Лазерное возбуждение неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. Краткий обзор работ по фотопроводимости диэлектриков .ii

Введение.ii

1.1. Ранние работы по фотопроводимости диэлектриков ц

1.2. Лазерная фотопроводимость диэлектриков.

Вывода к главе I.

ГЛАВА. 2. Экспериментальная установка, условия и методика проведения экспериментов по лазерной фотопроводимости . .-.

Введение.

2.1. Лазерная установка.

2.2. Установка для измерений фотопроводимости.

2.3. Методика измерений фотопроводимости.

2.4. Исследуемые кристаллы.

Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты по лазерной фотопроводимости широкозонных диэлектриков.

Введение.

3.1. Фотопроводимость щелочно-галоидных кристаллов на длине волны 0,27 мкм.

3.2. Фотопроводимость щелочно-галоидных кристаллов на длине волны 0,35 мкм.

3.3. Фотопроводимость кристаллов ЩР и ДКДР.

3.4. Фотопроводимость кристаллов рубина и флюорита . 82 Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. Исследование эффекта фотоувлечения носителей и нелинейного поглощения излучения в щелочно-галоидных кристаллах при УФ возбуждении.

Введение.

4.1. Эффект увлечения электронов фотонами в щелочно-галоидных кристаллах.

4.2. Нелинейное поглощение в щелочно-галоидных кристаллах лазерного излучения на длинах волн 0,35 мкм и 0,27 мкм.

Выводы к главе 4.

ГЛАВА 5. Кинетическая модель фотопроводимости, наблюдаемой в щелочно-галоидных кристаллах.

Введение.

5.1. Роль "мелких" ловушек в наблвдаемых явлениях лазерной фотопроводимости.

5.2. Анализ явлений лазерной фотопроводимости при больших интенсивностях лазерного излучения

5.3. Роль дефектов в наблюдаемых явлениях лазерной фотопроводимости

Выводы к главе 5.

ЗА1ШЗЧЕНИЕ.'.

В последнее время вызывают большой интерес явления, обусловленные взаимодействием мощного лазерного излучения с прозрачными твердыми телами. Значение этих явлений для фундаментальной физики твердого тела несомненно, благодаря их связи со многими проблемами, такими, как многофотонные переходы, процессы генерации и рекомбинации неравновесных носителей, образование радиационных дефектов.

С прикладной точки зрения этот интерес связан, в частности, с проблемой лазерного разрушения оптических материалов, используемых в качестве активных и пассивных элементов лазерных установок.

В ряде теоретических и экспериментальных работ последних лет (см., например, /1-7/) были выяснены основные механизмы, приводящие к пробою прозрачных твердых диэлектриков в поле интенсивной электромагнитной волны. Было показано, что в большинстве практически реализуемых случаев за разрушение ответственны поглощающие включения, однако, в наиболее чистых образцах разрушение может быть связано с электронными процессами: ударной и многофотонной ионизацией. Взаимодействие между процессами многофотонного поглощения энергии и механизмами лавинного разрушения в твердых телах обсуждалось, в частности, в работах /8-11/. В недавних работах /12-14/ лазерное разрушение вследствие ударной ионизации (электронной лавины) было экспериментально обнаружено в щелочно-галоидных кристаллах.

В связи с этим детальное исследование электронных процессов, обусловливающих лазерное разрушение и определяющих предельную стойкость оптических материалов к мощному лазерному излучению, представляется весьма актуальным. Сюда относятся такие вопросы, как механизмы фотовозбуждения и рекомбинации неравновесных носителей, оценка их концентрации при различных интенсивностях и на различных частотах лазерного излучения, выяснение источников затравочных электронов /12,14,15/, включая роль многофотонной ионизации основных атомов решетки, а также роль ионизации примесей и дефектов.

Среди различных экспериментальных методов исследования электронных процессов в твердых телах одним из наиболее эффективных является метод, основанный на изучении фотопроводимости. Являясь прямым методом, в котором непосредственно детектируются неравновесные носители, он позволяет получить информацию о процессах возбуждения и рекомбинации, о концентрациях и подвижностях носителей /16/. Поэтому в настоящей работе мы использовали этот метод в качестве основного при исследовании механизмов фотовозбуждения и рекомбинации носителей в широкозонных диэлектриках в УФ диапазоне.

