Исследование методов формирования микрорельефа дифракционных оптических элементов инфракрасного диапазона с использованием фоторезистов и фотополимерных композиций тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

На правах рукописи

РГ5- од

1 г сен г.ю

Моисеев Олег Юрьевич

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОРЕЛЬЕФА ДИФРАКЦИОННЫХ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФОТОРЕЗИСТОВ И ФОТОПОЛИМЕРНЫХ КОМПОЗИЦИЙ

Специальность 01.04.01 Техника физического эксперимента, физика приборов, автоматизация физических исследований

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

САМАРА 2000

Работа выполнена в Институте систем обработки изображений РАН.

Научные руководители:

доктор физико-математических наук, с.н.с. Н. Л. Казанский

кандидат технических наук, доцент А.В. Волков

Официальные оппоненты:

доктор технических наук, профессор Г.И. Грейсух

кандидат физико-математических наук, доцент С.В. Карпеев

Ведущая организация:

Государственное унитарное предприятие КБ автоматических систем.

Защита состоится "_" в_часов на заседании диссертационного Д

063.87.04 совета в Самарском государственном аэрокосмическом университете имени академика С. П. Королева по адресу: 443086, Самара, Московское шоссе, 34.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке университета. Автореферат разослан "Дб" ОС/_2000 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, профессор

В.Г. Шахов

Л 'Чу/а О/С_ у( С .о Г)

Общая характеристика работы.

Диссертация посвящена исследованию и разработке методов формирования микрорельефов дифракционных оптических элементов (ДОЭ) инфракрасного диапазона с использованием фоторезистов и фотополимерных композиций.

Актуальность темы.

Дифракционные оптические элементы представляют собой пропускающие или отражающие пластинки, работающие на основе дифракции света на тонком фазовом микрорельефе. Компьютерное проектирование дифракционного микрорельефа обеспечивает уникальные функциональные возможности дифракционных оптических элементов. '

Анализ работ, проведенных в последнее время, показывает, что теоретические вопросы построения дифракционных оптических элементов разработаны достаточно полно, чего нельзя сказать о практических методах формирования микрорельефов. Например, изготовление ДОЭ из традиционных материалов и традиционными методами микроэлектроники не позволяет полностью реализовать потенциал дифракционной оптики, так как невозможно получать, без чрезмерных затрат, равномерные по высоте на больших площадях рельефы, необходимые для построения широко-апертурных оптических элементов, в частности, силовых фокусаторов. Для микроэлектроники поверхностный микрорельеф представляет собой нежелательное явление, приводящее к погрешностям совмещения слоев, дифракционному рассеянию при фотолитографии, неточности в воспроизведении размеров компонентов и т.д. Для дифракционных оптических элементов контролируемый поверхностный микрорельеф является необходимым условием их функционирования. Очевидно, что требуется адаптация методов изготовления традиционной микроэлектроники к задачам создания качественных дифракционных микрорельефов.

Все методы формирования дифракционных микрорельефов можно разделить на методы, основанные на проецировании низкоинтенсивного светового изображения маски в светочувствительную среду, и методы, которые позволяют локально удалять материал субстрата или изменять его оптические свойства под действием мощного излучения.

К первым относятся обычные литографические методы формирования микрорельефа с помощью полимерных и полупроводниковых фоторезистов. С целью адаптации этих методов для повышения точности Гончарским A.B., Монаковым В.М., Окороковым В.Н. и Якуниным В.П. был предложен метод химического травления многослойной структуры послойно напыленных металлов, меди и хрома, в селективно работающих травителях, в результате которого получается рельеф со ступенчатой аппроксимацией. Сложность получения оптических элементов этим способом заключается в большой трудоемкости, в возрастающих требованиях к

совмещению фотошаблонов для многослойных структур, а также в появлении неточностей, связанных с подтравливанием формообразующих материалов.

Для формирования дифракционных оптических элементов возможно использование изменений свойств материалов, в частности хрома, фоторезиста или полиметилметакрилата, под действием мощных излучений (работы Коронкевича В.П., Полещука А.Г., Юрлова Ю.И. и др.). Однако прецизионные, управляемые от ЭВМ генераторы изображений на электронных, ионных пучках и лазерных пучках, созданные для технологии электронных микросхем, крайне дорогостоящи, и пошаговая запись широко-апертурных оптических элементов занимает довольно длительное время.

Относительно простой метод получения непрерывных микрорельефов на основе темнового роста в частично отвержденных жидких фотопо-лимеризующихся композициях (ЖФПК) был предложен в работах Соловьева B.C., Бойко Ю.Б., Сойфера В.А., Сисакяна И.Н., Гранчака В.М., Дилун-га И.И. и др. Метод основан на диффузном перераспределении непрореа-гировавшего олигомера в неравномерном световом поле. Ввиду неполной изученности этого метода существуют определенные сложности учета всех факторов, действующих на диффундирующий олигомер на больших площадях, и связанные с этим трудности получения прецизионных микрорельефов.

Таким образом, целью диссертации является решение следующих основных задач:

• разработка методов изготовления ДОЭ, обеспечивающих снижение трудоемкости и повышение качества формирования дифракционного микрорельефа широкоапертурных оптических элементов;

• исследование границ применимости метода жидких фотополимери-зующихся композиций для изготовления дифракционного микрорельефа.

Научная новизна.

1. Впервые определены предельные возможности технологии рельефо-образования ДОЭ на основе эффекта массопереноса в жидких фото-полимеризующихся композициях.

2. Разработан новый метод изготовления ступенчатых ДОЭ путем послойного наращивания фоторезиста на оснрве дназосоединений.

3. Разработана физическая модель динамического отклика-оптического сигнала от времени растекания капли ньютоновской жидкости по поверхности подложки в зависимости от степени очистки поверхности.

4. Разработан новый метод определения чистоты поверхности подложек на основе эффекта динамического отклика оптического сигнала.

5. Впервые проведен анализ ограничений количества слоев наращивания фоторезиста при изготовлении ступенчатых ДОЭ.

Практическая ценность работы:

• на основе экспериментальных данных исследования изготовления мик-----рорельефов методом темнового роста в частично отвержденных жидких

фотополимеризующихся композициях показано, что максимальный угол наклона в выращенном рельефе составляет около 30°; « определены оптимальные размеры зондирующего устройства для измерения степени чистоты поверхности подложек (диаметр иглы 1-1,5 мм, высота падения капли 10-15мм); ® разработан я нсслсдован м°тод ссздш!ня гбтсрсфизнси структуры ка основе послойного наращивания слоев фоторезиста, который позволяет существенно улучшить точностные параметры ДОЭ, повысить эффективность их работы, значительно уменьшить трудоемкость изготовления;

• определено максимальное количество слоев в методе послойного наращиваний фоторезиста (до 24-х);

• на основе метода послойного наращивания фоторезиста созданы, испытаны и внедрены фокусаторы средней мощности ИК-диапазона;

• запатентованы устройства и системы с применением ДОЭ, изготовленных методом послойного наращивания фоторезиста (приборы ночного видения, сканирующие осветители транспортных средств).

