.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения и списка литературы, включающего 134 наименования. Основная часть диссертации изложена на 86 страницах машинописного текста. Работа содержит 33 рисунка и 11 таблиц.

Основные результаты работы сводятся к следующему:

1. Обнаружено увеличение относительной интенсивности длинноволнового пика в спектрах фотоотражения сверхчистого GaAs при уменьшении концентрации свободных носителей заряда.

2. Экспериментально получена зависимость ширины основного пика ФО в области Её ех GaAs от концентрации свободных носителей заряда, определённой по наблюдаемым в тех же спектрах ОФК.

3. Выявлено преобладание различных механизмов формирования спектров электроотражения КЯ в зависимости от напряжённости электрического поля, в котором она находится. Показано, что в малых полях основным механизмом является модуляция вероятности оптического перехода.

4. Экспериментально подтверждены предсказанные ранее для одиночной КЯ нетривиальные зависимости вероятности запрещённых по симметрии оптических переходов от электрического поля.

5. Показано, что в электрических полях напряжённостью 40 кВ/см и более вероятность запрещённых в нулевом поле переходов в КЯ становится больше вероятности разрешённых.

В заключение выражаю глубокую благодарность тем, без чьего участия не состоялась бы настоящая работа:

- Александру Николаевичу Пихтину, научному руководителю, — за постановку задачи и всестороннюю поддержку при проведении научных исследований, результаты которых вошли в диссертацию;

- Варфоломееву С.Б. — за помощь в подготовке оборудования для высокочувствительных и низкотемпературных экспериментов;

- Базарову К.В. - за содействие при обработке экспериментальных данных. Также я благодарен всем сотрудникам кафедры Микроэлектроники, на которой выполнялась диссертационная работа, за доброжелательное отношение и многократные плодотворные обсуждения полученных результатов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Franz, W. 1.fluence of an electric field on an optical absorption edge (in German) / W. Franz // Z. Naturforsch. -1958. - V. 13a. - P. 484-489.

2. Келдыш, Л.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов / Л.В. Келдыш // ЖЭТФ. -1958. Т. 34, Вып. 5. С. 1138-1141.

3. Frova, A. Shift of optical absorption edge by an electric field: Modulation of light in the space-charges region of a Ge p-n junction / A. Frova, P. Handler // Appl. Phys. Lett. 1964. - Vol. 5. - P. 11-13.

4. Frova, A. Franz-Keldysh effect in the space-charges region of a germanium p-n junction / A. Frova, P. Handler // Phys. Rev. 1965, - V. 137.1. P. A1857-A1861.

5. Abramowitz, M. Handbook of Mathematical Functions / M. Abramowitz, L.A. Stegun // NBS Math. Ser. —Washington, DC: US GPO. 1970. - No. 44. Sect. 10.

6. Питер, Ю. Основы физики полупроводников / Питер Ю, М. Кардона ; пер. с англ. под ред. акад. Б.П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: Физматлит, 2002. -560 с.

7. Кардона, М. Модуляционная спектроскопия / М.'Кардона ; пер. с англ. -М.: Мир, 1972.-416 с.

8. Thamarlingham, К. Optical absorption in the presence of uniform electric field/ K. Thamarlingham // Phys. Rev. 1963. - V. 130. -P. 2204-2206.

9. Estrera, J.P. Complex Airy analysis of photoreflectance spectra for III-V semiconductors / J.P. Estrera, W.M. Duncan, R. Glosser // Phys. Rev. B. -1994. V. 49. - P. 7281-7294.

10. Aspnes, D.E. Schottky barrier electroreflectance: Application to GaAs / D.E. Aspnes, A.A. Studna // Phys. Rev. B. 1973. - V. 7.1. P. 4605-4625.

11. Wannier, G.H. The structure of excitation levels in insulating crystals / G.H. Wannier // Phys. Rev. 1937. -Vol. 52. - P. 191-197.

12. Mott, N.F. Conduction in polar crystals -II / N.F. Mott // Trans. Faraday Soc.- 1938. Vol. 34 - P. 50-54.

13. Тягай, B.A. Электроотражение света в полупроводниках / В.А. Тягай, О.В. Снитко. Киев: Наукова думка, 1980. -302 с.

