Исследование параметрического рентгеновского излучения (типа Б), генерируемого на электронных пучках средних энергий тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.16 ВАК РФ

РГо О Я 1 1 НОЯ 1928

Харківський Державний Університет

На правах рукопису

ГАВРИКОВ Валерій Борисович

ДОСЛІДЖЕННЯ ПАРАМЕТРИЧНОГО РЕНТГЕНІВСЬКОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ (ТИПУ Б), ГЕНЕРОВАНОГО НА ЕЛЕКТРОННИХ ПУЧКАХ СЕРЕДНІХ ЕНЕРПЙ

спеціальність 01.04.16 - фізика ядра та елементарних частинок

Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук

Харків - 1996

Дисертація є рукописом.

Роботу виконано у Національному Науковому Центрі Харківський Фізико-Технічний Інститут (ННЦ ХФТІ)

Науковий керівник: кандидат фізико-математичних науж,

старший науковий співробітник ННЦ ХФТІ Мороховський В.Л.

Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук

Машкаров Юрій Григорович (ХФ УАДУ), доктор фізико-математичних наук Б акай Олександр Степанович (ННЦ ХФТІ).

1 Іровідна організація: Інститут ядерних досліджень НАН України, м.Київ.

Захист дисертації відбудеться " 4 " ЭкоёйМ 1996р. о годині на засіданні спеціалізованої ради Д 02.02.12 у Харківському державному університеті за адресою: 310108, м. Харків, пр-т. Курчатова, 31, ауд.301.

З дисертацією можна ознайомитися у Центральній науковій бібліотеці Харківського державного університету за адресою: 310077, м. Харків, пл. Свободи, 4.

Автореферат розіслано "

А

1996р.

Учений секретар ради, ' /у */

доктор фізико-математичних наук М.О-Азаренков

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Актуальність Фізиками давно вже досліджується випромінювання, шо виникає при проходженні релятивістських заряджених частинок крізь шар речовини. Особливу цікавість викликає випромінювання, що генерується в ідеальних кристалах. За певних умов це випромінювання може стати надзвичайно інтенсивним. Наприклад, періодичні модуляції траєкторії налітаючих частинок у кристалічному потенціалі приводять до збудження когерентного гальмовного випромінювання (КГВ) та випромінювання при каналюванні. Ці види випромінювання докладно досліджувались як теоретично, так і експериментально.

У середині 80-х років був експериментально відкритий новий тип когерентного рентгенівського випромінювання релятивістських електронів у кристалічному середовищі. Зараз цей тип випромінювання відомий як параметричне рентгенівське випромінювання (ПРВ).

Існує дві точкі зору на природу ПРВ. Згідно з першою (В.Г.Бари-шевський із співр., Г.М.Гарібян, Ян Ші, А.СаІісЬа), генерація ПРВ вимагає одночасного виконання умов Брегга та Черенкова. У цій моделі ПРВ мас пороговий характер, його інтенсивність пропорційна а (постійна тонкої структури) і значно перевищує інтенсивність як випромінювання при каналюванні, так і синхротронного випромінювання.

Згідно з іншою точкою зору, ПРВ не є випромінюванням черен-ковського типу. Його генерація обумовлена лише виконанням умов Брегга для псевдофотонів поля релятивістської частинки (М.Л.Тер-Мікаелян, О.ОіаІеІіз, В.Л.Мороховський, Н.Міиа)1. У цій моделі ПРВ не має порогового характеру. Інтенсивність випромінювання пропорційна сг1 і збільшується із збільшенням енергії частинок як .

У роботі [2] ПРВ черенковського та нечеренкоьського типу було запропоновано називати, відповідно, ПРВ типу А і Б.

Більша частина відомих експериментальних дос.\іджень ПРВ була виконана на електронних пучках високих енергій <400-900 МеВ - у Томську; 1.2 ГеВ - у Харкові; 4.5 ГеВ - в Єревані; 200-1100 МеВ - у Токіо). При цьому використовувались детектори, тцо мали низьку енергетичну розв'язувальну здатність (20% - у Томську; 35% - в Єревані; 9.3% - у Токіо). Основні дослідження процесу генерації ПРВ у тонких кристалах

' Ці ангори по використовували термін "параметрично випромінювання". Однак їхні фізичні результати еквівалентні результату |2].

