Кинетика эмиссии электронов из сегнетоэлектриков тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Общие сведения об электронной эмиссии из твердых тел.

1.2. Эмиссия электронов из сегнетоэлектрических материалов. Общие закономерности.

1.3. Фото- и термостимулированная эмиссия электронов из сегнетоэлектриков.

1.4. Возникновение эмиссии электронов при фазовых переходах.

1.5. Возникновение эмиссии электронов при пьезоэлектрическом эффекте.

1.6. Эмиссия электронов, возбуждаемая переполяризацией. t 1.7. Распределение энергии электронов.

1.8. «Сильная» эмиссия электронов из сегнетоэлектриков.

1.9. Природа эмиссии электронов из сегнетоэлектриков.

ГЛАВА 2. КИНЕТИКА ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ

2.1.Описание методики исследования, эксспериментальной установки и объекта исследования.

2.2. Кинетика электронной эмиссии из сегнетоэлектрического кристалла ТГС.

2.3. Релаксация электронной эмиссии из кристаллов ТГС с дефектами.

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ СКОРОСТИ НАГРЕВА НА ЭМИССИЮ

ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ

3.1. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе номинально чистого кристалла ТГС, нагреваемого с большой скоростью.

3.2. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла ТГС с примесью хрома, нагреваемого с большой скоростью.

3.3. Термостимулированная эмиссия электронов из кристаллов ТГС с примесью никеля.

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ЧАСТОТЫ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕГО ПОЛЯ НА ПАРАМЕТРЫ ЭМИССИИ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ

4.1. Влияние частоты переключающего поля на пороговое поле эмиссии.

4.2. Частотная зависимость коэрцитивного поля в сегнетоэлектриках.

ВЫВОДЫ.

Актуальность темы.

Среди различных методов исследования поверхности материалов важное место занимает эмиссия электронов, представляющая как научный, так и практический интерес. Изучение особенностей кинетики эмиссионных процессов в сегнетоэлектриках позволяет глубже понять механизм эмиссии в этих материалах. Кроме того, знание основных кинетических закономерностей позволяет целенаправленно влиять на параметры эмиссионного тока и, значит, говорить о перспективах использования сегнетоэлектрических материалов в качестве холодных эмиттеров.

К моменту выполнения настоящей работы целый ряд вопросов в изучении эмиссии электронов из сегнетоэлектриков оставался нерешенным. Несмотря на наличие достаточно продуктивных гипотез, предложенных для объяснения эмиссионных процессов в указанных материалах, оставалось еще » немало вопросов, которые нуждались в проведении дополнительных исследований.

Исследование кинетических закономерностей эмиссии в сегнетоэлектрических материалах проводилось ранее только для фиксированных температур, где основное внимание было сконцентрировано на изучение величины эмиссионного сигнала.

В то же время оставался неясным один из ключевых вопросов эмиссии электронов в сегнетоэлектриках - об условиях наблюдения эмиссии и, в частности, о температурном интервале существования эмиссии. В настоящей работе исследовано температурное поведение времени релаксации эмиссии в сегнетоэлектриках. Подробно изучено влияние скорости нагрева образца на величину и границы температурного интервала, в котором регистрируется указанная эмиссия. В заключительной части работы рассмотрено влияние на основные параметры эмиссионного процесса в сегнетоэлектриках частоты переполяризующего поля.

Цель и задачи исследования. Целью настоящей работы является уточнение природы эмиссии электронов из сегнетоэлектриков посредством изучения кинетики электронной эмиссии. В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи данной работы:

- изучение временных зависимостей эмиссионного тока в номинально чистом и легированном примесями кристаллах триглицинсульфата;

- изучение влияния скорости нагрева образца на параметры эмиссионного тока;

- изучение влияния частоты переключающего поля на коэрцитивное поле и пороговое поле эмиссии в сегнетоэлектриках.

Научная новизна. Все основные результаты данной работы являются новыми. В ней впервые исследовано температурное поведение времени релаксации эмиссии электронов в различных сегнетоэлектрических материалах. Изучены закономерности возникновения электронной эмиссии в неполярной фазе сегнетоэлектрика и предложен механизм ее возникновения. Показана ведущая роль зарядов экранирования спонтанной поляризации в возникновении эмиссии в парафазе. Рассчитана частотная зависимость коэрцитивного поля в рамках механизма бокового движения доменных границ. Показано, что частотная зависимость порогового поля эмиссии может быть объяснена соответствующей зависимостью коэрцитивного поля материала.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Эмиссионный сигнал в сегнетоэлектриках возникает только в процессе изменения макроскопической поляризации образца и спадает по экспоненциальному закону при стабилизации температурного или полевого воздействия.

