Неравновесные электронно-дырочные процессы в кристаллических диэлектриках с ионным типом связи тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

I. НЕРАВНОВЕСНЫЕ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПРОЦЕССЫ

В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ.

1.1 Создание элементарных возбуждений при воздействии на диэлектрик высокоэнергетического излучения . '

1.2 Механизмы собственной рентгенолюминесценции ионных кристаллов.

1.3 Механизмы возбуждения примесного свечения.

1.4 Проводимость ионных диэлектриков.

1.4.1 Неравновесная проводимость диэлектриков при высокоэнергетическом возбуждении

1.4.2 Подвшшость свободных носителей в диэлектрических кристаллах. 2?

1.4.3 Свойства релаксированных и нерелаксированных носителей в ЩГК. 2.

1.5 Радиационное десоектообразование в системах с автолокализутощимися и неавтолокализутощимися экситонами. 2>

1.6 Физические свойства исследованных соединений . Ъ

1.6.1 Электронные свойства КВ#~ .3>

1.6.2 Оптические свойства МgO

1.6.3 Электропроводность Mcj 0.

1.6.4 Люминесценция и электропроводность чистых и активированных редкоземельными ионами монокристаллов CdFg

1.6.5 Фотопроводимость и лтошшесценция PSM0O

1.7 Постановка задачи.

2 . МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1 Способы регистрахщи неравновесной проводимости

2.2 Экспериментальная установка для исследования неравновесной проводимости и люминесценции широкозонных материалов при импульсном рентгеновском возбуждении . 5&

2.2.1 Генератор рентгеновских импульсов прямоугольной формы.

2.2.2 Азотный криостат и вакуумная система

2.2.3 Схема регистрации спектров и кинетики люминесценции

2.2.4 Регистрация рентгенопроводимости.

2.3 Методика определения параметров неравновесных носителей.

2.3.1 Расчет числа генерированных носителей

3. ВЛИЯНИЕ СОБСТВЕННЫХ И ШШЕСНЫХ ДЕФЕКТОВ НА РЕНТГЕНО- . ПРОВОДИМОСТЬ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ.

3.1 Исследование РП монокристаллов Мд/ъ и ЩГК

3.1.1 Создание и разрушение объемного заряда в M3F под действием рентгеновского излучения. $ |.

3.1.2 Неравновесная проводимость щелочно-галоидных кристаллов при рентгеновском возбуждении

3.2 Рентгенопроводимость Мд 0 при шлпульсном 98 воздействии

3.3 Обсуждение результатов.

3.3.1 Параметры неравновесных носителей в ЩГК.

3.3.2 Параметры неравновесных носителей в PlcjQ . IIЬ

3.3.3 Рентгенопроводимость в кристаллах с различным! механизмами радиационного дефектообразования . | |

3.3.4 Особенности накопления объемного заряда в Мд/^ и MgO при рентгеновском облучении

4. ВЗАИМОСВЯЗЬ ЖШЕОЦЕЩШ И НЕРАВНОВЕСНОЙ ПРОВОДИМОСТИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ CdFz И PSPI0O4.|

4.1 Исследование люминесценции и электропроводности чистых и активированных РЗЭ монокристаллов CdFz . I

4.1.1 Рентгенолюминесценция Cc/F2 и Cdfz'.TR3>!.

4.1.2 Спектш поглощения CdFг<ТЯг+.

4.1.3 Стационарная проводимость ColFz:ErM.

4.1.4 Проводимость фтористого кадмия при импульсном рентгеновском воздействии

4.2 Оптические свойства молибдата свинца

4.2.1 Фото- и рентгенолюминесценция P8IA0D4.

4.2.2 Температурная зависимость выхода РЛ Р8Мо0{ . . . |

4.2.3 Поляризация люминесценции Р8М0О4 при рентгеновском возбуздении

4.2.4 Влияние термической обработки на оптические свойства

4.3 Неравновесная проводимость Р^МоО^ при рентгеновском импульсном возбуццении.l

4.3.1 Кинетика неравновесной проводимости . |

4.3.2 Анизотропия свойств неравновесной проводимости монокристаллов Р8М0О4.

4.4 Исследование спектров люминесценции монокристаллов CaWO* при рентгеновском возбуждении.|

4.5 Обсуждение результатов.|

4.5.1 Активаторная люминесценция CcIF2 -ТЯъ при возбух-дении рентгеновскшли импульсами.

4.5.2 Взаимосвязь процессов электропереноса и люминесценции в монокристаллах CJbiW*.

4.5.3 Рентгенолюминесценция молибдата свища./

4.5.4 Поляризация РЛ P8Nо Of и модель излучающего центра

4.5.5 Взаимосвязь рентгенолюминесценции и неравновесной проводимости РШ0О4.

4.5.6 Механизм неравновесной проводимости Р&М0О4 • • •

Основные проблемы радиационной физики ионных кристаллов определяются как общими задачами физики твердого тела, так и специфическими проблемами, вытекающими из особенностей диэлектриков и их роли в современной науке и технике [6J .

Для получения обстоятельной информации необходимо исследовать и сопоставить различные неравновесные физические процессы, протекающие в момент облучения и их релаксацию к равновесному состоянию. Процессы взаимодействия излучения с тверда! телом приводят к глубоким изменениям электрических и оптических 1 свойств исследуемых объектов. Наиболее доступными и интересными проявлениями этих изменений являются люминесценция и неравновесная проводимость; большой интерес представляет также изучение возможной взаимосвязи этих явлений. В этом аспекте наиболее удобными объектами исследования являются диэлектрики: во-первых, они прозрачны в широком оптическом диапазоне, что облегчает исследование объемной люминесценции; во-вторых, протекающие в них процессы с участием неравновесных носителей не маскируются высокой концентрацией свободных электронов. Изучение процессов создания и движения электронов проводимости ( е" ) и дырок ( е+ ) дает ключ для детального исследования многих оптических и электрических явлений в ионных кристаллах [69] .

Очевидные трудности в теоретической интерпретации механизмов взаимодействия излучения с твердым телом стимулируют настоятельную необходимость накопления экспериментальных данных для возможно более широкого класса веществ. При этом, наряду с простыми объектами, ставшими классическими, такими как щелочно-га-лоидные кристаллы (ЩЕК), целесообразно распространение исследований на друтие структуры, которые мозтут отличаться по механизму взаимодействия, например широкозонные окислы металлов и кис-лородосодержащие соединения и др. £б] .

Соединения с шеелитоподобной структурой и, в частности, молибдат свинца относятся к классу полярных кристаллов [il] . Характерной особенностью этих соединений является зависимость их оптических свойств от электрических, механических и акустических воздействий. Кристаллы молибдата свинца обладают акустической активностью, что определяет их использование в качестве акустооптических дефлекторов [II, 147| , устройств получения и обработки оптической информации [49, 185] ; кроме того, они используются в качестве активного тела лазеров, в том числе с непосредственным возбуждением рабочей примеси электрическим разрядом [во] . Несмотря на широкое практическре использование, этот кристалл остается малоисследованным, нет единого мнения относительно модели излучающего центра, неизвестны параметры неравновесных носителей.

