Двухфотонная спектроскопия щелочно-галоидных кристаллов с применением параметрического генератора-усилителя видимого диапазона тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.21 ВАК РФ

Климентов, Сергей Михайлович АВТОР
кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Москва МЕСТО ЗАЩИТЫ
1996 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.21 КОД ВАК РФ
Автореферат по физике на тему «Двухфотонная спектроскопия щелочно-галоидных кристаллов с применением параметрического генератора-усилителя видимого диапазона»
 
Автореферат диссертации на тему "Двухфотонная спектроскопия щелочно-галоидных кристаллов с применением параметрического генератора-усилителя видимого диапазона"

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ

На правах рукописи

УДК 621375.826

Климентов Сергей Михайлович

ДВУХФОТОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ЩЕЛОЧНО - ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА - УСИЛИТЕЛЯ ВИДИМОГО ДИАПАЗОНА

01.04.21 - лазерная физика

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва - 1996 г.

Работа выполнена в Институте общей физики РЛН Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук Н.Н.Ильичев

доктор физико-математических наук, профессор Е.В.Бакланов

Ведущая организация: Институт спектроскопии РАН.

Защита состоится "_ 1996 г. в часов

на заседании Специализированного совета К 003.49.02 Института общей физики Российской Академии Наук по адресу: 117942 Москва, ул. Вавилова, д. 38.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИОФ РАН Автореферат разослан " 2.0 " 1996 г.

Ученый секретарь Специализированного совета, кандидат физико-математических наук

Т.Б.Воляк

Научные руководители:

доктор физико-математических наук, профессор А.А.Маненков кандидат физико-математических наук С.В.Гарнов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАГ.ОТЫ

Актуальность темы. Настоящая работа посвящена разработке и реализации метода двухфотонной спектроскопии широкозоииых кристаллов, прозрачных в видимой и УФ области спектра, находящих широкое применение в лазерной технике и оптике.

Спектроскопические методы, использующие многофотонное возбуждение являются одним из важных источников информации о строении и оптических характеристиках веществ. Совокупность этих меюдов успешно применяется ттртг изучении зонной структуры конденсированных сред: как полупроводников [1, 2], так и широкозонных диэлектриков [3, 4]. Актуальность изучения последних методами нелинейной оптики связана с использованием их в качестве элементов лазерных систем, эксплуатируемых при высоких интенсивностях излучения.

С точки зрения спектроскопических применений, к достоинствам двухквантового возбуждения по сравнению с традиционными методами, использующими линейное (однофотонное) поглощение, следует о жести: возможность практически однородной засветки объема образца; использование источников видимого диапазона для зондирования электронных уровней, соответствующих УФ области на шкале эмер1ий; возможность исследования тонких эффектов, требующих неколинеарной геометрии взаимодействия волновых векторов (спектроскопия в к пространстве) или поляризационной настройки на изучаемый переход [4, 5].

Однако экспсримснальнос изучение спектральных зависимостей многофотонного поглощения в широкозонных кристаллах встречает значительные трудности в силу малых вероятностей переходов, требующей применения чувствительной техники регистрации в сочетании с высокой интенсивностью излучения, и многообразия сопутствующих эффектов, как то: образование радиационных дефектов, возможное одноквантовое возбуждение примесей. Это объясняет немногочисленность экспериментальных, работ, посвященных данной теме.

Немаловажную роль в преодолении перечисленных выше неблагоприятных факторов играет выбор и разработка конкретной

реализации метода регистрации, сочетающего высокую чувствительность и инфомативность. Нестационарная фотопроводимость (НФП) является прямым, высокочувствительным и быстродействующим методом детектирования неравновесных носителей заряда (ННЗ), образовавшихся в объеме исследуемого 1фисталла в результате оптических переходов. Метод НФП позволяет не только идентифицировать многоквантовые и одноквантовые процессы по зависимости амплитуды регистрируемого импульса фототока от интенствности возбуждающего излучения, но и изучать процессы рекомбинации возбуждения с высоким временным разрешением [6].

Важнейшим элементом двухфотонного спектрометра является источник интенсивного монохроматического излучения, допускающий широкую спектральную перестройку. Создание такого источника представляет собой самостоятельную, технически сложную задачу, одним из возможных решений которой является использование параметрического генератора света (ПГС), сочетающего высокую мощность и яркость с широким диапазоном перестройки. При этом нелинейный характер изучаемых явлений предъявляет повышенные требования к стабильности и воспроизводимости параметров излучения.