Отметим, что при исследовании механизмов оптического разрушения прозрачных диэлектриков явление фотопроводимости практически не рассматривалось. Нам известны лишь две работы /17, 18/, где в очень небольшом интервале интенсивностей лазерного излучения, почти на самом пороге оптического разрушения наблюдалась объемная фотопроводимость рубина на длине волны 0,69 мкм, и более поздняя работа /19/, где на длине волны не од игрового лазера в результате исследования фотоотклика была выявлена динамика лазерного разрушения кристалла КДР.

Для более надежной интерпретации представляемых в настоящей работе результатов по фотопроводимости и выводов относительно механизмов фотовозбуждения и рекомбинации неравновесных носителей мы провели исследования (в щелочно-галоидных кристаллах в УФ диапазоне) эффекта фотонного увлечения носителей, до этого в диэлектрических кристаллах не наблюдавшегося, и нелинейного поглощения лазерного излучения.

Для изучения особенностей эффекта увлечения была разработана оригинальная методика, позволяющая измерять величину напряженности поля эффекта и получать ее зависимость от интенсивности лазерного излучения. Путем применения в наших экспериментах оптоакустического метода, обладающего высокой чувствительностью, нелинейное поглощение энергии, связанное с многофотонными переходами, удалось наблюдать при интенсивностях излучения, которые на несколько порядков ниже, чем пороговые для лазерного разрушения /12,20/.

Следует подчеркнуть, что исследования эффекта увлечения носителей светом и нелинейного поглощения были проведены на тех же длинах волн и на тех же образцах, на которых изучалась фотопроводимость, что позволило корректно сопоставить результаты этих независимых исследований и, благодаря этому, сделать обоснованные выводы о механизмах фотовозбуждения и рекомбинации носителей.

Другой вопрос, относящийся к проблеме взаимодействия мощного лазерного излучения с твердыми прозрачными диэлектриками, связан с исследованиями радиационных дефектов и центров окраски. Выяснение механизмов образования дефектов под действием мощного лазерного излучения представляет очень большой интерес как для фундаментальной физики твердого тела, так и для многих практических задач. В частности, такие дефекты могут играть существенную роль в процессах деградации лазерных элементов (активных и пассивных), влиять на кинетику лазерной генерации, а с другой стороны, могут быть использованы для создания перестраиваемых лазеров на центрах окраски.

В связи с вышеизложенным, целью настоящей работы было проведение всесторонних исследований процессов фотовозбуждения неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках: под действием лазерных импульсов наносекундной длительности в УФ диапазоне путем иэ учения фотопроводимости, эффекта увлечения и нелинейного поглощения.

В качестве основных объектов исследования были выбраны нелегированные, без специально введенных примесей щелочно-га-лоидные кристаллы ( j/аСв , , HBt ( к!J ', CsJ ,

СиВг. мсе ), а также кристаллы КДР, ДКДР, рубин, флюорит. Этот выбор обусловлен тем, что ширина запрещенной зоны энергетических состояний для указанных кристаллов варьирует в значительных пределах ( 6 - 9 эВ), что позволяет проследить закономерности фотовозбуждения на частотах УФ диапазона, а с практической стороны - тем, что эти кристаллы широко используются в лазерной оптике: щелочно-галоидные кристаллы в качестве пассивных (модуляторы, окна и т.п.) и активных (лазеры на центрах окраски) элементов лазерных систем, кристаллы КДР и ДКДР в качестве нелинейных оптических преобразователей частоты, рубин и флюорит - в качестве активных лазерных элементов.

На сегодняшний день большинство экспериментальных работ по исследованию явления фотопроводимости выполнено на полупроводниковых материалах, хотя исторически сначала изучались ще-лочно-галоидные соединения, поскольку в 20-30-х годах нашего века методы синтеза монокристаллов полупроводников были еще не развиты, а использование исследуемых веществ в виде порошков вело к тому, что на их фотопроводимость оказывали сильное влияние различные контактные явления /21/.

Изучение фотопроводимости в прозрачных материалах, особенно в широкозонных кристаллах, представляет значительные экспериментальные трудности. Практическое отсутствие темновой проводимости препятствует применению обычных для полупроводников измерений фототока с использованием омических контактов. Небольшие величины коэффициентов многофотонного поглощения, глубокое залегание в запрещенной зоне ионизируемых дефектов приводят к весьма малой величине фотоотклика. Соответственно этому возрастает роль мешающих, паразитных эффектов, таких, например, как инжекция носителей из электродов или влияние поверхностной фотопроводимости. Все это, видимо, и привело к относительно небольшому числу работ, посвященных фотопроводимости широкозонных диэлектриков.

