Исследование закономерностей формирования и электрофизических свойств сверхтонких слоев двуокиси кремния, полученных анодным окислением кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ФОРМИРОВАНИЯ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СВЕРХТОНКИХ СЛОЕВ ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ АНОДНЫМ ОКИСЛЕНИЕМ

КРЕМНИЯ.

Специальность 01.04.10 - Физика полупроводников и диэлектриков

на правах рукописи

Бершев Никита Евгеньевич

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург 1998

Работа выполнена в отделе электроники твердого тела НИИ физики Санкт-Петербургского государственного университета.

Научный руководитель:

доктор физ.-мат. наук, профессор

Романов О.В.

Нау чный консультант:

доктор физ.-мат. наук, профессор Коноров П. П.

Официальные оппоненты:

доктор физ.-мат. наук, профессор Урицкий В.Я.

кандидат физ.-мат. наук, Дрозд В.Е.

Ведущая организация: ООО "Светлана - ИРСЭТ"

Защита диссертации состоится " Ы I/O U J}_1998 г.

в'1 Э --часов на заседании диссертационного совета Д.063.57.32 по защите диссертаций на соискание ученой степени доктора наук в С.-Петербургском государственном университете по адресу: 199034, Санкт-Петербург, Универаггетская наб., д. 7/9.

Отзывы просим отправлять по адресу: 198904, Санкт-Петербург, Ульяновская 1, НИИФ СПбГУ, диссертационный совет Д.063.57.32.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке СПбГУ. Автореферат разослан " ? " JJCkS 1998 г. Ученый секретарь

диссертационного совета, „ у

доктор физ.-мат. наук -¿У Соловьев В.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работа. Структуры БЬБЮг и создаваемые на их основе структуры металл - диэлектрик - полупроводник (МДП) являются основой элементной базы современной микроэлектроники и электроники твердого тела. Последнее обусловлено прежде всего совершенством границы раздела 81-8102. Вместе с тем пленки БЮг характеризуются высокой электрической прочностью, а также могут одновременно играть роль диффузионной маски и слоя, стабилизирующего поверхность кремниевой подложки. В связи с этим свойства структур 8ь8Ю2 представляют большой научный и практический интерес.

Электрические свойства структур 51-5Ю: в большой мере определяются характером электронных процессов, протекающих как в окисных слоях, так и в области межфазовой границы 51-5Ю;. Эти процессы существенно влияют на важнейшие свойства и характеристики структур БнЗЮз, к которым относятся знак, величина и пространственное распределение встроенного заряда, плотность и энергетическое распределение межфазовых поверхностных состояний, величина пробивного напряжения окисного слоя, характер и распределение дефектов в окисном слое и области межфазовой границы Б^БЮг и т. д. Зависимость указанных характеристик от электронных процессов в окисном слое оказывает значительное влияние на основные параметры приборов и схем, содержащих в качестве элементов структуры 81-5Юг. Существенное влияние на свойства структур БьБЮ; оказывают и электронные процессы, протекающие в окисных слоях при изготовлении приборов. При этом отсутствие надежных данных о характере подобных процессов при широко используемых в технологии создания твердотельных приборов и схем воздействий не позволяет контролировать изменения характеристик структур ЭьБЮг и соответственно приборов, работающих на их основе, что значительно снижает процент выхода годных изделий.

Повышение быстродействия и степени интеграции БИС и СБИС требует субмикронных размеров их активных элементов, в том числе -уменьшения толщины подзатворного диэлектрика МДП транзисторов до 10-30 нм. Однако электрофизические свойства систем диэлектрик -полупроводник (ДП) с тонким, толщиной с1оХ<100 нм, и сверхтонким, боХ<10 нм, диэлектриком, а также возможности управления ими изучены

еще недостаточно, и в этом направлении требуется проведение специальных научных исследований.

Структура кремний - анодный окисел является перспективной для исследований по многим причинам. Она позволяет производить контролируемое формирование тонких и сверхтонких слоев окисла. Кроме того, можно осуществлять контроль свойств структуры как в ходе формирования, так и непосредственно после окончания процесса формирования.

