Дефектообразование в криокристаллах ксенона и криптона, стимулированное автолокализацией экситонов в квазимолекулярные состояния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.14 ВАК РФ

^ АКАДЕМИЯ НАУК УКРАИНЫ

ФИЗИКО-ТЕХНМЧЕСКИЯ ИНСТИТУТ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУР

1

ИМЕНИ Б.И.ВЕРКИНА

На правах рукошси УДК 539.2

ОГУРЦОВ Александр Николаевич

ДЕФЕКТ00БРА30ВАНИЕ В КРИОКРИСТАМАХ КСЕНОНА И КРИПТОНА, СТИМУЛИРОВАННОЕ АВТОЛОКАЛИЗАЦИЕИ ЭКСИТОНОВ В КВАЗИМОЛЕКУЛЯРНЫЕ СОСТОЯНИЯ

01.04.14. - Теплофизика и молекулярная физика 01.04.05. - Оптика

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Харьков - 1993

Работа выполнена в Физико-техническом институте низких температур им. Б.И.Веркина Академии Наук Украины.

Научные руководители: доктор физико-математических наук

профессор И.Я.ФУГОЛЬ доктор физико-математических наук ведущий научный сотрудник Е.В.САВЧЕНКО

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор В.К.МИЛОСЛАВСКИЙ

доктор технических наук,

профессор

В.Б.ЮФЕРОВ

Ведущая организация - Институт физики АН Украины. Защита состоится "Л !> " 1993г. в ^ ^ часов

на заседании Специализированного /совета К 016.27.02 при Физико-техническом институте низких температур им. Б.И.Веркина АН Украины (310164, г.Харьков - 164, пр. Ленина, 47).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Физико-технического института низких температур им. Б.И.Веркина АН Украины.

АП '

АвтстесЬепат тзазослан " " -^-клдиА^а— тчод г. ... ---о-

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, с подписью, .заверенной Гербовой печатью, просим направлять по адресу: 310164, г.Харьков - 164, пр. Ленина, 47, ФТИНТ АН Украины, ученому секретарю Специализированного совета К 016.27.02

Ученый секретарь Специализированного совета кандидат технических наук

А.М.КИСЛОВ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Воздействие, на вещества через электронную идсистему выделилось в последние годы в перспективную область [сследований в физике твердого тела и поверхности. Существует :ирокий класс радиационно-стимулированных атомных процессов, >бусловленных взаимодействием атомной и электронной' подсистем ¡ристалла: диффузия, фазовые превращения, десорбция, дефектообра-ювание и т.д. В основе физики этих явлений лежит локализация юзбуждения в ограниченной области кристалла с последующей переда-[ей энергии от электронной подсистемы к атомной.

. Особое место занимают исследования подпороговых процессов (ефектообразования, при котором изменение физических свойств атериалов происходит под воздействием фотонов или низкоэнергетич-шх частиц, не способных смещать атомы из узлов решетки путем прутах столкновений.

Дефектообразование, стимулированное возбуздением электронной годсистемы, интенсивно исследуется в ионных кристаллах, элементарных и бинарных полупроводниках [1,2]. Однако анализ элементарных актов создания дефектов в этих веществах затруднен необходимость» гчета сложного характера сильных межатомных взаимодействий.

Кристаллы инертных элементов (или, как их теперь принято назы-¡ать, атомарные криокристаллы) выделяются среди других веществ «алостью мезхатомных взаимодействий по сравнению с внутриатомными, гростотой фононного спектра, который содержит лишь акустические зетви, и простотой структуры решетки (плотная упаковка идентичных 1томов). Однако до последнего времени вопросы дефектосбразования в зтих веществах практически не рассматривались, несмотря на то, что менно они являются классическим объектом для моделирования многих 1роцессов в физике твердого тела. В атомарных криокристаллах злабая межатомная связь сочетается с достаточно сильным короткодействующим экситон-фоношшм взаимодействием, что проявляется в эффектах автолокализации экситонов. Автолокализация сопровождается сонцентрацией и выделением энергии в ограниченной области кристалла, что позволяет о:хидать высокого квантового выхода радаациснно-зтпмулированпых проце с сов.

Подробные исследования энергетической структура и дашвасп

электронных возбуждений в атомарных криокристаллах [3] позволили предсказать возможность генерации дефектов в ходе процессов автолокализации экситонов [4]. Первые экспериментальные данные с дефектообразовании, стимулированном автолокализацией в квазиатомные состояния были получены в работе [5] при исследования твердого Ые.

