Емкостные и электролюминесцентные свойства планарных структур на основе порошковых люминофоров тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

на правах рукописи

Р ГБ ОД 1 9 ЙЮН 2000

Бибапина Елена Михайловна

ЕМКОСТНЫЕ И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ПЛАНАРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОРОШКОВЫХ ЛЮМИНОФОРОВ

Специальность 01.04.05. - Оптика

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

САРАНСК - 2000

Работа выполнена на кафедре радиотехники института физики и хнмш Мордовского государственного университета имени Н.П. Огарева

Научные ру ковод н гел и :

кандидат фшико-математнчоекнх наук, доцент Денисов Ij.ll.,

доктор физико-математических наук, профессор Горюнов В.Л.

Офшша.тьные оппоненты:

1. Мллыханов Ю.Б. -доктор физико-математических наук, профессор.

2. Цюпак Ю.А. - кандидат физико-математических наук, доцент.

Ведущая организация: ОАО «ЛИСМА-ВНИИИС»

Защита состоится 2000 г. в ^ часов в конференц-зале

административного здания университета, на заседании диссертационного совета К063.72.13 при Мордовском государственном университете имен! Н.П. Огарева, г. Саранск, ул. Большевистская, д.68. Совет Мордовскогс госуниверситета.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Мордовского государственного университета имени Н.П. Огарева.

Отзывы на автореферат просим направлять по адресу: 430000, г. Саранск, ул. Большевистская, 68", Мордовский государственный университет, диссертационный совет К063.72.13 .

Автореферат разослан —2000 г.

Ученый секретарь диссертационного совета К063.72.13 доктор технических наук, профессор

А. В. Харитонов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность темы.

Порошковые люминофоры и электролюминеспемтные структур!,I, на основе которых они изготавливаются, находят широкое применение для создания современных систем отображения и обработки информации (матричные экраны. кинескопы, запоминающие системы и т.д.).

Качество и эффективность этих устройств во многом определяется люминофорами, которые преобразуют различные виды энергии в видимое излучение. В процессе изготовления кристаллофосфоров образуются центры захвата, заметно снижающие квантовый выход излучения и быстродействие устройств. Некоторые люминофоры содержат центры, переходы с которых не сопровождаются свечением, или глубокие уровни, не проявляющиеся при термовысвечивании (ТВ) из-за температурного тушения. В этом случае методов ТВ и фото-стимулированной вспышки, применяемых при исследовании порошковых люминофоров, недостаточно для определения глубин центров локализации. Поэтому разработка новых методик исследования порошковых люминофоров и

л

использование их в сочетании с известными методами (ТВ) смогла бы повысить качество и точность определения глубин центров локализации.

11есмогря на большое число работ, посвященных исследованиям поляризационной электролюминесценции (ПЭЛ), ряд важных вопросов этого явления остаются не выясненными. Например, физические механизмы, приводящие к возникновению режима самоэкранирования, а также связь скорости генерации со скоростью изменения напряжения, определяющие эффективность электролюминесценции (ЭЛ).

Одной из причин, которая ограничивает возможность качественного исследования ПЭЛ, является устаревшие технологии изготовления порошковых электро.чюминесцентных конденсаторов (ЭЛК). Они не позволяют получать идентичные структуры, что резко снижает повторяемость экспериментальных результатов. Кроме того, наличие связующего в слое лгомчнофора затрудняет

исследование электрических свойств и кинетики процессов поляризации, связанной со свободными носителями.

В связи с этим разработка новых структур ма основе порошковых люминофоров, исследование их емкостных и электролюминесцентных свойств для изучения механизмов ПЭЛ и создание на их основе дополнительных методов определения центров локализации является актуальной темой, как в научном, так и в практическом плане.

Целью работы являлось исследование механизмов ПЭЛ, процессов полевой ионизации центров свечения, разработка новых методик исследования центров локализаций свободных носителей в порошковых люминофорах, а также создание конструкций ЭЛК на основе порошковых люминофоров, обеспечивающих повышение точности измерений. Для достижения поставленной цели необходимо было решить ряд задач.

1. Разработать конструкцию ЭЛК без связующего, позволяющую проводить исследование ЭЛ в «чистом» виде (без влияния диэлектрика) и обеспечивающую повторяемость результатов.

2. Определить функциональную зависимость скорости генерации носителей полем от скорости изменения напряжения.

3. Определить зависимость переменной составляющей спектральной плотности излучения ЭЛК от частоты питающего напряжения. Провеет,! анализ состава гармоник волн яркости ЭЛК.

4. На основе полученных ЭЛК разработать новые методы исследования центров захвата и рекомбинации в порошковых люминофорах.

Научная новизна работы.

I .Разработана конструкция планарного ЭЛК на. основе порошковых люминофоров с использованием современных технологий, позволяющая повысить точность исследований явлений ПЭЛ.

2.Показано, что скорость генерации свободных носителей в электролюминесцентных структурах с изолированными электродами пропорциональна скорости изменения напряжения на структуре при любом законе изменения на-

пряжения. Получена функциональная зависимость между скоростью полевой ионизации и скоростью изменения напряжения на ЭЛК.

3. На основе полученных структур разработан емкостной метод исследования порошковых люминофоров, позволяющий определять глубину центров локализации.

4. Впервые проведено исследование центров захвата в порошковых люминофорах параллельно методами ТВ и (ермостимулированной ем косей (ТО:), позволяющее определять глубины центров захвата.

5. Впервые методом ТСЕ проведено исследование явления переселения носителей заряда с одних мест локализаций на другие. Обнаружена перезарядка центров локализации через примесную зону.

Практическая ценность работы. Разработаны новые методики исследования центров захвата, рекомбинации и зонной схемы порошковых люминофоров, которые используются при создании различных излучающих устройств и средств отображения информации. Получена функциональная зависимость между полевой скоростью ионизации и изменением напряжения, позволяющая строить математические модели процессов свечения ЭЛК. Разработана новая конструкция ЭЛК, которая повышает точность исследования процессов ПЭЛ. Основные положения п результаты, выносимые на защит)'.

1. Конструкция планарного электролюминесцентного конденсатора, позволяющая применять емкостные методы исследования порошковых люминофоров с рекомбинационным типом свечения.

2. Математическая модель скорости полевой ионизации ЭЛК с изолированными от поля электродами. Результаты исследования соотношений между скоростями процессов полевой ионизации, рекомбинации и скоростью выноса свободных носителей в анодную область, которые определяют процессы кинетики ПЭЛ.

3. Результаты исследования частотной зависимости амплитуды переменной составляющей свечения ЭЛК для различных люминофоров. Методика разде-

ления сложных спектров ЭЛ. Исследование гармоник свечения ЭЛК. Механизмы выпрямления тока ЭЛК.

