Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

1. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках кислородно-октаэдрического типа.

1.1. Дисперсия комплексной диэлектрической проницаемости.

1.1.1. Доменные стенки в перовскитоподобных сегнетоэлектриках.

1.1.2. Влияние дефектов на движение доменных стенок.

1.1.3. Дисперсия диэлектрической проницаемости деба-евского типа.

1.1.4. Модели, учитывающие распределение релаксаторов.

1.1.5. Влияние доменных стенок на деформацию сегнето-электриков.

1.2. Влияние рентгеновского излучения на характеристики титаната бария и ЦТС.

1.2.1. Обзор экспериментальных данных.

1.2.2. Радиационно-стимулированное старение.

1.2.3. Модели радиационного дефектообразования.

Выводы.

2. Сечения радиационного дефектообразования.

2.1. Дефектообразование комптоновскими электронами.

2.1.1. Неупругое (ионизационное) дефектообразование комптоновскими электронами.

2.1.2. Среднее значение сечения ионизации комптоновскими электронами.

2.1.3. Многократная ионизация.

2.1.4. Расчет вероятности дефектообразования по механизму Варли.

2.1.5. Оценка энергии смещения.

2.1.6. Сечения упругого дефектообразования комптонов-скими электронами.

2.1.7. Расчет среднего линейного пробега электронов в ЦТС.

2.2. Фотопоглощение.

2.2.1. Расчет сечений фотопоглощения на атомах, составляющих титанат бария и ЦТС.

2.2.2. Расчет сечений фотопоглощения в титанате бария и ЦТС.

2.2.3. Оже-деструкция вследствие фотопоглощения на глубоких оболочках атомов.

2.2.4. Ионизационное и упругое дефектообразование фотоэлектронами

Выводы.

3. Аппаратное и программное обеспечение для измерения и обработки диэлектрических характеристик сегнетоэлектри-ков.

3.1. Назначение и состав автоматизированного измерительного комплекса.

3.2. Разработка программного обеспечения для расчета функции распределения релаксаторов.

3.2.1. Анализ корректности поставленной задачи.

3.2.2. Логарифмическая трансформация аргумента и сведение уравнения Фрелиха к виду свертки.

3.2.3. Представление уравнений в виде уравнения Фред-гольма общего вида. Регуляризованное интегральное уравнение.

3.2.4. Обобщенный принцип невязки для выбора параметра регуляризации а.

3.2.5. Описание численного алгоритма.

3.2.6. Тестирование программного обеспечения.

Выводы.

4. Экспериментальные результаты.

4.1. Технология изготовления и структура образцов.

4.2. Методика эксперимента и обработки результатов.

4.3. Исследование влияния облучения на релаксационные процессы.

4.4. Исследование влияния облучения на процессы переполяризации.

4.5. Гармонический анализ электрического смещения и исследование влияния облучения на амплитуды гармоник.

4.6. Анализ результатов экспериментальных исследований.

Выводы.

Актуальность темы

Развитие технологии получения тонких сегнетоэлектрических пленок открывает возможность создания на их основе репрограммируемых, энергонезависимых запоминающих устройств интегральных микросхем. Стабильная работа таких микросхем, а также преобразователей на основе твердотельных структур сегнетоэлектрик-полупроводник в условиях, предъявляющих особые требования радиационной стойкости, обуславливает необходимость исследования механизмов радиационного дефектооб-разования. Одной из важнейших задач физики и технологии сегнетоэлек-триков является исследование влияния облучения для выяснения степени радиационной стойкости, поиска радиационно-стойких материалов, используемых в приборах электронной, оптической и другой техники. Не менее важной проблемой является задача радиационного воздействия на материалы с целью изменения, улучшения или придания им новых свойств.

Изменение как электрофизических, так и электромеханических свойств сегнетоэлектриков при облучении связано с влиянием дефектов на движение доменных и межфазных границ. Для многих приложений (например, элементов энергонезависимой памяти) определяющую роль играют особенности доменной структуры, влияющей на эффективность переключения. Фундаментальной проблемой физики сегнетоэлектриков - изучением динамики доменных границ - активно занимаются представители школ Шувалова J1.A., Фесенко Е.Г., Рудяка В.М., Леманова В.В., Сигова A.C., Шильникова A.B., Шура В.Я., Гриднева С.А. и др. Отмечено влияние дефектов как на обратимое движение доменных стенок в слабых полях или высоких частотах, так и на необратимое движение в сильных полях или низких частотах. Галияровой Н.М. показано, что наиболее существенное влияние различного рода дефектов на спектр диэлектрической проницаемости выявлено именно в низкочастотном (НЧ) и инфранизкочастотном (ИНЧ) диапазоне, где в слабых полях движение доменных границ имеет релаксационный характер и спектры описываются уравнениями дебаевско-го типа с единственным временем релаксации [1]. Одновременно следует подчеркнуть, что в последнее время центр тяжести исследований, проводимых в физике твердого тела, в том числе в физике СЭ, все более смещается от изучения свойств кристаллов к изучению физики явлений в системах, обладающих структурным беспорядком. В таких системах, и сегнето-керамике в том числе, спектры проницаемости оказываются размытыми, для учета этого размытия используют параметр распределения релаксаторов по временам релаксации и модели Коула-Коула. Однако эти простые модели приводят к весьма сложным функциям распределения релаксаторов, что не обосновано какими-либо физическими моделями. Кроме того, в температурной зависимости наблюдаются отклонения от аррениусовской и определение величины потенциальных барьеров становится проблематичным.

Таким образом, экспериментальное исследование спектров диэлектрической проницаемости в диапазоне частот 10"3 - 2-104 Гц для определения функции распределения релаксаторов по временам релаксации, изучение влияния рентгеновского облучения на ее вид, разработка моделей радиационного дефектообразования в диапазоне энергий 8-102 - 1.5-106 эВ является актуальной задачей.

