Исследование отражения поляризованного излучения от слоистых структур в условиях возбуждения поверхностных плазмонов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

Р Г 6 од

КОВАЛЕНКО Дмитрий Иванович

ИССЛЕДОВАНИЕ ОТРАЖЕНИЯ ПОЛЯРИЗОВАННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ОТ СЛОИСТЫХ СТРУКТУР В УСЛОВИЯХ ВОЗБУЖДЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПЛАЗМ0Н0В

Специальность 01.04.05 - оптика

Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук

Саратов - 1997

На правах рукописи

Работа выполнена на кафедре физики твёрдого тела Саратовского государственного университета им. Н.Г.Чернышевского

Научный руководитель: - доктор физико-математических наук,

профессор Названов В.Ф.

Официальные оппоненты: - Мельников Леонид Аркадьевич, д.ф.-м.н.,

профессор, зав. кафедрой лазерной и компьютерной физики СГУ - Лазерсон Александр Григорьевич, д.ф.-м.н., зав. кафедрой физики Саратовского высшего военно-инженерного училища ракетных войск

Ведущая организация - Саратовский государственный технический

университет

Защита состоится 11 ноября 1997 года в 15:30 на заседании диссертационного совета Д.063.74.01 в Саратовском государственном университете им. Н.Г.Чернышевского (410026, г.Саратов, ул.Астраханская, 83).

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке СГУ. Автореферат разослан " /" 1997 г.

Ученый секретарь диссертационного Совета, кандидат физико-математических наук, доцент

Р

Аникин В.М.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность исследуемой проблемы. В последние годы поверхностные плазмоны привлекают большое внимание исследователей. Это связано с их применением в спектроскопии поверхности, оптической микроскопии, с созданием оптических датчиков различных физических величин [1-3]. Использование поверхностных плазмонов перспективно также для разработки электрически и оптически управляемых модуляторов света, в том числе жидкокристаллических [3-13]. В подавляющем большинстве работ рассматривался амплитудный режим модуляции света. В то же время в [1,14-18] показано, что при возбуждении поверхностных плазмонов методом нарушенного полного внутреннего отражения фаза отражённого р-поляризованного излучения весьма чувствительна к поверхностным свойствам отражающей структуры, особенно при углах падения, близких к углу оптимального возбуждения плазмонов.

Следовательно, настоящая проблема актуальна как с научной, так и практической точек зрения. С научной точки зрения представляет несомненный интерес исследование поведения фазы отражённого р-поляризованного излучения от слоистых структур, различных модификаций в условиях возбуждения поверхностных плазмонов. С практической точки зрения проведение исследований является необходимым при изучении возможности разработки различных устройств нового типа на поверхностных плазмонах: управляемых электрическими и оптическими сигналами пространственно-временных модуляторов света -как амплитудных, так и фазовых; сенсоров; бистабильных устройств и др.

Цель данной работы. Основной целью настоящей работы является теоретическое исследование поведения амплитуды и фазы отражённого р-поляризованного излучения от различных многослойных структур в условиях возбуждения поверхностных плазмонов.

Научная новизна результатов:

1.Впервые теоретически получены фазовые характеристики отраженного р-поляризованного излучения (Я = 0.6328мкм) в условиях возбуждения поверхностных плазмонов для ряда структур (стекло-металл-воздух, стекло-металл-диэлектрик, стекло-металл-диэлектрик-диэлектрик). При исследовании структуры в геометрии Кречмана обнаружено, что при добавлении дополнительного слоя диэлектрика в структуры с неоптимальным выбором параметров для возбуждения поверхностных плазмонов возможно получить структуру, оптимальную для возбуждения поверхностных плазмонов, R(6P) - min и соответствующей ей величины Ф(в,).

2. На основе точной математической модели разработаны методика и программа расчёта распределения угла наклона директора молекул в толще нематического жидкокристаллического слоя при приложенном к жидкокристаллическому слою напряжении.