Основные положения диссертации, выносимые на защиту:

• оценки предельных характеристик рельефообразования ДОЭ, основанного на эффекте темнового роста в частично отвержденных жидких фотополимеризующихся композициях;

• метод формирования микрорельефа послойным наращиванием фоторезиста;

• метод контроля степени чистоты поверхности по динамическому отклику растекающейся капли жидкости;

• физические условия снижения неравномерности формообразующих процессов при послойном наращивании фоторезиста.

Апробация работы.

Отдельные разделы и вся работа докладывались на следующих конференциях и семинарах: Конференции молодых ученых и специалистов (г.

Самара, 1988 г.); Пятом международном семинаре по цифровой обработке изображений и компьютерной графике "Обработка изображений и компьютерная оптика" (г. Самара, 1994 г.); Первой Поволжской региональной конференции "Научно-исследовательские разработки и высокие технологии двойного применения" (г. Самара, 1995 г.); научно-технических семинарах Института систем обработки изображений РАН.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 11 печатных работ, материалы диссертации вошли в 5 научно-технических отчетов, получено 2 патента и 1 положительное решение по заявке на патент.

Объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Она изложена на 111 страницах машинописного текста и содержит 56 рисунков и 3 таблицы. В списке цитируемой литературы IIS наименований.

Содержание работы

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель и задачи диссертации, дан краткий обзор научных работ по рассматриваемым вопросам, показана научная новизна работы, описана структура диссертации.

В первой главе рассматриваются физические основы формирования микрорельефа дифракционных оптических элементов. Сделан обзор известных методов изготовления оптических элементов инфракрасного (ИК) диапазона, проанализированы их недостатки, выбраны методы изготовления, наиболее полно отвечающие целям повышения качества микрорельефа и снижению трудоемкости изготовления, сделаны выводы о необходимых мерах для достижения поставленных целей, предложен метод изготовления микрорельефа послойным наращиванием фоторезиста. Метод заключается в следующем: на подложку, после ее очистки, наносится слой позитивного фоторезиста требуемой толщины. Затем он засвечивается через соответствующий фотошаблон, проявляется (при этом засвеченные участки удаляются) и потом термически задубливается, то есть переводится в нерастворимое состояние. Повторение описанных операций необходимое число раз (8... 16) позволяет изготовить дифракционный оптический элемент путем ступенчатой аппроксимации непрерывного микрорельефа. Исключение из общего процесса литографического формирования микрорельефа этапов травления подложки позволяет значительно улучшить точность воспроизведения размеров зон.

Во второй главе рассматриваются вопросы обеспечения исходных условий изготовления прецизионных микрорельефов ДОЭ, в частности вопросы очистки и контроля степени очистки подложек, процессы' плазмо-химической обработки с целью повышения степени чистоты исходной поверхности, процессы нанесения равномерных по толщине слоев светочувствительных композиций. Для контроля степени чистоты предложен метод динамического растекания капли ньютоновской жидкости. Метод заключается в измерении временных параметров растекания калиброванной капли жидкости по поверхности исследуемой подложки (рис 1). По предложенному методу фотодиодом периодически измерялась интенсивность светового потока, проходящего через каплю жидкости и исследуемую подложку.

Рис. 1. Схема прохождения светового потока. 1- световой луч, 2- жидкость толщиной ф, 3- подложка толщиной ¿2, 4- воздушный зазор между подложкой и фотодиодом ёз, 5- фотодиод.

Согласно закону Бугера-Ламберта интенсивность светового потока I, попавшего на фотодиод, равна I = 1„ехр(-ц (1), где: 1<>- начальная интенсивность света, и- коэффициент поглощения среды, ё- толщина среды. Так как изменяющимся параметром является (1], а потерями в слое воздуха с1з можно пренебречь, то I = 1оКехр(-ц ф), где К- коэффициент, учитывающий отражения на границах сред и поглощения внутри них.

Ток I в цепи фотодиода с учетом вышеизложенного равен Л = кх I — .Ь{ехр[я(ф-и)/кТ] - 1}, где: -коэффициент, зависящий от длины волны, темновой ток фотодиода, q- заряд электрона, и- напряжение, приложенное к фотодиоду, ср- контактная разность потенциалов фотодиода, ц- коэффициент поглощения, к- постоянная Больцмана, Т- температура р-п перехода.

Измеряя временные параметры растекания калиброванной капли жидкости можно судить о степени очистки. Преобразование импульсного сигнала с фотодиода, несущего информацию о временных параметрах растекания капли, в амплитудный сигнал осуществлялось дифференцирующим усилителем. Зависимость амплитуды сигнала от степени чистоты поверхности подложки представлена на рис. 2.

Степень загрязнения, г/см

10 И)"

10

10

10-

S—

.----__

/ ^

У- л

Г ^

*

30 60 90 120 150 180 210 U( мВ

---снтшш СТЗО-1

-кварцевое стекло G5-1

Рис. 2. Зависимость амплитуды сигнала от чистоты поверхности.

Апробирование различных методов очистки показало, что наилучшую чистоту дает плазмохимическая обработка, проводимая в плазме воздуха (Рис. 3).

2

Степень загрязнения, г/см

ю12

■10 10

10

10

10

12 3 4

- сигали СТ50-1

— кварцевое стекло С5-1

6 7 Время обработки, мин.

Рис. 3. Зависимость степени очистки от времени обработки. Режимы обработки: мощность ВЧ- 300 Вт, расход газа (воздух)- 2x10^/0.

Для получения равномерных по толщине слоев в методе послойного наращивания фоторезиста исследовались равномерности нанесения и обработки фоточувствительной композиции, в данном случае для фоторезиста СК-151. Проведенные эксперименты показали, что для получения равномерных по толщине слоев резиста необходимо применять композиции с высоким содержанием твердого вещества (40%), а для получения воспроизводимых результатов необходимо жестко стабилизировать время от момента нанесения капель фоторезиста до начала центрифугирования (около 3 сек.) и время разгона центрифуги до полной скорости (40 -50 мсек.). Обработку фоторезиста для гомогенизации процесса необходимо проводить при интенсивном перемешивании проявителя. Наилучший результат достигается поливом при ценрифугировании. Сравнение качества поверхностей исходной подложки (рис.4) и подложки с нанесенным слоем фоторезиста (рис.5), изображения фрагментов которых были получены с помощью сканирующего зондового микроскопа, показало, что качество поверхности подложки с фоторезистом значительно лучше исходной подложки. Шероховатость фоторезистивного слоя составляет ±7нм (у исходной подложки ±12нм), и отражательные ДОЭ оказываются работоспособными в ИК и видимом диапазонах.

