Электролюминесценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.стр.

ГЛАВА I. Инжекция электронов в 3±02 и их перенос в сильном электрическом поле.

§ I. Проводимость системы БЛ-Б:Ш2 -металл в сильных электрических полях. . . . . ♦

§ 2. Особенности электролитического контакта.

§ 3. Методика эксперимента.

§ Особенности проводимости системы БЛ~Б102-. электролит в сильных электрических полях.

§ 5. Ударная ионизация в структурах БЛ-Б:Ю2#

ГЛАВА II. электролюминесценция в структурах БЛ-БЮ2.

Механизмы возбуждения.

§ Г. Люминесцентные методы исследования структур Б1-Б:Ю

§ 2. Методика определения спектрального состава электролюминесценции системы Б1-БЮ

-электролит. . . г.

§ 3. Влияние интерферениции на спектр люминес-т ценции тонких диэлектрических слоев.50.

§ 4-, Механизмы возбуждения электролюминесценции

В системе бл-б±о2 ^-электролит.

§ 5. Взаимосвязь между механизмом возбуждения электролюминесценции и особенностями проводимости диэлектрика. . . . . . !.

ГЛАВА III'. Электролюминесценция в структурах Бз.-Б102»

Характеристики центров свечения.

§ Г. Зависимость интенсивности спектральных полос электролюминесценции от способа формирования структур Б1-Б±о

§ 2'. Характеристики центров люминесценции в полосе 1,9 эВ.

§ Ъ\ Характеристики центров свечения в полосе 2,2 эВ.

§ Характеристики центров люминесценции в полосе 2,7 эВ.

§ 5;# Использование электролюминесценции для изучения процессов термического и анодного окисления кремния. Ю

ГЛАВА 1У. Использование электролюминесценции для изучения изменений свойств структур 31-3:102 в сильных электрических полях.

§ 1« Основные результаты исследования полевой деградации структур зз.~зю2 (по литературным данным).

§ 2. Изменение зарядового состояния структур

Б1-з±о2 б сильных электрических полях.

§ 3. Изменение проводимости и спектра электролюминесценции структур з±-зю2 в сильных электрических полях. . о.

Актуальность. В настоящее время структуры Б1-зю2 являются основой широкого класса полупроводниковых приборов: транзисторов и диодов, приборов с зарядовой связью и светоизлучаю-щих приборов, элементов памяти и др. Щ. Появление запоминающих устройств и светоизлучающих приборов на основе структур БЗ.-Б:Ш2 , в которых окисный слой играет активную роль и для рабочего режима которых характерно наличие в окисном слое электрических полей напряженностью до 10 МВ/см, привело к необходимости дополнить традиционное для микроэлектроники исследование характеристик границы раздела Б1-БЮ2 исследованием объемных свойств окионого слоя и механизмов их изменения под действием сильного электрического поля, что стимулировало поиск наиболее перспективных методов таких исследований. Перспективными в этом отношении являются различные люминесцентные методы, которые обладают высокой чувствительностью к наличию дефектов и примесей и позволяют получать экспресс-информацию о составе и строении окисных слоев на кремнии. Наиболее интересным с точки зрения установления взаимосвязи между структурными особенностями диэлектрика и его электрофизическими характеристиками является наблюдение электролюминесценции, сопровождающей токоперенос в сильном электрическом поле, поскольку электролюминесценция представляет собой проявление взаимодействия электронов проводимости со структурными особенностями окисла. Интенсивность и спектральный состав электролюминесценции должны отражать как природу этих элементов структуры, так и особенности переноса носителей заряда и изменение этих особенностей под действием сильного электрического поля. Однако метод электролюминесценции не получил широкого распространения для исследования электронных процессов в структурах БЛ-БЮ и свойств окисных слоев на кремнии. Причины этого заключаются в том, что наблюдение электролюминесценции в системе металл-окисел-полуцроводник затруднено сильным поглощением свечения окисного слоя в металлическом электроде и нестабильностью его интенсивности вследствие локальных пробоев областей с повышенной напряженностью электрического поля. Эти экспериментальные трудности могут быть преодолены путем замены металлического контакта на электролитический, однако использование системы электролит-диэлектрик-полупроводник для наблюдения электролюминесценции структур эл-вн^ осложнено тем, что механизм возбуждения электролюминесценции в такой системе продолжает оставаться не вполне ясным. Целесообразность использования электролитического контакта для исследования электронных процессов в структурах 81-8102 цри высокой напряженности электрического поля в окисном слое определяют простота многократного нанесения и удаления, прозрачность в широком спектральном диапазоне и возможность создания в окисном слое более высокой напряженности электрического поля, чем в случае металлического электрода [з]. Более высокая электрическая прочность системы электролит-диэлектрик-полупроводник обусловлена большей высотой потенциального барьера на границе диэлектрик-электролит, более низкой эмиссионной способностью электролита по сравнению с металлом и лучшей однородностью электролитического контакта по площади образца.

