Многофотонное возбуждение и рекомендация неравновесных носителей заряда в широкозонных кристаллах при воздействии пикосекундных лазерных импульсов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.21 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Многофотонное поглощение света и возбуждение неравновесных 17 носителей заряда в твердых телах.

Теоретические и экспериментальные основы метода нестационарной пикосекундной лазерной фотопроводимости.

1.1. Введение.

1.2. Экспериментальные методы исследования процессов собственного 17 многофотонного поглощения света в твердых телах.

1.3. Основные аналитические соотношения.

1.4. Схема регистрации и методика измерений нестационарной 57 пикосекундной лазерной фотопроводимости в ЩГК.

1.5. Стабильный пикосекундный ИАГ:Ш лазер с эффективным 64 преобразованием излучения в гармоники.

1.6. Выводы Главы 1.

Глава 2. Собственные и примесные механизмы возбуждения неравновесных 77 носителей заряда в широкозонных кристаллах.

2.1. Введение

2.2. Измерение коэффициентов многофотонного поглощения света в щелочно- 77 галоидных кристаллах методом нестационарной пикосекундной лазерной фотопроводимости.

2.3 Сопоставление экспериментальных и расчетных значений коэффициентов 87 многофотонного поглощения света в ЩГК.

2.4. Многофотонные и примесные механизмы возбуждения неравновесных 90 носителей заряда и их связь с процессами лазерного разрушения широкозонных диэлектриков.

2.4.1. Измерения примесного поглощения света в ЩГК методом 90 нестационарной пикосекундной лазерной фотопроводимости.

2.4.2. Экспериментальные исследования процессов лазерного разрушения 94 широкозонных оптических материалов.

2.5. Измерение дрейфовых подвижностей неравновесных термализованных 110 электронов в щелочно-галоидных кристаллах.

2.6. Выводы Главы 2.

Глава 3. Многофотонное возбуждение и рекомбинация неравновесных носителей заряда в щелочно-галоидных кристаллах в условиях интенсивного лазерно-индуцированного дефектообразования.

3.1. Введение.

3.2. Двухфотонное возбуждение нестационарной фотопроводимости в ЩГК 124 при комнатных температурах. Исследования процессов линейной и квадратичной рекомбинация неравновесных носителей заряда.

3.3. Генерация неравновесных носителей заряда и лазерно-индуцированное 144 центрообразование в широкозонных диэлектриках при трехфотонном поглощении света.

3.4. Нестационарная пикосекундная лазерная фотопроводимость ЩГК 150 при повышенных температурах.

3.5. Выводы Главы 3.

Глава 4. Пикосекундная лазерная фотопроводимость природных кристаллов 161 алмаза и поликристаллических алмазных пленок.

4.1.Введение.

4.2. Параметры исследуемых образцов.

4.3. Экспериментальные результаты исследования ПЛФП 168 алмазных материалов.

4.4. Численное моделирование нестационарной фотопроводимости 185 алмазных материалов.

4.5. Исследования процессов оптоэлектронной коммутации 196 высоковольтных электрических сигналов при объемном оптическом возбуждении неравновесных носителей заряда в алмазных материалах.

4.6. Выводы Главы 4.

Глава 5. Исследования процессов рекомбинации неравновесных носителей 211 заряда в широкозонных диэлектриках и полупроводниках методом высокоскоростного зондирования электромагнитным излучением миллиметрового диапазона.

5.1. Введение.

5.2. Экспериментальная установка для исследования процессов 215 возбуждения и измерения времен жизни ННЗ методом микроволнового зондирования.

5.3. Основные экспериментальные результаты.

5.4. Расчетные зависимости наведенного отражения/пропуекания 226 плоскопараллельных образцов при объемной и поверхностной генерации ННЗ.

5.4.1. Объемное возбуждение образцов.

5.4.2. Поверхностное возбуждение образцов.

5.5. Результаты численного моделирования оптических свойств 232 лазерно-возбужденных плоскопараллельных образцов.

Анализ и сопоставление расчетных и экспериментальных данных.

5.5.1. Объемное возбуждение неравновесных носителей заряда.

5.5.2. Поверхностное возбуждение неравновесных носителей заряда.

5.6. Амплитудно-временной анализ регистрируемых сигналов. 247 Определение времен жизни неравновесных носителей заряда.

5.6.1. Анализ предельного временного разрешения детектора ММ излучения.

5.6.2. Процедура определения времен жизни неравновесных носителей заряда.

5.7. Выводы Главы 5.

Среди широкого круга проблем физики взаимодействия лазерного излучения с твердым телом исследования оптического возбуждения "свободных" неравновесных носителей заряда (ННЗ) в результате примесного и собственного многофотонного поглощения света и их последующей рекомбинации, несомненно, занимают особое место. Значительное внимание к изучению этих, имеющих важное фундаментальное и прикладное значение процессов связано с той определяющей ролью, которую они играют во многих принципиальных областях лазерной физики, нелинейной оптики, физики твердого тела и квантовой электроники.

Так например, исследования зависимостей сечений собственных ("зона-зона") многофотонных переходов носителей заряда от частоты света, его поляризации, ориентации кристалла, а также степени и четности процесса, позволяют получать информацию о свойствах и структуре энергетических зон [1-2], т.е. непосредственно связаны с одной из основных проблем физики твердого тела - определением зонной структуры кристаллов.

В свою очередь, отсутствие необходимых сведений о зонной структуре конкретных кристаллов [2] принципиально ограничивает возможности теоретического анализа многофотонного поглощения и, в частности, не позволяет провести до конца последовательный вывод соотношений и осуществить численный расчет вероятностей переходов и сечений поглощения без значительного упрощения исходных моделей, существенно искажающего реальную физическую картину. В связи с этим, на сегодняшний день реально лишь экспериментальные методы позволяют получить надежные данные о параметрах и закономерностях многофотонного поглощения света и возбуждения ННЗ в твердых телах.

Оптическое возбуждение примесных уровней в запрещенной зоне и многофотонные переходы носителей заряда в поле высокоинтенсивного лазерного излучения непосредственно связаны с основными механизмами оптического разрушения материалов - лавинной ударной ионизацией, многофотонной ионизацией и примесным пробоем твердых тел, определяющими предельную лучевую стойкость элементов оптических систем к лазерному воздействию и ограничивающими энергетические возможности мощных лазеров [3-5].