44 .! и;

Рис. 4. Фрагмент поверхности Рис. 5. Фрагмент поверхности ситалловой подложки, фоторезистивного слоя,

величина деления по X и У- ЮОнм, величина деления по X и У- ЮОнм, по 2г Юнм. по Ъ- 10 нм.

В первой части третьей главы исследуются границы применимости создания микрорельефов методом темнового роста в частично отвержден-ных жидких фотополимеризующихся композициях.

Дня исследования закономерностей темнового роста в ЖФПК был синтезирован набор тестовых фотошаблонов с различными периодами и различными законами распределения оптической плотности внутри периодов, в частности с линейным (рис.6) и нелинейным (рис.7). Для определения стабильности высот рельефов и степени их соответствия закону изменения плотности фотошаблона были зафиксированы состав ЖФПК и время экспозиции. Оптическая плотность фотошаблонов измерялась на денситометре СР-25М1.

Рис. 6. Тест-структура для исследования массопереноса.

100 50

а а а

с с с с

о

12 18 24 30 36 42 48

Рис. 7. Вид распределения оптической плотности нелинейной тест-:г структуры.

Результаты измерений профиля микрорельефов изготовленных образцов представлены на рис.8.

Е,кзш

100[-аа*а Ь с с с" с

50

Н

0 б 12 18 24 30 36 42 48 мм Рис.8. Профилограмма полученного микрорельефа.

Анализ профилограмм позволяет сделать следующие выводы: - максимальный рост рельефа наблюдается при контрасте фотошаблонов 0,6-0,7 и составляет примерно 50% от первоначальной толщины слоя ЖФПК;

• при увеличении отношения периода рельефа к первоначальной толщине ЖФПК более чем в 10-12 раз линейная функция рельефной структуры в светлой области начинает искажаться и при дальнейшем его увеличе-

чнии приобретает плоскую вершину. Объясняется это затруднением диффузионного переноса остаточного олигомера, что является принципиально неустранимым недостатком;

• на границе черное - белое периодической структуры в области белого появляются всплески, вызванные усиленной диффузией остаточного олигомера из темной области;

• линейный участок клина наблюдается при контрастности фотошаблона -внутри зоны от 0,3 до 0,4 и ширине зоны не более 5 мм;

• максимальный угол наклона выращенного рельефа составляет около

• 30°.

Полученные экспериментальные данные дают возможность ввести предыскажения в фотошаблон, на этапе его синтеза, для устранения отклонений профиля выращенного микрорельефа ДОЭ от расчетного.

Во второй части третьей главы рассматриваются ограничения, связанные с взаимодействием слоев фоторезиста при его послойном наращивании. Реализация ступенчатой фазовой функции ДОЭ связана с необходимостью послойного наращивания тонкопленочных структур с заданной тополошей поверхностных слоев. Это предполагает проведение последовательности элементарных литографических процессов, равных количеству уровней квантования фазы, достигающих по порядку величин п= 8+ 16. Модельное отображение процесса формирования ступенчатой структуры представлено на рис.9. Толщины послойно наносимых тонкопленочных покрытий одинаковы и равны Ь„.

Обозначим через Сс минимально необходимую дозу актинирующего излучения, необходимую для нормальной обработки слоя фоторезиста, а через Окр — критическую дозу, при которой еще сохраняется стабильность его геометрических и физико-технических параметров. Очевидно, что максимальную дозу облучения получит участок А (рис. 8):

СА = О^СоСИ-!).

Отсюда следует, что максимально возможное количество слоев N фоторезиста определится как:

К=(Окр+Ст„)/Ст0 --------------

Из экспериментальных данных, полученных соискателем для позитивного фоторезиста СК-151, следует, что количество слоев наращиваемой структуры может доходить до 24.

УФ

А \

«

3|

2

1 1

подложка 1 л

Рис. 9. Модельное отображение процесса формирования ступенчатой структуры на примере четырех слоев (четвертый слой не проявлен).

В четвертой главе исследуются характеристики изготовленных фо-кусаторов лазерного излучения инфракрасного диапазона в «отрезок» и в «кольцо». Используя полученные результаты, по методу темнового роста ЖФПК соискателем был изготовлен фокусатор в «отрезок», работающий под углом 45° со следующими расчетными параметрами:

• рабочая длина волны - 10,6 мкм;

• фокусное расстояние - 1200 мм;

• длина «отрезка» - 12 мм;

• апертура фокусатора - 40 мм.

Фотошаблон и профилограмма микрорельефа фокусатора представлены на рис. 10 и 11.

Рис. 10. Фотошаблон фокусатора в отрезок.

■ яяявхшяяяякясясяявмяяяяяяяяяяяяяяяяяяяявьяяяяяэкяяяияеаяяе ыяияжяняггяяяязяяаяянмвяяяяявгяямясяяяяяяякоякяяяяяяяякаАср

у« мьяяяр дмщвшя4шкьяшш^яг,ч*шя',к\"Щ9вг.ь ^ааышш^.штшшр.**т***йг ¿яеяк«яг .{(««.шдоячкояягвяя.'яагяяя ча*» ^яя»явя'<вы»*и лп

ЯЯ0ЧП >К4ЯЯаЯ1-1Г'ЯЯ«к^Ш4ЯЯЯ%,>Я'ЛЯЯ*.ЧЯГЯЯЯк ЧН»*И««Ъ'»Я|Г*1* Ч*ЯГ.*Я

яяяп*я«яя*аяавяяяя»я0яяявяяс»яя«я*»яявя«яьля*0к»~*ямяяъ"**я

Рис. 11. Фрагмент профилограммы фокусатора в «отрезок». Увеличение по вертикали -5000, увеличение по горизонтали - 60.

Экспериментальные исследования изготовленных фокусаторов производились на установке, схема которой приведена на рис. 12.

Лазер

Рис. 12. Схема экспериментальной установки для исследования фокусаторов.

Луч лазера ИЛГН-708 через механический модулятор, управляемый пироэлектрическим ваттметром ПВЦ-2, фокусировался ДОЭ в плоскость диафрагмы с отверстием около 30 мкм. Проходящее через нее излучение фиксировалась фотоприемником ваттметра. Диафрагма имела возможность перемещения посредством микрометрических винтов в плоскости фокусировки. Таким образом, передвигая диафрагму, измерялось распределение энергии в фокальной области фокусатора. Ввиду малости размеров отверстия диафрагмы полученные зависимости позволяют судить о качестве фокусировки оптического элемента. График относительного распределения энергии поперек «отрезка» представлен на рис.13. Вдоль «отрезка» неравномерность не превышала 10%.

% НВо

|

;

У

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2 _ фокусатор в 'отрезок1 с предыскажениями

фоиусатор в "отрезок" без предыскажений

Рис. 13. Относительное распределение энергии в фокальной плоскости фокусаторов в «отрезок».

При анализе распределений заметно увеличение энергетической эффективности фокусировки за счет введения предыскажений в фотошаблон.

