Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Дефекты и дефектообразование вктурах 81-8Ю2.

1.1 Строение термически полученного окисного слоя на поверхности кремния.

1.2 Дефекты в слоях двуокиси кремния на кремнии.

1.3 Дефектообразование в структурах 8ь8Ю2.

Глава 2. Методика эксперимента.

2.1 Используемые образцы.

2.2 Экспериментальные методы исследования.

2.2.1 Особенности системы электролит-диэлектрик-полупроводник (ЭДП).

2.2.2 Измерение ВЧ вольтфарадных характеристик системы 81-8Ю2-электролит.

2.2.3 Метод полевых циклов.

2.2.4 Метод послойного стравливания.

2.3 Метод кинетиктока.

2.4 Метод последовательных кинетик тока.

Выводы к главе 2.

Глава 3. Исследование изменений зарядового состояния структур ЭнвЮ,, в результате полевых воздействий.

3.1 Исследование процессов дефектообразования в структурах Б1-8Ю2 (с1ох > 50нм).

3.2 Характеристики электрически активных центров, образующихся при полевом воздействии на структуры из области полей ЕЗ.

3.3 Изменение зарядового состояния структур Экве - вЮ2.

3.3.1 Исследование структур ЭкОе - БЮ2 методом полевых циклов.

3.3.2 Исследование 8кОе-8Ю2 методами кинетики \/рв и послойного профилирования.

3.4 Исследование процессов дефектообразования в структурах 8ь8Ю2 (с!ох < 50 нм).

3.4.1 Полевые циклы, полученные на структурах 8ь8Ю с!ох < 50 нм).

3.4.2. Кинетика \/РВ при полевых воздействиях из области электрических полей ЕЗ на структуры 8ь8Ю с!ох < 50 нм).

Выводы к главе 3.

Глава 4. Исследование изменений зарядового состояния структур 8ь8Ю2 в процессе полевого воздействия.

4.1 Изменение зарядового состояния структур 8ь8Ю с!ох > 50 нм) в процессе полевого воздействия из области полей ЕЗ.

4.1.1 Кинетики сквозного тока системы 8ь8Ю2-электролит в области электрических полей ЕЗ.

4.1.2 О стабильности зарядов, образующихся в структурах

8ь8Ю2 непосредственно в процессе полевого воздействия.

4.1.3 Определение параметров зарядов, образующихся в структурах 8ь8Ю2 в результате полевого воздействия в области полей ЕЗ.

4.1.4 Использование метода последовательной регистрации кинетик тока для изучения процессов образования зарядов в подвергнутых полевому воздействию структурах Бь8Ю2.

4.1.5 Аномальное поведение кинетик тока и потенциала плоских зон структур 8н8Ю2 (с!ох > 50нм).

4.2 Изменение зарядового состояния структур 8ь8Ю с1ох < 50нм) в процессе полевого воздействия в области ЕЗ.

Выводы к главе 4.

Глава 5. Процессы полевого дефектообразования и природа образующихся дефектов в структурах 8ь8Ю2.

5.1. Обобщение экспериментальных результатов.

5.2. Возможные механизмы полевого дефектообразования и природа образующихся дефектов.

Выводы к главе 5.

Одним из факторов, определяющих темпы научного и технического прогресса в твердотельной электронике и микроэлектронике, является успешное проведение фундаментальных исследований физико-химических процессов, протекающих в структурах полупроводник - диэлектрик и, в первую очередь, в структурах ЗьБЮ,. Центральное место среди подобных исследований занимает изучение процессов, обусловленных возбуждением электронной подсистемы твердого тела и ее последующей релаксацией. Наибольший интерес вызывают такие процессы релаксации возбужденной электронной подсистемы структур диэлектрик-полупроводник (ДП), которые приводят к различным видам атомных перестроек, т.е. к дефектообразованию. При этом в случае аморфных материалов, а именно таковыми являются диэлектрические пленки на поверхности полупроводников, заметная роль процессов дефектообразования обусловлена существенно большей, чем в кристаллических твердых телах, ролью эффектов локализации электронных возбуждений, вызванных нарушением трансляционной симметрии. В свою очередь изучение процессов дефектообразования в структурах ДП может быть использовано для исследования механизмов взаимодействия возбужденной электронной подсистемы аморфного диэлектрика с ее атомной матрицей. При этом различные механизмы дефектообразования будут соответствовать различным стадиям взаимодействия электронной и атомной подсистем исследуемых ДП структур.