В данной работе установлено, что неравновесная проводимость Р&М0О4 осуществляется дырками, обладающими невысокой подвижностью; впервые проведены исследования спектра и кинетики люминесценции в области сильного температурного тушения, исследована поляризация люминесценции PSM0O4 , возбуждаемой рентгеновскими лучами и установлен ранее неизвестный факт - температурная зависимость конфигурации излучающего состояния. Полученные данные позволили уточнить модель излучающего центра и внесли ясность в электронные процессы, происходящие в РSMoOf. при рентгеновском воздействии.

Создание лазеров стимулирует глубокий интерес к детальному изучению свойств кристаллов с примесью редкоземельных ионов. Для получения многочастотной генерации (на нескольких межмультиплетных переходах) наиболее удобными редкоземельными ионами являются ионы с большим числом излучательных переходов, такие как НоЪ*и Ег3+ [29, 99] . Кроме того, системы активированные эрбием, находят применение в качестве источника света для интегральных волоконно- оптических систем [172] , а также в квантовых счетчиках [lI9] . Монокристаллы Сс/Ег , активированные редкоземельными ионами, обнаруживают явление электролюминесценции [12, 95, 124, 168] . В настоящей работе проведено исследование электропроводности, спектрального состава и кинетики люминесценции монокристаллов Со1Рг: Ег + и СоIFz^m при возбуждении рентгеновскими импульсами. Установлено, что в CdF? осуществляются два типа электронной проводимости, один - описанный в литературе и обусловленный примесью трехвалентных редкоземельных ионов, другой - обусловленный возбуждением электронной системы самой матрицы. Обнаружены четыре излучательных перехода иона ЕгМ, ранее в матрице CdFг не наблюдавшихся. Этот факт позволяет предположить, что применение для возбуждения лазерных переходов высокоэнергетического излучения позволит повысить их эффективность.

Использование ионных кристаллов в качестве диэлектрических подложек при изготовлении полупроводниковых приборов, диэлектрических слоев конденсаторов [182] , диктует необходимость исследования их радиационной устойчивости, поскольку в настоящее время, в связи с развитием радиационной технологии, все актуальнее становится вопрос о радиационном воздействии на аппаратуру и ее отдельные элементы. При этом важно знать, как изменится свойства диэлектрика в момент воздействия ионизирующей радиации, восстановятся ли его свойства по окончании радиационного воздействия. Не менее существенно также найти пути уменьшения влияния радиации, неблагоприятно сказывающейся на работоспособности аппаратуры. В этом аспекте особый интерес представляет исследование МдО , как материала, обладающего высокой стойкостью к радиационным повреждениям и находящего применение в изделиях электронной техники.

В работе установлено, что в монокристаллах МдО , в отличие от ЩГК, наблюдается увеличение тока неравновесной проводимости при возрастании дозы, поглощенной образцом. Этот факт объясняется особенностью МдО как системы, в которой не наблюдается автолокализации экситонов. Установлено, что примесь железа в

MtjO подавляет неравновесную проводимость; возрастания тока неравновесной проводимости при облучении образцов с примесью железа не происходит.

Монокристаллы щелочно-галоидных соединений давно уже стали модельными объектами физики твердого тела. Исследования, проведенные на ряде щелочно-галоидных соединений ( , KCt , KBh и ) позволили исследовать влияние примесных и радиационных дефектов на характеристики неравновесной проводимости. В [21,28] установлено, что при высокой плотности возбуяще-ния в ЩГК наблюдается своеобразный вид проводимости, названный авторами высокоэнергетической. Характерными особенностями высокоэнергетической проводимости являются малая инерционность и то тс возрастание проводимости в момент облучения в 10 раз. В данной работе при возбуждении рентгеновскими импульсами получено возрастание проводимости монокристаллов КВг в момент возрг А о действия рентгена в 10+10 раз, с инерционностью 10 с. Таким образом показано, что наряду с сильноточными ускорителями электронов, использовавшимися в [28] , рентгеновские трубки дают возможность получать ценную информацию сравнительно доступными методами.

При исследовании электропроводности диэлектриков неизбежно встает вопрос о возникновении в диэлектрике объемного заряда; на основании результатов данной работы выделен ряд кристаллов, в которых образование объемного заряда при одновременном воздействии электрического поля и импульса рентгеновского излучения либо незначительно, либо образующийся объемный заряд разрушается уже при комнатной температуре. Установлено, что при воздействии рентгеновского излучения на монокристаллы , помещенные в электрическое поле, в них образуется объемный заряд, сохраняющийся при комнатной температуре продолжительное время. При "стирании" его рентгеновским излучением во внешней цепи возникает электрический сигнал. Совокупность этих двух фактов позволила предложить устройство для записи и воспроизведения рентгеновского изображения [10] .

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Установлена взаимосвязь процессов излучательной рекомбинации и неравновесной проводимости в монокристаллах Co/Fz и Р8Мо0{, обусловленная тем, что свободные носители в этих кристаллах образуются в результате термического распада центров, ответственных за собственную люминесценцию. В качестве этих центров в Р&М0О4 могут выступать экситоны, электронная компонента которых локализована на молибдатной группе, а в случае Со/Рг автолокализованные экситоны. Для Моу0 связи неравновесной проводимости с полосами люминесценции, лежащими в области 200-7-800 нм, не обнаружено.

2. Тетрагональный кристалл PSM0O4 обнаруживает анизотропию свойств неравновесной проводимости, возбуждаемой рентгеновским излучением. Различие проводимости по основным кристаллографическим направлениям увеличивается с ростом температуры в интервале 300+500 К.

3. С помощью поляризационных измерений установлен факт изменения с повышением температуры конфигурации излучающего центра, ответственного за собственную люминесценцию PSM0D4 . Переориентация на 90° происходит в интервале температур 85+180 К.

4. Различие механизмов радиационного дефектообразования в монокристаллах KBh и МдО проявляется в неравновесной проводимости. По мере накопления поглощенной дозы рентгеновского излучения неравновесная проводимость M(j0 возрастает, а в случае КЕ>г и других ЩШ - уменьшается.

I. НЕРАВНОВЕСНЫЕ ЭЖСТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ

I.I Создание элементарных возбуждений при воздействии на диэлектрик высокоэнергетического излучения.

Рентгеновское излучение с максимальной энергией не превышающей 50 кэВ, взаимодействуя с диэлектриками создает в основном фотоэлектроны, максимальная энергия которых практически равна энергии возбуждающих рентгеновских квантов.

