Электронно-зондовые исследования слоев GaA3 и структур на их основе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.5*

ГЛАВА I. ЧАСТЬ I. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ЭЛЕКТР0НН0-30НД0ВЫМИ МЕТОДАМИ . . , (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).

§1.1. Генерация, диффузия и дрейф неравновесных носителей в подупроводниковом материале при облучении быстрыми электронами .iB

1.1.1. Взаимодействие первичных электронов с твердым телом. Распределение функции генерации.J

1.1.2. Диффузия и дрейф неравновесных носителей, генерированных быстрыми электронами . №

1.1.3. Распределение неосновных носителей, генерированных электронным зондом.

§ 1.2. Режим тока, индуцированного электронным зондом

ТИЭЗ) .ВЦ

1.2.1. Типы сигналов, регистрируемых в полупроводниковых материалах и структурах при электронно-зондовом возбуждении.

1.2.2. Параметры полупроводниковых структур, определяемые в режиме ТИЭЗ в слое объемного заряда . 2?

1.2.3. Параметры полупроводниковых структур, определяемые в режиме ТИЭЗ в квазинейтральной области

§ 1.3. Катодолкминесцентные (КЛ) исследования полупроводников .Нй

ЧАСТЬ II.

§ 1.4. Электрофизические свойства нелегированных эпитаксиальных слоев и структур на их основе

1.4.1. Особенности получения нелегированных слоев &cif\2> и структур на их основе методом жидкофазной эпи-таксии (КФЭ)

1.4.2. Глубокие центры, образующиеся в процессе роста нелегированных слоев Gcifls методом ЖФЭ

ГЛАВА 2. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОННО

30НД0ВЫХ СИГНАЛОВ.SB.

§ 2.1. Введение

§ 2.2. Методика регистрации тока, индуцированного электронным зондом (ТИЭЗ).

§ 2.3. Методика регистрации катодолюминесцентного (КЛ) излучения.

§ 2.4. Модуляционная методика исследования глубоких центров с помощью электронного зонда

§ 2.5. Методика электролюминесцентных (ЭЛ) измерений в растровом электронном микроскопе.

§ 2.6. Экспериментальные образцы

ГЛАВА 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ Р-П СТРУКТУР НА ОСНОВЕ НЕЛЕГИРОВАННОГО & CL ЙЗ ЭЛЕКТР0НН0-30ЦД0ВЫ

МИ МЕТОДАМИ.

§ 3.1. Введение.

§ 3.2. Особенности поведения ТИЭЗ и КЛ в структурах на основе нелегированного

§ 3.3. Определение электрофизических параметров в области объемного заряда р-п и p-i-n структур.8 к

3.3.1. Теоретические модели расчета кривых индуцированного тока. .SH

3.3.2. Результаты эксперимента при измерении в режиме индуцированного тока.i

§ 3.4. Локальный анализ глубоких центров с помощью электронного зонда в р-л структурах.И

3.4.1. Физические основы метода локального анализа глубоких центров . .US

3.4.2. Результаты исследования параметров глубоких центров в структурах на основе эпитаксиального 6dRs i22 '

§ 3.5. Определение электрофизических параметров в квазинейтральных областях р-п структур.fM

3.5.1. Определение параметров процесса безызлучательной рекомбинации . .т

3.5.2. Определение диффузионных длин в нелегированном

GrciA&c учетом эффекта переизлучения . JW

ГЛАВА 4. ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ НЕЛЕГИРОВАННОГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГО &Cil\Z С

ПОМОЩЬЮ ЭЛЕКТР0НН0-30НД0ВЫХ МЕТОДОВ.ISS

§ 4.1. Введение.I^

§ 4.2. Механизмы образования р° и п° слоев структуры /5*

§ 4.3. Влияние металлургической границы подложка-эпитаксиальный слой на характер разделения носителей тока

§ 4.4. Влияние толщины р°-слоя на распределение концентрации ГЦ по толщине эпитаксиальных слоев структуры /£

§ 4.5. Влияние толщины р°-слоя на вид вольт-амперной характеристики диодных структур

Одним из основных и традиционных направлений развития полупроводниковой электроники является разработка мощных полупроводниковых приборов - диодов, транзисторов и тиристоров. Такие приборы прежде всего должны работать при больших токах и выдерживать значительные напряжения, а значит обладать способностью рассеивать большие мощности, обладать малыми обратными токами и иметь слабую зависимость параметров от температуры.

Основной задачей при создании высоковольтных диодных структур на основе нелегированных эпитаксиальных слоев &а А3 является разработка технологии получения слоев с оптимальным распределением концентрации мелких и глубоких центров, позволяющих достигнуть высоких обратных напряжений Uo и малых прямых падений напряжений. Две последних задачи взаимосвязаны и противоречивы. Увеличение Ы0 требует увеличения толщины базы структуры, а это в свою очередь приводит к росту омических потерь в пропускном направлении, особенно при использовании материалов с малыми диффузионными длинами неосновных носителей. Поэтому при создании силовых приборов на основе нелегированного G-cl As одной из задач является получение эпитаксиальных слоев с большими диффузионными длинами неосновных носителей. Не менее важными задачами являются также: установление механизмов образования р и п-слоев, р-п перехода, возникающих при эпитаксиальном росте отруктуры; получение максимально больших коэффициентов инжекции носителей в п°-базу многослойной приборной структуры.