Отмеченные особенности электролитического контакта позволяют совместно изучать зарядовое состояние, проводимость и сопровождающую токоперенос электролюминесценцию, а также закономерности измерения этих величин под действием электрического поля экстремально высокой напряженноети± Актуальность настоящей работы, связанной с использованием системы электролит-диэлектрик-полупроводник для совместного исследования проводимости и электролюминесценции структур 31-3102 в сильных электрических полях, заключается в том, что эти исследования позволяют выяснить механизм возникновения электролюминесценции в такой системе и использовать ее дня получения новых данных о процессах полевой деградации полупроводниковых приборов на основе структур эз.-зю2 и для установления взаимосвязи между электрофизическими характеристиками этих структур и особенностями строения окисно-го слоя.

Цель настоящей работы заключается в развитии метода исследования структур бл-бк^ с помощью электролюминесценции в системе электролит-диэлектрик-полупрбводник и в использовании этого метода в сочетании с измерением электрофизических характеристик для получения новых данных об электронных процессах, протекающих в структурах 81-ЗЮ2 при высокой напряженности электрического поля в окисном слое, а также для установления взаимосвязи этих процессов с особенностями состава и строения окисных слоев на кремнии.

Основные задачи работы могут быть сформулированы следующим образом:

1. Выяснение механизмов возникновения электролюминесценции структур 81-зю2 в контакте с электролитом,

2, Выяснение природы центров электролюминесценции в окисных слоях на кремнии,

3. Установление взаимосвязи между электрофизическими и люминесцентными характеристиками структур 31-3102 ,

4, Исследование механизмов изменения электрофизических характеристик структур з±-зю2 в сильном электрическом поле с помощью электролюминесценции.

Научная новизна работы состоит в том, что:

I, Показано, что электролюминесценции в системе 31-3102

-электролит связана как с реакцией анодного окисления кремния, которая является источником непрерывной компоненты в спектре люминесценции, так и с инжекцией электронов из электролита в окисный слой и их взаимодействием с элементами структуры окисла в процессе переноса в сильном электрическом поле, которое является источником возникновения характеристических полос в спектре,

2. Выяснено, что появление полосы 1,9 эВ в спектре электролюминесценции структур з±-зю2 является следствием захвата электронов ловушками, в то время как возбуждение коротковолновой части спектра осуществляется быстрыми электронами, ускоренными электрическим полем в процессе их переноса через окисный слой.'

3. Предложена модель взаимодействия электронов проводимости с содержащимися в окисном слое группами Б1-он , в рамках которой могут быть объяснены механизм возбуждения спектральной полосы электролюминесценции 1,9 эВ и закономерности изменения проводимости и люминесценции окисного слоя при воздействии сильного электрического поля и отжиге

4. Показано, что электролюминесценция в системе электролит-диэлектрик-полупроводник может быть использована для исследования состава и строения окисных слоев на кремнии и динамики их формирования при различных способах окисления.

В результате проведенных исследований получены новые научные данные, которые подтвердили актуальность темы и позволили сформулировать основные защищаемые положения.

Основные положения, выносимые на защиту:

I. Электролюминесценция в системе з±-зю2 -электролит может возбуждаться как за счет реакции анодного окисления кремния, так и в результате взаимодействия электронов проводимости

- г— с матрицей бю2 . Относительный вклад анодного окисления в возбуждение электролюминесценции при использовании неокисляющего электролита и достаточно низкой плотности тока может быть сделан пренебрежимо малым, что позволяет использовать электролюминесценцию в системе Б1-бю2 -электролит для исследования электронных процессов в структурах Б1-Б:102 и состава окисных слоев на кремнии,

2, Появление характеристических полос в спектре электролюминесценции системы Б1-БЮ2 -электролит обусловлено возбуждением собственных дефектов окисного слоя в результате их взаимодействия с электронами, инжектированными из электролита. При этом возникновение полосы 1,9 эВ является следствием захвата электронов ловушками, а коротковолновая часть спектра возбуждается быстрыми электронами, ускоренными электрическим полем в процессе их переноса через окисный слой,

