Изучение обусловленных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. РАСПАД ТВЕРДОГО РАСТВОРА КИСЛОРОДА В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ И ВЛИЯНИЕ КИСЛОРОДНЫХ КОМПЛЕКСОВ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭТОГО МАТЕРИАЛА

§ 1.1. Некоторые свойства кислородных и углеродных атомов в кристаллах кремния

§ 1.2. Обусловленные кислородом доноры в кремнии, термообработанном в диапазоне температур 300

350°С.

§ 1.3. Обусловленные кислородом донорные центры в кремнии и преципитация кислорода при термообработках в диапазоне температур 550 - 900°С

Глава 2. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

Введение.

§ 2.1. Характеристики исходных кристаллов.

§ 2.2» Измерение концентрации кислорода и углерода в кристаллах кремния.

§ 2.3. Подготовка образцов и проведение термообработок

§ 2.4. Установка для измерения времени жизни носителей тока и концентрации монополярных рекомбинашонных центров.

§ 2.5. Определение концентрации кислородных рекомбинационных центров в кристаллах кремния.

Глава 3. СТРУКТУРА, ОБРАЗОВАНИЕ И ОТЖИГ ОБУСЛОВЛЕННЫХ КИСЛОРОДОМ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ ПРИ ТЕРМООБРАБОТКАХ В ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУР 350 - 600°С.

Введение.

§ 3.1. Кинетика образования рекомбинационных центров в кремнии, содержащем кислород, при прогреве с температурой 450°С.

§ 3.2. Зависимость концентрации рекомбинашонных термоцентров, образующихся при температуре 450°С, от концентрации кислорода в кристаллах.

§ 3.3. Теоретическая модель. Кинетическое уравнение реакции образования-разрушения кислородного рекомбинационного центра и его состав

§ 3.4. Влияние термообработки при температуре 350°С на состав и концентрацию Щ(о}-1.

§ 3.5. Кинетика отжига кислородных рекомбинационных центров в кремнии в диапазоне температур 500

600°С.

§3.6. Зависимость концентрации рекомбинационных термоцентров от концентрации диспергированного кислорода в кристаллах кремния в диапазоне температур 500 - 600°С.

§ 3.7. Кинетическое уравнение распада и образования кислородных рекомбинационных термоцентров. Энергия активации образования центров

Краткие выводы.

Глава 4. ОБРАЗОВАНИЕ, РАСПАД И СОСТАВ НОВЫХ ОБУСЛОВЛЕННЫХ КИСЛОРОДОМ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ, ТЕРМ00БРАБ0ТАНН0М ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ ОТ

ДО 800°С.

Введение.

§ 4.1. Кинетика образования новых обусловленных кислородом рекомбинационных термоцентров

§ 4.2. Влияние кислорода и температуры отжига на новые обусловленные кислородом рекомбинационные термоцентры.

§ 4.3. Кинетическое уравнение образования и разрушения

РЦ(р}-2. Состав центров.

Краткие выводы.

Глава 5. ВЛИЯНИЕ УГЛЕРОДА. И ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО ОТШИТА НА ОБРАЗОВАНИЕ ОБУСЛОВЛЕННЫХ КИСЛОРОДОМ РЕКОМБИ

НАВДОННЫХ ТЕРМОЦЕНТРОВ В КРЕМНИИ.

Введение.

§ 5.1. Влияние углерода на образование обусловленных кислородом рекомбинационных термоцентров при

450°С.

§ 5.2. Влияние углерода на образование обусловленных кислородом рекомбинационных термоцентров, образующихся при 650°С.ИЗ

§ 5.3. Влияние предварительного отжига при температуре 450°С на образование обусловленных кислородом рекомбинационных центров при термообработке с температурой 650°С

Краткие выводы.

ВЫВОДЫ.

Актуальность темы. Чрезвычайно интенсивное развитие отраслей техники, связанных с полупроводниковой электроникой, поставило перед ней в последние годы вопросы о разработке и производстве принципиально более совершенных полупроводниковых приборов: сверхмощных коммутационных и усилительных приборов, сверхбольших интегральных схем с повышенным быстродействием (плотность элементов более 10^ на мм^, быстродейо ствие до 10° операций в секунду) и ряд других приборов. Одним из ключевых вопросов в решении этих задач является обеспечение электронной промышленности главным материалом, используемым на современном этапе для производства полупроводниковых приборов, - монокристаллическим кремнием необходимого качества, что, в свою очередь, делает необходимыми новые фундаментальные исследования в области физики этого материала.