14. Киселёв, В.А. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников / В.А. Киселёв, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко.- Изд. 2-е, доп. и испр. СПб.: Изд-во СПбГУ, 2003- 244 с.

15. Скайтис, Э. Влияние неоднородного поверхностного потенциала на экситонное отражение света / Э. Скайтис, В.И. Сугаков // Лит. физ. сб. -1974. -Т. 14, Вып. 2. -С. 297-304.

16. Blossey, D.F. Wannier exciton in an electric field. II. Electroabsorption in direct band-gap solids / D.F. Blossey // Phys. Rev. В Solid state. -1971.-Vol.3, No. 4. — P. 1382-1391.

17. Ландау, Л.Д. Квантовая механика, нерелятивистская теория / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц ; -М.: Физматгиз, 1959. -704 с.

18. Глинский Г.Ф. Экситоны и поляритоны в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами : дисс. докт. физ.-мат. наук. / Г.Ф. Глинский. СПб., 1995.

19. Blossey, D.F. Wannier exciton in an electric field. I. Optical absorption by bound and continuum states / D.F. Blossey // Phys. Rev. В — Solid state.- 1970. -№19. P. 3976-3990.

20. Merkulov, I.A. Effect of electron-hole interaction on electroabsorption in semiconductors/1.A. Merkulov, V.I. PereP // Phys. Lett. A. 1973. -Vol. 45. -No. 2. -P. 83-84.

21. Меркулов, А.И. Влияние экситонного эффекта на электропоглощение в полупроводниках / А.И. Меркулов // ЖЭТФ.-1978. -Т. 66,1. Вып. 6.-С. 2314-2324.

22. Аронов, А.Г. Влияние электрического поля на экситонное поглощение / А.Г. Аронов, А.С. Иоселевич // ЖЭТФ.-1974. -Т. 74, Вып. 3. -С.1043-1052.

23. Galbraith, I. Excitonic electroabsorption and electrorefraction in semiconductors / Ian Galbraith // Phys. Rev. В. -1993-11. -Vol.48, No. 8. P. 51055112.

24. Аронов, А.Г. Электрооптика экситонов / А.Г. Аронов, А.С. Иоселевич // В кн.: Экситоны, под ред. Э.И. Рашба, М.Д. Стреджа. М.: Наука, 1985.-С. 193-229.

25. Pond, S.F. Flatband electroreflectance of gallium arsenide: II. Comparison of theory and experiment / S.F. Pond, P. Handler // Phys. Rev. B. Solid State. - 1973. -V. 8. - P. 2869-2879.

26. Mendez, E.E. Effect of an electric field on the luminescence of GaAs quantum wells / E.E. Mendez et al. // Phys. Rev. B. 1982. -Vol. 26.1. P. 7101-7104.

27. Ivchenko, E.L. Superlattices and heterostructures. Symmetry and Optical Phenomena / E.L. Ivchenko, G.E. Pikus // Springer Series in Solid-State Sciences. Ed. M. Cardona. Springer-Verlag Berlin Heideiberg, - 1995.

28. Chen, W. Quantum-confined Stark effect in artificially made quantum well structures / W. Chen // Chalmers Univ. of Techn., Goteborg, Sweden. -1993.-62 p.

29. Пихтин, A.H. Оптическая и квантовая электроника : учеб. для вузов / А.Н. Пихтин. М.: Высш. шк., 2001.-573 с.

30. Miller, D.A.B. Electric field dependence of optical absorption near the band gap of quantum-well structures / D.A.B. Miller et al. // Phys. Rev. B. -1985. -Vol. 32, N2.-P. 1043-1060.

31. Bastard, G. Variational calculations on a quantum well in an electric field / G. Bastard, E.E. Mendez, L.L. Chang, L. Esaki // Phys. Rev. B. -1983.

32. Vol. 28, No. 6. -P. 3241-3245.

33. Vina, L. Stark shifts in GaAs/GaAlAs quantum wells studied by photolu-minescence spectroscopy / L. Vina et al. // J. Phys. C: Sol. St. Phys. — 1987.-V. 20.-P. 2803-2815.

34. Mendez, E.E. Optical properties of quantum wells and superlattices under electric fields / E.E. Mendez, F. Agullo-Rueda // J. of Luminescence. -1989.-Vol. 44.-P. 223-231.

