Медленные релаксационные процессы в сегнетоэлектрике-полупроводнике SbSJ тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. МЕДЛЕННЫЕ РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В СЕГНЕ

ТОЭЛЕКТРИКАХ (Обзор литературы).

1.1. Диэлектрическое старение,.

1.2. Свободные носители в сегнетоэлектриках

1.3. Поверхностные слои и доменная структура сегнетоэлектрика

1.4. Некоторые фотосегнетоэлектрические явления, наблюдаемые в сегнетоэлектриках-полупроводниках типа А^1^.

Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1. Объект исследования. Некоторые физические свойства

2.2. Экспериментальные установки.

2.3. Отбор и подготовка кристаллов для иссле дования.

Глава 3. МЕДЛЕННЫЕ РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ И ЭКРАНИРОВАНИЕ В СЕГНЕГОЭЛЕКТРИКЕ-ПОЛУПРОВОД -НИКЕ SSSV

3.1. Временное изменение макроскопических характеристик в темноте.

3.2. Фотостимулирование процесса старения.

3.3. Темновая деформация в процессе старения и фотодеформация.

3.4. Механизм медленных релаксаций в

3.5. Дилатометрическое исследование собственного сегнетоэластика 2MC-Sis0t3. П

Глава 4. ВОЗМОЖНОСТИ ПРАКТИЧЕСКОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ

ИСОВДШОГО ЯВЛЕНИЯ.

4.1. Пути повышения временной стабильности и устойчивости к внешним воздействиям параметров пьезодатчиков на основе 51?53 . . . , И

4.2. Времязадающее устройство на сегнетоэлект-рическом элементе.

Актуальность темы.Многими авторами [1-23] описывались медленно протекающие процессы в сегнетоэлектриках после перевода их из параэлектрической в сегнетоэлектрическую фазу, такие как уменьшение диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь и коэффициента электромеханической связи, де -формация петель диэлектрического и электромеханического гисте -резисов и петель тока, сдвиг температуры Кюри, увеличение коэрцитивного поля, сопровождающиеся в некоторых случаях перестройкой доменной структуры. Все наблюдаемые параметры достигали конечных постоянных значений за характерное время, зависящее от материала и температуры. Такой самопроизвольный процесс изменения диэлектрических параметров во времени называют старением сегнетоэлектрика. Эта проблема вызывает большой интерес и црив-лекает внимание многих исследователей, так как с ней связана стабильность свойств сегнетоэлектрических материалов, применяемых в твердотельной электронике. Отмечалось ускоренное старение при облучении сегнетоэлектриков рентгеновскими, гамма- и нейт -ронными лучами, а также при легировании некоторыми примесями. Таким образом, обработка материалов жестким излучением является средством стабилизации его диэлектрических и пьезоэлектрических свойств.

Для объяснения процесса старения предлагались различные модели. В большинстве из них основным механизмом старения считается превращение метастабильной доменной структуры, образующейся первоначально при переходе в сегнетоэлектрическую фазу, в более устойчивую, равновесную и закрепление ее дефектами решетки.Анализ результатов наблюдений различных авторов показывает, что процесс изменения диэлектрических характеристик сегнетоэлектри-ков, например, титаната бария может сопровождаться как увеличением, так и уменьшением числа 90-градусных доменов, а также может происходить в 180-градусной структуре как при увеличении, так и при уменьшении числа доменных стенок. При объяснении ме -ханизма старения одни авторы, соответственно, предлагают моде -ли, согласно которым наиболее устойчивым является состояние с большим числом 90-градусных [4,6] или 180-градусных [53 доменов, в то время как в моделях других авторов в равновесном состоянии это число мало [7-9]. Во всех упомянутых моделях пере -стройка доменной структуры рассматривается как первичный про -цесс во временном изменении характеристик сегнетоэлектрика, который, однако, может протекать по-разному даже в одном и том же материале. Кроме того, данные модели не объясняют изменений диэлектрических характеристик со временем, происходящих без изменения доменной структуры, как это наблюдалось, например, в кристаллах ТГС [10] и сегнетовой соли, легированной ионами меди [13].

В силу изложенного особое внимание в процессах старения следует уделять стабилизации существующей моно- либо полидоменной структуры. В некоторых моделях предполагалось, что эта стабилизация осуществляется в результате миграции заряженных де -фектов или ионов примесей под действием внутреннего электрического поля и накопления и закрепления их на поверхности кристалла, несущих связанный диэлектрический заряд, либо закрепления доменных стенок на подобных дефектах. На ионно-дефектную природу мигрирующих зарядов указывало, по мнению авторов, ускорение процесса старения при воздействии жесткого излучения или при легировании. Все эти модели рассматривают процессы старения в отрыве от электронных процессов, происходящих в сегнетоэлектри-ках.

Еще в 1957 году Р.Ландауэр [243 указывал на возможность образования устойчивой доменной структуры, на которую из-за полного экранирования спонтанной поляризации свободными носителями заряда внешнее электрическое поле не влияет. Таким образом, влияние свободных носителей заряда на доменную структуру может включать в себя её стабилизацию и связанные с этим явления ди -электрического старения. На роль электропроводности в стабили -зации доменной структуры в процессе диэлектрического старения указывается в ряде работ [11,16,17]. Однако в этих работах не рассматривалась кинетика процесса старения.

Открытие сегнетоэлектричества у фотопроводников типа и фотопроводимости у перовскитных сегнетоэлектриков (5boJiOit PSTi03 ) сделало эффективным исследование влияния электронной подсистемы на сегнетоэлектрические свойства кристаллов и, в частности, на цроцессы старения.