кремнію на електронних пучках середніх енергій (у діапазоні 15-25 МеВ) були виконані у Харкові (В.Л.Мороховський із співр.) із застосуванням детекторів, що мали енергетичну розв'язувальну здатність 2.5-3%. В останній час ПРВ активно досліджується на надпровідному прискорювачі електронів З-БАиЫАС у м. Дармштадт (ФРН) при енергіях 3.5-10 МеВ та у США на пучках електронів з енергією 90 МеВ.

Після перших експериментальних спостережень ПРВ дослідниками були зроблені висновки про задовільну згоду між експериментальними оезультатами та розрахунками, що були виконані згідно з черенковською моделлю ПРВ.

Подальше вдосконалення експериментальних методик, збільшення числа дослідницьких груп, що працюють над цією задачею, призвело до усвідомлення того факту, що черенковська модель ПРВ у низці своїх моментів неадекватно описує спостережені характеристики ПРВ.

У той же час, цілком задовільно погоджуються між собою спостережені характеристики ПРВ та величини, що вираховуються у рамках моделі ПРВ типу Б. Це стосується як даних, що були отримані у Харкові, так і нещодавно отриманих даних на З-ОАЫЫАС.

Необхідність подальшої експериментальної перевірки існуючих у теперішнії! час моделей ПРВ, привабливість практичного застосування нього випромінювання, робить актуальною задачу продовження експе-ркменталы ого вивчення ПРВ на електронних пучках середніх енергій. Вирішення цієї проблеми потребує удосконалення методики виконання експериментів, а також розробки методів розрахунку характеристик ПРВ(Б), що генерується в умовах значності процесу багаторазового розсіювання релятивістських частинок у мішені.

Мі:того роботі; <::

(1) Розробка методики експериментального дослідження ПРВ (Б) на електронних пучках середніх енергій та методів обробки спектрів випромінювання в умовах накладання піків.

(2) Розвиток методів розрахунку інтенсивності, форми та ширини лінії ПРВ(Б), що генерується в умовах значності процесу багаторазового розсіювання релятивістських частинок у мішені.

(3) Експериментальне дослідження залежності інтенсивності, енергії фотонів, форми :а ширини лінії ПРВ(Б) від орієнтації кристалу на електронних пучках середніх енергій.

На захист виносяться наступні положення:

(1) Результати експериментального дослідження орієнтаційної залежності енергії та абсолютної інтенсивності ПРВ(Б), що генерується на електронних пучках середніх енергій у кристалах кремнію, германію та алмазу.

(2) Експериментальне виявлення форми лінії ПРВ(Б) і залежності ширини цієї лінії від орієнтації кристалічної мішені.

(3) Методи обчислення інтенсивності, форми та ширини лінії ПРВ (Б) в умовах багаторазового розсіювання релятивістських частинок у мішені.

(4) Програмно-апаратурний комплекс і методика дослідження характеристик ПРВ(Б). Методи обробки спектрів випромінювання в умовах накладання піків.

Наукова новизна, У наслідку проведених досліджень:

(1) Створений програмно-апаратурний комплекс та розроблені методи дослідження характеристик ПРВ(Б) на електронних пучках середніх енергій.

(2) Розроблені методи обробки спектрів випромінювання в умовах накладання піків.

(3) Розроблені методи обчислення інтенсивності, форми та ширини лінії ПРВ (Б) в умовах багаторазового розсіювання релятивістських частинок у кристалічній мішені.

(4) Докладно експериментально досліджені орієнтаційні залежності інтенсивності ПРВ(Б) на електронних пучках середніх енергій.

(5) Уперше проведені вимірювання абсолютної інтенсивності ПРВ(Б) та характеристичного рентгенівського випромінювання, що генеруються у кристалі германію.

(6) Уперше експериментально виявлена форма лінії ПРВ(Б) та залежність ширини цієї лінії від орієнтації кристалу.