Большая часть монокристаллического кремния (около 80%), используемого полупроводниковой промышленностью, это кремний, выращенный вытягиванием из расплава по методу Чохраль-ского. Монокристаллы кремния, полученные этим методом, всегда содержат значительное количество кислорода, часто содержат углерод в заметных концентрациях, в виде пересыщенных твердых растворов этих элементов. Эти примеси сами электрически неактивны в кремнии, но технологические термообработки, которым неизбежно подвергаются кристаллы в процессе изготовления полупроводниковых приборов, приводят к тому, что кислородные атомы начинают взаимодействовать между собой, с атомами углерода, с атомами других примесей и с дефектами кристалла кремния, образуя комплексы, которые проявляют электрическую активность, причем очень сложного характера. Обусловленные кислородом комплексы весьма существенно влияют на такие важные параметры монокристаллического кремния, как концентрация носителей тока, время жизни основных и неосновных носителей тока. Причем следует подчеркнуть еще раз, что основные проявления этого влияния становятся заметными только в процессе изготовления приборов, при этом зависят не только от содержания кислорода в кристаллах, температуры и длительности термообработки, но и от термической предыстории кристалла, атмосферы, в которой проводится термообработка и других факторов.

В настоящее время проводится широкое изучение природы и свойств кислородных комплексов в кремнии, как в лабораториях нашей страны, так и во всех странах мира с достаточно развитой полупроводниковой промышленностью. Несмотря на столь широкий масштаб исследований, картина кислородного комплексо-образования в кристаллах кремния ясна далеко не полно, и, кроме того, во многом противоречива. Практически неизученным остается вопрос о влиянии обусловленных кислородом термоцентров на неравновесные свойства кристаллов кремния, неизвестна природа, состав и поведение при термообработке обусловленных кислородом центров в кремнии, оказывающих определяющее влияние на рекомбинационные свойства этого материала. Недостаточно ясна цельная картина распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кристаллах кремния, влияние на этот процесс различных факторов (углеродных атомов, предварительной термообработки). Полезным для решения этих задач будет сравнительный анализ поведения при термообработке различных кислородных образований в этом материале.

Цель работы заключалась в изучении обусловленных кислородом рекомбинационных центров, образующихся в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского, при термообработках в широком диапазоне температур - от 350 до 800°С, а именно:

-определение природы и состава этих центров; -определение их максимальной растворимости во всем диапазоне температур;

-изучение кинетики реакций, приводящих к образованию кислородных рекомбинационных центров в кристаллах кремния, определение параметров и природы этих реакций;

-изучение влияния углерода и предварительной более низкотемпературной термообработки на концентрацию и состав изучаемых центров.

При этом ставилось целью на базе полученных экспериментальных данных построение теоретической модели, объясняющей свойства и поведение обусловленных кислородом рекомбинацион-но-активных комплексов, причем таким образом, чтобы предла-' гаемая модель вписывалась в общую картину распада твердого раствора кислорода в кристаллах кремния и служила прояснению ее.

Научная новизна. I. Впервые исследована кинетика образования и разрушения кислородных рекомбинационных термоцентров (ГЦ (0) - I), образующихся в кристаллах кремния с различным содержанием кислорода в диапазоне температур 350 - 600°С. Получены зависимости концентрации Щ (о) - I от концентрации содержащегося в кристаллах кислорода для различных температур и длительностей термообработки.

2. Обнаружены в кремнии, выращенном по методу Чохральского, ранее неизвестные (новые) обусловленные кислородом рекомбинационные центры (Щ {о) - 2), образующиеся при прогреве кристаллов в диапазоне температур от 600 до 800°С. Исследована кинетика их образования во всем диапазоне температур существования, получены для Щ (о) - 2 концентрационные зависимости от содержащегося в кристаллах кислорода.

3. На основе анализа изменения концентрации обоих типов рекомбинационных центров, образующихся в кислородосодержащем кремнии, в зависимости от содержания кислорода, температуры и времени отжига были найдены во всем диапазоне температур существования для этих двух типов обусловленных кислородом центров характеристики происходящих при этом процессов, а именно: растворимость рекомбинационных кислородосодержащих центров, их состав, константы реакции их образования и разрушения, энергия активации процессов образования обоих видов центров.

4. Предложена теоретическая модель, объясняющая процессы образования и разрушения рекомбинационных центров, обусловленных кислородом, в кристаллах кремния, хорошо совпадающая с экспериментальными данными.

5. Изучено влияние углерода на образование обусловленных кислородом рекомбинационных центров при температуре 450 и 650°С.

6. Изучено влияние низкотемпературной предварительной термообработки при Т = 450°С на образование обусловленных кислородом рекомбинационных центров при прогреве с температурой 650°.

Практическая ценность диссертационной работы заключается в том, что изучен класс кислородных центров, образующихся в кремнии при отжигах в диапазоне температур, используемом при производстве полупроводниковых приборов, характерной особенностью которых является то, что они влияют главным образом на неравновесные процессы в этом материале, определен их состав, параметры реакций образования и разрушения и другие характеристики.