2. Температура исчезновения эмиссии электронов из сегнетоэлектриков не обязательно совпадает с точкой Кюри Тс. Она может быть как меньше, так и больше Тс в зависимости от скорости нагрева образца. Наличие эмиссии выше точки Кюри подтверждает активную роль в эмиссионных процессах зарядов экранирования спонтанной поляризации.

3. Величина температурного интервала затягивания эмиссии в парафазу определяется временем максвелловской релаксации зарядов экранирования и может меняться за счет изменения проводимости в дефектном материале.

4. Пороговое поле эмиссии коррелирует с коэрцитивным полем материала. Растущая частотная зависимость указанных полей связана с активационными процессами, контролирующими переполяризацию сегнетоэлектриков.

Научная и практическая значимость работы.

Основными результатами диссертационной работы является выявление факторов, влияющих на релаксацию эмиссионного тока, на температурный интервал существования эмиссии и частотную зависимость порогового поля эмиссии в сегнетоэлектриках. Указанные параметры могут быть изменены путем изменения материала используемого сегнетоэлектрика, температуры и степени его дефектности. В связи с этим появляется возможность целенаправленного изменения параметров эмиссионного тока, таких как величина температурного интервала существования эмиссии, значение эмиссионного тока, его релаксационные характеристики, что важно для практического применения данного эффекта. Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на 9-й и 10-й Европейских конференциях по сегнетоэлектричеству (Прага, Чехия, 1999; Кэмбридж, Великобритания, 2003), 10-й Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Мадрид, Испания, 2001), 14-й Международной конференции по вакуумной микроэлектронике (Калифорния, США, 2001), 7й Российско/СНГ/Балтийско/Японском Симпозиуме по сегнетоэлектричеству (С.-Петербург, Россия, 2002), 4-ой IEEE Международной конференции по вакуумным электронным источникам (Саратов, Россия, 2002), 6-й Европейской конференции по применению полярных диэлектриков (Авьеру, Португалия, 2002), 7-м Международном симпозиуме по доменам в ферроиках и мезоскопическим структурам (Жьен, Франция, 2002), XV и XVI Всероссийских Конференциях по физике сегнетоэлектриков (Ростов-на-Дону, 1999; Тверь, 2002), V Международном конгрессе по математическому моделированию (Дубна, Russia, 2002), IV Международной Научно-технической конференции «Электроника и информатика - 2002» (Москва,

2002), 4-ом Международном семинаре по физике сегнетоэластиков (Воронеж, 2003), пятой, седьмой и восьмой Всероссийских научных конференциях студентов - физиков и молодых ученых (Екатеринбург, 1999; Екатеринбург - Санкт-Петербург, 2001; Екатеринбург, 2002), XIV Международном совещании по рентгенографии минералов (Санкт-Петербург, 1999), Втором Всероссийском семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 1999), Международной научно-технической конференции «Межфазная релаксация в полиматериалах» (Москва, 2001), Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва, 2003), Международной научно-практической школы-конференции «Пьезотехника - 2003» (Москва,

2003).

Публикации и вклад автора.

Основное содержание диссертации опубликовано в 13 научных статьях. Автором получены все основные экспериментальные результаты и проведены теоретические расчеты. Обсуждение полученных результатов проводилось совместно с научным руководителем д.ф.-м.н., проф. Дрождиным С.Н. и к.ф.-м.н. доц. Миловидовой С.Д.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 97 страницах машинописного текста, иллюстрирована 30 рисунками и содержит 1 таблицу. Библиографический раздел включает 126 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

По результатам проведенного исследования можно сформулировать следующие выводы:

1. В чистом кристалле ТГС характерное время релаксации эмиссии зависит от температуры. Оно уменьшается при приближении к температуре фазового перехода, где с ростом поля, активного в эмиссии, увеличивается вероятность ионизации поверхностных дефектных центров. Время релаксации эмиссионного сигнала в кристаллах с примесями в несколько раз меньше, чем в чистом материале и не зависит от температуры.

2. Температурный интервал существования эмиссии расширяется с ростом скорости нагрева образца. В чистом кристалле ТГС термостимулированная эмиссия электронов наблюдается при температурах на 10 - 15 градусов выше точки Кюри. В легированных материалах интервал затягивания эмиссии в парафазу уменьшается с ростом концентрации примеси.