В настоящей работе большое внимание было уделено технике эксперимента и отработке методик исследования фотопроводимости, эффекта увлечения и нелинейного поглощения. Всестороннее изучение указанных явлений потребовало создания мощного одномодо-вого лазера, дающего возможность оперативно пользоваться излучением на длинах волн 1,06 мкм, 0,53 мкм, 0,35 мкм и 0,27 мкм.

Диссертационная работа состоит из Введения, пяти глав и Заключения. В конце каждой главы сформулированы краткие выводы.

Выводы к Главе 5

В настоящей главе проведен теоретический анализ явлений лазерной фотопроводимости, наблюдаемых в щелочно-галоидных кристаллах в УФ диапазоне.

1. Подробно исследована роль ловушек с глубиной залегания в зоне, меньшей или порядка кТ и показано, что эта роль, в основном, сводится к увеличению "видимого" времени процесса линейной рекомбинации, хотя при определенных предположениях приводит к уменьшению концентрации неравновесных носителей.

2. Проанализированы экспериментальные данные по лазерной фотопроводимости при высоких интенсивноетях излучения ( J > IO^Bt/cm2), в результате чего выяснена роль радиационного образования дефектов в наблюдаемых явлениях.

3. Приведена система кинетических уравнений, отражающих протекающие процессы фотовозбуждения и рекомбинации неравновесных носителей: однофотонной ионизации примесей, двухфотонной ионизации атомов кристаллической решетки, линейной и квадратичной рекомбинации, образования дефектов.

4. На основе проведенного анализа решения системы кинетических уравнений приведены зависимости, характеризующие динамику неравновесных носителей и вновь созданных дефектов во всем. f диапазоне исследуемых интенсивностей. Результаты анализа хорошо согласуются со всей совокупностью экспериментальных данных.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

С целью выяснения механизмов фотовозбуждения и рекомбинации неравновесных носителей в широкозонных диэлектриках под действием лазерных импульсов наносекундной длительности в УФ диапазоне (длины волн 0,27 мкм и 0,35 мкм) проведены комплексные исследования фотопроводимости, нелинейного поглощения и эффекта увлечения носителей в не легированных щелочно-галоидных кристаллах, а также исследования фотопроводимости кристаллов КДР, ДКДР, рубина, флюорита. При этом большое внимание было уделено вопросам корректного измерения сигналов.

В результате этих исследований:

1. В щелочно-галоидных кристаллах ( tictCC, КС6 , KBt , К7 , Csl , CsBl , R&C6 ), являвшихся основным, модельным объектом исследований обнаружена фотопроводимость, возбуждаемая импульсным лазерным излучением на длинах волн 0,27 мкм и 0,35 мкм. На обширном экспериментальном материале получена и детально исследована зависимость фотопроводимости от интенсивности возбуждающего лазерного излучения ( 3 ) в широком ее диапазоне 103-10®Вт/см^). Установлено, что указанная зависимость обладает рядом специфических особенностей и носит сложный характер, переходя от линейной к нелинейной, близкой к квадратичной, при Ю4-Ю5 Вт/см2 и вновь к линейной при 3~I06-I07 Вт/см2. Исходя из данных экспериментов по лазерной фотопроводимости широкозонных диэлектриков, сделана оценка величины концентрации неравновесных носителей.

2. В щелочно-галоидных кристаллах впервые обнаружен эффект необратимого увеличения проводимости после предварительного воздействия на исследуемые образцы лазерного излучения с высокой интенсивностью ( 3 ^ Ю7 Вт/см2). Этот эффект интерпретирован как результат образования в кристаллах устойчивых дефектов.

3. В щелочно-галоидных кристаллах (на длине волны 0,27 мкм) впервые наблюдался эффект увлечения свободных носителей светом, связанный с межзонными переходами. На основе изучения характеристик указанного эффекта экспериментально обоснован вывод о

ТО „О том, что при концентрациях носителей И. > 10 см существенную роль начинают играть процессы их квадратичной рекомбинации.

Получены аналитические выражения, позволяющие из данных эксперимента оценить время рекомбинации неравновесных носителей в диэлектрических кристаллах.