Полученные результаты необходимо использовать при разработке технологических процессов в производстве полупроводниковых приборов на основе монокристаллического кремния, полученного по методу Чохральского, включающих различные термообработки, поскольку представляемые результаты в существенной мере объясняют происходящие при этом процессы в кристаллах кремния. Содержащаяся в диссертации информация поможет повысить качество используемого материала и, как следствие этого, качество полупроводниковых приборов, изготовленных из него.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Рекомбинационные центры, обусловленные кислородом, образующиеся в кремнии при прогреве в диапазоне температур от 350 до 600°С, представляют собой комплексы, содержащие 8+1 атом кислорода. Максимум растворимости этих центров приходится на температуры 430 - 450°С. При температуре близкой к 600°С и выше эти центры практически полностью разрушаются.

2. При термообработке кристаллов кремния, содержащих кислород, при температуре более 600°С образуется новый тип рекомбинационных центров, обусловленных кислородом. Эти центры существенно отличаются от низкотемпературных кислородных рекомбинационных центров. В их состав входят пять (с точностью до одного) атомов кислорода, они устойчивы до температуры 800°С, есть основания полагать, что они имеют гетерогенный состав (кроме кислорода в них входит углерод).

3. Процессы образования и разрушения обоих типов кислородных рекомбинационных центров в кристаллах кремния представ ляют собой следствие распада пересыщенного твердого раствора кислорода и определяются диффузией атомов кислорода.

4. Углерод, если он содержится в высокой концентрации в кристаллах кремния, подавляет образование низкотемпературных кислородных рекомбинационных термоцентров.

5. Умеренные концентрации углерода вызывают увеличение концентрации высокотемпературных кислородных термоцентров, а при содержании углерода близком к предельной растворимости он подавляет образование этих центров.

6. Предварительный продолжительный прогрев кристаллов кремния, содержащих кислород, при температуре близкой к 450°С стимулирует образование высокотемпературных кислородных рекомбинационных термоцентров, при условии, что содержание углерода в этих кристаллах было невысокое. Углерод ослабляет влияние предварительного прогрева, причем тем сильнее, чем выше его содержание в кристаллах.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на П-й Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982г.), на Научно-техническом семинаре "Физические основы микроэлектроники (Электроника дефектов в кремнии)" (Киев, 1982г.), на Симпозиуме "Полупроводниковые преобразователи солнечной энергии (шифр Р82-261)" (Киев, 1982г.), на 5-ой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Москва, 1982г.), на 7-м Международном совещании по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле

Варна, НРБ, 1983г.), на 4-ой "Лундской" Международной конференции по глубоким уровням в полупроводниках (Эгер, ВНР, 1983 год), на Конференции "Физические проблемы ЩП-интегральной электроники" (Севастополь, 1983г.), на Научно-техническом семинаре "Электроника дефектов в кремнии" (Киев, 1984г.), на 29-ом Международном научном коллоквиуме (Ильменау, ГДР, 1984 год), а также обсуждались на научных семинарах Института полупроводников АН УССР.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Глинчук К.Д., Литовченко Н.М., Боримский В.В. Реком-бинационные свойства, структура и кинетика образования кислородных центров в термообработанном кремнии. В кн.: Тезисы П-й Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. - Одесса, 1982, с.87-88.

2. Глинчук К.Д., Литовченко Н.М., Боримский В.В., Сальник З.А. Строение, образование и распад рекомбинационно-актив-ных кислородных комплексов в кремнии. В кн.: Тезисы 5-ой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов. - М., 1982, с.203.

3. Borimskii V.V., Glinchuk K.D., Litovchenko N.M., Salnik Z.A, Annealing behaviour of oxygen-induced recombination centres in silicon.-Phys.Stat.Sol.(a), 1983, v.80, N 1, p.34-3-348.

4. Глинчук К.Д. » Литовченко Н.М., Боримский В.В., Скрыль С.И. Некоторые возможности применения кислородосодержащего кремния для фотовольтаического преобразования солнечной энергии. В кн.: Резюме докладов Седьмого Международного Совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле. - Варна, НРБ, 1983, с.24-25.

5. Glinch.uk K.D., Litovchenko N.M., Borimskii V.V,,Skryl S.I. Oxygen as a deep imparity important for silicon technological applications,-In: Fourth "Lund" international conference on deep level impurities in semiconductors.-Eger,Hungary,1983,p.65

6. Borimskii V.V,, Glinchuk K.D., Litovchenko F.M., Salnik Z.A. New oxygen-induced recombination centres in 600 to 800°0 heat-treated silicon.-Phys,Stat,Sol.(a),1984, v.84, H1, p.237-241.