Широкие перспективы использования особенностей многофотонного возбуждения ННЗ открываются в спектроскопических исследованиях [1]. Относительно слабое затухание излучения при его распространении в случае многофотонного поглощения (носящее, в отличие от линейного поглощения, степенной, а не экспоненциальный характер) позволяет возбуждать большие объемы вещества. Существующее в большинстве случаев существенное различие в поверхностном и объемном (многофотонном) поглощении света дает уникальную возможность разделить накладывающиеся друг на друга поверхностные и объемные явления [6].

Возможность достижения значительных концентраций ННЗ, практически равномерно распределенных по объему вещества, приводит к ряду практических приложений многофотонного поглощения, в частности, созданию с его помощью лазерных элементов на центрах окраски (в щелочно-галоидных кристаллах) [7] и лазеров с многофотонной накачкой активной среды [8-10].

Наконец, динамические процессы полевого и диффузионного дрейфа и рекомбинации ННЗ, непосредственно связанные с фундаментальными механизмами переноса заряда и релаксации возбужденных состояний в твердом теле, в конечном итоге, определяют электронные свойства возбужденных материалов и, следовательно, функциональные возможности создаваемых на их основе различного рода оптоэлектронных устройств, в том числе источников и приемников электромагнитного излучения [11-13].

Приведенные примеры, с достаточной очевидностью, свидетельствуют об актуальности проведения исследований в данной области как с точки зрения фундаментальной науки, так и многочисленных прикладных задач и практических приложений. При этом, одним из важных и развивающихся направлений исследований является изучение сверхбыстрых (в нано- пикосекундном масштабе времен) фотоэлектронных процессов в оптически прозрачных, широкозонных диэлектрических средах.

Исследования возбуждения, дрейфа и рекомбинации ННЗ в широкозонных твердых телах представляет особый интерес в силу существующих здесь принципиальных особенностей изучаемых явлений, проявляющихся, например, в крайне малых, по сравнению с полупроводниками вероятностями многофотонных переходов, практическом отсутствии в "чистых" кристаллах равновесных носителей заряда, значительном различии фотоэлектрических свойств поверхности и объема материала, наличии высокоэффективных каналов собственной (бимолекулярной) и примесной рекомбинации ННЗ, приводящих к тому, что уже при относительно низких концентрациях носителей заряда и центров рекомбинации, времена жизни ННЗ сокращаются до нано- и пикосекунд.

Повышенное внимание к изучению фотоэлектронных свойств широкозонных диэлектриков, особенно в последние годы, связано с созданием новых материалов с уникальными физическими свойствами - синтетических алмазов и, в частности, поликристаллических алмазных пленок, нитрида галлия, кубического нитрида бора, разнообразных керамических сред на основе A1N, Si3N4, SiC [14,15], и разработкой на их основе электронных и оптоэлектронных устройств нового поколения - источников видимого и УФ излучения, высокочувствительных селективных фотоприемников электромагнитного и радиационного излучения, сверхбыстрых оптоэлектронных коммутаторов токов и напряжений.

Немаловажным фактором, стимулирующим исследования в этой области, является и ограниченное число, в частности, экспериментальных работ, что, в основном, связано со значительными сложностями проведения соответствующих экспериментов, возникающими в силу отмеченных выше особенностей свойств широкозонных кристаллов, и принципиальными ограничениями, присущими существующим методам исследования.

Так например, анализ литературы показывает, что к моменту начала работ по диссертации (1986 г.) для широкозонных кристаллов практически отсутствовали надежные сведения о регистрации собственного (межзонного) поглощения света степенью выше двух, оставались не изученными процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда в области времен короче нескольких наносекунд, отсутствовали надежные данные о соответствующих сечениях многофотонного поглощения света и возбуждения ННЗ, величинах их дрейфовых подвижностей и временах линейной и квадратичной рекомбинации.

Настоящая диссертация посвящена экспериментальному исследованию процессов оптической генерации неравновесных носителей заряда в результате примесного и собственного многофотонного поглощения света и сопутствующих процессов дрейфа и рекомбинации ННЗ в широкозонных кристаллических диэлектриках - в основном в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК) и алмазах.

Выбор в качестве объекта исследований щелочно-галоидных кристаллов и алмазов не является случайным. ЩГК успешно используются в разнообразных исследованиях по взаимодействию лазерного излучения с веществом (в частности, по оптическому разрушению [5]), поскольку, с одной стороны, представляют собой наиболее хорошо изученные и простые, с точки зрения структуры и свойств, модельные среды, удобные для теоретического анализа явлений и интерпретации результатов, а с другой стороны, сами по себе широко применяются в качестве материалов для изготовления различных оптических элементов лазерных систем - пассивных элементов, активных лазерных сред, оптических затворов [10].

В свою очередь, алмаз в силу уникальности своих физических свойств, занимает особое место среди других диэлектрических и полупроводниковых кристаллов [15]. Обладая максимальной для всех известных твердых тел твердостью и теплопроводностью, широкой полосой прозрачности, химической инертностью, высокой радиационной стойкостью и электрической прочностью, алмаз демонстрирует уникальное сочетание диэлектрических и электропроводящих свойств, являясь в нормальных условиях идеальным диэлектриком и становясь под действием, например, УФ излучения, возбуждающего свободные носителей заряда, фотопроводником с практически такими же электропроводящими свойствами, как и наиболее совершенные полупроводники - Si, Ge и GaAs.

Сочетание высокой электропроводности и теплопроводности алмазов, весьма малых (нано- субнаносекундных) времен жизни носителей заряда и незначительных диэлектрических потерь и достигнутый на сегодняшний день уровень технологии производства по сути нового класса широкозонных материалов - высококачественных поликристаллических алмазных пленок, открывают широкие перспективы для создания на их основе мощных сверхскоростных оптоэлектронных устройств.

В силу того, что существующие и широко используемые в исследованиях полупроводников традиционные экспериментальные методы имеют ограниченную область применения при изучении широкозонных кристаллов, поскольку либо не являются универсальными (рекомбинационная люминесценция), либо допускают неоднозначную интерпретацию и обладают низкой чувствительностью (фотоакустика), либо используются без должного критического анализа получаемых результатов и, зачастую, вне области применимости (контактная фотопроводимость, основанная на регистрации тока, протекающего через поверхность раздела метал л-диэлектрик), основополагающей задачей диссертации являлась дальнейшая разработка эффективных экспериментальных методов исследования неравновесных носителей заряда в широкозонных кристаллах.

