Исследование локальных характеристик полупроводниковых структур методом поверхностного электронно-индуцированного потенциала в растровой электронной микроскопии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА

ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ НАВЕДЁННОГО ТОКА (НТ) В РЭМ

§1-1 Зона и функция генерации неравновесных носителей заряда в полупроводниках электронным зондом РЭМ--------------------------------1 О

§ 1-2 Определение диффузионной длины Ь и скорости поверхностной рекомбинации Б неосновных носителей заряда в полупроводниках: зонд параллелен плоскости барьера.

§ 1-3 Определение Ь и Б в полупроводниках при планарной геометрии: зонд перпендикулярен плоскости барьера.

§1-4 Определение времени жизни неравновесных носителей заряда методом НТ.

§.1-5 Исходные положения детектирования поверхностного электронно-индуцированного потенциала в РЭМ

ГЛАВА II

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ И МЕТОДИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ МЕТОДА ПОВЕРХНОСТНОГО ЭЛЕКТРОННО-ИНДУЦИРОВАННОГО

ПОТЕНЦИАЛА В РЭМ.

§2-1 Влияние экспериментальных условий на сигнал и контраст изображения в режиме ПЭИП

2.1.1. Характеристики и расчёт емкостного детектора ПЭИП.

2.1.2. Влияние режима сканирования на контраст изображений.

2.1.3. Зависимости сигнала ПЭИП от тока электронного зонда и частоты модуляции

§2-2 Эквивалентная схема детектирования и основные соотношения для сигналов ПЭИП и ОКНТ

§2-3 Кинетика сигналов и сравнение изображений в методах

ПЭИП и ОКНТ.

§2-4 Критический анализ электронной термоакустической микроскопии полупроводников и ее сравнение с методом поверхностного электронно-индуцированного потенциала

§ 2-5 Примеры применения метода ПЭИП для качественных исследований полупроводниковых структур

2.5.1. Визуализация электрически активных микронеоднородностей в полупроводниках

2.5.2 Изучение влияния окружающей среды на приповерхностные свойства полупроводников

2.5.3 Влияния состояния поверхности и электронного облучения на контраст изображения

ГЛАВА III

Измерение диффузионной длины L, времени жизни т и скорости поверхностной рекомбинации S неосновных носителей в полупроводниках методом ПЭИП в РЭМ

§ 3-1 Предпосылки и анализ нового метода измерения L и S на примере режима НТ~.

3.1.1 Обоснование методики расчётов и измерений.-.—

3.1.2 Примеры применения метода

§ 3-2 Измерение L и S методом ПЭИП при сканировании зонда перпендикулярно барьеру

§3-3 Определение диффузионной длины методом ПЭИП при планарной геометрии объекта с помощью вариации ускоряющего напряжения—

§ 3-4 Опредение времени жизни неосновных носителей заряда методом

ПЭИП

ВЫВОДЫ.—.

Информация о локальных барьерах, электрически активных микронеоднородностях и их электрофизических свойствах в полупроводниковых кристаллах, от которых в конечном итоге зависят функциональные характеристики современных микросхем, имеет очень важное значение. Поэтому не теряет актуальности задача разработки локальных неразрушающих методов контроля качества полупроводниковых пластин, полуфабрикатных изделий и готовых интегральных микросхем.

В настоящее время для локальной диагностики полупроводниковых кристаллов и структур на их основе все более широкое применение находит растровая электронная микроскопия - в связи с ее высоким пространственным разрешением и многообразием информативных методов, как качественных, так и количественных. В частности, растровый электронный микроскоп (РЭМ) используется для измерения таких локальных электрических параметров полупроводниковых кристаллов, как диффузионная длина неосновных носителей заряда Ь, время их жизни т и скорость поверхностной рекомбинации Б. Методы РЭМ позволяют проводить локальные измерения этих параметров, что особенно важно для анализа однородности полупроводниковых материалов, а также при исследовании влияния индивидуальных структурных дефектов на характеристики полупроводниковых структур.

Диффузионная длина Ь и время жизни т характеризуют качество полупроводникового материала, поэтому их измерения приобретают все большее значение, т.к. непрерывное повышение уровня интеграции микросхем приводит к очень высоким требованиям к качеству пластин полупроводникового кремния, являющегося основным материалом для изготовления микросхем высокой степени интеграции. Так, для схем памяти с емкостью 16 и 64 Гбита кремний должен содержать не более 10И)-10псм"3 примесей металлов.