3. Полоса 1,9 эВ в спектре электролюминесценции структур Б1-БЮ2 обусловлена наличием в окисном слое Б1~он групп, а полоса 2,2 эВ - избыточных атомов 1фемния,

4, Увеличение проводимости структур Б1-БЮ2 при поляризации и сопровождающее его уменьшение интенсивности полосы электролюминесценции 1,9 эВ определяются как величиной протекшего через окисел заряда, так и напряженностью электрического поля в окисном слое, Антибатная зависимость между избыточной проводимостью структур Б1-БЮ2 и интенсивностью полосы электролюминесценции 1,9 эВ прослеживается также при последующем отжиге подвергнутых поляризации образцов и при изменении способа формирования окисного слоя,

5. Наблюдаемые закономерности изменения проводимости и электролюминесценции структур б1-бю2 в сильном электрическом поле и механизм возбуждения полосы 1,9 эВ в спектре электролюминесценции могут быть объяснены диссоциацией имеющихся в окис-ном слое бл-он групп за счет их взаимодействия с электронами проводимости, вследствие чего образуются возбужденные немости-ковые атомы кислорода, которые релаксируют в основное состояние за счет излучательного перехода электрона между расщепленными 2р уровнями и после этого принимают участие в переносе дырок через окисный слой»

Практическая ценность работы состоит в следующем:

1. Предложена методика контроля состава и строения окисных слоев на кремнии по спектрам электролюминесценции, которая может быть использована при промышленном изротовлении структур 81-8102*

2. Получены новые данные о физико-химической природе центров электролюминесценции в окисных слоях на кремнии, а также о взаимосвязи люминесценции и проводимости, что делает возможным использование спектров электролюминесценции для оценки электрофизических характеристик структур бл-бк^ ,

3. Установлена взаимосвязь между исходным содержанием Б±-он групп в окисных слоях и изменением их проводишсти под действием сального электрического поля, что дает возможность оценить влияние способа окисления на стабильность структур 31-3102 в сильных электрических полях по характеру спектра электролюминесценции,

4. Исследована зависимость эффективности ударной ионизации матрицы з±о2 электронами проводишсти от толщины окисного слоя и установлена связь этого процесса с образованием положительного заряда вблизи границы 31-зю2 , что позволяет сделать оценку оптимальной толщины окисла с точки зрения стабильности структур з±-зю2 при воздействии сильного электрического поля.

Апробация -работы. Материалы диссертационной работы были доложены и обсуждались на Всесоюзной конференции "Физика окисных пленок" (Петрозаводск, 1982), Всесоюзной конференции "Физика диэлектриков" (Баку, 1982), У Всесоюзной школе по физике поверхности полупроводников (Одесса, 1982), 1У конференции "Физические проблемы ВДП-интегральной электроники (Севастополь, 1983), Всесоюзном совещании-семинаре "Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах интегральных схем" (Гурзуф, 1983), Всесоюзной школе по физике поверхности (Ташкент, 1983), III Всесоюзном научно-техническом семинаре "Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем" (Рязань, 1984), Международной конференции "Электродинамика межфазной границы" (Телави, 1984).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 9 научных работах, включая 3 статьи и 6 тезисов докладов^

Объем и структура диссертации.1 Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка цитируемой литературы.Ра-бота изложена на 156 страницах машинописного текста и проиллюстрирована 54 рисунками и 3 таблицами.' Список цитированной литературы включает 125 наименования работ отечественных и зарубежных авторов.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ ПЕЧАТНЫХ РАБОТАХ:

I. Коноров П.П.,Тарантов Ю.А!.,Булавинов В.В.,Кручинин А.А'„ Проводимость и электролюминесценция пленок двуокиси кремния в системе электролит-диэлектрик-полупроводник.-Вестник Ленинградского университета,1982,сер.физ.-хим.,№ 4,с.102-104 2}. Кручииин А.А.,Булавинов В.В.,Барабан А.П.,Тарантов Ю.А». Спектры электролюминесценции окисных пленок на кремнии в сис* теме электролит-диэлектрик-полупроводник.-Тез.докл.Всес.конф'. "Физика окисных пленок". Петрозаводск,1982,с.109 3'. Кручинин А.А1. О возможности использования электролюминесценции для исследования дефектов и примесей в окисных пленках на кремнии.-Тез.докл.Всес.конф."Физика диэлектриков". Баку,1982,с.124

4. Барабан А.Ш,Коноров И.П.,Кручинин А.А1. Взаимосвязь электронных и ионных процессов в структурах Si-Si02 в сильных электрических полях.-Тез.докл.Всес.совещания-семинара "Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах интегральных схем". М.,1983,с.54