Основной разработанный и используемый в диссертации метод исследования - нестационарная пикосекундная лазерная фотопроводимость (ПЛФП), основанный на емкостной регистрации фотопроводимости, возбуждаемой сверхкороткими, пикосекундными лазерными импульсами в объеме образцов вне контактной области - поверхности раздела металл-диэлектрик [16-18], является прямым высокочувствительным методом детектирования неравновесных носителей заряда, позволяет надежно регистрировать многофотонные переходы, идентифицируя их по зависимости сигнала фототока от интенсивности возбуждающего излучения, и изучать с высоким временным разрешением процессы переноса заряда, рекомбинацию ННЗ и процессы лазерно-индуцированного центрообразования, стимулируемые интенсивным лазерным излучением.

Использование сверхкоротких лазерных импульсов в такого рода экспериментах является принципиальным как в связи с открывающейся возможностью изучать динамику сверхбыстрых электронных процессов в реальном времени, так и благодаря тому, что только в этом случае удается надежно возбудить и выявить многофотонные переходы носителей заряда из-за существенно более высоких порогов оптического пробоя для пикосекундных лазерных импульсов по сравнению, например, с наносекундными [2-5].

Другим, предложенным и реализованным в диссертации методом исследования динамики неравновесных носителей заряда, является метод их сверхскоростной микроволновой диагностики, основанный на оптическом возбуждении ННЗ пикосекундными лазерными импульсами и их зондировании непрерывным электромагнитным излучением миллиметрового диапазона [18-19]. Принципиальная отличительная особенность разработанного метода, позволившая существенно (на порядок) увеличить его чувствительность, заключается в использовании в экспериментах плоскопараллельных образцов исследуемых материалов с толщиной, сопоставимой с длиной волны зондирующего излучения и являющихся, по сути, эффективными микроволновыми (Фабри-Перо) резонаторами, чьи оптические свойства (отражение и пропускание) модулируются в течение времени существования короткоживущей электрон-дырочной плазмы.

Применение предложенного микроволнового метода позволило не только впервые оптическим способом измерить, например, времена жизни неравновесных носителей заряда в широкозонных кристаллах (алмазах) при весьма низких (~1014см~3) концентрациях ННЗ, но и провести исследования процессов как объемного, так и поверхностного возбуждения и рекомбинации ННЗ с наносекундным временным разрешением.

В связи с изложенным, целью диссертации являлось: разработка высокоскоростных чувствительных экспериментальных методов фотоэлектрической и микроволновой регистрации неравновесных носителей заряда в широкозонных кристаллах и проведение на их основе систематических исследований процессов оптического возбуждения, дрейфа и рекомбинации ННЗ в щелочно-галоидных кристаллах и алмазах, собственного многофотонного и примесного поглощения света и лазерного разрушения прозрачных оптических материалов пикосекундными лазерными импульсами.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы.

5.7. Выводы Главы 5.

1. Предложен и реализован экспериментальный метод исследования процессов объемного и поверхностного возбуждения и рекомбинации неравновесных носителей заряда в широкозонных диэлектриках и полупроводниках, сочетающий в себе оптическое возбуждение короткоживущей электрон-дырочной плазмы сверхкороткими пикосекундными лазерными импульсами и её временную диагностику непрерывным электромагнитным излучением миллиметрового диапазона на основе высокоскоростной регистрации наведенного отражения и пропускания.

Принципиальной отличительной чертой разработанного метода является использование в экспериментах плоскопараллельных образцов исследуемых материалов являющихся, для зондирующего ММ излучения, эффективными микроволновыми (Фабри-Перо) резонаторами, модуляция оптических свойств которых, в течение времени существования неравновесных носителей заряда, обеспечивает возможность значительно (на порядок) увеличить чувствительность измерений и надежно, с высоким, субнаносекундным временным разрешением, исследовать динамику рекомбинации ННЗ при концентрациях последних, вплоть до~1014 см"3.

2. На основе предложенного метода создана экспериментальная установка и проведены исследования процессов линейной рекомбинации неравновесных носителей заряда в широкозонных кристаллах природного алмаза, поликристаллических алмазных пленках и высокоомном арсениде галлия при их возбуждении одиночными пикосекундными импульсами ИАГ:Ш лазера ИК, видимого и УФ спектрального диапазона и зондировании непрерывным ЭМ излучением с частотой 140 ГГц (длина волны в вакууме А,Мм = 2.15 мм).

Выбранная волноводная схема зондирования образцов обеспечивает высокое пространственное разрешение (~1мм ), позволяющее проводить измерения в малоразмерных образцах (кристаллах алмаза), а также изучать пространственные

258 неоднородности электронных свойств протяженных синтетических алмазных пленок и полупроводниковых пластин.

3. Проведено численное моделирование оптических свойств возбужденного плоскопараллельного резонатора, позволившее адекватно анализировать получаемые экспериментальные данные и, в частности, корректно определять времена жизни ННЗ по измеренным зависимостям отражения и пропускания ММ волн.

4. В результате проведенных исследований впервые оптическим методом измерены времена жизни неравновесных носителей заряда в широкозонных диэлектриках (кристаллах алмаза и поликристаллических алмазных пленках) и при низких концентрациях ННЗ, вплоть до 1014 см"3, с временным разрешением =10"9 с. Показано, что даже в наиболее совершенных образцах природных и синтетических алмазов (с минимально достижимым содержанием примесей и дефектов), времена линейной рекомбинации не превосходят нескольких наносекунд.

5. Продемонстрировано, что реальные преимущества разработанного метода - сочетание высокого временного и пространственного разрешения, конструктивная простота созданной экспериментальной установки, надежность получаемых результатов, - открывают широкие перспективы возможного практического использования предложенного подхода при изучении объемных и поверхностных электронных свойств новых оптоэлектронных материалов и традиционных полупроводников - GaAs и кремния.

Заключение.

В результате выполнения работы в соответствии с поставленными целями в диссертации решена следующая научная проблема: разработаны эффективные экспериментальные методы изучения многофотонного возбуждения и рекомбинации неравновесных носителей заряда в широкозонных твердых телах, на основании которых проведены комплексные исследования и получены новые данные о сверхбыстрых фотоэлектронных процессах в щелочно-галоидных кристаллах и алмазах.

В диссертации получены следующие основные результаты:

1. Разработан комплексный метод исследования процессов генерации, дрейфа и рекомбинации неравновесных носителей заряда, многофотонного и примесного поглощения света в широкозонных кристаллах, основанный на высокоскоростной (с временным разрешением до 220 пс) регистрации нестационарной фотопроводимости, возбуждаемой пикосекундными лазерными импульсами в объеме исследуемых материалов - нестационарная пикосекундная лазерная фотопроводимость (ПЛФП).

