Исследование зарядопереноса в структурах металл-анодный окисел металла-полупроводник тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

Глава I. Современные представления о зонной структуре и характере переноса заряда в тонкопленочных структурах.

§ I.I. Электрические свойства некристаллических веществ

§ 1.2. Токи,ограниченные пространственным зарядом

1.2.1. Интегральная инжекционная спектроскопия

1.2.2. Дифференциальная инжекционная спектроскопия

1.2.3. Энергия активации ТОПЗ

§ 1.3. Эффекты сильного поля.

1.3.1. Эффект Пула-Френкеля (ЭПФ)

1.3.2. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях

§ 1.4. Обзор оригинальных работ по исследованию анодных окислов тантала и ниобия

§ 1.5. Влияние сильного электрического поля на проводимость тонкопленочных структур

Глава 2. Разработка экспериментальных установок и методов исследования

§ 2.1. Приготовление образцов

§ 2.2. Комплекс измерительной аппаратуры

§ 2.3. Методика измерений

Глава 3. Экспериментальное исследование инжекционных токов в окислах тантала и ниобия и анализ результатов

§ 3.1. Исследование механизма переноса заряда в структуре Та-Та205-Мп

3.1.1. Область слабых полей

3.1.2. Область сильных полей

§ 3.2. Модель проводимости

3.2.1. Сильнокомпенсированный полупроводник

3.2.2. Слабокомпенсированный полупроводник

§ 3.3. О размерной и полевой зависимости энергии активации стационарных ТОПЗ в материалах с распределенными по энергии ловушками

3.3.1. Экспоненциальное распределение ловушек по энергии.

3.3.2. Ограниченное распределение ловушек

3.3.3. Энергия активации ТОПЗ с учетом омической проводимости

3.3.4. Определение параметров ловушек и подвижности носителей из ВАХ ТОПЗ и величины энергии активации проводимости

§3.4. Экспериментальное исследование энергии активации ТОПЗ в структуре Та-Та205-Мп0£

§3.5. Исследование влияния ряда технологических факторов на характер переноса заряда и спектр локализованных состояний окисла тантала.

3.5.1. Исследование проводимости окисла тантала в MOM структуре.

3.5.2. Влияние термообработки на свойства анодного окисла тантала

3.5.3. Легированные образцы

§3.6. Исследование деталей зонной структуры и переноса заряда в окисле ниобия . III

3.6.1. Исследование инжекционных токов в анодном окисле ниобия в MOM структуре . . . III

3.6.2. Влияние термообработки на свойства анодного окисла ниобия

3.6.3. Исследование окисла ниобия в МОП-структуре

§ 3.7. Развитие дифференциального метода анализа

ВАХ ТОПЗ.

§ 3.8. Выводы и следствия.

Глава 4. Исследование влияния сильного электрического поля на проводимость анодного окисла тантала.

§4.1. Исследование переноса заряда в структуре Та-Та20срМп02 при положительной полярности тантала.

4.1.1. Результаты эксперимента

4.1.2. Модель

§ 4.2. Исследование необратимых изменений проводимости (деградации) окисных пленок на тантале в сильных электрических полях

4.2.1. Результаты эксперимента

4.2.2. Модель

§ 4.3. Кинетика необратимых изменений проводимости

4.3.1. Результаты эксперимента

4.3.2. Модель.

§ 4.4. Исследование особенностей механизма проводимости деградированных структур

4.4.1. Изменение спектра локализованных состояний

4.4.2. Влияние операции подформовки на проводимость МОП структур.

4.4.3. Параллельный механизм проводимости

4.4.4. Влияние отжига и жесткого режима деградации на проводимость МОП структур

§ 4.5. Выводы и следствия.

Общиевыводы.

Значительный интерес к физике окисных пленок и, в частности, пленок, получаемых анодным окислением (АОП), связан с все расширяющимся их использованием в электронике. Если первоначально применение АОП ограничивалось только электролитическими конденсаторами, то сейчас они используются в оксидно-металлических и оксидно-полупроводниковых конденсаторах, в качестве диэлектрика в ОДП структурах (например, фотоприемники инфракрасного излучения), в запоминающих устройствах. Основными достоинствами АШ на таких металлах, как тантал и ниобий, являются их высокая диэлектрическая проницаемость (27,6 и 41) и высокая электрическая прочность ( 6*10^ В.см"*). Так как контакт металл-его анодный окисел хорошо инжектирующий, то все конденсаторные структуры на основе А0П обладают асимметрией вольт-амперной характеристики (ВАХ). Это является в ряде областей их применения существенным недостатком, так как частично или полностью исключается возможность работы таких структур в переменных полях. Поэтому для успешной реализации в различных устройствах высоких электрических характеристик АШ необходимо глубокое и комплексное изучение процессов зарядопереноса в АОП (особенно асимметрии проводимости), поведения окислов в сильных электрических полях и влияния ряда технологических факторов (термических и термополевых воздействий, легирования окисла и т.д.), изменяющих электрофизические свойства АШ.

Все вышеизложенное, а также фрагментарный и противоречивый характер имеющихся литературных сведений по этим вопросам и обуславливает актуальность данных исследований.

ОСНОВНЫЕ ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ

1. Исследовать основные закономерности инжекционного переноса заряда в анодных окислах тантала и ниобия и изучить влияние технологических факторов - термообработки, вторичного окисления, легирования металла подложки.

2. Провести экспериментальное изучение зависимости энергии активации стационарных инжекционных токов от величины электрического поля и толщины диэлектрика для материалов с распределенными по энергии локализованными состояниями с анализом полученных результатов.

3. Исследовать влияние полевых, термических и термополевых воздействий на проводимость анодного окисла тантала.

Дать физически обоснованные рекомендации для разработки методов контроля диэлектрических свойств анодных окисных пленок в элементах электронной техники.

Первая глава диссертации является литературным обзором, в котором изложены современные представления о зонной структуре и характере переноса заряда в неупорядоченных материалах; рассмотрены возможности определения параметров локализованных состояний из исследования токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ); обсуждены эффекты, приводящие к сверхлинейной зависимости плотности тока от поля в тонкопленочных структурах; анализируются результаты экспериментального исследования анодных окислов тантала и ниобия; приведены данные о влиянии сильного электрического поля на проводимость тонких слоев диэлектриков.

