Коллективные эффекты в системе экситонов большой плотности в германии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

АКАДЕМИЯ НАУК СССР

ОРДЕНА ЛЕНИНА ФИЗИКО-ТЕЖНКСКИИ ИНСТИТУТ им.А.Ф.ИОФЖ

коллективные эффекты в системе экситонов большой плотности в германии

(01.04.10 - физика полупроводников и .диэлектриков)

автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

На правах рукописи

СТЕПАНОВ ВИКТОР ИВАНОВИЧ

УДК 621.315.592

Ленинград 19Н9

Работа выполнена п Ордена Ленина фкзико институте им.А.й.Иоффе АЛ СССР.

-техническом

Официальные оппоненты: член-корресповдвнт АН УССР доктор физико-математических наук, доктор физико-математических наук,

В.Г.Литовченко, профессор В.Н.Абакумов, профессор 0.Б.Романов.

Ведущая организация -Ленинградский политехнический институт им.М.И.Калинина.

Защита диссертации состоится "_" _ 19 г.

в __ часов на заседании специализированного совета Д-003.23.02

при Физико-техническом институте им.А.4.Иоффе АН СССР ira адресу: I9402I, Ленинград, Политехническая ул., д.26.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке института. Отзывы на автореферат в двух экземплярах исправлять по вышеуказанному адресу на кия ученого секретаря специализированного совета.

Автореферат разослан __"__1У г.

Ученый секретарь специализированного совета дэктср физ.-каг. наук

'( Л.М.Сорокин )

- 3 -

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность теш.

Исследование систем, содержащие большое число взаимодействующих частиц, является одной из наиболее закных и сдоищх задач современной физики. Интерес к проблеме коллективных взаимодействий в полупроводниках обусловлен не только важностью проб-лекн многих тел для физики а цело:.», но и практический нуждами бистро развивающейся современной микроэлектроники.

Значительный интерес при исследовании многочастичных взаимодействуя приставляет 'система непрямых экситонов в германии -связанны" состоянии электрона и дырки, способных сзооодко переливаться .та крлстаыу. Большие времена хизна непрямых экситонов, связанные с особенностью зонной структуры германия, а тап-хе его технологическое совершенство. позволяют легко создавать экситош;ы>: газ большой плотности. Плавное изменение концентрации экситонов в широком диапазоне легко достигается соответствующим изменением уровня накачки. Большая величина диэлектрической проницаемости, а такие палая величина элективных масс электронов к дырок позволяют рассматривать систему непрямых экситонов как аналог обычное: многоэлектронной системы с сильно увеличенными линейнша и уменьшенными энергетическими масштабами н относительно простыли средствам! моделировать на ней многие свойства многоэлектрошшх систем з условиях сверхоиль-Нцх давлений, магнитных и электрических полей, практически не доступных в настоящее время для обычного класса веществ. К преимуществам этой системы следует также отнести возможность изменения степени анизотропии к отношения эффективных шсс электронов и дырок, а такие возможность изученм свойств многокомпонентной системы в случае многодолшшого полупроводника, состоящей из кетовдественных в квантовом с:тксле частиц. Все это делает систему непряшх экситонов уникальным объектом исследования. Изучение коллективных свойств экситонов является фундаментально:! проблемой, решение которой имеет большее значение зля физик:: систем, содержащих больлое число взалмодоьстзуэдих частиц, что и оппече.'-гет актуальность теш диссертации.

В результате экспериментальных исследовании биле устонсц-

явно, что при низких теггперагурах в германии б системе непря-■ 'чх экситонов происходит фазовый переход пэреого рода, сопро-иолцээдийся расслоением системы на экситонный газ я капли элек-тронно-дтоочной жидкости, представляющие собой вырожденную электронно-дырочную плазму и являющиеся аналогом металлического состояния вещества. Основные параметры такой плазш' целиком определяются решеткой кристалла, а свойства во многом зависят от взаимодействия с ней.

Исследованию свойств электронно-дырочных капель (ЭдК) было посвящено большое количество работ, однако, ароблеш их взаимодействия с решеткой кристалла и связанная с ней проблема дэпжэния ЭдК продолжала оставаться неясной.

Сведения о дзйхзюш ЭДК оказыьашоя .важными при изучении одного из фундаментальных явлений природы - разового перехода первого рода газ - зидхость, когда в результате движения зародыши новой фазы могут покидать область конденсации за врег/л, меньшее времени их роста до капель стабильного размера. Яри этог.1 когкет произойти нарушение квазиравновесия в системе зародышей докрнтического размера и резкое изменение характера самого перехода. Особенно актуально это становится при исследовании кристаллов ограниченного размера, а такке л.обых систем, ' где существует эффективный внкос зародышей из области конденсации. ■.

. Уникальность свойств электронно-дырочной жидкости даст основания для обнаружения новых многоэлектронаых аспектов, поиски которых в других мкогоэлектронных системах не привели к ожидаемому результату [I] .

Уже из беглого анализа в;щно, что уменьшение одного из размеров кристалла - собственно то, к -чему стремится современная микроэлектроника - мокет привести к радикальному изменения, свойств всей электронно-дырочной системы в целом. Лее более существенных изменений следует скидать, когда один из размеров образна становится сраЕкым с длиной волны де-Бро;уи элек-.трока. При этом на Физические свойства системы начинают оказывать влияние квантовс-рэзглерные эффекты. Исследования электронных явлении в двумерных системах стределявт з настоящее время с дно из наиболее актуальных направлений в ¡¿изике конденсирован-

кого состояния вещества. Особый интерес представляет изучение многоэлектронных эхйектов в таких системах, поскольку понижение размерности приводят к усилению электронно-дырочного куло-новекзгэ взаимодействия.

Свойства двумерных слоев поверхностного заряда в условиях существования неравновесной электронно-дырочной скстглш в объема полупроводника исследованы мало. Проведение таких исследований сопрялело с использованием высококачественных структур, изготовление которых стало возможным лишь благодаря успехам современной технологии [2] и ограничено весьма узким классов веществ. Влияние поверхности на коллективные свойства неравно-Ееских электроноЕ и дырок в полупроводниках не исслецоЕалссь, досколъку пелвналраЕленно и е ¿лгрскнх пределах варьировать свс;:стеэ поверхности в таких структурах не представляется зез-:шнш. :.1с:кнс охицать, что топиюкив крзта леполъ.-уешх материалов, а такле возмоззость управлять свойствам! псверлюсти приведут к обнзпулсекга новых многоэлектронных явлений и будут способствовать дальнейшему развитию микроэлектроники.