4. Путем исследования нелинейного поглощения энергии методами оптоакустики получено экспериментальное обоснование двухфотонного рождения электронно-дырочных пар в щелочно-галоидных кристаллах при высоких уровнях возбуждения С J > Ю^Вт/см2). Генерация акустических волн в условиях нелинейного поглощения света набдкщалась при интенсивностях излучения, которые существенно ниже пороговых для лазерного разрушения в УФ диапазоне.

Исходя из данных эксперимента, оценена величина коэффициента двухфотонного поглощения, хорошо совпадающая с результатами, полученными другими методами.

5. Сопоставление результатов исследований эффекта увлечения свободных носителей светом и нелинейного поглощения в УФ диапазоне с экспериментальными данными по лазерной фотопроводимости щелочно-галоидных кристаллов позволило выяснить, что основным механизмом фотовозбуждения неравновесных носителей при высоких интенсивностях излучения является двухфотонная ионизация (зона-зона) в присутствии квадратичной рекомбинации.

6. Проанализирована совокупность экспериментальных данных по лазерной фотопроводимости щелочно-галоидных кристаллов, в результате чего создана кинетическая модель наблюдаемых явлений, включающая процессы однофотонной ионизации примесей, двух-фотонной ионизации атомов кристаллической решетки, квадратичной и линейной рекомбинации носителей, образования дефектов. Модель хорошо объясняет всю совокупность экспериментальных данных.

7. В кристаллах КДР и ЖДР впервые наблюдалась фотопроводимость на длине волны 0,27 мкм. Получена и исследована зависимость фотопроводимости от интенсивности возбуждающего лазерного излучения в широком диапазоне значений. Показано, что характер этой зависимости свидетельствует о реализации в КДР (ДКДР) двух-фотонных процессов возбуждения носителей при Л ^ 5«10® Вт/см2.

Исходя из экспериментальных результатов по лазерной фотопроводимости, для КДР сделана оценка величины коэффициента двух-фотонного поглощения энергии, которая по порядку величины совпадает с данными, полученными другими авторами.

8. В кристаллах рубина (на длине волны 0,27 мкм) обнаружено падение фотопроводимости при многократном воздействии лазерного излучения постоянной интенсивности, обусловленное образованием объемного заряда. Предложен способ определения удельной объемной проводимости диэлектрических кристаллов с достаточно о большим временем максвелловской релаксации ( > 10 с).

1. Епифанов А.С. Процесс развития лавинной ионизации в твердых прозрачных диэлектриках под действием импульсов мощного лазерного излучения. - ЖЭТФ, 1974, т.67, вып.5(1.),с.1805-1817.

2. Захаров С.И. 0 лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках, при интенсивности оптического излучения, близкой к порогу пробоя. ЖЭТФ, 1975, т.68, вып.6, с.2167-2176.

3. Епифанов А.С., Маленков А.А., Прохоров A.M. Частотная и температурная зависимости лавинной ионизации в твердых телах под действием электромагнитного поля. ЖЭТФ, Письма в редакцию, 1976, т.70, вып.2, с.728-737.

4. Manenkov A. A. New results on avalanche ionization as a laser damage mechanism in transparent solids* — Laser induced damage in Optical materials: 1977 (NBS special publication509, 455-464)» U.S.Government printing office,Washington, 1978,

5. Liu P., Yen R., Bloembergen N. Dielectric breakdown threshold, two photon absorbtion and other optical damage mechanisms in diamond. -IEEE, J.Quant-Electron., 1978, QE-14, v,1, №8, p.574-576.

6. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Епифанов А.С., Лобачев В.А., Маненков А.А. К механизму лазерного разрушения щелочно-галоидных кристаллов: исследование температурной зависимости порогов разрушения. Письма в ЖТФ, 1976, т.2, $ 6, с.284-287.

7. Горшков Б.Г., Данилейко 10. К., Епифанов А. С., Лобачев В. А., Маненков А.А., Сидорин А.В. Лазерное разрушение щелочно-га-лоидных кристаллов. ЖЭТФ, 1977, т.72, вып.З, с.1171-1181.

8. Braunlich P, , Schmid A., Kelly P. Contribution of multi-photon absorbtion to laser intrinsic damage in NaCl. -Appl.Phys.Lett., 1975, vol.26, p.150-153*

9. Bloembergen N. Laser-induced electric breakdown in solids.-IEEE. J.Quant.Electron., QE-10, 1975, p.375-386.

10. Braunlich P., Schmid A., Kelly P. Starting times of laser-induced intrinsic damage in NaCl. Appl.Phys.Lett., 1975, vol.26, p.223-226.

