Исследование процессов формирования слоев нитрида кремния на Si(III) и Si(100) при облучении ионами азота низких энергий тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

•V А — » !■ * '

-1 гГ

лклд^ия илук ссср дальневосточное отдел2нзе ШСТИТУТ АВТОМАТИКИ 7; ПРОЦЕССОВ ЭТЗРдВЛЭКЯ

Кот-Елр Вос.чл.п

КССДЖОВМП?. ПРСЦЗСССЗ •ТОХГ^СЗЛХГ'Я СЛ'СГВ ШГГКШЛ ШГ'ЛГЯ ИЛ вШШ И 31(100} пкг 0БЛУЧ25ГЛ И0НЛ!!л /-ОСТА ЯЧГПП:

01.С1.0? - 'хг.зргргс

Из пут?:: рукотт-'сп

1 ,

Л В I О ? К О Е Р Л Г

кгдпсата .агптгэскз п<ш

&г.г~:г53То:{ - 1031

Работа Быпалнсаа в Йнстэтуте автоматики и процзссоз упразлиШ'л ДЗО ЛН СССР.

Каучнь'з руководители - доктор фжико-катс!.¡этических наук,

профессор .Ш2ЙЦ В.Г. - кандазат фшико-като;.:атачэс1ак наук САРАНШ1 А.А.

©.¡¿здюкышо ошоцоати - доктор фззгасо-катемгтязсхих паук

Бздуазя оргаи^згздгд - Боесоазгла {¿¿гшоню&вдэвапиьспа

цгзгр га сзуадпго свойств повзриюста к шадука (г. показа).

¿а соседззет спзцзсйлзишзоаэго ссьзта к ооз.зо.аг. в Глсгплуга езтс:.:а-п2л и крсцзссоз ущлзлсакя ДЗО ЛН СССР <>3:0-232, Владеете;-,, уд, Рггла, 5).

С д;:ссортац23£ юв&о огн^акетьса г, б/Дсэто:© ШПУ.

ЧЕБОПЕВИЧ Л. Л.

кандидат фйагесо-категдаткчеащх паук ЕШЕВ Л. А.

часс

Азторг^орзт рс.зос/.аа "

Зчоыгд ссчгротгрь

Гаврагак Ю.Л.

1 ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

£

• bf.it |

, 1 Актуальность тста. Особенно важную роль тонкка диалоктри-

ЭрТйЦИЬ I

—чтекг.о слои нитрида и окисла кремния должы сыграть в развития нового направления - создания трехмерных интегральных микросхем, как новоа базы микроэлектроники. Пркксквнт сворхЕЫСоковакуумншс (СВВ) технологических установке в производстве изггегральяых микросхем с элементами суй?а:!кро:!Пьи размеров приводит к возникновению проблемы получения дазлскгркчесюс слоев нетрадиционный! катодами, совместимых:« с СВВ технологией и позводшзими проводэтъ процессы в едином технологическом цикле. В последнее вре^я вникание исследователей и технологов газ йолгэ призлвкгэт ионеыо пучки, с ПОМСгЦЛ) которых 'ксгкно бышлпггп. гс2огш опзргщи по соз-дзнюо полупроводякковых структур ¡2 ючуг'э. В чзстности, одсм из перспективных яапргзлзЕяз развитая коввоа ггяиантацип являет. ся синтез поверхностных слоев нитрида крзгякп пэтодом пряг-.ой имшантации ионоз азота н:-г::сих згергга (0,2 + 5 кэВ) з крегзиз с последующи еггаигем, а такта синтез об тс же слсоз щи одновременном или поочередном осаздзпкя пркжя и облучетга иона»! азота.

Достоинства приуенедгл коетл гг/=г:ов прл с.пггсгсг гштргщз кре?шия заключается в тгзгеогг тс-пор'гщгз процзссэ, тенге:.! контроле глубины залегания и состава агоя, ссг.:.^ст:::ост1! с СВВ систеигяи при мшпязльшх прп^сЕЫз згпрязетжга гегге сг*?ого слоя так и границу раздала во время сшггаза. К тоау гэ, пргаскозгэ низких энергия ионов супгзсткшю упроцг.от п удргэалют лаптационнш установки, укеньязот сгрину пзрэходгоя сблзстя "креггнна-дизлектрик", что пэсшч всяко, т. г:, иродпол^гсэтся, что толгзяа слоев при создании КС будет -досята-сотая езгетрз?!. Слэ-дуот отквтпть. что при так ся подхода п.тнбол^о просто рзвеэтея проблэкы селективного оссяюаяя с.тэзз дгглкстрнкз, прэдетаплта-сего значэтольтя пггерос з прожззодеттз евзрееггзпзтарнцз полупроводниковых приборов. Пр:п?эыв:ззэ пэгпас: пучков азота незких зиерпэ в процессе синтеза нктрана кргявнл пржо-гг к щшюта-ально кошта рэсурсосбэрзтззгз и о'.солопносгл чисгр-я тахвологи-яя, к разработка еоеыз ггэтодоз ферг^провяпуп ет&яетрпчзеккх агава и структур на пз осзоеэ.

Поиск пр^млзгах кетодоз феркгровяакя оагаз Езтрадэ кремля

в услошук СШ, в которых прхысшгогся пучл! коков каязкулярного азота, нрсвдэ воого трзбует детального еослодршшг. . продессоь синтеза ноьсрхпсстпых слоев, получгз:,;и£ в::а,Ерэнж;;.) ионов азота тгзких эисрпа е крсшг.звую í,глень, включая иаотау форжгрова-/шш si-ti связей по nsytí.se, влшшш текшрзтуры кипени па процесс сиптоза слозв, cunasза;:з взгшосвяаа овэргки ионов с толщиной слоя и грозпу раздал;-.

Посхожу-' толдаа поворзяостша слоов награда кремния в исследуемо:: области вазргкз конов иалз и, следовательно, их прммо-ESK1U3 ограничено, прздставдязтсп возможным получение объемных слоев шггрда ¡сре;.иил кстодра, в котором пржопштся одновремзи-бсэ фиэачзсксо осгшдзнкз крежкя и вкздропкэ коцов азота в si (п д2дьиз22с». - плод осагдяая яра шнаоа облучзшга). Развил» катода и поиск coBopcüHKas ьэдрлой, сгказзяаах рост слоев, требует iiopidcnití дашпе, их buasiij к с-пдставлзяга в сароком диапазона 1крг;..о'1роз ос:гл,$зидя. Иско, «о дзя зла цзлзс изобходк:о пэлучкгь ЧК2ТСС-, с ьасокоз равиоизраоешэ пучка . коаов азота и етолз кракшм. ,

Ргбота про;лд>ш.сь в соотвотства: с текоа "Кшскгшзэ часких прзддошю создания трогг-зрад шгтогрэльзых cicir, вюэ-чонной в npor¡¡ar,ü4r исслздог^са ra ussaecasi фуяд^ояталыил пробивзк&з па г.зр:-:од IS3I-I055 гг. (Освоггиэ фязячзскш nposbssai пярдзтрлыюз одяпроакш: i; кгдоеагггэ новых прзЕцгпоа создаагя ТЕордотсльк-л: елдпрозлаг ир:э'ороа). Тема утвзрздэаа в соотхот-' сиг,;::: с \\:х>гАН СССР В I0I03-I243 от 2 ав-

густа 1978 г.

