Электронная эмиссия в примесных и радиационно-поврежденных кристаллах триглицинсульфата тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ В ПРИМЕСНЫХ И РАДИАЦИОННО -ПОВРЕЖДЕННЫХ КРИСТАЛЛАХ ТРИГЛИЦИНСУЛЬ ФА ТА

Специальность 01.04.07 - физика конденсированного состояния

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

ВОРОНЕЖ 2006

Работа выполнена в Воронежском государственном университете

Научный руководитель — доктор физико-математических наук, профессор

Сидоркин Александр Степанович

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор

Даринский Борис Михайлович доктор физико-математических наук, профессор Матвеев Николай Николаевич

Ведущая организация: Научно-исследовательский институт физики

Ростовского государственного университета, г. Ростов-на-Дону

Защита состоится 28 сентября 2006 года в 17.00 часов на заседании диссертационного совета Д.212.038.Об при Воронежском государственном университете по адресу: 394006, г. Воронеж, Университетская пл.,1, ауд. 479

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Воронежского государственного университета.

Автореферат разослан августа 2006 года.

Ученый секретарь диссертационного совета

Дрождин С.Н.

Актуальность темы. Среди многообразия методов изучения электрических свойств различных материалов важное место занимает эмиссия электронов. Высокая чувствительность данного метода открывает широкие практические возможности неразрушающего контроля поверхности различных материалов и возможность использования их в качестве холодных катодов, а также по- ' зволяет решать фундаментальные задачи физики низкоразмерных систем.

В последние годы одними из наиболее перспективных материалов в эмиссионной электронике стали сегнетоэлектрики. Высокие значения эмиссионного тока, кинетическая энергия эмитируемых электронов доказывают их конкурентоспособность с общепринятыми импульсными источниками электронов и хорошие перспективы использования в различных устройствах микроэлектроники.

К моменту выполнения настоящей работы целый ряд вопросов в изучении эмиссии электронов из сегнетоэлектриков оставался нерешенным. Несмотря на наличие достаточно большого числа гипотез, предложенных для объяснения эмиссионных процессов в указанных материалах, оставалось еще немало вопросов, которые нуждались в проведении дополнительных исследований, например, влияния доменной структуры.

Доменная структура во многом определяется дефектами, всегда имеющимися в номинально чистом кристалле, вводимыми в кристалл в процессе роста, а также возникающими вследствие радиационных воздействий. Повлиять на дефектную, а, значит, и доменную структуру можно путем термического отжига, при котором, как известно, происходит измельчение доменной структуры.

В связи с этим представляется важным и перспективным исследование влияния доменной структуры на эмиссионные свойства сегнетоэлектрических материалов.

В качестве объекта исследований в настоящей работе использовались кристаллы триглицинсульфата (ТГС) номинально чистого, легированного примесями ионов хрома, европия, кристаллов TTC, облученных рентгеновскими лучами, а также кристаллы ТГС, выращенные из затравки, облученной альфа-частицами. Все исследуемые кристаллы были выращены методом понижения

температуры насыщения раствора в сегнетоэлектрической фазе. Выбор в качестве основного материала исследований кристалла ТГС обусловлен хорошей изученностью свойств данного сегнетоэлектрика, облегчающей проведение и интерпретацию данных экспериментальных исследований.

Цель и задачи исследования. Целью настоящей работы является исследование закономерностей и особенностей эмиссии электронов из кристаллов ТГС с дефектами различной природы.

Исходя из поставленной цели, основными задачами исследования являются:

1. Изучение влияния доменной структуры на эмиссию электронов из номинально чистых и примесных кристаллов ТГС.

2. Изучение закономерностей формирования униполярности в кристалле ТГС, выращенном из затравки, облученной а-частицами.

3. Экспериментальное исследование связи эмиссионных свойств и диэлектрической нелинейности кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами.

4. Исследование кинетики электронной эмиссии облученных кристаллов ТГС.

Методика измеуетш. Измерения .'тока электронной эмиссии были выполнены по стандартной методике с использованием высокочувствительного метода регистрации электронов с помощью канального электронного умножителя в вакууме порядка — 10"5 мм. рт. ст. с последующим автоматическим выводом всей полученной информации о токе эмиссии, температуре, скорости нагрева и.т.п. на компьютер. Температура образцов измерялась с помощью медь-константановой термопары и контролировалась одновременным измерением емкости контрольного образца чистого кристалла триглицинсульфата.

Научная новизна. Все основные результаты работы являются новыми.

В работе впервые:

- исследовано влияние доменной структуры на эмиссию электронов;

- установлены ростовые закономерности формирования униполярности в кристалле ТГС, выращенном из затравки, облученной а-частицами;

- исследована связь между диэлектрической нелинейностью и эмиссионными свойствами кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами;

- проведены исследования кинетики эмиссии облученных кристаллов ТГС.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Эмиссия электронов из сегнетоэлектриков зависит от состояния доменной структуры, существенное влияние на которое оказывает не только введение дефектов при легировании или облучении сегнетоэлектрического образца, но и параметры его температурного отжига.

2. Облучение а-частицами затравок, из которых выращивается кристалл ТГС, является эффективным способом создания униполярного состояния и, как следствие, управления величиной эмиссионного тока в выращиваемом материале.

3. Облучение рентгеновскими лучами кристаллов ТГС приводит к росту дефектности образцов и соответствующему уменьшению эмиссионного тока вплоть до исчезновения.

4. Облучение кристаллов ТГС рентгеновскими лучами приводит к уменьшению температурного интервала существования эмиссии, который расширяется с увеличением скорости нагрева.

Научная и практическая значимость работы.

Полученные результаты позволяют контролировать состояние доменной структуры сегнетоэлектрического кристалла путем создания в нем нужного числа дефектов в процессе роста, отжига и радиационного воздействия, и, следовательно, контролировать связанную с ним величину эмиссионного сигнала.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на XVI-ой и XVII-ой Всероссийских Конференциях по физике сегнетоэлектриков (Тверь, 2002; Пенза, 2005), 10-ой Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Испания, Мадрид, 2001г.), 7-м Международном симпозиуме по ферроикам и мезоскопическим структурам (Peninsula of Giens, French Riviera), 6-й Международной конференция "Сегнетоэластики" (Воронеж, 2000), 7-ой и 8-ой Всероссийских Научных конференциях студентов-физиков и молодых ученых (С.-Петербург, 2001 г. и Екатеринбург, 2002 г.), 7-ой Европейской

б

конференции по применению полярных диэлектриков (Либерец, Чехия, 2004), 10-ой Европейской конференции по сегнетоэлектричеству (Кэмбридж, Англия, 2003), 11-ой Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Аргентина/Бразилия, 2005) и др.

Публикации и вклад автора. Основное содержание диссертации опубликовано в 8 статьях и 12 тезисов докладов различных конференций.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 141 странице машинописного текста, содержит 66 рисунков. Библиографический раздел включает 123 наименования.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении обоснована актуальность проводимых исследований, сформулирована цель и поставлены основные задачи исследования, обоснован выбор объекта исследований, отмечены научная новизна и практическая значимость полученных результатов, приведены научные положения, выносимые на защиту.