Целью работы является исследование влияния рентгеновского излучения на релаксационные и переключательные процессы в сегнетоэлектриках перовскитоподобного типа для оптимизации энергий воздействия при прогнозируемом изменении их электрофизических и электромеханических характеристик.

В соответствии с поставленной целью требовалось решить следующие задачи:

• с помощью компьютерного моделирования оценить вклад в сечение радиационного дефектообразования наиболее вероятных процессов взаил модействия сегнетоэлектриков и квантов с энергией от 8-10 до 1.5-106 эВ.

• разработать программное и методическое обеспечение для расчета функции распределения релаксаторов по спектрам диэлектрической проницаемости;

• изучить влияние рентгеновского излучения на распределение релаксаторов;

• экспериментально исследовать влияние рентгеновского излучения на петли гистерезиса, частотные зависимости действительной и мнимой составляющих комплексной диэлектрической проницаемости;

Научная новизна

• По экспериментальным частотным зависимостям комплексной диэлектрической проницаемости рассчитаны функции плотности распределения релаксаторов по временам релаксации для пленок сегнетокерамики перовскитоподобного типа.

• Экспериментально установлено влияние энергии рентгеновских квантов на распределение релаксаторов по временам релаксации, на полевую и частотную зависимости амплитуды первых пяти гармоник электрического смещения.

• Впервые обнаружена корреляция характера движения доменных стенок с соотношением амплитуд четных и нечетных гармоник в спектре электрического смещения и зависимость этого соотношения от напряженности поля и частоты, что позволило разработать модель сегнетоэлектри-ческого гистерезиса и обосновать критерий характера движения доменных стенок.

• Разработана методика расчета сечений радиационного дефектообразо-вания, позволившая оценить соотношение вкладов упругого и ионизационного механизмов образования дефектов комптоновскими электронами и Оже-деструкции в сложных оксидах.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Методика расчета средних сечений радиационного дефектообра-зования в сложных ионных соединениях, позволяющая оценить соотношение вкладов упругого и ионизационного механизмов смещения атомов в перовскитоподобных сегнетоэлектриках в зависимости от энергии смещения атома и от энергии кванта в диапазоне от 8 -102 до 1.5-106 эВ.

2. Результаты количественного анализа вклада различных механизмов дефектообразования в титанате бария и ЦТС состава, соответсвующе-го области морфотропного перехода.

3. Необратимый характер движения доменных границ в пленках и объемных керамических образцах ЦТС соответствует преобладанию в спектре электрического смещения нечетных гармоник.

4. Влияние рентгеновского облучения на спектр релаксаторов, полевые и частотные зависимости амплитуд первых пяти гармоник определяется энергией гамма-квантов.

Практическая значимость

Обнаружена корреляция соотношения амплитуд четных и нечетных гармоник с характером движения доменных стенок, причем это соотношение может быть использовано при исследованиях свойств сегнетоэлектри-ков, обусловленных движением доменных стенок, в качестве критерия характера этого движения.

Разработанное программное обеспечение позволяет рассчитывать функцию распределения релаксаторов по частотной зависимости действительной части комплексной диэлектрической проницаемости в', точность измерения которой всегда выше измерения частотной зависимости мнимой части в". Если погрешность измерения г" превышает 5%, что нередко наблюдается в эксперименте, то расчет по частотной зависимости в' является единственной возможностью достоверной идентификации.

Полученные в работе результаты по исследованию влияния облучения на спектр распределения релаксаторов, на частотные и полевые зависимости амплитуд гармоник электрического смещения углубляют представления о влиянии дефектов на движение доменных стенок.

Результаты моделирования процесса образования дефектов в сегне-токерамике позволяют существенно пополнить имеющуюся информацию о процессах взаимодействия рентгеновского излучения со сложными оксидами, уточнить энергетические диапазоны преобладания одного из механизмов дефектообразования: упругого, ионизационного комптоновскими электронами или Оже-деструкции. Это приводит к возможности прогнозируемого изменения свойств сегнетоэлектриков при воздействии гамма-облучения различной длины волны.

Диссертационная работа выполнена в рамках гранта по фундаментальным исследованиям в области технических наук ТОО-1.5-1746 Минобразования РФ. Материалы работы внедрены в Институте электротехники Московского энергетического института (ТУ), Самарском институте инженеров железнодорожного транспорта и его Уфимском филиале, Санкт-Петербургском институте путей сообщения, РНПО "Росучприбор".

Апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на 2-ой Всероссийской НТК с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Таганрог, 1995); Second and third international seminars on relaxor ferroelectrics (Dubna 1996, 2000); Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика" (Москва, 1998, 1999); международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы анализа и обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем" (Пенза, 1998); The 8-th International Meeting on Ferroelectrics-Semiconductors (Rostov-on-Don, 1998); III и IV международных научно-методических конференциях "Университетское образование" (Пенза, 1999, 2000); Международном симпозиуме "Надежность и качество" (Пенза, 1999); XV и XVI Всероссийских конференциях по физике сег-нетоэлектриков (ВКС) (Ростов-на-Дону, 1999 и Тверь, 2002); IV International Conference on Electronics, Electromechanics and Electrotechnology (Klyasma, 2000); Девятой международной конференции "Физика диэлектриков", (Санкт-Петербург, 2000); VII Международной научно-технической конференции МГУ "Высокие технологии в промышленности России", (Москва, 2001); Международном симпозиуме "Порядок, беспорядок и свойства оксидов (ОДПО)" (Сочи, 2001); 7th Russia/ CIS / Baltic / Japan Symposium on Ferroelectricity, (St. Petersburg, 2002).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 24 работах, из них 10 статей и тезисы к 14 докладам на международных, всероссийских, региональных научно-технических конференциях, симпозиумах и семинарах.

Личный вклад автора

Диссертантом самостоятельно разработана методика расчета сечений упругого и ионизационного дефектообразования комптоновскими электронами и Оже-деструкции в сегнетоэлектриках. Диссертантом самостоятельно получено и обработано абсолютное большинство приводимых экспериментальных результатов с помощью самостоятельно созданного программного обеспечения. Выбор направления исследований, формулировка задач и обсуждение результатов проводились совместно с научным руководителем. Аппаратное обеспечение исследований, анализ экспериментальных данных осуществлены совместно с научным руководителем и Ме-тальниковым A.M.