¡ 7гсс">ртя-".'онппп ргг!<чть! йвяагоаь кзучзша згиизио^зр-востса Слгч.глровгшй! слссэ Ешрвда крсиюя п вдгязкэ услоз^л ci.üre^a La соатгз п хрз>взу раздала пга пра пря::о2 Еакаякака кодов осота нкаааг tcopns (0,2i-íi i»3> в кроаака. тва и пра одзогр^зЕпгм едя иэоадрздаом осгздзшш креяшя и гешоа с&огздзя. Для этого пооЗхок^о сЬлгэ рсг;ш> сдодогз» основгг^з ездачп:

I. Разработать кыотовцгь с.;сшр1;^птальпуз установку, в у&яза^л2 CS3 получать чистаз пучкп конов езота еьзжз: sn¿prc2 с кхзхэл рзгзсщ^ссгкэ распроделзпил коков в пучта. Рзг^жзозвтг, еохгзллссть одзозрогззвого торцозшеуушгаго сссздзшя i; сu;acsi азота ts=»Ha б часта конт-

рол.:руг:л!' sgxoz.?cl и ссасздовааяя in eitu совроган-

нъми методами анализа поверхности. Сбоспечттгь '.соитго.-гь п ш» температур образца, скорости осаглзккя атсг'оз sí, плотясста тока конов азота и аргона.

2. Провести коиплогссжз ксслзяовзякя и определять осг.эвциэ закономерности и оссйешгосп: роста поверхяссталс слоев гпггрвда кремния при пря;.;ол jr:aí3ST3¡5Ti нсоэ азота гг.гз'ат ^терп" э Si, включая исследование гапеткп фор'::резап!:.1 то r.v&vo,

отнята и температуру ктлэнн ня сост'т; i? rp^rr.'iVJ рэз.г.4 *•}. ПроЕвсти сравпеяко подучета'з дл^чх с рзгультапгп шприца креикия, изготевлопзого тратаггахт?**« vom^-t сглтоза.

3. Исследовать воз1*» шесть п осос'?:п:с г.г:'. фор".:уозгт»кя с*ссз ойьеггаого гопрздэ крегаэт, я тсг.гз a^ircyo -г.ръ-лз гта

ржэ", полученных поочорех'-.'.ч LHo.rpe:i::3n гпксз азота изгтг: ЭЕергка в Si и последуй^* ooc.vrprr.cr. сдол e-Si. влияние отаига на структур!, па гср-злы^:: стаг.тлх

роста слоев a-si па коЕло-пглггптгг.китрио гр^агл, п выявить условия трехмерного роста слос:; «rvcsci.

4. СОПООТ321ГГЬ II ПТ-ОБСГГЛ СГГСТлЛ'.ТП'ГЗЭГТ'J "ГГ-ТТ." С7СТ0М

слоев Siti г'отодсд ocs-.^tnu rpu e;írr эт*:;-

носзязь параметров схиггззгг я на ссат ""ол.

Научная почтояа рзбэтч сесгг.т э тсч, тго я r';í гт^гсс:

1. Цзтолгхя исс&дазгпяя in situ гсг'ат;*::- t^p-кировгтш шсергпостз?а слсоа sís ко глг£ пз.:;.гогг'-; nvr»:r

* о

:231лаят8ц:»э консп асотэ ¡.тагсгт оперт п si пр*г -20 и Г.;--< С. ; лвлзпа пэрспз.'гп-"пссть щтлпулгл г?р-грг? rrrro гяг-гг.э

поверхности СХПЭЭ при рззличгих Fv?pnmí пгр.ялого ryvta. Г/гсл-заза необходимость учзта рзсгсх?э*гтгя noLCpzroora rosrci crwrs. Предло-^епа кодэль ••^мзлрсг'тл-рлсп-^ги:^" ■

фор"1ф0ЕП!ПУ. ПЭР-СрХЕССТГ: Tí СЛОЗГ».

2. гхстер-гтштгиа'-о s'crrcrrcrvrT.:* /.as>> m для форгп-рсз-хгля сггрхз :трг"*л с ссзтгг-п б-т-пгл :: стзг.:з-г.атрячвско;!у. Опргдэл^з сг-п.зь толп;""! syc-я :: зглргт",: полез.

3. Ког-пленс^о :r:e.. v.;: з.тг;.т.-:з отг.та are;.г» e-si па поЕвршостгса схсэ Si^'J ползал:, кт гг."! CCO-CtO*C

хо^тг г^зтсо^'cit* г.**" "*»» í 3 oi^4""^*'! tti^**"?* т*

сстгоза слсзз sík «:зпгяззсхх-и с?:зяр2!Г.:я т.'. г.si.

4. Пссхэло2"я Еусояотслтзргггураг: с-т;"т í'TZQ~?lQЗ'"C^ гг-гзр-геостецз слогз, пзлучопгиг гр" г сЛ'учагггч :: :ф:т-гсчзскоя. Устггсзлгпо, что to:í /хегт irr-? rf—rcr-j^r.-

стеканкз азота к поверхности. Обнаружено, что в процессе - отжига-. происходот форгдфоваякэ дапзраюепшх фаз в области края икгиан-тационноа зоны. Исслэдовани граница их тар^кзекой стабильности.

5. Установлены экспер1&юптгш>еиэ парач!зтры и их взаимосвязь при формировании в условиях СВВ сбье.та слогв Б1Нх методом осгздзшгя при конном облучошги.

ззаэт.у Б'гносптся слздуюгаэ • нзучикэ цоложошя!

1. Лродасс кяплзктацш конов азота низких энергий сопровождается расшлопиза обэдазнвого азотом приповерхностного слоя вплоть до появления ва повзрхиости слоя нитрида кремния с составом близки! к сто»;о?.',этр;гчэскому. Сгохиог-этрия кенее всего нару-Езна при внедрении в подкмхку при 550*0. Толдипа слоя находэтея в соотЕотстшш с рассчэтЕдга проС^'-иаш распределения азота в предаоиаиноа код&лд " внодраняп-рзашкзяия" при энергии ионов н* ЕЫ23 БОО оЗ.