Если учесть, что при диагностике структур интерес представляет не только выявление электрически активных примесей и дефектов, но и исследование их распределения, то ясно, что задача контроля чистоты кристалла современного качества может быть решена только с помощью весьма ограниченного набора методов. К таким методам относятся, в частности, методы измерения Ь и т в режимах наведенного тока (НТ) и катодолюминесценции в РЭМ, а также метод фото-ЭДС. Но последний из них имеет недостаточное пространственное разрешение, а метод катодолюминесценции для кремния, например, не применим вообще, т.к. кремний не обладает соответствующими свойствами. Наиболее популярным для прямого наблюдения локальных дефектов в полупроводниковых кристаллах и измерений некоторых параметров является метод НТ. Но и он находит лишь ограниченное применение, т.к. ему присущи следующие недостатки. Во-первых, метод НТ требует наличия электрических контактов к разделяющему носители диффузионным (потенциальным) барьерам. Во-вторых, обеспечить наличие омических контактов к локальным разделяющим носители барьерам, не всегда возможно, например, при инспекции исходных полупроводниковых шайб. В ряде случаев затруднен доступ к некоторым внутренним контрольным точкам на полуфабрикатных и готовых изделиях. Далее Шоттки-контакт требует при контрольных тестированиях поэтапного удаления слоя металлического электрода на различных этапах обработки, например, при нагреве, окислении, диффузии или имплантации и т.д.

Поэтому для бесконтактного неразрушающего контроля качества пластин и для измерений локальных электрофизических параметров полупроводниковых кристаллов представляется весьма актуальным и перспективным метод поверхностного электронно-индуцированного потенциала в РЭМ.

Целью настоящей диссертационной работы являлось совершенствование метода поверхностного электронно-индуцированного потенциала (ПЭИП) для бесконтактного неразрушающего контроля качества полупроводниковых кристаллов и для количественной характеризации локальных значений основных электрофизических параметров полупроводников.

Задачами исследования настоящей работы были:

- изучение и объяснение физического механизма формирования контраста изображения в режиме детектирования сигнала ПЭИП в РЭМ;

- корректная интерпретация контраста изображений ПЭИП в разных схемах геометрии детектирования и различных способах облучения объекта электронным пучком;

- теоретическое и экспериментальное исследование переходных (релаксационных) характеристик электрических барьеров в методе ПЭИП; разработка нового количественного бесконтактного метода определения фундаментальных параметров полупроводниковых кристаллов: диффузионной длины, скорости поверхностной рекомбинации и времени жизни неосновных носителей заряда;

- экспериментальная проверка эффективности нового предложенного метода измерения параметров полупроводников.

Основными положениями настоящей работы являются следующие:

1.Сигнал ПЭИП формируется за счет разделения неравновесных носителей заряда в неоднородных полупроводниковых кристаллах на локальных диффузионных барьерах в области их пространственного заряда, а контраст изображения определяется, в основном, локальными временами жизни неосновных носителей заряда, распределением концентрации основных носителей, а также состоянием поверхности кристалла.

2. Предыдущая трактовка метода термоакустической сканирующей микроскопии полупроводниковых структур несостоятельна. Идентичность получаемых с помощью этого метода изображений с контрастом в методе ПЭИП позволяет заключить, что в действительности в первом режиме детектируется также сигнал ПЭИП, передаваемый через емкость пьезопреобразователя на сигнальный электрод. Этот сигнал приблизительно на три порядка больше по величине, чем чисто термоакустический отклик.

3. На форму переходных характеристик сигнала ПЭИП оказывают влияние не только локальные параметры полупроводника, но и паразитная емкость всей измерительной цепи. С другой стороны, «паразитные» емкости схемы и р-п переходов ответственны не только за кинетику сигнала ПЭИП, но и являются определяющим фактором формирования сигнала в методе одноконтактного наведенного тока.

4. Поверхностные состояния в сильной степени влияют на величину и полярность сигнала ПЭИП, их большая плотность может привести к инверсии контраста изображений.

5. Величина и полярность сигнала ПЭИП характеризуют тип проводимости полупроводника и относительную концентрацию легирующих примесей.

6. Метод ПЭИП позволяет проводить количественную диагностику полупроводниковых структур. С его помощью можно определять такие фундаментальные параметры, как время жизни и диффузионная длина неосновных носителей заряда, а также их скорость поверхностной рекомбинации.

Разработанный метод призван способствовать контролю качества пластин на любых промежуточных стадиях производства приборных структур, например, на всех технологических стадиях изготовления интегральных микросхем. Метод ПЭИП может быть также использован для количественного изучения локальных электрофизических свойств и характеристик полупроводниковых кристаллов.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения (выводов) и списка цитированной литературы .