Во второй главе описаны методика приготовления образцов, конструкция экспериментальной установки и методы исследования.

В третьей главе экспериментально исследуются инжекционные токи (ТОПЗ) в анодных окислах тантала и ниобия и приводится анализ полученных результатов. Исследованиями тока в зависимости от напряжения, толщины окисла и температуры впервые показано, что все особенности инжекционного переноса обусловлены наличием широкой полосы распределенных по энергии нейтральных ловушек в запрещенной зоне окислов тантала и ниобия. Разработана модель проводимости, учитывающая наличие донорннх центров, распределенных по энергии ловушек, эффекты сильного поля и инжекцию носителей из контакта. Впервые показано, что энергия активации ТОПЗ при наличии распределенных ловушек должна проявлять не только полевую, но и размерную зависимость. Полученные аналитические выражения подтверждены прямыми экспериментами. Определены параметры распределения ловушек по энергии, их полная концентрация и подвижность носителей заряда на уровне протекания. Исследовано влияние термообработки на воздухе и легирования металлической танталовой подложки молибденом на спектр локализованных состояний и инжекционный перенос в окисле тантала. Изучено влияние термообработки на воздухе на инжекционный перенос в окисле ниобия. Получены аналитические выражения для некоторых неопределенных в теории ТОПЗ коэффициентов. Развит дифференциальный метод анализа ВАХ ТОПЗ.

В четвертой главе исследуется влияние сильного электрического поля на проводимость окисла тантала. Изучен перенос заряда в МОП структуре в обратном включении (тантал положителен). Показано, что зависимость проводимости от поля и температуры, а также характер полевой зависимости энергии активации проводимости указывают на перенос заряда, обусловленный либо перколяци-онным механизмом проводимости, либо эффектом Пула-Френкеля (ЭПФ).

Численные оценки показывают хорошее согласие экспериментальных данных с ЗПФ. Обнаружено, что воздействие сильного электрического поля приводит к необратимым изменениям проводимости исследуемых структур. Показано, что определяющую роль в этих изменениях играет величина электрического поля, а не количество протекшего заряда. Методом инжекционной спектроскопии зафиксированы изменения спектра локализованных состояний при воздействии сильного поля. Предложена модель, объясняющая изменения ВАХ.

Проведен сравнительный анализ моделей, используемых при объяснении деградационных изменений проводимости МНОП элементов памяти. Детально исследуются кинетические закономерности роста обратного тока в сильном электрическом поле. Показано, что скорость роста тока экспоненциально зависит от величины поля и температуры образца. Получены модельные аналитические уравнения, позволяющие описать наблюдаемые на опыте закономерности. Впервые показано, что перенос заряда в анодном окисле тантала происходит одновременно по двум уровням протекания. Определено влияние технологии изготовления образца и режимов термополевых воздействий на него на относительный вклад каждого уровня протекания в полный ток.

На основании проведенных в работе исследований и анализа результатов на защиту выносятся следующие положения.

Автор защищает: экспериментальные и расчетные результаты исследования переноса заряда в анодных окислах тантала и ниобия и влияния сильного поля на проводимость окисла тантала. В том числе:

I. Результаты исследования инжекционных токов (ТОПЗ) в анодных окислах тантала и ниобия, а также влияния на них термообработки, вторичного окисления и легирования металлической подложки.

2. Расчетные и экспериментальные результаты исследования энергии активации ТОПЗ в материалах с распределенными по энергии локализованными состояниями от величины электрического поля и толщины диэлектрика.

3. Результаты исследования влияния полевых и термополевых воздействий на изменения величины проводимости и механизма переноса заряда в окисле тантала.

Научная новизна. В анодных окислах тантала и ниобия впервые экспериментально показано существование широкой полосы экспоненциально распределенных по энергии нейтральных локализованных состояний, определяющих все основные особенности инжекцион-ного переноса заряда в структурах на основе этих окислов. Определены параметры локализованных состояний и влияние на них технологических факторов (термообработки, вторичного окисления, легирования металлической подложки).

Разработана модель проводимости для диэлектрика с экспоненциально распределенными по энергии нейтральными ловушками и дискретными донорными центрами с учетом инжекции носителей из контакта и эффектов сильного поля.

Впервые получено аналитическое выражение для энергии активации стационарных инжекционных токов (ТОПЗ) в материалах с распределенными по энергии ловушками. Показано, что энергия активации проявляет не только полевую, но и размерную зависимость. Полученные зависимости подтверждены прямыми экспериментами.

Разработан метод инжекционной спектроскопии для определения параметров локализованных состояний и подвижности носителей на уровне протекания.

Впервые показано, что перенос заряда в окисле тантала происходит одновременно по двум уровням протекания, расположенным в полосе локализованных состояний. Исследовано влияние термополевых воздействий на относительный вклад от каждого уровня протекания в полный ток.

Впервые проведены детальные исследования влияния сильного поля и температуры на необратимые изменения проводимости анодного окисла тантала. Методом инжекционной спектроскопии обнаружено изменение спектра локализованных состояний в запрещенной зоне окисла. Исследованы кинетические закономерности необратимых изменений проводимости. Предложена модель для объяснения экспериментальных результатов.

Практическая ценность. Исследованные в работе закономерности инжекционного переноса в анодных окислах тантала и ниобия и полученная информация о влиянии технологических операций (термообработка, пиролиз, вторичное окисление, легирование) могут быть реализованы при разработке и изготовлении различных элементов электронных схем и, в частности, оксидно-полупроводниковых конденсаторов с повышенной электрической прочностью при катодном включении.

Полученное аналитическое выражение для энергии активации ин-жекционных токов может быть использовано при реализации нового способа определения параметров распределенных по энергии локализованных состояний и подвижности носителей на уровне протекания для ряда аморфных полупроводников и диэлектриков.

Полученные в работе экспериментальные и расчетные данные о влиянии полевых и термополевых обработок на необратимые изменения проводимости исследуемых окислов могут быть использованы при разработке способа прогнозирования надежности оксидно-полупроводниковых конденсаторов и выявления принципиально ненадежных изделий, а также для получения структур на основе анодных окислов с принципиально новыми свойствами (переключение, память) .

