Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10,6 МКМ тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I.СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ПРИРОДЕ ОПТИЧЕСКОГО

ПРОБОЯ В ОБЪЕМЕ ТВЕРДЫХ ПРОЗРАЧНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ

ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).

ГЛАВА 2.МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1.Установка для исследования рассеяния, свечения и структуры очагов разрушения при воздействии на щелочно-галоидные кристаллы импульсов лазерного излучения -Лг=Ю,6мкм.

2.1.1.Методика измерения рассеяния.

2.1.2.Me то дика исследования вспышек свечения.

2.1.3.Методика исследования структуры очагов разрушения.

2.2.Установка для измерения коэффициентов поглощения щелочно-галоидных кристаллов в области 10,6мкм калориметрическим методом.

2.3.Измерение фотолюминесценции щелочно-галоидных кристаллов.

2.4.Исследование состава и структуры поглощающих не-однородностей электронномикроскопическим методом.

2.5.Установка для исследования триболюминесценции щелочно-галоидных кристаллов.

2.6.Оценка концентрации и размеров поглощающих неоднородностей и порогов оптического пробоя.

ГЛАВА 3.ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ, СОПРОВОЖДАЮЩИХ ОПТИЧЕСКИЙ

ПРОБОЙ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ИМПУЛЬСАМИ ЛА

ЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ -А =10,6 МКМ.

3.1.Сопоставление оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов с порогами оптического пробоя в области Юмкм.

3.1.1.Поглощение в области 10,6мкм.

3.1.2. Фо толюминесценция.

3.1.3.Пороги пробоя и концентрация поглощающих неодно родностей.

3.2.Влияние центров окраски на оптические свойства и пороги пробоя щелочно-галоидных кристаллов в области 10,6мкм.

3.3.Исследование структуры очагов разрушения и кинетики свечения щелочно-галоидных кристаллов при воздействии импульсов лазерного излучения a s=I0,6mkm.

3.4.Сопоставление кинетики роста рассеяния и интенсивности свечения в щелочно-галоидных кристаллах при воздействии импульсов лазерного излучения А =10,6мкм.

3.5.Исследование скорости роста очагов микроразруше^ ний в щелочно-галоидных кристаллах при воздействии импульсов лазерного излучения А «Ю.бмкм.

Выводы к главе 3.

ШВА 4.ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ И СОСТАВА ПОГЛОЩАЮЩИХ НЕ0ДН0

Р0ДН0СТЕЙ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ.

4.1.Исследование структуры и состава поглощающих неоднородноетей в щелочно-галоидных кристаллах электронномикроскопическим методом.

4.2.Анализ спектральных зависимостей вспышек свечения в объеме щелочно-галоидных кристаллов при воздействии импульсов лазерного излучения

A s=I0,бмкм. НО

Выводы к главе 4.

ШВА 5.ИССЛЕДОВАНИЕ ТРИБОЛКМИНЕСЦЕНЦИИ ЩЕЛ0ЧН0-ГАЛ0ИДНЫХ

КРИСТАЛЛОВ.

5.1.Исследование спектра триболюминесценции

5.2.Кинетика вспышек триболюминесценции в различных областях спектра.

5.3.Локализация свечения различного спектрального состава при триболюминесценции Afo Сб.

Выводы к главе 5.

В настоящее время проблеме оптического пробоя уделяется очень большое внимание. Среди объектов исследования в первую очередь представляют интерес материалы, используемые в квантовой электронике для изготовления элементов лазерных систем, поскольку обычно на практике оптической прочностью элементов ограничивается предельно достижимая мощность лазеров. Несмотря на то, что щелочно-галоидные кристаллы широко известны, как наиболее перспективные материалы для окон лазеров среднего ИК диапазона, включая и такие широко распространенные устройства, как лазеры на COg, изучение оптического пробоя в них далеко от завершения. Дело в том, что большинство работ, посвященных исследованиям в этом направлении, проводилось на единичных, специально отобранных кристаллах с целью изучения собственных механизмов разрушения, реализующихся в чистых диэлектриках при острой фокусировке лазерного излучения. Указанным '.условиям воздействия обычно соответствуют предельные для данного материала значения порогов пробоя, которые в области ГОмкм составляют 10-^-10^ Вт/см^. Проблемы, связанные-с экспериментальными и теоретическими исследованиями механизмов собственного пробоя, представляющие несомненный научный интерес, далеки, однако, от реальных потребностей прикладной оптики, которая испол-льзует серийные кристаллы промышленного изготовления, обладающие в условиях воздействия слабосфокусированных пучков лазерного излучения порогами пробоя на несколько порядков ниже предельных.

В настоящее время надежно установлено, что к снижению порога пробоя в реальных кристаллах приводит наличие неоднородностей, поглощающих лазерное излучение. В связи с этим, и механизмы пробоя в таких материалах отличаются от механизмов пробоя в чистых диэлектриках. За период многолетней деятельности по изучению оптического пробоя накопилось огромное число экспериментальных данных, подтверждающих роль поглощающих неоднородностей в процессах разрушения. В последнее время было предложено несколько теоретических моделей, объясняющих оптический пробой в объеме реального диэлектрика присутствием поглощающих частиц малого размера ~ (10""®-10"""^) см, и получены косвенные экспериментальные доказательства, не противоречащие предложенным моделям. Несмотря на это, вопрос о составе, свойствах и размерах неоднородностей, инициирующих в данных условиях воздействия лазерного излучения оптический пробой прозрачного диэлектрика, за редким исключением на сегодняшний день остается открытым. Все сказанное в полной мере относится и к щелочно-галоидным кристаллам, для которых до постановки настоящей работы не было конкретных сведений о природе неоднородностей, в связи с чем и выбор той или иной теоретической модели для описания оптического пробоя этих материалов, которые по своим свойствам отличаются от таких наиболее изученных объектов, как стекла и полимеры, не представлялся достаточно обоснованным.