Практична_ значність роботи. Одержані результати можуть бути використані: •

(1) При орієнтуванні кристалів на пучках релятивістських частинок.

(2) У системах ідентифікації пучків частинок та визначення їх енергії.

(3) Для отримання пучків квазімонохроматичних поляризованих фотонів з плавно регульованою частотою.

(4) При плануванні експериментів по дослідженню процесів інтерференції ПРВ(Б) з іншими видами випромінювань релятивістських частинок у кристалах та при плануванні експериментів по дослідженню резонансного ПРВ(Б).

Достовірність. Теоретичні результати дисертації отримані на підставі випробуваних методів. Ці результати дозволяють зробити переходи до вже відомих результатів. Розрахункові та експериментальні дані, що були отримані під час експериментів у Харкові та Дармштадті, добре погоджуються між собою. Все це підтверджує достовірність результатів дисертації.

Публікації, Основні результати дисертації опубліковані у роботах, перелік яких наданий у кінці автореферату.

Апробація. Результати дисертації доповідались та обговорювались на Міжнаціональних нарадах по фізиці взаємодії заряджених частинок з кристалами, Москва (1990,1991,1994), на 16-тій Міжнародній конференції по атомним зіткненням у твердому тілі (17-21 липня 1995, Австрія), на наукових семінарах ННЦ ХФТІ та ІЯФ (м. Дармштадт, ФРН).

Обсяг_та_ структура, роботи. Дисертація складається з вступу, трьох розділів, підсумків та списку цитованої літератури, який містить 72 найменування. Робота викладена на 123 сторінках машинописного тексту, містить 10 таблиць та 28 малюнків.

СТИСЛИЙ ЗМІСТ ДИСЕРТАЦІЇ

У вступі обгрунтовується актуальність дослідження, визначається мета роботи, передається її стислий зміст та формулюються основні результати дисертації.

Перший розділ дисертації присвячується методам, що були розроблені для експериментального дослідження ПРВ(Б).

У пункті 1.1 надається опис експериментальної установки, що була створена на базі лінійного прискорювача електронів ЛПЕ-40 ННЦ ХФТІ. Прискорювач дозволяє змінювати енергію електронів у діапазоні 15-30 МеВ. При цьому ширина спектрального розподілу електронів пучка на полувисоті максимального значення струму складає 6.5% (при енергії 15 МеВ) та 7.9% (при енергії 25.4 МеВ). Розходження електронного пучка 1 мрад. Кут реєстрації фотонів 305.9 мрад., тілесний кут реєстрації фотонів 4.49 х10-7 стеррад. Гоніометр дає змогу обертати мішень навколо трьох взаємоортогональних вісей. Точність вимірювання кута повороту кристалу навколо осі електроннопроводу становить 10_3 рад.; відносно інших напрямків - 8 х 10-- рад.

У пункті 1.2 наведена схема апаратурного комплексу, що включає до себе рентгенівський детектор, гоніометр, датчик контролю параметрів

пучка заряджених частинок, мікро-ЕОМ ДВК-3 та блоки електроніки у стандарті КАМаК. У цьому пункті наданий опис програми управління експериментом. Особливістю цієї програми є можливість блокування процедури накопичування спектрів випромінювання при відхиленні параметрів електронного пучка від заданих.

Опис процедур калібровки спектрометричного каналу вимірювання та каналу вимірювання заряду, що перетинає мішень під час експозиції спектру, надається у пункті 1.3.

Енергетична розв'язувальна здатність Бі(1Л) детекторів дорівнювала

лд»

2.5-3% для лінії 13.9 кеВ джерела 1Ат, а передавальна характеристика спектрометричного каналу була лінійною. Під час експериментів робоче завантаження детектора становило приблизно 5 гц, що виключає можливість накладання імпульсів у детекторі. Лінійною була і передавальна характеристика каналу вимірювання заряду. Точність визначення заряду становить величину ±3.72%.

Методи орієнтування' кристалів відносно пучка частинок розглядаються у пункті 1.4. Процедура орієнтування здійснюється у декілька етапів: (1) при підготовці експерименту; (2) по проходженню пучка частинок крізь кристал; (3) шляхом накопичування оглядових спектрів ПРВ(Б).