При уменьшении толщины диэлектрика свойства структуры ДП сильно влияет неоднородность его свойств по толщине. Соответственно, является важным установить свойства переходных областей в диэлектрике вблизи границ полупроводник-диэлектрик и диэлектрик-воздух.

Кроме того, в плане развития научных представлений о физико-химических процессах, определяющих электрофизические свойства поверхности и границ раздела твердых тел, представляется актуальным изучение начальных стадий формирования перехода ДП на различных примерах а также процессов, протекающих в структуре ДП непосредственно после формирования диэлектрического слоя.

Также представляется важным выяснить и разделить влияние на свойства структуры полупроводник-диэлектрик как свойств полупроводниковой подложки, так и технологии формирования структуры.

Решение перечисленных выше научных и практических задач требует разработки методов контроля электрофизических параметров поверхности, параметров тонких и сверхтонких диэлектрических слоев на них, а также электрофизических параметров границы раздела ДП. Использование эффекта поля в электролитах позволяет осуществлять такой контроль, совмещая его с формированием окисного слоя или проведением различных физико-химических воздействий Для проведения исследования детального распределения дефектов и свойств структуры полупроводник-диэлектрик необходимым является развитие методики профилирования. Таким образом, именно метод эффекта поля в электролитах в сочетании с методикой профилирования позволяют исследовать многие важные свойства системы полупроводник-диэлектрик, в том числе и в процессе ее формирования.

Цель работы заключалась в развитии метода эффекта поля в электролитах в сочетании с методикой профилирования и изучении электрофизических свойств структуры Б^БЮг (анодный) на основе исследования характера пространственного распределения электрически и химически активных дефектов на начальных стадиях ее формирования.

Научная новизна работы.

1. Методика непрерывного травления применена к исследованию пространственных распределений электрически и химически активных дефектов в сверхтонких пленках анодного окисла на поверхности кремния.

2. На основе метода эффекта поля в электролитах и методики непрерывного травления получены пространственные распределения электрически и химически активных дефектов в сверхтонких пленках анодного окисла на поверхности кремния.

3. Обнаружено, что анодный окисел на поверхности кремния всегда имеет трехслойную структуру по пространственному распределению электрически и химически активных дефектов, параметры которой зависят от свойств подложки и технологии формирования окисного слоя.

Практическая значимость работы состоит в следующем:

1.Полученные экспериментально зависимости между технологией формирования окисного слоя на поверхности кремния и распределением дефектов позволяют управлять свойствами структур кремний-оксид.

2.Обнаружены закономерности формирования МФГ кремний-оксид, свойства которой в значительной мере определяют параметры структуры кремний-сверхтонкий оксид, которая является перспективной для технологии производства .микроэлектронных устройств высокой степени интеграции.

Основные защищаемые положения:

1. Методика получения пространственного распределения заряда и зависимости локальной скорости травления от толщины диэлектрика в тонких и сверхтонких пленках анодного оксида кремния на поверхности

кремния с субнанометровым разрешением по толщине, основанная на сочетании эффекта поля в электролитах и методики профилирования.

2. Анодный окисел на поверхности кремния имеет трехслойную структуру по пространственному распределению электрически и химически активных дефектов.

3. Параметры подложки влияют на пространственное распределение электрически и химически активных дефектов в слоях анодного окисла кремния в узкой области вблизи МФГ кремний-оксид.

4. Особенности технологии формирования огсисного слоя влияют на пространственное распределение электрически и химически активных дефектов в слоях анодного окисла кремния по всей толщине окисла.

Апробация работы и публикации.

Основные результаты диссертации опубликованы в двенадцати научных работах (2 статьи в журналах, 10 тезисов докладов на международных научных конференциях).

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, приложения и списка литературы; Работа изложена на 203 страницах, использовано 3 таблицы и 74 иллюстрации. Библиография включает в себя 139 наименований работ.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении рассмотрена актуальность проблемы, поставлена цель исследования, сформулированы защищаемые положения.