11. Boling N.L. , Braunlich P., Schmid A., Kelly P. Statistics in laser induced dielectric breakdown. Appl.Phys.Lett., 1975, vol.27, №3, p.191-194.

12. Гомелаури Г.В., Епифанов А.С., Маненков А.А., Прохоров A.M. Статистические особенности лавинной ионизации широкозонных диэлектриков лазерным излучением в условиях недостатка затравочных электронов. ЖЭТФ, 1980, т.79, вып.6(12), с.2356-2363.

13. Горшков Б.Г., Данилейко 10.К., Маненков А.А., Прохоров A.M., Сидорин А.В. Размерный эффект и статистика лазерного разрушения щелочно-галоидных кристаллов на длине волны 10,6 мкм. Квантовая электроника, 1981, т.8, вып.1, с.148-153.

14. Горшков Б.Г., Данилейко Ю.К., Епифанов А.С., Маненков А.А., Прохоров A.M., Сидорин А.В. Влияние УФ подсветки на пробой щелочно-галоидных кристаллов излучением С02-лазера. Квантовая электроника, 1981, т.8, вып.1, с.155-156.

15. Горшков Б.Г., Е пифанов А.С., Маненков А.А., Панов А.А. Разрушение оптических материалов в скрещенных лазерных пучках на различных частотах. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1980, т.44, вып.10, с.2062-2065.

16. Быоб Р. Фотопроводимость твердых тел. М., ИЯ, 1962, 558 с.

17. Беликова Т.П., Свириденков Э.Л. Фотопроводимость рубина при мощном облучении рубиновым ОКГ. ЖЭТФ, Письма в редакцию, 1966, т.З, вып.10, с.394-398.

18. Беликова Т.П., Савченко А.Н., Свирцденков Э.А. Световой пробой в рубине и связанные с ним эффекты. ЖЭТФ, 1968, т.54, вып.1, с.37-45.

19. Генкин В.Н., Миллер A.M., Соустов Л.В. Динамика лазерного разрушения кристаллов КДР. ЖЭТФ, 1980, т.79, вып.5(II), с.1880-1887.

20. Горшков Б.Г., Епифанов А.С., Маненков А.А., Панов А.А. Разрушение широкозонных диэлектриков УФ лазерным излучением. Квантовая электроника, 1979, т.6, & II, с.2415-2419.

21. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., ГИФМ1, 1963, 494 с.

22. Днепровский B.C., Клышко Д.Н., Пенин А.Н. Фотопроводимость диэлектриков под действием излучения лазера. ЖЭТФ, Письма в редакцию, 1966, т.З, вып.10, с.385-389.

23. Асеев Г.И., Кац М.Л., Никольский В.К. Многофотонное возбуждение фотопроводимости в щелочно-галоидных кристаллах лазерным излучением. ЖЭТФ, Письма в редакцию, 1968, т.8, вып.4, с.174-177.

24. Catalano I.M., Cingolani A. and Minafra A. Multiphoton transitions in ionic crystal s. Phys.Rev.B., 1972, vol.5, №4, p.1629-1632.

25. Чукова Ю.П. Фотопроводимость алмаза в полосе поглощения гё 2. ФН1, 1979, т.13, с.347-350.

26. Вавилов B.C., Конорова Е.А., Степанова Е.Б., Трухан Э.М. Фотопроводимость алмаза, ионно-легированного литием в НК области. ФШ, 1979, т. 13, с.1033-1036.

27. Jain S.G., Arora N.D. Photoconductivity of potassium colloids in KBr crystals. J.Phys. and Chem. of Solids, 1976, vol.37, №4, p.363-367.

28. Callija J.M., Agullo-Lopez P. Photoconductivity of potassium colloids in KC1 single crystals. J.Phys.Soc. of Japan, 1974, vol.36, №3, p.739-742.

29. Гршценко Ю.И., Писарева E.В. Кинетика фотопроводимости NaCi с агрегатными центрами окраски. ФТТ, 1977, т.19, вып.4,с.1169-1171.

30. Кац М.Л., Гюнсбург К.Е., Голубенцева Л.И., Звездова Н.П. Влияние кислородных ионов на фотопроводимость монокристаллов KG1 И КВг. ФТТ, 1973, т.15, вып.I, с.303-305.