У пункті 1.5 подано опис програми обробки спектрів випромінювання. Особливістю цієї програми с можливість проведення процедури деконволюції (розкладання) піків випромінювання, що накладаються через недостатню енергетичну розв’язувальну здатність детектора. У наслідку роботи програми визначаються: (1) число безфонових рахунків під статистично значимими піками; (2) положення центрів ваги цих піків; (3) їх дисперсії; (4) похибки, що зв'язані з усіма дослідженими параметрами піків випромінювання.

Другий розділ присвячується методам розра\унку характеристик ПРВ(Б).

У пункті 2.1 отриманий загальний вираз для когерентної частини поперечного перерізу повного гальмовного випромінювання релятивістської зарядженої частинки (заряду е(), маси т0) у кристалі. У випадку, коли <о« у, де о) - енергія гальмовних фотонів;Л'( ^ - енергія частинки, відповідно, до і після випромінювання, цей вираз має вигляд

= ”гХл/25'Є» а

де а - постійна кристалічної решітки; £(§) - структурний фактор; ит -амплітуда теплових коливань атомів у кристалі. Амплітуда повного галь-мовного випромінювання складається з амплітуди гальмовного випромінювання електронів кристалу (ПРВ(Б)) та гальмовного випромінювання частинки у статичному полі ядер та електронів кристалу (КГВ)'

[k+g) -со

де V-вектор швидкості частинки; А-імпульс фотону; ^(^)-атомний формфактор. Підсумуваиня у (1) здійснюється по всім векторам зворотньої решітки g та по всім напрямкам вектору поляризації су випромененого фотону.

За умовою в> у~Х (де в - кут між вісью спостереження та вісью падаючого пучка; у - лоренц-фактор частинки) вплив КГВ зводиться до зміни співвідношення між максимумами та положення точки мінімуму в орієнтаційній залежності інтенсивності ПРВ(Б). Здійснені оцінки величини ефекту впливу КГВ на орієнтаційну залежність інтенсивності ПРВ(Б) у випадку, коли 0,(р«. 1, де (р - кут між вісью падаючого пучка та кристалографічними площинами, на яких відбувається генерація випромінювання.

У пункті 2.2 у рамках малокутового наближення теорії розсіювання (теорії Мол'єр) отримані формули для інтенсивності повного гальмовного випромінювання. Повне число гальмовних фотонів, що генеруються частинкою при заданій орієнтації кристалу, дорівнює

І=І

с/Лг/сКі визначає число генерованих фотонів під час руху частинки уздовж траєкторії з кугами 4 та /; відносно осі пучка; сКІ - тілесний кут реєстрації фотоні і:: <КІ‘= /- функція розподілу розсіюваних

частинок. Проходження шару мішені товщиною Аі змінює траєкторію частинки таким чином, що частота зареєстрованого детектором фотону залишається незмінною; Ь = {к0/Ха)2, де к0 - кутова апертура детектора, Ха ' кУт відхилення частинки в одиночному акті розсіювання.

У випадку, коли І и 1 ("малоапертурний" детектор) і, крім того виконується нерівність хе «0,9, де хс - характерний кут багаторазового розсіювання, формула (3) може бути зведена до елементарних функцій.

Проаналізовано вплив процесу багаторазового розсіювання на орієнта-ційну залежність інтенсивності випромінювання та знайдено співвідношення внесків до інтенсивності повного випромінювання л- та а-поляризованої компоненти.

