Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА НЕОДНОРОДНО ЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ОБРАЗОВАНИЕ СОБСТВЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ . . II

§1. Основные свойства неоднородно легированных полупроводников .II

I. Энергетическая структура неоднородно легированных полупроводников.II

1.1. Хаотическое распределение примеси . II а) слабое легирование, слабая компенсация . II б) слабое легирование, сильная компенсация в) сильное легирование, слабая компенсация г) сильное легирование, сильная компенсация

1.2. Нестатические (обусловленные технологией) флуктуации концентрации примеси а) модель квазиточечных скоплений б) модель Госсика - протяженные скопления

2. Теория эффективной среды (ТЭС)

2.1. Электропроводность

2.2. Эффект Холла.

2.3. Подвижность.

3. Аномалии в подвижности.

4. Фотопроводимость полупроводников со скоплениями компенсирующих электрически активный центров (э.а.ц.).

§2. Образование собственных точечных дефектов в полупроводниках при облучении (ударный механизм генерации дефектов структуры) с т р,

1. Основные представления

2. Образование дефектов при облучении кристаллов электронами.

3. Образование дефектов при У -облучении

4. Создание областей разупорядочения

§3. Взаимодействие собственных точечных дефектов с атомами примесей и друг с другом.

1. Виды простейших собственных точечных дефектов

2. Миграция и отжиг собственных точечных дефектов вСгаЛб и1пР , облученных ¿("-лучами и электронами

3. Энергетические схемы атомов примесей в бяЛб и 1пР.

4. Возможные виды взаимодействия точечных собственных дефектов со скоплениями э.а.ц.

5. Термодоноры в кремнии.

Исследования дефектов структуры в кристаллах иыеют большое значение как для развития теории твердого тела, так и для решения практических задач, поскольку возникновение дефектов может оказывать решающее влияние на различные свойства кристаллов и приборов на их основе. Электрические свойства полупроводников весьма чувствительны к наличию различных дефектов и исследование электрических параметров дает ценную информацию о природе и энергетической схеме дефектов.

Одним из наиболее совершенных способов введения дефектов структуры является облучение материалов ядерными частицами или достаточно энергичными фотонами.

Основными достоинствами этого метода являются:

1. Дефекты можно вводить при любой температуре, в том числе при низкой, исключающей возможность диффузии атомов примесей и связанных с этим явлений.

2. Возможность строгого дозирования.

3. Облучение ионами может быть использовано и используется как способ легирования полупроводникового материала примесями, причем легко может быть создано требуемое пространственное распределение атомов легирующих примесей.

Точечные собственные дефекты структуры (межузельные атомы и вакансии) в кристаллах могут быть созданы при облучении электронами с энергией I МэВ иди у*-квантами. Преимуществом гамма-облучения является однородность распределения образующихся точечных дефектов в объеме кристалла, обусловленная малыми коэффициентами поглощения гамма-излучения практически во всех полупроводниках.

Чаще всего основное внимание уделяется изучению изменений свойств однородных полупроводниковых материалов под действием излучения. Однако иногда оказывается, что примеси и дефекты распределены по объему материала неоднородно. Полупроводниковые материалы со скоплениями атомов примесей или дефектов приобретают особые "аномальные" электрические или оптические свойства, что, на наш взгляд, открывает широкие возможности для создания новых твердотельных электронных приборов.

Особый интерес представляет исследование взаимодействия собственных точечных дефектов, создаваемых в условиях однородной генерации с имеющимися скоплениями примесных или дефектных центров. Основными задачами настоящей работы являлись:

1. Выяснение характера распределения атомов компенсирующих примесей и других электрически активных центров в щэемнии, арсе-ниде галлия и фосфиде индия.

2. Б случае обнаружения существования скоплений компенсирующих центров в этих полупроводниках - экспериментальная проверка возможностей фотоэлектрического метода исследования таких скоплений.

3. Определение концентрации скоплений компенсирующих центров и числа входящих в них центров (нахождение функции распределения скоплений по числу входящих в них центров).