2. Оттаг (630-680*С) структур, получзшшх осаздэнием слоя а-Б! толщкноа 7,5 * 20 на на поБзрхноспша слой нитрида кремния, сформированного пртаоа галлантзцеза ионов азота низких энергий в 21(1Ш), приводят к автокзалзецзнщи 51; энергия ахткаацй! процесса - 6,2+0,3 ьВ. Нарушаю сплошности слоя при отжиге ш происходит при бодш,:г. тсх^шах или осавдэшш слоя при тем-горатурс подтогш! б^з йЗО'С.

3. Для БОССТаЕОВЖНШЛ ПОЗЗрХЕОСТШОй стехвоиетраи КОЕНО-ИШ-лантарованвых слоев вигрзда крс:лшя необходим крагпсоврешнный откиг При текшрьтурз 750-1100*0. В СЛОЯХ Б!^, полученных пра дозах облучонля критической, происходи стеканиз несвязанного азота к поззримсти.

4. При о-п-дхи пошр2Е0СТ1ла слсзв шпрада крзжия <750 + НОО'С) Есбладеэтсл е^узая изсвлзашюго азота к краз ккигаята-15:оепо2 зони с Форгсфовгщ^«! поверхности Саз. Териодесорбхсст ПОЕОрЛ!ОСТШХ фаз прх Т&глпзрагуро ЕЬ2ЕЭ 1150*0 приводя- -к форалроЕгнкэ розкой грзшад 31/510й4 по шр;гззтру слоя.

5. Одаоврагоаноо осгвдртэ атомов Б1 и облученвэ ионами азота еезкяз зиорпа яр^октт к форсированна объемных слоов шггрвдэ прогагдл. Сапез ебккэых слоев бш^ катодом осаэдзнпя прз козпоз об&'ткисгз 2оропо списш&зтся фоно'йзнсшлическоа кодэлъз в еярокон интервала параметров оевцдзния при учете доли

Езстрэлькых ЕГТ0Н0В ЕЗОГТЯ В ПУЧКО.

tfev4pc.ii а практическая шнвость. Подученные в настоящей ра-

боте экспериментальные результаты даят сведения о гагаетазз роста и электронной структуре синтезированных иошю-лу^знуз ::зтодо.м поверхностных слоях нитрида крекния, влиянии текк-эрйтури образца и последующего опхига на состав и границу раздела в слое. Определены экспериментальные параметра форчировг.яия поверхности слоев пшрида креизия с составом близкие к стсзнсготрглзскому.

Результаты комплексных исслздог-зша пачалыж стсдпз роста слоев a-si на поверзностпси слоев 3i3U4 показагл гс05л0,пгтость учета возможной авггокоздзсцзнкг.! при тожзрзтурз отлита -ига 630*С. Для реализации трэхкорпого роста слог, посбтодг^о право-дить осаздэниз кре-апм при повугоааи ткгпзрзпурзх соо'с). Данныэ могут быть использовгзи при сопл?'""! crpyicryp той "креста на диэлектрике", а тгсекэ прз Сэротрсггзга слей:¡ ::,ттр::.г,з крекния поочерздпыч осгяюяг.зп sí а Е2?/ркг.:ся генов я*. Эксперименты подгверздаят воссетаепть мр~ЗЕЗхля ''зтолсз ЗСО п СХПЭЭ при нсследазангл ocrposso^-c: по::р:,гг;г;5, в чгстг.гсгк. явления а вто ко зле с цо La; ~ :.

Впервые показано, <гго откх ггм^рпсстггсго с'~л siH гр'.'по-дит к форякрованкю исчзрхпостгуг г. сйг^тгл кгггаггжг:-опноз золы. Дзя rp'.;' c: v з зтоз сс:-

ласта необходгга orctr ггрл Т > IÏSO'g.

Результат пследов.^птл с:гптсгз cjrrn 3¿?>_ при коппоя oüsynssraf по"зо.-"í-t ?стс-г.зг:пъ ст.ггезч агзл a параметрами осгздзпия и нрог-гсгл —"*

роста. Показано, что проста; ';-;r:o::::;oxor;.';cc:;: п г":: ^csïo

нейтральных атомов агогз в пуп:,} передо спгс.гггот r>p*:r;*гс с\зпо-за в Еироком штерзалэ nsps-лроз cccr.irr^n,

Апробрпия psrîor..'. Г;зу.гьтт> г":сс ,v¡r£ir*.o.T:o;í pr/ioTLi r.r',:: -дазадксь и обсувдиксь га m L'erjOTtcposœs гх*:':рэ-гц:_1 "Гсгк'Я Еяглазгадая в полупрсао^аил а груггп {г,Г""то,

1983 г.), vin Всэсозэтсл смо-екгдгр го ргптеггсегт? т: элэхпрояньп спглтрсч л езлгп {г. Вскз^тсстсг., IS3Í ).

Всосокзпоа ксп'-арэЕЦГЯ по длаггогттэ гопар^жл" (гЛЮТсс, 1983), VII КСГфЗрЗЕСЯ ПО прОЕЗССП роста я сглс^з iÄrrrpcro.n-нгсеошг кристаллов :: шзге:; (г.Кзг;осй;рсп, RS3), I ковЭерепцт "Спгкчэсагз и »¡тзгко-гЕггг-зстгэ сспсг^ г.г.ао,?.-->'ггрс-шясг (г.Впльпгс, 1237), "э их Всэесггэз пеп'зр-стп -Vjsrzxy лучевая ттадгфлшщет пагупреэдтггжз г: гртггз rrrpo-

элзктрошчег (r.IIcsoœirprt, ХГЗХ).

П.>&£г/агт;;. результаты, в д^ссертац^,

отраиззи в а сзчагта рзбогах и опублккшзвц в ¡журналах "Повер-хкосгъ. С55з:ла, авйл, |.оханг.;иг и трудах кокфзрошш (мэждуна-родззй и всесоюзны::).

Отруртур.*. ц ИТ-; дтосоргашч. Дасс-зрггещш состоит га вводов, пяп: глаз, савэдеа п сх-сха цзтарусйоа литературы. В вза

С0л,Зри»ГСЯ 117 стрзад основного '¿СКСТЗ. 31 сгрзхща с 34 рцсуя-и 3 тгЛш&гС!, 15 страед спг:с:сэ Алгературы. вклячагазгго 134 ка^ааьага литорэтурп^а 1хсхоха1г;шв соьзтски и зарубежных шторой.

СОЙНЛЕШ Г'АБОТЦ

11?. ыу^га^м кркгэАЗДй сб^ая гг.рзххор£атш> диссзргациошюп гу;з оСосгзгаай тал, выбор штодов и объек-

та ссагэдэшгда. саь, основах» задачи и выаоси-

кэ сз „;гу твкздла, отряххгг каурая ковгзна н практическая ц^лйость подзчввиих крэткоз оппсгнш материала

г,о гг-ада;; ^юсоргсц.-:. . .