3. Как в номинально чистых, так и в легированных кристаллах ТГС величина максимума в температурной зависимости плотности тока эмиссии растет, а суммарное число эмитированных электронов падает с ростом скорости нагрева образца.

4. Исчезновение эмиссии ниже точки Кюри при малых скоростях нагрева есть результат полного опустошения электронных ловушек при медленном нагревании. Наличие эмиссии электронов выше точки Кюри связано с затягиванием в параэлектрическую фазу зарядов экранирования спонтанной поляризации, активных в эмиссии.

5. Величина температурного интервала затягивания эмиссии в парафазу зависит от времени максвелловской релаксации зарядов экранирования и может контролироваться, в частности, легированием сегнетоэлектрическо-го материала.

6. Частотная зависимость порогового поля эмиссии обусловлена наличием аналогичной зависимости коэрцитивного поля. Рост частоты измерительного поля приводит к уменьшению вероятности зародышеобразование обратных доменов на доменной стенке. Компенсация указанного уменьшения вероятности может быть достигнута увеличением амплитуды, что и означает рост коэрцитивного поля с увеличением частоты приложенного поля.

1. Кортов B.C., Слесарев А.И., Рогов В.В. Экзоэмиссионный контроль поверхности деталей после обработки.- Киев: Наук, думка, 1986.- 176с.

2. Крылова И.В. Экзоэмиссия, сопровождающая адсорбцию, десорбцию и фазовые переходы на поверхности. //Изв.РАН.сер.физ.-1998.-т. 62.-№10-с.2009 2020.

3. Шкилько А.М. Кроснин А.А. Применение экзоэлектронной эмиссии для исследования физико-химических свойств материалов. Харьков: ХЗПИ.-1980г.-43с.

4. Крылова И.В. Экзоэмиссия. Химический аспект.(обзор) //Успехи химии.— 1976.- t.IV.- в. 12- с .2138-2167.

5. Сидоркин А.С., Логинов П.В., Саввинов A.M., Кудзин А.Ю., Короткова Н.Ю. Эмиссия электронов из слабого сегнетоэлектрика гептагерманата лития // Физика твердого тела.- 1996.- т.38.- в.2.-с.624-629.

6. Литвинов В.А., Коваль А.Г., Грицаенко С.В. Коэффициенты вторичной ионной эмиссии с поверхности металлов, полупроводников и диэлектриков//Радиотехника и электроника.- 1998.- T.43.-N10.- с.1254-1261.

7. Крамер И. Экзоэлектронная эмиссия. Москва: ИЛ, 1962 г.-ЗОб с. Евдокимов В.Д.,Семов Ю.И. Экзоэлектронная эмиссия при трении. Москва: Наука 1973 г. 257 с.

8. Минц Р.И.,Кортов B.C., Мелехин В.Л. и др. Влияние деформации на работу выхода электрона и экзоэмиссию с поверхности благородных металлов. // Изв. Вузов. Сер. Физика ,1970 г. 37-42 с.

9. Резников В.Г., Розенман Г.И., Мелехин В.П., Минц Р.И. Эмиссия электронов при переходе в состояние сверх пластичности. // Письма в Хуры эксп. И теор. Физики, 1973 г. т. 17 в II 608-609 с.

10. Zdanovich A.G., Kryuki V.T., Mintz R.I., Milman I.I. Exoelectron emission of silicon and germanium afterbombordment by protons of low energy // Phys.stat/sol(II), 1971 v.8 N 1, k27-k29

11. Крегер Ф. Химия несовершенного кристалла Москва: Мир 1969 г. 654 с.

12. Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Макроскопические ионные ловушки на границе раздела кремний—окисел // Физика и техника полупроводников, 1998, т.32, в. 12, С.1439-1441.

13. Rosenblum В., Braundlich P., Carrico Р., Appl.Phys.Lett 1974 - v.25- р. 17 .

14. Шихалиев П.М. О механизме усиленной полем самоподдерживающейся вторичной электронной эмиссии в пористых диэлектриках // Письма в ЖТФ.-1998.-т.24.-№ 19.-е. 13-18.

15. Беляев JI.M., Бендрикова Г.Г. Влияние спонтанной поляризации на выход фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии с кристаллов триглицин-сульфата //ФТТ.- 1964.- Т.6.- в.2.- С. 645-647.

16. Sujak В., Kusz J. Field exited electron emission from Rochelle salt crystals. //Acta.Phys.Polon—1965.- v.28. N4.-p.491-497; 1968.-v33.-p.845.