Актуальность диссертации обусловлена тем, что выполлешшо в ней исследования затрагивают ({-ундаменталыше проблеет физики многочасткчнах систем, с;изю:и поверхности, й(зи:к двумерных систем, аспекты технологии. Изучайте многоэлектронных явлении в неравновесных электронно-дырочных системах имеет больсое значение для пошшания физических процессов в полупроводниковых приборах, работающих в условиях существования б них неравновесной электронно-дырочной плазш.

Цель юзботы.

. Основная цель работы, заключалась е исследовании системы взаи/'.юдехствутацих неравновесных электронов и дырок в кристаллах германия. Изучение взаимодействуя конденсированного состояния неравновесных электронов и дырок с кристаллической решеткой имело стаей целью выяснение основного та двух, • предложенных Д.В.Келд'Ш'.ем, механизмов извлечения ЗДК фононами [3, 4] , эффективного источника таких <?ононов и тем сангыч причины лви-::сеш:я ЭДК.

Вменение отн:-: аспрссов определило другую иел;. ;л1оги -

исследование, влияния поверхности на кинетику фазового перехода экситонный газ - ЭДЯ в германии, происходящего в условиях интенсивного диффузионного или дрейфового выноса зародышей новой фазы из области конденсации на поверхность.образца.

Являясь квантовой жадностью, обладающей малой плотностью и энергией меэтастлчного взаимодействия, ЭДЖ в, германии представляет собой уникальный объект исследования, • позеоляиший.изучать в ней целый ряд явлений, наблюдение которых затруднено или дане невозможно для обычного класса Ееществ. Именно таким исследованиям в диссертации уделялось особое внимание. Среди

• них: ма г кит о а ку с т ич с с кий эффект в увлечении ЭДК-фононами, проявляющийся в.квантовых осцилляциях скорости дЕижеюш макроскопических объектов, каковьти являются ЭДК; кудоногскдй, резонанс на уровне Ферми в ЭД2, проявляющийся в резонансном усилении

• коэффициента поглощешде германия вблизи сдвига Мосса-Бурштей-на, обнаружение которого является экспериментальным подтЕзрх-дениегл теоретических представлений, развитых в роботе [I] ; экранирование спин-орбитального экситона ЭДЖ в германки, которое в этом случае может изучаться в чистом виде без учета эф-

• фекта Чосса-Бурштейна.

Целы) диссертационной работы являлось такхе создание двумерных неравновесных систем электронов и дырок на поверхности германия и исследование влияния свойств этой поверхности на поведение системы неравновесных-электронов к.дырок.

Объекты и методы исследования.

Все эксперименты в настоящей работе были■выполнены на чистом германии. Выбор этого полупроводника обусловлен в первую очередь совершенством технологии его производства, позволяющей выращивать монокристаллы высокого качества с концентрацией остаточных приглесой не выше 10^ , точным знанием его основных параметров, а таете особенностям его зонной структуры, обе. спечивашим существование в кем. двух типов акситонов - прямых,

• обусловленных кулоноБСКшл взаимодействием электрона и дырки

в Г -течка, к непрямых, связанных с боковым:! минимумами зоны ■п;,сводимости. Наличие прямых оксчгонов позволяет использовать высокочувствительный метод глодуляихокной е-.пектрсскошш [5] при

исследовании коллективных яатени:: в тонких образцах. Еольите времена хсизш: кепряг.дг.х экеигояов позволяют легко получать их высокую плотность. Кногодолшность германия способствует высокой стабильности ыногочастичных систем.

Для проведения исследований свойств неравновесной электронно-дырочной систем! в германии был создан ряд новых методов. С целью повышения достоверности результатов исследований в некоторых случаях при изучении одного к того ке явления использовались дЕе незавксикые мгтодшси. Так, для изучения проблемы движения ЭДК был использован внешний тепловой генератор, позволяющий не только эффективно проводить такие исследования, но и осуществлять управление движением ЭДК. Особенно полезным он оказался при исследовании кинетики конденсации экситонов з гь-ршшш. Использование теплового генератора в сочетании с традшдтокныл йотоэлектрическш методом р-п-переходов 16], . а та;с?.е независимым оптическим методом, основанном на обнаруженном з'работе эффекте гашения рекомбкнационного излучения ЭДК теплозыш импульсами, позволило расширить экспериментальные зоз:ло.1ности л резко повысить надежность результатов исследована:'!.

Б работе предлсгкея новы;'; оптический метод определения размеров ЭДК в тонких кристаллах гаркания на ессх этапах формирования системы, основанной на использовании известного эффекте модуляции коэффициента поглощения германия в области края прямых переходов ЭД1 15] .

Для создания я исследования двумерных систем неравновесны:'. электронов и дырок на' поверхности практически лябого полупроводника предложен метод, основанный на использовании границы раздела полупроводник - электролит, помечаемый в специально разработанную электрохимическую ячейку с последующим ее ох-ла;кдением вплоть до температуры жидкого гелия. Подбором соответствующего электролита, а таюке технологического реже,га можно управлять свойствами поверхности полупроводника.

Е работе предложен ese один метод создания двумерных неравновесных электронно-цырочннх систем на поверхности полупроводников, когда двумерная квантовая яма создается при освече-н:т лоссрхносг'л полупроводника светом з результате rw.-et'awrv-к;: ловеохностгеяг центров, облодятаих анизотропией соченнл ча-

■ - 8 -

адата по отношению к одному кз двух типов неравновесных носителей заряда. Использование этих методов открывает новые возможности для создают и исследования двумерных систем с использованием широкого класса полупроводниковых веществ.

Научная новизна и ос к овна е научные гголояеыия.

Научная новизна диссертации определяется следующими представленными к зашите основными научными положениями:

1. Из двух предложенных I.В .Келдышем [3, 4] механизмов увлечения ЭДК аюнонама основным является поглощение в них .длинноволновых акустических фононов с о. £ 2КГ . Интенсивным источником таких Кононов являются сами ЭЛК.

2. Существует магнитоакустнческпп э<]$ект в увлечении ЭДХ длинноволновыми акустическими йононами, проявляющийся в осцкл-' ляшщх скорости увлечения ЭДК в продольных квантующих магнитных полях.