Использование в качестве объекта исследования структур Б^Ю,, полученных термическим окислением, обусловлено как высоким совершенством межфазовой границы (МФГ) кремний-двуокись кремния, так и широким использованием данных структур в качестве основы элементной базы современной микроэлектроники. Если первое обстоятельство позволяет детально изучить процессы дефектообразования, то второе — обуславливает несомненную практическую значимость выполненных исследований.

В данной работе рассмотрены процессы дефектообразования под воздействием электрических полей, локализованных в диэлектрическом слое, т.е. при тех условиях, которые реализуются при эксплуатации дискретных и интегральных приборов, изготовленных на основе структур 8ь8Ю2. Изучение процессов полевого дефектообразования несомненно является актуальной и практически важной задачей.

При изучении процессов дефектообразования в структурах ЭьБЮ,, использовалась система электролит-диэлектрик-полупроводник (ЭДП), обладающая рядом несомненных преимуществ перед традиционно используемой для подобных исследований системой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Данная система позволяет для заданной толщины окисного слоя создавать в нем значительно более сильные электрические поля (до 30 МВ/см для толщин БЮ,, порядка 25 нм), не вызывая деструктирующего пробоя и осуществлять эффективный контроль за свойствами ДП структур. При этом используются как традиционные для микроэлектроники методы (методы ВФХ, ВАХ и т.д.), так и специально разработанные применительно к ЭДП системе методы исследования и экспресс-диагностики (методы полевых циклов, электролюминесценции, послойного профилирования и т.д.).

Цель настоящей работы заключалась в установлении основных закономерностей образования и природы электрически активных дефектов в структурах 8ь8Ю2 в процессе полевого воздействия. Для реализации данной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать методику определения зарядового состояния структур кремний-двуокись кремния непосредственно в процессе полевого воздействия.

2. Исследовать основные закономерности образования электрически активных центров в структурах 8К8Ю2 при полевых воздействиях.

3. Предложить модельные представления о природе и механизмах полевого дефектообразования в структурах кремний-двуокись кремния.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Впервые проведено совместное изучение процессов дефектообразования в структурах 81-8Ю0 двумя способами: методами, позволяющими проследить изменение зарядового состояния структур до и после полевого воздействия; методом кинетик тока, разработанным в рамках настоящей работы, позволяющим изучать процесс дефектообразования непосредственно в процессе полевого воздействия.

2. Показано, что полевые воздействия на структуры 81-8Ю2 в полях, не вызывающих развитие процесса ударной ионизации в окисном слое, приводят к образованию положительно и отрицательно заряженных дефектов в области МФГ 8ь8Ю2, концентрация которых определяется условиями формирования структур и не изменяется при прекращении полевого воздействия.

3. Обнаружена существенная зависимость процессов полевого дефектообразования в структурах 8ь8Ю2 от толщины окисного слоя. Показано, что полевые воздействия на структуры 8ь8Ю2 с толщинами окисного слоя менее 50 нм приводят, начиная с некоторой пороговой напряженности электрического поля (зависит от с1ох), к подключению дополнительного механизма генерации положительно и отрицательно заряженных дефектов в объеме окисного слоя на расстоянии (10 - 20) нм от МФГ 8ь8Юг

4. Предложена модель, описывающая процессы дефектообразования в окисном слое структур 8ь8Юг Согласно этой модели природа этих дефектов тесно связана с особенностями строения области межфазовой границы кремний-диэлектрик и с наличием в этой области преддефектных состояний, способных при взаимодействии с горячими электронами трансформироваться в электрически заряженные центры разного знака.

Практическая значимость работы.

1. В работе предложен новый метод исследования изменения зарядового состояния структур 8ь8Ю2 непосредственно в процессе полевого воздействия, основанный на измерении кинетики сквозного тока, протекающего через структуру в определенной области полей.

2. Детально изучен процесс дефектообразования на структурах кремний-двуокись кремния, полученных по различным промышленным технологиям и определены параметры зарядов, образующихся в окисном слое при полевом воздействии.

3. Показана возможность создания стабильного зарядового состояния структур 8ь8Ю2, путем предварительной их поляризации в предпробойных полях.

На защиту выносятся:

1. Метод кинетик тока—метод исследования зарядового состояния структур кремний-двуокись кремния непосредственно в процессе полевого воздействия.

2. Закономерности образования и трансформации электрически активных центров в окисных слоях структур кремний-двуокись кремния под действием электрического поля в зависимости от толщины окисного слоя и исходных свойств исследуемых структур.