Выводы

1. Облучение квантами с энергией 70 кэВ приводит к увеличению времени релаксации, остаточной поляризации, относительной амплитуды 3 и 5 гармоник при низких частотах или сильных полях, при одновременном уменьшении коэрцитивной силы, то есть, затрудняется релаксационное и облегчается гистерезисное движение доменных границ. Эти эффекты позволяют заключить, что дефекты мигрируют к границам зерен, дислокациям, межфазным и доменным границам, другими словами, облучение квантами с энергией 70 кэВ вызывает перераспределение дефектов.

2. Облучение квантами с энергией 1.25 МэВ приводит к трансформации полуокружности на диаграмме Коула-Коула в дугу, размытию функции распределения релаксаторов, уменьшению остаточной поляризации и увеличению коэрцитивной силы, что свидетельствует об образовании точечных дефектов по всему объему.

3. Гармонический анализ может служить методом для оценки вклада гистерезисного и релаксационного движения доменных границ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

По результатам проделанной работы можно заключить следующее:

1. Разработана методика расчета сечений радиационного дефекто-образования, позволяющая оценить вклад упругого и ионизационного оба-зования дефектов комптоновскими электронами и Оже-деструкции в л / результате фотоэффекта при энергиях квантов от 8-10 до 1.5-10 эВ.

2. Произведена оценка диапазонов энергий, в которых преобладает тот или иной механизм. Показано, что при облучении титаната бария гамма-квантами с энергией от 8-102 до 105 эВ и ЦТС - от 8-102 до 2-104 эВ преобладает ионизационное дефектообразование в результате фотопоглощения на глубоких оболочках тяжелых атомов, а при облучении титаната бария квантами энергией от 105 до 1.5-106 эВ и ЦТС - от 2-104 до 1.5-10 6 эВ необходимо учитывать смещения атомов в результате ионизации глубоко лежащих оболочек атомов титана и кислорода комптоновскими электронами. Ионизационное дефектообразование превышает упругое на 10 и более порядков во всем диапазоне энергий смещения. Фотоэлектроны не обладают энергией достаточной для упругого или ионизационного дефектообразования.

3. Разработанное программное обеспечение позволяет получать функции распределения релаксаторов по частотным зависимостям не только в", но и в', что в случае погрешности измерения е" более 5 % является единственной возможностью расчета функции распределения релаксаторов.

4. Изучены релаксационные процессы и процессы переключения в пленочных образцах ЦТС с десяти процентным избытком оксида свинца в

3 3 диапазоне частот 10" - 2-10 Гц при амплитудах напряженности поля 0.01,

0.1, 1 и 10 МВ/м. Расчитаны функции плотности распределения релаксаторов, обнаружено влияние на их вид амплитуды поля и частоты.

5. Проведен Фурье-анализ сигналов электрического смещения в указанном диапазоне частот И напряжений. Выявлено увеличение вклада нечетных гармоник в спектр электрического смещения с ростом амплитуды напряженности поля и снижением частоты измерительного сигнала, что соответствует трансформации эллипса на графике зависимости смещения от напряженности поля в релеевскую петлю и, затем, в петлю гистерезиса. Предложено оценивать характер движения доменных стенок по соотношению вклада четных и нечетных гармоник.

6. Изучено влияние на релаксационные процессы и процессы переключения облучения рентгеновскими квантами с энергией 70 кэВ. Обнаружено, что облучение квантами с энергией 70 кэВ приводит к увеличению времени релаксации, остаточной поляризации, относительной амплитуды 3 и 5 гармоник при низких частотах или сильных полях, при одновременном уменьшении коэрцитивной силы, то есть, затрудняется релаксационное и облегчается гистерезисное движение доменных границ. То есть дефекты мигрируют к границам зерен, дислокациям, межфазным и доменным границам, другими словами, облучение квантами с энергией 70 кэВ вызывает перераспределение дефектов. Это подтверждает результаты расчетов сечений дефектообразования: при энергии воздействия 70 кэВ с наибольшей вероятностью происходит смещение атомов свинца, вследствие Оже-деструкции. Вероятность миграции атома или залечивания дефекта на два порядка выше вероятности образования дефекта, что должно приводить к снижению парных дефектов в объеме. Вследствие миграции атомов свинца на доменной стенке в областях растяжения повышается концентрация атомов свинца в междоузлиях, и вакансий свинца в областях сжатия, что отражается в увеличении среднего времени релаксации.

7. Облучение квантами с энергией 1.25 МэВ приводит к трансформации полуокружности на диаграмме Коула-Коула в дугу, размытию функции распределения релаксаторов, уменьшению остаточной поляризации и появлению перетяжки на петле гистерезиса, что свидетельствует об образовании точечных дефектов по всему объему. Это подтверждает результаты расчетов сечений дефектообразования: при энергии воздействия 1.25 МэВ с наибольшей вероятностью происходит миграция дефектных атомов кислорода и титана, вследствие ионизации глубоких оболочек ком-птоновскими электронами, и залечивание дефектов за счет этой миграции. С наибольшей вероятностью в междоузлие смещаются атомы свинца, вследствие Оже-деструкции. Таким образом, смещаются из узла в междоузлие атомы свинца, а мигрируют по объему атомы кислорода и титана, то есть дефекты в объеме домена не залечиваются, а на доменных границах в областях растяжения повышается концентрация атомов кислорода и титана в междоузлиях, и их вакансий в областях сжатия. Затрудняется и релаксационное, и гистерезисное движение доменных границ.

8. Предложена математическая модель сегнетоэлектрического гистерезиса, воспроизводящая трансформацию эллипса на графике зависимости электрического смещения от амплитуды напряженности поля в релеевскую петлю и, затем, в петлю гистерезиса при увеличении амплитуды воздействия. Модель подтверждает возможность рассматривать в качестве критерия характера движения доменных стенок соотношение вклада четных и нечетных гармоник.