Таким образом, сочетание НФП с перестраиваемым ПГС видимого диапазона в качестве источника возбуждающего излучения представляет широкие возможности для изучения спектральных зависимостей многофотонных процессов в широкозонных диэлектриках.

Цель работы состояла в решении двух взаимосвязанных задач: первая из них - разработка и создание перестраиваемого параметрического генератора-усилителя света (Г1ГУС) видимого диапазона, применимого для многофотонной генерации неравновесных носителей заряда; вторая -развитие и применение методов регистрации носителей в зоне проводимости, основанных на нестационарной фотопроводимости, для получения спектральных зависимостей двухквантового возбуждения в кристаллах щелочно-галоидного ряда (ЩГК).

Научная новизна работы состоит в том, что в результате проведенных исследований:

1. Создан комплекс аппаратуры для двухфотонной спектроскопии широкозонных кристаллов методом НФП. включающий ПГУС видимого диапазона.

2. Впервые в кристаллах щелочно-галоиднего ряда получены спектральные зависимости фототока при двухквантовом возбуждении.

3. Методом НФП с последующей калибровкой проведено количественное измерение коэффициента двухфотонного поглощения в кристалле СМ в диапазоне 6,5 - 7,5 эВ, аналогично проведены оценки сверху для кристаллов К1, КВг.

4. Обнаружена фотопроводимость при двухквантовом возбуждении в области экситонной полосы поглощения кристаллов С"ч Г, К1.

Практическая значимость результатов.

Разработанный и созданный мощный ПГУС может быть использован для исследования процессов нелинейного взаимодействия • излучения с веществом. Сведения о зонной структуре, полученные методами двухфотонной спектроскопии, могут найти применение при разработке лазеров на центрах окраски.

Многофотонные переходы под действием интенсивного лазерного излучения являются одним из факторов, определяющих предельную оптическую стойкость прозрачных материалов, что связынаег многофотонную спектроскопию поглощения с проблемой повышения порога пробоя элементов лазерной оптики.

Основные положения, представляемые к защите:

1. Двухпроходный ПГУС видимого диапазона с температурной перестройкой - эффективный инструмент для исследований спектральных характеристик процессов нелинейного взаимодействия излучения с широкозонными диэлектриками.

2. Развитые в работе методы, основанные на регистрации нестационарной фотопроводимости в сочетании с применением перестраиваемого излучения мощного ПГУС, являются эффективным средством изучения спектральных зависимостей многофотонных процессов в широкозонных кристаллах.

3. Зарегистрированный в ходе экспериментов процесс образования свободных электронов при двухквантовом возбуждении в полосу

экситонного поглощения кристаллов Св1 и К1 при Т> 300 К обусловлен термической ионизацией экситонов.

4. Калибровка спектров НФП по двухфотонному поглощению, измеренному прямым методом при сочетании фиксированных длин волн воздействующего излучения, позволяет получать спектральные зависимости коэффициента двухфотоиного поглощения в абсолютных величинах.

Все вошедшие в диссертацию оригинальные результаты получены самим автором, либо при его непосредственном участии.

Апробация работы. Основные результаты диссертации

докладывались на VI Всесоюзной конференции "Оптика лазеров" (Ленинград, 1990 г.), Международной конференции "Оптика лазеров" (Ленинград, 1993 г.), Международном симпозиуме по оптоэлектронике и лазерам ОЕ/ЬАБЕ '94 (Лос Анжслес, 1994 г.), XV Международной конференции по когерентной и нелинейной оптике КИНО-95 (Санкт-Петербург, 1995 г.) и опубликованы в восьми работах, перечисленных в конце автореферата.

Объём и структура работы. Диссертация содержит 88 страниц машинописного текста, 21 рисунок, 1 таблицу, 6 страниц библиографии и состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы, включающего 66 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении сформулирована цель исследования и обоснована ее актуальность, рассмотрены возможные подходы к ее решению, а так же изложено распределение материала по главам работы.