3. Интенсивный диффузионный вынос зародышей новой 5азы

из озолоти конденсации на поверхность образца в тонких кристаллах германия, толщиной меньле экслтокной диффузионной длины, приводит к сдвигу газовой ветви фазовой диаграммы в область' сверхвысокого пересыщения. При этом сам фазовый переход экси-тоны - ЭД2Г в германии описывается не термодинамическими, а только кинетическими характеристика!,си системы.

4. Реализован кяьетичеекпй фазовый переход в толстых кристаллах Германия, толщиной больше экситснной диффузионной длины. Эффективный вынос зародышей дозой фазы из области конденсаций на поверхность образна в эток случае осуществлялся нотоким (Кононов от внешнего теплового генератора.

5. Существует кулоновскик резонанс на уровне Ферми в ЭДЖ е германии, предсказанный для выргасдешшх полупроводников [11. Зойект проявляется з резонансном усилении коэффициента погло-- -зения вблизи ^осс-БурлтеГшсвского сдвгга крзя поглощения гер-:.ашм внутри ЭЛЗ.

6. КулоноЕскоо взаимодействие электронов и дырок оказывает су^иствснкон влияние ка формирование края фундаментального поглощения германия Е области прямых оптических переходов из сглЕ-о-битг-льяо отщепленной вчлектной зоны а цоктрзльш.:' гжл-

мум зоны проводимости.

'7. Разработан новый метод созданта неравновесных двумерных систем электронов и дырок на поверхности практически любого полупроводника, основанный на использования граниды раздела полупроводник - электролит с после,дующим ее охлаждением.

3. Существует двумерное состояние неравновесной злектрон-но-дырочной шгззш на поверхности германия, представляющее собой локализовашше вблизи поверхности пространственно разделенные квантовые слои электронов и дырок.

9. Реализовано деэ новых состояния неравновесной электронно-дырочной плазмы на поверхности германия, имеющих копденоат-кый характер. Сба состояния наблюдаются в условиях исходно слабого загпба зон.

: Первое состояние наблюдается только при наличии большой плотности поверхностных центров. Ско двумерно и, дс-впднмому, представляет собой локализованные вблизи поверхности пространственно разделенные квантовые слои электронов и дырок, обусловленные образованием квантовой ямы в результате перезарядки по-Еерхксстных центров при £оговозбуздешщ.

Бтосое состоянье трехмерно и, по-Еидж-гаку, представляет собой объемную ЭДН, локализованную вблизи поверхности в классической потенциальной яме.

Научная и практическая ценность работы.

3 работе создано два ноеих направления в с-кзихе полупроводников: первое - оптическая спектроскопия границ раздела полупроводник - электролит; Еторое - влияние поверхности кристалла на коллективные свойства системы неравновесных элзктронов и дырок в полупроводниках. Обнаружено три новых состояния неравновесной электронно-дырочной систечн на поверхности германия. ^ущестнование этик состоянии, два из которых имеют двумерную природу, а третье - трехмерно, определяется состоянием по-аерхчости кристалла. Изучение свойств этих систем правело к возникновению новых представлений о шшянпи поверхности на коллективные свойства неравновесной электронно--шпочлсй системы в частиЭстц, о двух возможных процессах ер киийнс^атги на поверхности кэнзтнлла. Исследование елеянля поверхности i»o про-

-'есс конденсации эксптонов б ЭДН стш.улпровало развитие новых ¡щей о кинетике фазового перехода в открытых системах. Результаты этих исследований, а также предложенный в работе метод создания двумерных систем неравновесных электронов и дырок на поверхности практически любого полупроводника в сочетания с возможностью управлять свойствами этой поверхности открывают широкие перспективы для обнаружения целого класса новых явлений х.

Полученное в работе экспериментальное подтверждение существования кулоновского резонанса на уровне Зерни в ЗД2 могшо рассматривать как новый шаг в изучении этого шогочастпчного эффекта. Представленные в работе результаты исследований по проблеме движения ЭДК имезт вагл-оэ значение для понимания свойств ЭДЕ в германии.

Практическая ценность диссертации состоит в том, что ее результаты могут быть использованы в физике оптоэлектронных приборов, работающих при высоких уровнях оптического возбуждения, а'тэкяе приборов с двукеркым электронным газом.

Апробаоия работы.

Ссновние результаты работы докладывались на Международной конференции по физике полупроводников (Стокгольм, 1986 г.), на Международной конференции по использованию сильных магнитных кслей в физике полупроводников (Оксфорд, 1932 г.), на Международном семинаре по нелинейной оптике и кинетике возбуждения в полупроводниках (Еадстуер, 1937 г.), на Всесоюзных конференциях по физике полупроводников (Баку, 1932 г.; Минск, 1935 г.; Кишинев, 1333 г.), на Всесоюзных се:,жарах "Экситсны в кристаллах" (Кшдшев, 1973 г.; Черноголовка, 1934 г.), на 2 Всесоюзно:.; семинаре "Электронные процессы в двумер!гнх системах" (Новосибирск, 1936 г.), на Всесоюзное семинаре "Люминесценция молекул п кристаллов" (Таллинн, Г987 г.), на Есесолзном

х Использование этого метода в работе [7] ириЕело к сб-но'ружэнкс нового двумерного состояния неравновесной электрон-нс-дырочной систеш ь-з поверхности Оа-Ль .

семинаре "Теоретические проблема физики полупроводников" (Ереван, 1987 г.), на Всесоюзных семинарах "Оптическое детектирование магнитны/ резонансов в твердых телах" (Киев, 1985 1'., Таллинн, 1937 г,), ка Всесоюзных совещаниях "Эксигоны в полу-гтравсд:шк.ах" (Ленинград, 1932 г.; Вильнюс, 1338 г.), на Есесс-юзных совещаниях до люминесценции (Езерниекн, 1930 г.; Ленинград, 1931 г.), на XII: Всесоюзном совещании по физике поверхностных яЕленп" з полупроводниках (Киев, 1954 г.), на Г". Всесоюзном симпозиуме "слектронныз процессы ка поверхности и в тонких слоях полупроводников'' (Новосибирск, 1988 г.), на П Республиканской конТ-ерекгаи по фотоэлектрическим явлениям в полудро-зс7.нлкз:с (Сдесса, 1982 г.), на 7 РеспуЗлдкансг.оГ. кснферек!::::: ";из:.чес:-:не ароЗлемы .'ЛИ интегральной электроники'* Црсгобыч, 1Э37 г.), нз Республжакско:.! сеппнаре "'.'.асе.'латическсе моделирование физических процессов в полупроводниках и полуцроводнп-ковьс-: приборах" (Ростов Великий, 153с г.), на Респубхжак-ском коллоквиуме по модуляционной спектроскопии (Сухуми,1937 г.).