17. Кортов B.C., Минц Р.И. Экзоэлектронная эмиссия при фазовых превращениях в сегнетоэлектриках. // ФТТ.-1967.-т.9.-№6.-с. 1828-1831.

18. Розенман Г.И., Бойкова Е.И. Ориентационная зависимость экзоэлектронной эмиссии при фазовых переходах в титанате бария //ФТТ 1978- Т.20-в.8.- с.2498-2500.

19. Розенман Г.И., Бойкова Е.И., Севастьянов М.А., Томашпольский Ю.Я. Анизотропная эмиссия экзоэлектронов в титанате бария в области фазовых переходов. //Письма в ЖЭТФ.- 1978.- Т.27 в.5.- С.271-274.

20. Рудковский В.Н., Бородин В.З., Экнадиосянц Е.И., Рабкин JI.M.// Доменная структура и роль поверхностных состояний при термостимулированной экзоэлектронной эмиссии ВаТЮ3.//Изв. АН СССР.сер.физ-1990.-№6с.1184-1187.

21. Бойкова Е.И., Быстров B.C., Розенман Г.Л. Ролов Б.Н., Сагалович Г.Л. Фа-зонная модель механизма экзоэмиссии при фазовом переходе в титанате ба-рия.//ФТТ.-1980.-том 22.-В. 8.-С.2507-2508.

22. Sujak В., Biedrzycki К. Exoemission exitation of ferroelectrics in vacuum by alternating voltage. //Jap. J. Appl.Phys.-l 985.- V.24.-Suppl.224.-P.81-82.

23. Biedrzycki K., Mikolajczak A. Relation between the coercive and the threshold effective electric field generating the electric discharges at the surface of TGS single cristals. //Acta Physica Polonica.- 1981.-V.A59.-№4.-P.507-509.

24. Biedrzycki K. New Aspects of Electron Emission from Virgin TGS Single Crystals. //Phys.Stat.Sol. A.- 1986.- v.93.-pp.503-508.

25. Biedrzycki K. and Kosturek B. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals with Well-Defined Initial Domain Structure. //Phys.Stat.Sol. A.- 1987.- v.l00.-pp.327-330.

26. Biedrzycki K. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals with Weil-Defined Initial Macroscopic Polarization. //Phys.Stat.Sol. A.-1990.-v.ll7.-pp.313-318.

27. Biedrzycki K. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals Excited by AC Electric Field. //Phys.Stat.Sol. A 1988 - v. 109.-pp.K79-K83.

28. Biedrzycki K., Markowski L., Czapla Z. Pulsed TGS-based electron and ion emitter//Phys. Status solidi. A.- 1998.-T.165.-Nl.-CTp.283-293.

29. Розенман Г.И., Рез И.С., Чепелев Ю.Л., Сорокина Е.А., Бойкова Е.И. Экзо-эмиссия легированного ТГС. //ФТТ.- 1980-Т.22.-№11.-С.3488-3490.

30. Минакова Е.В., Тихомирова Н.А., Хрусталёв Ю.А. Особенности эмиссии электронов с ювенильной поверхнолсти скола полярного кристалла сегнетоэлектрика триглицинсульфата. //Поверхность.- 1986.- Т.7.- с. 135-136.

31. Kugel V. D.; Rosenman G.; Shur D.; Krasik YA.E. Copious electron emission from triglycine sulfate ferroelectric crystals. //J.Appl.Phys 1995.-V.78.- pp. 2248-2252.

32. Розенман Г.И., Охапкин В.А., Чепелев Ю.Л., Шур В.Я. Эмисссия электронов при переключении сегнетоэлектрика германата свинца //Письма в ЖЭТФ.- 1984.- Т.39-В.9.- С.397-399.

33. Розенман Г.И., Охапкин В.А., Шур В.Я. Визуализация динамики доменной структуры германатасвинца методомэкзоэмиссии.//ЖТФ- 1985 -Т.55-в.6.-С. 1239-1241.

34. Розенман Г.И., Рез И.С., Чепелев ЮЛ., Ангерт Н.Б., Бойкова Е.И. Экзоэмиссия и электретный эффект в кристаллах ниобата лития. //ЖТФ.- 1982.-Т.52.-№9.-с. 1890-1892.

35. Бойкова Е.И., Розенман Г.И.Фотоэмиссионные исследования "собственного" эффекта поля в ниобате лития. //ФТТ- 1978.- Т.20.-№ 11.- с.3425-3427.

36. Розенман Г.И., Бойкова Е.И. Униполярная эмиссия Малтера в условиях пироэлектрического эффекта в LiNb03:Fe. //ФТТ 1979.- Т.21.- в.6- с.1888-1891.