Первая глава "Свойства и структура слоев оксида кремния на поверхности кремния" является обзором литературы, посвященной теоретическим и экспериментальным исследованиям структуры и электрофизических свойств системы БьБЮг, в том числе описанию характерных для этой системы дефектов различной природы. В разделе 1.1. описаны основные электрофизические характеристики структур Бь БЮз Показано, что важное практическое значение имеют электрически активные дефекты, такие как фиксированный заряд в окисле, заряд, захваченный на границе БьБЮг поверхностными ловушками (поверхностными состояниями), заряд подвижных ионов, заряд,

захваченный на ловушки в окисле.

В разделе 1.2. описано формирование слоев 8Ю2 путем анодного окисления кремния в электролитах. Приведены основные характеристики этого процесса, рассмотрены электрофизические свойства структуры кремний-анодный окисел.

Раздел 1.3. посвящен исследованиям атомного состава и структуры слоев БЮа на кремнии. Особое внимание уделено рассмотрению переходной области вблизи границы кремний-окисел, в которой имеются слои с отличной от объема БЮг структурой или стехиометрией.

В разделе 1.4. приведены общие сведения о распределении встроенного заряда по толщине в слоях оксида кремния на кремнии. Описано влияние технологии окисления и послеокислительной обработки, толщины окисла и других факторов на пространственное распределение дефектов в окисном слое. Рассмотрены основные представления о природе этих дефектов.

Раздел 1.5. посвящен влиянию примесей на свойства слоев БЮг на кремнии. Рассмотрено влияние таких объемных примесей, как хлор и фтор. Также описано воздействие поверхностного легирования атомами металлов поверхности кремния.

В конце главы на основании литературного обзора сформулированы задачи работы:

1. Усовершенствовать методику прецизионного формирования и удаления сверхтонких слоев анодного окисла кремния с одновременным контролем его электрофизических и химических свойств с применением эффекта поля в электролите в сочетании с методикой профилирования.

2. Выяснить влияние подложки, технологических факторов и толщины на свойства и распределение дефектов в сверхтонких слоях анодного БЮ? на поверхности кремния.

3. Установить основные закономерности в распределении электрически и химически активных дефектов в сверхтонких слоях анодного БЮз на поверхности кремния.

Глава 2 "Метод эффекта поля в электролитах в применении к исследованиям поверхности полупроводников и свойств систем полупроводник-диэлектрик в контакте с электролитами" посвящена описанию методики проводимых в данной работе экспериментов. Дано

обоснование выбора метода эффекта поля в электролите для решения поставленных задач.

Оборудование, примененное в настоящей работе для исследований эффекта поля в электролитах (ЭПЭ), позволяет регистрировать ряд электрофизических параметров системы: электрические емкость и потенциал неполяризованного состояния; темновые и световые вольт-амперные характеристики; темновые и световые вольт-фарадные характеристики. Это позволяет исследовать многие электрофизические и химические свойства исследуемых систем, например различные заряженные дефекты.

Особое внимание во второй главе уделено описанию методики непрерывного травления, разработанной в данной работе. Эта методика является модификацией ЭПЭ и позволяет с относительно высокой точностью и субнанометровым разрешением по толщине получать пространственные распределения зарядов в диэлектрических слоях на поверхности полупроводников, а также измерять зависимость локальной скорости химического травления диэлектрика от его толщины.

В конце главы сформулированы следующие выводы:

1. Метод комплексного эффекта поля в электролитах позволяет одновременно и непрерывно в режиме контролируемого потенциала при различных скоростях его изменения измерять следующие характеристики системы полупроводник-электролит или полупроводник-диэлектрик-электролит:

а) зависимость дифференциальной емкости (фотоемкости) межфазовой границы (в диапазоне 5-10и-1(У5 Ф) от электродного потенциала;

б) вольтамперную (фотовольтамперную) зависимость системы в диапазоне 10'9-10'4 А.

2. Используемая методика позволяет регистрировать одновременно и непрерывно зависимости дифференциальной емкости, тока и электродного потенциала от времени.

3. В рамках данной работы разработана новая методика, позволяющая определять толщинные зависимости различных свойств для широкого класса диэлектрических пленок на поверхности полупроводников.

4. Использованный метод позволяет исследовать широкий спектр электронных, электрических и физико-химических свойств

поверхности большого класса веществ от полуметаллов до широкозонных полупроводников.