В первой главе рассмотрены условия проведения и особенности экспериментов по многофотонной спектроскопии широкозонных (Eg > 5,5 эВ) кристаллов. В связи с этим сформулированы основные требования, предъявляемые к источнику возбуждающего излучения: большая величина кванта, широкая область спектральной перестройки, высокая мощность излучения, а также достаточная стабильность и неизменность пространственно-временных параметров излучения для различных длин волн, диктуемая нелинейным характером изучаемых явлений.

Детальный анализ перечисленных требований, проведенный в параграфе первом показал, что этим условиям удовлетворяет параметрический генератор-усилитель света (ПГУС) с температурной перестройкой, накачиваемый мощными импульсами УФ излучения [7]. Для проведения экспериментов по двухфогонной спектроскопии ЩГК был разработан и создан двухпроходиый вариант такого ПГУС, описание которого содержится по втором параграфе. В данном ПГУС один и тот же кристалл дигидрофосфата аммония (АОР) был использован для генерации затравочного излучения параметрической суперлюминесненции на первом проходе и усиления его на втором проходе после пространственной фильтрации. Детально исследованы пространственно-временные, энергетические и спектральные характеристики излучения ПГУС. Так спектральный диапазон перестройки составил 440-670 нм, полная эффективность преобразования устройства превышала 10%, энергия на ■ выходе - 3 мДж, длительность импульса - 1,5 не, ширина спектра излучения < 2 нм. Неизменность геометрии области взаимодействия пучков ч, как следствие, пространственного распределения и направленности выходного излучения. достигалась благодаря температурной спектральной перестройке.

В третьем параграфе подробно рассматривается разработанная и созданная для накачки параметрического преобразователя ИАГ:М<! лазерная система, включающая в себя двухнаносекундный, одпочастотиый задающий генератор, работающий в режиме пассивной модуляции добротности с использованием кристалла ГСГГ:Сг:М(1 в качестве просветляющегося фильтра [8]. Сокращение длительности лазерного импульса достигнуто за счет уменьшения длины низкодобротного резонатора при тщательной селекции продольных и поперечных мод, а также применения затвора с низким начальным пропусканием и малым временем перехода в просветленное состояние. Производится сравнение данного способа получения лазерных импульсов длительностью ~1 не с традиционными (ВРМБ компрессия [9], вырезание методами электрооптики [10]).

В целях повышения эффективности каскадного преобразования частоты излучения в четвертую гармонику, требуемую для накачки ПГУС,

пучок излучения подвергался пространственной фильтрации после каждого из четырех каскадов усиления. Тем самым обеспечивалось более полное выполнение условий фазового синхронизма. В результате, эффективность преобразования исходного излучения во вторую и четвертую гармоники (по энергии) в кристаллах CDA и KDP составила, соответственно, 60% и 50%. Максимальная энергия выходного УФ излучения, используемого для накачки ПГУС достигала 50 мДж.

Вторая глава описывает применение параметрического генератора-усилителя для исследования спектральных характеристик двухквантового возбуждения гцелочногалоидных кристаллов. Первый параграф ее посвящен сравнительному анализу различных методов, используемых для регистрации многофотонных переходов: рекомбинационной люминесценции [П], фотоакустики [12], фотопроводимости [6] и прямого измерения ослабления излучения при прохождении через образец [3]. Выбор нестационарной фотопроводимости (НФП) для проведения экспериментов по двухфотонной спектроскопии ЩГК обосновывается присущей данному методу высокой чувствительностью и информативностью, подразумевающей возможность изучения процессов релаксации электронного возбуждении с высоким временным разрешением и идентификации многофотонкых переходов на фоне возможного одноквантового возбуждения примесей и радиационных дефектов.

В первой группе экспериментов излучение сигнальной водны ПГУС, перестраиваемое в диапазоне 440-520 им, использовалось для измерения спектральной зависимости нестационарной фотопроводимости при двухквантовом возбуждении в кристаллах Csl и KI. Наблюдаемая в эксперименте квадратичная зависимость регистрируемого сигнала от интенсивности возбуждающего излучения, а также поляризационная зависимость свидетельствовали о двухквантовом характере регистрируемых переходов. Процедура получения спектров фотопроводимости заключалась в нормировании полученных квадратичных зависимостей сигнала НФП на некоторую произвольную интенсивность возбуждающего излучения.