Известен ряд явлений, называемых фотосегнетоэлектрическими и заключающихся в изменении макроскопических характеристик сег-нетоэлектрика при облучении его светом, вызывающим внутренний фотоэффект [25]. Величина и знак изменения некоторых характеристик сегнетоэлектрика при освещении такие же, как и цри старе -нии. Это позволяет по-новому подойти к изучению процесса ди -электрического старения в сегнетоэлектриках-полупроводниках и рассматривать его в комплексе с другими явлениями, происходящими в данных материалах, чему и посвящена настоящая работа.

Из всего изложенного выше вытекает актуальность этой проблемы в ее практическом и теоретическом аспектах.

Цель настоящей работы - комплексное исследование медленных релаксационных процессов, цротекающих в сегнетоэлектрике-полу -проводнике S&SCf в темноте и при освещении, для изучения влияния электронной подсистемы на данные процессы и выявление их механизма; оцределение возможностей практического применения данного явления.

В связи с этим необходимо было решить следующие задачи:

- экспериментально исследовать процесс темнового старения сегнетоэлектрика-полупроводника S3 53 в широком интервале тем -ператур (релаксацию диэлектрической проницаемости, изменение длины кристалла, деформацию петель диэлектрического и электро -механического гистерезисов, сдвиг температуры Кюри, токи короткого замыкания во внешней цепи);

- изучить изменение этих же характеристик под действием освещения при широком варьировании экспериментальных условий;

- проанализировать корреляцию между характеристическими временами цроцеесов, протекающих в темноте и при освещении;

- сделать выводы относительно механизма медленных релаксационных процессов в

- для проверки правильности выводов о природе фотодеформации в сегнетоэлектрике-полупроводнике S&SU исследовать влияние освещения на деформацию чистого (несегнетоэлектрического) фоточувствительного сегнетоэластика S850?3 ;

- выработать предложения по практическому использованию исследуемого явления.

Научная новизна работы состоит в том, что процесс старения в сегнетоэлектриках-полупроводниках и ряд фотосегнетоэлектричес

- 8 ких явлений впервые рассматриваются с единой точки зрения, что позволило выявить механизм медленных релаксационных процессов в короткозамкнутых монокристаллах SSS3 , ранее не привлекавшийся для объяснения процессов диэлектрического старения сегнетоэлект-риков.

Практическая значимость результатов работы:

1. Освещение кристаллов S6M. вызывающее ускорение про -цессов старения, является средством повышения устойчивости к внешним воздействиям и стабильности пьезоэлектрических параметров пьезодатчиков, выполненных как из монокристаллического суль-фоиодида сурьмы, так и из ХГС-группы кристаллических сегнетопье-зоматериалов на основе SSS3 .

2. Использование сегнетоэлектрического элемента в качестве датчика времени позволяет получить времязадающее устройство, которое потребляет мало энергии, а также дает возможность регули -рования в широких пределах величины временных задержек, управляемых светом.

Результаты диссертации использованы в НИР кафедры физики полупроводников РГУ и в учебном процессе в спецкурсе "Полупроводники с фазовыми переходами", а также внедрены в опытно-конструкторскую работу, выполненную в ОКТБ "Пьезоприбор".

Данная диссертационная работа выполнена на кафедре физики полупроводников Ростовского госуниверситета под научным руководством доктора физ.-мат.наук, проф. А.А.Грекова и доктора физ.-мат.наук, проф. В.М.Фридкина в соответствии с темой НИР РГУ 1976-1980 г.г. "Изучение фотосегнетоэлектрических явлений, влияния фазовых переходов на полупроводниковые свойства, влияние электронной подсистемы на сегнето- и пьезоэлектрические свойства, развитие теории и построение моделей исследованных явлений, вы явление возможности применения исследованных эффектов в технике", включенной в Координационный план АН СССР по направлению 1.3 "Физика твердого тела", раздел 1.3.3.3. Номер государственной регистрации 78 068 639.

Положения, выносимые на защиту:

1. Результаты экспериментального исследования медленных релаксационных процессов, протекающих в темноте и при освещении в сегнетоэлектрике-полупроводнике S&S3, основными из которых яв -ляются следующие:

- в процессе темнового старения происходит медленная само -произвольная положительная деформация, сопровождающаяся током короткого замыкания во внешней цепи;

- освещение сегнетоэлектрика-фотопроводника в сегнетоэлект-рической фазе стимулирует процесс его диэлектрического старения; рассматриваемые релаксационные процессы в темноте и на свету имеют общую природу;

- процесс старения сегнетоэлектрика-полупроводника SS5H может происходить без изменения доменной структуры;

- постоянная времени фото- и темновой деформации пропорциональна времени максвелловской релаксации.

2. Старение короткозамкнутого сегнетоэлектрика-полупроводника S@>$£J следует рассматривать как процесс смены внешнего экранирования поля спонтанной поляризации внутренним экранирова -нием его носителями тока из объема кристалла, которые пространственно закрепляются на глубоких ловушках, образуя стабильную электретную поляризацию. Длительность процесса старения харак -теризуется временем = , где время максвелловской ре -лаксации, а оС связано с геометрией системы электроды-сегнето

- 10 электрик и диэлектрической проницаемостью;