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Детально изучен и корректно объяснен физический механизм формирования контраста изображений полупроводниковых структур в методе поверхностного электронно-индуцированного потенциала в РЭМ. Рассмотрены особенности детектирования сигнала в зависимости от режимов сканирования и от параметров емкостной связи «образец-детектор».

2. Экспериментально показана возможность идентификации типа проводимости материала полупроводника и своеобразие полярности сигнала при детектировании р-n переходов. Обнаружены аномалии в контрасте изображений, обусловленные перезарядкой поверхностных состояний и наличием зарядовых ловушечных уровней в поверхностных окисных пленках.

3. Рассчитана и экспериментально изучена кинетика нарастания и спада сигнала ПЭИП при импульсном электронном облучении полупроводникового кристалла.

4. На основании предложенной модели генерации сигнала осуществлено детектирование с нижней, не облучаемой поверхности кристалла и установлена общая физическая природа формирования информативного отклика для режима ПЭИП и электронной термоакустической микроскопии полупроводников.

5. Показана принципиальная возможность контроля качества и дефектоскопии полупроводниковых структур бесконтактным методом ПЭИП на всех технологических стадиях производства, начиная с исходного материала, и через полуфабрикатные изделия, кончая готовыми приборами микроэлектроники.

6. Впервые физически обоснован, теоретически рассчитан и практически реализован новый универсальный способ измерения локальных диффузионных длин неосновных носителей заряда в полупроводниковых структурах, основанный на равенстве измеряемых сигналов в двух координатах сканирования при соответствующих варьируемых параметрах эксперимента.

7. Впервые показана возможность измерения времени жизни неосновных носителей заряда методом ПЭИП по сдвигу фазы сигнала и скорости поверхностной рекомбинации носителей по данным измерений диффузионной длины на двух ускоряющих напряжениях.

1. C. Donolato. «Recovery of semiconductor and defect properties from charge-collection measurements». Scanning Microscopy. (1988), V.2, N.2,p. 801-811.

2. E. Б. Якимов. «Наведённый электронным пучком ток и его использование для характеризации полупроводниковых структур». Известия РАН, сер. физич. (1992), Т.56, №3, с.31-44.

3. T. E. Everhart, P. H. Hoff. «Determination of kilovolt electron energy dissipation vs penetration distance in solid materials». J. Appl. Phys. (1971), V.42, p.5837-5848.

4. В.И. Петров. «Катодолюминесцентная микроскопия». УФН (1996), Т.166 , N.8, с.859-871.

5. J. W. Orton, P. Blood. The Electrical Characterization of Semiconductors: Measurement of Minority Carrier Properties. Academic Press (1990), 290 p.

6. Semiconductor Material and Device Characterization . Ed. Schroder D. K. John Wiley Inc. (1998), 760p.

7. Сапарин Г. В. Введение в растровую электронную микроскопию. Изд. МГУ. 1990. 127с.

8. L. Reimer. Scanning Electron Microscopy. Springer Verlag (1985), 380 p.

9. J. F. Bresse. «Quantitative use of the EBIC for the Characterization of semiconductor Devices.» Scanning Electron Microscopy . (1977) IITRI, Chicago. V.l, p. 683-693.

10. J. F. Bresse. «Quantitative investigations in semiconductor devices by electron beam induced current mode: A Review». Scanning Electron Microscopy . SEM Inc. AMF O'Hare. Chicago. (1982), V.IV, p. 1487-1500.

11. C. Donolato. «On the theory of SEM Charge-collection imaging of localized defects in semiconductors». Optik. (1978/79), B.52, N.l, p. 19-36.

12. C. J. Wu, D. B. Wittry. «Investigation of minority-earner diffusion lengths by electron bombardment of schottky barriers». J. Appl. Phys. (1978), V.49, N.5, p.2827-2836.

13. E. J. Sternglass. «Backscattering of kilovolt electrons from Solids». Phys. Rev. (1954), V.95, p.345-358.

14. D. B. Wittry, D. Kyser. «Measurement of diffusion length in direct-gap semiconductors by electron-beam excitation». J. Appl. Phys.(1967), V.38, N.l, p.375-382.

15. J. Pietzsch. "Measurement of minority carrier lifetime in GaAs with an intensity-modulated electron beairT. Solid-State Electronics. (1982), V.25, N.4, p.295-304.

16. S. M. Davidson, C. A. Dimitriadis. "Advances in the electrical assessment of semiconductors using the scanning electron microscope". Journal of Microscopy1980), V.118, N.3, p.275-289.