Процессы потери энергии этими электронами, связанные с каскадным созданием вторичных электронов и разменом их энергии, изучены еще недостаточно. Следуя [4] эти процессы можно представить себе следующим образом. Пока энергия быстрых электронов превосходит энергию ионизации внутренних оболочек атомов кристалла, основным каналом потерь энергии для них является столкновение с электронами внутренних оболочек, приводящее к ионизации. Этот процесс сопровождается лавинным размножением электронов и продолжается до тех пор, пока энергия электронов в лавине не упадет ниже потенциала ионизации внутренних оболочек атомов решетки. Длительность этого процесса 10"^ с [4] . В дальнейшем процесс потери энергии и размножения электронов происходит за счет столкновений с электронами валентной зоны, образовавшиеся при этом электроны и дырки в свою очередь возбуждают вторичные частицы и процесс лавинного размножения свободных электронов и дырок продолжается. Различие этих двух процессов состоит в том, что при ионизации внутренних оболочек структура кристалла не влияет на характер процесса, а при взаимодействии с валентными электронами характер процесса существенно зависит от строения кристалла. Это затрудняет интерпретацию экспериментальных данных и теоретический анализ протекающих явлений, т.к. состояние внешних электронов в атоме кристаллической структуры описывается более сложным образом, чем в изолированном атоме или молекуле flOl] .

При ионизации атомов решетки электрон теряет энергию порциями порядка 10 эВ на одно столкновение, при этом скорость релаксации энергии равна Ю^-кГО16 эВ/с [28] . Когда энергия электрона падает ниже порогового значения потенциала ионизации, единственным возможным каналом потерь энергии остается термоли-зация в результате взаимодействия с фононами, при которой потеря энергии электроном в одном столкновении составляет 0,001*0,01 эВ и скорость релаксации энергии уменьшается до IO^+IO^ эВ/с [28] . Общая длительность генерационного этапа оценивается [4] тп величиной 10 с.

Энергия излучения может пойти не только на генерацию электронно-дырочных пар, но и на создание бестоковых возбуждений -экситонов. Как показано в [73] экситоны играют существенную роль в процессах люминесценции и дефектообразования, но если рассматривать процесс электропереноса, то эффектом образования экситонов можно пренебречь, предполагая, что рентгеновское излучение создает лишь электронно-дырочные пары [4] . Эта точка зрения основана на том, что в конце концов экситоны рекомбини-руют с образованием либо кванта собственной (экситонной) люминесценции либо радиационных дефектов и тогда, энергия затраченная на образование экситонов может быть учтена соответственно в потерях энергии на люминесценцию или в потерях энергии на радиационное дефектообразование. Экситоны могут также распадаться (диссоциировать) с образованием электронно-дырочных пар [б?]. В таком случае, не задаваясь специально целью исследования процессов дефектообразования или люминесценции, можно не различать электроны и дырки, образованные непосредственно, в акте ионизации атома или в результате распада экситона. К тому же, число генерированных электронно-дырочных пар как правило в несколько раз превышает число созданных экситонов [67,44,66] , поэтому при рассмотрении процессов переноса заряда можно, в первом приближении, пренебречь процессами образования экситонов.

При воздействии на диэлектрик ионизирующего излучения наблюдается также эмиссия фотоэлектронов, а ионизация внутренних оболочек атомов приводит к появлению вторичного рентгеновского излучения со спектром, характерным для данного элемента (рентгеновская флюоресценция) кроме того, в работе [104,105] методами термо- и фотостимулированной люминесценции исследованы рентгеновские экситоны в ЩПС. Энергия люминесценции этих экситонов лежит в области 20+60 эВ.

Схема процессов, протекающих в диэлектрике при воздействии рентгеновского излучения, представлена на рис.1. Эта схема, не претендующая на полноту охвата всех процессов и явлений, позволяет заключить, что энергия рентгеновского излучения, поглощенная в диэлектрике, расходуется на дефектообразование, на возбуждение цецтров свечения (как собственных, так и примесных), на усиление колебаний кристаллической решетки. Часть энергии покидает диэлектрик в виде рассеянного рентгеновского излучения, рентгеновской флюоресценции, эмиссии фотоэлектронов, рекомбина-ционного излучения рентгеновских экситонов и люминесценции собственной или примесной. На каящой стадии процесса поглощения рентгеновского излучения диэлектриком возможны энергетические потери, переводящие часть поглощенной энергии в тепло.

Как видно из схемы, представленной на рис.1, существует два канала снятия возбуждения центров свечения: излучательный и безызлучательный. Безызлучательное снятие возбуждения в свою

Рис. I. Схема процессов, протекающих в диэлектрике при воздействии рентгеновского излучения. очередь может протекать двумя способами: либо посредством внут-рицентровых безызлучательных переходов (внутренняя конверсия), либо путем выброса носителя в соответствующую зону [47] . В последнем случае свободные носители могут дать вклад в процесс электропереноса и тогда будет наблюдаться взаимно обратное соотношение мелщу числом излученных квантов люминесценции и числом носителей, принимающих участие в процессе электропроводности.

Основные результаты работы:

1. Разработана методика экспериментального исследования неравновесной проводимости, возбуждаемой импульсом рентгеновского излучения. Предложен способ определения типа и параметров неравновесных носителей на основе исследования вольтамперных характеристик РП. Выполнен расчет числа электронно-дырочных пар генерированных рентгеновским импульсом в образце.

2. Установлено, что в монокристаллах Co/f^'^осуществляется два типа проводимости: стационарная, инициированная примесными ионами и неравновесная, возникающая в момент воздействия рентгеновского излучения. Определена энергия связи электрона с кулоновским центром, образованным примесным ионом tir , равная 0,46-0,05 эВ. Энергия активации неравновесной проводимости определена равной 0,056^0,002 эВ, что близко к величине энергии активации безызлучательных процессов в этом кристалле: 0,059± 0,002 эВ. Этот факт, а также совпадение областей температурного тушения РЛ и нарастания тока РП, позволяет предположить, что свободные электроны, участвующие в неравновесной проводимости, образуются за счет безызлучательного распада центров люминесценции. Установлено, что электроны термически активируются с одного локального уровня, находящегося в запрещенной зоне; предполагается, что этот уровень обусловлен Vk -центрами, образованными в матрице CclFz рентгеновским излучением.

3. В спектре РЛ Co(Fz! зарегистрированы четыре линии излучения иона ранее в матрице CcfF^ не наблюдавшиеся и соответствующие переходам: ^ . s^^lvz J Z£>s/z-> hyz (Л^Обнм);

4. Исследованы спектрально-кинетические и поляризационные свойства РЛ Pf> Mofy в полосе свечения 5104-515 нм в интервале температур 85*300 К. Установлен факт изменения степени поляризации люминесценции и преимущественного направления колебаний электрического вектора в области температур: 85*180 К, что может быть связано с изменением конфигурации излучающего центра. Впервые проведено исследование характеристик РЛ Р^НоО^ в области сильного температурного тушения; установлено, что при Т=295К спектр РЛ имеет гауссову форму с максищумом в районе 5104-515 нм полушириной 0,6 эВ. Кривая затухания РЛ при Т=295 К обнаруживает две компоненты - "быструю", с rt< 5 не и "медленную", следующую гиперболическому закону спада с 1^15 не. Спектральный состав обеих компонент одинаков.