7. Borimskii V.V,, Glinchuk K.D., Mtovchenko Я.М., Salnik Z.A. Influence of carbon and preannealing on the formation of oxygen-induced recombination centres in heat-treated silicon.-Phys,Stat,Sol.(a), 1984, v.86, N 2, p.623-627.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы.

выводы

Основной целью исследований, выполненных в данной работе, являлось изучение обусловленных кислородом рекомбинационных центров, образующихся в монокристаллах кремния /I-типа при термообработках, определение их природы, состава, поведения при отжигах во всем диапазоне температур их существования, а также природы и параметров реакций образования и разрушения изучаемых центров, влияние на них различных факторов .

Для этого изучались при различных температурах в диапазоне от 350 до 800°С зависимости концентрации обусловленных кислородом рекомбинационных центров от длительности термообработки в кристаллах с различным содержанием кислорода. Исследовалось влияние примеси углерода и сложных термообработок на обусловленные кислородом рекомбинационные центры. В процессе исследований следили за изменениями концентрации диспергированного кислорода в кристаллах.

В заключение работы приведем следующие наиболее существенные из полученных результатов:

I. Изучена кинетика образования и разрушения обусловленных кислородом рекомбинационных термоцентров, образующихся в кристаллах кремния при температурах от 350 до 600°С. Определена природа и константы реакций образования и разрушения этих центров. На основе экспериментальных данных и предложенной теоретической модели показано, что по своей природе эти реакции есть проявления распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии и определяются диффузией атомов кислорода (в частности, энергия активации образования комплекса очень близка к энергии активации процесса диффузии атомарного кислорода в кремнии), а сами центры есть комплексы кислородных атомов.

2. Определен состав этих рекомбинационных термоцентров. Это относительно крупные образования, включающие восемь (с точностью до одного) атомов кислорода. Показано, что восьмиатомные комплексы теряют рекомбинационную активность как при присоединении атомов кислорода, так и при обратной диффузии кислородных атомов из комплекса. Установлено, что вследствие этого равновесная концентрация рекомбинационных центров сильно зависит от температуры. Получена кривая равновесной растворимости центров.

3. В термообработанном диапазоне температур от 600 до 800°СЛ- кремнии обогащенном кислородом обнаружены ранее неизвестные (новые) индуцированные кислородом рекомбинационные центры. Изучена кинетика образования этих центров при различных температурах и длительностях отжига в образцах с различным содержанием междоузельного кислорода. Предложена теоретическая модель, описывающая процессы образования обнаруженных новых центров, определены константы реакций их образования, растворимость центров, их состав. Энергия активации процесса образования этих центров £ = 1,6 эВ.

4. Новые обусловленные кислородом рекомбинационные центры отличаются от образующихся при более низких температурах не только более высокой температурной стабильностью, но и составом. Во-первых, они содержат пять (с точностью до одного) атомов кислорода, во-вторых, вероятно, в их состав входит углерод.

5. Углерод, содержащийся в кристаллах в высокой, близкой к предельной растворимости, концентрации, подавляет образование обусловленных кислородом рекомбинационных центров как при температуре 450°С (восьмиатомных комплексов), так и при 650°С (пятиатомных комплексов) вследствие того, что углеродные атомы захватывают существенное количество подвижного междоузельного кислорода, тем самым уменьшая его эффективную концентрацию.

6. Вследствие того, что атомы углерода создают центры зарождения для кислородных рекомбинационных центров, образующихся при 650°С, умеренная концентрация углерода (0,3 * I х

Т7 Я х 10 см ) стимулирует образование этих центров.

7. Низкотемпературный (около 450°С) предварительный отжиг стимулирует образование обусловленных кислородом рекомбинационных центров при 650°С, причем на состав центров и скорость реакций их образования предварительная термообработка не влияет. Влияние предварительной термообработки на концентрацию центров ослабевает с увеличением содержания углерода в кристаллах.

В заключение приводятся краткие выводы.

1. Ильин М.А., Коварский Б.Я., Орлов А.Ф. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии оптическим методом. - Заводская лаборатория, 1984, т.50, И, с.24-32.

2. Newman R.C. Infrared studies of crystal defects. London, 1973, Taylor and Francis Ltd, p.1-187.

3. Kaiser W., Keck P.H. Oxygen content of silicon single crys -tals. J. Appl. Phys., 1957, v.28, N8, p,882-887.

4. Baker J.A. Determination of part per billion of oxygen in si -licon. Solid State Electronics, 1970, v.13, Ж 11, p.14-31 -1434.

5. Graff K., Grallath E., Adas S., Goldbach G., Toelg G. Bestimmung von Parts per Billion sauerstoff in Silizium. durch eic -hung der IR-АЪsorption bei 77°K, Solid State Electronics,1973, v. 16, IT8, p.887-893.