■ Очи докладывались такяе ка физически;: семинарах в Ж! им. А.Ф.Мсффе С Ленинград), "21 АН СССР (Новосибирск), Ленинградском государственно?.: университете.

Результаты исследований, во1.ед:::их в дпссертшшо, отражены з ряде обзоров С3-10]

Публикации.

По матер^лам диссертации олуэл^совано 20 осдоьних научных работ, перечень которых приведен в коние автореферата.

Стпукгута :: объем диссертации.

Диссертйопя состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой. литературы из 214 наш.;ено>зян::й. Объем ч::с-серташп составляет 2НО страниц, включая 64 рисунка.

- - 12 -

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обсуждается актуальность теш, с^ормулирсванн цель работы и основные научные результаты, рассматривается научная и практическая ценность диссертации, приводится ее краткое содержание.

Первая глава диссертации посажена исследованию проблеш движения ЭДК в реальных кристаллах германия. В работах [3, 4] бола высказана идея о том, что двоение ЭДК осуществляется в результате их взаимодействия с потоком неравновесны:; фононов, и рассмотрены два механизма увлечения ЭДК - поглощение длинно- '

волновых акустических 'Тононоз с О- 4 2Кг ¡1 пяспеянпе /отют-

" ' 1 Г1 —т _ х *

коволнсбых ТА фононов с ^ ? 10 см Величина силы увлечения в обоих случаях будет определяться как спектром неравновесных фононов, так и соотвествующим сечением их взаимодействия с ЭДК. При рассмотрении вопроса о спектре неравновесных фононов авторы (3, 4] пришли к ввводу о том, что он должен состоять в основном из коротковолновых 171 аононов, которые и будут увлекать ЭДК в процессе рассеяния. С целью выяснения основного механизма увлечения ЭДК фононами были проведены специальные экспериментальные исследования, изложению результатов которых уделено основное внимание в этой главе.

Исходя из основных предпосылок работ [ 3, 41 , был проведен анализ возможных механизмов генерации длинноволновых акустических фононов и показано, что их интенсивным источником являются сами ЭДК. Генерация фононов осуществляется в результате саморазогрега капель вследствие процесса о.ке - рекомбинации электронов и дырок внутри ЭДК к остывания в них оже--частиц. Элективное поглощение таких фононов каплями к является причиной их дрейфового движения. Произведен расчет спектра испускаемых ЭДК фононов, их интенсивности и силы увлечения, величина которой хорошо согласуется с набллцаегтл.п; скоростями 'движения ЭДК. Экспериментальным доказательством рассмотренной модели явилось обнаружение кагнитоакустнческого эффекта, проявляющегося в осцилляшшх дрей^овок скорости капель в продольных кв£нтуЕцих магнитных полях. Эффект обусловлен ссшдаируз-

- 13 -

¡дим характером поведения времени элекг;рон-фононной релаксации и, следовательно, интенсивности испускашнт и поглощения Тойонов Э.ПК в магнитном поле из-за осцилляиий плотности состояний на уровне 5ерми ЭДЗ.

Поскольку зремя электрон-фононной релаксации определяет как силу увлечения, так и силу торможения ЭДК, осцилляции дрейфовой скорости не могут наблдцатьоя, если интенсивность фонон-ного ветра постоянна, т.е. если источник увлекаохтх Кононов находится вне ЭХ\. Действительно, увеличение относительного вклада в йононнь.й ветер независящего от магнитного поля потока длшшоволноеых акустических фснснов от теплового генератора приводило к поцазлелип ссцилляций дрейфовой скорости. Построена приближенная теория этого эффекта, результаты которого согласуются с экспериментом.

Использование теилЛвого г-еааоатора, основным элементом которого является напыляемая на поверхность кристалла через слой диэлектрика и нагреваемая импульсами тока тонкая металлическая пленка, позволяло легко и в широких пределах регулировать интенсивность .и длительность создаваемого т.! потека фоно-нов, независимо от уровня возбуждения образца. Именно это обстоятельство позволило провести исследования пороговых явлении а движении ЭДК. В качестве детектора капель использовались точечные р - п - переходы [ о 1 . Экспериментально доказано, что в образцах N > ( ^ Ы й3 где Я - радиус ЭДК, пороговые явления обусловлены захватом капель а тогами примеси. При уровнях возбуждения нил;е порога саморазлета капель и интенсивности потока фононов от теплового генератора ¿мае пороговой обнарукен и исследован эффект индущгрова иного соноразлета ЭДК.

Исследован эффект гапенпл пзлучательной рекоибинаппи ЭДК тепловыми импульсами, обусловлзнкий гибелью спстегш ЭДК при ее выносе на поверхность кристалла и пряреллэцпися з укорочении кинетики излучения ЭДК. Показано, ч':-*> он мс:хет быть использован для исследования пороговых я;-лекн;': в лвл.кен:!;: ОДК, а так:'.е оправления скорости поверхностной рекомбинации нераь-новясжх е -Ь - пап.

Ял о рая глава псечяздна гжеледокзигзэ йл::щ>::я йэь<!;;::ис.от:1 ¡•а /досеш! яегаход экентоыниу. газ - ЭДД з ч.:ст<- гс;л-:ч-„-п. /.¡я

рошоьескых систем наличие поверхности обычно стимулирует конденсацию и снижает порог. Однако в случае перехода газ - здд-кость в неравновесной системе ситуация оказывается принципиально отличной, и наличие поверхности может приводить к росту пересыщения газовой фазы в системе. Величина пересыщения может оказаться большой, если базовый переход происходит е открытой системе, из которой зарождающиеся капли жидкости, благодаря интенсивному дпфЬуздонному или дрейфовому двинские, могут выноситься на поверхность и гибнуть. Б этом случае из-за резкого уменьшения потенциального барьера нарушается квазиравнове-сяе в системе докритичеокпх зародышей и одновременно теряет с шел понятие критического зародыша, размер которого стремятся к радиусу одной газовой частицы [12] .

