Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A III B V для селективных фотоприемников тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Список обозначений.

Введение.

1. Свойства фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A'"BV (обзор литературы).

1.1. Свойства и характеристики контактов металл-полу проводи ик

1.1.1. Зонные диаграммы.

1.1.2. Механизмы протекания тока и вольт-амперные характеристики контактов металл-полупроводник.

1.1.3. Вольт-фарадные характеристики контакта металл -полупроводник.

1.1.4. Высота потенциального барьера контакта металл -полупроводник.

1.1.5. Методы определения высоты потенциального барьера.

1.1.6. Фотоэлектрические свойства контакта металл-полупроводник

1.2. Свойства и характеристикир-п-переходов.

1.2.1. Зонные диаграммы и вольт-амперные характеристики р-п-переходов

1.2.2. Использование р-п-перехода в качестве фотодетектора.

1.3. Параметры и свойства фосфида галлия и твердых растворов AIUBV.

1.3.1. Параметры и свойства фосфида галлия.

1.3.2. Параметры и свойства и твердых растворов AinBv.

2. Технология получения структур металл - полупроводник и установки для исследования их характеристик.

2.1. Технология получения структур металл-полупроводник.

2.2. Установка для исследования вольт-амперных характеристик контактов.

2.2.1. Установка для исследования вольт-фарадных характеристик контактов.

2.3. Установка для исследования спектральных характеристик контактов металл - полупроводник.

3. Исследование характеристик контакта металл - фосфид галлия

3.1. Диагностика контакта металл-фосфид галлия методом электронной Оже -спектроскопии.

3.2. Исследование прямых вольтамперных характеристик структур металл - фосфид галлия.

3.3. Исследование обратных вольтамперных характеристик структур металл - фосфид галлия.

3.4. Исследование вольт-фарадных характеристик структур металл - фосфид галлия.

3.5. Исследование спектральных характеристик структур металл -фосфид галлия.

3.6. Определение высоты барьера.

4. Исследование фотодиодных структур на основе твердых растворов AinBv.

4.1. Исследование влияния поверхностной рекомбинации на спектр чувствительности фотодиодных структур.

4.2. Исследование спектральных характеристик структур металл -полупроводник с использованием эффекта широкозонного окна.

5. Рабочие характеристики изготовленных фотоприемников

5.1. Рабочие характеристики селективных УФ фотоприемников на основе контакта металл-фосфид галлия.

5.2. Рабочие характеристики селективных фотоприемников на основе твердых растворов АШВУ.

Развитие современной электроники приводит к необходимости создания эффективных фотодетекторов для различных областей спектра. В ряде случаев возникает потребность в разработке селективных фотоприемников, чувствительных к излучению в узком диапазоне длин волн. Среди основных областей применения таких фотодетекторов электроника, медицина, экология, телекоммуникации, включая волоконно-оптические линии связи, оптические датчики и др.

Для получения эффекта селективности обычно используются оптические фильтры, у которых есть ряд недостатков. Они имеют большие размеры, что приводит к увеличению габаритов всего прибора. Характеристики некоторых фильтров могут быть нестабильны во времени.

T/*-r\/~v» г а т>гут-</л ttq пллптто алтт г» /л о * »/л«,т'"Т тап тт ттгч тт/л^гчл'т'т тта ттт ч *t"\ Л itci f~\ v гч mxi »тт» г тт

XvpOiviw iui и, riv^ dcu Да сСю DOoiviu>ivnUwib нидиираю цтЛЬхр L ri^OOXu/j,ruvibhvLpl iiC4-j-/Ciiviv i^/umri,

Эту проблему можно решить используя твердые растворы, в частности, на основе фосфид галлия. Их использование при создании фотоприемников и особенно селективных фотодиодных структур весьма перспективно, поскольку позволяет в достаточно широком диапазоне изменять параметры фотодетекторов путем изменения состава твердого раствора.

В то же время, для ряда применений, в частности, в приборах детектирования озоновых дыр, пожарных сигнализация, сенсорах бактериологического заражения, требуются селективные коротковолновые фотоприемники, нечувствительные к видимому свету. В настоящее время в ультрафиолетовом диапазоне в основном применяют фотодетекторы на основе кремния. К сожалению, максимум чувствительности Si находится при длине волны около 700 нм, что приводит к необходимости в фильтрации видимого света.