2. Проведены систематические экспериментальные исследования фотоэлектронных процессов в кристаллах щелочно-галоидного ряда (КС1, NaCl, КВг, KI), в монокристаллах природных алмазов и в новых широкозонных материалах - синтетических поликристаллических алмазных пленках, в широком диапазоне концентраций ННЗ ~ 10п-н1019 см"3, в результате чего:

- обнаружено собственное четырехфотонное поглощение света в широкозонных (щелочно-галоидных) кристаллах и измерены коэффициенты трех- и четырехфотонного поглощения света (на длинах волн А, = 355 нм и X = 532 нм); зарегистрирована электрон-дырочная рекомбинация и оценена соответствующая величина ее сечения в ЩГК. Найдено, что квадратичная рекомбинация в щелочно-галоидных кристаллах с характерными временами

10"8 с начинает проявляться уже при относительно низких концентрациях ННЗ (-1014 см"3);

- с субнаносекундным разрешением измерены времена жизни термализованных ННЗ и их дрейфовые подвижности;

- выявлено значительное (на порядок величины) необратимое уменьшение времен жизни ННЗ в ЩГК в результате их эффективной рекомбинации на образующихся при многофотонном поглощении света стабильных центрах окраски;

- показано, что возникающее с ростом концентрации ННЗ вследствие формирования наведенного пространственного заряда, последовательное сокращение длительности импульсов фототока в алмазах (вплоть до длительности возбуждающих пикосекундных лазерных импульсов) позволяет использовать явление экранировки действующего поля в качестве механизма генерации сверхкоротких электрических сигналов;

- продемонстрировано, что электронные свойства синтезируемых в настоящее время алмазных пленок практически соответствуют электронным свойствам наиболее совершенных монокристаллов природных алмазов.

3. Предложен способ высокоскоростной коммутации высоковольтных электрических сигналов, основанный на объемном оптическом возбуждении ННЗ в синтетических алмазных пленках, в результате чего созданы управляемые пикосекундными лазерными импульсами оптоэлектронные модули, позволяющие осуществлять переключение высоковольтного (вплоть до ЮкВ) напряжения за времена менее 250 пс и генерацию мощных импульсов тока амплитудой более 70А и длительностью = 1-^2 не.

4. Проведен цикл экспериментальных исследований лазерного разрушения оптических материалов пикосекундными лазерными импульсами, в результате которых показано, что:

- высокая эффективность трех- и четырехфотонного поглощения света в ЩГК свидетельствуют о возможности реализации собственного многофотонного механизма их оптического разрушения сверхкороткими лазерными импульсами;

- несмотря на существенное уменьшение влияния примесей на оптическую стойкость широкозонных (щелочно-галоидных) кристаллов при сокращении длительности лазерного воздействия, нельзя полностью исключить возможность примесного механизма их оптического разрушения пикосекундными лазерными импульсами, даже в случае особо чистых образцов;

- при анализе процессов и механизмов лазерного разрушения оптических сред сверхкороткими (в особенности фемтосекундными) импульсами необходимо учитывать канал преобразования высокоинтенсивного лазерного излучения в непрерывный спектральный континуум и его последующее эффективное поглощение.

5. Предложен и реализован новый высокоскоростной чувствительный микроволновой метод исследования ННЗ в широкозонных диэлектриках и полупроводниках при их объемном и поверхностном возбуждении пикосекундными лазерными импульсами, основанный на измерении наведенного отражения и пропускания электромагнитного излучения миллиметрового диапазона (с частотой

140 ГГц) плоскопараллельными образцами - микроволновыми резонаторами.

Микроволновым методом впервые измерены времена линейной рекомбинации ННЗ в широкозонных диэлектриках (кристаллах алмаза и поликристаллических алмазных пленках) с временным разрешением =10"9 с, при низких (вплоть до

Ю14см"3) концентрациях носителей заряда.

1. В.И. Бредихин, М.Д. Галанин, В.Н. Генкин "Двухфотонное поглощение и спектроскопия", УФН, тЛ 10, вып.1, сс.3-43, 1973.

2. V. Nathan, А.Н. Guenther, S.S. Mitra "Review of multiphoton absorption in cristalline solids", JOSA, Vol.2, No2, pp.294-316, 1985.

3. A.C. Епифанов, А.А. Маненков, A.M. Прохоров "Теория лавинной ионизации в прозрачных диэлектриках под действием электромагнитного поля", ЖЭТФ, т. 70, вып.2, сс.728-737, 1976.

4. Б.Г. Горшков, А.С. Епифанов, А.А. Маненков "Лавинная ионизация в твердых телах при больших квантах излучения и относительная роль многофотонной ионизации в лазерном разрушении", ЖЭТФ, т.56, вып.2, сс. 617-629, 1979.

5. А.А. Маненков, A.M. Прохоров "Лазерное разрушение прозрачных твердых тел", УФН, т. 148, вып.1, сс. 179-211, 1986.

6. JJ. Hopfield, J.M. Worlock, К. Park "Two quantum absorption spectrum of KI", Phys. Rev. Letters., Vol. 11, No 9, pp.414-417, 1963.

7. L.F. Mollenauer, G.C. Bjorklun, W.J. Tomlinson "Production of stabilized coloration in alkali nalides by two-photon absorption process", Phys. Rev. Letters., Vol.35, No 24, pp.l662-1665, 1975.

8. B.K. Конюхов, Л.А. Кулевский, A.M. Прохоров "Оптический генератор CdS при двухфотонном возбуждении рубиновым лазеров", ДАН СССР, т. 164, № 5, сс.1012-1015, 1965.

9. Н.Г. Басов, А.З. Грасюк, И.Г. Зубарев, В.А. Катулин, О.Н. Крохин "Полупроводниковый квантовый генератор с двухфотонным оптическим возбуждением" ЖЭТФ, т.50, вып.З, сс.551-559, 1966.

10. Справочник по лазерам, под ред. A.M. Прохорова, в 2-х томах, т.1/т.2, Москва, Советское радио, 1978, 504с/400с.

11. Р. Бьюб, Фотопроводимость твердых тел, пер. с англ., Москва, Иностранная литература, 1962, 558 с.

12. С.М. Рыбкин, Фотоэлектрические явления в полупроводниках, Москва, Физматгиз, 1963, 494 с.

13. А.И. Ансельм, Введение в теорию полупроводников, Москва, Наука, 1978, 616с.

14. GaN and related materials for device applications, S.J. Rearton, C. Kuo, Eds., MRS Bulletin, Vol 22, No 2. pp. 17-51, 1997.

15. The properties of natural and synthetic diamond, J.E. Field, ed., London-San Diego-New York-Boston-Sydney-Tokyo-Toronto, Academic Press, 1992, 710 p.