3. Положительная фотодеформация SSSU является одной из сторон цроцесса диэлектрического старения и может быть обусловлена, как и самопроизвольная темновая деформация, исчезновением в результате экранирования внутреннего деполяризующего поля.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на УШ Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству (г.Ужгород, 1974 г.), на Ш Всесоюзном семинаре по полупроводни -кам-сегнетоэлектрикам (г.Ростов-на-Дону, 1976 г.), на 1У Европейской конференции по сегнетоэлектричеству (г.Порторож, Югославия, 1979 г.), на IX Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству (г.Ростов-на-Дону, 1979 г.), на I Всесоюзном семинаре по проблеме визуализации и теории доменов в сегнетоэлектриках и родственных материалов (г.Волгоград, 1980 г.), на 1У Всесоюзном семинаре по полуцроводникам-сегнетоэлектрикам (г.Ростов-на-Дону, 1981 г.), на I Всесоюзной конференции по актуальным проблемам получения и применения сегнето- и пьезоэлектрических материалов (г.Москва, 1981 г.), на X Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству (г.Минск, 1982 г.), на I региональной научно-практической конференции молодых ученых (г.Ростов-на-Дону, 1983 г.), на научно-технической конференции по проблемам новых способов пре -образования энергии и новых активных материалов в акустике (г.Ленинград, 1983 г.), неоднократно обсуждались на научных се -минарах кафедры и отдела физики полупроводников Ростовского госуниверситета и научных сессиях, ежегодно проводимых в Ростовском госуниверситете.

Публикации. По теме диссертации опубликовано б статей и 3 тезиса. Основные результаты диссертации изложены в следующих работах:

- II

1. Греков А.А., Корчагина H.A., Рогач Е.Д. Установление равновесной доменной структуры .$£33 . - В сб. тезисов докладов УШ Всесоюзной конференции по цроблемам исследования свойств сег-нетоэлектриков. Ужгород, 1974, ч.1, с.205.

2. Греков А.А., Корчагина Н.А., Рогач Е.Д., Чехунова Н.П. Старение монокристаллов - Кристаллография, 1975, т.20, в.4, с.856-858.

3. Crukov АЛ. / 1Согсксь$о/ъа' Ptotse-rbko MPf

Hocjddt, S.ft, locked.?/., Sa^kol^d. fo^scatco^ of domcus/v sibvctur-e. йъ -ferrve^ttec, sesr^ote/ъ-dcoctors. - f я S3, ^ Ы p. /69- т.

4. Греков А.А,, Корчагина Н.А., Рогач Е.Д. Времязадающее устройство на сегнетоэлектрическом элементе. - ПТЭ, 1979, № 4, с,262-263.

5. ^lodko/b V.M, JfctzcM /ЗогсАарс/ъа- ЛЛ. /Со-zonoyov ЛЛ{ Mcu^orKadoi/ tocUn-d.^ Verbbov с. Л. Pfonosrb&na, с/ъ SS^y oiyrto/z. - Р^. sot. (сьХ W9t я M^f, p ZB/-Z3?.

6. фгбсСкб/г, YMf /Сопе&а^/ъа- posonofroi/jVd.

JlUjupnbCboLo]/ R,Mt fodC/ъ Л.У.\ IZ&rcAoi/shaya, 1С. A. Jfa, e//eci Оъ ^emo dattu, S6f О? У CAtyfta/f ¥erroe&e£>i6c4, </9S/f

7. Корчагина H.A,, Новиков M.G., Савенко Ф.И. Факторы,влияющие на временную нестабильность параметров пьезоматериалов ХГС. - В сб. тезисов докладов I Всесоюзной конференции по актуальным проблемам получения и применения сегнето- и пьезоэлект -рических материалов. Москва, изд. НИИТЭХИМ, 1981, с.184.

8. &>u,bv AA.t, /СогсАсь^Ска

Savс&яп^ко ё.Л. /ьмкеязея сп.

ЛШ vuystaJU. - We^roe&vUux, Wlf * У/-¥6.

9. Корчагина Н.А., Рогач Е.Д., Савченко Э.А. Старение и полупроводниковые свойства сегнетоэлектрика. - В сб. тезисов док -ладов X Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству. Минск, изд. Минск.пед.ин-та, 1982, с.59-60.

Личный вклад. Автором получены все основные экспериментальные результаты исследования процесса диэлектрического старения и стимулирования его светом, проведены соответствующие расчеты физических параметров, а также разработана модель, объ -ясняющая медленные релаксационные процессы в сегнетоэлектрике-полупроводнике . Большую помощь в разработке и создании экспериментального комплекса оказал ст.научн.сотр., канд.физ.-мат.наук Рогач Е.Д. /1-4,8,9/, при участии которого была получена временная зависимость темновой деформации и спектральная за -висимость фотодеформационного эффекта. Опубликованные по теме диссертации работы выполнены также совместно с доктором физ.-мат. наук, профессором Грековым А.А. /1-4,8/ и доктором физ.-мат.наук, профессором Фридкиным В.М. /5,6/, осуществлявшими общее руководство работой, и доц., канд.физ.-мат.наук Савченко Э.А. /8,9/,которая участвовала в обсуждении отдельных результатов работы. В работе /3/ автором данной диссертации выполнено исследование процесса старения SSS3 и стимулирования его светом, а также фотодиэлектрического эффекта в ЗсьТсО^ . В работах /5,6/ диссер -тантом проведено дилатометрическое исследование монокристаллов SBgOy С/ . Диссертационная работа выполнена на монокристаллах S8 S 3 » выращенных группой сотрудников под руководством канд. хим.наук Чехуновой-Проценко Н.П.

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и выводов. Общий объем диссертации 142 страницы машинописного текста,в

ЗАКЛЮЧЕНИЕ ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Экспериментально установлено, что в процессе темнового диэлектрического старения сегнетоэлектрика-полупроводника S&53 происходит деформация петель диэлектрического и электромеханического гистерезисов, уменьшение диэлектрической проницаемости, удлинение кристалла, сдвиг температуры Кюри вверх на О,5-IK,причем процесс сопровождается монотонно спадающим до нуля током короткого замыкания во внешней цепи, знак которого определяется направлением спонтанной поляризации в исходном состоянии и совпа -дает со знаком пиротока при нагреве кристалла. С ростом температуры процесс ускоряется.