рур •><"<■; тгжс пссит сбзглсла дврзатер н рг-скрьэзэт совреглн-во^ соатогл;^ [-¿зекотрм^'д и д^ссоргади вопросов. Отрагэш ярзйку^ства ш зздготапи киса ьстодов скггоза, откэчзна их шраштсаазсть. ¿ч-зггсирд^ сроц-гсси протсхасгэ пра взаюго-долез а^ясл газргз с пэвзршхяг». юхсаатюеа и Про^^з .сзахд} •сггзротурплх даншх по скнтеиу коззралепш сасоз сдтр^дз крогзда па крсишш кстодоа пряай ьоиоу ьсгта Е.-гагг сгорпа. При постазов:»

.сэдзга. вадгдлиоа из сс;»:дх»рзосгга форсгрозазия

сл-з^в клгрлгз сэ г^лпгс: при сблучзштп попала азота

е^зде: ссзргы <0,21-5 гиЗ), сссОуз сссторсгаавость сьшвазт про-«зазрэтйзосп. кз^ри^гзг&зд^лс дизл. свкзгавах с оцзшюа состава и тодх^ги (орс^^ы^з схоэв, хысзп^зз (тэта ко состаз. п храахзд ргздздп. дезох^э сгв^аазсти, Ез езакза жгторатурдл гдягед; Визгласао 15вдэой5ки:2^э о Езобходг-зсти уюта распшаштя К'3;>зр£достл коа&и егога я про&зссз сапога. Ксслэдозанко ккпз-шгрццз креггдл по гл^бг^э позволяю бы ргзпъ •укайгшз прайса. Б ьхи2 сиязе вззга взработка и смстеглатаза-1С21 д'.иг-.'а с2тсга поЕзрепостных слоов вшршса

к'рзжа! прлшз кжздтгд;»« в| шгз:аа зпорпга в кремвла. Б кв'ьзггво ео^оезого про&еззд увахзчевш! тол-

кшы слоя шггрэдэ крсуаия прздахг-зш) гага^'.зорзть «кт^сгзггсгз -или поочоредаов осажсгпгв претам п г.йл;г:ог ~ гопг ;м п-ото гатх зпоргка. Проаэдза анаглгз лттсрзтдр: -¡г. ::;■*•-: ¡л прг-Л "м с:штеза слоев тггрвдз кро-я:-.:! -.это,' :':! ссгл'^/с"! яра гстес-.? ой.г/-чении» получивзта раззтгшз .«гль в ::ослгл".:з гзг'. Г'осс"стст-гл соврзметп-'з г-одзли н гре.г.стгллс'-,г". П рсс.'.-стгзг.»*

перспективы и фгетору с д? р"з з;г гл'з г'.тпо-.т"-; г-пго синтеза слоов штплул :;р"г.ш'.л, »пзхщггл» птг.ул г.о г.?.—спрз-задзтч дасгзрггггг'опяо?* г'х-гу;::.

Во второй -глэ'-л ога:згпа кс^г-..•"тпт.-.'з/.г л уст: 'Лси-

та н пзтоды кссяукго:»!).;, пкс^г^'сдгз-гьгзс:

данных. .

Д/л кссдедятия хусцэсссз с..":^- .:лг\./< т.ус-

пия при пр:".;з1!сг:г.! г.сшг.г* н"" :•') : еч*л с:-:о'-лп]¡ти-

рована и 1!зготоялэна згс^эр-.г.-.е-ята V м я устог.:«. гг.пзелггг-м проводагь пря'луя 'тплзетг^гэ гогюп ггогз да в гл

ко:я5;яац:ет вкодрешм :гогог> с гзр:?гг.: ссг.тзх:п з

условиях СВВ (прздз-плсз ост<тгочтс:ч д-х.-ч-.'; з г:.?и-рз - 5 10*"' Тор). Установка осрп^зсл сго-сго::грз-г.ггрг.' п сстсксп то!«т:згц;м снз-спз'прсг-зтрл, Г-ззрсСтгт-^зп :: тгсчсг.гггтгм >гт~ стека напуска работл* ггдэз л-е:•■.г.т.ггг.'г

напуск в рабочую кзг-ору. Лл^рдо-тгссгтт г.-» с%?г,г кркжя КЭ5-7.5 п-пзтз патлзл-г сиссгсг.' т-р'пг-тст-./Г" Текгорзтуру а5рззцов <200 « 1250*0) кг^рг.п -з пс:':. ;■.:> гргх го тгрс-отрз лгйо :.с?:*хзс,1!Г;чт "угодп. 1 гп "••:?-

ао-1гятлзпт:фозгпнс,л ^ггр^.з .-.гт.— 'л » .■

вакууг'лого оссчдзгяа. В ззссязг..г:озтгт рр':: зплг;: гггг-у-тт: 1»::сз с 1х»я:гэац!5э9 агшроотгп уг5ро;$> ч::ат\гс

нопного пучка а горст,**) сог,^етг:остг» с С!53 сгттггса. Ер*: препонка сягв^рэзахп ?:=тз'1нтзс поспзлгзт г.гзгс-;г?п. ::сррзг.г'.:'з псслэдованпя. заяогсзргостса пггг..:г,гз

па крюзта в чпзтгп яощах.'р^.г.

поэвагялэ получать гга*ч;с! ;:с«оз гзотл с сп^ргггз 0,2 »5 г<гЗ гр*: пготностя теязсго тсчз дз 10 ?-т:;>,'с:г еэ прсгл г^аусга газообразного гготз а рпСо^'п дэ 0-1ГГ" Г?*э>'- этом

экспзржентагьзо пзкгзсго. птс ;;"-.-тгр р-гл~'.*-'рпого расгрзда.*..»-яия ковов в пучяэ состгадпя ил 2,3 га попоз асота п 0,9 гсл для 1!о::ов ергсгз. Дтатзость тохз на

кьсавдрэ Сградая, а-^рзгьгаггзч га сбрзгш. 0::сросхъ

в

осаздзшзя кремния измеряли методом кварцевого датчика. Конструкции источника тсраозакуушого осавдзния кремния позволяла проводить ¡сркшкя при одновременной изшлантации ионов азота. Скорость осаадання варыфовали в интервале 12+100 юл/час.

Приведено краткое опксазюз физичзеких основ метода электронной ожз-спзктрэаяяЕл и готодпш проведения количественного анализа. Рассг.агрень; особенности применения ЭОС при исследовании шпр;аа крегзшя, указано па необходимость сравнения ожо-спектров сторнированного нитрида креашия с дшшьии, нолученнши на "стандартных" образцах, Крап:о сбсукдепа основы сшктроскопии злактрошшх потерь анэргии, как ь:зтодз, суцестшнно дополняющего штод ЭОС возкоаиостъи полутанш ::л£ор:аюи об электронной структуре шеорхноспос: и осе;,' г: состава поверхностных слеов па различена глубшах еэздцровазгя. Откачена необходимость учета влишя згорпг: порзкчлого пуша (и >, что в настовое вреия в •^«-гсрзгурз не отрг;.о.'о.