Все это определило постановку настоящей работы, целью которой явилось исследование особенностей развития оптического пробоя в объеме промышленных щелочно-галоидных кристаллов Noct, ксе , К/3/* импульсами лазерного излучения Л=10,6мкм и изучение природы и состава поглощающих неоднородностей, инициирующих пробой. Эксперименты по исследованию пробоя проведены при плотности мощности лазерного излучения Cj, ~ Ю^Вт/см^, соответствующей образованию в объеме кристаллов очагов микроразрушений размерами Ю-50мкм. Диаметр эффективного пятна воздействия составлял 0,1 - 1мм, длительность импульса генерации - 1-2мкс по основанию. Предполагалось, что полученные результаты позволят уточнить модель оптического пробоя щелочно-галоидных кристаллов с поглощающими неоднородностями и предложить пути повышения порогов пробоя промышленных кристаллов в области Юмкм.

В ходе проведения исследований большинство экспериментальных результатов получено впервые. Среди них можно отметить следующие:

1. Показано, что, исключая-отбор чистых кристаллов, измерения оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов, определяемых общим содержанием примесей, не могут быть использованы в качестве прогнозирования порогов их оптического пробоя.

2. Экспериментально доказало, что оптический пробой промышленных щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения. Л = 10,6мкм инициируется неоднородностями, в состав которых входят примеси, способные образовывать в этих кристаллах кислородсодержащие соединения, сильно поглощающие в области Юмкм. Определен элементный состав, размеры и концентрации таких неоднородностей.

3. Определена последовательность процессов развития оптического пробоя щелочно-галоидных кристаллоы с поглощающими неоднородностями импульсами лазерного излучения -Л=10,6мкм: начальная стадия пробоя включает в себя нагрев поглощающих неоднородностей до температуры, не превосходящей ~Ю00С, и хрупкое растрескивание материала, сопровождаемое вспышкой свечения и ростом рассеяния. Показано, что характер свечения находит непротиворечивое объяснение в рамках механизма, сходного с триболюминесценцией щелочно-галоидных кристаллов.

4. Показано, что основной рост рассеяния (в Ю-Ю0раз), обусловленный возникновением в объеме кристаллов очагов микроразрушений п размерами 10-50мкм, соответствует во времени (обычно 2*10 -2'ICT^c от начала воздействия импульса А =10,6мкм) наибольшей интенсивности вспышек свечения. Кинетика роста рассеяния и интенсивности свечения объясняется с точки зрения триболюминесцентной природы свечения ростом трещин вблизи поглощающих неоднородностей, нагреваемых лазерным излучением.

5. Показано, что особенность возбуждения триболюминесценции при разрушении кристаллов импульсами лазерного излучения по сравнению с традиционным способом механического разрушения состоит в том, что в первом случае возбуждаются преимущественно линии примесей, образующих поглощающие неоднородности, а во втором - линии элементов, входящих в состав кристаллической решетки и атмосферы, окружающей кристалл.

Практическая ценность работы, продиктованная насущными потребностями силовой оптики, не вызывает сомнений. В ходе проведенных исследований:

1. Предложен метод определения элементного состава поглощающих неоднородностей по результатам анализа спектральных зависимостей свечения, сопровождающего оптический пробой. Метод позволяет исследовать непомредственно те неоднородности, которые определяют величину порога пробоя прозрачного диэлектрика в данных условиях воздействия лазерного излучения.

2. Предложены пути повышения порогов пробоя промышленных ще-лочно-галоидных кристаллов в области Юмкм, предполагающие снижение концентрации примесей г , о , to. V л Si (особенно JY ) и принятие мер по их более равномерному распределению по объему кристалла в процессе его выращивания.

3. Предложен простой метод испытаний прозрачных диэлектриков, содержащих поглощающие неоднородности, позволяющий из зависимости среднего числа микроразрушений от плотности мощности лазерного излучения определять величину порога оптического пробоя к концентрацию поглощающих неоднородностей, инициирующих пробой в условиях проводимого эксперимента.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Чистые щелочно-галоидные кристаллы с малым коэффициентом объемного поглощения на А= 10,6мкм, близким к решеточному многофо-нонному поглощению, обладают высоким порогом оптического пробоя (для NaCC 9-4-I09Bt/cm2). Промышленные щелочно-галоидные кристаллы с большим количеством примесей обладают относительно низким порогом пробоя, причем его величина не обнаруживает корреляции с общей концентрацией примесей, а определяется степенью отличия распределения поглощающих примесей от однородного (поглощающие неоднородности). Поэтому, исключая отбор чистых кристаллов, измерения оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов не могут быть использованы в качестве прогнозирования порогов их оптического пробоя.

2. В состав неоднородностей, инициирующих оптический пробой промышленных щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения Л - Ю,6мкм входят примеси Р , S , ^е t V и Si (последний особенно часто), способные образовывать в щелочно-галоидных кристаллах кислородсодержащие соединения, сильно поглощающие в области Юмкм. Преимущественные размеры таких неоднородностей составляют I-Змкм, а их концентрации в большинстве случаев находятся в пределах Ю4-Ю5см~3.

3. Начальная стадия оптического пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения у\=Ю,6мкм включает в себя

-ГОнагрев поглощающих неоднородностей до температуры, не превосходящей I000C, и хрупкое растрескивание материала, сопровождаемое вспышкой свечения и ростом рассеяния. Характер свечения находит непротиворечивое объяснение в рамках механизма, сходного с триболюминес-ценцией щелочно-галоидных кристаллов и не соответствует представлениям о свечении, как излучении теплового источника с температурой в несколько тысяч градусов.

4. Особенность возбуждения триболюминесценции импульсами лазерного излучения при растрескивании кристаллов вблизи нагреваемых поглощающих неоднородностей состоит в том, что возбуждаются преимущественно линии элементовt входящих в состав поглощающих неоднородностей, тогда как при традиционном способе возбуждения под действием удара в основном происходит возбуждение линий элементов, образующих кристалличнскую решетку и окружающую кристалл атмосферу.

5. Основной рост рассеяния (в 10-100 раз), обусловленный возникновением в объеме кристаллов очагов микроразрушений размерами 10-50мкм, соответствует во времени (обычно 2•10"''' - 2*10"^ с от начала воздействия импульса Л - 10,6мкм) наибольшей интенсивности вспышек свечения и подтверждает взаимосвязанность обоих процессов. Кинетика роста рассеяния и интенсивности свечения объясняется с точки зрения триболюминесцентной природы свечения ростом трещин вблизи поглощающих неоднородностей, нагреваемых лазерным излучением.