3. Впервые рассчитаны зависимости амплитуды и фазы отражённого излучения (Я = 0.6328мкм) от приложенного к жидкокристаллической структуре конфигурации Кречмана напряжения в условиях возбуждения поверхностных плазмонов.

4. Впервые теоретически исследовано явление оптической фазовой бистабильности в многослойных структурах с поверхностными плазмонами для р-поляризованного излучения (Я = 1.06мкм).

5.Впервые теоретически рассчитаны температурные зависимости амплитудного коэффициента отражения и фазы отражённого излучения (Я = 0.6328мкм) в жидкокристаллических структурах в конфигурации Кречмана с поверхностными плазмонами.

6.Впервые теоретически рассчитаны угловые зависимости амплитудного коэффициента отражения и фазы р-поляризованного излучения (для различных длин волн: Я, =0.6328мкм; Я2 = 1.15 мкм) в слоистых структурах в геометрии Кречмана на основе двуокиси ванадия обеих фаз -полупроводниковой и металлической.

7. Теоретически исследовано влияние эффекта диффузионного растекания

носителей заряда в фотопроводнике, а также длины распространения поверхностных плазмонов на разрешающую способность оптически адресуемых пространственных модуляторов света на поверхностных плазмонах.

Обоснование и достоверность полученных в работе результатов. Достоверность полученных в работе результатов теоретических расчётов подтверждается их воспроизводимостью, соответствием результатам экспериментов других авторов.

Практическая значимость результатов. Полученные в работе результаты теоретических расчётов могут быть использованы при разработке и создании различных устройств на поверхностных плазмонах: модуляторов излучения, включая и оптически управляемых, датчиков

температуры, напряжения и различных химических веществ, биосенсоров и др.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1.При приложении напряжения к жидкокристаллической структуре на поверхностных плазмонах возникающие моды в структуре сильно искажают идеальную картину нарушения полного внутреннего отражения. Свойства мод можно использовать для эффективной амплитудной и фазовой модуляции р-поляризованного излучения.

2. В оптическом волноводе с нелинейным слоем возможно возникновение не только амплитудной, но и фазовой бистабильности при отражении р-поляризованного излучения от нелинейного волновода, причём фазовая бистабильность начинает проявлять себя при углах падения, меньших, чем углы падения, необходимые для наблюдения амплитудной бистабильности.

3.С увеличением длины волны падающего излучения изменения фазы отражённого р-поляризованного излучения при фазовом переходе 1-го

рода полупроводник-металл в У02 становятся более значимыми, чем изменения амплитуды.

4.Разрешающая способность оптически адресуемых жидкокристаллических пространственных модуляторов света на поверхностных плазмонах определяется не только диффузией (растеканием) носителей заряда, но и длиной распространения поверхностных плазмонов. Частотно-контрастная характеристика системы оптически адресуемых жидкокристаллических пространственных модуляторов света на поверхностных плазмонах может быть представлена в виде: Г(у) = Г(у, Ьц) Т(\, , где Т(\, и Т(\, ¿хр) являются частотно-контрастными характеристиками фотопроводника и системы считывания изображения, соответственно, в форме Ь) = (1 + 4к2у212)-1 .

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались

на:

1.международной научно-технической конференции "Проблемы и прикладные вопросы физики" (Саранск, апрель 1997);

2.международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", Новосибирск, 21-25 апреля 1997.

3.регионапьной научно-практической конференции "Состояние и проблемы развития эколого-экономической системы Саратовской области" (Саратов, июнь 1997);

4.Ш Российской конференции по физике полупроводников "Полупроводники-97". (Доклад включён в программу конференции, декабрь 1997, Москва).