1. Пешиков Е.В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. - Ташкент: ФАН, 1986. - 140 с.

2. Желудев И.С. Физика кристаллов и их симметрия. М.: Наука, 1987. - 187 с.

3. T.D. Shermergor, A.G. Fokin. Light scattering in ferroelectrics in the vicinity of the critical points of the field phase transition //Ferroelectrics. -1990.- Vol. 11.- Part В.-P. 91,

4. W.J. Merz. Switching time in ferroelectric ВаТЮз and its dependence on cryctail thicness //J. Appl. Phys. 1956. - Vol. 27. -№ 8. -P. 938-943.

5. J. Fousek. B. Brsezina. Relaxation of 90° domain walls of ВаТЮ3 and their equation of motion //J. Phys. Soc. Japan. 1964. - Vol. 19-№6. -P. 830-838.

6. Б. Бржезина, Я. Фоусек. О взаимодействии 90-градуных и 180- градусных доменов в ВаТЮз // ФТТ.- 1962-Т.2. №6. - С. 1400.

7. V.A. Borodina. Formation of a periodical domain structure in a-domain BaTiO^ crystals under the influence of an electric field // Ferroelectrics -1990.- Vol 11.- Part В.- P. 277.

8. Хуберт А. Теория доменных стенок в упорядоченных средах./ Перевод с нем под ред. В.М. Елеонского. М.: Мир, 1977. - 306 с.

9. Жирнов В.А. К теории доменных стенок в сегнетоэлектриках // ЖЭТФ 1958,-т.35. - С.1175-1180.

10. V.N. Nechaev, A.M. Roshupkin. The effect of point defects of orientional type on the dynamics of the domain boundaries in ferroelectrics // Ferroelectrics. 1990 - Vol. 11.- Part В-P. 117.

11. Турков C.K., Котов А.П., Постников B.C. Влияние электронной проводимости на внутреннее трение полидоменныхсегнетоэлектрических кристаллов // ФТТ. 1973. - Т.15. - С. 2521.

12. Сидоркии А.С., Федосов В.Н. Влияние подвижных точечных дефектов на процессы переполяризации сегнетоэлектриков // ФТТ. -1977Т. 19.-В. 6.-С. 1756.

13. Федосов В.Н., Сидоркин А.С. Квазиупругие смещения доменных границ в сегнетоэлектриках // ФТТ. 1976. - Т. 18. -В. 6. - С. 1661.

14. Шильников А.В. Некоторые диэлектрические свойства полидоменных монокристаллов сегнетовой соли, триглицинсульфата и дигидрофосфата калия / Дис. канд. физ.-мат. наук: ВПИ. Воронеж, 1972.-224 с.

15. S.A. Gridnev, V.I Kudryash, B.N. Prasolov, V.T. Dybov, R.M. Fedosyuk, Domain wall and point defect interaction in proper ferroelastic KH3(Se03)2 //Ferroelectrics. 1990 - Vol. 11.- Part В.- P. 233.

16. Рудяк B.M. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986. - 248 е., ил.

17. S.A. Gridnev, B.N. Prasolov, V.V. Gorbatenco, L.A. Shuvalov, Domain and domain-like structure dynamics in ferroelectrics with incommensurate phase //Ferroelectrics. 1990 -Vol. 11.- Part B.-P. 213.

18. Богородицкий Н.П., Волокобинский Ю.М., Воробьев А.А., Тареев Б.М. Теория диэлектриков. M.-JL: Энергия, 1965. - 344 с.

19. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов: Учеб. пособие для вузов. М.: Энергоиздат, 1982. - 320 с.

20. A.I. Bezhanova, V.I. Silvestrov, Т.A. Zeinalova, T.R. Volk. Domain dynamics of strontium-dfrium niobat crictals in low frequency electric fields //Ferroelectrics. 1990 - Vol. 11.- Part B. - P. 299.

21. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев: Вища школа, 1980. - 398 с.

22. С. Elissalde, A. Simon, J. Ravez. A new perovskite oxyfluoride relaxor ferroelectric//Ferroelectrics. -1997. Vol. 199. -№ 1-4.-P. 217.

23. J. Toulouse, R. Pattnaik, Relaxor and superparaelectric behavior in disordered ferroelectrics KLTand KNT//Ferroelectrics. 1997 - Vol. 199. -№ 1-4. - P: 287.

24. Фрелих Г. Теория диэлектриков. Диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери. / Перевод со второго нем. издания под ред. проф. Г.И. Сканави. М.: ИЛ, 1960. - 251 с.

25. Проектирование датчиков для измерения механических величин. / Под ред. Е.П. Осадчего. М.: Машиностроение, 1979. - 480 с.

26. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, Шур М.С. Л.: Наука, 1971.-476 с.

27. ЕЛ. Eknadiosiants, V.Z. Borodin, V.G. Smotrakov, V.V. Eremkin, A.N. Pinskaya, Domain structure of rhombohedral PbTix Zr^O^ crystals // Ferroelectrics. 1990 - Vol. 11.- Part B. - P. 283.

28. Шувалов Л.А. Сегнетоэлектрики // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1979Т. 43.-С. 1554-1559.

29. Индебом В.Л. Сегнетоэластики и история развития теории двойни-кования и теории сегнетоэлектричества // Изв. АН СССР. Сер. физ. -1979.-Т. 43.-С. 1631.

30. Физика сегноэлектрических явлений. Г.А. Смоленский, В.А. Исупов, Р.Е. Пасынков и др. / ред. Г.А. Смоленского. М.: Наука, 1985.- 396 с.

31. Панич А.Е., Куприянов М.Ф. Физика и технология сегнетокерамики. -Ростов-на-Дону: Изд-во Рост, ун-та, 1989. 180 с.