На підставі (1) у пункті 2.3 отримані формули, що дозволяють розраховувати форму лінії ПРВ(Б) з урахуванням енергетичної розв'язу-вальної здатності "малоапертурного" детектора. Виявлено, що лінія ПРВ(Б) має вигляд несиметричної кривої. Вона плавно змінюється ліворуч та різко обривається праворуч від свого максимального значення. Проведений аналіз отриманих формул у випадку, коли всі розсіювані у мішені частинки рухаються у площині, що проходить крізь вісь пучка та вісь спостереження фотонів ПРВ(Б) (модель двомірного розсіювання). Знайдено, що у цьому випадку частотний інтервал ПРВ(Б) досягає свого мінімального значення при

Специфічною особливістю кристалічного середовища є можливість когерентного розсіювання гальмовних фотонів на шляху від точки їх народження до точки виходу з кристалу. У пункті 2.4 з'ясовано, що найбільш інтенсивно гальмовні фотони мають розсіюватися при брегтовсько-му положенні системи робочих площин. При цьому коефіцієнти розсіювання значно перевищують коефіцієнти поглинення для відповідних енергій фотонів. Виконані розрахунки коефіцієнтів розсіювання для конкретних експериментальних умов.

Вплив кристалічного середовища на вихід характеристичного рентгенівського випромінювання (ХРВ) розглядається у пункті 2.5. Виявлено, що при фотоіонізації реальним фотоном кристалічний характер середовища значно змінює картину процесу порівняно з аморфним середовищем. Процес К-іонізації електронним ударом у кристалі описується аналогічно випадку аморфного середовища. Знайдено внесок вторинних (гальмовних) фотонів до повного виходу ХРВ.

У третьому, розділі наведені результати експериментального дослідження ПРВ(Б).

У пункті 3.1 проведено порівняння між теоретичними та експериментальними інтенсивностями ПРВ(Б), що генерується релятивістськими

(4)

і має величину

(5)

електронами у кристалах кремнію, германію та алмазу. Експерименти з кристалами германію та кремнію були виконані на ЛПЕ-40, експерименти з кристалом алмазу виконувались на Б-БЛІШАС (кут спостереження -767.9 мрад; тілесний кут реєстрації фотонів - 8.3 х 10 стеррад).

На мал. 1а приведена залежність енергії, що відповідає центрам ваги піків ПРВ(Б), від кута <р для германію (генерація випромінювання на площинах (220) при енергії електронів 25.4 МеВ та товщині кристалу 54/лп) і для кремнію (генерація випромінювання на площинах (111) при енергії електронів 25 МеВ та товщині кристалу ЗО/яи). На мал. 1Ь зображена залежність абсолютної інтенсивності ПРВ(Б) від кута ір.

Повна похибка вимірювань складає величину приблизно 8.5%; похибка у розрахунках пов’язана, головним чином, з неточністю визначення товщин кристалів (±10% для кристалів германію та кремнію; приблизно ±1% для алмазу).

У табл.1 порівнюються експериментальні та розрахункові інтенсивності ПРВ(Б), що відносяться до точок максимуму орієнтаційної залежності цього випромінювання. У табл. 2 порівнюються експериментальні та розрахункові значення виходів ХРВ із германію. Дані у табли-

—4

цях наведені в абсолютних одиницях (фотон/(електронх стеррад), хІО ).

У пункті 3.2 наведені розрахункові значення відношення повної інтенсивності гальмовного випромінювання до інтенсивності ПРВ(Б) для тих експериментів, які були найбільш близькі к умові 02 у . Показано, що ефект виливу КГВ на характеристики ПРВ(Б) має теж саме значення, що і експериментальні похибки.

У пункті 3.3 порівнюються експериментальні та теоретичні форми лінії ПРВ(Б) у кристалах кремнію та германію. Наведені орієнтаційні залежності ширини лінії ПРВ(Б) при енергіях електронного пучка 25.4 і 21.6 МеВ (германій) та 25 і 15 МеВ (кремній).

На мал. 2а зображена експериментальна та теоретична форма лінії ПРВ(Б) у кристалі германію при енергії електронного пучка 25.4 МеВ у випадку, коли кут між вісью пучка та площинами (220) дорівнює 178 мрад. Пунктирна лінія відповідає середньому значенню фону у вимірюваних спектрах. На мал. 2Ь зображена орієнтаційна залежність ширини лінії ПРВ(Б) у кристалі германію за тих самих умов. На цьому малюнку пунктирна лінія відповідає розрахунку, що не враховує енер-і етичної розв’язунальної здатності детектора, суцільна лінія - з врахуванням цієї величини.

ft ут <р , рад.