Более перспективными коротковолновыми фотодетекторами являются приборы на основе полупроводников с большой шириной запрещенной зоны. С нашей точки зрения, на сегодняшний день одним из оптимальных материалов является фосфид галлия. Его технология хорошо отработана и дает возможность получать материал высокого качества. Высота потенциального барьера с благородными металлами существенно больше, чем аналогичная величина для арсенида галлия или кремния, что позволяет создать структуру с малыми темновыми токами.

Значительное внимание в работе уделено изучению характеристик металл - полупроводник. Фотоприемники на основе контакта Шотки обладают повышенной фоточувствительностью и повышенным быстродействием, для создания поверхностно-барьерных структур нет необходимости проводить нагрев полупроводника до высоких температур.

Цель работы: Исследование фотоэлектрических свойств структур на основе GaP и твердых растворов АШВУ для создания селективных фотоприемников.

В соответствии с указанной целью в работе решались следующие задачи:

- получение поверхностно барьерных структур металл - фосфид галлия и металл - твердые растворы АШВУ;

- исследование свойств структур на основе р-я-переходов и контактов металл - полупроводник;

- определение высоты потенциального барьера контактов металл-полупроводник реальных структур;

- оптимизация параметров структур для создания селективных фотоприемников;

- исследование характеристик и определение основных параметров изготовленных селективных фотоприемников;

Научная новизна работы 1. Определены значения высоты потенциального барьера для контактов

Ag-GaP. Показано, что высота потенциального барьера структур металл-фосфид галлия и величина обратного темнового тока связаны с коэффициентом неидеальности и технологией обработки поверхности, что может быть объяснено отсутствием жесткого закрепления (пиннинга) уровня Ферми на поверхности фосфида галлия.

2. Показано, что в твердых растворах полупроводников AmBv высота потенциального барьера контакта металл-полупроводник (барьера Шотки) плавно изменяется с изменением состава. Для твердого раствора GaAsi.xPx эта зависимость может быть представлена квадратичной функцией состава с коэффициентом нелинейности 0.38 эВ.

3. Рассчитаны зависимости квантовой эффективности для структур с барьером Шотки и />я-переходом для разных скоростей поверхностной рекомбинации. Показано, что изменяя скорость поверхностной рекомбинации можно управлять спектральной характеристикой фотоответа, создавая селективные фотоприемники. Применение для этих целей твердых растворов GaAsi.xPx позволяет создать селективные фотодетекторы с перекрывающимися областями чувствительности, охватывающими видимый и ближний ИК диапазоны спектра.

Практическая ценность работы.

В результате проведенных исследований были разработаны и созданы:

1. Селективный фотоприемник УФ излучения на основе контакта серебро-фосфид галлия с максимумом спектральной характеристики при 322 нм, полушириной спектра 30 нм, обратными токами порядка 10"14А при напряжении 5 В и площади фоточувствительной области до 8 мм .

2. Ряд селективных фотоприемников на область спектра 0,2-1,5мкм с перекрывающимися областями чувствительности и максимумом спектральной характеристики при 0,2 - 1,5 мкм на основе твердых

A IIIt->V ~ 1Л растворов А В с полуширинои спектра до 13 нм.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Высота потенциального барьера структур металл-фосфид галлия и величина обратного темнового тока коррелируют с коэффициентом неидеальности и зависят от технологии обработки поверхности, что может быть связано с отсутствием жесткого закрепления (пиннинга) уровня Ферми на поверхности фосфида галлия.

2. В твердых растворах полупроводников АШВУ высота потенциального барьера контакта металл-полупроводник (барьера Шотки) плавно изменяется с изменением состава. Для твердого раствора GaAs^xPx эта зависимость может быть представлена квадратичной функцией с коэффициентом нелинейности 0.38 эВ.

