Исследование природы диэлектрических и электрооптических свойств кристаллов и Тi-диффузного микроволновода света тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.03 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. СПЕКТРОСКОПИЯ КР ПРИ ИССЛЕДОВАНИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

И 30 СВОЙСТВ НЕЦЕНТРОСИММЕТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ . . II

1.1. Длинноволновые фононы в многоатомных нецентросимметричных" кристаллах.

1.2. Связь линейного электрооптического эффекта с нелинейной поляризуемостью

1.3. Теория процессов рассеяния и особенности КР в электрооптических кристаллах

1.4. Оптические микроволноводы света в нецентро-симметричных, кристаллах.37.

1.5. Применение диффузных микроволноводов'в ниоба-те лития для модуляторов и дефлекторов света

ГЛАВА П. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ НЕЦЕНТР ОСИММЕТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ СПЕКТРОСКОПИИ КОМБИ

НАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ.

2.1. Исследование угловой дисперсии анизотропных фононов в ниобате лития методом КР спектроскопии /118, 125/.

2.2. Диэлектрические свойства кристаллов и затухание полярных фононов /119/.

2.3. Дисперсионный анализ диэлектрической проницаемости по спектрам КР /130/.

2.4. Дисперсионный анализ СДА) диэлектрической проницаемости в иодате лития

2.5. ДА диэлектрической проницаемости б танталате лития.

2.6. ДА диэлектрической проницаемости б ниобате лития.

ГЛАВА Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ И

ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА НЕЦЕНТРОСИММЕТРИЧНЫХ

КРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ КР.

3.1. Электронно-решеточный вклад в ЛЭОЭ и динамика кристаллической решетки /121, ,126/ .»

3.2. Электронно-ионные вклады в ЛЭОЭ кристалла иодата лития.ЮЗ

3.3. Электронно-ионные вклады в ЛЭОЭ танталата и ниобата лития

3.4. Внутрикристаллическое поле в анизотропных диэлектриках. /102/.

3.5. Измерение чисто-электронного вклада в ЛЭОЭ.

ГЛАВА IУ.КР-ИССЛЕД ОВАНИЕ ДИНАМИКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ,

ОПТИЧЕСКИХ И ЭО СВОЙСТВ Т1-ДИФФУЗНЫХ МИКРОВОЛНОВОДОВ В НИОБАТЕ ЛИТИЯ

4.1, Методика и особенности изготовления TL-диффузных слоев в ниобате лития.

4.2, Измерение оптических характеристик микроволноводов в Ti-диффузных слоях ниобата лития.

4.3, Исследование спектров КР диффузных микроволноводов в ниобате лития /108/

4.4, Определение решеточного вклада в изменение показателя преломления оптического микроволноюда BLiNb03:Tl.

4.5. Влияние Т1-диффузного микроволновода на электронно-решеточный вклад в ЛЭОЭ.

4.6. Дисперсия ЭО коэффициентов и предел повышения широкополосности интегральных устройств

4.7. Расчет распределения электрического поля компланарных систем электродов /124/

4.8. Электроемкость электродных систем волноводных модуляторов и дефлекторов света /115/ •

4.9. Некоторые вопросы применения диффузных микроволноводов света в устройствах интегральной оптики.

ВЫВОДЫ.

Актуальность темы. Нецентросимметричные кристаллы находят широкое применение в устройствах квантовой электроники, нелинейной и интегральной оптики. Этим вызвано их всестороннее исследование для целенаправленного поиска существующих или синтеза новых материалов с заданными диэлектрическими, оптическими и электрооптическими (ЭО) свойствами. Практическое использование преобразователей излучения, параметрических генераторов и усилителей света инфракрасного (ИК) диапазона и других устройств нелинейной оптики делает актуальной задачу исследования дисперсии диэлектрической проницаемости (ДП) и показателя, преломления на частотах резонансов решетки. Для ряда интегральных ЭО устройств (модуляторов, дефлекторов, переключателей света и т.п.) представляет интерес вопрос о предельных величинах быстродействия и полосе рабочих частот. Остается не выясненным механизм возникновения диэлектрических волноводов света в кристаллах, в частности, широко используемых диффузных волноводов в ниобате лития.