35. Лазаренкова, О.Л. Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения в квантоворазмерных гетероструктурах. Дисс. . канд. физ.-мат. наук. СПб., 1999.

36. Лазаренкова, О.Л. Энергетический спектр неидеальной квантовой ямы в электрическом поле / О.Л. Лазаренкова, А.Н. Пихтин // ФТП. -1998.-Т. 32, Вып. 9.-С. 1108-1113.

37. Chen, W. Effect of the nonparabolic mass on the electron confinement in arbitrarily shaped quantum wells / W. Chen, T.G. Andersson // Phys. Rev. B. -1991 .-Vol.44, No. 16. -P. 9068-9071.

38. Chen, W. Quantum confined Stark shift for differently shaped quantum wells / W. Chen, T.G. Andersson // Semicond. Sci. Techn. -1992. -Vol.7. -P. 828-836.

39. Wood, Т.Н. High-speed optical modulation with GaAs/GaAlAs quantum wells in a p-i-n diode structure / Т.Н. Wood et al. // Appl. Phys. Lett. -1984.-Vol. 44.-P. 16.

40. Masumoto, Y. Tunneling dynamics of photogenerated carriers in semiconductor superlattices / Y. Masumoto, S. Tarucha, H. Okamoto // Phys. Rev. В.-1986.-Vol. 33.-P. 5961.

41. Tejedor, C. Resonant Raman scattering in GaAs-GaixAlxAs quantum wells in an electric field / C. Tejedor et al. // Phys. Rev. B. 1987. -Vol. 36. -P. 6054.

42. L. Vina, R.T. Collins, E.E. Mendez and W.I. Wang // Phys. Rev. Lett.1987.-Vol. 50.-P. 832.

43. Alibert, C. Measurements of electric-field-induced energy-level shifts in GaAs single-quantum-wells using electroreflectance / C. Alibert et al. // Solid State Commun. -1985. -Vol. 53. -P. 457-460.

44. H.-J. Polland, Y. Horikoshi, R Hoger, E.O. Gobel, J. Kuhl and K. Ploog // Physica B. 1985. -Vol. 134. -P. 412; Surf. Sci. -1986. -Vol. 174.1. P. 278.

45. Horikoshi, Y. Photoluminescence quenching in reverse-biased AlxGaixAs/GaAs quantum-well heterostructures due to carrier tunneling / Y. Horikoshi, A. Ficher, K. Ploog // Phys. Rev. B. -1985. -Vol. 31.1. P. 7859.

46. Kan, Y. Switching of photoluminescence by pulsed electric field in GaAs/Alo.7Gao.3As single quantum well structure / Y. Kan et al. // IEEE J. Quantum Electronics. 1986. - QE-26. -P. 1837.

47. Kash, J.A. Electric field induced decrease of photoluminescence lifetime in GaAs quantum wells / J.A. Kash, E.E. Mendez, H. Morko? // Appl. Phys. Lett. -1985. -Vol. 46. -P. 173-175.

48. Polland, H.-J. Lifetime enhancement of two-demensional excitons by the quantum-confined Stark effect / H.-J. Polland et al. // Phys. Rev. Let. -1985. -Vol. 55. -P. 2610-2613.

49. Harwit, A. Observation of Stark shifts in quantum well intersubband transitions // A. Harwit, J.S. Harris // Jr. Appl. Phys. Lett. -1987. -Vol. 50.1. P 685.

50. K. Wakita, Y. Kavamura, Y. Yoshikuni and H. Asahi // Electron. Lett. -1987. -Vol. 22. -P. 907.

51. Т.Н. Wood, E.C. Carr, C.A. Burrus, R.S. Tucker, T.-H. Chiu and W.T. Tsang // Electron. Lett. 1987. - Vol. 23. -P. 540.

52. Fu, Q. Electric field induced shifts in exciton luminescence in ZnSe/(Zn,Mn)Se superlattices / Q. Fu et al. // Appl. Phys. Lett. -1987. -Vol. 51.-P. 578.

53. Kuo, Y.-H. Strong quantum-confined Stark effect in germanium quantum-well structures on silicon / Y.-H. Kuo et al. // Nature. 2005. - Vol. 437. -P. 1334-1336.

