Исследование влияния радиации на дефектообразование и электрофизические свойства полупроводниковых структур и приборов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Взаимодействие проникающего излучения с веществом

1.1. Введение

1.2. Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом.

1.3. Прохождение высокоэнергетических заряженных частиц через полупроводник.

1.4. Радиационное дефектообразование в полупроводниках

1.5. Типы радиационных дефектов и их влияние на физические свойства полупроводников и приборов.

2.2 Методика приготовления образцов из кремния и их облучения.

2.3 Методика оптического и рентгеноструктурного анализа полупроводников.

2.4 Измерение электрофизических характеристик полупроводников.

2.5 Постановка задачи исследования

Глава 3. Экспериментальные исследования структуры и электрических свойств облученных полупроводников.

3.1. Структура и радиационные дефекты облученного кремния.

3.2. Исследование электрофизических свойств облученного кремния.

3.3. Влияние облучения на структуру слоистой системы из кремния и алюминия.

3.4. Заключение

Глава 4. Радиационное дефектообразование и радиационная модификация полупроводниковых структур и приборов.

4.1. Введение

4.2. Распределение стабильных радиационных дефектов в кремнии при облучении пучком альфа частиц.

4.3. Исследование кинетики введения дефектов и их энергетического спектра в п- и р-кремнии при облучении альфа-частицами и нейтронами.

4.4. Рекомбинация неосновных носителей заряда в п- и р - кремнии при облучении альфа-частицами и нейтронами.

4.5. Влияние радиационных обработок на параметры кремниевых биполярных транзисторов и интегральных схем.

4.6. Заключение Общие выводы Литература

Введение

Актуальность темы. Широкое использование элементов и приборов полупроводниковой электроники в радиационных полях (запуск спутников, работа реакторов и т.п.) обуславливает необходимость детального изучения поведения полупроводниковых материалов при взаимодействии с частицами высоких энергий. При таком изучении могут решаться две взаимосвязанные задачи: физическая - это дефектообразование в полупроводниках, и практическая - создание приборов, увеличение сроков их эксплуатации и прогнозирование работоспособности в этих условиях. Первая требует исследования механизмов образования, природы энергетического спектра уровней, термической стабильности, радиационных нарушений структуры и влияния этих дефектов на физические процессы в полупроводниках. Действительно, облучение полупроводниковых кристаллов высокоэнергетическими частицами (быстрыми электронами, альфа-частицами, гамма-квантами и нейтронами разных энергий) является почти идеальным методом создания структурных нарушений в заданных концентрациях. Варьируя энергией, потоком ядерных частиц, температурой и временем облучения можно вводить в объем исследуемого вещества набор всевозможных дефектов, начиная с простейших первичных точечных дефектов (ТД), вакансий и междоузельных атомов, и кончая их сложными комплексами. Следует отметить, что первичные ТД образуют комплексы не только взаимодействуя друг с другом, но и ее структурными нарушениями в исходном материале, в том числе и с технологическими примесями, как основными, так и остаточными. Исследуя влияние примесного состава и вида облучения на эффективность введения дефектов можно установить основные закономерности изменения электрических свойств полупроводниковых монокристаллов.

На основе этих закономерностей вполне реально прогнозировать поведение полупроводниковых материалов и приборов при воздействии высокоэнергетических частиц. Таким образом, решение физической задачи должно привести к решению прикладной, т.е. повышению радиационной стойкости материалов и приборов на их основе. Одним из основных полупроводниковых материалов, применяемых для изготовления элементов твердотельной электроники (микросхем, полупроводниковых диодов и триодов) в ближайшие годы, остается кремний. Это объясняется широкой распространенностью кремния, возможностью получения монокристаллов различной степени совершенства, достаточно широким температурным интервалом работы кремниевых приборов, многоплановостью применения их. Многообразие применения кремниевых приборов предполагает использование кремния с различными электрическими параметрами, определяемыми содержанием легирующих мелких и глубоких примесей.