Решение перечисленных вопросов требует исследования динамики кристаллической решетки. Исходя из современных теоретических представлений, диэлектрические и ЭО свойства кристаллов обусловлены поведением полярных фононов, активных в спектрах комбинационного рассеяния (КР) света /1-8/. Восстановление тензора ДП по спектрам КР обычно ограничено рамками приближения отсутствия затухания фононов и основано на соотношениях Лиддана-Сак-са-Теллера (JICT) или Куросавы /9-15/. Такой подход становится мало оправданным при значительном энгармонизме, что характерно для кристаллов с богатым фононным спектром. Известный метод анализа ДП с помощью интегральных соотношений Крамерса-Кронига (КК) /16/ требует модификации для учета влияния термодинамических свойств фононной системы на спектр КР, а также приводит к неоправданно низкой точности по отношению к объему вычислительных затрат. В целом, вопрос о корректном учете затухания в спектре КР в настоящее время изучен недостаточно. Решение этой задачи позволяет не только получить значения сил осцилляторов полярных колебаний и определить ИК дисперсионную зависимость показателей преломления, но и расчитать ЭО вклады отдельных решеточных колебаний без дополнительных измерений, таких как спектры ИК-отражения. Основной источник погрешности определения ЭО вкладов составляет, как известно /5/, 20+30$ и вызван игнорированием конечной ширины линии КР спектра при калибровке интенсивности. Для повышения точности обработки экспериментальных данных возникает необходимость учета затухания фононов и формы линий КР.

Исследования вкладов в электрооптический эффект (ЭОЭ) и их дисперсии в области колебаний решетки имеет важное прикладное значение, устанавливая теоретический предел повышения широкопо-лосности и быстродействия всех ЭО устройств для данного материала и, в частности, для интегральных оптических компонентов.

Целью диссертационной работы ставилось исследование диэлектрических, оптических и электрооптических свойств кристаллов методом КР с последовательным учетом затухания, изменения этих свойств в оптическом микроволноводе и путей повышения быстродействия и широкополосности интегральных оптических элементов.

В целом научная новизна настоящей работы состоит в том,что впервые предложена и опробована общая методика определения в широком интервале частот диэлектрических и ЭО параметров кристаллов с произвольным количеством затухающих полярных фононов по спектру КР, которая применена к новому классу объектов TL-диффузным микроволноводам света в ниобате лития.

Основные защищаемые положения:

1. Проведенный учет затухания и термодинамической плотности фононов, влияющих на форму и частоту линий КР, позволивший определить и исключить составляющую погрешности вычисления сил осцилляторов, связанную с изменением T-L-расщепления.

2. Алгоритм расчета полного набора сил осцилляторов в кристаллах с богатым фононным спектром КР, существенно повышающий точность расчета с одновременным уменьшением вычислительных затрат.

3. Полученные соотношения для абсолютных вкладов в ЭОЭ, учитывающие ширину линии фононного спектра, что устранило недостатки используемых ранее моделей и дало лучшее соответствие данным прямых измерений. изменения показателя преломления

ФормированиеУволновсда в LiNbu^.'Ti происходит, в основном, за счет вклада от электронной подсистемы кристалла.

Конкретные задачи, поставленные в настоящей работе могут быть сформулированы следующим образом:

1. Уточнение основных параметров спектра КР в монокристаллах ниобата лития, отобранных для изготовления, микроволноводов на основе экспериментального исследования угловой дисперсии анизотропных фононов.

2. Изготовление оптических TL-диффузных волноводов в ниобате лития- с малыми вносимыми потерями, определение оптических параметров, а также исследование и анализ их спектров КР.

3. Получение расчетных соотношений, обобщенных с учетом затухания, разработка алгоритмов, программ для ЭВМ и проведение расчета диэлектрических, оптических и ЭО свойств кристаллов и микроволноводов света. Оптимизация параметров при машинном проектировании и изготовлении интегральных оптических элементов.

По результатам работы опубликовано 17 статей, значительная часть которых совместно с научными руководителями и В.А.Клименко. В совместных публикациях научным руководителям профессору Конди-ленко И.И. и доценту Короткову П.А. принадлежат постановка задачи и выбор направления исследований, Клименко В.А. разработана экспериментальная установка и получены спектры КР, а автором настоящей работы изготовлены оптические волноводы и контрольные образцы, измерены их параметры и выполнены все приведенные аналитические и численные расчеты. Обсувдение полученных результатов проводилось совместно»

Работа состоит из четырех глав и выводов.