Методом послойного наращивания фоторезиста соискателем был изготовлен фокусатор в «кольцо», работающий под углом 45° со следующими расчетными параметрами:

• рабочая длина волны - 10,6 мкм;

• фокусное расстояние - 400 мм;

• диаметр освещающего пучка - 12 мм;

® диаметр кольца в фокальной плоскости - 20 мм;

• число слоев - 8.

Фрагмент профилограммы изготовленного фокусатора, полученный при помощи профилографа-профилометра 170311, представлен на рис.14.

/ 1 /

/ у

/ /

У г »

Рис. 14. Фрагмент профилограммы фокусатора в «кольцо», увеличение по вертикали - 1000, увеличение по горизонтали - 20.

После проведения фотолитографических операций на рельеф были напылены слои меди и серебра для обеспечения максимального коэффициента отражения. График распределения энергии в фокальной плоскости представлен на рис.15.

% ИБ0

80

60

40

20

-¿и -15 -¡0 .5 0 5 10 15 20 х. мм

Рис. 15. Относительное распределение энергии в фокальной плоскости фокусатора в «кольцо».

По сравнению с фокусатором в «кольцо», изготовленным методом отбеливания на фотопластинке «Микрат», представленный ДОЭ обладает заметно лучшими характеристиками. Увеличение эффективности, по сравнению с предыдущими прототипами, составило 6-8% при общей эффек-

НБП

|

' и

-20 -15 -¡0

15

20

5

тивности около 75%. Дальнейшая экспериментальная проверка показала, что фокусатор практически не изменил своих характеристик при длительном воздействии лазерного излучения мощностью около 100 Вт. Высокое качество фокусатора подтверждается внедрением и успешной работой его в установке синтеза монокристаллических волокон (Институт общей физики РАН).

Заключение. В диссертации разработаны и исследованы методы изготовления дифракционных оптических элементов, обеспечивающие снижение трудоемкости и повышение качества формирования дифракционного микрорельефа. Получены следующие основные результаты:

1. Определены предельные возможности рельефообразования ДОЭ, основанного на эффекте массопереноса в жидких фотополимеризующихся композициях.

2. Разработан метод изготовления ДОЭ послойным наращиванием фоторезиста, обеспечивающий снижение трудоемкости и повышение качества формирования микрорельефа широкоапертурных оптических элементов.

3. Разработана методика определения чистоты поверхности подложек на основе эффекта динамического отклика оптического сигнала. Определены оптимальные соотношения размеров зондирующего устройства (диаметр иглы 1 -1,5 мм, высота падения капли 10 - 15мм).

4. Разработан и апробирован опытный образец прибора экспресс-контроля степени чистоты поверхности, что позволило повысить линейные размеры подложек ДОЭ. -

5. Проведен анализ ограничений и разработаны рекомендации по количеству слоев в процессе изготовления ступенчатых микрорельефов ДОЭ методом послойного наращивания фоторезиста.

6. Изготовлен (методом послойного наращивания фоторезиста), исследован и внедрен (в установке синтеза монокристаллических волокон ИОФАН) фокусатор инфракрасного диапазона, получены патенты на использование ДОЭ в ИК - тракте приборов ночного видения и в осветительных приборах транспортных средств.

Основные материалы диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Бородин С.А., Моисеев О.Ю., Ряполов С.Ю. Процесс очистки подложек в плазме кислорода и воздуха // Материалы конференции молодых ученых и специалистов. Самара: КуАИ, 1988,- 0,02 п. л.

2. Волков A.B., Моисеев О.Ю. Процесс удаления фоторезиста в ВЧ плазме // Материалы конференции молодых ученых и специалистов. Самара: КуАИ, 1988.-0,02 п. л.

3. Моисеев О.Ю., Нефедов В.В. Трибометрический метод измерения чистоты поверхности // Материалы конференции молодых ученых, Самара: КуАИ, 1988.-0,01 п. л.

4. Экспериментальное исследование массопереноса в жидких фотополи-меризующихся композициях / Моисеев О.Ю., Соловьев B.C., Волков

A.B., Волотовский С.Г., Якуненкова Д.М. // Материалы Пятого Международного семинара по цифровой обработке изображений и компьютерной графике "Обработка изображений и компьютерная оптика". Самара: СГАУ, 1994. - С. 81-82.

5. Бифокальный искусственный хрусталик с дифракционной добавкой / Данилов В.А., Досколович Л.Л., Ершов В.М., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю., Сисакян И.Н., Сойфер В.А., Успленьев Г.В., Волков A.B. // Материалы Пятого Международного семинара по цифровой обработке изображений и компьютерной графике "Обработка изображений и компьютерная оптика". Самара: СГАУ, 1994. - С. 79.

6. Экспериментальное исследование массопереноса в жидких фотополи-меризующихся композициях / Волков A.B., Волотовский С.Г., Гранчак

B.М., Казанский Н.Л., Соловьев B.C., Моисеев О.Ю., Сойфер В.А., Якуненкова Д.М. // Журнал технической физики. 1995. Том 65. №9.

C.456-459.

7. Волков A.B., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю., Харитонов С.И. Дифракционные оптические элементы в приборах ночного видения // Тезисы доклада Первой Поволжской региональной конференции "Научно-исследовательские разработки и высокие технологии двойного применения". Самара. 1995,- С.129-130.

8. Волков A.B., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю., Харитонов С.И. Дифракционные оптические элементы в приборах ночного видения // Сборник "Научно-исследовательские разработки и высокие технологии двойного применения", ч. 1, ГПСО "Импульс". Самара. 1995,- С. 129.

9. Волков A.B. Казанский Н.Л. Моисеев О.Ю. Сойфер В.А. Метод формирования дифракционного микрорельефа на основе послойного наращивания фоторезиста//Компьютерная оптика. 1996. вып. 16. С. 12-14.

10.Volkov А.V., Kazanskiy N.L., Moiseev O.Yu. & Soifer V.A. A Method for the Diffractive Microrelief Formation Using the Layered Photoresist Growth // Optics and Lasers in Engineering. Vol. 29(1998), p.281-288.

П.Волков A.B., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю. Исследование процессов нанесения и травления фоторезиста с целью повышения точности формирования микрорельефа широкоапертурных ДОЭ // Компьютерная оптика. 1999.- вып. 19. С.143-146.

12.Бородин С.А., Моисеев О.Ю., Колпаков А.И., Волков A.B. Испаритель многокомпонентных материалов // А.С.1491029 от 05.05.1987 г.

13.Волков A.B., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю., Сойфер В.А. Способ формирования диаграммы направленности осветительных устройств транспортных средств // Патент N2094256 от 11/08.94 г.

М.Волков A.B., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю., Сойфер В.А. Устройство для наблюдения в видимой и инфракрасной областях спектра // Положительное решение по заявке на патент №97112442/28 от 18.07.97 г.

Введение.

Глава 1. Физические явления, используемые для формирования дифракционных оптических элементов (ДОЭ).

1.1. Теоретические основы формирования дифракционного микрорельефа оптических элементов.