Первая глава диссертации посвящена анализу современных представлений о природе оптического пробоя в объеме твердых прозрачных диэлектриков. Во второй главе приведена методика измерений. В третьей главе сопоставлены результаты измерений оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов с величиной порогов оптического пробоя в области ГО,6мкм. Там же приведены результаты исследования процессов, сопровождающих оптический пробой щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения 10,6мкм: кинетики свечения, скорости роста размеров очагов микроразрушений и обусловленного их появлением роста рассеяния. Четвертая глава посвящена изучению природы и состава поглощающих неоднородностей, инициирующих оптический пробой щелочно-галоидных кристаллов в области ГОмкм. В пятой главе приведены результаты исследований особенностей триболюми-несценции щелочно-галоидных кристаллов, возбуждаемой механическим воздействием. В приложении описан простой метод испытаний прозрачных диэлектриков, позволяющий из зависимости среднего числа микроразрушений от плотности мощности лазерного излучения определять величину порога оптическогопробоя и концентрацию поглощающих неоднородностей, инициирующих пробой в условиях проводимого эксперимента.

Основные результаты, полученные в работе, и выводы кратко могут быть сформулированы следующим образом:

1. С целью поиска методов прогнозирования порогов оптического пробоя промышленных щелочно-галоидных кристаллов в области 10,6 мкм с величиной порога пробоя сопоставлены оптические характеристики кристаллов, определяемые общим содержанием примесей (поглощение в области 10,6; мкм, рассеяние в области 0,63 и 10,6 мкм, фотолюминесценция в видимой области). Исследования проведены в широкой обласр л т ти значений коэффициента поглощения (10 -10 )см и порогов пробоя (Ю^-Ю*®) Вт/см2» Обнаружено, что чистые щелочно-галоидные кристаллы с малым коэффициентом объемного поглощения на Л= Ю,6мкм, близким к решеточному многофононному поглощению, обладают высоким порогам оптического пробоя (для NqC€ 4-109 Вт/см2). Щелочно-галоидные кристаллы с большим количеством примесей обладают низким порогом пробоя, причем его величина не коррелирует с общей концентрацией примесей, а определяется степенью отличия распределения поглощающих примесей от однородного (поглощающие неоднородности). Показано, что, исключая отбор чистых кристаллов, измерения оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов не могут быть использованы в качестве прогнозирования порогов их оптического пробоя.

2.Проверено влияние агрегатов центров окраски и коллоидов щелочного металла на изменение оптических свойств и порогов оптического пробоя щелочно-галоидных кристаллов. Показано, что поглощающие неоднородности, каковыми являются центры окраски и коллоиды, непричастны к процессам оптического пробоя щелочно-галоидных кристаллов в области использованных значений длительности импульса лазерного излучения.

3. Исследован элементный состав неоднородностей в промышленных щелочно-галоидных кристаллах и состав очагов микроразрушений, образующихся при воздействии на кристаллы импульсов лазерного излучения 10,6 мкм. Показано, что оптический пробой щелочно-галоидных кристаллов инициируется неоднородностями, в состав которых входят Р , S , te , У и ^ (последний наиболее часто), способные образовывать в щелочно-галоидных кристаллах кислородсодержащие соединения, сильно поглощающие в области 10 мкм. Показано» что преимущественные размеры таких неоднородностей составляют 1-3 мкм, а их концентрации в большинстве случаев находятся в области Ю4-Ю5 см"3.

4. Определена последовательность процессов развития оптического пробоя щелочно-галоидных кристаллов с поглощающими неодно-родностями: начальная стадия пробоя включает в себя нагрев поглощающих неоднородностей до температуры, не превосходящей ^ I000G, и хрупкое растрескивание материала, сопровождаемое вспышкой свечения и ростом рассеяния. Дальнейшее поглощение энергии лазерного излучения вплоть до конца импульса может сопровождаться плавлением и более интенсивным растрескиванием матрицы вблизи неоднородности.

5. Исследовано свечение, сопровождающее оптический пробой щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения

Ю,6 мкм плотностью мощности ^ 107 Вт/см^, соответствующей образованию в объеме кристаллов очагов микроразрушения размерами 10-50 мкм. Исследованы спектральные зависимости свечения в области 300-1100 нм. Анализ спектральных зависимостей показывает, что ряд максимумов в спектрах свечения может быть сопоставлен линиям излучения элементов, составляющих кристаллическую решетку ( Nq % К , С£ , ЬР ) и элементов, образующих поглощающие неоднородности ( Р , Si , $ , V ). На примере кремния показано, что методом анализа спектров свечения можно определять состав тех неоднородностей, которые инициируют оптический пробой прозрачного диэлектрика в условиях проводимого эксперимента. Подобие кинетики вспышек свечения в различных областях спектра (400 и ITOOhm) при их длительностях (5-15мкс), существенно превышающих длительность лазерного импульса (1-2мкс), нерегулярные изменения интенсивности на спаде вспышек свечения, низкие температуры нагрева поглощающих неоднородностей к началу вспышки и характер спектральных зависимостей находят непротиворечивое объяснение в рамках механизма свечения, сходного с триболюминесценцией щелочно-галоидных кристаллов и не соответствуют представлениям о свечении, как излучении теплового источника с температурой в несколько тысяч градусов.

6. Сопоставлена кинетика роста рассеяния, обусловленного возникновением очагов микроразрушений, и интенсивности вспышек свечения в течение времени Qr?l мин от начала воздействия импульса лазерного излучения У1 = Ю,6мкм. Показано, что основной рост рассеяния (в IQ-ЮОраз) соответствует во времени (обычно 2»Ю~7 - 2'КГ*6 с) наибольшей интенсивности вспышек свечения и подтверждает взаимосвязанность обоих процессов. Кинетика роста рассеяния и интенсивности свечения объясняется с точки зрения триболюминесцентной природы свечения ростом трещин вблизи поглощающих неоднородностей, нагреваемых лазерным излучением.