17. G. Oelgart, J. Fiddicke, R. Ruelke. "Investigation of minority-carrier diffusion length by means of the SEM". Phys. Stat. Sol. (a), (1981), V.66, p.283-291.

18. C. Donolato. "An analytical model of SEM and STEM charge collection images of Dislocations in thin semiconductor layers". Phys. Stat. Sol. (a),1981), V.65, p.645-658.

19. S. P. Shea, L. D. Partam, P. Warter. "Resolution limits of the EBIC technique in the determination of diffusion lengths in semiconductors". Scanning Electron Microscopy. SEM Inc. AMF O'Hare (1976) V. 1, p.435-444.

20. H. J. Fitting, H. Glaefeke, W. Wild. "Electron Penetration and Energy Transfer in Solid Targets". Phys. Stat. Sol. (a), (1977), V.43, p. 185-190.

21. C. Donolato. "On the analysis of diffusion length measurements by SEM". Solid-State Electronics. (1982), V.25, p. 1077-1081.

22. T. Matsukawa, R. Shimizu, K. Harada, T. Kato. "Investigation of kilovolt electron energy dissipation in solids". J. Appl. Phys. (1974), V.45, N2, p.733-740.

23. W. Van Roosbroeck. "Injected current transport in semi-infinite semiconductor and the determination of lifetime and surface recombination velocities". J. Appl. Phys. (1955), V.26, N.4, p.380-391.

24. С.Зи. Физика полупроводниковых проиборов (в 2-х книгах). Москва, Мир. 1984г.

25. М. Киттлер, В. Зайферт, X. Рихтер. "Проблемы интерпретации EBIC-измерений на кремнии ". Изв. АН СССР, сер. Физич. (1987), Т.51, №9, с.1554-1561.

26. М. А. Селезнёва, Т. А. Куприянова, С. А. Дицман. "Определение малых длин диффузии в полупроводниках электронно-зондовым методом с учётом влияния скорости поверхностной рекомбинации и размеров образца".

27. Изв. АН СССР, Сер. Физич. (1974), Т.38, №11, с.2328-2332

28. F. Berz, Н. Kuiken. "Theory of lifetime measurements with the SEM: steady state". Solid-State Electronics. (1976) V. 19, p.437-445.

29. C. Van Opdorp. "Methods of evaluating diffusion length and near-junction luminescence-efficiency profiles from SEM scans". Philips Res. Reports (1977), V. 32 P.192-249.

30. D. E. Ioannou, C. A. Dimifriadis. " A SEM-EB1C minority-carrier diffusion length measurement technique". IEEE Trans. Electron Devices. (1982), ED-29, p.445-450

31. V. K. S. Ong, J. С. H. Phang, D. S. H. Chan. "A direct and accurate method for the extraction of diffusion length and surface recombination velocity from an EBIC line scan". Solid-State Electronics. (1994), V.37, N.l, p.1-7.

32. D. E. Ioannou, S. M. Davidson. "Diffusion length evaluation of boron-implanted silicon using the SEM-EBIC Schottky diode technique". J. Phys. D: Appl. Phys. (1979), V. 12, p.1339-1344.

33. C. Donolato. "Charge collection in a Schottky diode as a mixed boundary-value problem". Solid-State Electronics. (1985), V. 28, p.l 143-1151.

34. H. K. Kuiken, C. Van Opdoip. "Evaluation of diffusion length and surface-recombination velocity from a planar-collector-geometry electron-beam-induced current scan". J. Appl. Phys. (1985), V. 57, N.6, c.2077-2089.

35. C. Donolato. "Evaluation of diffusion length and surface recombination velocities from electron beam induced current scans". Appl. Phys. Lett. (1983), V. 43, N.1, p.120-122.

36. L. Jastrebski, J. Lagowski, H. Gatos. "Applications of scanning electron microscopy to determination of surface recombination velocity : GaAs". Appl. Phys. Letters (1975), V. 27, N.10, p.537-539.

37. W. H. Hackett. "Electron beam excited minority-carrier diffusion profiles in semiconductors". J. Appl. Phys. (1972), V. 43, p.1649-1654.

38. B. Akamatsu, J. Henoc, P. Henoc. " Electron beam induced current in direct band-gap semiconductors". J. Appl. Phys. (1981), V. 52, N.12, p.7245-7250.

39. R. Parsons, J. Dyment, G. Smith. " Differentiated Electron Beam Induced Current (DEBIC)". Appl. Phys. Lett. (1979), V. 50, p.538-540.