4. Емкостной метод исследования порошковых люминофоров для определения глубины центров захвата на базе разработанной структуры. Математическая модель емкости порошковых структур. Результаты определения глубин центров локализации различных люминофоров, исследованные параллельно методами ТВ и ТСЕ.

5. Результаты исследования переселения свободных носителей по центрам локализации методом ТСЕ. Зонную схему люминофоров, полученную по результатам исследования ТВ, ТСЕ и явления переселения свободных носителей заряда.

Апробация работы: основные результаты работы были представлены на Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и Технологии для средств отображения информации», г. Кисловодск, 1996 г.; на 4-м Всероссийском с международным участием совещании по материалам для источников света, электрических приборов и светотехнических изделий, г. Саранск, 1996 г.; Международной научно-техничсской конференции «Проблемы и прикладные вопросы физики», г. Саранск, 1997 г.; в сборниках научных трудов ученых Мордовского госуниверситета им. Н.П. Огарева, г. Саранск, 19992000 г.г.; научной конференции молодь/х ученых Мордовского госуниверситета им. Н.П. Огарева, 1999 г.

Публикации. Основные результаты диссертации отражены в 8 публикациях, перечень которых приведен в конце реферата.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем работы составляет 130 страниц включая 43 рисунка и 4 таблицы. Список литературы содержит 100 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ Во введении обосновывается актуальность темы, сформулирована цель работы, приведены структура и содержание диссертации по главам.

В первой главе ¡пложен краткий анализ современных механизмов ПЭЛ, связанных с поляризационными явлениями и эффектами самоэкранироваппя, приводящих к установлению квазистационарного режима полевой генерации. Рассмотрены основные математические модели кинетики ПЭЛ. Дан краткий обзор основных видов электролюминесцентных излучателей, а также электрических и емкостных свойств ЭЛК. Описаны основные механизмы выпрямления, возникающие при прохождении тока через ЭЛК. Приводится обзор тер.чо-актнвациоиных методов исследования, применяемых при исследовании центров захвата порошковых люминофоров.

Во второй главе представлены описание и блок схема установки, на базе которой проводились исследования оптических, электрических, емкостных свойств структур, спектров излучения и кинетических процессов свечения в интервале температур от +180 до -190 °С. Изложены особенности изготовления планарных ЭЛК на основе порошковых люминофоров, представляющих собой систему проводящих дорожек (электродов), напыленных на ситалловую подложку методом фотолитографии. Расстояние между электродами составляло 40, 70 и 128 мкм. Простота нанесения люмшюфорного слоя в виде спиртовой суспензии и снятия его позволяло многократно использовать одну и ту же матрицу, что обеспечивало повторяемость экспериментальных результатов. Описана методика исследования порошковых люминофоров методом ТСЕ на основе полученной пленарной структуры ЭЛК.

В третьей главе проведено экспериментальное и теоретическое исследование кинетики свечения ЭЛК при возбуждении униполярными импульсами напряжения с различной длительностью переднего фронта. Обнаружено, что энергия излучения за период при условии, что время нарастания импульса меньше времени жизни свободных носителей (t„<x), не зависит от длительности фронта импульса и закона нарастания напряжения в импульсе. На основе этого факта делается вывод о функциональной зависимости полевой скорости генерации G от напряжения.

G=f(U-U„)dU/dt, (1)

где ftU-U,,)- непрерывная функция, пропорциональная вероятности ионизации полем; U - внешнее напряжение. В этом случае -энергия излучения W не будет зависеть от длительности фронта импульса, а будет определяться максимальным значением напряжения в импульсе (Ц,) и значением порогового напряжения (U„):

I l;o

W = yhvN = yhv |G(t)dt =yhv Jf(U - U„ Ш = yhvF(U0 - U„). (2) t U

ln и

*

Здесь N - число ионизованных центров свечения, t„- время достижения напряжения величины, равной пороговому значению, Г - время нарастания напряжения до Uo, у- квантовый выход, F(0)=0. Известно, что при линейном нарастании поля (dU/dt= a=const) возникает квазистационарный режим экранирования, при котором v\V - GT. При этом считают, что G= const. Из (1) и (2) следует, что режим vW ~Т при линейном нарастании поля возникает, если G=k(U-U„)dU/dt, где k=const. При условии Uo»U„ из (2) получаем \V=yhvkU^ =

yhvka2T3. Отсюда следует, что vW ~ Т. Следовательно при линейном нарастании напряжения скорость полевой генерации G является функцией напряжения и скорости изменения напряжения.

Исследование соотношения между энергиями вспышек ЭЛК при включении и отключении прямоугольных униполярных импульсов напряжения показало, что эти две величины равны при условии, если длительность импульса, паузы и фронт импульса удовлетворяют соотношениям: Т|, Т2>т, t„<t. Экспериментально показано, что скорость генерации в два раза превышает скорость выноса носителей в область объемного заряда, обеспечивающей вспышку выключения. Следовательно, скорость накопления свободных носителей в объеме кристалла равна скорости выноса носителей в анодную область кристалла. Показано, что различия энергий вспышек включения и выключения, в отличие от существующих моделей, может быть связано с разной скоростью выноса но-

сителей в анодную область и скоростью накопления в объеме, или, при равенстве этих скоростей с тем, что Т|<т. Возможны следующие случаи соотношений между энергиями излучения вспышек включения (\У„) и отключения

NN

ЛУ,, > при О > 2 , \\-„ < \\и| при < О < 2 (3;

*.'1Г ^ ЛР ^ ЛР

Из соотношения (1) следует, что скорость генерации пропорциональна скорости изменения напряжения на структуре. Для проверки этой зависимости нами проведено исследование кинетики вспышки при включении импульса напряжения при условии Ть Т3>т, 1„ >т. Положение максимума вспышки включения зависит от длительности фронта импульса и амплитуды напряжения. Длительность фронта импульса определялась параметрами ИС цепи, в которую входил ЭЛК. Полагая в соотношении (1)0= кШШск, скорость изменения концентрации свободных носителей в объеме кристалла в рамках рекомбинацион-иого механизма свечения может быть записана в виде:

ШсЮ „, ,,, ск 2 ¿1

¿и и

где -= —-ехр(~1/ЯС), (М)- функция, характеризующая скорость реком-

¡1С

бинации на центры свечения.

Из уравнения (4), учит ывая, что с1М/ск=0 при , Ч'(Ы) =Ф - интенсивность свечения люминофора в единицах квант/с и пренебрегая членами второго порядка малости получили выражение для положения максимума вспышки включения:

Ш.2.

1тах=ЯС-1п-5—. (5)

2ФтячКС

Из соотношения (5) было получено выражение для сдвига максимума вспышки включения при изменении амплитуды напряжения в импульсе:

02 1

Выражение (6) верно для любого механизма рекомбинации и функциональной зависимости яркости от напряжения при экспоненциальном фронте нарастания напряжения. Экспериментальная проверка показала хорошее численное совпадение с результатами, рассчитанными по формуле (6), что подтверждает наш вывод о'функциональной зависимости скорости генерации носителей от скорости нарастания напряжения.