37. Кортов B.C., Шварц К.К., Зацепин А.Ф. и др. Термостимулированная электронная эмиссия ниобата лития. //ФТТ 1979.- Т.21. - В.6. - С. 1897- 1899.

38. Розенман Г.И., Печерский В.И. Экзоэмиссия при поперечном пьезоэффекте в ниобате лития. //Письма в ЖТФ.-1980-Т.6.-в.24.-с.1531-1534.

39. Розенман Г.И., Печерский В.И., Рез И.С. Экзоэлектронная эмиссия при одноосной деформации LiNb03.//Письма в ЖТФ.-1981-Т. 23.-№12-с.3714- 3716.

40. Кортов B.C., Зацепин А.Ф., Гаприндашвили А.И. и др. Спонтанная электронная эмиссия монокристаллов LiNbO 3 с различной доменной структурой.//ЖТФ.-1980.-том 50,-в. 9.-е. 1934-193 8.

41. Стригущенко И.В. Температурная работа выхода ниобата лития.//ЖТФ.-1981 .-том 51 .-в. 1 .-с. 199-200.

42. Розенман Г.И. Фотоиндуцированная экзоэмиссия ниобата лития.//ФТТ.-1988.-том 30.- в.8.-с.2323-2327.

43. Стригущенко И.В., Дмитриев С.Г., Силантьева О.В. Некоторые особенности термоэлектронной эмиссии ниобата лития.//Письма в ЖТФ.-1977-том 3в. 8.-С.357-360.

44. Рисин В.Е., Сидоркин А.С., Зальцберг B.C., Грибков С.П. Влияние радиационных дефектов на экзоэлектронную эмиссию с ниобата лития.//ФТТ-1988.-том 30.- №8.-с.2544-2546.

45. Розенман Г.И., Печорский В.И. Экзоэмиссиия при поперечном пьезоэффек-те в ниобате лития //ЖТФ- 1980.- Т.6.- в.24- С.1531-1534.

46. Рез И.С., Розенман Г.И., Чепелев Ю.Л., Ангерт Н.Б., Жашков А.А. Эмиссия высокоэнергетических электронов при пироэффекте в танталате лития. //Письма в ЖТФ.- 1979.- Т.5.- в22.- с.1352-1354.

47. Розенман Г.И., Рез И.С., Чепелев Ю.Л., Ангерт Н.Б., Жашков А.А. Экзо-эмисссия пироэлектрика LiTa03 //ФТТ.- 1980 Т.22- в.11.- с.3466- 3469.

48. Розенман Г.И., Рез И.С., Чепелев Ю.Л., Ангер. Экзоэмисссия дефектной поверхности танталата лития //ЖТФ 1981 .-Т.51.- в.2 - с.404-408.

49. Козаков А.Т., Колесников В.В., Никольский А.В., Сахненко В.П. Аномальная электронная эмиссия из монокристаллов ниобата и танталата лития. // ФТТ.- 1997.-том 39-выпуск 4.-С.679-682.

50. Rosenman G.I., Letuchev V.V., Chepelev Yu.L., Malyshkina O.V., Shur V.Ya. and Kuminov V.P. Emission of Electrons on Switching of the Gd2(Mo04)3 Ferroelectric-Ferroelastic in Electric Field //Appl. Phys. Lett.- 1990.- V. 56.-N.7.— pp. 689-691.

51. Biedrzycki K., Markowski L. Vacuum emission of electrons from (РЬ,Са)ТЮз thin films. //Solid State Commun.- 1998.-t.107.-N8- стр.391-393.

52. Okuyama M. and Kuratani Y. Electron emission from ferroelectric ceramic thin plate by pulsed electric field. // J.Korean Ph.Society- 1996- v.29.- pp.S607-S611.

53. Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. Electron emission from PZT ceramic and supression of fatigue by PZT thin film coating. // J.Korean Ph.Society.-l 998.- v.32.- S1629-S1631.

54. Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. Improvement of Field-Induced Electron Emission Using Ir or 1Ю2 Electrode and Ferroelectric Film Coating. // Jpn. J. Appl. Phys.- 1998.-Vol.37.-Part l.-No. 9B.-pp.5421-5423.

55. Okuyama M., Asano J. and Hamakawa Y. Electron emission from lead-zirconate-titanate ferroelectric ceramic induced by pulse electric field. // Jpn.J.Appl Phys.-l 994 part 1.- N9B- v.33.- pp.5506-5509.