Рассмотропы пагодина к проблз;.}! пословного анализа. Сделан ьдаод о пообдодгг.остл ^чтга с££гжтоз конаоа бокварСФ03101 шсрздс-гьол п^аигь^щг: "егаэкартаЕГ образцов юпрцда крегяшя разлушой тслзщ'И.

и тряь-з.п г; р:.есг:отрзга ез осез^ен^з в сдазствуксях роботах осдов11Ьх> оа::эас:..ор^оста п кшэткзд Осргдгроо&сяя по глубина поссрамсти^гг слоев гсггрдцз крсгза Ера гсэдззкии конов' асзга жхъхх гмрпга £ кр.пгзэг«» сздсхз^'. Пйгуюшш© кзтодеш ЭОС и слш дшниз с рггглтстг£И цссхздозгпза образ-

цов ветрида ьрстотозля^сд: трзд:г%5я1г:дя кзтодтаи.

Сошставхэни аьорпа осдаиюго к-ш и тог»:* стругл-ури ьмчч оьз-юрсаодэ 81 п с црсалзлыгс: зпзчзга^а снзргал,

озпо^се^::.;;! но скзэтрозяогсгх, свда-

тслыггвзот о «шус-п^осп; рссс-эгрогсл с^з-пзрзходэ

с^рпогп&ь: н^аих^з^: связанных с иакетауиаца

кллеси ссстог-;.^: и согс. Тсшхя структура ьХ9ч\'

ом-пзрзгодз шилжзт кд^мгфзаггп. кг^эсзлвэ езшчосхого (ва^-зяил п 81-:: сьяаса с прочею синтеза по-

сзуспостаыз: схосв плр;;^

Днаг;:з силяро^ 12133 при пс^согга ЗЕЗргкн юрзмчЕого пучка (0,1+2,5 коЗ) поикал з:а.*;кг>з плохо разрезала пизов: пк потерь с спорт^л 20 сВ, гоьзгечгюы: связаашга с повзрвшостша

слоем, и пик потерь, соответствующий потерям энергии в плазменн-пых колебаниях валентных электронов (23.8 эВ), значение '¿верши которого изменяется от 20,2 до 23,8 зБ при кзменежги Е от юо до 2500 эВ. Тагам образом, при определении состаза поверх-ностного слоя нитрида кремния необходим учет влияния Ер на энергии объемного плазмона.

При исследовании кинетики формирования поверхностных слозв нитрида кремния по глубине методами ЭОС и С.ХГОЭ основное внтаннэ уделяли ожё-пикам с энергией 8-1 и 92 эЗ на si(LW) с::я-спектрах и энергии объемного плазмона на спектрах ХПЭЭ снятах з виде dH/dE. Проводили сравнецие полученных датшх при ваодрежи ионов колэкулярного азота в si(III) при темпзругурэ мзотпт 20* С и 950*С. Экспериментальные дзшпю, получешшо метода"*:! ЭОС :: СХ11ЭЭ, подтвердили пре:лоло:кзн1и о влиянии процзсса расписания обедненной азотом приповерхностной области иовсми азота на процзсс формирования поверхностного слоя нитрида кре.'жтя. На основе анализа ожэ- и ХПЭЭ-спектроз, полученных при разл-г^.г: временах внедрения ионов азота пизких энергий в si, прэд,-,о::-?1:а модель "ВЕелрот'.я-рзспылення", согласно котороз прс:*с~о:згг ttcp-гсфовашта Si-н связей на глубина проецированного пробага, а процесс распыления поверхностна атомов (препдуаестаеето :ср=-пия) приводит К "ВЫХОДУ" Сформированного сУ.оя жггрддз крз?'.?^'^ in поверхность. При повмзешшх тогойратурах подлог.ш, загодстз"..' рзднзц;:ош:о-сткмулировэяпоя д!гЭДузни„ кондеатрапия ?;?зтз в ;rp:i~ поворхпостпоа о&яаста увэллчквгэтся быстргэ я всзг.'ка';т г:~:'ь-Екэ'парусвния стехиометрии слоя, что про'лг-зэстрфозснс сртп-псшэм аффективного полкхзния гака пгзеквшггг потерь, ного при различных энерягиях Ер для повзрхнсстныг слоев, no-iy-чошшх при различных тзмпзратурах образца п зптрчдз хрелгзи осаженного га газовоз фазы.

Исследовано влияние дозы впэдрзпия повоз ггота ч их з::зрг-»н; на состав слоя. Прямая пэтлазтац^ конов я* тгсккх ог-зрг.'Л (0,2+5 кэВ) в кремпкз призодст к форсфовзшз» повэрхг.сстаого слоя отпрлдз дремли (максимальная ко^^птрзгги г.сота з слоз составляла 50+60 ат X) ¡'¿г обход:'"зп деза Е^здрззпл - 1,5+1.0 10*" огг/см*. причем обпарукивсотся слобоэ вв'лзкэ зварта хенез в области 0,4+2 кзВ на дозу. соотЕзтстаухпую ягхкггялььоз гл.7-цэатрзегя и в слое. Даяьпосгео угаггезянэ дос-ч эпмргякя водгг к уставовлзшо фаги настехн с покотерл«. зтятг.:;,:-:-:

концентрации азота. связанном с воздействием ионного облучения.

Толцжу слоя определяли по данным о;::е-профилирования с успго4 коррокции профиля концентрации азота на глубину свободного иройога. Согласно модели " внедрения-распыления" в npEvsmosc-aiM гауссоЕоЕ формы профядя кондартрацш! азота на гра-нацз к пр.; сэгтоянкоа кондантрации азота в области,

p:.ci¡o.'o;-.:::ii;.cí; вглубь ст noujpsnocni до значения в , тажцину слон :л;:ть координатой точки, в которой концентрация уС-пклг в Я рс.за. При тгкос подхода толщина слоя определяется :-,р + i,2¿f. при вярд:о грапиш раздала .

iijsí рзсчотс то&ззш слоя нигрвдз кремния учитывали распад »;? гг. два «Tosa и с гворпвг равной 0,5 Е,10н. Сряякшиз окс-. д-зших с ьичяслэтелышии значениями показало хорошо соо-ш&тствм в области энергкз ble» 0,5 кзВ.