Первая глава является литературным обзором, в котором рассмотрены наиболее известные к настоящему времени экспериментальные и теоретические работы по изучению особенностей электронной эмиссии из твердых тел. В отдельных параграфах рассмотрены аспекты влияния дефектов на свойства сегне-тоэлектриков и влияние рентгеновского облучения на свойства твердых тел. Исходя из литературных данных, делается вывод о том, что дефекты оказывают существенное влияние на эмиссионные свойства сегнетоэлектрических материалов, что делает актуальным и перспективным проведение новых исследований электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектриков.

Вторая глава посвящена исследованиям эмиссии электронов с поверхности кристаллов ТГС с разной доменной структурой.

В первом разделе данной главы приведено краткое описание методики эмиссионных измерений, экспериментальной установки, способа приготовления образцов.

Далее приводятся экспериментальные результаты исследований влияния доменной структуры на эмиссионные свойства кристаллов ТГС, как номинально чистых, так и легированных различными примесями.

Согласно полученным данным значения тока эмиссии существенно зависят от характера доменкой структуры. Введение в растущий кристалл ионов хрома приводит к состоянию, в котором наряду с монодоменными участками, наблюдаются участки с большим числом доменов с искривленными стенками. Это связано с неоднородностью вхождения в кристалл ионов хрома. Для образцов кристалла ТГС с примесью хрома с мелкой доменной структурой наблюдаются меньшие значения эмиссионного тока во всем исследованном температурном интервале. При увеличении скорости нагрева наблюдается увеличение тока эмиссии, которое оказывается незначительным по сравнению с чистым кристаллом при тех же условиях. Это обусловлено тем, что при малых скоростях нагрева дефекты достаточно прочно удерживают закрепляемую ими доменную структуру и препятствуют изменению макроскопической поляризации. Увеличение скорости нагрева приводит к тому, что дефекты открепляются от доменных стенок и значения тока эмиссии увеличиваются.

Доменная структура сегнетоэлектриков изменяется не только при введении примесей, но и при температурном воздействии. После проведения температурного отжига доменная структура кристалла триглицинсульфата из униполярной, с достаточно крупными доменами, превращается в полосатую доменную структуру с большим числом доменных стенок.

Изменение доменной структуры от монодоменной до неуниполярной приводит к уменьшению значений эмиссионного тока. Так, после выдержки образцов при температурах 30°С и 35°С доменная структура кристаллов ТГС остается неизменной и значения тока эмиссии достигают достаточно большой величины во всем температурном интервале (кривая 1, рис.1). После отжига при 40°С характер доменной структуры изменяется мало, но появляются незначительные вкрапления точечных доменов в основной матрице доменов противоположного знака. Отжиг при 45°С приводит к появлению линзовидных доменов пока еще малых размеров. После отжига при 48°С эти домены удлиняются,

увеличиваются в размерах, и появляется большое число доменных стенок. Последовательное увеличение температуры отжига приводит к уменьшению значений эмиссионного тока во всем температурном интервале (кривые 2 и 3, рис. 1). Отжиг при

45 С приводит к уменьшению °.2

Т аппеаСс

Рис. 1. Зависимость эмиссионного тока от температуры для образцов кристалла ТГС, предварительно отожженных при разных температурах ниже Тс 1) — 30, 2) — 35, 3) — 40. 4) - 45 "С

тока в сотни раз (кривая 4, рис. 1), а отжиг при 48°С - к полному исчезновению эмиссии.

Введение ионов европия в кристалл ТГС приводит к высокой степени его униполярности: кристалл ТГС становится практически монодоменным по всей исследуемой поверхности скола.

При повторном измерении термостимулированной эмиссии эмиссионная активность не исчезает, в отличие от номинально чистых кристаллов ТГС. Последнее косвенно свидетельствует о жесткости доменной структуры. Полученные результаты согласуются со стабильностью значений пироэлектрического коэффициента, наблюдаемой после неоднократного перевода кристалла через точку Кюри. Наблюдаемую термоэмиссионную активность исследуемых сегне-тоэлектриков можно объяснить автоэлектронной эмиссией электронов из поверхностных электронных состояний в поле зарядов экранирования спонтанной поляризации. В состоянии равновесия поле зарядов спонтанной поляризации обычно скомпенсировано, например зарядами, осаждающимися из атмосферы. Поверхность сегнетоэлектрика не обнаруживает электрической активности. Нарушение компенсированное™ указанных полей за счет уменьшения спонтанной поляризации при приближении к точке Кюри приводит к появлению отличного от нуля суммарного поля, направление которого определяется уже по-

лем компенсирующих зарядов. Данное поле и является фактором, который приводит к выбросу электронов из ловушек на поверхностных электронных состояниях. При большом числе доменов существенно уменьшаются размеры областей, в области которых сохраняется поле, достаточное для возбуждения эмиссии, что и приводит к уменьшению плотности эмиссионного тока вплоть до нуля.

Третья глава посвящена исследованиям эмиссии электронов из облученных кристаллов ТГС. В первом параграфе главы исследуется структура и свойства кристалла ТГС, выращенного из затравки, облученной а-частицами.

Согласно полученным данным, в кристалле ТГС, выращенном из затравки, облученной а-частицами наблюдается асимметрия скоростей роста граней относительно затравки вдоль полярного направления У (У0,0 > УоТо), и наблюдается изменение параметров кристаллической решетки. Исследования дислокационной картины показали неодинаковое распределение дислокаций в исследуемом кристалле. Для кристалла ТГС, выращенного из затравки, облученной а-частицами характерно наличие бездислокационных полос по всем направлениям Х,У и Ъ.

В отрицательном направлении оси У указанная бездислокационная полоса максимально широка (-4 мм). В направлении +У такой полосы нет. Неодинаковое распределение дислокаций в исследуемом кристалле вдоль полярной оси находится в согласий с полученными значениями решеточной постоянной вдоль данного направления - параметра "Ь". В отрицательном направлении оси У кристалла дислокаций нет и значение параметра "Ь" не изменилось по сравнению с чистым кристаллом ТГС, в положительном произошло увеличение числа дефектов - дислокаций, что и привело к увеличению параметра "Ь".

Исследования эмиссии электронов из кристалла ТГС, выращенного из затравки, облученной а-частицами, показали, что для образцов, непосредственно примыкающих к затравке (кривая 1, рис. 2), в температурной зависимости тока эмиссии можно отметить наличие двух максимумов: один - в области перестройки доменной структуры (до +40°С), а второй - в области фазового перехода (+49°С). Второй максимум по величине тока значительно больше первого.

На более удаленных от затравки образцах (кривые 2-4, рис. 2) характер зависимости плотности эмиссионного тока от температуры ](Т) остается таким же. Значения тока эмиссии при этом постепенно уменьшаются. При этом значения тока в области фазового перехода остаются равными или большими по сравнению с областью перестройки доменной структуры.

Для всех исследованных образцов кристаллов ТГС, расположенных по другую сторону от поверхности затравки, облученной а-частицами, значения тока малы и эмиссия заканчивается задолго до точки фазового перехода.