3. Способ изменения и стабилизации зарядового состояния структур 8ь8Ю2 путем их предварительной поляризации в предпробойных электрических полях в системе электролит-диэлектрик-полупроводник.

Структура работы:

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов, списка литературы. Содержит 137 страниц машинописного текста, 45 рисунков и 79 библиографических ссылок.

Основные выводы.

1. Разработана и апробирована методика, основанная на измерении кинетики сквозного тока системы 81-8Ю2 - электролит и позволяющая эффективно исследовать изменения зарядового состояния окисного слоя непосредственно в процессе полевого воздействия. В случае формирования в результате полевого воздействия зарядов различной природы, образующихся в разных областях электрических полей; для эффективного определения параметров заряда может быть применена разработанная методика последовательных кинетик тока. В случае неизменности зарядового состояния структур 8ь8Ю2 после прекращения полевого воздействия совместное измерение УРВ(1;) и 1(1) позволяет эффективно определять параметры образующихся в поле зарядов.

2. С использованием методов полевых циклов, кинетик потенциала плоских зон и сквозного тока, послойного профилирования изучено изменение зарядового состояния структур 8ь8Ю2 в процессе полевого воздействия. Выявлен существенно различный характер процессов полевого дефектообразования при воздействии полей из области ЕЗ для структур 8ь8Ю с толщинами окис-ных слоев более и менее 50 нм.

3. Показано, что в случае структур 81-8Ю2 (с1ох > 50 нм) полевые воздействия приводят к образованию стабильного суммарного положительного заряда вблизи МФГ с центроидом (15 — 30) нм, параметры которого полностью определяются технологией формирования структур 8ь8Ю2. Установлено, что прерывание полевого воздействия не приводит к изменению величин образующегося заряда. Не изменяется его конечная плотность и при последующих полевых воздействиях в полях, не вызывающих ударную ионизацию в объеме окисного слоя.

4. Установлено, что в случае структур 81-8Ю2 (<1ох < 50 нм) полевые воздействия, начиная с некоторой пороговой напряженности электрического поля, приводят к существенному изменению зарядового состояния окисного слоя, заключающемуся в образовании дополнительных положительного и отрицательного зарядов. Величина пороговой напряженности электрического поля обратно пропорциональна толщине окисного слоя, а их параметры практически не зависят от способов формирования структур 81-8Ю2 и характера предварительных воздействий на них.

5. Детальный анализ полученных экспериментальных результатов показал, что изменение зарядового состояния структур 8ь8Ю2 в результате полевых воздействий в области полей ЕЗ происходит за счет действия двух независимых механизмов.

6. Действие первого механизма приводит к образованию стабильного суммарного положительного заряда, который состоит из пространственно разнесенных отрицательного заряда (центроид (2 ± 1) нм) и положительного заряда (центроид (12 ± 2) нм), образующихся в результате взаимодействия горячих электронов с предцефектами, концентрация которых определяется технологией формирования структур 81-8Ю2. Действие 1 механизма не зависит от толщины окисного слоя.

7. Действие второго механизма полевого дефектообразования отчетливо проявляется в структурах 81-8Ю2 с толщиной окисного слоя менее 50 нм и заключается в образовании, начиная с некоторой пороговой напряженности электрического поля, дополнительного положительного заряда ~ 1013 см"2 (центроид (19 ± 3) нм), параметры которого не зависят от условий создания структур и не изменяются после прекращения полевого воздействия на стадии его формирования. Продолжение полевого воздействия приводит к образованию отрицательного заряда ~ 1013 см-2 (центроид (11 ±4) нм), компенсирующего положительный заряд. Образование этих зарядов связано с существованием горячих электронов в окисном слое и их взаимодействием с элементами структуры окисного слоя. Проявление данного механизма полевого дефектообразования на структурах с с1ох < 50 нм, по-видимому, обусловлено особенностями разогрева электронов в тонких окисных слоях и процессами диссипации их избыточной энергии.

8. В результате сопоставления экспериментальных данных с особенностями строения области МФГ БьЗЮ, сделаны предположения относительно природы зарядов, образующихся в результате действия первого механизма полевого дефектообразования. Образование отрицательного заряда связывается с дефектами типа 813 = 81°, а положительного — с дефектами типа Оэ = 81°. Природа дефектов, образующихся в результате действия второго механизма полевого дефектообразования к настоящему времени не установлена.

1. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П Электроника слоев SiO, на кремнии. Л.: Изд. ЛГУ, 1988,304 стр.