4. Исследование влияния неоднородностей в распределении атомов примесей на кинетику введения стабильных при комнатной температуре дефектов структуры, возникающих при облучении указанных полу

СГ) проводниковых материалов гамма-лучами оиСо.

5. Исследование влияния гамма-облучения на вид функции распределения скоплений по числу составляющих их электрически активных центров.

Научная новизна

I. Экспериментально показано, что фотоэлектрическим методом можно обнаруживать и исследовать квазиточечныех) скопления компенсирующих центров в полупроводниках, если их концентрация превышает Ю^см""®, а числа 2 составляющих скоплений дефектов превышает 2 = 4 дляр , и 2 = 12 для п. -<3а-Ав и п. -ХпР .

2. Обнаружено, что в р-& , выращенном по методу Чохральско-го при термообработке (600°С и 900°С) возникают квазиточечные скопления дефектов донорного типа, содержащие по 3-10 дефектов в кавдом. В р- Яб , не подвергавшемся термообработке, таких скоплений не обнаружено.

3. Экспериментально найдены функции распределения а) квазиточечных скоплений термодоноров в р-кремнии, выращенном по методу Чохральского и подвергнутого термообработке при 600°

С и 900°С; б) квазиточечных скоплений компенсирующих центров ъ п - , выращенном по методу Чохральского; в) квазиточечных скоплений атомов меди и цинка в фосфиде индия, /г - типа, выращенном методом зонной плавки.

При этом показано, что при легировании кадмием образуются скопления меньшего размера, чем при легировании медью или цинком, т.е. кадмий распределяется более однородно, чем медь или цинк.

4. Впервые исследовано влияние гамма-облучения на квазиточеч*-ные скопления электрически активных центров в р-кремнии, выращенном по методу Чохральского и подвергнутого термообработке при 600°С и 900°С, П -арсениде галлия, выращенном по методу Чохраль

Квазиточечными мы в дальнейшем будем называть скопления, размеры которых не превышают длины волны Де-Бройля для основных носителей заряда в однородном материале. ского, п -фосфиде индия, выращенном методом зонной плавки и легированном компенсирующими примесями: Си , Сс[ •

При этом: а) Обнаружено, что наличие атомов меди и цинка увеличивает скорость введения стабильных при комнатной температуре дефектов при облучении фосфида индия гамма-лучами Со. б) Установлено, что в результате гамма-облучения скопления электрически активных центров во всех исследованных материалах растут (число входящих в них электрически активных центров увеличивается), если в необлученном материале есть зародыши скоплений.

5. Определен вид температурной зависимости эффективности рассеяния электронов на малых скоплениях электрически активных центров в' п - О-о./¡в и я. -1пР . Практическая ценность

1. Экспериментально доказана возможность нахондения концен- , трации скоплений компенсирующих центров в р-кремнии, п и п. -1/ър и определения числа центров, входящих в состав скоплений путем использования простого метода исследования кинетики спада фотопроводимости.

2. Получены новые данные о величине скоплений атомов компенсирующих примесей и дефектов в полупроводниках, имеющих широкое практическое применение - кремнии, арсениде галлия, фосфиде индия. Эти данные могут быть использованы при разработке технологических процессов улучшения параметров указанных материалов и при разработке приборов на их основе.

3. Показано, что степень однородности введения различных примесей при легировании гъ -Тп-Р в процессе зонной плавки различна. В частности, кадмий распределяетвя более однородно, чем медь или цинк.

4. Установлена связь между скоростью введения стабильных при комнатной температуре дефектов, создаваемых в 1п.р гамма-облучением, и наличием определенных примесей в облученном материале. Этот результат может быть использован при разработке процессов радиационной технологии ТгьР.

5. Установлено, что во всех исследованных материалах имеющиеся скопления компенсирующих центров растут при облучении гамма-лучами 6(^Со при комнатной температуре. Этот экспериментальный факт может явиться основой новых процессов радиационной технологии полупроводниковых материалов и может быть использован в процессах создания полупроводниковых приборов.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Исследование кинетики спада фотопроводимости дает возможность находить функцию распределения квазиточечных скоплений компенсирующих центров в полупроводниках.