В связи с изложенным несомненный интерес представляет изучение влияния облучения на физические свойства кремния от весьма чистого до промышленного, применяемого в производстве серийных полупроводниковых приборов с различным содержанием технологических легирующих и остаточных примесей, а также кремния со специально введенными глубокими примесями.

Целью работы является исследование влияния облучения различными видами проникающей радиации на электрические свойства и структуру монокристаллов и поликристаллов из кремния, использования радиации для обработки полупроводниковых материалов с целью модификации их свойств и параметров. Для достижения поставленной цели потребовалось решение следующих задач:

- Исследование структуры исходных и облученных монокристаллических и поликристаллических полупроводников кремния;

- Исследование электрофизических свойств кремния, в частности, изучение проводимости и tg8 диэлектрических потерь;

- Изучение природы дефектообразования при облучении и спектра их энергетических уровней;

- Исследование возможности радиационной модификации свойств полупроводниковых структур и приборов, и оценка эффективности применяемого метода в получении полупроводниковых структур и приборов с заданными свойствами и характеристиками.

Научная новизна. Совокупностью методов рентгенографии, электронографии и оптической микроскопии показано возникновение нарушений кристаллической структуры при облучении;

- Проведена оценка вклада дефектов на электрофизические свойства полупроводников;

- Установлено, что применение различных видов облучения разной энергии и дозы приводит к возрастанию проводимости, концентрации носителей тока (основных и неосновных), возникновению радиационных дефектов с различными энергетическими уровнями;

- Показано единообразное изменение электрофизических и других характеристик полупроводников при использованных дозах облучения (малые и большие), что свидетельствует о единой природе механизма образования радиационных дефектов и их влияния на электропроводность системы;

- На основе изучения изменения электрофизических характеристик полупроводников при широкой вариации технологической предистории получения образцов (температуры радиации в различных их комбинациях) произведена оценка эффективности применения радиационной модификации свойств, структуры полупроводников и приборов на их основе; - Модельными представлениями предпринята попытка объяснить возможность наличия и образования радиационных дефектов глубоких уровней и их распределение в образце.

Практическая значимость. Результаты, полученные при выполнении данной работы, расширяют представления о физических процессах, протекающих в полупроводниках при радиационно-термических воздействиях, что позволяет специалистам, работающим в этой области, в выборе оптимальных технологических условий получения полупроводниковых структур, с целью модификации их свойств. Кроме того, они могут быть использованы при создании новых материалов с заданными свойствами, применяемыми в атомной энергетике, электронике, в космическом приборостроении и других областях науки и техники, где полупроводники находят широкое применение. На защиту выносятся следующие положения:

- Наблюдаемые изменения в структуре полупроводников в зависимости от условий облучения и технологической предыстории их получения;

- Обнаруженные изменения электрофизических свойств (tg5 и р) в зависимости от вида и дозы облучения;

- Возникновение радиационных дефектов структуры и их природа, определение энергии активации уровней радиационных дефектов и их влияние на электропроводность полупроводников;

- Влияние облучения на распределение дефектов по глубине образца, на скорость удаления носителей заряда и эффекта рекомбинации зарядов;

- Радиационная технология модификации структуры и свойств полупроводников и приборов, оценка ее эффективности.

Материалы диссертационной работы опубликованы в 5 статьях и 3 тезисах докладов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на: международной научной конференции «Координационные соединения и аспекты их применения» (г. Душанбе, 1996 г.); научной конференции, посвященной 60-летию профессора Курбоналиева М. К. (г. Душанбе, 1998); научной конференции по физике конденсированных сред (г. Душанбе, 1999); научно-теоретической конференции профессорско-преподавательского состава ТГНУ «День науки» (г. Душанбе, 2000); международной научно-технической конференции, посвященной 70-летию ХГУ (г. Худжанд, 2002 ).

Объем и структура диссертационной работы.

Диссертация состоит из введения, 4-х глав с заключениями, выводов, библиографических ссылок и содержит 126 стр., в том числе 46-рисунков, 10 - таблиц, 108 - наименований списка литературы.