Первая глава представляет краткий обзор литературы по вопросам исследования динамики кристаллической решетки методом КР и ее связи с тензорами диэлектрической проницаемости и ЭОЭ, а также условий изготовления, возбуждения микроволноводов и их оптических свойств, существенных для интерпретации спектров КР. Особое внимание уделено свойствам полярных колебаний, активных в КР, а именно: влияние T-L-расщепления линий спектра КР на тензор ДП, нелинейную поляризуемость и, соответственно, ЭОЭ.

Представленные результаты используются, затем в главах 2-4 при обсуждении экспериментальных данных и их интерпретации.

Во второй главе методом спектроскопии КР исследуются оптические и диэлектрические свойства нецентросимметричных кристаллов. Измерена угловая дисперсия анизотропных фононов в ниобате лития, проведен дисперсионный анализ тензора ДП, расчитаны дисперсионные зависимости показателей преломления, коэффициентов экстинкции и спектры ИК-отражения ряда кристаллов. Представлены расчетные соотношения, алгоритм дисперсионного анализа, получены полные наборы сил осцилляторов для всех исследуемых кристаллов и проанализированы полученные результаты.

В третьей главе исследуются электрооптические свойства кристаллов по спектрам КР полярных колебаний. Приведены результаты расчета абсолютных вкладов и относительных знаков вкладов в ЭОЭ от каждого полярного колебания с учетом формы линии КР спектра. Дан сравнительный анализ полученных результатов и механизма электрооптического взаимодействия в исследуемых кристаллах.

Особое внимание уделено кристаллу ниобата лития. Эти данные создают надежную основу для относительных измерений КР в волноводе, поскольку микроволноводы и контрольные образцы получены из одних буль для устранения влияния различий в стехиометрическом составе кристаллов и других побочных факторов.

В четвертой главе изложена методика изготовления и контроля диффузных оптических волноводов, представлены их спектры КР, проведены обсуждение и интерпретация полученных результатов. Проведено сопоставление результатов с независимыми косвенными измерениями по дифракции электронов и рентгеновских лучей /38,39/ в LlNbO,: Т i . Определены величины относительного вклада решетки в изменение показателя преломления волновода, дисперсии и ЭО коэффициентов волноводного слоя и полосы рабочих частот ЭО интегральных устройств. Рассмотрены некоторые вопросы применения диффузных микроволноводов света в устройствах интегральной оптики, в частности, для интегральных модуляторов и дефлекторов света. С целью оптимизации характеристик этих устройств с учетом топологических и ЭО свойств разработаны эффективные алгоритмы расчета распределения электрического поля и электроемкости планар-•ных электродных систем.

В выводах представлена сводка основных результатов работы.

Основные результаты состоят в следующем:

1. Предложен оригинальный метод дисперсионного; анализа компонент тензора диэлектрической проницаемости 30 кристаллов для широкого интервала температур, учитывающий затухание полярных фананов и форму линий КР спектра.

2. Для случая одного полярного фонона с затуханием впервые получены аналитические соотношения для расчета силы осциллятора колебания из спектра КР. Полученные выражения, представляют обобщение ЛСТ-соотношений и учитывают влияние термодинамической плотности и затухания фононов на спектр. КР. Количественно продемонстрирована существенная роль эффектов квантовой статистики и затухания фононов для узких полос остаточных лучей или сильного ангармонизма фононов в КР спектре.

3. Разработан общий алгоритм расчета дисперсии оптических и диэлектрических свойств кристаллов с богатым фононным спектром КР при произвольном количестве колебаний. Впервые получены функциональные уравнения для вектора сил осцилляторов, справедливые в рамках применимости флуктуационно-диссипационной теоремы. Разработана программа численного решения уравнений и апробирована на кристаллах UlI03 , LlTa03 и LlNb03. В результате получены силы осцилляторов всех решетояных колебаний, а значения низкочастотных компонент диэлектрической проницаемости дают хорошее совпадение с: данными прямых измерений (длят относительное отклонение не более 3$). Показано:, что для ряда полярных колебаний поправки к силам осцилляторов, связанные с затуханием, достигают 80$. Рассчитаны дисперсионные зависимости коэффициентов отражения, экстинкции, показателей преломления, а также действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости в области резонансов решетки всех указанных кристаллов. Расчетные зависимости коэффициентов ИК отражения удовлетворительно соответствуют данным прямых измерений.