40. A. Dixon, D. Williams, S. Das, J. Webb. "Electron-beam-induced current measurements: Comparison of barrier: beam parallel and perpendicular geometries". J. Appl. Phys. (1985), V. 57, N.8, p.2963-2966.

41. J. Palm. "Local investigation of recombination at grain boundaries in silicon by grain boundary-electron beam induced current". J. Appl. Phys. (1993), V. 74, N.2, p.1169-1178.

42. C. Donolato. "A reciprocity theorem for charge collection". Appl. Phys. Lett. (1985), V. 46, p.270-272.

43. N. Tabet, R.-J. Tarento. "Calculation of the EBIC at a Schottky contact and comparison with Au/n-Ge diodes". Philos. Mag. B, (1989) V. 59, p.243-261.

44. M. Kittler, K.-W. Schroder. "Determination of semiconductor parameters and the vertical structure of devices by numerical analysis of energy -dependent EBIC measurements". Phys. Stat. Sol. (a), (1983), V. 77, p. 139-151.

45. J. Chi, H. Gatos. "Determination of dopant-concentration diffusion length and lifetime variations in silicon by SEM". J. Appl. Phys. (1979), V. 50, N.5, p.3433-3440.

46. J. D. Kamm. " A method for investigation of fluctuations in doping concentration and minority-carrier diffusion length in semiconductors by SEM". Solid- State Electronics (1976), V. 19, p.921-925.

47. C. Frigeri. "An EBIC method for the quantitative determination of dopant concentration at striations in LEC GaAs". Inst. Phys. Conf. Ser. N 87, Sect. II, (1987), p.745-750.

48. C. Donolato, M. Kittler. "Depth profiling of the minority-carrier diffusion length in intrinsically gettered silicon by EBIC". J. Appl. Phys. (1988), V. 63, N.5, p.1569-1579.

49. M. Watanabe, G. Actor, H. C. Gatos. "Determination of minority-carrier lifetime and surface recombination velocity with high spatial resolution". IEEE Transact El. Devices (1977), V. ED-24, N.9, p. 1172-1 177.

50. R.O. Bell, J. I. Hanoka. "Improved spatial resolution diffusion measurements in imperfect silicon". J. Appl. Phys. (1982), V. 53, N.3, p.1741-1744.

51. H. J. Leamy, L. C. Kimerling, S. D. Ferris. "Silicon Single Crystal Characterization by SEM". Scanning Electron Microscopy. IITRI, Chicago (1976), V. 4, p.529- 538.

52. G. Possin, C. G. Kirkpatrick. " Electron beam depth profiling in semiconductors". J. of Microscopy (1980), V.l 18, N.3, p.291-296.

53. M. Kittler, W. Seifert. "Minority carrier diffusion length: measurements by EBIC, connection to materials microstructure and relation to device performance". Revue de Physique Applique. Coll. C.6, V.24, p. C6-31-C6-46.

54. S. P. Shea, L. D. Partain, P. Waiter. " Resolution limits of the EBIC technique in the determination of diffusion length in semiconductors". Scanning Electron Microscopy. SEM Inc. AMF O'Hare (1978), V.l, p.435- 444.

55. J. Pietzsch, R. Rodemeier. " Analysis of EBIC measurements for two-dimensional lifetime and diffusion length mapping". Inst. Phys. Conf. Ser. N.63,(1981), Ch4. p.173-178.

56. О. В. Конончук, Н. Г. Ушаков, Е. Б. Якимов. "Определение профиля диффузионной длины методом НТ с помощью варьирования ширины обеднённого слоя". Изв. РАН., сер. Физич. (1992), Т. 56, №3, с. 53-57.

57. Г. В. Спивак, Г. В. Сапарин, М. В. Быков, Н. Н. Седов, Л. Ф. Комолова. "Об определении глубины залегания р-n перехода с помощью РЭМ". ФТП, (1969), №10, с.1559-1563.

58. J.-Y Chi, Н. Gatos. " Nondestructive determination of the depth of planar p-n junctions by scanning electron microscopy". IEEE Trans. On Electron Devices (1977), У. ED-24,3. 1366-1368.

59. J. D. Kamin. "A method for investigation of fluctuations in doping concentration and minority-carrier diffusion length in semiconductors by SEM". Solid-State Electronics. (1976), V.19, 3.921-925.

60. G. E. Possin, M. S. Adler, B. J. Baliga. "Measurement of heavy doping parameters in silicon by EBIC". IEEE Trans, on Electron Devices. (1980),1. V. ED-27, p.983-990.