Общие выводы

1. На основе исследования влияния проникающей радиации различных видов и энергии на структуру и свойства кремния установлено, что с увеличением дозы и потока облучения наблюдаются изменения параметров кристаллической решетки (полиморфные превращения), накопление и рост концентрации дефектов, изменения в подвижности, времени жизни основных и неосновных носителей заряда и их концентрации.

2. По температурной зависимости электропроводности облученных образцов определены энергетические уровни различных радиационных дефектов и проведена их идентификация. На основе анализа расчетных и экспериментальных данных сделано заключение о том, что облучение кремния сопровождается уменьшением ширины запрещенной зоны вследствие образования дополнительных акцепторно-донорных уровней, которые обусловливают изменение подвижности носителей и характер проводимости.

3. На основе изучения зависимости радиационного изменения времен жизни ННЗ в базовой области полупроводниковых структур от потока облученных частиц установлено, что при малых значениях потоков наблюдается линейное изменение времен жизни ННЗ, а при больших потоках отклонение от линейности, которое может быть связано как с изменением скорости удаления носителей, так и с изменением характера распределения радиационных дефектов.

4. Исследована скорость удаления носителей в кремнии с разными уровнями легирования при облучении излучениями разных видов. Обнаружено различие между скоростью введения смещений и скоростью удаления носителей, которое может быть объяснено влиянием взаимного экранирования дефектов в ядре области скопления дефектов и наличием макроскопического потенциального барьера на границе матрица-ОСД. Общим эффектом является то, что с увеличением уровня легирования образцов происходит рост скорости удаления носителей при всех видах облучения.

5. При исследовании закономерностей изменения параметров облученных приборов и схем при изохронном отжиге обнаружены три интервала температур, в каждом из которых параметры восстанавливается до некоторых определениях уровней, зависящих от флюенса и наблюдается их стабилизация, что связано с отжигом радиационных дефектов, образующихся по механизмам ионизации и смещения при облучении.

6. Анализ экспериментальных данных по исследованию термической стабильности дефектов в п-р-п (или р-п-р) структурах показывает, что степень восстановления параметров структур в процессе изохронного отжига зависит от флюенса (потока) облучения. При малых флюенсах облучения параметры приборов и структур практически восстанавливаются при низкотемпературном отжиге, а при больших дозах облучения для восстановления исходных значений параметров требуется высокотемпературный отжиг разной длительности.

7. Показано, что с изменением дефектно-примесной структуры и снижением степени неравновесности системы после проведения радиационно-тер-мической обработки изменяется степень деградации параметров приборов при повторных воздействиях. Предполагается, что в процессе первого облучения заметный вклад в изменение параметра ОУ вносят дефекты, которые при повторном (после отжига) облучении не проявляются.

Заключение

Теоретическими расчетами и экспериментальными исследованиями изучено радиационное дефектообразавание в кремнии, облученном различные видами и дозами излучений. Установлено, что в зависимости от величины потока облучения и уровня легирования (особенно при малых её уровнях) изменяется доля первичных радиационных дефектов, уходящих на центр аннигиляции. При малых степенях компенсации при формировании центра наблюдается квадратичная зависимость концентрации этих центров от потока частиц. Рассмотрены вопросы распределения (однородных и неоднородных) дефектов по глубине проникновения частиц в кремнии от скорости генерации первичных смещений, выявлены изменения времени жизни НИЗ в зависимости от эффективности введения А и Е - центров, при разных видах использованного облучения.

Для управления параметрами полупроводниковых приборов и улучшения их качественных показателей изучены влияния радиационных обработок на характеристики кремниевых приборов и интегральных схем. Показано, что воздействие высокоэнергетических частиц может стимулировать структурно- дефектные перестройки и снимать степень неравновесности системы. Релаксационные твердофазные процессы, как и накопление радиационных дефектов, приводят к изменению параметров приборов, и их влияние неоднозначно проявляется при малых дозах облучения всех видов.