2. При легировании фосфида индия п -типа, выращенного методом зонной плавки, компенсирующими добавками использование кадмия предпочтительно по сравнению с использованием меди или цинка, поскольку кадмий распределяется более однородно.

3. При облучении фосфида индия гамма-квантами наличие Си и 2п увеличивает скорость введения дефектов, стабильных при комнатной температуре.

4. Облучение алмазоподобных полупроводников ( , пР)<, характеризующихся наличием зародышей скоплений, приводит к росту скоплений электрически активных центров.

5. Подтверждено, что в п-С^аАв и п-1п,Р проявляется некоторый дополнительный механизм рассеяния носителей заряда, эффективность которого растет с ростом температуры. Установлено, что / этот механизм характеризуется температурной зависимостью/ ' .

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Витовский Н.А., Дахно А.Н., Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Рахимов 0. Крупномасштабный потенциальный рельеф в компенсированном п-Тпр и локализация в нем электронов. Тезисы до

П1 V кладов на Всесоюзной конференции "Физика соединений А В ". Новосибирск, июль 1981, с.255-256.

2. Витовский Н.А., Емельяненко О.В., Лагунрва Т.С., Рахимов 0. Определение заряда квазиточечных скоплений атомов акцепторной примеси в компенсированных кристаллах п-х^р . ФТП, 1982, т.16, вып. 6, с. 1122-1124.

3. Баграев Н.Т., Витовский Н.А., Власвнко Л.С., Машовец Т.В., Рахимов 0. Скопления электричееки активных центров в термо-обработанном кремнии, выращенном по методу Чохральского. ФТП, 1983, т.17, вып.II, с.1979-1984.

4. Витовский Н.А., Лагунова Т.С., Рахимов 0. Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфиде индия ц.-типа со скоплениями акцепторов. ФТП, 1984, т.17, вып.9, с. 1624-1628.

5. Витовский H.A., Лагунова Т.С., Машовец Т.В., Рахимов 0. Пространственное распределение электрически, активных центров в п, -арсениде галлия и его изменения при гамма-облучении. ФТП, 1984, т.18, вып. 9, с.1593-1596.

6. Витовский H.A., Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Машовец Т.В., Рахимов 0. Рост скоплений компенсирующих центров в полупроводниках под действием гамма-облучения. Письма в ЖТФ, 1984,

Т.10, вып.14, с.860-862.

1. Mott N.F. On the transition to metallic conduction in Semiconductors. Canad. J.Phys., 1956, v. 34(12A), p. 1356 1367.

2. Шкловский Б.И. Прыжковая проводимость слабо легированных полупроводников. ФТП, 1972, т. 6, вып. 7, с. 1197 1226.

3. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Хвосты плотности состояний в сильно легированных полупроводниках. ФТП, 1970, т. 4, вып. 2,с. 305 316.

4. Landauer R. The Tlectrical Resistence of Binary. Metallic Mixtures. J.Appl. Phys., 1952, v. 23, N 7, p. 779 784.

5. Gossik B.R. Disordered Regions in Semiconductors Bombarded by Past Neutrons. J.Aool. Phys., 1959, v. 30, N8, p. 1214 1218.

6. Cohen M.H. Effective Medium Theory for the Hall Effect in Disordered materials. Phys. Rev. Lett., 1973, v. 30, N 15,p. 696 698.

7. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред. УФН, 1973, 117, 401 435.

8. Горани P.A., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Скок Э.й.

9. Phys., Prague, 1960, p. 940 942.

10. Шаховцов В.И., Шаховцова С.И., Шпинар Л.И., Ясковец И.К.

11. Подвижность носителей тока в германии с областями разупорядочения. ФТП, 1975, т. 9, вып. II, с. 2200 2202. 15* Flanagan Т.М.»"Carrier stattering from defects in neutronbombarded Somiconductors" IEEE -Trans, 1968, NS 15, Iff 6,p. 42. 42 46.

12. Джандиери М.Ш., Церцавадзе A.A. Исследование подвижности носителей заряда в полупроводниках с разупорядоченными областями. ФТП, 1971, т. 5, вып. 7, с. 1445 1453.