5. Барабан А.П.,Кручинин А.А-.,Тарантов Ю.А!. Проявление электронных ловушек в спектрах электролюминесценции структур Si~si02 Там же,с. 82

6. Барабан А.П.<,Кручинин А'.А. Исследование свойств термических и анодных окисных слоев на кремнии методом электролюминесценции.-Тез.докл.Всес.школы по физике поверхности. Черноголовка,1983,с.95

7. Барабан А.П.,Коноров П.П.,Кручинин A.A. Полевая деградация структур Si-Si02 .-Тез.докд.Ш Всес.научно-технического семинара "Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем". М.,1984,с.18

8!. Барабан А.П.,Коноров П.П.,Кручинин А.А.,Тарантов Ю.А^ Спектры электролюминесценции в системе кремний-двуокись кремния-электролит. -Электрохимия ,1984, т-. 20 ,№ 4, с. 539-542

9. Барабан А.П.,Коноров П.П.,Кручинин А.АС Электролюминесценция и особенности электронного переноса в слоях двуокиси крем-, ния на кремнии в сильных электрических полях.-Вестник Ленинградского университета,1984,сер.физ.-хим.,№ 16,с.93-97

-14S-

1. Коноров П.П.,Тарантов Ю.А.,Касьян©нко Е.В. Электронные и ионные процессы, в системе кремний-диэлектрик-электролит.-В кн.^'Проблемы физической химии поверхности полупроводников". Новосибирск, 1978,с. 247-287

2. Ржанов А.В. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник. М.,1976

3. Lenzlinger M.,Snow Е.Н. Powler-Hordheim tunneling into thermally grown SiOg.-J.Appl.Phys.,1969,v.40,H°1,p.278-283

4. Haack D.,Wagemann H.G. Electronic conductivity of highly doped SiOg by means of ion implantation.-phys.stat.sol.A,1979,v.56, p.581-591

5. Berglund С.H.»Powell R.J. Photoinjection into SiOgJelectron scattering in the image force potential well.-J.Appl.Phys.,1971t v. 42,№2, p. 573-579

6. Lehmann A. »Schumann L.,Hubner K. Optical phonons in amorphous silicon oxides (part 1).-phys.stat.sol.B,1983,v.117fp.689-695

7. Lehmann A.»Schumann L,,Hubner K, Optical phonons in amorphous silicon oxides (part 2).-phys.stat.sol.B,1984,v.121,p.505-511

8. Solomon P.M. Electron emission from silicon dioxide into vacuum. -In: "Physics of Si02 and its interfaces". KY,1978,p.35-39

9. Weinberg Z.A.,Rubloff G.W.,Bassous E. (Dransmission,photoconductivity and the experimental band gap of thermally grown SiOg f ilms.-Phys .Rev.B, 1979, v. 19 6, p .3107-3117

10. Klein li. Electrical breakdown of insulators by one-carrier impact ionisation.-J.Appl.Phys»,1982,v.53,№8,p.5828-5839

11. Av-Ron M. ,Shatzkes M. ,DiStefano (D.H.,Gdula R.A. Electron tunneling at Al-SiOg interfaces.-J.Appl.Phys.,1981,v.52,№4,p.2897-2908

12. Тарантов Ю.А.,Булавинов В.В.,Коноров П.П.,Барабан А.П. Электронные процессы в диэлектрических слоях на поверхности кремния в системе электролит-диэлектрик-полупроводник.-Поверхность,1982, Ш 6,с. 34-41

13. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.,1980, 488 с.

14. Gomes W.P.,Gardon P. On the electrochemical behaviour of the hexacyanoferrate redox system at different semiconductor electrodes .-Zeit.Phys.Chem.Neue Folge,1973,v.86,№3-6,p.330-334

15. Memming R.,Mollers P. Studies of the rearrangement energy in electrode kinetics at Sn02 electrodes.-Ber.Buns.Ges.Phys.Chem., 1972,v.76,№6,p.475-481

16. Gerischer H.,Ecardt W. Fermi levels in electrolytes and theabsolute scale of redox potentials.-Appl.Phys.Lett.,1983,v.43, №4, p. 393-395

17. VandenBerghe R.,Gomes W.P. A comparative study of electron injection into ZnO,CdS and CdSe single crystal anodes.-Ber.Buns. Ges.Phys.Chem.,1972,v.76,Ж°б,p.481-485

18. Делахей П. Двойной слой и кинетика электродных процессов. М.,1967, 351 с.