6. Александрова Г.И., Ильин M.А., Коварский В.Я., Федорова Н.П., Холодный Л.П. О градуировке оптического метода определения концентрации кислорода в кремнии.-Метрология,1982,F7,с.53-59.

7. Малышев В.А. Фазовое состояние кислорода в кремнии. ФТП,1974, т.8, М, с.148-152.

8. Рыжкова Е.М., Травезникова И.И., Челноков В.Е., Яковенко А.А. Оптические свойства кислорода в кремнии. ФТП, 1977, т.II, if6, C.I063-I066.

9. Shimura P., Tsuya H., Kawamura T. Precipitation and redistribution of oxygen in Czochralski-grovm. silicon. Appl. Phys. Lett., 1980, v.37, N5, P.483-486.

10. Shumira P., Ohnishi I., Tsuya H. Heterogeneous distribution of interstitial oxygen in annealed Gzochralski-grown silicon crystals. Appl. Phys. Lett., 1981, v.38, Ж 11, p,867-870.

11. Jastrebski L., Zanzucchi P., Thebault D., Lagowski J, Method of measure the precipitation and total oxygen concentration in silicon. J. ,Electrochem, Soc., 1982, v.129, N 7, p.1638-1641,

12. Murgai A., Gatos H#C,, Westdorp W,A. Effect of microscopic growth rate on oxygen micro segregation and swirl defect di -stribution in Czochralski-grown silicon, J. Electrochem. Soc,, 1979, v.126, N 12, p.2240-2245»

13. G-aworzewski P., Piemann H. Beeinflussung des spezifischen Widerstandes von sauerstoffreichen Silizium Einkrisrallen durch Temperprozesse. - Kristall und Technik, 1977» B.12, N2, S.189-196.

14. Gaworzewski P., Hähle S., Riemann H. Zum Nachweis von Sauerstoff in Mikrobereichen von versetzungsfreien Czochralski -Silizium Einkristallen. - Kristall und Technik, 1977, B. 12, N8, S.871-878.

15. Murgai A., Chi J.I», Gatos H.C. Micredistributions of oxy -gen in silicon. J. Electrochem. Soc., 1980, v.127, N 5» p.1182-1186.

16. Ohsawa A., Honda K., Ohkawa S., Ueda R. Determination of oxygen concentration profiles in silicon crystals observed by scanning IR-absorption using semiconductor laser. -Appl, Phys, Lett., 1980, v,36, N2, p.147-148,

17. Ohsawa A., Honda K., Ohkawa S., Shinohara K. Oxygen stria -tion and thermally induced microdeffects in Czochralski -grown silicon crystals. Appl. Phys. Lett., 1980, v.37»1. 2 ., p,157-159.

18. Ohsawa A., Honda H., Shibatomi S., Ohkawa S. Microdefects distribution, in Czochralski-grown silicon crystals. Appl. Phys, Lett., 1981, v.38, IT 10, p.787-788.

19. Rava P., Gatos H.G., Lagowski J. Correlation of oxygen con -centration and activited oxygen donors in silicon. Appl. Phys. Lett., 1981, v,38, N4, p.274-276.

20. Hu S.M. Precipitation of oxygen in silicon: some phenomena and a nucleation model. J". Appl, Phys,, 1981, v.52, N 6, p.3974-3979.

21. Logan R., Peters A. Diffusion of oxygen in silicon. J, Appl. Phys., 1957, v.8, 1T7, P.819-825.

22. Gass J., Miller H.H., Stiissi H#, Schv/eitzer S, Oxygen dif -fusion in silicon and the influence of different dopants. -J. Appl. Phys., 1980, v. 51» N 4, p.2030-2057.

23. Mikkelsen J,C. Diffusivity of oxygen in silicon during steam oxydation. Appl. Phys. Lett., 1982, v.40, N 4, p.336 -337.

24. Stavola M., Patel J,R,, Kimerling L.C., Preeland P.E. Dif -fusivity of ocygen in silicon at the donor formation tem -perature. Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, N1, p,73-75.

25. G orbe tt J.W,, McDonald R.S., Watkins G.D, The configurati -on and diffusion of isolated oxygen in silicon and germanium. J.Phys. Chem. Solids, 1964, v,25, IT 8, p.873-879,.

26. Gaworzewski P., Ritter G. Om out diffusion of oxygen from silicon, Phys. Stat.Sol.(a), 1981, v.67, IT 2, p,511-516,

27. Gosele V,, Tan T.I. Oxygen diffusion and thermal donor formation in silicon, Appl. Phys. A, 1982, v.28, N 1, p.79 -92.

28. Oehrlein G.S,, Corbett J.W. Early stages of oxygen cluste -ring and its influence on electrical behavior of silicon. In: Mat. Res. Soc. Symp, Proc. Elsevier Science Publis -hing Co., Inc., 1983, v.14, p,107-123.