2. Sah С.Т. Models and experiments an degradation of oxidized silicon, Solid. St. Electron., 1990, Уо1.33,№ 2, p.p. 147-167.

3. Литовченко В.Г. Трехслойная модель структур полупроводник диэлектрик. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1973, № 12, с. 3-12.

4. Grunthaner P. J., Grunthaner F. J., Vasques R.P., et. al. High-resolution X-ray photo-electron spectroscopy as a probe of local atomic structure. Phys. Rev. Lett., 1979,V. 43, p. 1683-1686.

5. Raider S.I., Flitsch R. X-ray photoelectron spectroscopy of Si-Si02 intefacial regions. IBM J. Res. Dev., 1978, V.22, № 3, p. 294-303.

6. Grunthaner F J., Lewis B.F., Zanrand N., Maserjian J. XPS studies of structure-induced radiation effects at the Si-Si02 interface. IEEE Trans., Nucl. Sci., 1980, V. NS-27, № 6, p. 1640-1686.

7. Бургер P., Донован P. Основы технологии кремниевых интегральных схем., 1969, М.: Мир, 451 с.

8. Beekman К., Harrik N. Hydrides and hydroxyls in silicon dioxide films. J. Electrochem. Soc., 1971, V.118,№4,p. 614-619.

9. Tiller W.A. On the kinetic of the thermal oxidation of silicon. 1. A theoretical perspective. J. Electrochem. Soc., 1980, V. 127, №3, p. 619-624.

10. Tiller W.A. On the kinetic of the thermal oxidation of silicon. 2. Some theoretical evaluations. J. Electrochem. Soc., 1980, p. 625-632.

11. Tiller W.A. On the kinetic of the thermal oxidation of silicon. 3. Coupling with the key phenomena. J. Electrochem. Soc., 1981, V. 128, №3, p. 689-697.

12. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности, 1990, М., Наука, 216 с.

13. Nicollian Е.Н., Brews J.E. MOS Physics and Technology, 1982, New York, Pergamon Press, 906 p.

14. Instabilities in silicon devices, ed. B. Balland, G. Barbottin. 1989, V. 1,2, Amsterdam.

15. The Si-Si02 system Ed. P. Balk., Amsterdam: Elseveir, 1988.

16. Sah C.T. Models and experiments on degradation of oxidized silicon, Solid. St. Electron., 1990, Vol. 33, №2, p.p. 147-167.

17. Di Maria Temperature dependence of trap creation in silicon dioxide. J. Appl. Phys., 1990, V. 68, №10, p. 5234-5246.

18. Freibcle E. J., Griscom P. L. Treatise on Materials Science and Technology, 1971, N.J., Acad. Press., V. 17,257.

19. Силинь A.P., Скуя Jl.H. Люминесценция собственных дефектов в стеклообразной двуокиси кремния высокой чистоты. Тез. докл. Всесоюзн. совещ. по люминесценции. Ленинград, 1981, с. 182.

20. Силинь А.Р., Трухин А.Н. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02, Рига: Зинатне, 1985,245 с.

21. Nishi Y. J. Journal Appl. Phys., V. 10, p. 257-263.

22. Gerardi G.J., Poindexter E.H., Caplan et. al. Generation of Pb centers by high electric fields: theoretical effects. J. Electrochem. Soc. 1989, V. 136, № 9, p. 26092614.

23. Poindekter E.M. MOS interface states: overview and physicochemicalperspective. Semicond. Sci. And Technol. 1989, V. 4, № 12, p. 961-969.

24. Oldham T.R., McLean F.B., Boesch H.E., et. al. An overview of radiation-induced interface traps in MOS-structures, Semicond. Sci. Techonol., 1989, V. 4, № 12, p. 986-999.

25. McLean F.B. An overview of radiation induced interface traps in MOS-structu-res, IEEE Trans. Nucl. Sei., 1980, V.NS-27,p. 1651-1659.

26. Saks N.S., Brown D.B. Pozier C.M. Time dependence of interface trap formation in MOSFETs following pulsed irradion, IEEE Trans. Nucl. Sei., 1988, V. 35, № 6, p. 1168-1177.

27. Saks N.S., Klein R.B., Griscom D.L. Formation of interface traps in MOSFETs during a low temperature irradiation, IEEE Trans. Nucl. Sei., 1988, V. 35, № 6, Pt. 2, p. 1234-1240.

28. Svenson C.N. The defect structures of the Si-Si02 interface, a model based on trivalent silicon and its hydrogen "compounds", The physics of Si02 and its interface. Ed. Pantelides S.T., N.Y., 1978.