Полученные результаты исследования эмиссии электронов с поверхности кристаллов ТГС, выращенных из затравки, облученной а-частицами связываются с формированием униполярности в процессе роста кристаллов. Исследования доменной структуры кристалла ТГС, выращенного из облученной а -частицами затравки, показали неодинаковую униполярность образцов по разные стороны от нее. По одну сторону коэффициент униполярности имеет значения 50 60 %, а по другую (в положительном направлении оси У) принимает достаточно высокие и стабильные значения ~ 90 %. Для образцов с высокой степенью униполярности (до ~90 %) (рис. 3) характерно большее число вылетевших электронов N<5 и эмиссия заканчивается в области фазового перехода. Для образцов с малой степенью униполярности (~50 %) — число вылетевших электронов уменьшается на порядок, а эмиссия заканчивается задолго до точки фазового перехода, при температурах ~ 32^- 40°С.

}, 10* соитз/з

Рис. 2. Температурные зависимости эмиссионного тока для кристалла ТГС, выращенного из затравки, облученной а-частицаии для образцов, расположенных на разных расстояниях от затравки: 1-6 мм, 2-8 мм, 3 - 10 мм, 4 —14мм.

Вытекая степень униполярно-сти кристаллов TTC, выращенных из затравки, облученной а-частицами, связана с бблыней величиной внутреннего смещающего поля, сформированного под действием а-частиц. Альфа-частицы помимо изменения электронной подсистемы кристалла выбивают атомы и ионы из узлов кристаллической

решетки в междоузелье, что приводит к созданию в кристалле более мощных дефектов, приводящих к росту внутреннего смещающего поля и, как следствие, к увеличению эмиссионного тока.

Во втором параграфе третьей главы представлены результаты исследований эмиссии электронов из кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами. Известно, что излучение рентгеновской трубки с медным анодом имеет для ТГС низкую проникающую способность (при толщине 1mm интенсивность излучения ослабляется в 20 раз) и что облучение стопки образцов приводит к значительному уменьшению дозы рентгеновского облучения.

В рамках данной работы показано, что уже малые дозы облучения приводят к уменьшению эмиссионного тока и сужению температурного интервала существования эмиссии. Как видно из рисунка 4 для ближайшего к окну рентгеновской трубки образца значения тока малы, а эмиссия оканчивается задолго до точки Кюри.

По мере уменьшения дозы облучения, эмиссионный ток увеличивается и становится по величине сравнимым со значениями, характерными для необлу-ченных образцов кристалла ТГС. При этом температурный интервал существования эмиссии сдвигается в сторону более высоких температур. Для последнего

Рис. 3. Зависимость числа вылетевших электронов (1), температуры окончания эмиссии (2) и униполярносгпи (3) от расстояния образцов до облученной а-частицами затравки кристалла ТГС.

Рис. 4. Зависимость эмиссионного тока от температуры для 3-х образцов из стопки кристалла TTC, облученных рентгеновскими лучами. 1 - ближайший к окну рентгеновской трубки образец, 3 - самый удаленный.

j,103,counts/s

25 30

образца температура окончания эмиссии соответствует температуре фазового перехода.

При облучении брусков кристалла ТГС наблюдается похожая картина. На рисунке 5 показаны зависимости тока эмиссии от температуры для бруска кристалла ТГС подвергнутого рентгеновскому облучению.

Из представленных зависимостей видно, что для всех исследованных образцов не наблюдается двух эмиссионных максимумов (как в области перестройки доменной структуры, так и в области фазового перехода). Вместо этого наблюдается один размытый максимум. Во всех образцах эмиссия начиналась не мгновенно, а после предварительного возбуждения. Максимальные значения эмиссионного тока отличаются от соответствующих значений в чистом кристалле в меньшей степени по сравнению с изменением эмиссионного тока в стопке. Для образцов из облученного бру-

Рис. 5. Температурные зависимости эмис- ска кристалла ТГС увеличение сионного тока образцов из бруска кристал- эмиссионного тока, по мере удале-

яа ТГС, облученного рентгеновскими луча- _ __ -

' . _ ~ Г - , - ния от окна рентгеновской трубки,

ми: I- самый близкии, 5 - самый удаленный

образец от окна рентгеновской трубки. происходит более плавно. Это обу-

словлено тем, что при облучении бруска происходит более равномерное дефек-тообразование, чем в случае облучения стопки отдельных образцов.

Приведенные результаты согласуются с исследованиями зависимости эффективной диэлектрической проницаемости от амплитуды напряженности электрического поля.- Для кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами, происходит уменьшение внутренних смещающих полей по мере удаления образцов от окна рентгеновской Трубки. О наличии внутренних смещающих полей свидетельствуют минимумы в зависимости £эфф(Е_). Чем дальше образцы от окна рентгеновской трубки, тем меньше ширина минимумов. Соответственно, область полей, на которые приходятся эти минимумы, уменьшается, что подтверждается исследованиями петель диэлектрического гистерезиса.

Петли гистерезиса образцов кристалла ТГС, располагавшихся у окна рентгеновской трубки, сильно искажены, и внутреннее смещающее поле для них достаточно велико. Для более удаленных образцов значения внутренних смещающих полей уменьшаются и на самых удаленных от окна рентгеновской трубки образцах смещающее поле отсутствует.

Полученные результаты объясняются изменением числа дефектов в облученном кристалле. Рентгеновское облучение создает в кристалле дополнительные дефекты, закрепляющие доменные стенки, что приводит к блокировке доменных стенок, затрудняющих изменение спонтанной поляризации и, как результат, к уменьшению поля, выбрасывающего электроны с поверхности кристалла.

В третьем параграфе третьей главы изложены результаты изучения кинетики эмиссии электронов облученных кристаллов ТГС. Как показали исследования, при увеличении скорости нагрева происходит постепенное увеличение эмиссионного тока. При этом для всех скоростей нагрева наблюдается уменьшение максимальных значений тока с поверхностей облученных образцов по сравнению с соответствующим током необлученного ТГС при одинаковой скорости нагрева. При скорости нагрева 1 К/мин эмиссия заканчивается задолго до температуры фазового перехода. Для эмиссионного спектра, полученного при скорости 3 К/мин температура окончания эмиссии близка к точке Кюри. При

скорости нагрева 5 К/мин происходит затягивание эмиссии в парафазу. Интервал затягивания в парафазу меньше, чем у необлученного ТГС и не превышает 4 К, тогда как для чистого ТГС он может достигать 10 -ь 15 К.

Температура окончания эмиссии возрастает с увеличением скорости нагрева примерно по линейному закону. Аналогично случаям кристалла ТГС с примесью хрома и никеля уменьшение интервала затягивания эмиссии в пара-фазу в образцах монокристалла ТГС облученных рентгеновскими лучами связывается с уменьшением времени максвелловской релаксации компенсирующих зарядов из-за увеличения проводимости в дефектном образце.

Высказанное предположение подтверждается исследованиями временной зависимости термостимулированной эмиссии из облученных кристаллов ТГС (рис. 6). Термо-стимулированная эмиссия, как правило, отсутствует при начальных температурах измере-

температуры (Ъ) от времени образца кри- ния (в устойчивом полярном стаяла ТГС, облученного рентгеновскими состоянии) и появляется при лучами.