19. Булавинов В.В. Электронные процессы в диэлектрических слояхна поверхности кремния в системе электролит-диэлектрик-полупровод-ник.-Автореф.дисс.на соискание ученой степени канд.физ.мат.наук. Ленинград,1983

20. Weinberg Z.A. On tunneling in metal-oxide-silicon structures.-J.Appl.Phys.,1982,v.53,N°7,p.5052-5056

21. Goodman A.M.,O'Neill J.J. Photoemission of electrons from metals into silicon dioxide.-J.Appl.Phys.,1966,v.37,№9,p.3580-3583

22. Deal B.E.,Snow E.H.,Mead C.A. Barrier energies in metal-silicon dioxide-silicon structures,-J.Phys.Chem.Sol.,1966,v.27,№11-12, p.1873-1879

23. Gerischer H. Solar photoelectrolysis with semiconductor electrode rodes.-Ins"Topics in applied physics". Berlin e.a.,1979,v.31,p.115-172

24. Lucovsky G. Defect controlled carrier transport in amorphous Si02.-Phil.Mag.B,1979,v.39,H°6,p.531-540

25. O'Dwyer J.J. Two carrier model for high field conduction in 3i02.-J.Appl.Phys1973,t.4412,p.5438-5440

26. O'Dwyer J.J. Theory of high field conduction in a dielectric.-J.Appl.Phys. ,1969 »"v. 40 ,№10, p. 3887-3890

27. Silin A.R. jSkuja L.H.,Trukhin A.1T. Intrinsic defects generation mechanisms in fused silica.-J.Hon Cryst.Sol.,1980,v.38-39, p.195-200

28. Gee C.M.,Kastner Ш. Intrinsic defects photoluminescence in amorphous and crystallin SiOg.-J.Hon Cryst.Sol.,1980,v.35-36, №2, p. 927-932

29. McKnight S.W.,Palik E.D. Cathodoluminescence of Si02 films.-J.Hon Cryst.Sol.,1980,v.40,H°1-3,p.595-603

30. Koyama H. Cathodoluminescence study of SiOg.-J.Appl.Phys., 1980,v.51,H°4,P.2228-2235

31. Пундур П.А.,Валбис Я.А. Катодолюминесценция нелегированных пленок двуокиси кремния.-Изв.АН Латв.ССР,сер.физ.тех.наук,1979, W с.27-30

32. Лебедев В.П.,Пахомов Э.Е. Спектры катодной люминесценции га-логенсодержащих слоев двуокиси кремния на кремнии.-Изв.АН Латв. ССР,сер.физ.тех.наук,1984,№ 2,c.II4-II7

33. Гриценко В.А.,Пундур П.А. Катодолюминесценция аморфного нитрида кремния.-Физика Твердого Тела,1983,т.25,№ 5,с.1560-1562

34. Еременко С.П.,Сандулов Д.Б.,Эйдельберг М.И. Изучение спектров и поляризационных вспышек люминесценции систем металл-окисел-эле-ктролит.-В кн.:"Вопросы физики электролюминесценции". Днепропетровск ,1979 , с .173-181

35. Бурачевский Ю.А.,Воробьев Г.А. Исследование электролюминесценции в формованных МДМ-системах.-Радиотехника и электроника,1983, т.28,№ 3,с.612-615

36. Gee A. Electroluminescence at a silicon anode in contact with an electrolyte.-J.Electrochem.Soc.,1960,v.107,H°9,p.787-788

37. Waring W.,Benjamini E.A. Luminescence during anodic oxidation of silicon,-J,Electrochem.Soc.,1964,v,111,№11,p.1256-1261

38. Васильев В.В.,Михайловский И.П.,Могильников К.П.,Шанина А.В., Эпов А.Е. О предпробойной электролюминесценции структур Si-Si02.-Микроэлектроника,1983,т.12,№ 3,с.268-270

39. Ikonopisov S, Problems and contradictions in galvanoluminescence,a critical review,-Electrochimica Acta,1975,v.20,№10,p.783-793

40. Тарантов Ю.А.,Касьяненко Е.В.,Коноров П.П.,Птицын В.Э. Электрофизические свойства системы кремний-двуокись кремния-электро-лит.-В кн.:"Электронные процессы на поверхности полупроводников". Новосибирск,1974,с.169-178

41. Гардин Ю.Е.,0дынец JI.JI. Электрохемилюминесценция при анодной поляризации систем металл(полупроводник)-окисел-электролит.-В кн.: "Электролюминесценция твердых тел". Киев,1971,с.2Ю