29. Grunthaner P. J., Grunthaner F J., Vasques R.P., et. al., Local atomic and electronic structure of oxide GaAs and Si02/Si interfaces using high resolution an XPS, J. Vac. Sei. AndTechnol., 1979, V. 16, №5, p. 1443-1453.

30. Heyns M.M., Rao R.D., De Reersmaeher R.F. Oxide field dependence of Si-Si02 interface state generation and charge trapping during electron injection, J. Appl. Surf. Sei., 1989, V. 39, № 1-4, p. 327-338.

31. Di Maria Temperature dependence of trap creation in silicon dioxide, J. Appl. Phys., 1990, V. 68, № 10, p. 5234-5246.

32. Fischetti M.V., Di Maria D.J., Bronson S.D., Theis T.N., Kintley J.R. Theory of high-field electron transport in silicon dioxide. Phys.Rev. B, 1985, V. 31, № 12, p.8424-8442.

33. Fischetti M.V. Monte Carlo solution to the problem of high-field electron heating in Si02. Phys. Rev. Lett., 1984, V. 53, №18, p. 1755-1758.

34. Nicollian E.H., Berglund C.N., Schmidt P.F., Andrews J.N. Electrical charging ofthermal Si02 films by injected electron current. J. Appl. Phys., 1971, V.42, № 13, p. 5634-5664.

35. Барабан А.П., Коноров П.П., Кручннин А.А. Электролюминесценция и особенности электронного переноса в слоях двуокиси кремния на кремнии, Вестник ЛГУ, 1984, Вып. 3(16), с. 93-97.

36. Барабан А.П., Коноров П.П., Кручинин А.А Электронные процессы в структурах Si-Si02 в сильных электрических полях. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 1985, № 7, с. 74-87.

37. Барабан А.П., Булавинов В.В., Трошихин А.Г. Исследование изменений зарядового состояния структур Si-SiO? методом полевых циклов в системе с электролитическим контактом. Письма ЖТФ, 1993, т. 19, в. 18, с. 27-30.

38. Woods M.N., Williams R. Hole traps in silicon dioxide. Appl. Phys. Lett., 1974, V. 25, №10, p. 531-532.

39. O'Dvyer J. Theory of high field conduction in dielectric. J. Appl.Phys., 1969, У. 40, №10, p. 3887-3890.

40. Di Stefano Т.Н., Shatzkes M. Impact ionization model for dielectric instability and breakdown. Appl. Phys. Lett, 1974, V. 25, № 12, p. 685-687.

41. Di Stefano Т.Н., Shatzkes M. Dielectric instability and breakdown in Si02 thin films, J. Vacuum. Sci. Technol, 1986, У. 13, № 1, p. 50-54.

42. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П., Кручинин A.A. Изучение процессов деградации структур кремний двуокись кремния в системе электролит - диэлектрик - полупроводник. Микроэлектроника, 1987, т. 16, №4, с. 364-371.

43. Барабан А.П., Климов И.В., Коноров П.П. Изучение процесса образования центров захвата для электронов при формировании структур Si-Si02. Электрофизика слоистых структур. Сер. 6. Материалы. 1988, вып. 4 (280), с. 46-47.

44. Weinberg Z.A. On tunneling in metal-oxide-silicon structures. J. Appl. Phys., 1982, V. 53, №7, p. 5052-5056.

45. Барабан А.П., Булавинов B.B. Локализация дырочных ловушек в структурах Si-Si02. Журн. техн. физ., 1984, т. 54, № 12, с. 2371-2375.

46. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П., Тарантов Ю.А. О захвате дырок на границе Si-Si02.OTn, 1982, Т. 16,№7,с. 1289-1291.

47. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Параметры разогрева электронов в слоях Si02 на кремнии. Письма ЖТФ, 1988, т. 14, № 5, с. 806-809.

48. Барабан А.П., Булавинов В.В., Рыбаков М.О. О механизмах диссипации энергии разогретых электронов в слоях двуокиси кремния. Изв. ВУЗов, физ. 1991, т. 34, №1, с. 36-40.

49. Барабан А.П., Усеинов Э.Д., Теношвили Н.И. О влиянии ударной ионизации в окисном слое на электролюминесценцию структур Si-Si02. Электрофизика слоистых структур. Сер. 6. Материалы, 1988, Вып. 4(280), с. 67-68.