5. Установлено, что неравновесная проводимость PiftoOj осуществляется дырками, совершающими перескоки по ионам P<?2f с изменением их зарядового состояния. Как и в случае Ы F^ , близость величин энергии активации и совпадение температурных интервалов, в которых происходит термическое тушение РЛ и возрастание тока РП PSMoО4 , позволяет предположить, что дырки, обусловливающие И1, появляются в результате распада центров, ответственных за люминесценцию в,спектральной области 510*515 нм.

6. Обнаружена и исследована анизотропия неравновесной проводимости P^MoQ/ по основным кристаллографическим направлениям. Установлено, что температурная зависимость тока РП в направлении оси ^ описывается экспонентой с Еа =0,1*0,12 эВ в температурном интервале 180*500 К, а в перпендикулярном направлении двумя экспонентами: £qi=0,I±0,0I эВ (180*300 К), £чг=0,22±0,02 эВ (300*500 К), что приводит к возрастанию различия величин тока РП по основным кристаллографическим направлениям с повышением температуры.

7. Неравновесная проводимость, возбуждаемая рентгеновским излучением, определяется концентрацией центров захвата и цент ров рекомбинации (как радиационного, так и примесного происхождения, а также собственной разупорядоченностыо решетки), при этом РП систем с автолокализующим!ся экситонами при возрастании поглощенной дозы уменьшается (происходит образование радиационных дефектов), а РП MtjO с возрастанием поглощенной дозы увеличивается (происходит заполнение имевшихся ловушечных центров).

8. Сопоставление процессов накопления объемного заряда в и M<j 0 позволило сделать вывод, что в Mj Fz образование и разрушение объемного заряда связано с накоплением и обесцвечиванием F -центров; высказывается предположение о роли ионов М л , как фактора, определяющего эффективность накопления центров F -типа в Mg . В случае M<j 0 образование объемного заряда связано с накоплением дырочных центров V -типа.

183

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе получены данные о неравновесной проводимости и люминесценции, возникающих в диэлектриках под действием импульса рентгеновского излучения. Исследованы: форма импульса, вольтамперные характеристики, зависимость от температуры, поглощенной дозы рентгеновского излучения; выяснено влияние примесных и собственных дефектов кристаллической структуры на характеристики неравновесной проводимости.

На основании проведенного комплексного исследования характеристик неравновесной проводимости и люминесценции для монокристаллов Cclfzyi Р8М0О4 установлена взаимосвязь рентгенопроводимости с рентгенолюминесценцией основы. Следует отметить, что взаимосвязь люминесценции и проводимости, как выяснилось, имеет весьма слошшй характер, поэтому для каждого кристалла необходимо проводить самостоятельное исследование.

1. Азаров В.В., Богданова Т.И., Кольнер Л.Б. Исследование фотопроводимости монокристаллов CdFz~PЪЭ в кн.: Труды

2. П Республиканской конференции по фотоэлектрическим явле-. ниям в полупроводниках, Киев, 1982, с. 13.

3. Айзенберг И.Б., Малкин Б.З., Столов А.Л. Кубические центрыг ъ+иона Ьг в кристаллах типа флюорита.- ФТТ, 1971, т.13, вып.9, с. 2566-2570.

4. Акустические кристаллы /п.ред. Шаскольской М.И.- М.: Наука, 1982.- 632 с.

5. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-гаяоидных кристаллов.- Рига: Зинатне, 1979.- 252 с.

6. Альбиков З.А., Веретенников А.И., Козлов О.В. Детекторы импульсного ионизирующего излучения.- М.: Атомиздат, 1978.176 с.

7. Андроникашвили Э.Л. Важнейшие задачи радиационной физики ионных кристаллов.- В кн.: Тезисы докладов У Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1983, с. 45-49.

8. Анненков Ю.М., Суржиков А.П., Погребняк А.Д., Суржиков В.П. Неударная генерация радиационных дефектов в анионной под-решетке Мд 0 .- Томск, 1979.- II е.- Рукопись представлена- Томским политехи, ин-том. Деп. в ВИНИТИ 21 авг. 1979, Гг 2252-79.

9. Анненков Ю.М., Оуржиков А.П., Погребняк А.Д., Суржиков В.П. Образование радиационных дефектов в кристаллах МдО при высоких плотностях возбуждения.- ЖТ£, 1980, т. 50, вып. I, с. 222-224.

10. Анненков Ю.М., Оуржиков А.П. Неударная генерация анионных пар Френкеля в кристаллах Mj 0 при высоких плотностях возбуждения наносекундными импульсами ускоренных электронов.-Вопросы атомной науки и техники, 1982, вып. 3/22, с. 26-27.

11. А.с. 1022089 (СССР) Способ запоминания и воспроизведения скрытого рентгеновского изображения и устройство для его осуществления /Г.М.Захаров, Г.В.Ягов.- Заявл. 19.06.81, JS 3309047/Е8-25; Опубл. в Б.И., 1983, В 21.

12. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения.- М.: Мир, 1981,- 526 с.

13. Беднарчук Д.И., Новоселецкий Н.Е., Филоненко В.В. Стимулированное излучение в электролюминесцентных пленках Co|F2:lR.-Письма в S3®, 1974, т. 20, вып. 8, с. 568-571.

14. Берковский А.Г., Гаванин В.А., Зайдель И.Н. Вакуумные фотоэлектронные приборы.- М.: Энергия, 1976.- 344 с.

15. Берлов П.А., Буланый М.Ф., Коджеспиров Ф.Ф. Приставка к радиоспектрометру для измерения фотопроводимости полупроводников.- В кн.: Материалы и приборы радиоэлектроники. Новосибирск, 1982, с. 148-153.

16. Боев С.Г., Анненков Ю.М., Сигаев Г.И. Особенности электропереноса в облучаемых электронами образцах щелочно-галоид-ных монокристаллов.- ФТТ, 1978, т. 20, вып. 8, с. 2475-2477.

17. Еыоб Р. Фотопроводимость твердых тел.- М.: И.Л., 1962,558 с.

18. Вавилов С.П. Импульсная рентгеновская техника.- М.: Энергия, 1981.- 120 с.

19. Вайебурд Д.И., Таванов Э.Г. Пикосекундный кошонент проводимости ионных кристаллов при облучении электронными пучками большой плотности.- Письма в Ж, 1975, т.1, вып.II, с. 531-534.

20. Вайебурд Д.И., Семин Б.Н., Таванов Э.Г., Шкатов В.Т. Свечение и проводимость неидеальной вырожденной электронно-дырочной плазмы, возникающей в ионных кристаллах при сверхмощном возбуждении.- Изв. АН СССР, сер. физич., 1976, т.40, вып. II, с. 2404-2409.

21. Вайебурд Д.И., Месяц Г.А., Наминов В.Л., Таванов Э.Г. Проводимость ионных диэлектриков при импульсном облучении электронными и рентгеновскими пучками средней плотности.-Докл. АН СССР, 1982, т. 265, вып. 5, с. III3-III6.