Ч.гп'лргая r¿í¡05 посвящена исследования возможности ^орн^хшазил обг¿много нитрида крскния даочеродош осаадением сл^ов sí í: впздрошзм ионов ti^ низких энергия. Поскольку сласгг тащк слоев сопр;:,::оп с влиянием отаига на структуры "кремний на диэлектрике", исследовали 'влияниэ отаига на начальные craj;,Bi троп арного роста слоев si на поверхностных сдоях нитрида k]jc;.'.:;í!í¡, сторнированных высокодозовой имплантацией iioiiCu азота в крсгонка. Псследоаа.чга npoiíeccoB при тортдичоско:,! ot>;:víixj подобных crpyirryp к настоящему вроыени не проведено.Для выяснения происходящих процессов проводин отжиг структур при различных iодцашах слоя a-si (7,5+30 шл) и регистрировали иимеизнкз ох.о-сигнала азота. Комплексные исследования методой ЭОС и просьочиваед^й злектрошюй микроскопии ( гш ) показали, что отаиг приводит к нзруЕзикэ сплоаности слоя кремния ( при тсмшрзтурзх сзо+бзо'с ). При зто:л набладали автокоалесцэнцкя £ i. энергия а-гпэаiísi процесса - 6.2+0,3 эВ. Островки монокрис-талличоси^ м хсотичзски разорпонтированы. Наблядали хоросое occtbotctbí:? доли свободной от крошия шоцада по данным эос и ПЗУ, ч-.х> указывает да эффективность наблздзния in в i tu кор-С-злоппс-скпз юкеылша в тонких слоях кетодоя эос. Дальнейший orsnr приводя- к стяткйпнэ островка до более равновесной форкы сэ счэт no&jpxcocTFо2 и обьенвой ДНЙУЗИИ кремния. Если есаэдэиш проводить на подкину. разогретую до зоо'с. то с самого начала происходит трох^рииа рост слоя. Болъвое значение ■сззрпш ахтазаши npoijscca uozzrr бить связано с тей, что

механизм процесса вклочэет в себя тгкко стадии, как обрззевгнкз кристаллического зародага в амор^зса Фззэ, ркфясталкгзгге» слоя и объемную доффузга кре!,.н'.;я.

Дгд ресения проблем синтеза обгемного кггр'лда крзтаия песб-ходжо представлять процзссы. происходящие при стясиго поверхностных слоев, определить гргшзи тсрмкческоз стзбильпсст;!. Поскольку в реальном ионном пупэ распределена :гс:!Оз по дизгвтру пучка отлично от прямоугольно» форм, особое r-'sESSaian удзляли границе раздала "крс:жа-штгрэд кре.чш'.я", рэсполсгзнпся по пзр:з.эдтру слоя. Эксгар'.^'зптальпиз данниэ, полученпзге иотоден ЭОС и СХПЭЭ, показали. что крзтховргг'снЕЬ'а отляг (при 750-1ICO'C поверхностных слоев нитрида ¡срегдшя. пасенных npfr"o-> лантацгая ионов азота в si, приводит к формированию Ei-r зеа между свободным кремнием и нэсвязззнкл гзого?? я крдэ-верхностноа области, т.е. к восстаноаяенг» поверхностно:: гметрии. Прл дозах внедрения я* ни» критическая sc&xsrr-: стекание несвязанного азота к поверхности прл ссгрснгизгл >j пределах расчетных значения глубины залэгажз яжсспгзлым концзптрзцет азота в слое.

В области 1фая 1~ятлаптгц:;сж1сз 3o:rj при отите пгЗ^олт» структурно изгменения. Исслэдавзнкя покзззлт, тто .с.'сз-котемкратурпыз отпет (750*II0Q*C) пргэодггг к "ор;, ;фовошгз п ото» области поверхностна Саз sia . Яйрагсгарчоч есоЯвянсстуч oreara является появление дополнительного -:-п.г',гуГ-!

азота в области гранам зоны внедрения, сргпрдгг.г^Я с диафрагм, которьгз np:i увэллчэняи догм взгузрония до бгягкез к кр:гтическоз и еыз предстгзляэт ссбоз учгстка а*зто, жзргяср^х» для я4фузяонеых прпшссов по поверхности крс:с:!я. -••■-> ь

свстсзах "кремяга -тоталя" и пр=Бодезя к форжрэезняо пз_ перхностпкх Саз. Но дзнггя теслздрзпзка гугодся 2СС оттзгге слоев шпрквдэ крекзвя, полученного прл дэзот згэдрония r¡--■*> IO^'aT/crj*. вхгачая и свзрхкрэтятаси» дозы, слздует, что амплитуда стя-сягналз азота в области грзгпаг i зсяы внздпзп: ч Легка к постоянной езспизэ. С другоз сторотгы, пз удалось наблюдать сколь-пл5удь устсзчгпс-э згг.т'счтп копц-зтрзют гзстз п 1рптрз слоя при отаггэ шггр:да iqx-т.'л, полученного пз p^i'x^ этапах формирования слоя. В прооссз елгигэ премзтодгг едл'.'т пика с эпзрггаз 92 еВ. сооп?этствугг.зго чисто;?;.' крег-сторону низких зпорптз на елегсту презрю 1,8 ?В н

второго хорошо разрешимого оже-пика с энергией близкой к 84 зВ.

Формировании поверхностных фаз в системах азот-кремний в области имплаятационной зоны также подтверждается данными исследования методом СХГОЭ. Расчет тесла валентных электронов кремния и азота в образовании химической связи на структурную единицу по энергии плазменной потери дзет примерное

соотьзтсть/.е структурным единицам 5Шо 5и 51Ног, которые могут отразить переход от бх к . Область формирования

поверхностных фаз совпадает с областью амортизированного в процессе внедрения кремния. В поцзссе отжига остаются или образуются различного рода дэфокты, способствующие ускоренной диффузии из объема и области внедрения ( что наблюдается уже на рзкних этапах формирования поверхностного слоя). Вводимые облученной ионами азота нарушения структуры являются центрами зарождения и роста новой фазы.