29. Bean A.R., Newman R.O. The effect of carbon on thermal do -nor formation in heat treated pulled silicon crystals. J. Phys. Chem. Solids, 1972, v.33, N 3, p.255-268.

30. Capper P., Jones A.W., Wallhous E.J., Wilkes J.G. The effect of heat treatment of dislocation-free oxygen containing silicon crystals. - J. Appl, Phys., 1977, v.48, N4, p.1646 -1655«

31. Leroueille J. Influence of carbon on oxygen bexavior in silicon. Phys. Stat. Sol.(a), 1981, v,67, N1, p.177-181.

32. Oazcarra V*, Zunino P. Influence of oxygen on silicon resis -tivity. J",Appl. Phys., 1980, v,51, N 8, p.4206-4211.

33. Helmreich D,, Sirte E. Oxygen in silicon: modern view. In: Semiconductor Silicon 1977, Proc. 3rd Int. Symp. on Silicon Material Science and Technology, ed. H.R.Huff and E.Sirtl .Hew York: Electrochem. Soc., 1977, p.626-636.

34. Kanamori A., Kanamori M. Comparision of two kinds of oxygen donors in silicon by resistivity measurements. J. Appl, Phys., 1979, v.50, N12, p.8095-8102.

35. Tajima M., Kanamori A., Kishino S., Iizuka T. Photolumines -cence analysis of "new donors" in silicon. Jap. J. Appl. Phys., 1980, v.19, N 12, p,L755-L758.

36. Gaworzewski P,, Schmalz K. Oxygen-related donors formed at 600°C in silicon in dependence on oxygen and carbon content.-Phys. Stat. Sol.(a), 1983, v.77, N2, p.571-582,

37. Oehrlein G.S., Livingstrom J#L., Corbett J,M,, Carbon oxy -gen complexes as a nuclei for the pecipitation of oxygen in Czochralski silicon. - Appl. Phys. Lett,, 1982, v.40, IT 3,p.241-243.

38. Borimskii V.V., Glinchuk K.D., Litovchenko N.M., Salnik Z.A, Influence of carbon and preannealing on the formation of oxygen induced recombination centres in heat-treated silicon.-Phys. Stat. Sol.(a), 1984, v.86, N 2, p,623-627.

39. Newman E.G., Willis J.B, Vibrational absorption of carbon in silicon. J. Phys. Chem. Solid, 1965, v.26, N 2 , p.373 -379.

40. Kolbesen B.O. Carbon in silicon. In; Aggregation phenomena of point defects in silicon. Proc. of ECS Sattellite symposi -urn to ESSDERS, ed. Sirtl E., Goorissen J, - Munich, Electro -chem. Soc., Inc. Pennington, 1982, v»83-4, p, 155- 175#

41. Koblesen B.O,, Miihlbauer A. Carbon in silicon: properties and impact on devices. Solid State electronics, 1982, v,25,1. N 8, p.759-775.

42. Newman R.C,, Oates A.S,, Livingston P.M. Self-interstitials and thermal donor formation in silicon: new measurements a model for the defects. J. Phys. C., 1983, v,16, N 19, P. L667-L674,

43. Александрова Г.И., Ильин М.А., Коварский В.Я. Градировка и особенности оптического метода определения содержания углерода в кремнии. Метрология, 1979, .¥9, с.56-61.

44. Newman Е«С#, Smith R.S., Vibrational absorption of carbon and carbon-oxygen complexes in silicon, J. Phys. Chem.Solids, 1969, v.30, N 6, p.14-93-1505.

45. Kaiser W., Frich H., Reiss H. Mechanism of the formation of donor states in heat-treated silicon. Phys. Rev,, 1953» v. 112, N 5, P,1546-1554.

46. Fuller G.S., Logan R.A, Effect of heat-treatment upon the electrical properties of silicon crystals. J. Appl. Phys., 1957, v,28, N 12, p.1427-14-36,

47. Gaworzewski P., Schmalz K. On the kinetiks of thermal donors in oxygen rich silicon in the range from 4-50 to 900°C.- Phys* Stat.Sol.(a), 1980, v.58, N 3, P.K223-K226.

48. ICanamori A. Annealing behavior of the oxygen donor in silicon. Appl, Phys. Lett., 1977, v.34, N 4-, p.287-289.

49. Reichel ¿Г, The distinction of several different kinds of oxygen donors in silicon. Phys. Stat,Sol,(a), 1981, v,66, N1, p.277-282,

50. Бабицкий Ю.М., Гринштейн П.М., Ильин M.A., Кузнецов В.П. К вопросу о кинетике отжига низкотемпературных кислородных доноров в кремнии. ФТП, 1984, т.18, W7, е.1280-1282.