4. Определены абсолютные вклады в электрооптичеокие коэффициенты и относительные знаки всех полярных колебаний в LiI03, L i Та. 03 и Ц№03. Получены расчетные соотношения, учитывающие форму линий спектра, а все экспериментальные параметры определены из спектра КР без привлечения данных ИК измерений. Учет формы линий КР спектра позволил устранить основной источник экспериментальной погрешности, связанный с. калибровкой линий спектра. Проведенный нами расчет подтверждает наличие электрооптических "мягких" мод 2 53 см49* А-типа, 152 см"* Е-типа в ниобате лития и 201 см"1 А-типа, 140 см"* Е-типа в танталате лития. Электронно-ионный вклад в ЛЭОЭ этих кристаллов является подавляющим и составляет 83$ и более. При оптимальном выборе знаков различных вкладов каждый из ЭО коэффициентов, полученный из КР соответствует данным прямых измерений с точностью лучше 6$. Основываясь на полученных данных по сечениям КР в LiI03 , нами проведен анализ ЭО вкладов во все коэффициенты кристалла. В отличие от сегнетоэлектриков, в иодате лития ЭО "мягкая мода" отсутствует. Для 30 коэффициентов г15 и г33 чисто электронный вклад соизмерим и даже превышает электронно-ионный вклад.

5. Экспериментально исследована угловая дисперсия анизотропных фононов в ниобате лития в диапазоне частот 50 * 1000см"*"'" с точностью до I см""'*' и в диапазоне углов 0-90° с точностью ЧО' . Экспериментальные кривые угловой дисперсии позволяют уточнить частоты фононов и их Т-L -расщепления в образцах кристаллов, на которых изготавливались оптические волноводы. Зафиксировано различие частот для наших образцов в 2.7 см""'*' для колебаний Aj-типа и 3.5 см"1 - для; Е-типа по сравнению с литературными данными. Полученные данные подтверждают наличие колебания Е-типа 92 см"1 с T-L- расщеплением 3 см*""'". В результате измерений создана надежная' основа для интерпретации и анализа спектров оптических микроволноводов.

6. Впервые исследованы поляризованные спектры комбинационного: рассеяния ТI- диффузных микроволноводов в кристалле ниобата лития. Методом термической диффузии изготовлены волноводы с малыми вносимыми потерями I дб/см. Обнаружена зависимость абсолютной интенсивности линий КР от топологических свойств волноводов. Возрастание абсолютной интенсивности объяснено увеличением эффективного рассеивающего объема при отражениях на границах раздела пленки. Предлагается использовать данное явление для. экспресс-контроля, за технологическими процессами изготовления волноводов. В спектре КР и Ti - диффузного микроволновода обнаружено понижение на 2 см*"^ частоты продольного колебания 881 см^, что соответствует изменению показателя преломления на величину порядка I0TJ в области длин волн 0,63 мкм. Следовательно, решеточный вклад в изменение показателя преломления в

Tl -диффузном волноводе менее 0,1 %, Полученные данные свидетельствуют об электронной природе Т1 -диффузных микроволноводов.

7. Показано, что поскольку частотное положение электроопт „т тических "мягких мод" 152 см и 253 см в спектре КР, их T-L-расщепление и относительная интенсивность инвариантны относительно параметров микроволновода, то область бездисперсности ЭО коэффициентов составляет 0 - 100 см"^. Поэтому, теоретический предел повышения быстродействия интегральных оптических то устройств в Tl -диффузных микроволноводах - 3*10 ^ Гц.

8. Для анализа параметров электрооптических интегральных устройств рассмотрены вопросы распределения: электрического поля. и электроемкости планарныхсистем. На основе выражений для распределения электрического поля и электроемкости, разработаны алгоритмы расчета, реализованные в виде эффективных программ для: ЕС ЭВМ» Программы внедрены в практику проектирования изделий электронной техники с помощью ЭВМ и использованы для разработки ряда устройств.

1. Овандер Л.Н. Нелинейные оптические эффекты в кристаллах. Усп.физ.наук, 1965, Ш, I с. 3-39.

2. Loudon R. Raman effect in crystals. Adv. Phys. 1964. 13, p. 423-471.

3. Barker A.S., Loudon R. Response function in the theory of Raman scattering by vibrational and polariton modes in di electric crystals.- Rev.Mod.Phys. 1972, 44, N 1, p. 18-47.

4. Johnston W.D., Jr. nonlinear optical coefficients and the Raman scattering efficiensy of LO and TO phonons in asentric crystals.- Phys.Rev.B, 1970, 8, N 1, p. 3494-3503.