22. Валбис Я.А., Калдер К.А., Куусманн И.Л., Лутцик Ч.Б. Краевая люминесценция экситонов в кристаллах Ид 0 в вакуумной ультрафиолетовой области спектра.- Письма в ЖЭТ&, 1975, т. 22, вып. 2, с. 83-85.

23. Вахидов Ш., Каипов Б., Тавшунский Г.А. Свечение кристаллов CdF, в поле ^-лучей Со Журнал прикл. спектр., 1970, т. 13, вып. 3, с. 542-545.

24. Винчелл А.Н., Винчелл Г. Оптические свойства искусственных минералов.- М.: Мир, 1967.- 526 с.

25. Власенко Н.А., 1Удыменко Л.Ф., Лисица М.П., Хомченко B.C. Спектры излучения пленок Col ' Еи3>+при электрическом воздействии.- Докл. АН УССР, сер. А, физ-мат. и техн. науки, 1977, вып. 4, с. 359-362.

26. Воробьев А.А., Воробьев С.А. Электронные явления в твердыхдиэлектриках и действие на них механических напряжений: В 2-х т.- Томск, 1983.- T.I, 216 е.- Звукопись представлена Томским политехи, ин-том. Деп. в ВИНИТИ 31 марта 1983, Л 2333-83.

27. Воронько Ю.К., Зверев Г.М., Мешков Б.Б., Смирнов А.И. Исследование оптического и парамагнитного резонансного спектров Ег3+в СУР2 ,-ФТТ, 1964, т. 6, вып. 9, с. 2799-2808.

28. Высокоэнергетическая электроника твердого тела /Д.И. Вайс-бурд, Б.Н. Семин, Э.Г. Таванов и др.; Под ред. Д.И. Вайс-бурда.- Новосибирск: Наука, 1982.- 224 с.

29. Гёрлих П., Каррас X., Кётитц Г., Леман Р. Спектроскопические свойства активированных лазерных кристаллов.- М.:Наука, 1966.- 207 с.

30. Герчиков Ф.Л., 1Удовских В.А., Данильченко Н.Т., Ершов Н.Н. Об исследовании кинетики затухания и спектров флуоресценции кристаллофосфоров в рентгеновском наносекундном диапазоне.-Письма в Ю, 1980, т. 6, вып. 15, с. 9II-9I6.

31. Горобец Б.С., Научитель М.А. Фотолюминесценция минералов группы шеелита.- В кн.: Конституция и свойства минералов. Вып. 9.- Киев: Наукова думка, 1975, с. 98-105.

32. Горобец Б.С. Спектры люминесценции минералов.- М.: БИМС, . 1981,- 153 с.

33. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа.-. М.: Наука, 1981.- 174 с.

34. Громов В.В., Розно А.Г. Неравновесная объемная электризация ионных кристаллов.- В кн.: Тезисы докладов У Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1983, с. 65-68.

35. Ермалицкий Ф.А., Орса В.Н., Залесский И.Е. Импульсный флуо-рометр для.исследования кинетики люминесценции в диапазоне1. А 910 -гЮ е.- Шнек, 1980.- 10 е.- Рукопись представлена редколл. Журнала прикл. спектроск. Деп в ВИНИТИ II дек.1980, ft- 42-81.

36. Ермошкин А.Н., Эварестов Р.А. Электронная структура кубических окислов и дефектов в них.- В кн.: Точечные дефекты, и люминесценция в кристаллах окислов. Рига, 1981, с. 3-22.

37. Ершов Н.Н., Захаров Г.М., Никитинская Т.И., Никулин Н.М., Рейтёров В.М. Механизм рентгенолюминесценции кристаллов фтористого магния, активированных марганцем и кобальтом.-Опт. и спектроскопия, 1978, т. 44, вып. 4, с. 740-742.

38. Захаров Г.М., Никулин Н.М., Погарский М.А. Схема формирования прямоугольных рентгеновских импульсов.- Ленинград, 1976,- 8 с,- Рукопись представл. Ленингр. политехи, ин-том. Деп. в ВИНИТИ 12 янв. 1977, В 890-77.

39. Захаров Г.М., Никитинская Т.И., Никулин Н.М. Радиационная проводимость фтористого магния при импульсном рентгеновском возбуждении.- ФТТ, 1978, т. 20, вып. 8, с. 2473-2475.

40. Захаров Н.Г. Экситонные и электронно-дырочные процессы во фторидах кальция, стронция, бария и магния при высокоэнергетическом возбуждении: Автореф. дисс. . канд. физ-мат. наук.- Л., 1982.- 16 с.

41. Зверев Г.М., Смирнов А.И. Спин-решеточная релаксация иона

42. Бгг+в монокристаллах CcAFz , и Ся1^.фтТ, 1964,т. 6, вып. I, с. 96-100.

43. Ильмас Э.Р., Лийдья Г.Г., Лущик Ч.Б., Ооовик Т.А. Фотонное умножение в кристаллах и явление радиолюминесценции.- В кн.: Радиационная физика, вып. 4, Рига, 1966, с. 71-83.

44. Калдер К.А., Малышева А.Ф. Экситонные и электронно-дырочные процессы в кристаллофосфорах на основе СаFz и SьР^ Опт. и спектроскопия, 1971, т. 31, вып. 2, с. 252-258.

45. Калдер К.А., Кярнер Т.Н., Лущик Ч.Б., Малышева А.Ф* Миле-нина Р. В. Коротковолновая люминесценция кристаллов Мд 0 Журнал прикл. спектроскопии, 1976, т. 25, вып. 4, с.639-644.

46. Као К., 2уанг В. Перенос электронов в твердых телах: В 2-х частях.- М.: Мир, 1984, Ч.1.- 352 с.

47. Кинк Р.А., Лийдья Г.Г. Низкотемпературная люминесценция чистых и активированных кристаллов KI при возбуждении в экситонной полосе.- ФТТ, 1969, т. II, вып. 6, с. I64I-I649.

48. Клименко Б.И., Переломова Н.В., Бондаренко B.C. Анизотропия распространения объемных акустических волн в PtfMoOj

49. В кн.: Новые материалы для радио-, опто- и акустоэлектроники. Красноярск, 1982, с. 27-38.

50. Комяк Н.И., Иванов С.А., Пеликс Е.А. Импульсные рентгеновские аппараты.- Обз. инф.: ТС-4 Аналитические приборы и приборы для научных исследований.- М.: Машиностроение, 1980, вып. I.- 44 с.

51. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов.- М.: Мир, 1975,396 с.

52. Куусманн И.Л., Лущик Ч.Б. Собственная люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися экситонами.- Изв. АН СССР,сер. физическая, 1976, т. 40, вып. 9, с. 1785-1792.

53. Куусманн И.Л., Фэльдбах Э.Х. Краевая катодолюминесценция кристаллов M<jO в БУФ области.- В кн.: Тезисы докл. 27 Со-, вещания по люминесценции ( кристаллофосфоры ). Эзерниеки, 1980, с. 139.