Структура и объём работы. Диссертация состоит из введения,

7 глав, заключения и списка литературы (123 наименования), содержит

31 рисунок и изложена на 123 страницах машинописного текста.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы цели работы и основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе, имеющей обзорный характер, приведено краткое описание некоторых свойств поверхностных электромагнитных волн оптического диапазона (поверхностных плазмонов-поляритонов), необходимое для лучшего понимания результатов проведённых исследований. В разделе 1.1 рассматриваются поверхностные плазмоныкак электромагнитные волны, распространяющиеся вдоль границы двух сред. Раздел 1.2 посвящен способам возбуждения поверхностных плазмонов. Раздел 1.3 содержит в себе основные выводы 1 главы. Исследуемая проблема представляет значительный интерес еще и потому, что почти нет работ, посвящённых теоретическим исследованиям поведения фазы отражённого р-поляризованного излучения в условиях возбудения поверхностных плазмонов.

Во второй главе рассмотрены основные методы расчётов амплитуды и фазы отражённого излучения от многослойных структур в условиях возбуждения поверхностных плазмонов. Всего рассматриваются три метода расчёта: метод Кречмана, матричный метод и метод на основе уравнений Френеля. Показано, что матричный метод самый гибкий. С его помощью можно рассчитывать как амплитуду, так и фазу отражённого излучения от структур с любым числом однородных анизотропных слоёв. Недостаток у него по сравнению с другими методами один - необходимость проведения всех расчётов в комплексном виде.

В разделах 2.2 и 2.3 обсуждаются проблемы расчёта фазы отражённого излучения, а также предлагаются способы их решения. Основная сложность заключается в самой природе фазы, для которой значения -2тг и 2тг соответсвуют одному и тому же излучению. Такая неопределённость затрудняет анализ полученных результатов, т.к. во многих случаях невозможно определить природу скачка фазы - это может быть как скачок от -2л до 2л или наоборот, так и скачок фазы, обусловленный самим физическим явлением. Для решения этой задачи была предложена методика, позволяющая с высокой достоверностью анализировать такие броски и уничтожать броски фазы от -2% до 2п или наоборот путём прибавления или вычитания 2п. Она основана на анализе

знаков первой производной фазы. Если знак первой производной фазы в трёх соседних точках ведет себя следующим образом: +-+ или -+-, то считается, что это точка броска, связанная с скачком от -2 т. до 2п; или наоборот. В принципе, такое поведение фазы может быть обусловлено и чисто физическими явлениями, но в данном случае это исключается. Для этого зависимость строится с достаточно высокой точностью, чтобы исключить подобное явление.

В разделе 2.4 приведены результаты расчётов, впервые полученные для заданных структур, иллюстрирующие поведение не только амплитуды, но и фазы отражённого излучения в условиях возбуждения поверхностных плазмонов. Приведены результаты теоретических расчётов поведения амплитуды и фазы отражённого излучения от структур как в схеме Кречмана (стекло-серебро-этанол), так и в схеме Отто (стекло-МдР2-серебро-этанол). Показана более высокая чувствительность фазы к изменению толщин слоёв, чем амплитуды, при углах падения, близких к углу оптимального возбуждения. В частности, при исследовании структуры в геометрии Кречмана обнаружено, что при добавлении дополнительного слоя диэлектрика в структуры с неоптимальным выбором параметров для возбуждения поверхностных плазмонов возможно получить структуру, оптимальную для возбуждения поверхностных плазмонов, R (8,,) - min и соответствующей ей величины ф (б/;). Все эти и другие выводы изложены в заключительном разделе 2.4 главы.

В третьей главе рассматривается поведение отражённого излучения в жидкокристаллических структурах на поверхностных плазмонах при напряжении. Проблема заключается в том, что математическая модель, описывающая свойства жидкокристаллического слоя под напряжением, весьма сложна. Поэтому многие авторы использовали приближённую математическую модель, основанную на разложении в ряд, что безусловно ухудшало точность модели. В разделе 3.1 описывается как сама математическая модель, так и новый метод интегрирования, позволяющий решить поставленную задачу "в лоб", не прибегая к упрощениям.