Создание приборов с заданными параметрами требует детального изучения свойств используемых материалов и структур, измерения их параметров, оптимизации технологии выращивания. Существующие традиционные методы исследования полупроводниковых материалов и приборных структур не дают исчерпывающей информации о свойствах материала и структуры, определяют их усредненные параметры. В ряде случаев параметры приборной структуры вообще не могут быть определены непосредственно из этих измерений и требуют дополнительной информации для их расчета. Наибольшие затруднения при измерении традиционными методами возникают при исследовании многослойных структур. При измерении большинства параметров эпитак-сиальных слоев и характеристик структур предъявляются требования: высокая локальность, отсутствие разрушения образцов в процессе измерения, возможность комплексного измерения целого ряда параметров. Этим требованиям отвечают электронно-зондовые методы исследования. Для измерения параметров арсенид-галлиевых эпитак-сиальных слоев и характеристик высоковольтных структур на их основе в данной работе использовался целый комплекс электронно-зондовых методик. Среди них традиционные методики регистрации тока, индуцированного электронным зондом, и катодолюминисцентно-го излучения, а также впервые созданные. Эти методики разработаны нами с учетом специфики исследуемых структур и основаны на регистрации сигналов, возникающих при локальном возбуждении неравновесных носителей. К ним следует отнести метод локального анализа глубоких центров в полупроводниковых р-п структурах, основанный на регистрации модуляционного сигнала, возникающего при комбинированном возбуждении неравновесных носителей с помощью электронного зонда и монохроматического ИК света. К числу новых методик относится и методика, основанная на регистрации сигнала

- г электролшинисценции и катодолкминесценции из одной и той же локальной области многослойной приборной структуры и позволяющая изучать инжекционные свойства р-п структуры. Данные методики предоставляют возможность одновременно регистрировать целый ряд сигналов из одной и той же локальной области структуры: ток, индуцированный электронным зондом, сигналы катодо- и электролюминесценции, модуляционный сигнал, сопоставление которых позволяет определять ряд электрофизических параметров эпитаксиальных слоев и приборных структур, таких как: диффузионные длины неосновных носителей в материалах с неоднородным распределением примеси, концентрацию и профиль распределения ионизованных центров; энергетическое положение, концентрацию и характер распределения глубоких центров. Кроме того, данные методики позволяли устанавливать тип структуры (р+-п°, р+-р°-п°, р- I -д), определять наличие высокоомной компенсированной области, устанавливать их протяженность; оценивать соотношение между концентрацией глубоких и мелких центров. Сопоставление данных свойств и характеристик, полученных в локальных областях полупроводникового материала и приборной структуры, с интегральными характеристиками структуры и технологическими условиями выращивания дают возможность проводить отработку технологических условий выращивания; устанавливать механизмы образования р° и п° слоев, р-п перехода; оптимизировать параметры приборной структуры.

Диссертация состоит из четырех глав, введения и заключения.

Первая глава состоит из двух частей. В первой части дан об-зюр литературы по электронно-зондовым методам определения электрофизических параметров полупроводников. Рассмотрены вопросы взаимодействия быстрых электронов с веществом, генерации электронно-дырочных пар, их диффузии и дрейфа в полупроводниковом материале. Подробно рассматриваются методы определения параметров полупроводников, в частности, диффузионных длин неосновных носителей в режиме тока, индуцированного электронным зондом, в различных практически важных случаях. Даны критерии точности измерений ее величины, применимости методов. Обсуждаются возможности катодолкминесцентных исследований для изучения излучателъных и безызлучательных характеристик полупроводникового материала.

Ввиду того, что электронно-зондовые методы в данной работе применялись для исследования нелегированных эпитаксиальных слоев & a As и структур на их основе, получаемых методом жидкофазной эпитаксии, то для правильной интерпретации и понимания задач, стоящих при электронно-зондовых исследованиях, вторая часть была посвящена обзору электрофизических свойств эпитаксиальных слоев и р-п структур; особенностям их получения; характеристикам глубоких центров, образующихся в процессе роста эпитаксиальных слоев Стел Й5 .

Вторая глава посвящена технике эксперимента и методикам измерения электронно-зондовых сигналов. Рассмотрена методика измерений в режиме тока, индуцированного электронным зондом; обсуждаются варианты существующих катодолкминесцентных приставок к электронно-зондовому прибору, обосновывается выбор приставки с выводом излучения через встроенный оптический микроскоп. Рассмотрена техника эксперимента, применяемая при исследовании глубоких центров модуляционным методом. Описана методика, применяемая для регистрации электролкминесцентного излучения в электрон-но-зондовом приборе.

Третья глава посвящена применению электронно-зондовых методов для определения электрофизических параметров р-п структур на основе нелегированного &а А 5 . Показаны особенности поведения тока, индуцированного электронным зондом, и сигнала катодо-лшинесценции в р+-п° и р+-р°-п°-п+ эпитаксиальных структурах на основе Sa. As . На основе анализа кривых индуцированного тока в области объемного заряда р-п перехода и квазинейтральной области, а также предложенных теоретических моделей, разработаны методики, позволяющие определять ряд электрофизических параметров в эпитаксиальных слоях и структурах &а А 5 . Даны физические основы метода локального анализа глубоких центров с помощью электронного зонда, приведены результаты исследований глубоких центров в эпитаксиальных арсенид-галлиевых структурах.