В главе 3 рассматривается формирование сверхтонкого анодного окисла (СТАО) на поверхности кремния в водном растворе КС1 и его свойства.

В п. 3.1. приведено общее описание формирования СТАО кремния. Также дается характеристика электрофизических параметров исходной поверхности кремния. Показано, что используемая методика позволяет фиксировать такие характеристики структуры кремний-анодный оксид, как толщина окисного слоя, концентрация заряженных дефектов (фиксированный заряд, перезаряжаемые ловушки, быстрые поверхностные состояния), постоянная анодирования и др.

В п. 3.2. описывается зависимость различных параметров СТАО кремния от толщины. Регистрируемые использованным методом характеристики позволили в ходе формирования, а затем и последующего удаления сверхтонкого или тонкого слоя диэлектрика определить: распределение локальной объемной плотности встроенного заряда по глубине слоя с разрешением около 0.3 нм; плотность (Nss) и энергию (Ess) быстрых поверхностных состояний (БПС); напряженность электрического поля формирования диэлектрической пленки (sAo); скорость химического растворения диэлектрика (Vdis) и ее распределение по толщине слоя (Vendra)); и ряд других характеристик. В результате установлено, что СТАО кремния является неоднородным по многим электронным и физико-химическим свойствам.

В п. 3.3. приведены исследования распределения встроенного заряда по толщине в СТАО на кремнии при разной толщине окисного слоя (0.5 - 9 нм)., что в окисле формируется трехслойная структура распределения встроенного заряда по толщине, причем эти три области могут состоять из чередующихся слоев локализации заряда разного знака.

В п. 3.4. исследуется кинетика электронных, электрических и физико-химических свойств структуры кремний - СТАО кремния -электролит непосредственно после формирования окисного слоя. Обнаружено, что концентрация встроенного заряда и перезаряжаемых ловушек уменьшается со временем, также существенно изменяется вид пространственного распределения заряда.

В конце главы сформулированы следующие выводы:

¡.Установлено, что на исходной поверхности р-Б1, полученной после обработки в 5% водном растворе Ш% в электролите ЗЫ КС1 в потенциодинамическом режиме формируется сверхтонкий анодный окисел с контролируемыми физико-химическими и электронными свойствами.

2. Исследована зависимость различных физико-химических и электронных свойств: плотности БПС, напряженности электрического поля формирования окисла (вАо), локальной скорости химического растворения диэлектрика (У^Х^м)) от толщины СТАО кремния.

3. В распределении встроенного заряда по толщине СТАО на кремнии обнаружены три области, которые могут состоять из чередующихся слоев локализации заряда разного знака. Исследованы закономерности формирования этих зон в зависимости от толщины окисла.

4. Исследована кинетика электронных свойств структуры кремний - СТАО кремния - электролит непосредственно после ее формирования. Обнаружены закономерности в изменении распределении встроенного заряда по толщине окисла от времени. Также обнаружено уменьшение во времени величины встроенного положительного заряда и плотности медленных перезаряжаемых ловушек.

В главе 4 рассматриваются изменения свойств системы кремний- СТАО при изменении различных параметров формирования этой системы.

В п. 4.1. исследовано влияние малых добавок в окислительный электролит на свойства СТАО кремния. В качестве базового окислительного электролита использовался водный раствор ЗМ КС1. Для легирования раствора применялись добавки 0.5М Н№Э3 и 0.01% которые, соответственно увеличивают и уменьшают окислительную способность электролита. Обнаружено, что полученные окисные слои имеют существенно различные свойства, такие как зависимость локальной скорости травления, проводимости, концентрации быстрых поверхностных состояний от толщины окисла, а также пространственное распределение заряда по толщине. Это свидетельствует о том, что особенности технологии формирования анодного окисла на поверхности кремния влияют на свойства структуры кремний-оксид по всей толщине окисного слоя.