Ввиду отсутствия в литературе простых соотношений, описывающих кинетику свечения и среднего значения интенсивности свечения при возбуждении униполярными прямоугольными импульсами напряжения, получены выражения для этих величин. При условии Т|, Т;>т и ^.«т в отсутствии захвата носителей на ловушки при бимолекулярном механизме рекомбинации выражение для среднего значения интенсивности излучения за период имеет вид:

т (1 + к;;рт,) т (1 + гСрт:)

где М" и М", определяются из граничных условий:

Мв(0)=^4^еоБя (8)

ест

НЛОИиТ^К'^ N у,, • (9)

№ в

где N„(7!) =-—, е0- электрическая постоянная, £,- относительная ди-

1 +

электрическая проницаемость люминофора, (3- расстояние между контактами, е- заряд электрона. Теоретические кривые, рассчитанные с помощью (7) хорошо совпадают с экспериментальными при условии Т), Тг>х и 1„«т.

В результате анализа гармоник в модулированном свечении ЭЛК предложен механизм выпрямления тока. Свечение ЭЛК сопровождается изменением проводимости люминофора, что характерно для рекомбинационного механизма люминесценции. Мы полагаем, что выпрямление связано с наличием первой гармоники в импульсах свечения ЭЛК, (а, следовательно, и проводимо-

сти) совпадающей с частотой приложенного напряжения. В общем виде периодическое изменение проводимости можно записать в виде ряда Фурье: .

со

°= + ^'Ч^о' + 4>к) > (Ю)

где ст„- постоянная составляющая проводимости, ся, - амплитуда и фаза кой гармоники соответственно, со,,- частота приложенного напряжения. Выражение для активной составляющей тока будет иметь вид:

.1 =

иоо€)- + ио X

51п(со0г + а). (11)

и,„ а- соответственно амплитуда и фаза приложенною переменного напряжения. Соотношение (11) является математической моделью явления выпрямления.

Преобразуя выражение (II), получаем:

] =-- а, .и,., к11<от.„г + а)+Ц, £ (со{(к - 'Н,1+~ а)]-со<{(к + 1ХУ + (фк + а)]} (12) к=1 2

Из соотношение (12) следует, что при к=1 активный ток будет содержать постоянную составляющую:

■>„ = со5(<рк-а). (13)

Для проверки этого предположения нами было проведено исследование тока промышленного ЭЛК при освещении его модулированным светом. Его сопротивление в темноте составляло ~Ю8Ом, а при освещении (Я=365нм) -1(/Ом. Интенсивность УФ света выбиралась такой, чтобы интенсивность фотолюминесценции люминофора совпадала с интенсивностью свечения ЭЛК при подачи переменного напряжения 200В (12кГц). При эксперименте напряжение, прикладываемое к ЭЛК, было значительно ниже порогового (-10В). Если частота приложенного напряжения совпадала с частотой модулирующего света, на выходе ЭЛК появлялся постоянный ток. Поэтому мы предположили, что если во вспышках свечения ЭЛК, частота следования которых в два раза выше час-

тоты питающего напряжения, присутствуют гармоники с частотой приложенного напряжения, то должно наблюдаться явление выпрямления. С помощью анализатора спектра был проведен Фурье-анализ вспышек свечения электролюминесценции ЭЛК на основе люминофоров ЭЛ-5 15 и ЭЛ-525. Обнаружено, что переменное свечение ЭЛК содержит первые гармоники, совпадающие с частотой приложенного напряжения, что говорит о наличии выпрямления.

Па основе исследования чистотой зависимости переменной составляющей свечения ЭЛК предложен способ разделения сложных спектров на элементарные полосы. В основу метода легли отличия в скорости затухания излучения различных центров свечения. При повышении частоты питающего напряжения амплитуда переменной составляющей свечения центра с большим временем жизни спадает быстрее, чем амплитуда переменной составляющей с меньшим временем. Это позволяет выделить свечение центра с малым временем жизни в возбужденном состоянии путем измерения 'амплитуды переменной составляющей при высоких частотах модуляции возбуждающего излучения. Исследуемые нами люминофоры ЭЛ-515 и ЭЛ-525 (2п5-Си), согласно литературным данным, предположительно содержат два центра свечения связанных с примесью меди, ответственных за свечение в зеленой и голубой областях. С этой целью нами было проведено исследование спектральной зависимости переменной составляющей свечения ЭЛК на основе люминофоров ЭЛ-515 и ЭЛ-525. Предварительная проверка показала, что с увеличением частоты возбуждающего напряжения переменная составляющая свечения в зеленой части спектра уменьшается значительно заметнее. С помощью предложенной методики удалось разделить спектр свечения люминофора ЭЛ-515 на элементарные полосы, которые не разрешаются при измерении спектра обычным способом. Таким образом, частотная зависимость переменной составляющей свечения ЭЛК может быть использована для разделения сложных спектров ЭЛ.

В четвертой главе предлагается математическая модель, позволяющая применять емкостные методы исследования при изучении глубин центров за-

хвата в порошковых люминофорах. Емкость структуры может быть найдена из выражения:

Сллкв= ЕоЕп.жиф. -О4)

гле (р- функция, зависящая от геометрии структуры, е , ,ка- диэлектрическая проницаемость слоя люминофора, представляющая собой матричную двухком-понентную смесь, первая компонента которой (воздух пли вакуум) окружает равномерно распределенные в ней частицы люминофора, е„ - электрическая постоянная. Диэлектрическую проницаемость двухкомпонентной системы можно определить, используя формулу В.И. Оделевского:

Ел.экв =£■>(' +1-------). (15)

2 4- 2

3 ел-е„

где Х2- доля объема слоя, занимаемого люминофором, е;, - диэлектрическая проницаемость люминофора, ев - диэлектрическая проницаемость воздуха. С учетом соотношения (15) выражение для эквивалентной емкости слоя люминофора Сл.эКВ примет вид:

С = С„(1 +---^-). (16)

л.экв а 1-х, X,

- + --------

3 С /С -1

л о

Здесь С0=е„ евф, - геометрическая емкость области, занимаемой люминофором, Сол, Сл- емкость слоя в случае сплошной среды из материала люминофора в темноте и при освещении соответственно. В случае высокоомных полупроводников:

СЛ=С0Л+3^. (17)

Поверхностная плотность зарядов Ы5 , возникающих за счет внешних воздействий может быть записана в виде:

N = п с! , (18)

5 э экв

где п5- концентрация неравновесных свободных носителей, й)кв- расстояние, эквивалентное расстоянию между контактами. С учетом (17) и (18) выражение (16) примет вид:

С =С (1 + ----*-2-------------). (19)