56. Kuratani Y., Okuyama M., Asano J. and Hamakawa Y. Field-excited electron emission from (1-у)РЬ(М§1/з№>2/з)Оз-уРЬТЮз ceramic. // Jpn.J.Appl Phys.-1996.- part 1N9B.- v.35.- pp.5185-5187.

57. Kuratani Y., Seiji O., Okuyama M., and Hamakawa Y. Enhancement of Field-Excited Electron Emission from Lead-Zirconate-Titanate Ceramic Using Ultra-thin Metal Electrode//Jpn. J. Appl. Phys.- 1995.- Part l.-No. 9B- Vol.34.-pp.5471-5474.

58. Рабкин JI.M., Петин Г.П., Зарубин И.А., Иванов В.Н. Исследование некоторых характеристик электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектрика типа PLZT. // Письма в ЖТФ.- 1998.-том 24.- выпуск 23.-е. 19-22.

59. Козаков А.Т., Никольский А.В., Новиков И.В., Мухортов Вл.М., Шевцова С.И. Особенности аномальной электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектрических пленок составаРЬТЮз и Pb(Zr,Ti)03 //ПЖТФ.- 1997-том 23-выпуск 16.-С.55-61.

60. Wada М., Savada A., Ishibashi Y. Ferroelectricity and soft mode in Li2Ge70i5 //J.Phys.Soc. Jap.-l 981 .-V.50.- 6.-pp. 1811-1812.

61. Волнянский М.Д., Кудзин А.Ю. Исследование сегнетоэлектрического фазового перехода в Li2Ge7015 И ФТТ.- 1987.-Т.29 в.1.- с.213-215.

62. Trubitsyn М.Р., Volnianskii M.D., Kudzin A.Yu. ESR study of the local order parameter behaviour in weak ferroelectric Li2Ge70j5. //Ferroelectrics, The Gordon and Breach Publishing Group-April 1998.

63. Томашпольский Ю.Я., Бойкова Е.И., Розенман Г.И., Севастьянов М.А. Экзоэлектронная эмиссия сегнетоэлектрических пленок.// ФТТ — 1978.-Т.20 С.3491.

64. Сидоркин А.С., Косцов A.M. Экзоэлектронная эмиссия в сегнетоэлектрическом кристалле триглицинсульфата с дефектами. //ФТТ1991.- Т.ЗЗ.-№8.- С.2458-2459.

65. Biedrzycki К., Le Bihan R. Electron emission from ferroelectrics. //Ferroelectrics- 1992.- V.126.- P.253-261.

66. Biedrzycki K. Electron Emission of Ferroelectrics Induced by AC Electric Field in the Vicinity of the Phase Transition Temperature. //Ferroelectrics 1997-V. 192—pp. 269-277.

67. Айрапетов А.Ш., Красных A.K., Левшин И.В., Никитский А.Ю. Измерение эмиссионного тока при переключении направления поляризации сегнетоэлектрика. //Письма в ЖТФ.-т. 16.-№5.-с.46-49.

68. Айрапетов А.Ш., Иванчик И.И., Лебедев А.Н., Левшин И.В., Тихомирова Н.А. Импульсная экзоэмиссия электронов при неполной переполяризации сегнетоэлектрика. //Докл.АН СССР 1990.-t.31 1.-№3.-с.594-596.

69. Ivanchik I.I. On Electron Emission Under Destabilization of Ferroelectric with a Short High-Voltage Pulse. //Ferroelectrics.-1990.-v.l 11.-pp. 147-153.

70. Mesyats G.A. Physics of electron emission from ferroelectric cathodes. //SPIE.-1994.- Vol. 2259.- pp.419-422.

71. Иванов B.H., Рабкин Л.М. Переключаемая часть поляризации сегнетокера-мики при импульсной эмиссии электронов.//ЖТФ.-2000.-том 70 в.12.-с.43—46.

72. Павлов А., Раевский И.П., Сахненко В.П. Эмиссия электронов при импульсной переполяризации сегнетокерамики.//ЖТФ-1999-том 69 -в.7 — с.49-52.

73. Asano J., Imai Т., Okuyama М., Hamakawa Y. Field-Excited Electron Emission from Ferroelectric Ceramic in Vacuum.//Jpn. J. Appl. Phys.-1992.- Vol. 31 .— pp.3098-3101.

74. Колесников B.B., Козаков A.T., Никольский A.B. Особенности динамики 180°-х доменов в сегнетоэлектрике в процессах переключения поляризации и эмиссии электронов.//ФТТ.-2000.-том 42.-№ 1.—с.141— 146.