Четвертая глава посвящена вопросам оптимизации параметров высоковольтных диодных структур на основе нелегированного эпи-таксиального QcihS с помощью электронно-зондовых методов. Предложен механизм компенсации и образования слоев р+-п° и р -р°-п° структур. Показана роль металлургической границы подлож-ка-эпитаксиальный слой на характер разделения носителей. Установлена связь между толщиной р°-слоя и величинами электрофизических параметров. Определена оптимальная толщина р°-слоя = 25-35мкм) высоковольтной диодной эпитаксиальной структуры на основе Ста.

Основные положения, выносимые на защиту: I. Разработан комплекс электронно-зондовых методов для определения электрофизических параметров в полупроводниковых структурах, включающий:

-метод локального анализа глубоких центров, основанный на регистрации модуляционного сигнала, возникающего при одновременном облучении р-п структуры электронным зондом и монохроматическим ИК светом;

- способ определения параметров закона рекомбинации в квазинейтральной области и в области объемного заряда р-п перехода, основанный на анализе кривых индуцированного тока;

- способ определения профиля распределения концентрации ионизованных центров в р+-п°, р+- р°-п° и р-1 -п структурах с высокой по сравнению с мелкими, концентрацией глубоких центров, основанный на анализе кривых индуцированногоотока в области объемного заряда;

- методика определения толщины базы в многослойной приборной стру-туре, основанная на регистации сигнала электролюминесценции в условиях локальной инжекции электронно-дырочных пар электронным зондом.

II. Следующие основные результаты электронно-зондовых исследований нелегированных слоев Gaft$ и структур на их основе:

- установлено, что в зависимости от технологических условий выращивания нелегированных эпитаксиальных слоев СгО Д^методом жид-фазной эпитаксии формируется два типа структур: р+-п° и р+-р°-п°; определен механизм образования р° и п° слоев этих структур; установлено, что для структур второго типа характерно наличие высоко-омной компенсированной области (от единиц до десятков микрон) с

И (Nfi +

- показано, что в р-п структурах на основе не легированного G с/ полученных методом жидкофазной эпитаксии, образуется дефект перестановки Ир* , являющийся двухзарядным донором с уровнями

0,52 эВ и £d - 0,75 эВ;

- экспериментально установлена роль носителей в эффектах ИК гашения и усиления величины индуцированного тока: ток электронов в п°-слое при Ж подсветке гасится , а дырок - усиливается;

- показано, что с ростом толщины р°-слоя происходит уменьшение концентрации глубоких центров дефекта перестановки и комплекса вакансия - примесь; определен профиль изменения концентрации этих центров; обнаружена связь между концентрацией глубоких центров; и диффузионными длинами несновных носителей в р° и п°-слоях;

- установлена оптимальная 'толщина р°-слоя высоковольтной приборной структуры, равная 25*35 мкм, обеспечивающая минимальные прямые падения напряжения в структуре и максимальные напряжения пробоя.

Основные результаты диссертационной работы изложены в статьях:

1. Конников С.Г., Корольков В.И., Никитин В.Р., Соболев М.М., Тот Б. Особенности поведения тока, индуцированного электронным зондом в высоковольтных р-п структурах. - ФШ, 1978, т. 12,в.5, с.982-985.

2. Андреев В.М., Конников С.Г., Соболев М.М., Таджибаев Ф.М. Исследование фотоэлементов на основе плавных гетероструктур с помощью электронного зонда. - В тез. докл. II Всесоюзн.конф. по физич.процессам в полупроводниковых гетероструктурах, Ашхабад, 1978, т.1, с.37-39.

3. Андреев В.М., Конников С.Г., Соболев М.М. Исследование гетеро-фотоэлементов в системе PttG-ah с помощью электронного зонда. - В сб.: "Фотоэлектрические свойства гетеропереходов". Кишинев, "Штиница", 1980, с.13-19.

4. Белобородко Б.А., Конников С.Г., Соболев М.М., Тропп Э.А.

О поведении тока, индуцированного электронным зондом, в области объемного заряда структур с р-п переходом. - ЖТФ, 1981, т.51, № 10, с.2129-2131.

5. Конников С.Г., Соболев М.М., Тропп Э.А. Определение физических параметров р-п структур на основе слаболегированного CraHS путем анализа кривых тока, индуцированного электронным зондом. - В тез.докл. III Всесоюзн.симп. по растровой электронной микроскопии. Звенигород, 1981, с.162.

6. Жолудев В.М., Конников С.Г., Константинов А.О., Соболев М.М. Роль эффекта перепоглощения при определении диффузионной длины неосновных носителей заряда ( в слаболегированном

Cr(% As методом тока, индуцированного электронным зондом (ТИЭЗ). - ФТП, 1982, т.16, в.6, с.1090-1092.

7. Конников С.Г., Константинов А.О., Соболев М.М. Исследования с помощью электронного зонда процессов безызлучательной рекомбинации в структурах на основе слаболегированного

ФТП, 1982, т.16, в.6, c.I0I9-I022.

8. Конников С.Г., Рожков А.А., Соболев М.М., Тропп Э.А. Исследование высоковольтных структур на основе слаболегированного

Gafts . - В сб.ст. Полупроводниковые приборы, Таллин: "Валгус", 1982, с.43-47.

9. Жолудев В.М., Конников С.Г., Соболев М.М., Трошков С.И. Особенности определения длин диффузионного смещения неосновных носителей заряда методом тока, индуцированного электронным зондом. - В сб.ст. Физические методы исследования твердого тела, Свердловск, 1982, с.117-123.