1.2. Методы формообразования микроструктур дифракционной оптики.

1.2.1. Фотолитография.

1.2.2. Формообразование в жидких фотополимеризующихся композициях (ЖФПК).

Выводы.

Глава 2. Физико-технические основы обеспечения равномерности обработки поверхности при создании гетерофазных структур больших размеров.

2.1. Измерение степени чистоты поверхности подложек.

2.2. Очистка поверхности подложек.

2.3. Требования к технологическому оборудованию, используемому для очистки подложек при создании ДОЭ.

2.4. Обработка фоторезиста.

Выводы.

Глава 3. Исследование механизмов формирования микрорельефа для дифракционных оптических элементов (ДОЭ).

3.1. Исследование процесса массопереноса в жидких фотополимеризующихся композициях (ЖФПК).

3.2. Исследование механизмов взаимодействия слоев фоторезиста при их послойном наращивании.

3.3. Методики формирования микрорельефа ДОЭ.

3.3.1. Методики формирования микрорельефа ДОЭ на основе ЖФПК.

3.3.2. Методика формирования микрорельефа ДОЭ на основе послойного наращивания фоторезиста.

Выводы.

Глава 4. Исследование характеристик и применение ДОЭ.

4.1. Исследование параметров оптического фокусатора, изготовленного на основе фоторезиста.

4.2. Исследование параметров оптических элементов на основе ЖФПК.

Широкая гамма технологических процессов современной промышленности носит термоактивационный характер. Это обработка материалов в машиностроении с целью получения нужных свойств, резка и раскрой листовых продуктов для создания деталей и элементов различной продукции, сварка самых разнообразных материалов, обработка полупроводников в микроэлектронике и т. д. и т. п.

С появлением оптических квантовых генераторов в руки технологов попал мощный инструмент для проведения уникальных технологических процессов локального энергетического воздействия с уровнями мощности, значительно превышающими традиционную термообработку. Обычно размеры сечения излучения технологических лазеров имеют достаточно большие размеры, порядка единиц сантиметров. Ясно, что для проведения процессов в большинстве случаев требуется фокусировать лазерный пучок. Традиционная оптика способна решать достаточно широкий круг задач, однако в случае мощных энергетических потоков линзы начинают уступать рефракционной оптике. Появление в последние десятилетия элементов компьютерной оптики, в частности фокусаторов лазерного излучения, предложенных и впервые исследованных в нашей стране (М.А.Голуб, С.В.Карпеев, А.М.Прохоров, И.Н.Сисакян, В.А.Сойфер, 1981 год [1]), способно решить эту проблему. Тем более, что с точки зрения коэффициента полезного действия тандема лазер - фокусирующая система, заметно более выгодно использовать последнюю в виде отражающих, а не преломляющих элементов. В этом случае исчезают довольно значительные потери на границах среда - преломляющая область и поглощение внутри линз. Трудами И.Н.Сисакяна, В.А.Сойфера, В.А.Данилова и ряда других отечественных исследователей в первой половине 80-х годов получены основные геометрооптические решения задачи фокусировки для различных фокальных областей и созданы разнообразные фокусирующие дифракционные оптические элементы (ДОЭ) [2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9]. В последующие годы к исследованиям в области фокусировки лазерного излучения с помощью ДОЭ присоединились многочисленные отечественные и зарубежные ученые [10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24*, 25, 26*, 27, 28, 29, 30, 31, 32,33, 37,40*], (*- здесь и далее звездочкой отмечены ссылки на работы автора). Ключевой проблемой при создании фокусаторов является одновременное достижение высокой энергетической эффективности и требуемого распределения интенсивности в фокальной области. В частности, недостаточная дифракционная эффективность сдерживает применение фокусаторов в лазерных технологических установках. Следует отметить, что практически все работы по теоретической оценке эффективности оптических элементов сделаны в предположении идеальной, или почти идеальной точности изготовления микрорельефов. В реальном случае, безусловно, имеют место технологические погрешности изготовления как по размерам зон ДОЭ, так и по высоте микроструктур, что особенно характерно для широкоапертурных силовых фокусаторов.

Анализ вышеперечисленных работ показывает, что теоретические вопросы построения дифракционных элементов разработаны достаточно полно, чего нельзя сказать о технологической подготовке производства. Так, например, изготовление ДОЭ из традиционных материалов и традиционными методами не позволяет полностью реализовать потенциал дифракционной оптики, так как невозможно получать, без чрезмерных затрат, непрерывные, или почти непрерывные рельефы, необходимые для построения оптических элементов.

Попытка использования для этих целей светочувствительных систем на основе фоторезистов и жидких фотополимеризующихся композиций (ЖФПК) [34, 35*, 36*] показало принципиальную возможность использования их уникальных свойств для формирования ДОЭ. Однако, до сих пор, практически отсутствуют работы по исследованию влияния технологических параметров, в частности, чистоты исходных материалов, на параметры широкоапертурных ДОЭ, и, в результате, так и не созданы технологии, способные в полной мере удовлетворить разработчиков своими точностными и стоимостными характеристиками.

Цель и задачи работы.

Целью настоящей работы является исследование и разработка методов формирования дифракционных микрорельефов с использованием фоторезистов и фотополимерных композиций для снижения трудоемкости и повышения качества дифракционных оптических элементов, применяемых в устройствах обработки и передачи информации, в силовой и изобразительной оптике.

В соответствии с поставленной целью задачами исследований являются:

- разработка метода изготовления ДОЭ, основанного на процессах послойного наращивания фоторезиста с целью снижения трудоемкости и повышения качества формирования дифракционного микрорельефа широкоапертурных оптических элементов;

- исследование границ применимости метода жидких фотополимери-зующихся композиций для изготовления дифракционного микрорельефа;

- разработка метода контроля чистоты поверхности подложек с целью повышения точности изготовления широкоапертурных дифракционных оптических элементов;

- анализ параметров дифракционных оптических элементов, изготовленных методом жидких фотополимеризующихся композиций и послойного наращивания фоторезиста.

Научная новизна.

Впервые определены предельные возможности технологии рельефо-образования ДОЭ на основе эффекта массопереноса в жидких фото-полимеризующихся композициях.

Разработан новый метод изготовления ступенчатых ДОЭ путем послойного наращивания фоторезиста на основе диазосоединений.

Разработана физическая модель динамического отклика оптического сигнала от времени растекания капли ньютоновской жидкости по поверхности подложки в зависимости от степени очистки поверхности.

Разработан новый метод определения чистоты поверхности подложек на основе эффекта динамического отклика оптического сигнала.

Впервые проведен анализ ограничений количества слоев наращира-ния фоторезиста при изготовлении ступенчатых ДОЭ.