13. Пекар С.К. Теория подвижности, эффекта Холла и магнетосо-противления в электронных полупроводниках с заряженными дефектами. 1966, т. 8, вып. 4, с. III5 II2I.

14. Шпинар Л.И., Ясковец И.И. К теории подвижности носителей тока, эффекта Холла и магнетосопротивления в полупроводниках дефектами. Сб. Рациональные эффекты в твёрдых телах. Киев, "Наукова думка", 1977, е.-139 149.

15. Емцев В.В., Клингер М.И., Машовец Т.В. О возможном механизме рассеяния носителей заряда в германии с точечными дефектами. Письма в ЖЭТФ, 1974, т. 19, вып. 3, с. 575-579.

16. Шик А.Я. Эффект Холла и подвижность электронов в неоднородных полупроводниках. Письма ЖЭТФ, 1974, т. 20, вып. I,с. 14 16.

17. Коноплёва Р.Ф., Новиков С.Р., Рыбкин С.М. Энергетические уровни в германии, возникающие при бомбардировке быстрыми нейтронами. ФТТ, 1963, т. 5, вып. 7, с. 1842 1851.

18. Сандомирский В.Б., Ждан А.Г., Мессерер М.А., Гуляев И.Б. Механизм замороженной (остаточной) проводимости полупроводников. ФТП, 1973, т. 7, вып. 7, с. 1314 1323.

19. Шейкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках (обзор). ФТП, 1976, т. 10, вып. 2, с. 209 233.

20. Ryvkin S.M., Shlimak L.S. A Doped Highly Compensated Crystal Semiconductor as a Model of Amorphous Semiconductors. Phys. Stat. Sol. (a). 1973, v. 16, p. 515 526.

21. Эфрос А.Л. Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках. УФН, 1973, т. III, вып. 3, с. 451 482.

22. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Полностью компенсированный кристаллический полупроводник как модель аморфного полупроводника. ЖЭТФ, 1972, т. 62, вып. 3, с. 1156 1165.

23. Коноплёва Р.Ф., Юферов A.A. Электрические свойства германия, компенсированного разрядочными областями. ФТП, 1973, т. 7, вып. II, с. 2086 2093.

24. Шик А.Я-. Фотопроводимость случайно неоднородных полупроводников ЖЭТФ, 1975, т. 68, вып. 5, с. 1859 1866.

25. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. "Радио и связь", М., 1981.

26. Аглинцев К.А. Дозиметрия ионизирующих излучений. Гостехиз-дат, М., (1950).

27. Mott U.P. The Scattering of Past Electrons by Atomic Niclei. Proc. Roy. Soc. 1929, AI-24, p. 425 442.

28. Mackinley W.A., Peshbach H. The Coulomb Scattering of Rela-tisristic Electrons by Nuclei. Phys. Rev., 1948, v. 74,

29. N 12, p. 1759 1763. 33« Seitz P., Kochler J.S. Displacement of Atoms daring Irradiation. Solid State Phys., 1956, v. 2, 305 - 448.

30. Кинчин Г.Н., Низ P.С. Смещение атомов твёрдых тел под действием излучения. Усп. физ. наук, 1956, т. 60, вып. 3,с. 590 615.

31. Физические процессы в облученных полупроводниках. "Наука", Сибирское отделение. Новосибирск, 1977, Ответств. ред. Л.С.Смирнов.

32. Дж. Дине, Да. Винйард. Радиационны эффекты в твёрдых телах. Москва, ИЛ (I960).

33. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. Москва, Физматгиз, 1963.

34. Витовский Н.А., Мустафакулов Д., Чекмарёва А.П. О величине пороговой энергии смещения атомов полупроводниках. ФТП, 1979, т. II, вып. 9, с. 1747 1753.

35. Iiirkpatrick С. Percolation and Conduction. Rev. Mag. Phys.,1973, v.' 45, N 4, p. 574 588.

36. Галаванов В.В. Смещение атомов в твёрдом теле действиемлучей. ФТТ, 1959, т. I, вып. 3, с. 432 441.