о

•4 *

Є СЛ

о о

а

а

0) 0J

3

О Є

з: и

\

«?

Є 0)

є

о

■є-

Кут tp , р а д .

Мал. 1. (а) Залежність енергії, що відповідає центрам ваги піків ПРВ(Б) у кристалах германію (54/ті, (220), енергія електронів 25.4 МеВ) та кремнію (ЗОріт, (111), енергія електронів 25 МеВ); (Ь) орієнтаційна залежність інтенсивності за тих самих умов. .

Е н е р гія ф от он ів, ке В

К ут р , рад.

Мал. 2. (а) Експериментальна та теоретична форма лінії ПРВ(Б) у кристалі германію (220) з товщиной 54ут при енергії електронів 25.4 МеВ та <р=178 мрад.; (Ь) орієнтаційна залежність ширини лінії у кристалі германію за тих самих умов.

Таблиця 1.

Енергія електронів, МеВ 25.4 21.6 25 15 15.75 8.3

Кристал, робоча площина Ge, (220) Ge, (220) Si, (111) Si, (111) Si, (111) Алмаз (111)

Товщина, /оті 54 54 ЗО 30 24 55

Кут спостереження в, мрад. 305.9 305.9 305.9 305.9 305.9 767.9

Максимум інтенсивності (експеримент) 1.518 + .106 1.063 ±.074 1.229 ±.08 0.453 ±.03 0.574 ±.048 0.576 + .06

Максимум інтенсивності (теорія) 1.737 ±.045 1.251 ±.038 1.076 ±.1 0.390 ±.04 0.551 ±.05 0.618 ±.01

Таблиця 2.

Енергія електронів, МеВ 25.4 21.6

Вихід ХРВ (експеримент) 8.939 (±.536) 8.460 (+.507)

Вихід ХРВ (теорія) 8.897 8.698

У пункті 3.4 проведено обговорення отриманих результатів.

У підсумках сформульовані основні висновки та результати дисертації, які в основному збігаються з положеннями, що виносяться на захист

Основні^ результати дисертаційної роботи оприлюднені у публікаціях:

1. Мороховский В.Л., Адейшвили Д.И., Гавриков В.Б. Когерентное рентгеновское излучение, генерируемое релятивистскими электронами в кристалле при их энергии ниже порога параметрического рентгеновского излучения//УФЖ, 38, 1993, с.389-393.

2. Freudenberger J„ Gavrikov V.B., Galemann М., Genz Н., Groening L., Morokhovskii V.L., Morokhovskii V.V., Nething U., Richter A., Sellshop J.P.F., Shul'ga N.F. Parametric X-ray Radiation Observed in Diamont

at Low Electron Energies//Phys.Rev.Lett., v.74, N13, 1995, pp.2487-2490.

3. Morokhovskii V.L., Adejshvili D.I., Gavrikov V.B., Kas’yan S.V.

Coherent X-ray radiation from relativistic electrons in a crystal//J. of the Georgian Phys. Soc., v.3, 1996, pp.66-76.

4. Адейшвили Д.И., Гавриков В.Б., Емельянчик И.Ф., Мороховский В.Л., Овчинник В.Д., Пирогов В.Н., Халько Н.Н., Шварков Д.С. Программно-аппаратурный комплекс для исследования спектров рентгеновских и у излучений, генерируемых релятивистскими электронами! к

кристаллах//Препринт ХФТИ 91-8, Харьков, 1991, 14с.

5. Adejshvili D.I., Gavrikov V.B., Morokhovskii V.L., Morokhovskii V.V., Pirogov V.N. Line Width of Parametric X-radiation Type В Measured in Germanium at Electron Energy 25.4 MeV//Preprint KFTI 95-10,

Kharkov, 1995, 5p.

6. Adejishvili D.I..Gavrikov V.B.,Morokhovskij V.L. About interference between parametric X-ray radiation of type В and coherent bremsstrahlung of fast charged particle in a crystal// Preprint KFTI 96-02, Kharkov, 1996,11 p.