54. Куусманн И.Л., Лийдья Г.Г., Лущик Ч.Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экоитонов в ионных кристаллах.-Труды Ш АН ЭССР, 1976, т. 46, с. 5-80.

55. Куусманн Й.Л., Маароос А.А., Фэльдбах Э.Х. Экситоны в МдО и Со. О , их распад и релаксация.- В кн.: Тезисы докладов

56. У Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1983, с. 376-377.

57. Кярнер Т.Н. Термическая стабильность дырочных центров и дырочная люминесценция Mq 0 , Са 0 и Sh 0 с различными примесями.- Труды Ш АН ЭССР, 1977, т. 47, с. 93-110.

58. Кярнер Т.Н. Фото- и термостимулированная люминесценция легированной разными примесями окиси магния.- Труды Ш АН ЭССР, т. 49, с. 172-184.

59. Кярнер Т.Н., Малышева А.Ф., Маароос А.А. Термостимулированная люминесценция монокристаллов Njfl в широком интервале температур.- Труды Ш АН ЭССР, 1979, т. 50, с. 35-53.

60. Кярнер Т.Н., Малышева А.Ф., Маароос А.А., Мгарк В.В. Термоти температур 4,2*600 К.- ФТТ, 1980, т. 22, вып. 4, о. II78-II83.

61. Лебедь В.И., Афонин В.П. Расчет спектральной интенсивности излучения рентгеновских трубок с анодами прострельного типа.- Заводская лаборатория, 1983, т. 49, вып. 2, с. 26-29.

62. Леонтьев К.Л. Взаимосвязь между физическими параметрамистимулированная люминесценция монокристалловобласщелочно-галоидных кристаллов,- Докл. АН СССР, 1983, т. 273, вып. 3, с. 605-607.

63. Лийдья Г.Г., Плеханов В.Г. Поляризованное свечение неактивированных кристаллов Опт* и спектроскопия, 1974, т. 36, вып. 5, с. 945-949.

64. Локтюшин А.А. Оптические спектры электронных центров окраски. Томск, 1983.- 9с.- Скопись представл. Томским ун-том. Деп. в ВИНИТИ 12 июля 1983, № 4328-83.

65. Лутцик Ч.Б., Лийдья Г.Г., Эланго М.А. Электронно-дырочный механизм создания центров окраски в ионных кристаллах.-ФТТ, 1964, т. 6, вып. 8, с. 2256-2262.

66. Лущик Ч.Б. Физические процессы в люминесцирующих ионных кристаллах.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1965, т. 29, вып. I, с. 10-18.

67. Лущик Ч.Б., Соовик Т.А. Некоторые проблемы физики неорганических сцинтилляторов.- Труды ША АН ЭССР, 1966, т. 34, с. 68-88.

68. Лущик Ч.Б., Вале Г.К., Эланго М.А. Электронные возбуждения ионных кристаллов и элементарные механизмы создания центров окраски.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1967, т. 31, вып.5, с. 820-828.

69. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Экситонный механизм создания F -центров в бездефектных участках ионных кристаллов.- ФТТ, 1968, т. 10, вып. 9, с. 2753-2759.

70. Лущик Ч.Б. Электронные возбуждения и ионные дефекты в щелочно-галоидных кристаллах.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1971, т. 35, вып. 7, с. I305-I3II.

71. Лущик Ч.Б., Лийдья Г.Г., Лущик Н.Е., Васильченко Е.А. Экси-тонные механизмы возбуждения люминесценции примесных центров в ионных кристаллах.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1973, т. 37, вып. 2, с. 334-340.

72. Лущик Ч.Б., Куусманн И.Л., Кярнер Т.Н., Лздцик Н.Е. Электронные возбуждения и люминесценция окиси магния.- Труды Ш АН ЭССР, 1977, т. 47, с. 59-92.

73. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.- УФН, 1977, т. 122, вып. 2, с. 223-251.

74. Лущик Ч.Б. Собственные электронные возбуждения и дефекты ионных кристаллов.- Труды Ш АН ЭССР, 1978, т.48, с.24-63.

75. Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А., Лущик А.Ч., Лущик Н.Е., Тапиров М.М. Экситонные и примесно-экситонные механизмы создания F-H -пар в щелочно-галоидных кристаллах.- Труды Ш АН ЭССР, 1983, т. 54, с. 5-37.

76. Максаков Б.И., Морозов A.M., Романова Н.Г. Спектры поглощения и люминесценции монокристаллов молибдата свинца.- Опт.и спектроскопия, 1963, т. 14, вып. 2, с. 312-315.

77. Машкович В.П. Защита от ионизирующих излучений.- М.: Энер-гоатомиздат, 1982.- 296 с.

78. Мейлихов Е.З. Измерение фотопроводимости полупроводников на сверхвысоких частотах.- Изв. ВУЗов, физика, 1966,т.3,с.83-89.

79. Мхитарян В.М., Никогосян В.Р., Партамян Х.В. Возбуждение рабочих примесей в лазерных кристаллах при электрическом разряде,- Квант, электроника, 1982, т.9, вып.ГО, с.2081-2082.

80. Нейман А.Я., Ткаченко Е.В., Петров А.Н., Габриелян В.Т., Карагезян С.М. Природа разупорядочения и электрофизические свойства PgMoQj .- Свердловск-Кировакан, 1979,- 17 е.- рукопись представл. Уральским ун-том. Деп. в ОНШТЭХИМ 14 окт. 1979, 13 3277/79.

81. Нейман А.Я., Ткаченко Е.В., Федорова Л.М. Дефектная структура и механизм переноса в Изв. АН СССР, сер. неорганические материалы, 1980, т. 16, вып. II, с.2025-2029.

82. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллох.- Иркутск; Восточно-Сибирское книжн. издательство, 1977,- 208 с.

83. Пекар С.И. Исследования по электронной теории кристаллов.-М-Л.: ГЙТТЛ, 1951.- 256 с.

84. Плеханов В.Г., Лийдья Г.Г. Автолокализация катионных экситонов в галоидных солях свинца.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1974, т. 38, вып. 6, с. 1304-1306.

85. Плеханов В. Г. О температурной зависимости поляризации люминесценции автолокализованных экситонов в .- Опт. испектроскопия,.1975, т. 39, вып. 5, с. 980-981.

86. Полуэктов Н.С., Ефрюшина Н.П., Гава С.А. Определение микроколичеств лантаноидов по люминесценции кристаллофосфоров.

87. Киев: Наукова думка, 1976,- 213 с.

88. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков.- Киев: Вшца школа, 1980.400 с.

89. Рентгенотехника: В 2-х т. /под ред. В.И. Клюева.- М.: Машиностроение, 1980.- T.I.- 432 с.

90. Реут Е.Г. Проявление статического эффекта Яна-Теллера в собственной люминесценции кристаллов со структурой шеелита.- Изв. АН СССР, сер. физическая, 1979, т. 43, вып. 6,с. II86-1193.

91. Реут Е.Г. Фотопроводимость и люминесценция в кристаллах со . структурой шеелита.- ©ТТ, 1981, т.23, вып.8, с. 2514-2516.