изменении макроскопической поляризации образца с ростом температуры. Отсутствие эмиссии вплоть до +30 °С можно связать с "жесткостью" доменной структуры, связанной с наличием в кристаллической решетке радиационных дефектов и, как следствие, практически неизменной макроскопической поляризацией в данном интервале температур. Дальнейший рост температуры сопровождается изменением поляризации, и, следовательно, появлением нескомпенсированных электрических зарядов и соответствующих полей вблизи поверхности, способствующих выбросу элек-

1,СН

j,10 , counts/s

5-. ■;,: t,min

Рис. 6. Зависимость тока эмиссии (а) и

тронов, локализованных на поверхности образца и, следовательно, росту эмиссионного тока. При последующей стабилизации температуры (+36°С) поляризация снова не меняется, нет стимулирующего поля компенсирующих зарядов, приводящих к эмиссии, и эмиссионный ток уменьшается до нуля. Как видно из рис. 6 а, при стабилизации температуры наблюдается характерный экспоненциальный спад эмиссионного тока. При этом время релаксации эмиссии в облученном материале действительно оказывается меньшим, чем для чистого и примесных кристаллов ТГС.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

По результатам проведенных исследований можно сделать следующие выводы.

1. Величина тока термостимулированной эмиссии зависит от числа доменных стенок: для неуниполярных образцов с большим числом доменных стенок эмиссия электронов очень мала или совсем отсутствует независимо от того, получена такая доменная структура введением в кристалл ионов различных примесей при росте, или предварительным отжигом как выше, так и ниже точки Кюри.

2. Облучение затравки, из которой выращивается кристалл триглицинсульфа-та, альфа-частицами приводит к формированию униполярного состояния в выращенных кристаллах за счет наследования искаженной структуры в растущем материале. Параметры эмиссионного спектра существенно зависят от величины и знака униполярности, возникающей в процессе роста.

3. Увеличением дозы облучения кристалла ТГС рентгеновскими лучами, увеличивая степень дефектности кристалла, затрудняет процессы перестройки доменной структуры и, как следствие, приводит к уменьшению плотности эмиссионного тока вплоть до исчезновения.

4. Температурный интервал существования эмиссии в облученных кристаллах ТГС уменьшается с ростом энергии рентгеновских лучей и расширяется с ростом скорости нагрева, что связано с увеличением степени дефектности и электропроводности облученного материала. Даже при высоких скоростях на-

грева значения тока эмиссии в облученных материалах продолжают оставаться меньшими, по сравнению с необлученным кристаллом ТГС.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ ОТРАЖЕНО В СЛЕДУЮЩИХ ПУБЛИКАЦИЯХ

1. Structure and properties of TGS crystal grown from the seed irradiated with alpha-particles / O.V. Rogazinskaya ... A.B.Plaksitskii [et al.] // Ferroelectrics. - 2002. -V. 269. — P.291-296.

2. Влияние теплового отжига на термостимулированную эмиссию электронов с поверхности кристаллов ТГС / О.В.Рогазинская, А.Б.Плаксицкий, С.Д.Миловидова, [и др.] // Вестн. Воронеж, гос. ун-та. Сер.Физика, математика. — 2004. - № 2. - С.82-85.

3. Dielectric Non-Linearity of TGS Crystals with an Admixture of Europium Ions / О. V. Rogazinskaya ... A.B.Plaksitskii [et al.] // Ferroelectrics, - 2004. - V. 307. -P.255 —259.

4. Electron Emission from Irradiated Ferroelectrics/ О. V. Rogazinskaya ... A.B.Plaksitskii //. Ferroelectrics. - 2004. - V. 302. - P. 95-98.

5. Влияние дефектов на термостимулированную эмиссию электронов из сег-нетоэлектриков / С.Д. Миловидова ... А.Б.Плаксицкий [и др.] // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения: материалы Международной научно-практической конференции - М., — 2004. — Ч.1.— С.69-70 .

6. Релаксация эмиссионного тока из кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами. / О.В.Рогазинская ... А.Б.Плаксицкий [и др.] // INTERMATIC — 2005: материалы Международной научно-практической конференции, М., МИ-РЭА, - С .74-77

7. Kinetics of Electron Emission from TGS ciystals Irradiated by X-rays. / O.V.Rogazinskaya ... A.B.Plaksizkii [et al.] // Ferroelectrics - 2006. - V.334.- P.l-5.

8. Эмиссия электронов из кристаллов ТГС, выращенных из облученных затравок. / О.В.Рогазинская ... А.Б.Плаксицкий // Вестн. Воронеж, гос.ун-та. Сер. Физика, математика. - 2006. - № 1. - С.76-79.

Подписано в печать 4.08.2006. Формат 60x84/16. Усл. п. л. 1,0. Тираж 100. Заказ 616. Издательско-полиграфический центр Воронежского государственного университета. 394000, г. Воронеж, Университетская площадь, 1, ком.43, тел.208-853. Отпечатано в лаборатории оперативной печати ИПЦ ВГУ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Влияние дефектов на свойства сегнетоэлектриков.

1.2. Взаимодействие рентгеновского излучения с веществом.

1.3. Электронная эмиссия сегнетоэлектрических материалов.

ГЛАВА 2. ЭМИССИЯ ЭЛЕКТРОНОВ С ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ

ТГС С РАЗНОЙ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРОЙ 2.1. Методика измерений и описание экспериментальной установки.

2.2. Эмиссия электронов с поверхности кристаллов ТГС с разной доменной структурой.

ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ ОБЛУЧЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ

3.1. Свойства кристаллов ТГС, выращенных из затравки облученной а-частицами.

3.2. Электронная эмиссия кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами.

3.3. Кинетика термостимулированной эмиссии электронов из облученных кристаллов ТГС.

ВЫВОДЫ.

Актуальность темы. Среди многообразия методов изучения электрических свойств различных материалов важное место занимает эмиссия электронов. Изучение закономерностей электронной эмиссии позволяет исследовать и давать объективную оценку процессам, протекающим на поверхности исследуемых материалов. Высокая чувствительность данного метода открывает широкие практические возможности неразрушающего контроля поверхности различных материалов и возможность использования их в качестве холодных катодов, а так же позволяет решать фундаментальные задачи физики низкоразмерных систем.

В последние годы одними из наиболее перспективных материалов в эмиссионной электронике стали сегнетоэлектрики. Высокие значения эмиссионного тока, кинетическая энергия эмитируемых электронов доказывают их конкурентоспособность с общепринятыми импульсными источниками электронов и хорошие перспективы использования в различных устройствах микроэлектроники.

К моменту выполнения настоящей работы целый ряд вопросов в изучении эмиссии электронов из сегнетоэлектриков оставался нерешенным. Несмотря на наличие, достаточно большого числа гипотез, предложенных для объяснения эмиссионных процессов в указанных материалах, оставалось еще немало вопросов, которые нуждались в проведении дополнительных исследований, например влияния доменной структуры.

Доменная структура во многом определяется наличием дефектов, всегда имеющихся в номинально чистом кристалле, вводимыми в кристалл в процессе роста, а так же возникающими вследствие радиационных воздействий.

Повлиять на дефектную, а, значит, и доменную структуру можно путем термического отжига, при котором, как известно, происходит измельчение доменной структуры.

В связи с этим представляется важным и перспективным исследование влияния доменной структуры на эмиссионные свойства сегнетоэлектрических материалов.