Разработан метод численного интегрирования, позволяющий с высокой точностью интегрировать сложные функции с особенностями за очень небольшое время. В основе метода использован адаптивный принцип повышения точности интегрирования, т.е. производится неравномерное разбиение интервала интегрирования. Число разбиений для каждого из участков функции определется иа основе самого поведения функции в процессе интегрирования. Для каждого из таких интервалов определяется

^^^^^^^^рирования. Разбиение производится для интервала, имеющего ^^^^^Ную ошибку из всех. Так как по мере разбиения число участков ^^^Нптся весьма большим, для выбора участка применяется алгоритм на ^^Иве пирамидальной сортировки, который обеспечивает нахождение ^^ервала с максимальной ошибкой гарантированно за 1о§2(«) операций, где /?-число интервалов разбиения функции. В результате точность, получаемая при таком методе, на несколько порядков выше, чем при равномерном разбиении интервала. Для данного случая, за сопоставимое время при равномерном разбиении точность составляла 10 3, тогда как при неравномерном разбиение 10~8.

Результаты расчётов угла наклона директора молекул ЖК приводятся в разделе 3.2. Разработанная методика и программа расчёта распределения угла наклона директора молекул в толще нематического жидкокристаллического слоя при приложенном к жидкокристаллическому слою напряжении, на основе точной математической модели, без применения упрощающих моделей (типа разложения в ряд) позволяет оперативно получать результаты с высокой точностью.

В разделе 3.3 описываются результаты расчёта амплитуды и фазы отражённого излучения от жидкокристаллической структуры с поверхностными плазмонами. Впервые рассчитаны зависимости амплитуды и фазы отражённого излучения (Я = 0.6328мкм) от приложенного к жидкокристаллической структуре конфигурации Кречмана напряжения в условиях возбуждения поверхностных плазмонов. При приложении напряжения к жидкокристаллической структуре на поверхностных плазмонах возникающие моды в структуре сильно искажают идеальную картину нарушения полного внутреннего отражения. Свойства мод можно использовать для эффективной амплитудной и фазовой модуляции р-поляризованного излучения.

В четвёртой главе описаны результаты расчётов температурных зависимостей амплитудного коэффициента отражения и фазы отражённого излучения (Я = 0.6328 мкм) в жидкокристаллических структурах в конфигурации Кречмана с поверхностными плазмонами. Обнаружена высокая чувствительность отражённого излучения к изменению температуры. При изменении температуры ЖК в пределах 45-55°С, интенсивность отражённого света возрастает (~ в 5 раз) с ростом температуры. То же самое можно сказать и об изменении фазы отражённого излучения.

В пятой главе описаны результаты теоретического исследования

явления оптической фазовой бистабильности в многое поверхностными плазмонами для р-поляризо1 (А = 1.06мкм). В разделе 5.1 описывается методика [ излучения от многослойных структур с поверхность условии возникновения явления оптической бистаС предложенной методики лежит матричный метод. С структур с оптической бистабильностью заключается в взаимном влиянии свойств нелинейной среды и прошедшего/отражённого излучения от структуры. Если представить расчёт свойств прошедшего излучения через структуру на основе матричного метода в виде функции, то можно записать систему нелинейных уравнений, которые будут описывать поведение излучения в такой структуре в условиях возбуждения поверхностных плазмонов. Решение данной системы можно получить аналитически только для простейших структур, типа структур стекло-металл-воздух. Поэтому, для решения данной системы были применены численные методы решения. Анализ различных методов решения показал, что наиболее эффективен для решения данной системы метод Ньютона-Рафсона, который позволяет за 3-4 итерации получать результат с максимальной точностью. В разделе 5.2 рассматриваются результаты расчётов отражённого излучения от структур с оптической бистабильностью в условиях возбуждения поверхностных плазмонов, а именно амплитудные и фазовые кривые отражённого излучения при фиксированном угле падения в зависимости от амплитуды падающего излучения.