92. Реут Е.Г. Аномальная проводимость молибдатов кадмия и кальция с центрами окраски.- ФТТ, 1983, т.25, вып.1, с. 16-19.

93. Рыбалка В.В., Хвостов В.А. К определению длины диффузии носителей тока в высокоомных полупроводниках.- Укр. физич. журнал, 1970, т. 15, вып. 9, с. 1558-1560.

94. Самойлович М.И. Парамагнитные центры окраски в молибдатах и вольфраматах с шеелитоподобной структурой.- Москва, 1974.16 е.- Звонись представл. редколл. Журнала физической химии. Деп. в ВИНИТИ 24 мая 1974, В 1619-74.

95. Скоробогатов Б.С., Дубовик М.Ф., Азаров В.В., Кольнер Л.Б. электролюминесценция и полупроводниковые свойства монокристаллов СсИ~2 9 активированных редкоземельными ионами.- Опт. и спектроскопия, 1967, т. 22, вып. 6, с. 981-983.

96. Стоунхем A.M. Теория дефектов в твердых телах: В 2-х т,-М.: Мир, I978.-T.I.- 569 с.

97. Татаринов B.C. О кинетике фотостимулированной проводимости.

98. В кн.: Люминесценция и электропроводность кристаллов с цен- . трами окраски.-Иркутск, 1981,- с.201-206.-рукопись представл. Иркутским ун-том. Деп. в ВИНИТИ 28 янв. 1982. В 981-82.

99. Фомичев В.А., Зимкина Т.М., }Еукова И.И. Исследование энергетической структуры Mcjfl методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии.- ФТТ, 1968, т. 10, вып. 10, с. 3073-30801.

100. Щульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела.- М.: Наука, 1977.- 551 с.

101. Щербакова М.Я. Электронные и дырочные центры в кристаллах с шеелитоподобной структурой по данным ЭПР.- Труды ин-та геологии и геофизики СО АН СССР, 1981, с. 87-128.

102. Эварестов Р.А., Котомин Е.А., Ермошкин А.Н. Молекулярные модели точечных дефектов в широкозонных твердых телах.-Рига: Зинатне, 1983.- 287 с.

103. Эланго М.А. Рентгеновские возбуждения ионных кристаллов и их роль в создании радиационных дефектов.- Труды Ж> АН ЭССР, 1970, т.38, с. 28-49.

104. Ягов Г. В. Измерительный комплекс для исследования электрических и оптических явлений в диэлектриках при рентгеновском возбуждении.- В кн.: Аппаратура и методы рентгеновскогоанализа. Вып. 30.- Л.: Машиностроение, 1983, с. II7-I23.

105. Ahrenkiel R.K., Brown F.G. Electron hall mobiliti in the alkali halides. Pbys. Rev., 1964, v. AI36, N I, p.223--231.

106. Albert J.P ., Jouani n 0», Gout 0. Electronic energy hands in the fluorite structure, Ca3?2 and Od^.- Phys. Rev., 1977, V.BI6, N 10, p. 4619-4629.

107. Benci S., Schianchi G. Recombination luminescence in pureand rare earth doped CdF2.- J.Lum., 1976, v.II, N 5-6, p. 549-555.

108. Berezin A.A. On hte Anderson transition in electronic color centers system in alkali hahide crystals.- Z. Natur-forsch., 1982, v. 37A, N 6, p. 6I3-6I4.

109. Bernhardt Hj. Near-Edge absorption of lead molybdate crystals.-Phys. stat. sol., 1977, v. A40, N I, p. 257-264.

110. Bernhard Hj. Studies of the colour centers of lead molybdate crystals.- Phys. stat. sol., 1978, v. A45, N I,1. P. 355-557.113» Bernhard Hj. Defect electron centres in lead molybdate crystals.- Phys. stat. sol., 1979, v. A52, N I, p. 223-229.

111. Bernhard Hj., Scbnell R. Modulation-spectroscopic investigations of defect centres in PbMoO^ crystals.- Phys. stat. sol., 1981, V.A64, N I, p. 207-214.

112. Brower W.S., Fang P.H. Dielectric constants of PbMoO. and

113. CaMoO^.- Phys. Rev», 1966, v. 149, N 2, p. 646.118» Brown E.G. Conduction by polarons in ionic crystals.- In» Point defects in solids/ Ed by J.H. Crawford, Jv., L.M. Slifkin.- N-Y-London, Plenum Press, 1972, p.49I-549.

114. Byer N.E., Ensign Т.О., Mularie W.M., Stokowski S.E. IRQC parameters for Er^+ occupying sites of and С^ц symmetry in CdFg.- J.Appl. Phys., 1973» v.44, И 4, p.1733--1743.

115. Chen Y., Sibley W.A. Study of ionization-induced radiation damage in MgO.- Phys. Rev., 1967, v.154, N 3, p.842-850.

116. Chen YKolopus J.L., Sibley W.A. Luminescence of the S^-center in MgO.- Phys. Rev., 1969, v.186, Ж 3, p.865--870.

117. Chen Y., Trueblood D.L., Schow O.E., Tohver H.ID. Color centers in electron irrdiated MgO.- J.Phys.Cs Solid State Phys., 1970, v.3» N 12, p.2501-2508.

118. Cho E., Toyozawa X. Exciton-phonon interaction and optical spectra self-trapping, zero-phonon line and phonon sidebands.- J .Phys.Soc. Japan, 1971» v.30, Ш 6, p.I555-- 1574.

119. Dallacasa V», Paracchini C. Impact ionization in rare earth doped CdP2 crystals.- Radiat. Eff., 1983, v.72, N 1-4,p. 265-269.

120. Day H.R. Irradiation-induced photoconductivity in magnesium oxide.- Phys .Rev., 1953» v. 91. N 4, p.822-827.

121. Defects in insulating crystals /Ed. by V.M.lOuehkevich and K.K.Shvarts.- Riga: Zinatne, Berlin ets.: Springer, 1981.-774p.

122. Garbarczuk J., Krukowska Fulde В., Langer Т., Langer J.M.

123. Determination of the barrier height in metal-CdP^ Schott-ky diodes»- J.Phys.Dj Appl.Phys., 1978, v.II, N 2, p.LI7-L2I.

124. Henderson В., Wertz J.E. Defects in the alkaline earth oxides with applications to radiation damage and catalysis London, Taylor 8s Francis, 1977*- 159 p.

125. Hersh H. Proposed exitonic mechanism of color centre formation in alkali halides.- Phys.Rev., 1966, v.148, N 2,p. 928-932.

126. Hirth H., Todheide-Haupt U. Electron drift mobility in

127. KOI.- Phys. Stat, sol., 1969, v. 31, N I, p.425-433.

128. Hossain M.D. Dielectric propertiens of titanium and gadolinium doped MgO single crystals.- Appl.Phys., 1982,v. A29, N I, p.29-32.