5. Kaminov I.P., Johnston W.D., Jr. Quantitative determination of sourses of the electrooptic effect in LiNbOo and LiTaOo»Phys.Rev., 1967, 160, Ы 3, p. 519-522.

6. Горелик B.C., Золотухин О.Г., Сущинский М.М, О связи комбинационнаго рассеяния света с электрооптическим эффектом LiNbO 3 ФТТ, 1980, 22, 4, с. I024-I028.

7. Борн М., Кунь X. Динамическая теория кристаллических решеток.- М.: изд-во иностр.лит-ры, 1958, 485 с.

8. Агранович В.М., Гинзбург В.Л. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов.- М.: Наука, 1979, 432 с.

9. Glaus R. The lattice dinamical background of classical crystal optics.- Phys.Stat.Sol., 1980, 100b, N 1, p. 9-41. Ю. Lyddane R., Sachs R.G., Teller Б. On the polar vibrations of alkali halides.- Phys.Rev., 1941, p. 673-676. n. Kurosava T. Polarisation waves in solids.- J.Phys.Soc.Jap,, 1961, 26, p. 1288—1308. в

10. Spitzer W.G., Kleinman D. Infrared properties of hexagonal silicon carbide.- Phys.Rev., 1959, 119, N 1, p. 127-132.

11. Белоусов M.B., Погарев Д.Е.» Шултин A.A«" Проявление и учет неаналитичности предельных частот дипо:льных колебаний. ФТТ, 1970, 12, 4, с. 991-994. 12. Merten L., Lamprecht G. Dispersional dependense of extraordinary infrared oscillator parameters of unixial crystals.Phys.Rev., 1970, B9, N 2, p. 573-580.

13. Белоусов M.B. Восстановление инфракрасного: спектра диэлектрической проницаемости из спектров комбинационного рассеяния.- ФТТ, 1973, 15. Ч, с. I206-I2II.

14. Абдуллоев Н.С», Горелик B.C., Умаров Б.С* Исследование дисперсии диэлектрической проницаемости кристалла ниобата лития методом комбинационного рассеяния света.- Препринт ФИАН 15, 1982, 25 с.

15. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики, М.: Наука, 1975, 680 с.

16. Золотев Е.М., Киселев Б.А., Сычугов В.А. Оптические явления Б тонкопленолных волноводах.- УФН, 1974, 112, 2, с.231-273.

18. Тейлор Г., Ярив A. Волноводная оптика.- ТЙИЭР, 1974, 62, 8, с. 4-22.

19. Маркузе Д. Оптические волноводы.- М.: "Мир", 1?74, 422 с.

20. Тидекен P. Волоконная оптика и ее применение. М.: "Мир", 1978, 240 с.

21. Тамир Т. Интегральная! оптика.- М.: Ш р 1978, ЗЧЧ с.

22. Пантел Р., Путхоф Г. Основы квантовой электроники.- М.: "Мир", 1972, 384 с.

23. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. ХУШ, Статистическая-физика,- М.: "Наука", 1978.

24. Рейс ленд М* Физика фононов.- М.: "Мир", 1975, 365 с.

25. Обуховокий В.В., Понат Н., Стрижевский В.Л. Sol., 1970, 41, N 2, с. 847-853.

26. Стрижевский В.Л., Кисленко В.Л., Марчевский Ф.Н., Яшкир Ю.Н. Some features of light Raman scattering by bulk polaritons. Proceedings First Soviet American Symposium. Theory of light scattering in solids. Moscow, 1975; "Nauka", M., 1976, p. 541.

27. Поливанов Ю,Н. Комбинационное рассеяние света на поляритонах.- Усп.физ.наук, 1978, 126, 2, с. 185-232.

28. Стрижевский В.Л., Яшкир Ю.Н. Pecularities of Raman scatPhys.stat. tering by polariton and polar optical phonons in anisotropic crystals.- Phys.Stat.Sol., 1974, £1, H 1, p. 353-364.

29. Hartwig С М Wiener-Avnear. Е., Smit J., Porto S.P.S. Phonon coupling and ungular dispersion in biaxial NaUOg»- Phys. Rev., 1970, B3, N 6, p. 2078-2082.

30. Ярив A. Квантовая электртника и нелинейная оптика (пер. с англ»), М.: "Сов.радио", 1974.