Удвоенная энергия кванта сигнальной волны излучения в данном случае соответствовала экситонным полосам поглощения исследуемых материалов и появление неравновесных носителей заряда в зоне

проводимости было опосредованно процессом их довозбуждения. Подобное явление наблюдалось ранее в спектрах фотопроводимости при однеквантовом поглощении света [19] и связывалось с передачей энергии подвижных свободных зкеитонов элекгрон-содержашим центрам, что, однако, может иметь место лишь при криогенных температурах. С целью сравнения результатов экспериментов но фотопроводимости при одноквантовом и двухквантовом возбуждении и выяснения механизма, приводящего к появлению свободных электронов, были предприняты измерения температурной зависимости спектров НФП, •чарегистрировавптое резки!! рост концентрации неравновесных носителей с повышением температуры. Сопоставление спектров, температурных зависимостей фототока и приведенная оценка отношения равновесных концентраций электронов в зоне проводимости позволили сделать вывод о том, что в диапазоне температур 300-400 К возможным механизмом . образования неравновесных носителей заряда в зоне проводимости кристаллов К1 и Сб1 является тепловая ионизация экситонных состояний, образующихся в результате двухбайтовых переходов.

Во второй серии экспериментов излучение ПГС сочеталось с долей УФ излучения, служившего для его накачки. Такое комбинированное возбуждение сместило спектральный диапазон измерений в область 6,45-7,45 эВ, обеспечив заброс фотоэлектрона в зону проводимости иодидов щелочных металлов (СМ. К1). Это смещение позволило 1ак же пополнить класс исследуемых материалов более широкозонными щелочными бромидами, край фундаментального поглощения которых приходится на этот же диапазон спектра. Разработанная схема регистрации характеризовалась малой чувствительностью к вариациям профиля интенсивности излучения ПГУС, что существенно снизило разбросы данных, вызываемые флуктуацией пространственного распределения от импульса к импульсу, и вариации показаний в зависимости от юстировки ПГУС. В главе подробно описаны детали проводимого эксперимента и их последующей обработки (нормировки сигналов ПФЩ, проанализированы и дискриминированы возможные побочные эффекты и ограничения данного метода регистрации. Для корректной интерпретации экспериментальных данных было получено аналитическое выражение,

связывающее амплитуду сигнала НФП и интенсивность пучков возбуждающего излучения при поглощении двух неравных квантов.

В результате проведенных измерений были получены спектры фотопроводимости в кристаллах Сз1, К1, КВг, СяВг, первые два из которых соответствуют спектральным зависимостям двухфотонного поглощения, а также исследована спектральная зависимость времени релаксации электронного возбуждения в кристалле КВг.

В третьей главе рассмотрен метод получения спектральных зависимостей абсолютной величины коэффициента двухфотонного поглощения у путем калибровки спектров нестационарной фотопроводимости, дано его обоснование и описаны детали экспериментальной реализации. Поскольку при возбуждении фотоэлектронов в зону проводимости сигнал НФП оказывается пропорционален поглощенной энергии, а сам коэффициент пропорциональности, в приближении постоянства эффективной массы электрона, не зависит от длины волны, такую калибровку можно осуществить измерив нелинейное поглощение прямым методом для сочетания фиксированных длин волн, приходящихся на тот же спектральный диапазон и имеющих ту же взаимную поляризацию, как и при измерениях фотопроводимости.

При проведении измерений двухфотонного поглощения был использован пучок излучения лаздэа накачки ПГУС, выходящий из кристалла-преобразователя в четвертую гармонику и содержащий требуемую комбинацию длин волн и поляризаций УФ и видимой компоненты излучения. Суммарная энергия квантов второй и четвертой гармоники излучения УАО:Ис1 лазера (6,99 эВ) соответствует, таким образом, середине спектрального диапазона измерений фотопроводимости. В эксперименте регистрировалась падающая энергия, пространственно-временные характеристики излучения и пропускание образцов на двух длинах волн. Величина коэффициента двухфотонного поглощения определялась при численном интегрировании системы дифференциальных уравнений, представляющей собой обобщенный закон Бугсра и описывающей изменение интенсивности при совместном распространении двух лазерных пучков в нелинейно-поглощающей среде.

В результате проведенных измерений было определено значение коэффициента двухквантового поглощения у в кристалле Сз1 при комбинированном возбуждении на фиксированных длинах волн лазерного излучения, составившее 7-10:4 см-с-Вт'. Для кристаллов К1 и КВг была получена оценка -верхней границы этой величин. В главе приводится также подробный анализ погрешности выполненных измерений нелинейного поглощения.