В качестве объекта исследований в настоящей работе использовались кристаллы триглицинсульфата (ТГС) номинально чистого, легированного примесями ионов хрома, европия, кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами, а также кристаллы ТГС, выращенные из затравки, облученной альфа-частицами. Все исследуемые кристаллы были выращены методом понижения температуры насыщения раствора в сегнетоэлектрической фазе. Выбор в качестве основного материала исследований кристалла ТГС обусловлен хорошей изученностью свойств данного сегнетоэлектрика, облегчающей проведение и интерпретацию данных экспериментальных исследований.

Цель и задачи исследования Целью настоящей работы является исследование закономерностей и особенностей эмиссии электронов из кристаллов ТГС с дефектами различной природы.

Исходя из поставленной цели, основными задачами исследования являются:

1. Изучение влияния доменной структуры на эмииссию электронов из кристаллов ТГС, как номинально чистых, так и примесных.

2. Изучение закономерностей формирования униполярности в кристалле ТГС, выращенном из затравки, облученной а-частицами.

3. Экспериментальное исследование связи эмиссионных свойств и диэлектрической нелинейности кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами.

4. Исследование кинетики электронной эмиссии, облученных кристаллов ТГС.

Научная новизна Все основные результаты работы являются новыми.

В работе впервые:

- исследовано влияние доменной структуры на эмиссию электронов.

- установлены ростовые закономерности формирования униполярности в кристалле ТГС, выращенном из затравки, облученной а-частицами.

- исследована связь между диэлектрической нелинейностью и эмиссионными свойствами кристаллов ТГС, облученных рентгеновскими лучами

- проведены исследования кинетики эмиссии, облученных кристаллов

ТГС.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Эмиссия электронов из сегнетоэлектриков зависит от состояния доменной структуры, существенное влияние на которое оказывает не только введение дефектов при легировании или облучении сегнетоэлектрического образца, но и параметры его температурного отжига.

2. Облучение а-частицами затравок, из которых выращивается кристалл ТГС, является эффективным способом создания униполярного состояния и, как следствие, управления величиной эмиссионного тока в выращиваемом материале.

3. Облучение рентгеновскими лучами кристаллов ТГС приводит к росту дефектности образцов и соответствующему уменьшению эмиссионного тока вплоть до исчезновения.

4. Облучение кристаллов ТГС рентгеновскими лучами приводит к уменьшению температурного интервала существования эмиссии, который расширяется с увеличением скорости нагрева.

Научная и практическая значимость работы.

Полученные результаты позволяют контролировать состояние доменной структуры сегнетоэлектрического кристалла путем создания в нем нужного числа дефектов в процессе роста, отжига и радиационного воздействия, и, следовательно, контролировать связанную с ним величину эмиссионного сигнала.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

По результатам проведенных исследований можно сделать следующие выводы.

1. Величина тока термостимулированной эмиссии зависит от числа доменных стенок: для неуниполярных образцов с большим числом доменных стенок эмиссия электронов очень мала или совсем отсутствует независимо от того, получена такая доменная структура введением в кристалл ионов различных примесей при росте, или предварительным отжигом как выше, так и ниже точки Кюри.

2. Облучение затравки, из которой выращивается кристалл триглицинсульфата, альфа-частицами приводит к формированию униполярного состояния в выращенных кристаллах за счет наследования искаженной структуры в растущем материале. Параметры эмиссионного спектра существенно зависят от величины и знака униполярности, возникающей в процессе роста.

3. Увеличение дозы облучения кристалла ТГС рентгеновскими лучами, увеличивает степень дефектности кристалла, затрудняет процессы перестройки доменной структуры и, как следствие, приводит к уменьшению плотности эмиссионного тока вплоть до исчезновения.

4. Температурный интервал существования эмиссии в облученных кристаллах ТГС уменьшается с ростом энергии рентгеновских лучей и расширяется с ростом скорости нагрева, что связано с увеличением степени дефектности и электропроводности облученного материала. Даже при высоких скоростях нагрева значения тока эмиссии в облученных материалах продолжают оставаться меньшими, по сравнению с необлученным кристаллом ТГС.

1. Ф.Иона Сегнетоэлектрические кристаллы / Иона Ф. Ширане Д.: М. Мир, 1965, 555с.

2. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков / И.С. Желудев -М. Наука, 1968,463 с.

3. Струков Б.А. Сегнетоэлектричество / Б.А Струков М. Наука, 1979, 96с.

4. Рудяк В.М. Сегнетоэлектрические кристаллы / В.М. Рудяк Калинин, 1980, 89с.

5. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс А. Гласс М.Мир, 1981,736 с.

6. Investigations of domain structure and switching processes in ferroelectrics by the liquid crystal method // Dontzova L.I., et al. Ferroelectrics-1989-vol.97-p.p.87-124.

7. Сидоркин A.C. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах/ А.С. Сидоркин -М. Физматлит, 2000, 239с.

8. Bye K.L. Keve E.T.Ferroelectrics//1972- №4 р87.

9. Пешиков Е.В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках/ Е.В. Пешиков Ташкент, «ФАН» Узбекской ССР, 1986г, 176с.

10. Радиационно-электрические процессы в твердых диэлектрических материалах при воздействии ионизирующего излучения// В.В. Громов Итоги н. и тех. -Сер. Хим.тв.т.- т.7-1990.

11. Лазарев А.П., Деполяризующее поле включения конечных размеров в сегнетоэлектрике. / А.П.Лазарев, В.Н. Федосов // Кристаллография 1984 -т.29-в.6 -С. 1182-1184.

12. Шпольский Э.В. Атомная физика. / Э.В. Шпольский М. Наука, 1974.

13. С.В.Стародубцев. Полн. собр. соч., t.IV. Радиационная физика. Ташкент, 1971.

14. Будылин Б.В., Действие излучений на ионные структуры. /Будылин Б.В., Воробьев А.А. М.: Госатомиздат. 1962, 167с.

15. Волк Т.Р., Влияние рентгеновского и гамма- облучения на акустические характеристики кристаллов ТГС в области фазового перехода/ Т.Р.Волк, Рахимов.//ФТТ 1985 - т.27 - вып.12.

16. Донцова Л.И., Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата / Л.И Донцова., Н.А Тихомирова., А.В. Гинзбург // ФТТ 1988 - т.30 - №9- С.2692-2697.80

17. Розенман Г.И. Экзоэмиссия легированного ТГС. / Г.И. Розенман и др.//ФТТ 1980.- Т.22.-№11 .-С.3488-3490.

18. Розенман Г.И. Экзоэмиссия и электретный эффект в кристаллах ниобата лития. /Г.И. Розенман и др // ЖТФ.- 1982.- Т.52.-№9.-с. 1890-1892.

19. Бойкова Е.И., Розенман Г.И.Фотоэмиссионные исследования "собственного" эффекта поля в ниобате лития. //ФТТ,- 1978 Т.20.-№11.-с.3425-3427.

20. Розенман Г.И., Униполярная эмиссия Малтера в условиях пироэлектрического эффекта в LiNbC^Fe. / Г.И. Розенман Е.И., //ФТТ-1919.- Т.21в.6.- с.1888-1891.