2. Установлено, что освещение сегнетоэлектрика-полупровод -ника светом, вызывающим внутренний фотоэффект, стимулирует процесс его диэлектрического старения. Выявлена общая природа релаксационных процессов, протекающих в темноте и на свету. Процесс темнового диэлектрического старения цроисходит при участии равновесных носителей тока.

3. Экспериментально доказано, что процесс старения S& SJ может происходить без изменения доменной структуры, а определяться, в основном, закреплением существующей поли- либо монодомен -ной конфигурации.

4. На основании экспериментально установленных фактов выявлен механизм диэлектрического старения короткозамкнутого сегне -тоэлектрика-полупроводника S6S3 , заключающийся в том, что процесс диэлектрического старения следует рассматривать как процесс смены внешнего э!фанирования поля спонтанной поляризации внут ренним экранированием его носителями тока из объема кристалла, часть которых цространственно закрепляется на глубоких ловушках, образуя стабильную электретную поляризацию, Поле электретного заряда обусловливает стабилизацию доменной структуры.

5. Положительная фотодеформация является одной из сторон процесса старения,в данном случае стимулированного светом, и может быть обусловлена, как и самопроизвольная темновая деформация, исчезновением в результате экранирования внутреннего деполяризующего поля. По мере старения величина деформации стремится к значению спонтанной деформации.

6. Впервые на основании предлагаемой модели показана связь характеристического времени старения с временем максвелловс -кой релаксации <ЕМ : j^Z» где ^ определяется геометрией системы электроды-сегнетоэлектрик и диэлектрической проницаемостью. Эта связь подтверждена экспериментально.

7. Оценена величина толщины поверхностного слоя кристалла SSSCJ ( £ а Ю""5 см). Полученное значение хорошо согласуется с экспериментальными и теоретическими оценками других авторов.

8. Освещение кристаллов SB S3 , вызывающее ускорение процессов старения, является средством повышения устойчивости к внеш -ним воздействиям и временнбй стабильности пьезоэлектрических параметров пьезодатчиков, выполненных как из монокристаллического сульфоиодида сурьмы, так и из ХГС-группы кристаллических сегне -топьезоматериалов на основе

9. Использование сегнетоэлектрического элемента в качестве датчика времени позволяет получить времязадающее устройство, которое потребляет мало энергии, а также дает возможность регули -рования в широких пределах (от нескольких минут до нескольких месяцев) величины временных задержек, управляемых светом.

1. JlLcurlcA д. Я. (jwctsmic, ffiLe-fcbtLct JUatercotsCs. -1. Ш8, v. IS, M-/ZO.2. 1С. W. of the, ^oc&ctu^ Pto/i&r-iUs of Jb&rocorn, Сьга-'ЯъШ.

2. Ръос,, Pk^s. Soc.f /956, #A69tfi//ltip. /M/-/ZS&

3. JlUuo/ъ h/.fi of гike, Рго/zertde* of Залиг^п.tcuuite сшЖ fes-roe&t&ccfdcoutt. Soc. mf, ХЛ?,"/, p1. Залбилг ^dtcuuzfe А/ъегju-cbm,. Set., v.sz^y, p m-m

4. PefaJc StcuirtowsU £ Po&ltezatdo/b (Жа-и^ся oUoron^ -ikz. Ргосе^х of jt^n^ Cn- of ike, ZaJiD^ Ти/ж. -Рш. Pfyz. Soc./ 7Г.11,6. yie,gconbL S., Ucda, X "ъ of JlffCKgj иъ 3A>TO05 .

5. P&ffS. Soc.^/Ofi., /#61, zf.ZZ sS p. yzf-РЗУ.

6. Рапопорт С.А., Донцова Л.И. Изменение доменной структуры монокристаллов МЩ в процессе старения. Уч.записки Вол-гоградск.гос.пед.ин-та, 1970, в.29, с.61-73.

7. Донцова Л.И., Попов Э.С. Спонтанное движение доменных стенок в монокристаллах титаната бария. Кристаллография, 1974,т.19, в.2, с.405-408.

8. Эйснер И.Я. 0 некоторых особенностях диэлектрического гистерезиса сегнетовой соли. Изв. АН СССР, сер.физ., 1957, т. 21, № 3, с.334-339.

9. Юрин В.А. Получение устойчивого монодоменного состояния сег-нетоэлектриков. Изв. АН СССР, сер.физ., I960, т.24, № II, с.1329-1333.

10. Юрин В.А., Сильвестрова И.М., Желудев И.С. Сегнетоэлектриче-ские свойства кристаллов триглицинсульфата, облученных ft -квантами. Кристаллография, 1962, т.7, в.З, с.394-402.

11. Юрин В.А. Особенности сегнетоэлектрических свойств кристаллов сегнетовой соли, подвергшихся радиоактивному облучению. Изв. АН СССР, сер.физ., 1957, т.21, № 3, с.329-333.

12. Бородин В.З., Турик А.В., Крамаров О.П., Кривцова С.П., Ян-чич В.В. Внутреннее поле в сегнетокерамике и проблема устойчивости наполяризованного состояния. Электронная техника, 1969, сер.14, в.1, с.145-155.

13. Турик А.В. Экспериментальное исследование статистического распределения доменов в сегнетокерамике. ФТТ, 1963, т.5, в.10, с.2922-2925.

14. Донцова Л.И., Рапопорт С.Л. Униполярность и старение керамических сегнетоэлектриков. Электронная техника, 1969, сер. 14, т.5, в.21, с.108-117.

15. Бородин В.З., Крамаров О.П., Кривцова С.П., Турик А.В., Ян-чич В.В., Дорошенко В.А. О природе внутренних полей в сегнетоэлектриках. Изв. АН СССР, сер.физ., 1969, т.33, № 7, с.1101-1104.

16. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981, 736 с.

17. Jttcos&r Bemde* & dtuzfyfos 0/oo/id. Рюс ^nd&rruU. Jfcei. ФеггоеШъл,^, PbQtfta., W6f p.24. Х&мЬшег /I. Co/isSCdeszi, 1Cru %)&ТС05 Яолъаб/ъ ^Ьъ/ъаёбо/ъ dtc-tona РоСалохаСбо/ь /ktf&rj&C. ^.Л/г/ig.

18. Фридкин B.M. Сегнетоэлектрики-полупроводники. -M.: Наука, 1976, 408 с.

19. Hud &.t h/oot&y С. Л Siutfy 0/MaffntUc

20. Vtecotitjj. Ptcc. P&tfS. Soc.r f.6ZA, p.

21. Пасынков P.E. 0 термодинамической теории сегнетоэлектриков-полупроводников. Изв. АН СССР, сер.физ., 1970, т.34, № 12, с.2466-2479.

22. PctA^/bU>i/ /С./Г On- So/тъе о/ iPe-PAejbOrrv&nc'foffCcci/ ^А&огс/ о/ 9еггое&с£ъос.

23. U/nicotboUbctorz -/P¥3f №-2$.- 129

24. Пасынков Р.Е. Некоторые вопросы феноменологической теории сегнетоэлектриков-полупроводников. В сб. Полупроводники-сегнетозлектрики. Ростов-на-Дону: Изд. РГУ, 1973, с.5-24.

25. Фридкин В.М. Некоторые эффекты, обусловленные электрон-фо-нонным взаимодействием при фазовом переходе в сегнетоэлект-рике-полупроводнике. ЖЭТФ, Письма в ред., 1966, т.З, № б, с.252-255.

26. Грошик И.И., Ионов П.В., Фридкин В.М. Сдвиг температуры Кюри в сегнетоэлектрике-полупроводнике SSStf , обусловленный освещением и неравновесными носителями. ФТП, 1968, т.2, в.II, с.1630-1634.

27. Гинзбург В.Л. Несколько замечаний о фазовых переходах второго рода и микроскопической теории сегнетоэлектриков. ФТТ, I960, т.2, в.9, с.2031-2043.

28. Андерсон П. Физика диэлектриков. М.: Наука, I960, 170 с.

29. СосАгсыь h/. &u/sta£ ztfogcZcty ^ Ote о/ Jerroe&ct^utv.к 3, Ш-У/4

30. УУf Ш/urs И/. У. Рп. -6/ж Уъ/б/еъсе.1. Ofb С&/гсСш>СсО/ь О/Ь-PAtf?. Stat. A/Zf/p. ж?1. Ш.

31. У/ъаь fcuvouteL J>y У<Уа, м Лпо/гьа£оал1. P^roe&et^ (р/ SSfy Sca^Cstal*. P&tff. Soa. jfa/i., /Щ ?r.z/f p. Mtt-mO.

32. Рудяк B.M., Богомолов А.А., Иванов В.В. Деполяризация монокристаллов Лв!>У под воздействием света. ФТТ, 1969,т.II, в.6, с.1700-1702.

33. Бендер В.П., Фридкин В.М. Влияние освещения на доменную структуру SSSCf. ИТ, 1971, т.13, в.2, с.614-615.

34. Шейнкман М.К., Зейналлы А.Х., Бездетный Н.М., Лебедева Н.Н., Горбатов Г.З. Влияние света на естественную поляризацию монокристаллов SSSCf. УФЖ, 1970, т.15, № II, с.1914-1916.

35. Греков А.А., Малицкая М.А., Спицына В.Д., Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрические эффекты в сегнетоэлектриках-полупро1. У У1 УПводниках типа ABC с низкотемпературными фазовыми переходами. Кристаллография, 1970, т.15, в.З, с.500-509.

36. Греков А.А., Малицкая М.А., Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-фотоэлектреты на основе твердых растворов А^В^С^. Кристаллография, 1972, 17, в.З, с.581-586.

37. Греков А.А., Малицкая М.А., Фридкин В.М. Об электронном механизме влияния излучения на процесс переполяризации сегне-тоэлектриков. Кристаллография, 1973, т.18, в.4, с.788-795.

38. Греков А.А., Пасынков Р.Е., Рогач Е.Д. Фотодоменный эффекти деформация монокристаллов SSSJ . ФТТ, 1972, т. 14, в.8, с.2216-2219.

39. Рудяк В.М., Богомолов А.А. Скачки переполяризации в сегнето-электрике S&S3 , вызываемые освещением. ФТТ, 1967, т.9, в.II, с.3336-3337.

40. Богомолов А.А., Иванов В.В., Рудяк В.М. Изучение воздействия освещения на процессы переполяризации сегнетоэлектрика-полу-проводника методом эффекта Баркгаузена. Кристалло -графия, 1969, т.14, № 6, с.1033-1036.

41. Кудзин А.Ю., Сухинский А.Н. Влияние освещения на формирова -ние петли диэлектрического гистерезиса монокристаллов- ФТТ, 1969, т.II, в.5, с.1389-1391.

42. Кудзин А.Ю., Сухинский А.Н., Волнянский М.Д. Переполяризация монокристаллов SSSCf . ФТТ, 1969, т.II, в.9, с.2679-2681.

43. Греков А.А., Рогач Е.Д., Сыркин JI.H. Электромеханический гистерезис и фотодеформационный эффект в монокристаллах SSSCf- ФТТ, 1972, т.14, в.9, с.2768-2769.

44. Иванчик И.И. К макроскопической теории сегнетоэлектриков. -ФТТ, 1961, т.З, в.12, с.3731-3742.