129. Hughes A.E., Henderson B. Color centers in simple oxides.-In: Point defects in solids /Ed. by J.H.Crawford, Jr., L.M.Slifkin.- U-Y-London, Plenum Press, 1972, p.381-490.

130. Ikezawa M., Kojima T. Luminescence of alkali halide crystals induced by UV-light at low temperature.- J.Phys.Soc. Japan, 1969, v. 27, N 6, p.I55I-I563.

131. Kappers L.A., Kroes R.L., Hensley E.B. F+ and ^-centers in magnesium oxide.- Phys.Rev., 1970, v. BI, N 10, p.4T5I--4157.

132. Kappers L.A., Dravnieks P., Wertz J.E. Electron spin resonance and optical studies of the double-hole (Y°) centrein MgO.- J.Phys.C: Solid State Phys., 1974, v.7, И 7, P.I387-I399.

133. Kathrein H., Freund P. Electrical conductivity of magnesium oxide crystal below 1200 K.- J.Phys.Chem Solids, 1983, v. 44, N 3, p. 177-186.145» Khosla R.P. Electrical properties of semiconducting

134. Lushchik C., Lushchik A*, Vasil*chenko E. Excitons and point defect creation in alkali halides.- Ins Defects in1insulating crystals /Ed. by V.M.Tuchkevich and K.K.Shvarts.-Rigai Zinatne, Berlin etc.» Springer, 1981, p. 323-342.

135. Mallard W.C., Crawford J.H., Jr. Thermo stimulated currents and thermoelectric opwer in irradiated MgO.- Solid St.

136. Comm., 1969, v. 7, Я 24, p. 1767-1770.155* Michel D«, Charles D. Influence des impuretes sur la con-ductivite cationiqie dans l'oxyde de magnesium monocris-tallin.- J.Solid State Chem., 1980, v. 31» N 3» p.377-385.

137. Moser F., Matz D., Lyu S. Infrared optical absorption in semiconducting CdF2:X crystals.- Phys.Rev., 1969, v. 182, N 3, p. 808-814.

138. Murray R.B., Keller F.J. Recombination luminescence from Vk+e centers in potassium iodide.- Phys.Rev., 1965, v.137, N 3» P. 942-948.

139. Nishimura H., Ohigashi Ch«, Tanaka X., Tomura M. Resonance luminescence lines of free excitons in alkali iodide single crystals.- J.Pbys.Soc. Japan, 1977» v.43, IT I,p. 157-163.

140. Orlowski B.A., banger J.M. Band structure of CdF2 from photoemission measurements.- Acta phys. pol., 1983, V.A63, Ж I, p. Ю7-1Ю.

141. Overhof H. Energy bands of potassium halides (Green's function method).- Phys.stat.sol., 1971» V.B43» N 2, p.575' -582.

142. Pantelides S.T., Mickish, Kunz A.B. Electronic structure and properties of magnesium oxide.- Phys.Rev., 1974,v. BIO, N 12, p. 5203-5212.

143. Paracchini C., Schianchi G. Electronic conduction in rare earth doped CdF^ insulating crystals.- J.Phys.C: Solid State Phys., 1982, v. 15, N 20, p. L627-L630.

144. Paracchini C. Electron impact processes in CdF2:Gd crystals.- Phil.Mag., 1982, v. B46, N 4, p. 391-405.

145. Point defects in solids /Ed. by J.H.Crawford, Jr., L.M.Slifkin.- N-Y-Londont Plenum Press, 1972.- 556 p.

146. Poole R.T., Jenkin J.G., Liesegang J., Leckey R.C.J. Electronic band structure of the alkali halides. I.Experimental parameters.- Phys.Rev., 1975» v.BII, N 12,p. 5179-5189.

147. Pooley D. F-centre production in alkali halides by electron-hole recombination and subsegent 110 replacement Proc.Phys.Soc., 1966, v. 87, N 555, p. 245-262.

148. Pooley D., Runciman W.A. Recombination luminescence in alkali halides.- J.Phys.Cs Solid State Phys., 1970, v. 3»1. N 8, p. 18X5-1824.

149. Pouradier J.F., Grimouille G. Electroluminescence of 0dF2jHo5+/Au diodes.- J.Luminescence, 1981, v. 24/35» N2, P. 9X3-916.

150. Pouradier J.F., Grimouille G. Growth of semiconducting CdF2:Ho^+ crystals and study of their optical and transport properties.- Phys.stat.sol., I981, v. BI06, N 2,p. 657-665.

151. Prener J.S., Kingsley J.D. Mechanism of the conversion of CdP2 from a insulator to a semiconductor.- J.Chem.Phys., 1963, v. 38, N 3, p. 667-671.

152. Rachko Z.A., Valbis J.A. Luminescence of free and relaxed excitons in MgO.- Phys.stat.sol., 1979, v. B93, N I,p. I6I-I66.

153. Robertson J. Electronic structure of Sn02, Ge02, РЪ02, Te02 and MgP2.- J.Phys.C: Solid State Phys., 1979, v. 12, H 22, p. 4769-4772.

154. Schink H.K. Measurement of screened voltages by electron-beam-induced conductivity (EBIC).- Electronics lett., 1983, v. 19, N 5, p. 177-178.

155. Schmitt K., Sivasankar V.S., Jacobs P.W.M. Emission and decay time studies on Pb2+ centers in Or, RbBr and RbCl .- J.Lumin., 1982, v. 27, N 3, p. 3X3-326.

156. Schmitt K., Jacobs P.W.M., Stillman M.J. Moments analysisof the optical absorption and magnetic circular dichroism2+in the A band Pb T centers in KBr and RbCl.- J.Phys.C: Solid State Phys., 1983, v. 16, N 3» P. 603-613.

157. Schmitt K., Sivasankar V., Jacobs P.W.M. Optical absorp2+tion and magnetic circular dichroism of Pb centers in KBr : lineshape calculation,- J.Phys.C: Solid State Phys., 1983, v. 16, N 3, p. 615-624.

158. Seager C.H., Emin D. High-temperature measurements of electron Hall mobility in the alkali halides.- Phys.Rev., 1970, v. B2, If 8, p. 5421-3431.

159. Sibley W.A., Chen Y. Radiation damage in MgO.- Phys.Rev.,1967, v. 160, N 3, p. 712-716.

160. Sibley W.A., Pacey O.E. Color centers in MgPg.- Phys.Rev.,1968, v. 174, N 4, p. 1076-1082.

161. Treffe F*, Carles C. Application de 1*interaction acousto--optique dans les к 1*analyse ultrarapide d'un spectre lumineux.- Rev. Phys. Appl., 1980, v. 15, N 8, p*I409-I4I3«

162. Tsang K.L., Chen X., O'Dwyer J.J. High field conduction and dielectric breacdown in nominally pure and nickel-doped MgO crystals at high temperatures.- Phys.Rev., 1982, V. В26, N 12, p. 6909-6917.

163. Izalmona A. Luminescence from X-ray irradiated CdF2 and BaF2.- J .Phys*Soc* Japan, I973t v* 34, N 4, p. 1108*