1. В Gudden, Lichtelectrishe Erscheinungen, Berlin, 1928.

2. П. С. Тарковский. Внутренний эффект в диэлектриках, М.: Гостехиздать, 1940.

3. W. Pfan, W. Van Rossbroeck, J. Appl. Phys., 25, 1422 (1954).

4. С. И. Вавилов. Люминесценция и ее длительность. Собрание сочинений, М.: АН СССР, 1952.

5. А. Бутаева, В. А. Фабрикант. Изв. АН СССР, сер физ., 21, 541. 1957.

6. S. Kos, Chescoslov. Casopis pro fisicn, 6, 668. 1956.

7. В. С. Вавилов, Phys. and Chem. of Solids, 8, 223. 1952.

8. К. И. Брицин, В. С. Вавилов, Оптика и спектроскопия, 8, 861. 1960.

9. В. С. Вавилов, К. И. Брицин, ЖЭТФ, 32, 1354. 1958.

10. G. Lindhard, М. Scharff, Phys. Rev., 128, 124. 1961.

11. Ю. В. Булгаков и др. Радиационная физика неметаллических кристаллов, т.З, ч.2, Киев, Наукова думка, 1971 , С. 148.

12. Б. Я. Юрпов, ЖЭТФ, 28, 1159. 1958.

13. R. М. Sternheimer, Phys. Rev., П5, 137. 1952. С. Williamson, J. P. Boujot, CEA 2189. 1962.

14. F. Zeitr, Discussion of Faraday Society, 5, 271, (1949).

15. В. Прайс. Регистрация ядерного излучения, М.: ИЛ, 1960.

16. А. А. Воробьев, Б. А. Кононов. Радиационная физика неметаллических кристаллов. т.З, ч.З, Киев, Наукова думка, 1971. С. 78.

17. Б. А. Кононов, В. К. Струц, Радиационная физика неметаллических кристаллов. т.З, ч.2, Киев, Наукова думка, 1971. С. 154.

18. М. Томпсон. Дефекты и радиационные повреждения в металлах, М.: Мир, 1971, С.194.

19. В. С. Вавилов, Н. А. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1962, С. 35.

20. Ю. Н. Книжников. Радиационная физика неметаллических кристаллов. т.З, 4.1, Киев, Наукова думка, 1971, С.112.

21. В. С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники, М.: Физматгиз, 1963, С.180.

22. В. С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники, М.: ФМ, 1963, С.186.

23. В. С. Вавилов. Действие излучений на полупроводники, М.: ФМ, 1963, С.193.

24. G. Kinchin, R. Pease, Reps on Prog in Phys., 18, 1, 1955.

25. W. S. Snyder, J. Nenfild, Phys. Rev, 103, 862. 1966.

26. O. S. Oen, M. T. Robinso, Appl. Phys. Lett, 2, 30 (1963).

27. M. А. Кумахов. Множественные процессы в теории взаимодействия ядерных частиц с кристаллами. Дисс. канд. физ.мат. наук, НИИЯФ, МГУ, 1969.

28. А. Ф. Аккерман, В. А. Ботвин, Ю. М. Никитушев. Радиационная физика неметаллических кристаллов. т.З, ч.1, Киев, Наукова думка.1971. С.298.

29. G. J. Leibfried, J. Appl. Phys., 31., 117. 1960.

30. К. Kamada, I. Kazumata. S. Sada. Physika status solidi. 7, 231. 1964.

31. Дж. Людвиг, Г. Вбдери. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках, М.: Мир, 1964. 320 С.

32. G. Watkins. Proceeding of the 7-th International Conf. on the Physics of Semiconductors, part 3. Paris, 1964.

33. G. Werthiem, Phys. Rev., 105, 1730. 1957; 110, 1272. 1958.

34. Ю. В. Булгаков, Т. И. Коломенская, М. А. Кумахов. Радиационная физика неметаллических кристаллов, Минск.: Наука и техника, 1970 С.76.