Такая ситуация реализуется в кристаллах германия, когда один из его размеров становится порядка или меньше экситсннсй диффузионной длины. Б этих условиях вырасти до макроскопического размера может тот зародьпд, который за время роста до стабильного радиуса, определяемого равенством теша, захвата экси-тонов тешу испарения и темпу рекембикашш е - Ь- пар.смогхет избегать столкновения с поверхностью (вероятность чего тем меньше, чем меньше толщц'а кристалла). Очевидно, что при этом в схстеме будет отсутствовать детальный баланс ц основянное на классическое: подходе описание кинетики йгзевоге перехода эксятонный газ - ЭЛЖ [II] становится нззозмодккм. Простые соображения показывай?, что в этом случае тазовый переход должен описываться ке термсдп.чамичесшдп, а только кпнетзтчзскжи характеристиками. Рассчитаны функция распределения и фазовая диаграмма для образцов разно]: толщины. Зкспериыеятольнкз исследования показывает, что порог ко'дэг.сап:::: квадрзт:?ч.«о рсстет с у:,:енъ-;ешг;: тоддиня кристалла ц практически не завпепт от температуры. Изучение пороговых /тракте.гх-тпк г-.члучеинл ЭД~ в тгст'д: ::р.::таяызх гегмания подтверждает результатV. расчетов.

Б работз реализована анэлогт-шзя ситуация для ооэазгов * гзрианпя. резчзры котооы* больше эксчтонпоЗ д:::.'/.-.уз::ок;:о'.: длины. Б этем случае эИективкай винос заредг.^ей из области ксн-дз.чссз!1:;:! не поверхность кр.^т.злла ж/гастллллсл посредством л:с в аЕТ&лсззнои "¿»ионном ветре" от тешпвего г--;азрс-

тора. Установлено, что возрастание интенсивности фочонногс потока приводит к увеличении порога зарождения ЭДС з соответствии с развитей модолью Фазового перехода. Расчет фазовой диаграммы перехода, выполненный ка основе этой модели, хорошо согласуется с экспериментальными данными в таедпзлояегаш, ;.что механизм взаимодействия зародышей о керэвновестши длинноволновыми акустическими фонолами является госаздо более эффективным, чем для макроскопических капель. ;

Исследована зависимость гпстерезнсгах ягдзнчй на пороге конденсации от толцтши образцов. Обнаруженные особенности чо-веденпя гистерезиса излучения ЗДд, проявлянстпеся в нестабильности ннеходяаеи ветви, объясняются взаимодействие!! капель с поток;:.; неравновесны:: фононов, возяпказиик при оптическом возбуждении образцов.

"Лзучекие модуляции коэффициента поглощения в области прямых переходов германия ЭДЖ показало, что из анализа поведен:« спектров модуляции ыонно получить сведения о кчнетнке конденсата: я размерах ЭДК б тонких образцах, толщина которых сравнил :а с возможными радиусами ЭДК.

Результаты этих исследований могут оказаться полззними при исследовании любых сильно неравновесны систем, в которых существует эффективный механизм удаления -зародкле;: ново'! юазн из области конденсации.

Тое^ья глава диссерташпг пооЕЯпеча изучение края фундаментального поглощения гер/инпя в шрохом интзрзате энергий, в области прямых переходов внутри ЗД1. 3 ней ¡гоиводятся результаты исследований ряда эффектов, отчетливо деноьстриружих уникальность свойств ЭДК.

3 начали этой главы рассматривается вопросы, связэгные о поиско:.» и обнаружением гяогоэлектрлнного эффекта, теоретически предсказанного ■йханом еке в 1Э6? г. и заклачакчиегося в тем, что з вирсрденичх полупроводниках 'I (или р )-г:ша, кз-за ограничения электронного (дыречного) рассеяния вб.ягзи минимума энергии фэтоБозбухденчого электрона (дыши), соответствующего в этом случае энергии ¿ерг.гл, рав!Ю?.гспе олнктрегсл (лг.--рок), г-езмедно судссгвов1Риз связанного состояния электрона

а дырки, природа которого так ;хе, как а в случае состояний Ку-иароЕсккх пар в теории сверхпроводимости, связана с резкостью поверхности Ферми. В отличие от экситонов Ванье-Мотта в неле-гироЕанких полупроводниках связанное состояние электрона и дыр-кп в вырожденном полупроводнике моает проявиться не с длинноволновой стороны относительно значения энергии запрещенной зоны, а с коротковолновой части спектра, вблизи сдвига Иосса-Бурцлейна. Согласно [I], оно монет наблюдаться только при умеренных концентрациях носителей, поско^ку с ростом ковдентра-шш энергия связи этого состояния укгньшается. В поглощении этот резонанс имеет логарифмический характер.

Резонансное усиление поглоцзния Еблизи уровня 5ермл было обнаружено ранее при исследовании спектров мягких рентгеновских лучен в металлах, таких как № [14] , ДЕ и Мд [15], и сэсугкдено паханом в рамках излеченной модели в работе [16]. Однако попытки обнаружения этого эффекта в вырожденных полупроводниках успеха не шали. Причиной этого, по-Еидиглсму, является размытие края поглощения в скльнолегировашшх полупроводниках, обусловленное сильным рассеянием носителей заряда на улук-туацкях потенциала примесей. При исследовании фотовозбуааенных аслупровозкнков из-за отсутствия строгого постоянства плотности неравновесных носителей заряда в объеме образца четкс выраженных особенностей в спектрах поглощения вблизи края Мосса-Буретейна также не обнаружено.

Более перспективным объектом цля обнаружения этого интересного шогсчастичного эффекта является ЗЛХ в чютых и совершенных кристаллах германия, внутри которых флуктуации заряда сильно подавлены, а плстнссть е - Н - пар строго постоянна,

Для обнаружения этого эффекта в настоящей работе бил а ас-польз овака высокочувствительная методика модуляции коэффициента поглощения в области прямее переходов германия [о] , ос-новэняая на регистрации изменения интенсивности проходящего чею?э соразец света при ::мтг/л:>сном Бозбукаенпи в не:; ЗЛХ. С 1",елт.о идейной регистрации сигнала- мапуллипи в области бслыпгс зкачека;1 ко^-тсента поглощения были спедальио изготовлен» генг.ие сЗрззди "ио'Гсп ( « ГС*" с:Г") германия, то.пх'на |ОГ>7; : сс^с Л^ИС.'.'Л'Н^Ш'НС су-зстес пзние

- 17 -

этого эОД.екта проявилось в резонансном. усилении хиэйъяхпоятя поглощения в области сдвига Моссз-Бурътейна в полном соответствии с работой [I] . Результат!! расчета этого эффекта, выполненные для ЭДЖ в германия, наподятся в хорошем согласии с результатами эксперимента.