7. Исследована триболюминесценция щелочно-галоидных кристаллов, возбуждаемая механическим ударом. Впервые с высоким для такого рода исследований спектральным разрешением (/М=о,7нм) зарегистрирован спектр триболюминесценции /VflC^ в области 300-600 нм. Показано, что в УФ области спектр полностью совпадает со спектрами, приводимыми в литературе и со спектром излучения разряда в азоте. Отличительной особенностью спектра является наличие в видимой области ярковыра-женных Я) -линий натрия. Полученный результат можно рассматривать в качестве экспериментального подтверждения участия в процессах возбуждения триболюминесценции щелочно-галоидных кристаллов элементов, входящих в состав кристаллической решетки.

Обнаружено, что трещины, образующиеся вблизи поверхности и в объеме разрушаемого механическим ударом NqC£ имеют различные спектры свечения. Показано, что первые обеспечивают основной вклад в УФ область спектра триболюминесценции, обусловленную полосами , а вторые являются основным источником излучения в видимой области на линиях натрия.

8. Исследованы особенности возбуждения триболюминесценции импульсами лазерного излучения при растрескивании кристаллов вблизи нагреваемых поглощающих неоднородностей и при традиционном способе возбуждения под действием удара.Путем сопоставления спектров свечения показано, что в первом случае возбуждаются преимущественно линии элементов, входящих в состав поглощающих неоднородностей, а во втором - в основном происходит возбуждение линий элементов, образующих кристаллическую решетку и окружающую кристалл атмосферу.

9. Предложен и опробован простой метод испытаний прозрачных диэлектриков, содержащих поглощающие неоднородности, позволяющий из зависимости среднего числа микроразрушений от плотности мощности лазерного излучения определять величину порога пробоя и концентрацию поглощающих неоднородностей, инициирующих пробой в условиях проводимого эксперимента. Предложенный метод позволяет в несколько раз сократить затраты времени и материала на производство измерений по сравнению с обычно используемым для этой цели статистическим мето

3 - i дом. Метод применим при условии f0 У С , где Ро - радиус эффективного пятна воздействия, а С - концентрация поглощающих неоднородностей. х х х

В заключение автор выражает благодарность своему научному руководителю В.Н.Смирнову за помощь, которую он оказывал при выполнении настоящей работы. Автор благодарен также А.м.Бонч-Бруевичу, Я.А.Ок-сману, М.Н.Либенсону и В.Л.Комолову за постоянное внимание и интерес к работе.

ЗАКЖИЕНИЕ

1. Chiao R.Y., TowneS С. H.f Stoichef-f Д A StimuBated fbnctCown scattering and coherent generation of- intense hypersonic waves, Phys. /?ei/. i964t Vfl, NZi, p. 592-595'.

2. Балькявичус П.И., Кисенко Е.К., Лукошюс И.П., Малдутис Э.К. Исследование влияния ВРМБ на объемное разрушение оптических стекол. Квантовая электроника, 1978, т.5, $9, с.2032-2034.

3. Бункин Ф.В., Прохоров A.M. Роль многофотонных процессов в установлении предельной мощности квантовых генераторов. ЖЭТФ, 1965, т.46, М, с. 1084-1086.

4. Днепровский B.C., Клышко Д.Н., Ленин А.Н. Фотопроводимость диэлектриков под действием излучения лазера. Письма в ЖЭТФ, 1966, т.З, ЩО, с.385-389.

5. Беликова Т.П., Свириденков Э.А.Фотопроводимость рубина при мощном облучении рубиновых ОКГ. Письма в ЖЭТФ, 1966, т.З, №10, с. 394-396.

6. Зверев Г.М., Михайлова Т.Н., Пашков В.А., Соловьева Н.М. 0 механизмах разрушения рубина и лейкосапфира мощным лазерным излучением. ЖЭТФ, 1967, т.53, №6, с.1849-1857.1. „ Келдыш Л.В. Ионизация в поле сильной световой волны. -ЖЭТФ, т.47, т, с. 1945^1957.

7. Белозеров С.А., Зверев F.M., Наумов B.C., Пашков В.А. Разрушение прозрачных диэлектриков под действием излучения лазера с синхронизацией мод. ЖЭТФ, 1972, т.62, Щ, с.294-299.

8. Вьюков Л.А., Лохов Ю.Н., Фивейский Ю.Д. К теории разрушения прозрачных диэлектриков гигантским импульсом QKT. ФХОМ, 1969, №4, с.3-9.

9. Вьюков Л.А., Лохов Ю.Н., Фивейский Ю.Д. Разрушение оптически прозрачных диэлектриков сфокусированным излучением ОКГ. ФХОМ, 1970, №4, с.142-144.

10. Андреев В.Г., Уляков П.И. Термоупругое разрушение прозрачных сред излучением оптических квантовых генераторов. ИФЖ, 1968, т.15, гёб, с. 1093-10 99.

11. Андреев В.Г., Уляков П.И. Термоупругие напряжения в пластине с произвольным по времени цилиндрическим источником. ФХОМ, 1973, №1, с.27-31.

12. Бонч-Бруевич A.M., Имас Я.А., Комолов B.C., Салядинов B.C., Смирнов В.Н. Характер поглощения и разогрева оптического стекла при воздействии квазинепрерывного импульса излучения неодимового ОКГ.- ЖТФ, 1975, т.45, №5, C.III7-II2I.

13. Каск Н.Е., Корниенко Л.С., Радченко В.В., Федоров Г.М., Чо-порняк Д.Б. Воздействие лазерного излучения миллисекундной длительности на радиационное окрашенное стекло К-8. Квантовая электроника, 1976, т.З, №, с.1570-1576.

14. Зверев Г.М., Левчук Е.А., Малдутис Э.К. Разрушение кристаллов КДР, АДР и Liпод действием интенсивного лазерного излучения. ЖЭТФ, 1969, т.57, №3, с.730-735.

15. Ковалев А.А., Макшанцев Б.И., Мульченко Б.Ф., Пилипецкий Н.Ф. Зависимость порога разрушения органического стекла от длительности воздействия ОКГ и размеров облучаемой зоны. ЖЭТФ, 1976, т.70,1, с.132-140.

16. Алешин И.В., Бонч-Бруевич A.M., Имас Я.А., Комолов В.Л. Вероятность оптического пробоя поверхности стекла. ЖТФ, т.45,1. Щ, с.1264-1267.