В п. 4.2. описано влияние легирования металлами (золото, платина, палладий) поверхности кремния на свойства СТАО, создаваемого на этой поверхности. Показано, что металл выделяется на поверхности кремния в частично отрицательно ионизированном состоянии. При этом электрофизические параметры поверхности существенно меняются, что проявляется, например, в изменении спектра БПС. Исследования пространственного распределения зарядов в окисном слое на легированной поверхности кремния показали, что изменения, вызванные модификацией поверхности, имеют место только в узкой области 1 нм) вблизи внутренней границы оксида. Обнаружено, что в процессе окисления металл, адсорбированный на поверхности кремния, остается с ней связан. Это свидетельствует в пользу того, что анодное окисление протекает по катионному механизму.

В п. 4.3. описаны исследования свойств СТАО на поверхности пористого кремния. Показано, что по сравнению с анодным окислом на поверхности монокристаллического кремния он имеет меньшее количество электрически и химически активных дефектов. Это проявляется в уменьшении скорости травления и концентрации встроенного заряда и поверхностных состояний.

В конце главы сформулированы следующие выводы:

¡.Исследовано влияние на электронные и физико-химические свойства СТАО кремния добавок Ш7 или НЫОз в базовый окислительный электролит. Обнаружены индивидуальные различия во влияют различных добавок, в том числе в распределении по толщине заряженных дефектов.

2. Исследовано влияние адсорбированного на поверхности кремния металла на свойства СТАО, сформированного на такой поверхности. Обнаружены изменения в распределении встроенного заряда по толщине окисла, связанные с наличием адсорбированного металла. Также обнаружено, что металл в процессе анодного окисления остается связанным с поверхностью кремния.

3. Исследованы свойства СТАО, полученного на поверхности пористого кремния. Обнаружено, что он имеет меньшее количество дефектов по сравнению со СТАО на поверхности монокристаллического кремния.

4. Получены подтверждения того, что процесс анодного окисления протекает по катионному механизму.

5. Обнаружено, что трехслойная структура распределения заряженных дефектов и физико-химических свойств СТАО кремния существует в различных модификациях оксида. Вместе с тем свойства и структура самих областей локализации заряда меняется в зависимости от обработки исходной поверхности и технологии процесса окисления.

В главе 5 приведен обобщающий анализ результатов работы. Обнаружено, что окисный слой на поверхности кремния по пространственному распределению заряженных и химически активных дефектов можно условно разделить на три области (см. рис.), каждая из которых характеризуется своим пространственным распределением дефектов. В исследованиях, посвященных данной проблеме, до сих пор обнаруживалось лишь наличие заряда в окисном слое (в основном, вблизи МФГ). То, что распределение заряда имеет сложную структуру, установлено в данной работе. При этом, в рамках использованной методики интерпретация наблюдаемого пространственного распределения заряда путем сопоставления их с какими-либо дефектами, имеющимися в слоях окиси кремния на кремнии представляется несостоятельной.

Первая область расположена вблизи МФГ кремний-оксид кремния и имеет собственную структуру, состоящую из чередующихся слоев локализации зарядов разного знака страдательный/ положительный/отрицательный или полошггельный/отрицательный. Эта область имеет пониженную скорость химического травления по сравнению с объемом диэлектрика.

Вторая область пространственно разделяет области вблизи внутренней и внешней границ окисного слоя, имеет малую концентрацию заряженных дефектов и характеризуется примерно постоянной скоростью химического травления. Свойства этой области определяют объемные свойства окисла.

Третья область локализована вблизи внешней границы оксида и также может иметь несколько слоев локализации зарядов разного знака. Эта область имеет пониженную скорость химического травления по сравнению с объемом диэлектрика.

Делается вывод о том, что параметры поверхности кремния определяют свойства окисла только в прилежащей к МФГ кремний-оксид области. Особенности структуры и состава окисного слоя влияют на свойства, в частности на пространственное распределение зарядов, по

всей толщине окисла. Но вблизи внутренней границы их влияние сказывается значительно слабее, чем влияние подложки.

1. Окисление КС1

2. Окисление в КС1 + 0.01% ГО

3. Окисление в КС1 + 0.5М НН03

Л.

Окисление в КС1 после адсорбции металла

3 &

3

я 8.

е

кремний —

окисел

1 область

2 область

->

3 область

Рис. Качественный вид пространственного распределения заряда в слое анодного 5Ю2 на поверхности кремния при разных способах получения.