32. Фесенко Е.Г., Данцигер А.Я., Разумовская О.Н. Новые пьезокерами-ческие материалы. Ростов-на-Дону : Изд-во Рост, ун-та, 1983.- 160 с.

33. Пешиков Е.В., Мухтеремов Д.Н. Влияние термической обработки и гамма облучения на свойства и стабильность пьезокерамик разных составов //В сб. «Новые пьезо- и сегнетоматериалы и их применение» М.: изд. МДНТП, 1969. - С. 111-115.

34. Пешиков Ё.В. Стародубцев С.В. Изменение свойств кристаллов ВаТЮз при облучении у-лучами и а-частицами / С.В. Стародубцев. Полное собрание научных трудов. Т.4. Радиационная физика. Ташкент: ФАН, 1971.-331 с.

35. Hauser О., Shenk М., Strahlenduzierte Phasenum—wandlungen einiger Substaren des Perovskite—Gittertyps und ihre thermodinamische Behand-lund //Phys. Status solidi. 1966. -Vol. 18.- P.547.

36. Пешиков E.B., Стародубцев С.В. Изменение свойств кристаллов ВаТЮз при облучении гамма-лучами и альфа-частицами // В сб. "Радиационные нарушения в твердых телах и жидкостях" Ташкент: ФАН, 1967.-С. 60.

37. Соловьев С.П., Кузьмин И.И., Харченко В.А. Влияние облучения на электрофизические свойства титаната бария и материалов на его основе // Изв. АН СССР. Серия физ. 1967. -Т.31. - С. 1757.

38. KeatlingJ. Z, Murphy G. Gamma-Irradiated Effect in Single-Crystalline

39. Barium Titanate // Physical Review. 1969- Vol. 184. - №2 -P. 476 - 480.4(9. Lefkowitz I., Mitsui T. J. Effect of y-Ray and Pile Irradiation on the Co-ercitive Field of ВаТЮз // Journal of Applied Physics. — 1959. Vol. 3. -Nl.-P. 268-269.

40. Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г., Семенчев А.А. Доменная структура многоосных сегнетоэлектрических кристаллов. Ростов-на-Дону: Изд-во РГУ, 1990. - 192 с.

41. Кузьмин И.И., Соловьев С.П., Вербицкая Т.Н., Харченко В.А. Влияние электронного и у-излучения на вариконды ВК-2 и ВК-4 // ФТТ.- 1967. Т. 9. - Вып. 3. - С. 918-920.

42. Соловьев С.П., Кузьмин И.И. Радиационная физика сегнетоэлектри-ков типа титаната бария // Изв. АН СССР. Серия физ. 1970. - Т. 34-С. 2604.

43. Егер Р. Дозиметрия и защита от излучений. М.: Госатомиздат, 1961.-211 с.

44. Стародубцев С.В., Романов А.М. Прохождение заряженных частиц через вещество. Ташкент: Изд-во "Наука" УзССР, 1962. - 197 с.

45. Хайн Дж., Браунелл Г. Радиационная дозиметрия. М.: ИЛ, 1958.- 457 с.

46. Исмаил-Заде И.Г., Азизов Г.С., Нестеренко В.И., Шамиладзе З.Н. // Изв. АН АзербССР. Серия физ.-техн. и мат. наук. 1966. - № 3. -С. 68.

47. Hayakawa S., Ikusima Н. Radiated Damages on ВаТЮз Single Crystal // Journal of the Physical Society of Japan. 1962 - Vol. 17. - P. 1198-1199.

48. Закуркин B.B., Соловьев С.П., Кузьмин И.И. Влияние облучения надиэлектрические свойства некоторых сегнето- антисегнето- и пара-электрических перовскитов // Изв. АН СССР. Серия физ. 1971. -Т. 35.-Вып.10.-С. 1994.

49. Поляризация пьезокерамики. / Под. ред. Е.Г. Фесенко Ростов н/Д: изд-во РГУ, 1968. - 136 с.

50. Бондаренко Е.И., Житомирский Г.А., Фесенко Е.Г. К анализу методов поляризации сегнетокерамики // Сегнетоэлектрики. Ростов н/Д.: изд-во РГУ, 1983.-С. 118-128.

51. Крамаров О.П. Чеботаренко О.Б. Поляризация сегнетокерамики // "Применение пьезоактивных материалов в промышленности" -Ленинград: 1985. С. 49-54.

52. Печерская P.M. Релаксационные явления в активных диэлектриках. Монография. Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 1994. - 72 с.

53. Pecherskaya P.M., Averin I.A. Degradation prosses in PZT ferroelectric ceramics // Abstracts Internat. Symposium on Domain structure of ferro-electrics and related materials. Volgograd: 1989. — P. 114.

54. Окадзаки К. Технология керамических диэлектриков. Пер. с японского. М.: Энергия, 1976. - 336 с.

55. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников- Киев: Наук. Думка, 1979. 336 с.

56. Бор Н. Прохождение атомных частиц через вещество. М.: Изд-во иностр. лит., 1950. - 149 с.

57. Виньярд Дж. Динамика радиационного повреждения // Успехи физ. наук. 1961. - т.74. - № 3. - С. 435-459.

58. Дине Дж., Винийард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. -М.: ИЛ, 1960.-243 с.

59. Лейпунский О.И., Новожилов Б.В., Сахаров В.Н. Распространениегамма-квантов в веществе. М.: Физматгиз, 1960. - 208 с.

60. Томпсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. -М.: Мир, 1971. -367 с.

61. Мотт Н., Месси Г. Теория атомных столкновений. М.: Мир, 1969. - 756 с.

62. Фейнман Р. Теория фундаментальных процессов. М.: Наука, 1978. -200 с.

63. Агранович В.М., Кирсанов В.В. Проблемы моделирования радиационных повреждений в кристаллах // Успехи физ. наук. 1976. - Т. 118.-№ 1.-С. 3-5.

64. Вавилов B.C., Ухин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. - 311 с.

65. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова O.P. Механизмы образования и миграция дефектов в полупроводниках. М. : Наука, 1981. - 386 с.