Пятая глгвч посвяурна исслсдовашиэ закономерностей синтеза сОъеюшх слоев нитрвда кремния на кремнии методом осаадзння при ионном облучен::;:. Гасскоорены физические процессы синтеза слоев анализ которых позволяет наметить пути дальнейшего улучюз-нил харээтеригткк формируемых слоев. Согласно приведении;.! физически.; представлениям, энергия ионов «^определяет пирилу лореходных областей в слое зш^. Исследования, проводенныэ к иастоадму времени, не позволяет произвести выбор энергии конов н* , которая соответствует наилучеим характеристикам слоя. По-Еццдаому, Б^йор энергии ионов при синтезе слоев методом

ссаздовия при ионном облучении будет определяться функциональными возмогдшетямл оборудования. С другой стороны, посколь-¡;у процессы осшдания атомов и внедрения ионов достаточно просто подцалтея £вто:.;зтх:2ац:;.:. представляется возможным проводить с'споз с .сзанпчее::::..: отслзгзэзшгзм состава слоя, изгоняя ьззпмосвязко СЕзрп-э попов и серость осаздзния атоыов в начале и кон!$) спзтега, Друтсл напрезлзякэу сгстгеза слоев с резкими границами рзздзла ко:изт стать осаэдэш» на уке сформированные пойоргносшыз слои шпрлда кремния при коночной обработке слоя ноне® раешлзнкеа для страалггзання вэрхдаго обедаеного азотом слоя с посУЕЗдугхз^ Б^сасотсгтерглурньы отяитом. Низкие энергии калов и, соотЕзтсгЕЗЕНо, коаьЕсэ скорости осаждения агтомов у^зньихиэт сирену езрогодгая областей , с другой стороны, более еысокг?> гюргк: ссоссбетсуст интеяепвноиу даремепивания и

увеличению плотности слоя. На1йолее пркэмлеггыа ддапэзонон энергия следует считать энергии до нескольких сотен эВ.

Исследование процессов формирования слоев síhx, получзнпья методом осгздгния при конном облучении, проводили при пгдтноста ионного тока до 10 нкА/сы* и скорости осаздения Si до 100 км/ч при энергии конов азота 0.2+5 кэВ. Применяя феноменологически подход, исследована взаимосвязь параметров осаздения с составов полученных слоев sínx. Состав, слоя síhs определяли количественна сгэ-проф^Ифованием, используя процедуру кам5ротш на "стандартных" образцах SisH4. Измерения проводили на учзст::з равновеспого распыления. В качестве параметра осЬдагпит ачбирзли отноаепкэ количества доставляющих к поверхности атомов н к атомам sí, которые измеряются экспорт:ментально с пексаыэ Сарэдзя и методом кварцевого резонатора. Э?фо:гп:згь'3 кос--}-фицкенты распыления sí ионами н* (У) опредзАаяя в pssssx "внедрения-распыления". измеряя скорость тр?а.:с:п-:л по ззгиси-кости атсмпоа концентрами cSi н от времени внедрена покоз н а

аморфныа слоя si, осаздзнныа на Sí(IOO). При расчете состсгэ слоя пркяеяяли коэффициенты отражения (г) атомов » (по работы г i]). Хоровое соответствие зависимости состава слоя í;^ от отно'лешш прибывающих атомов наблюдали-при учето 20 % н-?зт-рзльных аггсг-ов :< в пучке. При х >1,5 данное кемпъэтерного г-.олэ-лнрованкя [2] более корректно отражают процзсс0 ч-:*! Сопеет-солопгческая кодзль. По-вщаютму, одам ra возможет яапргяшгпз ксррегстпого применения указанной модзли г:сгет стать з?эт.№рлчосгал подбор газ^пг-ентов Y и г как фунхщга пзрамотрз сс£".г.""Н.

ДsmrL-e ота-прсфьгарования образцов süi^ ухасывазт аз нагя-чпз двуя переходных облзстоа, одна пз кагоры* находггся а прн-пошрхЕсстса слое, э другая на 1рзтпзгэ раздела gui/sí (1с0>. Лэ даянья Е32 слоев Süi^OTcrrrenEyx при 0£0*С в течение I часа лкз-дмлрлчзсзсая пронкцаемсть составляла 3,2+5,7.

0E7.CZ ЕЫЕОДН

I. Разработана и изготовлена гкспорпмзвгталъная установка, позволяться в условиях СЕВ исследовать процосси Oop^rpc2--nnn и основное закономерности синтеза слоев штгридз кре'лнпя прямо?! имплантации конов азота еизгся сгзргка з вреггпа плп бпяаииз Епедрэнпя попов азота с терковгхуумнкз сс^ггс^'с:; кремния. Установка обеспсч:згзт контроль пгрсмэтроз Г'-чггл

пучков, скорости осачдания, температуры образца, давления в ка-кзре и позволяет производить очистку рабочих газов и их дозированный надуск в камеру.

2. Прякая имплантация ионов молекулярного азота низких энергий (0.2 +■ 5 кэВ) в крешш при дозах внедрения 1,5 + 4,8 • 10*а ат/с:.** пр;-зодет к формирования поверхностных слоев нитрида !фс:.глил с составом близким к стсхиометрическому.

3. Сгоя'.о:-,:отр:'л поверхностных слоев ншрида креишя. полу-чошме вподрзниеы ионов азота низких энергия в Si, монсю всего нарушена при зиедреым в подлоаку при температурах выше 750*С. Нроцзсс сопровождается радиоционно-ускоренной диффузией несвязанного азота к поверхности. Внедрение в разогретую мишень яз тробуот дополнительного отаига.

4. Форсированна поверхностного слоя нитрида кремния сопро-вовдзотся распилзшкм конамл азота прилоЕорхвостной области» что прлвод,гт к "выходу" щггр;!да крохашл па поверхность. На основа-кип экспериментальных данных предложена кодзль "внедрения-распи-лзпкя". опхоазаххдая юпзткху формирования слоя по глубине, согласно которое толддпа поьзрхностного слоя опрсдзляотся как r +■ i,2 ¿.Rp с какекд.алькоа п!р;шой пороходаоа области около 2ARp. Даша» о:.з-проф;'Л»роваш1я слоев, полученных при энергия ионов шез 0,5 кэВ, находэтел в xoposea соотвотствии с предяоглэнноп код&льа.

5. Изучзпиз о;:»- и ХГОЭ- ешктров Si и SieH4 показало дэпуспглость ПрОДСТаЕЛЭПИЯ Si-LVV ОЕО-СПЗКТрОВ Si И Si7H4 в вида сугорпозкцм нескольких пзреходов, связанных с максимумами шаткости состопше в валэнтнол зона. Пгси плззлкяпагх потерь в сго.тграх ХПЭЭ с зпоргсза 17,1 оВ для sí к 23,8 сЗ для siaH4 ирг.суца е-озбувдзниэ объе^пыг колзбаша ц находятся в хороша соотезтстшб: с расчоттпг.п; даазааа.

6. IIpi«:öECSJa ь:этодэ СХПЗЭ при.кгйэнониа ЗЕоргта тарвнчного П7-г:сз , дазт дополнительную квфорыахюэ о состава поворхпостпых с^зсл síh , одна:» прл этом езобходгш утатазать вгашшэ знэр-ш горвэтного пучка на взлмчкну экоргш обьзкного плазкона, которая для егкжовзтричоокого шпряща кремния кшевяется от 20,0 до 23,0 03 прл K3iSB0¿i2 Ер от 100 до 2500 эВ.