3. Управлять спектральной характеристикой фотодиодной структуры возможно путем изменения скорости поверхностной рекомбинации. Применение для этих целей твердых растворов позволяет создать селективные фотодетекторы с перекрывающимися областями чувствительности, охватывающими видимый и ближний ИК диапазоны спектра.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

• Международной конференции "Физические, химические и биологические сенсоры (IWRFRI-2000)" (С.-Петербург, 29-31 мая, 2000);

• Всероссийских межвузовских научно-технических конференциях "Информатика и микроэлектроника -98, -99, 2000, 2001" (Зеленоград, 1998-2001г.);

• Всероссийских молодежных научных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (С.Петербург, 1999-2000);

• Всероссийской молодежной конференции «Физико-химические аспекты материаловедения» - С.-Петербург, 2000;

• Научных молодежных школах по твердотельной электронике "Твердотельные датчики" и "Поверхность и границы раздела структур микро- и наноэлектроники", С.-Петербург, 1998-2001г.;

• Научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ (1997-2001 гг.).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 11 работ, в том числе одна статья и тезисы к 10 конференциям.

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы, включающего 89 наименований. Основная часть работы изложена на 92 страницах машинописного текста. Работа содержит 41 рисунков и 7 таблиц.

Заключение

Таким образом, результаты работы сводятся к следующему:

1. Определены значения высоты потенциального барьера для контактов Ag-GaP. Показано, что высота потенциального барьера структур металл-фосфид галлия и величина обратного темнового тока коррелируют с коэффициентом неидеальности и зависят от технологии обработки поверхности, что может быть связано с отсутствием жесткого закрепления (пиннинга) уровня Ферми на поверхности фосфида галлия.

2. Показано, что в твердых растворах полупроводников АШВУ высота потенциального барьера контакта металл-полупроводник (барьера Шотки) плавно изменяется с изменением состава. Для твердого раствора GaAsi. хРх эта зависимость может быть представлена квадратичной функцией с коэффициентом нелинейности 0.38 эВ.

3. Рассчитаны зависимости квантовой эффективности для структур с барьером Шотки и р-п-переходом для разных скоростей поверхностной рекомбинации. Показано, что измененяя скорость поверхностной рекомбинации, можно управлять спектральной характеристикой фотоответа, создавая селективные фотоприемники. Применение для этих целей твердых растворов GaAsi.xPx позволяет создать селективные фотодетекторы с перекрывающимися областями чувствительности охватывающими видимый и ближний ИК диапазоны спектра.

4. Разработаны селективные фотодетекторы на области 0,5-1 мкм, с полушириной спектра от 13 нм без применения специальных оптических фильтров.

5. Разработаны селективные фото детекторы УФ излучения с максимумом чувствительности на длине волны 0,322 мкм, полушириной спектра 30 нм и чувствительностью в максимуме 0,19 А/Вт без применения специальных оптических фильтров.

1. Braun F., Uber die Stromleitung durch Schwefelmetalle. // Arm. Phys. Chem., 1874, v.153, p.556.

2. Schottky W. Halbleitertheorie der Sperrschicht. // Naturwissenschaften, 1938, v.26, p.843.

3. Mott N.F. Note on the Contact between a Metal and an Insulator or Semiconductor. // Proc. Cambr. Philos. Soc., 1938, v.34, p.568.

4. Rhoderick E.H. Metal-Semiconductor contacts. // J. Appl. Phys., 1970, v.3, p. 1153.

5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. /' Под ред.гчт1 а л к . а 1 no аурисаг./\. -ivi. тИр, iVo4.

6. Henisch П.К. Rectifying semiconductor contacts. Clarendon, Oxford, 1957.

7. Mishaelson H.B. Relation between an Atomic Electronegativity Scale and the Work Function. // IBM J. Res. Dev., 1978, v.22, p.72.

8. Я Rarrlppn I ^snrfbrp St^tPQ япН RprtifirQtinn ui я Л/TptQl-^pmirnnHiiotrvr Prmtcirt

9. V/ . xyux UVVli if . iuw k-/ IUIV J Ulivt IVVVlllXVUllVli Ut U i.» AW 1С* 4 aviilivuiiwuvivyi Чу V/JllUV t .

10. Phys. Rev., 1947, v.71, p.717. 9. Ржанов A.B. Электронные процессы на поверхности полупроводников. -М.: HavKa. 1973.j ■>

11. Ю.Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник: Пер. с англ. / Под ред. Степанова Г.В. М.: Радио и связь, 1982.