66. Смирнов JI.C. О радиационных нарушениях в кристаллах // ФТТ. -1960. Т. 2. - № 7. - С. 1669-1670.

67. Абиев А.К., Ухин H.A. Низкотемпературное облучение германия электронами с энергией 28 МэВ // Физ. и техн. полупроводников. -1970. Т. 4.-№ 3. - С. 484 - 487.

68. Ахиезер И.А., Гинзбург А.Э. К теории каскадов столкновений инициируемых быстрыми заряженными частицами // Укр. физ. ж. 1977. -Т. 22.-С. 47-51.

69. Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин H.A. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. -М.: Атомиздат, 1971. 175 с.

70. Головяшкин А.Н., Печерская P.M. Релаксационные явления в ЦТС керамике // Тезисы докладов XIV Всероссийской конференции пофизике сегнетоэлектриков. Иваново, сентябрь 1995. - С. 294.

71. Абдулаев А.Н., Витовский Н.И., Машовец Т.В., Морозов Ю.Г. Ионизационный механизм создания дефектов структуры в антимониде индия // ФиТП. 1975. - Т. 9. - В. 1. - С. 68.

72. Боровский И.С. Физические основы рентгеноспектральных исследований М.: МГУ, 1956. - 157 с.

73. Метод Монте-Карло в проблеме переноса излучений. / Под ред. Г.И. Марчука М.: Атомиздат, 1967. - 256 с.

74. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники./

75. B.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов и др., под ред. Е.А. Ладыгина. М.: Сов. радио, 1980. - 224 с.

76. Merz W.J. Ferroelectric domain of a barium titanate single crystals // J. Appl. Phys. 1954. - Vol. 25.-№ 10. - P. 1346.

77. E.A. Little. Dynamic behavior of domain walls in barium titanate // Phys. Rev. Vol. 98. -№ 4. - P. 978-984.

78. Некрасова P.M. Процессы переключения и перестройка доменной структуры в чистых и смешанных сегнетоэластиках // Сегнетоэлек-трики и пьезоэлектрики. Тверь: изд-во Тверс. госун-та. - 1990.1. C. 108-118.

79. Жаров С.Н., Кольянов С.И., Токаревский В.В., Азаров С.И. // Сегне-тоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь: изд-во Тверс. госун-та., 1990. -С. 97-103.

80. Физика сёгнетоэлектрических явлений / Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, H.H. Крайник, P.E. Пасынков, А.И. Соколов, Н.К. Юшин.-Л: Наука, 1985. 396 с.

81. Бородина В.В. "Внутренний" 90° домен в монокристаллах типа ВаТЮз / Автореф. дис.канд. физ.-мат. наук. Ростов-на-Дону:1. Изд-во РГПУ, 1985. 20 с.

82. Данцигер А .Я., Разумовская О.Н.,. Резниченко JI.A, Дудкина С.И. Высокоэффективные пьезокерамические материалы. Оптимизация поиска. Ростов-на-Дону: Изд-во Пайк, 1994. - 96 с.

83. Гавриляченко С.В., Резниченко Л.А., Рыбянец А.Н., Гаврилячен-коВ.Г. Пьезокерамика для частотно-селективных устройств (Получение, свойства, применение). Ростов—на-Дону: Изд-во Ростовского государственного педагогического университета, 1999. - 233 с.

84. Усманов С.М. Релаксационная поляризация диэлектриков: Расчет спектров времен диэлектрической релаксации. М.: Наука, Физмат-лит, 1996.-144 с.

85. Fuoss R.M., Kirkwood J.G. Electrical properties of solids // J. Amer. Chem. Soc. 1941. - Vol. 63 - № 6. - P. 3 85 - 394.

86. Петросян В.П. Исследование процессов диэлектрической релаксации полимеров // Высокомолекулярные соединения. Сер. А. 1971. - Т. 13. №4.-С. 761 -768.

87. Davidson D.W., Cole R.H. Dielectric relaxation in glicirine // J. Chem. Phys. — 1950.— Vol. 18. —№ 10.-P. 1417-1418.

88. Davidson D.W., Cole R.H. Dielectric relaxation in gliceral, propilene, glycol and n-propanol // Ibid. 1951. - Vol. 19. - № 12. - P. 1484- 1490.

89. Havrilliak S., Negami S.A. A complex plane representation of dielectric and mechanical relaxation process in some polimers // Polimer. 1967. -Vol. 8.-№ 4.-P. 161-310.

90. Williams G., Watts D.C. Non-symmetrical dielectric relaxation Behaviour arising from a simple empirical decay function // Trans. Faraday

91. Soc. 1970. - Vol. 66. -№ l.-P. 80 - 85.

92. Williams G., Watts D.C. Dev S.B., North A.M. Further consideration of non-symmetrical dielectric relaxation behaviour arising from a simple empirical decay function // Ibid. — 1971- Vol. 67. № 5. - P. 1323 - 1335.

93. Cole K.S., Cole R.H. Dispersion and absorption in dielectric. 1. Alternating currents characteristics // J. Chem. Phys. 1941. - Vol. 9. - №4. -P. 341 -351.

94. Абрамов А.И. Основы экспериментальных методов ядерной физики. М.: Атомиздат, 1970. - 559 с.

95. Гайтлер В. Квантовая теория излучений. М: ИЛ, 1956. - 686 с.

96. Бендат Дж., Пирсол А. Прикладной анализ случайных данных: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 540 с.

97. Прохоров Ю.В., Розанов Ю.А. Теория вероятностей. М.: Наука, 1973.-494 с.

98. Стародубцев С.В. Полное собрание научных трудов в 6-ти томах. Т.З кн.З. Взаимодействие гамма-излучения с веществом. Ташкент: ФАН, 1970.-387 с.

99. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наук. Думка, 1979. - 336 с.

100. Хайн Г.Д., Броунелл Г.Л. Радиационная дозиметрия. Перев. с англ. Под ред. Н.Г. Гусева и К.А. Труханова. М.: Изд-во иностр. лит., 1958.-276 с.