16. C.B. Гарнов, A.C. Епифанов, С.М. Климентов, A.A. Маненков, A.M. Прохоров "Трех- и четырехфотонные процессы возбуждения неравновесных носителей в широкозонных кристаллах", Письма в ЖЭТФ, т.45, вып.8, сс.399-402, 1987.

17. S.V. Garnov, S.M. Klimentov, A.I. Ritus, S.M. Pimenov, V.V. Kononenko, V.I. Konov, S.Gloor, W. Luthy, H.P. Weber, "Ultrafast electronic processes in natural and CVD diamonds", Diamond Films and Technology, Vol.8, №5, pp. 369-380, 1998.

18. M.J. Soileau, W.E. Williams, E.W. Van Stryland, T.F. Boggess, A.L. Smirl "Picosecond damage studies at 0.5 and 1 pm", Optical Engineering, Vol.22, No 4, pp.424-430. 1983.

19. R. Braunstein, N. Ockman "Optical double-photon absorption in CdS", Phys. Rev., Vol. A134, No 2, pp.499-507, 1964.

20. W. Kaiser, C.G.B. Garrett "Two-photon excitation in CaF2:Eu2+", Phys. Rev. Letters., Vol.7, No 6, pp.229-231, 1961.

21. В.В. Арсеньев, B.C. Днепровский, Д.Н. Клышко, А.Н. Пенин "Нелинейное поглощение и ограничение интенсивности света в полупроводниках", ЖЭТФ, т.56, вып.З, сс.760-765, 1969.

22. I.M. Catalano, A. Cingolani, A. Minafra "Transmittance, luminescence, and photocurrent in CdS under two-photon excitation", Phys. Rev. B, Vol.9, No 2, pp.707-710, 1974.

23. B.C. Днепровский, Д.Н. Клышко, А.Н. Пенин "Фотопроводимость диэлектриков под действием излучения лазера", Письма в ЖЭТФ, т.З, вып.10, сс.385-389, 1966.

24. Б.М. Ашкинадзе, С.М. Рывкин, И.Д. Ярошецкий "Экспериментальное наблюдение процесса трехквантового поглощения в сульфиде кадмия", Физика и Техн. Полупроводников, т.2, вып.10, сс. 1540-1542, 1968.

25. Б.В. Зубов, JI.A. Кулевский, В.П. Макаров, Т.М. Мурина, A.M. Прохоров "Двухфотонное поглощение в германии", Письма в ЖЭТФ, т.9, вып.4, сс.221-224, 1969.

26. В.В. Арсеньев, B.C. Днепровский, Д.Н. Клышко, JI.A. Сысоев "Нелинейное поглощение пикосекундных импульсов света в полупроводниках", ЖЭТФ, т.60, вып. 1, сс.114-116, 1971.

27. S. Jayaraman, С.Н. Lee "Observation of two-photon conductivity in GaAs with nanosecond and picosecond light pulses", Appl. Phys. Letters, Vol. 20, No 10, pp. 392-395, 1972.

28. J.H. Yee "Calculation of two-photon conductivity in semiconductors", Phys. Rev., Vol.186, No 3, pp.778-783, 1969.

29. S. Jayaraman, C.H. Lee "Observation of three-photon conductivity in CdS with mode-locked Nd: glass laser pulses", J.Appl. Phys., Vol.44, No 12, pp.5480-5482, 1973.

30. D. Frohlich, B. Staginnus "New assignment of the band gap in the alkali bromides by two-photon spectroscopy", Phys. Rev. Letters, Vol.18, No 9, pp.496-497, 1967.

31. J.J. Hopfield, J.M. Worlock "Two-quantum absorption spectrum of KI and Csl", Phys. Rev., Vol. A 137, No 5, pp. 1455-1464, 1965.

32. Т.П. Беликова, А.Н. Савченко, Э.А. Свириденков "Световой пробой в рубине и связанные с ним эффекты", ЖЭТФ, т.79, вып.5, сс.1880-1887, 1968.

33. Т.П. Беликова, Э.А. Свириденков "Фотопроводимость рубина при мощном облучении рубиновым ОКГ", Письма в ЖЭТФ, т.З, вып.10, сс.394-398, 1966.

34. Г.И. Асеев, M.JI. Кац, В.К. Никольский "Многофотонное возбуждение фотопроводимости в щелочно-галоидных кристаллах лазерным излучением", Письма в ЖЭТФ, т.8. вып.4, сс.174-177, 1968.

35. M. Catalano, A. Cingolani, A. Minafra "Multiphoton transitions in ionic crystals", Phys. Rev. B, Vol. 5, No 4. pp. 1629-1632, 1972.

36. P. Liu, W.L. Smith, H. Lotem, J.H. Bechtel, N. Bloembergen, R.S. Adhav "Absolute two-photon absorption coefficients at 355 and 266 nm", Phys.Rev. B, Vol. 17, No 12, pp. 4620-4632, 1978.

37. P. Liu, R. Yen, N. Blombergen "Two-photon absorption coefficients in UW window and coating materials", Appl. Optics, Vol.18, No 7, pp.1015-1018, 1979.

38. A.J. Taylor, R.B. Gibson, J.P. Roberts "Two-photon absorption at 248 nm in ultraviolet window materials", Optics Lett., Vol.13, No 10, pp.814-816, 1988.

39. G. Brost, P.F. Braunlich, P. Kelly "Measurement of the three-photon absorption cross section in potassium iodide at 532 nm", Phys.Rev. B, Vol. 30, No 8, pp. 4675-4683, 1984.

40. R.T. Williams, J.N. Bradford, W.L. Faust "Short-pulse optical studies of exciton relaxation and F-center formation in NaCl, KC1, and NaBr", Phys. Rev. B, Vol.18, No 12, pp. 7038-7057. 1978.

41. K.J. Teegarden "Luminescence of potassium iodide", Phys.Rev., Vol.105, No 4, pp. 1222-1227, 1957.

42. S.C. Jones, X.A. Shen, P.F. Braunlich, P. Kelly, A.S. Epifanov "Mechanism of prebreakdown nonlinear energy deposition from intense photon fields at 532 nm in NaCl", Phys.Rev. B, Vol. 35, No 2, pp.894-897, 1987.

43. E.W. Van Stryland, M.A. Woodall "Photoacoustic measurement of nonlinear absorption in solids", in "Damage in Laser Materials:1980", H.E. Bennett, A.J. Glass, A.H. Guenther, Eds., Nat. Bur. Stand. (U.S.) Spec. Publ. Vol.620, pp.50-57, 1981.