л.'жв о ^ 1 — xx, 7

Г +Со;, с„

Концентрация свободных носителей является функцией температуры п4= п5(Т). Покажем, что если температурная зависимость и5~ п„ (Т) имеет максимум, то его положение совпадаете положением максимума кривой СЛЭки= СЛ.,КВ(Т) в области температур, где е.,(Т)=сопз1. Определяя максимум функции

ГС _ £п

Сч.экв = С,;ЭК1)(Т) из выражения (19) получаем, что = 0, если —- = 0. Это

с I гТ

условие совпадает с условием максимума при термостлмулированной проводимости (ТСП). Следовательно, определяя температуру максимума кривой Сл.экв(Т), можно провести расчет глубины центров захвата, используя известные соотношения, применяемые при расчетах по кривым ТСП. Метод ТСЕ может быть использован для люминофоров с рекомбинационным типом свечения, так как в таких люминофорах ионизация центров свечения и центров захвата сопровождается переходом носителей в зону проводимости. Если возбужденные уровни центров свечения и захвата лежат в запрещенной зоне, то изменение емкости не происходит. Это подтверждается и проделанными экспериментами по измерению емкости структур на основе люминофоров с внутрицентро-вой люминесценцией (например, галофофат кальция). Таким образом, проведенный анализ зависимости емкости структур от температуры позволяет определять глубину центров захвата.

С помощью предложенной методики проведено исследование центров захвата различных электро-, фото- и катодолюминофоров. Для этого параллельно с ТВ снимались кривые ТСЕ. Были определены энергетические глубины залегания центров захвата. В люминофорах ЭЛ-515, ЭЛ-525 и К0-530 обнару-

жены глубокие центры захвата (более 0,78эВ), которые из-за температурного тушения не проявляются при ТВ. Впервые с помощью емкостного метода изучены явления перераспределения зарядов по уровням локализации у люминофора ZnS-lп, По кривым ТВ и ТСЕ обнаружено, что переселение зарядов с уровня Е|= 0,398 эВ (-88 °С) на уровень Е:= 0,29 эВ (-138 °С) осуществляется без перехода в зону проводимости. На кривых ТСЕ не наблюдались максимумы в этой области темперагур, соответствующих максимумам ТВ. На основе этого был сделан вывод о возможности переселения свободных носителей по примесной зоне, за счет которой осуществлялось перераспределение носителей между уровнями. Ввиду малой подвижности носителей по примесной зоне, их вклад в экранировку поля является незначительным, поэтому изменения емкости не происходит. На основе этого вывода была уточнена энергетическая зонная схема данного люминофора, в которой центры с энергиями Е| и Е2 не имеют возбужденного состояния в зоне проводимости. Наличие пиков на кривой ТВ и ТСЕ при одних и тех же температура для люминофора ФКП -03-К говорит о том. что имеющиеся у пего центры захвата имеют возбужденные уровни, расположенные в зоне проводимости. Таким образом, анализ процессов переноса зарядов с одних мест локализации на другие, а также кривых ТВ и ТСЕ позволяет уточнять зонную схему различных люминофоров.

В заключении по результатам исследований сформулированы краткие выводы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Предложен пленарный ЭЛК без связующего на основе порошковых люминофоров, позволяющий повысить точность, повторяемость экспериментальных результатов исследования ЭЛ и применять емкостные методы исследования для определения параметров порошковых люминофоров.

2. На основе экспериментальных исследований кинетики свечения электролюминофоров при возбуждении униполярными импульсами напряжения показано, что скорость генерации свободных носителей в ЭЛК с поляризаиион-

• ным механизмом свечения пропорциональна скорости изменения напряжения на структуре при любом законе изменения напряжения. Обнаруженная закономерность позволяет строить математические мололи ЭЛ и исслело-вать эффективность в зависимости от закона изменения подаваемого напряжения, определять соотношение между скоростью генерации и скоростью выноса носителей полем из объема кристапла. В рамках предложенной модели скорости генерации получено выражение, описывающее киношку свечения ЭЛК при возбуждении одпонолярными прямоугольными импульсами напряжения.

3. Проведен анализ состава гармоник волн яркости ЭЛК. На основе полученных результатов предложена математическая модель явления выпрямления тока, возникающего в ЭЛК с поляризационным механизмом люминесценции.

4. Проведено исследование зависимости спектр&чыюй плотности излучения ЭЛК от частоты приложенного напряжения. Предложена новая методика разделения сложных спектров ЭЛ на элементарные полосы.

5. Разработан емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров. Получена математическая модель емкостных свойств порошкового планарного ЭЛК без связующего.

6. Впервые параллельно методами ТВ и 'ГСЕ исследованы ряд электро-, фото-и когодолюминофоров. Определены энергетические глубины залегания центров захвата. В люминофорах ЭЛ-515, ЭЛ-525 и К0-530 обнаружены глу бокие центры захвата (более 0,78эВ), которые из-за температурного тушения не проявляются при ТВ.

7. Впервые методом ТСЕ на порошковых люминофорах проведено исследование явления переселения носителей зарядов с одних мест локализаций на другие. Обнаружено, что в люминофоре 7п8-1п переселение носителей между центрами локализаций осуществляется без перехода в зону проводимости.

8. Проведен анализ зонной схемы люминофоров по измерениям ТВ, ТСЕ и явления перезарядки примесных центров. По результатам исследований уточнена зонная схема люминофора ZnS-ln.

Основные результаты диссертации отражены в следующих публикациях:

1. Бибанина Е.М., Гришаев В.Я., Денисов Б.П. Исследование электро- и фотолюминесценции при импульсном УФ - возбуждении.// Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации: Тез. док. Всероссийской науч.-тех. конфер. - г. Кисловодск, 1996.- С.85.

2. Бибанина Е.М., Горюнов В.Л., Денисов Б.Н. Технология изготовления и исследование проволочных электролюминесцентных конденсаторов.// Тез. док. 4-го Всероссийского с международным участием совещания по материалам для источников света, электрических приборов и светотехн. изделий, -г. Саранск, 1996.- С. 15.

3. Бибанина Е.М., Гришаев В.Я, Денисов Б.Н, Никишин Е.В. Расчет эффективности люминесценции люминофоров с квадратичным законом рекомбинации при периодическом возбуждении. //Проблемы и прикладные вопросы физики: Тез.док. международной науч.-тех. конференции- г. Саранск, 1997.-С.102-103.

4. Бибанина Е.М., Захряпин A.B., Иванов О.Ю. Устройство для демонстрации электролюминесценции.// Учебный эксперимент в высшей школе, 1998.-№1.-С.22-24.

5. Бибанина Е.М. Пленарный электролюминесцентный конденсатор и его свойства.// Материалы IV научной конференции молодых ученых МГУ им. Н.П. Огарева, г. Саранск, 1999.-4.II- С.232-233.