Практическая ценность работы: на основе экспериментальных данных исследования изготовления микрорельефов методом темнового роста в частично отвержденных жидких фотополимеризующихся композициях показано, что максимальный угол наклона в выращенном рельефе составляет около 30°; определены оптимальные размеры зондирующего устройства для измерения степени чистоты поверхности подложек (диаметр иглы 1-1,5 мм, высота падения капли 10 - 15мм); разработан и исследован метод создания гетерофазной структуры на основе послойного наращивания слоев фоторезиста, который позволяет существенно улучшить точностные параметры ДОЭ, повысить эффективность их работы, значительно уменьшить трудоемкость изготовления;

• определено максимальное количество слоев в методе послойного наращиваний фоторезиста (до 24-х);

• на основе метода послойного наращивания фоторезиста созданы, испытаны и внедрены фокусаторы средней мощности ИК-диапазона;

• запатентованы устройства и системы с применением ДОЭ, изготовленных методом послойного наращивания фоторезиста (приборы ночного видения, сканирующие осветители транспортных средств).

Основные положения диссертации, выносимые на защиту:

• оценки предельных характеристик рельефообразования ДОЭ, основанного на эффекте темнового роста в частично отвержденных жидких фо-тополимеризующихся композициях;

• метод формирования микрорельефа послойным наращиванием фоторезиста;

• метод контроля степени чистоты поверхности по динамическому отклику растекающейся капли жидкости;

• физические условия снижения неравномерности формообразующих процессов при послойном наращивании фоторезиста.

Апробация работы.

Отдельные разделы и вся работа докладывались на следующих конференциях и семинарах: конференция молодых ученых и специалистов (г. Самара, 1988 г.); пятый международный семинар по цифровой обработке изображений и компьютерной графике "Обработка изображений и компьютерная оптика" (г. Самара, 1994 г.); первая Поволжская региональная конференция "Научно-исследовательские разработки и высокие технологии двойного применения" (г. Самара, 1995 г.); научно-технических семинарах Института систем обработки изображений РАН.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 11 печатных работ, материалы диссертации вошли в 5 научно-технических отчетов, получено 2 патента и 1 положительное решение по заявке на патент.

Объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Она изложена на 111 страницах машинописного текста и содержит 56 рисунков и 3 таблицы. В списке цитируемой литературы 118 наименований.

Выводы.

1. Применение метода послойного наращивания фоторезиста позволяет увеличить эффективность фокусатора на 8 - 10%. Мощность фокусируемого излучения может достигать 100 Вт при апертуре 12 мм.

2. Применение предыскажений фотошаблонов в методе жидких фотополимеризующихся композиций позволяет увеличить эффективность ДОЭ на 5-7%.

3. Разработаны и защищены патентами способ формирования диаграммы направленности осветительных устройств транспортных средств и прибор ночного видения с применением дифракционных оптических элементов.

Заключение.

Определены предельные возможности рельефообразования ДОЭ, основанного на эффекте массопереноса в жидких фотополимеризую-щихся композициях.

Разработан метод изготовления ДОЭ послойным наращиванием фоторезиста, обеспечивающий снижение трудоемкости и повышение качества формирования микрорельефа широкоапертурных оптических элементов.

Разработана методика определения чистоты поверхности подложек на основе эффекта динамического отклика оптического сигнала. Определены оптимальные соотношения размеров зондирующего устройства (диаметр иглы 1-1,5 мм, высота падения капли 10 - 15мм).

Разработан и апробирован опытный образец прибора экспресс-контроля степени чистоты поверхности, что позволило повысить линейные размеры подложек ДОЭ.

Проведен анализ ограничений и разработаны рекомендации по количеству слоев в процессе изготовления ступенчатых микрорельефов ДОЭ методом послойного наращивания фоторезиста.

Изготовлен (методом послойного наращивания фоторезиста), исследован и внедрен (в установке синтеза монокристаллических волокон ИОФАН) фокусатор инфракрасного диапазона, получены патенты на использование ДОЭ в ИК- тракте прибора ночного видения и в осветительных приборах транспортных средств.

1. Фокусировка когерентного излучения в заданную область пространства с помощью синтезированных на ЭВМ голограмм / Голуб М.А., Карпеев C.B., Прохоров A.M., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. // Письма в ЖТФ. - 1981. -Т.7, вып. 10. - С.618-623.

2. Машинный синтез оптических компенсаторов для получения асферических волновых фронтов / Голуб М.А., Прохоров A.M., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. // Препринт ФИАН СССР № 29. М.: 1981.

3. Машинный синтез фокусирующих элементов для С02-лазера / Голуб М.А., Дегтярева В.П., Климов А.Н., Попов В.В., Прохоров A.M., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. // Письма в ЖТФ. 1982. - Т.8, вып.13. - С.449-451.

4. Оптические элементы, фокусирующие когерентное излучение в произвольную фокальную линию / Данилов В.А., Попов В.В., Прохоров A.M., Сагателян Д.М., Сисакян Е.В., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. // Препринт № 69 ФИАН СССР. М.: ФИАН СССР. - 1983. - 41с.

5. Плоские фокусирующие элементы видимого диапазона / Гончарский A.B., Данилов В.А., Попов В.В., Сисакян И.Н., Сойфер В.А., Степанов В.В. // Квантовая электроника (Москва). 1986. - Т. 13, № 3. - С.660-662.

6. Решение обратной задачи фокусировки лазерного излучения в произвольную кривую / Гончарский A.B., Данилов В.А., Попов В.В., Прохоров A.M., Сисакян И.Н., Сойфер В.А., Степанов В.В. // Доклады АН СССР. 1983. - Т.273, № 3. - С.605-608.

7. Синтез оптических элементов, создающих фокальную линию произвольной формы / Данилов В.А., Попов В.В., Прохоров A.M., Сагателян Д.М., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. // Письма в ЖТФ. 1982. - Т.8, № 13. -С.810-815.

8. Синтез оптических элементов, создающих фокальную линию произвольной формы / Данилов В.А., Попов В.В., Прохоров A.M., Сагателян Д.М., Сисакян И.Н., Сойфер В.А. // Письма в ЖТФ. 1982. - Т.8, № 13. -С.810-815.

9. Березный А.Е., Сисакян И.Н. Лучевые преобразования энергии в пучке лазерного излучения // Компьютерная оптика. М.: МЦНТИ, 1989. - Вып.5. - С.6-16.

10. Воронцов М.А., Матевеев А.Н., Сивоконь В.П. К расчету фокусаторов лазерного излучения в дифракционном приближении // Компьютерная оптика. М.: МЦНТИ, 1987. - Вып.1. - С.74-79.

11. Воронцов М.А., Матевеев А.Н., Сивоконь В.П. Оптимальное управление волновым фронтом в задачах фокусировки излучения в произвольную область // Доклады АН СССР. 1986. - Т.270, № 6. - С. 13541358.

12. Киноформные оптические элементы с кольцевым импульсным откликом / Коронкевич В.П., Пальчикова И.Г., Полещук А.Г., Юрлов Ю.И. // Препринт № 265 ИАиЭ СО АН СССР. Новосибирск, 1985. - 23с.