17. Анисимов С.И., Комолов В.Л. Оптический пробой компенсированных полупроводников. ФГТ, 1974, т. 16, J£2, с.575-776.

18. Волкова Н.В., Лихачев В.А., Степанов М.И., Шестопалов Л.М. Исследование механизма оптического разрушения монокристаллов фтористого лития. ЗТТ, 1967, т.9, №3, с.778-783.

19. Голубев B.C., Снопко В.Н. Разрушение прозрачных диэлектриков под действием излучения С02 лазера. ФГТ, 1977, т.19, ЖЕ,с.293-296.

20. Zl.Apostoe Zfr Hi hoi бе icu I. N.f A/istor L.C.f Teo-donescu V.S. Electron microscopy study of thz damages f produced in /TCP By tea C0Z €cisen irr о of Lotions . - Roum. PhyS.f 197lt Y22f AfQtp. 211 212.

21. Агранат М.Б., Новиков Н.П., Перминов В.П.г Ямпольский П.А., Некоторые вопросы начального этапа развития лазерного разрушения в полиметилметакрилате. Квантовая электроника, IS76, т.З, ЩО, с.227 9-2281.

22. Fradin £>. U/.y Явоетвепдеп Ж bete tier У. P. dependence of Cqser- induced GreaKdown fieZd strength on pu€ie durationАррв. Phys.L<?tt.t -/973/ V22, N1Zt p. вЪ5- 63 7.

23. Всеволодов Н.Н., Новиков Н.П., Юдин Ю.И. Специфика развития разрушений в прозрачных полимерах при воздействии мощного светового излучения. Механика полимеров, 1967, №6, с.1035-1042.

24. Вунцевич И.Л., Мулъченко Б.Ф., Пилипецкий Н.Ф., Супонин В.И. Поглощение света и развитие лазерной трещины. Механика полимеров, ЮТ, №3, с.409-412.

25. Мадорский С.С. Термическое разложение органических полимеров. М., Мир, 1967, -328с.

26. Hopper A.W.j tihemon ® /Чес-hQnism of- спсвг/sion damage in €ctsen gtass. X Appe. PAvs., 1970, Vbi, NiO, p. b023 - 4037.

27. Смирнов B.H., Смирнов Вл. H. Анализ характера напряженного состояния прозрачного диэлектрика, обусловленного нагревом поглощающих включений импульсами лазерного излучения. ЖТФ, 1978, т.48, №4, с.860-863.

28. Данилейко Ю.К., Маненков А.А., Нечитайло B.C. Роль поглощающих включений в механизме разрушения прозрачных диэлектриков лазерным излучением. ЖЭТФ, 1972, т.63, №3, с.1030-1035.

29. Анисимов С.И., Макшанцев Б.И. Роль поглощающих неоднородностей в оптическом пробое прозрачных сред. ФГТ, 1973, т.15, №4, с. 1090-1095.

30. Кондратенко П.С., Макшанцев Б.И. О распространении волны поглощения ОКГ в твердом прозрачном диэлектрике. -ЖЭТФ, 1974, т.66, №5, с.1734-1739.

31. Макшанцев Б.И., Кондратенко П.С., Гандельман Г.М. Роль поглощающих неоднородностей в развитии лавинной ионизации. ФГТ, 1974, т.16, Ж, с.173-178.

32. Каск Н.Е., Радченко В.В., Федоров Г.М., Чопорняк Д.Б. Оптический разряд в стекле. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, ЖГЗ, с.775-778.

33. Зеликин Н.В., Каск Н.Е., Радченко В.В., Федоров Г.М., Федорович О.В., Чопорняк Д.Б. Наблюдение волны поглощения в прозрачных диэлектриках. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, №21, с.1296-1300.

34. Трибельский М.И., Гросберг А.Ю. О нагреве лазерным излучением прозрачной среды со случайными поглощающими неоднородностя-ми» -ЖЭТФ, 1975, т.68, №3, c.IQ60-I065.

35. Трибельский М.И. Об оптическом пробое прозрачных сред со случайными неоднородностями. Квантовая электроника, 1976, т.З, Ш, с.2374-2383.

36. Трибельский М.И. О статистических характеристиках процесса нагрева лазерным излучением прозрачной среды со случайными поглощающими включениями. ЖЭТФ, 1977, т.72, Щ, с.326-328.

37. Либенсон М.Н. Плазменно-химическая модель оптического про;-боя прозрачных диэлектриков. Письма в ЖГФ, т.З, №10, с.446-450.

38. Бломберген Н. Электрический пробой в твердых телах под действием лазерного излучения. Квантовая электроника, 1974, т.1, М, с.786-805.

39. Карлов Н.В., Кузьмин Г.П., Прохоров A.M. Тепловая самофокусировка и пробой в кристаллах NaCe, квг к м под действием излучения С02 лазера. Письма в ЖЭТФ, 1970, т.12, W, с.363--366.

40. AS,YQ^6ono\/itch Е. OpticaC die€ectric strength of otfioZL- /?a£ide crysto6s, obtained <?y Coser- incfuceat

41. GneaKdown. -Appt Phvs. Aett 1971, V19t л/Н,

42. Fradin Ъ. VJ.t YoZZonoi/Ctch £.t fiqss M. Confer motionof on electron avaBctnche cousinq Cq sen -inc/исес/ 6и€кdamage at lt06 /itт.- Appe.Opt.t i97b, t//Z, N4, p.7oo- 709.

43. FradCn <b.W.t fictss M. Eeectron avaeanche вгеак-downt induced Sy puGy -dozen €iyht. Аррб. PAvS- Aett.,197Ъ, l/22, N5, />. 206 zii.

44. FradCn <b. w. VaieonoK/Ltcfy E. Aoter-induced damage in opticae materio6s MS Spec. Pu8Z.f 1972.,1. Vb?zt p.Z7- Ъ5~.

45. G-LueCano С.ЯЧ АвСеп frraunstein M., Wang V.1.ser induced damage in optica в matenictts. A/fbS Spec. Pu£e.f p.6G-7f.

46. Алешин И.В., Домань A.A., Имас Я.А. Оптический пробой стекол при острой фокусировке лазерного излучения. Письма в ЖТФ, 197£ т.4, М4, с.861-864.

47. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Епифанов А.С. Лазерное разрушение щелочно-галоидных кристаллов. ЖЭТФ, 1277, т.72, №3, c.II7I-II8I.

48. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Епифанов А.С., Маненков А.А., Прохоров A.M., Сидорин А.В. Влияние УФ подсветки на пробой щелоч-но-галоидных кристаллов излучением С02 лазера. Квантовая электроника, 1981, т.8, ЖГ, с.155-156.

49. Епифанов А.С., Маненков А.А., Прохо.ров A.M. Частотная и температурная зависимости лавинной ионизации в твердых телах под действием электромагнитного поля. Письма в ЖЭТФ, 1975, т.21, Ш,с.483-486; ЖЭТФ, 1976, т.70, №2, с.728-737.

50. GiuCiano C.A.f Магвunpen УYaniyA. Enhancement of see/-- fotusinp tAres/jo€d in sap/fire with teeipticaC £ earn s. Appe. P/>vs. kett.t 197^ VZY Л/Х, p. - €1.

51. G-itteri 1 Lachamter tL. Rheau€t F. Fnrtin R./ /fiynamccs of- C02 atmospheric pressure Casen u/t U transverse puBse excitation. - Cam. * Phys., 1971, v3Ot Ы20) p. Z5~ZZ -ZS2Z.

52. Алешин И.В., Имас Я.А., Комолов В.Л. Оптическая прочность слабопоглощающих материалов. ЛДНТП, серия - Прогрессивные методы обработки конструкционных материалов. -Л; 1974.

53. Агафонов В.Г., Валов П.М., Рывкин Б.С., Ярошецкий И.Д. Фотоприемники на основе увлечения светом носителей тока в полупроводниках. ФШ, 1973, т.7, М2, с.2316-2325.

54. Физический энциклопедический словарь, 1983, М., "Советская энциклопедия", -555с.

55. HordK/Ск A. Measurement technique s for srna€€

56. Sorption coefficient s recent adt/anse s . App-C. Opt. 19771 /16, Л/11, p. 2*17- 28ЪЪ.66. tfass M. ftavt'sso/7 y.W.t fiosenstoCK Н.ГЬ., fbotiz

57. Ki У. Measurement of t/eny aisonpt Con соefficients 6У Ccts.tr catonimetry. Appt- °pt.f197S I/1Ь, А/Г, p. 112.9 1130.67. /Oass M. /domett H. LOZZP -cnduceof Ыатау*ppota it €i ty at 1 об ptm and о 69 purr?. AppC. Opt.f </1%, to*/, p 69o-$99.

58. Алешин И.В., Бонч-Бруевич A.M., Зинченко В.И., Имас Я.А., Комолов В.Л. Влияние на развитие оптического пробоя прозрачных диэлектриков распределения поглощающих неоднородностей в пределах облучаемого пятна. ЖТФ, 1973, ЖГ2, с.2625-2629.

59. Бессараб А.В., Кормер С.Б., Павлов Д.В., Фунтиков А.И. Статистический закономерности поверхностного разрушения стекла поддействием широких пучков лазерного излучения. Квантовая электроника, 1977, т.4, №2, с.328-334.

60. Крутякова В .П., Смирнов В.Н. Оценка концентрации поглощающих неоднородностей и порогов оптического пробоя в объеме прозрачного диэлектрика. ЖТФ, 1983, т.53, №3, с.534-537.

61. Карлов Н.В., Сисакян Е.В. Оптические материалы для СО^ лазеров. Известия АН СССР, серия физическая, 1980;, т.44, J&3, с.1631-1638.

62. Артеиъев В.В., Бонч-Бруевич A.M., Свечников М.Б. Корреляция лучевой прочности и концентрация микронеоднородностей диэлектрических покрытий. ЖТФ, т.48, Ш, с.2566-2569.

63. Леонов Р.К., Захаров С.И., Дмитриева И.А., Гандельман Г.М. Методы исследования роли поглощающих микровключений в разрушении прозрачных диэлектриков лазерным излучением. I. Пассивные методы. -Квантовая электроника, 1978, т„5, Щ, с.1279-1290.

64. Имас Я.А. Оптический пробой прозрачных диэлектриков. Препринт ЩЗ, Академия Наук БССР, Институт тепло- и массообмена, Минск, 1982.

65. Данилейко Ю.К., Маненков А.А., Нечитайло B.C., Хаимов-Маль-ков В.Я. Нелинейное рассеяние света на малых неоднородностях в кристаллах корунда. ЖЭТФ, 1970, т.59, ЖЮ, с. 1083-1090.

66. Пилипецкий Н.Ф., Макшанцев Б.И., Ковалев А.А., Агранат М.Б., Голубцов А.А., Саванин С.Ю., Стоник О.Г. Предпробойные оптическиеявления в твердых прозрачных диэлектриках при воздействии когерентного излучения. ЖЭТФ» IS79, т.76, 1ё6, с.2026-2038.

67. Ковалев А.А., Макшанцев Б.И., Дилипецкий Н.Ф., Саванин С.Ю., Стоник О.Г. Нелинейное рассеяние лазерного излучения на поглощающих микронеоднородностях в стекле ВК-8. Квантовая электроника, 1981, т.8, №2, с.427-430.

68. Ритус А.И. Спектрометр для исследования рассеяния Мандель-штамма-Бриллюэна с использованием техники счета фотонов и многократного цифрового накопления. Оптика и спектроскопия, 1975, т.39, №2, с.373-376.

69. Дарвойд Т.И., Ковалев Б.И., Лисицкий И.С., Миронов B.C., Файзуллов Ф.С. Исследование стойкости кристаллов КРС-6 и КРС-5 к воздействию излучения импульсного COg лазера. Квантовая электроника, 1978, т.5, с. 1043-1047.

70. Цирульник П.Н. Разработка технологических процессов выращивания кристаллов хлористого натрия с малым коэффициентом светорассеяния. Тезисы докладов на Vf Международной конференции по росту кристаллов, М., 1980, т.З, с.20*8-209.