Возможность стимулирования процессов дефектообразования при автолокализации экситонов в квазимолекулярные (М-БТЕ) состояния дс настоящей работы экспериментально не исследовалась.

В качестве объектов были выбраны криокристаллы тяжелых инертных элементов Хе и Кг, в которых этот канал автолокализации экситоное является единственным.

Целью настоящей работы являлось:

1. Изучение особенностей автолокализации экситонов в квазимолекулярные состояния в криокристаллах ксенона и криптона с различным содержанием исходных дефектов с целью разделения процессов автолокализации в регулярной решетке и вблизи дефектов.

2. Выяснение возможности образования стабильных структурных дефектов, вызванного автолокализацей экситонов в криокристаллах Хе и Кг, при облучении их пучком электронов с энергиями ниже порога образования дефектов путем упругих соударений.

Основные результаты и положения выносимые на защиту:

1. Объяснена природа компонент полос люминесценции квазимолекулярных центров в криокристаллах Хе и Кг.

2. Разделены процессы автолокализации экситонов в объеме регулярной решетки и в дефектных областях кристалла.

3. Обнаружен новый механизм образования дефектов в возбужденном электронном состоянии при автолокализации экситонов в квазимолекулярные состояния.

4. Определено электронное состояние, участвующее в образовании дефектов в возбужденном состоянии.

Б. Выделен механизм образования дефектов при диссоциативном распаде квазимолекулярного автолокализованного состояния после излучательного перехода в основное состояние.

Все перечисленные результаты получены впервые, что определяет научную новизну работы.

Научное и практическое значение работы состоит в том, что

получены новые данные о взаимодействии электронной и атомной подсистем в твердых Хе и Кг, которые важны как для интерпретации результатов других экспериментов, так и для уточнения теоретических представлений о динамике решеточных возбуждений в атомарных криокристаллах. Кроме того, знание механизмов электронно-стимулированных процессов, происходящих на атомном уровне при радиационном воздействии на вещество, необходимо для разработки научных основ управляемого изменения свойств материалов и нахождения эффективных способов борьбы с их деградацией при облучении. Полученные результаты могут быть внедрены в практику и использованы при разработке активных сред квантовых генераторов и источников их накачки, счетчиков ядерных излучений, фотокатодов рентгеновского излучения, в космическом приборостроении, при создании новых технологий в микроэлектронике и криохимии.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на 8-й и 9-й Всесоюзных конференциях по физике вакуумного ультрафиолетового излучения и его взаимодействию с веществом (Иркутск, 1989 г.; Томск, 1991 г.), Международной конференции по радиационному материаловедению РМ-90 (Алушта, 1990 г.), 26-м и 29-м Совещаниях по физике низких температур (Донецк, 1990 г.; Казань, 1992 г.), Всесоюзной конференции по люминесценции, посвященной 100-летию со дня рождения академика С.И'.Вавилова (Москва, 1991 г.), 2-й Всесоюзной конференции "Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц" (Свердловск, 1991 г.), 8-й Международной конференции по динамическим процессам в возбужденных состояний твердых тел БРС'91 (Лейден, Нидерланды, 1991 г.), советско-японском семинаре по криохимии (Москва, 1991 г.), 5-й Всесоюзной конференции по химии низких температур (Москва, 1991 г.), 7-м Республиканском совещании по физике криокристаллов (Донецк, 1991 г.), 14-й Международной конференции по криогенному материаловедению 1СЕС/ХСМС-14 (Киев, 1992 г.), 10-й Международной конференции по физике вакуумного ультрафиолетового излучения ТОУ-Ю (Париж, 1992).

Структура и объем диссертации. Диссертация-состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации 109 страниц, включая 24 рисунка и 5 таблиц. Список литературы состоит из 113 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ.

Во введении обсуждается актуальность выбранной темы, форму Л1фу-ется цель работы, перечисляются основные положения, выносимые на защиту, излагается научная новизна и значение работы, рассматривается структура диссертации.

В первой главе дан обзор литературы по теме диссертационной работы. Рассмотрены особенности проявления эксятонных состояний в криокристаллах ксенона и криптона, структура решетки и вид потенциала межатомного взаимодействия, особенности формирования автоло-кализовашых состояний, эффект сосуществования свободных и автоло-кализованных экситонов, дефекты кристаллической структуры в кристаллах Хе и Кг. Изложены имеющиеся к началу наших работ сведения о процессах дефектообразования при автолокализации экситонов в атомарных крокристаллах.