21. Кортов B.C., Термостимулированная электронная эмиссия ниобата лития. / B.C. Кортов, К.К.Шварц, А.Ф.Зацепин и др. //ФТТ 1979.- Т.21. - В.6. -С. 1897-1899.

22. Розенман Г.И., Печерский В.И. Экзоэмиссия при поперечном пьезоэффекте в ниобате лития. / Г.И Розенман., В.И.Печерский. //Письма в ЖТФ.-1980-Т.6.-в.24- с. 1531-1534.

23. Розенман Г.И., Печерский В.И., Рез И.С. Экзоэлектронная эмиссия при одностной деформации ШЬ03.//Письма в ЖТФ.-1981-Т. 23.-№12.- с.3714-3716.

24. Кортов B.C. Спонтанная электронная эмиссия монокристаллов LiNbC>3 с различной доменной структурой В.С, Кортов А.Ф.Зацепин

25. A.И.Гаприндашвили и др.//ЖТФ.-1980.-том 50,-в. 9.-е. 1934-1938.

26. Стригущенко И.В. Температурная работа выхода ниобата лития /И.В.Стригущенко.//ЖТФ- 1981.-том 51.-в. 1.-е. 199-200.

27. Розенман Г.И. Фотоиндуцированная экзоэмиссия ниобата лития Г.И.Розенман.//ФТТ. 1988-том 30.-в.8.-с.2323-2327.

28. Стригущенко И.В., Некоторые особенности термоэлектронной эмиссии ниобата лития/ И.В.Стригущенко и др.//Письма в ЖТФ.-1977.-том 3-в. 8-с.357-360.

29. Рисин В.Е., Влияние радиационных дефектов на экзоэлектронную эмиссию с ниобата лития. /В.Е. Рисин и др. //ФТТ.-1988-том 30- №8-с.2544-2546.

30. Розенман Г.И., Бойкова Е.И. Ориентационная зависимость экзоэлектронной эмиссии при фазовых переходах в титанате бария Г.И., Розенман, Е.И. Бойкова //ФТТ.- 1978 Т.20 - в.8 - с.2498-2500.

31. Розенман Г.И., Анизотропная эмиссия экзоэлектронов в титанате бария в области фазовых переходов. /Розенман Г.И.и др. //Письма в ЖЭТФ.- 1978-Т.27.- в.5 С.271-274.

32. Рудковский В.Н., Доменная структура и роль поверхностных состояний при термостимулированной экзоэлектронной эмиссии ВаТЮ3./ Рудковский

33. B.Н. и др,//Изв. АН СССР.сер.физ.-1990.-№6- с.1184-1187.

34. Бойкова Е.И. Фазонная модель механизма экзоэмиссии при фазовом переходе в титанате бария / Бойкова Е.И. и др.//ФТТ.-1980.-том 22-в. 8-с.2507-2508.

35. Рез И.С., Эмиссия высокоэнергетических электронов при пироэффекте в танталате лития. / И.С. Рез и др. //Письма в ЖТФ- 1979- Т.5.- в22 с.1352— 1354.

36. Розенман Г.И., Экзоэмисссия пироэлектрика LiTa03/ Г.И. Розенман и др. //ФТТ.- 1980.- Т.22-в. 11.- с.3466-3469.

37. Розенман Г.И,,. Экзоэмисссия дефектной поверхности танталата лития /Г.И.Розенман и др. //ЖТФ.- 1981.-Т.51.- в.2.- с.404-408.

38. Rosenman G.I., Electron emission during the switching of ferroelectrics lead-germanate /G.I. Rosenman et al.// JETP Lett.-1984- vol.39- p.477.

39. Gundel H. Fast polarization changes in ferroelectrics and their application in accelerators / Gundel H.et al.// Nucl.Instrum.Methods Phys.-Res. A -1989- vol.280 -p.l.

40. Gundel H., Riege H., Handerek J., Zioutas K. Low-pressure hollow cathode switch triggered by a pulsed 54 N21.-pp.207 l-2073electron beam emitted from ferroelectrics. //Appl. Phys. Lett - 1989.-V.54.-N21.-pp.2071-207.

41. Biedrzycki K. New Aspects of Electron Emission from Virgin TGS Single Crytals / Biedrzycki K. //Phys.Stat.Sol. A.- 1986.- v.93.- pp.503-508.

42. Biedrzycki K. and Kosturek B. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals with Well-Defined Initial Domain Structure./ Biedrzycki K. and Kosturek B. //Phys.Stat.Sol. A 1987.-v.l00.-pp.327-330.

43. Biedrzycki K. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals with Well-Defined Initial Macroscopic Polarization. / Biedrzycki K. //Phys.Stat.Sol. A.- 1990,- v. 117.-pp.313-31

44. Biedrzycki K. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals Excited by AC Electric Field. / Biedrzycki K. //Phys.Stat.Sol. A.- 1988.- v.l09.-pp.K79-K83.

45. Biedrzycki K., Le Bihan R. Electron emission from ferroelectrics / Biedrzycki K., Le Bihan R. .//Ferroelectrics.- 1992.- V.126.- P.253-261.

46. Biedrzycki K. Electron Emission of Ferroelectrics Induced by AC Electric Field in the Vicinity of the Phase Transition Temperature. / Biedrzycki K. //Ferroelectrics.- 1997.- V.192.-pp. 269-277.

47. Biedrzycki K.Pulsed TGS-based electron and ion emitter K.Biedrzycki //Phys. Status solidi. A.- 1998.-T.165.-Nl.-CTp.283-293.

48. Biedrzycki K., Markowski L. Vacuum emission of electrons from (РЬ,Са)ТЮз thin films. /Biedrzycki K., Markowski L. //Solid State Commun 1998 -т. 107-N8.-стр.391-393.

49. Айрапетов А.Ш., Измерение эмиссионного тока при переключении направления поляризации сегнетоэлектрика. А.Ш., Айрапетов и др. //Письма- в ЖТФ.-т. 16.-№5.-с.46-49.

50. Айрапетов А.Ш., Импульсная экзоэмиссия электронов при неполной переполяризации сегнетоэлектрика. А.Ш., Айрапетов и др. //Докл.АН СССР.- 1990 т.311 .-№3 .-с.594-596.

51. Ivanchik I.I. On Electron Emission Under Destabilization of Ferroelectric with a Short High-Voltage Pulse. / I.I. Ivanchik //Ferroelectrics.-1990.-v.l 11.-pp. 147153.

52. Mesyats G.A. Physics of electron emission from ferroelectric cathodes. /

53. Mesyats G.A. //SPIE.- 1994.-Vol. 2259.-pp.419-422.

54. Okuyama M. and Kuratani Y. Electron emission from ferroelectric ceramic thin plate by pulsed electric field. / Okuyama M. and Kuratani Y. // J.Korean Ph.Society- 1996.-v.29.-pp.S607- S611.

55. Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. Electron emission from PZT ceramic and supression of fatigue by PZT thin film coating./ Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. // J.Korean Ph.Society.-1998 v.32.- S1629-S1631.

56. Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. Improvement of Field-Induced Eletron Emission Using Ir or 1Ю2 Electrode and Ferroelectric Film Coating./ Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. // Jpn. J. Appl. Phys.- 1998.-Vol.37.-Part l.-No. 9B.-pp.5421-5423.