6. Бибанина Е.М. Применение метода термостимулированной емкости для исследования центров захвата в порошковых люминофорах.// Сборник научных трудов ученых МГУ им. Н.П. Огарева. Саранск, 1999,- С.22-23.

7. Бибаннна Е.М., Горюнов В.А., Денисов Б.Н. Емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров.-М.:2000.-ЧС. Дел. в ВИНИТИ, от 28.02.2000, №523-В00.

8. Бибаннна Е.М. Эффект выпрямления тока в электролюминесцентном конденсаторе с поляризационным механизмом свечения.// Актуальные вопросы естест венных и технических наук: Межвузовский сборник научных Ф>дов - Саранск. 2Ш1).-С1ШО-С.9.

Подписано в печать 21.04.00. Объем 1,0 п. л. <, Тираж 100 экз.

Заказ № 662.

Типография Издательства Мордовского университета 430000, Саранск, ул. Советская, 24

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Современные механизмы поляризационной электролюминесценции. Явление самоэкранирования.

1.2. Математические модели кинетики свечения электролюминесцентных конденсаторов при возбуждении прямоугольными импульсами напряжения.

1.3. Емкостные свойства электролюминесцентного конденсатора с изолированными от поля электродами.

1.4. Виды электролюминесцентных излучательных структур.

1.5. Электрические свойства электролюминесцентного конденсатора. Механизмы выпрямления.

1.6. Термоактивационные методы исследования центров захвата в широкозонных полупроводниках.

ГЛАВА II. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1. Установка для исследования оптических и электрических свойств структур на основе порошковых люминофоров.

2.2. Особенности изготовления электролюминесцентных структур.

2.3. Методика исследования порошковых люминофоров методом термостимулированной емкости.

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ СВЕЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ УНИПОЛЯРНЫМИ ИМПУЛЬСАМИ НАПРЯЖЕНИЯ.

3.1 .Исследование процессов скорости генерации свободных носителей полем при возбуждении электролюминесцентного конденсатора униполярными импульсами напряжения.

3.2.Исследование кинетики свечения электролюминесцентного конденсатора при возбуждении униполярными прямоугольными импульсами напряжения.

3.3. О причинах различия энергии вспышек свечения при включении и выключении импульсов напряжения.

3.4.Эффект выпрямления тока электролюминесцентным конденсатором с поляризационным механизмом свечения.

3.5.Метод разделения сложных спектров.

Порошковые люминофоры и электролюминесцентные структуры, на основе которых они изготавливаются, находят широкое применение для создания современных систем отображения и обработки информации (матричные экраны, кинескопы, запоминающие системы и т.д.) [1-5].

Характеристики устройств отображения информации на основе электролюминесцентных структур не уступают, а в ряде случаев превосходят (размер, контраст) приборы других типов. Разнообразие форм, форматов, высокая равномерность изображения, большой угол наблюдения обеспечивают высокую конкурентность даже тонкопленочным излучателям.

Качество и эффективность этих устройств определяется люминофорами, которые преобразуют различные виды энергии в видимое излучение. Свойства люминофоров в основном зависят от примесей, которые вводят специально для изменения спектра излучения. В процессе изготовления кристаллофосфоров образуются центры захвата, значительно снижающие квантовый выход излучения и быстродействие устройств. Большинство электролюминесцентных излучателей для систем отображения создаются на основе структур с изолированными электродами типа металл -диэлектрик-полупроводник- диэлектрик- металл (МДПДМ). Впервые теоретическое рассмотрение поляризационной люминесценции (эффекта Дестрио) на таких структурах было проведено в 70-х годах в работах Г.М. Гуро и Н.Ф. Ковтонюка [6], которые позволили проводить количественные расчеты и делать оценки эффективности и квантового выхода свечения. МДПДМ

-2 с структуры на основе высокоомных кристаллов кремния, соединений А В , А2В6 нашли широкое применение для создания систем оптоэлектроники (фотоваракторы, устройств оптической памяти, преобразователи и усилители изображения, систем обработки оптической информации). Физические принципы создания этих устройств основаны на переходных электронных процессах в высокоомных полупроводниках [2,7,8]. При приложении к структуре напряжения равновесные носители зарядов отводятся полем из объема полупроводника, что приводит к возникновению переходного процесса, позволяющего, например, проводить обработку информации в реальном режиме времени. С переходными процессами связано резкое изменение емкости, общего сопротивления структуры, приводящей к высокой чувствительности к свету [2,6].

МДПДМ структуры на основе порошковых люминофоров, к которым относится электролюминесцентный конденсатор, работающий на эффекте Дестрио, имеет особенности возникновения переходных электронных процессов. Они обусловлены, во-первых, тем, что в качестве полупроводника выступает порошок люминофора, во-вторых, с большими полями, приводящими к ионизации центров свечения и образованию свободных носителей.

Согласно современным представлениям механизм электролюминесценции в таких системах связан с поляризационными явлениями, обусловленными смещением свободных носителей к границам полупроводник-диэлектрик под действием поля и эффектами самоэкранирования, приводящих к установлению квазистационарного режима полевой генерации [8]. Физические механизмы, приводящие к возникновению такого режима, а также связь скорости генерации со скоростью изменения напряжения, определяющих эффективность электролюминесценции, остаются в настоящее время не выясненными. Одной из причин, которая не дает возможность качественно и тем более количественно проводить исследования поляризационной электролюминесценции, являются устаревшие технологии изготовления порошковых электролюминесцентных структур типа МДПДМ. Они не позволяют получать идентичные структуры, что резко снижает повторяемость экспериментальных результатов исследования. Кроме того, наличие связующего в слое люминофора затрудняет исследование электрических свойств и кинетики процессов поляризации, связанной со свободными носителями.

Из этого вытекает актуальность темы по созданию новых структур на основе порошковых люминофоров, исследованию их емкостных и электролюминесцентных свойств для изучения механизмов ПЭЛ и разработке на их основе дополнительных методов контроля за качеством люминофоров.

Целью работы являлось исследование механизмов поляризационной люминесценции, процессов полевой ионизации центров свечения, разработка новых методик исследования центров локализаций свободных носителей в порошковых люминофорах, а также создание новых конструкций ЭЛК на основе порошковых люминофоров, обеспечивающих повышение точности измерений.

Первая глава является обзорной и посвящена рассмотрению теории поляризационной люминесценции. В ней дан краткий анализ современных механизмов электролюминесценции, связанной с поляризационными явлениями и эффектами самоэкранирования, приводящих к установлению квазистационарного режима полевой генерации. Проведен анализ работ и описаны основные математические модели, посвященных кинетики поляризационной электролюминесценции. Рассмотрены виды электролюминесцентных излучателей, а также электрические и емкостные свойства электро люминесцентных конденсаторов. Описаны основные механизмы выпрямления, возникающие при прохождении тока через ЭЛК. Дан краткий обзор термоактивационных методов исследования, применяемых при исследовании центров захвата порошковых люминофоров.