Свойства области, локализованной вблизи внешней границы оксида, определяются процессами, происходящими при реакции анодного окисления, которая идет именно в этой области. Об этом говорят

различия в строении внешнего слоя при изменении условий формирования окисла, а такдее само наличие этого слоя.

Таким образом, можно утвер>вда!ь, что распределение дефектов в области вблизи внутренней границы кремний-диэлектрик определяется в основном кремниевой подложкой. В то же время распределение дефектов в Остальной части диэлектрика определяется технологией формирования и составом самого диэлектрика.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Наиболее существенные выводы работы можно сформулировать следующим образом:

1. Усовершенствована методика преци зионного формирования и удаления сверхтонких слоев анодного окисла кремния на поверхности кремния с одновременным контролем его электрофизических и химических свойств с применением эффекта поля в электролоте.

2. Получены пространственные распределения электрически и химически активных дефектов в сверхтонких слоях анодного окисла кремния на поверхности кремния.

3. Установлены закономерности формирования пространственного распределения электрически и химически активных дефектов в сверхтонких слоях анодного окисла кремния на поверхности кремния.

4. Выявлено влияние технологических факторов, свойств подложки и толщины на пространственное распределение электрически и химически активных дефектов р сверхтонких слоях анодного окисла кремния на поверхности кремния.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ:

1. Розанов О. В., Туманова С. Ю., Бершев Н. Е.. Зинченко А. В. Формиррвание и исследование структур на основе монокристаллической полупроводйиковой матрицы и липидов головного мозга. Межвузовский сборник "Элементная база микро- и наноэлектроники: физика и технология", Москва, 1994.

2. Романов О. В., Бершев Н. Е., Мониторинг формирования и удаления сверхтонких слоев Si02 на исходной гидрогеннзиро ванной поверхности монокристаллического кремния, ФТ]П т. 30 (4), 1996.

3. O.V. Romanov, I.A. Kotov, N.E. Bershev, V.P. Letavin, In-Depth Nanoscale Distribution and Relaxation of Intrinsic Charged Traps into Si02 Films on Si. The 5th Intern. Conf. on the Formation of Semiconductor Surfaces, 1995

4. O.V. Romanov, N.E. Bershev, Passivation and Depassivation on Si Surface on the Subnanoscale. 13th Intern. Vacuum Congress, 9th Intern. Conf. on Solid Surfaces, 1995

5. O.V. Romanov, S. U. Tumanova, N.E. Bershev, A.I. Ianklovich, Lipid layers of the different brain segments on surfaces of singlc-cryxtal semiconductors. 5th Intern. Conf. On the structure of Surfaces, 1996.

6. O.V. Romanov, N.E. Bershev, Oxidation-reduction processes at the solidliquid interface on the nano- and subnanoscale. 5th Intern. Conf. On the structure of Surfaces, 1996.

7. N.E. Bershev, O.V. Romanov, Heon Kang, Study of initial stage of formation of silicon nitride on silicon by a method of low-energy ionic implantation. International conference on physics of dielectrics -Delectrics -97 (1997).

8. Бершев H. E., Романов О. В., Летавин В.П. Электронные, электрические и физико-химические свойства аномальных тонких пленок Si02 на c-Si. Международная конференция по физике диэлектриков - Диэлектрики -97 (1997).

9. С. Ю. Туманова, Н. Е. Бершев, А. Я. Янклович, Т. С. Огородникова. Диэлектрические слои липидов головного мозга на поверхности полупроводников. Международная конференция по физике диэлектриков - Диэлектрики -97 (1997).

10.0.V. Romanov, N.E. Bershev, Oxidation-reduction processes at the semiconductor surfaces on the nano- and subnanoscale. 4th Nordic Conference on Surface Science (1997).

11. O.V. Romanov, N.E. Bershev, I.A. Kotov, Oxidation and reduction of silicon surface on the subnanoscale. 17th European conference on Surface Science - ECOSS-17 (1997).

12. N.E. Bershev, O.V. Romanov, Heon Kang, Interaction of the low-energy NY-ions with the surface (100) of c-Si. 17th European conference on Surface Science - ECOSS-17 (1997).