Публикации, По материалам диссертационной работы опубликовано 9 печатных работ.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и выводов, изложена на 205 страницах машинописного текста, содержит 51 рисунок, 4 таблицы и список литературы из 155 наименований.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на 1У Всесоюзном семинаре по физике анодных окисных пленок (г.Петрозаводск, 1979 г.), на УШ научно-технической конференции "Электрическая релаксация и электретный эффект в твердых диэлектриках" (г.Москва, 1980 г.), на 1У национальной научно-технической конференции "Проблемы производства электролитических конденсаторов" ЭЛК0ВД.-80 (г.Пловдив, Болгария, 1980 г.), на УП Всесоюзном симпозиуме по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик (г.Новосибирск, 1980 г.), на П Всесоюзном научно-техническом семинаре "Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем" (г.Рязань, 1981 г.), Всесоюзной конференции "Физика окисных пленок" (г.Петрозаводск, 1982 г.).

По теме диссертации опубликованы следующие работы.

1. Лалэко В.А. К вопросу о выпрямлении в системе Та-Та20срМп02.-В кн.: Анодные окисные пленки. Межвузовский сборник. Петрозаводск, 1978, с.95-107.

2. Лалэко В.А.,0дынец Л.Л. Исследование зарядопереноса в системе Та-Та20з"Мп02 при катодной поляризации тантала.- Петрозаводск, 1979-11с-Рукопись представлена Петрозав.ун-том. Деп. в ВИНИТИ 5 ноября 1979 г., № 3798-79.

3. Лалэко В.А.,0дынец Л.Л.,Райкерус П.А. Электрическая релаксация и эффекты сильного поля в присутствии инжекционных токов в системах металл-окисел-полупроводник.-Изв.ВУЗов СССР.Физика, 1981, т.24, с.94-97.

4. Лалэко В.А.,0дынец Л.Л.Зайденберг А.З. Исследование процесса "активации" проводимости (деградации) анодных окисных пленок на тантале в сильных электрических полях.- Электрохимия, 1981, т.17, с.1246-1248.

5. Лалэко В.А.,0дынец Л.Л.,Райкерус П.А. Эффекты сильного поля в системах металл-окисел-полупроводник в присутствии компенсированных доноров и распределенных по энергии ловушек.

Изв.ВУЗов СССР. Физика, 1981, т.24, с.3-6.

6. Лалэко В.А.,0дынец Л.Л.,Райкерус П.А. О размерной и полевой зависимости энергии активации стационарных инжекционных токов в аморфных полупроводниках.-ЖТ£,1981,т.51,с.2163-2165.

7. Лалэко В.А.,Райкерус П.А. Эффект Пула-Френкеля в полупроводниках в присутствии глубоких доноров и моноэнергетических или экспоненциально распределенных по энергии нейтральных ловушек.- ФТП. 1981, т.15, с.2295.

8. Лалэко В.А.,0дынец Л.Л.,Стефанович Г.Б. Ионый ток и кинетика "активации" проводимости (деградации) анодных окисных пленок на тантале в сильных электрических полях.- Электрохимия, 1982, т.18, с.833-836.

9. Лалэко В.А.Райкерус П.А. Исследование необратимых изменений проводимости окисных пленок на тантале в сильных электрических полях.- Ю, 1982, т.52, с. 124-135.

В заключение автор считает своим приятным долгом поблагодарить преподавателей и сотрудников КФТТ и КОФ ПГУ им.О.В.Куусинена П.А.Райкеруса, В.П.Малиненко, Е.Я.Ханину, В.А.Гуртова, Г.Б.Стефановича, Т.А.Никифорову, Т.В.Шмидт, Е.А.Чупахину за поддержку и интерес к работе, а также за помощь в техническом оформлении работы.

Автор благодарен своему руководителю Л.Л.Одынцу за выбор актуальной и интересной темы и постоянное внимание к работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе проведено комплексное исследование процессов за-рядопереноса в АОП (включая асимметрию проводимости), поведения окислов в сильных электрических полях и влияния технологических факторов (термических и термополевых воздействий, легирования и т.д.) на электрофизические свойства АОП.

Впервые детально исследованы закономерности протекания ин-жекционных токов (ТОПЗ) в АОП на тантале и ниобии. Показано, что все особенности инжекционного переноса обусловлены наличием в запрещенной зоне окисла широкой полосы экспоненциально распределенных по энергии нейтральных ловушек и центров локализации донорного типа. Полученные аналитические выражения для энергии активации ТОПЗ позволили разработать новый способ определения подвижности носителей заряда на уровне протекания и параметров локализованных состояний. Исследовано влияние технологических факторов на инжекционный перенос. Эти данные могут быть использованы при разработке ОПК с повышенной электрической прочностью при катодном включении.

Исследовано влияние полевых и термополевых воздействий на необратимые изменения проводимости АОП. Показано, что определяющую роль в этих изменениях играет величина электрического поля, воздействие которого приводит к изменению спектра локализованных состояний. Исследованы кинетические закономерности необратимых изменений проводимости. Полученные экспериментальные и расчетные данные могут служить основой для разработки новых методов контроля диэлектрических свойств анодных пленок в элементах электронной техники.

Примечание к диссертации

Диссертационная работа выполнена под руководством доцента, кандидата технических наук Л.Л.Одынца, которым было предложено и обосновано основное направление работы.

Лично соискателем в данной работе выполнено следующее: созданы экспериментальные установки, используемые в работе; получены все экспериментальные результаты; предложены физические модели для интерпретации экспериментальных результатов; выполнены численные расчеты моделей.

В создании установки прецизионного термостатирования (§2.2) принимал участие студент У курса физико-математического факультета Озеров Ю.В. В измерениях ВАХ структур с окислом ниобия (§ 3.6) принимала участие инженер Никифорова Т.А. В исследовании кинетических закономерностей деградации (раздел 4.3.1) принимал участие мл.науч.сотр. Стефанович Г.Б. В численных расчетах физических моделей (§ 3.2, § 3.7 и раздел 4.1.2) принимал участие доцент, к.ф-м.н. Райкерус П.А.