12. Bethe Н.А. Theory of the Boundary Layer of Crystal Rectifiers. // MIT Radiat. Lab. Rep., 1942, v.43, № 12, p.253.

13. Crowell C.R., Sze S.M. Current transport in Metal-Semiconductor Barriers. // Solid State Electron, 1966, v.9, p. 1035.

14. Crowell C.R., Sze S.M. Electron-Optical-Phonon Scattering in the Emitter and Collector Barriers of Semiconductor-Metal-Semiconductor Structures. // Solid State Electron, 1965, v.8, p.979.

15. Kao C.W., Anderson L., Crowell C.R. Photoelectron Injection at Metal-Semiconductor Interface. // Surface Sci., 1980, v.95, p.321.

16. Crowell C.R., Sze S.M. Quantum-Mechanical Reflection of Electrons at Metal-Semiconductor Barriers: Electron Transport in Semiconductor-Metal-Semiconductor Structures. // J. Appl. Phys., 1966, v.37, p.2685.

17. Chang C.Y., Sze S.M. Carrier Transport across Metal-Semiconductor Barriers. // Solid State Electron, 1970, v. 13, p.727.

18. Царенков Б.В., Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А. Механизм протекания прямого тока в GaP поверхностно-барьерных структурах. // ФТП, 1973, т.7, № 12, с.2326.

19. Царенков Б.В., Гольдберг Ю.А., Поссе Е.А. Механизм протекания прямого тока в GaAs поверхностно-барьерных структурах, /'/ ФТП, 1975, т.9, № 3, с.513.

20. Константинов О.В., Мерзин О.А. Вольт-фарадные характеристики поверхностно-барьерных структур Me-GaP. // ФТП, 1983, т.17, № 2, с.305.

21. Crowell C.R., Sze S.M. Surface States and Barrier Height of Metal-Semiconductor Systems, // J, Appl, Phys,, 1965, v,36, p,3212.

22. Crowell C.R. Sarace J.C. Sze S.M. Tunesten-Semiconductor Schottkvу

23. Barriers Diodes. // Trans. Met. Soc. AIME, 1965, v.233, p.478.

24. Царенков Б.В., Гольдберг Ю.А., Изергин А.П., Поссе Е.А., Равич В.Н., Рафиев Т.Ю., Сильвестрова Н.Ф. Свойства поверхностно-барьерных структур металл- w-GaP. // ФТП, 1972, т.6, № 4, с.710.

25. Chino К. Behavior of Al-Si Schottky Barrier Diodes under Heat Treatment. // Solid State Electron, 1973, v.16, p.119.

26. Goodman A.M. Metal-Semiconductor Barriers Height Measurement by the Differential Capacitance Method. // J. Appl. Phys., 1963, v.34, p.329.

27. Fowler R. H. The Analysis of Photoelectric Sensitivity Curves for Clean Metals at Various Temperatures. // Phys. Rev., 1931, v.38, p.45.

28. Crowell C.R., Spitzer W.G., Howarth L.E., Labate E. Attenuation Length Measurements of Hot Electrons in Metal Films. // Phys. Rev., 1962, v. 127, p.2006.

29. Johnson K.M. High-Speed Photodiode Signal Enhancement at Avalanche Breakdown Voltage. // IEEE Trans. Electron Devices, 1965, v. 12, p.55.

30. Полупроводниковые фотоприемники. Ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. / Под. ред. Стафеева В.И. -М.: Радио и связь, 1984.

31. Shockley W. The Theory of p-n Junctions in Semiconductors and p-n Junction

32. Melchior H. Detectors for Lightware Communications. // Phys. Today, 1987, « 3?

33. Васильев А.П., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи. М.: Сов. Радио, 1971.