54. Wood, Т.Н. 131 ps optical modulation in semiconductor multiple quantum wells / Т.Н. Wood et al. // IEEE J. Quant. Electron. -1985. QE-21.1. P. 117.

55. Розеншер, Э. Оптоэлектроника / Э. Розеншер, Б. Винтер; пер с фр. под ред. О.Н. Ермакова. 2-е изд. - М.: Техносфера, 2004. - 592 с.

56. Miller, D.A.B. Novel hybrid optically bistable switch: The quantum well self-electro-optic effect device / D.A.B. Miller et al. // Appl. Phys. Lett. -1984.-Vol. 45.-P. 13-15.

57. Yamanishi, M. Quantum mechanical size effect modulation light sources — A new field effect semiconductor laser or light emitting device / M. Yamanishi, I. Suemune // Jap. J. Appl. Phys. -1983. -Vol. 22. P. L22.

58. Takeoka, Т. A 140 ps optical pulse generation by field-induced gain switching in a photo-excited quantum well laser / T. Takeoka et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1987. -Vol. 26. - P. LI 17.

59. Yamanishi, M. Field-induced optical nonlinearity due to virtual transitions in semiconductors quantum-well structures / M. Yamanishi // Phys. Rev. Lett. -1987. -Vol. 59. -P. 1014-1017.

60. Chemla, D.S. Generation of ultra-short electrical pulses through screening by virtual populations in biased quantum wells / D.S. Chemla, D.A.B.

61. Miller, S. Schmitt-Rink// Phys. Rev. Lett. 1987. -Vol. 59. -P. 1018-1021.

62. Frova, A. Electric field shift of the absorption edge in the space charge region of a Ge p-n junction / A. Frova, P. Handler // Physics of Semiconductors / Ed. by M. Hulin.—Paris: Dunod. 1964. - P. 157-164.

63. Seraphin, B.O. Franz-Keldysh effect above the fundamental edge in germanium/ B.O. Seraphin, R.B. Hess // Phys. Rev. Lett. 1965. -Vol. 14.-P. 138-140.

64. Aspnes, D.E. Modulation spectroscopy/electric field effects on the dielectric function of semiconductors // Handbook of Semiconductors / Ed. by M. Balkanski. — Amsterdam: North-Holland. -1980. -Vol. 2. -P. 109-154.

65. Pollak, F.H. Modulation spectroscopy of semiconductors: Bulk/thin films, microstructures, surfaces/interfaces and devices / F.H. Pollak, H. Shen // Mater. Sci. Eng. -1993. -Vol. R 10. -P. 275-374.

66. Комков, O.C. Определение напряжённости электрического поля в квантовых ямах методами фото- и электроотражения / О.С. Комков, А.Н. Пихтин // Изв. СПбГЭТУ «ЛЭТИ» / СПб гос. электротехн. ун-т. -2003. Вып. 2 : Физика твёрдого тела и электроника. С. 42-45.

67. Seraphin, B.O. Electroreflectance in GaAs / B.O. Seraphin // Proc. Phys. Soc.-1966.-Vol. 87.-P. 234-243.

68. Seraphin, B.O. Electroreflectance studies in GaAs / B.O. Seraphin // J. Appl. Phys. 1966, - Vol. 37. -P. 721-728.

69. Shay, L. Photoreflectance line shape at the fundamental edge in ultrapure GaAs / L. Shay // Phys. Rev. B. -1970. -Vol. 2. -P. 803.

70. Peters, L. Noncontact doping level determination in GaAs using photoreflectance spectroscopy / L. Peters et al. // J. Appl. Phys. -1987. -Vol. 62. -P. 4558.

71. Lee, C. Room-temperature photoreflectance and photoluminescence ofheavily Si-doped GaAs / C. Lee et al. // J. Appl. Phys. -1995. Vol. 77. -P. 6727.

72. Jezienski, K. Application of Kramers-Kronig analysis to the photoreflec-tance spectra of heavily doped GaAs/SI-GaAs structures / K. Jezienski et al. // J. Appl. Phys. 1995. -Vol. 77. -P. 4139.

73. Misiewicz, J. Semiconductor heterostructures and device structures investigated by photoreflectance spectroscopy / J. Misiewicz et al. // Material Science. 2003. -Vol. 21. -P. 263-320.