61. О. У. Kononchuk, E. B.Yakimov. " Mapping of diffusion length and depletion region width in Schottky diodes". Semicond. Sci. Technol. (1992), V.7, p. A171-A174.

62. JI. П. Павлов. Меторы измерения параметров полупроводниковых материалов. М : Высшая школа. 1987. 239с.

63. Н. Reichl, Н. Bernt. "Lifetime measurements in silicon epitaxial materials". Solid-State Electronics. (1975), V. 18, p.453-458.

64. J. Pietzsch. " Measurement of minority carrier lifetime in GaAs with an intensity-modulated electron beam". Solid-State Electronics. (1982) У. 25, N.4, p.295-304.

65. С. M. Рыбкин. Фотоэлектриские явления в полупроводниках. М : Физмат, литература . 1963. 494с.

66. G. V. Spivak, G. V. Saparin, L. F. Komolova. "The physical fundamentals of the resolution enhancement in SEM for CL and EBIC modes". Scanning Electron Microscopy. IITRI, Chicago. (1977) У. I, p. 191-199.

67. A. Georges, J-M. Fournier, J.-P. Gonchond, D. Bois. "Time resolved EBIC for quantitative analysis in p-n junctions". Scanning Electron Microscopy. SEM Inc. AMF O'Hare. (1980), V. 4, p.69-76.

68. W. Zimmermann. " Measurement of spatial variations of the carrier lifetime in silicon power devices". Phys. Stat. Sol. (a). (1972), V. 12, N.2, p.671-678.

69. H. K. Kuiken. " Theory of lifetime measurements with the SEM : transient analysis". Solid-State Electronics. (1976), V. 19, p.447-450.

70. A. Jakubowicz. " Theory of lifetime measurements in thin semiconductor layers with the SEM : transient analysis". Solid-State Electronics. (1980) V. 23, p. 635-639.

71. D. E. Ioannou. " A SEM-EBIC minority-carrier lifetime measurement technique". J. Phys. D: Appl. Phys. (1980), V. 13, p.611-616.

72. С. Г. Конников, В. E. Уманский, В. M. Чистяков, И. И. Лодыженский. "Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ". Физика и Техника Полупроводников. (1988), Т.22, №10, с. 1803-1807.

73. Т. Fuyuki, Н. Matsunami. "Determination of lifetime and diffusion constant of minority carriers by a phase-shift technique using an EBIC". J. Appl. Phys. (1981) V. 52, N.5, p.3428-3432.

74. C. Munakata, T. Everhart. " Frequency dependence of the diffusion length for excess minority carriers generated with a pulsed electron beam". Jap. J. Appl. Phys. (1972) V.ll, p.913-914.

75. S. Othmer. " Determination of the diffusion length and drift mobility in silicon by use of a modulated SEM beam". Scanning Electron Microscopy, SEM Inc. AMF O'Hare (1978), V.I, p.727-734.

76. J. D. Kamm, H. Bernt. "Theory of diffusion constant-, lifetime- and surface recombination velocity measurements with the SEM". Solid-State Electronics (1978), V. 21, p.957-964.

77. C. F. Конников, О. В. Салата, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков. "Определение электрофизических параметров полупроводников в РЭМ с временным разрешением". Изв. АН СССР, сер. Физич. (1990), Т. 54, №2, с.289-287.

78. О. Von Roos. "The determination of transport parameters of minority carriers in n-p junctions by means of an electron microscope. Critique of recent developments". Solid-State Electronics. (1980), V. 23, p. 177-182.

79. A. Romanowski, L. Kordas, A. Mulak. "Meansurement of local minority carrier diffusion length and lifetime by an AC-EB1C method". Scanning, (1989), V. 1 1, p.207-212.

80. U. Ф. Уразгильдин, A. E. Лукьянов, Г. В. Спнвак. « Исследование времени жизни неосновных носителей, возбуждённых электронной бомбардировкой барьеров Шоттки». Изв. АН СССР. Сер. Физич. (1982), Т. 46, №12, с.2404-2409.

81. В. Г. Дюков, Д. С. Кибалов, В. К. Смирков, В. Н. Файфер. «Изучение локального распределения и кинетики фото ЭДС на кремниевых структурах в РЭМ». Известия РАН, сер. Физич. (1992), Т. 56, №3, с.64-70.

82. A. Romanowsky, D. В. Wittry. " Determiation of grain-doundary parameters of poly crystalline silicon by ac EBIC". J. Appl. Phys. (1988), V. 64, N.9, p.4601-4608.

83. A. Rosencwaig. «Thermal-wave Imaging in a Scanning Electron Microscopy». Electron Microscopy AMF O'Hare (Chicago), (1984), V. IV, p.1611-1628.