37. Абдуллаев А., Витовский Н.А., Машовец Т.В. О величине сечения процесса образования пары Френкеля в полупроводниках при облучении гамма лучами. ФТП, 1974, т. 8, вып. I I,с. 2203 2206.

38. Ленченко B.M., Акилов Ю.З. Исследование с помощью ЭВМ структуры каскадов смещений в Gl, Si и Pbs . ФТП, 1971, т. 5,вып. 3, с. 397-402.

39. Коноплёва Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин H.A. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М., Атомиздат, 1971.

40. Eisen Р.Н. Orientation Dependence of Electron Radiation Damage in InSb, Phys. Rev., 1964, v. J35, A 1394 A 1399.

41. Eisen P.H. III-Y Compound Review Radiation Effects in Semiconductors, Gordon and Breach. New York, 1971, p. 273 280. •

42. Lindsay D.J., Bandury P.C. Electron irradiation damage studies in indium arsenide. Radiation Damage and Defects in Semiconductors, Phys. Conf. Ser., J6, London and Bristol, 1973, p. 34 41.

43. Arnold G.W., Whan R.E., Maurin J.K. and Borders J.A. Luminescence from Implanted Zn ions in GaAs. Radiation Effects in Semiconductors, Gordon and Breach, New York, 1971, p. 389-392.

44. Corbett J.W., Bourgoin J.C. Deffect creation in Semiconductors. Point Defects in Solids, v. 2, eds. Crawford J.H. and Slifkin L.M., Plenum Press, New York, 1975, p. 1 149.

45. Lang D.V. Review of radiation-induced defects in III-Y compounds. Radiation Effects in Semiconductors, 1976, conf.ser. N 3, Institute of Phys., Bristol and London, p. 70 94.

46. Ben-Abrahame S.J., Rabinovitch A., Pelleg J. Relations between Vacancy Migration and Formation Energies, Debye Temperature and Melting Point, Phys. Stat. Sol., 1977, v. 84, N 2, p. 435 441.

47. Watkins G.D. Vacancies and Interstitials in Semiconductors Radiation Damage and Defects in Semiconductors, Gn St. Phys. Conf. Ser. 16, London and Bristol, 1973, p. 228 237.

48. Leloup J., Djarassi H., Alboiny H.T. Latrice Defects in Semie conductors, 1974, Inst. Phys. Conf., Ser. 23, 367, 1975.

49. Leloup I., Dardouri M., Djerassi H. Rad. Eff. in Semiconductors, 1976. Inst. Phys. Conf.,. Ser. ¿1, p. 372, 1977.

50. Брайловский Е.Ю., Карапетян Ф.К., Тартачник В.П. Отжиг точечных радиационных дефектов в п-1пР. ФТП, 1979, т. 13, вып. 10, с. 2044 2046.

51. Lang D.V., Logan R.A., Kimerling L.C. Identification of the Defect State Associated with a Gallium Vacancy in GaAs and AlxGa1-xAs. Phys. Rev. Б, 1977, v. 15, N 10, p. 4874 -4882.

52. Piesbergen U. Semiconductors a. Semimetals (ed, by R.K. Willardson, A.C.Beer \ 2, p. 49 60. Academ. Phess., N.Y. 1966.

53. Thommen K. Effects of Low-Temperature Electron Irradiation on the Electrical Properties of Undoped GaAs. 1967, v. 161, 1 3, p. 769 778.

54. Lang D.V., Hartman R.L., Schumaker N.E. Capacitance Spectroscopy Studies of degraded Al^a^^As DH Stripegeometry lasers,

55. J. Appl. Phys. 1976, v. 47, Ж 11, p. 4986 4992.1. Ш Y

56. Хилсум К., Роуз-Инс А. Полупроводники типа А В . М., .1963.

57. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. "Мир", Москва, 1977, с. 83.

58. Старосельцева С.П., Кулов B.C., Метревели С.Г. vs- диодына основе фосфида индия. ФТП, 1971, т. 5, вып. 9, с. 1842 -1844.

59. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Статизтическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев, 1969, "Науко-ва думка".

60. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и У групп. Москва, 1967, издательство "Мир".

61. Y/atkins- G.D. Microscopic view of radiation damage in semiconductors using EPR as a probe. IEEE Trans. Nucl. Sci. 1969, NS-16, N 6, p. 13 18.

62. Вавилов B.C., Плотников А.Ф., Ткачёв В.Д. Исследование дефектов структуры в монокристаллах кремния методом фотопроводимости. ФТП, 1962, т. 4, вып. 2, с. 3446 3454.

63. Woodbury Н.Ы., Ludwig G.W. Wakancy interactions in Silicon. Phys. Rev. Lett., 1960, v. 5, N 3, p. 96 97.

64. Вавилов B.C., Глазман В.Б., Исаев Н.У., Мукашев Б.Н., Спи-цын А.В. Влияние температуры облучения в виде легирующей примеси на процесс дефектообразования в кремнии п типа, облучённом электронами. ФТП, 1974, т. 8, вып. 3, с. 471 -475.

65. Elkin EiL., \7atkins G.D. Defects in irradiated silicons electron paramagnetic resonance and electron-nuclear double resonance of the arsenic and antimony-vacancy pair. Phys. Rev., 1968, v. 174, N 3, p. 881 897.

66. Машовец Т.В. Термодефекты в полупроводниках. ФТП, 1982,т. 16, вып. I, с. 3 18.

67. Вейнгер А.И., Ильин В.А., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Исследование термодефектов в карбите кремния методом ЭПР. ФТП, 1979, т. 13, вып. 12, с. 2366 2370.

68. Puller C.S., Logan R.A. Effect of Heat Treatment upon the.Electrical Properties of Silicon Crystals. J. Appl. Phys., 1957,v. 28, N 12, p. 1427 1436.

69. Мордкович B.H. О влиянии кислорода на проводимость кремния. ФТП, 1964, т. 6, вып. 3, с. 847 851.

70. Gaworzewski Р., Schmalz К On the Electrical Activity of oxygen in Silicon. Phys. Stat. Sol. (a), 1979, v. 55, p. 699 -707.

71. Yiryck D., Gaworzewski P. Electrical and Infrared Spectroscopic Investigations of Oxygen-Related Donors in Silicon. Phys. Stat. Sol. (a), 1979, v. 56, p. 557 564.

72. Gaworzewski P., Schmalz K. On the Kinetics of Thermal Donors in Oxygen-Rich Silicon in the Range from 450 to 900°G. Phys. Stat. Sol. (a)m 1980, v. 58, N 2, p. K223 K226.

73. Комалеева Ф.Н., Мордкевич B.H., Темпер Э.М., Харченко В.А. Влияние термообработки и облучения на состояние кислорода вкремнии. ФТП, 1976, т. 10, вып. 2, с. 320-323.

74. Kaiser W., Frisch H.L., Reiss H. Mechanism of the Formationof Donor States in Heat-Treated Silicon. 1958, v. 112, N 5, p. 1546 1554.

75. Matukura Y. Effects of Heat Treatment upon the Electrical Properties of Silicon. J.Phys. Sos. Japan, 1958, v. 14, N7, p. 918 923.

76. Коноваленко Б.М., Рыбкин C.M., Ярошецкий И.Д., Богомазов Л.П. Установка для исследования действия Г излучения на полупроводниковые материалы. Атомная энергия, I960, с. 408 - 409.

77. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физматгиз, М., 1963.

78. Дж. Блекмор Статистика электронов в полупроводниках. Изд.1. Мир", 1964.

79. Crawford J.H., Cleland J.W. Nature of bombardment gamaga and energy levels in semiconductors. J.Appl. Phys., 1959, v. 30, N 8, p. 1204 1213.

80. Иванов P.M., Ойрота H.H. Сб. Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, 1972, с. 56.

81. Винецкий В.Л., Кондрачук А.В. В сб. Взаимодействие атомных частиц с твёрдым телом, ч. I. Изд. "Наукова думка", Киев. 1974.