34. Melchior Н. Demodulation and Photodetection Techniques. // Laser Handbook, 1992, v.l, p.725

35. Lndolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. // 1982, Group 3, w.17,17a

36. Razeghi M., Rogalski A. Semiconductor Ultraviolet Detectors. // Appl. Phys. Rev., 1996, v.79, № 10,p.7433.

37. Пятко C.H. Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе карбида кремния: Дисс. канд. физ.-мат. наук. С.-Пб: СПбТУ, 1991.

38. Zallen R., Paul W. Band Structure of Gallium Phosphide from Optical Experiments of High Pressure. // Phys. Rev., 1964, v. 134, № 6A, p. 1628.

39. Cohen H.L., Bergstresser Т.К. Band Structures and Pseudopotential from Factors for Fourteen Semiconductors of the Diamond and Zincblande

40. Structures. 11 Phys. Rev., 1966, v. 141, № 2, p.789. 41.Pollak F.H., Higginbotham C.W., Cordon W. Band Structure of GaAs, GaP,

41. P and AlSb: the kp-method. // J. Phys. Soc. Japan, 1966, v.21, p.20. 42.Оптические свойства полупроводниковых соединений А3В3. / под ред. Уиллардсона Р., Бира А. М.: Мир, 1970.

42. Пихтин А.Н., Копылов А.А. Непараболичность зоны проводимости и структура донорах в GaP. // ФТП, 1977, т.11, № 5, с.267.

43. Пихтин А.Н., Копылов А.А. Электрон-фононные взаимодействия на "мелких" донорных центрах в фосфиде галлия. // Письма в ЖЭТФ, 1976, т.24, № 3, с.193.

44. Пихтин А.Н., Яськов Д.А. Край собственного поглощения фосфида1 (Л£Г\ 1 1 ХГ 1 С С 1галлЯя. // фи, т.11, JNsz j, c.joi

45. Под ред. Алферова Ж.И. и Вавилова B.C. М.: Мир, 1973.

46. Юнович А.Э, Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия. / В сб.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М: Мир, 1972.

47. Справочник по электротехническим материалам. / Под. ред. Корицкого Ю.В., Пасынкова В.В., Тареева Б.М. Л.: Энергоатомиздат, 1988.

48. Гудкин А.А., Дмитриев М.В., Наследов Д.Н. Фоточувствительность поверхностно-барьерных диодов А и-л-GaP в области спектра 1.4.5.2 эВ. //ФТП, 1972, т.6, № 3, с.502.

49. Царенков Б.В., Гольдберг Ю.А., Гусев Г.В., Огурцов В.П. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур в УФ полосе спектра. // ФТП, 1974, т.8, № 3, с.410.

50. Анисимова И.Д., Головин Ю.М., Дмитриева Л.А., Каляева В.П. УФ фотоприемник на основе фосфида галлия для астрофизическихисследований. // ОМП, 1983, № 12, с.34.

51. Вигдорович Е.Н., Гольдберг Ю.А., Мелебаев Д., Царенков Б.В. Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур: влияние промежуточного диэлектрического слоя. // ФТП, 1991, т.25, № 8, с.1419.

52. Гудкин А.А., Коротченков Г.С., Маринова A.M., Слободчиков С.В. Характеристики тонкопленочных фосфидгаллиевых МДП-фотоприемников. // ЖТФ, 1982, т.52, № 7, с. 1465.

53. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Советское радио, 1968.

54. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов 111 и V групп. М.: Мир, 1967.

55. Маринина Л.И., Нашельский А.Я., Колесник. И.И. Полупроводниковые фосфиды AmBv и твердые растворы на их основе. М.: Металлургия,1 07/1а ^ / т.

56. Физика и химия соединений ATIBVI. / Перевод с англ. под ред. Медведева С.А. М.: Мир, 1970.

57. Полупроводниковые соединения AuBivC2v / Под ред, Горюновой Н.А, -М.: Советское радио, 1974.

58. Пихтин А.Н. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах. // ФТП, 1977, т. 11, № 3, с.425.

59. Кривоглаз М.А., Смирнов А.А. Теория упорядочивающихся сплавов. М.: Физматгиз, 1974.

60. Технология тонких пленок. / Справочник под. ред. Майссела Л., Гленга Р. -М.: Сов. радио, 1972.