71. Гагарин А.П., Глебов Л.Б., Докучаев В.Г., Ефимов О.М., Попова Л.Б., Толстой М.Н. Влияние поглощающих примесей на оптический пробой прозрачных диэлектриков. ЖТФ, 1982, т.52, №1, с.101-104.

72. Крутикова В.П., Смирнов В.Н. Спектры свечения в объеме ще-лочно-галоидных кристаллов, содержащих поглощающкз неоднородности, под действием импульсов излучения С02 лазера. 1ПС, 1980, т.32, т, с. 1002-1008.

73. M.Feannery M.t Sports М. EztrLnsL с adsorption in infrared €aser window /rjate/*co€ s /V/3S

74. Spec. Риве., 1977, vfog, р.5~2Ъ.

75. Ребане Л.А. Люминесценция примесной молекулы ОJ в щелочно-галоидных кристаллах. Труды ИФА All ЭССР, 1968, в.З, с. 14-15.

76. Волкова Н.В., Крутякова В.П., Смирнов В.Н., Цирульник П.Н. Исследование порогов оптического пробоя под действием импульсов COg лазера в щелочно-галоидных кристаллах с различными оптическими свойствами. Оптико-механич. промышленность, 1983, F7, с .1013.

77. Крутякова В.П., Смирнов В.Н. Влияние центров окраски на опVтические свойства и пороги пробоя щелочно-галоидных кристаллов под действием импульсов СО 2 лазера. Оптико-механич. промышленность, 1984, №2, с.23-26.

78. SchvCman 7. H.t Compton к/.Ю. CoBor centers on So € с els * Pencjamon Press t N. Y.t 1963

79. Виноградов Ан.В., Трибельский М.И. Роль коллоидных частиц в оптическом пробое щелочно-галоидных кристаллов. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, МО, с.595-598.

80. Kuzmany RLiter С.У. Interaction op hiyh power puBy-Baser Btqht puВses with metaB Co-B-Boids in transparent cpyctaBs.- J.AppB.phys. 1970, V4/, A///, p. 1G3Z 1C88.

81. Рогалин В.Е., Тшценко Н.А., Шаскольская М.П. О взаимодействии импульса ИК излучения с центрами окраски в NaCB . ЖТФ, 1980, т.50, №5, с, 1077-1079.

82. Yasojima Yt Inuishi Y. fffects о/ F-centers on Caser induced €rea/cdown in /СС€ single tnystats,-Phys. Aettt/ i97ft V34AI A/Z, р.К9-1ЪО.

83. Окитига. N.f Haruhisa F.f /Cat sum L Znuiihi Y. Ff-fects of У-pQy irradiat ion on optica в 'Srea/rdou/n of КСв single c,pysta6s.- Уар. У AppZ. Physv i976,1.15, A/11, p.Z259-22€0.

84. Upson H. G-.f U(/on P., Martin 7. у pffect of io/?i-tinq radiation on the io,6fum a 6 sorption of А С 6and NaCe. Phys. Stat. So-e. (a.) f V 37, t/Z,p. 5h7- 551.

85. Крутякова В.П., Смирнов В.Н. Исследование природы свечения щелочно-галоидных кристаллов под действием импульсов излучения с

86. А Ю,6мкм. - Письма в ЖТФ, IS76, т.2, №24, C.IIII-III4.

87. Harper W. ka%er- induceo/ damage in pfyss-es.-bnit. У Appe. Phys., 19&5. V161 N5-, p.75-1-75Z.

88. Беляев Л.М., Головистиков А.Н., Набатов В.Б. Разрушение ряда щелочно-галоидных кристаллов излучением ОКГ и оценка их оптической прочности. ФГТ, 1968, т.10, №12, с.3783-3735.

89. Беляев Л.М., Головистиков А.Н., Набатов В.В., Писаревс-кий Ю.В. Свечение кристаллов kiP под действием излучения ОКГ. -ЖПС, 1968, т.8, Ш, с.750-752.

90. ЮЗ. Лихачев В.М., Салманов В.М., Ярошецкий И.Д. Тепловое излучение прозрачных диэлектриков при разрушении их светом лазера. -ФГТ, 1968, т.10, с.290-292.

91. Беляев Л.М., Набатов В.В,, Писаревский Ю.В., Шалдин Ю.В. Триболюминесценция в кристаллах LiP при разрушении их лазерным лучом. Кристаллография, 1965, т. 10, №5, с.767-768.

92. OCnezs Ф. baser induced -GreaKdown in transparent c/ivteetnicz. У. App€. P/)V$.t 196et V 39, Ni, p. 6 - 2.

93. Новиков Н.П., Портнягин А.И. Допороговое свечение в поли-метилметакрилате (оргстекле). — ЖТФ, 1979, т.49, МО, с.2219-2223.

94. Spar/rs № ftuUeer С. X ffaony of in+naneotoB^onpi ion and materia € i-aiture cn cflystQC^containing one fusions. У. App€. P/?ys.t Y973 i!i/t/f N7; p. 30Ъ8 - 3045-.

95. Ю9. Cottreee a'.H. FAe Mechanicae Properties Mattzn. Wieteyt A/en, yor/rt 196110. ftupont H.t $>опъе€ A.t Ernest У. On €aser-indue ed 6reQKdovun and fracture in glasses. - App€.

96. P/JVS. Aett., 19 € 7t V11, N9, p.%71-Z7Z.

97. Крутикова В.П., Смирнов В.Н. Сопоставление кинетики роста рассеяния и вспышек свечения в щелочно-галоидных кристаллах под действием импульсов излучения СО2 лазера. ЖТФ, IS79, т.49, №12, с.2647-2651.

98. Крутикова В.П., Смирнов В.Н. Скорость роста очагов микроразрушений в щелочно-галоидных кристаллах под действием импульсов С02 лазера. ЖТФ, 1984, т.54, №2, с.323-326.

99. ИЗ. Aposto-e Apsenovocc к. С., МСЬасбегси Z. А/.,

100. Tatu V.S.t Teodonezcu VS. OptieoB rnicnoscopv stuoly of damage s, produced in КСв €y ТЕ A- Co z Casen ennoofia-tion. Rev. Roum. P/>yS 1976, N7, p.67i-G76.