75. Рабкин Л.М., Иванов В.Н. Энергия электронов при экзоэлектронной эмиссии с сегнетоэлектрика. //Письма в ЖТФ.- 1998- том 24- выпуск 14.- с.54-57.

76. Sidorkin A.S., Darinskii B.M., Lazarev A.P., Kostsov A.M. Exoelectron Emission From Ferroelectric Surfase In Alternating Electric Field. // Ferroelectrics-1993.- V.143 P.209-213.

77. Sidorkin A.S., Darinskii B.M. Electron emission from ferroelectric plate stimulated by switching. //Appl.Surface Science 1997.-N111 .-c.325-328.

78. Сидоркин A.C., Косцов A.M., Зальцберг B.C., Грибков С.П. Кинетика экзо-электроннойэмиссии кристаллатриглицинсульфата. //ФТТ 1985 - Т.27-№7.- С.2200-2203.

79. Косцов A.M., Сидоркин А.С., Зальцберг B.C., Грибков С.П. Экзоэлектрон-ная эмиссия из поверхностных состояний в сегнетоэлектрике. // ФТТ.-1982.- Т.24.-№11.- С. 3436-3438 .

80. Сидоркин А.С. Внутренняя холодная эмиссия при переполяризации сегнетоэлектрика. // ФТТ.-1982.- Т.24.-№5.-С. 1542-1544.

81. Даринский Б.М., Сидоркин А.С. Концентрация электрического поля в полидоменных сегнетоэлектриках //ФТТ.-1984.-Т.26.-№6.-С.1634-1639.

82. Gundel Н., Riege Н., Handerek J. //Appl. Phys. Lett.- 1991- v.69.-p.975.

83. Gundel H., Riege H., Handerek J., Zioutas K. Low-pressure hollow cathode switch triggered by a pulsed electron beam emitted from ferroelectrics. //Appl. Phys. Lett.- 1989.- v.54.-N21.-pp.2071-2073.

84. Gundel H., Handerek J., Riege H., Wilson E. Electric field-excited electron emission from PLZT-x/65/35 ceramics // Ferroelectrics.-1990.-vl 10(Pt. B).- pp. 183

85. Gundel H. High-intense pulsed electron emission by fast polarization changes in ferroelectrics. //Ferroelectrics.- 1996-Vol. 184.-pp. 89-98.

86. Weiming Z., Wayne H., George D. Waddill. Electron Energy Distributions Of Ferroelectric Emission From Plzt8/65/35. //Ferroelectrics.- 1998.

87. Flechtner Donald. Electron Emission And Beam Generation Using Ferroelectric Cathodes (Electron Beam Generation, Lead Lanthanum Zicronate Titanate, High Power Traveling Wave Tube Amplfier) // PHD, Cornell University, USA. DAI-B.-1999 .-59/12.-p.6364.

88. Poprawski R. and Kolarz A. Thermally stimulated light emission from the linear pyroelectric and ferroelectric surfaces. // J.Phys.Chem.Solids.-1989.-v.50.-N7.-pp.693-701.

89. Riege H. Ferroelectric electron emission: Principles and technology //Appl. Surface Science.- 1997-v.l 11- pp.318-324.

90. Riege H.; Boscolo I.; Handerek J.; Herleb U. Features and technology of ferroelectric electron emission. //J. Appl. Phys- 1998 V. 84.- Issue 3, August 01.-pp. 1602-1617.

91. Geissler, K., Meineke, A., Riege, H., de Silvestri, S., Nisoli, M., Svelto, O., Boscolo, I., Handerek, J. Femtosecond laser-induced electron emission from ferroelectrics. //Nuclear Instruments And Methods In Physics Research Section A.-1996. .-N3-A372.

92. Benedek G., Boscolo I., Handerek J., Riege H. Electron emission from ferroelec-tric/antiferroelectic cathodes excided by short high-voltage pulses //J. Appl. Phys. 3.- 1997.- t.8 1.- pp. 1396-1403.

93. Wang, J.T., Dawson, W., Chinkhota, M., Chen, T.P. Theoretical model for electron emission from the coating-layer on the ferroelectric disk. //Nuclear Instruments And Methods In Physics Research Section A.-1997.-v387.-N3.

94. Sampayan, S. E., Capoiraso, G. J., Holmes, C. L., Lauer, E. J., Prosnitz, D., Trimble, D. O. Westenskow, G. A. Emission from ferroelectric cathodes //тезисы NASA Technical Reports Report Number: DE94-006732 .- 1993- p50.