45. Гуро Г.М., Иванчик И.И., Ковтонюк Н.Ф. Полупроводниковые свойства сегнетоэлектриков. ЖЭТФ, Письма в ред., 1967, т.5, № I, с.9-12.

46. Гуро Г.М., Иванчик И.И., Ковтонюк Н.Ф. Полупроводниковые свойства титаната бария. ФТТ, 1968, т.10, в.1, с.135-143.

47. Ченский Е.В. Явления неустойчивости в сегнетоэлектрических полупроводниках. ФТТ, 1969, т.II, в.З, с.666-673.

48. Ченский Е.В. О монодоменной поляризации сегнетоэлектриков сфазовым переходом первого рода. ФТТ, 1970, т.12, в.2, с.586-592.

49. Гуро Г.М., Иванчик И.И., Ковтонюк Н.Ф. С-доменный кристалл ЗсьТиО^ в коротко замкнут ом конденсаторе. ФТТ, 1969, т. II, в.7, с.1956-1964.

50. Бурсиан Э.В.,Нелинейный кристалл (титанат бария). М.: Наука, 1974, 295 с.тъоого! c>0paz. ■Цш>ги of sarfotcz- рг^попъеги^ иъ- f&rro -Mffztos&s. f. Set. ^ар.,if. Z8 , Su/ifi£.t /> 4/3

51. JlUhxtlcn, £. Ю. Со/г^Стш/тъ -£JbM?rCe<$ of csuf€ue*t,cje. cf c&t сосс/т£си^ otv e&fbtuUtctAtsCz. <of -ih^/ъ d^CccPicc fclnbZ. !oC Uuoct.ftf 5frJHr p. SW-/Z08.

52. Jitirz $wrtc£oiu^ З^пъе, in (Tcrro-e£ectJu:c, $)GLTU)s conct on- (k^sia,в

53. Coova. P f Armd-Л. ^/Uc^ne^fо/ ike. Permittivity о/ ftarLocm. ^ta^t-a^e.1. Sect. В. t ы p. 308-3/Z.

54. Sek^ccto Т., Mctscd T. &o/bsta*b£> of tu^/Cone, Sulfate at 1/u, Сергее /u>iri£.

55. C&cadL6l<M. IPS., tCattfsfc /6.6-. Surface. tf&frtensof fcOfate fr^ftae*.

56. Pfy*. Яа£. J968, гг. Zff, f^Zf.71. dlc/ter 1/ P>n sur/a&i tapergsffl&ct? in. TG-S wtiA* wo/wroted. serrvCcon^dux-tor e&cttecte*. * Pfy*., *1. S&ei. p. MOO- woe.72. ^atewttco £/ Merge h/.^. Sar/але JCa^er in.ftaJoOz Capiat*. -J.196/, V. 3Z, <9, p.

57. Селюк Б.В. Локализация заряда в сегнетоэлектрическом конденсаторе. ФТТ, 1966, т.8, № 12, с.3500-3505.

58. Ицковский М.А., Строкач А.А. Экранирование спонтанной поля -ризации в полидоменных сегнетоэлектриках. Укр.физ.ж., 1979, т.24, № 8, II34-II4I.

59. Марченко В.И. 0 доменной структуре сегнетоэлектриков. -ЖЭТФ, 1979, т.77, № 6, 2419-2421.

60. Гриднев G.A., Даринский Б.М., Федосов В.Н. Вклад динамики доменных границ в диэлектрическую проницаемость сегнетоэлектриков в окрестности точки Кюри. Физ. и хим. обработки материалов, 1979, № I, с.117-120.

61. CzedtoU. P&tp?., MM, p ш Ш79. 3. t ^альОУ&С I/. On* iht -i,CDtv of T/biokne&s -l/iz, Coe-r-tCi/e ФсейС of 3&7с 03 frosted*. Czee&osl.

62. P-hfi., 1961/ f & Щ Sect. 3./ f p. so. S. Sfwje Cfatrt^ ^ 3a7iOspfy*. шо, 2Г ///, *ntf>. /00-/0$.8X. Jl/Ur(bb(irriL T. /barrces- /Ctia&t о/ JUc&U

63. HTlO^a CotUaA?P&ffS. £cc.y, №¥, *Z3, p. 45У.

64. Tomat &.Тш/ TwlifM Z.H., h/cesccuyuS!tibfhtfAbC* of- cuisorfbtton on.ih& /тгеШ -3a7i03 contact.С (Pica. P&ffS. Soc.) / /968f v. Ser Z p. SB /325

65. Желудев И.О. Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука, 463 с.

66. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир, 1965, 543 с.85 e sboszer tt.f Ягосс^агсС J/. Е. Soorfcbcz.on- /Ьал-Ссмоъ ^utctsrUbte, O^STSO^SaJbot/e. i/u, CurCe Poorrt. *f.J/ipz£. Pfy*., M6/f гr. 5Z, />.ШУ- /Z5Z

67. Савченко Э.А. Фотопроводимость и люминесценция сегнетоэлект-рических кристаллов типа А^В^С^. Дисс.канд.физ.-мат. наук - Ростов-на-Дону, 1973. - 132 с.

68. Moj^i^L A. f Stu,VCb$ta4/CL> £.<J/.f SCibffA, 3. ^ fvayrlic&, -fcze ^й/шъа^/ге^ о/ г^kastfoour of ШСГ. -f. Я: £/>/>£ P&yf., /Щif. Щ a/ /5 p.

69. Бондаренко Е.И., Турик А.В. Влияние свободных носителей на поляризацию, диэлектрическую проницаемость и параметры до -менной структуры сегнетоэлектриков. Изв. АН СССР, сер.физ., 1975, т.39, № 4, с.868-870.