Во второй главе представлено описание и блок схема установки, на базе которой проводились исследования оптических, электрических, емкостных свойств структур, спектров излучения и кинетических процессов свечения. Впервые изложены особенности изготовления планарных электролюминесцентных конденсаторов. Описана методика исследования порошковых люминофоров методом термостимулированной емкости.

Третья глава посвящена исследованию кинетики процессов свечения при возбуждении электролюминесцентного конденсатора прямоугольными однополярными импульсами напряжения. На основе проведенных исследований показано, что скорость генерации свободных носителей пропорциональна скорости изменения внешнего напряжения при любом законе изменения напряжения. В результате анализа гармоник в модулированном свечении ЭЛК предложен механизм выпрямления тока. На основе исследования частотной зависимости переменной составляющей свечения ЭЛК предложен способ разделения сложных спектров на элементарные полосы.

В четвертой главе получена математическая модель и способ определения глубины центров захвата в порошковых люминофорах методом термостимулированной емкости. С помощью предложенной методики проведено исследование центров захвата различных люминофоров и обнаружены уровни локализации, не определяемые методами термовысвечивания. Впервые с помощью емкостного метода изучены явления перераспределения зарядов по уровням локализации и на основе этих измерений построена зонная схема исследованных люминофоров. Получено выражение, позволяющее рассчитывать коэффициенты перекрытия емкости МДПДМ структур на основе порошковых люминофоров.

В заключении сформулированы краткие выводы по результатам исследований, проделанных в работе. В конце диссертации приведен список цитируемой литературы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенные исследования порошковых люминофоров на базе планарной структуры электролюминесцентного конденсатора позволяют сделать следующие выводы:

1. Предложен планарный ЭЛК без связующего на основе порошковых люминофоров, позволяющий повысить точность, повторяемость экспериментальных результатов исследования ЭЛ и применять емкостные методы исследования для определения параметров порошковых люминофоров.

2. На основе экспериментальных исследований кинетики свечения электролюминофоров при возбуждении униполярными импульсами напряжения показано, что скорость генерации свободных носителей в ЭЛК с поляризационным механизмом свечения пропорциональна скорости изменения напряжения на структуре при любом законе изменения напряжения. Обнаруженная закономерность позволяет строить математические модели ЭЛ и исследовать эффективность в зависимости от закона изменения подаваемого напряжения, определять соотношение между скоростью генерации и скоростью выноса носителей полем из объема кристалла. В рамках предложенной модели скорости генерации получено выражение, описывающее кинетику свечения ЭЛК при возбуждении однополярными прямоугольными импульсами напряжения.

3. Проведен анализ состава гармоник волн яркости ЭЛК. На основе полученных результатов предложена математическая модель явления выпрямления тока, возникающего в ЭЛК с поляризационным механизмом люминесценции.

4. Проведено исследование зависимости спектральной плотности излучения ЭЖ от частоты приложенного напряжения. Предложена новая методика разделения сложных спектров ЭЛ на элементарные полосы.

5. Разработан емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров. Получена математическая модель емкостных свойств порошкового планарного ЭЛК без связующего.

6. Впервые параллельно методами ТВ и ТСЕ исследованы ряд электро- , фото- и котодолюминофоров. Определены энергетические глубины залегания центров захвата. В люминофорах ЭЛ-515, ЭЛ-525 и КО-5ЭО обнаружены глубокие центры захвата (более 0,78эВ), которые из-за температурного тушения не проявляются при термовысвечивании.

7. Впервые методом ТСЕ на порошковых люминофорах проведено исследование явления переселения носителей зарядов с одних мест локализаций на другие. Обнаружено, что в люминофоре 2п8-1п переселение носителей между центрами локализаций осуществляется без перехода в зону проводимости.

8. Проведен анализ зонной схемы люминофоров по измерениям ТВ, ТСЕ и явления перезарядки примесных центров. По результатам исследований уточнена зонная схема люминофора 2п8-1п.

120

В заключении считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность за предложенную тему, постоянное внимание и помощь в работе над диссертацией моим научным руководителям: кандидату физико-математических наук, доценту Денисову Борису Николаевичу и доктору физико-математических наук, профессору Горюнову Владимиру Александровичу.

1. Электролюминесцентные источники света./Под ред. И.К. Верещагина. М.:Энергоатомиздат, 1990. -168С.

2. Ковтонюк Н.Ф., Сальников E.H. Фоточувствительные МДП-приборы для преобразователей изображений. М.:Радио и связь, 1990.-160С.

3. Кустов В.Л. Плоские информационные экраны. Полимерные электролюминесцентные дисплеи сделали заявку на успех в XXI в.// Электронная промышленность, 1997.-№2.-С.31-43.

4. Буланый М.Ф., Полежаев Б.А., Прокофьев Т.А. Многоцветный источник света на основе сульфида цинка.//ЖТФ, 1997.-Т.67.-№1 O.C.I 32-133.Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1971.-370С.

5. Зуев В.А., Попов В.Г. Фотоэлектрические МДП -приборы. М.: Радио и связь, 1983.- 160С.

6. Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Механизм поляризационной электролюминесценции.I.Чистые кристаллы.//ФТП. 1968.Т.2. В.З.СЗОО.

7. Думаревский Ю.Д., Ковтонюк Н.Ф., Савин А.И. Преобразование изображений в структурах полупроводник-диэлектрик. М.: Наука, 1987. 176С.

8. Самохвалов М.К. Электрические характеристики тонкопленочных излучателей при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением. //Письма в ЖТФ.- 1997.-Т.23.-N6.-С.1-4.

9. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1971. 370С.

10. Фок М.В. Свойства электролюминесценции как проявление отклонения системы от термодинамического равновесия.// Труды

11. ФИАН» им. П.Н. Лебедева/Люминесценция кристаллов. М.:Наука,1983. -T.138.-C.3-25.

12. Прикладная электролюминесценция./Под ред. М.В. Фока. М.: Советское радио, 1974.-416С.

13. Хениш Г. Электролюминесценция. М.: Мир, 1964.- 456С.

14. Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Механизм поляризационной электролюминесценции. И. Кристаллы с примесями.//ФТП.-1969.-Т.З, вып.5.-С636-642.

15. Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф.О временах установления поляризации в полупроводниках.//ФТП.- 1969.- Т.З, вып.1.-С58-62.

16. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Дахновец В.Т. и др. Кинетика эффекта самоэкранирования и механизмы ионизации в электролюминесцирующих монокристаллах ZnS.// Труды III совещания по электролюминесценции, 1971.- С91 -95.

17. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Зависимость яркости поляризационной электролюминесценции от напряжения в монокристаллах ZnS.// ФТП.-1969.-Т.З, вып.10.- С.1569-1570.