44. Q. Munir, E. Wintner, A.J. Schmidt "Optoacoustic detection of nonlinear absorption in glasses", Opt. Communs, Vol.36, No 6, pp.467-468, 1981.

45. P. Horn, A. Schmid, P. Braunlich "Photoacoustic observation of third-order absorption in thallium halides at 1.06 pm", IEEE Journal of Quant. Electron., Vol.QE-19, No 7, pp.1169-1172, 1983.

46. S.C. Jones, A.H. Fischer, P. Braunlich, P. Kelly "Prebreakdown energy absorption from intense laser pulses", Phys.Rev. B, Vol. 37, No 2, pp.755-770, 1988.

47. E.P. Pokatilov, V.M. Fomin "Multiphoton absorption by free charge carriers in semiconductors", Phys. Stat. Solidi., Vol.73, No 2, pp.553-564, 1976.

48. X.A. Shen, S.C. Jones, P. Braunlich, P. Kelly "Four-photon absorption cross section in potassium bromide at 532 nm", Phys.Rev., Vol. B36, No 5, pp.2831-2843, 1987.

49. C.B. Гарнов, A.C. Епифанов, C.M. Климентов, A.A. Маненков, A.M. Прохоров "Многофотонная и примесная фотопроводимость в щелочно-галоидныхкристаллах, возбуждаемая пикосекундными лазерными импульсами", ЖЭТФ, т.94, вып.З, сс. 299-310, 1988.

50. W.L. Smith, J.H. Bechtel, N. Bloembergen "Picosecond laser-induced breakdown at 5321 and 3547 A0: observation of frequency-dependent behaviour", Phys. Rev. B, Vol. 15, No 8, pp.4039-4055, 1977.

51. P. Martin, S. Guizard, Ph. Daguzan, G. Petite, P. D' Oliveira, P. Meynadier, M. Perdrix "Subpicosecond study of carrier trapping dynamics in wide band gap crystals", Phys. Rev., Vol. В 55, No. 9, pp. 5799 5810, 1997.

52. S.V. Gamov, A.S. Epifanov, S.M. Klimentov, А.А. Manenkov, A.M. Prokhorov "Picosecond photoconductivity: a powerful technique for studying electronic processes in solids", Optical Engineering, Vol.28, No.10, pp.1069-1074, 1989.

53. Л.Э. Эльсгольц, Дифференциальные уравнения и вариационное исчисление, Москва, Наука, 1969, 424 с.

54. И.Е. Тамм, Основы теории электричества, изд. 9, Москва, Наука, 1976, 616с.

55. А.П. Молчанов, П.Н. Занадворов, Курс электротехники и радиотехники, 3-е изд., Москва, Наука, 1976, 284 с.

56. Б.Г. Горшков, А.С. Епифанов, А.А. Маненков, А.А. Панов "Экспериментальные исследования фотопроводимости широкозонных диэлектриков, возбуждаемой УФ лазерным излучением", ЖЭТФ, т.81, вып.4(10), сс.1423-1434, 1981.

57. I. Ursu, S.V. Nistor, М.М. Voda, L.C. Nistor, V. Teodorescu "Growth of large ultratransparent KC1 single crystals", Mat. Res. Bull., Vol.18, pp.1275-1282, 1983.

58. А. Ярив, Введение в оптическую электронику, пер. с англ., под ред. О.В. Богданкевича, Москва, Высшая школа, 1983, 398 с.

59. Сверхкороткие световые импульсы, под ред. С. Шапиро, пер. с англ., Москва, Мир, 1981,479 с.68. "1980 Laser Program Annual Report of Lawrence Livermore National Laboratory", Calif., UCRL-50021-80, 1981, 347 p.

60. С.Б. Арифжанов, P.A. Танеев, А.А. Гуламов, В.И. Редкоречев, Т. Усманов "Формирование пучка высокого оптического качества на многокаскадном неодимовом лазере", Квантовая электроника, т.8, № 6, сс.1246-1252, 1981.

61. А.Н. Kung, J.F. Young, G.C. Bjorklund, S.E. Harris "Generation of vacuum ultraviolet radiation in Phase-matched Cd vapor", Phys.Rev.Letters, Vol.29, No 15, pp.985-988, 1972.

62. C.B. Гарнов, А.С. Епифанов, C.M. Климентов, А.А. Маненков "Пикосекундный ИАГ:Ш-лазер с эффективным преобразованием во вторую, третью и четвертую гармоники", Известия Академии Наук, сер. физич., т.51, №8, сс. 1447-1449, 1987.

63. Измерение спектрально-частотных и корреляционных параметров и характеристик лазерного излучения, под ред. А.Ф.Котюка и Б.М.Степанова, Москва, Радио и связь, 1982, 272 с.

64. М.И Демчук., В.П. Михайлов, А.Ф. Чернявский "Оптимизация режима генерации ультракоротких импульсов лазера на иттрий-алюминиевом гранате", Известия АН СССР, сер.физич., т.48, № 3, сс.583-586, 1984.

65. W. Seka, S.D.Jacobs, J.E. Rizzo, R. Boni, R.S. Craxton "Demonstration of high efficiency third harmonic conversion of high power Nd-class laser radiation", Opt.Communs., Vol.34, No 3, pp.469-473, 1980.

66. B.E. Постовалов, Ю.Н. Сердюченко "Разработка и динамические испытания пикосекундных электронно-оптических камер", Пикосекундная электронно-оптическая диагностика в лазерных исследованиях, сс. 179-193 (Труды ФИАН, т.155, Москва, Наука, 1985.).

67. Э.Д. Алукер, Д.Ю. Лусис, С.А. Чернов, Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов, Рига, Зинатне, 1979,252с.

68. A.H. Зайдель, Ошибки измерений физических величин, Ленинград, Наука, 1974, 108 с.

69. G.R. Huggett, К. Teegarden "Intrinsic photoconductivity in the alkali halides", Phys.Rev., Vol.141, pp.797-802, 1966.

70. JI.B. Келдыш "Ионизация в поле сильной электромагнитной волны", ЖЭТФ, т.47, вып.5 (11), сс.1945-1957, 1964.

71. Б.Г. Горшков, ЮЛ. Данилейко, A.C. Епифанов, В.А. Лобачев, A.A. Маненков, A.B. Сидорин "Лазерное разрушение щелочно-галоидных кристаллов" ЖЭТФ, т.12, вып.З, сс.1171-1181, 1977.

72. M.J. Soileau, Т. Wei, A.A. Said, N.I. Chapliev, S.V. Garnov, A.S. Epifanov "Comparison of laser-induced damage of optical crystals from the USA and USSR", in "Laser induced damage in optical materials: 1990", H.E. Bennett, L.L. Chase, A.H.