13. Метод согласованных прямоугольников для расчета фокусаторов в плоскую область / Голуб М.А., Досколович Л.Л., Казанский Н.Л., Сисакян И.Н., Сойфер В.А., Харитонов С.И. // Компьютерная оптика. М.: МЦНТИ, 1992. - Вып.10-11. - С.100-110.

14. Нелинейное предыскажение фазы для фокусировки в систему фокальных линий / Досколович Л.Л., Казанский Н.Л., Сойфер В.А., Харитонов С.И. // Научное приборостроение. 1993. - Т.З, № 1. - С.24-37.

15. Попов В.В. Материалы и методы для создания плоских фокусирующих элементов // Компьютерная оптика. М.: МЦНТИ, 1987. - Вып.1. - С. 160163.

16. Расчет дифракционных оптических элементов для фокусировки во внеосевые радиальные фокальные области / Досколович Л.Л., Казанский Н.Л., Павельев В.С., Сойфер В.А. // Автометрия. 1995, № 1. - С.114-119.

17. Сойфер В.А. Введение в дифракционную микрооптику. Самара: СГАУ, 1996. - 95с.

18. Сойфер В.А. К расчету фокусатора в соосный отрезок // Оптическая запись и обработка информации. Куйбышев: КуАИ, 1988. - С.45-52.

19. Сравнительный анализ аналитических и итерационных методов решения задачи фокусировки в отрезок / Досколович Л.Л., Казанский Н.Л., Сойфер В.А., Харитонов С.И. // Компьютерная оптика. М.: МЦНТИ, 1993. - Вып. 13. - С. 16-29.

20. Устройство для фокусировки монохроматического излучения / Голуб М.А., Досколович Л.Л., Казанский Н.Л., Сисакян И.Н., Сойфер В.А., Харитонов С.И. // Патент РФ № 2024897. Опубл. 15.12.94, бюл. № 23. Решение по заявке № 4927509/10(032674) от 17.04.91.

21. Фокусаторы лазерного излучения ближнего ИК-диапазона / Голуб М.А., Досколович Л.Л., Казанский Н.Л., Климов И.В., Сойфер В.А., Успленьев Г.В., Цветков В.Б., Щербаков И.А. // Письма в ЖТФ. 1992. -Т.18, вып. 15. - С.39-41.

22. B.C., Якуненкова Д.М. // Журнал технической физики. 1995. - Т.65, № 9.1. C. 181-185.

23. Kolodziejczyk A., Jaroszewicz Z., Bara S. Modulated circular zone plates: focusing in 2D curves // Journal of Modern Optics. 1991. - Vol.38, № 1. -P.81-88.

24. Modulated on-axis circular zone plates for a generation of three-dimensional focal curves / Bara S., Frere C., Jaroszewicz Z., Kolodziejczyk A., Leseberg D. // Journal of Modern Optics. 1990. - Vol.37, № 8. - P.1287-1295.

25. Roberts N.C. Multilevel computer-generated holograms with separable phase functions for beam shaping // Applied Optics. 1992. - Vol.31, № 17. -P.3198-3200.

26. Sisakyan I.N., Soifer V.A. Infrared focusators, new optical elements // Infrared Physics. -1991. Vol.32. - P.435-438.

27. Soifer V.A., Golub M.A. Diffractive micro-optical elements with nonpoint response // Proceedings SPIE. 1992. - Vol.1751. - P.140-154.

28. The light sword optical element a new diffraction structure with extended depth of focus / Kolodziejczyk A., Bara S., Jaroszewicz Z., Sypek M. // Journal of Modern Optics. - 1990. - Vol.37, №8. - P.1283-1286.102

29. The technology of fabricating focusators of infrared laser radiation / Golub M.A., Rybakov O.E., Usplenjev G.V., Volkov A.V., Volotovsky S.G. // Optics and Laser Technology. 1995. - Vol.27, № 4. - P.215-218.

30. Бобров C.T. Влияние ошибок изготовления дифракционных линз на качество формируемого изображения // Автометрия. 1987, № 5. - С.62-66.

31. Юу Ф.Т.С. Введение в теорию дифракции, обработку информации и голографию. М.: Советское радио, 1979. - 304с.

32. Солдатенков И.С., Соскин С.И. Однокомпонентный объектив с линейным многоуровневым корректором аберраций.103

33. Спектор Б.И. Об одном методе синтеза фазовой структуры киноформов. Автометрия , 1985. No. 6. с.34.

34. Бобров С.Т., Грейсух Г.И., Туркевич Ю.Г. Оптика дифракционных элементов и систем Л.: Машиностроение, 1986.-324с.

35. Коронкевич В.П., Ленкова Г.А., Михальцова И.А., Пальчикова И.Г. и др. Киноформные оптические элементы: методы расчета, технология изготовления, практические применения// Автометрия 1985. No 6.-С.34

36. Корольков В.П. Коронкевич В.П. Михальцова И.А. Пальчикова И.Г. Полищук А.Г. и др. Киноформы: Технологии, новые элементы и оптические системы// Автометрия , 1989 No 3. - С.95, No 4.-С.47.

37. Гончарский A.B., Монаков В.М., Окороков В.Н., Якунин В.П. Способ изготовления дифракционных отражающих оптических элементов.// A.C. 1631492 СССР МКИ 02 В5/18 1991.

38. Микиртумов Ю.А. Литографические материалы и процессы в электронике// Журн. научн. и прикл. фотографии и кинематографии, 1986 -No 6.-С. 465.

39. Цукерман В.Г. Запись голограмм в халькогенидных материалах системы As-S Новые регистрирующие среды для голографии, с. 45-64.-Л.: Наука ,1983.-200с.: ил.

40. Кикинеши A.A., Семак Д.Г. Физические процессы оптической записи информации в слоях халькогенидных стекол //Новые регистрирующие среды для голографии, с.64-83. Л. Наука 1983.-200 е.: ил.

41. Гуляев С.Н., Алимов К.К., Бутусов М.М. Изготовление высокоэффективных малошумящих голограмм методом обработки фотоэмульсий УФ излучением// 10-я Всесоюзная школа по голографии, с. 85-95, февраль 1978 г.-Л.: ЛИЯФ, 1978. 202с.

42. Кабанов В.А., Кирш Ю.Э., Комарова О.П. Копировальный слой для предварительного очувствления формных пластин//А.С^о 547711 СССР, МКИ 03 С 1/52.

43. Бригинец В.П. и др. Способ изготовления пигментной бумаги// A.C. No 498599 СССР.

44. Шур B.C. и др. Способ изготовления фотополимерных форм глубокой печати//А.С. 673967 СССР.

45. Шахкельдян Б.Н., Загоринская Л.А. Полиграфические материалы. -М.:Книга, 1988.- 328 е.: ил.

46. Маслюк А.Ф. Храновский В.А., Сопина И.М., Керча С.Ф., Грищенко В.К. Особенности послойной полимеризации жидких фотополимеризующихся композиций. Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1986 6.-С. 423.