84. L. Balk. «Scanning Electron Acoustic Microscopy» in: Advances in Electronics and Electron Physics. London, Academic Press. (1988), V.71, p. 173.

85. Гостев А. В. , Клейнфельд Ю. С. , Pay Э. И. , Сурогина В. А. «Визуализация приповерхностной микроструктуры полупроводниковых материалов методом электронной индукционно-зарядовой ЭДС». Поверхность. (1987), №5, с.73-81.

86. Гостев А. В., Клейнфельд Ю. С., Рапопорт Б. М., Pay Э. И., Синкевич В. Ф. «Структурная неоднородность эпитаксиальных пленок GaAs и электрофизические характеристики диодов Шоттки на их основе». Микроэлектроника. (1987), Т. 16, №4, с. 302-310.

87. Гостев А. В. , Клейнфельд Ю. С. , Pay Э. И., Спивак Г. В. «Неразрушающий бесконтактный контроль кремниевых пластин и приборов на их основе с помощью индукционно зарядовой ЭДС в РЭМ». Микроэлектроника. (1987), Т. 16, №4, с.311-319.

88. J. С. Н. Phang, S. Kolachma, D. S. H. Chan. "Single Contact Electron Beam Current Microscopy for Failure Analysis of Integrated Circuits". Proc. 23rd1.tern. Symp. Testing and Failure Analysis. Santa Clara, USA. (1997), p.215-219.

89. S. Kolaclnna, J. С. H. Phang, D. S. H. Chan. "Single Contact Electron Beam Induced Current (SCEBIC) in Semiconductor Junctions." Solid-State Electronics. (1998), V.42, N.6, p.957-962.

90. A. E. Luk'yanov, A. A. Patrin, A. M. Yanchenko. "A microwave detection system for scanning electron microscopy." Scanning. (1990), V. 12, p.337-338.

91. А. В. Бураков, A. E. Лукьянов. «Растровая ВЧ и СВЧ-микроскопия». Поверхность. (2000), №12, с.73-82.

92. Э. И. Pay, В. И. Петров, В. Г. Дюков, Г. В. Спивак, Т. Н. Наумцева. «Исследование некоторых электростатических коллекторов растрового электронного микроскопа». Изв. АН СССР. Сер. Физич. (1972), Т. 36, №9, с.1876-1879.

93. V. I. Petrov, Е. I. Rau, V. G. Djukov, G. V. Spivak. «Investigation of some SEM electrostatic collectors». Proc. 5-th Europ. Congress on Electron Microscopy. Manchester. (1972). p.184-185.

94. А. В. Гостев, A. H. Жуков, III. X. Молл, Э. И. Pay, E. Б. Якимов. «Анализ информации, получаемой методом электронно-индуцированной ЭДС в РЭМ». Изв. АН. Сер. Физич. (1998), Т. 62, №3, с.599-605.

95. М. Kienle, J. Neumann, J. Otto, E. Plies. "Design and Testing of a Rau-Detector for Examination of Semiconductor Devices in a SEM and LSM". Proc. SPIE. (1996), V. 2778, p.213-217.

96. L. J. Balk, E. Kubalek, E. Menzel. «Microcharacterization of electroluminescent diodes with the SEM". IEEE Trans. Electron Devices. (1975), ED-22, N.9, p.707-711.

97. E. I. Rau, A. Y. Sasov, G. V. Spivak, J. Dziesiaty, K. Wencel. «Determination of local parameters of p-n junctions using the EBIV mode in SEM». Phys. Stat. Sol. (a), (1982), V.71, p.429-440.

98. А. В. Саченко, О. В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. Киев: Наукова Думка. (1984), 230 с.

99. S. С. Choo, L. S. Tan, К. В. Quek. «Theory of the photovoltage at semiconductor surfaces and its application to diffusion length measurements». Solid-State Electronics. (1992), V. 35, N.3, p.269-283.

100. В. Г. Дкжов. «Контроль контаминации кремниевых объектов методами фото ЭДС». Поверхность. (2000), №12, с.66-72.

101. С. Munakata, S. Matsubara. «The photovoltaic observation of semiconductor surfaces». J. Phys. D: Appl. Phys. (1983), V.16, p. 1093-1098.

102. C. Munakata, S. Nishimatsu, N. Honma, K. Yagi. «AC Surface Photovoltages in Strongly-Inverted Oxidized p-type Silicon Wafers». Jap. J. Appl. Phys. (1984), V.23, N.l 1, p. 1451-1461.