Во второй главе приведено описание методики измерений и экспериментальной установки. Для исследования процессов автолокализации и дефектоообразования в криокристаллах Хе и Кг использовалась методика люминесцентной ВУФ спектроскопии. При создании экспериментальной установки особое внимание было уделено разработке ячейки для выращивания образцов с дозируемым количеством исходных дефектов кристаллической структуры, температурным условиям эксперимента, эффективному возбуждению образцов и созданию чувствительной схемы регистрации излучения.

Образцы выращивались в закрепленной на подложке гелиевого криостата специальной ячейке с электромагнитным затвором, отделяющим объем, где рос кристалл, от объема экспериментальной камеры. Это позволяло конденсировать газ в оптимальных условиях., при которых получаются образцы без примеси ГПУ-фазы с малым исходным содержанием дефектов - вблизи Т=0,вТ.(. (^Г^.- температура тройной точки) при давлении РаЮ Па. Степень дефектности образцов можно было менять, варьируя условия конденсации: температуру, давление и скорость осаждения.

Люминесценция образцов возбуждалась в стационарном режиме пучком электронов с энергией 1000 эВ, что существенно ниже порога образования дефектов по механизму упругих соударений. Плотность тока пучка составляла 3~10~5+10-4 А/см2. Измерения проводились в

диапазоне температур 5+G0 К.

Спектр люминесценции анализировался вакуумным монохроматором ВМР-2, перед входной щелью которого располагалась экспериментальная камера. Объемы прибора и камеры были разделены окном из L1P и имели независимые системы высоковакуумной откачки. Сигнал регистрировался ФЭУ-142, работающим в режиме счета отдельных квантов. Усиление сигнала, селектирование помех и управление сканированием спектра осуществлялось с помощью функциональных модулей в стандарте КАМАК.

Третья глава посвящена изучению проявления дефектообразования, стимулированного возбуждением электронной подсистемы, в спектрах автолокализованной люминесценции криокристаллов Хе и Кг. Применение ячейки позволило выращивать образцы при температуре, значительно превышающей температуру сублимации. Качество образцов контролировалось по люминесценции свободных экситонов. Интенсивность эк-ситонного максимума Е при 8,36 эВ для Хе 10,135 эВ для Кг, отвечающего излучательному распаду экситонов из зоны Pig). n=1, в спектрах наиболее совершенных образцов, выращенных в ячейке, была сравнима с интенсивностью полосы М автолокализованной люминесценции.

Полоса М автолокализованной люминесценции в совершенных образцах также существенно отличается от аналогичной особенности в низкотемпературных конденсатах. Изучая трансформацию спектра при изменении степени дефектности образцов, мы выделили в полосах квазимолекулярной люминесценции центров Кг|, Хе| и гетероядерного (ХеКг)* центра две компоненты М1 и Mg. (Их энергетическое лоложе-ние: для Xeg - 7,0 и 7,23 эВ с полуширинами 0,31 и 0,27 эВ; для Krg - 8,38 и 8,6 эВ с полуширинами 0,37 и 0,28 эВ: для (ХеКг)* -7,85 и 8,1 эВ с полуширинами 0,33 и 0,29 эВ соответственно.) Контуры компонент хорошо описываются гауссианом, характерным для локализованных состояний. Тот факт, что в образцах с высокой концентрацией дефектов полоса М практически содержит лишь М1 составляющую, а в отожженных образцах доминирует составляющая Mg, дает основание связать максимум Mg с автолокализацией в регулярной решетке, а М1 - с автолокализацией на дефектах.

Положение компонент "1" в твердых Хе, Кг, и КгХе практически совпадает с положением полос люминесценции в жидкостях. Следовательно полоса М- соответствует автолокализованным состояниям, фор-

мирование которых сопровождается пластической деформацией. Наблюдете компоненты Ы1, вплоть до гелиевых температур, свидетельствует о неравновесном характере регистрируемых дефектов. Однако . анализ температурной зависимости интенсивности компонент квазимолекулярной люминесценции криокристаллов Хе и Кг, представленный на рисунке 1, показывает, что учет только исходных неравновесных'

дефектов не объясняет полностью наблюдаемую картину. Если за формирование полосы М1 ответственны исходные неравновесные дефекты, то увеличение температуры образца должно при отжиге дефектов снижать интенсивность этой полосы или, если дефекты заморожены , оставлять ее неизменной. Интенсивность же полосы М.|, напротив, при повышении температуры в диапазоне 15<Т<45 К увеличивается.