82. Дворянкин В.Ф., Емельяненко О.В., Наследов Д.Н., Недеогло Д.Д., Телегин А.А. Электрические свойства эпитаксиальных слоев n,-GaAs. ФТП, 1971, т. 5, вып. 10, с. 1882 1887.

83. Enginsoy С. Neutral Impurity Scattering in Semiconductors. Phys. Rev., 1950, v. 79, p. 1013 1014.

84. Brooks H., Scattering Jz. by Impurities in Semiconductors. Phys. Rev., 1951, v. 83, p. 879 880.

85. Витовский H.A. Метод определения заряда квазиточечных скоплений атомов примесей и дефектов в полупроводниках и функции распределения скоплений по их заряду. ФТП, 1982, т. 5, вып. 5, с. 882 885.

86. Дахно А.Н., Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Старосельцева С.П. Особенности переноса электронов в компенсированных кристаллах п-1пР. ФТП, 1979, т. 13, вып. 9, с. 1788 1794.

87. Баграев Н.Т., Власенко Л.С., Оптическая поляризация ядер в кремнии при оптической накачке в слабых магнитных полях. 1ЭТФ, 1978, т. 75, вып. 5, с. 1743 1754.

88. Баграев Н.Т., Власенко Л.С., Карпов Ю.А., Туровский В.М. Распад твёрдого раствора в бездислакационном кремнии. ФТП, 1983, т. 16, вып. 2, с. 276 280.

89. Muller S.H., Tuynman G.M., Sieverts^E.G., Ammerlaan C.A.J. Electron paramagnetic resonance on iron-related centers in silicon. Phys. Rev., 1982, v. 25, К 1, p. 25 40.

90. Батавин В.В., Земко А.Е., Салманов А.Р., Шелоков А.Н. Тезисы докладов У Всесоюзной конференции по физ.-хим. основам легированных полупроводниковых материалов. Москва, 1982, с. 214.

91. Capper P., Jones A.W., Wallhouse E.J., Ysilkes J.G. The effects of heat treatment on dislocation-free oxygen-containing silicon crystals. J.Appl. Phys., 1977, v. 48, H 4, p. 1646 -1655.

92. Витовский H.A., Лагунова Т.С. Однородный компенсированный фосфид индия с низкой концентрацией электронов. ФТП, 1981, т. 15, вып. 5, с. 1034 1036.

93. Витовский Н.А., Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Рахимов 0. Определение заряда квазиточечных скоплений атомов акцепторной примеси в компенсированных кристаллах п-1пР. ФТП, 1982, т. 16, вып. 6, с. 1122 1124.

94. Кольченко Т.И., Ломако В.М. Электрические свойства арсени-да галлия, облучённого электронами и нейтронами. ФТП, 1975, т. 9, вып. 9, с. 1757 1760.

95. Grimshaw J.A., Banbury Р.С. The dislacement energy in GaAs. Pros. Phys. Sos., 1964, v. 84, p. 151 162.- 155

96. Азимов C.A., Муминов P.A., Шамирзаев С.Х., Яфасов А.Я. Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения. Ташкент. "Фан" 1982. 256 с.

97. Еремин В.К., Строкан Н.Б., Теснек Н.И. Влияние крупномасштабных ловушек на свойства полупроводниковых детекторов ядерных излучений. ФТП, 1975, т.9, вып.8. с.1575-1578.

98. Воронков В.В., Воронкова Г.И., Даненгирш С.Г., Зубов Б.В., Калинушкин В.П.,.Захват носителей примесными облаками в германовых детекторах ядерного излучения. ФТП, 1982, т.16, вып.10, с.1752-1758.

99. Еремин В.К., Строкан Н.Б., Чикалова О.П. Исследование примесных скоплений в чистых материалах по форме спекторов при аннигиляции пор электрон-позитрон. ФТП, 1984, т.18, вып.2, с.244-249.

100. Агринская Н.В., Калинушкин В.П., Матвеев O.A., Мурина Т.М. Рассеяние света, обусловленное неоднородностями в кристаллах теллурида кадмия. ФТП, 1981, т.15, вып.10, с.2040-2042.