103. J. W. Philbrick, Т. H. Distefano. «Scanned surface photovoltage detection of defects in silicon wafers». Proc. 13-th Conf. On Reliability Physics. Las Vegas (1975), p. 159-167.

104. Э. И. Pay, Н. Н. Седов, Ху Вэньго, Чжу Шичу. «Методические аспекты режима поверхностной электронно-индуцированной Э.Д.С. в растровой электронной микроскопии». Поверхность. (2000), № 2, с.4-9.

105. А. А. Быковников, О. В. Иванова, О. В. Константинов. «О кинетике нарастания вентильной фото-эдс барьерной структуры». ФТ1Т (1984), Т.18, №7, с.1256-1262.

106. D. S. Н. Chan, J. С. Н. Phang, W. S. Lan, V. К. S. Ong, et. al. «New developments in beam induced current methods for the failure analysis of VLSI circuits». Microelectronic Engineering (1996), V. 31, p.57-67.

107. В. В. Аристов, В. Jl. Гуртовой, В. Г. Еременко. «Электронно-акустическая микроскопия планарных р-n структур». Поверхность. (1993), №1, с.57-61.

108. J. F. Bresse. « Use of the SEAM for the study of III-V compound semiconductors». Scanning (1990), V. 12, p.308-314.

109. H. Takenoshita. «The range of observable depth in p-n-p Tr-Chip by electron-acoustic microscopy». Jap. J. Appl. Phys. (1988), V.27, N.10, p.1812-1818.

110. В. А. Сабликов, В. Б. Сандомирский. «Теория фотоакустического эффекта в полупроводниках». ФТП, (1983), Т. 17, №1, с.81-86.

111. W. L. Holstein. «Image formation in electron thermoelastic acoustic microscopy». J. Appl. Phys. (1985), V.58, N.5, p.2008-2021.

112. N. Kultscher, L. Balk. «Signal generation and contrast mechanisms in scanning electron acoustic microscopy». Scanning Electron Microscopy. AMF O'Hare (Chicago), 1986, V.l, p.33-43.

113. А. В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука. 1971.230с.

114. A. J1. Обухов, Э. И. Pay, X. Райт. «Сравнение методов индуцированной поверхностной ЭДС и растровой электронной термоакустической микроскопии полупроводников». Известия РАН. Сер. Физич. (1992), Т.56, №3, с.170-175.

115. В. Degel, М. Kienle, Е. Plies, Е. I. Rau, S. Q. Zhu. «New possibilities of SEBIV Mode in SEM». Proc. XII EUREM, Brno-2000. V.III, p.475-476.

116. B. L. Бонг-Бруевич, С. Г. Калашников. Физика полупроводников. М.:Наука. 1977, 670с.

117. L. Lassabatere, С. Alibert, J.Bonnet, L. Soonckindt. "The use of surface properties for determining semiconductor band gaps". J. Phys. E: Sci. Instr. (1976), V. 9, p.773-775.

118. W. Moencli, H. Clemens, S. Goerlich, H. Gant. "Surface photovoltage spectroscopy with cleaved GaAs (110) surfaces". J. Vac. Sci. Technol. (1981), V. 19, p.525-530.

119. J. Lagowski, P. Edelman, M. Dexter, W. Henley. "Non contact mapping of heavy metal contamination for silicon 1С fabrication". Semicond. Sci. Technol. (1992), V. 7, p. A185-A192.

120. D. Guidotti. "Spatially resolved non-contact bulk and surface photovoltage responce in semiconductors". In: Review of progress in quantitative nondestructive evaluation. New York: Plenum Press. 1988. V. 78, p. 1167-1176.

121. Э. И. Pay, Чжу Шичу. «Бесконтактный электронно-зондовый метод измерения диффузионной длины и времени жизни неосновных носителейзаряда в полупроводниках». Физика и Техника Полупроводников (2001), Т. 35, № 6, с.749-752.

122. Пека Г. П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев: Высшая школа. 1984. 214с.

123. А. В. Гостев, Э. И. Pay, Чжу Шичю, Е. Б. Якимов. «О возможности измерения локальных параметров полупроводниковых материалов методом электронно-индуцированной ЭДС». Изв. А.Н. серия физич. (2000), Т.64, №8, с.1568-1573.

124. Е. 1. Rau, Zhu Shiqiu, Е. В. Yakimov. "Contactless charaterization of semiconductor structures by the Surface Electron Beam Induced Voltage method". Inst. Phys. Conf. Ser. (1999), No 164, Oxford ,March 1999, p.735-738.