Проведенная калибровка позволила впервые получить количественную спектральную зависимость коэффициента двухфотонного поглощения в кристалле СМ в диапазоне энергий 6,45 - 7,2 аВ.

В заключении диссертации перечислены основные результаты и выводы работы:

1. Разработан и реализован мощный параметрический генератор-усилитель (ПГУС) на нелинейном кристалле ЛОР, перестраиваемый в видимом диапазоне спектра (440 - 670 нм), с выходной энергией излучения до 3 мДж при длительности импульса 1,5 не, с параметрами излучения.

воспроизводимыми во всем спектральном диапазоне.

2. Для накачки ПГУС (п.1) создана мощная УЛО^с! лазерная система, с преобразованием частоты во вторую и четвертую гармоники, с выходной энергией УФ излучения до 50 мДж и суммарной эффективностью преобразования до 25%. В системе использован разработанный одночастотный задающий генератор коротких наносекундных (2 не) импульсов с пассивным затвором на кристалле ГСГГ'.Сг,1Ч11.

3. На основе ПГУС (п.1) и разработанной схемы регистрации нестационарной фотопроводимости (НФП) создана экспериментальная установка для проведения спектральных исследований двухфотонного возбуждения и релаксации неравновесных носителей заряда в широкозонных кристаллах.

4. Проведены исследования двухквантового поглощения в кристаллах К1, Са!, КВг, СзВг в результате которых:

Зарегистрирована фотопроводимость при двухкнантовом возбуждении в области экситонной полосы поглощения кристаллов К1 и Св1. Впервые измерены спектры нестационарной фотопроводимости при возбуждении двумя равными квантами излучения ПГУС в диапазоне

конечных состояний 5-5,75 эВ. Обнаружена резкая температурная зависимость фототока, исследовано влияние температуры кристалла на спектральные зависимости НФП. Основываясь на сопоставлении спектров фотопроводимости при одноквантовом и двухквантовом возбуждении и приведенной оценке температурной зависимости концентрации свободных электронов в зоне проводимости, сделан вывод о возможной термической ионизации автолокализованных экситонов при уровнях температуры кристалла превышающих 300 К.

В кристаллах Csl, KI, CsBr и КВг впервые получены спектральные зависимости фотопроводимости при двухквантовом комбинированном возбуждении, сочетавшем излучение ПГУС с УФ излучением лазера накачки, в диапазоне конечных состояний 6,5-7,5 эВ.

В кристалле КВг измерена спектральная зависимость времени линейной рекомбинации в диапазоне 6,7 - 7,45 эВ.

В кристалле Csl для случая комбинированного воздействия излучением второй и четвертой гармоники YAG:Nd лазера определен коэффициент двухфотонного поглощения у. Получена количественная спектральная зависимость коэффициента у в диапазоне 6,45 - 7,2 эВ.

Получены аналитические выражения, связывающие амплитуду регистрируемого в эксперименте сигнала НФП и параметры воздействующих компонент излучения в случае двухфотонного поглощения неравных квантов излучения.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Гарнов C.B., Епифанов A.C., Климентов С.М., Маненков A.A. Трехнаносекундный одночастотный YAG:Nd лазер с высокой стабильностью параметров излучения. - Тезисы VI Всесоюзной конференции "Оптика лазеров", Ленинград, 1990, с. 401.

2. Гарнов C.B., Епифанов A.C., Климентов С.М., Маненков A.A. Трехнаносекундный одночастотный YAG:Nd лазер с высокой стабильностью параметров излучения. - Известия АН СССР, сер. физич., 1990, 54, №12, с. 2461-2463.

3. Гарнов C.B., Епифанов A.C., Климентов С.М., Маненков A.A., Никольский М.Ю., Щербаков И.А. Генерация коротких наносекундных

импульсов в ИАГ:Ш-лазерс с модулятором добротности на основе кристалла ГСГГ:Сг,Ш. - Квантовая электроника, 1991, 18, № 9, с. 10401041.

4. Гариов С.В., Епифанов А.С., Климентов С.М., Маненков А.А. Простой эффективный однокристальный параметрический генератор-усилитель коротких наносекундных импульсов света, перестраиваемый в видимом диапазоне спектра. - Тезисы Международной конференции "Оптика лазеров", Ленинград, 1993, с. 345.