51. Винецкий B.JI., Данковский Ю.В., Мордкович В.Н., Холодарь Т.А. Образование кислородно-кремниевых комплексов при термообра -ботке кремния. Вестник КГУ, Физика, 1977, вып.18, Киев, "Вища школа", с Л18-124.

52. Iiimerling L.C., Benton J.L. Oxygen-related donor states in silicon.- Appl.Phys.Lett., 1981, v.39» p.410-412.

53. Мордкович B.H. О влиянии кислорода на проводимость кремния.-ФТТ, 1964, т.6, Ш, с.848-851.

54. Курило П.М., Сеитов Е., Хитрень М.И. Влияние термической обработки на электрические свойства Л.-кремния, содержащего высокую концентрацию кислорода. ФТП, 1970, т.4, №12,с.2267-2270.

55. Коваль Ю.П., Мордкович В.Н., Темпер Е.М. 0 влиянии термо -обработки на оптические и электрические свойства кремния, содержащего кислород. - ФТП, 1971, т.5, .¥б, с.1227-1228.

56. Hrostovski H.J., Kaiser R.H, Infrared spectra of heat-treatment centers in silicon. Phys. Rev. Lett., 1958» v.1, N6, p.199-200.

57. Graff K., Pieper H, The carrier lifetime of heat-treated silicon crystals. J. Electronic Mat., 1975, v.4, IT 2, p.281-298.

58. Wruck D., Gaworzewski P. Electrical and infrared spectroaco-pic investigations of oxygen related donors in silicon. -Phys, Stat. Sol.(a), 1979, v.56, N 2, p.557-564.

59. Pajot B„, Compain H., Leroeuille J., Clerjaud B. Spectrosco-pical studies of 450°C thermal donors in silicon. Physica B+C, 1985, v.117-118, p.110-115.

60. Suezava M., Sumino K, Infrared spectroscopic study of ther -mal donors in Сzochralski grown silicon developed at 450°C. - Materials Letters, v.2, H2, p.85-89.

61. Suezava М», Sumino K. Nature of thermal donors in silicon crystals.- Phys.Stat.Sol.(a), 1984, v.82, N1, p.255-242.

62. Suezava M,, Sumino K. On the annihitation of thermal donors in silicon crystals. Phys. Stat. Sol.(a), 1934, v.85, N 2, p.469-472.

63. Батавин В.В., Сальник З.А. Влияние акцепторов на генерацию термодоноров в кремнии, содержащем кислород. Электронная техника, 1980, сер. Материалы, вып.5, с.42-45.

64. Cleland J.W. Heat-treatment studies of oxygen-defect-impyiii-ty interactions in silicon. J. Electrochem.Soc., 1982, v. 129, IT 9, p.2127-2152.

65. Ахметов В.Д., Болотов А.В., Васильев А.В. Взаимодействие дефектов в кремнии при термообработке. В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниках.-Новосибирск,"Наука",1979,с.205-220.

66. Бабицкий Ю.М., Горбачева Н.И., Гринштейн П.М., Ильин М.А., Милвидский М.Г., Туровский Б.М. Генерация термодоноров в кремнии, легированном германием.-ФТП,1984,т.18,№7,с.1309-1311.

67. Салманов А.Р., Рыгалин Б.Н., Батавин В.В., Прокофьева В.К. Эффект подавления термодоноров в кремнии диффузией магния. -Изв. АН СССР, Неорган, матер., 1983, т.19, № 10, с.1605-1608.

68. Карпов Ю.А., Мазуренко В.В., Петров В.В., Просолович B.C., Ткачев В.Д. О взаимодействии атомов редкоземельных элементов с кислородом в кремнии. ФТП, 1984, т.18, №2, с.368-369.

69. Старчик М.И. К вопросу образования термодоноров при ^--облучении п -кремния. ФТП, 1969, т.З, FI, с.153-154.

70. De Kock A.J^R., Severin P.J», Poksnoer P.J. Qa the relation on between growth, striations and resistivity variations in silicon crystals. Phys. Stat. Sol.(a), 1974, v#22, N 1, p. 163-166.

71. Машовец Т.В. Термодефекты в полупроводниках. ФТП, 1982, т. 16, №1, с.3-21.

72. BaMch V.M., Dotsenko la.P., Kovalch.uk V.B. Some characteristic properties of thermal donor formation in oxygen-contai -n ing silicon at 450°C.,- Phys. Stat.Sol.(a), 1984, v.86,1. N2, p,K91-K94.

73. Borimskii V.V., Glinchuk K.D., Litovchenko N.M,, Salnik Z.A. Annealing behavior of oxygen-induced recombination centres in silicon,-Phys,Stat.Sol.(a),1983, v.80, N1, p.343-348.

74. Гринштейн П.М., Лазарева Г.В., Орлова Е.В., Сальник З.А., Фистуль В.И. Об условии генерации термодоноров в интервале температур б00-800°С. ФТЛ, 1978, т.12, № I, с.121-123.