31. Бирман Дж. Пространственная симметрия и оптические свойства твердых тел, (пер. с англ.), М. :"Мир", 1978.

32. Пинзак А., Бурнштейн Е. Основы неупругого рассеяния света в полупроводниках и диэлектриках. (В кн. "Рассеяние света в твердых телах" под ред. М.Кардонны), М.: "Мир", 1979.

33. Sugii K., Pucuma M., Iwasaki H. A study of titanium diffusion into TisLiNbO waveguides by electron probe analysis and X-ray diffraction metods.- J.Mater. Science, 1978, 22» N 3, p. 523-533.

34. Зилинг K.K., НадЬлинный В.A., Шашкин В.Б. Диффузия титана в ниобат лития и ее вжяние на оптические свойства. Изв. АН СССР, сер. неорган.материалы, 1980, 16, 14, с.701-706.

35. Taylor Н.Р. Dispersion characteristics of optical chanal waveguides.- IEEE J.Quant.Electron., 1976, 2 N 12, p.748751.

36. Тамир Т. Интегральнооптические элементы связи. В кн. "Интегральная: оптика", под ред. Т.Тамира, М.: "Мир", 1978.

37. Агранович В.М. Поверхностные электромагнитные волны и комбинационное рассеяние света.- УФН, 1978, 126, 4, с. 677-680.

38. Золотев Е.М., Пелехатый В.М., Прохорв A.M. Исследование туннельного возбуждения и излучения оптических диффузных волноводов.- Квантовая электроника, 1977, 4, 10, с, 2196-2202.

39. Зленко А.А., Киселев В. А., Прохорв A.M. Излучение поверхностных световых: волн на гофрированном участке тонкопленочного волновода.- Квантовая электроника, 1974, I, 7, с. I519-1525.

40. Chizoni С С Chen B.U., Tang C.L. Theory and experiment of grating couplers for thin-film waveguides.- IEEE J.Quant. Electr., 1976, 22, N 2, p. 69-73.

41. Rigrod W.W., Marcuse D. Radiation loss coefficients of assymmetric waveguides with shallow synosoidal corrugations.lEEE J.Quant.Electr., 1976, 2 N 11, p. 673-685.

42. Киселев Б.А., Прохоров A.M. Оптические процессы в тонкопленочкых лазерах и волноводах с пртизвольным показателем преломления.- Квантовая электроника, 1977, 3, 4, с. 544-555.

43. Katziz А., Livanson А С Yariv А. Chirped-grating output couplers in dielectric waveguides.- Appl.Phys.Lett., 1977, 30, N 5, p. 225.

44. Кузьминов Ю.С., Лындин H.H., Прохоров A.M. Диффузионные волноводы в кристаллах.- Квантовая; электроника, 1975, 2, 10, с. 2302-2314.

45. Золотев Е.М., Киселев Б.А., Прохоров A.M., Щербаков Е.А. Определение параметрв оптических микроволноводов.- Квантовая электроника, 1976, 3, 8,й1б72-1б7б.

46. Золотев Е.М., Киселев Б.А., Пелехатый В.М. и др. Определение эффективных параметров для поверхнастных волн в диффузном волноводе.- Квантовая электроника, 1977, Н с. 201-203.

47. Золотов Е.М., Киселев Б.А., Пелехатый В.М. и др. Исследование погру]{сенных оптических диффузных волноводов.- Квантовая электроника, 1977, 4, 5, с. II60-II63.

54. Панькин В.Г., Петухова Н., Пчелкин Ю.Б., Шашкш В.Б., Шварц И.Л. Исследование волноводов, полученных диффузией титана на -срезе метаниобата лития-- Квантовая электроника, 1978, 5, J? 2 с. 305-311. i

55. Noda J Saku Т., Usioda N. Fabrication of optical waveguide layers in LiNbO by Cu-diffusion.- Appl.Phys.Lett., 1974, 25, N 6, p. 308-311.

56. Редько В.П., ЧерендаН.Г., Штейнгарт Л.Н. К вопросу о создании оптических волноводов в плавленнам кварце посредством облучения; протонами.- Квантовая электроника, 1975, 2., 8, с. I849-I852.

57. Namba S., Aritome Н., Nisimura Т., Masuda К., Toyoda К. Optical waveguides fabricated by ion implantation,J.Vac. Sci. Technol., 1973, J.0, N 6, p. 936-940.