5. Гарнов С.В., Епифанов А.С., Климентов С.М., Маненков А.А. Простой эффективный однокристальный параметрический генератор-усилитель коротких наносекундных импульсов света, перестраиваемый в видимом диапазоне спектра. - Известия АН СССР, сер. физич., 1994, 58, № 2, с. 127-130.

6. Klimentov S.M., Garnov S.V., Epifanov A.S., Manenkov A.A., Simple optical parametric oscillator-amplifier in unitary crystal, tunable over the visible range of spectrum, and its application for two-photon spectroscopy. -SPTEProc., 1994, v. 2145, p. 342-348.

7. Garnov S.V., Epifanov A.S., Klimentov S.M., Manenkov A.A., Effective methods based on laser induccd photoconductivity for study of multiphoton processes in wide-band gap crystals. - Tech. Digest of the 15-th International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO'95), St. Petersburg, Russia, 1995, v. I, p. 24-25.

8. Klimentov S.M., Garnov S.V., Epifanov A.S., Manenkov A.A., Sagatelian D.M., Application of optical parametric oscillator-amplifier to two-photon spectroscopy in alkali halide crystals. - Tech.Digest of the Twelvth UK National Quantum Electronics Conference (QE-11), University of Southampton , 1995, p. Pl-36.

ЛИТЕРАТУРА

1. Braunstein R., OckmanN. Optical double-photon absorption in CdS. -Phys.Rev., 1964, v. 134, No 2A, p. A499-A507.

2. Конюхов B.K., Кулевский Л .-А., Прохоров A.M. Спектр двухфотонного поглощения в CdS вблизи края основного поглощения. - ДАН СССР, 1967, т. 173, No 5, с. 1048-1051.

3. Hopfield J.J., Worlock J.M., Two-quantum absorption spectrum of KI and Csl. - Pliys.Rev., 1965, v. 137, No 5A, p. A1455-A1464.

4. Beerwerth F., Frohlich D. Three-photon spectroscopy of exciton polaritons in alkali halides. - Phys.Rev.B, 1988, v. 38, Mo 6, p. 4250-4258.

5. Шен И.Р. Принципы нелинейной оптики: Пер. с англ. Под ред. С. А. Ахманова. М.: Наука, 1989, 560 с.

6. Гарнов С.В., Епифанов А.С., Климентов С.М., Маненков А.А., Прохоров A.M. Многофотонная и примесная фотопроводимость и щелочно-галоидных кристаллах, возбуждаемая пикосекундными лазерными импульсами. - ЖЭТФ, 1988, 94, вып. 3, с. 299-310.

7. Kung А.. Generation of tunable picosecond VUV radiation. - Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, No 11, p. 653-654.

8. Данилов A.A., Евстигнеев B.JI., Ильичев H.H., Малютин А.А., Никольский М.Ю., Умысков А.Ф., Щербаков И.А. Компактный лазер на основе rCrr:Cr5+Nd3+ с пассивной модуляцией добротности. -Квантовая Электроника, 1987, т. 14, No 5, с. 905-906.

9. Багдасаров В.Х., Денисов Н.Н., Пашинин П.П., Шкловский Е.И. Одночастогный импульсно-периодический лазер на ИАГ'-Nd с большой пиковой мощностью и малой расходимостью излучения. - Квантовая Электроника, 1987, т. 14, No 7, с. 1364-1365.

10. Данилейко Ю.К., Маненков А.А., Нечитайло B.C. Одночастотный рубиновый лазер с пространственно однородным полем и варьируемой длительностью импульса в наносекундном диапазоне. - Квантовая Электроника, 1974, т. 1, No 3, с. 604-605.

1 l.Shen Х.А., Jones S.C., Braunlich P., Kelly P. Four-photon absorption cross section in potassium bromide at 532 nm. - Phys.Rev.Lett., 1987, v. B36, No 5, p. 2831-2843.

12. Horn P., Schmidt A., Braunlich P., Kelly P. Photoacoustic observation of third-order absorption in tallium halides at 1.06 цт. - IEEE Journal of Quant.Electron., 1983, QE-19, No 7, p. 1169-1172.

13. Kuwabara G., Aoyagi K. Photoconductivity of some alkali halide crystals in the fundamental absorption edge. - Phys.Chem.Solids, 1961, v. 22, p. 333338.