75. Schmalz К., Gaworzewski Р. Ои. the donor activity of oxygen in silicon at temperatures from 500 to 800°C. Phys. Stat.Sol. (a), 1981, v.64, IT 1, p.151-158,

76. Баран Н.П., Барчук В.И., Гринштейн П.М., Орлова Е.В. О высокотемпературных кислородных термодонорах в кремнии. ФТП, 1981, т.15, №9, с. 1733-1736.

77. Бабицкий Ю.М., Гринштейн П.М., Орлова Е.В. Распад пересьщен-ного твердого раствора кислорода в кремнии и термодоноры. -Электронная техника, сер.Материалы, 1982, вып.2, с.33-37.

78. Батавин Б.В., Сальник З.А. Природа термодоноров в кремнии, содержащем кислород. Изв. АН СССР, Неорган, матер., 1982, т.18, f 2, с.185-189.

79. Бабицкий Ю.М., Гринштейн П.М. Кинетика образования "вторых" кислородных доноров в кремнии.-ФТП, 1984,т.18,№4,с.604-609.

80. Babich V.M., Baran N.P., Bugay А.А., Dotsenko Yu.P., Koval-chuk V.B., Shershel V.Y. On the properties of thermodonors-ц in CZ-Si crystals of high carbon content. Phys. Stat.Sol. (a), 1984, v.86, N 2, p.679-683.

81. Баграев H.T., Витовский H.A., Власенко JI.С., МашовецТ.В., Рахимов 0. Скопление электрически активных центров в термо -обработанном кремнии, выращенном по методу Чохральского. -ФТП, 1983, т.17, №11, с.1979-1984.

82. Holzlein К., Pensi G,, Schulz М. Trap spectrum of the "new oxygen donor" in silicon. Appl. Phys. A, 1984, v.34, N3, p.155-161.

83. Gaworzewski P., Schmalz K. On the effect of ambients on the formation of oxygen related donors in CZ-silicon. Phys.Stat. Sol. (a), 1983, v.78, IT2, P.K141-K145.

84. Glinchuk K.D., litovchenko N.M., Borimskii V.V., Skryl S.I. Oxygen as a deep impurity important for silicon technologicol application. In: Forth "Lund" international conference on deep level impurities in semiconductors. Eger, Hungery, 1983, P.65.

85. Borimskii V.V., Glinchuk K.D., Litovchenko H.M., Salnik z.A# New oxygen-induced recombination centres in 600 to 800°c heat-treated silicon. Phys. Stat. Sol.(a), 1984, N1, p,237- 241.

86. Goworzevskii P., HiId E., Kurscht F.-G., Vecsernyes L, Infa -red spectroscopical and ТЕМ investigations of oxygen precipitation in silicon crystals with medium and high oxygen concentrations. Phys.Stat.Sol.(a), 1984, v.85, H1, P.153-W.

87. Глинчук К.Д., Ильчишин В.А., Литовченко H.M. О рекомбинацион-ных свойствах кремния, содержащего кислород. ФТП, 1979, т. 13, МО, с.1927-1931.

88. ЮО. Glinchuk K.D*, Litovchenko N.M. Decay of excess carriers in thermaly treated oxygen-doped silicon. Phys. Stat,Sol.(a), 1980, v. 58, N2, P,549-555*

89. Гринштейн П.М., Ильин M.A., Коварский В.Я., Орлова Е.В., Сальник З.А. Погрешность измерения концентрации кислорода в кремнии термическим методом.-Метрология,I960,№10,с.60-62.

90. Х02. На S. М. Effect of ambients on oxygen precipitation in silicon Appl.Phys.Lett., 1980, v.56, N7, p.561-564,

91. J03. Kishino S., Matsushita I., Lanamori M., lizuka Z. Thermally induced microdefect in Czochralski-grown silicon: nucleation and grov/th behaviour. Jap. J. Appl.Phys., 1982, v,21, Ж 1, p.1-12.

92. Глинчук К.Д., Литовченко H.M. Зондовый метод измерения времени жизни носителей тока в полупроводниках. Приборы и техника эксперимента, 1970, f3, с.243-245.

93. Dash W.C., Neman R. Intrinsic optical absorption in singlj-crystal germanium and silicon at 77°K and 300°K. Phys. Rev., 1955, v.99, H" 4, p.1151-1155.

94. Лифшиц И.М., Слезов В.В. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов. ЖЭТФ, 1958, т.35, №2, с. 479-492.

95. Автор глубоко признателен старшему научному сотруднику кандидату физ.-мат. наук ЛИТОВЧЕНКО Наталии Митрофановне за помощь в проведении научных экспериментов и поддержку при выполнении работы.