Остальные результаты, касающиеся физического анализа электронных процессов в А0П,были получены при совместном обсуждении с Л.Л.Одынцом.

Основные сокращения и обозначения

АОП - анодная окисная пленка;

ВАХ - вольт-амперная характеристика;

МНОП - структура металл-нитрид-окисел-полупроводник;

МДП - структура металл-диэлектрик-полупроводник;

MOM - структура металл-окисел-металл;

МОП - структура металл-окисел-полупроводник;

МОПЭ - структура металл-окисел-полупроводник-электролит;

ОПК - оксидно-полупроводниковый конденсатор;

ПШМ - полуширина максимума;

ТОПЗ - токи, ограниченные пространственным зарядом;

ЭПФ - эффект Пула-Френкеля;

О - боровский радиус;

А}ВгС}В - постоянные;

С - емкость; d - расстояние между потенциальными барьерами или локализованными состояниями;

Е - напряженность электрического поля;

- эффективное поле;

Eq - напряженность электрического поля на аноде; f(W) ~ Функция Ферми-Дирака;

F - уровень Ферми;

Fn - квазиуровень Ферми;

Fa ~ квазиуровень Ферми на аноде; ф - энергия активации проводимости;

- энергия активации скорости роста тока; q - фактор вырождения;

Jtj - сила и плотность тока; jiyje - плотность ионного и электронного тока; М - постоянная Больцмана; К - степень компенсации;

I - Tt/T

L - толщина окисла;

77 - наклон ВАХ в билогарифмических координатах; П - концентрация электронов в зоне проводимости; Па - концентрация электронов в зоне проводимости на аноде;

Пк - концентрация электронов в зоне проводимости на катоде;

П^ - концентрация захваченных электронов; Яta ~ кониентРаЦия захваченных электронов вблизи анода; Rto ~ начальная концентрация электронов на ловушках; Па - начальная концентрация электронов в зоне проводимости ;

J/c ~ эффективная плотность состояний в зоне проводимости;

- концентрация акцепторов; J\f(J - концентрация доноров; Nf - концентрация ловушек; Wt = ехр Wtl/K Tt) ; Ned = Nc ехр (" Wd/KT); p - вероятность прыжка; Pal - концентрация ионизованных доноров; с/ - элементарный заряд; Q - заряд; Q = n/nt ;

Г - "параметр компенсации"; R - дистанция прыжка; S - скорость роста тока; S - площадь; t - время; Т ~ температура;

Tf - характеристическая температура; Тс - температура "горячих"электронов; U - напряжение; ипгл - напряжение предельного заполнения ловушек; Uif? - напряжение формовки;

Uf.c - напряжение перехода от области ПЗП к безловушечному ТОПЗ;

Vo - амплитуда потенциального рельефа; W - энергия; WAi WB - энергии краев зон;

WCfWv - энергии границ, разделяющих локализованные состояния от нелокализованных; Wq - ширина запрещенной зоны; W^o ~ глубина залегания донорных центров; Wi - энергия активации;

Wf - нижняя граница распределения ловушек по энергии; X - координата; Х,у - безразмерные пул-френкелевские координаты; Z9 - заряд иона; оC,J5 - неопределенные коэффициента в теории ТОПЗ; fin-fp - постоянная Пула-Гренке ля;

6 - высокочастотная диэлектрическая проницаемость; о - электрическая постоянная; £$ - статическая диэлектрическая проницаемость; J^oJ^c ~ подвижность носителей заряда в зоне проводимости; jjfr - подвижность по локализованным состояниям;

Ju(W) - подвижность на уровне энергии W ; - фононная частота; l) - концентрация инжектированного заряда; l)a - концентрация инжектированного заряда на аноде; 60 - удельная проводимость; dy - проводимость по зоне проводимости; (эг - проводимость по хвостам зон; <эс - минимальная металлическая проводимость; d>3 - проводимость вблизи уровня Ферми; p(W) - плотность состояний; p(Wc)=p-L - плотность состояний вблизи дна зоны проводимости; p(F') - плотность состояний на уровне Ферми.

1. Агафонов А.И.Плотников А.Ф.,Селезнев В.Н. О возможном механизме деградационных явлений в МНОП-структурах.-Микроэлектроника, 1981, т.10, с.127-131.

2. Агафонов А.И.Плотников А.Ф.,Селезнев В.Н. Модель деградационных явлений МНОП-элементов памяти.-В кн.:Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников. Новосибирск, 1980, ч.2, с.159-160.

3. Адлер Д. Приборы на аморфных полупроводниках.- УФН, 1978, т.5, с.707-730.

4. Алешина JI.A. Дерккенен ЭЛ.,Петрова В.В.,Яковлева Н.М. Исследование анодных окисных пленок УУ^О^ и Та20^ методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей.-В кн.: Анодные окисные пленки. Петрозаводск: изд.ПГУ, 1980, с.36-43.

5. Архипов В.И.,Руденко А.И. О размерной и полевой зависимости энергии активации дрейфовой подвижности в аморфных полупроводниках. -Письма в ЖТФ, 1979, т.5, с.614-616.

6. Архипов В.И.,Руденко А.И. Аномальный перенос заряда в аморфных полупроводниках.-ФТП, 1979, т.13, с.1352-1358.

7. Бару В.Г.Демницкий Ю.Н. Переходные фотоинжекционные токив изоляторе, ограниченные пространственным зарядом и контактом.-ФТП, 1971, т.5, с.2142-2150.

8. Безверхняя Н.С. .Васильев Л.М.Дмитриевский Ю.П.,Мельник Ю.М. Термометрические характеристики кремниевых полупроводниковых диодов. -ПТЭ, 1976, № 5, с.278-279.

9. Бокий Л.П.Дъяконов М.Н.Костров Д.В.Башмаков П.Г. Влияние анионов электролита на электропроводность анодных окислов ниобия.-Электронная техника, сер.Радиодетали и радиокомпоненты, 1976, вып.6(19), с.3-10.