95. Sampayan S., Caporaso, G., Trimble D., Westenskow G. Emission, plasma formation, and brightness of a PZT ferroelectric cathode. // NASA Technical Reports, Report Number: DE95-015411.-1995.

96. Rosenman G.; Shur D.; Skliar A. Ferroelectric electron emission flat panel display. //J.Appl.Phys- 1996-Issue 9, May l.-V.79.-pp. 7401-7403.

97. Shur D. And Rosenman G. A high-perveance ferroelectric cathode with a narrowed electron energy spread. // J. Phys. D: Appl. Phys- 1998.-31 No 11 .

98. Shur D. And Rosenman G. Two modes of plasma-assisted electron emission from ferroelectric ceramics. //J. Phys. D: Appl. Phys 1999.-32.- No 6 - L29-L33.

99. Shannon D. N. J.; Smith P. W.; Dobson P. J.; Shaw M. J. Dual mode electron emission from ferroelectric ceramics. // Applied Physics Letters 1997.-Volume 70-pp. 1625-1627.

100. Sidorkin A.S., Loginov P.V, Gurin O.D., Savvinov A.M., Ponomareva N.Yu., Milovidova S.D. Electron emission Stimulated by Switching of Ferroelectrics. // Journal of the Korean Physical Society.- 1998.- v.32.- pp.S793-S795.

101. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир, 1965. -556 с.

102. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков М:Наука, 1968.-463с.

103. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики полупроводники. - М.: Наука, - 1976.

104. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы-М:Мир, 1981.-736с.

105. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А. и др. Физика сегнетоэлектрических явлений. Л., "Наука 1985. -396 с.

106. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицин-сульфата. Минск.: Наука и техника, 1986. - 216 с.

107. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах // М. Физматлит. -2000.- 240 с.

108. Король Э.Н. Ионизация примесных состояний в полупроводниках электрическим полем. //ФТТ.-1977.-Т. 19.-В.8.-С. 1266-1272.

109. Карпус В., Перель В.И. Термоионизация глубоких примесных центров в полупроводниках в электрическом поле. //Письма в ЖЭТФ.-1985.-Т.42.-в.10-С.403-405.

110. Sidorkin A.S., Loginov P.V., Gurin O.D., Savvinov A.M., Ponomareva N.Yu., Milovidova S.D. Electron emission Stimulated by Switching of Ferroelectrics. //Journal of the Korean Physical Society. 1998. - v.32. - pp. S793-S795.

111. Сидоркин A.A., Миловидова С.Д., Рогазинская O.B., Сидоркин А.С. Кинетика электронной эмиссии из сегнетоэлектрического кристалла ТГС // Физика твердого тела, 2000, т.42, в.4, с.725-726.

112. Сидоркин А.С., Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Пономарева Н.Ю., Сидоркин А.А. Релаксация электронной эмиссии из кристаллов триглицин-сульфата с дефектами // Изв. РАН, Сер. физ., 2000, т.64, N 9, с. 1763-1766.

113. Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Сидоркин А.С., Сидоркин А.А. Термо-стимулированная электронная эмиссия полярного скола кристалла тригли-цинсульфата// Физика твердого тела, 2001, т.43, в.7. с. 1272-1274.

114. Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Сидоркин А.А., Плаксицкий А.Б. Электронная эмиссия с поверхностей зеркального скола кристалла тригли-цинсульфата // Конденсированные среды и межфазные границы, Воронеж, 2001, т.З, №.1, с.82-85.

115. Сидоркин А.А., Сидоркин А.С., Рогазинская О.В., Миловидова С.Д. Термо-стимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла ТГС, нагреваемого с большой скоростью // Физика твердого тела, 2002, т.44, в.2, с.344-346.

116. Миловидова С.Д., Сидоркин А.С., Рогазинская О.В., Сидоркин А.А. Формирование внутреннего смещающего поля в кристаллах триглицинсульфата с примесями хрома и L,a аланина // Кристаллография, 2002, т.47, № 5, с.876-878.

117. Sidorkin A.S., Sidorkin A.A., Milovidova S.D. Electron emission out of ferro-electrics // Proceedings Fourth IEEE International Vacuum Electron Sources Conference, Saratov, Russia, 2002, p.282-283.

118. Сидоркин A.A., Сидоркин A.C., Рогазинская O.B., Миловидова С.Д. Термо-стимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла ТГС с примесью хрома // Физика твердого тела, 2003, т.45, в.5, е.- 892-895.