73. Guenther, B.E. Newnam, M.J. Soileau, Eds., Proceedings of SPIE, Vol. 1441, pp. 1015, 1991.

74. A.S. Epifanov, S.V. Garnov "Statistical approach to theory of electron-avalanche ionization in solids," IEEE J. of Quant. Electron., Vol.QE-17, No. 10, pp.2023-2026, 1981.

75. М.Ф. Колдунов, A.A. Маненков, И.JI. Покотило "Тепловой взрыв поглощающих включений как механизм лазерного разрушения поверхности диэлектрика", Квантовая электроника, т. 17, сс.523-527, 1990.

76. О.М. Ефимов, Нелинейная генерация дефектов в силикатных стеклах, диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук, ГОИ им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, 1995, 364 с.

77. D. Du, X. Liu, G. Korn, J. Squier, G. Mourou "Laser-induced breakdown by impact ionization in Si02 with pulse widths from 7 ns to 150 fs", Appl. Phys. Lett., Vol.64, pp. 3071-3073,1994.

78. X.A. Shen, P. Braunlich, S.C. Jones "Intrinsic optical damage in KBr at 532 nm", Phys.Rev.Lett., Vol.59, No 14, pp.1605-1608, 1987.

79. E. W.Van Stryland, M.J.Soileau, A.L. Smirl, W.E. Williams "Pulse-width and focal-volume dependence of laser-induced breakdown," Phys.Rev.B, Vol.23, No.5 pp. 2144-2151, 1981.

80. S. A. Payne, L. L. Chase, G. D. Wilke "Optical spectroscopy of the new laser materials, LiSrAlF6:Cr3+ and LiCaAlF6:Cr3+," J. Luminescence, Vol. 44, pp. 167-176, 1989

81. J. Evans "Examination of colored alkali halides for photoelectric Hall effect", Phys. Re v., Vol.57, No 1, pp.47-53, 1940.

82. A.G. Redfield "Electronic Hall effect in the alkali halides", Phys.Rev., Vol. 94, No 3, pp.537-540, 1954.

83. J.R. VacDonald, J.E. Robinson "Ac Hall and magnetostrictive effects in photoconducting alkali halides", Phys.Rev., Vol. 95, No 1, pp.44-50, 1954.

84. F.C. Brawn, N. Inchauspe "Photoelectric Hall effects in KC1 at low temperatures", Phys.Rev., Vol. 121, No 5, pp.1303-1305, 1961.

85. R.K. Ahrenkiel, F.C. Brown "Electron Hall mobility in the alkali halides", Phys.Rev., Vol. A 136, No 1, pp.223-231, 1964.

86. C.H. Seager, D. Emin "High-temperature measurements of the electron Hall mobility in the alkali halides", Phys.Rev. B, Vol.2, No 8, pp. 3421-3431, 1970.

87. D. Kahn, A.J. Glass "Photocapacitance effect in additively colored alkali halide crystals", J. Phys. Chem. Solids, Vol.17, No 3/4, pp.210-219, 1961.

88. Y. Hirth, U. Todheide-Yaupt "Electron drift mobility in КСГ, Phys.Stat.Sol., Vol.31, No 1, pp. 425-433, 1969.

89. C.B. Гарнов, А.С. Епифанов, C.M. Климентов, А.А. Панов, Э.М. Шахвердиев "Процессы фотовозбуждения и рекомбинации в широкозонных диэлектриках в условиях рождения радиационных дефектов", ФТТ, т.31, вып.5. сс.1-7, 1989.

90. С.В. Гарнов, А.С. Епифанов, С.М. Климентов, А.А. Маненков, A.M. Прохоров "Процессы рождения радиационных дефектов при двухфотонной генерации неравновесных носителей в ЩГК пикосекундными лазерными импульсами",

91. R.D. McKeag, R.D. Marshall, B. Baral, S.S.M. Chan, R.B. Jackman "Photoconductive properties of thin film diamond", Diamond and Related Materials, Vol.6, pp.374-380, 1997.

92. D.R. Kania, M.I. Landstrass, M.A. Piano, L.S. Pan, S. Han "Diamond radiation detectors", Diamond and Related Materials, Vol.2, pp.1012-1019, 1993.

93. S.C. Binari, M. Marchywka, D.A. Koolbeck, H.B. Dietrich, D. Moses "Diamond metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors", Diamond and Related Materials, Vol.2, pp. 1020-1023, 1993.

94. S. Salvatori, E. Pace, M.C. Rossi, F. Galluzzi "Photoelectrical characteristics of diamond UV detectors: device design and film quality", Diamond and Related Materials, Vol.6, pp.361-366, 1997.

95. Millimeter and submillimeter wave spectroscopy of solids, Topics in Applied Physics, Vol. 74, G. Gruner, Ed., Berlin-Heidelberg-New York, Springer-Verlag, 1998, 174 p.

96. M.C. Nuss, J. Orenstein "Terahertz time-domain spectroscopy", in "Millimeter and submillimeter wave spectroscopy of solids", Topics in Applied Physics, Vol.74, G. Gruner, Ed., Berlin-Heidelberg-New York, Springer-Verlag, 1998, 174p.

97. H. Yamamoto, K. Baba, H. Tsuge, N. Shohata, R. Yamasaki, K. Tokuyama, H. Yoneda, K. Ueda "One picosecond electric pulse generation from diamond photoconductive switches", Diamond Films and Technology, Vol. 7, Nos. 5&6, pp. 358-361, 1997.

98. V.G. Ralchenko, A.A. Smolin, V.I. Konov, K.F. Sergeichev, I.A. Sychov, I.I. Vlasov, V.V. Migulin, S.V. Voronina, A.V. Khomich "Large-area diamonddeposition by microwave plasma", Diamond and Related Materials, Vol.6, pp.417421, 1997.

99. M.I. Landstrass, K.V. Ravi "Hydrogen passivation of electrically active defects in diamond", Appl Phys. Lett., Vol.55, No. 14, pp. 1391-1393, 1989.

100. J. Shirafuji, T. Sugino "Electrical properties of diamond surfaces", Diamond and Related Materials, Vol. 5, pp. 706-713, 1996.

101. A.T. Collins "Characterisation of point defects in diamond by luminescence spectroscopy", Diamond and Related Materials, Vol.1, pp. 457-469, 1992.

102. L.S. Pan, D.R. Kania, P. Pianetta, and O.L. Landen "Carrier density dependent photoconductivity in diamond", Appl. Phys. Lett., Vol. 57, No. 6, pp. 623-626, 1990.