10. Бокий А.П.Данилюк Ю.Л. Дьяконов М.Н. Дотоусова И.С.,Мир-зоев Р.А.,Муждаба В.М. ,Розенберг Л.А.Данин С .Д. Дефекты анодных окисных пленок и электроперенос в системе тантал (ниобий)-окисел-электролит.-Электрохимия, 1979, т.15,с.1307--1312.

11. Бонч-Бруевич В.Л. Вопросы электронной теории сильно легированных полупроводников.-В кн.: Итоги науки. Физика твердого тела. М:изд.ВИНИТИ, 1965, с.127-236.

12. Бродовой В.А.,Максимович Н.А. Дрейф дефектов в электрическом поле и бистабильное переключение в S62 53 .-ФТПД979, т.13, с.2354-2359.

13. Брыксин В.В.Дьяконов М.Н.Ханин С.Д. Прыжковый перенос в некристаллическом окисле тантала.-ФТТ, 1980, т.22, с.1403--1410.

14. Булавинов В.В.Дарантов Ю.А.,Барабан А.П. О механизме увеличения проводимости нитрида кремния при деградации МНОП-элементов памяти.-Письма в 1ТФ, 1981, т.7, с. 235-238.

15. Венкин Г.В.Дулюк Л.Л.,Малеев Д.И. Схема прецизионного термос татирования на интегральной микросхеме.-ПТЭ, 1975, № 4, с.222-223.

16. Вертопрахов В.Н.,Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.-Новосибирск:Наука, 1979,с.336.

17. Гершензон Е.М.Дитвак-Горская Л.Б.,Луговая Г.Я. Влияние компенсации на примесную проводимость п Ge в случае промежуточного легирования.-ФТП, 1981, т.15, с.1284-1292.

18. Гиновкер А.С.Долосанов В.А.Дурышев Г.А. Релаксация заряда в МНОП-транзисторах при многократных переключениях.-Микроэлектроника, 1976, т.5, с.411.

19. Гороховатский Ю.А. Основы термополяризационного анализа.М: Наука, I98I,c.I76.

20. Гузев А.А.,Ефимов В.М.,Колосанов В.А. Генерация ловушек в нитриде кремния при переключениях МВДП структур.-Электронная техника. Сер.3,Микроэлектроника, 1979, вып.2(80),с.27--31.

21. Губанов А.й. Эффект Френкеля-Пула для экранированного куло-новского потенциала.-1ТФ, 1954, т.24, с.308.

22. Джоншер А.К.Дилл P.M. Электропроводность неупорядоченных неметаллических пленок.-В кн.-.Физика тонких пленок. М:Мир, 1978, т.8, с.180-263.

23. Дель'Ока С.Д1.,Пулфри Д.Л.,Янг Л. Анодные окисные пленки.-В кн.-.Физика тонких пленок. М:Мир, 1973, т.6, с.7-96.

24. Дерий В.А. Линейный преобразователь температуры.-Измерительная техника, 1979, № 3, с.23-24.

25. Дирнлей Дж.,Стоунхэм А.,Морган Д. Электрические явления в аморфных пленках окислов.-Успехи физ.наук., 1974, т.112, с.83-128.

26. Дьяконов М.Н.,Замысловский М.Г.,Костров Д.В.,Муждаба В.М., Ханин С.Д.,Шелехин Ю.Л.Исследование электронного спектра окисла N6 оптическими и термическими методами.-ФТТ, 1978, т.20, с.2801-2803.

27. Житарь В.Ф.,Молдовян Н.А.,Радауцан С.И. Отрицательное сопротивление S -типа кристаллов Z/? 1пг S^ .-ФТП, 1979,т.13, с .1886-1890.

28. Житарь В.Ф.,Молдовян Н.А.,Радауцан С.И. Влияние распределения электрического поля на эффект переключения в кристаллах Кп Jnz S4 .-^ТП, 1980, т.14, с.595-598.

29. Жукова И.С.,0дынец Л.Л. Электрические свойства оксидных пленок на вентильных металлах и механизм электролитического выпрямления.-В кн.:Физика полупроводников и металлов. М-Л: Наука, 1964, с.18-40.

30. Закгейм Л.Н.,Яковлева Р.М.Донехин В.Е.,Столов Л.А. Влияние термообработки на электрические свойства оксидированного тантала.-Электронная техника. Серия 5. Радиодетали, 1972, вып.2(27), с.3-15.

31. Зудова Л.А.,Зудов А.И.,Стерхов В.А. К вопросу об определении параметров электронных ловушек в анодных окисных пленках.- Томск,1975 г.-12 с-Рук.предст.редк.ж."Изв.ВУЗ СССР. Физика".Деп.в ВИНИТИ 8 июля 1975 г.,№ 2218-75.

32. Иванов Л.П.,Коренман М.Е.Дахтикова В.Г.,Приходько Г.Л., Хлудков С.С. Диод для измерения температуры.-ПТЭ, 1976,№ 2, с.247-248.

33. Иоффе В.А. Процессы переноса в неорганических диэлектриках. -Изв.ВУЗов СССР, Физика, 1979, № I, с.40-55.

34. Коломиец Б.Т.,Лебедев Э.А. Изучение локальных центров в стеклообразном селениде мышьяка методом токов, ограниченных пространственным зарядом,-ФТП, 1967, т.1, с.815.

35. Коломиец Б.Т.,Лебедев Э.А.,Казакова Л.П. Особенности переноса носителей заряда в стеклообразном As2 Sfy-ФТП, 1978, т.12, с.1771-1776.

36. Костров Д.В. Энергетическая структура локализованных состояний электронов в анодных окисных пленках.-Дис.канд.физ. наук.-Ленинград, 1980, с.160.

37. Костылев С.А.,Шкут В.А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках.-Киев:Наукова Думка, 1978.

38. Кулибаба В.Д. Локальные состояния и эффект переключения в конденсатах ( S62 53 )q jva2s )q q^.-ФТП, 1979,т.13, с.152-155.

39. Кунин В.Я.,Розова М.Н. Токи, ограниченные объемным зарядом, в тонких диэлектрических пленках с кулоновскими центрами захвата.-Радиотехника и электроника, 1980, т.25, с.1697--1701.