50. Барабан А.П., Булавинов В.В., Савватеев В.Н., Усеинов Э.Д. Разогрев электронов в слоях Si02 на кремнии, подвергнутом полевому воздействию. Письма ЖТФ, 1990, т. 16, № 20, с. 79-82.

51. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. 1978, Киев, изд. Наукова Думка, 314 с.

52. Далиев Х.С., Лебедев А. А., Экке В. Оценка профиля распределения степени окисления кремния в переходных слоях Si-Si02, ФТП, 1985, т. 19, № 6, с. 1156-1157.

53. Гриценко В. А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. 1993, из. "Наука", СО, 280 с.

54. Щеголев Б.Ф., Грунин B.C. Электронное строение центров, образующихся в стеклообразном Si02 в результате разрыва Si-O связей. Физика и химия стекла, 1982, т. 8, № 4, с. 503-506.

55. Cherlov G.B., Freidman S.P., et. al. Electron structure of "oxygen vacancy" defect in Si02, Solid State Commun, 1985, V. 55, № 5, p.495-497.

56. O'Reilly E.P., Robertson J. Theory of defects in vitreous silicon dioxide. Phys. Rev. B, 1983, V. 27, № 6, p. 3780-3795.

57. Griscom D.L., Friebele E,J. Fundamental defect centers in glass, Phys. Rev. B, 1981, V. 24, p. 4896-4898.

58. Robertson J. Intrinsic defects and hydroxyl groups in a-Si02 J. Phys. C: Solid State Phys., 1984, V. 17, p. L221-L225.

59. Edwards A.H., Fowler W.B. Theory of peroxyvadical defect in a-Si02 Phys. Rev. B, 1982, V. 26, № 12, p. 6649-6660.

60. Di Maria D.J. The properties of electron and hole traps in thermal silicon dioxidelayers grown an silicon. The physics of Si02 and its interface, 1978, Ed. Pantelides S.T.,N.Y., p. 160-178.

61. Барабан А.П. Излучательные и безызлучательные электронные процессы в слоях Si02 на кремнии. Аморфные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике. 1989, Одесса, изд. АПН, с. 39-44.

62. Алешина J1.A., Репникова Е. А. Структура аморфных материалов и природа дефектов в них, 1995, Петрозаводск, 112 с.

63. Вихрев Б. И., Герасименко Н.Н., Лебедев Г.П. Исследование радиационных структурных нарушений в пленках Si02 методом ЭПР. Микроэлектроника, 1977, т. 6, вып. 1, с. 71-74.

64. Klein N. Electrical breakdown in thin dielectric films. J. Electrochem. Soc., 1969, Y. 116, №7, p. 963-972.

65. Klein N. Electrical breakdown of insulators by one-carrier impact ionization. J. Appl. Phys., 1982, V. 53, № 8, p. 5829-5839.

66. Громов Б. А. Эллипсометрия, 1978, изд. Наука, 198 с.

67. Solomon P. Breakdown in silicon oxide a review. J. Vacuum. Sci. Technol., 1977, V. 14,№5,p. 1122-1150.

68. Ferry D.K. Electron transport and breakdown in Si02 J. Appl. Phys., 1979, V. 50, №3,p 1422-1427.

69. Fitting H. J., Czarnowski A. Electron breakdown in polar insulating and semiconductor layer. Phys. Status solidi (a).-1986, V. 93, № 1, p. 385-396.

70. Di Maria D.J., Kirtley J.R., Pakulis E. J., et al. Electroluminescence studies in silicon dioxide films containing tiny silicon islands. J. Appl. Phys., 1984, V. 56, №2, p. 401-416.

71. Pepe A J., Chen W., Oyler M. Spectral Analysis of Electroluminescence from Si02under Fowler-Nordheim Tunneling Conditions. J. Electrochem. Soc., 1993, V. 140, №4, p. 1090-1093.

72. Weast R.C., ed Handbook of Chemistry and Physics, CRC Press, Cleveland, 1986.

73. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. 1989, Москва, Наука, 262 с.

74. Румак Н.В. Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах. 1986, Минск, Наука и техника, 208 с.

75. Бершев Н.Е. Исследование закономерностей формирования и электрофизических свойств сверхтонких слоев двуокиси кремния, полученных анодным окислением кремния. Автореферат на соискание ученой степени к.ф.-м.н., 1998, С. Петербург.

76. Krivanek O.L., Tsui D.C., Sheng Т.Т., Kambar A. A high resolution electron microscopy study of the Si-Si02 interface. Ed. By S.T. Pantelides, 1978, N.Y., Perga-mon Press, p. 63-65.