70. Селюк Б.В. Влияние компенсирующих зарядов на с-доменную структуру сегнетоэлектриков. Кристаллография, 1971, т.16, в.2, с.356-362.

71. Селюк Б.В. Высота барьеров Шоттки в сегнетоэлектриках. -Изв. АН СССР, сер.физ., 1971, т.35, № 9, с.1798-1801.

72. Селюк Б.В. Поверхностные уровни сегнетоэлектрических крис -таллов. Кристаллография, 1974, т.19, в.2, с.221-227.

73. Греков A.A., Рогач Е.Д., Сукиязов А.Г. Дилатометрическое исследование фотосегнетоэлектрических явлений в моно1фис -тал л ах stssr. ФТТ, 1970, т.12, в.12, с.3559-3561.

74. С./ h/.f Can/a£cJul M. -^кл frtorttP о/ SgfY e^&teJk; сл>/ь-tu>& о/ /гссоСве fo^&t. (rl/wtk, /Щ гг % */Zt p. 13P-Z45;

75. Ю2. ^aiawzo £щ/ /Car-ge/ct ^ JUrz t JTdse&e & Hoetzetu- /I. ( £,uppU м ^erro-eAdbdcltu insesy. Ptyb 'tot, /961 t X/Zf, Ы 6, p. те-гозз.

76. Пикка Т.А., Фридкин B.M. Фазовые переходы в сегнетоэлектри-ках-полупроводниках типа А^В^С^. §ТТ, 1968, т.Ю, в.II, с.3378-3384.

77. Ю4. ШаМ Y. еи,гшь£ cutoL /гSatoccorr^^ /шг тCtcrie pWLtii о/и 5 У. fop. f. Af>/>1. P&yt. , J965 x ^ s3/ p zzs-zso

78. Sa^aJco К p&otDCotboLoLc£c?X6iu о/ /гггог&е£-" ^ fOtotocjon^uudor S$S</.- Лрр£.

79. Греков A.A., Рогач Е.Д. Дилатометрическое изучение монокристаллов

80. S6SK . — Изв. вуз., сер.физ., 1968, № 9, с.138—-139.

81. Греков А.А., Ляховицкая В.А., Родин А.И., Фридкин В.М. Оп -тическое наблюдение фазового перехода в монокристаллах S&SC/ . Докл. АН СССР, 1966, т.169, Ш 4, с.810-811.1. Ю8 fcCL^urricorCL ft.1. StaifUw M.

82. J/oteA oru dS s orp ico/ъ ScuvcL ed&e Pttjff. XUt.f J9?0f ?r. 33A,

83. J/OskcLmjurQ- Jllotscu, T.; Фсъгс/ dc£ci ^ £

84. Jfote, on- Ши^с/с-б^бсо/г о/Terra-tAeiUdS. fi See. tfa/i., /№, x St,1. Af 10 / p

85. НО. Волк Т.P., Герзанич Е.И., Фридкин В.М. 0 существовании критической точки у сегнетоэлектрика SSSCf . Изв. АН СССР, сер.физ., 1969, т.33, № 2, с.346-351. in. fli^GM/el ft t. f Perry bfoug

86. OptCoaZ РРссиг Ticubsotco/v?1.v Pfyps. &А/. m4f Af6/ p. /1931. J903.

87. UkueAo £,f Ota- Y.f Scuva^^Pec f Oiys/aS Hnusiture. ъ о/ SSSV^ Pfypf.

88. Sec. ^ap., /9Mf 2^5, W,/? 33?-3W из. У^сиСо, Y., fcoyosru) J/.f ЗШи-гра, X. J/euJ-lo/ъ oUfficu&tdon- stusdi/ о//erroe&ei^ccai <-{%5°Cf </£°C сьпсС /00°С. Лп-пшъС Щи>Ж Ru. ЫЛ. tyoto tints. 'I

89. Наконечный Ю.С., Горват A.A., Ляховицкая B.A., Задорожная Л.A., Чепур Д.В. Исследование низкотемпературных диэлектрических аномалий и доменной структуры кристаллов SBSCf , Кристаллография, 1979, т.24, в.4, с.793-797.

90. Адонин А.А. Встречные домены в Дисс.канд. физ.-мат.наук, Ростов-на-Дону, 1977. - 190 с.

91. Mjori Т. t Тотита, Я. Ри/игъаёсо/ъ о/ ¥егго~ eAU^Cd my $cnf& Ot^rtaXt. / pA^. Joe. fop. / /Щ гг л/ ащ

92. Герзанич Е.И., Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики типа А^В^С^*. М.: Наука, 1982. - 227 с.

93. УгСе, t. 9Ш, esves-fty -fcuLctcon. о/ ferro -е£ел(Лс£ cutd. fSfTгг. // лг p. Z3/-Z6G

94. Берча Д.М., Балецкий Д.Ю., Небола И.И. 0 природе низкотем -пературного "фазового" перехода в сегнетоэлектрике-полупро-воднике S£>Sff . ФТТ, 1976, т.18, № II, с.3494-3497.