42. Одынец Л.Л.,Гардин Ю.Е. Спектр люминесценции при анодной поляризации систем металл(полупроводник)-окисел-электролит.-Изв. ВУЗов,сер.физ.,1970,№ 12,с.151-152

43. Solomon P.,Klein H. Electroluminescence at the hight fields in silicon dioxide.-J.Appl.Phys.,1976,v.47,№3,p.1023-1026

44. Малышев В.И. Введение в экспериментальную спектроскопию. М.,1979

45. Zecovic L.D.,Urosevic V.V. The role of interference in the electroluminescence of thin anodic oxide films.-Thin Solid Films, 1981,v.78,p.279-286

46. Zecovic L.D,,Urosevic V.V.,Jovanic B, Investigation of anodic alumina by a photоluminescence method,-Thin Solid Films,1983,v. 105 ,№2, p. 169-176

47. Большаков Н.В.,Пундур П.А.,Эркулис Г.Э. Интерференция катодо-люминесценции и распределение люминесцентных центров в тонких пленках Si02 .-Изв.АН Латв.ССР,сер.физ.тех.наук,1982,№ 3,с.65-69

48. Holm R.T. ,McKnight S.W.,Palik E.D.,Lukosz W. Interference effects in luminescence studies of thin films.-Applied Optics, 1982,v.21 ,№14, P. 2512-2519

49. Mitchell J.P.,Denure D.G. A study of Si02 layers on Si using cathodoluminescence spectra.-Solid State Electronics,1973,v.l6, №7, p. 825-839

50. Ikonopisov S. Theory of galvanoluminescence of valve metals Изв.Болг.АН,сер.хим.,1980,т.132,с.182-197

51. Зайдель А.Н.,трейдер Е.Я. Вакуумная спектроскопия и ее применение. М.,1976,с.254

52. Hagston W.E. Mechanism of exitation of rare-eart complex in electroluminescent devises.-phys.stat.sol.A,1984,v.81,№2,p.687-693

53. Vlasenko N.A.,Denisova Z.L.,Khomchenko V.S. Electroluminescen-; ce of SiOx LnP^ thin films.-phys.stat.sol,A,1984,v.81,№2,p.657-660

54. Muller G.0.,Mach R. On the mechanism of electron impact exited luminescent devices.-phys.stat.sol.A,1983,v.77,И°2,p.K179-K183

55. Карапетян Г.0.,Лунтер С.Г. Люминесценция стекол,активированных тербием.-Журн.прикл.спектр.,1966,т.5,К°. 3,с.310-315

56. Hoaksly A.»Woods J.,Taylor К. Luminescence of Tb^+ ions in silicate glasses.-Journal of Luminescence,1978,v.l7|N°4,p.385-400

57. DiMaria D.J. The properties of electron and hole traps in thermal Si02 grown on Si.-In:"Physics of Si02 and its interfaces". NY,1978,p.160-178

58. Chandler P.J.,Jaques P.,Townsend P.D. Ion beam induced luminescence in fused silica.-Radiation Effects,1979,v.42,U°1-2,p.45-53

59. Alonso P.J.»Halliburton L.E.,Kohnke E.E.,Bossoli R.B. X-ray induced luminescence in crystallin Si02.-J.Appl.Phys.,1983,v.54, №9,p.5369-5375

60. Hochstrasser G.,Antonini J.P. Surface states of pristine silica surfaces.-Surface Science,1972,v.32,p.644-664

61. Тарантов Ю.А>.»Романова Г.Ф.,Диденко П.И.,Булавинов В.В. Взаимные превращения анодных и термических октсных пленок на поверхности кремния.-Тез.докл.Всес.конф."Физика диэлектриков". Баку,1982,c.I28-I30

62. Олевский С.С.,Сергеев М.С.,Толстихина А.Л.,Репко В.П. Структура ближнего атомного порядка аморфных пленок Si02 .-Поверхность,1983,N2 9,с.76-82

63. Suzuki Е.,Hayashi Y. Carrier conduction and trapping in metal-nitride-oxide-semiconductor structures.-J»Appl.Phys. ,1982,v.53, №12, p. 8880-888573« Svensson C.M, The conduction mechanism in silicon nitride films.-J.Appl.Phys.,1977,v.48,p.329-335

64. Мосс Т.,Баррел Г.,Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М.,1976,с.207-21575» Robertson J.,Powell М» Gap states in silicon nitride.-Appl. Phys.Lett.,1984,v.44,№4,p.415-416