101. Физические величины: Справочник / А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.; Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 1320 с.

102. Эланго М.А. Элементарные неупругие процессы. М.: Наука, 1988.-148 с.

103. Парилис Э.С. Эффект Оже. Ташкент: ФАН, 1969. - 122 с.

104. Durup J., Platzman R.L. Role of the Aujer effect in the displacement of atoms in solids by ionizing radiation // Discuss. Faraday Soc. 1961. -Fo/.31- №3.-P. 156-166.

105. T. Egami, S. Teslic, W. Dmowski, D. Viehland, S. Vakhrushev, Local atomic structure of relaxor ferroelectrics solids determined by pulsed neutron and X-ray scattering // Ferroelectrics. 1997. - Vol. 199. -№\ - 4. -P. 11

106. Оксегендлер Б.JI., Султанова Б.Д. Механизмы подпороговых атомных процессов в полупроводниковых соединениях. Ташкент: ФАН, 1976.- 15 с.

107. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М.: Наука, 1976.-408 с.

108. Seitz F. On the disordering of solids by the action of the fast particles // Disc. Farad. Soc. 1949. -№ 5.-P. 271-282.

109. Приседский B.B. Дислокации и подвижность доменных стенок в сег-нетоэлектриках А2 В4 03 // XI всесоюзная конференция по физике сегнетоэлектриков. Тезисы докладов. Т. 2. Киев: 1986. - С. 253.

110. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. -М.: Наука, 1988. 190 с.

111. Оксегендлер Б.Л., Скрипников Ю.С. Упругое и неупругое дефекто-образование вблизи макродефектов в диэлектриках // Влияние несовершенств структуры на свойства кристаллов. Под ред. Б.Л Ок-сегендлера. Ташкент: ФАН, 1979. - С. 11-48.

112. Ситенко А.Г. Лекции по теории рассеяния. Киев: ВШ, 1971. - 260 с.

113. Мотт Н. и Месси Г. Теория атомных столкновений. М.: ИЛ,1951.-705 с.

114. Поройков И.В. Рентгенометрия. -М.: Гостехиздат, 1950. -327 с.

115. Голынтейн Г. Основы защиты реакторов. М.: Госатомиздат, 1961.- 156 с.

116. Маделунг О. Теория твердого тела. Пер. с нем./ Под ред. А.И. Ан-сельма. -М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. литературы, 1980.-416 с.

117. Бурханов А.И., Шильников A.B., Шишлов С.Ю., Димза В., Штернберг А. Диэлектрическая релаксация в легированной и у-облученной сегнетокерамике ЦТСЛ-Х/65/35 // ФТТ. Т.36. - № 8. - С. 2320-2325.

118. Ковалев В.П. Вторичные электроны. М.: Энергоатомиздат, 1987. - 175 с.

119. Платцман Р. Энергетический распад первичных возбуждений при действии ионизирующей радиации/ Современные проблемы радиационных исследований. Пер. с англ. Под ред. Эйдуса Л.Х. М.: Мир, 1977.-С. 13-32.

120. Оксегендлер Б.Л. Юнусов М.С. О времени жизни многозарядовых состояний и подпороговом дефектообразовании в твердых телах. // Докл. АН Уз ССР. 1975. - № 6. - С. 25-28.

121. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Релаксация диэлектрической проницаемости в монокристаллах триглицинсульфата, вызванная изменением температуры // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики: Сб. науч. тр. Тверь: Твер. гос. ун-т. 2002. - С. 61 - 68.

122. Большакова H.H., Выжимова О.В., Некрасова Г.М., Черешнева H.H. Процессы переключения гадолинийсодержащих кристаллов титаната бария // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики: Сб. науч. тр. Тверь: Твер. гос. ун-т, 2002. - С. 68-72.

123. Шильников A.B., Лалетин P.A., Бурханов А.И., Сигов A.C., Вороти-лов К.А. Релаксационные процессы в тонких золь-гельных пленках типа Ni/PZT/Pt // XVI Всероссийская конференция по физике сегне-тоэлектриков (ВКС). -Тезисы докладов. Тверь: 2002. - С. 15.

124. Ярмаркин В.К. Диэлектрическая релаксация и подвижные заряженные дефекты в сегнетоэлектрических тонких пленках Pb(ZrTi)03 и (BaSr)Ti03 // XVI Всероссийская конференция по физике сегнето-электриков (ВКС). -Тезисы докладов. Тверь: 2002. - С. 36.

125. Педько Б.Б., Шикарева А.Ю., Франко Н.Ю., Вараксина О.С. Оптические и электрооптические свойства у,п-облученных монокристаллов LiNb03 // XVI Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС). Тезисы докладов. - Тверь: 2002. - С. 209.

126. Шикарева А.Ю., Педько Б.Б., Голиков В.В. Оптические свойства монокристаллов LiNb03, подвергнутых гамма- и смешанному гамма-нейтронному облучению // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики: Сб. науч. тр. Тверь: Твер. гос. Ун-т, 2002. - С. 73-77.

127. Печерская P.M. Деградационные процессы в сегнетоэлектриках. Учеб. пособие. Пенза: Изд-во Пенз. гос. техн. ун-та, 1993. - 64 с.

128. Печерская P.M., Аверин И.А., Тиллес В.Ф. Complex investigation of ferroelectric ceramics properties II Международный семинар "Релакса-торы-сегнетоэлектрики". Тезисы докладов. - Дубна: 1996. - С. 157.

129. Печерская P.M., Тиллес В.Ф. К расчету сечений радиационного де-фектообразования в перовскитоподобных сегнетоэлектриках // Изв. АН. Сер. физ. 2000. - Т.64. - №6. - С. 1084-1087.

130. Pecherskaya R.M., Tilles V.F. Radiation stimulated lattice damage in ferroelectrics // The third international seminar on relaxor ferroelectrics. -Abstract book. -Dubna, 2000. -P. 87.