74. Badakhshan, A. Correlation between the photoreflectance response at El and carrier concentration in n- and p-GaAs / A. Badakhshan, R. Glosser, S. Lambert // J. Appl. Phys. -1991. -Vol. 69. -P. 2525.

75. N. Bottka, D.K. Gaskill, R.S. Sillmon, R. Henry, R. Glosser//J. Electron. Mater.-1988.-Vol. 17.-P. 161.

76. Sydor, M. Photoreflectance measurements of unintentional impurity concentrations in undoped GaAs / M. Sydor et al. // J. Appl. Phys. -1989. -Vol. 66.-P. 156-160.

77. Pikhtin, A.N. Room-temperature observation of impurity states in bulk GaAs by photoreflectance / A.N. Pikhtin et al. // J. Appl. Phys. -1989. -Vol. 65. -P. 2556-2557.

78. Пихтин, A.H. Наблюдение примесных состояний в высокоомном ар-сениде галлия методом фотоотражения / А.Н. Пихтин и др. // ФТП. -1989.-Т. 23.-С. 1280-1282.

79. Brierley, S.K. Correlation between the photoreflectance impurity peak in semi-insulating GaAs and the bulk acceptor concentration / S.K. Brierley, D.S. Lehr // J. Appl. Phys. -1990. -Vol. 67, No. 8. -P. 3878-3880.

80. Fischer, J.E. New directions in modulation spectroscopy / J.E. Fischer // Surface Science. -1973. -Vol. 37. -P. 473-493.

81. Черников, M.А. Микроволновое модуляционное отражение света полупроводников / М.А. Черников, О.А. Рябушкин // Письма в ЖТФ.2001.-Т. 27.-С. 29-34.

82. Черников М.А. Двухволновая модуляционная спектроскопия неравновесных электронов в полупроводниковых структурах. Автореф. на дисс. . канд. физ.-мат. наук, Москва, 2005.

83. Пихтин, А.Н. Фотоотражение полуизолирующего GaAs при hw<Eg /А.Н. Пихтин, М.Т. Тодоров // ФТП. 1994. -Т. 28. -С. 1068-1075.

84. Enderlein, R. On the mechanisms of photoreflectance in multiple quantum wells / R. Enderlein, D. Jiang, Y. Tang // Phys. Stat. Sol. (b). 1988. -Vol. 145.-P. 167.

85. Kan, Y. Field effect on the refractive index and absorption coefficient in AlGaAs quantum well structures and their feasibility for electrooptic device applications / Y. Kan et al. // IEEE J. of Quantum Electr. -1987. QE-23. -P. 2167-2180.

86. Pollak, F.H. Modulation spectroscopy of semiconductor microstructures / F.H. Pollak// Superlattices and Microstructures. -1991. -Vol. 10.1. P. 333-346.

87. Aspnes, D.E. Schottky barrier electroreflectance of Ge: Non-degenerate and optically degenerate critical points / D.E. Aspnes // Phys. Rev. -1975. -Vol. 12.-P. 2297-2310.

88. Shen, H. Observation of symmetry forbidden transitions in the room temperature photoreflectance spectrum of a GaAs/GaAlAs multiple quantum well / H. Shen et al. // Sol. State Comm. 1986. -Vol. 59. -P. 557-560.

89. Imai, T. Breakdown of optical selection rules in a highly biased quantum well / T. Imai et al. // Physica E. -2002. Vol. 13. -P. 481-484.

90. Ksendzov, A. Photoreflectance study of InxGaixAs/GaAs single quantum wells / A. Ksendzov et al. // Surf. Sc. -1990. -Vol. 228. -P. 326-329.

91. Nakayama, M. Oscillator strength of type-II light-hole exciton in InxGaixAs/GaAs strained single quantum wells / M. Nakayama et al. // Physica E. -2000. -Vol. 7. -P. 567-571.

92. S§k, G. Influence of built-in electric field on forbidden transitions in InxGai.xAs-GaAs double quantum well by three-beam photoreflectance / G. S?k et al. // Acta Physica Pol. A. -2001. -Vol. 100. -P. 417-424.

93. Kavaliauskas, J. Electroreflectance studies of InGaAs/GaAs asymmetric step quantum wells / J. Kavaliauskas et al. // Semicond. Sci. Technol. -1993.-Vol. 8.-P. 1875-1880.