Таким образом, температурное поведение полос не укладывается в вакансионную модель формирования квазимолекулярных центров несобственной автолокализации. Мы предположили, что образование дефектов стимулируется самим процессом автолокализации в квазимолекулярные состояния, т.е. представляет собой собственный механизм деструкции решетки.

Для экспериментальной проверки этого предположения мы исследовали .поведение полосы М при управляемом радиационном воздействии на образец. При этом было обнаружено четко выраженное разгорание дефектной компоненты люминесценции М1 с увеличением дозы (времени) облучения электронами с энергиями ниже порога ударного дефекто-образования. Компонента М2 при этом остается неизменной. Рисунок 2 демонстрирует эволюцию полосы М в процессе облучения кристаллического Хе электронами в течение 1=30 мин при .температуре 13 К.

Т, К Т, К

Рис.1.

Рис.2.

Аналогично ведут себя компоненты полосы М в люминесценции кристаллического Кг. Рост интенсивности дефектной компоненты М1 с увеличением дозы свидетельствует о накоплении стабильных дефектов в образце.

Квазимолекулярная автолокализация экситонсв в криокристаллах Х<? и Кг приводит к концентрации энергии вблизи центра автолокализации практически в объеме атомной ячейки. Тем самым образование линейных, двумерных и объемных дефектов исключено и рассматривать следует только точечные дефекты. Поскольку исследование радиационных изменений постоянной решетки показало, что в атомарных криокристаллах под действием рентгеновского облучения происходит рождение френкелевских пар, а структура полос квазимолекулярной люминесценции, отражающая кристаллическое окружение излучающего центра, в случае рентгено- и катодовозбуждения оказывается сходной, то, следовательно, оба вида, радиации создают одинаковые дефекты - френкелевские у-1 пары: вакансия-междоузельный атом.

При различных температурах дозовые кривые для полосы М^ имеют различный наклон. На рисунке 3 на примере Кг изображено семейство дозовых кривых в диапазоне температур 1Ск50 К. Из рисунка видно,

что с увеличением температуры эффективность дефектообразо-вания растет вплоть до 25 К-для Кг. При дальнейшем повышении температуры скорость дефектообразования уменьшается, и при Т=50 К накопление дефектов под облучением прекращается. Постановка эксперимента в условиях, когда термофлуктуационные процессы дефектообразования "заморожены", а ударные - исключены, позволяет сделать вывод, что обнаруженное в Хе и Кг появление структурных нарушений стимулируется самим процессом автолокализации в квазимолекулярные состояния.

В четвертой главе проанализированы возможные механизмы образования дефектов. Необходимым условием конверсии энергии электронного возбуждения в кинетическую энергию атомов решетки является выполнение двух критериев дефектообразования: энергетического и временного. Энергетический критерий АЕех>Ед требует, чтобы энергия, выделяющаяся при распаде либо преобразовании электронного возбуждения АЕех, превышала энергию Е^, необходимую для создания дефекта. Согласно временному критерию, время, необходимое для реорганизации решетки не должно превышать времени жизни

электронного возбуждения т:ех: Обозначим атом инертного

элемента - И. Тогда при автолокализации

К + И*х -» ^(М-БТЕ) + ДЕ* Ьг>(Нас1) + И + И + АЕ° (1')

время т;ех резко возрастает и происходит значительное энерговыделение. Можно выделить две принципиально различные стадии, на которых возможно создание дефектов: 1)- в процессе автолокализации возбуждения и 11)- при распаде квазимолекулярных состояний. Процесс 11)

Т, К Рис.3.

обусловлен эксимерным характером квазимолекулы Энерговыделение в реакции (1) на стадиях 1) и 11) превосходит энергию связи- ес. Следовательно, энергетический критерий дефектообразования выполняется, причем с запасом, если учесть, что пороговая энергия создания дефектов по неударному механизму намного меньше пороговой энергии ударного дефектообразования из-за сильной дисторсии решетки, сопровождающей локализацию электронного возбуждения. На рисунке 4 в модели конфигурационных координат представлена схема

формирования квазимолекулярного (М-БТЕ) и дефектного (Б) состояний.

Поскольку компонента М2 не проявляет никакой связи с дефектами, то, следовательно, дефектообразова-ние не происходит на стадии формирования автолокализованного центра и первая стадия автолокализации сопровождается обратимой деформацией решетки, а образующееся состояние является преддефектным. Отсутствие дефектообразования на итой стадии, несмотря на выполнение энергетического критерия, означает, что нарушен временной критерий. Учитывая, что автолокализация протекает наиболее медленно при туннельном преодолении барьера с характерным временем ТзТЕ~10~"9 с> получаем оценку т;^ снизу: тс^ЯО-9 с.