47. Маслюк А.Ф., Руднева С.П. Фотополимеризующаяся композиция для изготовления фотополимерных печатных форм./А.С. 724540 СССР, МКИ G 03 С 1/68.

48. Gomaa L.R., Chartir G.H., Samra A.S. A novel technique for making grating demultiplexers in integrated optiks// Appl. phys.- V.23. No 10, 1990, p. 1298-1301.105

49. Yoshikasu Hon, Fumihiro Sagawa, Hiroyuki Asokure et.al. Fabrication of a focusing grating mirror by electron beam lithography// Appl. Opt.-No.6 1990, p 2522-2526.

50. Растопов С.Ф., Суходольский A.T. Применение лазерно индуцированного эффекта Марангони для записи дифракционных решеток. Квантовая электроника, 1987.-No.8C. 1709.

51. Анисимов В.Н., Козолуненко В.П., Себрант А.Ю. Формирование поверхностных периодических структур на пленочных покрытиях// Квантовая электроника, 1986.-С. 1289.

52. Magan I.D., Hogan М.Р., Blau W., Linney J.G., Woods J.G., Photoablative etching of a polyethylcyanoacrylate photoresist// Chemtronics 1989, v.4, No.2, p. 74-77.

53. Валиев К.А., Беликов Л.В., Кирилов А.Н. и др. Электронная литография с применением высококонтрастных трафаретных шаблонов// Тр. ИОФАН, т.8, с. 77-86.-М.: Наука, 1987.-152 с.:ил.

54. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА.- М.: В.шк., 1987.- 376с.

55. Solovjev V.S., Boiko Y.B., Sojfer V.A. Proceeding SPIE, V.2042 p. 248. 1993.

56. Краткий справочник по химии. / Гороновский И.Г., Назаренко Ю.П., Некряч Е.Ф. // Киев: Наукова думка. - 1987.

57. Boiko Y.B., Granchak V.M., Dilung I., Solovjev V.S., Sojfer V.A. Relief holograms recording on liquid photopolymerizabel layers // Proceeding SPIE, V.1238 p. 253-257. January 1990.

58. Богатырев A.E., Шушунова Л.И., Цыганов Г.М. Новые методы контроля чистоты и дефектности поверхности деталей. Обзоры по электронной технике. 1980. -N3 (707). -С. 19-27.

59. A.c. N1260752 СССР, МКИ G01 N13/02. Способ определения краевого угла смачивания. А.Н. Магунов. Заявка N 38833/24-25; заявлено 22.04.85; опубл. 30.09.86. Открытия. Изобретения. -1986.-N36.-C.17.

60. A.c. N531065 СССР, МКИ G01 N13/02. Способ определения краевого угла смачивания жидкостью твердых тел. В.А. Пастухов, Э.Л. Боксер, Б.В.

61. Царевский. Заявка N 3378/18-21; заявлено 15.04.75; опубл. 30.07.76. Открытия. Изобретения. -1976.-N37.-C.8.

62. Яворский Б.М., Детлаф A.A. Справочник по физике. Изд. 5-е, М.: Наука, 1971.-939 с

63. Полупроводниковый приемник. Под ред. Стафеева В.И. -М.: Радио и связь, 1984.-207 с.

64. Самарский A.A. Теория разностных схем. -М.: Наука, 1977. -252 с.107

65. Дунаевский С.М. Хемосорбция на переходных металлах и их сплавах. Поверхность. Физика, химия, механика. -1985.-NI 1. -С.7-13.

66. Ленкова Г.А. Киноформы. Синтез фазовой структуры и допустимые погрешности. Новосибирск, 1979. Препринт/АН СССР, Сиб. Отд. 98.

67. У.Моро. Микролитография принципы, методы, материалы. М., Мир, 1990, стр.340-344.

68. D. Angel. Semicond. Int. April 1983, p. 72.

69. Ануфриенко B.B., Неустроев E.M., Новикова Е.М. Влияние режимов центрифугирования на толщину и стабильность толщины пленок фоторезиста. Электронная техника. 1970. №1(33), стр. 42-45.

70. L.Whit. J. Electrochem. Soc. 130, 1543 (1983).

71. Казанский H.JI. Исследование дифракционных характеристик фокусатора в кольцо методом вычислительного эксперимента. Компьютерная оптика, выпуск 10- 11, 1992, стр. 128 144.

72. Очки ночного видения. ЕПВ. С02В23/12,27/00, з-ка N 0252200 Oip Optics (BE) з-ка N86870010, заявл. 08.07.86 г., опубл. 13.01.88 г.108

73. Стереоскопический прибор ночного видения. 02В23/12, з-ка N 0252200 Carl Zeiss-Stiftung з-ка N 3629458 (DE), конв. приор. 29.08.86 г., заявл. 24.07.87 г., опубл. 02.03.88 г.

74. Инфракрасный объектив. ЕПВ. С02В13/14, з-ка N 0171903, Pilkington Р.Е. LTD (GB) з-ка N 8417993, конв. приор. 17.01.84 г., заявл. 01.07.85 г., опубл. 19.02.86 г.

75. Прибор для дневного и ночного наблюдения с большим полем обзора. С02В23/12,23/08, з-ка N 0193236, Telecommunications Radioelectrique Et Telephoniques (NL) з-ка N 8502576, конв. приор. 22.02.85 г., заявл. 19.02.86 г., опубл. 03.09.86 г.

76. Оптический прибор для дневного и ночного наблюдения. ЕПВ. С02В23/12,23/08, з-ка N 0192309, Telecommunications Radioelectrique Et Telephoniques (NL), з-ка N 8502576, конв. приор. 22.02.85 г., заявл.1902.86 г., опубл. 27.08.86 г.

77. Великобритания. Устройство для оптического наблюдения. G02B23/12, з-ка N 2190761, Pilkington Pilimited заявл. 11.05.85 г., опубл.2511.87 г.

78. РСТ. Бинокулярный прибор с усилителем изображения. G02B23/12, з-ка N 87/00639. Afsenius (SE) з-ка N 8503533-5, конв. приор. 19.07.85 г., заявл. 11.07.86 г., опубл. 29.01.87 г.

79. Система из объектива, промежуточных линз и линз окуляра для очков ночного видения. G02B23/12,23/16,9/12, G02B25/00, з-ка N 86/05281. FJW Industries ins (US) з-ка N 723117, конв. приор. 15.04.85 г., заявл. 27.02.86 г., опубл. 12.09.86 г.

80. Инфракрасное оптическое устройство. N 92/16864 С 02 В 13/014, GEC FERRANTI DEFENCE SYSTEMS LTD N 9106163 заявл. 18.03.92 г.1.l

81. Скобелев B.M. Световые приборы автомобилей и тракторов. М.: Энергоатомиздат, 1981, С.28.

82. Патент США N5032964 кл. В 60Q 1/04.