94. Kavaliauskas, J. Quantum confined Stark effect in InGaAs/GaAs quantum wells under high electric field / J. Kavaliauskas et al. // Phys. Stat. Sol. (b). -1995. -Vol. 191. -P. 155-159.

95. Тодоров, M.T. Установка для исследования фотоотражения полупроводников / M.T. Тодоров, М.В. Коняев // Изв. СПбЭТИ / -1992. Вып. 433.-С. 57-60.

96. Спектрометр инфракрасный ИКС-31. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. —JL: JIOMO, 1977.

97. Тодоров М.Т. Фотоотражение GaAs и InP. Дисс. канд. физ.-мат. наук. СПб.: СПбГЭТУ, 1992.

98. Зайдель, А.Н. Таблицы спектральных линий / Зайдель А.Н. и др. //-М.: Физматгиз, 1962.

99. Аксененко, М.Д. Микроэлектронные фотоприемные устройства / Аксененко М.Д., Бараночников M.JI., Смолин О.В. // -М. Энергоатомиздат, 1984.

100. V.L. Dostov, Yu. V. Zhilyaev, I.P. Ipatova, A.Y. Kulikov, Y.N. Makarov, G.R. Markaryan // High Purity Mater. -1989. -Vol. 4. -P. 74.

101. Жиляев, Ю.В. // Диссд. физ.-мат. наук. АН СССР. ФТИ им.1. A.Ф. Иоффе.-Л., 1991.

102. Ботнарюк, В.М. Особенности эпитаксиальных слоёв GaAs как детекторов а-частиц / В.М. Ботнарюк и др. // Письма в ЖТФ. -1998. -Т. 24. -С. 8-15.

103. Zhilyaev, Yu. V. Optical characterization of ultra-pure GaAs / Yu. V. Zhilyaev et al. // Phys. Stat. Sol. (c). -2003. -Vol. 0, №3. -P. 1024-1027.

104. Bugge, F. MOVPE growth of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells / F. Bugge et al. // Jornal of Crystal Growth. -1998. -Vol. 183. -P. 511-518.

105. Bugge, F. Effect of growth conditions and strain compensation on indium incorporation for diode lasers emitting above 1050 nm / F. Bugge et al. // Jornal of Crystal Growth. -2000. -Vol. 221. -P. 496-502.

106. Пихтин, A.H. Омические контакты к полупроводникам, полученные с помощью лазера / А.Н. Пихтин, В.А. Попов, Д.А. Яськов // ФТП. -1969.-Т. 3.-С. 1646-1648.

107. Hughes, P.J. Analysis of Franz-Keldysh oscillation in photoreflectance spectra of a AlGaAs/GaAs single-quantum well structure / P.J. Hughes,

108. B.L. Weiss, T.J.C. Hosea // J. Appl. Phys. 1995. -Vol. 77, No. 12. -P. 6472-6480.

109. Коняев, M.B. Исследование гетеропереходов в квантово-размерных структурах методом фотоотражения. Дисс. . канд. физ.-мат. наук. -СПб., 1995.

110. Ивкин, А.Н. Исследование полупроводниковых эпитаксиальных слоёв и квантово-размерных структур методом фотоотражения. Дисс. . канд. физ.-мат. наук. -СПб., 1998.

111. Chandreskhar, M. Effects of uniaxial stress on the electroreflectance spectrum of Ge and GaAs / M. Chandreskhar, F.H. Pollak // Phys. Rev. B. -1977.-Vol. 15.-P. 2127.

112. Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, ed. By O. Madelung, M. Schulz, H. Weiss (New York, Springer, 1982) v. 17a.

113. Келдыш, JI.В. Эффекты поляризации при межзонном поглощении света в полупроводниках в сильном электрическом поле / Л.В. Келдыш, О.В. Константинов, В.И. Перель // ФТП. -1969. Т. 3, Вып. 7. -С. 1042.

114. Wang, D.P. Fast Fourier transform of photoreflectance spectroscopy of 8-doped GaAs / D.P.Wang, C.T.Chen // Appl. Phys. Lett. 1995. - Vol. 67, No. 14.-P. 2069-2071.