7. Мороховский В.Л., Адейшвили Д.И., Гавриков В.Б. Когерентное рассеяние поля релятивистского электрона на неоднородностях распределения плотности электронов в кристалле// Тезисы докладов XX всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 28-30 мая 1990г.), Из-во МГУ,Москва, 1990, с.94.

8. Мороховский В.Л., Адейшвили Д.И., Гавриков В.Б. О механизме когерентного рентгеновского излучения, генерируемого релятивистскими электронами в кристалле ниже порога параметрического рентгеновского излучения//Тезисы докладов XXI всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 27-29 мая 1991г.), Из-во МГУ, Москва, 1991, с.77.

9. Адейшвили Д.И., Гавриков В.Б., Грубич А.О., Емельянчик И.Ф., Мороховский В.Л., Халько Н.Н., Шварков Д.С. Программно-аппаратурный комплекс для исследования спектров рентгеновских и у излучений, генерируемых релятивистскими электронами в кристаллах // Тезисы докладов XXI всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 27-29 мая 1991г.), Из-во МГУ, Москва, 1991, с.69.

10. Адейшвили Д.И., Гавриков В.Б., Мороховский В.Л., Пирогов В.Н., Каплий А. Когерентное рассеяние поля релятивистского электрона в кристалле Се на плоскости (220)//Тезисы докладов XXIV межнационального совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. (Москва, 27-29 мая 1994г.), Из-во МГУ, Москва, 1994, с.58.

11. Freudenberger J., Gavrikov V.B., Galemann М., Genz Н., Groening L.f Morokhovskii V.L., Morokhovskii V.V., Nething U., Prade H., Richter A., Sellshop J.P.F., Shul'ga N.F., Zahn R. First observation of parametric X-ray radiation at electron energies below 10 MeV//16-th International

Conference on Atomic Collisions in Solids, July, 17-21, 1995, Austria,

Book of Abstracts, B39.

Гавриков В.Б. Исследование параметрического рентгеновского излучения (типа Б), генерируемого на электронных пучках средних энергий.

Диссертация в виде рукописи на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.16 - физика ядра и элементарных частиц, Харьковский государственный университет, Харьков, 1996.

Теоретически и экспериментально исследовано параметрическое рентгеновское излучение типа Б (ПРИ(Б)), генерируемое на пучках электронов с энергиями в десятки МэВ. Получены данные об ориентационных зависимостях абсолютной интенсивности, форме линии и ориентационных зависимостях ширины линии ПРИ(Б). Показано, что теоретические и наблюдаемые характеристики ПРИ(Б) находятся между собой в хорошем согласии. Полученные результаты позволяют сделать вывод о нечеренковской природе ПРИ(Б) и открывают возможность его практического использования.

Ключевыеслова: пучок, кристалл, гониометр, когерентное излучение, тормозное излучение, рентгеновское параметрическое излучение типа Б, характеристическое излучение.

Gavrikov V.B. Investigation of parametric X-ray radiation (type B), generated by electron beams of average energies.

Thesis as a manuscript for the candidate of physical and mathematical sciences scientific degree on a speciality 01.04.16 - nuclear physics and physics of elementary particles, Kharkov State University, Kharkov, 1996.

Parametric X-ray radiation of type В (PXR(B)), produced by election beams with energies of tens MeV. has been investigated both theoretically and experimentally. The data about orientation dependences of absolute intensity, shape of line and line width orientation dependences of PXR(B) are obtained. It is shown that the theoretical and observed PXR(B)'s characteristics are in a good agreement. Obtained results allow to draw a conclusion about non-Cherenkov nature of the radiation and open a possibility to use this radiation with practical views.

Key_words: beam, crystal, goniometer, coherent radiation, bremsstrah-lung, parametric X-ray radiation of type B, chara teristic radiation.

Щдпнсгно до дрy;:y /i~.07.SS. yopra? G0;:kl/IG. Oijcesnn'il .то;/’: 7ковнпх друкоЕядпт epxynla 1,0. T::p5'" III;. Сл/огдепня £SC.

XapiiIs-IOo, povcsp';::? IZLj, iA’i