103. L.S. Pan, D.R. Kania, P. Pianetta, M. Landstrass, O.L. Landen and L.S. Piano "Photoconductive measurements on microwave assisted plasma-enhanced chemically vapor deposited diamond films", Surface and Coating Technology, Vol. 47, pp. 356364, 1991.

104. L.S. Pan, S. Han, D.R. Kania, M.A. Piano and M.I. Landstrass "Electrical properties of high quality diamond films", Diamond and Related Materials, 2 (1993) 820-824.

105. F. Foulon, P. Bergonzo, C. Jany, A. Gicquel, T. Pochet "CVD diamond photoconductors for picosecond radiation pulse characterisation", Diamond and Related Materials, Vol. 5, pp. 732-736, 1996.

106. И.А. Парфианович, Ю.С. Мухачев, B.C. Татаринов, Электронные свойства широкозонных полупроводников, учебн. пос., Иркутский гос. ун-т, 1979, 95с.

107. S. Han, R.S. Wagner "Grain boundary effects on carrier transport in undoped polycrystalline chemical-vapor-deposited diamond", Appl. Phys. Lett. Vol. 68, No. 21, pp.3016-3018, 1996.

108. C. Jany, F. Foulon, P. Bergonzo, A. Brambilla, F. Silva, A. Gicquel, T. Pochet "Influence of the crystalline structure on the electrical properties of CVD diamond films", Diamond and Related Materials, Vol. 5, pp. 741-746, 1996.

109. P.S. Panchhi and H.M. van Driel "Picosecond Optoelectronic switching in insulating diamond", IEEE J. Quant. Electr., Vol., QE-22,No.l, pp. 101-107, 1986.

110. H.C. Бахвалов, Н.П. Жидков, Г.М. Кобельков, Численные методы, учебн. пос., Москва, Наука, 1987, 600 с.

111. P.Le Fur, D.H. Auston "A kilovolt picosecond optoelectronic switch and pockels cell", Appl. Phys. Lett., Vol.28, pp. 21-23, 1976.

112. D.H. Auston, "Picosecond photoconductors: physical properties and applications", in "Picosecond Optoelectronic Devices", C.H. Lee, Ed., Orlando, Academic, pp. 73117, 1984.

113. D.H. Auston "Impulse response of photoconductors in transmission lines", IEEE J. of Quantum Electron., Vol. QE-19, pp. 639-648, 1983.

114. C.H. Lee "Picosecond optoelectronic switching in GaAs", Appl. Phys. Lett., Vol.30, pp. 84-86, 1977.

115. G. Mourou, W. Knox "High power switching with picosecond precision", Appl. Phys. Lett., Vol.35, pp. 492-495, 1979.

116. P.K. Bharadwaj, R.F. Code, H.M. vanDriel, andE. Walentynowicz "High voltage optoelectronic switching in diamond", Appl. Phys. Lett., Vol.43, No.2, pp. 207-209, 1983

117. В.И. Конов, C.B. Гарнов "Разработка элементов оптоэлектронных устройств на базе моно- и поликристаллических алмазных структур", Научно-технический отчет АО "ДИГАЗКРОН", Москва, 1995, Юс.

118. H. Yoneda, K. Ueda, Y. Aikawa, K. Baba, N. Shohata "Photoconductive properties of chemical vapor deposited diamond switch under high electric field strength", Appl. Phys. Lett., Vol. 66, No 4, pp. 460-462, 1995.

119. Y. Aikawa, K. Baba, N. Shohata, H. Yoneda, K. Ueda "Photoconductive properties of polycrystalline diamond under high electric field strength", Diamond and Related Materials, Vol. 5, pp. 737-740, 1996.

120. S.M. Pimenov, G.A. Shafeev, V.I. Konov, E.N. Loubnin "Electroless metallization of diamond films", Diamond and related materials, Vol. 5, pp. 1042-1047, 1996.

121. S.M. Pimenov, E.D. Obraztsova, A.V. Karabutov, V.V. Kononenko, G.A. Shafeev, V.I. Konov, E.N. Loubnin, S. Gloor, W. Luthy, H.P. Weber "Structure and electronic properties of laser-ablated diamond film surface", SPIE Proc., Vol. 3484, pp. 133141, 1998.

122. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств, под ред., В. И. Вольмана, Москва, Радио и Связь, 1982, 328 с.

123. E.N. Glezer, Y. Siegal, L. Huang, and E. Mazur, "Laser-induced band-gap collapse in GaAs", Phys. Rev. В 51, pp. 6959-6970, 1995.

124. Субмиллиметровая диэлектрическая спектроскопия твердого тела, под. ред., Г.В. Козлова, Труды ИОФАН, т.25, Москва, Наука, 1990, 224 с.

125. М. Ichimura, Н. Tajiri, Y. Morita, N. Yamada, and A. Usami, "Excess carrier lifetime of 3C-SiC measured by microwave photoconductivity decay method", Appl. Phys. Lett. Vol.70, No 13, pp. 1745-1747, 1997.

126. A.A. Manenkov, S.Y. Sokolov, S.Y. Popov, "Application of laser-induced microwave photoconductivity in diagnostics of semiconductor surface layers, in "Laser Applications", Proceedings of SPIE, Vol. 2097, pp. 198-213, 1994.

127. B.A. Миляев, В.А. Санина "О резонаторном СВЧ методе исследования плазмы твердого тела", Известия ВУЗ, сер. Радиофизика, т. 23, №4, сс.407-418, 1980.

128. М. Борн, Э. Вольф, Основы оптики, Издание 2-е, Москва, Наука, 1973, 720с.

129. А.Н. Тихонов, А.А. Самарский, Уравнения математической физики, 4-е издание, Москва, Наука, 1972, 736 с.

130. A. Ibarra, М. Gonzalez, R. Vila, J. Molla, "Wide frequency dielectric properties of CVD diamond", Diamond and Related Materials, Vol.6, pp. 856-859, 1997.

131. M. Хилд, С. Уортон, Микроволновая диагностика плазмы, пер. с англ., Москва, Атомиздат, 1968, 392 с.

132. Г.В. Глебович, А.В. Андриянов, Ю.В. Введенский, И.П. Ковалев, В.В. Крылов, Ю.А. Рябинин, Исследование объектов с помощью пикосекундных импульсов, под ред. Г.В. Глебович., Москва, Радио и связь, 1984, 256 с.

133. В.И. Малышев, Введение в экспериментальную спектроскопию, Москва, Наука, 1979, 264 с.

134. Тихонов В.И., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. Москва, Наука, 1979 с.