10. Конников С.Г., Соболев М.М., Тропп Э.А. Определение физических параметров р-п структур на основе слаболегированного

Grabs путем анализа кривых тока, индуцированного электронным зондом. - Поверхность. Физика, химия, механика, 1983, т.2, J& 2, с.80-87.

11. Рожков А.В., Соболев М.М., Степанова М.Н. Влияние толщины р°-сбласти на вид вольтамперной характеристики р+-р°-п°-п+ структур на основе слаболегированного GrctPtS • В тез.докл. III Всесоюзн.конф. по физич.процессам в полупроводниковых гетероструктурах, т.1, Одесса, 1982, с.203-205.

12. Бакалейников Л.А., Соболев М.М., Тропп Э.А. Определение параметров слаболегированных слоев &ссА$ путем анализа тока, индуцированного электронным зондом. - В тез.докл. III Всесоюзн.конф. по физич.процессам в полупроводниковых гетероструктурах. т.III, Одесса, 1982, с.138-140.

13. Конников С.Г., Лебедев А.А., Соболев М.М., Степанова М.Н., Третьяков Д.Н. Исследование глубоких центров эпитаксиальных -слоев высоковольтных структур на основе &aAs методом растровой электронной микроскопии (РЭМ) и емкостной спектроскопии (ЕС). - В тез.докл. Пятое Всесоюзи.совещ. по исследованию арсенида галлия. Томск, 1982, с.175.

14. Соболев М.М., Конников С.Г., Степанова М.Н. Исследование глубоких центров в нелегированном &<%А$ с помощью электронного зонда. - ФТП, 1984, т.18, в.2, с.383-385. 15. Дмитриев А.П., Конников С.Г., Соболев М.М. Локальный анализ глубоких центров с помощью электронного зонда. - В тез.докл. 1У Всесоюзн.симп. по растровой электронной микроскопии. Звенигород, 1984, с.94.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих Всесоюзных конференциях, совещаниях и симпозиумах: II, III - по физическим процессам в полупроводниковых гетеро-структурах (Ашхабад, 1978; Одесса, 1982); III, 1У - по растровой электронной микроскопии (Звенигород, 1981, 1984); У - по исследованию арсенида галлия (Томск, 1982); на семинаре "Применение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов" (Сангаста, 1981).

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность моим научным руководителям: доктору физико-математических наук, профессору В.И.Йванову-Омскому и доктору физико-математических наук С.Г.Конникову, которым я многим обязан.

Я признателен академику Ж.И.Алферову за представленную возможность проведения работы.

Я благодарен также своим коллегам: Н.Г.Андреевой, Н.А.Берту,

B.И.Королькову, Т.Б.Поповой, О.В.Зеленойвой, М.Н.Степановой,

C.И.Трошкову, В.Г.Кузьмину, Н.Н.Фалееву, Т.В.Черневой, А.А.Яко-венко, Н.Т.Баграеву, А.Б.Райцину, активное творческое участие которых во многом способствовало проведению исследований.

- ISO

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенные в данной работе электронно-зондовые исследования в значительной степени способствовали успешному развитию технологии получения нелегированных эпитаксиальных слоев Gcl A S и высоковольтных диодов на их основе. В свою очередь создание высоковольтных диодов стимулировало разработку новых электронно-зондовых методов. Перечислим основные результаты работы:

I. Создан комплекс электронно-зондовых методов исследования нелегированных эпитаксиальных слоев GaAg и приборных структур на их основе, включающий:

1. Метод локального анализа ГЦ, основанный на регистрации модуляционного сигнала, возникающего при одновременном облучении р-п структуры электронным зондом и монохроматическим ИК светом.

2. Способ определения параметров закона рекомбинации в квазинейтральной области и в области объемного заряда р-п перехода, основанный на анализе кривых индуцированного тока.

3. Способ определения профиля распределения концентрации ионизованных центров в р+-п°, р+-р°-п° и р- L -п структурах с высокой, по сравнению с мелкими, концентрацией глубоких центров,основанный на анализе кривых индуцированного тока в области объемного заряда.

4. Методика определения толщины базы в многослойной приборной структуре (транзистор, тиристор), основанная на регистрации сигнала электролюминесценции в условиях локальной инжекции электронно-дырочных пар электронным зондом.

II. При исследовании с помощью специально разработанного комплекса электронно-зондовых методов получены следующие основ

- its ~ ные результаты:

1. Обнаружено два типа структур, получающихся при различных технологических условиях выращивания: р+-п° и р+-р°-п°; определен профиль распределения концентрации ионизованных центров в этих структурах; установлено, что для структур второго типа характерно наличие протяженной высокоомной компенсированной области (от единиц до десятков микрон) с Nх>т & (tffrt Nai) и Ылт^

Ы н + а/ at)

2. Установлен механизм образования и компенсации р° и п°-слоев в р+-п° и р+-р°-п° структурах.

3. Обнаружены ГЦ комплекса вакансия-примесь и установлено их энергетическое положение: 6>v+ 0,44эВ и £гг+ 0,68эВ.

4. Впервые в слоях, полученных ЖФЭ, обнаружен и идентифицирован двухкратно заряженный донорный центр дефекта перестановки ftS g.a , имеющий один двухкратно заряженный уровень с bts +0,52 эВ, другой однократно заряженный уровень с && - 0,75эВ.

5. Экспериментально установлена роль носителей (электронов и дырок) в эффекте ИК-гашения и усиления величины тока, индуцированного электронным зондом.