Впервые теоретически исследовано явление оптической фазовой бистабильности в многослойных структурах с нелинейным оптическим материалом в конфигурации Кречмана с поверхностными плазмонами для р-поляризованного излучения. Показано, что:

- с увеличением угла падения на длине волны излучения (А = 1.06мкм) увеличивается как амплитуда гистерезиса коэффициента отражения, так и мощность излучения, необходимая для его возникновения;

- в оптическом волноводе с нелинейным слоем возможно возникновение не только амплитудной, но и фазовой бистабильности при отражении р-поляризованного излучения от нелинейного волновода, причём фазовая бистабильность начинает проявлять себя при углах падения меньших, чем углы падения, необходимые для наблюдения амплитудной бистабильности.

В шестой главе излагаются результаты теоретических расчётов угловых зависимостей амплитудного коэффициента отражения и фазы

р-поляризованного излучения (для различных длин волн) в слоистых структурах в геометрии Кречмана на основе двуокиси ванадия обеих фаз -полупроводниковой и металлической.

Как известно, двуокись ванадия У02 обладает фазовым переходом 1 -го рода полупроводник-металл при критической температуре около 68°С, сопровождающимся как перестройкой кристаллической структуры, так и изменением электрических и оптических свойств, что позволяет применять этот материал в электронике и оптоэлектронике. В разделе 6.1 приведены основные результаты расчётов амплитуды и фазы отражённого излучения в структурах на основе двуокиси ванадия для длины волны падающего излучения Я, = 0.6328 мкм. В разделе 6.2 приведены основные результаты расчётов амплитуды и фазы отражённого излучения в структурах на основе двуокиси ванадия для длины волны падающего излучения Х2 = 1.15 мкм. Расчёты показали, что с увеличением длины волны падающего излучения изменения фазы отражённого излучения становятся более значимыми, чем изменения амплитуды.

В седьмой главе исследовано влияние эффекта диффузионного растекания носителей заряда в фотопроводнике, а также длины распространения поверхностных плазмонов на разрешающую способность оптически адресуемых пространственных модуляторов света на поверхностных плазмонах. В разделе 7.1 рассматриваются методы расчёта разрешающей способности оптически адресуемых пространственных модуляторов света. Раздел 7.2 посвящен основным результатам расчётов. В разделе 7.3 производится сравнение различных моделей частотно-констрастных характеристик с экспериментальными данными, полученными другими авторами. На основе этого сравнения была выбрана оптимальная модель частотно-контрастной характеристики модулятора. В разделе 7.4 рассматривается влияние поверхностных плазмонов на разрешающую способность оптически адресуемых пространственных модуляторов света. На основе анализа различных моделей ЧКХ и сравнения их с экспериментальными результатами было установлено, что ЧКХ всей системы оптически адресуемых жидкокристаллических пространственных модуляторов света на поверхностных плазмонах может быть представлена произведением Г(у) = Т{V, ¿с) где ¿с) в форме (1) и Т{\,Ьвр)

в форме (2) лучше описывают экспериментальные данные.

'D

T(v,LSP) =

1

(2)

1 + 4тi2\2Lj

'SP

где ¿д-диффузионная длина распространения носителей заряда в фотопроводнике, а -длина распространения поверхностных плазмонов.

На основе выбранных моделей были сделаны расчёты, результаты которых приведены в разделе 7.5. Завершающий раздел 7.6 содержит основные выводы 7 главы.

В заключении приведены основные результаты работы.

1 .Впервые теоретически рассчитаны фазовые характеристики отражённого р-поляризованного излучения (А. = 0.6328мкм) в условиях возбуждения поверхностных плазмонов для ряда структур (как в конфигурации Кречмана: стекло-серебро-этанол, так и в конфигурации Отто: стекло-МдР2-серебро-этанол). В частности, при исследовании структуры в геометрии Кречмана обнаружено, что при добавлении дополнительного слоя диэлектрика в структуры с неоптимальным выбором параметров для возбуждения поверхностных плазмонов возможно получить структуру, оптимальную для возбуждения поверхностных плазмонов, Ä(0p)-min и соответствующей ей величины ф (6^,).