Следует отметить, что представленные результаты является первым экспериментальным подтверждением существования ?сулоног-ского резонанса в полупроводниках. Позке этот эффект был обнаружен при исследовании двумерных систем [17] , б которых роль электронно-дырочного кулоновского взаимодействия из-за понижения размерности существенно возрастает. Обнаружение кулоновского резонанса в двумерных системах свидетельствует о том, что это явление нз является специфичным только для ЭС-Е з германии, а носит универсальный характер.

В этой ,™е главе приводятся таете результаты подробных исследовании края фундаментального поглощения германия, связанного с прямыми оптическими переходам:! из сппн-орбптгльно итвдп-лепной ( Б0 ) залентног! зоны з центральный минимум зоны проводимости. Точность имевшихся экспериментальных данных, полученных прямым методом зэтой области спектра ( М > 1,1 эв), била недостаточна, а детальный анализ особенностей БО -края поглощения, связанных с электронно-дырочным кулонозскггм взаимодействием, вообще отсутствовал. Доказательство существования 50 -экоктслов в германии мо.тно получить, исследуя изменение

-края поглощения в условиях существования в нем ЗД£. При этом возникает уникальная ситуация, когда состояния, занимаете выро/;деннн:.к носителя?,т ЗДК, расположены по энергия я:с?.е состоянии, соответствующих БО-переходам, и исследование экранирования 50 -эксптона ЗДХ мощно проводить без учета влияния кулокоЕсксго резонанса, о такие эффекта Яосса-Буршгейна, т.е. в "чистом" виде. Результаты прег.стаглеккк:: з работе экспериментальное исследований свидетельствуют о том, что влияние 6 - И кулоновского взаимодействия на формирование 50 -края поглощения значительно, и при описании этого края его необходимо учитывать. Результаты вычислений спектров поглощения и спектров кодуляиин в этой области хорошо согласуются с измеренными, Исследования кодуляпкк коэффициента язглсденйя ЗДЛ в магнитном

лаю у -^щтельно свидетельствуют с ва:;аой роли эксптонных эффектов.

Четвертая глава диссертаию посвящена созданшз и исследованию новых двуъ5ярных состояний нзравнсвеской электронно-дырочной системы на поверхности германия. В ней таюхе рассматриваются вопросы, связанные с■исследованием атияндя поверхности кристалла на коллективные свойства этой системы.

Экспериментальное исследование двуиериых с пет ей сказано

0 использованием высококачественных структур, изготовление которых определяется возмокяоетями современной технологии и ограничено довольно узппл кругом иопельзузмых полупроводниковых задета. Однако де?.е ка n.zi создание поверхностей, контактпру-^дге j дгуцзриш газом носителей заряда и обладающих широкий няОором кеобходш.,нх свойств, не Есегда представляется возко:;-Нгп.!. Все это ограничивает возможности экспериментальной физики деумеркцх систем, реализуемых на поверхности кристалла.

3 этой главе приводится описание метода, позволявшего создавать и зсслецовать двумерные системы неравновесных электро-:-:ог и дырок на поверхности практически любого полупроводника. Мр.тоз; ссноезн на использовании доверхьсстп раздела полупроводник - электролит с последующим ее о::лаг.:дечием еплоть до температуры "п-оого гелия. подбирая с зтветстьухгди:; электролит, мо-;:шо изменять свойстга этой поверхности.

В экспериментах на герганип использовался водный раствор азотно;': кчелоть', изменение конпектращч: которою позволяло менять в ипроком диапазоье как плотность поверхностях состояний, так х величину загиба зоч {IdJ . Для пелучэкня поверхности

re-uaumt с минимальной плотность:: почетгаюстных состояний ,• _ --ТТ

1 « iv " см ), онялогичао'.! поверхности б .•.учи;сс крегд-деип'. МП-структурах, а такие с »ксЕлаяьшл поверхностным загибои зон, соотлбтсгьуюде?.: пояедзн.:» . р -капала пронодпмссти, пеполь-,).;1и.-.ась кекз е.: с у. »рсао ;-.кад азотная кислота ( HN HNO.). 2оз-бутлтслие о:, разг. а осуществлялось лазером со сторони теккс" и ассэгячксй .»лскт'эс":!;srcecxci' яче'лп:.

' Использование структур:: &е - MN HNOj кчзелг-ло - г.о> " х Л: z'AV'.yj:: Л'гь .чозее нэт^еригз с. стоящие н-з-

равксзесной электронно-дырочной плазмы на поверхности гзрмзклл. аналогичное состсяки.'Ь, обнаруженному на поверхности кремп:?в;г'. Щ1-структур [21, и представляющее собой локализованные вблизи поверхности прострикствекко разделенные кантовке слсц электронов и дырок. Кэлучзтельяоя рекомбинация з такой системе приводит к поязлен:20 новой интенсивной -линив рексмбиКацп-оннсго излучения, расположенной в спектре по энергии шоке положения линии ЗДК. Это свидетельствует о тоги, ч?0 новое состояние является энергетически более выгодным.,В отличие от объемных линий, форма и полочеение --линии загасят от ориентации поверхности кристалла, свидетельствуя о ее двумерной ппд-роде. Характерной особенностью -линии является ез коротковолновый сдаиг с узелкченнем у-рзен." волбугдейия, ве^гчпна которого также зависит от кристаллографической ориентации по -зерхностп. Этот, так называемый, электростатический сдвиг обусловлен прссгрзкствешгым разделением электронного я дырочного слоев, приводящим к электростатическому отталкиванию по$еох.чб-сткЬгх пар.

Необходимым условием существования такого состсянхя неравновесной электроннс-дырочной плазмы является наличие квантовой потенциальной ямм на поверхности кристалла. При Есзбуткдетш обрузца светом из его объема на поверхность возникает поток неравновесных носителей, часть из которых захватывается на квантовый уровень а погекцшльной яме. и ссзцает дополнительный заряд, электрическое поле которого притягивает к себе оставшуюся честь носителей другого знак:), создавая второй элек'^ричес-к у к елок. СГрктякенне второго слоя к первому обусловлено ют электрическим полем добавочных носителей в первем с псе, так • я электронно-дырочным обменно-корреляздгониым взаимодействием.