35. G. Werthiem, Phys. Rev., 105, 1730. 1957; 110, 1272. 1958.

36. D. Hill, Phys. Rev., 114, 1414. 1959.

37. Г. H. Галкин, H. С. Ритова, В. С. Вавилов, ЖЭТФ, 2, 2025. 1960.

38. J. W. Easley. In: Proceedings of the 7-th Internal Conf. on the Physics of Semiconductors, Part 3, Paris, 1965, P. 341.

39. R. W. Beck et al. J. Appl. Phys., 30, № 09, 1437. 1959.

40. С. M. Рывкин и др., ФТТ, 3, 3211. 1961.

41. К. Malsuura et. al. J. Phys. Soc. Japan, 16, 339. 1961.

42. G. C. Messenger. IEEE Trans, on Nucl. Sci., NS-12, №2, 53. 1965.

43. G. C. Messenger. Report on Internal Sump, on Radiation Effects in Semiconductors. Toulouse, 1967.

44. R. Berman, Rpoc. Roy. Soc., A 208, 90. 1951.

45. F. Vook. Bull. Am. Phys. Soc., 7, 437. 1963; 8, 209. 1963; 9, 289. 1964.

46. J. Eshelby. Ibid., 25, 255. 1964.

47. J. Ziman. Canad. J. Phys., 34, 1256. 1956.

48. J. Kortright, T. Mackey, Ibid., 3, 142. 1958.

49. J. Mackey. Proceedings of the 7-th International Conf. on the Physics of Semiconductors, Part 3, Paris, 1964, P.260.

50. Физические процессы в облученных полупроводниках. Под. ред. JI. С. Смирнова. М.: Наука. 1977. С,-122.

51. Аналитическая химия полупроводников. Кишинев.: Изд. Щтимца. 1975. 220 С.

52. Аналитическая химия элементов. Кремний. JI. В. Мышляева, В. В. Краснощекое. М.: Наука. 1972. С. 99.

53. Ходжаев Т. А. Дис. канд. физ-мат. наук, Душанбе, ТГУ, 1995, 162. С.

54. Гинье А. Рентгенография кристаллов. М.: Физиматгиз. 1961. С. 604.

55. Китайгородский А. И. Рентгеноструктурный анализ мелкокристаллических и аморфных тел. M.J1.: Гостехиздат. 1952. С. 588.

56. Джеймс Р. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. М. ИЛ.: 1950. С, 572.

57. Сагенрс Б. И. Электропроводность полимеров. М.Л.: Химия. 1965. С. -226.

58. Герасимов А. Б., Гоготишвили М. К., Коноваленко Б. М. О зависимости температуры отжига дефектов атом примеси-вакансия от типа примеси. Физ. и техн. полупр. 1986, т.20, в II, С. 1980-1983.

59. Кучеров В. И., Гафуров В. Г., Дружкова И. А. Тезисы третьего Всесоюзного совещания РГП-3, 42. Кемерово, 1982. С.-211.

60. Винецкий В. Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. К.: Наукова думка. 1976. С.-336.

61. Ходжаев Т. А. Координационные содержания и аспекты их применений. Душанбе, 1994. С. -66.

62. Ходжаев Т. А. Координационные соединения и аспекты их применений. Душанбе, 1994. С. -67.

63. Ходжаев Т. А. Радиационные процессы и электронике. ДСП. Москва, 1992. С.-34-46.

64. Ходжаев Т. А., Гафуров В. Г. Физико-химические свойства вещества сб. статьей, вып.2. Душанбе, 1994. С. 123-127.

65. Звягин В. И., Губская В. И., Кучинский П. В., Ломако В. М. Радиационные дефекты Б n-кремнии, облученном альфа-частицами. -ФТП, 1979. 13,1. С.171-173.

66. Губская В. И., Кучинский П. В., Ломако В. М., Петрунин А.П. Особенности радиационного дефектообразования в кремнии при альфа-облучении. Вопросы атомной науки и техники, сер.: Физика радиац. повреждений и радиац. материаловедение, 1981, 2(16), С. 8.