40. Кучинский П.В.Домако В.М. Стабилизатор температуры для области 77^-340 К.-ПТЭ, 1976, № 4, с.261-262.

41. Ламперт М.,Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.-М: Мир, 1973.

42. Малиненко В.П. Исследование пиролитических окислов марганца и системы металл-окисел-двуокись марганца.-Дис.канд. физ.-мат.наук.-Ленинград, 1977, с.151.

43. Марахонов В.М.,Сейсян Р.П. Токи, ограниченные объемным зарядом (ТОПЗ) в пленках сульфида кадмия.-ФТП, 1973, т.7, с.1141-1147.

44. Масловский В.М.,Нагин А.П.,Поспелов В.В.,Тюлькин В.М. Исследование нестабильности проводимости МНОП структуры, связанной с величиной протекшего заряда.-lit, 1979, т.49, с.1855--1861.

45. Масловский В.М.,Нагин А.П.Поспелов В.В.Дюлькин В.М. Кинетика необратимых изменений проводимости нитрида кремния.-Письма в ЖТ£, 1978, т.4, с.1237-1239.

46. Масловский В.М.,Нагин А.П.,Влияние сильного поля на проводимость пленок нитрида кремния.-Письма в IT£, 1976, т.2, с.777-779.

47. Масловский В.М.,Нагин А.П. Характер проводимости и необратимые изменения в МНОП структурах.-Микроэлектроника, 1978, т.7, с.531-537.

48. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.-М: Мир, 1977.

49. Мотт Н.,Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах.-ИЛ., 1950.

50. Мотт Н. Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М:Мир, 1974.

51. Мусабеков Т.Ю.,Сандомирский В.Б. Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом.-В кн.: Вопросы пленочной электроники, М:Сов.Радио, 1966,с.83-144.

52. Одынец Л.Л.Райкерус П.А. Исследование электропроводности анодных окисных пленок на тантале.-Электронная техника.Серия 5. Радиодетали, 1972, вып.2(27), с.23-28.

53. Отчет по НИР. Исследование структуры ближнего порядка в анодных окисных пленках, механизма униполярной проводимости и электрического пробоя в системах металл-окисел-Мп02.-Петрозаводск, 1980.

54. Палатник Л.С.,Копач В.Р.,Поздеев Ю.Л.,Скатков И.Б. Механизм изменения электропроводности аморфных окисных пленок при их термообработке.-Радиотехника и электроника, 1978, т.23, с.870-872.

55. Палатник Л.С.,Бойко Б.Т.,Скатков И.Б.,Копач В.Р.,Фриман Ю.Л. Особенности процесса зарядопереноса в аморфных пленках Та^О^. -Микроэлектроника, 1974, т.З, с.271-273.

56. Панасюк Л.М.,Мапушевич Г.Н.,Гоглидзе Т.И.,Провоторов В.Л. Влияние температуры на вольтамперные характеристики тонких слоев Asz Se3 ФТП, 1980, т.14, с.62-68.

57. Плотников А.Ф.,Садыгов 3.Я.Селезнев В.Н. Влияние величины протекшего заряда на скорость разрядки захваченного заряда в МНОП-элементах памяти.-Письма в 1ТФ, 1980, т.6,с.431-434.

58. Плотников А.Ф.,Садыгов 3.Я.Селезнев В.Н. О механизме изменения энергии активации проводимости в МНОП-элементах памяти.-Письма в ШФ, 1980, т.6, с.1220-1222.

59. Плотников А.Ф.,Сагитов Р.Г.,Садыгов 3.Я.Селезнев В.Н. Нестационарная проводимость МНОП-структур в области высоких электрических полей.- Крат.сообщ.по физ., 1980, т.6, с.10-15.

60. Плотников А.Ф.,Селезнев В.Н. Докарчук Д.Н. Деградация МНШ-структур под действием УФ-облучения.-Микроэлектроника,1979, т.8, с.554-558.

61. Райкерус П.А. Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом, при наличии ловушек, обладающих кулоновским потенциалом.-Радиотехника и электроника, 1971, т.16,с.609--612.

62. Райкерус П.А. Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом, с учетом эффекта Френкеля.-Радиотехника и электроника, 1972, т.17, с.835-840.

63. Райкерус П.А. Исследование электрических свойств окисных пленок на тантале.-Дис.канд.физ-мат.наук.-Ленинград,1973, с.108.

64. Розенталь А. Некоторые особенности тока, ограниченного объемным зарядом, в твердом теле.- Автореферат,канд.физ.-мат.наук, Тарту, 1974 г.

65. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М:Мир, 1966.

66. Рябинкин Ю.С. Влияние напряженности электрического поля на ток, ограниченный пространственным зарядом, в диэлектриках и полупроводниках.-ФТТ, 1964, т.6, с.2989-2997.

67. Савинова Н.А. Электропроводность аморфной и кристаллической пятиокиси тантала.-ФТТ, 1979, т.21, с.2889-2892.

68. Сандомирский В.Б.Суханов А.А. Явление электрической неустойчивости (переключение) в стеклообразных полупроводниках. -Зарубежная радиоэлектроника, 1976, № 9, с.68-101.

69. Симмонс Дж.Г. Прохождение тока сквозь тонкие диэлектрические пленки.-В кн.:Технология тонких пленок. Справочник. М.,Советское Радио, 1977, ч.2, с.345-400.

70. Синица С.П. Стационарные ТОПЗ в аморфных диэлектриках в сильных электрических полях.-В кн.-.Тонкие диэлектрические пленки и МДП структуры, Новосибирск, 1978, с.13-20.

71. Такачи Кохэй. Исследование дефектов, возникающих на поверхности танталовых анодных окисных пленок при термическом осаждении двуокиси марганца.-ДЭНКИ кагаку, 1976, 44,р.713--717.

72. Туннельные явления в твердых телах. Пер.с англ.под ред.Пере-ля В.И.-М:Мир, 1973.

73. Усанов Д.А.,Скриналь А.В. К теории инжекционных токов в диэлектриках с предельным заполнением ловушек.-Радиотехника и электроника, 1979, т.24, с.2103-2106.