57. Okuyama M., Asano J. and Hamakawa Y. Electron emission from lead-zirconate- titanate ferroelectric ceramic induced by pulse electric field./ M.Okuyama, J.Asano and Y. Hamakawa // Jpn.J.Appl Phys.- 1994,- part 1-N9B- v.33 pp.5506-5509.

58. Kuratani Y., Field-excited electroemission from (l-y)Pb(Mgl/3Nb2/3)03-yPbTi03 ceramic. К Y.uratani, et al. // Jpn.J.Appl Phys 1996.- part 1- N9B-v.35.-pp.5185-5187.

59. Kuratani Y., Enhancement of Field-Excited Electron Emission from Lead-Zirconate-Titanate Ceramic Using Ultrathin Metal Electrode/ Y. Kuratani //Jpn. J. Appl. Phys.- 1995,- Part l.-No. 9B.-Vol.34.-pp.5471- 5474.

60. Gundel H., Electric field-excited electron emission from PLZT-x/65/35 ceramics H.Gundel // Ferroelectrics.-1990.-vl 10(Pt. B).- pp. 183-192.

61. Gundel H. High-intense pulsed electron emission by fast polarization changes inferroelectrics. H. Gundel//Ferroelectrics- 1996-Vol. 184-pp. 89-98. .

62. Weiming Z., Electron Energy Distributions Of Ferroelectric Emission From Plzt8/65/35./ Z Weiming et al. //Ferroelectrics.- 1998.-vl95.- pp.103-109.

63. Poprawski R. and Kolarz A. Thermally stimulated light emission from the linear pyroelectric and ferroelectric surfaces. /R. Poprawski and A. Kolarz // J.Phys.Chem.Solids.-1989.-v.50.-N7.-pp.693-701.

64. Riege H. Ferroelectric electron emission: Principles and technology / H. Riege //Appl. Surface Science 1997.-v.111.- pp.318-324.

65. Riege H.; Features and technology of ferroelectric electron emission. /Riege H.;//J. Appl. Phys.- 1998 V. 84- Issue 3, August 01.- pp. 1602-1617.

66. Benedek, G. Displacement and emission currents from PLZT 8/65/35 and 4/95/5 excited by a negative voltage pulse at the rear electrode / G. Benedek, et al. //Nuclear Instruments And Methods In Physics Research Section A.-1997-v393.-Nl.-pp.3-8.

67. Geissler, K., Femtosecond laser-induced electron emission from ferroelectrics. /K.Geissler // Nuclear Instruments And Methods In Physics Research Section A-1996. .-N3-pp.A 372-376.

68. Benedek G., Electron emission from ferroelectric antiferroelectic cathodes excided by short high-voltage pulses/ G. Benedek et al. //J. Appl. Phys. 3 - 1997— t.8 1.- pp. 1396-1403.

69. Wang, J.T. Theoretical model for electron emission from the coating-layer on the ferroelectric disk. / J.T.Wang, et al. //Nuclear Instruments And Methods In Physics Research Section A.-1997.-v387.-N3.-pp.l25-130.

70. Sampayan, S. E., Emission from ferroelectric cathodes /S.E. Sampayan et а1.//тезисы NASA Technical Reports Report Number: DE94-006732 .- 1993-pp.50-55.

71. Sampayan S., Emission, plasma formation, and brightness of a PZT ferroelectric cathode. / S. Sampayan et al.// NASA Technical Reports, Report Number: DE95-015411.-1995.

72. Рабкин Л.М., Исследование некоторых характеристик электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектрика типа PLZT. /Л.М Рабкин. И др.// Письма в ЖТФ.- 1998.- том 24,- выпуск 23.-С. 19-22.

73. Рабкин Л.М. Энергия электронов при экзоэлектронной эмиссии из сегнетоэлектрика. / Л.М. Рабкин, В.Н. Иванов //Письма в ЖТФ 1998- том 24-выпуск 14.-С.54-57.

74. Rosenman G. Electron emission from feroelectric materials. /G. Rosenman and I. Rez //J.Appl.Phys.-1993.-v.73.-N4.-P.1904-1908.

75. Rosenman G.I., Emission of Electrons on Switching of the Gd2(Mo04)3 Ferroelectric-Ferroelastic in Electric Field / G.I. Rosenman et al. //Appl. Phys. Lett.- 1990.-V. 56.-N.7.-P. 689-691.

76. Rosenman G.; Ferroelectric electron emission flat panel display. / G Rosenman //J.Appl.Phys.- 1996.-Issue 9,May 1-V.79- pp. 7401-7403.

77. Shur D. And Rosenman G. A high-perveance ferroelectric cathode with a narrowed electron energy spread. /D. Shur And G. Rosenman // J. Phys. D: Appl. Phys.-7 June 1998-No 11.-P.135-141.

78. Shur D. And Rosenman G. Two modes of plasma-assisted electron emission from ferroelectric ceramics. //J. Phys. D: Appl. Phys 1999.-32 - No 6 - L29-L33.

79. Kugel V. D.; Rosenman G.; Shur D.; Krasik YA.E. Copious electron emission from triglycine sulfate ferroelectric crystals. //J.Appl.Phys- 1995-V.78 pp. 2248-2252.

80. Shannon D. N. Dual mode electron emission from ferroelectric ceramics. / D. N. Shannon // Applied Physics Letters.- 1997 Volume 70 - P. 1625-1627.

81. Gundel H., Time-dependent electron emission from ferroelectrics by eternal pulsed electric fields. / H.Gundel et al. //JAppl. Phys 1991- v.69(2).- P.975-982.

82. Sidorkin A.S., Exoelectron Emission From Ferroelectric Surfase In Alternating Electric Field. /A.S.Sidorkin et al. // Ferroelectrics.- 1993.- V.143.- P.209-213.

83. Sidorkin A.S., Electron emission from ferroelectric plate stimulated by switching./ A.S.Sidorkin, B.M Darinskii //Appl.Surface Science- 1997.—N111 — c.325-328.

84. Sidorkin A.S., Electron emission Stimulated by Switching of Ferroelectrics./ A.S. Sidorkin et al. //Journal of the Korean Physical Society. 1998. - v.32. - pp. S793-S795.

85. Сидоркин, А.С. Эмиссия электронов из слабого сегнетоэлектрика гептагерманата лития./ А.С.Сидоркин и др. // Физика твердого тела. 1996. -т.38. - в.2. - с.624-629.

86. Иванов В.Н., Рабкин J1.M. Переключаемая часть поляризации сегнетокерамики при импульсной эмиссии электронов / В.Н., Иванов J1.M Рабкин.//ЖТФ.-2000:-том 70,- в. 12.-С.43-46.

87. Павлов А., Эмиссия электронов при импульсной переполяризации сегнетокерамики./ А. Павлов и др.// ЖТФ.-1999.-том 69 B.7.-C.49-52.

88. Asano J., Field-Excited Electron Emission from Ferroelectric Ceramic in Vacuum. /J.Asano et al. //Jpn. J. Appl. Phys.-1992.-Vol. 31.- P.3098-3101.

89. Сидоркин A.C., Кинетика экзоэлектронной эмиссии кристалла триглицинсульфата./ А.С. Сидоркин и др. // ФТТ- 1985- Т.27.-№7-С.2200-2203.