Если дефекты возникают на стадии распада 11) автолокализованного состояния - после излучательного перехода на отталкивательный терм основного состояния с последующей диссоциацией квазимолекулы, то следует ожидать корреляции в поведении кошонент М1 и М2 квазимолекулярной люминесценции. Такая корреляция действительно имеет место в температурном интервале 5+15 К, как показано на рисунке 1. Этот факт .можно рассматривать как проявление диссоциативного механизма дефектообазования при распаде электронного возбуждения.

Рис.4.

Антикорреляция компонент в диапазоне температур 15-5-45К указывает на существование дополнительного механизма дефектообразования. Мы предположили, что он реализуется в возбужденном состоянии и заключается в выходе квазимолекулярного центра из центросиммет-ричной позиции с симметрией Дефектом может стать нецентросим-метричная конфигурация, формирущаяся, например, при сдвиге центра автолокализации вдоль молекулярной связи, на которой сконцентрировалось возбуждение. Симметрия такого состояния будет описываться группой С2у. Дефект может сохраниться и после излучательногс распада такого состояния в виде френкелевской пары.

Наблюдение в спектре одновременно двух компонент М1 и М2 свидетельствует о том, что минимумы и С2у конфигураций, лежащие нг разных листах адиабатического потенциала, разделены потенциальны» барьером Н^. Следовательно, заселение нецентросимметричных состояний будет происходить путем активационного преодоления барьера, что объясняет резкий рост интенсивности компоненты М1 и антикорреляцию компонент полосы М при повышении температуры выше 15 К.

Дополнительную информацию с дефектообразовании в криокрис-таллах можно получить, проанализировав температурную зависимость скорости накопления дефектов. В нашем случае эта зависимость характеризуется изменением интенсивности полосы М, в единицу времени . Экспериментально измеренная зависимост] (Т) для Хе представлена н; рисунке 5 символами (•).

Вероятность дефектообразования по механизму конфигурационных смещений равна произведенш ■^ЙНбТЕ'^СБ вероятности автолокализации которая слабо зави-

сит от Т (поскольку при автолокализации основной отток экситонов ! квазимолекулярные состояния происходит вблизи вершины автолокали-зационного барьера), и вероятности Р^ выхода квазимолекулярноп комплекса из центросимметричной конфигурации. Обозначим скороси

О 10 20 30 40 50

Т, К Рис.5.

такого перехода - ГС1), скорость радиационного распада (М-БТЕ) -Гдщз и скорость безызлучательного распада (М-БТЕ) - Тогда

РСБ=ГСВ'( ГСБ+ ГБТЕ+ ^БТЕ^ 3 1 (2)

Расчет скорости дефектообразования с учетом активационного характера преодоления барьера мевду центросимметричным и нецентросим-метричным состояниями (ГСЕ~ехр(-Н^/кТ)), а также с учетом конкуренции времени, за которое происходит атомная перестройка решетки при дефектообразовании, и времени жизни электронного возбуждения (Г^2~ехр[т(1г/те(Г)]) хорошо описывает экспериментально измеренные зависимости. Рост эффективности дефектообразования за счет термо-активационного преодоления барьера при повышении температуры, начиная с некоторой температуры, сменяется спадом из-за сокращения времени жизни состояния квазимолекулы. Использование температурных зависимостей для времени жизни состояния в Хе и Кг позволило хорошо апроксимировать экспериментальные результаты. Это дает нам основание считать, что именно из него происходит формирование дефектного состояния. Короткоживущее состояние не дает вклада в дефектообразование, поскольку для него не выполняется временной критерий. Из совпадения расчетных и экспериментальных кривых были определены параметры предложенной модели дефектообразования: время формирования дефекта т^ и величина барьера Н^, препятствующего смещению молекулярного центра в дефектную позицию (для Хе: 11^=9,5-1СГ3 эВ, ^=1 -1СГ7с; для Кг: Н(1Г= 5.17-1СГ3 эВ, = 1,4.1СГ6с).