31. Асеев Г.И., Кац М.Л., Никольский В.К., Медведев Б.А., Силкина Т.Г. Учет эффекта насыщения в процессах многофотонной ионизации активированных ЩПС. ФТТ, 1974, т.16, вып.1, с.293-295.

32. Асеев Г.И., Кац М.Л. Многофотонное возбуждение и ионизация примесных центров Т1+ в ЩГК. ФТТ, 1972, т. 14, вып.5, с.1365-1368.

33. Асеев Г.й., Кац М.Л., Никольский В.К. Многофотонная ионизация примесных центров Ag+ в кристалле kci в поле излучения ОКГ. ФТТ, 1970, т.12, вып.12, с.3393-3399.

34. Асеев Г.И., Кац М.Л., Никольский В.К., Елистратов В.А. Многофотонное возбуждение люминесценции и фотопроводимости монокристаллов kci : ей рубиновым и неодимовым лазерами.-Изв.АН СССР, Сер.физ., 1969, т.ЗЗ, с.858-862.

35. Пологрудов В.В., Карнаухов Е.Н. Фотопроводимость и запасание светосуммы, возбуждаемые в длинноволновых полосах примесного поглощения щелочно-галоидных кристаллов. ФТТ, 1981, т.23, вып.10, с.3033-3037.

36. Bradford J.N., Williams R.T. and Faust W.L. Study of F-cen-ter formation in KCI on a picosecond time scale. Phys. Rev.Lett., 1975, vol.35, p.300-303.

37. Williams R.T., Bradford J.N. and Faust W.L. Short-pulse optical stydies of exiton relaxation in F-center formationin NaCl,KC1 and NaBr. Phys.Rev.B., 1978, vol.18, №12, p.7038-7057.

38. Бредихин В.И., Генкин В.Н., Миллер A.M., Соустов I.B., Экспериментальное исследование природы фотоэлектрических явлений в кристаллах КДР и ДКДР. ЖЭТФ, 1978, т.75, вып.5 (II), с.1763-1770.

39. Бредихин В.И., Генкин В.Н., Миллер A.M., Соустов JI.B. Фотоэлектрические эффекты в кристаллах КДР и ДКДР при воздействии лазерного излучения. Изв.АН СССР. Сер.физ., 1979, т.43, J&2, с.309-312.

40. Горшков Б.Г., Епифанов А.С., Маненков А.А., Панов А.А. Экспериментальные исследования фотопроводимости широкозонных диэлектриков, возбуждаемой УФ лазерным излучением. -ЖЭТФ, 198I, т.81, вып.4(10), с.1423-1434.

41. Райзер Ю.П. Лазерная искра и распространение разрядов. М., Наука, 1974, 308 с.

42. Райзер Ю.П. Основы современной физики газоразрядных процессов. М., Наука, 1980, 415 с.

43. Ферсман И.А., Хазов Л.Д. О механизме разрушения поверхности прозрачного диэлектрика при облучении коротким световым импульсом. Квантовая электроника, 1972, Jl 4(10), с.25-31.

44. Ohmori Y., Yasojima Y. ,Imuishi Y. Photoconduction, thermally stimulated liminescence and optical damage in single crystal of LiNbO^. J.Appl.Phys.of Japan, 1975, vol.14, p.1291-1300.

45. Пашков В.A., Соловьева H.M., Уюкин Е.М. Фото- и темновая проводимости в кристаллах ниобата лития. ФТТ, 1979, т.21, вып.6, с.1879-1882.

46. Kabler M.N., Williams R.T. Vacancy-interstitual pair production via electron-hole recombination in halide crystals.-Phys.Rev.B., 1978, vol.18, №4, p.1948-1960.

47. Гутман Ф., Лайонс Л. Органические полупроводники. М., Мир, 1970, 696 с.

48. Liu P., Smith W., Lotern Н, Bechtel J.H., Bloembergen N. and Adhav R.S. Absolute two-photon absorbtion coefficients at 355 and 266 nm. Phys.Rev.B., 1978, vol.17,p.4620-4632.

49. Smith W.L. Laser induced breakdown in optical materials.-Optical Engineering, 1978, vol.17, №5, p.489-503.

50. Келдыш Л.В. Ионизация в поле сильной электромагнитной волны. ЖЭТФ, 1964, т.47, вып.5, с.1945-1957.