101. U/СпкСеп S.f Sho/cey Ю.А., Cunnan Спас к propagation at sc/pensontc uetocitie$. Int. y. Fracture Mechanics., 197ot VB, NZ, p. 151- 159.

102. Гаврилов Б.Г., Куликов В.И., Педанов В.В. О разрушении прозрачных диэлектриков мощным лазерным излучением. Квантовая электроника, 1982, т.9, Ш, с.2226-2234.

103. Имас Я.А., Калугина Т.И., Крутикова В.П., Смирнов В.Н. Электронномикроскопическое исследование поглощающих неоднородностей в щелочно-галоидных кристаллах. Письма в ЖТФ, 1983, т.9,1. Ш, с. 129-133.

104. Крутикова В.П., Смирнов В.Н. 0 нетепловой природе свечения в объеме щелочно-галоидных кристаллов под действием импульсов излучения COg лазера. Квантовая электроника, 1981, т.8, №9, с.2017-2020.

105. AvlSopLs V.t FanninjtonT. Internet se- cfoma^-e of- ruty and Nd- cj€oss lasers. App€. P/?vs. Aett., 196S, V?t N8, p. Z05 - 2об.

106. Доладугина B.C., Королев H.B. О включениях в неодимовых стеклах. Оптико-механич. промышленность, 1968, $2, с.38-41.

107. Агранат М.Б., Красюк И.К., Новиков Н.П., Дерминов В.П., Юдин Ю.И., Ямпольский П.А. Разрушение прозрачных диэлектриков под действием лазерного излучения. ЖЭТФ, 1971, т.60, №5, с.1748-1755.

108. Агранат М.Б., Новиков Н.П., Юдин Ю.И. Центры зарождения видимых трещин разрушения при воздействии лазерного излучения. ®ГТ, 1970, т.12, №3, с.924-927.

109. Семенов А.А. Оптический пробой монокраиоталлов арсенида галлия и германия. Автореферат кандидатской диссертации, изд.ГОИ, 1982, -18с.

110. Акуленок Е.М., Данилейко Ю.К., Маненков А.А., Нечитайло B.C. Пискун А.Д., Хаимов-Мальков В.Я. К механизму разрушения кристаллов рубина лазерным излучением. Письма в ЖЭТФ, 1972, т.16, Щ, с.336-339.

111. Электронномикроскопические; изображения дислокаций и дефектов упаковки. Справочное руководство под редакцией Косевича В.М. и Палатина Л.А., М„, 1976, с.78-79.

112. Семилетов С.А., Кудрявцева Р.В., Овсецина А.Э. Скопления заряженных вакансий в монокристаллах природной каменной соли. Щ1,1870, т.12, №t с.2478-2480.

113. Корнфельд, М.И. Избыточные электрические заряды в щелочно-галоидных кристаллах, Ш, 1968, т. 10, 1£8, с.2422-2420.

114. Амелинкс С. Непосредственное наблюдение сеток дислокацийв монокристаллах каменной соли. сб. Проблемы современной физики. М., 1957, №9, с.40-56.

115. Накимото К. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений., Мир, М., 1966.

116. Данилейко Ю.К., Маненков А.А., Нечитайло B.C. 0 механизме теплового разрушения прозрачных материалов, обусловленном тепловым взрывом поглощающих неоднородностей. Квантовая электроника, 1978, т.5, М, с.194-195.

117. Молоцкий М.И, Ионно-электронный механизм механоэмиссии. -ФГТ, т.19, №2, с.642-644.

118. Алдошин М.И., Герасимов Б.Г., Маненков А.А., Нечитайло B.C. Определяющая роль вязкоупругих свойств полимеров в механике их лазерного разрушения. Квантовая электроника, 1979, т.6, №9, с.1866-1870.

119. Meyer К*, OiriKat Яо^ёепд М. Progress in tri€°euminescence о/ аекавс-and doped 2 in кtaQ>fiLde%:(I).-XPi*ti,ncl <Nt*n.tWOt N2 t.iti-MS.

120. Дерягин Б.В. Что такое трение, изд. АН СССР, 1952, -240с.

121. Кротова Н.А., Караоев В.В. Исследование электронной эмиссии при раскалывании твердых тел в вакууме. ДАН СССР, 1953, т.92, №3, с.607-610.

122. Воробьев Г.А., Еханин С.Г., Лебедева Н.И. Механизм свечения щелочно-галоидных кристаллов в сильных электрических полях. <ЕГТ, 1975, т.17, №5, с.1495-1496.

123. Воробьев Г.А., Еханин С.Г., Лебедева Н.И., Морев С.Н., Не-смелов Н.С. Лазерный эффект в каменной соли в сверхсильном электрическом поле. Письма в ЖГФ, 1975, т.1, №24, с.1126-1128.

124. Стриганов А.Г., Свентицкий H.G. Таблщы спектральных линий нейтральных и ионизованных атомов., М., Атомиздат, 1966.146. \AJoCton А-У. ?ri(>o€uminescence . Adv. Phys.f 1977; /Д6, р88?-9Ь8.

125. Horvey tumefies се г? се of adhesive tope. Science f 19Ъ9{ V#9, Л/ЯЪ/6, p. 46 0- 4G1.148. /YWy to Тшвоеитс-peseenee of sugars. X Phvs. Chemie., 1976, v go, A/3, p. 24* 9.

126. Беляев Л.М., Набатов В.В. К нерегулярности триболюминесценции в кристаллах фтористого лития. Кристаллография, 1963, т.8, JI6, с.927-928.

127. Мартышев Ю.Н. Исследования свечения и электризации кристаллов up при их деформации. Кристаллография, 1965, т.10, №2,с,224-226.

128. Fnohticfi F.f SeCfert F. TriSoCuminescence of NqCZ crysta6g at €ow temperatures. Cryst kattcce defectsf 19741 v 2 N4, />.239-J4Z.

129. A/icdforc. I-, SzavnoK A. Inftuenc-e. oi- F-centen

130. Concentration on the etectni.ficotcon of the dustof КСИ monocrystaes irrac/catec/ u/ot/) fl-rays.-7. Аррв. pAys.f /96 Z, V 33, NX., p. 613 6if.