67. Аброян И.А., Титов А.И. Распределение дефектов по глубине при облучении кремния легкими ионами. В кн.: Ионная имплантация. Второй Советско-Американский семинар. Новосибирск, 1979, С.335-350.

68. Будяшкина С. В., Звягин В. И., Ленченко В. М., Радиационные эквиваленты при действии ядерных излучений на материалы электроники. В кн.: Физическая химия в микроэлектронике, Красноярск, 1976, С.3-21.

69. Гафуров О., Джураев У., Нарзиев X. Кинетика радиационно-стимулированных процессов пьезокристаллах. Вопросы физико-химических свойств веществ. Межвузовский сборник. Вып.2. Душанбе, 1995. С. 176- 180.

70. Гафуров В. Г., Джураев У. К., Гафуров О. В. Радиационные дефекты в арсениде галлия. Тез. дакл. межд. конф. «Координационные соединения и аспекты их приминения». Душанбе, 1996. С. 66.

71. Джураев У. К., Гафуров О. В., Гафуров В. Г. Действие радиации на пьезоэлектрические свойств арсенида-галлия. Тез. дакл. межд. конф.

72. Координационные соединения и аспекты их приминения». Душанбе, 1996. С. 25.

73. Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Джанобготов К. Д. О природе радиационных дефектов. Материалы науч. теор. конф. «День науки». Душанбе, 2000, С.31.

74. Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Джанобилов К. Д. Исследование кинетики накопления радиационных дефектов. Материалы научной конференции «Физика конденсированных средств» поев, памяти д.т.н. проф. Гафурова В. Душанбе, 1999, С. 53 55.

75. Гафуров О. В., Ходжаев Т. А., Прохоцкий Ю. М. Распределение стабильных радиационных дефектов в кремнии при облучении неколимированным пучком альфа-частиц. Докл. АН Респ. Тадж. в печать.

76. Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Джанобилов К. Д., Прохоцкий Ю. М. Исследование скорости удаления носителей в легированных и облученных полупроводниковых структурах. Душанбе, 2001, Вестник ТГНУ №4. С. 32-34.

77. Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Прохоцкий Ю. М. Исследование кинетики введения дефектов Si п- и р- типа. Межд. науч. тех. конф. «Физико-химическая исследования полупроводниковых диэлектрических и композиционных материалов». Куляб, 2001. С. 3.

78. Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Прохоцкий Ю. М. Образование радиационных дефектов в облученном Р-кремнии. Межд. науч. тех. конф. «Физико-химическая исследования полупроводниковых, диэлектрических и композиционных материалов». Куляб, 2001. С.5.

79. Булгаков Ю. В., Коломенская Т. И., Кузнецов Н. В. Скорость удаления основных носителей в кремнии, облученном тяжелыми заряженными частицами. ФТП, 1973, 7, И, С. 2236 - 2237.

80. Kimerlimg L. С., Defect states in electron-bombarded silicon: capacitance transient analysis. Rad. Eff. Semicond,, 1976. Int. Conf. Dubrovnik, 1976. London-Bristol. 1977. P.221-230.

81. Холодарь Г. А., Данковский Ю. В., Конопляных В. В., Винецкий В. Непрямая рекомбинация вакансий и междоузельных атомов в облученном кремнии. ФТП, 1976, 10, 9. С. 1712 -1718.

82. Ткачев В. Д., Минаев Н. С., Мудрый А. В., Шредель К. Обнаружение химической активности благородных газов в кремнии методом люминесценции. ДАН БССР, 1979, 23, 4, С. 315 - 318.

83. Mooney P.M., Cheng L.J.» Suli M., Gerson J.D., Corbett J.W.- Phys. Rev. B. 1977. v.15. N 8. P.102-106.

84. Brozel M.R., Newman R.C., Totterdell D.H.J. J. Phys. C.: Sol St. Phys. 1975. v., N 2. P.243-248.

85. Lomako Y.M., Starostin P.Ya. Simulation of electrical characteristics and properties of defect clusters in irradiated semiconductors. Phys. Stat. Sol.(a), 1981, 63. P.585-593.

86. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники./Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Сов. радио, I960. С.24.

87. Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Прохоцкий Ю. М. Рекомбинация неосновных носителей заряда в п- и р- кремнии при облучении альфа-частицами и нейтронами. Душанбе, 2001. С. 20 24. Вестник ТГНУ, №4.

88. Ходжаев Т. А., Гафуров О. В., Ниезова Л. М., Прохоцкий Ю. М. Природа образования радиационных дефектов в облученном р- кремнии. Материалы межд. конф. «Современные проблемы физико-механических свойств конденсированных сред». Худжанд: 2002. С. 112-114.

89. Корчунов Ф. П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск: Наука и техника, 1986, 254 С.

90. Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты Е элементах интегральных схем. М.: Энергоатомиздат, 1986, 256 С.

91. Агаханян Т. М., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах М.: Энерго-атомиздат, 1988. 256 С.

92. Вологдин Э. Н.// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы, I960. № 7 (142). С. 3-5.

93. Лубченко А. Ф., Гирий В. А., Кулаков В. М. и др. Физические основы радиационной технологии твердотельных электронных приборов. Киев: Наукова Думка, 1976. 200 С.

94. Вавилов В. С., Горин Б. М., Данилин Н. С. и др. Радиационные методы в твердотельной электронике. М.: Радио и связь, 1990. С. 184.

95. Кремниевые планарные транзисторы /Под ред. Я. А.Федорова. М. : Сов. радио, 1973. С. 336.

96. Костиков В. В., Крештофоров В. М., Стеля В. Л.// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы, I960. №7 (142). С. 37 39.

97. Свирновски Л. Д., Васильев А. В.//Физические основы полупроводниковой тензометрии. Новосибирск, 1982. С. 137 150.

98. Монамс А. С., Лаптев С. А.//Эффекты влияния их воздействий в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Ташкент, 1985. С. 43 -50.

99. Губская В. И., Звягин В. И., Кубинский П. В., Ломако В. М.//Полупроводниковые приборы, 1978 . №8 (126). С. 102-106.

100. Голубев Н. Ф., Латышев А. В., Ломако В. М., Прохоцкий Ю. М., Савенок Е. Д.// Методы и аппаратура исследования и измерения силовых полупроводниковых приборов. Таллинн: Валгус, 1987. С. 113-117.

101. Голубев Н. Ф., Латышев А. В., Ломако В. М., Прохоцкий С. М., Савенок Е. Д.// Электрическая релаксация в элементах микросхем /Под ред. А. К. Тихонова. М.: 1988. С. 95 100.

102. Борисенко В. Е., Мелъянец Г. И., Пацко А. И., Тупахин В. М.// Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника, 1977. №5 (71). С.81 84.

103. ЮЗ.Греськов И. М., Романов Ю. П., Смирнов О. А. и. др.// Электронная промышленность, 1978. №9. С. 49-50.

104. Пека Г. П., Токалин О. А.// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев, 1988. Вып. 14. С.1 14.

105. Литовченко В. Г., Киблик В. Я., Литвинов Р. О. //Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев, 1982. Вып.1. С. 69-73.

106. Юб.Гадоев С. М., Гафуров О. В., Эмомов С. Э. Выявление катастрофических отказов в ИС Вестник ТГНУ вып.5. Сино. Душанбе, 2001. С. 42.

107. Гадоев С. М., Гафуров О. В. Излучение переходных ионизационных эффектов в ИМС. Материалы межд. конф. АН РТ «Физика конденсированных систем». Душанбе, 2001. С.24.

108. Гадоев С. М., Гафуров О. В. Проблемы модулирование влияния ионизированного излучения в широком диапазоне температур. Материалы межд. конф. АН РТ «Физика конденсированных систем». Душанбе, 2001. С.26.