74. Френкель Я.И. К теории электрического пробоя в диэлектриках и электронных полупроводниках.-1ТФ, 1938,т.5, с.685.

75. Чжан. Полупроводниковые ЗУ с сохранением информации при отключении питания.-ТИЦ,ЭР, 1976, т.64, с.20-44.

76. Шкловский Б.И. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях.-ФТП, 1979, т.13, с.93-97.

77. Шкловский Б.И.,Эфрос А.Л. Полностью компенсированный кристаллический полупроводник как модель аморфного полупроводника. -1ЭТ1, 1972, т.62, с.1156-1165.

78. Шкловский Б.И.,Эфрос А.Л. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред.-УФН, 1975, т.117, с.401-435.

79. Шкловский Б.И.,Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников.-М.: Наука, 1979.

80. Электронные явления в некристаллических полупроводниках.-Труды У1 междунар.конф.по аморфным и жидким полупроводникам.- Л.СССР, 18-24 ноября 1975 г. Л.: Наука, 1976.

81. Эфрос А.Л. Локализация электронов в неупорядоченных системах.(Переход Андерсона).- Успехи физ.наук., 1978, т.126, с.41-65.

82. Юнг Л. Анодные окисные пленки. Л.: Энергия, 1967, с.82.

83. Anderson P.W. L6kal moments and localized states Science, 1978, v.201, p.307-316.

84. Aris F.C., Lewis P.J. Steadi and transient conduction processes in anodic tentalum oxide. J.Phys D: Appl. Phys., 1973, v.6, p.1067-1083.

85. Axelrod Н.Ш., Schwartz N. Assymmetric Condustion in than films Та-Ox-Me structures: interstitial and substitutional impurity effects and direct detection at haw breakdown. -J.Electroch.Soc., 1969, v.116, pp.460-465.

86. Balich T.G., Goll P.M. Optimization of tantalum-magganese oxide capacitor.- Electronic Сотр.Conference, 1972, N 4, p.456.

87. Bean C.P., Pischer J.C., Vermilyea D.A. Jonic conductivity of tantalum oxide at very high fields. Phys.Rev., 1956,v.101, p.551.

88. Bernard W.J. Developments in Electrolytic Capacitors. J. of the Electrochem. Soc., 1977, v.24, p.403.

89. Bispinck H., Ganschow 0., Wedmann L., Benninghoven A. Combined YIMS, AES and XPS Investigation of tantalum oxide layers. Appl.Phys., 1979, v.18, p.113-117.

90. Caper M.J., Luff P.P., White M. Steady conduction processesin anodic tantalum oxide thin films with Al-counter electrodes. Thin Solid Films, 1970, v.5, p.23.

91. Connel G.A.N., Camphausen D.L., Paul W. Theory of Poole-Frenkel Conduction in Low-mobility Semiconductors. Phil. Mag., 1972, v.26, p.541.

92. Dean P.J., Choyke W.J. Kecombination-enhanced defect reactions. Strong new evidence for an old concept in semiconductors. Adv. in Phys., 1977, v.26, p.1-30.

93. Dignam M.J. Mechanism of ionic transport through oxide films. Oxide and Oxide Films, 1971, v.1, N 4, p.91.

94. Esher В., Moulin J.C. Les condensateurs au tantale a dielec-trique dope. Oude Electr., 1976, v.56, p.114-118.

95. Frank R.J., Simmons J.G. Space-charge effecta on emission-limited current flow in insulators. J.Appl.Phys., 1967» v.38, p.832-840.

96. Gartner W., Schultz M. Electronic Conduction Mechanisms of Cs-and B-Implanted Si02 Films. - Appl.Phys., 1977, v.12, p.137-148.

97. Gritsenko V.A., Meerson E.E., Sinitsa S.P. Unsteady Silicon Nitride Conductivity in high Electric Fields. Phys.Stat. Sol.(a), 1978, v.48, p.31-37.

98. Gritsenko V.A., Meerson E.E., Mogelnikov K.P., Sinitsa S.P. High-Field Conductivity of Amorphous Insulator Films. -Phys.Stat.Sol.(a), 1979, v.52, p.47-57.

99. Griscom D.L. Defects in amorphous insulators. J.of Non-Cryst.Sol., 1978, v.31, p.241-266.

100. Grundner M., Halbritter J. X.P.S. and AES studies on oxide growth and oxide coatings on niobium. J.Appl.Phys.,1980, v.5U1), p.397-405.

101. Gubanski S.M., Hughes D.M. Conduction processes in anodic tantalum oxide thin films with gold counter electrodes . -Thin Solid Films, 1978, v.52, p.119-127.

102. Hartke J.L. The Three-Dimensional Poole-Frenkel Effect-»-- J.Appl.Phys., 1968, v.39, p.4871.

103. Helfrich W. Jn: "Physics and Chemistry of the Organic solid state" eds.D.Fox., M. Lobes, A. Weissberger, v.3, New York, 1967, p.1.

104. Hickmott T.W. Low frequency negative resistance in thin anodic oxide films. J.Appl.Phys., 1962,v.33, p.2669-2682.

105. Hill R.M. Charge transport in band tails. Thin Solid Films, 1978, v.51, p.133-14o.

106. Hill R.M. The Poole-Frenkel constant. Thin Solid Films, 1971, v.8, p.21-24.

107. Hill R.M. Analises of high field conduction by localized carriers. Thin Solid Films, 1971, v.7, p.57-62.

108. Hill R.M. Poole-Frenkel conduction in Amorphjras solids. -Phil.Mag., 1971, v.23, p.59-86.

109. Hill R.M. Hopping conduction in amorphous Solids. Phil. Mag., 1971, v.24, p.1307-1325.

110. Homann C. A method of analysis of steady state space-chargelimited current-voltage characteristics.- Phys.Stat.Sol., 1968, v.26, p.311.

111. Hughes D.H., Jfcnes M.W. Electrical conduction in reactively sputtered tantalum oxide thin films. J.Phys.D: Appl.Phys. 1974, v.7, p.2081-2096.

112. Ioffe A.P., Regel A.R. Hon crystalline amorphous and liquid:: electronic seniconductors. - In: Progress in semiconductors, 1960, London, v.4, p.231-238.