90. Колесников В.В., Особенности динамики 180°-х доменов в сегнетоэлектрике в процессах переключения поляризации и эмиссии электронов/ В.В.Колесников. и др.// ФТТ.-2000.-том 42.-№ 1.-е. 141- 146.

91. Томашпольский Ю.Я., Экзоэлектронная эмиссия сегнетоэлектрических* пленок /Томашпольский Ю.Я. и др.// ФТТ.- 1978.- Т.20 №11.-С.3491-3492.

92. Минакова Е.В., Особенности эмиссии электронов с ювенильной поверхнолсти скола полярного кристалла сегнетоэлектрика триглицинсульфата. / Минакова Е.В., //Поверхность - 1986 - Т.7.- С.135-136.

93. Сидоркин А.С., Экзоэлектронная эмиссия в сегнетоэлектрическом кристалле триглицинсульфата с дефектами. /А.С. Сидоркин., A.M. , Косцов //ФТТ.- 1991.- Т.ЗЗ.-№8- С.2458-2459.

94. Косцов A.M., Экзоэлектронная эмиссия из поверхностных состояний в сегнетоэлектрике. /A.M. Косцов и др. // ФТТ 1982.- Т.24.-№11.- С. 34363438.

95. Косцов A.M. Экзоэлектронная эмиссия в кристаллах триглицинсульфата, связанная с изменением состояния доменной структуры: автореф. Дис.канд.физ.- мат.наук./ A.M. Косцов Воронеж, 1990.

96. Розенман Г.И., Электронный эмиттер с регулируемым энергетическим спектром на основе сегнетоэлектрика / Г.И. Розенман //Радиотехника и электроника.- 1987,- Т.32.- в.9.- С.1997-1999.

97. Сидоркин А.С. Внутренняя холодная эмиссия при переполяризации сегнетоэлектрика. /А.С. Сидоркин // ФТТ-1982 Т.24.-№5.-С. 1542-1544.

98. Шихалиев П.М. О механизме усиленной полем самоподдерживающейся вторичной электронной эмиссии в пористых диэлектриках / П.М. Шихалиев // Писма в ЖТФ.-1998.-т.24.-№ 19.-С. 13-18.

99. Новик В.К. О механизме стабилизации лигандами (L, а аланин и L, а1. Л Iаланин + Сг ) полярного состояния ТГС В.К. Новик// Кристаллография .1983.- т.28- В.6.- С. 1165-1171.

100. Сидоркин А.С., Пономарёва Н.Ю., Миловидова С.Д. Электронная эмиссия в сегнетоэлектриках с различной величиной коэрцитивного поля. /. А.С.Сидоркин, Н.Ю.Пономарёва, С.Д. Миловидова // ФТТ. -1999.- том 41, вып. 9.- С. 1675-1678

101. Кортов B.C., Экзоэмиссионный контроль поверхности деталей после обработки./ В.С.Кортов и др.- Киев: Наук, думка, 1986 176с.

102. Sujak В., Exoemission exitation of ferroelectrics in vacuum by alternating voltage. / B.Sujak, K. Biedrzycki //Jap.J.Appl.Phys-1985.- V.24.-Suppl.224.-P.81-82.

103. Sidorkin A.S. Exoelectron Emission From Ferroelectric Surfase In Alternating Electric Field. /A.S.Sidorkin et al.|//Ferroroelectrics 1993.- V.143-P.209-213

104. Сидоркин,А.А. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла триглицинсульфата, нагреваемого с большой скоростью /А.А. Сидоркин. и др.//ФТТ- 2002 т.44- в. 2- С.344-345.

105. Сидоркин А.А. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла ТГС с примесью хрома. /А.А. Сидоркин и др. // ФТТ 2003 - т.45- в.5- с.892-895.

106. Sidorkin A. A. Thermostimulated Electron Emission in Paraelectric Phase of TGS Crystals with Nickel Admixture/ A. A. Sidorkin et al. // Ferroelectrics-2004 V.302 - P.257-262

107. Козаков А.Т., Колесников В.В., Никольский А.В., Новиков И.В., Панченко Е.М, Емельянов С.М. Аномалии возбужденной мягким рентгеновским излучением эмиссии из магнониобата свинца /А.Т. Козаков // ФТТ 1996 - т.28 - №8 -с.2524-2636

108. Козаков А.Т. Аномальная электронная эмиссия из монокристаллов ниобата и танталата лития. /Козаков А.Т. и др.- ФТТ-1997- т.39- №4 с.679-682.

109. Никольский А.В., Козаков А.Т. Спектры аномальной электронной эмиссии и поляризационные явления в монокристалле магнониобата свинца./ А.В., Никольский А.Т. Козаков // ФТТ/ 1997 / т.39 / №8 / с. 1446-1451.

110. Козаков А.Т. Потенциальный рельеф на поверхности поляризованных сегнетоэлектриков-электретов по спектрам аномальной электронной эмиссии. /Козаков А.Т. // ФТТ / 2003 / т.45 / в.7 / с. 1228-1234.

111. Колесников В.В., Физические аспекты формы спектров электронной эмиссии из сегнетоэлектриков-электретов./ В.В.Колесников, А.Т. Козаков //ФТТ/ 2002 / т.44 / в.1 /с.147-149.

112. Козаков А.Т., Особенности аномальной электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектрических пленок состава РЬТЮЗ и Pb(Zr,Ti)03./ А.Т.Козаков // Письма в ЖТФ/ 1997 / т.23 / №16 / с.55-61.

113. Козаков А.Т., Стимулированная мягким рентгеновским излучением электронная эмиссия с поверхности поляризованных сегнетоэлектриков./ А.Т.Козаков, и др.//ЖСХ 1998 - т.39 - №6 - С.1031-1036. 81

114. Рогазинская О.В., Влияние теплового отжига на термостимулированную эмиссию электронов с поверхности кристаллов ТГС / О.В.Рогазинская // Вестник ВГУ.- Сер.физ.- 2004. -№2. С. 82-85.

115. Вольдсет Р. Прикладная спектрометрия рентгеновского излучения. М. Атомиздат, 1977,197с.

116. Сидоркин А.С., Релаксация электронной эмиссии из кристалла ТГС с дефектами /А.С.Сидоркин и др.// Изв. РАН, Сер. физ., 2000, Т. 64, С. 17631766.

117. Неклюдов И.М., и др./ И.М.Неклюдов // Физика и химия обработки материалов. 1998. №4. С.23-25

118. Миловидова С.Д., Кристаллография. /С.Д. Миловидова // 1997. Т.42. № 6. С.1137-1139.

119. Milovidova S.D,Influence of x-ray irradiation on the formation of dielectric hysteresis loop for unipolar tgs crystals / S.D. Milovidova et al. // Ferroelectrics, 2001,- vol. 265,-P.189.-192.

120. Волк T.P. Ослабление рентгеновского излучениямонокристаллами триглицинсульфата / T.P. Волк С.В. Медников. // Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин, 1982, С.85-92.

121. Сидоркин А. А. Кинетика электронной эмиссии из сегнетоэлектрического кристалла ТГС / А.А.Сидоркин и др. //Физика твердого тела.-2000. т.42, №4. -С.725-726