58. Васильев B.B., Нестеров A,A., Соколов C.A., Шашкин В.В. Оптические волноводы, полученные облучением плавленного кварца ионами. Квантовая электроника, 1976, 3,№2,461-463.

59. Герасименко Н.Н., Панькин В.Т., Свиташев К.К., Соколов А., Цейтлин Исследование волноводных структур, полученных облучением плавленного кварца ионами водорда.- Квантовая электроника, 1977, 4, б, с. I372-I375.

62. Garmire В., Stoll H., Yariv A., Hunsperger R.E. Optical

63. Gfeller P.R. LillbOo electrooptic modulator and switch.Appl.Phys.Lett., 1976, 29, N 10, p. 655-657. 83. B u m s W.K., Lee A.B., Milton А.Б. Active branching waveguide modulator.- Appl.Phys.Lett., 1976, 29, N 12, p.790792.

64. Ranganath T.R., Wang S. Ti-diffused LiNbOo branched waveguide modulators: performance and design.- 1БЕБ J.Quant. Electron., 1977, 13, H 4, p. 290-295.

65. Webster J C Zernike P. Push-pull film optical modulator.Appl.Phys.Lett., 1975, 26, N 9, p. 465-467.

66. Ohmachi J., Noda Y. Electrooptic light modulator with bran-

67. Kaminov I.P., Stulz L.W. A planar electrooptic prism switch.IBE J.Quant.Electr., 1975, 27, H 10, p. 562-566.

68. Tsai C.S., Saunier P. Ultrafast guided light beam deflection, switching and modulation using electrooptic prism structure.- Appl.Phys.Lett., 1975, jj., N 8, p. 633-636.

69. Martin W.P. A new waveguide switch-modulator for intergrated optics.- Appl.Phys.Lett., 1975, 27, N 10, p.562-566.

70. Uzutsu M., Yamane Y., Suesta T, Broad band traveling wave modulator using a LiUbOo optical waveguide.- IEEE J.Quant. Electron., 1977, ГЗ» P 152-159. 91. otaguro V/.S., Wiener-Arnear E., Arguello C.A., Porto S.P.S. Phonons, polaritons and oblique phonons in LiJOo by Raman scatering and infrared reflection.Л, teI2,p.4542-4551.

71. Glaus R., Borstel G., Wiesendanger E., Steffan L. Directional dispersion and assignment of optical phonons in LiNbOo»Z.Naturforsch., 1972, 27a, N 8, p. 1187-1192.

72. Barker A.S., Loudon R. Phys.Rev., 1967, 1 Ы 2, p. 433Pbys.R.ev. B, 1971, 437.

73. Горелик B.C. Иссшедование связанных и континуальных колебательных состаяний диэлектрических кристаллов методом комбинационного рассеяния света.- Докторская диссертация, М., 1979, 373 с В сб. "Комбинационное рассеяние света и динамика кристаллической решетки". Труды ФИАН СССР, т.132, М.: "Наука", 1982, с. 15-1Ю.

74. Otaguro W.S., Wiener-Avnear Е., Porto S.P.S. Determination of the second hairaonic generation coefficient and the linear

75. Гриб Б.Н., Клименко B.A., Кондиленко И.И., Коротков П.А* Вклад ионно-электронных процессов в электрооптический коэффициент гз кристалла КН2Р0.- Оптика и спектроскопия, 1976, 40, 2, с. 408-410. 97.

78. Ewald P.P. Un Begrundung der Kristtallooptik.- Ann.d.Phys», 1918, 54, N 5, p. 519-557.

79. Lorentz H.A. Wechselbeziehung Portpflanzung sdeschwiedigkeit der Licht und Dichterkorper.- Wied.Ann., 1880, 9, Й 5, p. 641-648.

80. Фелинский Г С Кондиленко И.И., Коротков П.А. Внутрикристаллическое поле анизотропии.- УФ1, I98I, 2,М, с.664-665.

81. Armstrong J.А., Blombergen Н., Ducuing J., Pershan P.S. Interaction between light waves in nonlinear dielectries.Phys.Rev., 1962, j_27, Ы 5, p. 1918-1939.

82. Ward J.P., Pranken P.A. Structure of nonlinear optical phenomena in potassiim dihidrophosphate.- Phys.Rev., 1964, 133, N 1, p. 183.