113. Jaeger N.I., Klein G.P., Murvaagnee B. Electron infection into anodic value metal oxides. II. Further experimental results for TagOjj, Ш>2°5 ^ A^2°3* ~ J*Elec,fcrocbeil:1«Soc•» 1972, v.110, p.1531.

114. Jeppson K.O.,. Svensson C.M. negative bias stress of MOS devices at high electric fields and degradation of MHOS devices. J.Appl. Phys., 1977,v.48, IT 5, p.2004-2014.

115. Jones M.W., Hughes D.M. The investigation of conduction in anodic tantalpm oxide films formed on sputtered tantalum.-J.Phys.D: Appl.Phys., 1974, v.7.,p.112-119.

116. Jonscher A.K., Loh G.K. Poole-Frenkel conduction in alternating electric fields. J.Phys.C., 1971, v.4, p.1341-1347.

117. Klein G.P , Jaeger H.I. Electron injection and interfacial reaction at valve metal oxides. Thin Solid Films, 1971, v.43, p.103.

118. Klein G.P., Jaeger Ж.I. Electron injection into anodic tantalum oxide enhanced by ionic interface polarization.-J.Electrochem. Soc., 1970, v.117, p.1483.

119. Koda П., Hirata K., Nishimura Y. Current-voltage characteristics of tantalum solid electrolytic capacitors. Fujitsu Sci. and Techn.J., 1974, v.10, p.139-155.

120. Loh E. Physical interpretation of the tantalum chip capacitor life-test results. — JEEE Trans.Comp.Hybr. Manufас t Techn., 1980, v.CHMT-3.

121. Mc.Lean A., Power P. Tantalum solid electrolytic capacitors. Proc.I.R.E., 1956, v.44, p.872-878, 943.

122. Mark P., Hartmann J.E. On Distinguishing between the Schott-ky and Poole-Frenkel effects in insulators.- J.Appl.Phys. 1968, v.39, p.2163-2164.

123. Matsumoto H., Suzuki A., Jabumoto T. Effect of heat treatment on the coefficient Bpf for the Poole-Frenkel effect and the cfinductiviti in TagO^ Films. Jap.J.Appl.Phys., 1980, v. 19, p.71-77.

124. Mead C.A. Electron Transport Mechanism in Shin Insulatiig Films.- Phys.Rev., 1962, v.128, p.2088-2093.

125. Mott H.F. States in the gap in non-crystalline semiconductors. J.Phys.С: Solid St.Phys. 1980, v.13, p.5433-5471.

126. Mycielski W., Lipinski A. SCL currents and trap distribution in polycristalline Tetracene. Phys.stat.Sol(a), 1978, v.49, p.41-42.

127. Muller R.S. A unified approach to the theory of space-chargw--limited currents in an insulator with traps. Sol.St.Electron., 1963, v.6, p.25-32.

128. Murgatroyd P.N. Theory of space-charge-limited current enhanced by Frenkel effect. J.Phys.D: Appl.Phys., 1971,v.4, p.2412.

129. Nagels P. Electronic Transport in amourphous semiconductors Amorphous Semiconductors. Berlin,e.a., 1979, p.113-158.

130. Nakhmanson R.S., Roizin Ya.O. The conduction channels on Mis and MOM structure. Thin Solid Films, 1978, v.55, p.169-178.

131. Uespurek S., Sworakowski J. A differential method of Steady stae space-charge limited current voltage characteristics Phys.Status Sol(a), 1977, v.41, p.619-627.

132. Nespurek S., Obrda J., Sworakowski J. A study of traps forcurrent carriers in organic solids. Phys.Stat.Sol.(a), 1978, v.46, p.273-280.

133. Nespjnrek S., Sworakowski J. Evaluation of the validity of analytical equations describung steadi-state space-charge-limited current voltage characteristics. Czechoslovak journal of physics, 1980, v.830, p.1148-1156.

134. Nespurek S., Sworakowski J. Use of space-charge-limited current measurements to determine the properties of energetic distributions of bulk traps. J.Appl. Phys., 1980,v.51, p.2098-2102.

135. Pfister J.C. Bote on the interpretation of space charge limited current with traps. Phys.stat.sol(a), 1974, v.24, k.15-17.

136. Posa J.G. A special report: what to expect next in dynamik RAMs? Electronic, 1980, v.53, p.119-129.

137. Rose A. Space-charge-limited currents in solids. Phys. Rev., 1955, v.97, p. 1538-1544.

138. Simmons J.G. Poole-Frenkel Effect and Shottky Effect in Met&L-Insulator-Metal Systems. Phys.Rev., 1967, v.155, p.657-660.

139. Smyth D.M., Shirn G.A. Conduction and stoic-biometry in heat-treated anodic oxide films. J.Electrochem.Soc., 1968, v.115, p.186-192.

140. Smyth D.M., Pripp T.B. The Heat-treatment of anodic oxide films of niobium. J.Electrochem.Soc., 1969, v. 116,p.1048-1052.

141. Stockmann P. An exact evaluation of steadi state space-charge-limited currents for arbitrary trap distributions.-Phys.Stat.Sol(a), 1981, v.64, p.475-483.

142. Schnittle* Ch; Asimplified approach to the SCLC characteristic of homogeneons solids with traps distibuted in energy. Phys.Stat.Sol(a), 1978, v.48, p.357-368.

143. Schug J.C. Lilly A.C., Lowitz D.A. Shottky current in dielectrics. Phys.Rev: B, Solid State, 1970, v.1, p.4811-4818.

144. Taylor R.L., Haring H.E. A metal-semiconductor capocixor.-J.Electrochem.Soc., 1956, v.103, p.611-613.

145. Yeargan J.R., Taylor H.L. The Poole-Frenkel Effekt with Compensation Present. J.Appl.Phys., 1968, v.39, p.5600--5604.

146. Young L., Smith D.J. Models for ionic conduction in anodic oxide films. J.Electrochem.Soc., 1979, v.126, p.765--768.

147. Young P.L. D.C. electrical conduction in thin Ta2©^ films.-1. Bulk-limited conduction. J.App.Phys., 1976, v.47, p.235--241.