При низких уровне возбуждения и соответственно малой плотности поверхностных пар спектр 51 -лккки определяется спектром плотности состояний. двумерных носителе!: з первом слое, спектральная ширина •• их энергией Фгрми, а спехтрэл:-нсз положение глубиной потенциальной яму. С увеличением темстерзтурн интенсивность 8, -линии падает и при Т ~ ЗС К она исчезает.

[[случено прямое экспериментальное доказателс-ство двуме.р-кости система, осковашое на обнаружение« ззвизшасстя велики-

r'd диаг.агниткого сдвига St -линия от угла наклона магнитного поля к поверхности германия. Степень отличия с'пстемн от истинно двумерной проявляется в наличия слабрго диамагнитного сдвига St -лшш в параллельном поверхности магнитном поле, обусловленном сжатием волнових Функций частиц в направлении, пзр-цекдккулярком поверхности. Измерения величини этого сдвига позволяют оце;кть размер второй квантовой ямы, который для ориентации поверхности <III> оказался равен « 18 А .

3 главе представлены результаты экспериментальных исследований зависимости энергии основного состояния е - h. - плазмы на поверхности германия от концентрации неравнозесных е -К-дар для < ЮС > , < II0> , <III> и < 113 > ориентация поверхности кристалла. Проведен расчет основного состояния системы. Результаты экспериментальных исследований хорошо согласуются с расчетными.

Предоставляемая предложенным методом аозмог.;нооть управлять свойствами поззрхности привела к обнаружению е-де двух новых состояний неравновесной электронно-дырочной системы на поверхности герьанигг, имеющих концэнсатную природу. Оба эти состояния наблюдаются в условиях исходно слабого поверхностного -загиба зон и проявляются в появлении новых S2- и S3 -линий ре?:смб:шаци5нного излучения германия, сдвинутых в спектре относительно линии объешой 32Z в область монылжс энергий, причем положение с наименьшей энергией занимает S2 -линия. Зтк линии возникают пороговым образом, а их форма и положение з спектра не зависят от накачки.

S2 -лания излучения обнаружена в структурах Ое -WJHNQj, Се-3N HNO.^ , Се- 7N HN0._. . При взаимодействии .поверхности горкзнил с водными растворами азотной кислоты именно эти концентрации обеспечивают создание большой плотности поверхностных состояний [ 131 . Отсутствие 5г -линии в спектре излучение при использовании других концентрации электролита свидетельствует о том, что существование гтогг. состояния обусловлено бсльсо»; плотностью поверхностно состояний.

«орла 52 -линю: аналогична форма St -лиши: нзлуче1гия, наблюдаемой ь структуре Оз-IAN HN03 для той хе ориентации г.ове рхнеотп. ¿«лературные зазисимостк интенсивности ::ллучен;1я

Sa - и St -линий такяе аналогичны.

Исходя из имеющихся экспериментальных данных, в работе сделан вывод о том, что состояние, соо-гветстБуэ'дее ' S2 --лкшп излучения имеет дгумерную природу и, по-видимому, обуелэадечо образованием неравновесной кезнтовой ямы ь результате перезарядки анизотропных по отношения к сечению захшта носителей поверхностных центров при фотсвозбунит.ешти оорязца и связанных о ней квантовых пространственно разделенных слоев неравновесных электронов е дырок.

На основе предложенной модели произведен расчет основного состояния, результаты которого согласуются о экспериментом.

S3 -линия излучения, напротив, наиболее сс-четливс проявляется а структурах герыанп». - электролит с малой плотность« поверхностны?. состояний. Ее характерней особенностью ягллется идентичность ширины л положения в спэктре длт всех исследованных ориентаций поверхности полупроводника. S3 -ликля сунест-зует при Т <• 10 К к, по-видимому, обусловлена излучателььей рекомбинацией, локализованной вблизи поверхности, трехмзрн'л? ЗД2, захваченной з мелкуг? потенциальную яму, образованию слабы:,! загибе:.: зон. Из спектрального положения мокло оценить ее

Yry *

энергию связи 4 ло8, а также ее плотность /)„-- 4 1С' •см"';'

Основные результаты диссертанта' опубликована в с лея укцих рлботах:

1. i.ciüii: В.Я., Рогачез A.A., Саблияа Н.Л., Степанов Б.К. I-" Байтовые осиилляшп! скорости увлеченья элактренно-дырочных капель нерэБНОЕесными йононаш v германии, 717, I53T, 23,

'TT -.эт

,t :—¿с I .

2. Аснич B.W., Сайлика Н.И., Стет.зкоз В.'Л. Увлечение глектрен-но-дырочнкх юп«ль фонемами в продельных ккзнтуЛиск магнитных полях. Письма в Ш1, 197В, 27, 584-537.

3. Аскин S.M.. ^oraves А.л., Саблина И.И.. Степанов В.И. Мзг-штопкусткческщ; зйк.екг в увлечении электронно-дырочнюс капель фекокй.мп. ФТТ, 1577, 1?, "150-3152.

4. Асяин B.V., -чшкинадзе 5.4., Сабллиа Е.К.. СтеггисЕ БД' Воз-пе-.:стр:,е гелловкх импульсов к- излучение vехтренке-дн?:^"

- 22 -

кых капель в германии. Писька в ЖЭТ<3, 1Э79, 30, ¿35-499.

о. Аснш В.М., Ашышадзе B.M.V Саблина Н.И.,' Степанов В.7. ЕзаимодеЁствие электронно-дырочных капель с тепловыми импульсами в германии. ФТТ, 1930, 22, 418-423.

5. Асник В.М., Рогачэв A.A., Саблина H.H., Степанов З.И., Чу-рилов А.Б. Кинетически;! сазоьый переход эксигоны - элект-ронно-днрочнэк яидкость. <5ТТ, 1237 , 29, 1675-1684.

7. Аснин З.М., Рогачев A.A., Степанов З.И., Чурилов А.Б. зависимость базовой диаграммы эксатошшй газ - электрокног-дырочкая жидкость от толцинн кристаллов германия. Письма Ь '£Ш, 1935 , 42 , 31-34.