6. Определены законы рекомбинации носителей, зависимость ех от уровня возбуждения в области объемного заряда и квазинейтральной области в р+-п° и р+~р°~п° структурах.

7. Установлена связь между толщиной р°~слоя,диффузионной длиной неосновных носителей в р° и п° слоях и концентрацией ГЦ в нелегированных слоях &а Л6 . Показано, что с увеличением толщины р°~слоя до 35-50мкм концентрации глубокого донорного центра дефекта перестановки Аз&а и комплекса вакансия-примесь

- in уменьшаются соответственно в пределах (5.10^-6.10*5)см~3 и 15 14\ —з

4.10х -2.10 )см ; диффузионные длины неосновных носителей АрИ Ад увеличиваются соответственно в пределах от 2£мт до П,5мкм и от 7,2мкм до 20мкм.

8. Экспериментально определен механизм протекания инжекционных токов в многослойной приборной структуре р+-р°-п°-п+ типа.

9. Установлено влияние местоположения р-п перехода относительно металлургической границы и характера распределения мелких и глубоких центров на величину пробивного напряжения и прямые падения напряжения в высоковольтных диодах на основе нелегированного

Ora.hu'* показано, что формирование р-п перехода на расстоянии 20+30мкм относительно металлургической границы приводит к уменьшению плотности дефектов в рабочей области структуры, достижению высоких пробивных напряжений при сравнительно малых прямых падениях напряжения.

10. На основании полученных результатов проведена оптимизация высоковольтной приборной структуры, обеспечивающая минимальные прямые падения напряжения в базе и максимальные напряжения пробоя.

1. Ашкинази Г.А., Корольков В.И., Челноков В.Е. Силовые полупроводниковые приборы на основе новых материалов. - В мат.докл.: У Всесоюзное координационное совещание секции "Полупроводниковые гетероструктуры". Таллин, 1978, с. 5-15.

2. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Физ-матгиз, 1963, - 264 с.

3. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. - 311 с.

4. Шокли У. Проблемы, связанные с р-п переходами в кремнии. -УВД, 1962, в. I, с. I6I-I96.

5. Klein С.A. Bandgap dependence and related features of radiation ionization energies in semiconductors. J. Appl. Phys., 1968, v. 39, N p. 2029-2038.

6. Gruen A.E. Lumineszenz-photometriscle Messungen der Energieab-sorption in Stralungsfeld von Electronenquellen: dimesionaler full in Luft. Z. Naturforsch., 1957, v. 12A, p. 89-95*

7. Wittry D.B., Kyser D.P. Measurement of diffusion lenght in direct-gap semiconductors by electron beam excitation. J. Appl. Phys., 1967, v. 38, N 1, p. 375-382.

8. Everhart Т.Е., Hoff P.H. Determination of kilovolt electron energy dissipation versus penetration distance in solid materials. J. Appl. Phys., 1971, v. 4-2, N 13, p. 5837-5846.

9. Matsukawa Т., Shimizu R., Murata K. Determination of kilovolt electron energy dissipation in depth in solids. Phys. stat. sol.(b), 1973, v. 55, N 1, p. 371.

10. Kanaya K., Okayema S. Penetration and energy loss theory of electrons in solid targets. J. Phys. D.: Appl. Phys., 1972,v. 5, N 1, p. 43-58.

11. Bresse J.E. Quantitative use of the electron beam induced current (EBIC) for the characterization of semiconductor devices. In: Seanning Electron Microscopy. Chicago, 1977,v. 1, p. 683-694.

12. Klein C.A. Eurtrer remarks on electron beam pimping of laser materials. Appl. Opt., 1966, v. 5, N 12, p. 1922-1924.

13. Wu C.J., Wittry D.A. Investigation of minority carrier diffusion lengths by electron bombardment of schofctky barriers. -J. Appl. Phys., 1978, v.49, N 5, P. 2827-2836.

14. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. - 558 с.

15. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: 1963. 494 с.

16. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. - 562 с.

17. Mitonneau A., Mirecu A., Martin G.M., Pons D. Electron and bole capture cross-sections at deep centers in gallium arsenide. Revue de physique appliqufee, 1979, v. 14, N 10,p. 853-861.

18. Nelson R.J. Measurement of 100jvfm minority carrier diffusion lenght in p-GaAs by a new photoluminescence method. In: Inst. Phys. Conf., 1979, ser. N 45, chapter 3. p.

19. Leamy H.J. Charge collection scanning electron microscopy.- 182

20. J. Appl. Phys., 1982, v. 53, N 6, R51-R80.

21. Van Roosbroeck W. Injected current carrier transport in semi-infinite semiconductor and the determination of surface recombination velocities. J. Appl. Phys., 1955, v. 26, Np. 380-391.

22. Kyser D.F., Wittry D.B. Spatial distribution of excess carrier-sin electron beam excited semiconductors. Proc. IEEE. 1967, v. 55, P. 733-734•

23. Hackett N.H. Electron beam excited minority carrier diffusion profiles in semiconductors. J. Appl. Phys., 1972, v. 43,1. N p. 1649-1654.

24. Bresse J.?., Lajeuillie D. SEM beam induced current in planar p-n junctions: diffusion length and generation factor measurements. In: Proced. 25th Anniversary Meeting of E.M.A.G. London, 1971, p. 220-223.

25. Berz P., Kuiken H.K. Theory of lifetime measurements with the scanning electron microscope: steady state. Solid.-State. Electron, 1976, v. 19, N 6, p. 437-445.