83. Кондиленко И.И., Коротков П.А., Фелинский Г.С. Влияние локального поля на электронный вклад в линейный электрооптический эффект в одноосных кристаллах.- УФЕ, 1980, 25__, 5, с. 855-857.

84. Кондиленко И.И., Коротков П.А., Явлинский Г.С. Измерение тензора электронной квадратичной нелинейности по комбинационному рассеянию света в кристаллах.- УМ, 1980, 25, 10, с. 1744-1746.

85. Зилинг К.К., Шажин В.В. Электрооптические свойства диффузионных волноводов в с. 662-664.

86. Кондиленко И.И., Коротков П.А., Клименко В.А., Фелинский Г.С. Спектры комбинационного рассеяния Т -диффузного планарного волновода Б ниобате лития. Оптика и спектроскопия, 1980, 5. 49, с. I 0 I I I 0 I 3

87. Сонин А.С., Василевская А.С. Злектрооптические кристаллы.М.: Атомиздат, 197I, 328 с.

88. Свешников А.Г., Тихонов А.Н, Теория функций комплексной переменной.-* М.: "Наука", 1970, 304 с.

89. Кондиленко И.И., Коротков П.А., Фелинский Г.С. Эффективность олектрооптической модуляции в волноводном модуляторе с планарными электрдами.-УФИС. 1979,24, №9, с. 1270-1278.

91. Кондиленко И.И., Коротков П.А., Гриб Б.Н., Фелинский Г.С. Электрооптическая дефлекция световых пучков.- Квантовая электроника, 1978, вып.14, с. 45-59.

92. Кондиленко И.И.,. Коротков П.А., Фелинский Г.С. Интегральные электрооптические модуляторы.- Квантовая электроника, 1980, вып.19, с. 60-77.

93. Белов А.В., Белялетдинов И.Ф., Дианов Е.М. и др. Макет устройства волоконно-оптической линии связи с тонкопленочным модулятозром.- Квантовая электроника, 1978, 5, ]Ь с. 214-215.

94. Кашуба А.А., Фелинский Г,С. Лельта-модулятор в системе волоконно-оптической ка, I98I, 24, 7.

95. Клименко. В.А., Кондиленко И.И., Коротков П.А., Фелинский Г.С. Угловая дисперсия оптических фононов в кристаллах ьШЬОз Ш1, 1961, 26, 1 9, с. I557-I559.

96. Кондиленко И.И., Коротков П.А., Фелинский Г.С. Диэлектрические свойства нецентросимметричных кристаллов и их связь с комбинационным рассеянием света.- Квантовая электроника, 1981, 21, с. 49-64.

97. Кондиленко И.И., Коротков П.А., Фелинский Г.С. Дисперсионный анализ диэлектрической проницаемости нецентросимметричных кристаллов по спектрам КР.- Оптика и спектроскопия, 1982, 3, с. 564-567. связи.- Изв.БУЗов. Радиоэлектрони98. Коротков П.А., Фелинский Г.С. Исследование механизма линейного электрооптического эффекта методами спектрсколии. Квантовая электроника, 1982, вып.22-, с. 66-80.

99. Коротков П.А., Клименко В.А. Эффективные сечения КР полярных фононов иодата лития.- У Ж 1983, 28, J 2, с.205-208, Ф

100. Вортшнин А.Б., Фелинский Г.С. Измерение акустических параметров преобразователя П В методом лазерного зондирования.А ИзБ.ВУЗов ШиССО СССР. Радиоэлектроника, 1982, 25, 12, с. 33-38.

101. Фелинский Г.С. Распределение электрического поля в компланарных электродных системах.- Изв.ВУЗов ШиССО СССР. Радио102. Клименка В.А., Коротков П.А., Фелинский Г.С. Исследование угловой дисперсии частот оптических фононов в спектре КР ниобата лития.- Оптика и спектроскопия, 1983, 54, 3, с. 476-481.

103. Коротков n.A.j Фелинский Г С Влияние полуширины фононных линий КР на определение электрооптических и нелинейных (ГВГ) коэффициентов. В кн. Тезисы докладов, совещания по спектроскопии КР (Шушенское, 24-28 мая 1983 г Красноярск, 1983, с, 174-175.

104. Коротков П.А., Фелинский Г С Исследование диэлектрических и нелинейных свойств нецентросимметричных кристаллов методами КР света. В сб. "Спектроскопия: молекул и кристаллов", Киев, "Наукова думка", 1983, с. 56-65.