7. Oist noEopsnocrcis слзов щи 750-1100* С в точонш I ♦ 5 ЕЛ"Л ГГ-ГЮДЛГ К ЕОССТЕДЭЕЛЗЕДЗ ПЗПорХЛ0СТН02 СТОХГО^ЛТрГЛ. ПрЛ

виодроЕшз и* eítxs Ерзгачэскоз, соотозтствуд^зд -ШХОДУ"

1Ь

нитрида кремния на поверхность, паблхздазтся зтскаииз несвязанного азота к поверхности при сохранении з пределах расчетных значения толцины слоя.

8. При температурах кратковрог?еш1ого oraira поверхностных слоев нитрида кремния 750-П00*С в области граниты зоны вкодрз-ния происходит формирование поверхностных фаз SiH4.

9. Поверхностные слои нотридэ кремния сггахиомотричзского состава термически стабильны вплоть до 1300-1350*0, в то время как в области границы зоны внедрения происходит тормодесорб^'-Я поверхностных фаз уяе при Т = П50*С. От.-пт поверхностна слоев при Г = П50"с является методом формирования слоя нитрида кр«?'-ния с резкой границей раздела. рзспсшганноа по пор:г"отру aten.

10. Кратковременный отаиг <630-С80"С) слоев сорф.того-питрвдэ кремния тс-лщс.ой 7.5 + 30 га нз поверхностном слое гпгг-рвдз кремния стехкометрического состава, полученного методом прямой имплантации ионов азота низких экоргна в Si <100) привод:rr к автокоалосданции кремния. Островки монокристалл лзеккэ и хаотически рззоржнтмрованы. Энергия активации прсизсса - С. 2+0.3 оВ. Показана эффективность метода SOC для наблэдзнил ¡n ni tu морфологических измзноша в тонких слоях.

11. Осетдзнта слоев si на ие ни о -i :мпл з пт: tpo : гп\.>з слои н;тг-р:здз кремния при темпзрзтурз подлога 300* С не пр".;водэт к паругеш»' сплосности слоя.

12. Показана еосмогность и определены услопна езотозз объемных слоев шпряга кркдкл стехпс-:зтр::чоского сссггпеэ грл одновременном есаздзнкя кркяля п облучении ионгмл ггота знзргиз поверхности sí(IOO). С:штсз сопрсссэдязтся феряярозжггя сбэидешгоз азотом пр:з1осзрхносгпзса области "слол-подхо^ка'1. :га основа™! скспзр™^эптальЕых язяиих устапсвлзго. нто сглтез объемных слоев шпрядз кремния мзтодрп при ионном сблуго-ша хорошо описывается в рангах Согкггдолзпггзскоз мэдзля з спрокоя пгпэрзалэ пгремзтроз осггднжгя прл учзтэ ДО-'Л ПСТГр^ЛЬ-пых атомоз азота в пучкэ.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ С.ССЕРТАШЖПЮЛ РАБОТЫ

отрл'ззи в елндягзя юбхзшях:

I. Лг-^Г-НД В.Г., Котлпр В.Г. Нигкозтаргзтпчзскгл iTHLTc-rrcirfi конов азота в Si(III): Тез. докл. vjx ürvsn. rcr?. Телят

имплантация в полупроводниках и других материалах"- Вильнюс. 1883. С. 315-316.

2. В.Г.. Котляр В.Г. Исследование формирования тонкого слоя нитрида кремния при взаимодействии иоиов азота с по^-ворхность» Si(III): Эгжссионная злзктроника. Тез. докл. xix Все-сокза. конф. по 35:кссшевой злгктроникз. Ташкент, 1984. с. 161.

3.Лк^зкц В.Г.» Ноталр В.Т., Саранин A.A. Соркироззние плевок шлрда кройния при имплантации ионов азота в Si (III) по даиньЕ1.: ЭХ к спектроскопии ХГШ // Поверхность. Физика, химия, вохакика. 1934. Н 12. С, 76-€4.

4. Щдт В.Г.. Котляр В.Г., Сараяин A.A. Диагностика пленок окисла и шпрндэ крекная на Si(IOO) . методом спектроскопии ХПЭЭ. - В кн. Диагностика поверхности: Тез. докл. Всесеюзн. конф. Каудас, IS3S. С. 01.

б. В.Г., Котляр В.Г.» Саранин A.A. Исследование гра-

ницу раздела Si/Si^ при отшго копвд-ихплантированных пленок шгтргдда креинкя: Тез. докл. VII конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых пленок. Новосибирск. 1088. Т. 2. С. 115.

6. АкяловВ.Б., Воронов A.B.. Галккн Н.Г.» Гаврилюк Ю.Л.. Зотов A.B., Котляр В.Г., Л5$еиц В.Г., Саранин A.A.. Ляоснин Н.й. Чурусов Б.К. Форюфованвз поверхностных фаз в систеиах креиннй-шгаля. креетка-металлоид и ш роль в продессах кикро электроники: Тез. докл. "Сизическкз и физико-хиыические основы микрозлзк-троншог. Валькюс. 1887. С. 291-282.

7. Ли&здВ.Г., Котляр В.Г.» Саранин A.A.. храмцова Е.А. ГЬвсщэшеэ тонких слоев si на st н^ при термическом стайте // Поверхность. Фззака. хкхия. механика, 1990. н 8. С.150-152.

8. ИагяерВ.Г., Лификц В.Г.. Саранин A.A., хравцова Е.А. ©орклрозаяиэ слоов нитрида кремния при внедрении ионов азота еезкнх внергка в st(100) Б условиях СВВ. Тез, докл. in Всесого.

"ИонЕО-лучзвзя кодпфпкацая полупроводников и друни магга-рпалзв микроэлектроники. Вовосиборск, IS9I. С. 47.

№rapo33HH3fl .TOTSparypa: I. Hubler G.K., Carosella C.A., Donovan E.P. et al. Physic*! aspects of ion bean assisted deposition/ZHuej.Instr.Math. Phys.Res., 1990. V.46. P.384-391. '¿. Jiankun Z., Youshan C., Xianghuai L., Shichang z. Conputar simulation of ion bean enhanced deposition of silicon nitride f i los//Nuc 1. Ins tr. and Meth., 1089. V.39. p. 102-13-1.

Котляр Василия Григорьевич

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ СОРМИРСЗАЕ'Л СЛОЕВ НИТРЗДА КРЕМНИЯ ПА SK1U) И Si(ioo) ПРИ 0ВЛУЧЕШ21 КОНАМИ АЗОТА EEKIIX SHEFHia

Автореферат ВД 14472. Подписано к печати 20.II.91 г. Усл.п.л. 1.6. Уч.-кзд.л. 0.8. Ссрнзт CO-61/IG Тпрся 100. Заказ 226. Бесплатно.

Отпечатано в ОНТН Тихоокеанского океанологического

института ЛВО АН СССР.

690032, Владивосток, ул. Радио, 7.