26. Donolato C. On the theory SEM charge collection imaging of localized defects in semiconductors. Optik. 1978, v. 52, N 1, p. 19-36.

27. Van Roosbroeck W. Theory of current-carrier transport and photoconductivity in semiconductors with trapping. Bell, syst. Tech. J., 1960, v. 39, N 3, p. 515-614.

28. Von Roos 0. Analysis of the interaction of an electron beam with a solar cell. I. Solid-state. Electron., 1978, v. 21, N 8, p. 1063-Ю67.

29. Munakata C. Measurement of the homogeneity of a semiconductor with an electron beam. Jpn. J. Appl. Phys., 1965,v. 4, N 10, p. 815.

30. Miller G.L., Gibson W.M. Charge collection in semiconductor radiation detector in nuclear electronics. In: Nuclear Electronics. 1962, v. 1, p. 44-7-493.

31. Thornton P.R., Hughnes H.A., Sulway D.V., Wayte R.C. Quantitative measurements by scanning electron microcsopy 1. The use of conductivity maps. Microelectronics and Reliability. 1966, v. 5, p. 291-298.

32. Селезнева M.A., Филлипов С.С. Решение стационарного уравнения диффузии с точечным источником для электронно-зондового метода исследования полупроводников. Препринт ИПМ АН СССР, 1975, № 38.

33. Holt d.b., Chase b.d. Scanning electron microscops stadies of electroluminescent diodes of GaAs and GaP. Phys. stat. sol (a), 1973, v. 20, N 1, p. 155-14-1.

34. Селезнева M.M., Филлипов С.С. Вычисление диффузионных токов через р-п переход для протяженных источников, возбуждаемых электронным зондом. Препринт ИПМ АН СССР. 1975. № 60.

35. Hackett W.H., Saul r.h., Dixon r.w., Kammlott G.W. Scanning electron microscopy characterization of GaP red-emittingdio-des. J. Appl. Phys. 1972, v. 43, N 6, p. 2857-2868.

36. Jastrezebski L., Lagowski J., Gatos H.G. Application of scanning electron microscopy to determination of surface recombination velocity GaAs. Appl. Phys. Lett., 1975s v. 27, N 10, p. 537-539.

37. Watanabe M., Actor G., Gatos H.G. Determination of minority carrier lifetime and surface recombination velocity with high spacial resolution. IEEE Trans. Electron. Divices, 1977» ED-24, N 9, P. 1172-1177.

38. Von Eoos 0. Extension of theorem user in the investigation of p-n junctions with the SEM to arbitrary geometry and arbitrary inhomogeneous material. Appl. Phys. Lett., 1979» v. 35» N 6, p. 408-409.

39. Oakes J.J., Greenfield I.G., Partain L.D. Diffusion length determination in thin-film Cu^S/CdS solar cells by scanning electron microscopy. J. Appl. Phys., 1977, v. 48, N 6,p. 2548-2555.

40. Fuyuki I., Matsunami H., Tanaka T. The influence of the generation riolume of minority carriers on EBIC. J. Phys. D : Appl. Phys., 1980, v. 13, N 6, p. 109M100.

41. Chi J.J., Gatos H.C. Non destructive determination of the depth of planar p-n junctions by scanning electron microscopy. IEEE Trans. Electron., 1977* ED-24, N , p. 1366-1368.

42. Possin G.E., Kirkpatrick C.G. Electron-beam measurements of minority-carrier lifetime distributions in ion-beam-damaged silicon. J. Appl. Phys., 1979, v. 50, N 6, p. 4033-4041.

43. Zimmermann W. Measurement of spatial variations of the carrier lifetime in silicon power devices. Phys. stat. sol. (a), 1972, v. 12, N 2, p. 671-677.

44. Kuiken H.K. Theory of lifetime measurements with the scannihg electron microscope: transient analysis. Solid State Electron., 1976, v. 19, N 6, p. 447-450.

45. Jakubowicz A. Theory of lifetime measurements in thin semiconductor layers with the scanning electron microscope:- in transient analysis. Solid.-State Electron., 1980, v. 23, N 6, p. 635-639.

46. Munakata C., Everhart Т.Е. Frequency dependence of the diffusion length for excess minority carriers generated with a pulsed electron beam. Jpn. J. Appl. Phys., 1972, v. 11, N 6, p. 913-914.

47. Kamm J.D., Bernt H. Theory of diffusion constant lifetime -and surface recombination velocity measurements with the scanning electron microscope. - Solid-State Electron., 1978, v. 21, N 7, p. 957-964.

48. Fuyuki Т., Matsunami H. Determination of lifetime and diffusion constant of minory carriers by a phase-shift technique using an electron-beam-induced current. J. Appl. Phys., 1981,v. 52, N 5, p. 3428-3432.

49. Von Roos 0. Determinatio of deep level capture cross sections in wide band-gap semiconductors by means on electron beam. -J. Appl. Phys., 1980, v. 51, N 8, p. 4523-4531.

50. Kyser D.P., Wittry D.B. Gathodoluminescence in GaAs. In: The Electron microprobe. New-York, 1966, p. 691-714.

51. Берг А., Дин П. Светодиоды. M.: Мир, 1979. - 686 с.

52. Говорков А.В. Микрокатодолюминесцентные исследования неодно-родностей полупроводниковых материалов на основе GaAs. Кандидатская диссертация, М., ГИРЕДМЕТ, 1973.