Дополнительные свидетельства в пользу предложенного механизма конфигурационных смещений дают эксперименты, выполненные на образцах с высоким содержанием исходных дефектов, либо облучавшихся длительное время так, что дозовые кривые интенсивности компоненты М1 вышли на насыщение. В таких образцах преобладает дефектообразование, стимулированное несобственной автолокализацией, которая предполагает изначально нецентросимметричную конфигурацию. В этих случаях при дальнейшем облучении происходит модификация существующих дефектов, что проявляется в увеличении полуширины полосы М1.

Таким образом, можно заключить, что в криокристаллах Хе и Кг реализуются оба механизма дефектообразования, стимулированного

автолокализацией: диссоциативный механизм, который реализуется после излучательного распада возбуздения, и механизм конфигурационных смещений в возбужденном состоянии.

В заключении изложены основные результаты и выводы работы:

1. Разработана и изготовлена ячейка с электромагнитным затвором для выращивания из газовой фазы при T>0,6Tt криокристаллов Хе и Кг со свободной поверхностью и малым содержанием исходных дефектов.

2. Установлена природа компонент спектра квазимолекулярной люминесценции. Показано, что высокоэнергетичная компонента Mg связана с автолокализацией экситонов в регулярных участках решетки, а низкоэнергетичная компонента М1 - с автолокализацией, протекающей с участием дефектов.

3. Обнаружено дефектообразование, стимулированное возбуждением электронной подсистемы. Показано, что стимулирующим фактором является автолокализация экситонов в квазимолекулярные состояния.

4. Установлено, что дефектообразование происходит как на стадии автолокализации, так и после распада автолокализованного центра.

5. Обнаружен новый механизм дефектообразования в течение времени жизни возбужденного состояния. Определено электронное состояние автолокализованного центра, захват в которое приводит к образованию дефектов,

G. Выделен механизм образования дефектов при диссоциативном распаде квазимолекулярного автолокализованного состояния после излучательного перехода на основное состояние.

Основные результаты диссертации опубликованы в статьях:

1. Фуголь И.Я., Огурцов А.Н., Григоращенко О.Н., Савченко Е.В. Дофоктссбрасовапиэ, стимулированное лока-лиятшей возбуждения в атомарных криокристаллах// Ш1С.- 19Э1,- 55.- N.5.-С.757-762.

2. Григоращенко О.Н., Огурцов А.Н., Савченко Е.В., Фуголь И.Я. Подпороговое дефектообразование в твердом Хе// Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение.- 1991.- вып.3(57).- С.7-12.

1 3. Фуголь И.Я., Огурцов А.Н., Григоращенко О.Н., Савченко Е.В. Образование дефектов в криокристаллах Хе, стимулированное азтолокализацией экситонов в квазимолекулярпые состояния//

ФНТ.- 1992.- 18, N.1.- С.44-50.

. Pugol' I.Ya., Grigorashchenko O.N., Ogurtsov A.N., Savchenko E.V. Defect formation by excited-state mechanisms in rare gas solids// Journal of luminescence.- 1992.- 53.- P.517-518.

. Савченко E.B., Огурцов A.H. Деформация криокристаллов Xe, индуцированная электронными возбуждениями.//УФЖ.- 1993,- 38, N.1.- <3.109-113.

Цитируемая литература.

. Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В., Холодарь Г.А., Шейнк-ман М.К., Эланго М.А. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений// УФН.- 1985.-147, вып.З.-С.523-558.

. ГОнусов М.С., Абдурахманова С.Н., Зайковская М.А., Оксенгенд-лер Б.Л., Маннанова Х.Х. Подпороговые радиационные эффекты в полупроводниках.- Ташкент: Фан, 1989.- 224с.

. Фуголь И.Я., Савченко Е.В. Экситоны в атомарных криокристал-лах// Криокристаллы/ Под ред. Б.И.Веркина и А.Ф.Прихотько.-К.:Наук. думка, 1983.- С.360-526.

. Kusmartsev P.V., Rashba E.I. Self-trapping of excitons and lattice defect production in solid rare gases// Czech.J. Phys.- 1982.- B32.- P.54-57.

. Савченко E.B., Рыбалко Ю.И., Фуголь И.Я. Дефектообразование в процессе автолокализации экситонов в твердом неоне// Письма в ЖЭТФ.- 1985.-42, вып.5.- С.210-213.

Ответственный за выпуск - кандидат физ.-мат. наук ГРИГОРАЩЕНКО О.Н.

Подписано к печати 19.02.1993г., физ.п.л. I, учет. изд. л. I, заказ N 34, тираж 100 экз.

Ротапринт ФТИНТ АН Украины, 310164, Харьков-164, пр.Ленина, 47