2.Разработан новый метод численного интегрирования, позволяющий с высокой точностью численно интегрировать сложные функции с особенностями за очень небольшое время. В основе метода использован адаптивный принцип повышения точности интегрирования, т.е.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ РАБОТЫ

производится неравномерное разбиение интервала интегрирования. В результате точность, получаемая при таком методе, на несколько порядков выше, чем при равномерном разбиении интервала.

3.Разработаны методика и программа расчёта распределения угла наклона директора молекул в толще нематического жидкокристаллического слоя при приложенном к жидкокристаллическому слою напряжении, на основе точной математической модели, без применения упрощающих моделей (типа разложения в ряд). Расчёт распределения угла наклона молекул директора занимает от 5 до 20 минут Pentium-133 для 128 точек при точности выше, чем 10"7.

4. Впервые рассчитаны зависимости амплитуды и фазы отражённого излучения (Я = 0.6328 мкм) от приложенного к жидкокристаллической структуре конфигурации Кречмана напряжения в условиях возбуждения поверхностных плазмонов.

5.Впервые теоретически исследовано явление оптической фазовой бистабильности в многослойных структурах с нелинейным оптическим материалом в конфигурации Кречмана с поверхностными плазмонами для р-поляризованного излучения.

6. Впервые теоретически рассчитаны температурные зависимости амплитудного коэффициента отражения и фазы отражённого излучения (А. = 0.6328мкм) в жидкокристаллических структурах в конфигурации Кречмана с поверхностными плазмонами. Обнаружена высокая чувствительность отражённого излучения к изменению температуры. При изменении температуры ЖК в пределах 45-55°С, интенсивность отражённого света возрастает (~ в 5 раз) с ростом температуры. То же самое можно сказать и об изменении фазы отражённого излучения.

7.Впервые теоретически рассчитаны угловые зависимости амплитудного коэффициента отражения и фазы р-поляризованного излучения (Я, = 0.6328мкм; А2 = 1.15мкм) в слоистых структурах в геометрии Кречмана на основе двуокиси ванадия обеих фаз - полупроводниковой и металлической. Расчёты показали, что с увеличением длины волны падающего излучения изменения фазы отражённого излучения становятся более значимыми, чем изменения коэффициента отражения.

8.Теоретически исследовано влияние эффекта диффузионного растекания носителей заряда в фотопроводнике, а также длины распространения поверхностных плазмонов на разрешающую способность оптически адресуемых пространственных модуляторов света на поверхностных плазмонах. На основе анализа различных моделей ЧКХ и сравнения их с экспериментальными результатами было установлено, что ЧКХ всей системы оптически адресуемых жидкокристаллических пространственных модуляторов света на поверхностных плазмонах определяется произведением Г(у) = Г(у, Т(\>, ЬЗР), где Т(\,ЬВ) в форме (1) и Т(\, в форме (2) лучше описывают экспериментальные данные, где -длина распространения носителей заряда в фотопроводнике, а 18Р-длина распространения поверхностных плазмонов.

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ источников

1. Поверхностные поляритоны. Электромагнитные волны на поверхностях и границах раздела сред / Под ред. В.М.Аграновича, Д.Л.Миллса, М.: Наука, 1985. 525 с.

2. Дмитрук Н.Л., Литовченко В.Г., Стрижевский В.Л. Поверхностные поляритоны в полупроводниках и диэлектриках. Киев: Наукова думка, 1989. 376 с.