53. Liu W.N., Wittry D.B. Investigatio of semiinsulating GaAs127 using infrared-modulated cathodoluminescence and speciem current. J. Appl. Phys., 1976, v. 47, N 9, p. 4129-4136.

54. Андреев B.A., Долгинов A.M., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпи-таксия в технологии полупроводниковых приборов. М.:Сов. радио, 1975. - 328 с.

55. Wolfe С.М., Stillman С.Е. High purity GaAs. In: Proceedings of Symp. on GaAs. London-Bristol, 1970, p. 3-17.

56. Болховитянов Ю.Б., Болховитянова Р.И., Мельникова П.JI. Получение тонких пленок GaAs из раствора, находящегося в зазоре между подложками. Изв. АН СССР, сер. Неорг. мат., 1973,т. 9, Р 6, с. 887-890.

57. Kaufmann L.M., Heine К. Influence of heat treatment on the morphological and electrical properties of the GaAs epilay-er substrate interface. J. Crystal. Growth, 1976, v. 34, p. 287-292.

58. Hiki M., Otsubo M. Liquid phase epitaxial growth of GaAs crystals under a mixed atmosphere. Jpn„ J. Appl. Phys., 1975, v. 14, N 5, P. 621-628.

59. Соловьева E.B., Мильвидский М.Г., Собанова Л.Д.и др. Роль примесей и дефектов в формировании свойств нелегированных слоев арсенида галлия. В кн.: Рост и легирование полупроводш*-ковых кристаллов и пленок. ч.П, Н.: Наука, 1977, с. 248-252.

60. Shealy J.R. Liquid phase epitaxy of high-purity GaAs on conducting n-type substrates. J. Appl. Phys., 1981, v. 52, N 7, p. 4640-4645.

61. Lang D.V., Logan R.A. A study of deep levels in GaAs by ca-pacittance spectroscopy. J. Electron. Mat., 1975, v. 4,1. N 5, P. 1053-Ю65.

62. Uju T., Nishide R. Photo capacitance studes on deep levels in1. IBS

63. GaAs and Al^Ga^^s liquid phase epitaxial layers. Jp. J. Appl. Phys., 1976, v. 15, N 11, p. 2247-2248.

64. Mitonneau A., Martin G.M., Mireca A. Electron traps in bulk GaAs crystals. Electron. Lett., 1977, v. 13, N 5, p. 191193.

65. Борисова JI.A. Фоновые примеси в кристаллах и слоях арсенида галлия. В кн.: Свойства легированных полупроводников. Новосибирск: Наука, 1977, с. 229-236.

66. Huber A.M., Liuh N.I., Valldon M., Debrun J.L., Martin G.M., Mittouneau A., Mircea A. Direct evidence for the nonassign-ment to oxygen of the main electron trap in GaAs. J. Appl. Phys., 1979, v. 50, N 6, p. 4022-4026.

67. Subramaniak S., Arora B.M., Guha S. An investigation of the origin the main electron trap in GaAs. Solid-State Electron.,1981, v. 24, N 4, p. 287-291.

68. Lagowski J., Gatos H.C., Parsey J.M., Wada K., Kaminsku M., YJalukiewiez W. Origin of the 0,82-eV electron trap in GaAs and its annihilation by shallow donors. Appl. Phys. Lett.,1982, v. 40, N 4, p. 342-344.

69. Holmes D.F., Chen R.T., Elliott K.R., Kirkpatrick C.G. Stoi-chiometry-controlled in liquid encapsulated Crochralsski GaAs. Appl. Phys. Lett., 1982, v. 40, N 1, p. 46-48.

70. Li G.P., Wang K.L. Defect formation chemistry of EL2 center at E -0,83 eV in ion-implanted gallium arsenide. J. Appl.- m

71. Phys., 1982, v. 53» N 12, p. 8653-8662.

72. YJeber E.R., Ennen H., Kaufmann U., Windscheif J., Schneider J., Wosinski T. Identification of Asantisites in plustical-ly deformed GaAs. J. Appl. Phys., 1982, v 53, N 9, p. 61406143.

73. Martin G.M., Secordel P., Venger C. Compensation mechanisms related to boron implantation in GaAs. J. Appl. Phys., 1982, v. 53, N 12, p. 8706-8715.

74. Martin G.M., Terrioc P., Makram-Ebeid S., Guillot G., Ga-vand M. Evidence for the creation of the main electron trap in bulk GaAs. Appl. Phys. Lett., 1983, v. 42, N 1, p. 61-63.

75. Vincent G., Bois D. Photocapacitance quenching effect for "oxygen" in GaAs. Solid-State-Commun., 1978, v. 27, N 8, p. 431-435.

76. Vincent G., Bois D., Chantre A. Photoelectric memory effect in GaAs. J. Appl. Phys., 1982, v. 53, N 5, P. 3643-3649.

77. Shanabrook B.V., Klein P.B., Swiggard E.M., Bishop S.G. Photo-luminescence and photoexcitation spectroscopy of the EL2 emission band in GaAs. J. Appl. Phys., 1983, v. 54, N 1, p. 336340.

78. Johnson E.J., Kafalas J.A., Davies R.W. The role of deep-levels centers and compensation in producing semiinsulating GaAs. J. Appl. Phys., 1983, v. 54, N 1, p. 204-207.

79. Жолудев B.M., Конников С.P., Константинов A.O., Соболев М.М.