65. Булавинов B.B.,Тарантов Ю.А.,Барабан А.П. О механизме увеличения проводимости нитрида кремния при деградации МНОП элементов памяти.-Письма в журн.Технической Физики,1981,т.7,№ 4,с.253-258

66. Козлов С.Н.,Раков А.В. Исследование структурных особенностей пограничных областей системы кремний-двуокись кремния,полученной термическим окислением кремния.-Электронная техника,сер."Микроэлектроника", 1970, № 4,с. 60-64

67. Beckmann K.H.,Harrick Ж.J. Hydrides and hydroxyls in thin silicon dioxide films.-J.Electrochem.Soc.,1971,v.118,№4,p.614-619

68. Galeener F.L.,Mikkelsen J.C. Raman diffusion profilometry OH in vitreous SiOg.-Appl.Phys.Lett.,1981,v.38,N05,p.336-338

69. Mikkelsen J.C.,Galeener F.L. Steam thermal SiOgJpreparation and Raman characterization of free standing films«-Appl.Phys. Lett. ,1980, v.37,№8,p.712-714

70. Lei M,,Wang Z. Spase distribution of the chemical composition of the thermo-grown SiO^-SiO^-Si system.-phys.stat.sol.B,1983, v.120,p.189-195

71. Mikkelsen J.C. Characterization of wet (D20) thermal oxidation of silicon by secondary ion mass spectrometry.-Appl.Phys.Lett., 1981 ,v.39 ,№8,p.601-603

72. Hamasaki M. Effect of adding HC1 to the oxidizing ambient on characteristics of metal-oxide-semiconductor capasitors.-J.Appl. Phys., 1981,v.52,№5,p.3484-349018

73. Кюри Д. Люминесценция кристаллов. M.,I96I, 200 с.

74. Jones C,E.,Embree D. Correlations of the 4,28 eV luminescence band in silicon dioxide with the oxygen vacancy.-J.Appl.Phys., 1976,v.47,p.5365-5371

75. Власов Ю.Г.,Тарантов Ю.А.,Барабан А.П.,Летавин В.П. О ионной чувствительности системы раствор электролита- Si02-Si .-Журн. прикладной химии,1980,т.53,№ 9,с. 1980-1985

76. Egami E.,Kimura M.,Hamagushi I. Laser recristallization of silicon stripes in Si02 groves with a.policrystalline silicon sublayer.-Appl.Phys.Lett.,1983,v.43,№11 ,p,1023-1025

77. Pfeffer R,,0hring M. Network oxygen echange during water diffusion in Si02.-J.Appl.Phys.,1981,v.52,H°2,p.777-784

78. Литовченко В.Г.,Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев,1978

79. Revesz A.G. The role of hydrogen in Si02 films on silicon.-J.Electrochem.Soc.,1979,v.126,№1,p.122-130

80. Gdula R.A. The effect of processing on hot electron trapping in Si02.-J.Elec tгоchem.So с.,1976,v.123,p.42-48

81. Bhattacharyya A.B.,Manchanda L. Electron traps in Si02 grown in the presence pf trichlorethylene.-J.Electrochem.Soc.,1982,v. 129 ,№12, p. 2772-2778

82. Schmidt P»P* ,Ashner J.D. Tracer investigation of hydrohyls in Si02 films on silicon.-J.Electrochem.Soc.,1971,v,118,№2, p.325-330

83. Madou M.J.,Gomes W,P,,Fransen F,,Cardon P. Anodic oxidationof p-type silicon in methanol as compared to glycol.-J.Electroehem« Soc.,1982,v.129,№12,p.2749-2755

84. Badihi A.,Eitan B,,Cohen I.,Shappir J. Current induced trap generation in Si02.-Appl.Phys,Lett.,1982,v.40,№5,p.396-398

85. Suzuki E,,Hayashi Y.,Yanai H. Degradation properties jn metal-nitride-oxide-semiconductor structures.-J.Appl.Phys.,1981,v.52, №10,p.6377-6385

86. Mazarian J,,Zamani N. Behaviour of the Si-Si02 interface observed by Fowler-Nordheim tunneling.-J.Appl.Phys,,1982,v.53, №1,p.559-567

87. Itsumi M. Positive and negative charging of thermally grown SiOg induced by Fowler-Nordheim emission.-J.Appl.Phys.,1981, v.52,№5,p.3491-3497

88. Singh R.J.,Srivastava R.S. Interface state generation by alternating voltage stress under visible irradiation at the Si-Si02 interface . J. Appl .Phys . , 1983, v. 54 ,№2, p. 1162-1164