51. Дорожкин Л.М., Дорошенко B.C. и др. Регистрация импульсного излучения тонкопленочными пироэлектрическими приемниками. В сб.: Импульсная фотометрия. Л., Машиностроение, 1979, с.64-67.

52. Данилейко Ю.К., Маненков А.А., Прохоров A.M., Хаимов-Мальков В.Я. Поверхностное разрушение кристаллов рубина лазерным излучением. ЖЭТФ, 1970, т.58, вып.1, с.31-36.

53. Kepler R.G-. Charge carrier production and mobility in anthracene crystals. Phys.Rev., I960, vol.119, p.1226-1229.

54. Мари Дж., Донжон Ж. Монокристаллические сегнетоэлектрики и их применение в светоклаланных устройствах отображения информации. ТШЭР, 1973, т.61, №7, с. 178-197.

55. Горшков Б.Г. Исследование механизмов разрушения ионных кристаллов под действием импульсного лазерного излучения наносекундного диапазона. АН СССР. Труды ордена Ленина Физического института им.П.Н.Лебедева, 1982, т.137,с.81-134.

56. Воронкова Е.М., Гречушников Б.Н., Дистлер Г.И., Петров И.П. Оптические материалы для инфракрасной техники. М.: Наука, 1965, 335 с.

57. Miuta Т., Tomiki Т. Optical studies of NaCl single crystals in 10 eV region. II J.Phys.Soc.Japan, 1968, vol.24, №6, p. 1286-1301.

58. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радио люминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979, 251 с.

59. Piacentini M., Lynch D.M. , Olson C.J. Thermoreflectance of LiP between 12 and 30 eV. Phys.Rev.B., 1976, vol.13, №12, p.5530-5543.

60. Tomiki Т., Miyata T. Tsukamoto H. Temperature dependence of the fundamental spectra of potassium halides in the Schuman ultraviolet region(4.4 13.5 eV). - J.Phys.Soc.Japan,1973, vol.35, №2, p.495-507.

61. Hopfield J.J., Worlock J.M. Two quantum absorption spectra of KJ and CsJ. Phys.Rev., 1965, vol.137A, №5, p. 1455-1464.

62. Frohlich D., Stuginnuss B. New assignments of the band gap in alkali bromides by two-photon spectroscopy. Phys.Rev. Lett., 1967, vol.19, №9, p.496-498.

63. Frohlich D., Stuginnuss B., Onadera Y. Two-photon spectroscopy in CsJ and CsBr. Phys.stat.sol., 1970, vol.40, №2, p.547-556.

64. Pong W., Smith J.A. Photoemission studies of LiCl, NaCl and КС1. Phys.Rev.B., 1974, vol.9, №6, p.2674-2677.

65. Poole R.T., Jenkin J.G., Liesegang J., Leckey R.C.G. Electronic band structure of the alkali halides. 1. Experimental parameters. Phys.Rev.B., 1975, vol.11, №12, p.5179-5189.

66. Poole R.T., Liesegang J., Leckey R.C.G., Jenkin J.G. Electronic band structure of the alkali halides. II. Crytical sur. vey of the theoretical calculations. Phys.Rev.B., 1975, vol.11, №12, p.5190-5196.

67. Волкова H.B. Влияние коротковолнового поглощения на порог разрушения оптических кристаллов световым излучением. ФТТ,1974, т.16, вып.1, с.307-308.

68. Blechsmidt D., Skibowski M., Steimann W. Photоemission from potassium halides in the photon energy range 7 to 30 eV. -Phys.Stat.Sol.(b), 1970, vol.42, №1, p.61-70.

69. Roesler D.M.,Walker W.C* Electronic spectra of crystalline NaCl and КС 1. Phys.Rev., 1968, vol.166, №3, p.599-606.

70. Baldini G., Bosacchi B. Optical properties of alkali halide crystals. Phys.Rev., 1968, vol.166, №3, p.863-870.

71. Teegarden K., Baldini G. Optical absorption spectra of alkali halides at 10°K. Phys.Rev., 1967, vol.155, №3,p.896-907.

72. Kunz A.B. Electronic bands for rubidium chloride and face centered cubic alkali bromides. Phys.stat.sol., 1968, vol.29, №1, p.115-120.

73. Никогосян Д.Н. Кристаллы для нелинейной оптики (справочный обзор). Квантовая электроника, 1977, т.4, № I, с.5-26.