80. Роль эффекта перепоглощения ггри определении диффузионной длины неосновных носителей заряда (Ld ) в слаболегированном GaAs методом тока, индуцированного электронным зондом (ТИЭЗ). ФТП, 1982, т. 16, в. 6, с. 1090-1092.

81. Андреев В.М., Конников С.Г., Соболев М.М., Таджибаев Ф.М. Исследование фотоэлементов на основе плавных гетерострунтур с помощью электронного зонда. В тез. докл.: П Всесоюзн. конф. по физическим процессам в п.п. гетеростр., Ашхабад, 1978,т. I, с. 37-39.

82. Андреев В.М., Конников С.Г., Соболев М.М. Исследование гетеро-фотоэлементов в системе AlGaAs с помощью электронного зонда. -В сб.: Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Кишинев, "Штиинци", 1980, с. 13-19.

83. Ando I. A new сathodoluminescence (СЬ) detector for SEM and its application to semiconductor material. JEOL News, 1974, v. 12, N 2, p. 25-30.

84. Marcinik H.C.,Wittry D.B. Установка для исследования катодо-люминесценции. Приборы для научн. исследов., 1971, т. 42,12, с. 59-61.

85. Bond Е.Р., Haggis G.H., Beresford P. Improved cathodolumines-cence microscopy. J. Microsc., 1974, v 100, N 3, p. 271-280.

86. Horl E., Miische E. SEM of metals usiny light emission. In: Proc. 5-th. Eur. Congr. Electr. Microsc. (EMCON 72). London-Bristol, 1972, p. 502-503.

87. Carlsson L., van Essen G.G. An efficient apparatus for studying C.L. in the SEM. J. Phys. E. Scient. Instr., 1974,v. 7, N 2, p. 98-100.

88. Steyn J.В., Giles P., Holt D.B. An effecient spectroscopic detection system for eL mode SEM. J. Microsc., 1976, v. 107, N 1, p. 107-126.- I3i

89. Thornton P.R. Scanning Electron Microscopy. London, 1968, 362 c.

90. Конников С.Г., Рожков A.A., Соболев M.M., Тропп Э.А. Исследование высоковольтных структур на основе слаболегированного GaAs. В сб. ст.: Полупроводниковые приборы, Таллин: Валгус, 1982, с. 43-47.

91. Корольков В.И. Электрические и фотоэлектрические явления в AlGaAs гетероструктурах и их применение в полупроводниковых приборах. Докторская диссертация, 0JI ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР, Л., 1979.

92. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981, 174 с.

93. Лошкарев Б.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев: Наукова думка, 1981, 264 с.

94. ПО. Конников С.Г., Корольков В.И., Никитин В.Г., Соболев М.М., Тот Б. Особенности поведения тока, индуцированного электронным зондом в высоковольтных р-п структурах. ФТП, 1978, т. 12, в. 5, с. 982-985.

95. Белобородко Б.А., Конников С.Г., Соболев М.М., Тропп Э.А.0 поведении тока, индуцированного электронным зондом, в области объемного заряда структур с р-п переходом. ЖТФ, 1981, т. 51, № 10, с. 2I29-2I3I.

96. Конников С.Г., Константинов А.О., Соболев М.М. Исследования с помощью электронного зонда процессов безызлучательной рекомбинации в структурах на основе слаболегированного GaAs. -Ш, 1982, т. 16, в. 6, с. I0I9-I022.

97. Соболев М.М., Конников С.Г., Степанова М.Н. Исследование глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда. ШП, 1984, в. 2, с. 383-385.

98. Vincent G., Chantre A., Bois D. Electric field effect on the thermal emission of traps in semiconductor junctions. J. Appl. Phys., 1979, v. 50, К 8, p. 5^84-5487.

99. Makrum-Ebeid S. Effect of electric field on deep-level transients in GaAs and GaP. Appl. Phys. Lett., 1980, v. 37,1. N 5, p. 464-464.

100. Aronov D.A., Zaitova V., Kotov E.P. On the theory of Photoconductivity and photoelectromagnetic effect at high concentrations of non-equilibrium charge carriers. Phys. Stat. Sol., 1971, V. 43b, N 1, p. 129-140.

101. Дмитриев А.П., Конников С.Г., Соболев М.М. Локальный анализ глубоких центров с помощью электронного зонда. В тез. докл.:1У Всесоюзн. симп. по растровой электронной микроскопии. Звенигород, 1984, с. 94.

102. Martin G.M., Mitonneau A., Pons D., Mirceu A., Woodard D.VJ. Detailed electrical characterisation of the deep Or acceptor in GaAs. J. Phys. c. solid st. Phys., 1980, v. 13, N 12, p. 3855-3882.

103. Ettenberg M. The effect of reabsorbed radiation on the minority-carrier diffusion length in GaAs. Appl. Phys. Lett., 1977, v. 30, N 4, p. 207-210.

104. Makram-Ebeid S., Gautard D., Devillard P., Martin G.M. Out-diffusion of the main electron trap in bulk GaAs dua to thermal treatment. Appl. Phys. Lett., 1982, v. 40, N 2, p. 161-163.

105. Берт Н.А., Конников С.Г., Уманский В.Е. Определение величины несоответствия параметров элементарной ячейки в полупроводниковых гетероструктурах методом широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей. ФТП, 1980, т. 14, Ш 10, с. 1899-1903.

106. Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю.- т

107. Токи двойной инжекции в полупроводниках. М.: Сов. радио, 1978. - 320 с.