18. Самохвалов М.К. Исследование свойств цинк- сульфидных люминофоров в тонкопленочных структурах.// ЖПС.-1995.-Т.62, вып.З.-С.182.

19. Самохвалов М.К. Вольт- яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур.//ЖТФ. -1996.-Т.66, вып. 10.-С. 139.

20. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: высшая школа, 1971.-336С.

21. Антонов -Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1966.- 324С.

22. Адирович Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. М.-Л.: Гостехиздат, 1951. -350С.

23. Фок M.B. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964. -284С.

24. Степанов Б.И., Грибковский В.П. Введение в теорию люминесценции. Минск: Изв. АН СССР, 1963.-444С.

25. Степанов Б.И. Введение в современную оптику: Поглощение и испускание света квантовыми системами. Минск, 1991.- 479С.

26. Верещагин И.К. Кинетика электролюминесценции ZnSV/ЖПС, 1998.-Т.65.-№1.-С. 140-142.

27. Львова Е.Ю. Кинетика эффекта Дестрио. //Электролюминесценция/ Труды «ФИАН» им. П.Н. Лебедева. М.:Наука,1970.-Т.50.-С.З-26.

28. Электролюминесценция твердых тел. Труды III совещания по электролюминесценции. Киев.: Наукова Думка, 1971.-320С.

29. Деркач В.П., Корсунский В.М. Электролюминесцентные устройства. Киев: Наукова Думка, 1968. 304С.

30. Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Зависимость энергии излучения поляризационной электролюминесценции от поля.// ФТП-1968.- Т.2.- вып. 12.-С. 1752-1757.

31. Турин Н.Г., Сабитов О.Ю., Бригаднов И.Ю. Пленочные электролюминесцентные излучатели на шероховатых подложках./ЛТисьма в ЖТФ, 1997.-Т.23.-№15.-С.7-12.

32. Ковтонюк Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник диэлектрик. М.: Энергия, 1976.-184С.

33. Вавилов B.C., Гохфельд Ю.И., Гуро Г.М., Ковтонюк Н.Ф. Экранирование порогового поля в кристаллах ZnS при освещении.//ФТП.- 1970. -Т.4, вып.6.- С.1176-1177.

34. Ковтонюк Н.Ф., Морозов В.А., Абрамов A.A. и др. Фотоваракторный эффект структур металл -диэлектрик -полупроводник -диэлектрик -металл. //Радиотехника и электроника, 1973.-Т.18.- №5.-С.1019-1023.

35. Берман JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников. JL: Наука, 1972. -104С.

36. Серегин C.JI., Полян P.A. Гибкий электролюминесцентный источник света.//Патент 20006878 Россия, МКИ Н 05В 3/26/,№4931861/25.

37. Полян P.A., Серегин C.JL, Кокин С.М. Гибкие источники света -электролюминесцентные излучатели нового типа//Электронная промышленность, 1993.-№11-12.-С.66-68.

38. Веревкин Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел. JL: Наука, 1983. -С. 122.

39. Чукова Ю.П. Электрические и оптические свойства электролюминесцентных конденсаторов на основе ZnS-Cu.//Труды «ФИАН» им. П.Н. Лебедева, 1966.- С. 149.

40. Фок М.В. Теория электролюминесцентных преобразователей изображения. М.: Советское радио, 1961.-52С.

41. Рябинов Е.Б., Самохвалов М.К. Выход электролюминесценции в различных условиях возбуждения тонкопленочных конденсаторов.// ЖПС,1992.-Т.56.-№5-6.-С.851-853.

42. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. 336С.

43. Марковский Л.Я., Пекерман Ф.М., Петошина Л.Н. Люминофоры. М.-Л.: Химия, 1966.-232С.

44. Жолкевич Г.А., Дудник В.П. Термолюминесцентный анализ ИК -электролюминесценции сублимированных пленок сернистого цинка. //Электролюминесценция твердых тел/Труды III совещания по электролюминесценции (Тарту, 1969г.), 1971.-С. 190-193.

45. Лепнев Л.С., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф. Мелкие уровни захвата монокристаллов самоактивированного сульфида цинка и особенности их заполнения.// Труды «ФИАН» им. П.Н. Лебедева /Люминесценция кристаллов. М.:Наука,1983. -Т.138.-С.135-156.

46. Антонов -Романовский B.B. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.1.//Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция,-1963 .-С.207-213.

47. Антонов -Романовский В.В. Общий метод исследования кривых термовысвечивания и термообесцвечивания возбужденных фосфоров.П. //Оптика и спектроскопия. Сборник статей. Люминесценция.-1963 .-С.213-223.

48. Сальман Е.Г. , Вертопрахов В.Н. Термостимулированные методы исследования фотопроводящих материалов.-Деп. ВИНИТИ №349771,1971.- 27 С.

49. Гольдман А.Г., Жолкевич Г.А. Стимулированные токи и электролюминесценция. Киев: Наукова Думка, 1972.-200С.

50. Берсенев Б.В., Васюков А.Е., Жолкевич Г.А. Термостимулированная проводимость, люминесценция и емкость пленок ZnS:Cu,Cl с памятью проводимости. В кн.:Эффекты памяти и фотопроводимость в неоднородных полупроводниках. Киев,1974. -С.14-15.

51. Берсенев Б.В., Васюков А.Е., Жолкевич Г.А. О тунельном механизме проводимости в электролюминесцентных пленках ZnS:Cu,Cl. В кн.: Вопросы физики электролюминесценции. Киев, 1975.-С. 132- 141.

52. Берман Л.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981.- 176С.

53. Yau L.D., Chan W.W., Sah С.Т. Thermal emission rates and activation energies of electrons and holes at cobait centers in silikon.// Phys. Stat. Sol.(a). 1972. Vol.14. №2. P.655-662.

54. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир,1977.-562С.

55. Carballes J.C., Lebailly J. Trapping analysis in gallium arsenide.// SolidState Communs, 1968. Vol.6.№3.P. 167-171.

56. Buehler M.G. Impurity centers in p-n-junctions determined from shifts in the thermally stimulated current and capacitance response with heating rate.// Solid-State Electron, 1972. Vol. 15. №1. P.69-79.

57. Carballes J.C., Varon J., Ceva T. Capacitives methods of determination of the energy distribution of electron traps in semiconductors.// Solid- State Electron, 1971. Vol.9. №19. P.1627-1631.

58. Sah C.T., Chan W.W., Fu H.S. e.a. Thermally stimulated capacitance (TSCAP) in p-n-junctions.// Appl.Phys.Lett., 1972. Vol.20. №5. P. 193195.

59. Sakai K., Ikoma T. Deep levels in gallium arsenide by capacitance methods.//Appl.Phys, 1974. Vol.5. №2. P.165-171.

60. Sah C.T., Walker J.W. Thermally stimulated capacitance for shallow majority-carrier traps in the edge region of semiconductors junctions.// Appl.Phys.Lett., 1973. Vol.22. №8. P.384-385.