89. Lai S.K. Interface traps generation in silicon dioxide when electrons are captured by trapped holes.-J.Appl.Phys.,1983,v. 54, №5, p. 2540-2546

90. Nissan-Cohen Y.,Shappir J,,Frohman-Bentchcowsky D. High field current induced positive charge transients in SiOg.-J.Appl.Phys.,1983,v.54,№10,p.5773-5800

91. Heyns M.,DeKeersmaecker R.P.,Hillen M.W. Traps generation and electron detrapping in Si02 during high field stressing of MOS structures.-Appl.Phys.Lett.,1984»v.44,№2,p,202-204

92. Brred D,J.,Kramer R.P. Stable and unstable surface state charge in thermally oxidized silicon.-Solid State Electronics, 1976,v.19,p.897-907

93. Wu J.K.,Lyon S.A.»Johnson W.C. Temperature and field dependence of the generation of interface states in the Si-Si02 system after high field stress.-Appl.Phys.Lett.,1983,v.42,№7,p.585-587

94. Lai S.K,,Young D,R. Effects of avalanche injection of electrons into silicon dioxide:generation of fast and slow interface states.-J.Appl.Phys,,1981,v.52,№10,p,6231-6240

95. Sah C.T.,Sun J,,Tzou J, Generation-annealing kinetics and atomic model of a compensating donor in the surface space charge layer of oxidized silicon.-J,Appl.Phys., 1983,v.54,№2,p,944-956

96. Ancona M.G. Electric field induced effects at the Si-Si02 interface:theory and experiment.-J.Appl.Phys.,1983,v.54,№9,- /5*5"р.5231-5239

97. Radoicic R. The effect of a constant current stress on the oxides 1Л MOS capacitors.-J.Electrochem.Soc.,1983,v.130,N°6,p.1394-1397

98. Zekerija V.,Ma T.P, Interface traps generated by internal photoemission in Al-SiOg-Si structures.-Appl,Ph#s.Lett.,1983» v.43,№1,p.95-97

99. Gale R,,Feigl P.J.,Magee C.W,,Young D,R. Hydrogen migration under avalanche injection of electrons in SI MOS capasitors.

100. J. Appl.Phys.,1983,v.5412,p.6938-6942

101. Барабан А.П.,Тарантов Ю.А.,Коноров П.П.,Булавинов В.В.

102. О захвате дырок н а границе Si-Si02 .-Физика и техника полупроводников, 1982,т.16,№ 7,с.1289-1291

103. Knoll М,,Braunig D.,Pahrner W.R. Comparative studies of tunnel injection and irradiation on metal oxide semiconductor structures, -J. Appl.Phys. ,1982, v. 53 ,№10,p. 6946-6952

104. DiMaria D.J,»Weinberg Z.A,,Aitken J.U, Location of positive charges into Si02 films on Si generated by VUV photons,Z-rays and high field stressing.-J.Appl.Phys,,1977,v.48,H°3,p.898-906

105. Powell R.J,,Derbenwick G.F, Vacuum ultraviolet radiation effects in SiOg.-IEEE trans.Nucl.Sci,,1971,v.HS-18,№6,p.99-105

106. Nicollian E,H,,Berglund C.N.,Schmidt P.P.,Andrews J.M, Electrochemical charging of thermal Si02 films by injected electron current.-J.Appl.Phys.,1971,v.42,p.5654-5664

107. Harstein A.,Young D,R, Identification of electron traps in thermal Si02 films,-Appl.Phys.Lett,,1981,v.38,№8,p.631-633

108. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах. М.,1978, т. 2,с.66-69

109. Skuja L.N.,Silin A.R., Optical properties and energetic structure of non bridging oxygen centers in vitreous Si02,phys.stat.sol.A, 1979,v.56,li01,p.K11-K13

110. Sigel G.H.,Marrone M.J. Photoluminescence in as drawn and irradiated silica optical fibers:an assessment of the role of non bridging oxygen defect centers.-J.Non Cryst.Sol.,1981,v.45, №3,p.235-247

111. Griscom D.L.,Priebele E.J. Fundamental defect centers in29glass: ^Si hyperfine structure of the non bridging oxygen hole center and the peroxy radical in SiOg.-Phys.Rev.B,1981, v.24, p.4896-4898

112. Shimakawa K,,Kondo A. Model for AC conduction in amorphous Si02 films.-Phys.Rev.B,1983,v.27,N°2,p.1136-1140