131. Tilles V.F., Pecherskaya R.M. Averige cross—sections of elastic and inelastic latice damage // IV International Conference on Electronics, Electromechanics and Electrotechnology- Proceedings. Klyasma, 2000. P. 22-27.

132. Тиллес В.Ф. Процессы Оже-деструкции при облучении перовскитоподобных сегнетоэлектриков // IV Международная научно-методическая конференция "Университетское Образование" Сб. материалов. Пенза, 2000. С. 43.

133. Печерская P.M., Тиллес В.Ф. Радиационное дефектообразование в сегнетоэлектриках // Девятая международная конференция "Физика диэлектриков".- Тезисы докладов. Т. 2- Санкт-Петербург, 2000. -С. 183-185.

134. Метальников A.M., Тиллес В.Ф. Измерительная система на базе ПК для диэлектрической спектроскопии в ИНЧ-НЧ диапазоне // Девятая международная конференция "Физика диэлектриков".- Тезисы докладов. Т.1- Санкт-Петербург, 2000. С. 113.

135. Пронин И.П., Тараканов Е.А., Каптелов Е.Ю., Афанасьев В.П. Явление самополяризации в тонких сегнетоэлектрических пленках // XVI Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС). -Тезисы докладов. Тверь: 2002. - С. 132.

136. Штраус В.Д., Калниньш A.B. Неразрушающие диэлектрические измерения для контроля качества материалов // Измерительная техника.1992. №8.-С. 56.

137. Физический энциклопедический словарь / Гл. ред. A.M. Прохоров. Ред. кол. Д.М. Алексеев, A.M. Бонч-Бруевич, A.C. Боровик-Романов и др. М.: Сов. Энциклопедия, 1984. - 944 с.

138. Лаврентьев М.М. О постановке некорректных задач математической физики. Новосибирск: Изд-во Сиб. отд-ия АН СССР, 1962. - 68 с.

139. Крылов В.И. Приближенное вычисление интегралов. М.: Наука, 1967.-270 с.

140. Тихонов А.Н., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. -2-е изд. М.: Наука, 1979. - 288 с.

141. Верлань А.Ф., Сизиков B.C. Интегральные уравнения. Методы, алгоритмы, программы. Спр. пособие. Киев: Наукова думка, 1986.-592 с.

142. Тихонов А.Н. О решении некорректно поставленных задач и методе регуляризации. // ДАН СССР. 1963. Т. 151. №3. С. 501 - 504.

143. Гончарский A.B. Леонов A.C., Ягола А.Г. Обобщенный принцип невязки // ДАН СССР. 1973. - Т. 13. - №2. - С. 294 - 302.

144. Преображенский Н.Г., Седельников А.И. Метод последовательной компенсации смещения регуляризованного решения некорректных обратных задач. Новосибирск: 1981. - 25 с. - (Препринт/ АН СССР, Ин-т теорет. и прикл. математики; №5).

145. Киуру Э.М., Меченов A.C. Стандартная программа решения линейных интегральных уравнений Фредгольма I рода методом регуляризации. М.: Наука., 1971. - 23 с.

146. Уилкинсон, Райнш. Справочник алгоритмов на языке АЛГОЛ. Линейная алгебра. М.: Машиностроение, 1976. - 389 с.

147. Тиллес В.Ф. Исследование релаксационных процессов в сегнетокерамике // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2001. №2.-С. 56-58.

148. Golovyashkin A.N., Medvedev S.P., Pecherskaya R.M. Influence of x-ray radiation on the dielectric iosses in the PZT ceramics // International Seminar on Relaxor ferroelectrics. -Dubna, 1996. P. 84.

149. Лейман К. Взаимодействие излучений с твердым телом и образование элементарных дефектов. М.: Атомиздат, 1979. - 293 с.

150. Гусев Н.Г., Л.Р. Киммель, В.П. Машкович и др. Физические основы защиты от излучений М.: Атомиздат, 1969. 472 с.

151. Тиллес В.Ф. Исследование распределения времен релаксации по диэлектрическим спектрам // Микроэлектроника и информатика 98: Тезисы докладов Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов. Москва, 1998. - С. 157.

152. Тиллес В.Ф. Определение функции плотности распределения времен релаксации по диэлектрическим спектрам // Сборник докладов МНТК "Актуальные проблемы анализа и обеспечения надежности икачества приборов, устройств и систем". Пенза, 1998. - С.291 - 293

153. Relaxation time distribution research on dielectric spectra / Metalnikov

154. A.M., Pecherskaya R.M., Tilles V.F. // The 8-th International Meeting on Ferroelectrics-Semiconductors. The book of abstracts. - Rostov-on-Don, 1998.-P. 35-36.

155. Тиллес В.Ф. Определение плотности распределения релаксаторов по току деполяризации // Микроэлектроника и информатика 99: Тезисы докладов Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов. - Москва, 1999. - С.48.

156. Тиллес В.Ф. Методика определения функции плотности распределения времен релаксации по диэлектрическим спектрам // Сборник материалов III Международной научно-методической конференции "Университетское образование". Пенза, 1999. - С. 134-136.

157. Peculiarities of the dynamic measurements of ferroelectrics characteristics / R.M. Petcherskaya, I.A. Averin, V.F. Tilles // Symposium on Ferroelec-tricity. Book of Abstracts. - St. Peterburg, 2002. - P. 139.

158. Tihonov's regularization method in relaxation time distribution research / Metalnikov A.M., Tilles V.F. // The third international seminar on relaxor ferroelectrics. Abstract book. - Dubna, 2000. - P.86

159. Тиллес В.Ф. Функция плотности распределения времен релаксации // Сборник докладов Международного симпозиума "Надежность и качество". Пенза, 1999. - С.346 - 348.

160. Упругий и ионизационный механизмы радиационного дефектообра-зования в перовскитоподобных сегнетоэлектриках / P.M. Печерская,

161. B.Ф. Тиллес // Тезисы докладов XV Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (ВКС).- Ростов-на-Дону, 1999.1. C.214 215.