115. Wang, D.P. Pumping-beam-induced photovoltaic effect on the photoreflectance of a 8-doped GaAs film / D.P.Wang, C.T.Chen, T.L.Shen // J. Appl. Phys. 1996. - Vol. 80, No. 12. - P. 6980 - 6983.

116. Chang, W.-H. A study of the Franz-Keldysh oscillations in electromodu-lation reflectance of Si-delta-doped GaAs by fast Fourier transformation / W.-H.Chang et al. // J. Appl. Phys. 1998. - Vol. 83, No. 12.1. P. 7873-7878.

117. Photoreflectance study of 8-doped semiconductor layers by fast Fourier transformation / M. Nowaczyk et al. // Thin Solid Films. 2000. - Vol. 380.-P. 243-245.

118. Пихтин, A.H. Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs / A.H. Пихтин, О.С. Комков, К.В. Базаров // Физика и техника полупроводников. -2006. -Т. 40, Вып. 5. С. 608-613.

119. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов : в 2-х книгах / С. Зи ; пер. с англ. под ред. д.ф.-м.н. Р.А. Суриса. — 2-е изд., перераб. и доп.1. М.: Мир, 1984.

120. Пихтин, А.Н. Фотоотражение арсенида галлия / А.Н. Пихтин, М.Т. Тодоров // Физика и техника полупроводников. -1993. -Т. 27, Вып. 7. -С. 1139-1145.

121. Hsu, Т.М. Franz-Keldysh oscillations of 5-doped GaAs / T.M. Hsu et al. // J. Appl. Phys. -1992. -V. 72, N. 3. P. 1065-1069.

122. Chen, Y.H. Fermi level pinning of GaAs at room temperature directly determined by the amplitude of photoreflectance spectra / Y.H. Chen, R.M. Chen // Proc. of SPIE. -2000. -Vol. 4078. -P. 422-428.

123. Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия методом фотоотражения /

124. О.С. Комков и др. // Изв. СПбГЭТУ «ЛЭТИ» / СПб гос. электротехн. ун-т. -2005. Вып. 2 : Физика твёрдого тела и электроника. С. 48-51.

125. Aspnes, D.E. Third-derivative modulation spectroscopy with low-field electroreflectance / D.E. Aspnes // Surf. Sci. -1973. -Vol. 37. -P. 418-442.

126. Hosea, T.J.C. Estimating critical-point parameters from Kramers-Kronig transformation of modulated reflectance spectra / T.J.C. Hosea // Physica status solidy (b). 1994. -Vol. 182. -P. K43-K47.

127. Hosea, T.J.C. Estimating critical-point parameters of modulated reflectance spectra / T.J.C. Hosea // Physica status solidy (b). 1995. -Vol. 189. -P. 531-542.

128. Пихтин, А.Н. Оптические переходы в полупроводниковых твёрдых растворах / А.Н. Пихтин // Физика и техника полупроводников. -1977. -Т. 11, Вып. З.-С. 425-454.

129. Zubkov, V.I. Determination of band offsets in strained InxGai.xAs/GaAs quantum wells by capacitance-voltage profiling and Schrodinger-Poisson self-consistent simulation / V.I. Zubkov et al. // Phys. Rev. B. -2004. -Vol. 70.-P. 075312.

130. Pikhtin, A.N. Variation of optical transitions probability induced byelectric field in QWs / A.N. Pikhtin, O.S. Komkov, F. Bugge // Nanostruc-tures: physics and technology: Proc. of 12th Int. Symp., St. Petersburg, Russia, 2004.-P. 285-286.

131. Komkov, O.S. Influence of electric field on energy spectrum and probability of optical transitions in quantum wells / O.S. Komkov, A.N. Pikhtin // Proc. of St. Petersburg IEEE Chapters. Y. 2004, St. Petersburg, Russia, 2004. P. 32-34.

132. Komkov, O.S. Optical transitions probability controlled by external electric field in InGaAs/GaAs quantum wells / O.S. Komkov, A.N. Pikhtin,xL

133. K.V. Bazarov // Nanostructures: physics and technology: Proc. of 14 Int. Symp., St. Petersburg, Russia, 2006.

134. Оптические свойства наноструктур / JT.E. Воробьёв и др. ; под ред. JI.E. Воробьёва и ЕЛ. Ивченко. -СПб. -2001. -188 с.