3. Welford K.R. // Opt. and Quant. Electron. 1991. V.23. №1. P.1-27.

4. Sincerbox G.T., Gordon J.C. //Appl. Opt. 1981. V.20. №8. P.1491-1496.

5. Plumereau C., Bouchux A.-M., Cachard A. // Proc. SPIE. 1987. V.800. P.79-83.

6. Prsegol D., Pic E., Plantier J. // Proc. SPIE. 1988. V.864. P.42-44.

7. Schildkraut J.S. // Appl.Opt. 1988. V.27. P.4587-4590.

8. Rider C.B., Schildkraut J.S., Scozzafava M. // J.Appl.Phys. 1991. V.70. №1. P.29-32.

9. Yeatman E.M., Caldwell M.E. // Appl. Phys. Lett. 1989. V.55. №7. P.613-615.

10. Yeatman E.M., Caldwell M.E. // Proc. SPIE. 1989. V.1151. P.522-532.

11. Caldwell M.E., Yeatman E.M. // Electron. Lett. 1991. V.27. №16. P. 1471-1472.

12. Caldwell M.E., Yeatman E.M. //Appl. Opt. 1992. V.31. №20. P.3880-3891.

13. Siolgaard О., Ho F., Thackara J.I., Bloom D.M. // Appl.Phys.Lett. 1992. V.61. №21. P.2500-2502.

14. Никитин А.К., Тищенко A.A. // Поверхность. 1987. В.9. С.84-89.

15. Simon J.M., Presa V.A. // J.Mod.Opt. 1989. V.36. №5. P.649-657.

16. Никитин А.К., Тищенко A.A. // Письма в ЖТФ. 1991. Т.17. В.11. С.76-79.

17. Названов В.Ф., Афонин O.A. // Письма в ЖТФ. 1994. Т.20. В.7. С.26-31.

18. Названов В.Ф., Афонин O.A. // ПТЭ. 1994. №2. С.206-207.

ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ РАБОТЫ

1. Названов В.Ф., Коваленко Д.И. / О поведении амплитуды и фазы отражённого излучения в многослойных структурах с поверхностными плазмонами // Письма в ЖТФ. 1995. Т.21. В. 14. С.60-63.

2. Коваленко Д.И. / Зависимости амплитуды и фазы отражённого излучения в жидкокристаллических структурах с поверхностными плазмонами от напряжения // Тезисы докладов на международной научно-технической конференции "Проблемы и прикладные вопросы физики". Саранск. 22-24 апреля 1997. С.73-74.

3. Коваленко Д.И. / Зависимости амплитуды и фазы отражённого излучения в жидкокристаллических структурах с поверхностными плазмонами от напряжения // Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. В. 18. С.75-80.

4. В.Ф.Названов, Д.И.Коваленко / Фазовая оптическая бистабильность в структурах с поверхностными плазмонами // Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. (в печати, рег.ном.31)

5. В.Ф.Названов, Д.И.Коваленко / Поведение интенсивности и фазы отражённого излучения в структуре на основе двуокиси ванадия с поверхностными плазмонами // Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. В. 13. С.32-36.

6. В.Ф.Названов, Д.И.Коваленко / Температурная зависимость интенсивности и фазы отражённого света в жидкокристаллической структуре с поверхностными плазмонами// Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. В.17. С.11-15.

7. В.Ф.Названов, Д.И.Коваленко / О разрешающей способности оптически адресуемых жидкокристаллических пространственных модуляторов света // Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. (в печати, рег.ном. 162)

8. В.Ф.Названов, Д.И.Коваленко / О разрешающей способности оптически адресуемых жидкокристаллических пространственных модуляторов света // ЖТФ. 1997. Т.23. (в печати)

9. Коваленко Д.И. / О фазовой оптической бистабильности в структурах с поверхностными плазмонами //Тезисы докладов на Международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", Новосибирск, 21-25 апреля 1997.

10. В.Ф.Названов, О.А.Афонин, А.И.Гребенников, Д.И.Коваленко / Оптические (био)сенсоры на поверхностных плазмонах: состояние, перспективы // Тезисы докладов на региональной научно-практической конференции "Состояние и проблемы развития эколого-экономической системы Саратовской области" Саратов, июнь 1997, (в печати)

11. Названов В.Ф., Коваленко Д.И. / Поведение интенсивности и фазы отражённого излучения в структуре на основе двуокиси ванадия с поверхностными плазмонами // Тезисы докладов III Российская конференция по физике полупроводников (в печати)