8. Асник Е.М., Рогачев A.A., Саблина Ы.К., Степанов Е.И., Чурилов А.Б. Влияние дрейфового движения электроннс-дырочнкх капель на фазовуй диаграмму перехода экситоны - электрснно-дырсчяая падкость. ЭТТ, 1956, 28, 438-493.

9. Аснин В.М., Рогачев A.A., Степанов В.И. Модуляция края прямых переходов в германии электронно-дырочными каплями. ФТТ, 1977, 19, 2C9-2I3.

10. Аскин В.М., Степанов Б.И., Циммерманн Р., Рсслер М. Куло-новскии резонанс на уровне Фермл б электронно-дырочной жидкости в германии. Sot. St. Comm. t 1933, 47, 655-557.

11. Ac.чан Ь.М., Степанов В.П., Цугшерманн F., Рсслер М. Экранирование спин-орбитальнсго экситска электронно-дырочной жидкостью в германии. РЦа. Stat. ЪоС(Ц 1235, 12?, 651-555.

12. Ленин З.М., Степанов Е.И., Цимг/ерманн Р.,_Рсслер И. Тонкая ■структура края прямых переходов в гермакдя внутри электронно-дырочной явдкссти. pioc lit.Con}. Xxcitons-8^'Güstrow t IS24, 33-72.

13. Аснин Ё.М., Рогачев A.A., Степанов C.K., Чурилов А.З. Двумерна а Г'.техгсосше-дырочная плазма на пр^шше раздела германии - элзктрелкт. Письма в £ЭТФ, 138?, £?, 254-237.

14. Аснин Е.М., Г-огачеэ A.A., Стзгшноа В.!!., Чурклов А.5. ¿27-мерные электронно-дыр№н1;е сдое на гранхце раздела горма-.Ч'лй - эдактролит. ФТТ, 037, РЭ, 1712-272:2.

13. Аснин P.M., Рогачев к.к., Стела к'лг D.H., Чурклсз /..£•. Диамагнетизм деуг^гэппой >лзкт?<- нае-щючпо:} лпиж на г.оэгрх-

,нсстп гергаяия. Письма в I3T0, ТЭ37, 13, III3-III7.

16. Ленин В.А'., Степанов 3.1-i., Чурглсв A.B., Ид-атоа'..!.Л. Сс--ковнее состояние двумерной электронно-дырочной плазмы на поверхности полупроводника. SIT, 1937, 29, 32C3-C2C9.

17. Аснин В..'.!., Рогачев A.A., Степанов Bill., Чурилов А.Б. Двумерный электронно-днрочкып конденсат .да. ловархности'германия. Письма в л'ЭТ'5, 1937, 45, 436-439.

13. Аснин З.М., Рогачез A.A., Степанов В.;!., Чурдлоз А,Е. Г.'лго-гочастичнне эффекты в электронно-дырочной скотемп на поЕер:;-кости германия" N0EKS. DDK. Bodstuer, КЗ?,- 29-32.

19. Аснлн В.К., Рогачев A.A., Саблика Н.1Ц, Степанов 2.Ü1., Чу, рклев к.Б. Экспериментальное подтверждение ;-:оес? подели

кинетики конденсации эксятоксв в злектронкс-дцрочнул jeu-коегь з германии. Материалы' I Всесоюзной- конференции по .физике полуироЕсдриков. - Минск, 1935, IÜJ-IG2.

20. ,Рогачев A.A., Алтухов П.Д., Аснин В.М.,- Бакун A.A., Мона--

. ::оэ A.M., Степанов В.И. Двумерная злектрокно-дырочкая плазма на поверхности по,!упроводклков. Ргос. /8. ICPS "Stockholm. 1933, I44I-I448.

Цитируемая литература

1. ilahan I.D. Pbys.fiev., 1967, 152, 3- 882-889.

2. Алтухов П.Д., Иванов А.З., Ломасов ¡O.K., Рогачев A.A. Письма з Ж vT 5, I УЗ-э , сс . о—о.

2. Келиш Л.В. Труды II Международной конференции по й'тке

полупроводников.1 Москва - 1263, .1.: Наука, li'S9, ЗП-2, 1334-' — • *

4. 5агаев B.C., Келдыш Л.В., Сибельдин H.H., Цветков В.A. ZGTi, IS76, 70. ?C2-7I6.

5. Аснин Б.М., Рогачез A.A. ~псь:а в ДЗТФ, 1971, 14, 494-455.

6. Аснин З.М., Рогачев A.A., Слблина Ч.К. Письма ь 1ЭТ1, 1970, . П, IS2-I65.

7. Аснин В.И., Роггчёв А.А'., Силоз A.D., Степанов 2.И. Писька в Ж}, I9S8, 14, 23, 125,

3. Электронно-дырочные капли в пелупревпднгках. Современные проблею! науки а конденсированные средах. Под *,ед.Л*.ефри-

са К.Д. (Беркли, С'АА), Л.В.лелдиш (Москеэ, СССР). - I.i.r 1!аука, 1Э83. - 278. 9. Zimmermann. Kany-Particle Theory of Highly Excited Semiconductors, Teubner-te;«e zur Physik. Pand. 18., 153?. Leipzig, p.131 (1-176).

10. SnaaraH И.'.!. УФН, 1983, 155, 329-355.

11. iiestervelt R.tl. Pfcys.Stat.3ol. (b).197S,£ft,2.727-739$i!6,1.31-

12. ¿ренкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей, - Л.: Наука, IS75, 5ЭЗ. •

13. Cooper L.II. Phys.Rev. 1956, 104, 1169.

14. Callcott 'i.A., Arakama E.T. D.L.Sderer.1976,18, ¿622-6627.

15. Senemaud C«, Hauge 0. J.de Phy3."C". 1971, £2, C4. 13. Mab.an Q.D. Phys.Rev.Ti^tl:, . 1957 8 2Ü» 448-450.

17. SkolnicJs M.S., Horiaon J.M., Hash K.J., Mcubray D..T., Tapster P.R.Baas 3.J., Pitt A.D. Phya.Rev.Iett.,1987,20,2130. 13. Романов 0.3,, Коноров П.П., Карева Г.Г. Электронные процессы на поверхности полупроводников. Труды счтшозиума. - Новосибирск:' Наука, 1Э57, II4-II9.

Р7П Л11Я', зак. 1331,тир. 100,уч.-иэд.л.I, I ;6/ХП-198£т.,M-2846I

Бесплатно