74. Гуламов А.А., Ибрагимов Э.А., Редкоречев В.И., Усманов Т. Предельная эффективность генерации второй и третьей гармоники излучения неодимового лазера. Квантовая электроника, 1983, т.10, № 7, с.1305-1306.

75. Saito S., Onaka R. Electronic structures of KDP and its family. Perroelectrics, 1978, vol.21, №2, p.553-554.

76. Ahrenkiel R.K., Brown P.O. Electron Hall mobility in the alkali halides. Phys.Rev., 1964, vol.A136, №1, p.223-231.

77. Bass M., Pranken P.A., Ward J.P. Optical rectification. -Phys.Rev., 1965, vol.138A, №2, p.534-542.

78. Hochuli U.E. Photoconductivity measurements in ruby and sapphire. Phys.Rev., 1964, vol.133 A, №2, p.468-471.

79. Балов П.М., Данишевский A.M., Кастальский А.А., Рывкин Б.С., Рыбкин С.М., Ярошецкий И.Д. Увлечение электронов фотонами при внутризонном поглощении света свободными носителями тока в полупроводниках. ЖЭТФ, 1970, т.59, вып.6(12),с.1919-1925.

80. Данишевский A.M., Кастальский А.А., Рывкин С.М., Ярошецкий И.Д. Увлечение свободных носителей фотонами при прямых межзонных переходах в полупроводниках. ЖЭТФ, 1970, т.58, вып.2, с.544-550.

81. Валов П.М., Рывкин Б.С., Рыбкин С.М., Титова Е.В., Ярошецкий И.Д. Увлечение электронов светом при фотоионизации примесных центров. ФШ, 1971, т.5, вып.9, с.1772-1775.

82. Горшков Б.Г., Панов А.А. Эффект увлечения электронов фотонами в щелочно-галоидных кристаллах. ФТТ, 198I, т.23, вып.12, с.3597-3601.

83. Smith W.L., Bechtel J.H., Bloembergen N. Dielectric-breakdown threshold and nonlinear-refractive-index measurements with picosecond laser pulses. Phys.Rev.B., 1975, vol.12, p.706-717.

84. Scinner D.K., Witcher R.E. Measurements of the radius of a high power laser beam near the focus of a lens. J.Phys.E., 1972, vol.5, p.237-238.

85. Гринберг А.А., Маковский Л.Л. Теория фото электрического и фотомагнитного эффектов, обусловленных импульсом фотонов при фотоионизации примесных центров в полупроводниках. Ш1, 1970, т.4, вып.6, с.1162-1167.

86. Harper P.G., Hodby J.W., Stradling R.A. Electrons and optic phonons electronic exitation in solids the effects of longitudunal optical lattice vibrations on the electronic exitations of solids. - Rep.Progr.Phys., 1973» vol.36, №1, p.1-102.

87. Берковский Ф.М., Рывкин C.M. Чувствительность герланиевых и кремниевых элементов в области примесного возбуждения.' -ФТТ, 1962, т.4, вып.2, с.366-375.

88. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М., Наука, 1977, 672 с.

89. Епифанов А.С., Маненков А.А., Панов А.А., Шахвердиев Э.М. Кинетический анализ УФ лазерной фотопроводимости в ЩГК. -Тезисы докладов У1. Всесоюзной конференции по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом. Вильнюс, 1984, с.I90-I9I.

90. Лямов В.Е., Мадвалиев У., Шихлинская Р.Э. Фотоакустическая спектроскопия твердых тел. Акустический вдшал, 1979,т.25, № 3, с.427-433.

91. Rosencwaig A., Gersho A. Theory of photoacoustic effect with solids. J.Appl.Phys., 1976, vol.47, №1, p.64-69.

92. Inagaki Т., Kagami К., Arakawa E.T. Photoacoustic study of surface plasmons inmmetals. Appl.Opt., 1982, vol.21, №5, p.949-954.

93. Воронов Ф.Ф., Чернышева Е.В., Гончарова В.А. Упругие свойства монокристалла Naci при давлениях до 9 ГПа и температуре 293 К. ФТТ, 1979, т.21, вып.1, с.100-105.

94. Дкавадов Л.Н., Кротов Ю.И. Влияние давления на теплоемкость

95. NaCl , КС1» RbCl . ФТТ, 1978, т.20, ВЫП.З, с.654-657.