95. Наконечный Ю.С., Горват А.А., Ляховицкая В.А. Релаксацион -ные диэлектрические потери в SBSCf . ФТТ, 1978, т.20,в.5, с.1553-1556.123 • f(j£U7VCL<rbO ЗкСгипьС Т ile&C'iozitictCo/ъ•/ /

96. PceMtie^'UAotu Osnd. $6sZ4toccty on. ¥erro~dtdltz MM. -/ A^tf Jtetfa/L., /Ж, rffM'/W124. ber<Un,60us-i « Ycbffe /t.fMtrz Ы. Yf Jfotze&e, Я PtAzcoe&et'iob ef-f&et 6,nmMft tru шу. -A/i/ii. рц^. Xvtt, mv^.qrfi t p. St—

97. Рсьпъсшю fc. (ЖаАОугп.игаг 7 fsAiSajtU Kf

98. Oova-w Т. Рсе^согйЛис Pbo/i&rtv о/ MM

99. Scnflfc Costal . -fr Ptyr Sotffi., Щгг20/А/ W^ ///<f

100. Завьялова A.M., Закс П.Л., Сыркин JI.H., Эльгард A.M. Ди -электрические и пьезоэлектрические свойства SSSCf при наложении постоянного электрического поля. Изв. АН СССР, сер.физ., 1971, т.35, № 9, с.1893-1896.

101. Пикка Т.А. Электропроводность некоторых сегнетоэлектриков-полупроводников У-У1-УП групп. Кристаллография, 1967,т.12, в.6, с.1075-1076.

102. Ьатёе М, ftcsru&n, Ж / ёбси/тп^м. H^utur^ ei jfoufe ^oorboULctio/ъ etv cPoOsm-fi^ ^tbcS&s bodurt, ct'ariLCrnoCne. C. t. Лсасб. secy /969y if. С Я68

103. Уие Р. / Око С. Poten-tcal ^Lst^Sution. on, fcnpte. CtysitU?. -f. foe1. J9VO, if. AS, J 5, f>.

104. Ждан А.Г., Артоболевская E.C. Свойства контакта монокристаллов с некоторыми металлами. ФТТ, 1971, т. 13, в.4, с.1242-1244.- 140

105. Артоболевская Е.С., Ченский Е.В., Гвоздовер Р.С., Петров В.И. Механизм электропроводности сегнетоэлектрика-полупро-водника SB S3 . ФТТ, 1972, т.14, в.8, с.2236-2241.

106. ToyocLa, £ш/ УсШхша, /С. Jbasrus/bovt fiA^nv/rve^cu in, JBSCf. pfys. Soc,. ^Op. / №¥01 m ZSf.1. S(lfiftl.tp.

107. Алексеева В.Г., Ландсберг Е.Г. О некоторых электрических и фотоэлектрических свойствах соединения SSSCf . iTT, 1966, т.8, в.10, с.3138-3140.

108. Ж^гуъ. So6icUf tr.ZV^Vp №¥-963.

109. Фчми&г- V. Ж, 6-ulwdJ. восСб/ь Л. У., Sav-cJUrub ё.Л. d а/, State о/ Ро&иъ ~ ^atio/ъ iru ~thx- Sctr/ам tCa^es- огъ-(/льС/гобОут- О^гсб P^ro-ete^t^cc, £e.s/u>r?~ses. РУУЗ, ггв, г/ S/zrp>, W-fZ.

110. Грушевский Ю.А., Слепцов А.И. Приэлектродная электронная поляризация в 363 с/. Изв. ВУЗов, физика, 1969, в.12, с.45-49.

111. Jfit%d(£> /£v Л&ГХ // }j. PPcoto(U>M?Utt£ion. in-//-/// aOrrufbOUs/bcU. Ptyt. Мшъ. So6.t f960 If. /4 у p JM- Stt.

112. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлект -рики. Л.: Наука, 1971, 476 с.

113. Кудзин А.Ю., Сухинский А.Н., Гене В.В. Релаксационные про -цессы монокристаллов SS>S$ , Изв. ВУЗов. Физика, 1972, в.1, с.158-160.

114. Кудзин А.Ю., Сухинский А.Н., Огинов Р.В. Фотодиэлектричес -кий эффект монокристаллов S&SJ . ФТТ, 1968, т. 10, № 5, с.1577-1579.143. ficdkon. v.JU., 6-wrLdc У.У. fZcuh)i/osbz^d, / ^ М. P. JUohka-LfoiT dl. Current Satc^rajtcon.cuui $f/etl ^ SSSCf. ~

115. Л/bfil. Pfrjfs. Xj>£t.f /0, sw-356.

116. ASiCHnOl/ J/.Л Voborwi/ V. I/ /CtfJ/7bL/zO\/ Yc/. £v /1.cal p&oiookfornzjb&on- о/

117. MOx ^еггоейе^сг MM гС^Ц ^ / / " /

118. Акопов Д.P., Родин А.И. Фотоиндуцированные токи в JgSCf. В сб.: Полупроводники-сегнетоэлектрики. Ростов-на-Дону: Изд. РГУ, 1978, с.33-38.

119. Губкин А.Н. Электреты. -М.: Наука, 1978, 191 с.147. ^locihC/b- JP.M; <жи$.с£с& jtorc&cif^rui, foxmVfrcs Л A. €t dl. P&oto ferrotAi^bc. Р4ам>ггие4ъси in, Жг Oy. У frysd^ds. 1. Ptys. dot. sot.(aJ , W,p.

120. W^ooL/cun, l/.M, /согсЛигфоп^и Л. Лcpov J/.Л. f Ma^rruzoCoi/ &.M. a/-. The.pXwto'LofUi'CtC./^ &ff&et in.toe Oy У. cartels. . ^еггоеЛа^сл,19В11 тг. 311 ы1-1149. uVctsc^ce, p^dnver- у M. ,

121. HuASrrUtmi- A. PU-fbQ/'tiztCon. /ъи>fwrtie£ о/ O/ft'tosTbOnff (y) ozU-cfa Loa^ofe. ЩОуТ Oitfsi. G-towiP 7/. М9-Ш

122. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ

123. Применение данных рекомендаций в технологическом процессе производства пьезоэлементов из SSSU и ХГС позволит повысить стабильность пьезоэлектрических параметров готовых изделий во времени.