61. Козырь И.Я., Горбунов Ю.И., Чернозубов Ю.С., Пономарев А.С. Общая технология. / книга 1. М.: Высшая школа, 1989.

62. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975.

63. Пихтин А.Н., Попов В.А., Яськов Д.А. Получение омических контактов к полупроводникам. // ПТЭ, 1970, т.2, с.238.

64. Попов В.А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и твердых растворов на его основе в области экситонных переходов. // Дисс. канд. физ.-мат. наук, Ленинград, 1982.

65. Берг А., Дин П. Светодиоды: Перевод с англ. / под ред Юновича А.Э. М.: Наука, 1972.

66. Тарасов С.А. Барьер Шотки фосфид галлия-серебро. // Тез. докл. Всероссийской молодежной конференции «Физико-химические аспекты материаловедения». С.-Петербург, 2000, - с. 13.

67. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела: Перевод с англ. Михайлова А.С. / под ред. проф. Каганова М.И. М.: Мир, 1979.

68. Ehrenreich Н., Philipp Н. R. Optical Properties of Ag and Cu. // Phys. Rev., 1962, v.128, № 4, p.1622.

69. Тарасов С.А. Ультрафиолетовые фотоприемники на основе GaP. С-Пб.: изд. СПбГЭТУ, 2000, с. 134.

70. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. / под ред. Мазеля Е.З., Ходоша Л.С. М.: Мир, 1989.

71. Chen Z., Kim W. Schottky Barriers Al-GaAs and their Current-Voltage Characteristics. // J. Apll. Phys., 1994, v.74, № 3, p.3634.

72. Chen Z., Kim W., Salvador A., Morkoc H. Schottky Barriers on Anodic-Sulfid-Passivated GaAs and their Stability. // J. Apll. Phys., 1995, v.78, № 6, p.3920.

73. Hideki Hasegawa, Taketomo Sato. Unpinning of Fermi Level in Sized Schottky Contacts on GaAs and InP. // 7th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfase. Goteborg, 1999. - p. 125.

74. Schroder D.K. Semiconductor material and device characterization. New York: Wiley, 1990.

75. ЗО.Бочкарев А.Э, Долгинов JI.IvI., Дружинина Л.В., Капанадзе З.Б. Полупроводники и гетеропереходы: Сборник статей / под. ред. Розенталя А.И. — Таллин: Валгус, 1987.

76. Тарасов С.А. Влияние поверхностной рекомбинации на квантовую эффективность фотодиодов на основе твердых растворов АШВУ // 1е з. докл. 2-й Научной молодежной школы "Поверхность и границы раздела

77. СТТ\\7Ъ-Т\7Г» 1УЛИТГПП- U иаЧЛЧПРК-ТППМЫ™" С nPTpr\f\\ r*r 0-А HAafintt 1QQQ

78. V A JJ juijp l»llll*jy V г I 111. I И/У. IVll 1 1 11 nil J . . 1 1 V. 1 V' |У 1 . ^ | I IV/ll V/JJJI. I y ' ^ .c.15.

79. Пихтин A.H, Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники. М.: Высшая школа. 1983.

80. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Термодинамический расчет зависимости ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов на основе соединений АЗВ5. // ФТП, 1990, т.24, № 12, с.2106.

81. Тарасов С.А. Селективные фотодиоды для коротковолновой области спектра. // Тез. докл. научной молодежной школы по твердотельным датчикам. С.-Петербург, 23-25 ноября, 1998. - с.6.134

82. Пихтин А.Н., Тарасов С.А., Орлова Т.А., Клот Б. Селективные и широкополосные УФ фотоприемники на основе фосфида галлия. // Тез. докл. Международной конференции "Физические, химические и биологические сенсоры". С.-Петербург, 29-31 мая, 2000. - с.39.

83. Hamamatsu Photodiodes. Osaka: Hamamatsu, 1997.

84. Тарасов С.А. Селективные и широкополосные УФ фотоприемники на основе барьера Шотки GaP-Ag. // Тез. докл. II Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и опто и нанотехнологиям. С.Петербург, 2000. - с.26.