61. Sah C.T., Wang C.T. Experiments on the origin of processinduced recombination centers in silicon.//J. Appl.Phys., 1975. Vol.46. №4. P. 1767-1776.

62. Sakai K., Adachi I., Ikoma T. Thermally stimulated capacitance and thermally stimulated current in p-n- junction centers.// Japan J. Appl. Phys., 1973. Vol.12. №11. P.1816-1817.

63. Yau L.D., Sah C.T. Measurement of trapped-minoriti-carrier thermal emission rates from Au, Ag and Co traps in silikon.// Appl.Phys.Lett., 1972. Vol.21. №4. P.157-158.

64. Yau L.D., Smiley C.F., Sah C.T. Thermal emission rates and activation energies of electrons and holes at silver centers in silikon.// Phys. Stat. Sol.(a). 1972. Vol.13. №2. P.457-464.

65. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник./ Под ред. А.В. Ржанова. М.:Наука,1976. -280С.

66. Вуль А .Я., Дидейкин А.Т., Козырев C.B. Фотоприемники на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник.//Фотоприемники и фотопреобразователи./Сборник науч.трудов, 1986.-С.105-130.

67. Бибанина Е.М., Захряпин A.B., Иванов О.Ю. Устройство для демонстрации электролюминесценции. //Учебный эксперимент в высшей школе.- 1998.-№1.-С.22.

68. Бибанина Е.М. Применение метода термостимулированной емкости для исследования центров захвата в порошковых люминофорах.// Сборник научных трудов ученых МГУ им. Н.П. Огарева. Саранск, 1999.-С22.

69. Бибанина Е.М. Планарный электролюминесцентный конденсатор и его свойства.//Тез.док. молодых ученых МГУ им. Н.П. Огарева.- г. Саранск, 1999.-С.232-233.

70. Багинский A.M., Бабченко И.А., Горбань А.Н. и др. Электролюминесцентная матрица «щелевого» типа.// Вопросы физики электролюминесценции. /Материалы VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции. Днепропетровск, 1979.-С. 195-198.

71. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках.//ФТП, 1976.-Т.10-№2.- С.209-233.

72. Каталог./ Люминесцентные материалы и химические вещества. Черкассы: НИИТЭХИМ, 1983.

73. Информационный бюллетень №1-85. Действующая нормативно-техническая документация на люминофоры и особо чистые вещества. Ставрополь: ВНИИ люминофоров, 1985.

74. Трансформаторные измерительные мосты./Под ред. К.Б. Карандеева М, 1970.-250С.

75. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982.-560С.76.3еегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, -1977.-616С.

76. Физика и химия соединений А2В6. /Под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. -624С.

77. Фок М.В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева. //Люминесценция и нелинейная оптика./Труды ФИАН им. П.Н. Лебедева АН СССР. М.: Наука, 1972.-Т.59.- С.3-24.

78. Горюнов В.А., Гришаев В.Я., Денисов Б.Н. Методика разделения спектров свечения люминофоров.//Светотехника, 1992.-№3.-С.3-4.81 .Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, 1981. -176С.

79. Богородицкий Н.П., Волокобинский Ю.М., Воробьев A.A. и др. Теория диэлектриков. М.-Л.: Энергия, 1965.-344С.

80. Акустические кристаллы. Справочник. / Под ред. М.П. Шаскольской М.: Наука, 1982.- 632С.

81. Кобяков И.В., Падо B.C. Исследование электрических и упругих свойств гексагонального сульфида цинка в интервале температур 1,5-ь300К//ФТТ.- 1967.-Т.9, вып.8.-С2173-2179.

82. Самохвалов М.К. Кинетика токопереноса в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях при возбуждении переменным напряжением.// Письма в ЖТФ.-1994.-Т.20,вып.6.-С.67.

83. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов. М.: Энергоиздат, 1982. -320С.

84. Горюнов В.А., Денисов Б.Н., Королев А.П., Никишин Е.В. Энергетический выход фотолюминесценции системы частиц с тремя уровнями энергии при периодическом импульсном возбуждении.// ЖПС, 1997.-Т.64.-№2.-С.269-272.

85. Вопросы физики электролюминесценции. //Материалы VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции. Днепропетровск, 1979.-274С.

86. Красников Н.И., Свечников C.B. Кинетика электролюминесценции сублиматфосфора ZnS-Mn при импульсном возбуждении.//ЖПС-1969. -Т. 10, вып.З.- С490-493.

87. Singh S. Thermally stimulated current curves in ZnS: Cu:Co photoconductor. // Indian J. Pure and Appl.Phys., 1974. Vol.l2,№3 -P.185-187.

88. Гольдман А.Г., Королько Б.Н., Степанченко Э.С. Стимуляция проводимости («переключение-память») у ZnS -порошков полупроводников при 77°К.//Докл. АН СССР, 1970.- Т. 192. -№5. -С.1019-1021.

89. Патент 2075105 Россия, МКИ5 G 02F2/02. Преобразователь спектра оптического излучения./ Лавренко Л.М., Горюнов В.А., Денисов

90. Б.Н., Никишин Е.В., Гришаев В.Я.(Россия). Опубл. 10.03.97. Бюл.№7.-2С.

91. Верещагин И.К. Барьеры, участвующие в возбуждении электролюминесценции 2п8-Си.// Изв. Вузов. Физика, 1998.-Т.41.-№2,- С.89-92.

92. Фок М.В. Влияние частоты возбуждающего напряжения на спектры электролюминесценции кристаллов 2п8-Си.// ЖПС,1988.-Т.48.-№6.-С.1014-1016.

93. Бибанина Е.М. Эффект выпрямления тока в электролюминесцентном конденсаторе с поляризационным механизмом свечения.// Актуальные вопросы естественных и технических наук: Межвузовский сборник научных трудов Саранск, 2ООО.-СВМО-С.9.

94. Бибанина Е.М., Горюнов В.А., Денисов Б.Н. Емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров.-М.:2000,-9С. Деп. в ВИНИТИ, от 28.02.2000, №523-В00.

95. Горюнов В.А., Левшин В.Л. Исследование перераспределения электронов по уровням захвата в возбужденных монокристаллах под действием инфракрасных лучей.//ЖПС, 1966.-Т.4,вып.З.-С.256-260.

96. Кокин С.М. Влияние характера распределения заряженной примеси в барьерных областях электролюминофоров на яркость их электролюминесценции.//Неорганические материалы, 1997.-Т.ЗЗ.-№2.-С. 169-171.

97. Верещагин И.К. Барьеры, участвующие в возбуждении электролюминесценции Ъо$>-Си.Н Изв. вузов. Физ.,1998.-Т.41.-№2.-С.89-92.